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TWI698905B - 光電倍增管、光電倍增管陣列、夜視設備和製造光電倍增管的方法 - Google Patents

光電倍增管、光電倍增管陣列、夜視設備和製造光電倍增管的方法 Download PDF

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TWI698905B
TWI698905B TW105131458A TW105131458A TWI698905B TW I698905 B TWI698905 B TW I698905B TW 105131458 A TW105131458 A TW 105131458A TW 105131458 A TW105131458 A TW 105131458A TW I698905 B TWI698905 B TW I698905B
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pmt
detector
electrodes
electrons
series
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TW105131458A
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曹培炎
劉雨潤
Original Assignee
中國大陸商深圳源光科技有限公司
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Publication date
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Publication of TW201714201A publication Critical patent/TW201714201A/zh
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  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

一種適合於檢測光子的光電倍增管(PMT)，該PMT包括：電子噴射器，其配置成用於回應於入射光子來發射一次電子；檢測器，其配置成用於收集電子並且提供代表入射光子的輸出信號；在電子噴射器與檢測器之間的一系列垂直電極，其中垂直電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，並且垂直電極中的每個與使電子噴射器和檢測器連接的直線平行。

Description

光電倍增管、光電倍增管陣列、夜視設備和製造光電倍增管的方法
本文的公開涉及管，特別涉及光電倍增管和製造它的方法。
光電管或光電池或光電發射管可以是對電磁譜的紫外、可見和近紅外範圍內的光的靈敏檢測器。
光電倍增管(PMT)是真空光電管，其能夠使入射光產生的電流倍增許多次，從而在光的入射通量非常低時能夠檢測單個光子。光電倍增管在核和粒子物理學、天文學、醫學診斷(包括驗血)、醫學成像、電影膠片掃描、雷達干擾和高端圖像掃描器(稱為鼓式掃描器)中具有重要應用。
如在圖1中示出的，常規的PMT 100包括外殼101，其包含光電陰極102、若干電子倍增極104和電子集電極110。由於光電效應，進入管100且入射在光電陰極102上的光導致光電陰極102發射電子。電子撞擊連續電子倍增極104，從而通過二次發射引起電子倍增。在撞擊最後的電子倍增極後，電子被集電極110收集並且用於檢測入射光。
儘管被廣泛使用，常規PMT 100龐大、笨重、易碎、昂貴且難以生產。
本文公開適合於檢測光子的PMT，該PMT包括：電子噴射器，其配置成用於回應於入射光子來發射一次電子；檢測器，其配置成用於收集電子並且提供 代表入射光子的輸出信號；和在電子噴射器與檢測器之間的一系列垂直電極，其中這些垂直電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，並且垂直電極中的每個與使電子噴射器和檢測器連接的直線平行。
根據實施例，電子噴射器發射的一次電子作為入射電子施加到系列的第一垂直電極；並且一個垂直電極發射的二次電子作為入射電子施加到系列的下一個垂直電極，只是系列的最後的垂直電極發射的二次電子作為入射電子施加到檢測器。
根據實施例，垂直電極系列在電子噴射器與檢測器之間形成兩列電極，使得一次和二次電子在這兩個列之間朝檢測器移動。
根據實施例，PMT包括透明電極，其接合到電子噴射器並且配置成用於施加電壓來將一次電子朝檢測器驅使。
