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TWI699881B - 有機發光顯示設備及其製造方法 - Google Patents

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TWI699881B
TWI699881B TW104133777A TW104133777A TWI699881B TW I699881 B TWI699881 B TW I699881B TW 104133777 A TW104133777 A TW 104133777A TW 104133777 A TW104133777 A TW 104133777A TW I699881 B TWI699881 B TW I699881B
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柳春基
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

本發明揭露一種有機發光顯示設備，其包括：基底；位於基底上之薄膜電晶體(TFT)；位於TFT的閘極電極與源極電極之間並且位於TFT的閘極電極與汲極電極之間，並且包括無機材料之第一層間絕緣層；位於第一層間絕緣層與源極電極之間並且位於第一層間絕緣層與汲極電極之間，並且包括有機材料之第二層間絕緣層；位於源極電極和汲極電極上之第一有機層；包括第一電極以及第二電極且第一層間絕緣層位於第一電極與第二電極之間的電容器；位於第二層間絕緣層中與薄膜電晶體和電容器相鄰的開口中，並且耦接到源極電極或汲極電極之像素電極；有機發射層；以及對電極。

Description

有機發光顯示設備及其製造方法
本申請案主張於2014年10月14日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號10-2014-0138613之優先權及效益，其整體內容於此併入以作為參考。
本發明的一個或更複數個示例性實施例涉及一種有機發光顯示設備和製造有機發光顯示設備的方法。
有機發光顯示設備是包括電洞注入電極、電子注入電極和形成在電洞注入電極與電子注入電極之間的有機發射層的自發射顯示設備，在有機發射層中，從電洞注入電極注入的電洞和從電子注入電極注入的電子再結合，從而發射光。有機發光顯示設備具有諸如功耗低、亮度高和響應時間快的各種高品質特性，因此，作為下一代顯示設備而備受關注。
本發明的一個或更複數個示例性實施例包括具有改善的顯示品質和產率的有機發光顯示設備以及製造有機發光顯示設備的方法。
其他態樣部分將闡述在下面的描述中，而其他態樣將部分將透過描述而顯而易見，或者可以透過實施揭示的實施例而得知。
根據本發明的一個或更複數個示例性實施例，有機發光顯示設備包括：基底；位於基底上並包括主動層、閘極電極、源極電極和汲極電極之薄膜電晶體；位於閘極電極與源極電極之間並且位於汲極電極與閘極電極之間之第一層間絕緣層，第一層間絕緣層包括無機材料；位於第一層間絕緣層與源極電極之間並且位於第一層間絕緣層與汲極電極之間之第二層間絕緣層，第二層間絕緣層包括有機材料；位於源極電極和汲極電極上之第一有機層；包括第一電極、第二電極和位於第一電極與第二電極之間的第一層間絕緣層之電容器，其中，第一電極包括與閘極電極的材料相同的材料，第二電極包括與源極電極和汲極電極的材料相同的材料；位於與薄膜電晶體和電容器相鄰的區域之第二層間絕緣層中的開口中之像素電極，像素電極耦接到源極電極和汲極電極中其一；位於像素電極上之有機發射層；以及位於有機發射層上之對電極。
在一些實施例中，像素電極可以是半透射電極，對電極是反射電極。
在一些實施例中，像素電極可以包括第一透明導電氧化物層、半透射金屬層和第二透明導電氧化物層。
在一些實施例中，像素電極的端部可以位於第一層間絕緣層上，並且可以被第二層間絕緣層覆蓋。
在一些實施例中，其中設置有像素電極的開口可以形成於第二層間絕緣層和第一有機層中。
在一些實施例中，第二層間絕緣層中開口的直徑可以大於第一有機層中開口的直徑。
在一些實施例中，第二層間絕緣層中開口的直徑可以小於第一有機層中開口的直徑。
在一些實施例中，第一有機層的端部可以位於第二層間絕緣層中開口的外部。
在一些實施例中，像素電極的下表面可以接觸第一層間絕緣層的上表面。
在一些實施例中，閘極電極的厚度可以在大約6,000Å到大約12,000Å的範圍內。
在一些實施例中，電容器的第二電極可以位於第二層間絕緣層中的另一個開口中。
在一些實施例中，電容器的第二電極的下表面可以接觸第一層間絕緣層的上表面。
在一些實施例中，保護層可以位於源極電極上並且位於汲極電極上。
在一些實施例中，有機發光顯示設備還可以包括與源極電極和汲極電極位於相同層上的墊電極。
在一些實施例中，保護層可以位於墊電極上。
在一些實施例中，有機發光顯示設備還可以包括位於第二層間絕緣層上並透過第一有機層中的接觸開口接觸對電極的陰極接觸層。
在一些實施例中，陰極接觸層可以包括與源極電極和汲極電極的材料相同的材料。
在一些實施例中，保護層可以位於陰極接觸層上。
在一些實施例中，像素電極可以包括第一透明導電氧化物層、半透射金屬層和第二透明導電氧化物層。
根據本發明的一個或更複數個示例性實施例，製造有機發光顯示設備的方法包括以下製程：第一製程，包括在基底上形成半導體層，將半導體層圖案化，從而形成薄膜電晶體的主動層；第二製程，包括形成第一絕緣層，在第一絕緣層上形成第一金屬層，將第一金屬層圖案化以形成薄膜電晶體的閘極電極和電容器的第一電極；第三製程，包括形成第一層間絕緣層，在第一層間絕緣層上形成半透射金屬層，將半透射金屬層圖案化以形成像素電極；第四製程，包括將第一層間絕緣層圖案化並在第一層間絕緣層中形成開口以暴露主動層的部分；第五製程，包括形成第二層間絕緣層，並且將第二層間絕緣層圖案化，以形成分別暴露主動層的該部分、像素電極的上部以及與電容器的第一電極對應的第一層間絕緣層的開口；第六製程，包括形成第二金屬層和保護層並且將第二金屬層和保護層圖案化以形成源極電極、汲極電極、電容器的第二電極和墊電極；第七製程，包括形成第一有機層，並且將第一有機層圖案化以形成分別暴露像素電極的上部和墊電極的上部的開口。
在一些實施例中，第一層間絕緣層可以包括無機膜，第二層間絕緣層可以包括有機膜。
在一些實施例中，在第五製程中，可以將第二層間絕緣層圖案化，使得第二層間絕緣層的一部分保留在像素電極的上表面上，而在第七製程中， 可以將第一有機層和第二層間絕緣層的保留部分圖案化，以暴露像素電極的上表面。
