TWI612286B - 用於檢測導電性和/或可極化粒子的感測器、感測系統、操作感測器的方法、此感測器的製造方法及此感測器的應用(二) - Google Patents
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Abstract
本發明係有關於一用於檢測導電性及/或可極化粒子,特別為用於檢測煙塵粒子之感測器,其含一基板及至少兩電極層,其中係配置一第一電極層、及至少一排列在該基板與第一電極層之間的第二電極層,其中至少一絕緣層係在該第一電極層與該至少一第二電極層之間形成,且該至少第一電極層與該至少一絕緣層各具有至少一在其等內所形成的開口,其中在第一電極層內之該開口及在絕緣層之該開口係至少在區段內以一個在另一個上面的方式形成,藉以形成至少一通至該第二電極層的通道。
Description
本發明係有關於一用於檢測導電性及/或可極化粒子,特別為用於檢測煙塵粒子之感測器。而且,本發明係有關於感測系統、操作感測器的方法、製造一用於檢測導電性及/或可極化粒子之感測器的方法及此系統的應用。
自先前技藝已知感測器包含一感測器承載器,其中電極及加熱結構體係以平面方式排列在本感測器承載器上。在一檢測操作內,極性及/或導電性粒子係沉積在本平面排列上。該等沉積粒子會導致該等電極間之電阻的減少,其中本電阻之下降係作為一用於測定該沉積微粒物料的方法。當與該電阻比較,達一預定臨限值時,藉該等加熱結構體而加熱該感測器排列,因此該等沉積粒子經燒除且,一旦清潔步驟完成時,該感測器可用於進一步的檢測循
環。
DE 10 2005 029 219 A1描述一用於檢測得自燃機之廢氣流內之粒子的感測器,其中該等電極、加熱-及溫度-感測器結構體係以平面排列沉積在一感測器承載器上。本感測器排列之一缺點係由於以下事實而產生為了在測定導電性或可極化粒子(諸如煙塵)時可獲得一可接受的靈敏度範圍,該等欲經橋連的電極之長度必須最小。然而,據此,該等感測器組件必須具有一特定大小,因此才可獲得該等欲經橋連之電極的最小長度。在這些感測器組件之製造時,其會導致相應的成本問題之缺點。
本發明潛存的問題為提議一用於檢測導電性及/或可極化粒子,特別為用於檢測煙塵粒子之進一步經研發的感測器,其中該感測器之大小係經最小化,因此可克服上述缺點。
而且,本發明之該問題為提議一感測系統、一用於操作感測器之方法、及一用於製造此感測器之方法。
根據本發明,本問題係藉一如請求項1之用於檢測導電性及/或可極化粒子,特別為用於檢測煙塵粒子的感測器而解決。就感測器而言,該問題係藉如請求項20的特徵而解決。就該用於操作感測器的該方法而言,該問題係藉如請求項21的特徵而解決,就該用於製造感測器的該方法而言,該問題係藉如請求項23的特徵或藉如請求項31的特徵而解決。就感測器的應用而言,該問題係藉如請求項
32或33的特徵而解決。
根據本發明的該感測器、或根據本發明之用於操作感測器的該方法、或根據本發明之用於製造此感測器的該方法、或根據本發明之該感測器的應用之有利的且合適之實施例係揭示在次請求項內。
本發明係根據下述的理想:提議一用於檢測導電性及/或可極化粒子,特別為用於檢測煙塵粒子之感測器,其含一基板及至少兩電極層,其中係配置第一電極層、及至少一排列在該基板與該第一電極層之間的第二電極層,其中至少一絕緣層係在該第一電極層與該至少一第二電極層之間形成,且該第一電極層及該至少一絕緣層各具有至少一開口,其中在第一電極層內的該開口、及在絕緣層內的該開口係至少在區段內,以一個在另一個上面的方式排列,因此形成至少一通至該第二電極層的通道。
較佳提議一感測器,其含一基板、一第一電極層、一排列在該基板與該第一電極層之間的第二電極層,其中第一絕緣層係在該第一電極層與該第二電極層之間形成,至少一第三電極層係在該第一絕緣層與該第一電極層之間形成,且一第二絕緣層係在該第三電極層與該第一電極層之間形成,其中該第一電極層、該至少第二絕緣層、該至少第三電極層及該第一絕緣層各具有至少一開口,其中第一電極層之該開口、至少第二絕緣層之該開口、至少第三電極層之該開口、及該絕緣層之該開口係至少在區段內以一個在另一個上面的方式排列,因此形成至少一通至該第
二電極層的通道。
換言之,係提供一感測器,其中第一及第二電極層係以一層在另一層上面的方式平行排列,且在這兩電極層之間形成第一絕緣層,可擇地,至少一第三電極層及可擇地至少一第二絕緣層。為了形成一通至該第二電極層之通道以致使欲經檢測之粒子(特別為煙塵粒子)可借助於該通道而到達該第二電極層,該第一及第三電極層、以及該第一及第二絕緣層各具有至少一開口,其中在第一及第三電極層內之該開口、以及在該第一及第二絕緣層內之該開口係至少在區段內以一個在另一個上面的方式排列,因此可形成該通道或該通道被形成。
粒子因此僅可自該感測器之一側(亦即自最接近該第一電極層之該感測器的一側)經由至少一通道抵達該第二電極層。導電及/或可極化粒子因此可位於該第二電子層之一區段上。
該根據本發明之感測器可,例如包含至少三電極層及至少兩絕緣層,其中一絕緣層較佳總是在兩電極層之間形成。
一絕緣層可包含二或多亞層,其等可排列在彼此旁邊及/或排列在彼此上面。一絕緣層之二或多亞層可自不同材料製成及/或可包含不同材料。
兩電極層亦可包含二或多亞層,其等可排列在彼此旁邊及/或排列在彼此上面。一電極層之二或多亞層可自不同材料製成及/或可包含不同材料。
該感測器可包含不只三電極層以及不只兩絕緣層,關於這方面,一絕緣層亦較佳總是在兩電極層之間形成。在下文中,情況如下;該說法“至少第三電極層”係意指第四及/或第五及/或第六及/或第七及/或第八及/或第九及/或第十電極層亦可用以取代所述該第三電極層。
在下文內,情況如下:該說法“至少第二絕緣層”係意指第三及/或第四及/或第五及/或第六及/或第七及/或第八及/或第九絕緣層亦可用以取代所述該第二電極層。
換言之,該根據本發明之感測器可包含一多層複合物,其包含至少三電極層及至少兩絕緣層。
最接近該基板的電極層稱為該第二電極層,離該基板最遠的電極層稱為第一電極層。例如至少一第三電極層係位於該第一電極層與該第二電極層之間,其中至少一絕緣層係在每兩電極層之間形成。
該等電極層係排列在彼此上面,特別在彼此上面成層,其中該等電極層係各藉該等絕緣層而彼此分隔。換言之,該等電極層並未位於一平面內。
在第一電極層內之該開口較佳與該第一電極層之周邊分隔開,在可擇地至少第二絕緣層內之該開口係與該第二絕緣層之周邊分隔開而形成,在可擇地至少第三電極層內之該開口係與該第三電極層之周邊分隔開而形成,且第一絕緣層之該開口係與該第一絕緣層之周邊分隔開而形成。該等開口因此較佳不在外圍、或不在該等相關層之側緣上形成。
該第一電極層及該可擇地第三電極層係藉該位於其等之間的絕緣層而彼此隔絕。該可擇地第三電極層及該第二電極層係藉該位於其等之間的第一絕緣層而彼此分隔。本建構方式可形成一比具有較小結構大小的先前技藝感測器具靈敏性的感測器。
該第二、較佳為扁平形狀的電極層係間接或直接連接至該基板。可藉一促黏劑(特別為促黏層)而使該第二電極層間接連接至該基板。亦可以以孤立的方式在該基板與該第二電極層之間形成該促黏劑。例如可以以似滴液的方式形成該促黏劑/促黏層。可在該第二電極層與該基板之間形成一促黏層。
該促黏劑(特別為該促黏層)可包含,例如氧化鋁(Al2O3)或二氧化矽(SiO2)或陶瓷或玻璃或其等之任何組合。所形成該促黏層較佳很薄且因此僅具有很小的厚度。
該第一絕緣層及/或該至少第二絕緣層可具有一以下的厚度:0.1至50微米、特別為1.0至40微米,特別為5.0微米至30微米、特別為7.5微米至20微米、特別為8微米至12微米。可藉該絕緣層(群)之厚度而設定該第一電極層與另外的電極層間之距離。可藉減少該等疊置,例如平面的電極層間之距離而增加該感測器的靈敏度。該絕緣層之厚度越小,該感測器之靈敏度越高。
一基板之該等電極層的厚度(群)及/或該絕緣層(群)的厚度(群)亦可改變。
該絕緣層(群)可包含氧化鋁(Al2O3)或二氧化矽
(SiO2)或氧化鎂(MgO)或氮化矽(Si2N4)或玻璃或陶瓷或其等之任何組合。
該第一絕緣層較佳可側向圍繞該第二電極層。換言之,該第一絕緣層可覆蓋該第二電極層之該等側表面,因此該第二電極層係經側隔絕。例如該至少第二絕緣層可側向圍繞該至少第三電極層。換言之,該第二絕緣層可覆蓋該第三電極層的該等側表面,因此該第三電極層係經側隔絕。
該第一電極層及/或第二電極層及/或該可擇地至少第三電極層係自導電材料製成、特別自金屬或合金、尤其自耐高溫金屬或耐高溫合金、更特佳自鉑金屬或自鉑金屬合金製成。該等鉑金屬之元素為鈀(Pd)、鈦(Pt)、銠(Rh)、鋨(Os)、銥(Ir)及釕(Rh)。亦可使用鹼金屬,諸如鎳(Ni)或鹼金屬合金,諸如鎳/鉻、或鎳/鐵。
可自一導電性陶瓷、或金屬及陶瓷的混合物製成至少一電極層。例如可自鈦粒(Pt)及氧化鋁粒(Al2O3)之混合物製成至少一電極層。至少一電極層可包含碳化矽(SiC)或自碳化矽(SiC)製成。上述材料及金屬、或這些金屬的合金尤其具耐高溫性且因此適於形成可用以檢測來自內燃機之廢氣流中的煙塵粒子之感測器元件。
