TWI611475B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置及基板處理方法。成為處理對象之基板例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。

於專利文獻1中，揭示有對基板一片一片地進行處理之單片式之基板處理裝置。於該基板處理裝置中，為了抑制或防止於抗蝕劑去除處理或沖洗處理中基板被氧化，而於基板之整個區域大致均勻地帶負電之狀態下，將SPM(包含硫酸與過氧化氫水之混合液)等處理液供給至基板之表面。

[先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2009-238862號公報

於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，進行對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行蝕刻之蝕刻 步驟。於專利文獻1中，雖然揭示有利用基板之帶電而抑制或防止基板之氧化，但關於對基板進行蝕刻之情況並未揭示。

因此，本發明之目的之一在於利用基板之帶電而提高蝕刻之均勻性。

本發明之一實施形態提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其一面保持基板一面使上述基板圍繞通過上述基板之中央部之旋轉軸線旋轉；蝕刻液供給單元，其對保持於上述基板保持單元之基板之主面供給蝕刻液；複數個電極，其包含與保持於上述基板保持單元之基板對向之第1電極，及相對於上述旋轉軸線配置於較上述第1電極更遠且與保持於上述基板保持單元之基板對向之第2電極；以及控制裝置，其對上述基板保持單元、蝕刻液供給單元、及複數個電極進行控制。

上述控制裝置以執行如下步驟之方式編程：蝕刻步驟，其一面使基板圍繞上述旋轉軸線旋轉，一面對上述基板之主面供給蝕刻液；及蝕刻帶電步驟，其以施加電壓之絕對值按照上述第1電極及第2電極之順序增加之方式對上述複數個電極施加電壓，藉此與上述蝕刻步驟並行地使上述基板之主面帶電。「基板之主面」係指作為元件形成面之正面，或與正面相反之背面。

若一面使基板於水平面內旋轉，一面對基板之上表面中央部供給蝕刻液，則基板之蝕刻量於基板之上表面中央部最大，且隨著自基板之上表面中央部離開而減少(參照圖7之虛線)。若使蝕刻液相對於基板之上表面之著液位置於中央部與周緣部之間移動，則雖然蝕刻之均勻性提高，但是仍然會出現此種山形之分佈。

根據本發明者等人可知，若即便於正及負之任一情況下使基板之主面(表面或背面)帶電，則每單位時間之蝕刻量(蝕刻速率)增加。進而，可知蝕刻速率隨著基板之主面之帶電量增加而增加。因此，若以隨著自基板之主面中央部離開而帶電量連續地或階段地增加之方式使基板之主面帶電，則可提高蝕刻之均勻性(參照圖7之兩點鏈線)。

於上述實施形態之基板處理裝置中，藉由對複數個電極施加電壓而使基板帶電。而且，於基板帶電之狀態下，一面使基板圍繞通過基板之中央部之旋轉軸線旋轉，一面對基板之主面供給蝕刻液。藉此，基板之主面被蝕刻。

複數個電極包含與基板對向之第1電極及第2電極。自基板之旋轉軸線至第1電極為止之徑向(與旋轉軸線正交之方向)之距離，小於自基板之旋轉軸線至第2電極為止之徑向之距離。即，第2電極於較第1電極更靠外側與基板對向。

施加至第2電極之電壓之絕對值大於施加至第1電極之電壓之絕對值。因此，基板之主面以隨著自基板之主面中央部離開而帶電量階段地增加之方式帶電。因此，較於基板均勻帶電之狀態下對該基板之主面進行蝕刻之情況，更可提高蝕刻之均勻性。

上述控制裝置亦可進而執行：條件確認步驟，其確認上述蝕刻步驟中之基板之處理條件；及電壓決定步驟，其基於上述處理條件而決定於上述蝕刻帶電步驟中施加至上述複數個電極之電壓之絕對值。「基板之處理條件」例如包含蝕刻液之種類、蝕刻液之流量、蝕刻液之溫度、蝕刻液之濃度、蝕刻液之供給時間、及蝕刻液供給時之基板之旋轉速度的至少一個。

若不使基板帶電而對基板之上表面進行蝕刻，則基板之蝕刻量通常與包含蝕刻液之種類、蝕刻液之流量、蝕刻液之溫度、蝕刻液之濃度、蝕刻液之供給時間、及蝕刻液供給時之基板之旋轉速度的基板之處理條件無關而顯示山形之分佈。然而，若處理條件之至少一個不同，則存在山形之曲線之斜率變化之情況。根據該構成，基於處理條件而決定施加至複數個電極之電壓之絕對值，並將該經決定之大小之電壓施加至複數個電極。因此，較施加電壓之絕對值不管基板之處理條件如何而均相同之情況，更可提高蝕刻之均勻性。

上述蝕刻帶電步驟亦可係於蝕刻液為酸性之情況下，以上述基板之主面帶正電之方式對上述複數個電極施加電壓，於蝕刻液為鹼性之情況下，以上述基板之主面帶負電之方式對上述複數個電極施加電壓的步驟。

若將鹼性之液體供給至基板之主面，則該液體中之微粒帶負電。若將酸性之液體供給至基板之主面，則根據pH值，而該液體中之微粒帶正電。於將酸性之蝕刻液供給至基板之情況下，控制裝置使基板之主面帶正電。與其相反，於將鹼性之蝕刻液供給至基板之情況下，控制裝置使基板之主面帶負電。即，控制裝置以使電性斥力作用於微粒與基板之主面之間之方式，對施加至各電極之電壓之極性進行控制。藉此，可將微粒自基板之主面去除，並且可抑制或防止微粒之再附著。

上述基板亦可為於上述主面露出圖案之基板。上述控制裝置亦可進而執行：乾燥步驟，其藉由將液體自上述基板去除而於上述蝕刻步驟之後使上述基板乾燥；及乾燥帶電步驟，其藉由對 上述複數個電極施加電壓，而與上述乾燥步驟並行地使上述基板之主面帶電。於乾燥帶電步驟中施加至各電極之電壓之大小既可相等，亦可不同。

根據該構成，於基板帶電之狀態下將液體自基板去除。藉此，使基板乾燥。

若使形成有圖案之基板帶電，則圖案產生電性偏倚。因此，如圖8所示，相同之極性之電荷集中於各圖案之前端，各圖案之前端以相同或大致相同之帶電量且相同之極性帶電。藉此，斥力(庫倫力)作用於鄰接之2個圖案。

