TWI601641B

TWI601641B - 剝離與清理製程及系統

Info

Publication number: TWI601641B
Application number: TW104132962A
Authority: TW
Inventors: 施應慶; 林俊成; 盧思維
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2014-10-09
Filing date: 2015-10-07
Publication date: 2017-10-11
Also published as: TW201625421A; KR101634458B1; US20160101613A1; US9475272B2; US20170036433A1; CN105514037B; DE102015105796A1; US9895871B2; CN105514037A; KR20160042370A; US20170326866A1; US9662872B2; DE102015105796B4

Description

剝離與清理製程及系統

本揭露係關於剝離與清理製程及系統。

由於各種電子組件(例如，電晶體、二極體、電阻器、電容器等)之積體密度的持續改良，半導體產業已經快速成長。整體而言，積體密度的改良係來自於將最小的特徵尺寸重複縮小(例如，將半導體製程節點縮小至次20奈米節點)，其使得可在給定面積上整合更多組件。由於微小化的需求，近來已經發展更高速與更大帶寬以及較低的功率消耗與遲延，需要更小且更創新的半導體晶粒封裝技術。

結合裝置的微小化以及積體密度的改良，半導體產業已經發展新的封裝以及將半導體裝置整合在消費產品中的製程。有許多封裝半導體的製程，造成許多不同的封裝架構。這些封裝可容納半導體裝置之縮小的佔用空間以及其他組件，其可能需要例如較大間隔的較大電連接。

本揭露的一些實施例係提供一種方法，其包括將第一基板的表面自第二基板剝離；以及在剝離之後，清理該第一基板的該表面，該清理包括將清理機構實體接觸該第一基板的該表面。

本揭露的一些實施例係提供一種方法，其包括藉由釋放塗層，提供接合至載體基板的封裝基板，該釋放塗層係位於該封裝基板的表面上；分解該釋放塗層，並將該載體基板自該封裝基板分離；以及在將該載體基板自該封裝基板分離之後，清理該封裝基板的該表面，該清理步驟包含供應流體至該封裝基板的該表面，以及用清理機構接觸該封裝基板的該表面，以自該封裝基板的該表面物理性移除該釋放塗層的殘留物。

本揭露的一些實施例係提供一種工具，其包括剝離模組，其包括第一卡盤，輻射源，用以朝向該第一卡盤發射輻射，以及第一機器手臂，其具有真空系統，該真空系統係用以固定且自該第一卡盤移除基板；以及清理模組，其包括第二卡盤，噴嘴，用以朝向該第二卡盤噴灑流體，以及第二機器手臂，其具有清理裝置，用以將該清理裝置實體接觸該第二卡盤上的基板。

40‧‧‧封裝基板

42‧‧‧釋放塗層

44‧‧‧載體基板

46‧‧‧積體電路晶粒

48‧‧‧晶粒連接器

50‧‧‧介電材料

51‧‧‧黏著劑

52‧‧‧封裝物

54‧‧‧重佈結構

56‧‧‧金屬化圖案

58‧‧‧介電層

60‧‧‧下金屬

62‧‧‧外部連接器

70‧‧‧卡盤

72‧‧‧膠帶

74‧‧‧框

76‧‧‧輻射曝照

78‧‧‧殘留物

80‧‧‧表面

82‧‧‧覆蓋環

82a‧‧‧邊緣部

82b‧‧‧延伸部

84‧‧‧清理裝置

88‧‧‧流體

100‧‧‧工具

102‧‧‧前端模組(EFEM)

104‧‧‧預對準模組

106‧‧‧剝離模組

108‧‧‧載體回收模組

110‧‧‧清理模組

112‧‧‧框匣

114‧‧‧前開式晶圓傳送盒(FOUP)

116‧‧‧控制盒

118‧‧‧電源供應器

120‧‧‧轉移工具

122‧‧‧輻射源

124、150、210‧‧‧卡盤

126、152、212‧‧‧框

128、154、216‧‧‧馬達

130、158‧‧‧機器手臂

132‧‧‧真空系統

156、214‧‧‧覆蓋環

252‧‧‧往復臂

254‧‧‧夾件

160‧‧‧清理裝置

162‧‧‧噴嘴

164、166‧‧‧管子

200‧‧‧工具

202、204‧‧‧剝離與清理模組(DBCM)

