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TWI698038B - 薄膜封裝製造設備 - Google Patents

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TWI698038B
TWI698038B TW108106865A TW108106865A TWI698038B TW I698038 B TWI698038 B TW I698038B TW 108106865 A TW108106865 A TW 108106865A TW 108106865 A TW108106865 A TW 108106865A TW I698038 B TWI698038 B TW I698038B
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TW
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cluster
substrate
chamber
transfer chamber
layer
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TW108106865A
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TW201937777A (zh
Inventor
許明洙
尹泰承
李正浩
Original Assignee
南韓商三星顯示器有限公司
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Publication date
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Abstract

一種薄膜封裝製造設備包含：第一群集，用以藉由濺鍍製程而形成第一無機層於第一基板上，該第一基板上形成有發光單元；第二群集，用以藉由有機沈積製程而於自該第一群集傳送之該第一基板上形成第一有機層於該第一無機層上；第一連接模組，用以連接該第一群集與該第二群集，用以將形成有該第一無機層之該第一基板自該第一群集傳送至該第二群集，並用以以一非接觸方式冷卻該第一基板；以及一第三群集，用以藉由化學氣相沈積(CVD)製程或電漿增強化學氣相沈積(PECVD)製程而於自該第二群集傳送之該第一基板上形成一第二無機層於該第一有機層上。

Description

薄膜封裝製造設備 優先權聲明
本申請案主張於2013年8月27日在韓國智慧財產局提出申請之韓國專利申請案第10-2013-0102002號之優先權及權利，該韓國專利申請案之揭露內容以引用方式全文併入本文中。
發明之一或多個實施例係關於一種利用一薄膜封裝製造裝置之顯示裝置製造方法。
近來，行動電子裝置已得到廣泛使用。除緊湊型電子裝置(例如行動電話)之外，平板個人電腦(personal computer；PC)最近亦被廣泛地用作行動電子裝置。為提供各種功能，該等行動電子裝置包含一顯示設備以對使用者提供視覺資訊(例如影像)。近來，由於用於驅動顯示裝置之組件變得緊湊，因此顯示裝置佔電子裝置之一比例逐漸增大。亦已開發出一種可相對於一平面狀態彎曲成一角度(例如，成一預定角度)之顯示裝置。
具體而言，可利用多層薄膜來封裝一撓性顯示裝置之一發光單元，以延長該顯示裝置之壽命或使用壽命。在此種情形中，當前正在對封裝期間形成之封裝薄膜進行研究。
本發明之一或多個實施例之態樣係關於一種利用一薄膜封裝製造設備之顯示設備製造方法，該薄膜封裝製造設備能夠調整有機層及無機層之厚度並能保持(例如，均勻地保持)各種薄膜裝備之真空度(vacuum degree)。
本發明之其他態樣及特徵將在以下之說明中予以部分闡述，且該等態樣及特徵將藉由該說明而部分地變得顯而易見，抑或可藉由實踐所提供之實施例而得知。
根據本發明之一或多個實施例，一種製造一顯示設備之方法包含：藉由利用一濺鍍製程而形成一第一無機層於一第一基板上，該第一基板上形成有一發光單元；藉由以一非接觸方式吸收來自形成有該第一無機層之該第一基板所發出之輻射而冷卻該第一基板；藉由一有機沈積製程而形成一第一有機層於該第一無機層上；以及形成一第二無機層於該第一有機層上。
該第二無機層可在翻轉該第一基板之後形成。
該方法亦可包含：以該非接觸方式冷卻形成有該第一有機層之該第一基板。
該第一無機層、該第一有機層及該第二無機層可分別在一第一群集(cluster)之複數個第一製程腔室中、一第二群集之複數個第二製程腔室中以及一第三群集之複數個第三製程腔室中形成。
可確定該第一群集之該等第一製程腔室、該第二群集之該等第二製程腔室及該第三群集之該等第三製程腔室之一順序，並可根據所確定之該順序在該第一群集之該等第一製程腔室其中之一第一者、該第二群集之該等第二製程腔室其中之一第一者、及該第三群集之該等第三製程腔室其中之一第一者中分別形成該第一無機層、該第一有機層及該第二無機層。
該第一群集與該第二群集可藉由一第一連接模組相耦合，該第一連接模組用以將該第一基板自該第一群集傳送至該第二群集，且當傳送該第一基板時，該第一群集之內壓力與該第一連接模組之內壓力、或者該第一連接模組之內壓力與該第二群集之內壓力可實質上相同。
該第二群集與該第三群集可藉由一第二連接模組相耦合，該第二連接模組用以將該第一基板自該第二群集傳送至該第三群集，且當傳送該第一基板時，該第二群集之內壓力與該第二連接模組之內壓力、或者該第二連接模組之內壓力與該第三群集之內壓力可實質上相同。
冷卻該第一基板之該步驟、形成該第一有機層之該步驟以及形成該第二無機層之該步驟可依序執行，俾使該第一有機層與該第二無機層交替堆疊於該第一無機層上。
該第一無機層及該第一有機層可藉由向下沈積而形成，而該第二無機層可藉由向上沈積而形成。
在形成該第一無機層之該步驟之前，可經由一裝載群集(loading cluster)自外部接收形成有該第一有機層之該第一基板。
該第一基板可被一第二基板冷卻單元冷卻，而該第二基板冷卻單元與該第一基板間隔開，且該第二基板冷卻單元可包含：一第二冷卻板，與該 第一基板間隔開；以及一第二冷卻器，耦合至該第二冷卻板並冷卻該第二冷卻板。
可在該第二冷卻板中形成有一第二製冷劑通道，由該第二冷卻器所循環之一第二製冷劑係流經該第二製冷劑通道。
該方法可更包含：以該非接觸方式冷卻形成有該第一有機層之該第一基板。
該第二無機層可藉由一化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)製程或一電漿增強化學氣相沈積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)製程形成。
100、300、500:薄膜封裝製造設備
110:裝載群集
111:第一轉移腔室
112:裝載腔室
120、320、520:第一群集
121、321、521:第二轉移腔室
122、322、522:第一濺鍍腔室
123、323、523:第一遮罩儲存腔室
130、330、530:第二群集
131、331、531:第三轉移腔室
132、332、532:第一單體沈積腔室
133、333、533:第二遮罩儲存腔室
140、340、540:第三群集
141、341、541:第四轉移腔室
142、342、542:第一化學氣相腔室
143、343、543:第三遮罩儲存腔室
150:卸載群集
151:第五轉移腔室
152:卸載腔室
200、400、600:顯示設備
210、410、610:第一基板
220、420、620:發光單元
221:鈍化層
222:緩衝層
223:主動層
223a:源極區域
223b:通道區域
223c:汲極區域
224:閘極絕緣層
225:閘電極
226:層間絕緣層
227a:源電極
227b:汲電極
228a:畫素電極
228b:有機層
228c:相對電極
229:畫素界定層
230、430、630:封裝單元
231、431、631:第一無機層
232、432、632:第一有機層
233、433、633:第二無機層
360、560:第四群集
361、561:第六轉移腔室
362、562:第二單體沈積腔室
363、563:第四遮罩儲存腔室
370、570:第五群集
371、571:第七轉移腔室
372、572:第二化學氣相腔室
373、573:第五遮罩儲存腔室
434、634:第二有機層
435、635:第三無機層
580:第六群集
581:第八轉移腔室
582:第三單體沈積腔室
583:第六遮罩儲存腔室
590:第七群集
591:第九轉移腔室
592:第三化學氣相腔室
593:第七遮罩儲存腔室
636:第三有機層
637:第四無機層
M1:第一連接模組
M2:第二連接模組
M3:第三連接模組
M4:第四連接模組
M5:第五連接模組
M6:第六連接模組
P1:第一傳送腔室
P2:第二傳送腔室
P3:第三傳送腔室
P4:第四傳送腔室
P5:第五傳送腔室
P6:第六傳送腔室
P7:第七傳送腔室
P8:第八傳送腔室
P9:第九傳送腔室
P10:第十傳送腔室
P11:第十一傳送腔室
P12:第十二傳送腔室
P13:第十三傳送腔室
P14:第十四傳送腔室
P15:第十五傳送腔室
R2:第二基板冷卻單元
R2a:第二冷卻器
R2b:第二冷卻板
R2c:第二製冷劑循環通道
R3:第三基板冷卻單元
R3a:第三冷卻器
R3b:第三冷卻板
S:有機/無機層形成模組
S1:第一有機/無機層形成模組
S2:第二穿梭傳送裝置/第二有機/無機層形成模組
S3:第二穿梭傳送裝置/第三有機/無機層形成模組
T1:第一轉動模組腔室
T2:第二轉動模組腔室
T3:第三轉動模組腔室
T4:第四轉動模組腔室
T5:第五轉動模組腔室
T6:第六轉動模組腔室
T7:第七轉動模組腔室
TFT:薄膜電晶體
結合附圖閱讀以下對實施例之說明，該等及/或其他態樣及特徵將變得顯而易見且更易於理解，其中：第1圖係為根據本發明一實施例之一薄膜封裝製造設備之概念圖；第2圖係為利用第1圖所示薄膜封裝製造設備而製造之一顯示設備之剖視圖；第3圖係為第1圖所示一第二傳送腔室(conveyance chamber)之平面圖；第4圖係為第1圖所示第二傳送腔室之剖視圖；第5圖係為第1圖所示一第三傳送腔室之剖視圖；第6圖係為根據本發明另一實施例之一薄膜封裝製造設備之概念圖；第7圖係為利用第6圖所示薄膜封裝製造設備而製造之一顯示設備之剖視圖； 第8圖係為根據本發明再一實施例之一薄膜封裝製造設備之概念圖；以及第9圖係為利用第8圖所示薄膜封裝製造設備而製造之一顯示設備之剖視圖。
現在，將詳細地參照各實例性實施例，其實例被例示於附圖中，其中通篇中相同之參考編號指示相同之元件。在此種情形中，所呈現之實施例可具有不同形式，而不應被視為僅限於本文中所述之說明。因此，以下參照圖式僅對該等實施例進行闡述以闡釋本發明之態樣。本文所用用語僅係用於描述特定實例性實施例，而並非旨在限制本發明。除非上下文中清楚地另外指明，否則本文所用之單數形式「一(a、an)」及「該(the)」旨在亦包含複數形式。更應理解，當在本說明書中使用用語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」時，係用於指明所述特徵、整數、操作、元件、及/或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、操作、元件、組件及/或其群組之存在或添加。應理解，儘管本文中可能使用用語「第一」、「第二」、「第三」等來描述各種元件、組件、區域、層及/或區段，然而該等元件、組件、區域、層、及/或區段不應受限於該等用語。該等用語僅係用於區分各個元件、組件、區域、層或區段。本文中所用之用語「及/或」包含相關列出項其中之一或多個項之任意及所有組合。例如「至少其中之一(at least one of)」等表達當位於一系列元件之前時，係修飾整個系列之元件而非修飾該系列之單個元件。此外，當使用「可(may)」來描述本發明之實施例時，係指「本發明之一或多個實施例」。
第1圖係為根據本發明一實施例之一薄膜封裝製造設備100之概念圖。第2圖係為利用第1圖所示薄膜封裝製造設備100而製造之一顯示設備200之剖視圖。第3圖係為第1圖所示一第二傳送腔室P2之平面圖。第4圖係為第1圖所示第二傳送腔室P2之剖視圖。第5圖係為第1圖所示一第三傳送腔室P3之剖視圖。
參照第1圖至第5圖，薄膜封裝製造設備100可包含一裝載群集110、一第一傳送腔室P1、一第一群集120、一第一連接模組M1、一第二群集130、一第二連接模組M2、一第一轉動模組腔室T1、一第三群集140、一第二轉動模組腔室T2、一第四傳送腔室P4、及一卸載群集150。
裝載群集110可自外部接收形成有一發光單元220之一第一基板210，並將形成有發光單元220之第一基板210供應至第一群集120。舉例而言，可將形成有包含一有機發光裝置(organic light-emitting device；OLED)之發光單元220之第一基板210供應至裝載群集110，該有機發光裝置將在下文進行闡述。發光單元220上可形成一鹵化金屬層，該鹵化金屬層例如包含將在下文予以進一步闡述之氟化鋰(lithium fluoride；LiF)。
裝載群集110可包含一裝載腔室112，裝置腔室112自外部接收(例如，用以接收)形成有發光單元220之第一基板210，並儲存(例如，用以儲存)第一基板210。舉例而言，裝載群集110可包含複數個裝載腔室112。各該裝載腔室112可儲存形成有發光單元220之第一基板210。裝載腔室110可更包含連接至裝載腔室112之一第一轉移腔室(transfer chamber)111。該等裝載腔室112可各自連接至第一轉移腔室111。
第一傳送腔室P1可連接裝載群集110與第一群集120。在此種情形中，第一傳送腔室P1可將形成有發光單元220之第一基板210自裝載群集110傳送(例如，用以傳送)至第一群集120。在此種情形中，第一傳送腔室P1可包含一第一基板冷卻單元。該第一基板冷卻單元可例如以一非接觸方式冷卻自裝載群集110傳送至第一群集120之第一基板210。