另一方面，若於鄰接之2個圖案之間存在液面，則液體之表面張力作用於液面與圖案之交界位置。即，引力(表面張力)作用於鄰接之2個圖案。然而，該引力(表面張力)藉由起因於基板之帶電之斥力(庫倫力)而被抵消。因此，可一面降低作用於圖案之力，一面使基板乾燥。藉此，可減少圖案崩塌之產生。

上述複數個電極亦可與上述基板之主面對向。

根據該構成，複數個電極配置於基板之主面(一主面)側，且與形成於基板之主面之圖案之前端對向。因此，較於基板之另一主面(與一主面相反之面)側配置有複數個電極之情況，更可減小自複數個電極至圖案之前端為止之距離，從而可減少圖案崩塌之產生。

上述基板處理裝置亦可進而包含介電質，該介電質埋入有上述複數個電極，且介置於保持於上述基板保持單元之基板與上述複數個電極之間。

根據該構成，介隔介電質而複數個電極與基板對向。 由於由絕緣材料製成之介電質處於基板與複數個電極之間，故而電荷不經由或難以經由介電質於基板與複數個電極之間移動。因此，可確實地維持基板帶電之狀態，並且可使基板之帶電量穩定。藉此，可更確實地提高蝕刻之均勻性。

自保持於上述基板保持單元之基板至上述複數個電極為止之距離亦可小於上述介電質之厚度。

「自基板至上述複數個電極為止之距離」係指與上述基板之主面正交之正交方向上之自上述基板至上述複數個電極為止之最短距離。於水平地保持基板之情況下，上述正交方向係指鉛垂方向。「上述介電質之厚度」係指通過上述複數個電極之任一者之位置上之上述正交方向之上述介電質之長度之最小值。於上述介電質為被水平地保持之板狀之情況下，上述介電質之厚度係指自上述介電質之上表面至上述介電質之下表面為止之鉛垂方向之距離。

根據該構成，以自基板至複數個電極為止之距離小於介電質之厚度之方式複數個電極接近基板。於自基板至複數個電極為止之距離較大之情況下，為了使基板帶電而必須將較大之電壓施加至複數個電極。因此，藉由使複數個電極接近基板，可一面抑制施加電壓之絕對值，一面使基板確實地帶電。

上述複數個電極之至少一個亦可為包圍上述旋轉軸線之環狀電極。於該情況下，上述環狀電極亦可為包圍旋轉軸線之C字狀，亦可為包圍旋轉軸線之O字狀。自旋轉軸線至環狀電極為止之徑向之距離較佳為於圓周方向(圍繞旋轉軸線之方向)上之任一位置均固定。於上述複數個電極之至少一個為上述環狀電極之情況下，可使圓周方向上之基板之帶電量之不均減少。藉此，可提高蝕 刻之均勻性。

本發明之另一實施形態提供一種基板處理方法，其包含如下步驟：蝕刻步驟，其一面使基板圍繞通過上述基板之中央部之旋轉軸線旋轉，一面對上述基板之主面供給蝕刻液；及蝕刻帶電步驟，其與上述蝕刻步驟並行，以隨著自上述基板之主面中央部離開而帶電量增加之方式使上述基板之主面帶電。

上述基板處理方法亦可進而包含條件確認步驟，其確認包含於上述蝕刻步驟中供給至上述基板之主面之蝕刻液之種類的基板之處理條件。上述蝕刻帶電步驟亦可係於蝕刻液為酸性之情況下，使上述基板之主面帶正電，於蝕刻液為鹼性之情況下，使上述基板之主面帶負電的步驟。

上述基板亦可為於上述主面露出圖案之基板。上述基板處理方法亦可進而包含：乾燥步驟，其藉由將液體自上述基板去除而於上述蝕刻步驟之後使上述基板乾燥；及乾燥帶電步驟，其與上述乾燥步驟並行地使上述基板之主面帶電。

本發明中之上述或進而其他目的、特徵及效果，藉由以下參照隨附圖式所敍述之實施形態之說明而明瞭。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧處理單元

3‧‧‧控制裝置

4‧‧‧旋轉夾頭

5‧‧‧旋轉基座

6‧‧‧夾盤銷

7‧‧‧夾頭開閉單元

8‧‧‧旋轉軸

9‧‧‧旋轉馬達

11‧‧‧遮斷板

11a‧‧‧中央噴出口

12‧‧‧支軸

13‧‧‧遮斷板升降單元

14‧‧‧中心噴嘴

15‧‧‧第1管

16‧‧‧第2管

17‧‧‧外殼

18‧‧‧藥液配管

19‧‧‧藥液閥

20‧‧‧溫度調節器

21‧‧‧沖洗液配管

22‧‧‧沖洗液閥

23‧‧‧溶劑配管

24‧‧‧溶劑閥

25‧‧‧氣體配管

26‧‧‧氣體閥

27‧‧‧對向構件

28‧‧‧支撐部

29‧‧‧對向部

30‧‧‧介電質

30a‧‧‧對向面

31‧‧‧第1電極

32‧‧‧第2電極

33‧‧‧第3電極

34‧‧‧陽極

34a‧‧‧圓弧部

34b‧‧‧集合部

35‧‧‧陰極

35a‧‧‧圓弧部

35b‧‧‧集合部

36‧‧‧配線

37‧‧‧電源裝置

41‧‧‧製程配方記憶部

42‧‧‧處理執行部

43‧‧‧電壓決定部

44‧‧‧製程配方變更部

211‧‧‧遮斷板

231‧‧‧第1電極

232‧‧‧第2電極

233‧‧‧第3電極

A1‧‧‧旋轉軸線

D1‧‧‧距離

D2‧‧‧厚度

D3‧‧‧距離

D4‧‧‧距離

W‧‧‧基板

圖1係水平地觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置所具備之處理單元之內部的示意圖。

圖2係表示處理單元所具備之對向構件之鉛垂剖面之剖視圖。

圖3係表示埋入至對向構件之複數個電極之配置之對向構件之俯視圖。

圖4係表示基板處理裝置之電性的構成之方塊圖。

圖5係表示記憶於控制裝置之記憶裝置之製程配方之內容的表。

圖6係用以對藉由基板處理裝置而執行之基板之處理例進行說明之步驟圖。

圖7係表示不使基板帶電而對基板之上表面進行蝕刻時之蝕刻量之分佈(虛線)之影像與執行圖6所示之各步驟時之蝕刻量之分佈(兩點鏈線)之影像的曲線圖。

圖8係用以對使基板乾燥時作用於圖案之力進行說明之示意圖。

圖9係表示本發明之第2實施形態之對向構件之鉛垂剖面之剖視圖。

圖10係表示埋入至對向構件之複數個電極之配置之遮斷板(對向構件)之仰視圖。

圖11係表示藥液溫度與蝕刻速率之相關關係之曲線圖。橫軸表示基準溫度與藥液溫度之差，縱軸表示相對於基準溫度時之蝕刻速率之蝕刻速率之倍率。

圖12係表示施加電壓與蝕刻速率之相關關係之曲線圖。橫軸表示基準電壓與施加電壓之差，縱軸表示相對於基準電壓時之蝕刻速率之蝕刻速率之倍率。

圖1係自水平方向觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置1所具備之處理單元2之內部的示意圖。

