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TWI694610B - 電致發光顯示裝置 - Google Patents

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TWI694610B
TWI694610B TW107142310A TW107142310A TWI694610B TW I694610 B TWI694610 B TW I694610B TW 107142310 A TW107142310 A TW 107142310A TW 107142310 A TW107142310 A TW 107142310A TW I694610 B TWI694610 B TW I694610B
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light
layer
display device
refractive index
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TW107142310A
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林亨俊
朴漢善
方炯錫
朴志娟
Original Assignee
南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
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Publication date
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Publication of TW201926294A publication Critical patent/TW201926294A/zh
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Abstract

一種電致發光顯示裝置包括：一基板，包含複數個像素區域；複數個發光二極體，在該基板上彼此隔開，並且分別對應於該複數個像素區域；複數個封裝膜，分別覆蓋該複數個發光二極體，並且具有一第一折射率；一第一分隔壁，設置在對應於該複數個像素區域之間的一邊界的該等封裝膜之間，並且具有低於該第一折射率的一第二折射率；以及一濾色層，設置在該等封裝膜和該第一分隔壁上，其中，該濾色層包括：具有一第三折射率的複數個濾色圖案、和設置在該複數個濾色圖案之間並具有低於該第三折射率的一第四折射率的一第二分隔壁。

Description

電致發光顯示裝置
本發明涉及一種電致發光顯示裝置，更具體地說，涉及一種設置了具有低折射率的分隔壁，從而提高光提取效率並避免顏色混合的電致發光顯示裝置。
近年來，具有諸如薄、重量輕、和功耗低的優良特性的平板顯示器已被廣泛開發並應用於各種領域。
在平板顯示器中，電致發光顯示裝置為一種裝置，其中，將電荷載子注入至形成在作為電子注入電極的陰極與作為電洞注入電極的陽極之間的發光層中，使得形成激子，接著發生激子的輻射重合，從而發光。
由於電致發光顯示裝置為自發光的，並且具有優異的對比度，因此電致發光顯示裝置可以使用諸如塑膠的可撓性基板來形成。此外，電致發光顯示裝置具有數微秒的反應時間，並且在顯示移動的影像方面具有優勢。電致發光顯示裝置還具有寬視角，並且在低溫下穩定。由於電致發光顯示裝置由直流DC 5V至15V的低電壓驅動，因此驅動電路容易設計和製造。
近來，由於基板尺寸的增加，且顯示裝置已經演變為具有高解析度，像素間距已經減小，因此顏色混合成為問題。
因此，本發明的實施例涉及一種電致發光顯示裝置，其基本上消除了由於先前技術的限制和缺點所導致的一個或多個問題。
本發明的一個目的是提供一種具有高解析度的電致發光顯示裝置，其中設置具有相對低折射率的第一分隔壁和第二分隔壁，從而提高光提取效率並避免顏色混合。
為了實現上述目的，本發明提供一種電致發光顯示裝置，其包括：一基板，包含複數個像素區域；複數個發光二極體，在該基板上彼此隔開，並且分別對應於該複數個像素區域；複數個封裝膜，分別覆蓋該複數個發光二極體，並且具有一第一折射率；一第一分隔壁，設置在對應於該複數個像素區域之間的一邊界的該複數個封裝膜之間，並且具有低於該第一折射率的一第二折射率；以及一濾色層，設置在該複數個封裝膜和該第一分隔壁上，其中，該濾色層包含：具有一第三折射率的複數個濾色圖案、和設置在該複數個濾色圖案之間並具有低於該第三折射率的一第四折射率的一第二分隔壁。
在本發明中，具有低折射率的第一分隔壁設置在發光二極體之間，使得由於在發光二極體內部的全反射而無法輸出到外部的光的路徑改變，並且允許光輸出到外面。因此，可以提高光提取效率。
此外，具有低折射率的第二分隔壁設置在濾色圖案之間，使得行進到相鄰的像素區域的光的路徑改變，並且允許光輸出到相應的像素區域。因此，可以避免顏色混合。
應當理解的是，前面的一般性描述和以下的詳細描述都是示例性和說明性的，並且旨在提供對要求保護的本發明的進一步說明。
100‧‧‧電致發光顯示裝置
110‧‧‧基板
122‧‧‧半導體層
124‧‧‧閘極絕緣層
126‧‧‧閘極電極
128‧‧‧層間絕緣層
130‧‧‧汲極電極
132‧‧‧源極電極
134‧‧‧鈍化層
141‧‧‧第一電極
142‧‧‧發光層
143‧‧‧第二電極
170‧‧‧封裝層
171‧‧‧封裝膜
180‧‧‧濾色層
181、183、185‧‧‧濾色圖案
1A‧‧‧第一方向
200‧‧‧電致發光顯示裝置
210‧‧‧基板
222‧‧‧半導體層
224‧‧‧閘極絕緣層
226‧‧‧閘極電極
228‧‧‧層間絕緣層
230‧‧‧汲極電極
232‧‧‧源極電極
234‧‧‧鈍化層
241‧‧‧第一電極
242‧‧‧發光層
243‧‧‧第二電極
270‧‧‧封裝層
271‧‧‧封裝膜
280‧‧‧濾色層
281、283、285‧‧‧濾色圖案
CH1‧‧‧第一接觸孔
CH2‧‧‧第二接觸孔
CH3‧‧‧第三接觸孔
Cst‧‧‧儲存電容器
D、D1、D2、D3‧‧‧發光二極體
d1、d2‧‧‧寬度
DL‧‧‧資料線
GL‧‧‧閘極線
H1、H2‧‧‧高度
h、h1、h2‧‧‧孔
IP‧‧‧絕緣圖案
L1、L2、L3‧‧‧光
OM‧‧‧剩餘層
PW1‧‧‧第一分隔壁
PW2‧‧‧第二分隔壁
SL‧‧‧散射層
SP‧‧‧像素區域
SP1‧‧‧像素區域、藍色像素區域
SP2‧‧‧像素區域、紅色像素區域
SP3‧‧‧像素區域、綠色像素區域
Td‧‧‧驅動薄膜電晶體
Td1、Td2、Td3‧‧‧薄膜電晶體
Ts‧‧‧開關薄膜電晶體
VDD‧‧‧高壓電源
VSS‧‧‧低壓電源