第一基板冷卻單元可包含一第一冷卻板及一第一冷卻器，該第一冷卻板係被安裝成與第一基板210相間隔(例如，間隔開)，且該第一冷卻器冷卻(例如，用以冷卻)該第一冷卻板。舉例而言，第一冷卻板可設置於第一基板210上方並與第一基板210間隔開。在此種情形中，該第一冷卻器可在該第一冷卻板內或經由該第一冷卻板循環一第一製冷劑，以使該第一冷卻板之一表面溫度下降或降低。在此種情形中，第一基板冷卻單元可以相同或類似於一第二基板冷卻單元R2(參照第3圖)之方式而形成，並可包含於或可不包含於第一傳送腔室P1中，第二基板冷卻單元R2將在下文予以進一步闡述。為便於闡釋起見，以下將詳細闡述其中第一基板冷卻單元不包含於第一傳送腔室P1中之一實例性實施例。
第一群集120可包含一第二轉移腔室121。第一群集120可包含一第一濺鍍腔室122，第一濺鍍腔室122連接至第二轉移腔室121並可係為用於執行(例如，用以執行)一濺鍍製程之一第一製程腔室。在此種情形中，第一群集120可包含複數個第一濺鍍腔室122。各該第一濺鍍腔室122可連接至第二轉移腔室121。舉例而言，各該第一濺鍍腔室122可執行將一第一無機層231沈積於形成有發光單元220之第一基板210上之一製程。
第一群集120可另外包含一第一遮罩儲存腔室123，第一遮罩儲存腔室123儲存(例如，用以儲存)一用於濺鍍製程(例如，濺鍍製程所需)之遮罩。在此種情形中，第一遮罩儲存腔室123可將其中儲存之遮罩供應(例如，自動地供應或可用以供應)至第一濺鍍腔室122。
第一連接模組M1可包含第二傳送腔室P2。在此種情形中，第二傳送腔室P2可連接第一群集120與第二群集130，並可將形成有發光單元220之第一基板210自第一群集120傳送至第二群集130。
第二傳送腔室P2可包含一第二穿梭傳送裝置S2(參照第3圖)以用於傳送形成有發光單元220之第一基板210。第二穿梭傳送裝置S2可在第二傳送腔室P2中執行(例如，用以執行)直線運動，以將形成有發光單元220之第一基板210自第一群集120傳送至第二群集130。
第一連接模組M1可包含安裝於第二傳送腔室P2中之第二基板冷卻單元R2(參照第3圖)。第二基板冷卻單元R2可被安裝成與第二穿梭傳送裝置S2相間隔(例如，間隔開)(例如，間隔開一預定間隙)。舉例而言，第二基板冷卻單元R2可包含安裝於第二傳送腔室P2中之一第二冷卻板R2b。在此種情形中，第二冷卻板R2b可被安裝成與形成有發光單元220並放置於第二穿梭傳送裝置S2上或放置於第二穿梭傳送裝置S2中之第一基板210間隔(例如，間隔開)一間隙(例如，一預定間隙)。舉例而言，第二冷卻板R2b與形成有發光單元220之第一基板210間之一距離可小於約20毫米。在此種情形中，當第二冷卻板R2b與形成有發光單元220之第一基板210間之距離超過約20毫米時，冷卻效率可能會降低(例如，可能會迅速降低)，進而可在形成一第一有機層232時影響第一有機層232之品質。
第二冷卻板R2b可由於自下文所將進一步闡述之一第二冷卻器R2a所供應之一第二製冷劑之循環而得到冷卻。被冷卻之第二冷卻板R2b可與形成有發光單元220之第一基板210進行熱量交換(即，可冷卻第一基板210)。舉例而言，第二冷卻板R2b可由一金屬材料(例如，銅)形成。第二冷卻板R2b之一表面可塗覆有一黑體材料(black body material)。在此種情形中，該黑體材料可例如包含石墨(graphite)或氧化鋯(zirconium oxide)。然而，第二冷卻板R2b並非僅限於此，而是可包含所有材料及/或可包含用於吸收輻射能之一黑體材料。
第二製冷劑可包含各種元素。舉例而言，第二製冷劑可包含一惰性氣體，例如氦氣(helium)、氬氣(argon)、二氧化碳、氮氣(nitrogen)等。
第二冷卻板R2b之一面積(例如，一表面積)可相同於或不同於第一基板210之面積。舉例而言，第二冷卻板R2b之面積可大於第一基板210之面積。在此種情形中，第二冷卻板R2b可完全覆蓋或包圍第一基板210，因此，第二冷卻板R2b與第一基板210可更有效地進行熱量交換(例如，第一基板210可被有效地冷卻)。
第二基板冷卻單元R2可包含連接至第二冷卻板R2b之第二冷卻器R2a。在此種情形中，第二冷卻器R2a可利用第二製冷劑來冷卻第二冷卻板R2b。舉例而言，一第二製冷劑循環通道R2c可形成於第二冷卻板R2b中，俾使第二製冷劑可穿過其中進行循環。舉例而言，第二製冷劑循環通道R2c可係為一用於使第二製冷劑在第二冷卻板R2b中或圍繞第二冷卻板R2b進行循環之一空間，並可連接至第二冷卻器R2a。一單獨之管道可安裝於第二冷卻板R2b中。
第一連接模組M1可包含複數個第二基板冷卻單元R2。第二基板冷卻單元R2可被安裝成彼此間隔(例如，間隔開)一間隙(例如，一預定間隙)。舉例而言，各第二基板冷卻單元R2可安裝於一個平面上並彼此間隔(例如，間隔開)。該等第二冷卻器R2a可分別連接至該等第二冷卻板R2b，俾使第二製冷劑可被供應至第二冷卻板R2b並在第二冷卻板R2b中或圍繞第二冷卻板R2b進行循環。
第二群集130可包含一第三轉移腔室131，第三轉移腔室131用於儲存(例如，臨時儲存)經由第二傳送腔室P2傳送之形成有發光單元220之第一基板210。第二群集130可包含一第一單體沈積腔室132，第一單體沈積腔室132連接至第三轉移腔室131，並係為執行(例如，用以執行)一有機沈積製程之一第二製程腔室。在此種情形中，第二群集130可包含複數個第一單體沈積腔室132。各該第一單體沈積腔室132可連接(例如，徑向連接)至第三轉移腔室131。舉例而言，在第一單體沈積腔室132中，第一有機層232可形成於第一無機層231上。如上所述，用於形成第一有機層232之有機沈積製程可利用各種製程行為。舉例而言，有機沈積製程可包含閃蒸(flash evaporation)。
第二群集130可包含一第二遮罩儲存腔室133，第二遮罩儲存腔室133儲存(例如，用以儲存)欲在各該第一單體沈積腔室132中使用(例如，所需要)之一遮罩。在此種情形中，第二遮罩儲存腔室133可儲存複數個遮罩，並可供應欲在各該第一單體沈積腔室132中使用(例如，所需要)之遮罩。
同時，第二連接模組M2可安裝於第二群集130與第三群集140之間。在此種情形中，第二連接模組M2可包含第三傳送腔室P3及第一轉動模組腔室T1。在此種情形中，第三傳送腔室P3將形成有發光單元220之第一基板210自 第二群集130傳送(例如，用以傳送)至第一轉動模組腔室T1，且第一轉動模組腔室T1可形成為一翻轉(flip)腔室以對準並反轉(例如，用以對準並反轉)形成有發光單元220之第一基板210。舉例而言，形成有發光單元220之第一基板210可被製備成在第一群集120及第二群集130中執行向下沈積，並接著藉由在第一轉動模組腔室T1中反轉形成有發光單元220之第一基板210並且將第一基板210供應至第三群集140而在第三群集140中執行向上沈積。在此種情形中，向下沈積包含一如下製程：將形成於第一基板210上之發光單元220放置成面向每一腔室之一底面，自每一腔室之一底側朝其一頂側移動一沈積材料，並將該沈積材料沈積至發光單元220上；而向上沈積製程則包含一如下製程：將形成於第一基板210上之發光單元220設置成面向每一腔室之一頂面，自每一腔室之頂側朝其底側移動沈積材料，並將該沈積材料沈積至發光單元220上。
第二連接模組M2可包含一第三基板冷卻單元R3(參照第5圖)，第三基板冷卻單元R3用於冷卻自第二群集130抽取出(例如，移出)並被傳送至第三群集140之第一基板210。在此種情形中，第三基板冷卻單元R3可安裝於第三傳送腔室P3及第一轉動模組腔室T1至少其中之一中。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中第三基板冷卻單元R3係被安裝於第三傳送腔室P3中之一實例性實施例。
在此種情形中，第三基板冷卻單元R3及第三傳送腔室P3可以相同或類似於以上所述之第二基板冷卻單元R2及第二傳送腔室P2之方式形成。舉例而言，第三基板冷卻單元R3可包含一第三冷卻板R3b，第三冷卻板R3b係被安裝成與形成有發光單元220並放置於第三傳送腔室P3之一第三穿梭傳送裝置S3上之第一基板210間隔(例如，間隔開)一間隙(例如，一預定間隙)；且一第三 冷卻器R3a可連接至第三冷卻板R3b。在此種情形中，第三冷卻板R3b及第三冷卻器R3a係分別相同於或類似於以上所述之第二冷卻板R2b及第二冷卻器R2a，故此處將不再對其予以贅述。
第三群集140可包含連接至第一轉動模組腔室T1之一第四轉移腔室141。在此種情形中，第四轉移腔室141可包含一第一化學氣相腔室142，第一化學氣相腔室142係為用於設置或形成(例如，堆疊)一第二無機層233之一第三製程腔室。舉例而言，第四轉移腔室141可包含複數個第一化學氣相腔室142。各該第一化學氣相腔室142可安裝(例如，徑向安裝)於第四轉移腔室141處，並彼此間隔(例如，間隔開)(例如，間隔開一預定間隙)。
第二無機層233可例如藉由一般化學氣相沈積(CVD)或電漿增強化學氣相沈積(PECVD)而形成於第一化學氣相腔室142中。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中第二無機層233利用一般化學氣相沈積而形成於第一化學氣相腔室142中之一實例性實施例。
第三群集140可被安裝成連接至第四轉移腔室141，並可包含一第三遮罩儲存腔室143，第三遮罩儲存腔室143用於供應欲在第一化學氣相腔室142中使用(例如，所需要)之遮罩。在此種情形中，第三遮罩儲存腔室143可儲存用於製程(例如，製程所需)之遮罩，並接著將該等遮罩供應至其中執行該等製程之各該第一化學氣相腔室142。
同時，第二轉動模組腔室T2可連接至如上所述形成之第三群集140。舉例而言，第二轉動模組腔室T2可連接至第四轉移腔室141，並可反轉(例如，翻轉)並且傳送形成有發光單元220之第一基板210。舉例而言，第二轉動模組腔室T2可係為類似於以上所述之第一轉動模組腔室T1之一翻轉腔室。
第四傳送腔室P4可連接至第二轉動模組腔室T2。第四傳送腔室P4可將形成有發光單元220且已完成一薄膜封裝製程之第一基板210傳送至卸載群集150。
卸載群集150可包含一第五轉移腔室151。卸載群集150可連接至第五轉移腔室151並包含一卸載腔室152，卸載腔室152用於將自第五轉移腔室151傳送並且形成有發光單元220之第一基板210移出(例如，載送出)至外部。在此種情形中，卸載群集150可包含複數個卸載腔室152。卸載腔室152可安裝(例如，徑向安裝)於第五轉移腔室151處。
以下，將詳細闡述一種利用薄膜封裝製造設備100來執行薄膜封裝製程之方法及顯示設備200。
顯示設備200可具有(例如，形成為)各種形式。舉例而言，顯示設備200可包含一液晶顯示(liquid crystal display；LCD)設備、一電漿顯示設備、一有機發光顯示設備等。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中顯示設備200包含有機發光顯示設備之一實例性實施例。
可形成發光單元220於第一基板210上。在此種情形中，發光單元220可包含一薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)。可形成一鈍化層221於發光單元220中以覆蓋該薄膜電晶體。可形成有機發光裝置於鈍化層221上。
第一基板210可由一玻璃材料形成，但並非僅限於此，而是亦可由一塑膠材料或一金屬材料(例如不銹鋼(SUS)或鈦(titanium；Ti))形成。
可更形成由一有機化合物及/或無機化合物形成之一緩衝層222於第一基板210之一上表面上，且緩衝層222可由例如氧化矽(silicon oxide；SiOx(x
Figure 108106865-A0305-02-0015-1
1))或氮化矽(silicon nitride；SiNx(x
Figure 108106865-A0305-02-0015-2
1))形成。
可形成排列成一圖案(例如，一預定圖案)之一主動層223於緩衝層222上，並接著由一閘極絕緣層224覆蓋(例如，掩埋)主動層223。主動層223包含一源極區域223a及一汲極區域223c，且更在源極區域223a與汲極區域223c之間包含一通道區域223b。在此種情形中，主動層223可由非晶矽形成，但並非僅限於此，而是亦可由氧化物半導體形成。舉例而言，該氧化物半導體可包含由一如下材料形成之氧化物：該材料選自由12族金屬元素、13族金屬元素及14族金屬元素(例如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)、鉿(Hf)及該等金屬元素之一組合)組成之群組。舉例而言，由一半導體形成之主動層223可包含G-I-Z-O[a(In2O3)b(Ga2O3)c(ZnO)](a、b及c係為滿足條件a
Figure 108106865-A0305-02-0016-3
0、b
Figure 108106865-A0305-02-0016-4
0及c
Figure 108106865-A0305-02-0016-5
0之實數)。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中主動層223係由非晶矽形成之一實例性實施例。
可藉由以下方式來形成主動層223：形成一非晶矽層於緩衝層222上；使非晶矽層結晶；形成一多晶矽層；以及圖案化該多晶矽層。主動層223可包含源極區域223a及汲極區域223c，源極區域223a及汲極區域223c係根據一薄膜電晶體類型(例如一驅動薄膜電晶體或一開關薄膜電晶體)而摻雜雜質。
可形成與主動層223對應之一閘電極225及覆蓋閘電極225之一層間絕緣層226於閘極絕緣層224上。
在層間絕緣層226及閘極絕緣層224中形成一接觸孔之後，可形成一源電極227a及一汲電極227b於層間絕緣層226上，以分別接觸源極區域223a及汲極區域223c。
