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TWI698391B - 微機電系統壓力感測器及製造微機電系統壓力感測器的方法 - Google Patents

微機電系統壓力感測器及製造微機電系統壓力感測器的方法 Download PDF

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TWI698391B
TWI698391B TW105141083A TW105141083A TWI698391B TW I698391 B TWI698391 B TW I698391B TW 105141083 A TW105141083 A TW 105141083A TW 105141083 A TW105141083 A TW 105141083A TW I698391 B TWI698391 B TW I698391B
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sensing
pressure sensor
space
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陳東村
朱家驊
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

一種微機電系統(micro-electro mechanical system,MEMS)壓力感測器，包含第一基板、第二基板及感測結構。第二基板與第一基板大致平行。感測結構介於第一基板與第二基板之間，並接合第一基板的一部分及第二基板的一部分，其中介於第一基板與感測結構之間的第一空間與外部連通，且介於第二基板與感測結構之間的第二空間與外部連通或隔離。亦提供一種製造微機電系統壓力感測器的方法。

Description

微機電系統壓力感測器及製造微機 電系統壓力感測器的方法
本發明實施例是有關於一種微機電系統壓力感測器及製造微機電系統壓力感測器的方法。
一般而言，先形成壓力感測器晶片與感測電路晶片，再將兩者封裝在一起。然而用於晶片級與封裝級之形成深通孔的蝕刻製程是困難且昂貴的。深通孔之間的對準也是困難且昂貴的。
根據一些實施例，一種微機電系統(micro-electro mechanical system,MEMS)壓力感測器，包含第一基板、第二基板及感測結構。第二基板與第一基板大致平行。感測結構介於第一基板與第二基板之間，並接合第一基板的一部分及第二基板的一部分，其中介於第一基板與感測結構之間的第一空間與外部連通，且介於第二基 板與感測結構之間的第二空間與外部連通或隔離，其中第二基板包括：第一感測電路，其耦合到感測結構，並且第一感測電路設置用以測量感測結構的電位或電阻。
根據一些實施例，一種微機電系統壓力感測器，包含第一基板、第二基板及感測結構。第一基板包括第一突出周邊部分。第二基板與第一基板大致平行。感測結構位於第一基板與第二基板之間並且接合到第一基板的第一突出周邊部分，並且感測結構包括與第二基板接合的第二突出周邊部分，其中第二基板包括：第一感測電路，其耦合到感測結構，並且第一感測電路設置用以測量感測結構的電位或電阻。
根據一些實施例，一種製造微機電系統壓力感測器的方法，包括：將感測結構的一側上方的一部分接合到第一基板的一部分，以在第一基板與感測結構之間形成第一空間；以及將感測結構的一相對側的一部分接合到第二基板的一部分，以在第二基板與感測結構之間形成第二空間，其中第二基板包括第一感測電路，其耦合到感測結構，並且第一感測電路設置用以測量感測結構的電位或電阻。
110:第一基板
110a:第一空間
110b:通孔
1102:第一突出周邊部分
120:第二基板
120a:第二空間
122:塊狀基板
1222a:第一電晶體
1222b:第二電晶體
1222c:第三電晶體
124:互連及層間介電層
1242:導電層
1244a:第一感測電路
1244b:第二感測電路
1244c:第三感測電路
126:絕緣層
130:感測結構
1302:第二突出周邊部分
140:第一接觸墊
150:第二接觸墊
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
第1圖繪示根據本發明數個實施例之一種微機電系統(micro-electro mechanical system,MEMS)壓力 感測器的剖面示意圖。