附圖被包含在內以提供對本發明的進一步理解，並且附圖併入在本說明書中並構成本說明書的一部分，以說明本發明的實施例，並與說明書一起用於解釋本發明的各種原理。在圖式中：圖1為說明根據本發明之電致發光顯示裝置的單個像素區域的電路圖；圖2為示意性地說明根據本發明第一實施例之電致發光顯示裝置的剖面圖；圖3為根據本發明第一實施例之電致發光顯示裝置的局部放大圖；圖4為示意性地說明根據本發明第二實施例之電致發光顯示裝置的剖面圖；圖5為根據本發明第二實施例之電致發光顯示裝置的局部放大圖；以及 圖6為示意性地說明根據本發明第一實施例和第二實施例之依據第一分隔壁和第二分隔壁的折射率的光提取效率的曲線圖。
在下文中，將參考附圖描述本發明的例示性實施例。
<第一實施例>
圖1為說明根據本發明之電致發光顯示裝置的單個像素區域的電路圖。
如圖1所示，根據本發明實施例的電致發光顯示裝置包括：閘極線GL、資料線DL、開關薄膜電晶體Ts、驅動薄膜電晶體Td、儲存電容器Cst、以及發光二極體D。閘極線GL和資料線DL彼此交叉以界定像素區域SP。開關薄膜電晶體Ts、驅動薄膜電晶體Td、儲存電容器Cst、和發光二極體D形成在像素區域SP中。
更具體地說，開關薄膜電晶體Ts的閘極電極連接到閘極線GL，而開關薄膜電晶體Ts的源極電極連接到資料線DL。驅動薄膜電晶體Td的閘極電極連接到開關薄膜電晶體Ts的汲極電極，而驅動薄膜電晶體Td的源極電極連接到高壓電源VDD。發光二極體D的陽極連接到驅動薄膜電晶體Td的汲極電極，而發光二極體D的陰極連接到低壓電源VSS。儲存電容器Cst連接到驅動薄膜電晶體Td的閘極電極和汲極電極。
驅動電致發光顯示裝置以顯示影像。例如，當由通過從閘極線GL施加的閘極信號開啟開關薄膜電晶體Ts時，來自資料線DL的資料信號通過開關薄膜電晶體Ts施加到驅動薄膜電晶體Td的閘極電極和儲存電容器Cst的電極。
當由資料信號開啟驅動薄膜電晶體Td時，控制流過發光二極體D的電流，從而顯示影像。由於從高壓電源VDD通過驅動薄膜電晶體Td提供的電流，發光二極體D發光。
也就是說，流過發光二極體D的電流量與資料信號的大小成比例，並且由發光二極體D發出的光強度與流過發光二極體D的電流量成比例。因此，像素區域SP根據資料信號的大小顯示不同的灰階，並且因此電致發光顯示裝置顯示影像。
當開關薄膜電晶體Ts關閉時，儲存電容器Cst在一幀期間內維持對應於資料信號的電荷。因此，即使開關薄膜電晶體Ts關閉，儲存電容器Cst也能使流過發光二極體D的電流量恆定，並保持由發光二極體D顯示的灰階直到下一幀。
除了開關電晶體Ts和驅動薄膜電晶體Td以及儲存電容器Cst之外的電晶體及/或電容器可以進一步添加在像素區域SP中。
圖2為示意性地說明根據本發明第一實施例之電致發光顯示裝置的剖面圖。
如圖2所示，根據本發明第一實施例的電致發光顯示裝置100可包括：基板110；薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3及發光二極體D1、D2、和D3，分別形成在像素區域SP1、SP2、和SP3中，並設置在基板110上；封裝層170，設置在發光二極體D1、D2、和D3上；以及濾色層180，設置在封裝層170上。
也就是說，薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3以及發光二極體D1、D2、和D3可以分別形成在像素區域SP1、SP2、和SP3中且在基板110上，該基板110也稱為下基板、薄膜電晶體(TFT)基板、或底板。
在這種情況下，每一個像素區域SP1、SP2、和SP3是指在濾色圖案181、183、和185中形成有特定類型的濾色圖案的單元，並且因此可以發射具有特定顏色的光。
例如，像素區域SP1、SP2、和SP3可以包含：藍色像素區域SP1、紅色像素區域SP2、和綠色像素區域SP3，但不限於此，並且可以進一步包含白色像素區域。
具體地說，可以在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中形成半導體層122。閘極絕緣層124可以形成在半導體層122上，基本上形成在整個基板110上，該基板110包含像素區域SP1、SP2、和SP3。半導體層122可以包含：主動區域，其由本質半導體材料形成，並且設置在半導體層122的中心；以及源極區域和汲極區域，由摻雜有雜質的半導體材料形成，並分別形成在主動區域的左右位置處。
在閘極絕緣層124上形成對應於半導體層122的閘極電極126，並且在閘極電極126上形成層間絕緣層128。層間絕緣層128和閘極絕緣層124可以 包含配置以分別暴露半導體層122的源極區域和汲極區域的第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2。
彼此隔開的源極電極132和汲極電極130形成在層間絕緣層128上對應於半導體層122，並且源極電極132和汲極電極130可以分別通過第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2連接到半導體層122的源極區域和汲極區域。
在這種情況下，形成在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中的半導體層122、閘極電極126、源極電極132、和汲極電極130可以構成每一個薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3。
儘管在圖2中示出了共面型薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3作為示例，但實施例不限於此，並且還可以形成為交錯型薄膜電晶體。
儘管在圖2中僅示出驅動薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3，但是諸如圖2的開關薄膜電晶體Ts(圖中未顯示)之具有與驅動薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3相同的結構的複數個薄膜電晶體可以形成在單個像素區域中。
儘管圖中未顯示，但是可以形成圖2的閘極線GL、圖2的資料線DL、以及彼此交叉以界定像素區域SP1、SP2、和SP3的電力線。圖2的開關薄膜電晶體Ts可以連接到圖2的閘極線GL和圖2的資料線DL，並且每一個驅動薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3可以連接到圖2的開關薄膜電晶體Ts和電力線。
在每一個薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3上形成鈍化層134。鈍化層134可以包含被配置以暴露源極電極132的第三接觸孔CH3。
保護層可以設置在鈍化層134上。在這種情況下，鈍化層134和保護層可以包括暴露源極電極132的第三接觸孔CH3。