同時，由於與如上所述之源電極/汲電極227a及227b之形成同時地形成一反射層，因此源電極/汲電極227a及227b可由具有一厚度之可發生光反射 之導電性(例如，高導電性)材料來形成。源電極/汲電極227a及227b可由一如下金屬材料形成：例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)或該等金屬元素之一化合物。
可形成鈍化層221於如上所述形成之薄膜電晶體及反射層上。形成有機發光裝置之一畫素電極228a於鈍化層221上。畫素電極228a經由形成於鈍化層221中之一通孔(via hole)而接觸薄膜電晶體之汲電極227b。鈍化層221可由一無機材料及/或一有機材料形成，並可形成為一單層結構或包含至少兩層之一結構，並且可被形成為一平坦化層，以使無論一下層之彎曲或形狀如何，該平坦化層之一上表面皆被平坦化，而鈍化層221可沿(例如，對應於)該下層之彎曲而彎曲。鈍化層221可由一透明絕緣材料形成以達成諧振效應(例如，光學諧振)。
在形成畫素電極228a於鈍化層221上之後，可由一有機材料及/或一無機材料形成一畫素界定層229以覆蓋畫素電極228a及鈍化層221並使畫素界定層229開口以暴露出畫素電極228a。
至少於畫素電極228a上形成一有機層228b及一相對電極228c。
畫素電極228a可用作一陽極，且相對電極228c可用作一陰極，然而，畫素電極228a與相對電極228c之極性可互換。
畫素電極228a可由具有一高功函數(high work function)之一材料例如一透明半導體(例如，氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化銦(indium oxide；In2O3)及氧化鋅(zinc oxide；ZnO))形成。
相對電極228c可由一金屬(例如銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣或該等金屬元素之一化合物)形成；舉例而言，相對電極228c可由具有一小厚度之鎂、銀或鋁形成以作為一半透反射層(semi-transmissive reflective layer)，俾使在產生光學諧振之後光可透射過其中。
畫素電極228a與相對電極228c係藉由有機層228b而彼此絕緣，俾使藉由對有機層228b施加具有相反極性之電壓而自一有機發光層發出光。
有機層228b可包含有機發光層。在此種情形中，有機層228b可由一低分子有機層或一聚合物有機層形成。當有機層228b係由一低分子層形成時，有機層228b可具有一如下結構：除一發光層(emission layer；EML)之外，一電洞注入層(hole injection layer；HIL)、一電洞傳輸層(hole transport layer；HTL)、一電子傳輸層(electron transport layer；ETL)及一電子注入層(electron injection layer；EIL)被堆疊成一單層結構或多層結構，並可使用各種有機材料，例如銅酞青(CuPc)、N,N’-二(1-萘基)-N,N'-聯苯二胺(NPB)、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等。該等低分子有機層可藉由利用真空沈積而形成。在此種情形中，電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層係為可共同施加至紅色畫素、綠色畫素及藍色畫素之共用層。因此，該等共用層可如相對電極228c一樣被形成以覆蓋全部畫素。
當有機層228b係由一聚合物有機層形成時，該聚合物有機層可由電洞傳輸層及發光層形成。在此種情形中，聚(3,4-乙撐二氧噻吩)(PEDOT)可被用作電洞傳輸層，且一聚合物有機材料(例如聚苯撐乙烯(polyphenylene vinylene)系材料或聚芴(polyfluorene)系材料)被用作發光層，該發光層可藉由利用絲網印刷(screen printing)、噴墨印刷(inkjet printing)、一精細金屬遮 罩(fine metal mask)製程、一雷射熱傳遞(laser thermal transfer)製程或類似方式而形成。
同時，如上所述之發光層可具有(例如，形成為)各種形式。舉例而言，可在每一子畫素中形成一藍色發光層、一綠色發光層及一紅色發光層以形成一單個單位畫素。此外，除如上所述之藍色發光層、綠色發光層及紅色發光層之外，其他顏色之發光層亦可形成於一子畫素中。舉例而言，除藍色發光層、綠色發光層及紅色發光層之外，可層疊(例如，堆疊)藍色發光層、綠色發光層及紅色發光層來形成一白色發光層作為一子畫素以形成一單個單位畫素。
此外，儘管以上闡述了在每一畫素中由一額外發光材料形成之發光層，然而本發明並非僅限於此。發光層可共同形成於全部畫素中而無論畫素位置如何。在此種情形中，發光層可藉由垂直地堆疊或混合包含例如發出紅色光、綠色光及藍色光之一發光材料之層而形成。只要發出白光，亦可使用其他顏色之一組合。可更包含用於將所發出之白光轉換成一種顏色(例如，一預定顏色)之一顏色轉換層或一濾色器。
有機層228b並不僅限於此，而是亦可應用有機層228b之其他各種實例。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中一藍色發光層、一綠色發光層及一紅色發光層被形成為一子畫素以形成一單個單位畫素之一實例性實施例。
同時，在製備形成有發光單元220之第一基板210之後，可在第一基板210進入薄膜封裝製造設備100時形成一封裝單元230。在此種情形中，可藉由堆疊(例如，依序堆疊)如上所述之第一無機層231、第一有機層232、及第二無機層233而形成封裝單元230。
舉例而言，第一有機層232可由一聚合物形成，且亦可係為由例如聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚醯亞胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、環氧樹脂(epoxy)、聚乙烯(polyethylene)、及聚丙烯酸酯(polyacrylate)其中之一形成之一單層或多層(例如，疊層)。第一有機層232亦可由聚丙烯酸酯形成；舉例而言，第一有機層232可包含含有二丙烯酸酯(diacrylate)單體或三丙烯酸酯(triacrylate)單體之聚合單體組成物。該單體組成物可更包含單丙烯酸酯(monoacrylate)單體。該單體組成物可更包含一合適之光起始劑(例如，熱塑性聚烯烴(thermoplastic polyolefin；TPO)，但並非僅限於此。
第一無機層231及第二無機層233可係為包含一金屬氧化物或一金屬氮化物之單層或疊層。舉例而言，第一無機層231及第二無機層233可包含氮化矽(例如，SiNx)、氧化鋁(例如，Al2O3)、氧化矽(例如，SiO2)、及氧化鈦(例如，TiO2)其中之一。在此種情形中，第二無機層233可被形成為或用以防止或減少濕氣滲透至發光單元220中。
同時，發光單元220與第一無機層231之間可更包含例如含有氟化鋰(例如，LiF)之鹵化金屬層。鹵化金屬層可防止或減少在利用一濺鍍製程形成第一無機層231時對發光單元220造成損壞。
第一有機層232可小於第二無機層233(例如，可具有一小於第二無機層233之表面積)。在此種情形中，第一有機層232可被第二無機層233覆蓋(例如，完全覆蓋)。
一種形成如上所述之封裝單元230之方法亦可包含：將形成有發光單元220之第一基板210裝載至裝載腔室112中。在此種情形中，可利用各種裝 載方法。舉例而言，可將形成有發光單元220之第一基板210裝載至一卡匣(cassette)中，隨後可將該卡匣裝載至裝載腔室112中。亦可藉由一傳送單元(例如，一外部機械手臂)將形成有發光單元220之第一基板210供應或移動至裝載腔室112中。
同時，可將如上所述所供應之第一基板210自裝載腔室112供應或移動至第一轉移腔室111。在此種情形中，可將一機械手臂或類似物安裝於第一轉移腔室111中以用於移動第一基板210。舉例而言，在將第一基板210自裝載腔室112傳送至第一轉移腔室111之前，可將裝載腔室112之或中之壓力與第一轉移腔室111之或中之壓力控制成實質上彼此相等(例如，可使該等壓力相等)。
可再次將如上所述被傳送至第一轉移腔室111之第一基板210自第一轉移腔室111傳送至第一傳送腔室P1。在此種情形中，當傳送第一基板210時，可將第一轉移腔室111之內壓力與第一傳送腔室P1之內壓力控制成一致的(例如，可使該等內壓力相等)。
在其中第一基板冷卻單元被安裝於第一傳送腔室P1中之一實例性實施例中，可例如由第一基板冷卻單元以一非接觸方式冷卻已進入第一傳送腔室P1之第一基板210。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中未安裝第一基板冷卻單元之一實例性實施例，亦即，第一基板210經由第一傳送腔室P1而被供應至第一群集120而不冷卻第一基板210之情形。
第一傳送腔室P1可將第一基板210傳送至第一群集120之第二轉移腔室121。在此種情形中，當傳送第一基板210時，可使第一傳送腔室P1之內壓力與第二轉移腔室121之內壓力保持實質上一致(例如，可使該等內壓力相等)。
可將如上所述被傳送之第一基板210自第二轉移腔室121裝載至該等第一濺鍍腔室122其中之一者中。在此種情形中，可確定(例如，預先確定或預確定)該等第一濺鍍腔室122中裝載有第一基板210之該一者。舉例而言，可在一個方向上確定第一濺鍍腔室122之一次序或一順序(例如，可根據第一群集120上之一位置來確定每一濺鍍腔室122之次序或順序)。可給予各該第一濺鍍腔室122或第一基板210一身份標識(identification；ID)。然而，一種確定各第一濺鍍腔室122之次序或順序之方法並不僅限於此，而是可以各種方式進行確定。為便於說明起見，以下將闡述其中在一個方向上確定次序之一實例性實施例。
可將第一基板210裝載至該等第一濺鍍腔室122其中之一第一者中，該一者之次序或順序係根據給予各該第一濺鍍腔室122或第一基板210之一身份標識來確定。舉例而言，可將第一基板210裝載至第一濺鍍腔室122中之該一者中，俾使第一基板210之身份標識與該一個第一濺鍍腔室122之次序或順序彼此對應或彼此一致。
同時，當如上所述利用濺鍍製程來形成第一無機層231時，可將濺鍍製程中所用之遮罩自第一遮罩儲存腔室123傳送至欲在其中執行該濺鍍製程之第一濺鍍腔室122。在此種情形中，可使該等遮罩進入或儲存於複數個第一遮罩儲存腔室123至少其中之一中。舉例而言，可將該等遮罩進入之一次序確定成使得先於第一基板210進入第一濺鍍製程122(例如，在第一基板210進入第一濺鍍製程122之前)而將該等遮罩傳送至欲在其中執行濺鍍製程之第一濺鍍腔室122。然而本發明並非僅限於此，而是該等遮罩可與第一基板210一同(例如，同時)進入。
同時，在第一基板210進入該等第一濺鍍腔室122其中之一後，該一個第一濺鍍腔室122可將第一無機層231形成於發光單元220上。在此種情形中，第一無機層231可與以上所述之第一無機層相同或類似，故此處將不再對其予以贅述。
當如上所述形成(例如，完全形成)第一無機層231時，隨後可將第一基板210自第一濺鍍腔室122傳送至第二轉移腔室121。在此種情形中，可將第一濺鍍腔室122之壓力與第二轉移腔室121之壓力控制成實質上相同或相等。
第二轉移腔室121可將形成有第一無機層231之第一基板210傳送至第二傳送腔室P2。在此種情形中，可藉由例如機械手臂而將第一基板210傳送至第二穿梭傳送裝置S2。舉例而言，可將第一基板210自第二轉移腔室121傳送至第二傳送腔室P2，同時使第二轉移腔室121之內壓力與第二傳送腔室P2之內壓力保持一致或實質上相等。
在第一基板210之傳送期間，可由第二基板冷卻單元R2在第二傳送腔室P2中冷卻第一基板210。舉例而言，當將第一基板210放置於第二穿梭傳送裝置S2上或放置於第二穿梭傳送裝置S2中時，第二冷卻器R2a可藉由使第二製冷劑在第二冷卻板R2b中或經由第二冷卻板R2b循環來冷卻第二冷卻板R2b。當第二冷卻板R2b之一表面溫度下降(例如，降低)時，自所具有之溫度高於第二冷卻板R2b之溫度之第一無機層231、發光單元220、及第一基板210所發出之輻射能會到達第二冷卻板R2b並進行熱量交換(例如，被吸收)，進而使第一基板210之溫度可下降(例如，可降低)。在此種情形中，儘管第二冷卻器R2a可如上所述在第一基板210進入第二傳送腔室P2時運作，但第二製冷劑可連續地供應 至第二冷卻板R2b。為便於說明起見，以下將闡述其中第二冷卻器R2a在第一基板210進入第二傳送腔室P2時運作之一實例性實施例。
當完成以上製程時，可將第一基板210傳送至第二群集130。在此種情形中，可將第一基板210傳送至連接至第二傳送腔室P2之第三轉移腔室131，且在傳送第一基板210時，可使第二傳送腔室P2之壓力與第三轉移腔室131之壓力保持為實質上相同或相等。
可更將如上所述被傳送至第三轉移腔室131之第一基板210自第三轉移腔室131傳送至第一單體沈積腔室132。在此種情形中，一種將第一基板210傳送至該等第一單體沈積腔室132其中之一之方法可類似於或相同於如上所述將第一基板210傳送至該等第一濺鍍腔室122其中之一之方法。舉例而言，可以相同於該等第一濺鍍腔室122之次序或順序對該等第一單體沈積腔室132進行編號。舉例而言，當第一無機層231形成於該等第一濺鍍腔室122其中之該第一者中，該等第一單體沈積腔室132其中之一第一者中形成第一有機層232。
第三轉移腔室131與第一單體沈積腔室132可具有(例如，被設置成具有)相同或實質上相同之壓力。第一單體沈積腔室132可將第一有機層232形成於第一無機層231上。舉例而言，當將第一基板210裝載至第一單體沈積腔室132中時，可利用閃蒸來沈積可藉由施加紫外(ultraviolet；UV)光線或熱而聚合之一單體及一光起始劑。