在本發明另一實施例中,該第二電極層係自導電性材料(特別為自一具有比製成該第一電極層之該金屬或合金之蝕刻抗性還高的金屬或合金)製成。其優點為該第二電極層可被建構成一能中止製法中之該蝕刻製程的層體。
換言之,可使用本方式建構的第二電極層以測定,例如一欲經導入該感測器結構內之通道的蝕刻深度。
在其面向遠離該第一絕緣層之第一電極層的該側上,可形成至少一覆蓋層,其特別係自陶瓷及/或玻璃及/或金屬氧化物形成。換言之,該覆蓋層係在該第一電極層的一側上形成,其係位於該第一絕緣層的反向側。該覆蓋層可作為一擴散障壁且此外,可減少於高溫(例如在一廢氣流內,其可高如850℃)下,該第一電極層的蒸發現象。
該至少一覆蓋層可側向圍繞該第一電極層。在本發明之另一實施例中,該覆蓋層另外可側向圍繞該至少第二絕緣層。在本發明之另一實施例中,該覆蓋層可另外側向圍繞該至少第二絕緣層及該至少第三電極層。
至少一覆蓋層可並未完全覆蓋該最上面的電極層(更特定為該第一電極層)。換言之,至少一覆蓋層可僅覆蓋區段內之該最上面的電極層(特別為該第一電極層)。若該最上面的電極層係呈一加熱層的形式形成,則僅該加熱環路/加熱旋管之該等區段藉該至少一覆蓋層而覆蓋。
在本發明之另一實施例中,該至少一覆蓋層可另外側向圍繞該至少第二絕緣層及該至少第三電極層與該第一絕緣層。換言之,該第一電極層之該等側表面以及該等絕緣層之側表面及排列在其下面的電極層可藉至少一覆蓋層而覆蓋。而且,該覆蓋層亦可側向圍繞該第二電極層。該側圍繞部份或該覆蓋層之側圍繞區域可因此自該第一電極層延伸到該第二電極層。其係藉該第一電極層及/或該絕
緣層及/或該至少第三電極層及/或該第二電極層而發生。
此外,至少一多孔過濾層可在其面向遠離該絕緣層之第一電極層的該側上,或在其面向遠離該第一電極層之覆蓋層的該側上形成。借助於此多孔過濾層,可以使大粒子斷片遠離含至少兩、特別為至少三疊置電極層的排列。該過濾層的細孔大小可以是例如>1微米。更特佳為一在自20微米至30微米之範圍內的細孔大小。該多孔過濾層可,例如自一陶瓷材料形成。而且,該多孔過濾層可自氧化鋁發泡體形成。借助於該過濾層(其亦可覆蓋該至少一通至該第二電極層的通道),可以使會干擾測定步驟的該等大粒子(特別為煙塵粒子)遠離該至少一通道,因此此等粒子不會導致短路。
該至少一通至該第二電極層的通道可,例如呈一盲孔形式,其中該第二電極的一區段可形成該盲孔的基底,且該盲孔可至少延伸通過該絕緣層、可擇地通過至少第三電極層、可擇地通過至少第二電極層且通過該第一電極層。若該感測器具有一覆蓋層,則該盲孔亦延伸通過該覆蓋層。換言之,該第一電極層以及該可擇地至少第二絕緣層、該可擇地至少第三電極層及該第一絕緣層與該覆蓋層各具有一開口,其中這些開口係以一個在另一個上面的方式排列,因此其等可形成一盲孔,其基底係藉該第二電極層之一區段而形成。該盲孔之基底可,例如藉其面朝向該絕緣層之該第二電極層的上側而形成。而且,該第二電極層可包含一能形成該盲孔之基底的凹槽。
該盲孔之開口橫截面係藉可將該第一電極層、該至少第二絕緣層、該至少第三電極層及該第一絕緣層與,若合適,該覆蓋層之開口劃定界限的邊緣區段而形成。該至少一盲孔之該開口橫截面可以是圓形或方形或長方形或扁豆狀或蜂巢狀或多邊形或三角形或六角形。亦涵蓋其它構形,特別為自由形式。
例如該盲孔可具有一具有以下面積之方形橫截面:自3x3微米2至150x150微米2、特別為自10x10微米2至100x100微米2、特別為自15x15微米2至50x50微米2、特別為自20x20微米2。
在本發明之另一實施例中,該感測器可包含數個通道、特別為盲孔,其中這些盲孔係如上述方法形成。而且,已知至少兩通道,特別為至少兩盲孔,可具有不同的橫截面,特別為不同橫截面面積,因此,可形成具有數個領域的感測器陣列,其中可使用數個具有不同大小之盲孔橫截面的測量室。導電性及/或可極化粒子,特別為煙塵粒子,之平行檢測可獲得有關於該等粒子之大小、或該等粒子之大小分佈的額外資訊。
在本發明之另一實施例內,該第一絕緣層、該可擇地至少第三電極層、該可擇地至少第二絕緣層、該第一電極層各可經形成呈線形或曲徑或似格子形或螺旋狀。換言之,在該第一絕緣層內之一開口,在該可擇地至少第三電極層內之一開口、在該可擇地至少第二絕緣層內之一開口、及在該第一電極層內之一開口各經形成呈線形或曲徑
或螺旋狀或格子形。在各該層內之該等開口較佳均勻地形成,因此可形成一通道。該等開口未必具有精確合適的橫截面或精確合適的橫截面大小。該等開口之橫截面係沿著該第一電極層的方向自該第二電極層開始分別變大。較佳均勻地形成該等開口之基本形狀、因此係形成所有具有線形或曲徑或螺旋狀或格子形的開口。
在本發明之另一實施例內,該感測器可包含數個呈線形及/或曲徑及/或螺旋狀及/或格子形而形成的通道。
若該第二電極層具有一曲徑或環路形式,則該感測器之至少一通道的形成可致使該通道並不會在該曲徑形狀或環路形狀之一間隙或開口終止。該感測器之該至少一通道的形成可致使該第二電極層之一區段形成該通道的基底。
而且,該至少一通道可呈一細長凹槽形式而形成,其中該第二電極層之一區段可形成該細長凹槽之基底,且該細長凹槽可至少延伸通過該第一絕緣層、通過該可擇地至少第三電極層、通過該可擇地至少第二絕緣層、並通過該第一電極層且通過一/該可擇地形成之覆蓋層。
該細長凹槽被稱為渠溝及/或槽溝及/或導槽。
在本發明之另一實施例中,該感測器可包含至少一呈盲孔(其係為圓形及/或似正方形及/或長方形及/或扁豆狀及/或蜂巢形及/或方形及/或三角形及/或六角形)形式的通道、及至少一呈細長凹槽(其係呈線形及/或曲徑及/或螺旋狀及/或似格子形)形式的通道。
在本發明之另一實施例內,該第一電極層、該可擇地至少第二絕緣層、該可擇地至少第三電極層及該第一絕緣層各具多孔性設計,其中在第一電極層內之該至少一開口、在可擇地至少第二絕緣層內之該至少一開口、在可擇地至少第三電極層內之該至少一開口、及在第一絕緣層內之該至少一開口係至少在區段內以一個在另一個上面的方式排列,藉以形成該至少一通至該第二電極層之通道。換言之,接著沒必要主動地或後續地進行該等通道的結構化,其中該第一及至少第三電極層與該第一及至少第二絕緣層可穿透該欲經測定的介質。
其可,例如藉該等層之一多孔性或粗粒的構造而製成。該等電極層及該等絕緣層皆可藉將各粒子一起燒結而製成,其中該欲經測定之介質的細孔或空穴係藉該一起燒結步驟而形成。所形成該第二電極層較佳具非多孔性。因此,自其面向遠離該第一絕緣層之第一電極層的該側開始一直到其面朝向該絕緣層之第二電極層的該側,由於該等電極層(特別為該第一及該可擇地至少第三電極層)、及該絕緣層之該等細孔的疊置排列,所以必須形成至少一通道,該通道可以使一粒子進入該第二電極層以便測定或檢測該粒子。若該感測器具有一覆蓋層,則本覆蓋層亦較佳具多孔性,因此在該覆蓋層內之一細孔、在該第一電極層內之一細孔、在該第二絕緣層內之一細孔、在該第三電極層內之一細孔及在該第一絕緣層內之一細孔可形成一通至該第二電極層之通道。
就該測定或檢測需求之進行而言,可將該第一及可擇地第三電極層及/或該第一及可擇地第二絕緣層及/或該覆蓋層(群)內的細孔分佈及其數量最佳化。
該第一及/或第三電極層及/或該第一及/或第二絕緣層及,若合適,該至少一覆蓋層可具有含不同細孔大小之區段,因此形成一具有數個含不同細孔大小之領域的感測器陣列。使用含不同細孔大小之層區段的平行檢測可測定欲經分析之該介質或欲經檢測之該介質的一“指紋(fingerprint)”。經由使用本方式,可獲得有關於該等欲經測定粒子之大小或大小分佈的進一步資訊。
該第一電極層、該第二電極層及可擇地至少第三電極層各具有一不含排列在各該電極層上之感測器層的電接觸表面,且於各情況下,其係經連接或可連接至一連接墊。該等彼此隔絕的電極層係經連接或可連接至連接墊。每一電極層形成至少一電接觸表面,其係經曝露以便在該連接墊之區域內進行電接觸。該第一電極層之電接觸表面不含任何覆蓋層且不含被動多孔過濾層。換言之,在該第一電極層之電接觸表面上,既無該覆蓋層之一區段,亦無該過濾層之一區段。
該第二或至少第三電極層之電接觸表面不含絕緣層、不含電極層、且若合適,不含覆蓋層且不含被動多孔過濾層。換言之,在該第二或至少第三電極層之電接觸表面上,既無絕緣層之一區段,亦無電極層之一區段,且無該被動過濾層之一區段。
在本發明之另一實施例中,該第一電極層及/或該第二電極層及/或該至少第三電極層具有導體徑跡環路,因此形成呈一加熱旋管及/或溫度靈敏層及/或防護電極形式之該第一電極層及/或該第二電極層及/或該至少第三電極層。該第一電極層及/或該第二電極層及/或該至少第三電極層具有至少一不含排列在該電極層(亦即該第一及/或第二電極層及/或該至少第三電極層)上之感測器層的電接觸表面,且其係經連接或可連接至一額外連接墊。換言之,該第一電極層及/或該第二電極層及/或該至少第三電極層具有兩電接觸表面,其中該等電接觸表面皆不含排列在該電極層上之感測器層。
