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TWI605388B - 顯示器控制器以及其操作方法 - Google Patents

顯示器控制器以及其操作方法 Download PDF

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TWI605388B
TWI605388B TW105139712A TW105139712A TWI605388B TW I605388 B TWI605388 B TW I605388B TW 105139712 A TW105139712 A TW 105139712A TW 105139712 A TW105139712 A TW 105139712A TW I605388 B TWI605388 B TW I605388B
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display capability
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TW105139712A
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TW201805804A (zh
Inventor
盧宗棋
楊敦傑
Original Assignee
晨星半導體股份有限公司
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Application filed by 晨星半導體股份有限公司 filed Critical 晨星半導體股份有限公司
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Publication of TW201805804A publication Critical patent/TW201805804A/zh

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Description

顯示器控制器以及其操作方法
本發明係關於一種顯示器控制器。更詳細地說,是關於一種可提供延伸顯示能力識別資料的顯示器控制器以及其操作方法。
延伸顯示能力識別資料(EDID, Extended display identification data)是由視電標準協會(VESA, Video Electronics Standards Association)所定義的一組資料,目的在於提供連接於一顯示器的源端裝置關於顯示器所能支援的能力,例如影片的解析度和播放頻率等。延伸顯示能力識別資料通常儲存於顯示器控制器搭配的電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)之內。源端裝置,例如個人電腦或多媒體播放器,經由詢問取得關於顯示器的延伸顯示能力識別資料,就可以提供適當的影片格式讓顯示器播放。在某些狀況之下,顯示系統需要儲存多組延伸顯示能力識別資料供使用者選擇。如何精簡有效地回應使用者的選擇,讓源端裝置在多組延伸顯示能力識別資料讀取正確的一組資料,是業界非常需要的。
本發明之一目的在於提供一顯示器控制器,可以支援多組延伸顯示能力識別資料之間的切換。
本發明之另一目的在於提供一顯示控制器,該顯示器控制器不需要以複寫電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)的方式來達到切換延伸顯示能力識別資料的功能。
發明之另一目的在於提供一顯示控制器,該顯示器控制器不需要額外的積體電路匯流排通道轉換器(Channel Switcher)就可以達到切換延伸顯示能力識別資料的功能。
依據本發明之一實施例,提供一種顯示器控制器。該顯示器控制器包含一第一記憶體,一第二記憶體以及一位址控制器。該第一記憶體供儲存以第一延伸顯示能力識別資料,該第二記憶體供儲存一第二延伸顯示能力識別資料。該位址控制器供設定一預定位址給該第一記憶體以及該第二記憶體的其中一模組,其中被設定為該預定位址的記憶體能讓一源端裝置讀取相對應的延伸顯示能力識別資料。