基板處理裝置1係對半導體晶圓等圓板狀之基板W 一片一片地進行處理之單片式之裝置。基板處理裝置1包含：處理單元2，其利用處理液對基板W進行處理；搬送機器人(未圖示)，其將基板W搬送至處理單元2；及控制裝置3，其對基板處理裝置1進行控制。

如圖1所示，處理單元2包含：旋轉夾頭4，其一面水平地保持基板W，一面使基板W圍繞通過基板W之中央部之鉛垂之旋轉軸線A1旋轉；遮斷板11，其與由旋轉夾頭4保持之基板W之上表面對向；對向構件27，其與由旋轉夾頭4保持之基板W之下表面對向；以及腔室(未圖示)，其收容旋轉夾頭4、遮斷板11、及對向構件27等。

旋轉夾頭4包含：圓板狀之旋轉基座5，其被以水平之姿勢保持；複數個夾盤銷6，其等自旋轉基座5之上表面周緣部向上方突出；及夾頭開閉單元7，其使複數個夾盤銷6固持基板W。旋轉夾頭4進而包含：旋轉軸8，其自旋轉基座5之中央部沿著旋轉軸線A1向下方延伸；及旋轉馬達9，其藉由使旋轉軸8旋轉而使旋轉基座5及夾盤銷6圍繞旋轉軸線A1旋轉。基板W係經由至少一部分由導電性材料製成之夾盤銷6而接地。基板W亦可介隔至少一部分由絕緣材料製成之夾盤銷6而絕緣。

遮斷板11配置於旋轉夾頭4之上方。遮斷板11藉由於上下方向延伸之支軸12而被以水平之姿勢支撐。遮斷板11係具有大於基板W之外徑之圓板狀。遮斷板11之中心軸線配置於旋轉軸線A1上。遮斷板11之下表面與基板W之上表面平行，且與基板W之上表面整個區域對向。

處理單元2包含經由支軸12而連結於遮斷板11之遮 斷板升降單元13。處理單元2亦可具備使遮斷板11圍繞遮斷板11之中心線旋轉之遮斷板旋轉單元。遮斷板升降單元13使遮斷板11於遮斷板11之下表面接近基板W之上表面之接近位置(圖2所示之位置)與設置於接近位置之上方之退避位置(圖1所示之位置)之間升降。

處理單元2包含經由於遮斷板11之下表面中央部開口之中央噴出口11a而將處理液向下方噴出之中心噴嘴14。噴出處理液之中心噴嘴14之噴出口(下述第1管15及第2管16之噴出口)配置於在上下方向貫通遮斷板11之中央部之貫通孔內。中心噴嘴14之噴出口配置於中央噴出口11a之上方。中心噴嘴14與遮斷板11一起於鉛垂方向升降。

圖2係表示處理單元2所具備之對向構件27之鉛垂剖面之剖視圖。

中心噴嘴14包含將處理液向下方噴出之複數個內管(第1管15及第2管16)，及包圍複數個內管之筒狀之外殼17。第1管15、第2管16、及外殼17沿著旋轉軸線A1而於上下方向延伸。遮斷板11之內周面於徑向(與旋轉軸線A1正交之方向)隔開間隔而包圍外殼17之外周面。

處理單元2包含：藥液配管18，其將藥液導向第1管15；藥液閥19，其介裝於藥液配管18；及溫度調節器20(加熱器或冷卻器)，其將自藥液配管18供給至第1管15之藥液調節至較室溫(例如，20~30℃)高或低之溫度。

供給至作為藥液噴嘴之第1管15之藥液例如為蝕刻液。蝕刻液既可為酸性，亦可為鹼性。蝕刻液之具體例為DHF(經 稀釋之氫氟酸)、氫氧化四甲基銨(Tetramethyl ammonium Hydroxide，TMAH)、dNH₄OH(經稀釋之氫氧化銨)、及SC-1(包含NH₄OH與H₂O₂之混合液)。蝕刻對象之具體例為矽、及氧化矽膜。蝕刻對象亦可為TiN(氮化鈦)膜。於該情況下，蝕刻液使用包含過氧化氫水之溶液。包含過氧化氫水之溶液之代表例為SC-1及SC-2(包含HCl與H₂O₂之混合液)。

供給至第1管15之藥液亦可為該等以外之液體。例如，藥液亦可為包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、醋酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如，TMAH：氫氧化四甲基銨等)、界面活性劑、及抗腐蝕劑之至少1個之液體。

處理單元2包含：沖洗液配管21，其將沖洗液導向第2管16；及沖洗液閥22，其介裝於沖洗液配管21。供給至作為沖洗液噴嘴之第2管16之沖洗液例如為純水(去離子水：Deionized Water)。沖洗液並不限定於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如，10~100ppm左右)之鹽酸水之任一者。

處理單元2包含：溶劑配管23，其將有機溶劑(液體)導向第2管16；及溶劑閥24，其介裝於溶劑配管23。供給至作為溶劑噴嘴之第2管16之有機溶劑(液體)例如為異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)。有機溶劑並不限定於IPA，亦可為氫氟醚(hydrofluoroether，HFE)等其他有機溶劑。

處理單元2包含：氣體配管25，其將來自氣體供給源之氣體導向於遮斷板11之下表面中央部開口之中央噴出口11a； 及氣體閥26，其介裝於氣體配管25。供給至中央噴出口11a之氣體例如為氮氣。氣體並不限定於氮氣，既可為氦氣或氬氣等其他惰性氣體，亦可為乾燥空氣(dry air)或潔淨空氣(clean air)。

