TWI601987B

TWI601987B - 光學膜之製造裝置及貼合系統

Info

Publication number: TWI601987B
Application number: TW102134555A
Authority: TW
Inventors: 池墻卓朗
Original assignee: 住友化學股份有限公司
Priority date: 2012-10-05
Filing date: 2013-09-25
Publication date: 2017-10-11
Also published as: JPWO2014054437A1; KR20150067208A; KR101965028B1; CN104685391B; WO2014054437A1; JP5550798B1; CN104685391A; TW201418799A

Description

光學膜之製造裝置及貼合系統

本發明係關於光學膜之製造裝置及貼合系統。

本案根據2012年10月5日日本申請之特願2012-223299號主張優先權，在此沿用其內容。

偏光膜、相位差膜等光學膜係構成液晶顯示裝置的重要光學零件。例如，在液晶顯示裝置中，偏光膜作為矩形狀的光學膜晶片而各配置一枚在液晶面板的上下面。偏光膜係例如由PVA(聚乙烯醇(polyvinyl alcohol))等所成之偏光片膜被由TAC(三醋酸纖維素(Triacetyl cellulose))膜等所成之2枚保護膜所包夾的構造。在偏光片膜係被要求較高的接著性，俾使保護膜不會由偏光片膜剝離。

以往，藉由對膜的表面施行電暈處理，將膜的表面進行改質，加大膜的表面的親水性而提高接著性。在工廠的生產線等，使電極與處理滾筒之間的間隙產生電暈放電，在電極與處理滾筒之間的間隙，將捲成滾筒狀的膜形成為片材狀而以預定的速度通過，且對膜的表面施行電暈處理。接著，將已被施行電暈處理的膜捲繞成滾筒狀，藉此製作捲狀原材料滾筒(參照例如專利文獻1)。

捲狀原材料滾筒係被導入至光學膜的貼合系統。由捲狀原材料滾筒所被捲出的膜係被切割成預定尺寸，且被貼合在液晶面板。接著，藉由外觀檢査裝置，檢查光學膜與液晶面板之間的貼合不良。

【先前技術文獻】【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2001-305052號公報

根據電暈處理，因應膜的種類，將電暈放電的輸出值設定為預定的值，藉此可提高膜表面的接著性。但是，根據本發明人的知見，無關於適當控制電暈放電的輸出值來施行電暈處理，在外觀檢査工序中，會有發現因膜間的接著力不足而起的貼合不良的情形。如上所示之不良係在將光學膜貼合在液晶面板時的外觀檢査中被發現。因此，必須進行將光學膜由液晶面板剝離，重新貼合光學膜的再製處理，造成使生產性降低的原因。

本發明之態樣之目的在提供可事前檢測因膜間的接著力不足而起的貼合不良的光學膜之製造裝置及貼合系統。

為達成上述目的，本發明之態樣之光學膜之製造裝置及貼合系統係採用以下構成。

(1)本發明之一態樣之光學膜之製造裝置係包含：搬送裝置，其係搬送光學膜；電暈處理裝置，其係被配置在前述光學膜的搬送路徑上，在與前述光學膜的搬送方向呈正交的前述光學膜的寬度方向產生電暈放電，且在前述光學膜的表面施行電暈處理；及檢査裝置，其係遍及前述光學膜的寬度方向來檢査藉由前述電暈放電所發出的光的光量。

(2)在上述(1)所記載之光學膜之製造裝置中，前述檢査裝置亦可包含接受藉由前述電暈放電所發出的光的CCD攝影機。

(3)本發明之其他態樣之貼合系統係包含：上述(1)或(2)所記載之光學膜之製造裝置；判定裝置，其係判定藉由前述電暈放電所發出的光的光量是否包含在預定的範圍內；切斷裝置，其係由藉由前述光學膜之製造裝置所製造的光學膜，將藉由前述判定裝置而被判定為未包含在前述預定範圍內的部分作為不良部分進行切離，形成不存在前述不良部分的光學膜；回收裝置，其係回收前述不良部分；及貼合裝置，其係將不存在藉由前述切斷裝置所形成的前述不良部分的光學膜貼合在貼合對象物。

根據本發明之態樣，可事前檢測因膜間的接著力不足而起的貼合不良。

1‧‧‧光學膜之製造裝置

2‧‧‧搬送裝置

3‧‧‧電暈處理裝置

4‧‧‧檢査裝置

5‧‧‧控制裝置

6‧‧‧分散型控制系統(DCS)

20‧‧‧裝填部

21a、21b、21c、21d‧‧‧搬送滾筒

23‧‧‧捲繞部

30‧‧‧電暈處理部

31‧‧‧處理滾筒

32‧‧‧電極

33‧‧‧臭氧排氣導管

33a‧‧‧箱構件

33b‧‧‧配管

40‧‧‧CCD攝影機

40a‧‧‧第1攝影機(CCD攝影機)

40b‧‧‧第2攝影機(CCD攝影機)

41‧‧‧運算裝置

100‧‧‧貼合系統

101‧‧‧搬送裝置

102‧‧‧光學片材供給部

103‧‧‧捲繞機

104‧‧‧測長器

105‧‧‧檢測裝置

106‧‧‧切斷裝置

107‧‧‧回收裝置

108‧‧‧貼合裝置

109‧‧‧控制裝置

110‧‧‧判定裝置

111‧‧‧照明部

112‧‧‧光檢測器

113‧‧‧面板搬送裝置

114‧‧‧面板保持部

115‧‧‧面板移動部

116‧‧‧輸送器

117‧‧‧刀刃

118‧‧‧導引滾輪

119‧‧‧貼合滾輪

A1‧‧‧貼合區

AR1‧‧‧膜搬送區域

AR2‧‧‧滾筒露出區域

CL‧‧‧中心線

F‧‧‧搬送光學片材

F1‧‧‧光學構件

F2‧‧‧黏著層

F3‧‧‧隔離件

F4‧‧‧表面保護膜

F5‧‧‧貼合片材

F6‧‧‧偏光片膜

F7‧‧‧第1膜

F8‧‧‧第2膜

F10‧‧‧良品片材片

F13‧‧‧不良品片材片

Fa‧‧‧未處理膜(光學膜)

Fb‧‧‧處理完畢膜(光學膜)

P‧‧‧液晶面板(貼合對象物)

P1‧‧‧第1基板

P2‧‧‧第2基板

P3‧‧‧液晶層

P4‧‧‧顯示區域

R‧‧‧滾筒

W1‧‧‧膜寬幅

W2‧‧‧膜寬度方向中的滾筒露出區域AR2的長度

W3‧‧‧膜寬度方向中的處理滾筒31的長度

Wa‧‧‧2個CCD攝影機40之中第1攝影機40a的視野寬幅

Wb‧‧‧第2攝影機40b的視野寬幅

第一圖係顯示本發明之一實施形態之光學膜之製造裝置的模式圖。

第二圖係光學膜之製造裝置的部分斜視圖。

第三圖係顯示CCD攝影機與處理滾筒的配置關係圖。

第四A圖係顯示將放電輸出設定為800W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第四B圖係顯示將放電輸出設定為800W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第五圖係顯示本發明之一實施形態之貼合系統的概略構成圖。