在一些實施例中，在第七製程中，第一有機層的端部可以位於暴露像素電極的上部的第二層間絕緣層中開口的外部。
1、2:有機發光顯示設備
10:基底
11:緩衝層
120:像素電極
120a、120c:透明導電氧化物層
120b:半透射金屬層
121:有機發射層
122:對電極
13:閘極絕緣層
15-1:第一層間絕緣層
15-2:第二層間絕緣層
20:第一有機層
212:主動層
212a:源極區域
212b:汲極區域
212c:溝道區域
214:閘極電極
216a:源極電極
216b:汲極電極
314:第一電極
316:第二電極
416:墊電極
418:保護層
514:佈線
516:陰極接觸層
C1、C3、C4、C5、C8、C11:開口
C10:接觸孔
CECNT:陰極接觸部
CAP1、CAP2:電容器區域
DA:顯示區域
P:像素
PAD1、PAD2:墊區域
PXL1、PXL2:像素區域
SL:密封線
TR1、TR2:電晶體區域
從結合圖式之示例性實施例的以下描述，這些和/或其它態樣和特性將變得明顯和更容易理解從，在圖式中：第1圖係為顯示根據本發明實施例的有機發光顯示設備的平面示意圖；第2圖係為顯示根據本發明實施例的有機發光顯示設備的發射像素和墊的某些部分的剖面示意圖；第3A圖至第3G圖係為描繪根據本發明實施例的製造有機發光顯示設備的方法的剖面示意圖；第4圖是根據本發明實施例的有機發光顯示設備的陰極接觸部的一部分的剖面示意圖；第5A圖至第5C圖係為描繪根據本發明另一個實施例的製造有機發光顯示設備的方法的剖面示意圖；第6圖係為顯示根據本發明另一個實施例的有機發光顯示設備的發光像素和墊的某些部分的剖面示意圖；第7圖係為顯示根據本發明實施例的第一有機層的空氣暴露時間與吸水率之間的關係曲線圖。
現在，將詳細參照本發明的示例性實施例，圖式中說明了本發明的示例性實施例的示例，其中，相似的圖式符號始終指示相似的元件。所示的示例性實施例可以具有不同的形式，並且不應該被解釋為局限於這裡所闡述的描述。因此，下面透過參照圖式僅描述示例性實施例，以對本說明書的各方面進行解釋。如用於本文中，用語「和/或」包括一個或更複數個相關所列項的任意和全部組合。此外，當使用「可以」來描述本發明的實施例時，指的是「本發明的一個或更複數個實施例」。當諸如「……中的至少一個」的表述用在一系列元件之後時，修飾的是整列的元件，而不是修飾該列中的個別元件。另外，用語「示例性」意圖表示示例或舉例說明。
將理解的是，儘管在這裡可以使用用語第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區域、層和/或部分不應當被這些用語限制。這些用語僅用於將一個元件、組件、區域、層或部分與另一個元件、組件、區域、層或部分區分開。因此，在不脫離示例實施例的教示的情況下，下面討論的第一元件、第一組件、第一區域、第一層或第一部分可以稱為第二元件、第二組件、第二區域、第二層或第二部分。
為了易於描述，在這裡可以使用諸如「在……下面(beneath)」、「在……下方(below)」、「下面的(lower)」、「在……上方(above)」、「上面的(upper)」等的空間相對用語來簡化描述圖式中示出的一個元件或特徵與其它元件或特徵的關係的敘述。將理解的是，除了圖式中描繪的方位之外，空間相對用語還意圖涵蓋裝置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果圖式 中的裝置被翻轉，則描述為「在」其它元件或特徵「下方」或「下面」的元件將隨後被定位為「在」其它元件或特徵的「上方」或「上面」。因此，用語「在……下方」可包括上方和下方兩種方位。裝置可以被另行定位(例如，旋轉90度或在其它方位)，並且應當相應地解釋在這裡使用的空間相對描述語。
如在這裡使用的，除非上下文另外清楚地指示，否則單數形式「一(a)」和「一(an)」也意圖包括複數形式。
還將理解的是，這裡使用的用語「包括」、「包含」和/或其變形說明存在該特徵或組件，但是不排除存在或添加一個或更複數個其它特徵或組件。此外，當第一元件被描述為「耦接到」或「連接到」第二元件時，第一元件可以直接耦接到或連接到第二元件，或者第一元件可以透過一個或更複數個中間元件間接耦接到或連接到第二元件。
將理解的是，當層、區域或組件被稱為「在」或「形成在」另一個層、區域或組件「上」時，它可以直接地或者間接地在或者形成在該另一層、區域或組件上。即，例如，還可以存在中間層、區域或組件。
為了便於說明，可以放大圖式中的元件或層的尺寸。由於為了便於說明而任意地示出圖式中的元件或層的尺寸和厚度，所以下面的實施例不限於此。
第1圖係為顯示根據本發明實施例的有機發光顯示設備1的平面示意圖。第2圖係為顯示根據本發明實施例的有機發光顯示設備1的發射像素和墊(pad)PAD的某些部分的示意性剖視圖。
參照第1圖，根據本發明的實施例，包括複數個像素P並顯示圖像的顯示區域DA設置在有機發光顯示設備1的基底10上。顯示區域DA形成 在密封線SL的內側，並且包括用於沿密封線SL封裝顯示區域DA的封裝構件。用於向共同形成在顯示區域DA中的陰極供應電力的陰極接觸部CECNT(例如，陰極接觸單元)形成在顯示區域DA和墊PAD之間。
參照第2圖，包括至少一個有機發射層121的像素區域PXL1、包括至少一個薄膜電晶體(TFT)的電晶體區域TR1、包括至少一個電容器的電容器區域CAP1以及墊區域PAD1設置在基底10上。
薄膜電晶體的主動層212設置在電晶體區域TR1中之基底10上和緩衝層11上。
基底10可以是透明基底，例如，玻璃基底或者包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚醯亞胺等的塑料基底。
在基底10的上部形成平坦的表面並防止雜質通過其滲入基底10之緩衝層11可以進一步設置於基底10上。緩衝層11可以以包括氮化矽和/或氧化矽的單層或者多層結構形成。
主動層212設置在薄膜電晶體區域TR1中的緩衝層11上。主動層212可以由包括非晶矽或多晶矽的半導體形成。主動層212可以包括溝道區域212c以及摻雜有離子雜質並設置在溝道區域212c的外側的源極區域212a和汲極區域212b。主動層212不限於非晶矽或多晶矽，並且可以包括例如氧化物半導體。
閘極絕緣層13形成在主動層212及緩衝層11上。閘極絕緣層13可以以包括氮化矽和/或氧化矽的單層或者多層結構來形成。