由以下詳細說明與附隨圖式得以最佳了解本揭露之各方面。注意，根據產業之標準實施方式，各種特徵並非依比例繪示。實際上，為了清楚討論，可任意增大或縮小各種特徵的尺寸。

圖1係根據一些實施例說明可實施剝離與清理製程的簡化封裝基板之剖面圖。

圖2A至2G係根據一些實施例說明將載體基板從封裝基板剝離以及清理封裝基板的製程。

圖3A至3C係根據一些實施例說明用於實施剝離與清理製程之第一工具的概示圖。

圖4A至4B係根據一些實施例說明用於實施剝離與清理製程之第二工具的概示圖。

圖5A至5C係根據一實施例說明放置且移除覆蓋環的範例架構之概示圖。

圖6A至6F係根據一實施例說明放置與移除覆蓋環的另一範例架構之概示圖。

以下揭示內容提供許多不同的實施例或範例，用於實施本申請案之不同特徵。元件與配置的特定範例之描述如下，以簡化本申請案之揭示內容。當然，這些僅為範例，並非用於限制本申請案。例如，以下描述在第二特徵上或上方形成第一特徵可包含形成直接接觸的第一與第二特徵之實施例，亦可包含在該第一與第二特徵之間形成其他特徵的實施例，因而該第一與第二特徵並非直接接觸。此外，本申請案可在不同範例中重複元件符號與/或字母。此重複係為了簡化與清楚之目的，而非支配不同實施例與/或所討論架構之間的關係。再者，本案所述之製程實施例係以特定順序進行；然而，其他實施例可用任何邏輯順序進行製程。

再者，本申請案可使用空間對應語詞，例如「之下」、「低於」、「較低」、「高於」、「較高」等類似語詞之簡單說明，以描述圖式中一元件或特徵與另一元件或特徵的關係。空間對應語詞係用以包括除了圖式中描述的位向之外，裝置於使用或操作中之不同位向。裝置或可被定位(旋轉90度或是其他位向)，並且可相應解釋本申請案使用的空間對應描述。

以下內容說明一些實施例，亦即用於扇出或扇入晶圓級封裝的剝離與清理製程。然而，本揭露的各方面可實施於許多其他的內容中，例如實施於例如與釋放塗層接合在一起的任何組件，而將其剝離。再者，以下討論製程與系統的一些修飾，該技藝中具有通常技術者可輕易理解可實施的其他修飾。實施例包含這些修飾。

圖1係說明簡化的封裝基板40之剖面圖，例如扇出或扇入晶圓級封裝，其藉由光熱轉換(LTHC)釋放塗層42而接合至載體基板44。本文所述之剝離與清理製程可實施於圖1的結構中，然而實施例包含各種其他封裝、封裝基板與/或組件。

載體基板44可為玻璃基板、矽基板、氧化鋁基板或類似物，並且可為晶圓。LTHC釋放塗層42係在載體基板44上。在處理步驟過程中，載體基板44提供暫時的機械與結構支撐，以形成封裝基板40。在載體基板44的表面上，形成LTHC釋放塗層42。例如，LTHC釋放塗層42係氧化物、氮化物、有機材料、類似物、或其組合，例如以聚亞醯胺為基底的材料。可使用壓層、旋塗、類似方法、或其組合，形成LTHC釋放塗層42。

封裝基板40包括一或多個積體電路晶粒46。積體電路晶粒46各自包括半導體基板，例如矽、摻雜或未摻雜的、或絕緣體上半導體(SOI)基板上的主動層。半導體基板可包含另一元素半導體，例如鍺；化合物半導體，其包含碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦、與/或銻化銦；合金半導體，其包含SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP、與/或GaInAsP；或其組合。亦可使用其他基板，例如多層或梯度基板。可在半導體基板中與/或在半導體基板上，形成例如電晶體、二極體、電容器、電阻器等裝置，且其藉由互連結構而互連，該互連結構係藉由例如在半導體基板上的一或多介電層中的金屬化圖案而形成，以形成積體電路。

晶粒連接器48，例如傳導柱(例如，包括如銅之金屬)，係在積體電路晶粒46的外部，以及機械耦合且電耦合至個別的積體電路晶粒46，可指積體電路晶粒46的個別主動側。晶粒連接器48係電耦合積體電路晶粒46的個別積體電路。