當完成以上製程時，可藉由對沈積有單體之一表面施加紫外光線或熱，並使單體聚合以增大其硬度而形成第一有機層232，第一有機層232包含例如一聚合物。舉例而言，第一有機層232可相同於或類似於以上所述之第一有機層，故此處將不再對其予以贅述。
在此種情形中，可在將用於形成第一有機層232之一遮罩儲存於第二遮罩儲存腔室133中之後，供應至第一單體沈積腔室132。在此種情形中，一種將遮罩自第二遮罩儲存腔室133供應至第一單體沈積腔室132之方法可類似於將遮罩自第一遮罩遮罩儲存腔室123供應至第一濺鍍腔室122之方法，故此處將不再對其予以贅述。
同時，在形成第一有機層232於第一無機層231上之後，可更將傳送至第三轉移腔室131之第一基板210自第三轉移腔室131傳送至第二連接模組M2。舉例而言，可將第一基板210自第三轉移腔室131傳送至第三傳送腔室P3。在此種情形中，當傳送第一基板210時，可將第三傳送腔室P3之內壓力與第三轉移腔室131之內壓力控制成實質上相同或相等。
第三穿梭傳送裝置S3可設置於第三轉移腔室131中，並可傳送第一基板210。在此種情形中，安裝於第三轉移腔室131中之第三基板冷卻單元R3可運作以使第一基板210之一溫度(例如，一表面溫度)可下降或降低。在此種情形中，一種操作第三基板冷卻單元R3之方法可相同於或類似於操作第二基板冷卻單元R2之方法，故此處將不再對其予以贅述。
當完成以上製程時，可將第一基板210自第三轉移腔室131供應至第一轉動模組腔室T1。在此種情形中，第一轉動模組腔室T1可使第一基板210反轉(例如，可反轉一方向或翻轉)例如180度。舉例而言，第一群集120及第二群集130可利用其中沿一向下方向提供(例如，向下移動)一沈積材料之向下沈積來沈積第一無機層231及第一有機層232，且第三群集140可利用其中沿一向上方向提供(例如，向上移動)一沈積材料之向上沈積來沈積第二無機層233。因此，對於向上沈積，第一基板210可反轉180度。亦即，當反轉第一基板210時， 可將設置於第一基板210上之第一無機層231及第一有機層232設置成面朝一向下方向(例如，可將第一基板210定向成使第一無機層231可位於第一有機層232上方。)
在如上所述使第一基板210在第一轉動模組腔室T1中反轉之後，可將第一基板210供應至第四轉移腔室141。在此種情形中，可將第一轉動模組腔室T1之內壓力與第四轉移腔室141之內壓力控制成實質上相同或相等。
同時，可更將傳送至第四轉移腔室141之第一基板210傳送至第一化學沈積腔室142。在此種情形中，可將第四轉移腔室141之內壓力與第一化學氣相腔室142之內壓力控制成實質上相同或相等。
當如上所述沈積第二無機層233時，可自第三遮罩儲存腔室143供應第一化學氣相腔室142中所用(例如，所需)之一遮罩。在此種情形中，第三遮罩儲存腔室143之運作可類似於第一遮罩儲存腔室123或第二遮罩儲存腔室133之運作，故此處將不再對其予以贅述。
同時，當如上所述沈積(例如，完全沈積)第二無機層233時，可將顯示設備200自第四轉移腔室141傳送至第二轉動模組腔室T2。在此種情形中，第二轉動模組腔室T2可藉由將顯示設備200反轉例如180度而使顯示設備200恢復至一初始定向(例如，一初始狀態)。
可經由第四傳送腔室P4將如上所述恢復至初始定向之顯示設備200自第二轉動模組腔室T2傳送至第五轉移腔室151。在此種情形中，在將顯示設備200自第四傳送腔室P4傳送至第五轉移腔室151、同時使第二轉動模組腔室T2之內壓力與第四傳送腔室P4之內壓力保持實質上一致(例如，保持相等或實 質上相等)之後，可藉由使第四傳送腔室P4之內壓力與第五轉移腔室151之內壓力保持實質上一致(例如，保持相等)而將顯示設備200傳送至第五轉移腔室151。
可將如上所述而製造之顯示設備200自第五轉移腔室151裝載至卸載腔室152中，並將其儲存於該等卸載腔室152其中之一中。在此種情形中，可在將第五轉移腔室151之內壓力與卸載腔室152之內壓力控制成實質上相同(例如，當該等內壓力相等或實質上相等)時傳送顯示設備200。
同時，可能存在各種將如上所述之顯示設備200裝載至卸載腔室152中之方法。舉例而言，可藉由設定各卸載腔室152之一次序或順序(例如預先設定卸載腔室152之一次序或順序)來控制卸載腔室152，且當將顯示設備200裝載(例如，完全裝載)至卸載腔室152其中所隨機選擇的一者中時，可將其他卸載腔室152控制成儲存另一顯示設備200。一個顯示設備200可儲存於該等卸載腔室152其中之一中，並可自第五轉移腔室151隨機地傳送至被確定未儲存有顯示設備200之該等卸載腔室152其中之一中。
如上所述，薄膜封裝製造設備100可執行一串聯(in-line)薄膜封裝，藉此最佳化或減少執行該薄膜封裝所耗費之時間。
薄膜封裝製造設備100可在形成一多層薄膜封裝時調整每一層之一厚度，並可執行(例如，同時執行)向上之薄膜形成及向下之薄膜形成，進而方便地形成該多層薄膜封裝。
舉例而言，薄膜封裝製造設備100可包含裝載群集110及卸載群集150，且因此，可在一條生產線中形成薄膜封裝，進而提高生產率。
薄膜封裝製造設備100可在執行每一製程之前降低或減低第一基板210之溫度，且因此，可減輕或防止由每一製程導致之第一基板210之溫度上升或升高而造成之一效應(例如，因素)，進而確保促進及/或完成薄膜封裝。
此外，薄膜封裝製造設備100可在形成一第一有機層232之前降低或減低第一基板210之溫度，進而提高在形成第一無機層231之後形成之第一有機層232之品質。
第6圖係為根據本發明另一實施例之一薄膜封裝製造設備300之概念圖。第7圖係為利用第6圖所示薄膜封裝製造設備300而製造之一顯示設備400之剖視圖。
參照第6圖及第7圖，薄膜封裝製造設備300可包含一裝載群集、第一傳送腔室P1、一第一群集320、第一連接模組M1、一第二群集330、第二連接模組M2、及一第三群集340。在此種情形中，可安裝(例如，依序安裝)第一連接模組M1、第二群集330、第二連接模組M2、及第三群集340。第一連接模組M1、第二群集330、第二連接模組M2、及第三群集340可形成一單層有機/無機層形成模組S。可形成複數個有機/無機層形成模組S，其包含連接至第一群集320之一第一有機/無機層形成模組S1及連接至第一有機/無機層形成模組S1之一第二有機/無機層形成模組S2。
第一有機/無機層形成模組S1及第二有機/無機層形成模組S2可交替地形成(例如，依序形成)一第一有機層432及一第二無機層433，且因此，可形成第一有機層432、第二無機層433、以及隨後將進一步闡述之一第二有機層434、及一第三無機層435。
裝載群集、第一有機/無機層形成模組S1之第一傳送腔室P1、第一群集320、第一連接模組M1、第二群集330、第二連接模組M2、及第三群集340可連接(例如，依序連接)至彼此。第二有機/無機層形成模組S2之一第一連接模組、一第二群集、一第二連接模組、及一第三群集可連接(例如，依序連接)至第三群集340。然而，為避免說明混亂起見，第二有機/無機層形成模組S2的連接至第三群集340之第一連接模組、第二群集、第二連接模組、及第三群集被分別重命名為一第三連接模組M3、一第四群集360、一第四連接模組M4、及一第五群集370，並將在下文予以更詳細闡述。
薄膜封裝製造設備300可包含裝載群集、第一傳送腔室P1、第一群集320、第一連接模組M1、第二群集330、第二連接模組M2、第三群集340、第三連接模組M3、第四群集360、第四連接模組M4、第五群集370、一第五轉動模組腔室T5、一第十一傳送腔室P11、及一卸載群集。
第一傳送腔室P1可包含一第一基板冷卻單元。該第一基板冷卻單元可例如以一非接觸方式冷卻傳送至第一群集320之一第一基板410。在此種情形中，該第一基板冷卻單元可相同於或類似於以上所述者，故此處將不再對其予以贅述。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中第一基板冷卻單元不包含於第一傳送腔室P1中之一實例性實施例。
同時，第一連接模組M1及第二連接模組M2可以相同或類似於參照第1圖及第2圖所述之第一連接模組M1及第二連接模組M2之方式而形成。舉例而言，第一連接模組M1可包含第二傳送腔室P2、第一轉動模組腔室T1、及第三傳送腔室P3。第一連接模組M1可包含用於例如以一非接觸方式冷卻第一基板410之一第二基板冷卻單元。在此種情形中，該第二基板冷卻單元可安裝於第二 傳送腔室P2、第一轉動模組腔室T1、及第三傳送腔室P3至少其中之一中。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中該第二基板冷卻單元被安裝於第二傳送腔室P2及第三傳送腔室P3其中之每一者中之一實例性實施例。
以上所述之第二基板冷卻單元可包含一第二冷卻板及一第二冷卻器。在此種情形中，該第二冷卻板及該第二冷卻器可相同於或類似於參照第1圖及第2圖所述之第二冷卻板及第二冷卻器，故此處將不再對其予以贅述。
第二連接模組M2可包含第四傳送腔室P4、第二轉動模組腔室T2、及一第五傳送腔室P5。第二連接模組M2可包含一第三基板冷卻單元，該第三基板冷卻單元安裝於第四傳送腔室P4、第二轉動模組腔室T2、及第五傳送腔室P5至少其中之一者中。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中該第三基板冷卻單元被安裝於第四傳送腔室P4及第五傳送腔室P5其中之每一者中之一實例性實施例。
第三連接模組M3可包含一第六傳送腔室P6、一第三轉動模組腔室T3、及一第七傳送腔室P7。第三連接模組M3可包含一第四基板冷卻單元，該第四基板冷卻單元安裝於第六傳送腔室P6、第三轉動模組腔室T3、及第七傳送腔室P7至少其中之一中。在此種情形中，該第四基板冷卻單元可以相同或類似於第二基板冷卻單元之方式形成，故此處將不再對其予以贅述。
第四連接模組M4可包含一第八傳送腔室P8、一第四轉動模組腔室T4、及一第九傳送腔室P9。第四連接模組M4可包含一第五基板冷卻單元，該第五基板冷卻單元安裝於第八傳送腔室P8、第四轉動模組腔室T4、及第九傳送腔室P9至少其中之一中。在此種情形中，第五基板冷卻單元可以相同或類似於第三基板冷卻單元之方式形成，故此處將不再對其予以贅述。
以上所述之薄膜封裝製造設備300可選擇性地包含第二基板冷卻單元至第五基板冷卻單元。舉例而言，第三基板冷卻單元及第五基板冷卻單元可不安裝於薄膜封裝製造設備300中。為便於說明起見，以下將更詳細地闡述其中薄膜封裝製造設備300包含第二基板冷卻單元至第五基板冷卻單元其中之每一者之一實例性實施例。
同時，以上所述之第一傳送腔室P1至第十一傳送腔室P11可以相同於或一類似於以上參照第1圖及第2圖所述之第一傳送腔室P1至第四傳送腔室P4之方式而形成，且其上形成有發光單元420之第一基板410可以相同之方式或以一類似之方式被傳送，故此處將不再對其予以贅述。
第一轉動模組腔室T1至第五轉動模組腔室T5可以相同或類似於以上參照第1圖及第2圖所述之第一轉動模組腔室T1及第二轉動模組腔室T2之方式而形成，且形成有發光單元420之第一基板410可以相同之方式或以一類似之方式被對準或反轉及傳送，故此處將不再對其予以贅述。
同時，裝載群集及卸載群集可以相同或類似於以上參照第1圖及第2圖所述之方式而形成，故以下將不再對其予以贅述。裝載群集及卸載群集可包含於或可不包含於薄膜封裝製造設備300中，且因此，為便於說明起見，以下將詳細闡述其中不包含裝載群集及卸載群集之一實例性實施例。
第一群集320可包含一第二轉移腔室321、一第一濺鍍腔室322、及一第一遮罩儲存腔室323。在此種情形中，第一群集320可以相同或類似於以上參照第1圖及第2圖所述之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。
第二群集330可包含一第三轉移腔室331、一第一單體沈積腔室332、及一第二遮罩儲存腔室333。在此種情形中，第二群集330可以相同或類似於以上參照第1圖及第2圖所述之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。
第三群集340可包含一第四轉移腔室341、一第一化學氣相腔室342、及一第三遮罩儲存腔室343。在此種情形中，第三群集340可以相同或類似於以上參照第1圖及第2圖所述之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中一第二無機層433係利用電漿增強化學氣相沈積而形成於第一化學氣相腔室342中之一實例性實施例。
同時，第四群集360可包含一第六轉移腔室361、一第二單體沈積腔室362、及一第四遮罩儲存腔室363。在此種情形中，第四群集360可將第二有機層434形成於第二無機層433上。舉例而言，第四群集360可以相同或類似於第二群集330之方式而形成，且第二有機層434可以相同或類似於第一有機層432之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。
第五群集370可包含一第七轉移腔室371、一第二化學氣相腔室372、及一第五遮罩儲存腔室373。在此種情形中，第五群集370可將一第三無機層435形成於第二有機層434上。舉例而言，第五群集370可以相同或類似於第三群集340之方式而形成，且第三無機層435可以相同或類似於第二無機層433之方式而被形成，故此處將不再對其予以贅述。
同時，以下將詳細闡述一種藉由利用薄膜封裝製造設備300來執行一薄膜封裝製程之方法及顯示設備400之一結構。
首先，可製造形成有發光單元420之第一基板410。在此種情形中，第一基板410及發光單元420可分別相同於或類似於以上參照第1圖及第2圖所述之第一基板210及發光單元220，故此處將不再對其予以贅述。