第2圖繪示根據本發明數個實施例之一種微機電系統壓力感測器的剖面示意圖。
第3圖繪示根據本發明數個實施例之一種微機電系統壓力感測器的剖面示意圖。
第4圖繪示根據本發明數個實施例之一種微機電系統壓力感測器的剖面示意圖。
第5A-5C圖繪示根據本發明數個實施例之一種形成第1圖之微機電系統壓力感測器於各個階段的剖面示意圖。
以下提供本發明之多種不同的實施例或實例，以實現所提供之標的的不同技術特徵。下述具體實例的元件和設計用以簡化本發明實施例。當然，這些僅為示例，而非用以限定本發明實施例。舉例而言，說明書中揭示形成第一特徵結構於第二特徵結構之上方，其包括第一特徵結構與第二特徵結構形成而直接接觸的實施例，亦包括於第一特徵結構與第二特徵結構之間另有其他特徵結構的實施例，亦即，第一特徵結構與第二特徵結構並非直接接觸。此外，本發明實施例於各個實例中可能用到重複的參考符號及/或用字。這些重複符號或用字係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定各個實施例及/或所述結構之間的關係。
另外，空間相對用語，如「下」、「上」等， 是用以方便描述一元件或特徵與其他元件或特徵在圖式中的相對關係。這些空間相對用語旨在包含除了圖式中所示之方位以外，裝置在使用或操作時的不同方位。裝置可被另外定位(例如旋轉90度或其他方位)，而本文所使用的空間相對敘述亦可相對應地進行解釋。
如上所述，以前形成壓力感測器晶片及其封裝的方法是困難且昂貴的。因此，本揭露提供一種低成本製造的單片微機電系統(micro-electro mechanical system,MEMS)壓力感測器及其製造方法。此微機電系統壓力感測器亦與慣性感測器相容。微機電系統壓力感測器及其製造方法的實施例將於以下詳細描述。
第1圖繪示根據本發明數個實施例之一種微機電系統壓力感測器的剖面示意圖。微機電系統壓力感測器包含第一基板110、第二基板120及感測結構130。
第二基板120與第一基板110大致平行。用詞「大致平行」是指兩個長形構件彼此平行或幾乎平行。在一些實施例中，第一基板110及第二基板120中的每一者包含塊狀基板，例如矽基板或非矽基板。在一些實施例中，第一基板110或第二基板120包含元素半導體，包含矽或鍺的結晶、多晶及/或無定形結構；化合物半導體，包含碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦及/或銻化銦；合金半導體，包含矽鍺、磷砷化鎵、砷化鋁銦、砷化鋁鎵、砷化鎵銦、磷化鎵銦及/或磷砷化鎵銦；任何其他合適的材料；及/或其組合。在一些實施例中，第一基板110的平面尺寸(在上視 圖中)小於第二基板120的平面尺寸(在上視圖中)。
在一些實施例中，第一基板110為微機電系統基板。在一些實施例中，微機電系統基板包含塊狀基板(如矽基板)及磊晶層位於其上。在一些實施例中，微機電系統基板包含掩埋氧化物(buried oxide,BOX)層。在一些實施例中，微機電系統基板包含金屬，如鋁、銅、鈦、鉭、鎢、鉬、氮化鉭、矽化鎳、矽化鈷、氮化鈦、氮化鎢、鈦鋁、氮化鈦鋁、碳氮化鉭、碳化鉭、矽氮化鉭、金屬合金、任何其他合適的材料或其組合。位於微機電系統基板內之例示的金屬結構包含金屬線路、金屬觸點以及金屬層。在一些實施例中，第一基板110包含第一突出周邊部分1102。在一些實施例中，第一突出周邊部分1102在上視圖中為開放形狀(如U形)或封閉形狀(如矩形或圓形)。
在一些實施例中，第二基板120包含塊狀基板122(如矽基板)。在一些實施例中，第二基板120包含被動元件，如電阻器、電容器、電感器及/或熔斷器；主動元件，如P型通道場效電晶體(P-channel field effect transistors,PFETs)、N型通道場效電晶體(N-channel field effect transistors,NFETs)、互補金屬氧化物半導體電晶體(complementary metal-oxide-semiconductor transistors,CMOSs)、高電壓電晶體及/或高頻電晶體；其他合適的組件；及/或其組合。在一些實施例中，第二基板120包含第一電晶體1222a及第二電晶體1222b位於塊狀基板122的頂部。在一些實施例中，第一電晶體1222a與第 二電晶體1222b為CMOS電晶體，如PMOS電晶體及/或NMOS電晶體。