根據實施例，PMT包括在電子噴射器與檢測器之間的一系列水平電極，其中水平電極中的每個配置成用於施加電壓來將二次電子朝檢測器驅使。
根據實施例，垂直電極中的每個包括MgO、鹼銻化物、鹼鹵化物、BeO、GaP、GaAsP、PbO或Cs2O。
根據實施例，檢測器包括一個或多個電極和電連接到該一個或多個電極的放大器。
根據實施例，PMT具有下列中的至少一個：幾微米至幾百微米的長度；幾微米至幾百微米的寬度；以及幾微米至幾百微米的高度。
本文公開用於製作適合於檢測光子的PMT的方法，該方法包括：蝕刻襯底來形成襯底的孔並且使孔中的一系列垂直電極暴露；使檢測器接合到孔的底 部；以及使具有透明電極和電子噴射器的蓋式晶圓接合到孔的頂部，使得垂直電極系列在電子噴射器與檢測器之間，其中電子噴射器配置成用於回應於入射光子來發射一次電子，垂直電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，垂直電極中的每個與使電子噴射器和檢測器連接的直線平行，並且檢測器配置成用於收集電子並且提供代表入射光子的輸出信號。
根據實施例，電子噴射器發射的一次電子作為入射電子施加到系列的第一垂直電極；並且一個垂直電極發射的二次電子作為入射電子施加到系列的下一個垂直電極，只是系列的最後的垂直電極發射的二次電子作為入射電子施加到檢測器。
根據實施例，垂直電極系列在電子噴射器與檢測器之間形成兩列電極，使得一次和二次電子在這兩個列之間朝檢測器移動。
根據實施例，方法進一步包括使透明電極接合到電子噴射器，其中該透明電極配置成施加電壓來將一次電子朝檢測器驅使。
根據實施例，方法進一步包括在電子噴射器與檢測器之間形成一系列水平電極，其中這些水平電極中的每個配置成施加電壓來將二次電子朝檢測器驅使。
根據實施例，方法進一步包括在垂直電極上電鍍材料(例如，Mg或Be)並且使該材料氧化。
本文公開適合於檢測光子的PMT陣列，其包括多個PMT的陣列，這些PMT中的每個包括：電子噴射器，其配置成用於回應於入射光子來發射一次電子；檢測器，其配置成用於收集電子並且提供代表入射光子的輸出信號；以及在電子噴射器與檢測器之間的一系列垂直電極，其中這些垂直電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，並且垂直電極中的每個與使電子噴射器 和檢測器連接的直線平行。
根據實施例，PMT陣列進一步包括成像單元，其配置成用於基於陣列中的不同PMT所檢測的光子的空間解析度來產生圖像。
本文公開適合於檢測光子的PMT，該PMT包括：電子噴射器，其配置成回應於入射光子來發射一次電子；檢測器，其配置成用於收集電子並且提供代表入射光子的輸出信號；以及在電子噴射器與檢測器之間的一系列電極，其中這些電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，並且電極中的每個包括雙金屬弧形板。
根據實施例，電子噴射器發射的一次電子作為入射電子施加到系列的第一電極；並且一個電極發射的二次電子作為入射電子施加到系列的下一個電極，只是系列的最後的電極發射的二次電子作為入射電子施加到檢測器。
根據實施例，雙金屬弧形板的至少一個層包括MgO、鹼銻化物、鹼鹵化物、BeO、GaP、GaAsP、PbO或Cs2O。
根據實施例，PMT具有下列中的至少一個：幾微米至幾百微米的長度；幾微米至幾百微米的寬度；以及幾微米至幾百微米的高度。
本文公開用於製作適合於檢測光子的PMT的方法，該方法包括：形成一系列電極，其包括襯底中的雙金屬板；蝕刻襯底以在襯底中形成孔並且使一系列電極(其中的每個在孔內部)暴露；使檢測器接合到孔的底部；使具有透明電極和電子噴射器的蓋式晶圓接合到孔的頂部，使得電極系列在電子噴射器與檢測器之間；並且其中電子噴射器配置成用於回應於入射光子來發射一次電子，電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，並且檢測器配置成用於收集電子並且提供代表入射光子的輸出信號。
根據實施例，電子噴射器發射的一次電子作為入射電子施加到系列的第一電極；並且一個電極發射的二次電子作為入射電子施加到系列的下一個電極，只是系列的最後的電極發射的二次電子作為入射電子施加到檢測器。
根據實施例，雙金屬板的至少一個層包括MgO、鹼銻化物、鹼鹵化物、BeO、GaP、GaAsP、PbO或Cs2O。
本文公開適合於檢測光子的PMT陣列，其包括多個PMT的陣列，這些PMT中的每個包括：電子噴射器，其配置成用於回應於入射光子來發射一次電子；檢測器，其配置成用於收集電子並且提供代表入射光子的輸出信號；以及在電子噴射器與檢測器之間的一系列電極，其中這些電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，並且電極中的每個包括雙金屬弧形板。