介電材料50係在積體電路46的主動側上。介電材料50係側向包覆晶粒連接器48，其具有與介電材料50之上表面齊平的上表面，以及介電材料50係側向與個別積體電路晶粒46相接。介電材料50 可為聚合物，例如聚苯并噁唑(polybenzoxazole，PBO)、聚亞醯胺、苯并環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、或類似物；氮化物，例如氮化矽或類似物；氧化物，例如氧化矽、磷矽酸鹽玻璃(PSG)、硼矽酸鹽玻璃(BSG)、硼摻雜的磷矽酸鹽玻璃(BPSG)、或類似物；類似物、或其組合。

積體電路晶粒46的背面或是與主動側對立之側，係藉由黏著劑51而附貼至載體基板44上的LTHC釋放塗層42。黏著劑51可為任何合適的黏著劑、環氧化物、或類似物。

封裝物52至少側向包覆積體電路晶粒46。封裝物52具有鄰接LTHC釋放塗層42的第一表面，以及具有與介電材料50及晶粒連接器48之上表面齊平的第二表面。封裝物52可為模塑料、環氧化物、或類似物。

重佈結構54包括在一或多個介電層58中的一或多個金屬化圖案56。一或多個金屬化圖案56的至少一部分係經由個別晶粒電連接器48而電耦合至積體電路晶粒46上的個別積體電路。一或多個金屬化圖案56可包括任何的線、通路、墊、類似物、或其組合，以及可包括傳導材料，例如金屬、如銅、鈦、鎢、鋁、或類似物。一或多個介電層58可為聚合物，例如PBO、聚亞醯胺、BCB、或類似物；氮化物，例如氮化矽或類似物；氧化物，例如氧化矽、PSG、BSG、BPSG、或類似物；類似物；或其組合。

一或多個金屬化圖案56包括在重佈結構54上暴露的下金屬(under-metal)60。下金屬60上係外部連接器62，例如焊球，如球柵陣列(BGA)球。在一些實施例中，外部連接器62包括焊料，例如Sn-Ag合金、Sn-Ag-Cu合金、或類似物，並且可為無鉛或是含鉛。

在圖1的架構中，封裝基板40包括未單粒化的封裝。封裝基板40可包括任何數目的封裝。在載體基板44上形成且處理封裝基板40，該載體基板44可為晶圓。如上所述，封裝基板40可具有各種修飾或是架構，圖1僅為範例。亦可使用其他封裝基板。

圖2A至2G係根據一些實施例說明將載體基板44自封裝基板40剝離且清理封裝基板40的製程。在圖2A中，使用膠帶72，將藉由LTHC釋放圖層42而接合至載體基板44的封裝基板40係固定在卡盤70上與框74內。封裝基板40固定在膠帶72上，因而載體基板44係向上離開卡盤70，例如，封裝基板40的外部連接器62係附貼至膠帶72。

在圖2B中，進行剝離製程。輻射曝照76係經由載體基板44掃描至少LTHC釋放塗層42。當輻射曝照76照射在LTHC釋放塗層42時，LTHC釋放塗層42分解，因而使載體基板44從封裝基板40剝離。在一些實施例中，輻射曝照76係雷射掃描、單一寬廣面積曝照、或任何其他曝照，並且可使用紅外線(IR)光、紫外(UV)光、或類似物。輻射曝照76的細節可取決於用於釋放塗層的材料。例如，當釋放塗層為UV膠時，可使用UV光。可使用任何可接受的剝離製程，用以分解封裝基板40與載體基板44之間的釋放塗層。在剝離之後，移除載體基板44，如圖2C所示，LTHC釋放塗層42的殘留物78可留在封裝基板40的表面80上。

在圖2D中，覆蓋環82放置在框74上方，並且接觸膠帶72。雖然繪示在卡盤70上，然而，封裝基板40可用不同的卡盤而轉移至另一模組，或是可在在相同模組中的相同卡盤70上進行後續處理，詳細說明如下。因此，製程的後續說明可發生在如前述步驟所述之相同模組中(例如，用相同的卡盤)，或是可在不同模組中進行(例如，用不同的卡盤)。

