TWI692865B - 顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
一種顯示裝置,包括第一與第二基板,第一與第二元件層,第一與第二發光元件層。第一元件層在第一基板上且包括第一主動元件。第一發光元件層在第一元件層上且包括第一發光元件,第一發光元件與第一主動元件電性連接且包括第一發光層。第二基板在第一發光元件上。第二元件層在第二基板上且包括第二主動元件。第二發光元件層在第二元件層上且包括第二發光元件,第二發光元件與第二主動元件電性連接且包括第二發光層。於第一基板的法線方向上,第一與第二發光層不重疊。
Description
本發明是有關於一種顯示裝置,且特別是有關於一種具有多層基板的顯示裝置。
近年來,由於有機發光二極體顯示器具有自發光、廣視角、省電、程序簡易、低成本、操作溫度廣泛、高應答速度以及全彩化等等的優點,使其具有極大的潛力成為下一代平面顯示器的主流。隨著顯示技術的不斷進步,對於有機發光二極體顯示器的解析度的要求也越益提高,以使影像輸出視覺可以更接近自然的影像。因此,如何提高有機發光二極體顯示器的解析度實已成目前亟欲解決的課題之一。
本發明提供一種顯示裝置,其可具有提升的解析度。
本發明的顯示裝置包括第一基板、第一元件層、第一發光元件層、第二基板、第二元件層、第二發光元件層、第三基板、第三元件層及第三發光元件層。第一元件層配置於第一基板上且
包括第一主動元件。第一發光元件層配置於第一元件層上,其中第一發光元件層包括第一發光元件,與第一主動元件電性連接且包括第一發光層。第二基板配置於第一發光元件上。第二元件層配置於第二基板上且包括第二主動元件。第二發光元件層配置於第二元件層上,其中第二發光元件層包括第二發光元件,與第二主動元件電性連接且包括第二發光層。第三基板配置於第二發光元件上。第三元件層配置於第三基板上且包括第三主動元件。第三發光元件層配置於第三元件層上,其中第三發光元件層包括第三發光元件,與第三主動元件電性連接且包括第三發光層。於第一基板的法線方向上,第一發光層、第二發光層與第三發光層不相重疊。
基於上述,在本發明的顯示裝置中,第一元件層配置於第一基板上且包括第一主動元件,第一發光元件層配置於第一元件層上且包括與第一主動元件電性連接第一發光元件,第二基板配置於第一發光元件上,第二元件層配置於第二基板上且包括第二主動元件,第二發光元件層配置於第二元件層上且包括與第二主動元件電性連接的第二發光元件,第三基板配置於第二發光元件上,第三元件層配置於第三基板上且包括第三主動元件,第三發光元件層配置於第三元件層上且包括與第三主動元件電性連接的第三發光元件,以及於第一基板的法線方向上,第一發光元件的第一發光層、第二發光元件的第二發光層與第三發光元件的第三發光層不相重疊,藉此顯示裝置可具有提升的解析度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施方式,並配合所附圖式作詳細說明如下。
10、20、30、40、50、60:顯示裝置
100、110、120、130、150、160、170:基板
102、112、122、132、152、162、172:元件層
104、114、124、134、154、164、174:發光元件層
140a~140i:黏著層
A1~A7、C1~C7:電極
CR1~CR7:通道區
D1~D7:汲極
DR1~DR7:汲極區
E1、E2、E3、E4、E4’、E5、E6、E7:發光層
G1~G7:閘極
GI、GI2、GI3、GI4、GI5、GI6、GI7:閘絕緣層
H1~H21:接觸窗
I1、I4’、I4:藍光
I2:綠光
I3:紅光
I5:洋紅光
I6:青光
I7:黃光
IL1~IL14:層間絕緣層
L1~L3:絕緣層
N:法線方向
O1、O2、O3、O4、O5、O6、O7:發光元件
PDL1~PDL7:畫素定義層
PL、PL2、PL3、PL4、PL5、PL6、PL7:平坦層
S1~S7:源極
SC1~SC7:半導體層
SR1~SR7:源極區
t1、t2:圖框時間
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7:主動元件
U1、U2:開口圖案
V1~V10:開口
圖1是依照本發明的一實施方式的顯示裝置的剖面示意圖。