同時，在製備形成有發光單元420之第一基板410之後，可在第一基板410進入薄膜封裝製造設備300時形成一封裝單元430。在此種情形中，封裝單元430可包含至少一種結構(例如，一夾層結構或一分層結構)，在該結構中有至少一個有機層形成(例如，插入)於至少兩個無機層之間。作為另一選擇，封裝單元430可包含至少一種結構(例如，一夾層結構或一分層結構)，在該結構中有至少一個無機層形成(例如，插入)於至少兩個有機層之間。
舉例而言，可藉由堆疊(例如，依序堆疊)如上所述之一第一無機層431、第一有機層432、第二無機層433、第二有機層434、及第三無機層435來形成封裝單元430。
舉例而言，第一有機層432及第二有機層434可由一聚合物形成，並可係為由聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、環氧樹脂、聚乙烯、及聚丙烯酸酯其中之一形成之單層或疊層。第一有機層432及第二有機層434可由聚丙烯酸酯形成，且詳言之，可包含含有二丙烯酸酯單體或三丙烯酸酯單體之聚合單體組成物。該單體組成物可更包含單丙烯酸酯單體。一合適之光起始劑(例如，熱塑性聚烯烴(TPO))可更包含於該單體組成物中，但並非僅限於此。
第一無機層431、第二無機層433、及第三無機層435可係為包含金屬氧化物或金屬氮化物之單層或疊層。舉例而言，第一無機層431、第二無機層433、及第三無機層435可包含氮化矽(例如，SiNx)、氧化鋁(例如，Al2O3)、 氧化矽(例如，SiO2)、及氧化鈦(例如，TiO2)其中之一。在此種情形中，第三無機層435可被形成為防止或減少濕氣滲透至發光單元420中。
同時，發光單元420與第一無機層431之間可更包含一鹵化金屬層，該鹵化金屬層例如包含氟化鋰(例如，LiF)。該鹵化金屬層可防止或減小在利用一濺鍍製程來形成第一無機層431時對發光單元420之損壞。
第一有機層432可小於(例如，第一有機層432之一表面積可小於)第二無機層433，且第二有機層434可小於(例如，第二有機層434之一表面積可小於)第三無機層435。在此種情形中，第一有機層432可被第二無機層433覆蓋(例如，完全覆蓋)，且第二有機層434可被第三無機層435覆蓋(例如，完全覆蓋)。
一種形成如上所述之封裝單元430之方法可包含：使薄膜封裝設備300之一真空度(例如，一完全真空度)保持於5E-4帕斯卡或以下(即，5*10-4帕斯卡或以下)；例如利用一機械手臂將遮罩自第一遮罩儲存腔室323至第五遮罩儲存腔室373分別移動至第一濺鍍腔室322、第一單體沈積腔室332、第一化學氣相腔室342、第二單體沈積腔室362、及第二化學氣相腔室372中；以及將該等遮罩安裝於每一腔室中。
當執行以上製程時，可將形成有發光單元420之第一基板410安裝於第一傳送腔室P1中，且可使第一傳送腔室P1之一真空度保持為與第二轉移腔室321之真空度實質上相同或相等，接著可開啟一閘閥(gate valve)以使第一基板410移動至第二轉移腔室321。在此種情形中，可例如藉由一機械手來移動第一基板410。在此種情形中，如上所述，可形成一包含例如氟化鋰(例如，LiF)之鹵化金屬層於發光單元420上，以防止或減小在一濺鍍製程期間對發光單元 420造成之損壞，或者可不形成該鹵化金屬層。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中不於發光單元420上形成鹵化金屬層、而是其中形成第一無機層413之一實例性實施例。
當將第一基板冷卻單元安裝於第一傳送腔室P1中時，可由第一基板冷卻單元例如以一非接觸方式冷卻進入第一傳送腔室P1之第一基板410。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中未安裝第一基板冷卻單元之一實例性實施例，亦即，第一基板410經由第一傳送腔室P1被供應至第一群集320而不冷卻第一基板410之情形。
同時，當第二轉移腔室321之真空度係與其中執行用於形成第一無機層431之濺鍍製程的第一濺鍍腔室322其中之一之真空度實質上相同或相等時，可開啟閘閥以使第一基板410移動至第一濺鍍腔室322。在將第一基板410裝載於一遮罩(例如，一預先安裝之遮罩)與一基板保持件之間以後，可利用連接有一視覺單元(vision unit)之一對準儀器、藉助第一基板410上之一標記及遮罩上之一開口標記或遮罩中之開口空間來對準(例如，精確對準)第一基板410，接著可將第一基板410與該遮罩連接至(例如，附著至)彼此。
同時，可將用於濺鍍製程之一製程氣體注入至第一濺鍍腔室322中以保持一真空度為1E-1帕斯卡至1E-2帕斯卡(即，1*10-1帕斯卡至1*10-2帕斯卡)，接著可藉由對一陰極施加一電壓來產生一電漿放電。在此種情形中，可在第一基板410或該陰極位於第一濺鍍腔室322中之同時執行膜之形成。
在以上製程期間，當達到第一無機層431之一目標厚度時，可將第一基板410或陰極移動至一備用區域(standby area)以停止將材料沈積於第一基板410上，且可停止製程氣體之注入以控制一真空放電系統之電導(即，流 量)，且因而可使第一濺鍍腔室322之真空度保持為與第二轉移腔室321之真空度實質上相同或相等。在此種情形中，可將第一基板410與遮罩彼此分開(例如，分離)並可將其移動至可彈出第一基板410之一位置。
當完成以上製程時，可將第一基板410自第一濺鍍腔室322移動至第二轉移腔室321。可將第一基板410自第二轉移腔室321傳送至第一連接模組M1。
舉例而言，當第二轉移腔室321之真空度與第二傳送腔室P2之真空度係實質上相同或相等時，可將第一基板410自第二轉移腔室321移動至第二傳送腔室P2。
在此種情形中，可藉由操作第二基板冷卻單元來冷卻形成有發光單元420之第一基板410。舉例而言，一第二冷卻器可藉由使一第二製冷劑在一第二冷卻板中或經由該第二冷卻板循環來冷卻該第二冷卻板，並可藉由在被冷卻之第二冷卻板、第一無機層431、發光單元420、及第一基板410之間進行熱量交換來降低或減低第一基板410之溫度。第二冷卻器可在第一基板410被裝載於第二冷卻板上時運作，或無論第一基板410是否被裝載於第二冷卻板上，第二冷卻器皆可連續地運作，其方式相同或類似於以上所述之方式。
當第一基板410被充分冷卻(例如，完全冷卻)時，在使第二傳送腔室P2之真空度與第一轉動模組腔室T1之真空度保持成或達到實質上相同或相等之後，可將第一基板410移動至第一轉動模組腔室T1，並在第一轉動模組腔室T1中旋轉(例如，翻轉)例如180度，且因此，可防止第一基板410之一沈積側發生變化(例如，可防止第二群集330及第一單體沈積腔室332之一注入位置發生變化)。
同時，當如上所述完成第一轉動模組腔室T1之運作、並將第一轉動模組腔室T1之真空度與第三傳送腔室P3之真空度控制成實質上相同或相等時，可將第一基板410移動至第三傳送腔室P3。第三傳送腔室P3之第二基板冷卻單元可冷卻(例如，進一步冷卻)第一基板410。在此種情形中，一種冷卻第一基板410之方法可相同於或類似於以上所述之方法，故此處將不再對其予以贅述。
在使第三傳送腔室P3之真空度與第三轉移腔室331之真空度保持為或達到實質上相同或相等之後，可開啟一閘閥以使第一基板410移動至第三轉移腔室331。在此種情形中，可利用例如一機械手來移動第一基板410。
當完成以上製程時，當第三轉移腔室331之真空度係與其中執行用於形成第一有機層432之一有機沈積製程的複數個第一單體沈積腔室332其中之一之真空度實質上相同或相等時，可開啟閘閥以使第一基板410移動至該等第一單體沈積腔室332其中之一。在此種情形中，在將第一基板410裝載於一遮罩(例如，一預先安裝之遮罩)與一基板保持件之間以後，可利用連接有一視覺單元之一對準儀器、藉助第一基板410上之一標記及遮罩上之一開口標記或遮罩中之開口空間來對準第一基板410(例如精確對準)，接著可將第一基板410與該遮罩連接至(例如，附著至)彼此。
可將用於有機沈積製程之一製程氣體注入至用於執行有機沈積製程之第一單體沈積腔室332中以保持一真空度，例如1E-1帕斯卡至1E-2帕斯卡(即，1*10-1帕斯卡至1*10-2帕斯卡)，接著可開啟用於容納一被蒸發有機材料之一蒸發器之一噴嘴單元。在此種情形中，在傳送第一基板410或一源單元(例 如，相對於另一者移動)之同時，在第一單體沈積腔室332中執行膜之形成及硬化。
舉例而言，如上所述，當將第一基板410裝載至第一單體沈積腔室332中時，可藉由例如閃蒸，來沈積藉由施加紫外光線或熱而聚合之一單體及一光起始劑。
當完成以上製程時，可將紫外光線或熱施加至第一基板410之沈積有單體之一表面以硬化該表面，進而可使該單體聚合以形成包含一聚合物之第一有機層432。
同時，在以上製程期間，當獲得第一有機層432之一目標厚度時，可將第一基板410或源單元移動至一備用區域，以關閉噴嘴單元並停止注入製程氣體，接著可將一真空放電系統之電導(例如，流量)控制成使第一單體沈積腔室332之真空度係與第三轉移腔室331之真空度保持為實質上相同或相等。在此種情形中，可將第一基板410與遮罩彼此分離(例如，分開)，並移動至可彈出第一基板410之一位置。
當第一單體沈積腔室332之真空度與第三轉移腔室331之真空度係實質上相同或相等時，如上所述，可將第一基板410自第一單體沈積腔室332移動至第三轉移腔室331。接著可更將第一基板410自第三轉移腔室331移動至第二連接模組M2。
舉例而言，當第三轉移腔室331之真空度與第四傳送腔室P4之真空度係實質上相同或相等時，可將第一基板410自第三轉移腔室331移動至第四傳送腔室P4。當第一基板410進入第四傳送腔室P4時，第三基板冷卻單元可冷卻第一基板410。在此種情形中，第三基板冷卻單元冷卻第一基板410之方法可相 同於或類似於第二基板冷卻單元冷卻以上所述之第一基板410之方法，故此處將不再對其予以贅述。
同時，當第四傳送腔室P4之真空度與第二轉動模組腔室T2之真空度係實質上相同或相等時，可將第一基板410移動至第二轉動模組腔室T2，並可使第一基板410在第二轉動模組腔室T2中旋轉(例如，翻轉)例如180度，且因此，可防止第一基板410之一沈積側發生變化(例如，可防止第三群集340及第一化學氣相腔室342之一注入位置發生變化)。
當完成以上製程時，當第二轉動模組腔室T2之真空度與第五傳送腔室P5之真空度係實質上相同或相等時，可將第一基板410移動至第五傳送腔室P5。第五傳送腔室P5之第三基板冷卻單元可冷卻第一基板410。在此種情形中，第三基板冷卻單元冷卻第一基板410之方法可相同於或類似於第二基板冷卻單元冷卻以上所述之第一基板410之方法，故此處將不再對其予以贅述。
在第五傳送腔室P5之真空度與第三群集340之真空度保持為實質上相同或相等之後，可開啟閘閥以使第一基板410移動至第三群集340。舉例而言，可將第一基板410自第四傳送腔室P4移動至第四轉移腔室341。在此種情形中，可例如藉由一機械手來移動第一基板410。
如上所述，當藉由利用例如時間空間劃分(time spatial division)來控制一真空放電系統之一電導(例如，流量)而使第四轉移腔室341之真空度與其中執行用於形成第二無機層433之一電漿增強化學氣相沈積製程的該等第一化學氣相腔室342其中之一之真空度實質上相同或相等時，可開啟閘閥以使第一基板410移動至第一化學氣相腔室342。在將第一基板410裝載於一遮罩(例如，一預先安裝之遮罩)與一基板保持件之間以後，可利用連接有一視覺單元 之一對準儀器、藉助第一基板410上之一標記及遮罩上之一開口標記或遮罩中之一開口空間而對準(例如，精確對準)第一基板410，接著可將第一基板410與該遮罩連接至(例如，附著至)彼此。
此後，可在完全關閉用於控制電導之一閥門(該閥門可連接至一高真空幫浦)之後，一電漿產生單元可藉由注入作為一放電氣體之氬氣(Ar)而產生電漿，以保持或設定例如1帕斯卡至200帕斯卡之一壓力，接著可將一功率位準提高至例如3瓦特/平方公分至5瓦特/平方公分。
在此種情形中，可藉由利用一電漿產生源來供應一反應材料、一反應氣體、及/或一傳送氣體而調整例如1帕斯卡至200帕斯卡之一壓力。可將該反應材料注入至一電漿區域中以形成一自由基(例如，一中性電漿物質)。舉例而言，可使用氮化矽(例如，SiN)產生氣體，或可使用SiH4/NH3/N2/H2/Ar。在上述環境中，可執行一膜形成製程。在此種情形中，可將膜形成速度保持或設定為200奈米/分鐘或以下，且可供應(例如，持續供應)SiH4(50標準立方公分每分鐘(sccm)至500sccm)/NH3(300sccm至2000sccm)/N2(300sccm至2000sccm)。
同時，當藉由執行以上製程而獲得第二無機層433之一目標厚度時，可經由多個步驟而使電漿功率下降至1瓦特/平方公分，該等步驟包含：停止供應有利於反應之一氣體。此後，可使第一基板410與遮罩彼此分開(例如，分離)，並移動至可彈出第一基板410之一位置。可藉由時分空間控制(time division spatial control)來開啟(例如，在第一基板410與遮罩分離時開啟)用於控制電導並安裝於高真空幫浦中之閥門，接著可使第一化學氣相腔室342之真空度保持 為與第四轉移腔室341之真空度實質上相同或相等。在此種情形中，可將第一基板410自第一化學氣相腔室342移動至第四轉移腔室341。
同時，當完成以上製程時，可將第一基板410自第四轉移腔室341移動至第三連接模組M3。舉例而言，當第四真空腔室341之真空度與第六傳送腔室P6之真空度係實質上相同或相等時，可將第一基板410自第四真空腔室341移動至第六傳送腔室P6。可由於第六傳送腔室P6中所包含之第四基板冷卻單元而使第一基板410之一溫度下降或降低。在此種情形中，第四基板冷卻單元冷卻第一基板410之方法可相同或類似於第二基板冷卻單元冷卻以上所述之第一基板410之方法，故此處將不再對其予以贅述。
當第六傳送腔室P6之真空度與第三轉動模組腔室T3之真空度實質上相同或相等時，可將第一基板410移動至第三轉動模組腔室T3，並可使第一基板410在第三轉動模組腔室T3中旋轉(例如，翻轉)例如180度，且因此，可防止第一基板410之一沈積側發生變化(例如，可防止第四群集360及/或第二單體沈積腔室362之一注入位置發生變化)。