根據實施例，PMT陣列進一步包括成像單元，其配置成用於基於陣列中的不同PMT所檢測的光子的空間解析度來產生圖像。
本文公開適合於產生人眼看得見的圖像的夜視設備，該夜視設備包括：上文描述的PMT，其中PMT配置成用於檢測來自微弱光源的光子。
100:PMT
101:外殼
102:光電陰極
104:電子倍增極
110:集電極
200:PMT
201:透明電極
202:電子噴射器
203:靠蓋式晶圓
204:垂直電極
206:水平電極
208:孔
210:檢測器
302:SiO2
304:孔
306:金屬或電極
400:PMT陣列
408:孔
510:區域
602、604、606、608、610、612、614、1102、1104、1106、1107、1108、1110:步驟
700:圖元
710:金屬墊
800:圖元
810:金屬墊
820:環
904:垂直電極
1000:PMT
1002:第一金屬
1004:第二金屬
1008:孔
1202:SiO2
1204:孔
1206:金屬或電極
1301:源
1302:閃爍體
1401:發光材料
1410:光譜
1420:棱鏡或衍射光柵
1501:伽瑪射線源
1502:人
1504:閃爍體
1510:肺部圖像
1600:夜視設備
1602:光學系統
1603:圖像感測器
1604:顯示器
圖1 示意示出根據現有技術的PMT的橫截面圖。
圖2 示意示出根據本教導的實施例的示範性PMT(其包括垂直電極)的橫截面圖。
圖3 示出根據本教導的實施例在製造期間的示範性PMT的頂視圖。
圖4 示意示出根據本教導的實施例的示範性PMT陣列的橫截面圖。
圖5 示出根據本教導的實施例的示範性PMT陣列的一部分的頂視圖。
圖6 示出根據本教導的實施例製作PMT的示範性方法。
圖7 示出根據本教導的實施例的示範性圖元(其包括多個檢測器)的頂視圖。
圖8 示出根據本教導的實施例的另一個示範性圖元(其包括許多環所環繞的檢測器)的頂視圖。
圖9A 示出根據本教導的實施例的示範性PMT的電場的快照。
圖9B 示出根據本教導的實施例的示範性PMT的電場的快照。
圖10 示意示出根據本教導的實施例的另一個示範性PMT(其包括雙金屬板)的橫截面圖。
圖11 示出根據本教導的實施例製作PMT的另一個示範性方法。
圖12A 示出根據本教導的實施例在製造期間的另一個示範性PMT的頂視圖。
圖12B 示出根據本教導的實施例在操作期間圖12A的PMT的頂視圖。
圖13 示意示出根據本教導的實施例適合於檢測電離輻射的系統，其包括本文描述的PMT。
圖14 示意示出根據本教導的實施例適合於測量發光材料的強度和光譜的系統，其包括本文描述的PMT。
圖15 示意示出根據本教導的實施例適合於在醫學成像中對伽瑪輻射成像的伽瑪拍攝裝置，其包括本文描述的PMT陣列。
圖16 示意示出根據本教導的實施例的夜視設備，其包括本文描述的PMT。
圖2示意示出根據本教導的實施例的示範性PMT 200的橫截面圖。如在圖2中示出的，PMT 200可包括靠蓋式晶圓203支承的透明電極201、該透明電極201上的電子噴射器202、一系列垂直電極204、一系列水平電極206和檢測器210。
透明電極201是透明的，使得進入PMT 200的光的光子可經過透明電極201並且入射在電子噴射器202上，該電子噴射器202接合到透明電極201。透明電極201在這裡可以建立電場來將電子噴射器202發射的電子朝檢測器210驅使。
電子噴射器202在該示例中配置成用於回應於入射光子來發射電子，例如在電磁譜的紫外、可見或近紅外範圍內的光的光子。這些電子叫作一次電子並且由透明電極201朝一系列垂直電極204引導，其中電子通過二次發射的過程而倍增。電子噴射器202可是非常薄的，例如，具有幾微米至幾百微米的厚度。電子噴射器202可以由以下材料中的至少一個製成：雙鹼(例如Na-K-Sb)、多鹼(例如Na-K-Sb-Cs)、Ag-O-Cs、Sb-Cs、InGaAs、GaAs、Cs-Te、Cs-I等。
垂直電極204系列和水平電極206系列在該示例中是在電子噴射器202與檢測器210之間的孔208中。一次電子因為它們被電場加速而朝第一垂直電極移動。在衝擊第一垂直電極時，發射更多的低能電子，並且這些電子叫作二次電子並且進而朝第二垂直電極加速。如此，垂直電極204中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子。電子噴射器202發射的一次電子作為入射電子施加到系列的第一垂直電極。一個垂直電極發射的二次電子作為入射電子施加到系列的下一個垂直電極，只是系列的最後的垂直電極發射的二次電子作為入射電子施加到檢測器210。
根據各種實施例，垂直電極或水平電極或兩者都可以發射二次電子。