圖2是圖1的顯示裝置的驅動波形的示意圖。
圖3是依照本發明的另一實施方式的顯示裝置的剖面示意圖。
圖4是依照本發明的另一實施方式的顯示裝置的剖面示意圖。
圖5是圖4的顯示裝置的驅動波形的示意圖。
圖6是依照本發明的另一實施方式的顯示裝置的剖面示意圖。
圖7是依照本發明的另一實施方式的顯示裝置的剖面示意圖。
圖8是依照本發明的另一實施方式的顯示裝置的剖面示意圖。
在本文中,由「一數值至另一數值」表示的範圍,是一種避免在說明書中一一列舉該範圍中的所有數值的概要性表示方
式。因此,某一特定數值範圍的記載,涵蓋該數值範圍內的任意數值以及由該數值範圍內的任意數值界定出的較小數值範圍,如同在說明書中明文寫出該任意數值和該較小數值範圍一樣。
應當理解,儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層、部分及/或顏色,但是這些元件、部件、區域、部分及/或顏色不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層、部分或顏色與另一個元件、部件、區域、層、部分或顏色區分開。
在附圖中,為了清楚起見,放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,「連接」可以指物理及/或電性連接。再者,「電性連接」可為二元件間存在其它元件。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
圖1是依照本發明的一實施方式的顯示裝置的剖面示意
圖。圖2是圖1的顯示裝置的驅動波形的示意圖。
請參照圖1,顯示裝置10可包括第一基板100、第一元件層102、第一發光元件層104、第二基板110、第二元件層112、第二發光元件層114、第三基板120、第三元件層122、及第三發光元件層124。另外,在本實施方式中,顯示裝置10可選擇性更包括第四基板130、第四元件層132、第四發光元件層134、及黏著層140a~140c。
在本實施方式中,第一基板100的材質可包括(但不限於):玻璃、石英、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或有機聚合物,所述有機聚合物例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。在本實施方式中,第一基板100為單層結構,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第一基板100也可為多層結構。
在本實施方式中,第一元件層102配置於第一基板100上。在本實施方式中,第一元件層102可包括第一主動元件T1、閘絕緣層GI、層間絕緣層IL1、層間絕緣層IL2及平坦層PL。
在本實施方式中,第一主動元件T1可包括半導體層SC1、閘極G1、源極S1以及汲極D1,其中半導體層SC1可包括源極區SR1、汲極區DR1以及通道區CR1,閘極G1位在通道區CR1上方且與通道區CR1重疊,源極S1經由形成在閘絕緣層GI(於後文進行詳細描述)及層間絕緣層IL1(於後文進行詳細描述)中的接觸窗H1與源極區SR1電性連接,汲極D1經由形成在閘絕緣層GI(於後文進行詳細描述)及層間絕緣層IL1(於後文
進行詳細描述)中的接觸窗H2與汲極區DR1電性連接。
在本實施方式中,第一主動元件T1屬於頂部閘極型薄膜電晶體,但本發明不限於此。在其他實施方式中,第一主動元件T1也可屬於底部閘極型薄膜電晶體。
在本實施方式中,閘極G1、源極S1及汲極D1的材質可包括(但不限於):金屬、合金、前述材料的氮化物、前述材料的氧化物、前述材料的氮氧化物、其他非金屬但具導電特性的材料、或是其它合適的材料。在本實施方式中,半導體層SC1的材質可包括多晶矽,亦即第一主動元件T1可為低溫多晶矽薄膜電晶體(Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)。然而,本發明並不限定主動元件的型態。在其他實施方式中,半導體層SC1的材質可包括非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、單晶矽、有機半導體材料、金屬氧化物半導體材料、奈米碳管/桿、鈣鈦礦或其它合適的材料。
