TWI601321B - 由多層結構形成之發光晶粒組件 - Google Patents

Description

由多層結構形成之發光晶粒組件

本發明係關於一種由多層結構形成以改良裝置效能之發光晶粒組件。

固態光源(諸如發光二極體(LED))係在當今可用之最有效光源之列。與習知光源相比，LED提供更長壽命、更高光子通量功效、更低操作電壓、窄頻光發射及組裝方面之靈活性。

通常，III-V半導體材料用於提供在電磁波譜之紫外光、可視區域或紅外線區域中操作之高亮度發光裝置。所使用之材料包含(例如)鎵、鋁、銦、氮、磷及砷之二元合金、三元合金及四元合金。

最近，氮化鎵(GaN)LED作為有效光源已吸引許多注意，其中因半導體合金之能隙取決於為LED提供自紅色至藍色之色彩範圍之In及/或Al與GaN之比率，GaN與In或Al之組合(InGaN或AlGaN)進一步容許調整藉由該LED發射之光子之發射能量。因此，基於GaN之LED成功地用於固態發光應用中，諸如照明、交通號誌燈、室內/室外顯示器及背光電子顯示器。

LED之高品質效能要求較高的亮度及有效的熱消散。因為LED之作用區域中之過量熱量降低量子效率且藉此降低光輸出，來自LED之未轉換成光發射之電功率轉換成必須自LED傳導至其周遭之熱量。因 此，必須關注LED之熱架構及其電子結構。

一覆晶(FC)GaN LED晶粒通常包括一基板(該基板通常為藍寶石，其係一低損耗透明材料)，於其上磊晶生長一(或多個)n型GaN層、一基於GaN之作用區域及一(或多個)p型GaN層。在FC LED晶粒中，自n型GaN層之側及基板材料提取產生於作用區域中之光。在磊晶生長之後，需要在n型GaN層(即陰極)處及p型GaN層(即陽極)處形成適當電子接觸件以偏壓LED。p型GaN及n型GaN金屬接觸件均具有高反射性以便將所產生之光重新導向藍寶石側。n層及p層通常均自p層之側電接觸。因此，為了接達n層，可藉由蝕刻p層及作用區域而形成開口。n接觸層透過此等開口與n型GaN層電接觸且通常經設計以透過充當一橫向電流擴散層之n型GaN層均勻分佈電流。該n接觸層設計旨在避免作用區域中之電流擁擠區域及該等蝕刻開口之一最小需要面積。

LED晶粒通常附接至一子基板，其中晶粒中之該陽極及該陰極與子基板中之金屬層電接觸。可(例如)經由柱形凸塊(stud-bump)執行附接至子基板。

在晶粒附接之後，且為了改良光提取，可藉由雷射輔助剝離移除基板。接著，藉由電化學蝕刻使所暴露之n型GaN磊晶表面變粗糙。所得裝置結構通常被稱為薄膜覆晶(TFFC)LED。

一般而言，FC LED晶粒結構及TFFC LED晶粒結構均由下列基本元件形成之一層堆疊組成：GaN層(n型GaN層、作用GaN區域[通常為InGaN]及p型GaN層)；p接觸層；使陽極與陰極電隔離之至少一介電層；n接觸金屬層；及使晶粒電附接及機械附接至一子基板或印刷電路板(PCB)上之接合層。

一般期望LED晶粒堆疊中之此基本組合之層可最佳執行以下必要功能：i)橫向電流擴散以確保整個作用區域之均勻電流分佈；ii)橫向 熱擴散以最小化熱點及熱阻值；iii)晶粒與子基板及/或PCB互連(接合層)；iv)機械穩定性，尤其係在TFFC之情況下；v)用於光提取之鏡面反射；vi)電隔離；及vii)金屬半導體電接觸。

因此，晶粒堆疊之層之各者必須具有先前功能之一或多者，即，各層被稱為一功能層，例如功能層p接觸層具有功能v)及vii)。

現有FC晶粒架構一般在先前所列之七個必要功能之一或多者中呈現效能限制。例如，歸因於減少之金屬互連區域，柱形凸塊互連方法(與功能iii及iv有關)可遭遇嚴重散熱限制。此在標準TFFC之情況下歸因於缺乏熱擴散層(功能ii)而尤其危急。已揭示改良熱效能之解決方案，但該等解決方案通常有損與子基板及/或PCB之晶粒互連，其因缺乏與SMD技術之相容性而受限制。針對此等解決方案，亦可限制電流注入至n型GaN層中以最小化電流擁擠(功能i)。