此處，配置以分隔像素區域SP1、SP2、和SP3的孔h可以形成在鈍化層134和層間絕緣層128中。也就是說，發光二極體D1、D2、和D3可以被鈍化層134和層間絕緣層128中的孔h分隔開，使得發光二極體D1、D2、和D3分別對應於像素區域SP1、SP2、和SP3。發光二極體D1、D2、和D3可以彼此隔開，並且分別設置在像素區域SP1、SP3、和SP3中。
儘管示出了孔h形成在圖2中的鈍化層134和層間絕緣層128中，但這僅是示例。電致發光顯示裝置100可以具有各種其他結構，其中形成有能夠分隔對應於像素區域SP1、SP2、和SP3的發光二極體D1、D2、和D3的孔h。
可以藉由使用光罩和顯影製程執行曝光製程來形成這樣的孔h。
第一電極141可以設置在鈍化層134上。
在這種情況下，第一電極141可以是陽極或陰極，用於向發光層142提供電洞或電子中的一種。
將描述根據本發明第一實施例之電致發光顯示裝置100的第一電極141是陽極的情況作為示例。
第一電極141可以形成為單層透明導電材料，例如氧化錫銦(ITO)。或者，第一電極141可以由具有相對高反射率的導電材料形成，例如：鋁和鈦的層狀結構(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的層狀結構(ITO/Al/ITO)、APC合金、以及APC合金和ITO(ITO/APC/ITO)的層狀結構，以獲得微腔效應。APC合金是指銀(Ag)、鈀(Pd)、和銅(Cu)的合金。
第一電極141可以通過形成在鈍化層134中的第三接觸孔CH3連接到每一個薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3的源極電極132，並且可以分別形成在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中。
儘管以假設薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3為N型薄膜電晶體且第一電極141連接到源極電極132來描述根據本發明第一實施例的電致發光顯示裝置100，但實施例不限於此。當薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3為P型薄膜電晶體時，第一電極141可以連接到汲極電極130。
被配置以覆蓋第一電極141的邊緣的絕緣圖案IP可以設置在第一電極141上。也就是說，絕緣圖案IP可以設置以覆蓋第一電極141的側表面和上表面的一部分。
絕緣圖案IP可以由氧化矽形成，但實施例不限於此。
在這種情況下，絕緣圖案IP可以緩和第一電極141的階差，並且提高電流效率。也就是說，當在第一電極141上形成發光層142時，發光層142形成以在第一電極141的階梯區域上具有相對小的厚度，以避免對發光沒有貢獻的電流集中。
發光層142可以設置在第一電極141和絕緣圖案IP上。
在這種情況下，發光層142可以發射白光。例如，發光層142可以具有串接的白色結構，其中堆疊複數個發光層以發射白光。例如，發光層142可以包含：第一發光層，被配置以發射藍光；以及第二發光層，設置在第一發光層上，並且被配置以發射具有當與藍色光混合時變為白色的顏色的光。第二發 光層可以是被配置以發射黃綠色的光的發光層。然而，實施例不限於此，並且，被配置以發射藍光、紅光、和綠光中的一種的發光層142可以設置在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中。
發光層142的發光材料可以為具有約1.8或更高的折射率的有機發光材料或諸如量子點的無機發光材料。
並且，發光層142可以以依循像素區域SP1、SP2、和SP3的整個表面的形態的形狀設置。
也就是說，發光層142可以以依循形成在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中的第一電極141和絕緣圖案IP以及形成在鈍化層134和層間絕緣層128中的孔h的形態的形狀設置。
用於向發光層142提供電子或電洞中的一個的第二電極143可以設置在發光層142上。
此處，第二電極143可以是陰極或陽極。
將描述根據本發明第一實施例之電致發光顯示裝置100的第二電極143是陰極的情況作為示例。
在這種情況下，第二電極143沿著發光層142的形態形成。也就是說，第二電極143可以形成以沿著發光層142的形狀覆蓋發光層142。
第二電極143可以由透明導電材料形成，例如：能夠透光的ITO和IZO，或者可以由諸如鎂(Mg)、銀(Ag)、或Mg和Ag的合金的半透射導電材料形成。
因此，第一電極141、絕緣圖案IP、發光層142、和第二電極143可以彼此重疊並形成每一個發光二極體D1、D2、和D3，並且發光二極體D1、D2、和D3可以彼此隔開並分別設置對應於像素區域SP1、SP2、和SP3。
封裝層170可以設置在分別對應於像素區域SP1、SP2、和SP3而形成的發光二極體D1、D2、和D3上。
根據本發明第一實施例的電致發光顯示裝置100的封裝層170可以包含：具有第一折射率的封裝膜171、以及具有低於第一折射率的第二折射率的第一分隔壁PW1。
在這種情況下，封裝膜171可以沿著分別對應於像素區域SP1、SP2、和SP3而形成的發光二極體D1、D2、和D3的形態形成。也就是說，封裝膜 171可以沿著設置在發光二極體D1、D2、和D3的最上部分的第二電極143的形態形成。
由於封裝膜171沿著第二電極143的形態設置，因此可以在封裝膜171中形成與像素區域SP1、SP2、和SP3之間的邊界對應的凹槽。
在這種情況下，封裝膜171可以由無機膜形成及/或可以具有多層的結構。
例如，封裝膜171可以包含由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、或氧化鈦所形成的至少一個層。
條形形狀的第一分隔壁PW1可以設置在與像素區域SP1、SP2、和SP3之間的邊界對應的封裝膜171的凹槽中。
儘管在圖式中示出第一分隔壁PW1的上部分的寬度逐漸增加，但這僅是示例，並且第一分隔壁PW1可以始終具有相同的寬度。
第一分隔壁PW1可以是具有低於封裝膜171的第一折射率的第二折射率的有機材料。例如，第一折射率可以在1.56至1.85的範圍內，第二折射率可以在1.0至1.55的範圍內，但實施例不限於此。
由於第一分隔壁PW1的折射率低於封裝膜171的折射率，因此從發光二極體D1、D2、和D3的發光層142傾斜地入射到封裝膜171的光可以由第一分隔壁PW1反射，並且輸出到對應的像素區域SP1、SP2、和SP3的上部區域。因此，可以提高電致發光顯示裝置100的光提取效率，並且可以避免顏色混合。