處理單元2包含與基板W之下表面對向之對向構件27。對向構件27包含：圓板狀之對向部29，其配置於由旋轉夾頭4保持之基板W與旋轉基座5之間；及支撐部28，其支撐對向部29。對向部29包含保持為水平之姿勢之圓板狀之介電質30及配置於介電質30內之複數個電極31~33。

對向部29藉由支撐部28而被保持為水平之姿勢。對向部29之外徑小於基板W之外徑。複數個夾盤銷6配置於對向部29之周圍。支撐部28自對向部29之中央部沿著旋轉軸線A1向下方延伸。支撐部28固定於對向部29之下表面。對向部29既可與支撐部28一體，亦可為與支撐部28不同之構件。

支撐部28插入至旋轉基座5及旋轉軸8。支撐部28與旋轉基座5及旋轉軸8非接觸。支撐部28以相對於腔室不移動之方式固定。因此，即便旋轉夾頭4旋轉，對向構件27亦不旋轉。因此，若旋轉夾頭4使基板W旋轉，則基板W及對向構件27圍繞旋轉軸線A1相對旋轉。

對向部29之介電質30由合成樹脂或陶瓷等絕緣材料而製成。介電質30包含平坦之圓形之上表面(對向面30a)、平坦之圓形之下表面、及具有小於基板W之直徑之外周面。介電質30之上表面以與基板W之下表面平行地對向之方式配置於由複數個夾盤銷6固持之基板W之下方。介電質30之下表面以與旋轉基座5之上表面平行地對向之方式配置於旋轉基座5之上方。介電質30 之外周面由複數個夾盤銷6包圍。

介電質30之上表面接近由複數個夾盤銷6固持之基板W之下表面。自介電質30之上表面至基板W之下表面為止之鉛垂方向之距離D4例如小於介電質30之厚度D2。距離D4於介電質30之任一位置均相等。又，介電質30之外徑小於基板W之外徑。介電質30之半徑與基板W之半徑之差小於介電質30之厚度D2。如此，由於介電質30之半徑與基板W之半徑之差較小，故而介電質30之上表面與基板W之下表面之大致整個區域對向。

對向部29之複數個電極31~33由金屬等導電性材料而製成。複數個電極31~33分別配置於距旋轉軸線A1之徑向之距離不同之複數個位置。複數個電極31~33既可於徑向以等間隔配置，亦可於徑向以不等間隔配置。複數個電極31~33包含配置於旋轉軸線A1之徑向外側之第1電極31、配置於第1電極31之徑向外側之第2電極32、及配置於第2電極32之徑向外側之第3電極33。

如圖3所示，各電極31~33距旋轉軸線A1之距離固定，且係圍繞旋轉軸線A1之C字狀。複數個電極31~33同心圓狀地配置。各電極31~33例如包含成對之陽極34及陰極35。陽極34包含圍繞旋轉軸線A1之複數個圓弧部34a、及連接於複數個圓弧部34a之各者之集合部34b。同樣地，陰極35包含圍繞旋轉軸線A1之複數個圓弧部35a、及連接於複數個圓弧部35a之各者之集合部35b。陽極34之複數個圓弧部34a與陰極35之複數個圓弧部35a係於徑向交替地排列。集合部34b及集合部35b係配置於較圓弧部34a及圓弧部35a更靠電源側。

如圖2所示，自被複數個夾盤銷6固持之基板W之下表面至複數個電極31~33為止之鉛垂方向之距離D1，小於介電質30之厚度D2(鉛垂方向之長度)(距離D1<厚度D2)。介電質30包含與基板W之下表面平行地對向之對向面30a。自複數個電極31~33至介電質30之對向面30a為止之鉛垂方向之距離D3，小於自介電質30之對向面30a至基板W之下表面為止之鉛垂方向之距離D4(距離D3<距離D4)。距離D3既可與距離D4相等(距離D3=距離D4)，亦可大於距離D4(距離D3>距離D4)。

基板處理裝置1包含對複數個電極31~33施加直流電壓之複數個(例如，3個)電源裝置37。複數個電源裝置37與複數個電極31~33係1對1地對應。電源裝置37經由配線36而連接於對應之電極。配線36之一部分配置於對向部29及支撐部28內。各電源裝置37連接於電源(未圖示)。電源之電壓經由複數個電源裝置37與複數個配線36而施加至複數個電極31~33。

電源裝置37包含進行對所對應之電極之電壓之施加及其停止之切換的打開/關閉部、及使施加至所對應之電極之電壓之大小變更的電壓變更部。電源裝置37將絕對值相等之電壓施加至成對之陽極34及陰極35。於基板W配置於對向構件27之上方之狀態下，若對各電極31~33施加電壓，則藉由靜電感應及介電極化之至少一者而正電荷與負電荷集中於基板W之上表面，從而基板W之上表面帶電。

施加至電極之電壓之大小、與電壓之施加之開始時間及結束時間係藉由控制裝置3而針對每個電極獨立地決定。控制裝置3將表示施加至電極之電壓之大小之電壓指令值輸入至各電源裝 置37。電源裝置37將與電壓指令值對應之大小之電壓施加至對應之電極。

若相同之大小之電壓指令值自控制裝置3輸入至各電源裝置37，則相同之大小之電壓施加至第1電極31、第2電極32、及第3電極33之各者。若不同之大小之電壓指令值自控制裝置3輸入至各電源裝置37，則不同之大小之電壓施加至第1電極31、第2電極32、及第3電極33。

如下所述，控制裝置3以施加電壓按照第1電極31、第2電極32、及第3電極33之順序增加之方式，即，施加電壓之絕對值按照該順序增加之方式對各電源裝置37賦予指令。施加至各電極31~33之電壓之具體例係相對於第1電極31之電壓為±1kV，相對於第2電極32之電壓為±1.5kV，相對於第3電極33之電壓為±2kV。

圖7之虛線表示不使基板W帶電而對基板W之上表面進行蝕刻時之蝕刻量之分佈之影像。如圖7所示，基板W之蝕刻量於基板W之上表面中央部最大，且隨著自基板W之上表面中央部離開而減少。若使蝕刻液相對於基板W之上表面之著液位置於中央部與周緣部之間移動，則雖然蝕刻之均勻性提高，但是基板W之蝕刻量與使蝕刻液之著液位置於基板W之上表面中央部固定之情況相同，顯示山形之分佈。