第六圖係顯示液晶面板之一例的上視圖。

第七圖係顯示光學片材之一例的剖面圖。

第八A圖係顯示將放電輸出設定為1200W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第八B圖係顯示將放電輸出設定為1200W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第九A圖係顯示將放電輸出設定為1000W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第九B圖係顯示將放電輸出設定為1000W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十A圖係顯示將放電輸出設定為600W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十B圖係顯示將放電輸出設定為600W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十一A圖係顯示將放電輸出設定為400W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十一B圖係顯示將放電輸出設定為400W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十二A圖係顯示將放電輸出設定為300W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十二B圖係顯示將放電輸出設定為300W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十三A圖係顯示將放電輸出設定為230W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十三B圖係顯示將放電輸出設定為230W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

以下一面參照圖示，一面說明本發明之實施形態，惟本發明並非限定於以下實施形態。

其中，在以下所有圖示中，為了易於觀看圖示，使各構成要素的尺寸或比率等適當不同。此外，在以下說明及圖示中，對相同或相當的要素標註相同的符號，且省略重複的說明。

在以下說明中，視需要設定XYZ正交座標系，一面參照該XYZ正交座標系，一面說明各構件的位置關係。在本實施形態中，係將長形光學膜的寬度方向設為X方向，在光學膜的面內與X方向呈正交的方向(長形光學膜的搬送方向)設為Y方向，與X方向及Y方向呈正交的方向設為Z方向。

第一圖係顯示本發明之一實施形態之光學膜之製造裝置的模式圖。以下說明製造構成偏光膜的偏光片膜來作為光學膜之例，但是並非限定於此。光學膜除了偏光片膜以外，亦可為構成偏光膜的保護膜。此外，亦可為相位差膜或亮度提升膜等，亦可為積層相位差膜或偏光膜等複數光學元件者。

偏光膜係例如由PVA(聚乙烯醇)等所成之偏光片膜被作為保護膜的2枚纖維素系膜亦即TAC(三醋酸纖維素)膜所包夾的構造。

偏光片膜係藉由例如碘、二色性染料等二色性色素予以染色，俾以遮斷朝一定方向振動的光以外的光。偏光片膜係將例如以二色性色素染色後的PVA膜進行單軸延伸所形成。

以保護膜而言，除了TAC膜以外，亦可使用COP(環烯烴聚合物(cycloolefin polymer))膜、PET(聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate))膜、MMA(甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate))膜等。

如第一圖所示，光學膜之製造裝置1係具備有：搬送長形狀的光學膜(以下有時僅稱為光學膜)的搬送裝置2；被配置在光學膜的搬送路徑上，以與光學膜的搬送方向呈正交的光學膜的寬度方向(以下有時稱為膜寬度方向)產生電暈放電，對光學膜的表面施行電暈處理的電暈處理裝置3；遍及光學膜的寬度方向，檢査藉由電暈放電所發出的光的光量的檢査裝置4；進行線的控制的控制裝置5；及與檢査裝置4及控制裝置5作電性連接的分散型控制系統6(Distributed Control System，以下有時稱為DCS)。

搬送裝置2係具備有：裝填未被施行電暈處理的光學膜(以下有時稱為未處理膜)Fa的裝填部20；將被裝填在裝填部20的未處理膜Fa朝下游側搬送的搬送滾筒21a、搬送滾筒21b；將藉由電暈處理裝置3被施行電暈處理的光學膜(以下有時稱為處理完畢膜)Fb朝下游側搬送的搬送滾筒21c、搬送滾筒21d；及捲繞處理完畢膜Fb的捲繞部23。

電暈處理裝置3係具備有電暈處理部30、及與電暈處理部30 對向配置的處理滾筒31。

第二圖係光學膜之製造裝置1的部分斜視圖。在第二圖中係放大顯示構成光學膜之製造裝置1的電暈處理裝置3。

如第二圖所示，電暈處理部30係具備有與處理滾筒31對向配置的電極32、及配置在電極32之上方的臭氧排氣導管33。

電極32係朝膜寬度方向延伸存在。膜寬度方向的電極32的長度係與膜寬度方向的處理滾筒31的長度為實質相等。在本實施形態中，使用陶瓷作為電極32的形成材料。此外亦可使用例如鋁、不銹鋼等金屬材料作為電極32的形成材料。

臭氧排氣導管33係具備有長方體狀的箱構件33a、及與箱構件33a的上面相連接的配管33b。箱構件33a係以覆蓋電極32的周圍(電極32之與處理滾筒31相對向的部分以外的部分)的方式而設。藉此，可將藉由電暈處理所發生的臭氧排氣至外部。

處理滾筒31係予以接地。在本實施形態中，係使用不銹鋼製者作為處理滾筒31。此外亦可使用例如矽膠滾筒等介電質被覆滾筒來作為處理滾筒31。其中，處理滾筒31係可對應與電極32的組合而使用各種滾筒。

如第一圖所示，控制裝置5係總括控制搬送裝置2、電暈處理裝置3及檢査裝置4。例如，藉由控制裝置5的控制，分別設定光學膜的進給速度、電暈放電的輸出、處理滾筒31的進給速度。控制裝置5係朝向DCS6傳送光學膜的進給速度、電暈放電的輸出(包含電暈放電的ON-OFF)、處理滾筒31的進給速度等資訊。

如第一圖及第二圖所示，被裝填在裝填部20的未處理膜Fa 係以片材狀拉出未處理膜Fa的外周面上的捲端，以搬送滾筒21a、搬送滾筒21b導引而通過電極32與處理滾筒31之間，且以搬送滾筒21c、搬送滾筒21d導引而以可捲繞在捲繞部23的方式被裝設。藉由控制裝置5的控制，若在電極32與處理滾筒31之間被施加高頻的高電壓時，空氣被絕緣破壞而離子化，藉此發生電暈放電。使未處理膜Fa以預定速度通過至電暈放電內部，藉此對未處理膜Fa的電極32側的表面施行電暈處理。藉此，可得處理完畢膜Fb(作為光學膜的偏光片膜)。

其中，電暈處理係若使電極32的種類、電極32與處理滾筒31 之間的間隔、所施加的電壓、所被處理的光學膜的移動速度、電暈放電的輸出等改變，藉此對光學膜的表面施行所希望的表面改質處理即可。例如，光學膜的移動速度亦可設定為3m/分鐘以上、50m/分鐘以下的範圍的速度。