在一些實施例中，第二基板120包含積體電路，如儲存器單元、模擬電路、邏輯電路及/或混合信號電路。在一些實施例中，第二基板120包含互連及層間介電(inter-layer dielectric,ILD)層124。在一些實施例中，互連及層間介電層124包含與被動元件、主動元件或其組合相關連的互連(如金屬線及通孔)。在一些實施例中，互連及層間介電層124包含層間介電，其係由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、任何其他合適的材料或其組合所製成。
在一些實施例中，第二基板120包含導電層1242位於互連及層間介電層124的頂部，並面向感測結構130。在一些實施例中，導電層1242與感測結構130大致平行。在一些實施例中，導電層1242係由金屬或金屬化合物製成，例如鉬、鉻、鋁、釹、鈦、銅、銀、金、鋅、銦、鎵、任何其他合適的材料或其組合。
在一些實施例中，第二基板120更包含絕緣層126位於導電層1242上方。在一些實施例中，絕緣層126係由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、任何其他合適的材料或其組合所製成。在一些實施例中，絕緣層126設置用以防止導電層1242腐蝕。
在一些實施例中，第二基板120包含第一感測電路1244a及第二感測電路1244b位於互連及層間介電層124內。在一些實施例中，第一感測電路1244a及第二感測 電路1244b分別耦接感測結構130及導電層1242。在一些實施例中，第一感測電路1244a及第二感測電路1244b分別耦接第一電晶體1222a及第二電晶體1222b。因此，感測結構130的電位能夠藉由第一感測電路1244a及第一電晶體1222a測得，導電層1242的電位能夠藉由第二感測電路1244b及第二電晶體1222b測得。
感測結構130介於第一基板110與第二基板120之間，並接合第一基板110的一部分及第二基板120的一部分。在一些實施例中，感測結構130係由導電材料製成，如矽。在一些實施例中，感測結構130係由硬質導電材料製成。在一些實施例中，感測結構130包含第二突出周邊部分1302接合第二基板120。在一些實施例中，第二突出周邊部分1302在上視圖中為開放形狀(如U形)或封閉形狀(如矩形或圓形)。在一些實施例中，第一基板110的第一突出周邊部分1102大致對準感測結構130的第二突出周邊部分1302。在一些實施例中，第一突出周邊部分1102的上表面(未標示)大於或等於第二突出周邊部分1302的上表面(未標示)。
在一些實施例中，微機電系統壓力感測器包含第一接觸墊140及第二接觸墊150。在一些實施例中，第一接觸墊140及第二接觸墊150係由金屬、合金、半導體材料或其組合所製成。在一些實施例中，第一接觸墊140位於第二基板120的接合部分的上方。在一些實施例中，第一接觸墊140耦接或直接連接第一感測電路1244a。在一些實施例 中，第二接觸墊150介於感測結構130與第一接觸墊140之間。在一些實施例中，第二接觸墊150耦接或直接連接感測結構130。在一些實施例中，第一感測電路1244a透過第一接觸墊140及第二接觸墊150耦接感測結構130。在一些實施例中，第二接觸墊150位於第二突出周邊部分1302的上方。在一些實施例中，第一接觸墊140具有凸部(未標示)大致對準第二接觸墊150的凹部(未標示)。在一些實施例中，第一接觸墊140藉由共晶接合、擴散接合或任何其他合適的接合型態接合第二接觸墊150。在一些實施例中，共晶接合為鍺/鋁、鍺/金或矽/金。在一些實施例中，擴散接合為矽/鋁或矽/鈦。
在一些實施例中，介於第一基板110與感測結構130之間的第一空間110a與外部連通；亦即，第一空間110a為開放空間。在一些實施例中，第一基板110包含通孔110b貫穿第一基板110，而第一空間110a透過此通孔110b與外部連通。在一些實施例中，通孔110b面對感測結構130。在一些實施例中，第一空間110a設置用以容置具有未知壓力的測試氣氛。
在一些實施例中，介於第二基板120與感測結構130之間的第二空間120a與外部連通或隔離；亦即，第二空間120a為開放空間或封閉空間。在一些實施例中，如第1圖所示，第二空間120a與外部隔離。在一些實施例中，第二空間120a為真空狀態或容置具有已知壓力的氣氛。第一空間110a與第二空間120a之間的壓力差將會造成感測結構 130變形。第一空間110a的測試氣氛的未知壓力可由與感測結構130變形相關的特性參數(如電容或電阻)導出。