閘極電極214形成在閘極絕緣層13上。閘極電極214可以以包括(例如，鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、 鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和/或銅(Cu))中的至少一種金屬的單層或者多層結構來形成。
佈線(諸如一條或更多條掃描線)可以與閘極電極214形成在相同層上並且可以包括與閘極電極214的材料相同的材料。隨著有機發光顯示設備1的屏幕(例如，顯示區域)變得更大，也可以增大佈線的厚度以致力於防止或減少由大屏幕引起的信號延遲，並且可以由此防止或減少由大屏幕引起的信號延遲。在一個實施例中，閘極電極214和佈線的厚度可以在大約6,000Å至大約12,000Å的範圍內。當閘極電極214和佈線的厚度至少等於或大於大約6,000Å時，可以在50或更多英寸的大屏幕中產生防止信號延遲效果(例如，50或更多英寸的大屏幕會經歷減少信號延遲效果)。在沉積製程中可能難以將閘極電極214和佈線的厚度增大至大於大約12000Å。
第一層間絕緣層15-1和第二層間絕緣層15-2位於閘極電極214和閘極絕緣層13上。第一層間絕緣層15-1可以形成為無機絕緣膜，第二層間絕緣層15-2可以形成為有機絕緣膜。閘極電極214和佈線的厚度可以相對大，以防止或減少具有大屏幕的有機發光顯示設備1中的信號延遲。然而，如果僅形成無機絕緣膜(如第一層間絕緣層15-1)，則裂紋可能由於佈線的厚度而發生在無機絕緣膜中。另外，如果僅形成第一層間絕緣層15-1，則形成在第一層間絕緣層15-1下方的佈線與形成在第一層間絕緣層15-1上(例如，上方)的佈線之間的寄生電容增大，這導致電容耦合，從而會阻礙準確的(例如，精確的和/或一致的)信號傳輸。然而，根據本實施例的有機發光顯示設備1，即使在閘極電極214的厚度增大時，因為形成了第二層間絕緣層15-2(即，有機層)，所 以可以減少或防止第一層間絕緣層15-1中的裂紋，並且可以減小形成在第一層間絕緣層15-1和第二層間絕緣層15-2上方和下方的佈線之間的寄生電容。因此，可以保持準確的(例如，精確的和/或一致的)信號傳輸。
源極電極216a和汲極電極216b形成在第二層間絕緣層15-2上。源極電極216a和汲極電極216b可以形成為具有不同電子遷移率的兩個或更多個個異質金屬層。例如，源極電極216a和汲極電極216b可以形成為包括金屬，例如，鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)和/或它們的合金中的兩個或更多個層。
保護層418形成在源極電極216a和汲極電極216b上。保護層418可以防止源極電極216a和汲極電極216b的表面(例如，頂表面)在蝕刻源極電極216a和汲極電極216b期間暴露於蝕刻劑，從而減小粒子缺陷。
保護層418和源極電極216a以及保護層418和汲極電極216b使用相同(例如，單個)遮罩來蝕刻，從而可以減少製造製程或步驟的數量。因為保護層418和源極電極216a以及保護層418和汲極電極216b在同一製程期間(例如，利用相同遮罩或單個遮罩)形成，所以保護層418與源極電極216a的端部的蝕刻面可以相同，並且保護層418與汲極電極216b的端部的蝕刻面可以相同。
第一有機層20位於源極電極216a和汲極電極216b上以覆蓋源極電極216a和汲極電極216b。第一有機層20可以包括商業的聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和/或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、 丙烯酸類聚合物、醯亞胺類聚合物、芳醚類聚合物、醯胺類聚合物、氟化聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物和/或它們的混合物。
源極電極216a和汲極電極216b中的一個電性耦接到(例如，電連接到)像素電極120。
像素電極120設置在像素區域PXL1中的緩衝層11上、閘極絕緣層13上以及第一層間絕緣層15-1上。像素電極120設置在開口中，其中，該開口形成在未與上述薄膜電晶體(例如，電晶體區域TR1)和稍後將進一步說明的電容器(例如，電容器區域CAP1)疊置的區域中。
形成在第一有機層20中的開口C8的直徑小於形成在第二層間絕緣層15-2中的開口C1的直徑。形成在第一有機層20中的開口C8和形成在第二層間絕緣層15-2中的開口C1彼此疊置。
像素電極120形成為直接接觸第一層間絕緣層15-1的上表面，並且像素電極120的端部被第二層間絕緣層15-2覆蓋。
像素電極120包括半透射金屬層120b。像素電極120還可以包括分別形成在半透射金屬層120b的下部和上部並包括透明導電氧化物的保護半透射金屬層120b之透明導電氧化物層120a和120c。
半透射金屬層120b可由銀(Ag)或銀合金形成。半透射金屬層120b可以與隨後將進一步描述之為反射電極的對電極122形成微腔結構(例如，沿著對電極122形成微腔結構)，從而改善有機發光顯示設備1的發光效率。
包括透明導電氧化物的透明導電氧化物層120a和120c可以包括至少一種材料，例如，氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋁鋅(AZO)中的一種或多種。形 成在半透射金屬層120b的下部上的透明導電氧化物層120a可以加強(例如，增大)第一層間絕緣層15-1與像素電極120之間的粘附力。形成在半透射金屬層120b的上部上的透明導電氧化物層120c可以用作保護半透射金屬層120b的阻擋層。
由可還原性高的金屬(如銀(Ag))形成的半透射金屬層120b可能造成在蝕刻像素電極120的製程中析出銀(Ag)粒子的問題。析出的銀(Ag)粒子可能是造成暗斑的粒子缺陷因素。在源極電極216a、汲極電極216b、墊電極416和/或佈線在蝕刻包括銀(Ag)的像素電極120的置程中被暴露於蝕刻劑的情況下，可還原性高的銀(Ag)離子會從這些金屬材料獲得電子，並且會作為銀(Ag)粒子再析出。然而，在根據本實施例的有機發光顯示設備1中，源極電極216a、汲極電極216b和墊電極416被保護層418保護，因此這些層未暴露於蝕刻劑，從而防止或減少因為銀(Ag)粒子的再析出導致的粒子缺陷。
包括有機發射層121的中間層形成在像素電極120上，中間層的上表面(例如，整個上表面)透過形成在第一有機層20中的開口C8暴露。有機發射層121可以由低分子量有機材料或聚合物有機材料形成。