覆蓋環82覆蓋框74以及未直接位於封裝基板40下方的膠帶72之外部。覆蓋環82包圍封裝基板40。覆蓋環82可接觸膠帶72，形成不滲透的或半滲透的密封，期可防止膠帶72上的顆粒汙染。如圖所示，覆蓋環82包括邊緣部82a與延伸部82b。邊緣部82a固定至框74，並且實質與膠帶72平行。延伸部82b係自邊緣部82a延伸並且接觸膠帶72。延伸部82b包圍封裝基板40的側向側。延伸部82b與封裝基板40的側向側之間可有間隙。這些圖式所示之覆蓋環82僅為範例，覆蓋環可具有許多修飾。

在圖2E中，清理裝置84接觸封裝基板40的表面80，以從表面80移除殘留物78。清理裝置84可為刷子、海綿、類似物、或其組合。刷子可包含基座以及與基座附接的刷毛。刷毛可為可撓的、梳狀架構材料。例如，材料包含聚乙烯乙酯(polyvinyl acetate，PVA)、馬海毛、海綿、纖維、布料、尼龍、人造絲(rayon)、聚酯、聚合物、或類似物。海綿可包括PVA海綿或類似物。清理裝置84轉移且接觸表面80，以從表面實體移除殘留物78。清理機構不包含僅使用化學製品，並且不包含僅使用化學機械拋光(CMP)製程與工具。

從噴嘴86噴灑流體88。當清理裝置84在表面80上移動時，流體88可沖洗表面80。因此，流體88可輔助自表面80移除殘留物78與顆粒。流體88可為去離子(DI)水、異丙醇(IPA)、其組合、或類似物。清理裝置84可移動並且接觸表面80任何次數，以充分地移除殘留物78。

在圖2F中，所示之封裝基板40的表面80沒有顆粒與殘留物78，其包含從表面80移除實質上全部顆粒與殘留物。在圖2G中，移除覆蓋環82，以及接著將封裝基板40轉移返回至框匣。接著，將封裝基板40切割，將封裝基板40中形成的個別封裝單粒化。

圖3A係根據一些實施例說明用於實施剝離與清理製程的第一工具100，以及圖3B與3C係說明圖3A的工具100之模組的其他方面。工具100包括設備前端模組(Equipment Front End Module， EFEM)102、預對準模組104、剝離模組106、載體回收模組108、以及清理模組110。工具100亦包括控制盒116與電源供應器118。控制盒116可包括一或多個電子控制器與/或處理器，其控制工具100的自動處理，例如根據控制盒116中的記憶體(例如，非暫時性媒介)所提供的方法或是從工具100遙控。工具100可具有一個控制盒116，用以自動控制所有工具以及工具100中的模組，或是可具有個別的控制盒116，用以自動控制工具100中的一或多個模組與模組內的工具。電源供應器118供應適當電力至工具內的各種模組。工具100可具有一個電源供應器118，提供電力至工具100中的所有模組，或是可具有個別的電源供應器118，提供電路至工具100內的一或多個模組。框匣112與前開式晶圓傳送盒(Front Opening Unified Pod，FOUP)114係耦合至工具100的EFEM 102。

EFEM 102包括轉移工具120，期可在模組之間轉移基板，並且從框匣112轉移至FOUP 114。轉移工具120可包括機器手臂、轉移引導、或類似物。例如根據方法，可藉由控制盒116中的電子控制器與/或處理器，控制轉移工具120，因而基板的轉移自動化。

預對準模組104包括對準工具，其可適當地對準基板用於進行處理。具有待剝離之基板的框匣112係耦合至EFEM 102，該待剝離的基板係例如封裝基板40與載體基板44。EFEM 102中的轉移工具120將基板40與44自框匣114轉移至預對準模組104中的對準工具，其中基板40與44係對準以進行後續處理。例如，根據方法，可藉由電子控制器與/或控制盒116中的處理器，控制對準工具或是連同控制預對準模組104，因而基板的對準係自動化。