在此種情形中，當第三轉動模組腔室T3之真空度與第七傳送腔室P7之真空度實質上相同或相等時，可將第一基板410移動至第七傳送腔室P7。舉例而言，當將第一基板410裝載至第七傳送腔室P7中時，可由於使用第四基板冷卻單元而使第一基板410之一溫度下降或降低。在此種情形中，操作第七傳送腔室P7之第四基板冷卻單元之方法可相同於或類似於以上所述之方法，故此處將不再對其予以贅述。
在將第七傳送腔室P7之真空度與第六轉移腔室361之真空度保持或設定成實質上相同或相等之後，可開啟閘閥以使第一基板410移動至第六轉移腔室361。在此種情形中，可藉由例如一機械手來移動第一基板410。
同時，當第六轉移腔室361之真空度與其中執行用於形成第二有機層434之有機沈積製程的複數個第二單體沈積腔室362其中之一之真空度實質上相同或相等時，可開啟閘閥以使形成有發光單元420之第一基板410移動至第二單體沈積腔室362。在此種情形中，形成第二有機層434之方法可類似於形成第一有機層432之方法，故此處將不再對其予以贅述。
當獲得第二有機層434之一目標厚度時，可將第一基板410或源單元移動至一備用區域，以關閉噴嘴單元並停止注入一製程氣體，接著可藉由控制一真空放電系統之電導，以將第二單體沈積腔室362之真空度保持或設定成與第六轉移腔室361之真空度實質上相同或相等。在此種情形中，可使第一基板410與遮罩彼此分開(例如，分離)，並移動至可彈出第一基板410之一位置。
同時，可如上所述將第一基板410自第二單體沈積腔室362移動至第六轉移腔室361，接著可將第一基板410移動至第四連接模組M4。
舉例而言，當第六轉移腔室361之真空度與第八傳送腔室P8之真空度係實質上相同或相等時，可將第一基板410自第六轉移腔室361移動至第八傳送腔室P8。在此種情形中，第八傳送腔室P8之第五基板冷卻單元可冷卻第一基板410。在此種情形中，第五基板冷卻單元冷卻第一基板410之方法可相同於或類似於第二基板冷卻單元冷卻以上所述之第一基板410之方法，故此處將不再對其予以贅述。
當第八傳送腔室P8之真空度與第四轉動模組腔室T4之真空度係實質上相同或相等時，可將第一基板410移動至第四轉動模組腔室T4並使第一基板410在第四轉動模組腔室T4中旋轉(例如，翻轉)例如180度，且因此，可防止第一基板410之一沈積側發生變化(例如，可防止第五群集370及第二化學氣相腔室372之一注入位置發生變化)。
當完成以上製程時，當第四轉動模組腔室T4之真空度與第九傳送腔室P9之真空度係實質上相同或相等時，可將第一基板410移動至第九傳送腔室P9。在此種情形中，第九傳送腔室P9之第五基板冷卻單元可冷卻第一基板410。在此種情形中，第五基板冷卻單元冷卻第一基板410之方法可相同於或類似於以上所述之方法，故此處將不再對其予以贅述。
當充分冷卻(例如，完全冷卻)第一基板410時，在將第九傳送腔室P9之真空度與第七轉移腔室371之真空度保持或設定成實質上相同或相等之後，可開啟閘閥以使第一基板410移動至第七轉移腔室371。在此種情形中，可藉由例如一機械手來移動第一基板410。
當完成以上製程時，當藉由利用時間空間劃分來控制一真空放電系統之電導，以使第七轉移腔室371之一真空度與其中執行用於形成第三無機層435之一電漿增強化學氣相沈積製程之該等第二化學氣相腔室372其中之一之真空度實質上相同或相等時，可開啟閘閥以使第一基板410移動至第二化學氣相腔室372。在此種情形中，在對準第一基板410與遮罩之後形成第三無機層435之方法可類似於以上所述之形成第二無機層233之方法，故此處將不再對其予以贅述。
同時，當完成以上製程時，亦即，當獲得第三無機層435之一目標厚度時，可將形成有發光單元420之第一基板410與遮罩彼此分開(例如，分離)，並移動至可彈出第一基板410之一位置。可開啟(例如，可在第一基板410與遮罩分開時一同地或同時地開啟)用於控制電導並安裝於高真空幫浦中並且藉由時間空間控制來控制之閥門，接著可將第二化學氣相腔室372之一真空度保持或設定成與第七轉移腔室371之真空度實質上相同或相等。
當完成以上製程時，可將顯示設備400自第二化學氣相腔室372傳送至第七轉移腔室371。當第七轉移腔室371之真空度與第十傳送腔室P10之真空度係實質上相同或相等時，可將顯示設備400自第七轉移腔室371移動至第十傳送腔室P10。
同時，當完成以上製程時，可將顯示設備400自第十傳送腔室P10傳送至第五轉動模組腔室T5，旋轉例如180度，並且在第五轉動模組腔室T5中對準，且接著將其傳送至第十一傳送腔室P11。
在此種情形中，使用者可藉由將自第十一傳送腔室P11彈出之顯示設備400移動至外部來完成製程。舉例而言，可藉由例如一機械手來取出第十一傳送腔室P11中之顯示設備400。
因此，薄膜封裝製造設備300可在形成包含一有機層及一無機層之一堆疊式多層薄膜時控制每一層之一厚度，並可形成一串聯群集，並且可利用對一電漿增強化學氣相沈積製程之時間空間劃分真空控制而使各種薄膜加工裝備之真空度保持實質上相同或相等。薄膜封裝製造設備300可形成串聯群集，進而以一串聯方式執行濺鍍、有機沈積及電漿增強化學氣相沈積。
薄膜封裝製造設備300可在執行每一製程之前使第一基板410之溫度下降或降低，因此可防止或減小由每一製程導致之第一基板410之一溫度上升或升高而造成之一效應或因素(例如，生產節拍時間(takt time)增加)，進而確保促進薄膜封裝。
此外，薄膜封裝製造設備300可在形成包含例如第一有機層432、第二無機層433、第二有機層434、及第三無機層435之膜之前使第一基板410之溫度下降或降低，進而提高第一有機層432、第二無機層433、第二有機層434、及第三無機層435之品質。
第8圖係為根據本發明另一實施例之一薄膜封裝製造設備500之概念圖。第9圖係為利用第8圖所示薄膜封裝製造設備500製成之一顯示設備600之剖視圖。
參照第8圖及第9圖，薄膜封裝製造設備500可包含一裝載群集、第一傳送腔室P1、一第一群集520、第一連接模組M1、一第二群集530、第二連接模組M2、及一第三群集540。在此種情形中，可安裝(例如，依序安裝)第一連接模組M1、第二群集530、第二連接模組M2、及第三群集540。在此種情形中，第一連接模組M1、第二群集530、第二連接模組M2、及第三群集540可形成單層有機/無機層形成模組S。可形成複數個有機/無機層形成模組S，該等有機/無機層形成模組S可包含連接至第一群集520之第一有機/無機層形成模組S1及連接至第一有機/無機層形成模組S1之第二有機/無機層形成模組S2。該等有機/無機層形成模組S可包含連接至第二有機/無機層形成模組S2之一第三有機/無機層形成模組S3。
第一有機/無機層形成模組S1、第二有機/無機層形成模組S2及第三有機/無機層形成模組S3可交替形成(例如，依序形成)一第一有機層632及一第二無機層633。如此，可形成第一有機層632、第二無機層633、以及隨後所將進一步闡述之一第二有機層634、一第三無機層635、一第三有機層636、及一第四無機層637。
薄膜封裝製造設備500之裝載群集、第一有機/無機層形成模組S1之第一傳送腔室P1、第一群集520、第一連接模組M1、第二群集530、第二連接模組M2及第三群集540可連接(例如，依序連接)至彼此。第二有機/無機層形成模組S2之一第一連接模組、一第二群集、一第二連接模組、及一第三群集可連接(例如，依序連接)至第三群集540。然而，為避免說明混亂起見，連接(例如，依序連接)至第三群集540之第二有機/無機層形成模組S2之第一連接模組、第二群集、第二連接模組、及第三群集被分別重命名為第三連接模組M3、第四群集560、第四連接模組M4、及第五群集570，且將在下文予以更詳細闡述。
為避免說明混亂起見，連接(例如，依序連接)至第五群集570之一第一連接模組、一第二群集、一第二連接模組、及第三有機/無機層形成模組S3之一第三群集被分別重命名為第五連接模組M5、第六群集580、第六連接模組M6、及第七群集590，且將在下文予以更詳細闡述。
舉例而言，薄膜封裝製造設備500可包含裝載群集、第一傳送腔室P1、第一群集520、第一連接模組M1、第二傳送腔室P2、第一轉動模組腔室T1、第三傳送腔室P3、第二群集530、第二連接模組M2、第四傳送腔室P4、第二轉動模組腔室T2、第五傳送腔室P5、第三群集540、第三連接模組M3、第六傳送腔室P6、第三轉動模組腔室T3、第七傳送腔室P7、第四群集560、第四連接 模組M4、第八傳送腔室P8、第四轉動模組腔室T4、第九傳送腔室P9、第五群集570、第十傳送腔室P10、第五轉動模組腔室T5、第十一傳送腔室P11、第六群集580、一第六連接模組M6、一第十二傳送腔室P12、一第六轉動模組腔室T6、一第十三傳送腔室P13、第七群集590、一第十四傳送腔室P14、第七轉動模組腔室T7、一第十五傳送腔室P15、及一卸載群集。
在此種情形中，第一傳送腔室P1可包含一第一基板冷卻單元。該第一基板冷卻單元可例如以一非接觸方式冷卻被傳送至第一群集520之一第一基板610。在此種情形中，該第一基板冷卻單元可相同於或類似於以上所述之第一基板冷卻單元，故此處將不再對其予以贅述。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中在第一傳送腔室P1中不包含該第一基板冷卻單元之一實例性實施例。
同時，第一連接模組M1及第二連接模組M2可以類似於參照第1圖及第2圖所述之第一連接模組M1及第二連接模組M2之一方式而形成。舉例而言，第一連接模組M1可包含第二傳送腔室P2、第一轉動模組腔室T1、及第三傳送腔室P3。第二連接模組M2可包含第四傳送腔室P4、第二轉動模組腔室T2、及第五傳送腔室P5。
第一連接模組M1可例如以一非接觸方式包含用於冷卻第一基板610之一第二基板冷卻單元。在此種情形中，第二連接模組M2可包含一第三基板冷卻單元。以下將更詳細地闡述其中第二連接模組M2不包含該第三基板冷卻單元之一實例性實施例。
第二基板冷卻單元可安裝於第二傳送腔室P2、第一轉動模組腔室T1、及第三傳送腔室P3至少其中之一中。為便於說明起見，以下將更詳細地闡 述其中第二基板冷卻單元安裝於傳送腔室P2及傳送腔室P3其中之每一者中之一實例性實施例。
如上所述，第二基板冷卻單元可包含一第二冷卻板及一第二冷卻器。該第二冷卻板及該第二冷卻器可相同於或類似於參照第1圖及第2圖所述之第二冷卻板及第二冷卻器，故此處將不再對其予以贅述。
同時，第三連接模組M3及第五連接模組M5可以相同或類似於第一連接模組M1之方式而形成，且第四連接模組M4及第六連接模組M6可以相同或類似於第二連接模組M2之方式而形成。
舉例而言，第三連接模組M3可包含第六傳送腔室P6、第三轉動模組腔室T3、及第七傳送腔室P7。第四連接模組M4可包含第八傳送腔室P8、第四轉動模組腔室T4、及第九傳送腔室P9。第五連接模組M5可包含第十傳送腔室P10、第五轉動模組腔室T5、及第十一傳送腔室P11。第六連接模組M6可包含第十二傳送腔室P12、第六轉動模組腔室T6、及第十三傳送腔室P13。
第三連接模組M3可包含一第四基板冷卻單元。第五連接模組M5可包含一第六基板冷卻單元。在此種情形中，該第四基板冷卻單元及該第六基板冷卻單元可以相同或類似於第二基板冷卻單元之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。
同時，第一傳送腔室P1至第十五傳送腔室P15可以相同或類似於以上參照第1圖及第2圖所述之第一傳送腔室P1至第四傳送腔室P4之方式而形成，且形成有一發光單元620之第一基板610可以相同之方式或以一類似之方式被傳送，故此處將不再對其予以贅述。
第一轉動模組腔室T1至第七轉動模組腔室T7可以與以上參照第1圖及第2圖所述之第一轉動模組腔室T1及第二轉動模組腔室T2相同之方式或一類似之方式而形成，且形成有發光單元620之第一基板610可以相同之方式或以一類似之方式被傳送，故此處將不再對其予以贅述。
同時，裝載群集及卸載群集可以相同或類似於以上參照第1圖及第2圖所述之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。裝載群集及卸載群集可包含於或可不包含於薄膜封裝製造設備500中，且因此，為便於說明起見，以下將更詳細闡述其中不包含裝載群集及卸載群集之一實例性實施例。
第一群集520可包含一第二轉移腔室521、一第一濺鍍腔室522、及一第一遮罩儲存腔室523。第一群集520可以相同或類似於以上參照第1圖及第2圖所述之方式而被形成，且因此，此處將不再對其予以贅述。
第二群集530可包含一第三轉移腔室531、一第一單體沈積腔室532、及一第二遮罩儲存腔室533。在此種情形中，第二群集530可以相同或類似於以上參照第1圖及第2圖所述之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。
第三群集540可包含一第四轉移腔室541、一第一化學氣相腔室542、及一第三遮罩儲存腔室543。在此種情形中，第三群集540可以相同或類似於以上參照第1圖及第2圖所述之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。為便於說明起見，以下將更詳細闡述其中一第二無機層633利用一電漿增強化學氣相沈積製程而形成於第一化學氣相腔室542中之一實例性實施例。
同時，第四群集560可包含一第六轉移腔室561、一第二單體沈積腔室562、及一第四遮罩儲存腔室563。在此種情形中，第四群集560可形成一第二有機層634於第二無機層633上。舉例而言，第四群集560可以類似於第二群集 530之一方式而形成，且第二有機層634可以相同或類似於第一有機層632之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。