在本實施方式中,閘絕緣層GI覆蓋半導體層SC1。在本實施方式中,層間絕緣層IL1配置於閘絕緣層GI上,且覆蓋閘極G1。在本實施方式中,層間絕緣層IL2配置於層間絕緣層IL1上,且覆蓋第一主動元件T1,以提供絕緣與保護的功能。在本實施方式中,平坦層PL配置於層間絕緣層IL2上,以提供保護與平坦的功能。在本實施方式中,閘絕緣層GI、層間絕緣層IL1、層間絕緣層IL2及平坦層PL分別可為單層或多層結構。在本實施方式中,閘絕緣層GI、層間絕緣層IL1、層間絕緣層IL2及平坦層PL
的材質分別可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如包括(但不限於):氧化矽、氮化矽或氮氧化矽;有機材料例如包括(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。
在本實施方式中,第一發光元件層104配置於第一元件層102上。在本實施方式中,第一發光元件層104可包括電極A1、第一發光層E1、電極C1及畫素定義層PDL1。
在本實施方式中,電極A1透過形成在層間絕緣層IL2及平坦層PL中的接觸窗H3與第一主動元件T1的汲極D1電性連接。在本實施方式中,電極A1的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或其合金。
在本實施方式中,第一發光層E1位在畫素定義層PDL1的開口V1內,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第一發光層E1可位在畫素定義層PDL1的開口V1內且位在畫素定義層PDL1上。在本實施方式中,第一發光層E1的顏色為第一藍色。在本實施方式中,第一發光層E1可由任何所屬領域中具有通常知識者所周知的用於顯示面板中的發光層的材料所構成。
在本實施方式中,電極C1配置於第一發光層E1上。另
一方面,在本實施方式中,第一發光層E1配置於電極A1與電極C1之間。在本實施方式中,電極C1的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或其合金。
在本實施方式中,第一發光層E1、電極A1與第一發光層E1重疊的部分以及電極C1與第一發光層E1重疊的部分一起構成第一發光元件O1。在本實施方式中,電極A1與第一發光層E1重疊的部分作為第一發光元件O1的陽極,而電極C1與第一發光層E1重疊的部分作為第一發光元件O1的陰極,但本發明不限於此。在其他實施方式中,電極A1與第一發光層E1重疊的部分可作為第一發光元件O1的陰極,而電極C1與第一發光層E1重疊的部分可作為第一發光元件O1的陽極。
如前文所述,在本實施方式中,電極A1與第一主動元件T1的汲極D1電性連接,故第一主動元件T1與第一發光元件O1電性連接,用以驅動第一發光元件O1。詳細而言,第一發光元件O1是透過第一發光層E1經由電極A1與電極C1間產生的電壓差驅動而發出光。如前文所述,第一發光層E1的顏色為第一藍色,故第一發光元件O1經驅動會發出第一藍光I1。
另外,雖然圖1僅繪示出與第一發光元件O1電性連接的
一個第一主動元件T1,但任何所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,第一發光元件O1實際上是透過例如具有1T1C的架構、2T1C的架構、3T1C的架構、3T2C的架構、4T1C的架構、4T2C的架構、5T1C的架構、5T2C的架構、6T1C的架構、6T2C的架構、7T2C的架構或是任何可能的架構的驅動單元來驅動。也就是說,在本實施方式中,第一主動元件T1是用以驅動第一發光元件O1的驅動單元中的一個元件。
在本實施方式中,畫素定義層PDL1的材質可包括感光性聚亞醯胺材料、丙烯基材料、矽氧烷材料、酚醛樹脂材料、氧化物、氮化物或氮氧化物,但本發明不以此為限。