在本實施形態中，電極32與處理滾筒31之間的間隔被設定為 1mm。電暈放電的輸出被設定為800W。光學膜的移動速度被設定為10m/分鐘以上、30m/分鐘以下的範圍的速度。

如第一圖所示，檢査裝置4係被配置在比電暈處理裝置3更為下游側。

檢査裝置4係具備有接受藉由電暈放電所發出的光(以下有時稱為電暈放電光)的CCD攝影機40、及與CCD攝影機40作電性連接的運算裝置41。檢査裝置4係根據CCD攝影機40所接受到的光的光量，檢查電暈放電的放電電流密度的膜寬度方向的不均。檢査裝置4係作為用以逐次得知電暈放電的放電電流密度的變化的監視系統(電暈監視系統)來發揮功能。

DCS6係朝向檢査裝置4傳送電暈監視的指示(包含檢査裝置 4的ON-OFF)、監視條件的指示(包含配方No.)等資訊。檢査裝置4係朝向DCS6傳送光學膜的寬度方向的位置與光量位準、異常發生的有無等資訊。

雖未圖示，在CCD攝影機40係設有複數個將光轉換成電訊號而轉換成畫像的CCD。CCD攝影機40係線狀配置有複數CCD之所謂CCD線感測器攝影機。

例如以使用在CCD攝影機40的鏡頭而言，係使用焦距為 24mm(f24)、開放值(F值)為2.8、光圈4(1段光圈)者。光圈4(1段光圈)意指當將開放值為2.8的鏡頭縮小1段時，開放值即成為4的鏡頭。

CCD攝影機40的視野寬幅為約760mm。CCD攝影機40的受光距離為約930mm。CCD攝影機40的掃描率為999.9微秒。

運算裝置41係根據CCD攝影機40的受光資料來運算光量位準，且求出光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係。其中，關於「光量位準」及「光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係」容後敘述。

以下說明DCS6。

DCS6係由控制裝置5以串列通訊(RS-422)接收線的狀態，當符合一定條件時，對檢査裝置4以Ethermet通訊(IEEE802.3 10BASE-T)發出電暈監視的指示。

一定條件具體而言係指(1)線的速度為一定以上(膜正在流動)、(2)電暈放電的指示為ON(電暈處理中)、(3)藉由在DCS6上的操作人員操作來發出電暈監視指示。當符合所有該等(1)~(3)時，即被發出電暈監視指示。亦即，當(1)~(3)之中即使有1個不符合條件時，電暈監視指示即被停止。

檢査裝置4係接受來自DCS6的電暈監視指示，開始電暈監視，對DCS6傳送光學膜的寬度方向的位置與光量位準的資料。該資料係即時被更新(約每3秒)。DCS6係常時監視光量位準在預先設定的臨限值的範圍內推移，若不在範圍時，係顯示於DCS6內的監視器，並且使外部警報裝置(警告燈、蜂鳴器等)進行動作。藉此，使操作人員知道異常。此外，不僅光量位準，亦同樣地知道檢査裝置4的異常。DCS6係保存光量位準推移的歷史資料。

第三圖係顯示CCD攝影機40(第1攝影機40a、第2攝影機40b) 與處理滾筒31的配置關係圖。在以下說明，係列舉朝膜寬度方向配置有2個CCD攝影機40a、CCD攝影機40b之例來作說明，但是CCD攝影機的配置數並非侷限於此。

CCD攝影機的配置數係可按照CCD攝影機的視野寬幅或膜寬幅的大小來適當變更。例如若欲提高解析度時，亦可增加CCD攝影機的配置數，並且改變在CCD攝影機所使用的鏡頭來縮窄視野寬幅。

其中，若為電暈處理，亦可將CCD攝影機的膜寬度方向的解析度形成為100μm/pixel左右。

在第三圖中，符號AR1係處理滾筒31之中光學膜被搬送的區域(以下有時稱為膜搬送區域)。符號AR2係在處理滾筒31的兩端部中光學膜未被搬送的區域，亦即露出處理滾筒31的表面的區域(以下有時稱為滾筒露出區域)。符號W1係膜寬度方向中的膜搬送區域AR1的長度，亦即光學膜的寬幅(以下有時僅稱為膜寬幅)。符號W2係膜寬度方向中的滾筒露出區域AR2的長度。符號W3係膜寬度方向中的處理滾筒31的長度，亦即處理滾筒31的全長。符號Wa係2個CCD攝影機40之中第1攝影機40a的視野寬幅。符號Wb係第2攝影機40b的視野寬幅。符號CL係膜寬度方向中的處理滾筒31的中心線(以下有時僅稱為中心線)。

在本實施形態中，膜寬幅W1為1500mm，處理滾筒31的全長 W3為1800mm，CCD攝影機40a的視野寬幅Wa及CCD攝影機40b的視野寬幅Wb分別為760mm。

2個CCD攝影機40a、CCD攝影機40b係以考慮膜蛇行量來對膜寬幅全體進行攝像的方式進行配置。在本實施形態中，第1攝影機40a以對處理滾筒31的-X方向側(左側)的膜搬送區域AR1進行攝像的方式予以配置，第2攝影機40b以對處理滾筒31的+X方向側(右側)的膜搬送區域AR1進行攝像的方式予以配置。

具體而言，第1攝影機40a係以視野寬幅Wa的+X方向側的端緣(右側的端緣)位於中心線CL的方式予以配置。第2攝影機40b係以視野寬幅Wb的-X方向側的端緣(左側的端緣)位於中心線CL的方式予以配置。其中，第1攝影機40a的視野寬幅Wa的+X方向側的端部(右側的端部)與第2攝影機40b的視野寬幅Wb的-X方向側的端部(左側的端部)亦可在中心線CL附近一部分相疊合。

藉此，即使光學膜蛇行(蛇行量10mm)，亦可將光學膜的總寬幅(1500mm)設為CCD攝影機40a、CCD攝影機40b的視野寬幅(將第1攝影機40a的視野寬幅760mm與第2攝影機40b的視野寬幅760mm相加後的寬幅1520mm)的範圍內。

此外，若可將光學膜的總寬幅設在CCD攝影機40a、CCD攝影機40b的視野寬幅的範圍內，則可遍及光學膜的寬度方向來正確檢測電暈放電的放電光的光量。

根據本發明人的檢討，可知在放電電流密度與膜間接著力的強度之間有高相關。此外，可知在放電電流密度與放電光的光量之間係有高相關，尤其若使用CCD攝影機，可精度高地檢測放電光的光量的不均。其理由雖不明確，但是CCD攝影機係將光轉換成電訊號，由於放電光的光量會依放電電流密度而改變，因此在雙方，其發生的機制相似之故。因此，若使用CCD攝影機，來檢測光學膜的面內的放電光的光量的分布，可以高精度來預測因膜間的接著力不足而起的貼合不良的發生部位，可有助於製造良率的提升。