根據本發明者等人可知，若於正及負之任一情況下均使基板W之上表面帶電，則每單位時間之蝕刻量(蝕刻速率)增加。進而，可知蝕刻速率隨著基板W之上表面之帶電量(電荷量)增加而增加。因此，若以隨著自基板W之上表面中央部離開而帶電量連 續地或階段地增加之方式使基板W之上表面帶電，則可提高蝕刻之均勻性。

控制裝置3係包含中央處理裝置(Central Processing Unit，CPU)及記憶裝置之電腦。控制裝置3包含：製程配方記憶部41，其記憶複數個製程配方；及處理執行部42，其藉由控制基板處理裝置1根據製程配方而使基板處理裝置1處理基板W。處理執行部42係藉由控制裝置3執行安裝於控制裝置3之程式而實現之功能區塊。

製程配方係對基板W之處理內容進行定義之資料，包含基板W之處理條件及處理順序。製程配方進而包含電壓群，該電壓群包含分別施加至複數個電極31~33之複數個電壓指令值。於本實施形態中，電壓群包含對於第1電極31之第1指令值、對於第2電極32之第2指令值、及對於第3電極33之第3指令值。控制裝置3以第1指令值、第2指令值、第3指令值分別施加至第1電極31、第2電極32、及第3電極33之方式對3個電源裝置37進行控制。

基板W之處理條件例如包含藥液之種類、藥液之濃度、藥液之溫度、藥液供給時之基板之旋轉速度、藥液之供給時間、藥液之流量之至少一者。

圖5係表示基板W之處理條件包含藥液之種類A1、藥液之濃度b1~b3、藥液之溫度c1~c3、藥液供給時之基板之旋轉速度d1~d3、及蝕刻時間(藥液之供給時間)e1~e3的例。製程配方R1~R3係至少一個處理條件不同。圖5表示藥液之濃度、藥液之溫度、藥液供給時之基板之旋轉速度、及蝕刻時間於製程配方 R1~R3中不同的例。

各製程配方R1~R3中所包含之電壓群V1~V3係於由該製程配方指定之基板W之處理條件中，蝕刻之均勻性為所期望之值以上時之測定值。即，各電壓群V1~V3係針對每個處理改變施加至複數個電極31~33之電壓之大小而對基板W進行處理時所獲得之測定值。因此，若基板處理裝置1根據製程配方對基板W進行處理，則獲得所期望之蝕刻之均勻性。

施加至第1電極31、第2電極32、及第3電極33之電壓之大小亦可與基板W之處理條件無關而相同。然而，若不使基板W帶電而對基板W之上表面進行蝕刻，則基板W之蝕刻量通常與基板W之處理條件無關，顯示如圖7之山形之分佈。若處理條件之至少一者不同，則存在山形之曲線之斜率變化之情況。因此，較佳為根據基板W之處理條件而變更電壓之大小。於本實施形態中，針對每個基板W之處理條件而設定電壓群。

圖6係用以對藉由基板處理裝置1而執行之基板W之處理例進行說明之步驟圖。以下之各步驟係藉由控制裝置3對基板處理裝置1進行控制而執行。

被處理之基板W之一例為矽晶圓。矽晶圓既可為圖案於表面露出之晶圓，亦可為最表面平坦之晶圓。圖案既可為線狀之圖案，亦可為圓筒狀之圖案。於在作為元件形成面之正面露出圖案之情況下，「基板W之上表面(正面)」包含基板W本身(母材)之上表面(正面)及圖案之正面。

於藉由處理單元2而處理基板W時，進行將基板W搬入至腔室內之搬入步驟(圖6之步驟S11)。

具體而言，於遮斷板11位於退避位置之狀態下，搬送機器人(未圖示)使手進入至腔室內。然後，搬送機器人將手上之基板W放置於複數個夾盤銷6之上。然後，複數個夾盤銷6壓抵於基板W之周緣部，基板W被複數個夾盤銷6固持。旋轉馬達9於基板W被固持之後，使基板W開始旋轉。搬送機器人將基板W放置於複數個夾盤銷6之上之後，使手自腔室之內部退避。

複數個電源裝置37於基板W被放置於複數個夾盤銷6之上之後，將由製程配方指定之大小之電壓施加至第1電極31、第2電極32、及第3電極33(蝕刻帶電步驟)。藉此，以施加電壓按照第1電極31、第2電極32、及第3電極33之順序增加之方式對各電極31~33施加電壓。因此，基板W以帶電量隨著接近基板W之外周部而階段地增加之方式帶電。向各電極31~33之電壓施加係於下述蝕刻液之噴出結束之後停止。

進行搬入步驟之後，進行將作為藥液之一例之蝕刻液供給至基板W之上表面之藥液供給步驟(蝕刻步驟)。

具體而言，遮斷板升降單元13使遮斷板11自退避位置下降至接近位置。然後，於遮斷板11位於接近位置之狀態下，將藥液閥19打開(圖6之步驟S12)。藉此，自中心噴嘴14朝向正旋轉之基板W之上表面中央部噴出蝕刻液。若自將藥液閥19打開後經過既定時間，則藥液閥19關閉，且來自中心噴嘴14之蝕刻液之噴出停止(圖6之步驟S13)。

自中心噴嘴14噴出之蝕刻液沿著基板W之上表面流向外側。藉此，形成覆蓋基板W之上表面整個區域之蝕刻液之液膜。遮斷板11之下表面配置於較蝕刻液之液膜更靠上方，且自蝕 刻液之液膜離開。到達基板W之上表面周緣部之蝕刻液排出至基板W之周圍。如此一來，對帶電之基板W之上表面整個區域供給蝕刻液，而基板W之上表面被均勻地處理(蝕刻)。

其次，進行將作為沖洗液之一例之純水供給至基板W之上表面之沖洗液供給步驟。

具體而言，於遮斷板11位於接近位置之狀態下，將沖洗液閥22打開(圖6之步驟S14)。藉此，自中心噴嘴14朝向正旋轉之基板W之上表面中央部噴出純水。自中心噴嘴14噴出之純水沿著基板W之上表面流向外側。到達基板W之上表面周緣部之純水排出至基板W之周圍。如此一來，基板W上之蝕刻液被純水沖洗，而基板W之上表面整個區域由純水之液膜覆蓋。若自沖洗液閥22打開後經過既定時間，則沖洗液閥22關閉，來自中心噴嘴14之純水之噴出停止(圖6之步驟S15)。