當該電極層係呈一加熱旋管及/或溫度靈敏層及/或防護層的形式形成時,必須在一電極層上形成兩電極接觸表面。該第二及/或該至少第三電極層較佳具有兩電接觸表面。較佳呈一加熱旋管以及一溫度靈敏層與一防護電極的形式形成該第二及/或該至少第三電極層。若該電接觸表面係以合適方式經電連,則該電極層可作為加熱器或溫度靈敏層或防護電極。使用本方式所建構的電表面意指可提供袖珍型感測器,因為一電極層可以有許多功用。因此並不需要各別的加熱旋管層及/或溫度靈敏層及/或防護電極層。
當至少一電極層經加熱時,經測定的粒子或存在於該感測器之通道內的粒子可,例如經燒離或燒除。
總而言之,可確定由於根據本發明之建構方式,
可提供一高精確性感測器。該感測器之靈敏性可藉一薄絕緣層/數層薄絕緣層之形成而顯著增加。
而且,可建構比已知感測器小很多的根據本發明之該感測器。由於該感測器係在三維空間內形成,所以可形成呈較小感測器形式的數層電極層及/或數層絕緣層。而且,在該感測器之製造時,顯著較大數量的元件可在該基板或在一晶圓上形成。與一般的平面構成的結構比較,本建構方法亦具顯著的成本優勢。
該根據本發明之感測器的另一優點由以下事實構成:該等通道之橫截面可經尺寸規格化,因此具特定大小的特定粒子不能進入該等通道內。而且,數個通道之該等橫截面可具有不同大小,因此僅具相應粒子大小的特定粒子可進入各該通道內。
該根據本發明之感測器可用於檢測氣體內的粒子。該根據本發明之感測器可用於檢測流體內的粒子。該根據本發明之感測器可用於檢測氣體、及液體、或氣-液混合物內的粒子。然而,當使用該感測器以檢測液體內的粒子時,未必可燒除或燒離該等粒子。
就已知感測器而言,該等感測器係排列在一平面內且彼此接合。由於絕緣層係在該等電極層之間形成,且各該電極層係彼此分隔開而形成,所以本發明該感測器之該等電極結構未必接合。該根據本發明之感測器的該等電極層並未彼此連接,而反倒是位於彼此上面、且藉至少一絕緣層而分隔。一“非連續環路”係存在於至少一第一及至
少一第二電極之間。該等至少兩電極層並未彼此交纏或交纏至彼此之內。至少兩電極層僅可藉一存在於至少一通道內的煙塵粒子而彼此電連。
借助於至少所形成的三電極層,在粒子的測定法內,可包括,例如該粒度或包括檢測該粒度。若一粒子僅橋連而疊置的電極層,則該粒子的大小小於一橋連不只兩電極層的粒子。亦可藉該等絕緣層的厚度之不同構形而推斷該等粒子的大小。
依照另一方面,本發明係有關於一含以下組件的感測系統:至少一根據本發明之感測器、及至少一控制器,特別為至少一控制開關,其經建構可以以測定模式及/或清潔模式及/或監測模式操作該感測器。
該根據本發明之感測器及/或該根據本發明之感測系統可包含至少一輔助電極。可施加一電位在一輔助電極與一電極層之間、及/或在一輔助電極與該感測系統之一組件(特別為感測器外殼)之間,該電位可電性吸引或吸取該等欲藉該感測器及/或該感測系統而測定的粒子。較佳施加一電壓至該至少一輔助電極及至少一電極層,該電壓可致使粒子(特別為煙塵粒子)就“吸”入該至少一通道內。
該根據本發明之感測器較佳排列在一感測器外殼內。該感測器可,例如具有一細長管形狀。該根據本發明之感測系統因此亦可包含一感測器外殼。
較佳構成及/或排列該感測器及/或在該感測器外殼內之感測器及/或該感測器外殼以致使該感測器,特別為
該感測器的最上層或排列在離該基板最遠處的該感測器之該層,以和該流體的流動方向呈一角度而排列。該流動並不會以垂直方式撞擊該等電極層的平面。在該第一電極層之平面上的法線與該等粒子的流動方向間之角度α較佳為至少1度、較佳至少10度、更特佳至少30度。而且,較佳為其中在該等粒子之流動方向與,例如細長凹槽之縱軸間的角度β係介於20與90度之間的該感測器之定向。在本實施例中,該等欲經檢測的粒子可更輕易地進入該感測器之該等通道內、特別為進入盲孔或細長凹槽內,且因此增加該靈敏度。
該控制器(特別為該控制開關)較佳經建構以致使該感測器之該等電極層可彼此連接。可施加電壓至該等電極層或各該電極層,因此可以以測定模式及/或清潔模式及/或監測模式操作該感測器。
依照另一方面,本發明係有關於用於控制一根據本發明之感測器及/或一根據本發明之感測系統的方法。
基於該根據本發明之方法,可擇地以測定模式及/或清潔模式及/或監測模式操作該感測器。
可以以測定模式測定在該等電極間或在該感測器之至少兩電極層間的電阻變化、及/或該等電極層之電容的變化。
借助於該根據本發明之方法,係根據在該等電極層間之經測定的電阻變化及/或藉該阻抗之變化的測定及/或藉該電極層(群)之電容的測定而檢測或測定粒子。較佳測
定該等電極層之間的電阻變化。
可以以該測定模式進行電阻測定,亦即根據該電阻原理的測定法。據此,在這兩電極層間之該電阻係經測定,其中當一粒子(特別為煙塵粒子)橋連至少兩作為電導體之電極層時,該電阻減少。
原則上,在該測定模式內之情況如下:可經由施加不同電壓至該等電極層而檢測欲經測定之該等粒子(特別為煙塵粒子)的不同性質。例如可測定該粒度及/或該粒徑及/或該電荷及/或該粒子之極性。
若亦使用至少一電極層或可經連接作為一加熱旋管或加熱層時,可另外使用電阻測定法測定該加熱旋管或加熱層的啟動時間。該加熱旋管或加熱管之啟動相當於一欲經進行的清潔模式。
在至少兩電極層間之該電阻的減少較佳表示粒子(特別為煙塵粒子)業經沉積在該等電極(電極層)之上面或其間。一旦該電阻達一較低底限值,該加熱旋管或加熱層之啟動發生。換言之,該等粒子經燒除。該電阻隨著燒除粒子數或燒除粒子體積的增加而增加。較佳進行該燒除,直到達一上電阻值的時間經測定為止。當達一上電阻值時,可推斷其係為一再生或清潔的感測器。然後可開始或進行一新的測定循環。
或者或另外,可測定該等電極層的電容之變化。該等電極層之排列的充電增加會導致該等電極層的電容增加。粒子(特別為煙塵粒子)在該感測器之至少一通道內的排
列會導致電荷轉移或介電常數(ε)的變化,其會導致電容(C)的增加。原則上,以下適用:C=(ε x A)/d,其中A代表該電極層之主動電極區域,而d代表兩電極層間之距離。
可,例如藉以下步驟而進行該電容之測定:- 在一恒定電流下,測定該電壓增加之速率及/或- 施加一電壓並測定該充電電流及/或- 施加一交變電壓並測定該電流特徵及/或- 經由一LC共振電路而測定該共振頻率。
可併用一欲經執行的監測模式以進行該等電極層之電容之變化的該所述測定法。
根據OBD(車載診斷(on-board diagnosis)法令,所有與廢氣相關的零件及組件的功能性必須經檢查。例如必須在汽車業經啟動後,直接進行該功能性檢查)。
例如可破壞至少一電極層,其中會連帶使主動電極面積A減少。由於主動電極面積A係直接與電容C成比例,所以一經破壞的電極層之經測定電容C減少。
或者或另外,在該監測模式內可將該等電極層建構為導體電路。該等導體電路可被建構為閉合式或開放式導體電路,若必要,其等可藉,例如一開關器而閉合。而且,可藉至少一開關器而關閉該等電極層以形成至少一導體電路,其中係以該監測模式檢查是否有一試驗電流流經該至少一導體電路。若一電極層具有一裂縫或損害或經破壞,則無試驗電流會流動。
依照另一方面,本發明係有關於用以製造一用於
檢測導電性及/或可極化粒子的感測器之方法,特別為用於製造一根據本發明所述的感測器之方法。
根據該方法,係製造一含以下組份的多層複合物:第一電極層、第二電極層、一排列在該第一電極層與該第二電極層之間的第一絕緣層、可擇地至少一排列在該第一絕緣層與該第一電極層之間的第三電極層、及可擇地至少一排列在該第三電極層與該第一電極層之間的第二絕緣層,其中至少一通道係接著被導入該多層複合物內,該通道可延伸通過該第一電極層、該可擇地至少第二絕緣層、該可擇地至少第三電極層、及該第一絕緣層,其中該通道之基底係藉該第二電極層之一區段而形成。
該方法亦係基於製造一多層複合物(其包含至少三電極層及兩絕緣層)以將至少一通道導入本多層複合物內的概念。該通道允許欲經檢測之粒子(特別為煙塵粒子)可進入該第二電極層。
可使用薄層技術或厚層技術或這些技術的組合進行多層複合物及/或該多層複合物之個別層的製法。就可適用的薄層技術而言,可選擇蒸鍍法或較佳陰極濺鍍法。就厚層技術而言,特別可使用網版印刷法。
可藉化學蒸氣沉積法(CVD方法)或電漿輔助的化學蒸氣沉積法(PECVD方法)而形成至少一絕緣層及/或在其面向遠離該絕緣層之該第一電極層之該側上所形成的至少一覆蓋層。
以可側向圍繞該第二電極層的方式製成該第一
絕緣層。亦可以以可側向圍繞該第一電極層及/或該至少第二絕緣層及/或該至少第三電極層及/或該第一絕緣層及/或該第二電極層的方式製成一可擇的覆蓋層。因此,該等絕緣層中之至少一者、以及至少一/該覆蓋層可形成一另外的側向包覆。
可形成,例如呈一盲孔或一細長凹槽形式的該通道,其中該至少一盲孔、或該盲孔之一區段、或該至少一細長凹槽、或該細長凹槽之一區段係藉至少一移蝕或蝕刻法、特別為藉電漿-離子-蝕刻法、或藉適用於欲經移蝕或蝕刻的該多層複合物之各該層之數種連續移蝕或蝕刻法而導入該多層複合物內。