以下說明放電電流密度及放電光。

放電光係藉由由放電電極所被放出的荷電粒子、及氣體分子的衝撞而產生。

藉由提高放電電流，對更多的荷電粒子賦予能量(運動能量與內部能量的和)。結果，荷電粒子與氣體分子的衝撞能量增加，伴隨此，放電光的光量亦增加。

能量平衡實質上以放電的能量=每1個荷電粒子的能量(運動能量與內部能量的和)×荷電粒子數+放射+熱傳導表示。

由於若電流變大，電力亦會變大，因此假設平均的每1個荷電粒子的能量(≒溫度)為一定，則能量更大的荷電粒子會增加，因此放射會增加。實際上，若加大電流時，溫度會因加熱而改變，因此荷電粒子的內部能量會改變。藉此，放射變大，同時熱傳導亦變大。

來自物質的放射能量密度係有與溫度的4次方成正比的斯特凡-波茲曼定律(Stefan-Boltzmann's law)。放射係將包含人感覺為光的可見光區域的所有頻譜相加後的全部放射能量，因此並無法全部轉換成僅為人所感覺的可見光或CCD元件的分光感度區域的發光。由於為能量密度，放射的總量係與發光體的表面積成正比。

因此，發光量與電流或電流密度成正比，或與平方成正比等並非能量全被轉換成發光，因此並無法以關係式單義地表示。

放電光的光量的資訊係與光學膜的長邊方向及寬度方向的位置資訊產生關連地被記憶在DCS6的記憶部及檢査裝置4的各個來作為例如畫像圖。藉此，在後述之貼合系統中，可輕易地將放電光的光量未被控制在適當範圍的部分(在電暈放電發生異常，且表面改質未被適當進行的部分：異常部分)去除，且將放電光的光量被控制在適當範圍的部分(在電暈放電未發生異常，表面改質被適當進行的部分：無異常的部分)使用在製品。

其中，在後述之貼合系統中，亦可未去除放電光的光量未被控制在適當範圍的部分(異常部分)地，即使有異常部分，亦暫且未設為不良，而將最終製品進行重點檢査，來在品質上確認是否有問題。

接著，說明藉由本實施形態之檢査裝置4所為之電暈放電的放電光的光量的檢査。

第四A圖、第四B圖係顯示將放電輸出設定為800W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第四A圖係每999.9微秒實施掃描(資料的取入)，以一分鐘，亦即1000次/秒×60秒=60000次，將光量資料連續標繪(重寫)在同一圖表的圖。

第四B圖係顯示未重寫之1次掃描資料的圖。

在第四A圖、第四B圖中，橫軸係表示光學膜的寬度方向的位置，縱軸係將CCD攝影機40所接受到的電暈放電光的受光光量設為光量位準來表示。

在此，光量位準係指以256階調表示電暈放電光的受光光量者。其中，並非為CCD攝影機所接受到的電暈放電光的受光光量的資料，即所謂原始資料，而是根據對原始資料去除照明光等雜訊的影響後的資料(修正資料)來表示為光量位準。

第四A圖、第四B圖的橫軸係與2個CCD攝影機40之中1個CCD攝影機的視野寬幅(760mm)相對應，若以像素表示時，相當於4096pixel。第四A圖、第四B圖的縱軸均為256階調，在第四A圖中係將光量位準的下限值表示為0、上限值表示為255。

如第四A圖、第四B圖所示，將放電輸出設定為800W時的光量位準的平均值係256階調的大致一半，為127。光量位準係在光學膜的寬度方向全部區域中，以一定程度變動。若觀看光學膜的寬度方向全部區域，光量位準的變動範圍係成為97~156。如第四A圖所示，光量位準的變動範圍係遍及光學膜的寬度方向全部區域而以帶狀擴展。

但是，光量位準的變動範圍依光學膜的寬度方向的位置而異。例如，在光學膜的寬度方向相當於像素600pixel的位置，光量位準的下限值比其他位置為更低。亦即，在光學膜的寬度方向，電暈放電的放電電流密度變小，有光學膜的表面改質未被充分進行的可能性。

在本實施形態中，藉由將臨限值設定在將放電輸出設定為 800W時的光量位準的上下，若光量位準包含在以上下臨限值所規定的範圍時，可判定為正常，若光量位準未包含在以上下臨限值所規定的範圍時，則可判定為異常。例如，將比光量位準的平均值127低50的值亦即77設定為臨限值，在光學膜的寬度方向中，光量位準的變動範圍的下限值包含在將臨限值設為下限的範圍時(與臨限值相同或高於臨限值時)，係將與臨限值相同或高於臨限值的部分判定為正常，若未包含在將臨限值設為下限的範圍時(低於臨限值時)，係將低於臨限值的部分判定為異常。

其中，不僅在光學膜的寬度方向，光量位準的變動範圍的下限值低於臨限值的情形，當在光學膜的寬度方向，光量位準的變動範圍的上限值或平均值低於臨限值的情形下，亦可將低於臨限值的部分判定為異常。

關於放電光的光量的資訊係與關於光學膜的長邊方向及寬度方向的位置的資訊產生關連地記憶在DCS6的記憶部。接著，在後述之貼合系統中，該等資訊由記憶部被讀出，光量位準被判定為異常的部分的光學膜作為不良部位而被切除，藉由回收裝置予以回收。藉此，抑制因電暈處理而起的貼合不良(因膜間的接著力不足而起的貼合不良)的發生，提供良率高的製造系統。

如以上說明所示，藉由本實施形態之光學膜之製造裝置1，可藉由檢査裝置4，來檢查光學膜的面內的電暈放電的放電光的分布。根據本發明人的檢討，在放電光的分布與放電電流密度的分布之間係有高相關，而且在放電電流密度與表面改質的強度(膜間的接著力)之間有高相關。因此，藉由求出放電光的分布，在液晶面板貼合光學膜之前，可進行因膜間的接著力不足而起的貼合不良的發生部位的預測，可有助於製造良率的提升。

此外，由於檢査裝置4具備有接受電暈放電光的CCD攝影機 40，因此可即時檢查電暈放電的放電光的光量。此外，根據該構成，不需要另外檢查已施行電暈處理的光學膜的表面的潤濕性。因此，可簡單且迅速地確認在光學膜的表面是否已均一進行電暈處理。

其中，在本實施形態中，以一例而言，針對將放電輸出設定為800W時的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係加以說明，但是並非侷限於此。例如，放電輸出係其他亦可為1200W、1000W、600W、400W、300W、230W等，適當視需要來進行設定。如上所示在變更放電輸出之設定值的情形下，亦可適用本發明。