其次，進行將作為有機溶劑之一例之IPA(液體)供給至基板W之上表面之溶劑供給步驟。

具體而言，於遮斷板11位於接近位置之狀態下，將溶劑閥24打開(圖6之步驟S16)。藉此，自中心噴嘴14朝向正旋轉之基板W之上表面中央部噴出IPA。自中心噴嘴14噴出之IPA沿著基板W之上表面流向外側。到達基板W之上表面周緣部之IPA排出至基板W之周圍。如此一來，將基板W上之純水置換為IPA，基板W之上表面整個區域由IPA之液膜覆蓋。若自溶劑閥24打開後經過既定時間，則溶劑閥24關閉，來自中心噴嘴14之IPA之噴出停止(圖6之步驟S17)。

複數個電源裝置37於溶劑閥24打開之後且溶劑閥 24關閉之前，對各電極31~33再次施加電壓(乾燥帶電步驟)。此時施加至各電極31~33之電壓之大小既可與藥液供給步驟中施加至各電極31~33之電壓之大小相等，亦可不同。即，藥液供給步驟用之電壓群與乾燥步驟用之電壓群亦可包含於製程配方。

為了使基板W均勻地帶電，而複數個電源裝置37亦可於乾燥帶電步驟中，將例如相同之大小之電壓施加至第1電極31、第2電極32、及第3電極33。又，亦可僅對各電極31~33之陽極34施加電壓或僅對陰極35施加電壓。向各電極31~33之電壓施加於下述基板W之乾燥完成之後(例如，基板W之旋轉停止之後且基板W搬出之前)停止。

進行溶劑供給步驟之後，進行使基板W乾燥之乾燥步驟(圖6之步驟S18)。

具體而言，於遮斷板11位於接近位置之狀態下，將氣體閥26打開。藉此，自遮斷板11之中央噴出口11a朝向正旋轉之基板W之上表面中央部噴出氮氣。進而，旋轉馬達9使基板W之旋轉速度增加至高旋轉速度(例如數千rpm)為止。藉此，較大之離心力施加至附著於基板W之IPA，而將IPA自基板W甩開至其周圍。因此，將IPA自基板W去除，而使基板W乾燥。若基板W之高速旋轉開始後經過既定時間，則旋轉馬達9使基板W之旋轉停止，氣體閥26關閉。

圖8係表示形成有圖案之基板W乾燥之情況。若使形成有圖案之基板W帶電，則圖案產生電性偏倚。因此，如圖8所示，相同之極性之電荷集中於各圖案之前端，各圖案之前端以相同或大致相同之帶電量且相同之極性帶電。圖8表示各圖案之前端 帶負電之例。藉此，斥力(庫倫力)作用於鄰接之2個圖案。

另一方面，若於鄰接之2個圖案之間存在液面，則液體之表面張力作用於液面與圖案之交界位置。即，引力(表面張力)作用於鄰接之2個圖案。然而，該引力(表面張力)係藉由起因於基板W之帶電之斥力(庫倫力)而被抵消。因此，可一面使作用於圖案之力降低，一面使基板W乾燥。藉此，可減少圖案崩塌之產生。

進行乾燥步驟之後，進行將基板W自腔室搬出之搬出步驟(圖6之步驟S19)。

具體而言，遮斷板升降單元13使遮斷板11自接近位置上升至退避位置。然後，複數個夾盤銷6自基板W之周端面離開，而基板W之固持被解除。然後，於遮斷板11位於退避位置之狀態下，搬送機器人使手進入至腔室之內部。然後，搬送機器人用手取出旋轉夾頭4上之基板W，並使手自腔室之內部退避。

如以上般，於第1實施形態中，藉由對複數個電極31~33施加電壓而使基板W帶電。而且，於基板W帶電之狀態下，一面使基板W圍繞通過基板W之中央部之旋轉軸線A1旋轉，一面對基板W之上表面供給蝕刻液。藉此，基板W之上表面被蝕刻。

自基板W之旋轉軸線A1至第1電極31為止之徑向(與旋轉軸線A1正交之方向)之距離，小於自基板W之旋轉軸線A1至第2電極32為止之徑向之距離。自基板W之旋轉軸線A1至第2電極32為止之徑向之距離，小於自基板W之旋轉軸線A1至第3電極33為止之徑向之距離。即，第2電極32於較第1電極31更靠外側與基板W對向，第3電極33於較第2電極32更靠外側與基板W對向。

施加至第2電極32之電壓之絕對值大於施加至第1電極31之電壓之絕對值。施加至第3電極33之電壓之絕對值大於施加至第2電極32之電壓之絕對值。因此，基板W之上表面以隨著自基板W之上表面中央部離開而帶電量階段地增加之方式帶電。因此，較於基板W均勻地帶電之狀態下對該基板W之上表面進行蝕刻之情況，更可提高蝕刻之均勻性。

又，於第1實施形態中，於基板W帶電之狀態下將液體自基板W去除。藉此，使基板W乾燥。如上所述，作用於鄰接之2個圖案之引力(表面張力)係藉由起因於基板W之帶電之斥力(庫倫力)而被抵消。因此，可一面使作用於圖案之力減小，一面使基板W乾燥。藉此，可減少圖案崩塌之產生。

又，於第1實施形態中，經由介電質30而複數個電極31~33與基板W對向。由於由絕緣材料製成之介電質30處於基板W與複數個電極31~33之間，故而電荷不經由或難以經由介電質30而於基板W與複數個電極31~33之間移動。因此，可確實地維持基板W帶電之狀態，並且可使基板W之帶電量穩定。藉此，可更確實地提高蝕刻之均勻性。

又，於第1實施形態中，以自基板W至複數個電極31~33為止之距離D1小於介電質30之厚度D2之方式，而複數個電極31~33接近基板W。於自基板W至複數個電極31~33為止之距離D1較大之情況下，為了使基板W帶電而必須將較大之電壓施加至複數個電極31~33。因此，藉由使複數個電極31~33接近基板W，可一面抑制施加電壓之絕對值，一面使基板W確實地帶電。

[第2實施形態]

其次，對本發明之第2實施形態進行說明。於以下之圖9~圖10中，關於與圖1~圖8所示之各部同等之構成部分，標註與圖1等相同之參照符號並省略其說明。

於第2實施形態中，將第1實施形態之對向構件27省略，代替第1實施形態之遮斷板11，而設置有相當於第2實施形態之對向構件之遮斷板211。

遮斷板211包含保持為水平之姿勢之圓板狀之對向部29。對向部29為具有小於基板W之外徑之圓板狀。對向部29之中心軸線配置於旋轉軸線A1上。對向部29配置於基板W之上方。作為對向面30a之對向部29之下表面與基板W之上表面平行，且與基板W之上表面之大致整個區域對向。中心噴嘴14之下端部配置於在上下方向貫通對向部29之中央部之貫通孔內。