在本實施方式中,第四基板130配置於第一發光元件層104上。也就是說,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第四基板130堆疊於第一基板100、第一元件層102及第一發光元件層104上。在本實施方式中,第四基板130的材質可包括(但不限於):玻璃、石英、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或有機聚合物,所述有機聚合物例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。在本實施方式中,第四基板130為單層結構,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第四基板130也可為多層結構。
在本實施方式中,第四元件層132配置於第四基板130上。在本實施方式中,第四元件層132可包括第四主動元件T4、閘絕緣層GI4、層間絕緣層IL3、層間絕緣層IL4及平坦層PL4。
在本實施方式中,第四主動元件T4可包括半導體層SC4、閘極G4、源極S4以及汲極D4,其中半導體層SC4可包括源極區SR4、汲極區DR4以及通道區CR4,閘極G4位在通道區CR4上方且與通道區CR4重疊,源極S4經由形成在閘絕緣層GI4(於後文進行詳細描述)及層間絕緣層IL3(於後文進行詳細描述)中的接觸窗H4與源極區SR4電性連接,汲極D4經由形成在閘絕緣層GI4(於後文進行詳細描述)及層間絕緣層IL3(於後文進行詳細描述)中的接觸窗H5與汲極區DR4電性連接。
在本實施方式中,第四主動元件T4屬於頂部閘極型薄膜電晶體,但本發明不限於此。在其他實施方式中,第四主動元件T4也可屬於底部閘極型薄膜電晶體。
在本實施方式中,閘極G4、源極S4及汲極D4的材質可包括(但不限於):金屬、合金、前述材料的氮化物、前述材料的氧化物、前述材料的氮氧化物、其他非金屬但具導電特性的材料、或是其它合適的材料。在本實施方式中,半導體層SC4的材質可包括多晶矽,亦即第四主動元件T4可為低溫多晶矽薄膜電晶體。然而,本發明並不限定主動元件的型態。在其他實施方式中,半導體層SC4的材質可包括非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、單晶矽、有機半導體材料、金屬氧化物半導體材料、奈米碳管/桿、鈣鈦礦或其它合適的材料。
在本實施方式中,閘絕緣層GI4覆蓋半導體層SC4。在本實施方式中,層間絕緣層IL3配置於閘絕緣層GI4上,且覆蓋
閘極G4。在本實施方式中,層間絕緣層IL4配置於層間絕緣層IL3上,且覆蓋第四主動元件T4,以提供絕緣與保護的功能。在本實施方式中,平坦層PL4配置於層間絕緣層IL4上,以提供保護與平坦的功能。在本實施方式中,閘絕緣層GI4、層間絕緣層IL3、層間絕緣層IL4及平坦層PL4分別可為單層或多層結構。在本實施方式中,閘絕緣層GI4、層間絕緣層IL3、層間絕緣層IL4及平坦層PL4的材質分別可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如包括(但不限於):氧化矽、氮化矽或氮氧化矽;有機材料例如包括(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。
在本實施方式中,第四發光元件層134配置於第四元件層132上。在本實施方式中,第四發光元件層134可包括電極A4、第四發光層E4、電極C4及畫素定義層PDL4。
在本實施方式中,電極A4透過形成在層間絕緣層IL4及平坦層PL4中的接觸窗H6與第四主動元件T4的汲極D4電性連接。在本實施方式中,電極A4的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或其合金。
在本實施方式中,第四發光層E4位在畫素定義層PDL4
的開口V4內,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第四發光層E4可位在畫素定義層PDL4的開口V4內且位在畫素定義層PDL4上。在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第四發光層E4與第一發光層E1不相重疊。也就是說,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,畫素定義層PDL4的開口V4與畫素定義層PDL1的開口V1不相重疊。