在一些實施例中，感測結構130、導電層1242及位於兩者之間的第二空間120a構成一電容器。在一些實施例中，第1圖的微機電系統壓力感測器為電容式微機電系統絕對壓力感測器。在一些實施例中，第一空間110a的測試氣氛的未知壓力係由此電容器的電容變化而得。在一些實施例中，第一感測電路1244a及第二感測電路1244b設置用以量測電容器的電容。
詳細而言，舉例來說，第一空間110a與第二空間120a的每一者具有已知壓力，而感測結構130具有初始變形，其具有初始間隙d0，其可稱為校正間隙。然後，第一空間110a連通具有未知壓力的測試氣氛，而第二空間120a仍然具有相同的已知壓力，感測結構130則具有間隙為d’的變形。電容變化=(第二空間120a的介電常數)×(感測結構130的平面面積)×(1/d’-1/d0)。第一空間110a的測試氣氛的未知壓力可藉由此電容變化、F=P/A及虎克定律計算而得。
第2圖繪示根據本發明數個實施例之一種微機電系統壓力感測器的剖面示意圖。第2圖與第1圖的差異在於，在第2圖中，第二基板120包含第三感測電路1244c耦接感測結構130，其設置用以量測感測結構130的電阻。在一些實施例中，第三感測電路1244c具有兩個端點(未標示)耦接感測結構130，且彼此分離。在一些實施例中，第一接 觸墊140耦接或直接連接第三感測電路1244c。在一些實施例中，第三感測電路1244c透過第一接觸墊140及第二接觸墊150耦接感測結構130。在一些實施例中，第二基板120包含第三電晶體1222c位於塊狀基板122的頂部，且耦接第三感測電路1244c。
在一些實施例中，第2圖的微機電系統壓力感測器為壓電式微機電系統絕對壓力感測器。在一些實施例中，第一空間110a的測試氣氛的未知壓力係由感測結構130的電阻變化而得。
詳細而言，舉例來說，第一空間110a與第二空間120a的每一者具有已知壓力，而感測結構130具有初始電阻R0。然後，第一空間110a連通具有未知壓力的測試氣氛，而第二空間120a仍然具有相同的已知壓力，感測結構130則具有電阻R’。電阻變化=R’-R0。第一空間110a的測試氣氛的未知壓力可藉由此電阻變化、F=P/A及虎克定律計算而得。
第3圖繪示根據本發明數個實施例之一種微機電系統壓力感測器的剖面示意圖。第3圖與第1圖的差異在於，第3圖的第二空間120a連通外部；亦即，第二空間120a為開放空間。在一些實施例中，第二空間120a連通具有已知壓力的氣氛。在一些實施例中，第一基板110的第一突出部分1102在上視圖中具有開口(如第3圖的第一空間110a的左側)；感測結構130的第二突出部分1302具有開口(如第3圖的第二空間120a的右側)。在一些實施例中，第二突 出部分1302的開口及第一突出部分1102的開口在上視圖中設置於不同側。在一些實施例中，第二突出部分1302的開口及第一突出部分1102的開口在上視圖中設置於相對側。
在一些實施例中，感測結構130、導電層1242及位於兩者之間的第二空間120a構成一電容器。在一些實施例中，第3圖的微機電系統壓力感測器為電容式微機電系統差別壓力感測器。類似於第1圖的電容式微機電系統絕對壓力感測器，第一空間110a的測試氣氛的未知壓力係由此電容器的電容變化而得。
詳細而言，舉例來說，第一空間110a與第二空間120a的每一者具有已知壓力，而感測結構130具有初始變形，其具有初始間隙d0，其可稱為校正間隙。然後，第一空間110a連通具有未知壓力的測試氣氛，而第二空間120a仍然具有相同的已知壓力，感測結構130則具有間隙為d’的變形。電容變化=(第二空間120a的介電常數)×(感測結構130的平面面積)×(1/d’-1/d0)。第一空間110a的測試氣氛的未知壓力可藉由此電容變化、F=P/A及虎克定律計算而得。
第4圖繪示根據本發明數個實施例之一種微機電系統壓力感測器的剖面示意圖。第4圖與第1圖的差異在於，在第4圖中，第二基板120包含第三感測電路1244c耦接感測結構130，其設置用以量測感測結構130的電阻。在一些實施例中，第三感測電路1244c具有兩個端點(一者如 圖所示，另一者圖未示)耦接感測結構130，且彼此分離。在一些實施例中，第一接觸墊140耦接或直接連接第三感測電路1244c。在一些實施例中，第三感測電路1244c透過第一接觸墊140及第二接觸墊150耦接感測結構130。在一些實施例中，第二基板120包含第三電晶體1222c位於塊狀基板122的頂部，且耦接第三感測電路1244c。