當有機發射層121由低分子量有機材料形成時，中間層還可以包括電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)。中間層還可以根據期望包括各種層。可以使用諸如銅酞菁(copper phthalocyanine(CuPc))、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine(NPB))和/或三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3))的各種有機材料。
當有機發射層121由聚合物有機材料形成時，中間層還可以包括電洞傳輸層(HTL)。HTL可以包括聚-(3,4)-乙撐二氧噻吩(poly-(3,4)-ethylene-dioxy thiophene(PEDOT))或聚苯胺(polyaniline(PANI))等。在該實施例中，聚合物有機材料的示例包括聚苯撐乙烯撐類(poly-phenylenevinylene(PPV)-based)聚合物有機材料和聚芴類(polyfluorene-based)聚合物有機材料等。無機層還可以設置在有機發射層121與像素電極120之間以及有機發射層121與對電極122之間。
雖然，在第2圖中，有機發射層121位於開口C8中，但本發明不限於此。有機發射層121可以位於開口C8內側，並且還可以沿著形成在第一有機層20中的開口C8的蝕刻面延伸到第一有機層20的上表面。
對複數個像素共同地形成的對電極122形成在有機發射層121上。在根據本實施例的有機發光顯示設備1中，像素電極120用作陽極，對電極122用作陰極。電極的極性也可以交換。
對電極122可以是包括反射材料的反射電極。在該實施例中，對電極122可以包括至少一種材料，例如，Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca和/或LiF/Al。因為對電極122被配置為反射電極，所以從有機發射層121發射的光被對電極122反射並經過由半透射材料形成的像素電極120而朝著基底10射出。
包括第一電極314和第二電極316的電容器被設置在電容器區域CAP1中。
僅第一層間絕緣層15-1(即，無機膜)設置在第一電極314與第二電極316之間作為電容器的介電膜。例如，第二層間絕緣層15-2沒有設置在第一電極314與第二電極316之間。開口C5與電容器的第一電極314對應地形 成，且開口C5形成在為有機層的第二層間絕緣層15-2中。第二電極316形成在開口C5的內部。第二電極316的下表面接觸第一層間絕緣層15-1的上表面。因此，減小了介電膜的厚度，從而增大了本實施例的電容器的電容。
第一電極314可以由與閘極電極214的材料相同的材料形成。第二電極316可以由與源極電極216a和汲極電極216b的材料相同的材料形成。
保護層418形成在第二電極316上。當利用保護層418作為遮罩來蝕刻像素電極120時，保護層418防止電容器的第二電極316暴露於蝕刻劑，從而防止或減少粒子缺陷。
利用相同(例如，單個)遮罩來蝕刻保護層418和第二電極316，從而保護層418和第二電極316的端部的蝕刻面可以相同。
在墊區域PAD1中，作為用於外部驅動器的連接端子的墊電極416設置在顯示區域DA的周邊(例如，沿著顯示區域DA的周邊設置)。
墊電極416設置在第二層間絕緣層15-2上，墊電極416的端部被第一有機層20覆蓋。
墊電極416由與源極電極216a和汲極電極216b的材料相同的材料形成。保護層418形成在墊電極416上。當利用保護層418作為遮罩來蝕刻像素電極120時，保護層418防止墊電極416暴露於蝕刻劑，從而防止或減少粒子缺陷。另外，保護層418防止墊電極416暴露於濕氣和氧，從而防止或減少墊PAD可靠性的劣化。
利用相同(例如，單個)遮罩來蝕刻保護層418和墊電極416，從而保護層418和墊電極416的端部的蝕刻面可以為相同。
對電極122不是對於每個像素獨立地形成，而是形成為覆蓋整個顯示區域DA(見第1圖)的共電極。陰極接觸部CECNT形成在顯示區域DA的周邊(例如，沿著顯示區域DA的周邊形成)以將信號供應給共電極。
雖然陰極接觸部CECNT在第1圖中位於顯示區域DA與墊PAD之間，但本發明不限於此。陰極接觸部CECNT可以佈置在顯示區域DA與密封線SL之間的任何位置處。
第4圖是根據本發明實施例的有機發光顯示設備1的陰極接觸部CECNT的部分的剖面示意圖。
佈線514形成在基底10上、緩衝層11上以及閘極絕緣層13上。佈線514可以是耦接到(例如，連接到)掃描線的信號佈線。
第一層間絕緣層15-1和第二層間絕緣層15-2形成在佈線514上。陰極接觸層516形成在第二層間絕緣層15-2上。
陰極接觸層516可以由與源極電極216a和汲極電極216b的材料相同的材料形成。
保護層418形成在陰極接觸層516上。保護層418防止陰極接觸層516在蝕刻像素電極120時暴露於蝕刻劑，從而防止或減少粒子缺陷。
對電極122透過形成在第一有機層20中的接觸孔C10電性耦接到陰極接觸層516。對於具有相對大屏幕的有機發光顯示設備1，增大陰極接觸部CECNT的面積可以有利於減少因向電極供應電力而產生的熱。當陰極接觸部CECNT的面積增大時，存在陰極接觸層516與形成在陰極接觸層516的下部上的佈線514疊置的區域。當佈線514的厚度相對大時，在疊置區域中的佈線514與陰極接觸層516之間會發生短路。然而，在本實施例中，為有機層的第二層 間絕緣層15-2和為無機層的第一層間絕緣層15-1設置在佈線514與陰極接觸層516之間，從而可以防止或減少佈線514與陰極接觸層516之間的短路。
根據本實施例的有機發光顯示設備1還可以包括封裝構件，其中，封裝構件封裝包括像素區域PXL1、電容器區域CAP1和薄膜電晶體區域TR1的顯示區域。封裝構件可以形成為基底，該基底包括玻璃材料、金屬膜或透過交替設置有機絕緣膜和無機絕緣膜而形成的封裝膜等。
在下文中，將參照第3A圖至第3G圖來說明根據實施例製造有機發光顯示設備1的方法。
第3A圖是用來說明根據本發明實施例的製造有機發光顯示設備1的第一製程的剖面示意圖。
參照第3A圖，在基底10上形成緩衝層11，在緩衝層11上形成半導體層，然後將半導體層圖案化以形成薄膜電晶體的主動層212。