在本實施方式中,第四發光層E4的顏色為第二藍色。值得一提的是,在本實施方式中,第四發光層E4的第二藍色的色度與第一發光層E1的第一藍色的色度不相同。也就是說,在本實施方式中,第四發光層E4的材料與第一發光層E1的材料不相同。舉例而言,在一實施方式中,第一發光層E1的第一藍色的色度高於第四發光層E4的第二藍色的色度,且第一發光層E1的使用壽命低於第四發光層E4的使用壽命。另外,在本實施方式中,第四發光層E4可由任何所屬領域中具有通常知識者所周知的用於顯示面板中的發光層的材料所構成。
在本實施方式中,電極C4配置於第四發光層E4上。另一方面,在本實施方式中,第四發光層E4配置於電極A4與電極C4之間。在本實施方式中,電極C4的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或
其合金。
在本實施方式中,第四發光層E4、電極A4與第四發光層E4重疊的部分以及電極C4與第四發光層E4重疊的部分一起構成第四發光元件O4。在本實施方式中,電極A4與第四發光層E4重疊的部分作為第四發光元件O4的陽極,而電極C4與第四發光層E4重疊的部分作為第四發光元件O4的陰極,但本發明不限於此。在其他實施方式中,電極A4與第四發光層E4重疊的部分可作為第四發光元件O4的陰極,而電極C4與第四發光層E4重疊的部分可作為第四發光元件O4的陽極。
如前文所述,在本實施方式中,電極A4與第四主動元件T4的汲極D4電性連接,故第四主動元件T4與第四發光元件O4電性連接,用以驅動第四發光元件O4。詳細而言,第四發光元件O4是透過第四發光層E4經由電極A4與電極C4間產生的電壓差驅動而發出光。如前文所述,第四發光層E4的顏色為第二藍色,故第四發光元件O4經驅動會發出第二藍光I4,其中第一發光元件O1會發出的第一藍光I1與第四發光元件O4會發出第二藍光I4不相同。
另外,雖然圖1僅繪示出與第四發光元件O4電性連接的一個第四主動元件T4,但任何所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,第四發光元件O4實際上是透過例如具有1T1C的架構、2T1C的架構、3T1C的架構、3T2C的架構、4T1C的架構、4T2C的架構、5T1C的架構、5T2C的架構、6T1C的架構、6T2C的架
構、7T2C的架構或是任何可能的架構的驅動單元來驅動。也就是說,在本實施方式中,第四主動元件T4是用以驅動第四發光元件O4的驅動單元中的一個元件。
在本實施方式中,畫素定義層PDL4的材質可包括感光性聚亞醯胺材料、丙烯基材料、矽氧烷材料、酚醛樹脂材料、氧化物、氮化物或氮氧化物,但本發明不以此為限。
在本實施方式中,黏著層140a配置於第一發光元件層104與第四基板130之間。也就是說,在本實施方式中,第四基板130透過黏著層140a而黏著固定於第一發光元件層104上。另外,在本實施方式中,黏著層140a可為連續的膠層,其中所述膠層的材質可包括(但不限於):光固化膠(SVR)、透明光學膠(Optical Clear Adhesive,OCA)或其他黏著材料。
在本實施方式中,第二基板110配置於第四發光元件層134上。也就是說,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第二基板110堆疊於第一基板100、第一元件層102、第一發光元件層104、第四基板130、第四元件層132及第四發光元件層134上。從另一觀點而言,在本實施方式中,第四基板130、第四元件層132及第四發光元件層134位於第一發光元件層104與第二基板110之間。另外,在本實施方式中,第二基板110的材質可包括(但不限於):玻璃、石英、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或有機聚合物,所述有機聚合物例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。在本實施方式中,第二基板110為單層結
構,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第二基板110也可為多層結構。
在本實施方式中,第二元件層112配置於第二基板110上。在本實施方式中,第二元件層112可包括第二主動元件T2、閘絕緣層GI2、層間絕緣層IL5、層間絕緣層IL6及平坦層PL2。