另外，通過被配置以覆蓋發光二極體D1、D2、和D3的封裝膜171和設置在封裝膜171之間的第一分隔壁PW1，可以更有效地避免氧氣或水氣的滲透到發光層142和第二電極143。
濾色層180可以設置在封裝層170上。
在這種情況下，濾色層180可以包含：濾色圖案181、183、和185，分別對應於像素區域SP1、SP2、和SP3而形成；以及第二分隔壁PW2，呈條形形狀，設置在濾色圖案181、183、和185之間。
儘管在圖式中示出第二分隔壁PW2的上部分的寬度逐漸增大，但這僅是示例，並且第二分隔壁PW2可以始終具有相同的寬度。
濾色圖案181、183、和185可以具有第三折射率，而第二分隔壁PW2可以具有低於第三折射率的第四折射率。
在這種情況下，第三折射率可以在1.6至1.85的範圍內，而第四折射率可以在1.0至1.55的範圍內，但實施例不限於此。
第二分隔壁PW2可以由氧化矽形成，但實施例不限於此。
由於第二分隔壁PW2的折射率低於濾色圖案181、183、和185的折射率，因此從發光二極體D1、D2、和D3的發光層142傾斜地入射到濾色圖案181、183、和185的光可以被第二分隔壁PW2反射，並且輸出到對應的像素區域SP1、SP2、和SP3的上部區域。因此，可以避免在視角方向上發生顏色混合的問題。
此外，相較於設置有黑色矩陣的傳統情況，由於濾色圖案181、183、和185之間的第二分隔壁PW2具有相對精細的寬度，因此可以增加發光區域。
具體地說，根據本發明第一實施例之電致發光顯示裝置的第二分隔壁PW2可以形成對應於第一分隔壁PW1。也就是說，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以設置為在垂直於基板110的第一方向上彼此平行。
由於第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2設置成在第一方向上彼此平行，因此從分別形成在像素區域SP1、SP2、和SP3中的發光二極體D1、D2、和D3輸出的光可以輸出到對應的像素區域SP1、SP2、和SP3的上部區域。因此，可以提高光提取效率，並且可以有效地避免顏色混合。
圖3為根據本發明第一實施例之電致發光顯示裝置的局部放大圖。
如圖3所示，根據本發明第一實施例之圖2的電致發光顯示裝置100可以包括：圖2的基板110；設置在圖2的基板110上的發光二極體D；設置在發光二極體D上的封裝層170；以及設置在封裝層170上的濾色層180。
層間絕緣層128和鈍化層134可以設置在圖2的基板110與發光二極體D之間。
在這種情況下，由於被配置以分隔像素區域SP的孔h形成在鈍化層134和層間絕緣層128中，因此可以形成發光二極體D對應於像素區域SP。
也就是說，由於孔h形成在鈍化層134和層間絕緣層128中，因此可以省略在傳統的電致發光顯示裝置中為了分隔像素區域SP而形成的堤岸層，並且可以簡化製程。
第一電極141可以設置在鈍化層134上，並且被配置以覆蓋第一電極141的邊緣的絕緣圖案IP可以設置在第一電極141上。
當使用絕緣圖案IP在第一電極141上形成發光層142時，發光層142形成以在第一電極141的階梯區域上具有相對小的厚度，以避免對發光沒有貢獻的電流集中，並且提高電流效率。
發光層142可以設置在第一電極141和絕緣圖案IP上。
在這種情況下，發光層142可以以依循第一電極141、絕緣圖案IP、以及形成在鈍化層134和層間絕緣層128中的孔h的形態的形狀設置。
第二電極143可以設置在發光層142上。
在這種情況下，第二電極143可以以依循發光層142的形態的形狀設置。
因此，第一電極141、絕緣圖案IP、發光層142、和第二電極143可以形成發光二極體D，並且相鄰的發光二極體D可以彼此隔開並分別設置對應於像素區域SP。
封裝層170可以設置在發光二極體D上，該封裝層170包含：具有第一折射率的封裝膜171、以及具有低於第一折射率的第二折射率的第一分隔壁PW1。
尤其是，封裝膜171可以沿著發光二極體D的形態形成。也就是說，封裝膜171可以沿著設置在發光二極體D的最上部分的第二電極143的形態形成。
由於封裝膜171沿著第二電極143的形態設置，因此電致發光顯示裝置100可以具有封裝膜171覆蓋每一個發光二極體D的結構，因此可以更有效地避免氧氣或水氣滲透進入發光層142和第二電極143。
在這種情況下，封裝膜171可以由無機膜形成及/或可以具有多層的結構。
第一分隔壁PW1可以設置在與像素區域SP之間的邊界對應的封裝膜171的凹槽中。
第一分隔壁PW1的中間部分可以具有條形形狀，並且第一分隔壁PW1的上部分可以具有寬度向上逐漸增大的形狀。然而，這僅是示例，並且第一分隔壁PW1可以形成使得上部分和中間部分具有相同的寬度。
在這種情況下，第一分隔壁PW1的中間部分的寬度d1可以在2μm至3μm的範圍內。第一分隔壁PW1的上部分的寬度可以大於或等於第一分隔壁PW1的中間部分的寬度d1。然而，實施例不限於此，並且可以根據像素區域SP的尺寸、解析度等，以各種方式改變第一分隔壁PW1的上部分和中間部分的寬度。
並且，第一分隔壁PW1的高度H1可以在7μm至9μm的範圍內，但實施例不限於此。可以根據鈍化層134、層間絕緣層128、和發光二極體D的厚度等，以各種方式改變高度H1。
鈍化層134和層間絕緣層128可以對應於像素區域SP被第一分隔壁PW1分隔開。
在這種情況下，第一分隔壁PW1可以是具有低於封裝膜171的第一折射率的第二折射率的有機材料。例如，第一折射率可以在1.6至1.85的範圍內，而第二折射率可以在1.0至1.55的範圍內，但實施例不限於此。
由於第一分隔壁PW1的折射率低於封裝膜171的折射率，因此從發光二極體D的發光層142傾斜地入射到封裝膜171的光L1可以被第一分隔壁PW1反射，並且輸出到對應的像素區域SP的上部區域。因此，可以提高電致發光顯示裝置100的光提取效率，並且可以防止顏色混合。
藉由在被配置以覆蓋發光二極體D的封裝膜171之間形成第一分隔壁PW1，可以進一步提高避免氧氣或水氣滲透到發光層142和第二電極143中的效率。
濾色層180可以設置在封裝層170上。
在這種情況下，濾色層180可以包含：濾色圖案181、183、和185，分別對應於像素區域SP而形成；以及第二分隔壁PW2，形成在濾色圖案181、183、和185之間。
也就是說，濾色圖案181、183、和185可以設置對應於發光二極體D。
因此，當從發光二極體D輸出白光時，該白光可以通過濾色圖案181、183、和185轉換為特定顏色的光。
此處，濾色圖案181、183、和185的邊緣可以是彎曲的。
此外，當從發光二極體D輸出不同波長帶的光時，可以設置濾色圖案181、183、和185對應於發光二極體D，從而避免不同波長帶的光混合而引起模糊現象和重影現象。
濾色圖案181、183、和185可以具有第三折射率，而第二分隔壁PW2可以具有低於第三折射率的第四折射率。