在一些實施例中，第4圖的微機電系統壓力感測器為壓電式微機電系統差別壓力感測器。類似於第2圖的壓電式微機電系統絕對壓力感測器，第一空間110a的測試氣氛的未知壓力係由感測結構130的電阻變化而得。
詳細而言，舉例來說，第一空間110a與第二空間120a的每一者具有已知壓力，而感測結構130具有初始電阻R0。然後，第一空間110a連通具有未知壓力的測試氣氛，而第二空間120a仍然具有相同的已知壓力，感測結構130則具有電阻R’。電阻變化=R’-R0。第一空間110a的測試氣氛的未知壓力可藉由此電阻變化、F=P/A及虎克定律計算而得。
第5A-5C圖繪示根據本發明數個實施例之一種形成第1圖之微機電系統壓力感測器於各個階段的剖面示意圖。需注意的是，下述方法的操作可改變或置換，以製造其他種類的微機電系統壓力感測器，如第2、3或4圖的微機電系統壓力感測器。
在一些實施例中，如第5A圖所示，收到或提供第一基板110。在一些實施例中，第一基板110包含第一突 出周邊部分1102。在一些實施例中，第一突出周邊部分1102係使用任何圖案化製程所形成，如微影與蝕刻製程、雷射鑽孔製程或任何其他合適的製程。在一些實施例中，第一突出周邊部分1102在上視圖中為開放形狀(如U形)或封閉形狀(如矩形或圓形)。
在一些實施例中，如第5A圖所示，收到或提供感測結構130。在一些實施例中，感測結構130包含第二突出周邊部分1302。在一些實施例中，第二突出周邊部分1302係使用任何圖案化製程所形成，如微影與蝕刻製程、雷射鑽孔製程或任何其他合適的製程。在一些實施例中，第二突出周邊部分1302在上視圖中為開放形狀(如U形)或封閉形狀(如矩形或圓形)。在一些實施例中，形成第二接觸墊150於感測結構130上方。在一些實施例中，第二接觸墊150係由金屬、合金或半導體材料製成。
如第5A圖所示，在感測結構130一側上方的一部分接合第一基板110的一部分(如第一突出周邊部分1102)，以形成介於第一基板110與感測結構130之間的第一空間110a。在一些實施例中，在感測結構130該側上方的該部分透過熱製程接合第一基板110的該部分。在一些實施例中，感測結構130與第一基板110的該部分之間為矽接合。在一些實施例中，第一空間110a與外部連通或隔離。
在一些實施例中，如第5B圖所示，收到第二基板120。在一些實施例中，第二基板120包含塊狀基板122。在一些實施例中，第二基板120包含電晶體位於塊狀基板 120內，如第一電晶體1222a及第二電晶體1222b。在一些實施例中，第二基板120包含互連及層間介電層124。在一些實施例中，第二基板120包含感測電路位於互連及層間介電層124內，如第一感測電路1244a及第二感測電路1244b。在一些實施例中，感測電路設置用以量測電容、電阻或任何其他合適的特性參數。在一些實施例中，形成第一接觸墊140於第二基板120上方。
在一些實施例中，如第5A及5B圖所示，反轉第一基板110及感測結構130，而位於感測結構130相對側上方的一部分(如第二突出周邊部分1302)接合第二基板120的一部分，以形成介於第二基板120與感測結構130之間的第二空間120a。在一些實施例中，位於感測結構130相對側上方的該部分透過熱製程接合第二基板120的該部分。在一些實施例中，第二接觸墊150透過熱製程接合第一接觸墊140。在一些實施例中，第二接觸墊150與第一接觸墊140之間為共晶結合，如鍺/鋁、鍺/金或矽/金，或為擴散結合，如矽/鋁或矽/鈦。在一些實施例中，第二空間120a與外部連通或隔離。
在一些實施例中，如第5B及5C圖所示，移除第一基板110的另一部分。第一基板110的此另一部分未與感測結構130重疊。因此，第一基板110的平面尺寸(在上視圖中)小於第二基板120的平面尺寸(在上視圖中)。在一些實施例中，藉由蝕刻或切割移除第一基板110的此另一部分。在一些實施例中，第一基板110具有用以蝕刻或切割的 溝槽(未繪示)。在一些實施例中，在感測結構130相對側上方的該部分接合第二基板120的該部分之後，移除第一基板110的此另一部分。
在一些實施例中，如第5C及1圖所示，形成通孔110b貫穿第一基板110。在一些實施例中，藉由進行蝕刻製程、雷射鑽孔製程或任何其他合適的移除製程，形成通孔110b。在一些實施例中，在感測結構130相對側上方的該部分接合第二基板的一部分之後，或在感測結構130該側上方的該部分接合第一基板110的該部分之前，形成通孔110b。