US20050067624 A1之多層建議提供較大靈活性以處理電流注入至n型GaN層中以最小化電流擁擠，但此藉由犧牲與最小化熱點及熱阻值之橫向熱擴散或與子基板及/或PCB之晶粒互連相關的功能性而完成。

據此，需要一LED晶粒結構，其中功能i)至功能vii)可在不對必要功能之另一者讓步之情況下最佳化。此對於電流分佈、熱擴散及LED晶粒之互連墊佈局之最佳化將實現較大自由度，從而導致改良之亮度及/或LED晶粒至子基板及/或PCB之更容易安裝。

本發明之目的旨在解決或至少減少上文所論述之問題。特定言之，根據本發明之一第一態樣，提供一種藉由多層結構形成之發光晶粒組件。

發光晶粒組件包括：一半導體結構(103)，其包括一n型層、一作用區域及一p型層；一p接觸層，其經配置以與該p型層電接觸；一n接 觸層，其經配置以與該n型層電接觸；一第一介電層，其經配置以使該p接觸層自該n接觸層電隔離；一熱擴散層，其包括彼此電隔離之一第一區域及一第二區域，其中該第一區域形成該發光晶粒組件之一陽極及該第二區域形成該發光晶粒組件之一陰極；一第二介電層，其經配置以使該n接觸層自該第一區域電隔離或使該p接觸層自該第二區域電隔離；一第三介電層，其經配置以使該第一區域與該第二區域電隔離；及一互連墊，其實現與一子基板之互連。

其中若干功能層可經解耦之所揭示之發光晶粒結構之一優點為，在無相互依賴(此會限制設計靈活性)之情況下，可達成該等層之功能之各自最佳化。特定言之，經解耦之功能層係如上文根據先前技術部分所列之執行功能i)至vii)之功能層。此對於電流分佈、熱擴散及互連墊佈局之最佳化實現一較大自由度。

就以下意義而言，措辭「經解耦」應被解釋為獨立：只要使發光晶粒組件具有功能，多層結構內之層可歸因於所揭示之幾何結構，獨立於多層結構內之其他層之設計而設計。因此，多層結構內之各功能層可在無歸因於其他功能層之限制之情況下最佳化。應自一設計觀點理解術語「在功能上解耦」。各層具有自含有其他功能之其他層解耦之至少一功能。因為吾人可在無歸因於存在其他功能層(其等自一設計立場解耦)之限制之情況下設計一功能層，可將功能層看作在功能上解耦。

一進一步優點為熱擴散層有效地降低發光晶粒組件內部之熱點及熱阻值，因而改良所發射之光之亮度及均勻性。

另一優點為互連墊佈局自n接觸層及/或p接觸層完全解耦，因此實現與類似SMD之幾何結構之相容性。類似SMD之幾何結構一般包括p間隙與n間隙之間之間隙距離作為關鍵參數。此處，措辭「間隙距離」應理解為陽極與陰極之間之分離。所揭示之發光晶粒結構使得間 隙距離在需要時相當大且不嚴重犧牲晶粒之熱效能。歸因於較高晶粒區域覆蓋之熱擴散層，此係可能的。

根據一實施例，當該第二介電層經配置以使該n接觸層自該第一區域電隔離時，該n接觸層每平方毫米包括至少20個通孔，或當該第二介電層經配置以使該p接觸層自該第二區域電隔離時，該p接觸層每平方毫米包括至少20個通孔。一優點為電流均勻性經改良。