換言之,可將一盲孔或一細長凹槽導入該多層複合物內,其方式可,例如就欲經滲透或蝕刻或移蝕的各層而言,可使用適於本層體的最佳方法,且因此進行數種連續性蝕刻或移蝕步驟。
而且,已知可藉化學蝕刻法而自一液相或氣相導入該盲孔或該盲孔之一區段或該細長凹槽或該細長凹槽之一區段。該第一電極層較佳由相當容易經完整蝕刻,或蝕刻之金屬(特別為鉑層)製成。
在根據本發明之該方法的一合適實施例中,當該第二電極層係自一其抗蝕刻性相對上高於該第一電極層及該等絕緣層之抗蝕刻性的材料製成時,於該第二電極層所進行的蝕刻操作可中止。若該多層複合物或該感測器包括一額外覆蓋層,則該第二電極層亦包含一其抗蝕刻性高於
該覆蓋層之抗蝕刻性的材料。例如,該第二電極層係自鉑/鈦合金(Pt/Ti)製成。而且,可知該第二電極層包含一金屬氧化物填充層。
在根據本發明之該方法的另一實施例中,可形成呈一能中止該蝕刻法的層體形式之該第一絕緣層及/或該至少第二絕緣層,且,在另一步驟內,係在回火法或回火步驟內,將該盲孔之一區段或該細長凹槽之一區段導入該第一絕緣層內及/或導入該至少第二絕緣層內,且該第一絕緣層及/或該至少第二絕緣層會產生相變。
在根據本發明之該方法的另一實施例中,該至少一通道及/或一通道被建構為一盲孔或一細長凹槽,且本盲孔或該至少一盲孔或該盲孔之一區段或本細長凹槽或該至少一細長凹槽或該細長凹槽之一區段係藉一具有帶電粒子(電子)之電磁波的輻射照射方法而導入該多層複合物內,其中該輻射照射源及/或該輻射之波長及/或該輻射之脈衝頻率適於欲經處理之該多層複合物的各該層。
較佳該至少一通道及/或一通道被建構為一盲孔或一細長凹槽,且本盲孔或該至少一盲孔或該盲孔之一區段或本細長凹槽或該至少一細長凹槽或該細長凹槽之一區段係藉雷射法,更佳藉超短脈衝雷射而導入該多層複合物內,其中該雷射源及/或該雷射之波長及/或脈衝頻率及/或該等帶電粒子之能量及/或該等帶電粒子之性質適於欲經處理之該多層複合物的各該層。該超短脈衝雷射更特佳為飛秒雷射(femto-laser)或皮秒雷射(pico-laser)。
一用於製造該欲被建構為一盲孔或細長凹槽的通道之合適方法因此是藉雷射而進行該多層複合物之部份移蝕法。可採用具有適於欲經移蝕之各該材料的不同波長及/或脈衝頻率之雷射源。此方法具有下述之優點:可快速進行各該雷射化步驟,因為其等經修飾適於構成該欲經移蝕之層體的材料,因此可獲得通道及/或盲孔及/或細長凹槽進入該多層複合物內的總改良導入性。已證明超短脈波雷射之應用特別有利。
然而,除了電磁輻射外,可使用帶電或未帶電粒子以進行該等電極及/或絕緣層的移蝕。因此,除了電子束外,可使用其它帶電或未帶電粒子以進行移蝕。可使用或未使用遮罩(其含有欲經傳達的結構資訊)以進行上述步驟。
在根據本發明之該方法的另一實施例中,在該多層複合物的製造時,可特別藉網版印刷法或噴塗法或浸漬法或旋塗法而在該第二電極表面與該至少第三電極之間、或在該至少第三電極表面與該第一電極表面之間形成呈一未經穿插的表面形式之該絕緣層及/或該至少第二絕緣層,且,在一後續製程步驟內,係特別藉一溶解或蝕刻或燒除法而移除該第一絕緣層之至少一區段及/或該至少第二絕緣層以形成該感測器內之該通道。
此方法相當於損失形式(lost form)的原理。因此經由使用該損失形式的原理,尤其可使用溫度穩定性材料以建構其等。一損失形式係用以產生一自該第一電極層通
至該第二電極層的通道。自一溫度穩定性材料製成的該至少絕緣層或該絕緣化層係在該等電極層之間產生,其中係較佳在施加該第一電極層之後,藉溶解或蝕刻或燒除法而移除該絕緣層之一區段。因此,亦移除位於其上之該第一電極層。當形成一覆蓋層時,亦可藉在該絕緣層之該區段上所進行的溶解或蝕刻或燒除法而移除在該絕緣層之該經移除區段上的該覆蓋層之該區段。
較佳,在將該通道及/或一盲孔及/或一細長凹槽導入該多層複合物內之後,施加至少一被動多孔過濾層至該覆蓋層。例如自氧化鋁發泡體形成該被動多孔過濾層。本發泡體亦係在該至少一通道或該至少一盲孔的上面或在該至少一細長凹槽的上面形成。
依照另一方面,本發明係有關於用以製造一用於檢測導電性及/或可極化粒子之感測器,特別為一如請求項16-19中任一項之感測器的方法。
係製成一具有以下組份的多層複合物:第一電極層、第二電極層、一排列在該第一電極層與第二電極層之間的第一絕緣層、至少一排列在該第一絕緣層與該第一電極層之間的第三電極層、及至少一排列在該第三電極層與該第一電極層之間的第二絕緣層,其中該第一絕緣層、該至少第三電極層、該至少第二絕緣層及該第一電極層係呈多孔層形式形成。該第一及第三電極層、與該第一及第二絕緣層之該等細孔係經設定以致使在該第一電極層內之至少一細孔、在該至少第二絕緣層內之至少一細孔、在該至
少第三電極層內之至少一細孔、及在該第一絕緣層內之至少一細孔至少在區段內係以在彼此之上的方式排列,因此產生至少一通至該第二電極層的通道。
當該感測器具有一覆蓋層時,可施加本覆蓋層至該具有一細孔大小及孔隙率的第一電極層,其中在該覆蓋層內之至少一細孔至少在區段內係排列在該第一電極層內之一細孔上、排列在該至少第二絕緣層內之一細孔上、排列在該至少第三電極層內之一細孔上、且排列在該第一絕緣層內之一細孔上,因此形成至少一自該覆蓋層通至該第二電極層的通道。最後,接著可施加一被動多孔過濾層至該覆蓋層。
依照另一方面,係提議用以製造一用於檢測導電性粒子及/或可極化粒子之感測器、特別為用於製造一如請求項1-19中任一項之感測器的方法,其中係製成一具有以下組份的多層複合物:第一電極層、第二電極層、至少一第一排列在該第一電極層與該第二電極層之間的第一絕緣層、可擇地至少一排列在該第一絕緣層與該第一電極層之間的第三電極層、及可擇地至少一排列在該第三電極層與該第一電極層之間的第二絕緣層,其中該第一絕緣層、該至少第三電極層、該至少第二絕緣層及該第一電極層係以結構性方式產生,特別係藉抬離(lift-off)法及/或噴墨法及/或壓印法而產生,因此,由於係以一層在另一層上面的方式結構性施加各該層,所以形成一通至該第二電極層的通道。
換言之,已在該絕緣層(群)及/或該第一及/或第三電極層之製造期間,儘早產生一具有開口或凹槽的結構,其中至少在區段內以一個在另一個上面的方式排列之數個開口可形成至少一通至該第二電極層的通道。若該感測器具有一覆蓋層,則亦可施加已具結構性的本覆蓋層至該第一電極層。
就用以製造一用於檢測導電性及/或可極化粒子之感測器的所有上述方法而言,該第一電極層及/或該第二電極層及/或該可擇地至少第三電極層各必須包含一電接觸表面。其經獲得的原因在使該第一電極層及/或該第二電極層及/或該可擇地至少第三電極層不含排列在各該電極層上之感測器層。另一方面,其經獲得的原因在該等電接觸表面係經由移蝕及/或蝕刻及/或雷射法移除任何排列在其等之上的感測器層而產生。而且,知當該絕緣層及/或該等電極層及/或該覆蓋層(群)經一起組裝時,其等已具結構性,因此在各該感測器層之製造期間,該等電接觸表面已經曝露。
或者或另外,該感測器之多層複合物的至少該等絕緣層、較佳所有層體可藉HTCC(高溫共燃陶瓷)方法而製成。該等絕緣層係藉合併粉末(例如陶瓷粉末、金屬粉末、氧化鋁粉末及玻璃粉末)及一數量之黏合劑與溶劑(其等一起可形成一均質物料)而製成。使本物料沉積在一薄膜帶上以形成綠薄膜。然後進行該等綠薄膜的乾燥。該等綠薄膜可經切割及/或壓印及/或成形、更特定地,具有開口。
然後使該等綠薄膜經,例如捲纏並經輸運以便進行進一步加工。
例如可藉金屬糊狀物之印刷、特別為藉網版印刷或描繪板印刷法而在該綠薄膜上製成該等電極層。或者,可製成薄金屬箔且合適地經預結構化。
於各該基板、電極及絕緣層業經製成後,係以所欲順序排列該等綠薄膜並精確地壓擠在彼此之上,且藉溫度處理法而使其等連接在一起。該黏合劑可以是有機或無機類型,且,在該溫度處理法內,係使其轉變成穩定的材料或經燒除或蒸發。在該溫度處理法進行期間,係藉熔化及燒結法而使該等粒子穩固地結合在一起。因此形成或製成該感測器之三維結構。
在本發明的另一實施例中,已知在建構該多層複合物時,該等電接觸表面係借助於模板而遮掩,因此該等電接觸表面不會經其它感測器層塗覆。
現在可參考附加示意圖而藉代表性實施例更詳細說明本發明。
10‧‧‧感測器
11‧‧‧基板
12‧‧‧第一電極層
13‧‧‧第二電極層
14‧‧‧第一絕緣層
15‧‧‧開口,第一電極層
16‧‧‧開口,第一絕緣層
17‧‧‧通道
17’、17”‧‧‧細長凹槽
18‧‧‧促黏層
19‧‧‧側表面,第二電極層
20‧‧‧該第一電極層之側面
21‧‧‧覆蓋層
22‧‧‧側表面,第一電極層
23‧‧‧側表面,絕緣層
24‧‧‧上區段,覆蓋層
25‧‧‧側區段,覆蓋層
26‧‧‧側面,覆蓋層
27‧‧‧多孔過濾層
28‧‧‧基底
29‧‧‧開口,覆蓋層
30、30’‧‧‧粒子
31‧‧‧側面,第二電極層