在這種情況下，第三折射率可以在1.6至1.85的範圍內，而第四折射率可以在1.0至1.55的範圍內，但實施例不限於此。
第二分隔壁PW2的中間部分可以具有條形形狀，並且第二分隔壁PW2的上部分可以具有寬度向上逐漸增大的形狀。
第二分隔壁PW2的中間部分的寬度d2可以在2μm至3μm的範圍內。第二分隔壁PW2的上部分的寬度可以大於或等於第二分隔壁PW2的中間部分的寬度d2。然而，實施例不限於此。
並且，第二分隔壁PW2的高度H2可以在7μm至9μm的範圍內，但實施例不限於此。可以根據濾色圖案181、183、和185的厚度等以各種方式改變高度H2。
第二分隔壁PW2可以由氧化矽形成，但實施例不限於此。第二分隔壁PW2也可以由氣隙形成。
由於第二分隔壁PW2的折射率低於濾色圖案181、183、和185的折射率，因此從發光二極體D的發光層142傾斜地入射到濾色圖案181、183、和185的光L2可以被第二分隔壁PW2反射，並且輸出到對應的像素區域SP的上部區域。因此，可以避免在視角方向上發生顏色混合的問題。
此外，相較於設置有黑色矩陣的傳統情況，由於濾色圖案181、183、和185之間的第二分隔壁PW2具有相對精細的寬度d2，因此可以增加發光區域。
散射層SL可以設置在每一個濾色圖案181、183、和185的上表面上。
在這種情況下，散射層SL可以是形成在每一個濾色圖案181、183、和185的上表面上的凹凸圖案，但實施例不限於此。散射層SL也可以由包含珠粒的材料層形成。
因此，穿過濾色圖案181、183、和185並且輸出到外部的光L3可以在各個方向上散射。
尤其是，藉由將在像素區域SP之間的邊界處垂直入射到濾色圖案181、183、和185的光L3的一部分朝向第二分隔壁PW2散射，可使得當人們在一個人的眼睛靠近螢幕的狀態下觀看影像時，例如當使用虛擬實境(VR)設備觀看影像時，可以避免由於細小的第二分隔壁PW2被視為黑色區域而可能出現格子的感覺。
具體地說，根據本發明第一實施例之電致發光顯示裝置100的第二分隔壁PW2可以形成對應於第一分隔壁PW1。
也就是說，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以設置為在垂直於基板110的第一方向1A上彼此平行。
由於第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2設置成在第一方向1A上彼此平行，因此從分別形成在像素區域SP中的發光二極體D輸出的光可以輸出到對應的像素區域SP的上部區域。因此，可以提高光提取效率，並且可以有效地防止顏色混合。
<第二實施例>
在下文中，可能省略與第一實施例的配置相同或相似的配置的詳細描述。
圖4為示意性地說明根據本發明第二實施例之電致發光顯示裝置的剖面圖。
如圖4所示，根據本發明第二實施例的電致發光顯示裝置200可包含：基板210；薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3及發光二極體D1、D2、和D3，分別形成在像素區域SP1、SP2、和SP3中，並設置在基板210上；封裝層270，設置在發光二極體D1、D2、和D3上；以及濾色層280，設置在封裝層270上。
也就是說，薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3及發光二極體D1、D2、和D3可以分別形成在基板210的像素區域SP1、SP2、和SP3中，該基板210也稱為下基板、薄膜電晶體(TFT)基板、或底板。
在這種情況下，像素區域SP1、SP2、和SP3可以包含藍色像素區域SP1、紅色像素區域SP2、和綠色像素區域SP3，但是不限於此，並且可以進一步包含白色像素區域。
可以在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中形成半導體層222。閘極絕緣層224可以形成在半導體層222上，基本上形成在整個基板210上，該基板210包含像素區域SP1、SP2、和SP3。
在閘極絕緣層224上形成閘極電極226對應於半導體層222，並且在閘極電極226上形成層間絕緣層228。層間絕緣層228和閘極絕緣層224可以包含被配置以分別暴露半導體層222的源極區域和汲極區域的第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2。
在層間絕緣層228上形成彼此隔開的源極電極232和汲極電極230對應於半導體層222，並且源極電極232和汲極電極230可以分別通過第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2連接到半導體層222的源極區域和汲極區域。
在這種情況下，形成在像素區域SP1、SP2、和SP3中的半導體層222、閘極電極226、源極電極232、和汲極電極230可以構成薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3。
在每一個薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3上形成鈍化層234。鈍化層234可以包含被配置以暴露源極電極232的第三接觸孔CH3。
在這種情況下，在根據本發明第二實施例的電致發光顯示裝置200中，被配置以分隔像素區域SP1、SP2、和SP3的孔h1和h2可以形成在層間絕緣層228和鈍化層234中。也就是說，發光二極體D1、D2、和D3可以被層間絕緣層228和鈍化層234中的孔h1和h2分隔開，使得發光二極體D1、D2、和D3分別對應於像素區域SP1、SP2、和SP3。發光二極體D1、D2、和D3可以彼此隔開，並且分別設置在像素區域SP1、SP3、和SP3中。
尤其是，在根據本發明第二實施例的電致發光顯示裝置200中，形成在層間絕緣層228中的孔h1的一部分的寬度可以大於形成在鈍化層234中的孔h2的一部分的寬度。
也就是說，電致發光顯示裝置200具有底切的形式，其中，層間絕緣層228的寬度小於設置在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中的鈍化層234的寬度。
並且，可以設置被配置以覆蓋鈍化層234的上表面和側表面的第一電極241。
第一電極241可以通過形成在鈍化層234中的第三接觸孔CH3連接到每一個薄膜電晶體Td1、Td2、和Td3的源極電極232，並且可以分別形成在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中。
由於根據本發明第二實施例之電致發光顯示裝置200的層間絕緣層228和鈍化層234具有底切的形式，因此分別形成在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中的第一電極241可以通過一個製程形成，從而可以簡化製程。