該第二介電層可包括苯并環丁烯(BCB)，其係可歸因於發光晶粒組件之經解耦之多層結構而使用之一可靠且低成本材料。

根據本發明之一第二態樣，提供包括一上述發光晶粒組件之一發光二極體(LED)。

應注意，本發明係關於在技術方案中陳述之特徵之全部可能組合。

100‧‧‧發光晶粒組件

102‧‧‧基板

103‧‧‧半導體結構/GaN半導體結構

104‧‧‧n型層

106‧‧‧作用區域

107‧‧‧通孔開口

108‧‧‧p型層

110‧‧‧p接觸層

112‧‧‧阻擋層

114‧‧‧第一介電層

116‧‧‧n接觸層

117‧‧‧通孔

118‧‧‧第二介電層

119‧‧‧開口

120‧‧‧熱擴散層

120a‧‧‧第一區域

120b‧‧‧第二區域

121‧‧‧突出區域

122‧‧‧第三介電層

124‧‧‧互連墊

126‧‧‧子基板

128‧‧‧多層結構

300‧‧‧發光二極體

現將參考展示本發明之實施例之隨附圖式更詳細描述本發明之此態樣及其他態樣。

如圖中所繪示，為了繪示性目的，誇大層及區域之尺寸且其等因此經提供以繪示本發明之實施例之大致結構。相同元件符號係指全部圖式中之相同元件。

圖1係根據本發明之一第一實施例之一發光晶粒組件之一示意性截面圖。

圖2係根據圖1之包括一發光晶粒組件之各種層之一平面圖。

圖3係根據本發明之一第二實施例之一發光晶粒組件之一示意性截面圖。

圖4係包括根據本發明之一發光晶粒組件之一發光二極體(LED)之一示意性圖式。

下文現將參考其中展示本發明之當前較佳實施例之所附圖式更詳細描述本發明。然而，可以諸多不同形式體現本發明且本發明不應被解釋為受限於本文所闡述之實施例；實情係，為全面性及完整性提供此等實施例，且此等實施例向熟悉此項技術者完全傳遞本發明之範疇。

圖1展示根據本發明之一發光晶粒組件100之一第一實施例之一示意性截面圖。發光晶粒組件包括一基板102、具有一n型層104、一作用區域106及一p型層108之GaN之一半導體結構103、經配置以與該p型層108電接觸之一p接觸層110、阻止金屬原子之遷移之一阻擋層112、經配置以與該n型層104電接觸之一n接觸層116、經配置以使該p接觸層110自該n接觸層116電隔離之一第一介電層114、包括彼此電隔離之一第一區域120a及一第二區域120b之一熱擴散層120(其中第一區域120a對應於發光晶粒組件之一陽極且第二區域120b對應於發光晶粒組件之一陰極)、經配置以使該n接觸層116自該第一區域120a電隔離之一第二介電層118、經配置以使該第一區域120a與該第二區域120b彼此電隔離之一第三介電層122；及實現與一子基板(圖中未展示)之互連之一互連墊124。

圖1中亦展示形成穿過作用區域106、p型層108、p接觸層110、阻擋層112及第一介電層114以促進n型層104與n接觸層116之間之電連接之一通孔117。

另外，熱擴散層120之一突出區域121經配置以經由阻擋層112達成熱擴散層120之第一區域120a與p接觸層110之間之電連接。藉此達成p接觸層110與發光晶粒組件之陽極之間之電連接。

由於所揭示之多層結構，達成pn接面之兩側之電接觸。

雖然為簡單起見，圖1中僅展示一通孔117及一突出區域121，但將如下文更詳細所論述，可有諸多通孔及突出區域。

基板102由藍寶石製成，此係因為藍寶石具有類似於GaN之晶格常數之一晶格常數，從而實現GaN半導體結構103之良好生長品質。藍寶石進一步對於藉由基於GaN之LED發射之光為透明。應注意，可藉由雷射輔助剝離、研磨、化學機械拋光或濕式蝕刻或任何其他處理技術進一步移除該基板，使得至少部分地暴露GaN層且發光晶粒組件為一TFFC幾何結構。在TFFC幾何結構之情況下，可避免透明基板中之吸收損耗以提供發光晶粒組件之經改良之亮度。可藉由粗糙化或圖案化半導體結構103之所暴露表面而達成發光晶粒之光輸出之一進一步增加，藉此改良自半導體結構103耦合出之光之一小部分，導致發光晶粒組件之一經改良之外部量子效率。一進一步優點為，熱擴散層提供TFFC幾何結構之良好機械支撐。此外，可在磊晶生長期間使用其他基板，包含矽或SiC。

半導體結構103可進一步包含(例如)Al及In原子以調整能隙或基於GaN之LED。

為形成p型層108，可使用摻雜劑原子(諸如錳(Mg)或鋅(Zn))。p型層108可進一步包括具有變動摻雜濃度以調整導電性且藉此改良p型層108之接觸及/或以促進至作用區域106之更佳載子傳輸之複數個層。類似地，可使用(例如)矽原子(Si)以形成n型層104。作用區域106可為純質的或僅稍微摻雜的，使得所形成之pn接面之空乏層之一較大部分落入作用區域106內。作用區域106可進一步包含包括(例如)In_xAl_yG_1-x-y之異質結構層以調整能隙且藉此調整發光晶粒組件之發射波長。使用(例如)GaIn/In_xG_1-xN之量子限制層獲得之量子阱(QW)或多量子阱(MQW)結構可進一步位於作用區域106中以局部地增加電洞及電子之濃度，(歸因於所增加之重組率)其導致自發光晶粒組件100發射之一增加數目之光子。