在半導體層上塗覆光致抗蝕劑，然後透過利用第一光遮罩之光刻圖案化半導體層以形成主動層212。使用光刻的第一製程包括透過曝光設備使第一光遮罩曝光、顯影、蝕刻、剝離和灰化等。
半導體層可以包括非晶矽或多晶矽。在一個實施例中，可以透過使非晶矽結晶來形成多晶矽。可以透過使用各種方法結晶非晶矽，諸如快速熱退火(RTA)法、固相結晶化(SPC)法、準分子雷射退火(ELA)法、金屬誘發結晶(MIC)法、金屬橫向誘發結晶(MILC)法以及連續側向固化結晶(SLS)法。在一些實施例中，半導體層不限於包括非晶矽或多晶矽，而且還包括氧化物半導體。
第3B圖係為顯示根據本發明實施例的製造有機發光顯示設備1的第二製程的剖面示意圖。
在如第3A圖中所示完成第一製程後，形成閘極絕緣層13，且將第一金屬層形成在閘極絕緣層13上並圖案化。第一金屬層可以由例如，鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和/或銅(Cu)中的至少一種金屬，以單層結構形成或者形成為多層結構。
當完成圖案化製程時，閘極電極214和電容器的第一電極314形成在閘極絕緣層13上。
然後，於其上摻雜離子雜質。離子雜質可以是B(硼)離子或P(磷)離子，並且以大約1×1015原子/cm2或更多的濃度，離子雜質摻雜薄膜電晶體的主動層212。
因為主動層212係利用離子雜質透過閘極電極214作為自對準遮罩而摻雜，所以主動層212包括其上摻雜有離子雜質的源極區域212a和汲極區域212b以及位於源極區域212a與汲極區域212b之間的溝道區域212c。
第3C圖係為顯示根據本發明的實施例的製造有機發光顯示設備1的方法的第三製程的剖面示意圖。
在如第3B圖中所示完成第二製程後，形成第一層間絕緣層15-1，然後在第一層間絕緣層15-1上形成半透射金屬層。然後，將半透射金屬層圖案化以形成像素電極120。
第一層間絕緣層15-1可以由氮化矽和/或氧化矽以單層形成或者形成為多層結構。
第3D圖係為顯示根據本發明實施例的製造有機發光顯示設備1的第四製程的剖面示意圖。
將第三製程中形成的第一層間絕緣層15-1圖案化，以形成分別暴露主動層212的源極區域212a和汲極區域212b的開口C3和C4。
第3E圖係為顯示根據本發明的實施例的製造有機發光顯示設備1的第五製程的剖面示意圖。
參照第3E圖，在如第3D圖中所示完成第四製程後，形成第二層間絕緣層15-2並且將在第四製程中形成的開口C3和C4圖案化，以使開口C3和C4延伸(例如，延伸穿過第二層間絕緣層15-2)。此時(例如，同時或在相同製程期間)，將第二層間絕緣層15-2圖案化以形成暴露像素電極120的上表面之開口C1以及對應電容的第一電極314暴露第一層間絕緣層15-1的某些部分的開口C5。
第二層間絕緣層15-2可以由有機絕緣膜形成，其中，有機絕緣膜包括例如商業的聚合物(PMMA和/或PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸類聚合物、醯亞胺類聚合物、芳醚類聚合物、醯胺類聚合物、氟化聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物和/或它們的混合物。
第3F圖係為顯示根據本發明實施例的製造有機發光顯示設備1的第六製程的剖面示意圖。
參照第3F圖，在如第3E圖中所示完成第五製程後，依序沉積第二金屬層和透明導電氧化物層並且將第二金屬層和透明導電氧化物層圖案化，以同時形成源極電極216a、汲極電極216b、電容器的第二電極316和墊電極416。
第二金屬層可以包括具有不同電子遷移率的兩個或更多個金屬層。例如，第二金屬層可以包括兩個或更多個金屬層，該兩個或更多個個金屬層包括例如鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)和/或它們的合金。
在該實施例中，在源極電極216a、汲極電極216b、電容器的第二電極316以及墊電極416上形成透過圖案化透明導電氧化物層而形成的保護層418。因為第二金屬層和透明導電氧化物層被同時圖案化，所以源極電極216a、汲極電極216b、電容器的第二電極316以及墊電極416的每個端部與形成在其上的保護層418的端部具有相同的蝕刻面。
第3G圖係為顯示根據本發明的實施例的製造有機發光顯示設備1的第七製程的剖面示意圖。
參照第3G圖，在如第3F圖中所示完成第六製程後，形成第一有機層20且接著執行其中形成暴露像素電極120的上表面的開口C8且其中形成暴露保護層418的上表面的開口之第七製程。
第一有機層20用作像素限定層，並且可以由例如有機絕緣膜來形成，其中，有機絕緣膜包括商業的聚合物(PMMA和/或PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸類聚合物、醯亞胺類聚合物、芳醚類聚合物、醯胺類聚合物、氟化聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物和/或它們的混合物。
根據在此提供的有機發光顯示設備1的實施例及其製造方法，像素電極120包括半透射金屬層120b，從而微腔結構可以改善有機發光顯示設備1的發光效率。
此外，透過使用第一有機層20覆蓋源極電極216a或汲極電極216b，源極電極216a或汲極電極216b不被暴露於包括銀(Ag)離子的蝕刻劑，從而可以防止或減少由銀(Ag)的再成核(renucleation)導致的粒子型缺陷。
另外，在閘極電極214與源極電極216a以及汲極電極216b之間包括為無機層的第一層間絕緣層15-1以及為有機層的第二層間絕緣層15-2，使得即使在閘極電極214和佈線的厚度相對大時，也可以減少第一層間絕緣層15-1中的裂紋，並且可以減小位於第一層間絕緣層15-1和第二層間絕緣層15-2的上部和下部上的佈線之間的寄生電容，以準確地傳輸信號。
此外，僅將為無機膜的第一層間絕緣層15-1設置在第一電極314與第二電極316之間作為電容器的介電膜，從而可以減小介電膜的厚度並且可以增大其介電常數，從而增大電容器的電容。
第5A圖至第5C圖顯示根據本發明另一個實施例的製造有機發光顯示設備1的方法。
第5A圖顯示第五製程的另一個實施例，第5B圖顯示第六製程的另一個實施例，第5C圖顯示第七製程的另一個實施例。
參照第5A圖，在如第3D圖中所示完成第四製程後，形成第二層間絕緣層15-2並且將第二層間絕緣層15-2圖案化，以使在第四製程中形成的開口C3和C4延伸。此外，將第二層間絕緣層15-2圖案化以形成對應電容器的第一電極314暴露第一層間絕緣層的一些部分之開口C5。