遮斷板211經由支軸12而連結於遮斷板升降單元13(參照圖1)。遮斷板211能夠於接近位置與退避位置之間於鉛垂方向升降，但不能圍繞遮斷板211之中心線(旋轉軸線A1)旋轉。又，於第2實施形態中，由於遮斷板211之外徑小於基板W之外徑，故而即便使遮斷板211接近基板W，遮斷板211與夾盤銷6亦不會接觸。因此，可使遮斷板211之下表面更加接近基板W之上表面。

遮斷板211包含配置於介電質30內之複數個電極231~233。複數個電極231~233分別配置於距遮斷板211之中心線(旋轉軸線A1)之徑向之距離不同之複數個位置。複數個電極231~233既可於徑向以等間隔配置，亦可於徑向以不等間隔配置。

複數個電極231~233包含配置於旋轉軸線A1之徑向外側之第1電極231、配置於第1電極231之徑向外側之第2電極232、及配置於第2電極232之徑向外側之第3電極233。各電極231~233距旋轉軸線A1之距離固定，且為包圍旋轉軸線A1之O字狀。複數個電極231~233同心圓狀地配置。

複數個電極231~233經由複數個配線36而連接於複數個電源裝置37。電源裝置37包含進行對所對應之電極之電壓之施加及其停止之切換之打開/關閉部、及使施加至對應之電極之電壓之大小變更的電壓變更部。電壓變更部能夠於負至正之範圍(例如，-10kV~10kV之範圍)內，使施加至對應之電極之電壓變更。施加至電極之電壓之大小、電壓之施加之開始時間及結束時間係藉由控制裝置3而針對每個電極獨立地決定。

控制裝置3既可將絕對值及極性相等之電壓施加至各電極231~233，亦可將極性及絕對值之至少一者與施加至其他電極之電壓不同之電壓施加至剩餘之電極。施加至各電極231~233之電壓之組合之一例係相對於第1電極231之電壓為+1kV，相對於第2電極232之電壓為+5kV，相對於第3電極233之電壓為+10kV。施加至各電極231~233之電壓之組合之另一例係相對於第1電極231之電壓為-10kV，相對於第2電極232之電壓為-10kV，相對於第3電極233之電壓為-10kV。

控制裝置3藉由對基板處理裝置1進行控制，而與第1實施形態相同地，使基板處理裝置1執行自搬入步驟至搬出步驟為止之各步驟。如圖9所示，控制裝置3於藥液供給步驟(蝕刻步驟)中，以帶電量自旋轉軸線A1朝向基板W之外周部而階段地增 加之方式使基板W帶電。圖9表示基板W之上表面帶負電之例。

控制裝置3亦可於藥液供給步驟、沖洗液供給步驟、及溶劑供給步驟之至少一者中，使遮斷板211之下表面與基板W上之液膜接觸。即，於第2實施形態中，由於遮斷板211之外周配置於較夾盤銷6更靠內側，故而可使遮斷板211之下表面更加接近基板W之上表面。因此，控制裝置3亦可進行將遮斷板211與基板W之間用液體填滿之液密處理。各電極231~233經由利用絕緣材料製成之介電質30而與基板W之上表面對向。因此，即便於藥液供給步驟中將遮斷板211與基板W之間用藥液填滿，於各電極231~233與基板W之間電荷亦不會移動，從而維持基板W之帶電狀態。

又，控制裝置3亦可根據由製程配方指定之處理液之種類而變更施加至各電極231~233之電壓之極性。若將鹼性之液體供給至基板W之上表面，則該液體中之微粒帶負電。若將酸性之液體供給至基板W之上表面，則根據pH值，而該液體中之微粒帶正電。若於將鹼性之液體供給至基板W之上表面時，使基板W之上表面帶負電，則電性的斥力作用於微粒與基板W之上表面之間。同樣地，若於將酸性之液體供給至基板W之上表面時，使基板W之上表面帶正電，則根據液體之pH值，而電性的斥力作用於微粒與基板W之上表面之間。

於第2實施形態中，若將正電壓施加至各電極231~233，則負電荷集中於基板W之上表面，若將負電壓施加至各電極231~233，則正電荷集中於基板W之上表面。於由製程配方指定之藥液為鹼性之情況下，控制裝置3亦可為了使基板W之上表面 帶負電，而將正電壓施加至各電極231~233。同樣地，於由製程配方指定之藥液為酸性之情況下，控制裝置3亦可為了使基板W之上表面帶正電，而將負電壓施加至各電極231~233。具體而言，電壓指令值包含電壓之大小與電壓之極性(正或負)，電壓指令值之極性亦可根據藥液之種類而預先設定。

又，於第2實施形態中，複數個電極231~233配置於基板W之上方。若於表面朝向上方之狀態下基板W由旋轉夾頭4保持，則複數個電極231~233配置於基板W之表面側，且與形成於基板W之表面之圖案之前端對向。因此，較複數個電極231~233配置於基板W之下方之情況，可使自複數個電極231~233至圖案之前端為止之距離減少。因此，可減少於基板W之乾燥中產生圖案崩塌之情況。

[其他實施形態]

以上為本發明之實施形態之說明，但本發明並不限定於上述實施形態之內容，能夠於本發明之範圍內進行各種變更。

例如，於上述實施形態中之基板W之處理例中，對使相對於複數個電極之電壓之施加暫時停止之情況進行了說明，但亦可自藥液之供給開始前至基板W之乾燥結束後為止繼續電壓之施加。又，亦可僅於對基板W供給藥液時，或僅於使基板W乾燥時，對複數個電極施加電壓。即，亦可將蝕刻帶電步驟及乾燥帶電步驟之一者省略。

進而，考慮實際供給至基板W之藥液之溫度與製程配方R1~R3中規定之溫度不同之情況。於該情況下，基板處理裝 置1亦可以如下方式構成。

即，控制裝置3自測定實際供給至基板W之藥液之溫度之溫度感測器取得藥液之實測溫度。然後，控制裝置3計算藥液之實測溫度與此時所使用之製程配方R1~R3中規定之藥液之溫度c1~c3(設定溫度)之差量。控制裝置3基於差量溫度，例如以如下方式，修正製程配方R1~R3中規定之電壓群V1~V3。