依據本發明之另一實施例,提供一種顯示器控制器。該顯示控制器包含一記憶體以及一位址控制器。該記憶體包含一第一位址區間以及一第二位址區間。該第一位址區間供儲存一第一延伸顯示能力識別資料,該第二位址區間供儲存一第二延伸顯示能力識別資料。該位址控制器接收一位址選擇指示,在該第一位址區間以及該第二位址區間之中選擇一位址區間讀取相對應的延伸顯示能力識別資料。
依據本發明之另一實施例,提出一種提供延伸顯示能力識別資料的方法。該方法包含下列步驟。首先,提供複數個記憶體。接著,在每一個記憶體中存入一延伸顯示能力識別資料。然後,將該複數個記憶體其中一個的位址設定為積體電路匯流排的協定中所定義的電子抹除式可複寫唯讀記憶體的從屬裝置位址。
依據本發明之另一實施例,提出一種提供延伸顯示能力識別資料的方法。該方法包含下列步驟。首先,提供一個靜態隨機存取記憶體,該靜態隨機存取記憶體包含複數個位址區間,其中每一個位址區間儲存一延伸顯示能力識別資料。接著,依據一延伸顯示能力識別資料選擇指示在該些位址區間之中選擇一個位址區間並讀出相應的延伸顯示能力識別資料。
圖1表示一顯示系統。請參照圖1,顯示系統100包含一顯示控制器101以及一源端裝置(Source Device)102。顯示控制器100包含一換算器(Scalar)103,一第一記憶體104,一第二記憶體105,以及一位址控制器(Adress Controller)106。位址控制器106連接於第一記憶體104以及第二記憶體105。在一些實施例中,第一記憶體104與第二記憶體105是電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)。位址控制器106可以設定第一記憶體104的位址,也可以設定第二記憶體105的位址。位址控制器106可以將一個具有特殊定義的預訂位址設定給第一記憶體104或第二記憶體105。源端裝置102可以是一個繪圖卡,一個機上盒,一部個人電腦或其他可提供影片來源的裝置。在一些實施例中,顯示控制器101以積體電路匯流排 I 2C (Inter-Integrated Circuit)110 連接於源端裝置102。在一些實施例中,積體電路匯流排110連接第一記憶體104以及一第二記憶體105。在一些實施例中,顯示系統100更包含一顯示器(Display)108,供顯示影片或影像。顯示器108連接於換算器103。源端裝置102提供影片資料,影片資料傳送到換算器103,然後再傳送到顯示器108進行播放。
在一些實施例中,換算器103包含一控制器107。該控制器107可以是微控制器單元(MCU, Microcontroller Unit) 107。在一些實施例中,積體電路匯流排110連接到控制器107。第一記憶體104儲存一第一延伸顯示能力識別資料(EDID, Extended display identification data),以下簡稱 EDID 1。第二記憶體105儲存一第二延伸顯示能力識別資料,以下簡稱 EDID 2。延伸顯示能力識別資料EDID 包含關於顯示器解析度以及播放頻率的資料。當顯示系統100 要播放影片之前,源端裝置102需要先取得延伸顯示能力識別資料EDID,才能提供適合的影片資料。在一些實施例中,顯示控制器101需要支援不同的解析度以及不同播放頻率的能力,所以顯示控制器101需要能夠提供多組延伸顯示能力識別資料EDID供源端裝置102讀取。在一些實施例中,使用者可以利用外部的輸入方式來選擇所需要的延伸顯示能力識別資料。微控制器單元107接受了使用者的輸入選擇之後可以經由位址控制器106提供正確的延伸顯示能力識別資料讓源端裝置102讀取。例如,使用者的輸入選擇之後產生一延伸顯示能力識別資料選擇指示111,微控制器107依據該延伸顯示能力識別資料選擇指示111經由位址控制器106設定一具有特殊定義的預定位址給對應的記憶體。
圖2A表示顯示系統的部分詳細電路圖,圖2B代表一電子抹除式可複寫唯讀記憶體晶片實施例。請參照圖2A以及圖2B,104代表第一電子抹除式可複寫唯讀記憶體,105代表第二電子抹除式可複寫唯讀記憶體。在此實施例中,圖2A的第一電子抹除式可複寫唯讀記憶體104以及第二電子抹除式可複寫唯讀記憶體105與圖2B中的晶片接腳定義完全一樣。例如,圖2A的104以及105的接腳編號1,2,3,4,5,6,7以及8與圖2B中的晶片的接腳定義以及編號完全一樣。每一個電子抹除式可複寫唯讀記憶體有3個輸入端 E0,E1,E2。