第五群集570可包含一第七轉移腔室571、一第二化學氣相腔室572、及一第五遮罩儲存腔室573。在此種情形中，第五群集570可形成一第三無機層635於第二有機層634上。舉例而言，第五群集570可以類似於第三群集540之一方式而形成，且第三無機層635可以相同或類似於第二無機層633之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。
同時，第六群集580可包含一第八轉移腔室581、一第三單體沈積腔室582、及一第六遮罩儲存腔室583。在此種情形中，第六群集580可形成一第三有機層636於第三無機層635上。舉例而言，第六群集580可以類似於第二群集530之一方式而形成，且第三有機層636可以相同或類似於第一有機層632之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。
第七群集590可包含一第九轉移腔室591、一第三化學氣相腔室592、及一第七遮罩儲存腔室593。在此種情形中，第七群集590可形成一第四無機層637於第三有機層636上。舉例而言，第七群集590可以類似於第三群集540之方式而形成，且第四無機層637可以相同或類似於第二無機層633之方式而形成，故此處將不再對其予以贅述。
同時，以下將更詳細闡述一種利用薄膜封裝製造設備500執行一薄膜封裝製程之方法及第一基板610之一結構。
顯示設備600可包含第一基板610及形成於第一基板610上之發光單元620。在此種情形中，第一基板610及發光單元620係分別相同於或類似於以 上參照第1圖及第2圖所述之第一基板210及發光單元220，故此處將不再對其予以贅述。
同時，在製備形成有發光單元620之第一基板610之後，可在第一基板610進入薄膜封裝製造設備500時形成一封裝單元630。在此種情形中，封裝單元630可包含至少一種結構(例如，夾層結構或分層結構)，在該結構中有至少一個有機層形成於(例如，插入於)至少兩個無機層之間。封裝單元630可包含至少一種結構(例如，夾層結構或分層結構)，在該結構中有至少一個無機層形成於(例如，插入於)至少兩個有機層之間。
舉例而言，可藉由堆疊(例如，依序堆疊)如上所述之一第一無機層631、第一有機層632、第二無機層633、第二有機層634、第三無機層635、第三有機層636、及第四無機層637來形成封裝單元630。
舉例而言，第一有機層632至第三有機層636可由一聚合物形成，並可係為由聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、環氧樹脂、聚乙烯、及聚丙烯酸酯其中之一形成之單層或疊層。第一有機層632至第三有機層636可由例如聚丙烯酸酯形成，並可包含一含有二丙烯酸酯單體及三丙烯酸酯單體之聚合單體組成物。單體組成物可更包含單丙烯酸酯單體。一合適之光起始劑(例如，熱塑性聚烯烴(TPO))可更包含於該單體組成物中，但並非僅限於此。
第一無機層631至第四無機層637可係為包含例如金屬氧化物或金屬氮化物之單層或疊層。舉例而言，第一無機層631至第四無機層637可包含氮化矽(例如，SiNx)、氧化鋁(例如，Al2O3)、氧化矽(例如，SiO2)、及氧化鈦(例如，TiO2)其中之一。在此種情形中，可形成第四無機層637來防止或減少濕氣滲透至發光單元620中。
同時，發光單元620與第一無機層631之間可更包含含有例如氟化鋰(例如，LiF)之一鹵化金屬層。該鹵化金屬層可防止或減小當利用一濺鍍製程來形成第一無機層631時對發光單元620造成之損壞。
第一有機層632可小於第二無機層633(例如，第一有機層632之一表面積可小於第二無機層633之表面積)，且第二有機層634亦可小於第三無機層635(例如，第二有機層634之一表面積可小於第三無機層635之表面積)。第三有機層636亦可小於第四無機層637(例如，第三有機層636之一表面積亦可小於第四無機層637之表面積)。
在此種情形中，第一有機層632可被第二無機層633覆蓋(例如，完全覆蓋)，且第二有機層634可被第三無機層635覆蓋(例如，完全覆蓋)。第三有機層636亦可被第四無機層637覆蓋(例如，完全覆蓋)。
一種形成如上所述之封裝單元630之方法可包含：使薄膜封裝設備500之一真空度保持為例如5E-4帕斯卡或以下(即，5*10-4帕斯卡或以下)；利用例如一機械手臂將遮罩自第一遮罩儲存腔室523至第五遮罩儲存腔室573分別移動至第一濺鍍腔室522、第一單體沈積腔室532、第一化學氣相腔室542、第二單體沈積腔室562、及第二化學氣相腔室572中；以及將該等遮罩分別安裝於每一腔室中。
當完成以上製程時，可於發光單元620上形成(例如，依序形成)第一無機層631、第一有機層632、第二無機層633、第二有機層634、及第三無機層635。在此種情形中，一種形成第一無機層631、第一有機層632、第二無機層633、第二有機層634、及第三無機層635之方法可相同於或類似於以上參照第6圖及第7圖所述之方法，故此處將不再對其予以贅述。
在此種情形中，如上所述，可在形成第一無機層631之前形成包含例如氟化鋰(例如，LiF)之一鹵化金屬層於發光單元620上，以防止或減小在一濺鍍製程期間對發光單元620造成之損壞，抑或可不形成包含例如氟化鋰(例如，LiF)之一鹵化金屬層。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中在發光單元620上不形成鹵化金屬層，但形成第一無機層631之一實例性實施例。
當將第一基板冷卻單元安裝於第一傳送腔室P1中時，可由第一基板冷卻單元例如以一非接觸方式來冷卻進入第一傳送腔室P1之第一基板610。為便於說明起見，以下將詳細闡述其中不安裝第一基板冷卻單元之一實例性實施例，亦即，第一基板610經由第一傳送腔室P1被供應至第一群集520而不冷卻第一基板610之情形。
同時，在形成第一無機層631之後，可由於第二基板冷卻單元而使傳送至第一連接模組M1之第一基板610之一溫度下降或降低，接著可將第一基板610傳送至第二群集530，進而可形成第一有機層632。舉例而言，穿過第二傳送腔室P2及第三傳送腔室P3之第一基板610之溫度可根據安裝於第二傳送腔室P2及第三傳送腔室P3其中之每一者中之第二基板冷卻單元之運作而下降或降低。在此種情形中，操作第二基板冷卻單元之方法可相同於或類似於以上所述之方法，故此處將不再對其予以贅述。
在第三群集540將第二無機層633形成於第一有機層632上之後，可將第一基板610自第三群集540移動至第三連接模組M3。在此種情形中，當第一基板610之溫度由於第三連接模組M3中所包含之第四基板冷卻單元而下降或降低時，可將第一基板610供應至第四群集560。操作第四基板冷卻單元之方法 可相同於或類似於以上所述之操作第二基板冷卻單元之方法，故此處將不再對其予以贅述。
可將第二有機層634形成於如上所述被傳送至第四群集560之第一基板610上，接著可經由第四連接模組M4將第二有機層634移動至第五群集570，進而可形成第三無機層635。
當完成以上製程時，可經由第五連接模組M5將第一基板610自第五群集570移動至第六群集580。舉例而言，第一基板610可經由第十傳送腔室P10、第五轉動模組腔室T5、及第十一傳送腔室P11而自第五群集570進入第六群集580。舉例而言，當第一基板610穿過第五連接模組M5時，可藉由安裝於第十傳送腔室P10及第十一傳送腔室P11其中之每一者中之第六基板冷卻單元來冷卻第一基板610，並可將第一基板610供應至第六群集580。在此種情形中，操作第六基板冷卻單元之方法可相同於或類似於如上所述之操作第二基板冷卻單元之方法，故此處將不再對其予以贅述。
可利用一有機沈積製程在第六群集580中將第三有機層636形成於第三無機層635上。在此種情形中，操作第六群集580之方法可相同於或類似於以上所述之操作第二群集530及第四群集560之方法，故此處將不再對其予以贅述。
當完成以上製程時，可經由第十二傳送腔室P12、第六轉動模組腔室T6、及第十三傳送腔室P13將第一基板610自第六群集580移動至第七群集590。
在此種情形中，可在第七群集590中將第四無機層637形成於第三有機層636上。舉例而言，可在第七群集590中利用例如一電漿增強化學氣相沈 積製程而形成第四無機層637。在此種情形中，第七群集590可以與第三群集540及第五群集570類似之方式運作，故此處將不再對其予以贅述。
在如上所述形成第四無機層637之後，可經由第十四傳送腔室P14、第七轉動模組腔室T7、及第十五傳送腔室P15而將形成有發光單元620之第一基板610自第七群集590抽取(例如，移出)至外部。
同時，如上所述形成之封裝單元630並非僅限於此，而是可藉由在第一無機層631上交替形成第一有機層632及第二無機層633而形成。
因此，薄膜封裝製造設備500可在形成包含一有機層及一無機層之一堆疊式多層薄膜時控制每一層之厚度，可包含一串聯型群集配置，並可利用對電漿增強化學氣相沈積之時間空間劃分真空控制而使各種薄膜製程裝備之真空度保持為實質上相同或相等。薄膜封裝製造設備500可形成串聯型群集配置，進而以一串聯方式執行濺鍍、有機沈積及電漿增強化學氣相沈積。
薄膜封裝製造設備500可在執行每一製程之前使第一基板610之溫度下降或降低，因此可防止或減小由每一製程導致之第一基板610之一溫度上升或升高而造成之一效應(例如，一因素)，進而確保促進薄膜封裝。
此外，薄膜封裝製造設備500可在形成包含例如第一有機層632、第二有機層634、及第三有機層636之膜之前使第一基板610之溫度下降或降低，進而提高第一有機層632、第二有機層634、及第三有機層636之品質。
如上所述，根據本發明上述實施例其中之一或多個實施例，可在形成包含一有機層及一無機層之一堆疊式多層薄膜時控制每一層之厚度。亦可形成一串聯型群集配置，且該串聯型群集配置可藉由利用對電漿增強化學氣相沈積之時間空間劃分真空控制而使各種薄膜加工裝備之真空度保持為實質上相 同或相等。可形成串聯型群集，進而以一串聯方式執行濺鍍、有機沈積、及電漿增強化學氣相沈積。
應理解，本文所述之實例性實施例應被視為僅具有闡述性意義，而並非用以限制目的。對每一實施例內之特徵及/或態樣之說明應通常被視為可用於其他實施例中之其他類似特徵及/或態樣。
儘管已參照圖式闡述了本發明之一或多個實例性實施例，然而此項技術中之通常知識者應理解，在不背離以下申請專利範圍及其等效範圍所界定之本發明精神及範圍之條件下，可在形式及細節上對其作出各種變化
210:第一基板
P2:第二傳送腔室
R2:第二基板冷卻單元
R2a:第二冷卻器
R2b:第二基板冷卻板
R2c:第二製冷劑循環通道
S2:第二穿梭傳送裝置

Claims (13)

  1. 一種薄膜封裝製造設備，其包含：一第一群集，用以藉由使用濺鍍製程而形成一第一無機層於其上形成有一發光單元的一第一基板上；一第二群集，用以藉由有機沈積製程而形成一第一有機層於自該第一群集傳送之該第一無機層上；一第一連接模組，藉由非接觸方式冷卻該第一基板，用以連接該第一群集與該第二群集，並將該第一無機層形成於其上之該第一基板自該第一群集傳送至該第二群集；以及一第三群集，用以藉由化學氣相沈積(CVD)製程或電漿增強化學氣相沈積(PECVD)製程而形成一第二無機層於自該第二群集傳送之該第一有機層上；其中，該第一連接模組包括：一第二穿梭傳送裝置，設置於該第一連接模組之連接於該第一群集與該第二群集之間的一第二傳送腔室中，該第二穿梭傳送裝置係乘載該第一基板而於鄰近於該第一群集之一第一位置及鄰近於該第二群集之一第二位置之間移動；以及一第二基板冷卻單元，設置於該第二傳送腔室中，該第二冷卻單元被安裝成與該第二穿梭傳送裝置相間隔，使得當該第二穿梭傳送裝置位於該第一位置時，該第一基板位於該第二穿梭傳送裝置與該第二基板冷卻單元之間； 其中，該第一連接模組之該第二基板冷卻單元係於該第一基板的傳送期間，對該第一基板進行冷卻。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜封裝製造設備，其中該第二基板冷卻單元包含：一第二冷卻板，其與該第一基板間隔開地設置；以及一第二冷卻器，連接至該第二冷卻板並冷卻該第二冷卻板。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之薄膜封裝製造設備，其中由該第二冷卻器所循環之一第二製冷劑流經之一第二製冷劑通道係形成在該第二冷卻板中。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之薄膜封裝製造設備，其中該第二冷卻板的一外表面的至少一部分塗覆有一黑體材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜封裝製造設備，其中該第一群集包含其順序在一方向中確定的複數個第一製程腔室，其中該第二群集包含其順序在一方向中確定的複數個第二製程腔室，其中該第三群集包含其順序在一方向中確定的複數個第三製程腔室，且其中該複數個第一製程腔室、該複數個第二製程腔室以及該複數個第三製程腔室具有相同之順序，而該第一無機層、該第一有機層及該第二無機層分別在該第一製程腔室、該第二製程腔室以及該第三製程腔室中以相同之順序形成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜封裝製造設備， 其中當傳送該第一基板時，該第一群集之內壓力與該第一連接模組之內壓力、或者該第一連接模組之內壓力與該第二群集之內壓力被控制為相同。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜封裝製造設備，其進一步包含：一第二連接模組，用以連接該第二群集與該第三群集並從該第二群集將該第一基板抽取出傳送至該第三群集。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之薄膜封裝製造設備，其中該第二連接模組進一步包含與該第一基板間隔開地安裝並以非接觸方式冷卻該第一基板之一第三基板冷卻單元。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之薄膜封裝製造設備，其中該第二連接模組翻轉該第一基板並將該第一基板從該第二群集傳送至該第三群集。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之薄膜封裝製造設備，其中當傳送該第一基板時，該第二群集之內壓力與該第二連接模組之內壓力、或者該第二連接模組之內壓力與該第三群集之內壓力被控制為相同。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜封裝製造設備，其中該第一連接模組、該第二群集以及該第三群集依序重複安裝以使該第一有機層及該第二無機層交替堆疊在該第一無機層上。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜封裝製造設備，其中該第一群集以及該第二群集分別藉由使用向下沉積形成該第一無機層以及該第一有機層，且該第三群集藉由使用向上沉積形成該第二無機層。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜封裝製造設備，其進一步包含：一裝載群集，用以自外部接收該第一基板並將該第一基板供應至該第一群集。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101673016B1 (ko) * 2013-08-27 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