32‧‧‧邊緣區域,第一電極層
33‧‧‧電接觸表面,第一電極層
34‧‧‧電接觸表面,第二電極層
35‧‧‧另外的電接觸表面,第二電極層
36‧‧‧導體徑跡環路
37‧‧‧側面,絕緣層
40‧‧‧細孔,第一電極層
41‧‧‧細孔,絕緣層
42‧‧‧第二覆蓋層
45‧‧‧第一區段
46‧‧‧第二區段
47‧‧‧中間區段
48‧‧‧似框區段
50‧‧‧第三電極層
51‧‧‧第四電極層
60‧‧‧第二絕緣層
61‧‧‧第三絕緣層
70‧‧‧開口,第三電極層
71‧‧‧開口,第二絕緣層
72‧‧‧開口,第四電極層
73‧‧‧開口,第二絕緣層
80、80’、80”‧‧‧開口
90‧‧‧凹陷
95‧‧‧間隙
a‧‧‧流動方向
b‧‧‧感測器層的寬度
l‧‧‧感測器層的長度
B1、B2‧‧‧通道的寬度
d‧‧‧絕緣層的厚度
x‧‧‧該細長凹槽的縱軸
α‧‧‧在電極平面上之法線與該流動方向間的角度
β‧‧‧在該縱軸與該流動方向間之角度
圖1a-c表示用於檢測導電性及/或可極化粒子之感測器之不同實施例的截面圖;圖2表示一根據本發明之感測器的透視平面圖;圖3表示一第二電極層之可能的設計;圖4表示一用於檢測導電性及/或可極化粒子之感測器之另一實施例的截面圖;
圖5表示一含至少三電極層之用於檢測導電性及/或極性感測器的另一實施例之截面圖;圖6a-f表示開口之各種實施例的圖解;圖7a+b表示一呈流體流動之感測器之合適實施例的圖解;圖8a+b表示通道之各橫截面及橫截面輪廓之圖解;圖9表示在絕緣層或凹陷的絕緣層內之凹槽的截面圖;圖10a-d表一根據本發明之感測器之各種實施例的分解圖。
在下文內,相同的參考數字係用於相同的或以相同方式操作的部件。
圖1a表示一用於檢測導電及/或可極化粒子(特別為用於檢測煙塵粒子)之感測器10的截面圖。該感測器10包含一基板11、第一電極層12、及一排列在該基板11與該第一電極層12之間的第二電極層13。一絕緣層14係在該第一電極層12與該第二電極層13之間形成。該第一電極層12及該絕緣層14各具有至少一於其等之內所形成的開口,其中在第一電極層12內之該開口15,以及在絕緣層14內之該開口16係以一個在另一個上面的方式排列,因此可形成一通至該第二電極層13的通道17。
就耐高溫應用而言,係自,例如氧化鋁(Al2O3)或氧化鎂(MgO),或自鈦酸鹽或塊滑石(steatite)形成該基板
11。
該第二電極層13係藉促黏層18而間接連接至該基板11。該促黏層18可,例如由很薄形成的氧化鋁(Al2O3)或二氧化矽(SiO2)所組成。
在實施例之該實例中,該第一電極層12係由一鉑層所組成。在該所示實施例內之該第二電極層13係由一鉑-鈦合金(Pt-Ti)所組成。該第二電極層13之鉑-鈦合金比該第一電極層12更具抗蝕刻性。
藉該絕緣層14之厚度d而測定該第一電極層12與該第二電極層13間的距離。該絕緣層14之厚度d可以是0.5微米至50微米。在本情況下,該絕緣層14之厚度d為10微米。可藉減少該第一電極層12與該第二電極層13間之距離且因此藉減少該絕緣層14的厚度d而增加根據本發明該感測器10的靈敏度。
該絕緣層14可覆蓋所述側表面19上之該第二電極層13,因此可側向圍繞並隔絕該第二電極層13。
形成呈盲孔形式之該通道17,其中該第二電極層13之一區段可形成該盲孔之基底28。該盲孔17或該通道可延伸通過該絕緣層14並通過該第一電極層13。換言之,該通道17係藉以一個在另一個上面的方式排列之該等開口15及16而形成。
在所示該實施例中,該等開口15及16並非在該邊緣的該側上形成。
煙塵粒子30可進入該通道17內。在圖1a內,該粒
子30係駐留在該盲孔之基底28上,因此可位於該第二電極層13之一側31上。然而,該粒子30並不會碰觸可界定該開口15之該第一電極層12之邊緣區域32。由於該等粒子30係沉積在該基底28上,且與第二電極層13之該側31接觸,所以可減少該電阻。本電阻之下降係作為一用於測定該經聚集之微粒狀團塊的方法。當該電阻達一預定底限值時,該感測器10經加熱以致使該經沉積粒子30經燒除,且在經燒除後,在一後續檢測循環內,該感測器10可檢測導電及/或可極化粒子。
在一截面圖內,圖1b亦表示一用於檢測導電性及/或可極化粒子,特別為用於檢測煙塵粒子之感測器10。亦描述第一電極層12、及排列在該基板11與該第一電極層12間之第二電極層13。在該第一電極層12與該第二電極層13之間形成一絕緣層14。就該等開口15及16之性質及實施例而言,可參考與根據圖1a之該實施例有關的解釋。
在其面向遠離該絕緣層14之該第一電極層12的該側20上,係提供一可,例如自陶瓷及/或玻璃及/或金屬氧化物製成的覆蓋層21。該覆蓋層21可圍繞該第一電極層12之側表面22、該絕緣層14之側表面23、及該第二電極層13之側表面19。該覆蓋層21因此可覆蓋該等側表面19、22、及23,因此該第一電極層12、該第二電極層13及該絕緣層14經側向隔絕。該覆蓋層21因此包含一在該第一電極層12之該側20、以及一側區段25上形成的上區段24,其係用以側向隔絕該感測器10。
在一截面圖內,圖1c表示一用於檢測導電及/或可極化粒子,特別為用於檢測煙塵粒子之感測器10。該感測器10包含一基板11、第一電極層12、及排列在該基板11與第一電極層12間之第二電極層13。一絕緣層14係在該第一電極層12與該第二電極層13之間形成。該第一電極層12及該絕緣層14各具有至少一開口,其中在第一電極層12內之該開口15及在絕緣層14內之該開口16係以一個在另一個上面的方式排列,因此形成一通至該第二電極層13的通道17。
就耐高溫應用而言,係自,例如氧化鋁(Al2O3)或氧化鎂(MgO),或自鈦酸鹽或塊滑石(steatite)形成該基板11。
該第二電極層13係藉促黏層18而間接連接至該基板11。該促黏層18可,例如由很薄形成的氧化鋁(Al2O3)或二氧化矽(SiO2)所組成。
在實施例之該實例內,該第一電極層12係由一鉑層所組成。在該實施例內之第二電極層13係由一鉑-鈦合金(Pt-Ti)所組成。該第二電極層13之鉑-鈦合金比該第一電極層12更具抗蝕刻性。
該絕緣層14係由一具有高絕緣阻抗之抗溫材料所組成。該絕緣層14可,例如自氧化鋁(Al2O3)或二氧化矽(SiO2)或氧化鎂(MgO)或氮化矽(Si3N4)或玻璃形成。
藉該絕緣層14之厚度d而測定該第一電極層12與該第二電極層13間的距離。該絕緣層14之厚度d可以是0.5
微米至50微米。在本情況下,該絕緣層14之厚度d為10微米。可藉減少該第一電極層12與該第二電極層13間之距離且因此藉減少該絕緣層14的厚度d而增加根據本發明該感測器10的靈敏度。
在其面向遠離該絕緣層14之該第一電極層12的該側20上,係提供一可,例如自陶瓷及/或玻璃及/或金屬氧化物製成的覆蓋層21。該覆蓋層21可圍繞該第一電極層12之側表面22、該絕緣層14之側表面23、及該第二電極層13之側表面19。該覆蓋層21因此可覆蓋該等側表面19、22、及23,因此該第一電極層12、該第二電極層13及該絕緣層14經側向隔絕。該覆蓋層21因此包含一在該第一電極層12之該側20、以及一側區段25上形成的上區段24,其係用以側向隔絕該感測器10。
在本發明之另一實施例內,可知該覆蓋層21亦可側向圍繞該基板11。
在其面向遠離該第一電極層12之該覆蓋層21的該側26上形成一多孔過濾層27。由於本被動多孔過濾或防護層27(就該等欲經檢測之導電及/或可極化粒子而言,其係面向該介質)之形成,該感測器10之靈敏度增加,因為可以使會干擾該測定或檢測之較大粒子或碎片遠離該第一電極層12及該第二電極層13。由於該通道17係藉該多孔過濾層27而覆蓋,所以粒子仍可通過該多孔過濾層27之該等細孔,且由於該多孔過濾層27,所以可防止藉該等較大粒子之侵入而引起的短路現象。
該通道17係呈一盲孔形式形成,其中該特定的第二電極層13可形成該盲孔的基底28。該盲孔/該通道17可延伸通過該絕緣層14、該第一電極層13,並通過該覆蓋層21。據此,該覆蓋層21亦具有一開口29。換言之,該通道17係藉以一個在另一個上面的方式所形成的該等開口29、15及16而形成。
由於用於各該層的材料之選擇、及各該層的彼此隔絕,所以所述該感測器10適於至高,例如850℃的高溫應用。因此可使用該感測器10作為一內燃機之廢氣流內的煙塵粒子感測器。
在通過該多孔過濾層27後,煙塵粒子30可進入該通道17內。在圖1c內,該粒子30係駐留在該盲孔之基底28上,因此可位於該第二電極層13之一側31上。
然而,該粒子30並不會碰觸可界定該開口15之該第一電極層12之邊緣區域32。由於該等粒子30係沉積在該基底28上,且與第二電極層13之該側31接觸,所以可減少該電阻。本電阻之下降係作為一用於測定該聚集之微粒狀物料的方法。當該電阻達一預定底限時,該感測器10經加熱以致使該經沉積粒子30經燒除,且在經燒除後,在一後續檢測循環內,該感測器10可檢測導電性及/或可極化粒子。