如果對於某一個電子抹除式可複寫唯讀記憶體,其中3個輸入端都是低位準(0),則代表此電子抹除式可複寫唯讀記憶體內儲存的是正確的延伸顯示能力識別資料。更具體的說,如果微控制器單元107,經由一第一GPIO (General Purpose Input/Output) 端口 201 (GPIO pin EDID_SEL_16)傳送一個低電壓訊號 (0) 給第一電子抹除式可複寫唯讀記憶體104的輸入端E1以及E2,以及經由一第二GPIO (General Purpose Input/Output) 端口 202 (GPIO pin EDID_SEL_26)傳送一個高電壓訊號 (1) 給第二電子抹除式可複寫唯讀記憶體105的輸入端E1以及E2,則第一電子抹除式可複寫唯讀記憶體104的3個輸入端口都是低位準 (0),如此第一電子抹除式可複寫唯讀記憶體104內所儲存的延伸顯示能力識別資料可以正常被源端裝置102讀取,並被源端裝置102當作是正確的延伸顯示能力識別資料。相對的,第二電子抹除式可複寫唯讀記憶體105內所儲存的延伸顯示能力識別資料不會被源端裝置102讀取作為正確的延伸顯示能力識別資料。圖2A中的積體電路匯流排110與積體電路匯流排203相連接。積體電路匯流排110向外連接到源端裝置102,而積體電路匯流排203連接到換算器103。圖2A的電路可以直接在一電路板上實現,所以不需要另外一個晶片來進行電子抹除式可複寫唯讀記憶體之間的位址切換。
更詳細地說,請參照圖2B,電子抹除式可複寫唯讀記憶體的輸入端口E0,E1以及E2是用來定義電子抹除式可複寫唯讀記憶體的從屬裝置位址(slave address)。圖2C是積體電路匯流排的協定中對於各種裝置的位址定義列表。圖2D表示電子抹除式可複寫唯讀記憶體的暫存器列表。請參照圖2A,圖2B,圖2C以及圖2D, 如果輸入端口E0,E1以及E2的位準都是低位準(0),則電子抹除式可複寫唯讀記憶體的暫存器的位元值(bit value)為A0或A1。A0或A1分別代表讀或寫的設定。這也代表電子抹除式可複寫唯讀記憶體的從屬裝置位址是0XA0或0XA1。0XA0h以及0XA1h是積體電路匯流排的協定(protocol)中,對於DDC2B (Display Data Channel Standard, Level 2B) 監視器 (monitor)的記憶體的從屬裝置位址。也就是說,當位址設定為0XA0或0XA1,儲存在此電子抹除式可複寫唯讀記憶體內的延伸顯示能力識別資料就會被認定是正確的。藉此,源端裝置102可以讀出正確的延伸顯示能力識別資料。
圖3表示顯示系統的另一實施例。請參照圖3,顯示系統100可以包含3個或3個以上的記憶體109。每一個記憶體109都可以是一個電子抹除式可複寫唯讀記憶體。每一個記憶體109可以儲存一份不同的延伸顯示能力識別資料。當某一個特定的電子抹除式可複寫唯讀記憶體109的位址被設定為0XA0或0XA1,源端裝置102就會認得此電子抹除式可複寫唯讀記憶體109,並從此電子抹除式可複寫唯讀記憶體109讀出正確的延伸顯示能力識別資料。
圖4表示顯示系統的另一實施例。請參照圖4,顯示系統100包含一非揮發性記憶體(Non-volatile memory)模組403。在一些實施例中,非揮發性記憶體403是一快閃記憶體(Flash Memory)。換算器103包含一位址控制器(Address Offset Control)401以及一記憶體402。在一些實施例中,記憶體402是一個靜態隨機存取記憶體(SRAM)。記憶體402在第一位址區間儲存一第一延伸顯示能力識別資料 EDED 1,在第二位址區間存一第二延伸顯示能力識別資料 EDED 2。第一位址區間開始於第一起始位址 EDID 1_S,結束於第一終止位址 EDID 1_E。第二位址區間開始於第二起始位址 EDID 2_S,結束於第二終止位址 EDID 2_E。第一起始位址 EDID 1_S與第二起始位址 EDID 2_S之間有一位址差(Address Offset)。源端裝置102經由積體電路匯流排110連接至位址控制器(Address Offset Control)401。如果記憶體402是靜態隨機存取記憶體402,當失去電源供應時,靜態隨機存取記憶體402所儲存的 EDID 1以及EDID 2會消失。所以,當恢復電源供應時,微控制器單元107從非揮發性記憶體403取得第一延伸顯示能力識別資料 EDED 1以及第二延伸顯示能力識別資料 EDED 2,然後將EDED 1以及EDED 2分別存入靜態隨機存取記憶體402的第一位址區間以及第二位址區間。微控制器單元107接收延伸顯示能力識別資料選擇指示111,微控制器單元107輸出一位址選擇指示。位址控制器106接收此位址選擇指示,在第一位址區間以及第二位址區間之中選擇一位址區間讀取相對應的延伸顯示能力識別資料。當使用者選擇EDED 1時,位址控制器401提供儲存於第一位址區間的EDED 1給源端裝置102。當使用者選擇EDED 2時,位址控制器401提供儲存於第二位址區間的EDED 2給源端裝置102。