可以設置被配置以覆蓋第一電極241的側表面和上表面的一部分的絕緣圖案IP。
絕緣圖案IP可以由氧化矽形成，但實施例不限於此。
在這種情況下，絕緣圖案IP可以緩和第一電極241的階差，並且提高電流效率。也就是說，當在第一電極241上形成發光層242時，發光層242形成以在第一電極241的階梯區域上具有相對小的厚度，以避免對發光沒有貢獻的電流集中。
可以設置被配置以覆蓋第一電極241和絕緣圖案IP的發光層242。
在這種情況下，由於根據本發明第二實施例之電致發光顯示裝置200的層間絕緣層228和鈍化層234具有底切的形式，因此分別形成在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中的發光層242可以通過一個製程形成。
在這種情況下，發光層242可以發射白光，但實施例不限於此。被配置以發射藍光、紅光、和綠光中的一種的發光層242可以設置在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中。
發光層242的發光材料可以為具有約1.8或更高的折射率的有機發光材料或諸如量子點的無機發光材料。
可以設置被配置以覆蓋發光層242的上表面和側表面的第二電極243。
儘管在圖4中第二電極243被示出為彷彿第二電極243在每一個像素區域SP1、SP2、和SP3中單獨形成，但第二電極243可以沿著與圖4所示的剖面圖的垂直方向截取的剖面圖彼此連接。
因此，第一電極241、絕緣圖案IP、發光層242、和第二電極243可以形成每一個發光二極體D1、D2、和D3，並且發光二極體D1、D2、和D3可以彼此隔開並分別設置對應於像素區域SP1、SP2、和SP3。
封裝層270可以設置在分別對應於像素區域SP1、SP2、和SP3而形成的發光二極體D1、D2、和D3上。
根據本發明第二實施例之電致發光顯示裝置200的封裝層270可以包含：具有第一折射率的封裝膜271、以及具有低於第一折射率的第二折射率的第一分隔壁PW1。
在這種情況下，封裝膜271可以以封裝膜271覆蓋對應於每一個像素區域SP1、SP2、和SP3而形成之每一個發光二極體D1、D2、和D3的形式設置。
在這種情況下，封裝膜271可以由無機膜形成及/或具有多層的結構。
剩餘層OM可以存在於發光二極體D1、D2、和D3之間。
在這種情況下，剩餘層OM由用於形成發光二極體D1、D2、和D3以及封裝膜271的材料形成，並保留在層間絕緣層228的孔h1中。
第一分隔壁PW1可以設置在與像素區域SP1、SP2、和SP3之間的邊界對應的封裝膜271之間。
儘管在圖式中示出了第一分隔壁PW1的中間部分具有條形形狀，並且示出了第一分隔壁PW1的上部分具有寬度逐漸增大的形狀，但這僅是示例。第一分隔壁PW1可以形成使得上部分和中間部分具有相同的寬度。
並且，根據本發明第二實施例的電致發光顯示裝置200的第一分隔壁PW1的下部可以形成以具有比中間部分的寬度更大的寬度，並且第一分隔壁PW1的下表面可以與剩餘層OM接觸。
第一分隔壁PW1可以是具有低於封裝膜271的第一折射率的第二折射率的有機材料。例如，第一折射率可以在1.6至1.85的範圍內，而第二折射率可以在1.0至1.55的範圍內，但實施例不限於此。
由於第一分隔壁PW1的折射率低於封裝膜271的折射率，因此從發光二極體D1、D2、和D3的發光層242傾斜地入射到封裝膜271的光可以被第一分隔壁PW1反射，並且輸出到對應的像素區域SP1、SP2、和SP3的上部區域。因此，可以提高電致發光顯示裝置200的光提取效率，並且可以避免顏色混合。
另外，通過被配置以覆蓋發光二極體D1、D2、和D3的封裝膜271和設置在封裝膜271之間的第一分隔壁PW1，可以有效地避免氧氣或水氣的滲透到發光層242和第二電極243。
通過使第一分隔壁PW1的下部的寬度形成為大於其中間部分的寬度，且第一分隔壁PW1的下表面具有下表面與剩餘層OM接觸的結構，可以進一步改進避免氧氣和水氣滲透的效率。
濾色層280可以設置在封裝層270上。
在這種情況下，濾色層280可以包含：濾色圖案281、283、和285，分別對應於像素區域SP1、SP2、和SP3形成；以及第二分隔壁PW2，形成在濾色圖案281、283、和285之間。
在這種情況下，濾色圖案281、283、和285的邊緣可以是彎曲的。
濾色圖案281、283、和285可以具有第三折射率，並且第二分隔壁PW2可以具有低於第三折射率的第四折射率。
在這種情況下，第三折射率可以在1.6至1.85的範圍內，並且第四折射率可以在1.0至1.55的範圍內，但實施例不限於此。
第二分隔壁PW2可以由氧化矽形成，但實施例不限於此。
由於第二分隔壁PW2的折射率低於濾色圖案281、283、和285的折射率，因此從發光二極體D1、D2、和D3的發光層242傾斜地入射到濾色圖案281、283、和285的光可以被第二分隔壁PW2反射，並且輸出到對應的像素區域SP1、SP2、和SP3的上部區域。因此，可以避免在視角方向上發生顏色混合的問題。
此外，相較於設置有黑色矩陣的傳統情況，由於濾色圖案281、283、和285之間的第二分隔壁PW2具有相對細小的寬度，因此可以增加發光區域。
具體地說，根據本發明第二實施例之電致發光顯示裝置200的第二分隔壁PW2可以形成對應於第一分隔壁PW1。
也就是說，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以設置為在垂直於基板210的第一方向上彼此平行。
由於第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2設置成在第一方向上彼此平行，因此從分別形成在像素區域SP1、SP2、和SP3中的發光二極體D1、D2、和D3輸出的光可以輸出到對應的像素區域SP1、SP2、和SP3的上部區域。因此，可以提高光提取效率，並且可以有效地防止顏色混合。
圖5為根據本發明第二實施例之電致發光顯示裝置的局部放大圖。
如圖5所示，根據本發明第二實施例之圖4的電致發光顯示裝置200可以包含：圖4的基板210、設置在圖4的基板210上的發光二極體D、設置在發光二極體D上的封裝層270、以及設置在封裝層270上的濾色層280。
層間絕緣層228和鈍化層234可以設置在圖4的基板210和發光二極體D之間。
在這種情況下，由於被配置以分隔像素區域SP的孔h1和h2形成在層間絕緣層228和鈍化層234中，因此發光二極體D可以彼此隔開並分別設置在像素區域SP中。
由於形成在層間絕緣層228和鈍化層234中的h1和h2，因此可以省略在傳統的電致發光顯示裝置中為了分隔像素區域SP而形成的堤岸層，並且可以簡化製程。
電致發光顯示裝置200具有底切的形式，其中，層間絕緣層228的寬度小於設置在每一個像素區域SP中的鈍化層234的寬度。