圖2表示感測器10之透視圖。該感測器10具有9個通道17。為了更佳的具象化,該多孔過濾層27並未示於圖2內。可看到該覆蓋層21之上區段24,以及該覆蓋層21之
側區段25。該等通道17之基底28係藉該第二電極層13之區段而形成。這9個通道17具有一方形橫截面,其中該方形橫截面可具有15x15平方微米至50x50平方微米之面積。
該第一電極層12具有一電接觸表面33。該第二電極層13亦具有一電接觸表面34。這兩電接觸表面33、34不含排列在各該電極層12及13之上面的感測器層。這兩電接觸表面33、34係各經連接或可連接至一連接墊(圖中未顯示)。
該第二電極層13具有另一電接觸表面35,其亦不含排列在該電極層13上之感測器層。本額外的電接觸表面35可經連接至另一連接墊。為了可使用該第二電極層13作為加熱旋管或作為溫度靈敏層或作為防護電極,必須具有該額外的電接觸表面35。根據該等電接觸表面34及35之該接觸任務(見圖3),該第二電極層13可加熱或燒除該粒子30或檢測該粒子30。
為了使用一電極層(在本情況下係為該第二電極層13)作為加熱旋管及/或作為溫度靈敏層及/或作為防護電極,該第二電極層13具有少數導體徑跡環路36。
圖4表示合適感測器10之另一實施例。該第一電極層12及該絕緣層14皆被設計成具多孔性,其中在第一電極層12內之該至少一開口15及在絕緣層14內之該至少一開口16各係藉至少一細孔而形成,其中在絕緣層14內之該細孔41、及在第一電極層12內之該細孔40係至少在區段內以一個在另一個上面的方式排列以形成該至少一通至該第二
電極層13的通道17,換言之,接著就不需要進行該通道之主動或後續結構化步驟,其中該第一電極層12及該絕緣層14可穿透過該欲經測定之介質。該等通道17係藉圖4內的直立箭號表示。
該等通道17可藉層12及14兩者之多孔狀或粗粒狀結構而形成。可藉將各該粒子一起燒結而製成該第一電極層12以及該絕緣層14,其中用於該欲經測定之細孔40及41或空穴係藉一起燒結而形成。因此,由於在該第一電極層12及該絕緣層14內之細孔40及41的疊置排列,所以必須形成一自其面向遠離該絕緣層14之第一電極層12的該側20通至朝向該絕緣層14之第二電極層13的該側31之通道,其允許欲經測定或檢測的粒子30進入該第二電極層13內。
在所述該實例內,第二電極層13之該側表面19係藉該多孔絕緣層14而完全經圍繞。第二電極層13之該側31及該等側表面19因此藉該多孔絕緣層14而覆蓋。另一方面,該多孔第一電極層12可圍繞該絕緣層14之側表面23及其面向遠離該第二電極層13之該側37。絕緣層14之該側37及該等側表面23因此藉該第一電極層12而覆蓋。
若該感測器10具有一覆蓋層,則所形成本覆蓋層亦必須具多孔性,因此該覆蓋層之一細孔、該第一電極層12之一細孔40、及該絕緣層14之一細孔41可形成一通至該第二電極層13的通道17。
圖5表示用於檢測導電性及/或可極化粒子、特別為用於檢測煙塵粒子之感測器10的一區段。原則上,該
感測器10可用於檢測氣體及液體內之粒子。該感測器10包含基板11、第一電極層12、一排列在該基板11及該第一電極層12間之第二電極層13,其中一絕緣層14係排列在該第一電極層12與該第二電極層13之間。
至少一第三極層50係在該第一絕緣層14與該第一電極層12之間形成,其中至少一第二絕緣層60係在該第三電極層50與該第一電極層12之間形成。
根據圖5內之感測器10,因此,係形成至少三電極層12、13、50、及至少兩絕緣層14、60。該第一電極層12係為離該基板11最遠的電極層。另一方面,該第二電極層13係直接連接至該基板11。該第二電極層13係較佳藉一促黏層而間接連接至該基板11。
而且,在根據圖5之該實施例,係形成第四電極層51以及第三絕緣層61。該感測器10因此包含總共四電極層,亦即該第一電極層12、以及該第二電極層13、該第三電極層50及該第四電極層51。在各該電極層(12、13、50、51)之間形成絕緣層,亦即該第一絕緣層14、第二絕緣層60、以及該第三絕緣層61。該感測器10亦包含一在其面向遠離該基板11之第一電極層12之該側上形成的覆蓋層21。
該第一電極層12、第三絕緣層61、該第四電極層51、該第二絕緣層60、該第三電極層50及該第一絕緣層14各具有至少一開口15、16、70、71、72、73。該覆蓋層21亦具有一開口29。在第一電極層12內之該開口15,在該第三絕緣層61內之該開口73、在第四電極層51之該開口72、
在第二絕緣層60內之該開口71、在第三電極層50內之該開口70及在第一絕緣層14內之該開口各至少在區段內以一個在另一個上面的方式排列,因此形成至少一通至該第一電極層13的通道17。
該等電極層12、13、50、及51彼此的距離係藉該等絕緣層14、60及61之厚度而測定,且其可相當於0.1微米至50微米。該等絕緣層14、60及61之厚度可相當於0.1微米至50微米。可藉減少該等電極層12、13、50、及51間的距離,且因此減少該等絕緣層14、60及61的厚度而增加根據本發明該感測器10的靈敏度。
形成該呈一盲孔形式的通道17,其中該第二電極層13之一區段可形成該盲孔之基底28。該盲孔或通道17可延伸通過該絕緣層14、該第三電極層50、該第二絕緣層60、該第四電極層51、該第三絕緣層61、該第一電極層12及該覆蓋層21。換言之,該通道17係藉該等疊置開口16、70、71、72、73、15及29而形成。在所示該實施例中,該等開口16、70、71、72、73、15及29並未在該邊緣的該側上形成。顯示一通道17從頭到尾的透視橫截面。
例如一小煙塵粒子30可進入該通道17內。在圖5內,該粒子30係位於盲孔之該基底28上且因此在該第二電極層13的一側31上。而且,該粒子30可碰觸該第三電極層50。若該等粒子之測定係根據該電阻原理而進行,則測定該第二電極層13與該第三電極層50間之電阻,其中當該粒子30橋連兩電極13及50時,該電阻減少。因此,該粒子30
的大小很小。
而且,該煙塵粒子30已進入該通道17內。該粒子30’係位於盲孔之該基底28,且因此位於第二電極層之該側31上。而且,該粒子30’可碰觸該第三電極層50、該第四電極層51及該第一電極層12。在該粒子30’因此可橋連數層、在所示該實例中係為所有該等電極層12、13、50、及51,因此,經檢測該粒子30’大於粒子30。
經由施加不同電壓至該等電極層12、13、50及51,可測定各種粒子性質、特別為各種煙塵性質,諸如該(煙塵)粒子之直徑及/或大小、及/或該(煙塵)粒子之電荷、及/或該煙塵(粒子)之極性。
圖6a至6f表示開口80之不同實施例。可兼在絕緣層14、60及61、以及電極層12、50及51內形成開口80。因此,所示該等開口80可以是以下開口的排列:在第一電極層12內之開口15、在第一絕緣層14內之開口16、在第三電極層50內之開口70、在第二絕緣層60內之開口71、在第四電極層51內之開口72、及在第三絕緣層61內之開口73。
較佳在該感測器10之一多層複合物內均勻地形成該等開口80。各該層12、14、21、50、51、60及61係排列在彼此之上,因此該等開口15、16、29、70、71、72及73可形成通道17。根據圖6a至6d內所示的開口而形成細長凹槽17’及17”。
在圖6a內,係形成線型開口80,其中該等開口80係彼此平行且全部指向相同的優先方向。
在圖6b內,該感測器10之一層分成第一區段45及第二區段46。所有所示該等開口80、80’係呈線型凹槽的形式形成,其中第一區段45之該等開口80皆係以彼此平行的方式形成,且第二區段46之該等開口80’皆係以彼此平行的方式形成。在第一區段45內之該等開口80係以水平方向平行延伸或與該感測器層之寬度b呈平行延伸,然而在該第二區段46內之該等開口80’係以垂直方向平行延伸或與該感測器層之長度l呈平行延伸。在該第二區段46內之該等開口80’係以和該第一區段內之該等開口80呈垂直方向延伸。
圖6c亦表示數個呈細長凹槽形式的開口80、80’、80”。在一中間區段47內,係顯示數個(在所示該實例中係為8個)以垂直方向延伸的線型開口80’,其等係與該感測器層之長度l呈平行而排列。後者係藉可形成似框之區段48的另外開口80、80”而構成。所形成第一開口80”係與該中間區段47之該等開口80’平行。以和該等開口80、80”呈垂直而形成另外的開口80。該等開口80”具有不同角度,因此可形成具有最大可能數量的開口80之感測器10的該層。
圖6d表示一具有一細長連續的開口80之感測器,該開口80係以曲徑方式延伸。
圖6e表示具有數個垂直延伸的開口80’及數個水平延伸的開口80。該等垂直開口80’及該等水平開口80可形成一格子結構。
除了長方形格子結構外,可製成其它角度的排列
或形貌,其中該格子或網狀物結構具有似圓形、圓形或橢圓形狀。而且,可產生可具規則性、周期性或不規則性的該等結構之對應組合。