根據第五製程的另一個實施例，替代暴露像素電極120的上表面的開口C1，形成開口C11。將第二層間絕緣層15-2圖案化以使一定厚度的第二 層間絕緣層15-2位於像素電極120的上表面上，因此，在該實施例中，沒有暴露開口C11中之像素電極120的上表面。
參照第5B圖，在如第5A圖中所示完成第五製程後，以與第3F圖中的第六製程相同或基本相同的方式同時或依序地沉積第二金屬層和透明導電氧化物層並且將第二金屬層和透明導電氧化物層圖案化，並接著同時形成保護層418以及源極電極216a、汲極電極216b、電容器的第二電極316和墊電極416。
參照第5C圖，在如第5B圖中所示完成第六製程後，形成第一有機層20並且接著執行其中形成暴露像素電極120的上表面的開口C8且其中形成暴露保護層418的上表面的開口的第七製程。在該實施例中，將在第5A圖中說明的第五製程中留在(例如，維持在)像素電極120的上表面上的一定厚度的第二層間絕緣層15-2與第一有機層20一起去除。
根據這裡提供的製造方法，當蝕刻源極電極216a和汲極電極216b時，沒有暴露像素電極120，並且第二層間絕緣層15-2保護像素電極120。就這一點而言，像素電極120的上表面可不劣化，從而改善了顯示設備的顯示質量。
第6圖係為顯示根據本發明另一個實施例的有機發光顯示設備2的發光像素和墊的某些部分的剖面示意圖。
參照第6圖，有機發光顯示設備2包括：包括基底10上的至少一個有機發射層121的像素區域PXL2、包括至少一個薄膜電晶體的電晶體區域TR2、包括至少一個電容器的電容器區域CAP2以及墊區域PAD2。
在下文中，將主要描述根據本發明實施例的有機發光顯示設備1與根據本發明另一個實施例的有機發光顯示設備2之間的差異。
電晶體區域TR2、電容器區域CAP2和墊區域PAD2的結構與之前描述的實施例的相應結構相同或基本相同，但是像素區域PXL2的結構與之前描述的實施例的相應結構不同。
像素區域PXL2包括緩衝層11、閘極絕緣層13以及位於第一層間絕緣層15-1上的像素電極120。像素電極120設置在開口中，其中，開口形成在未形成前述的薄膜電晶體和電容器的區域中。
形成在第一有機層20中的開口C8的直徑大於形成在第二層間絕緣層15-2中的開口C1的直徑。形成在第一有機層20中的開口C8和形成在第二層間絕緣層15-2中的開口C1被設置為彼此疊置。
根據上述實施例，第一有機層20的端部位於形成在第二層間絕緣層15-2中的開口C1中。然而，根據另一個實施例，第一有機層20的端部位於形成在第二層間絕緣層15-2中的開口C1的外部(例如，不在開口C1中)。因此，第一有機層20的端部未與像素電極120接觸。
包括有機絕緣材料的第一有機層20具有高吸收係數，因此，在製造製程中會發生影響有機發光裝置的壽命的排氣(outgassing)。
第7圖係為顯示第一有機層20的空氣暴露時間與吸水率之間的關係的曲線圖。X軸表示第一有機層20的空氣暴露時間，Y軸表示第一有機層20的吸水率。在該實施例中，第一有機層20採用聚醯亞胺。
參照第7圖，發現，在包括聚醯亞胺的第一有機層20暴露於空氣之後經過大約10分鐘之後，保持大約1%的吸水率。當第一有機層20的吸水率相對大時，第一有機層20會受排氣的影響很大。
然而，根據本發明的實施例，第一有機層20僅形成在形成於第二層間絕緣層15-2中的開口C1的外部，因此，減小了第一有機層20與有機發射層121接觸的面積。就此而言，可以減少排氣的影響。
如上，根據上面的示例性實施例中的一個或更複數個，改善了有機發光顯示設備的顯示品質和產率。
應該理解的是，這裡描述的示例性實施例應該被認為僅為描述性的含義而非出於限制的目的。每個示例性實施例中的特徵或態樣的描述應該一般性地被考慮為可用於其它示例性實施例中的其它相似的特徵或態樣。
雖然已經參照圖式描述了一個或更多個示例性實施例，但本領域之通常知識者將理解的是，在不脫離申請專利範圍及其等同物限定的精神和範圍的情況下，可以對此做出形式上和細節上的各種變化。
1:有機發光顯示設備
10:基底
CECNT:陰極接觸部
DA:顯示區域
P:像素
SL:密封線

Claims (22)

  1. 一種有機發光顯示設備，其包含：一基底；一薄膜電晶體，位於該基底上，並且包括有一主動層、一閘極電極、一源極電極和一汲極電極；一第一層間絕緣層，位於該閘極電極與該源極電極之間並且位於該閘極電極與該汲極電極之間，該第一層間絕緣層包括一無機材料；一第二層間絕緣層，位於該第一層間絕緣層與該源極電極之間並且位於該第一層間絕緣層與該汲極電極之間，該第二層間絕緣層包括一有機材料；一第一有機層，位於該源極電極和該汲極電極上；一電容器，包括含有與該閘極電極的材料相同的材料之一第一電極、含有與該源極電極和該汲極電極的材料相同的材料之一第二電極和位於該第一電極與該第二電極之間的該第一層間絕緣層；一像素電極，位於與該薄膜電晶體和該電容器相鄰的一區域處之該第二層間絕緣層中的開口中，該像素電極耦接到該源極電極和該汲極電極中其一；一有機發射層，位於該像素電極上；一對電極，位於該有機發射層上；以及一墊電極，與該源極電極和該汲極電極位於相同層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該像 素電極是一半透射電極，該對電極是一反射電極。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該像素電極包括一第一透明導電氧化物層、一半透射金屬層和一第二透明導電氧化物層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該像素電極的端部位於該第一層間絕緣層上並且被該第二層間絕緣層覆蓋。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中設置有該像素電極的開口係形成在該第二層間絕緣層和該第一有機層中。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示設備，其中該第二層間絕緣層中的開口直徑大於該第一有機層中的開口直徑。