並且，可以設置被配置以覆蓋鈍化層234的上表面和側表面的第一電極241。
在這種情況下，由於層間絕緣層228和鈍化層234具有底切的形式，因此分別形成在每一個像素區域SP中的第一電極241可以通過一個製程形成，從而可以簡化製程。
可以設置被配置以覆蓋第一電極241的側表面和上表面的一部分的絕緣圖案IP。
當使用諸如絕緣圖案IP在第一電極241上形成發光層242時，發光層242形成以在第一電極241的階梯區域上具有相對小的厚度，以避免對發光沒有貢獻的電流集中。因此，可以提高電流效率。
可以設置被配置以覆蓋第一電極241和絕緣圖案IP的發光層242。
在這種情況下，由於根據本發明第二實施例之電致發光顯示裝置200的層間絕緣層228和鈍化層234具有底切的形式，因此在每一個像素區域SP中單獨形成的發光層242可以通過一個製程形成。
可以設置被配置以覆蓋發光層242的上表面和側表面的第二電極243。
第一電極241、絕緣圖案IP、發光層242、和第二電極243可以形成每一個發光二極體D，並且發光二極體D可以每一個彼此隔開並分別設置對應於像素區域SP。
封裝層270可以設置在分別對應於像素區域SP而形成的發光二極體D上。
在這種情況下，封裝層270可以包含：具有第一折射率的封裝膜271、以及具有低於第一折射率的第二折射率的第一分隔壁PW1。
在這種情況下，封裝膜271可以以封裝膜271覆蓋對應於每一個像素區域SP而形成的每一個發光二極體D的形式設置。
在這種情況下，封裝膜271可以由無機膜形成及/或具有多層的結構。
由於封裝膜271具有其中封裝膜271覆蓋每一個發光二極體D的結構，因此可以更有效地避免氧氣或水氣滲透進入發光層242和第二電極243。
剩餘層OM可以存在於發光二極體D之間。
在這種情況下，剩餘層OM由用於形成發光二極體D和封裝膜271的材料形成，並保留在層間絕緣層228的孔h1中。
第一分隔壁PW1可以設置在與像素區域SP之間的邊界對應的封裝膜271之間。
儘管在圖式中示出了第一分隔壁PW1的中間部分具有條形形狀，並且示出了第一分隔壁PW1的上部分具有寬度逐漸增大的形狀，但這僅是示例。第一分隔壁PW1可以形成使得上部分和中間部分具有相同的寬度。
並且，根據本發明第二實施例之電致發光顯示裝置200的第一分隔壁PW1的下部可以形成以具有比中間部分的寬度更大的寬度，並且第一分隔壁PW1的下表面可以與剩餘層OM接觸。
在這種情況下，第一分隔壁PW1的中間部分的寬度d1可以在2μm至3μm的範圍內。第一分隔壁PW1的上部分的寬度可以大於或等於第一分隔壁PW1的中間部分的寬度d1。然而，實施例不限於此，並且可以根據像素區域SP的尺寸、解析度等，以各種方式改變第一分隔壁PW1的尺寸和形狀。
並且，第一分隔壁PW1的高度H1可以在7μm至9μm的範圍內，但實施例不限於此。可以根據鈍化層234、層間絕緣層228、和發光二極體D的厚度等，以各種方式改變高度H1。
在這種情況下，第一分隔壁PW1可以是具有低於封裝膜271的第一折射率的第二折射率的有機材料。例如，第一折射率可以在1.6至1.85的範圍內，並且第二折射率可以在1.0至1.55的範圍內，但實施例不限於此。
由於第一分隔壁PW1的折射率低於封裝膜271的折射率，因此從發光二極體D的發光層242傾斜地入射到封裝膜271的光L1可以被第一分隔壁PW1反射，並且向上輸出。因此，可以提高電致發光顯示裝置200的光提取效率，並且可以避免顏色混合。
另外，藉由在被配置以分別覆蓋發光二極體D的封裝膜271之間形成第一分隔壁PW1，可以進一步提高避免氧氣或水氣滲透到發光層242和第二電極243中的效率。
此外，通過使第一分隔壁PW1的下部的寬度形成為大於其中間部分的寬度，並且第一分隔壁PW1的下表面具有下表面與剩餘層OM接觸的結構，可以進一步改進發光二極體D的穩定性。
濾色層280可以設置在封裝層270上。
在這種情況下，濾色層280可以包含：濾色圖案281、283、和285，分別對應於像素區域SP1、SP2、和SP3形成；以及第二分隔壁PW2，呈條形形狀，設置在濾色圖案281、283、和285之間。
濾色圖案281、283、和285可以具有第三折射率，並且第二分隔壁PW2可以具有低於第三折射率的第四折射率。
在這種情況下，第三折射率可以在1.6至1.85的範圍內，並且第四折射率可以在1.0至1.55的範圍內，但實施例不限於此。
第二分隔壁PW2的中間部分的寬度d2可以在2μm至3μm的範圍內。第二分隔壁PW2的上部分的寬度可以大於或等於第二分隔壁PW2的中間部分的寬度d2。然而，實施例不限於此。
並且，第二分隔壁PW2的高度H2可以在7μm至9μm的範圍內，但實施例不限於此。可以根據濾色圖案281、283、和285的厚度等以各種方式改變高度H2。
第二分隔壁PW2可以由氧化矽形成，但實施例不限於此。第二分隔壁PW2也可以由氣隙形成。
由於第二分隔壁PW2的折射率低於濾色圖案281、283、和285的折射率，因此從發光二極體D的發光層242傾斜地入射到濾色圖案281、283、和285的光L2可以被第二分隔壁PW2反射，並且向上輸出。因此，可以避免在視角方向上發生顏色混合的問題。
此外，相較於設置有黑色矩陣的傳統情況，由於濾色圖案281、283、和285之間的第二分隔壁PW2具有相對細小的寬度d2，因此可以增加發光區域。
散射層SL可以設置在每一個濾色圖案281、283、和285的上表面上。
在這種情況下，散射層SL可以是形成在每一個濾色圖案281、283、和285的上表面上的凹凸圖案，但實施例不限於此。散射層SL也可以由包含珠粒的材料層形成。
因此，穿過濾色圖案281、283、和285並且輸出到外部的光L3可以在各個方向上散射。
尤其是，藉由將在像素區域SP之間的邊界處垂直入射到濾色圖案281、283、和285的光L3的一部分朝向第二分隔壁PW2散射，可以避免當人們在一個人的眼睛靠近螢幕的狀態下觀看影像時，例如當使用VR設備觀看影像時，由於細小的第二分隔壁PW2被視為黑色區域而可能出現格子的感覺。
具體地說，根據本發明第二實施例，圖5的電致發光顯示裝置200的第二分隔壁PW2可以形成對應於第一分隔壁PW1。
也就是說，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以設置為在垂直於基板110的第一方向1A上彼此平行。
由於第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2設置成在第一方向1A上彼此平行，因此從分別形成在像素區域SP中的發光二極體D輸出的光可以輸出到對應的像素區域SP的上部區域。因此，可以提高光提取效率，並且可以有效地避免顏色混合。
圖6為示意性地說明根據本發明第一實施例和第二實施例之根據第一分隔壁和第二分隔壁的折射率的光提取效率的曲線圖。