圖6f表示具有一細長連續性開口80,其中該開口80可螺旋狀延伸。除了長方形形貌外,亦可製成圓形、橢圓形形貌、或其等之組合。
在各情況下,各具有根據圖6a、6b、6c、6d、6e、或6f之一實施例的開口80、80’、80”之數層係重疊排列,因此在一感測器內形成呈細長凹槽17’及17”形式之通道。
如圖7a所示,係將感測器10導入一流體流內,因此該等粒子的流動方向a並不會垂直地接觸該等電極層的平面(x、y)。在該第一電極層之平面(x、y)的法線(z)與該等粒子的流動方向相當於至少1度、較佳至少10度、更特佳至少30度。因此,該等粒子更容易導入該等細長凹槽17’、17”內,且因此更容易朝該等電極層12、50、51內所形成的開口壁前進。
在圖7b內,係將感測器10導入一流體流內,其方式可以使在該等粒子的流動方向a與該等細長凹槽的縱軸x間之角度β為介於20與90度之間。
圖8a及8b各代表一與該感測器10呈直角所得到的橫截面,亦即其係自最上面的絕緣或覆蓋層21開始朝該基板11。圖8a及8b之感測器10包含四電極層,亦即第一電極層12、第二電極層13以及第三電極層50、及第四電極層51。而且,形成三絕緣層,亦即第一絕緣層14、第二絕緣
層60及第三絕緣層61。
兩呈細長凹槽17’、17”形式之通道的橫截面係示於根據圖8a之該感測器10內。該左邊的通道17’具有V形橫截面或V形橫截面輪廓。另一方面,該右邊的通道17”具有U形橫截面或U形橫截面輪廓。該等開口大小或開口橫截面係以朝向該第二電極層13的方向自該覆蓋層21開始縮小。該等開口29、15、73、72、71、70及16會沿著該最低的橫截面開口16的方向自該第一開口橫截面29開始變小。
似圓形粒子的測定係借助於該等V形及U形橫截面輪廓而改進。
在圖8b內,亦顯示該等通道17’、17”亦具有不同寬度。該左通道17’具有寬度B1。所示右通道17”具有寬度B2。B1大於B2。經由具不同寬度之通道17’、17”,可進行該等粒子30的大小特定性測定。
在絕緣層14、21、60、61內之凹槽或凹陷的絕緣層14、21、60、61係以橫截面示於圖9內。就似圓形粒子而言,平面或平滑的通道表面之形成並非所欲。似圓形粒子的測定可藉凹槽或凹陷的絕緣層之形成而改進。
所代表的該左邊通道17’具有第一絕緣層14、第二絕緣層60以及第三絕緣層61、與亦可作為絕緣層的覆蓋層21。該等絕緣層14、60、61及21具有凹陷或凹槽90。該等絕緣層14、60、61及21之開口16、71、73及29的大小因此大於分別於該等絕緣層14、60、61及21之上面及下面所形成的該等電極層12、50及51之開口70、72及15。
其亦適用於顯示在右邊的該通道17”。在本情況下,相較於該等電極層50、51及12,該等絕緣層14、16、61及21係逆偏移而形成。絕緣層14、60或61之所形成該等開口16、71或73各大於排列在各該絕緣層上面之電極層50、51或12內之在其等之上所形成的開口70、72或15。由於所形成該右邊通道17”的橫截面輪廓為V形,且所有該等層體21、12、61、51、60、50及14的開口會沿著該基板11的方向變得較小,因此該等絕緣層14、60、61及21之開口16、71、73及29並不具有相配的大小。
就圖5、8a、8b及9內所示的感測器10而言,必須聲明僅兩最上面的電極層可必須進行通道的評估。換言之,在較佳根據本發明的一方法內,在感測器10內,僅該等最上面的電極層12及51可形成通道17、17’、17”。
而且,感測器10包含數個通道17、17’、17”,其中至少第一通道僅延伸達到該第四電極層51。該第四電極層51或該第二絕緣層60可形成本所形成通道的基底。
第二通道可延伸達到該第三電極層50。該第三電極層50或該第一絕緣層14可形成該所形成通道的基底。第三通道可延伸達到該第二電極層13。該第二電極層13可形成該所形成通道的基底。
可施行或形成與圖5、8a、8b及9內所示的感測器10的特徵沒有關連的本實施例。
圖10a至10d之分解圖係闡明數個開口可在該感測器10的數層內形成,其中各該層係排列在彼此之上,因
此該等開口亦在彼此上面形成,所以可形成該等通道17、17’及17”。
所示感測器10包含一基板11、一排列於其上之第二電極層13、第一電極層12、以及一排列在該第一電極層12與該第二電極層13間之第一絕緣層14。在該第一電極層12上形成第一覆蓋層21以及第二覆蓋層42。該第一電極層13並沒有用於形成通道的開口之排列(見圖10a)。
在該第二電極層13內形成間隙95。該第一絕緣層14係排列在該第二電極層13上,其排列方式可致使該第一絕緣層14之該等開口16不會排列在該等間隙95上面。
另一方面,該第一電極層12係經排列以致使該第一電極層12的該等開口15排列在該第一絕緣層14之該等開口16的上面。借助於該第一電極層12之該等開口15、及該第一絕緣層14之該等開口16,可形成通道17,其中該第一電極層13之該側31可作為該等通道(更特定為盲孔及/或細長凹槽17’、17”)的基底28。
圖10b係闡明以放大圖表示之相對於彼此之該等開口15及16的排列。可知於各情況下係在該第一絕緣層14以及該第一電極層12內形成具有該等開口15及16的第一區段45及第二區段46。該等疊置的開口15及16各可形成盲孔型通道17。
在圖10c內,於各情況下,第一區段45及第二區段46亦係在該第一絕緣層14及該第一電極層12內形成。於各情況下,細長開口15、16係在該等區段45及46內形成,
其中該等細長開口15及16係以相同方向經定向。
根據圖10d之表示,該等細長開口15及16之定向亦可與圖10c內所示的定向呈垂直。
已指出於各情況下某些所示的感測器10(圖1a-1c、圖4、圖5、圖8a-b、圖9)係僅以細部代表。該等粒子之測定僅在該等通道17、17’、17”內進行,而非在該感測器之側緣/側表面或該等感測器層之側緣/側表面進行。
而且,在本發明之另一實施例內,所示的所有感測器10並沒有上絕緣層/覆蓋層21及/或沒有過濾層27。若感測器10沒有上絕緣層/覆蓋層21及/或過濾層27,則較大粒子對於該信號或該測定結果沒有影響。
就與根據本發明之圖1a-c、2、4、5、8a-b、9及10a-d有關之感測器10的可能製法而言,可參考已描述的製造方案,特別為蝕刻法及/或雷射法。
現在,已指出本身係與上述圖1至10d內所說明的該等實施例有關之所有元素及組件、或其等之組合、特別為在該圖示內所述的細節,係被主張為具創新重要性。
10‧‧‧感測器
11‧‧‧基板
12‧‧‧第一電極層
13‧‧‧第二電極層
14‧‧‧絕緣層
15‧‧‧開口,第一電極層
16‧‧‧開口,第二電極層
17‧‧‧通道
18‧‧‧促黏層
19‧‧‧側表面,第二電極層
28‧‧‧基底
30‧‧‧粒子
31‧‧‧側面,第二電極層
32‧‧‧邊緣區域,第一電極層
d‧‧‧絕緣層的厚度
Claims (32)
- 一種用於檢測導電性及/或可極化粒子之感測器,其包含一基板、及至少兩電極層,其中係排列有第一電極層、及至少一排列在該基板與該第一電極層間之第二電極層,其中至少一絕緣層係在該第一電極層與該至少一第二電極層之間形成,且該第一電極層及該至少一絕緣層各具有至少一開口,其中在第一電極層內之開口及在該絕緣層內之開口係至少在區段內排列在彼此之上,因此形成至少一通至該第二電極層的通道,其特徴在於,在該第一電極層中之面向遠離該第一絕緣層的側面上形成至少一覆蓋層,該至少一覆蓋層係自陶瓷及/或玻璃及/或金屬氧化物或其等之任何組合形成,且其特徴為,該至少一通道形成一盲孔,其中該第二電極層之一區段形成該盲孔之基底,且該盲孔延伸至少通過該第一絕緣層、通過該第一電極層、並通過一/該可擇地經形成之覆蓋層。