GaN層具有約5微米之一總厚度。此厚度並非關鍵且只要可避免 可能抑制LED效能之較高濃度之缺陷，其可變動。藍寶石基板為200微米厚，但在其他實施例中，此厚度可自50微米至800微米變動。

雖然p接觸層110由約150奈米厚度之一銀(Ag)層組成，但可使用其他厚度及金屬(諸如鋁(Al)、金(Au)、鈦(Ti)或鉻(Cr))。另外，鈦鎢合金(TiW)之阻擋層112用於抑制銀原子之遷移。雖然可替代地自由鈦(Ti)、鉑(Pt)、鎢(W)及鎳(Ni)組成之一群組中選擇阻擋層112，但亦可使用其他阻擋材料。

雖然n接觸層116由約3微米厚之一鋁(Al)層組成，但只要獲得至半導體結構103之n型層104之一歐姆接觸，其亦可由銀層或鋁及鈦或其他此等材料之一多層組成。

第一介電層114及第二介電層118包括具有約1微米厚度之SiN_x之隔離層。應注意，第一介電層114及第二介電層118亦可包括SiO_x及/或DBR(分佈布拉格反射器(distributed Bragg reflector))組合。

現亦參考之圖2係圖1中之發光晶粒組件100之各種層之一平面圖。形成穿過作用區域106、p型層108、p接觸層110、阻擋層112及第一介電層114之通孔開口107以便經由通孔117促進穿過通孔開口107之n型層104與n接觸層116之間之電連接。藉此可達成pn接面之兩側之電接觸。可藉由使用適用於不同材料之各種習知處理技術之遮蔽及蝕刻而形成通孔開口107。

應注意，如實例僅繪示圖2中所描繪之通孔117及通孔開口107之6×5矩形陣列。可使用通孔117及通孔開口107之諸多不同組合。再者，通孔117及通孔開口107之陣列並不需呈矩形，但替代地可為六邊形、菱形、面心立方體或任何其他適合任一配置。

另外，通孔117之形狀並不受限於呈圓形，但藉由設計考量或由通孔之製造所致，亦可呈矩形或具有如想要之任何其他任一尺寸。

一般由操作期間之經設計之驅動電流、發光晶粒組件之材料特 性及溫度支配通孔117或通孔開口107之間之距離，且通常處於50微米至200微米之範圍之間。

接觸n型層之此設計旨在以通孔之一最小所要面積避免作用區域中之電流擁擠區域以最佳化光產生之作用區域。所揭示之晶粒組件之優點為，可使用通孔之密集分佈，其增強發光晶粒組件中之電流擴散。此處措辭「密集」應理解為每平方毫米至少20個通孔，通常對應於20%之佔用率。此外，在不犧牲其他功能(諸如互連功能)之情況下，電流擴散層之經改良之電流注入及總設計靈活性係可能的。

在本發明之一實施例中，通孔開口107之直徑(容許連接至n接觸層)通常在5微米與40微米之間，若通孔數目可足夠大，較佳地直徑可為5微米。

圖中亦展示第一介電層114及第二介電層118及n接觸層116中之開口119，熱擴散層之一突出區域121透過該等開口穿透以達成與發光晶粒組件之一陽極對應之熱擴散層120之第一區域120a與p接觸層110之間之電連接。藉此經由阻擋層112達成p接觸層110與發光晶粒組件之陽極之間之電連接。藉由使用中之晶粒組件之想要驅動電流而判定開口119之尺寸及數目。據此，開口119可由一陣列之開口(取代如當前展示之實施例中所繪示之一單一開口)組成。再者，開口119之尺寸及形狀亦可變動。