如在圖2中示出的，垂直電極204中的每個是垂直的並且與使電子噴射器202和檢測器210連接的直線平行。垂直電極204系列在電子噴射器202與檢測器210之間形成兩列電極。一次和二次電子在兩個列之間沿圖示為圖2中的虛線的路徑朝檢測器210移動。
在一個實施例中，每個垂直電極保持在比系列中前面的垂直電極更多的正電勢。垂直電極(其比不同的垂直電極更接近檢測器210)具有比該不同的垂直電極更多的正電勢。
在一個實施例中，垂直電極204中的每個包括MgO、鹼銻化物、鹼鹵化物、BeO、GaP、GaAsP、PbO或Cs2O或另一個材料，來降低垂直電極的表面的功函，使得可以更容易發射二次電子。在一個實施例中，檢測器210可以從每個入射光子收集大約1000個電子，這對檢測器210確定入射光子的存在是足夠的。
水平電極206中的每個配置成用於施加電壓來將二次電子朝電極210驅使。在一個實施例中，每個水平電極保持在比系列中前面的水平電極更多的正電勢。水平電極(其比不同的水平電極更接近檢測器210)具有比該不同的水平電極更多的正電勢。
垂直電極204和水平電極206可以用例如CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術等微製造技術來製作。例如，電極線可以放在二氧化矽襯底中。然後，可以用HF(氫氟酸)來蝕刻襯底以去除二氧化矽來使電極線暴露。促進二次電子發射的材料(例如，MgO、鹼銻化物、鹼鹵化物、BeO、GaP、GaAsP、PbO或Cs2O)可通過適合的技術(例如，電鍍和氧化、CVD、蒸發等)放線上上。垂直電極204和水平電極206可以製成微米級。因此，PMT 200也可以製成微米級。PMT 200的尺寸(例如，PMT 200的長度、寬度或高度)可具有幾微米至幾百微 米。該微米PMT當在PMT陣列中使用時可以提供高靈敏度和高的空間解析度。在實施例中，垂直電極204可通過例如到垂直網格(一系列密排垂直線或一系列密排水平線)上電鍍而製成。
檢測器210在該示例中包括一個或多個電子集電極和電連接到該一個或多個電子集電極的放大器。每個電子集電極配置成用於收集二次電子。放大器配置成用於提供代表入射光子的輸出信號。在一個示例中，輸出信號可指示可以用於確定入射光子存在的電壓變化。檢測器210可在孔208的底部形成。可以理解檢測器210可包括振盪器以用於提供代表入射光子的輸出信號，來代替包括放大器。與產生電壓變化的放大器相比，振盪器可以產生頻率變化來檢測進入信號。
根據本教導的實施例，PMT 200可用一個或多個晶圓製造。具有孔208的晶圓可以與包括檢測器210的晶圓相同，或是與包括檢測器210的晶圓不同的晶圓。每個晶圓可以由矽、玻璃、二氧化矽或其他材料製成。
帶有孔的晶圓在內部具有電極。使晶圓隨著內部電極增長的一個方式是通過氧化技術中的標準CMOS金屬，其中金屬線的許多層可以在矽晶圓頂部上、在大多具有二氧化矽的鈍化內部製造，以用於互連。同HF不起反應的Pt或Au可用於根據PMT結構在SiO2內部形成圖案(其包括水平和垂直電極)。然後，HF可以用於蝕刻掉SiO2並且使電極(Pt或Au)暴露。
圖3示出根據本教導的實施例在製造期間的示範性PMT的頂視圖。如在圖3中示出的，在用HF蝕刻SiO2 302來形成孔304後，留下金屬或電極306。在一個實施例中，在挖掘孔後，MgO可以塗覆在電極表面上。然後，孔可通過另一個晶圓(例如，玻璃晶圓)連同氧化銦錫(ITO)沉積以及作為電子噴射器的光 電陰極而密封。
根據本教導的實施例，PMT 200可使用包括以下的方法來製造：蝕刻襯底來形成襯底的孔並且使孔中的一系列垂直電極暴露；用例如MgO、鹼銻化物、鹼鹵化物、BeO、GaP、GaAsP、PbO或Cs2O等適合的材料塗覆電極；使檢測器接合到孔的底部；以及使電子噴射器接合到孔頂部，使得垂直電極系列在電子噴射器與檢測器之間，其中電子噴射器配置成用於回應於入射光子來發射一次電子，垂直電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，垂直電極中的每個與使電子噴射器和檢測器連接的直線平行，並且檢測器配置成用於收集電極並且提供代表入射光子的輸出信號。
圖9A示出根據本教導的實施例的示範性PMT的電場的快照。該示範性PMT可以是圖2中示出的PMT 200。圖9A是用軟體“comsol multiphysics”進行的模擬結果。如在圖9A中示出的，金屬條(即，垂直和水平電極)的電壓被標記。PMT的電場由流線表示。如在圖9A中圖示的，電子將在兩列垂直電極904之間沿圖示為圖9A中的虛線的路徑移動。
圖9B示出根據本教導的實施例的示範性PMT的電場的快照。該示範性PMT與圖2中示出的PMT 200相似，所不同的是省略了水平電極206。圖9B是用軟體“comsol multiphysics”進行的模擬結果。如在圖9B中示出的，垂直電極的電壓被標記。PMT的電場由流線表示。如在圖9B中圖示的，電子將在兩列垂直電極904之間沿圖示為圖9B中的虛線的路徑移動。