(貼合系統)

以下一面參照圖示，一面說明本發明之一實施形態之貼合系統。

第五圖係顯示本發明之一實施形態之貼合系統100的概略構成圖。

如第五圖所示，貼合系統100係具備有：上述實施形態之光學膜之製造裝置1(圖示省略)；判定電暈放電的放電光的光量是否包含在預定範圍內的判定裝置110；將藉由判定裝置110而被判定為未包含在預定範圍內的部分作為不良部分而由光學膜切離，形成不存在不良部分的光學膜的切斷裝置106；回收不良部分的回收裝置107；及將不存在藉由切斷裝置106所形成的不良部分的光學膜貼合在貼合對象物的貼合裝置108。

其中，在貼合系統100中，與關於光學膜的長邊方向及寬度方向的位置的資訊產生關連地被記憶在DCS6(參照第一圖)的記憶部、記憶在檢査裝置4之關於放電光的光量的資訊(例如畫像圖)係可藉由判定裝置110來讀出。

貼合系統100係可在貼合區A1，例如在液晶面板或有機EL 面板等貼合對象物貼合偏光板或反射防止膜、光擴散膜等光學構件。藉此，貼合系統100係可製造包含貼合對象物及光學構件的裝置。貼合系統100亦可為製造上述裝置的製造系統的一部分或全部。

本實施形態之回收裝置107係可由包括光學構件的光學片材，將包含缺陷的部分的光學構件，由朝向貼合區A1的路徑排除且回收。亦即，貼合系統100係可將不含有缺陷的光學構件貼合在貼合對象物。在詳細說明貼合系統100之前，首先說明光學片材的構成例及液晶面板的構成例。

第六圖係顯示液晶面板的構成例的上視圖。在第六圖係圖示由液晶層的厚度方向作俯視的液晶面板。第六圖所示之液晶面板P係具備有：第1基板P1；與第1基板P1相對向配置的第2基板P2；及被封入在第1基板P1與第2基板P2之間的液晶層P3。液晶面板P係容納在作俯視的液晶層P3的外周的內側的範圍成為顯示區域P4。

第七圖係顯示光學片材的構成例的剖面圖。本例之光學片材為長形的帶狀，與光學片材的長邊方向呈正交的剖面圖示於第七圖。在以下說明中，係有將光學片材的長邊方向僅稱為長邊方向的情形。

第七圖所示之光學片材F係具有：膜狀的光學構件F1；設在光學構件F1的其中一面的黏著層F2；隔著黏著層F2而可與光學構件F1分離地予以積層的隔離件F3；及設在光學構件F1的另一面的表面保護膜F4。

本例之光學片材F的光學構件F1係作為偏光板來發揮功能，遍及液晶面板P的顯示區域P4的全部區域及顯示區域P4的周邊區域予以貼合。

光學構件F1係在一面在光學構件F1的表面殘留黏著層F2，一面隔離件F3由黏著層F2被分離的狀態下，透過黏著層F2而被貼合在貼合對象物。隔離件F3係在至由黏著層F2被分離為止的期間，保護黏著層F2及光學構件F1。表面保護膜F4係連同光學構件F1一起被貼合在貼合對象物，相對光學構件F1被配置在貼合對象物的相反側。本例之表面保護膜F4係以適當選擇的時序由光學構件F1分離。表面保護膜F4係在至由光學構件F1被分離為止的期間，保護光學構件F1。

其中，光學構件F1亦可未包含表面保護膜F4。此外，表面保護膜F4亦可未從光學構件F1分離。在以下說明中，有時將由光學片材F除了隔離件F3之外的部分稱為貼合片材F5。

光學構件F1係具有：偏光片膜F6；以接著劑等被接合在偏光片膜F6的其中一面的第1膜F7；及以接著劑等被接合在偏光片膜F6的另一面的第2膜F8。本實施形態之偏光片膜F6係相當於針對以上述光學膜之製造裝置1所製造的處理完畢膜Fb，另外在膜背面施行電暈處理者，亦即在膜表背面施行電暈處理者。第1膜F7與第2膜F8係保護偏光片膜F6的保護膜。

其中，光學構件F1可為由1層光學層所成之單層構造，亦可為複數光學層互相積層的積層構造。光學層係除了上述偏光片膜F6以外，亦可為相位差膜或亮度提升膜等。第1膜F7與第2膜F8的至少一者亦可施行可得包含保護液晶顯示元件的最外面的硬敷處理或防眩光(Anti-Glare)處理的防眩等效果的表面處理。此外，第1膜F7與第2膜F8的至少一者亦可未設置。例如，光學片材F亦可為省略第1膜F7，隔離件F3透過黏著層F2而被貼合在光學構件F1的其中一面的構造。

接著，詳加說明本實施形態之貼合系統100。

第五圖所示之貼合系統100係一面搬送光學片材F，一面檢測光學構件F1的缺陷，藉由將光學片材F進行半切而在長邊方向的複數位置形成切割線，可形成藉由切割線而朝長邊方向被區劃的複數片材片。

其中，關於電暈放電的放電光的光量未包含在預定範圍內的不良部分，係根據上述實施形態中所說明的畫像圖來進行檢測。

貼合系統100係可在複數片材片之中，將光學構件F1未含有缺陷的良品片材片F10的貼合片材、及由液晶顯示元件的製造線的上游被搬送而來的各液晶面板P在貼合區A1進行貼合。貼合系統100係可在複數片材片之中，將光學構件F1含有缺陷的不良品片材片F13，無須將不良品片材片13的貼合片材與液晶面板P相貼合來進行回收。

在本實施形態中，液晶面板P係一面朝與顯示區域P4的長邊呈平行的方向搬送，一面與和液晶面板P呈平行被搬送的光學構件F1相貼合。與光學片材的長邊方向呈正交的寬度方向的尺寸係被設定為例如液晶面板P的顯示區域P4的短邊的長度以上、與顯示區域P4的短邊呈平行的方向的液晶面板P的外寸以下。與液晶面板相貼合的片材片的長邊方向的長度(以下有時稱為單位長度)係被設定為例如液晶面板P的顯示區域P4的長邊的尺寸以上、與顯示區域P4的長邊呈平行的方向的液晶面板P的外寸以下。

其中，貼合系統100亦可為朝與顯示區域P4的短邊呈平行的方向搬送液晶面板P，和與液晶面板P呈平行被搬送的光學構件F1相貼合的態樣。在該態樣中，光學片材F的寬度方向的尺寸及上述單位長度係按照液晶面板P的顯示區域P4的短邊的尺寸或長邊的尺寸等來作適當變更。