類似地，突出區域121可由對應於一陣列之開口119之一陣列之突出區域組成。

熱擴散層120包括一20微米厚之銅(Cu)層。銅在室溫下具有約400W/mK之一較高熱傳導係數。藉由使用熱擴散層120，達成一均勻熱分佈。熱管理減輕熱點且提供一降低之熱阻值。因此，達成自發光晶粒組件之一更均勻且更明亮之光發射。熱擴散層120進一步提供機械穩定性至發光晶粒組件。熱擴散層120經圖案化為兩個區域120a、 120b。此幾何結構確保半導體結構103之p型層及n型層之獨立接觸，藉此pn接面可以順向偏壓，促進自發光晶粒組件100之光發射。

可(例如)使用電鍍或使用其他物理沈積方法(諸如熱蒸鍍或熱濺鍍)電化學沈積熱擴散層120。

第三介電層122將隔離熱擴散層120與子基板(圖中未展示)之間之電接觸。為獲得發光晶粒組件100之一令人滿意之功能性，第三介電層122應較佳地遵循熱擴散層120。第三介電層122包括苯并環丁烯(BCB)。因為BCB係可靠的且具有製造及成本優點，雖然其在室溫下具有約0.3W/mK之一較低熱傳導係數，但其仍有利於使用。

互連墊124包括具有約3微米之一厚度之銅墊，但可使用其他材料(諸如金或錳)。

圖3中展示根據本發明之一發光晶粒組件100之一第二實施例之一示意性截面圖。在發光晶粒組件100之此第二實施例中，相比第一實施例已改變GaN半導體結構103之n型層104及p型層108之順序。因此，亦已改變p接觸層110及n接觸層116之順序。此外，在第二實施例中，第二介電層118現經配置以使p接觸層110自與發光晶粒組件之陰極對應之該第二區域120b電隔離。

此第二實施例發光晶粒組件之不同層以與上文論述之第一實施例之一類似方式建構且將不詳細論述，此係因為藉由研究發光晶粒組件之上述第一實施例，熟悉此項技術者容易建構不同層之材料之選擇、p型層108與p接觸層110之間之電連接及n接觸層116與發光晶粒組件之陰極之間之電連接。

發光晶粒組件可進一步包括抑制可降低晶粒組件之效能之原子之遷移之額外層，諸如一阻擋層。

亦應注意，雖然為簡單起見，圖3中僅展示一通孔117及一突出區域121，但可以有如關於發光晶粒組件之第一實施例論述之諸多通孔 及突出區域。

本發明之一優點為，其對於電流分佈、熱擴散及互連墊佈局之最佳化實現一較大自由度。更精確地，根據本發明之多層結構解耦至少三個基本功能層。因此，發光晶粒組件100容許減輕電流擁擠之更佳電流分佈，電流擁擠可導致局部過熱及熱量熱點之形成，其在一些情況下可導致一熱失控，熱量熱點係使LED效能嚴重降級(例如降低電流效率、發射亮度及所發射光之均勻性)之現象。

本發明之一進一步優點為，熱擴散層120提供良好熱傳輸，導致發光晶粒組件100內之改良之熱分佈。另外，此熱傳輸能力將導致作用區域106中及周圍之接面溫度之一降低。

上述多層結構亦將互連墊124自n接觸層116及/或p接觸層110解耦，因此實現與具有(例如)一類似SMD之幾何結構之一子基板或印刷電路板(PCB)之整合相容性。類似SMD之幾何結構一般包括p間隙與n間隙之間之間隙距離作為關鍵參數。此處措辭「間隙距離」應理解為陽極與陰極之間之分離。所揭示之發光晶粒結構使得間隙距離在需要時相當大且不嚴重犧牲晶粒之熱效能。歸因於較高晶粒區域覆蓋之熱擴散層，此係可能的。此外，較大間隙距離應被解釋為，對於具有1平方毫米之一底面積尺寸之一晶粒組件通常超過200微米，其與先前技術相反，可在不嚴重犧牲發光晶粒之熱效能之情況下達成。應注意，發光晶粒組件之底面積尺寸之範圍自約0.2平方毫米至約2平方毫米。

圖4係包括根據本發明之一發光晶粒組件之一發光二極體300之一示意性截面圖。發光晶粒組件包括一基板102、GaN之一半導體結構103(其包括一n型層、一作用區域及一p型層)、一多層結構128(其促進p型層與對應於發光晶粒組件之陽極之熱擴散層之第一區域120a之間、及n型層與對應於發光晶粒組件之陰極之熱擴散層之第二區域 120b之間之連接)。陽極及陰極經進一步配置以與可具有SMD或PCB架構之一子基板126接觸以實現發光晶粒組件之供電。