  7. 一種有機發光顯示設備，其包含：一基底；一薄膜電晶體，位於該基底上，並且包括有一主動層、一閘極電極、一源極電極和一汲極電極；一第一層間絕緣層，位於該閘極電極與該源極電極之間並且位於該閘極電極與該汲極電極之間，該第一層間絕緣層包括一無機材料；一第二層間絕緣層，位於該第一層間絕緣層與該源極電極之間並且位於該第一層間絕緣層與該汲極電極之間，該第二層間絕緣層包括一有機材料；一第一有機層，位於該源極電極和該汲極電極上； 一電容器，包括含有與該閘極電極的材料相同的材料之一第一電極、含有與該源極電極和該汲極電極的材料相同的材料之一第二電極和位於該第一電極與該第二電極之間的該第一層間絕緣層；一像素電極，位於與該薄膜電晶體和該電容器相鄰的一區域處之該第二層間絕緣層中的開口中，該像素電極耦接到該源極電極和該汲極電極中其一；一有機發射層，位於該像素電極上；以及一對電極，位於該有機發射層上；其中該第二層間絕緣層中的開口直徑小於該第一有機層中的開口直徑。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示設備，其中該第一有機層的端部位於該第二層間絕緣層中的開口的外部。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該像素電極的一下表面接觸該第一層間絕緣層的一上表面。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該閘極電極的厚度在6,000Å到12,000Å的範圍內。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該電容器的該第二電極位於該第二層間絕緣層中的另一個開口中。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示設備，其中該電容器的該第二電極的一下表面接觸該第一層間絕緣層的一上表面。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中一保 護層位於該源極電極上並且位於該汲極電極上。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中一保護層位於該墊電極上。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，進一步包括：一陰極接觸層，位於該第二層間絕緣層上，並且透過該第一有機層中的一接觸開口接觸該對電極。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之有機發光顯示設備，其中該陰極接觸層包括與該源極電極和該汲極電極的材料相同的材料。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示設備，其中一保護層位於該陰極接觸層上。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該像素電極包括一第一透明導電氧化物層、一半透射金屬層和一第二透明導電氧化物層。
  19. 一種製造有機發光顯示設備的方法，該方法包括：一第一製程，包括在一基底上形成一半導體層，將該半導體層圖案化，並接著形成一薄膜電晶體的一主動層；一第二製程，包括形成一第一絕緣層，在該第一絕緣層上形成一第一金屬層，將該第一金屬層圖案化以形成該薄膜電晶體的一閘極電極和一電容器的一第一電極；一第三製程，包括形成一第一層間絕緣層，在該第一層間絕緣層上形成一半透射金屬層，將該半透射金屬層圖案化以形成一像素電極；一第四製程，包括將該第一層間絕緣層圖案化並形成在該第一 層間絕緣層中的開口以暴露該主動層的一部分；一第五製程，包括形成一第二層間絕緣層，並且將該第二層間絕緣層圖案化以形成分別暴露該主動層的該部分、該像素電極的一上部以及與該電容器的該第一電極對應的第一層間絕緣層的開口；一第六製程，包括形成一第二金屬層和一保護層，並且將該第二金屬層和該保護層圖案化，以形成一源極電極、一汲極電極、該電容器的一第二電極以及一墊電極；以及一第七製程，包括形成一第一有機層，並且將該第一有機層圖案化以形成分別暴露該像素電極的一上部和該保護層的一上部的開口。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該第一層間絕緣層包括一無機膜，該第二層間絕緣層包括一有機膜。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中在該第五製程中，將該第二層間絕緣層圖案化，使得該第二層間絕緣層的一部分保留在該像素電極的上表面上，以及在該第七製程中，將該第一有機層和該第二層間絕緣層的保留部分圖案化以暴露該像素電極的該上表面。
  22. 如申請專利範圍第19項之方法，其中在該第七製程中，該第一有機層的一端部位於暴露該像素電極的該上部之該第二層間絕緣層中的開口的外部。
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CN (1) CN105514142B (zh)
TW (1) TWI699881B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102707562B1 (ko) * 2016-04-26 2024-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102575017B1 (ko) * 2016-11-17 2023-09-05 삼성디스플레이 주식회사 유리 기판의 결함 검출 방법
CN109148539A (zh) * 2018-08-29 2019-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft阵列基板及制备方法、显示装置
KR102796194B1 (ko) * 2018-10-24 2025-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102778028B1 (ko) * 2019-03-21 2025-03-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210008232A (ko) * 2019-07-11 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20220090621A (ko) 2020-12-22 2022-06-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220125909A (ko) 2021-03-05 2022-09-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201220491A (en) * 2010-08-30 2012-05-16 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