貼合系統100係具備有由捲繞有光學片材F的滾筒R送出光學片材F，可朝長邊方向搬送光學片材F之中的至少隔離件F3的搬送裝置101。搬送裝置101係將隔離件F3作為載體，連同隔離件F3一起搬送貼合片材F5。

搬送裝置101係具備有：相當於隔離件F3的搬送路徑(以下有時僅稱為搬送路徑)的始點的光學片材供給部102；相當於搬送路徑的終點的捲繞機103；在光學片材供給部102與捲繞機103之間形成隔離件F3的搬送路徑的複數滾輪；及設在複數滾輪之至少1個的測長器104。在以下說明中，有時對搬送路徑上的任意位置，將接近搬送路徑之始點(光學片材供給部102)之側稱為上游側，將接近搬送路徑之終點(捲繞機103)之側稱為下游側。

本實施形態之貼合系統100係具備有對被配置在搬送路徑且搬送中的光學片材F施行處理的複數裝置。貼合系統100係具備有：被配置在比光學片材供給部102更為搬送路徑的下游側，來檢測光學構件F1之缺陷的檢測裝置105；被配置在比檢測裝置105更為搬送路徑的下游側而對光學片材F施行半切的切斷裝置106；被配置在比切斷裝置106更為搬送路徑的下游側的回收裝置107；被配置在貼合區A1的貼合裝置108；及控制貼合系統100之各部的控制裝置109。其中，在控制裝置109係包含有判定裝置110。

搬送裝置101的光學片材供給部102係藉由可保持滾筒R來使其旋轉，且由滾筒R對搬送路徑送出光學片材F的送出機所構成。捲繞機103係若光學構件F1與隔離件F3呈分離時，實質上僅回收隔離件F3。捲繞機103係若光學構件F1與隔離件F3未分離時，則回收隔離件F3及貼合片材F5。

複數滾輪係藉由跨接光學片材F之中的至少隔離件F3，而形成搬送路徑。複數滾輪係藉由選自可調整使搬送中的光學片材F的進行方向改變的滾輪或搬送中的光學片材F的張力的滾輪等的滾輪所構成。

測長器104係可根據安裝有測長器104的滾輪的旋轉角及外周的長度，來測定搬送光學片材F的距離(搬送距離)。測長器104的測定結果係被輸出至控制裝置109。控制裝置109係根據測長器104的測定結果，生成表示在正在搬送光學片材F的期間的任意時刻，光學片材F的長邊方向的各點是否存在於搬送路徑上的任何位置的片材位置資訊。

其中，搬送裝置101的構成係以可在預定的搬送路徑搬送光學片材的方式作適當變更。此外，測長器104亦可根據搬送距離的測定結果來生成上述片材位置資訊，將所生成的片材位置資訊輸出至控制裝置109。亦可測長器104生成片材位置資訊，控制裝置109未生成片材位置資訊。

檢測裝置105係可檢測內在搬送中的光學片材F的光學構件F1的缺陷。本實施形態之檢測裝置105係可對搬送中的光學片材F，執行反射檢査、透過檢査、斜向透過檢査、正交尼可耳稜鏡(crossed Nichol prism)透過檢査等檢査處理，藉此來檢測光學構件F1的缺陷。

檢測裝置105係具備有：可對光學片材F照射光的照明部111；及可檢測由照明部111被照射而經由(反射與透射的其中一方或雙方)光學構件F1的光的光學構件F1中因有無缺陷所致之變化的光檢測器112。光學構件F1的缺陷係例如在光學構件F1的內部存在由固體、液體、及氣體的至少1個所成之異物的部分、或在光學構件F1的表面存在凹凸或損傷的部分、因光學構件F1的變形或材質的偏頗等而形成為亮點的部分等。

照明部111係可按照在如上所述之檢測裝置105所進行之檢査的種類，來照射經調整光強度或波長、偏光狀態等的光。本實施形態之光檢測器112係由CCD等攝像元件所構成，可對藉由照明部111而被照射光的部分的光學片材F進行攝像。光檢測器112的檢測結果(攝像結果)係被輸出至控制裝置109。控制裝置109係可對藉由光檢測器112所攝像到的畫像進行解析，來判定有無缺陷。控制裝置109係當判定出在光學構件F1存在缺陷時，參照測長器104的測定結果，生成表示缺陷在光學片材F上的位置的缺陷位置資訊。其中，在缺陷位置資訊係包含藉由控制裝置109來參照判定裝置110的判定結果，藉此所生成之表示電暈放電的放電光的光量未包含在預定範圍內的不良部分(異常)在光學片材F上的位置的異常位置資訊。

切斷裝置106係遍及與光學片材F的長邊方向呈正交的寬度方向的總寬幅，將光學片材F的厚度方向的一部分遍及寬度方向進行切斷(有時稱為半切(half cut))，而形成切割線。切割線係形成在光學片材F的長邊方向的複數位置。光學片材F係藉由複數切割線而朝長邊方向被區劃，朝長邊方向相鄰的1對切割線所夾著的區劃的各個即成為1個片材片。

控制裝置109係參照上述的缺陷位置資訊，由藉由切斷裝置106所形成的第1切割線，判定在相當於光學構件F1的長邊方向的單位長度的區間(以下有時稱為接下來的片材片的區間)是否存在有光學構件F1的缺陷。控制裝置109係按照在接下來的片材片的區間是否存在缺陷，來決定接下來形成的切割線的位置，且生成表示切割線在光學片材F上的形成位置的切割線位置資訊。

控制裝置109係當判定出在接下來的片材片的區間不存在缺陷時，以由前次形成的切割線(以下有時稱為第1切割線L1)，至接下來形成的切割線(以下有時稱為第2切割線L2)為止的光學片材F上的距離成為上述單位長度的方式，決定第2切割線L2的形成位置。控制裝置109係以在由形成有第1切割線L1的位置，以單位長度搬送光學片材F的時序，切斷裝置106形成第2切割線L2的方式，控制切斷裝置106。

由第1切割線L1至第2切割線L2的區間的光學片材F係成為具有隔離件F3、及包含未含有缺陷的光學構件F1(良品光學構件)的良品貼合片材的良品片材片F10。

控制裝置109係當判定出在接下來的片材片的區間存在光學構件F1的缺陷時，在比缺陷更為搬送路徑的上游側，決定切割線(以下有時稱為第3切割線L3)的形成位置。控制裝置109係以在比缺陷更為搬送路徑的上游側，切斷裝置106形成第3切割線L3的方式控制切斷裝置106。

由第1切割線L1至第3切割線L3之區間的光學片材F係成為具有隔離件F3、及包含含有缺陷的光學構件F1(不良品光學構件)的不良品貼合片材的不良品片材片F13。

本實施形態之貼合系統100係具備有可將與良品貼合片材相貼合的液晶面板P搬送至貼合區A1的面板搬送裝置113。面板搬送裝置113係具備有：可保持液晶面板P的面板保持部114；對貼合系統100，可由被搬入液晶面板P的搬入區至貼合區A1移動面板保持部114的面板移動部115；及可在貼合區A1，以預定方向運送液晶面板P的輸送器116。在本實施形態中，面板搬送裝置113的各部係被控制裝置109控制動作時序等。