- 如請求項1之感測器,其特徴為:- 一基板,- 一第一電極層,- 一排列在該基板與該第一電極層間之第二電極層,其中 - 至少一第一絕緣層係在該第一電極層與該第二電極層之間形成,- 至少一第三電極層係在該第一絕緣層與該第一電極層之間形成,及- 至少一第二絕緣層係在該第三電極層與該第一電極層之間形成,其中該第一電極層、該至少一第二絕緣層、該至少一第三電極層及該第一絕緣層各具有至少一開口,其中在第一電極層內之開口、在該至少一第二絕緣層內之開口、在該至少一第三電極層內之開口、及在該第一絕緣層內之開口係至少在區段內排列在彼此之上,因此形成至少一通至該第二電極層的通道,其中該盲孔延伸至少通過該第一絕緣層、通過一/該至少一第三電極層、通過一/該至少一第二絕緣層、通過該第一電極層、並通過一/該可擇地經形成之覆蓋層。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴在於:在第一電極層內之開口係於離該第一電極層之邊緣區域一段距離的位置形成,在該第一絕緣層內之開口係於離該第一絕緣層之邊緣區域一段距離的位置形成,且可擇地,在該至少第三電極層內之開口係於離該第三電極層之邊緣區域一段距離的位置形成,且可擇地,在該至少第二絕緣層內之開口係於離該第二絕緣層之邊 緣區域一段距離的位置形成。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴在於:該第二電極層係間接或直接地連接至該基板。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴在於:該至少一第一絕緣層及/或該至少一第二絕緣層具有一0.1微米至50微米的厚度。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴在於:該至少一第一絕緣層及/或該至少一第二絕緣層係自一選自含以下組份之群組的材料製成:氧化鋁(Al2O3)或二氧化矽(SiO2)或氧化鎂(MgO)或氮化矽(Si3N4)或陶瓷或玻璃或金屬氧化物或其等之任何組合。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴在於:該第一電極層及/或該第二電極層及/或該至少一第三電極層係自一導電材料製成。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴在於:該第二電極層係自一導電材料製成,而該導電材料具有一比製成該第一電極層及/或該可擇地至少一第三電極層之導電材料為高的蝕刻抗性。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴在於:至少一多孔過濾層係在該第一電極層中之面向遠離該第一絕緣層的側面上、或在該覆蓋層中之面向遠離該第一電極層的側面上形成。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴在於:該盲孔具有一面積為3x3平方微米至150x150平方微米的方形橫截面。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴為:形成數個通道,其中至少兩通道具有大小不同的橫截面。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴在於:該第一絕緣層、該可擇地至少一第三電極層、該可擇地至少一第二絕緣層及該第一電極層之開口,各係呈線型或曲徑或格子形或螺旋狀而形成。
- 如請求項12之感測器,其特徴為:形成該至少一呈細長凹槽形式的通道,其中該第二電極層之一區段可形成細長凹槽之基底,且該細長凹槽可延伸至少通過第一絕緣層、可擇地通過該至少一第三電極層、可擇地通過該至少一第二絕緣層、通過該第一 電極層、並通過一/該可擇地經形成之覆蓋層。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴在於:形成具有多孔性之該第一電極層、該可擇地至少一第二絕緣層、該可擇地至少一第三電極層、及該第一絕緣層,其中在該第一電極層內之至少一開口、在可擇地該第二絕緣層內之至少一開口、在可擇地該第三電極層內之至少一開口、及在該第一絕緣層內之至少一開口各係藉至少一細孔而形成,其中在該第一絕緣層內之細孔、在可擇地該第三電極層內之細孔、在可擇地該第二絕緣層內之細孔、及在該第一電極層內之細孔係至少在區段內以一個在另一個上面的方式排列,而其排列方式可形成至少一通至該第二電極層之通道。
- 如請求項14之感測器,其特徴在於:該第一電極層及/或該第一絕緣層及/或該可擇地至少一第二絕緣層及/或該可擇地至少一第三電極層具有不同細孔大小之區段,因此形成一具有數個呈不同細孔大小的領域之感測器陣列。
- 如請求項1或2之感測器,其特徴在於:該第一電極層、該第二電極層及該可擇地至少第三電極層各具有一電接觸表面,其不含排列在各別電極層之頂上的感測器層,且各經連接或可連接至一連接墊。
- 如請求項16之感測器,其特徴在於:該第一電極層及/或該第二電極層及/或該可擇地至少一第三電極層具有導體徑跡環路,因此該第一電極層及/或該第二電極層及/或該可擇地至少一第三電極層係被建構為加熱旋管及/或溫度靈敏層及/或防護電極,其中該第一電極層及/或該第二電極層及/或該可擇地至少第三電極層具有至少一額外電接觸表面,其不含排列在各別電極層頂上之感測器層,且係經連接或可連接至一額外連接墊。
- 一種感測系統,其包含至少一如請求項1至17中任一項之感測器,及至少一控制器,該至少一控制器經建構藉以使該感測器可以一測定模式及/或一清潔模式及/或一監測模式進行操作。
- 一種用於控制如請求項1至17中任一項之感測器的方法,其特徴在於:可擇地以一測定模式及/或一清潔模式及/或一監測模式操作該感測器。
- 如請求項19之方法,其特徴在於:在該感測器之該等電極層間的電阻變化及/或該等電極層之電容的變化係經該測定模式測定。
- 一種用以製造一用於檢測導電性及/或可極化粒子之 如請求項1至17中任一項之感測器的方法,其中係製成一包含以下組份的多層複合物:- 至少一第一電極,- 至少一第二電極,- 一排列在該第一電極層與該第二電極層之間的至少第一絕緣層,- 可擇地至少一排列在該第一絕緣層與該第一電極層之間的第三電極層,及- 可擇地至少一排列在該第三電極層與該第一電極層之間的第二絕緣層其中係接著將至少一通道導入該多層複合物內,其可延伸通過該第一電極層、該可擇地至少一第二絕緣層、該可擇地至少一第三電極層、及該至少一第一絕緣層,其中,該通道之基底係藉該第二電極層之一區段而形成。
- 如請求項21之方法,其特徴在於:該多層複合物及/或該多層複合物之個別層係經由使用薄層技術或厚層技術而製成。
- 如請求項21或22之方法,其特徴在於:該至少第一絕緣層、及/或該可擇地至少一第二絕緣層、及/或在第一電極層中之面向遠離該第一絕緣層的側面上所形成之該至少一覆蓋層,係藉化學蒸氣沉積 法或電漿輔助的化學蒸氣法而製成。
- 如請求項21或22之方法,其特徴在於:該至少一通道係以盲孔及/或細長凹槽的形式形成,且係藉至少一蝕刻法、或藉許多各適於針對該多層複合物中之待蝕刻之各別層的連續進行之蝕刻法,而將該至少一盲孔或該盲孔之一區段、及/或該至少一細長凹槽或該細長凹槽之一區段導入該多層複合物內。
- 如請求項24之方法,其特徴在於:該至少第一絕緣層及/或該可擇地至少一第二絕緣層係呈一可中止該蝕刻方法之層體的形式來形成,且在另一步驟內,於可以使該至少一第一絕緣層及/或可擇地至少一第二絕緣層產生相變的回火過程中,將該盲孔之一區段及/或該細長凹槽之一區段導入該至少一第一絕緣層及/或該可擇地至少一第二絕緣層內。
- 如請求項21或22之方法,其特徴在於:該至少一通道被建構呈一盲孔或呈一細長凹槽,且該至少一盲孔或該盲孔之一區段、及/或該至少一細長凹槽或該細長凹槽之一區段係藉具有電磁波或帶電粒子(電子)之輻射法而導入該多層複合物內,其中該輻射源及/或該輻射之波長及/或脈衝頻率及/或該等帶電粒子之能量及/或該等帶電粒子之性質係適於該多 層複合物中之待加工的各別層。
- 如請求項26之方法,其特徴在於:該至少一通道被建構呈一盲孔或呈一細長凹槽,且該至少一盲孔或該盲孔之一區段、及/或該至少一細長凹槽或該凹槽之一區段係藉雷射法而導入該多層複合物內,其中該雷射源及/或該雷射之波長及/或脈衝頻率及/或該等帶電粒子之能量及/或該等帶電粒子之性質係適於該多層複合物中之待加工的各別層。
- 如請求項21或22之方法,其特徴在於:在該多層複合物之製造時,該至少一第一絕緣層及/或該可擇地至少一第二絕緣層係藉網版印刷法或噴塗法或浸漬法或旋塗法而形成呈一未經穿插的表面形式,且,在一後續製程步驟內,係藉溶解法或蝕刻法或燒除法而移除該至少一第一絕緣層之至少一區段及/或該可擇地至少一第二絕緣層之至少一區段,藉以形成該至少一通道。
- 一種用以製造一用於檢測導電性及/或可極化粒子之如請求項1至17中任一項之感測器的方法,其中係製成一具有以下組份的多層複合物:- 至少一第一電極,- 至少一第二電極,- 一排列在該第一電極層與該第二電極層之間的 至少第一絕緣層,- 可擇地至少一排列在該第一絕緣層與該第一電極層之間的第三電極層,及- 可擇地至少一排列在該第三電極層與該第一電極層之間的第二絕緣層其中該第一絕緣層、該可擇地至少一第三電極層,該可擇地至少一第二絕緣層、及該第一電極層係藉抬離法及/或噴墨法及/或壓印法而有結構性地製成,因此由於個別層係以一層在另一層上面的方式有結構性地施加,而形成至少一通至該第二電極層的通道。
- 一種如請求項1至17中任一項之感測器的用途,其用於檢測導電性及/或可極化粒子。
- 一種如請求項1至17中任一項之感測器的用途,其用於檢測導電性及/或可極化粒子,其特徴在於,該等粒子的流動方向並不會垂直地接觸該電極層之平面。
- 如請求項31之用於檢測導電性及/或可極化粒子之感測器的用途,其特徴在於:介於該第一電極層的平面上之法線與該等粒子的流動方向間之角度α相當於至少1度。
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