參閱圖3A與3B，剝離模組106係包括輻射源122、具有框126的卡盤124、馬達128、機器手臂130、以及真空系統132。在剝離製程中，具有框126的卡盤124係用以支撐基板，例如封裝基板40與載體基板44。馬達128係用以旋轉卡盤124以及卡盤124上的基板。輻射源122係用以發射輻射134至卡盤124上的基板。輻射源122可用任何可接受的形式，例如雷射或是任何可接受的曝照，發射任何合適的輻射，例如IR光、UV光、或類似物，其可分解接合基板40與44的釋放塗層。真空系統132係固定在機器手臂130上以及/或整合在機器手臂130中。機器手臂130係用於旋轉138與/或縮短140以定位與剝離之載體基板44接觸的真空系統，並且將載體基板44轉移至EFEM 102的轉移工具120。當真空系統132接觸載體基板44時，真空系統132係用於提供壓力差，例如真空，足以將載體基板44固定至機器手臂130。例如，根據方法，藉由控制盒116中的電子控制器與/或處理器，可控制剝離模組106中的各個工具與組件，因而基板的剝離與轉移係自動化的。

剝離模組106可實現圖2A至2C所述之製程。如圖2A所示，使用膠帶(未繪示)，使得藉由釋放塗層而接合至載體基板44的封裝基板40係固定在卡匣124上與框126內。EFEM 102的轉移工具120可將基板40與44從預對準模組104轉移，並且將基板40與44固定在卡盤124上。一旦固定之後，馬達128可開始旋轉136卡匣124以及基板40與44。旋轉136可促使輻射134曝照，例如雷射掃描。在其他實施例中，例如，如果僅藉由輻射源122實施掃描或式如果不使用掃描，例如當使用整個區域曝照時，則不需要旋轉卡盤與基板。

輻射源122提供直接在基板44與40的輻射134，用於進行剝離製程，例如圖2B所示。如上所述，輻射134可經由載體基板44至少掃描釋放塗層，以分解釋放塗層，因而將載體基板從封裝基板40剝離。可使用任何可接受的剝離製程，分解封裝基板40與載體基板44之間的釋放塗層。若在剝離過程中使用旋轉136，則一旦離形膜充分分解之後，馬達128結束卡盤124以及基板40與44的旋轉136。

在剝離之後，機器手臂130旋轉138，將真空系統132直接定位在載體基板44上方，而後，向下縮短140直到真空系統132接觸載體基板44。一旦真空系統132接觸載體基板44，開啟真空系統132以及/或增加壓力差，因而固定載體基板44。而後，機器手臂130向上縮短140，將載體基板44自封裝基板40分離。而後，機器手臂130可旋轉138至未直接在封裝基板40上方。而後，轉移工具120可固定載體基板44，以及真空系統132可釋放載體基板44。而後，轉移工具120將載體基板44轉移至載體回收模組108。

載體回收模組108可包括任何適當的工具，以重建載體基板用於後續重複使用。例如，載體回收模組108可包括浸泡曹，其中載體基板放置於適當溶劑中，移除例如與封裝基板接合的釋放塗層之顆粒或殘留物。一旦適當重建載體基板44，EFEM 102的轉移工具120將載體基板44轉移至FOUP 114，而後其可被拆開並且轉移至另一工具，以重新使用載體基板44。例如，根據方法，可藉由控制盒116中的電子控制器與/或處理器，控制載體回收模組108的浸泡槽與/或任何其他工具，因而載體回收模組108中所實施的製程係自動化的。

在剝離之後，釋放塗層的殘留物可留在封裝基板40上，如圖2C所示。EFEM 102的轉移工具120將封裝基板40轉移至清理模組110，因而可在封裝基板40上進行清理製程，以移除任何殘留物與顆粒。

參閱圖3A與3C，清理模組110包括具有框152的卡盤150、馬達154、覆蓋環156、機器手臂158以及清理系統。具有框152的卡盤150係在清理製程過程中用於支撐基板，例如封裝基板40。馬達154係用於旋轉168卡盤150以及在卡盤150上的基板。

例如，覆蓋環156可為清理模組110中的單獨組件，或是可附接至框152。在一些實施例中，如圖5A與5B所示，藉由清理模組110中的往復臂252，而在框152與卡盤150上放置覆蓋環156。為了放置覆蓋環156，往復臂可向外延伸250，例如從卡盤150上方向下延伸，以及將覆蓋環156放置在框152上，一或多個夾件254可將覆蓋環156固定至框152。如圖5B與5C所示，為了移除覆蓋環156，往復臂252可向外延伸、固定覆蓋環156、以及例如藉由縮回256往復臂252而從框152移除覆蓋環156。在其他實施例中，例如，藉由絞鏈機構，覆蓋環156係附接至框152。圖6A至6F係說明範例，其中圖6A至6C係剖面圖，以及圖6D至6F係俯視圖。覆蓋環156可在多個分離的部分156a中，藉由絞鏈機構將各部分156a附接至框152。例如，當放置覆蓋環156作為使用時(例如，或是如圖6B與6E所示)，可藉由絞鏈機構與/或伺服馬達將各部分156a旋轉260定位，如圖6A、6B、6D與6E所示。例如，當移開覆蓋環156時(例如，如圖6C與6F所示)，可藉由絞鏈機構與/或伺服馬達旋轉各部分156a，將其自卡盤150移開，如圖6C與6F所示。亦可使用其他架構的覆蓋環156。