亦即，圖6為說明當圖5的封裝膜271和圖5的濾色圖案281、283、和285的折射率為1.7時，根據圖5的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的折射率變化的光提取效率的曲線圖。
如圖6所示，可以看出，隨著圖5的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的折射率從1.55減小至1.4，光提取效率增加。
也就是說，其顯示：當圖5的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的折射率為1.55時，光提取效率為47；當圖5的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的折射率為1.5時，光提取效率為51；當圖5的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的折射率為1.45時，光提取效率為55.5；以及當圖5的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2折射率為1.4時，光提取效率為59。
因此，可以看出，當圖5的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的折射率為1.4時，光提取效率最高。
也就是說，當圖5的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的折射率是1.4時，從發光二極體D向外傾斜地輸出的光的路徑可以通過圖5的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2調節，並且可以輸出最大量的光到外部。以上說明僅描述第二實施例之圖5的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2作為示例，但圖6也可以應用於第一實施例之圖3的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。
因此，根據本發明第一實施例之圖2的電致發光顯示裝置100，藉由設定圖3之第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的折射率，光提取效率可以進一步提高，而根據本發明第二實施例之圖4的電致發光顯示裝置200，圖5的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的折射率為1.4。
以上已經參考了本發明的例示性實施例描述本發明。然而，所屬領域中具有通常知識者應該理解的是，在不脫離以下的申請專利範圍中描述的本發明的技術精神和範圍的範疇內，可以對本發明做出各種修改和改變。
本發明主張於2017年12月5日提交之韓國專利申請第10-2017-0166006號的權益，該申請案透過引用整個併入本文中。
100‧‧‧電致發光顯示裝置
110‧‧‧基板
122‧‧‧半導體層
124‧‧‧閘極絕緣層
126‧‧‧閘極電極
128‧‧‧層間絕緣層
130‧‧‧汲極電極
132‧‧‧源極電極
134‧‧‧鈍化層
141‧‧‧第一電極
142‧‧‧發光層
143‧‧‧第二電極
170‧‧‧封裝層
171‧‧‧封裝膜
180‧‧‧濾色層
181、183、185‧‧‧濾色圖案
CH1‧‧‧第一接觸孔
CH2‧‧‧第二接觸孔
CH3‧‧‧第三接觸孔
D1、D2、D3‧‧‧發光二極體
h‧‧‧孔
IP‧‧‧絕緣圖案
PW1‧‧‧第一分隔壁
PW2‧‧‧第二分隔壁
SP1‧‧‧像素區域、藍色像素區域
SP2‧‧‧像素區域、紅色像素區域
SP3‧‧‧像素區域、綠色像素區域
Td1、Td2、Td3‧‧‧薄膜電晶體

Claims (11)

  1. 一種電致發光顯示裝置，包括：一基板，包含複數個像素區域；複數個發光二極體，在該基板上彼此隔開，並且分別對應該複數個像素區域；複數個封裝膜，分別覆蓋該複數個發光二極體，並且具有一第一折射率；一第一分隔壁，設置在對應該複數個像素區域之間的一邊界的該等封裝膜之間，並且具有低於該第一折射率的一第二折射率；以及一濾色層，設置在該等封裝膜和該第一分隔壁上，其中，該濾色層包含複數個濾色圖案和一第二分隔壁，該複數個濾色圖案具有一第三折射率，該第二分隔壁設置在該複數個濾色圖案之間並具有低於該第三折射率的一第四折射率，以提高光提取效率並避免顏色混合。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中，該第二分隔壁被設置對應於該第一分隔壁。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中，該複數個濾色圖案被設置以分別對應於該複數個發光二極體。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中，該第一分隔壁和該第二分隔壁的每一個的一中間部分具有條形形狀，並且該第一分隔壁和該第二分隔壁的每一個的一上部分具有向上逐漸增大的寬度。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述的電致發光顯示裝置，其中，該第一分隔壁和該第二分隔壁的每一個的該中間部分的寬度在2μm至3μm的範圍內。
  6. 根據申請專利範圍第4項所述的電致發光顯示裝置，其中，該第一分隔壁和該第二分隔壁的每一個的高度在7μm至9μm的範圍內。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中，該第二折射率和該第四折射率的每一個在1.0至1.55的範圍內。
  8. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中，該濾色層還包含一散射層，該散射層設置在該複數個濾色圖案的每一個的一上表面上。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中，該複數個濾色圖案的每一個的一邊緣為彎曲的。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中，該電致發光顯示裝置進一步包括一鈍化層，位於該基板上，其中，該複數個發光二極體中的每一個包含：一第一電極，設置在該鈍化層上；一絕緣圖案，被配置以覆蓋該第一電極的一邊緣；一發光層，設置在該第一電極和該絕緣圖案上；以及一第二電極，設置在該發光層上。
  11. 根據申請專利範圍第10項所述的電致發光顯示裝置，進一步包括一層間絕緣層，設置在該鈍化層下方和該基板上，其中，每一個像素區域的該鈍化層和該層間絕緣層被該第一分隔壁分隔開。
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