TW201220489A (en) * 2010-06-09 2012-05-16 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device and method for manufacturing the same
US20120286281A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Chun-Gi You Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
TW201308608A (zh) * 2011-08-09 2013-02-16 三星顯示器有限公司 薄膜電晶體陣列基板、包含該薄膜電晶體陣列基板的有機發光顯示器及其製造方法
US20130126882A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 Chun-Gi You Thin film transistor array substrate, organic light emitting display device comprising the same, and method of manufacturing the same
US20130200379A1 (en) * 2012-02-07 2013-08-08 Chun-Gi You Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display device including the same and method of manufacturing the thin film transistor array substrate

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1240808B1 (en) 1999-12-17 2003-05-21 Osram Opto Semiconductors GmbH Encapsulation for organic led device
KR100712185B1 (ko) * 2006-01-25 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100728129B1 (ko) * 2006-06-14 2007-06-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101074788B1 (ko) * 2009-01-30 2011-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101801350B1 (ko) * 2011-08-01 2017-12-21 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101881895B1 (ko) * 2011-11-30 2018-07-26 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
KR101885329B1 (ko) 2012-01-05 2018-08-06 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR101899878B1 (ko) * 2012-03-30 2018-09-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR101954978B1 (ko) 2012-09-06 2019-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201220489A (en) * 2010-06-09 2012-05-16 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device and method for manufacturing the same
TW201220491A (en) * 2010-08-30 2012-05-16 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US20120286281A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Chun-Gi You Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
TW201308608A (zh) * 2011-08-09 2013-02-16 三星顯示器有限公司 薄膜電晶體陣列基板、包含該薄膜電晶體陣列基板的有機發光顯示器及其製造方法
US20130126882A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 Chun-Gi You Thin film transistor array substrate, organic light emitting display device comprising the same, and method of manufacturing the same
US20130200379A1 (en) * 2012-02-07 2013-08-08 Chun-Gi You Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display device including the same and method of manufacturing the thin film transistor array substrate

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