清理系統係固定在機器手臂158上與/或機器手臂158中。清理系統包括清理裝置160、噴嘴162、供應流體至清理裝置160的管子、以及供應流體至噴嘴162的管子。清理裝置160可為刷子、海綿、類似物、或其組合。刷子可包含基座以及附接至基座的刷毛。刷毛為可撓的、梳狀架構的材料。例如，材料包含PVA、馬海毛、海綿、纖維、布料、尼龍、人造絲(rayon)、聚酯、聚合物、或類似物。海綿可包括PVA海綿或類似物。可經由管子164與166從槽或是清理模組110中的儲存器或是從清理模組110遙控位置供應流體。在此實施例中，雖然所述之噴嘴162係在機器手臂158上與/或整合在機器手臂158中，然而噴嘴162可在清理模組110的固定位置中而與機器手臂158相隔，或是可在與清理模組160相隔的不同機器手臂上。

機器手臂158係用於旋轉170以及縮短172而定位清理系統與封裝基板40接觸。清理系統使得清理裝置160可接觸封裝基板40，以及在清理製程過程中，噴嘴162可在封裝基板40上噴灑流體。例如，根據方法，可藉由控制盒116中的電子控制器與/或處理器，控制清理模組110中的各個工具與組件，因而基板的清理是自動化的。

清理模組110可包括圖2D至2G所討論的製程。如圖2D所示，使用膠帶(未繪示)，將封裝基板40固定在卡盤150上以及框152內。EFEM 102的轉移工具120可將封裝基板40從剝離模組106轉移，並且將封裝基板40固定在卡盤150上。一旦固定之後，覆蓋環156係放置在框152與卡盤150上。覆蓋環156的放置可使用往復臂或是覆蓋環部分的旋轉以「關閉」覆蓋環152，如上所述。而後，馬達154可開始旋轉168卡盤150與封裝基板40。旋轉168可便於清理。在其他實施例中，不需要卡盤與封裝基板。

機器手臂158旋轉170，將清理系統直接定位在封裝基板40上方。而後，機器手臂158向下縮短172，直到清理裝置160接觸封裝基板40。清理裝置160可在封裝基板40的中心或接近中心開始，以及機器手臂158可旋轉170朝向封裝基板40的外緣，而馬達154旋轉卡盤150與封裝基板40。在此方式中，清理裝置160可實體接觸與清理封裝基板的整個表面(例如，圖2E的表面80)。一旦清理裝置160到達封裝基板40的外緣，機器手臂158可向上縮短172並且旋轉170離開封裝基板40。清理裝置160接觸封裝基板40以及轉移封裝基板40的這些動作可重複任何次數。清理裝置160可用不同方式接觸封裝基板40，以及可使用轉移清理裝置至封裝基板40之不同技術。

可用許多不同方式將流體提供至封裝基板40，以利清理製程進行。例如，一旦直接在封裝基板40上，噴嘴162可開始噴灑流體，例如DI水、IPA或是類似物，其係經由管子166供應至封裝基板40上，如圖2E所示。在清理裝置160與封裝基板40開始接觸之後、僅在清理裝置160與封裝基板40接觸、接觸過程、以及在清理裝置160與封裝基板40接觸之後、或是其間任何變異，經由管子166與噴嘴162所供應的流體可僅短暫噴灑。

一旦機器手臂158清理卡盤150上的封裝基板40，可經由管子164供應流體至清理裝置160上，該流體例如DI水或是類似物，洗去任何顆粒，該顆粒係在清理裝置160清理過程中已經收集在清理裝置160上。再者，經由管子164與清理裝置160所供應的流體可補充清理製程過程中從噴嘴162噴灑的流體。