當多個PMT 200形成陣列時，入射光強度的空間分佈(例如，圖像)可通過單獨測量陣列的每個PMT的放大器處的電壓變化而確定。圖4示意示出根據本教導的實施例的示範性PMT陣列400的橫截面圖，其中類似的數字引用與之 前的圖中類似的元件。如在圖4中示出的，PMT陣列400包括多個PMT的陣列並且每個PMT可包括電子噴射器202、垂直電極204系列、水平電極206系列和檢測器210。
PMT陣列400中的所有PMT的垂直電極204系列和水平電極206系列在電子噴射器202與檢測器210之間的相同孔408中。在一個實施例中，PMT陣列400中的每個PMT可以獨立運作來確定該PMT上入射光子的存在。
根據一個實施例，PMT陣列進一步包括成像單元(未示出)，其電連接到全部的檢測器210並且配置成用於基於陣列中的不同PMT所檢測的光子的空間解析度來產生圖像。例如，成像單元可以通過在一段時間期間對陣列中的每個PMT上的入射光子的數目計數而產生圖像。
圖5示出根據本教導的實施例的示範性PMT陣列的一部分的頂視圖。該示範性PMT陣列可以是圖4中的PMT陣列400。圍繞PMT 200中的一個的足跡入射的光子產生的電子大致未與PMT 200中的另一個共用。圍繞PMT200、其中由在其中入射的光子產生的電子中的大致全部(超過95%、超過98%或超過99%)被PMT 200檢測的區域510叫作與該PMT 200關聯的圖元。
例如，通過測量PMT 200中的每個的檢測器處的電壓變化，可確定對於該PMT的入射光子的數目(其與入射光強度有關)。從而，入射光強度的空間分佈(例如，圖像)可通過單獨測量陣列的圖元處的電壓變化而確定。
圖元可採用任何適合的陣列來組織，例如方形陣列、三角形陣列和蜂窩狀陣列。圖元可具有任何適合的形狀，例如圓形、三角形、方形、矩形和六角形。圖元可以是獨立可定址的。
圖6示出根據本教導的實施例製作PMT的示範性方法。在一個實施例中， PMT是圖2中示出的PMT 200。在602處，電極線被放入二氧化矽襯底內，例如採用晶圓的形式。電極線可包括如在圖2和圖3中示出的那樣設置的垂直線和水平線。然後在604處，例如用HF來蝕刻襯底以去除二氧化矽並且使電極線暴露。在606處，例如通過蝕刻更多來去除二氧化矽而在襯底上形成孔。電極線在孔內部。在608處，例如Mg等材料前驅物被電鍍到電極線上。在610處，材料前驅物被轉換來形成促進二次電子發射的材料(例如，Mg被氧化而變成MgO)。
在612處，檢測器接合到孔底部。檢測器可以在另一個晶圓上製造，並且然後一起接合到孔的晶圓。在614處，具有透明電極和靠其支承的電子噴射器的蓋式晶圓在孔頂部接合到襯底。可以理解圖6中的方法可以在晶圓級上進行來形成本文描述的PMT陣列。
根據一個實施例，孔和檢測器可以在相同晶圓上製造。檢測器的表面也可由Au或Pt製成，其可以使HF的蝕刻停止。在一個圖元中，可存在一個或許多個檢測器。
圖7示出根據本教導的示範性圖元(其包括多個檢測器)的頂視圖。在圖7中示出的圖元700中，檢測器可以是振盪器回路內許多晶體管的浮柵，使得電荷的變化將更改振盪頻率。檢測器的金屬墊710可覆蓋孔底部的大部分區域，來使HF的蝕刻停止並且在蝕刻停止後充當電極。
根據一個實施例，僅一個檢測器在一個圖元內。然後，檢測器的金屬墊可以被許多環所環繞。圖8示出根據本教導的實施例的另一個示範性圖元800(其包括許多被環820所環繞的檢測器)的頂視圖。環820可以偏置來使電子聚焦到中心金屬墊810上，該中心金屬墊810是檢測器的電極。環也可由Pt或Au製成 (其之間具有極小的間隙)來停止蝕刻。
金屬層上面和下面的材料可是不同的。例如，SiO2在金屬層上面並且SiNx在金屬層下面，使得蝕刻在SiO2中可以更快。
圖10示意示出根據本教導的實施例的另一個示範性PMT 1000(其包括雙金屬板)的橫截面圖，其中類似的數字引用與之前的圖中類似的元件。如在圖10中示出的，PMT 1000可包括電子噴射器202、一系列電極(其中的每個包括雙金屬板)和檢測器210。雙金屬板由聯接在一起的兩個獨立金屬組成，例如不同金屬的兩個層。如在圖10中示出的，在PMT 1000的製造期間，雙金屬板可以是扁平的，其包括第一金屬1002和第二金屬1004。第一金屬1002和第二金屬1004具有適合的不同熱膨脹係數，使得當處於PMT的操作溫度時，雙金屬板可接合以具有如在圖10中示出的弧形形狀。即，對於PMT 1000的操作溫度比PMT 1000的沉積溫度或製造溫度更低。
在一個實施例中，PMT 1000的操作溫度比PMT 1000的沉積溫度或製造溫度更高。金屬1002和1004可以選成具有不同熱膨脹係數來使雙金屬板在製造後對PMT 1000加熱後朝適合的方向彎曲。