熟悉此項技術者意識到，本發明絕不限制於上述較佳實施例。相反，附屬申請專利範圍之範疇內可以有諸多修改及變動。

例如，使p接觸層116自熱擴散層120隔離之第二介電層118可由具有相對較低之熱傳導係數之一傳導層組成，該傳導層可為在室溫下具有約0.3W/mK之一熱傳導係數之苯并環丁烯(BCB)。使用具有約10W/mK之一熱傳導係數之BCB而非SiN可改良複合體晶粒結構之可靠性。在此實施例中，較佳的是，若改變第一介電層114及第二介電層118及n接觸層116以便減少用於第二介電層118之BCB材料之面積。

另外，熟悉本技術者可在實踐本發明時經由研究圖式、本揭示內容及附屬申請專利範圍而理解及造成所揭示之實施例之變動。在申請專利範圍中，詞語「包括」不排除其他元件或步驟，且不定冠詞「一」或「一個」不排除複數個。於互相不同之附屬請求項中述及某些手段並不表示此等手段之一組合無法使用以獲益。

100‧‧‧發光晶粒組件

102‧‧‧基板

103‧‧‧半導體結構/GaN半導體結構

104‧‧‧n型層

106‧‧‧作用區域

108‧‧‧p型層

110‧‧‧p接觸層

112‧‧‧阻擋層

114‧‧‧第一介電層

116‧‧‧n接觸層

117‧‧‧通孔

118‧‧‧第二介電層

120‧‧‧熱擴散層

120a‧‧‧第一區域

120b‧‧‧第二區域

121‧‧‧突出區域

122‧‧‧第三介電層

124‧‧‧互連墊

Claims (16)

1. 一種發光晶粒組件，其藉由多層結構形成，該發光晶粒組件包括：一半導體結構，其包括：一上半導體層、與該上半導體層不同之一傳導類型之一下半導體層及介於該上半導體層與該下半導體層間之一作用區域；一上接觸層，其經配置以與該下半導體層電接觸；一下接觸層，其經配置以與該上半導體層電接觸並與該上接觸層及該上半導體層實質重疊；一第一介電層，其經配置於一方面該上接觸層、該下半導體層及該作用區域以及另一方面該下接觸層之間以使其彼此電隔離；一或多個通孔，其通過該第一介電層、該上接觸層、該下半導體層及該作用區域中之通孔開口以將該上半導體層及該下接觸層電耦合；一熱擴散層，其包括彼此電隔離之一第一區域及一第二區域，其中該第一區域經配置以與該上接觸層電接觸，且其中該第二區域經配置以與該下接觸層電接觸且該第二區域係直接配置於該下接觸層上方；一第二介電層，其經配置於該下接觸層及該第一區域之間以使其彼此電隔離；一或多個突出區域，其通過該第二介電層、該下接觸層及該第一介電層以將該上接觸層及該第一區域電耦合；第一及第二互連墊，其經配置以分別與該第一區域及該第二區域電接觸，其中該第一及該第二互連墊實現與一子基板 (submount)之互連；及一第三介電層，其經配置於熱擴散層與該第一及該第二互連墊之間以使該第一區域與該第二互連墊電隔離並使該第二區域與該第一互連墊電隔離。
2. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該熱擴散層具有大於10微米且小於30微米之一厚度。
3. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該熱擴散層在室溫下展現380W/mK或更大之一熱傳導係數。
4. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該熱擴散層係由金屬製成。
5. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該發光晶粒組件進一步包括一基板。
6. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該發光晶粒組件具有一覆晶幾何結構。
7. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該發光晶粒組件具有一薄膜覆晶幾何結構。
8. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該第一介電層包括具有至少10W/mK之一熱傳導係數之一材料。
9. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該下接觸層包括一n接觸層且該一或多個通孔每平方毫米包括至少20個通孔。
10. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該下接觸層包括一p接觸層且該一或多個通孔係每平方毫米包括至少20個通孔。
11. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該第二介電層包括苯并環丁烯。
12. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該熱擴散層具有大於15微米且小於25微米之一厚度。
13. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該熱擴散層係由銅製成。
14. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該發光晶粒組件進一步包括一藍寶石基板。
15. 如請求項1之發光晶粒組件，其中該第一介電層包括該一或多個通孔周圍之部分且該第二介電層包括該一或多個突出區域周圍之部分。
16. 一種發光二極體(LED)，其包括如請求項1之一發光晶粒組件。