面板保持部114係將由液晶顯示元件的製造線的上游，藉由輸送器等被搬運至搬入區的液晶面板P，藉由控制裝置109進行控制，藉由真空吸附等而以可安裝卸下的方式進行保持。面板移動部115係可對輸送器116，以垂直方向及水平方向移動面板保持部114。面板移動部115係可在液晶面板P被保持在面板保持部114的狀態下，將面板保持部114由搬入區移動至貼合區A1，實質上將液晶面板P移動至貼合區A1。

面板保持部114係被控制裝置109所控制，可在貼合區A1解除液晶面板P的吸附，而將液晶面板P交付至輸送器116。輸送器116係可以將被搬運至貼合區A1為止的液晶面板P、及被搬運至貼合區A1而與液晶面板P相貼合的良品貼合片材彼此互相對位的方式，對貼合裝置108供給液晶面板P。面板移動部115及輸送器116係以藉由切斷裝置106所形成的良品片材片F10被搬運至貼合區A1的時序，液晶面板P到達貼合區A1的方式，藉由控制裝置109進行控制。

本實施形態之回收裝置107係將良品片材片F10之中的良品貼合片材與隔離件F3互相分離。貼合裝置108係將與隔離件F3呈分離的良品貼合片材，與被搬送至貼合區A1的液晶面板P相貼合。回收裝置107係回收與良品貼合片材呈分離的隔離件F3。回收裝置107係將不良品片材片F13之中的不良品貼合片材連同隔離件F3一起回收。

回收裝置107係具備有：以隔離件F3為載體而將片材片捲繞在刀刃117來進行移送(搬送)的移送部；及判定被移送至刀刃117的片材片為不良品片材片F13、或為良品片材片F10的判定部。

本實施形態之移送部係構成為包含有刀刃117、及在構成搬送裝置101的複數搬送滾輪之中連同刀刃117一起跨接隔離件F3的滾輪。連同刀刃117一起跨接隔離件F3的滾輪之中的1個為被配置在比刀刃117更為搬送路徑的下游側的導引滾輪118。

本實施形態之判定部係被包含在控制裝置109。本實施形態之判定部(控制裝置109)係根據上述片材位置資訊、缺陷位置資訊、及切割線位置資訊，來判定被搬送至刀刃117的片材片為不良品片材片F13或良品片材片F10。

在本實施形態中，被搬送至回收裝置107的光學片材F係一面使其單面與刀刃117的一面相對向，一面朝向前端部被搬送。隔離件F3係被跨接在前端部與導引滾輪118，朝向相對比前端部更為搬送路徑的下游側的部分的光學構件F1形成銳角的方向被搬送，藉此以前端部為支點而彎曲。藉此，隔離件F3係由長邊方向中的搬送路徑的下游側(第1切割線L1側)朝向上游側(第2切割線L2側)依序由良品貼合片材分離。與良品貼合片材呈分離的隔離件F3係透過導引滾輪118而被捲繞在捲繞機103予以回收。

本實施形態之貼合裝置108係具備有1對貼合滾輪119。被搬送至貼合區A1的液晶面板P係藉由輸送器116而被搬送在1對貼合滾輪119之間。

互相貼合的液晶面板P及良品貼合片材係以在貼合後互相接觸的各個的面互相平行且相對1對貼合滾輪119的旋轉軸呈平行的方式，被運送在1對貼合滾輪119之間。1對貼合滾輪119係在貼合處理中，將被運送至1對貼合滾輪119之間的液晶面板P及良品貼合片材夾入而彼此互相按壓來進行貼合。與良品貼合片材相貼合的液晶面板P係被搬送至液晶顯示元件的製造線的下游。如上所示執行貼合處理。

其中，經由刀刃117的前端部19的不良品貼合片材係連同隔離件F3一起經由導引滾輪118而被捲繞在捲繞機103，且與隔離件F3同樣地被回收。

本實施形態之控制裝置109係構成為包含電腦系統。該電腦系統係具備有CPU等運算處理部、及記憶體或硬碟等記憶部。本實施形態之控制裝置109係包含可執行電腦系統與外部裝置的通訊的介面。在控制裝置109亦可連接可輸入輸入訊號的輸入裝置。上述輸入裝置係包含鍵盤、滑鼠等輸入機器、或者可輸入電腦系統之來自外部裝置的資料的通訊裝置等。控制裝置109係可包含顯示貼合系統100之各部的動作狀況的液晶顯示器等顯示裝置，亦可與顯示裝置相連接。

在控制裝置109的記憶部係被安裝有控制電腦系統的作業系統(OS)。在控制裝置109的記憶部係記錄有藉由使運算處理部控制貼合系統100的各部，來使貼合系統100的各部執行用以排除不良品片材片F13的處理的程式。包含被記憶在記憶部的程式的各種資訊係可由控制裝置109的運算處理部讀取。控制裝置109亦可包含執行貼合系統100的各部的控制所需之各種處理的ASIC等邏輯電路。

記憶部係包含RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)等半導體記憶體、或硬碟、CD-ROM讀取裝置、碟片型記憶媒體等外部記憶裝置等的概念。記憶部係在功能上設定有記憶記述有搬送裝置101、檢測裝置105、切斷裝置106、回收裝置107、判定裝置110、貼合裝置108的動作的控制順序的程式軟體的記憶區域等其他各種記憶區域。

如以上所示，本實施形態之回收裝置107係可有效去除光學構件F1的缺陷。此外，本實施形態之貼合系統100係可一面有效去除光學構件F1的缺陷，一面將未包含缺陷的光學構件F1(良品貼合片材)與貼合對象物相貼合。此外，本實施形態之回收方法係即使未使用有別於隔離件F3的其他去除用膜等，亦可去除不良品貼合片材，因此可有效去除光學構件F1的缺陷。

其中，本發明之技術範圍並非限定於上述實施形態。在未脫離本發明之主旨的範圍內，可為各種變形。

上述貼合系統100係藉由檢測裝置105來檢測光學構件F1的缺陷，但是亦可使用在搬送前預先被檢査的光學片材F，並且控制裝置109使用該檢査結果來進行是否為良品片材片F10的判定。上述檢査結果亦可以符號等形態而被形成在光學片材F，亦可作為例如表示來自滾筒R之長邊方向之端的缺陷的位置的資料而被輸入至控制裝置。如上所示，若使用預先被檢査的光學片材F時，亦可省略檢測裝置105。