在關閉供應至封裝基板40的流體以及清理裝置160不接觸封裝基板40之後，馬達154可繼續旋轉168卡盤150與封裝基板40(其可包含增加旋轉速度)，因而可藉由旋轉168的離心力而移除封裝基板40上之任何流體或是鬆散的顆粒。清理封裝基板40，例如包含清理裝置160如何接觸封裝基板40以及流體如何經由管子164與166而供應之方法可有許多方式，本文所述之實施例僅為如何進行清理的範例。

一旦卡盤150的旋轉168停止，例如藉由使用往復臂或藉由將覆蓋環部分旋轉至「開啟」覆蓋環156，而移除覆蓋環156。接著，EFEM 102的轉移工具120從清理模組110中的卡盤150將封裝基板40轉移至框匣112。而後，框匣112可自工具100的EFEM 102拆開而至另一工具，用於後續處理，例如將封裝基板40切割為個別封裝。

圖4A係根據一些實施例說明用於實施剝離與清理製程的第二工具200，以及圖4B係說明圖4A中工具200的模組之其他方面。工具200包括許多與圖3A之工具100相同的模組，包含EFEM 102、預對準模組104、以及載體回收模組108。這些模組可包括與圖3A至3B所述之相同的工具、相同的功能、以及以相同的方式控制。

工具200包括剝離與清理模組(DBCM)202與204。如圖4A所示，工具200包括兩個DBCM 202與204，其他實施例包含工具中有一個DBCM或是多個DBCM。各個DBCM 202與204實質上包含圖3B與3C所述之剝離模組106與清理模組110之所有的工具與功能。各個DBCM 202與204包括輻射源122、機器手臂130、真空系統132、機器手臂158、清理裝置160、噴嘴162以及管子164與166。這些工具與圖3B與3C所述具有相同架構、進行相同功能、以及相同的控制方式。各個DBCM 202與204進一步包括具有框212的卡盤210、覆蓋環214、以及馬達216。卡盤210、框212、覆蓋環214、以及馬達216係與圖3B與3C所述之分別具有框126與152之卡盤124與150、覆蓋環156、以及馬達128與154具有實質相同的架構、進行實質相同的功能、以及實質相同的控制方式，差別在於不需要在剝離模組106與清理模組110之間轉移封裝基板。

由於具有圖3A的工具100，EFEM 102中的轉移工具120將基板40與44從框匣112轉移至預對準模組104中的對準工具，基板對準後用於後續處理。

各個DBCM 202與204可實施圖2A至2G所述之製程。如圖2A所示，藉由釋放塗層而接合至載體基板44的封裝基板40係使用膠帶(未繪示)而固定在卡盤210上與框212內。EFEM 102的轉移工具可將基板40與44從預對準模組104轉移，並且將基板固定在卡盤210上。一旦固定之後，若有使用旋轉218，則馬達216可開始旋轉218卡盤210以及基板40與44。

輻射源122直接在基板44與40上提供輻射134，用於進行剝離製程，如圖2B與圖3B所述。如前所述，可使用任何可接受的輻射，用以分解釋放塗層而進行剝離。一旦釋放模充分分解之後，若剝離過程中有使用旋轉218，則馬達216停止卡盤210以及基板40與44的旋轉218。

在剝離之後，機器手臂130旋轉138而將真空系統132直接定位在載體基板44上方，而後向下縮短140，直到真空系統132接觸載體基板44。一旦真空系統132接觸載體基板44，開啟真空系統132以及/或增加壓力差，因而固定載體基板44。而後，機器手臂130向上縮短140，以使載體基板44與封裝基板40分離。而後，機器手臂130可旋轉138至未直接在封裝基板40上方的位置。而後，轉移工具120可固定載體基板44，以及真空系統132可釋放載體基板44。而後，轉移工具可將載體基板44轉移至載體回收模組108，其可處理載體基板44，如上所述。

在剝離之後，釋放塗層的殘留物可留在封裝基板40上，如圖2C所示。而後，在封裝基板40上的DBCM 202或204中進行清理製程，以移除任何殘留物與顆粒。在此實施例中，封裝基板40保持固定至卡盤210，用於進行後續清理製程。覆蓋環214係放置在框212與卡盤210上。覆蓋環214的放置可使用往復臂或是覆蓋環部分的旋轉以「關閉」覆蓋環214。馬達216可開始旋轉218卡盤210以及封裝基板40。旋轉218可便於清理。在其他實施例中，不需要旋轉卡盤與封裝基板。