KR102439506B1 (ko) 2015-10-16 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105655494B (zh) * 2016-03-18 2018-08-24 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管的基底及其制作方法、有机发光二极管
US20190363302A1 (en) * 2017-02-27 2019-11-28 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate mounting stage, ink-jet applying device, leveling device, and method for manufacturing organic el display device
KR102581681B1 (ko) * 2018-09-05 2023-09-22 삼성전자주식회사 플라즈마 증착 방법 및 플라즈마 증착 장치
KR102801661B1 (ko) 2019-04-09 2025-04-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110518146B (zh) 2019-08-30 2022-02-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及显示面板
KR102800511B1 (ko) 2019-09-03 2025-04-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
DE102019129176A1 (de) * 2019-10-29 2021-04-29 Apeva Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden organischer Schichten
US20240057464A1 (en) * 2021-01-14 2024-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing equipment for light-emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200612381A (en) * 2004-09-14 2006-04-16 Toshiba Matsushita Display Tec Method and apparatus for manufacturing display
CN101167160A (zh) * 2005-04-22 2008-04-23 Vitex系统公司 用于在分立薄片上沉积多层涂层的装置
US20100304025A1 (en) * 2009-06-02 2010-12-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Deposition apparatus and method of controlling the same

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0466288A (ja) * 1990-07-02 1992-03-02 Hitachi Cable Ltd ビーム集光器
US5663077A (en) * 1993-07-27 1997-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor in which the gate insulator comprises two oxide films
US6000227A (en) * 1997-09-24 1999-12-14 Applied Materials, Inc. Wafer cooling in a transfer chamber of a vacuum processing system
US6300600B1 (en) * 1998-08-12 2001-10-09 Silicon Valley Group, Inc. Hot wall rapid thermal processor
DE69937255T2 (de) * 1998-11-20 2008-07-03 Steag RTP Systems, Inc., San Jose Schnell-aufheiz- und -kühlvorrichtung für halbleiterwafer
KR100816197B1 (ko) * 2000-03-22 2008-03-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 표시장치의 제조장치 및 이를 이용한 유기전기발광 표시장치의 제조방법
AU2002239522A1 (en) * 2000-11-16 2002-05-27 Mattson Technology, Inc. Apparatuses and methods for resistively heating a thermal processing system
JP4075425B2 (ja) * 2002-03-20 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置、及び電子機器
US8808457B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
JP4115158B2 (ja) * 2002-04-24 2008-07-09 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20030203210A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Vitex Systems, Inc. Barrier coatings and methods of making same
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP2004014311A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Sony Corp 有機薄膜の形成方法
JP2004055401A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Sony Corp 有機膜形成装置
US7510913B2 (en) 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
US7126087B2 (en) * 2003-08-07 2006-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Method of effecting heating and cooling in reduced pressure atmosphere
US8403613B2 (en) * 2003-11-10 2013-03-26 Brooks Automation, Inc. Bypass thermal adjuster for vacuum semiconductor processing
KR100718555B1 (ko) * 2004-10-11 2007-05-15 두산디앤디 주식회사 잉크젯 프린팅과 저분자 유기증착 방법을 겸용하는 대면적 유기 박막 증착장치
KR100721576B1 (ko) * 2005-04-06 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 제조 방법
US20070017445A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Takako Takehara Hybrid PVD-CVD system
US20070138001A1 (en) 2005-12-19 2007-06-21 Teng-Yuan Ko Method of forming an inductor on a semiconductor substrate
US7837838B2 (en) * 2006-03-09 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus
JP2008202491A (ja) 2007-02-20 2008-09-04 Edwards Kk クライオパネル冷却構造とその冷却方法
KR101436115B1 (ko) * 2007-04-27 2014-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기판의 제조방법, 및 반도체장치의 제조방법
KR20080111964A (ko) * 2007-06-20 2008-12-24 삼성전자주식회사 박막증착장치 및 이를 이용한 박막증착방법
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
TW201135845A (en) 2009-10-09 2011-10-16 Canon Anelva Corp Acuum heating and cooling apparatus
WO2012021197A2 (en) * 2010-05-21 2012-02-16 Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University Method of manufacturing electronic devices on both sides of a carrier substrate and electronic devices thereof
KR101188109B1 (ko) * 2010-09-20 2012-10-05 에스엔유 프리시젼 주식회사 모노머 증착장치
KR101255537B1 (ko) * 2010-11-26 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
JP6014325B2 (ja) * 2010-12-28 2016-10-25 積水化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤
CN103597625B (zh) * 2011-06-17 2017-07-11 应用材料公司 用于有机发光二极管处理的化学气相沉积掩模对准
JP2013044044A (ja) 2011-08-26 2013-03-04 Ihi Corp アレイアンテナ式のｃｖｄプラズマ装置
KR101329818B1 (ko) * 2012-01-31 2013-11-15 주식회사 티이에스 기판 반전 장치
KR101673016B1 (ko) * 2013-08-27 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200612381A (en) * 2004-09-14 2006-04-16 Toshiba Matsushita Display Tec Method and apparatus for manufacturing display
CN101167160A (zh) * 2005-04-22 2008-04-23 Vitex系统公司 用于在分立薄片上沉积多层涂层的装置
US20100304025A1 (en) * 2009-06-02 2010-12-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Deposition apparatus and method of controlling the same

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