在本實施方式中,第二主動元件T2可包括半導體層SC2、閘極G2、源極S2以及汲極D2,其中半導體層SC2可包括源極區SR2、汲極區DR2以及通道區CR2,閘極G2位在通道區CR2上方且與通道區CR2重疊,源極S2經由形成在閘絕緣層GI2(於後文進行詳細描述)及層間絕緣層IL5(於後文進行詳細描述)中的接觸窗H7與源極區SR2電性連接,汲極D2經由形成在閘絕緣層GI2(於後文進行詳細描述)及層間絕緣層IL5(於後文進行詳細描述)中的接觸窗H8與汲極區DR2電性連接。
在本實施方式中,第二主動元件T2屬於頂部閘極型薄膜電晶體,但本發明不限於此。在其他實施方式中,第二主動元件T2也可屬於底部閘極型薄膜電晶體。
在本實施方式中,閘極G2、源極S2及汲極D2的材質可包括(但不限於):金屬、合金、前述材料的氮化物、前述材料的氧化物、前述材料的氮氧化物、其他非金屬但具導電特性的材料、或是其它合適的材料。在本實施方式中,半導體層SC2的材質可包括多晶矽,亦即第二主動元件T2可為低溫多晶矽薄膜電晶體。然而,本發明並不限定主動元件的型態。在其他實施方式中,半
導體層SC2的材質可包括非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、單晶矽、有機半導體材料、金屬氧化物半導體材料、奈米碳管/桿、鈣鈦礦或其它合適的材料。
在本實施方式中,閘絕緣層GI2覆蓋半導體層SC2。在本實施方式中,層間絕緣層IL5配置於閘絕緣層GI2上,且覆蓋閘極G2。在本實施方式中,層間絕緣層IL6配置於層間絕緣層IL5上,且覆蓋第二主動元件T2,以提供絕緣與保護的功能。在本實施方式中,平坦層PL2配置於層間絕緣層IL6上,以提供保護與平坦的功能。在本實施方式中,閘絕緣層GI2、層間絕緣層IL5、層間絕緣層IL6及平坦層PL2分別可為單層或多層結構。在本實施方式中,閘絕緣層GI2、層間絕緣層IL5、層間絕緣層IL6及平坦層PL2的材質分別可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如包括(但不限於):氧化矽、氮化矽或氮氧化矽;有機材料例如包括(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。
在本實施方式中,第二發光元件層114配置於第二元件層112上。在本實施方式中,第二發光元件層114可包括電極A2、第二發光層E2、電極C2及畫素定義層PDL2。
在本實施方式中,電極A2透過形成在層間絕緣層IL6及平坦層PL2中的接觸窗H9與第二主動元件T2的汲極D2電性連接。在本實施方式中,電極A2的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例
如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或其合金。
在本實施方式中,第二發光層E2位在畫素定義層PDL2的開口V2內,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第二發光層E2可位在畫素定義層PDL2的開口V2內且位在畫素定義層PDL2上。在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第二發光層E2、第四發光層E4與第一發光層E1不相重疊。也就是說,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,畫素定義層PDL2的開口V2、畫素定義層PDL4的開口V4與畫素定義層PDL1的開口V1不相重疊。在本實施方式中,第二發光層E2的顏色為綠色。在本實施方式中,第二發光層E2可由任何所屬領域中具有通常知識者所周知的用於顯示面板中的發光層的材料所構成。
在本實施方式中,電極C2配置於第二發光層E2上。另一方面,在本實施方式中,第二發光層E2配置於電極A2與電極C2之間。在本實施方式中,電極C2的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或
其合金。