機器手臂158旋轉而將清理系統直接定位在封裝基板40上方。而後，機器手臂158向下縮短172，直到清理裝置160接觸封裝基板40。清理裝置160可在封裝基板40的中心或是接近中心處開始，機器手臂158可朝向封裝基板40的外緣旋轉170，而馬達216旋轉卡盤210與封裝基板40。在此方式中，清理裝置160可實體接觸與清理封裝基板40的整個表面(例如，圖2E所示的表面80)。一旦清理裝置160到達封裝基板40的外緣，機器手臂158可向上縮短172並且旋轉170離開封裝基板40。清理裝置160接觸封裝基板40與轉移封裝基板40的這些動作可重複任何次數。清理裝置160可用不同方式接觸封裝基板40，以及可使用不同技術在封裝基板40上方移動清理裝置。

可用許多不同方式供應流體至封裝基板40，以便於清理製程。一旦直接在封裝基板40上方，噴嘴162可開始噴灑流體，例如DI水、IPA或類似物，其係經由管子166供應至封裝基板40上，如圖2E所示。來自噴嘴162與管子166的流體之配置或供應可如上所述。

在關閉供應至封裝基板40的流體以及清理裝置160未接觸封裝基板40之後，馬達216可繼續旋轉218卡盤210與封裝基板40(其可包含增加旋轉速度)，因而可藉由旋轉的離心力而移除封裝基板40上之任何流體或是鬆散的顆粒。清理封裝基板40的方式以及本文所述之實施例僅為如何進行清理的範例。

一旦卡盤210的旋轉218停止，例如藉由使用往復臂或藉由將覆蓋環部分旋轉以「開啟」覆蓋環214，而移除覆蓋環214。接著，EFEM 102的轉移工具120從DBCM 202或204中的卡盤210將封裝基板40轉移至框匣112。而後，框匣112可自工具200的EFEM 102拆開而至另一工具，用於後續處理，例如將封裝基板40切割為個別封裝。

實施例可達到優點。在剝離製程中使用框型卡盤可增加製程穩定性，其可增加製造封裝的產量。因此，封裝製程變得更健全。此外，在清理過程中使用覆蓋環可協助避免所固定之封裝基板上的顆粒汙染或是膠帶汙染。再者，將剝離與清理製程整合在單一工具中，其可完全自動化，可縮小在製造上此工具所需要的空間，並且可減少勞力成本。再者，藉由使用物理清理製程，例如使用清理裝置，可避免使用刺激的化學溶劑，因而可使得清理製程更環保或是對於環境更友善。

根據一實施例，方法包括將第一基板自第二基板剝離，以及在剝離之後，清理第一基板的表面。清理包括將清理機構實體接觸第一基板的表面。

根據另一實施例中，方法包括藉由釋放塗層，提供接合至載體基板的封裝基板，釋放塗層係在封裝基板的表面上；分解釋放塗層及將載體基板自封裝基板分離；以及在將載體基板自封裝基板分離之後，清理封裝基板的表面。清理包含供應流體至封裝基板的表面，以及將封裝基板的表面接觸清理機構，以從封裝基板的表面，物理性移除釋放塗層的殘留物。

另一實施例係工具。工具包括剝離模組與清理模組。剝離模組包括第一卡盤、用以朝向第一卡盤發射輻射的輻射源、以及具有真空系統的第一機器手臂。真空系統係用於固定且自第一卡盤移除基板。清理模組包括第二卡盤、用以朝向第二卡盤噴灑流體的噴嘴，以及具有清理裝置的第二機器手臂，用於將清理裝置實體接觸至第二卡盤上的基板。

前述說明概述一些實施例的特徵，因而該技藝之技術人士可更加理解本揭露的各方面。該技藝的技術人士應理解其可輕易使用本揭露作為設計或修飾其他製程與結構的基礎，而產生與本申請案相同之目的以及/或達到相同優點。該技藝之技術人士亦應理解此均等架構並不脫離本揭露的精神與範圍，並且其可進行各種改變、取代與變化而不脫離本揭露的精神與範圍。