此外，上述貼合系統100係由已被捲繞光學片材F的滾筒R送出光學片材F，但是搬送裝置101的光學片材供給部102亦可為光學片材F的製造裝置。該光學片材F的製造裝置可為貼合系統100的一部分，亦可為貼合系統100的外部的裝置。

以上一面參照所附圖示，一面說明本實施形態之適當實施形態例，但是本發明並非限定於該例，自不待言。在上述例中所示之各構成構件的各形狀或組合等為一例，在未脫離本發明之主旨的範圍內，可根據設計要求等來作各種變更。

以下根據實施例，更具體說明本發明，惟本發明並非限定於以下實施例。

(電暈處理裝置)

電暈處理裝置中的電極與處理滾筒的間隔係設定為1mm。以處理滾筒而言，係使用全長為1800mm者。

(檢査裝置)

檢査裝置中的CCD攝影機係使用CCD線感測器攝影機。以CCD攝影機而言，係使用所使用的鏡頭為焦距24mm(f24)、開放值(F值)2.8、光圈4(1段光圈)、視野寬幅為約760mm、受光距離為約930mm、掃描率為999.9微秒者。

其中，CCD攝影機係朝膜寬度方向配置2個。此外，CCD攝影機係使用膜寬度方向的解析度為100μm/pixel者。

(光學膜)

以成為檢査對象的光學膜而言，係使用由PVA等所成之偏光片膜。以光學膜而言，係使用膜寬幅為1500mm者。

(實施例)

實施例1的放電輸出係如第四圖所示設定為800W。實施例2的放電輸出係設定為1200W。實施例3的放電輸出係設定為1000W。實施例4的放電輸出係設定為600W。實施例5的放電輸出係設定為400W。實施例6的放電輸出係設定為300W。實施例7的放電輸出係設定為230W。

(電暈放電的膜寬度方向中的不均的檢査)

針對實施例2~7，分別調查光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係。針對實施例2~7，分別確認相對實施例1的放電輸出設定值，是否可得顯著差異。

第八A圖、第八B圖係顯示實施例2中的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第九A圖、第九B圖係顯示實施例3中的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十A圖、第十B圖係顯示實施例4中的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十一A圖、第十一B圖係顯示實施例5中的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十二A圖、第十二B圖係顯示實施例6中的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第十三A圖、第十三B圖係顯示實施例7中的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係圖。

第八A圖~第十三A圖係每隔999.9微秒實施掃描(資料的取入)，一分鐘，亦即1000次/秒×60秒=60000次，將光量資料連續標繪(重寫)在同一圖表的圖。

第八B圖~第十三B圖係顯示未重寫的1次掃描資料的圖。

第八B圖~第十三B圖所示圖表係相當於第八A圖~第十三A圖所示之實線部分。

其中，在第八A圖及第九A圖中，為方便起見，一併圖示實施例1(放電輸出800W)中的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係。

在第八A圖、第八B圖~第十三A圖、第十三B圖中係與第四A圖、第四B圖同樣地，係使用修正資料，而非使用原始資料。

在第八A圖、第八B圖~第十三A圖、第十三B圖中，橫軸表示光學膜的寬度方向的位置，縱軸表示光量位準。其中，橫軸係與CCD攝影機的視野寬幅(760mm)相對應，若以像素表示時，即相當於4096pixel。縱軸係將光量位準的下限值表示為0、將上限值表示為255。各圖中，橫軸及縱軸的範圍相同。

如第八A圖、第八B圖~第十三A圖、第十三B圖所示，光量位準的平均值係隨著放電輸出變大而變大。此外，光量位準的變動範圍係遍及光學膜的寬度方向全部區域擴展為帶狀。

但是，光量位準的變動範圍依光學膜的寬度方向的位置而異。例如，在光學膜的寬度方向，像素0pixel~600pixel的範圍的位置，相較於像素600pixel~4096pixel的範圍的位置，光量位準較高。

其理由係像素0pixel~600pixel的範圍相當於滾筒露出區域，像素600pixel~4096pixel的範圍相當於膜搬送區域，由此被認為滾筒露出區域與膜搬送區域的放電特性的不同而有所影響。亦即，在膜搬送區域，由於存在作為絕緣體的光學膜，因此電暈放電較弱且放電電流密度降低之故。

表1係將實施例1~7中的光學膜的寬度方向的位置與光量位準的關係加以彙整的表。

在表1中，「光量位準的平均值」係以實施例1的平常時的放電輸出為基準時，亦即將放電輸出設定為800W時的光量位準的平均值設為256階調的大致一半的127時之分別設定為實施例2~7的放電輸出時的光量位準的平均值。

「(變動範圍)」係光學膜的寬度方向全部區域中的光量位準的變動範圍。其中，實施例2及實施例3中的變動範圍的下限值並無法算出，因此未記載。

「與變動範圍的差」係相對實施例1中之光量位準的變動範圍(97~156)之實施例2~7的各個中的光量位準的平均值的差(較小者的差)。具體而言，在實施例2~7的各個中係記載出相對實施例1中之光量位準的變動範圍的下限值(97)的光量位準的平均值的差、與相對實施例1中之光量位準的變動範圍的上限值(156)的光量位準的平均值的差之中任何較小者的差。其中，若「與變動範圍的差」為10以上，判定為對實施例1的放電輸出設定值可得顯著差異。

「可否檢測」係在實施例2~7的各個中，表示光量位準的變動範圍是否包含在實施例1的光量位準的變動範圍(97~156)。在實施例2~7的各個中，將光量位準的變動範圍未包含在實施例1的光量位準的變動範圍(97~156)時以「○(good)」表示。將光量位準的變動範圍一部分包含在實施例1的光量位準的變動範圍(97~156)時以「△(fair)」表示。

如表1所示，在實施例3中，光量位準的變動範圍有一部分包含在實施例1的光量位準的變動範圍(97~156)，因此以對實施例1的放電輸出設定值的顯著差異而言，係稍微不足。但是，將臨限值設定在光量位準的上下，光量位準包含在以上下的臨限值所規定的範圍時係判定為正常，光量位準未包含在以上下的臨限值所規定的範圍時則判定為異常，藉此檢測有無電暈放電異常，可確認在光學膜的表面是否被均一地進行電暈處理。

另一方面，在實施例2、實施例4~7中，光量位準的變動範圍未包含在實施例1的光量位準的變動範圍(97~156)，因此相對實施例1的放電輸出設定值，發現顯著差異。因此，可穩定地檢測電暈放電有無異常，可精度佳地確認在光學膜的表面是否已均一地進行電暈處理。

此外，由實施例4~7的結果可知，在放電輸出為230W~600W的範圍，即使放電輸出為100W左右的變化，亦可得相對其他實施例的放電輸出設定值為充分的顯著差異。