雙金屬板1002、1004系列在該示例中是在電子噴射器202與檢測器210之間的孔1008中。在操作期間，雙金屬板1002、1004是弧形形狀。電子噴射器202配置成用於回應於入射光子來發射一次電子。這些一次電子朝系列的第一雙金屬弧形板移動。在衝擊第一雙金屬板時，發射更多的低能電子，並且這些電子叫作二次電子並且進而朝第二雙金屬弧形板加速。如此，雙金屬弧形板1002、1004中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子。電子噴射器202發射的一次電子作為入射電子施加到系列的第一雙金屬弧形板。一個雙金屬弧形 板發射的二次電子作為入射電子施加到系列的下一個雙金屬弧形板，只是系列的最後的雙金屬弧形板發射的二次電子作為入射電子施加到檢測器210。
在一個實施例中，每個雙金屬弧形板保持在比系列中前面的雙金屬弧形板更多的正電勢。雙金屬弧形板(其比不同的雙金屬弧形板更接近檢測器210)具有比該不同的雙金屬弧形板更多的正電勢。
在一個實施例中，雙金屬板包括MgO、鹼銻化物、鹼鹵化物、BeO、GaP、GaAsP、PbO或Cs2O或另一個材料，來降低雙金屬板的表面的功函，使得可以更容易發射二次電子。例如，PMT 1000中的每個雙金屬板的上層1002可包括MgO以具有低功函。
雙金屬板可以製成微米級。因此，PMT 1000也可以製成微米級。PMT 1000的尺寸(例如，PMT 1000的長度、寬度或高度)可具有幾微米至幾百微米。該微米PMT當在PMT陣列中使用時可以提供高靈敏度和高的空間解析度。
檢測器210在該示例中包括一個或多個電子集電極和電連接到該一個或多個電子集電極的放大器。每個電子集電極配置成用於收集二次電子。放大器配置成用於提供代表入射光子的輸出信號。在一個示例中，輸出信號可指示可以用於確定入射光子存在的電壓變化。檢測器210可在孔1008的底部形成。可以理解檢測器210可包括振盪器以用於提供代表入射光子的輸出信號，來代替包括放大器。與產生電壓變化的放大器相比，振盪器可以產生頻率變化來檢測進入信號。
根據本教導的實施例，PMT 1000可使用包括以下的方法來製造：形成一系列電極，其包括襯底中的雙金屬板；蝕刻襯底以在襯底中形成孔並且使電極系列暴露，其中的每個在孔內部；使檢測器接合到孔的底部；使具有透明電極和 電子噴射器的蓋式晶圓接合到孔的頂部，使得垂直電極系列在電子噴射器與檢測器之間；並且其中電子噴射器配置成用於回應於入射光子來發射一次電子，電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，並且檢測器配置成用於收集電子並且提供代表入射光子的輸出信號。
在一個實施例中，PMT 1000還包括接合到電子噴射器202的透明電極(未在圖10中示出)。透明電極是透明的，使得進入PMT 1000的光的光子可經過透明電極並且入射在電子噴射器202上。透明電極可以建立電場以將電子噴射器202發射的電子朝檢測器210驅使。
圖11示出根據本教導的實施例製作PMT的另一個示範性方法。在一個實施例中，PMT是圖10中示出的PMT 1000。在1102處，雙金屬板在襯底中形成或嵌入襯底。雙金屬板在製造溫度可是扁平的，如在圖10中示出的。襯底可包括二氧化矽。然後在1104處，例如用HF來蝕刻襯底以去除二氧化矽並且使雙金屬板暴露。在1106處，例如通過蝕刻更多來去除二氧化矽而在襯底上形成孔。雙金屬板在孔內部。在一個實施例中，圖11中的方法還可包括步驟1107，其中MgO(或鹼銻化物、鹼鹵化物、BeO、GaP、GaAsP、PbO或Cs2O)例如通過將Mg電鍍到每個雙金屬板的上層並且使Mg氧化來形成MgO或任何其他適合的技術而沉積到每個雙金屬板上。上層是雙金屬板中最先接收入射電子的層。
在1108處，檢測器接合到孔的底部。檢測器可以在另一個晶圓上製造，並且然後一起接合到孔的晶圓。在1110處，具有透明電極和靠其支承的電子噴射器的蓋式晶圓在孔頂部接合到襯底。
可以理解圖11中的方法可以在晶圓級上進行來形成PMT 1000的陣列。
圖12A示出根據本教導的實施例在製造期間的另一個示範性PMT的頂視 圖。在一個實施例中，PMT是圖10中示出的PMT 1000。如在圖12A中示出的，在用HF來蝕刻SiO2 1202以形成孔1204後，留下金屬或電極1206。圖12B示出在操作期間圖12A的PMT的頂視圖，其中雙金屬板1206彎曲成弧形形狀。
圖13示意示出根據本教導的實施例的系統，其包括本文描述的PMT。該系統可用於檢測來自源1301的電離輻射。系統包括閃爍體1302和本文描述的PMT200。閃爍體1302可吸收伽瑪射線、X射線和電磁譜的較高紫外部分(其從源1301輻射)並且發射可見光，這些可見光然後可以被PMT 200檢測。閃爍體1302可包括碘化鈉。可以理解PMT 200在該系統中可被如本文公開的PMT 1000或PMT陣列400所替代。