根據一些實施例，一種微機電系統壓力感測器，包含第一基板、第二基板及感測結構。第二基板與第一基板大致平行。感測結構介於第一基板與第二基板之間，並接合第一基板的一部分及第二基板的一部分，其中介於第一基板與感測結構之間的第一空間與外部連通，且介於第二基板與感測結構之間的第二空間與外部連通或隔離。
根據一些實施例，一種微機電系統壓力感測器，包含第一基板、第二基板及感測結構。第一基板包含第一突出周邊部分。第二基板與第一基板大致平行。感測結構介於第一基板與第二基板之間，並接合第一基板的第一突出周邊部分，且包含第二突出周邊部分接合第二基板。
根據一些實施例，一種製造微機電系統壓力感測器的方法，包含：接合感測結構一側上方的一部分至第一基板的一部分，以形成介於第一基板與感測結構之間的第一空間；以及接合感測結構相對側上方的一部分至第二基板的 一部分，以形成介於第二基板與感測結構之間的第二空間。
以上扼要地提及多種實施例的特徵，因此熟悉此技藝之人士可較好了解本發明實施例的各方面。熟悉此技藝之人士應意識到，為了落實相同的目的及/或達到在此提出的實施例的相同優點，其可輕易使用本發明實施例以做為設計或修改其他製程及結構的基礎。熟悉此技藝之人士亦應了解的是，這些均等的構造不背離本發明實施例之精神及範圍，以及其人可在此進行各種改變、取代、及替代而不背離本發明實施例之精神及範圍。
110:第一基板
110a:第一空間
110b:通孔
1102:第一突出周邊部分
120:第二基板
120a:第二空間
122:塊狀基板
1222a:第一電晶體
1222b:第二電晶體
124:互連及層間介電層
1242:導電層
1244a:第一感測電路
1244b:第二感測電路
126:絕緣層
130:感測結構
1302:第二突出周邊部分
140:第一接觸墊
150:第二接觸墊

Claims (10)

  1. 一種微機電系統(micro-electro mechanical system,MEMS)壓力感測器，包含：一第一基板；一第二基板，與該第一基板大致平行；以及一感測結構，介於該第一基板與該第二基板之間，並接合該第一基板的一部分及該第二基板的一部分，其中介於該第一基板與該感測結構之間的一第一空間與外部連通，且介於該第二基板與該感測結構之間的一第二空間與該外部連通或隔離，其中該第二基板包括：一第一感測電路，其耦合到該感測結構，並且該第一感測電路設置用以測量該感測結構的一電位或一電阻。
  2. 如請求項1所述的微機電系統壓力感測器，其中該第一基板包括穿過該第一基板並且面對該感測結構的一通孔。
  3. 如請求項1所述的微機電系統壓力感測器，其中該第二基板還包括面對該感測結構的一導電層。
  4. 如請求項3所述的微機電系統壓力感測器，其中該第二基板還包括在該導電層上方的一絕緣層。
  5. 如請求項3所述的微機電系統壓力感測 器，其中該第二基板還包括耦合至該導電層的一第二感測電路。
  6. 如請求項1所述的微機電系統壓力感測器，還包括：在該第二基板的該部分上方的一第一接觸墊；以及在該感測結構與該第一接觸墊之間的一第二接觸墊。
  7. 一種微機電系統壓力感測器，包括：一第一基板，包括一第一突出周邊部分；一第二基板，與該第一基板大致平行；以及一感測結構，位於該第一基板與該第二基板之間並且接合到該第一基板的該第一突出周邊部分，並且該感測結構包括與該第二基板接合的一第二突出周邊部分，其中該第二基板包括：一第一感測電路，其耦合到該感測結構，並且該第一感測電路設置用以測量該感測結構的一電位或一電阻。
  8. 如請求項7所述的微機電系統壓力感測器，其中該第一突出周邊部分具有一上表面大於或等於該第二突出周邊部分的一上表面。
  9. 一種製造微機電系統壓力感測器的方法，包括：將一感測結構的一側上方的一部分接合到一第一基板的一部分，以在該第一基板與該感測結構之間形成一第一 空間；以及將該感測結構的一相對側的一部分接合到該第二基板的一部分，以在該第二基板與該感測結構之間形成一第二空間，其中該第二基板包括一第一感測電路，其耦合到該感測結構，並且該第一感測電路設置用以測量該感測結構的一電位或一電阻。
  10. 如請求項9所述的方法，更包括形成一通孔貫穿該第一基板。
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