圖11係表示藥液溫度與蝕刻速率之相關關係之曲線圖。圖12係表示施加電壓與蝕刻速率之相關關係之曲線圖。控制裝置3參照藥液溫度與蝕刻速率之相關關係(圖11)及施加電壓與蝕刻速率之相關關係(圖12)，修正電壓群V1~V3。

如圖11所示，作為藥液之一例之dNH₄OH之溫度(x)與非晶矽(a-Si)之蝕刻速率(y)之間存在式1所示之相關關係。

式1：y=0.2706x+0.8188

控制裝置3藉由將製程配方R1~R3中規定之藥液之溫度c1~c3與藥液之實測溫度之差量應用於式1，可求出起因於差量溫度之蝕刻速率之變動量之近似值。例如，根據式1，可預測若實際供給至基板W之藥液之溫度(x)較設定溫度高1℃，則蝕刻速率(y)增加0.2706。

控制裝置3以補償此種蝕刻速率之變動之方式變更電壓群V1~V3。電壓群V1~V3係參照施加電壓與蝕刻速率之相關關係(圖12)而變更。

如圖12所示，施加電壓(x)與蝕刻速率(y)之間存在式2所示之相關關係。

式2：y=0.2778x+1

控制裝置3藉由將由式1求出之蝕刻速率(y)應用於式2，而求出補償蝕刻速率之變動之施加電壓之近似值。然後，將製程配方R1~R3中規定電壓群V1~V3修正所算出之施加電壓。例如，於製程配方R1~R3中規定之藥液溫度c1~c3較實測之藥液溫度低1℃時，根據式1，預測蝕刻速率降低0.2706。若將0.2706代入至式2之(y)，則求出施加電壓之補償值(x)。於該情況下，控制裝置3使製程配方R1~R3中規定之電壓群V1~V3僅增加求出之值。藉此，可使實際之蝕刻速率與所期望之蝕刻速率一致。

如以上般，控制裝置3可藉由參照式1及式2，而以於製程配方中規定之藥液溫度與實測之藥液溫度不同之情況下亦獲得所期望之蝕刻速率之方式，修正製程配方中規定之電壓群V1~V3之值。藉此，可精密地控制蝕刻速率。

於上述實施形態中之基板W之處理例中，對進行將作為有機溶劑之一例之IPA(液體)供給至基板W之上表面之溶劑供給步驟之情況進行了說明，但亦可將溶劑供給步驟省略。

於上述實施形態中，對將於基板W相對於上表面之處理液(藥液、沖洗液、及有機溶劑)之著液位置於中央部固定之情況進行了說明，但亦可使於基板W相對於上表面之處理液之著液泣置於中央部與周緣部之間移動。具體而言，處理單元2亦可具備朝向基板W之上表面噴出處理液之處理液噴嘴，及使處理液噴嘴水平移動之噴嘴移動單元。

於第2實施形態中，旋轉夾頭4亦可為使基板W之下表面(背面)吸附於以水平之姿勢保持之圓板狀之吸附基座之上表面的真空夾頭。

亦可將上述所有構成之中之兩個以上組合。亦可將上述所有步驟之中之兩個以上組合。

該申請案與2015年3月26日於日本專利局提出之日本專利特願2015-064945號對應，該申請案之所有揭示藉由引用而併入此處。

對本發明之實施形態進行了詳細說明，但該等只不過為用以使本發明之技術性內容明確之具體例，本發明並不應限定於該等具體例而解釋，本發明之精神及範圍僅藉由隨附之申請專利範圍而限定。

Claims (9)

1. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其一面保持基板一面使上述基板圍繞通過上述基板之中央部之旋轉軸線旋轉；蝕刻液供給單元，其對保持於上述基板保持單元之基板之主面供給蝕刻液；複數個電極，其包含與保持於上述基板保持單元之基板對向之第1電極，及相對於上述旋轉軸線配置於較上述第1電極更遠且與保持於上述基板保持單元之基板對向之第2電極；以及控制裝置，其對上述基板保持單元、蝕刻液供給單元及複數個電極進行控制；上述控制裝置執行：蝕刻步驟，其一面使基板圍繞上述旋轉軸線旋轉，一面對上述基板之主面供給蝕刻液；及蝕刻帶電步驟，其以施加電壓之絕對值依上述第1電極及第2電極之順序而增加之方式，對上述複數個電極施加電壓，藉此與上述蝕刻步驟並行地使上述基板之主面帶電。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述蝕刻帶電步驟係於蝕刻液為酸性之情況，以上述基板之主面帶正電之方式對上述複數個電極施加電壓，於蝕刻液為鹼性之情況，則以上述基板之主面帶負電之方式對上述複數個電極施加電壓之步驟。
3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述基板係於上述主面露出圖案之基板，上述控制裝置進而執行： 乾燥步驟，其藉由將液體自上述基板去除，而於上述蝕刻步驟之後使上述基板乾燥；及乾燥帶電步驟，其藉由對上述複數個電極施加電壓，而與上述乾燥步驟並行地使上述基板之主面帶電。
4. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述複數個電極與上述基板之主面對向。
5. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其進而包含介電質，該介電質埋入有上述複數個電極，且介置於保持於上述基板保持單元之基板與上述複數個電極之間。
6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，自保持於上述基板保持單元之基板至上述複數個電極為止之距離，係小於上述介電質之厚度。
7. 一種基板處理方法，其包含：蝕刻步驟，其一面使基板圍繞通過上述基板之中央部之旋轉軸線旋轉，一面對上述基板之主面供給蝕刻液；及蝕刻帶電步驟，其與上述蝕刻步驟並行地以隨著自上述基板之主面中央部離開而增加帶電量之方式使上述基板之主面帶電。
8. 如請求項7之基板處理方法，其中，上述蝕刻帶電步驟係於蝕刻液為酸性之情況使上述基板之主面帶正電，於蝕刻液為鹼性之情況則使上述基板之主面帶負電之步驟。
9. 如請求項7或8之基板處理方法，其中，上述基板係於上述主面露出圖案之基板，上述基板處理方法進而包含：乾燥步驟，其藉由將液體自上述基板去除，而於上述蝕刻步驟之後 使上述基板乾燥；及乾燥帶電步驟，其與上述乾燥步驟並行地使上述基板之主面帶電。