圖14示意示出根據本教導的系統，其包括本文描述的PMT 200。該系統可用于測量發光材料1401的強度和光譜。發光材料1401可以是發射光的化合物半導體或量子點。利用本文描述的PMT 200，圖14中的系統可通過用棱鏡或衍射光柵1420使光散佈並且用PMT 200來檢測光而測量發光材料1401發射的光的光譜1410。可以理解PMT 200在該示例中可被如本文公開的PMT 1000或PMT陣列400所替代。
圖15示意示出根據本教導的實施例的伽瑪拍攝裝置，其包括本文描述的PMT。伽瑪拍攝裝置在這裡包括伽瑪射線源1501、閃爍體1504和PMT(其可以是如本文公開的PMT 200或1000)的陣列400。伽瑪拍攝裝置可用于在醫學應用中對伽瑪輻射成像。如在圖15中示出的，從伽瑪射線源1501發射的伽瑪射線穿過人1502、由於人1502的內部結構(例如，骨頭、肌肉、脂肪和器官，等)而衰減不同程度、被閃爍體1504轉換成可見光並且被投射到PMT陣列400。伽瑪拍攝裝置可通過檢測伽瑪射線的強度分佈來形成人的身體部位的圖像(例 如，肺部圖像1510)。
圖16示意示出根據本教導的實施例的夜視設備1600，其包括本文描述的光電管。該夜視設備1600能夠以接近全黑的光等級(例如在可見光強度比白天期間少約5個數量級時)產生場景的圖像。夜視設備1600可檢測弱的可見光或紅外光並且在人眼可感知的可見光中產生圖像。在該示例中，夜視設備1600包括：光學系統1602，其配置成形成場景的光學圖像；和圖像感測器1603，其具有如本文公開的PMT 200或1000的陣列。PMT檢測光學圖像的局部光強度並且將強度轉換成電信號。這些電信號然後可在人眼可感知的顯示器1604上呈現。
在一個實施例中，夜視設備1600中的PMT的陣列包括如本文公開的靈敏PMT。PMT中的每個充當圖元，其尺寸可以小至100μm或更少，這可以提供良好的空間解析度。
本文描述的PMT 200、1000和PMT陣列400可具有其他應用，例如在核和粒子物理學、天文學、醫學診斷(其包括驗血)、醫學成像、電影膠片掃描、雷達干擾、高端圖像掃描器(稱為鼓式掃描器)或常規PMT的任何其他應用。
儘管本文公開各種方面和實施例，其他方面和實施例對於本領域內技術人員將變得明顯。本文公開的各種方面和實施例是為了說明目的而不意在為限制性的，其真正範圍和精神由下列權利要求指示。
200:PMT
201:透明電極
202:電子噴射器
203:靠蓋式晶圓
204:垂直電極
206:水平電極
208:孔
210:檢測器

Claims (27)

  1. 一種適合於檢測光子的光電倍增管(PMT)，該PMT包括：電子噴射器，其配置成用於回應於入射光子來發射一次電子；檢測器，其配置成用於收集電子並且提供代表該入射光子的輸出信號；在該電子噴射器與該檢測器之間的一系列垂直電極，其中該垂直電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，並且該垂直電極中的每個與使該電子噴射器和該檢測器連接的直線平行，其中該垂直電極懸掛在基板之孔中。
  2. 如申請專利範圍第1項之PMT，其中：該電子噴射器發射的一次電子作為入射電子施加到該系列的第一垂直電極；並且一個垂直電極發射的二次電子作為入射電子施加到該系列的下一個垂直電極，只是該系列的最後的垂直電極發射的二次電子作為入射電子施加到該檢測器。
  3. 如申請專利範圍第1項之PMT，其中該系列的垂直電極在該電子噴射器與該檢測器之間形成兩列電極，使得該一次和二次電子在該兩列電極之間朝該檢測器移動。
  4. 如申請專利範圍第1項之PMT，其進一步包括透明電極，該透明電極接合到該電子噴射器並且配置成用於施加電壓來將該一次電子朝該檢測器驅使。
  5. 如申請專利範圍第1項之PMT，其進一步包括在該電子噴射器與該檢測 器之間的一系列水平電極，其中該水平電極中的每個配置成用於施加電壓來將該二次電子朝該檢測器驅使。
  6. 如申請專利範圍第1項之PMT，其中該垂直電極中的每個包括MgO、鹼銻化物、鹼鹵化物、BeO、GaP、GaAsP、PbO或Cs2O。
  7. 如申請專利範圍第1項之PMT，其中該檢測器包括一個或多個電極和電連接到該一個或多個電極的放大器。
  8. 如申請專利範圍第1項之PMT，其具有下列中的至少一個：幾微米至幾百微米的長度；幾微米至幾百微米的寬度；以及幾微米至幾百微米的高度。