圖5表示顯示系統的另一實施例。請參照圖5,顯示系統100包含了3個或多於3個位址區間。如果顯示系統100需要支援N個 EDID,則可以視需要在記憶體501設置N個位址區間,供儲存N組EDID。圖5的顯示系統100的運作方式於圖4的顯示系統運作方式相似,於此不再贅述。
圖6表示一種提供延伸顯示能力識別資料的方法流程圖。請參照圖6,依據本發明之一實施例,提出一種提供延伸顯示能力識別資料的方法。首先,提供複數個記憶體(步驟 S 601)。接著,在每一個記憶體中存入一延伸顯示能力識別資料(步驟 S 602)。然後,將該複數個記憶體其中一個的位址設定為積體電路匯流排的協定中所定義的電子抹除式可複寫唯讀記憶體的從屬裝置位址(步驟 S 603)。
圖7表示一種提供延伸顯示能力識別資料的方法流程圖。請參照圖7,依據本發明之一實施例,提出一種提供延伸顯示能力識別資料的方法。首先,提供一個靜態隨機存取記憶體,該靜態隨機存取記憶體包含複數個位址區間,其中每一個位址區間儲存一延伸顯示能力識別資料(步驟 S701)。接著,依據一延伸顯示能力識別資料選擇指示在該些位址區間之中選擇一個位址區間並讀出相應的延伸顯示能力識別資料(步驟 S702)。 圖8表示一種提供延伸顯示能力識別資料的方法流程圖。請參照圖8,在一些實施例中,圖7所示的步驟更包含下列步驟。首先,將該些延伸顯示能力識別資料儲存於一非揮發性記憶體(步驟 S801)。然後,將該些延伸顯示能力識別資料由該非揮發性記憶體讀出並儲存於該些位址區間(步驟 S802)。圖6,圖7以及圖8的步驟並非一定要按照流程圖的先後順序。只要能達成相同效果,設計者可以適當調換每一個步驟的順序。
與傳統的提供EDID的方式相比,本發明不需要重新將正確的EDID寫入電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM),也不需要在系統中設置另外一顆晶片負責提供EDID,因此本發明確實具有極佳的優點。
100‧‧‧顯示系統
101‧‧‧顯示控制器
102‧‧‧源端裝置
103‧‧‧換算器
104‧‧‧第一記憶體
105‧‧‧第二記憶體
106‧‧‧位址控制器
107‧‧‧控制器
108‧‧‧顯示器
109‧‧‧記憶體
110‧‧‧積體電路匯流排
111‧‧‧延伸顯示能力識別資料選擇指示
201‧‧‧第一GPIO
202‧‧‧第二GPIO
203‧‧‧積體電路匯流排
401‧‧‧位址控制器
402‧‧‧記憶體
403‧‧‧非揮發性記憶體
501‧‧‧記憶體
S 601,S 602,S 603,S 701,S 702,S 801,S 802‧‧‧步驟
[圖1]表示一顯示系統; [圖2A]表示顯示系統的部分詳細電路圖; [圖2B]代表一電子抹除式可複寫唯讀記憶體晶片實施例; [圖2C]是積體電路匯流排的協定中對於各種裝置的位址定義列表; [圖2D]表示電子抹除式可複寫唯讀記憶體的暫存器列表; [圖3]表示顯示系統的另一實施例; [圖4]表示顯示系統的另一實施例; [圖5]表示顯示系統的另一實施例; [圖6]表示一種提供延伸顯示能力識別資料的方法流程圖; [圖7]表示一種提供延伸顯示能力識別資料的方法流程圖;以及 [圖8]表示一種提供延伸顯示能力識別資料的方法流程圖。
100‧‧‧顯示系統
101‧‧‧顯示控制器
102‧‧‧源端裝置
103‧‧‧換算器
104‧‧‧第一記憶體
105‧‧‧第二記憶體
106‧‧‧位址控制器
107‧‧‧控制器
108‧‧‧顯示器
109‧‧‧記憶體
110‧‧‧積體電路匯流排
111‧‧‧延伸顯示能力識別資料選擇指示

Claims (18)