  9. 一種用於製作適合於檢測光子的PMT的方法，該方法包括：蝕刻襯底來形成該襯底的孔並且使該孔中的一系列垂直電極暴露，使得該垂直電極懸掛在該孔中；使檢測器接合到該孔的底部；以及使具有透明電極和電子噴射器的蓋式晶圓接合到該孔的頂部，使得該系列垂直電極在該電子噴射器與該檢測器之間，其中該電子噴射器配置成用於回應於入射光子來發射一次電子，該垂直電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，該垂直電極中的每個與使該電子噴射器和該檢測器連接的直線平行，並且 該檢測器配置成用於收集電子並且提供代表該入射光子的輸出信號。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中：該電子噴射器發射的一次電子作為入射電子施加到該系列的第一垂直電極；並且一個垂直電極發射的二次電子作為入射電子施加到該系列的下一個垂直電極，只是該系列的最後的垂直電極發射的二次電子作為入射電子施加到該檢測器。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該系列垂直電極在該電子噴射器與該檢測器之間形成兩列電極，使得該一次和二次電子在該兩列電極之間朝該檢測器移動。
  12. 如申請專利範圍第9項之方法，其進一步包括使透明電極接合到該電子噴射器，其中該透明電極配置成施加電壓來將該一次電子朝該檢測器驅使。
  13. 如申請專利範圍第9項之方法，其進一步包括在該電子噴射器與該檢測器之間形成一系列水平電極，其中該水平電極中的每個配置成施加電壓來將該二次電子朝該檢測器驅使。
  14. 如申請專利範圍第9項之方法，其進一步包括在該垂直電極上電鍍材料並且使該材料氧化。
  15. 一種適合於檢測光子的PMT陣列，其包括如申請專利範圍第1項之PMT的陣列。
  16. 如申請專利範圍第15項之PMT陣列，其進一步包括成像單元，該成像單元配置成用於基於該陣列中的不同PMT所檢測的光子的空間解析度來產生圖 像。
  17. 一種適合於檢測光子的PMT，該PMT包括：電子噴射器，其配置成回應於入射光子來發射一次電子；檢測器，其配置成用於收集電子並且提供代表該入射光子的輸出信號；以及在該電子噴射器與該檢測器之間的一系列電極，其中該電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，並且該電極中的每個包括雙金屬弧形板，其中該系列電極懸掛在基板之孔中。
  18. 如申請專利範圍第17項之PMT，其中：該電子噴射器發射的一次電子作為入射電子施加到該系列的第一電極；並且一個電極發射的二次電子作為入射電子施加到該系列的下一個電極，只是該系列的最後的電極發射的二次電子作為入射電子施加到該檢測器。
  19. 如申請專利範圍第17項之PMT，其中該雙金屬弧形板的至少一個層包括MgO、鹼銻化物、鹼鹵化物、BeO、GaP、GaAsP、PbO或Cs2O。
  20. 如申請專利範圍第17項之PMT，其具有下列中的至少一個：幾微米至幾百微米的長度；幾微米至幾百微米的寬度；以及幾微米至幾百微米的高度。
  21. 一種用於製作適合於檢測光子的PMT的方法，該方法包括：形成一系列電極，其包括襯底中的雙金屬板；蝕刻該襯底以在該襯底中形成孔並且使該系列電極暴露，該系列電極中的 每個在該孔內部，使得該系列電極懸掛在該孔中；使檢測器接合到該孔的底部；使具有透明電極和電子噴射器的蓋式晶圓接合到該孔的頂部，使得該系列的電極在該電子噴射器與該檢測器之間；並且其中該電子噴射器配置成用於回應於入射光子來發射一次電子，該電極中的每個配置成用於回應於入射電子來發射二次電子，並且該檢測器配置成用於收集電子並且提供代表該入射光子的輸出信號。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中：該電子噴射器發射的一次電子作為入射電子施加到該系列的第一電極；並且一個電極發射的二次電子作為入射電子施加到該系列的下一個電極，只是該系列的最後的電極發射的二次電子作為入射電子施加到該檢測器。
  23. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該雙金屬板的至少一個層包括MgO、鹼銻化物、鹼鹵化物、BeO、GaP、GaAsP、PbO或Cs2O。
  24. 一種適合於檢測光子的PMT陣列，其包括如申請專利範圍第17項之PMT的陣列。
  25. 如申請專利範圍第24項之PMT陣列，其進一步包括成像單元，該成像單元配置成用於基於該陣列中的不同PMT所檢測的光子的空間解析度來產生圖像。
  26. 一種適合於產生人眼看得見的圖像的夜視設備，該夜視設備包括： 如申請專利範圍第1項該的PMT，其中該PMT配置成用於檢測來自微弱光源的光子。
  27. 一種適合於產生人眼看得見的圖像的夜視設備，該夜視設備包括：如申請專利範圍第17項之PMT，其中該PMT配置成用於檢測來自微弱光源的光子。
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