  1. 一種顯示器控制器,包含:一第一記憶體,供儲存一顯示器之一第一延伸顯示能力識別資料;一第二記憶體,供儲存該顯示器之一第二延伸顯示能力識別資料;以及一位址控制器,供設定一預定位址給該第一記憶體以及該第二記憶體的其中一記憶體,其中被設定為該預定位址的記憶體能讓一源端裝置讀取相對應的延伸顯示能力識別資料。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示器控制器,更包含一換算器,該換算器包含一微控制器,該微控制器依據一延伸顯示能力識別資料選擇指示,經由該位址控制器設定該預定位址。
  3. 如申請專利範圍第1項之顯示器控制器,其中該第一記憶體為電子抹除式可複寫唯讀記憶體,該第二記憶體為電子抹除式可複寫唯讀記憶體。
  4. 如申請專利範圍第1項之顯示器控制器,其中該第一記憶體以及該第二記憶體連接於一積體電路匯流排。
  5. 如申請專利範圍第1項之顯示器控制器,其中該顯示控制器包含複數個記憶體,每一個記憶體供儲存一延伸顯示能力識別資料,該第一記憶體以及該第二記憶體屬於該些記憶體,當該址控制器設定該預定位址給該些記憶體的其中一記憶體時,被設定為該預定位址的記憶體能讓一源端裝置讀取延伸顯示能力識別資料。
  6. 一種顯示器控制器,包含: 一記憶體,該記憶體包含一第一位址區間以及一第二位址區間,該第一位址區間供儲存一顯示器之一第一延伸顯示能力識別資料,該第二位址區間供儲存該顯示器之一第二延伸顯示能力識別資料;以及一位址控制器,該位址控制器接收一位址選擇指示,在該第一位址區間以及該第二位址區間之中選擇一位址區間讀取相對應的延伸顯示能力識別資料。
  7. 如申請專利範圍第6項之顯示器控制器,其中該記憶體為一靜態隨機存取記憶體。
  8. 如申請專利範圍第6項之顯示器控制器,更包含一換算器,該換算器包含一微控制器單元,該微控制器單元接收一延伸顯示能力識別資料選擇指示,該微控制器單元輸出該位址選擇指示。
  9. 如申請專利範圍第8項之顯示器控制器,更包含一非揮發性記憶體,該非揮發性記憶體儲存該第一延伸顯示能力識別資料以及該第二延伸顯示能力識別資料,該非揮發性記憶體連接於該微控制器單元,當該顯示器控制器啟動時,該微控制器單元將該第一延伸顯示能力識別資料以及該第二延伸顯示能力識別資料由該非揮發性記憶體讀出,並存入該記憶體。
  10. 如申請專利範圍第9項之顯示器控制器,其中該非揮發性記憶體為一快閃記憶體。
  11. 如申請專利範圍第6項之顯示器控制器,其中該位址控制器連接於一積體電路匯流排,該積體電路匯流排供連接一源端裝置。
  12. 如申請專利範圍第6項之顯示器控制器,其中該記憶體包含複數個位址區間,該第一位址區間以及該第二位址區間均屬於該複數個位址區間,每一個位址區間供儲存一延伸顯示能力識別資料,該位址控制器接收一位址選 擇指示,在該複數個位址區間之中選擇一位址區間讀取相對應的延伸顯示能力識別資料。
  13. 一種提供延伸顯示能力識別資料的方法,包含:提供複數個記憶體;在每一個記憶體中存入同一顯示器之一延伸顯示能力識別資料;以及將該複數個記憶體其中一個的位址設定為積體電路匯流排的協定中所定義的電子抹除式可複寫唯讀記憶體的從屬裝置位址。
  14. 如申請專利範圍第13項之提供延伸顯示能力識別資料的方法,其中該複數個記憶體都是電子抹除式可複寫唯讀記憶體。
  15. 如申請專利範圍第13項之提供延伸顯示能力識別資料的方法,更包含:利用一微控制器單元接受一延伸顯示能力識別資料選擇指示,並依據該延伸顯示能力識別資料選擇指示控制一位址控制器進行該設定該從屬裝置位址。
  16. 一種提供延伸顯示能力識別資料的方法,包含:提供一個靜態隨機存取記憶體,該靜態隨機存取記憶體包含複數個位址區間,其中每一個位址區間儲存同一顯示器之一延伸顯示能力識別資料;以及依據一延伸顯示能力識別資料選擇指示在該些位址區間之中選擇一個位址區間並讀出相應的延伸顯示能力識別資料。
  17. 如申請專利範圍第16項之提供延伸顯示能力識別資料的方法,更包含:將該些延伸顯示能力識別資料儲存於一非揮發性記憶體;以及 將該些延伸顯示能力識別資料由該非揮發性記憶體讀出並儲存於該些位址區間。
  18. 如申請專利範圍第16項之提供延伸顯示能力識別資料的方法,其中選擇一個位址區間並讀出相應的延伸顯示能力識別資料的步驟更包含:利用一微控制器單元接收該延伸顯示能力識別資料選擇指示並輸出一位址選擇指示;以及利用一位址控制器接收該位址選擇指示並讀取該相對應位址區間的延伸顯示能力識別資料。
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