在本實施方式中,第二發光層E2、電極A2與第二發光層E2重疊的部分以及電極C2與第二發光層E2重疊的部分一起構成第二發光元件O2。在本實施方式中,電極A2與第二發光層E2重疊的部分作為第二發光元件O2的陽極,而電極C2與第二發光層E2重疊的部分作為第二發光元件O2的陰極,但本發明不限於此。在其他實施方式中,電極A2與第二發光層E2重疊的部分可作為第二發光元件O2的陰極,而電極C2與第二發光層E2重疊的部分可作為第二發光元件O2的陽極。
如前文所述,在本實施方式中,電極A2與第二主動元件T2的汲極D2電性連接,故第二主動元件T2與第二發光元件O2電性連接,用以驅動第二發光元件O2。詳細而言,第二發光元件O2是透過第二發光層E2經由電極A2與電極C2間產生的電壓差驅動而發出光。如前文所述,第二發光層E2的顏色為綠色,故第二發光元件O2經驅動會發出綠光I2。
另外,雖然圖1僅繪示出與第二發光元件O2電性連接的一個第二主動元件T2,但任何所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,第二發光元件O2實際上是透過例如具有1T1C的架構、2T1C的架構、3T1C的架構、3T2C的架構、4T1C的架構、4T2C的架構、5T1C的架構、5T2C的架構、6T1C的架構、6T2C的架構、7T2C的架構或是任何可能的架構的驅動單元來驅動。也就是說,在本實施方式中,第二主動元件T2是用以驅動第二發光元件
O2的驅動單元中的一個元件。
在本實施方式中,畫素定義層PDL2的材質可包括感光性聚亞醯胺材料、丙烯基材料、矽氧烷材料、酚醛樹脂材料、氧化物、氮化物或氮氧化物,但本發明不以此為限。
在本實施方式中,黏著層140b配置於第四發光元件層134與第二基板110之間。也就是說,在本實施方式中,第二基板110透過黏著層140b而黏著固定於第四發光元件層134上。另外,在本實施方式中,黏著層140b可為連續的膠層,其中所述膠層的材質可包括(但不限於):光固化膠、透明光學膠或其他黏著材料。
在本實施方式中,第三基板120配置於第二發光元件層114上。也就是說,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第三基板120堆疊於第一基板100、第一元件層102、第一發光元件層104、第四基板130、第四元件層132、第四發光元件層134、第二基板110、第二元件層112及第二發光元件層114上。從另一觀點而言,在本實施方式中,第二基板110、第二元件層112及第二發光元件層114位於第四發光元件層134與第三基板120之間。另外,在本實施方式中,第三基板120的材質可包括(但不限於):玻璃、石英、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或有機聚合物,所述有機聚合物例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。在本實施方式中,第三基板120為單層結構,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第三基板120也可為多層結構。
在本實施方式中,第三元件層122配置於第三基板120
上。在本實施方式中,第三元件層122可包括第三主動元件T3、閘絕緣層GI3、層間絕緣層IL7、層間絕緣層IL8及平坦層PL3。
在本實施方式中,第三主動元件T3可包括半導體層SC3、閘極G3、源極S3以及汲極D3,其中半導體層SC3可包括源極區SR3、汲極區DR3以及通道區CR3,閘極G3位在通道區CR3上方且與通道區CR3重疊,源極S3經由形成在閘絕緣層GI3(於後文進行詳細描述)及層間絕緣層IL7(於後文進行詳細描述)中的接觸窗H10與源極區SR3電性連接,汲極D3經由形成在閘絕緣層GI3(於後文進行詳細描述)及層間絕緣層IL7(於後文進行詳細描述)中的接觸窗H11與汲極區DR3電性連接。
在本實施方式中,第三主動元件T3屬於頂部閘極型薄膜電晶體,但本發明不限於此。在其他實施方式中,第三主動元件T3也可屬於底部閘極型薄膜電晶體。
在本實施方式中,閘極G3、源極S3及汲極D3的材質可包括(但不限於):金屬、合金、前述材料的氮化物、前述材料的氧化物、前述材料的氮氧化物、其他非金屬但具導電特性的材料、或是其它合適的材料。在本實施方式中,半導體層SC3的材質可包括多晶矽,亦即第三主動元件T3可為低溫多晶矽薄膜電晶體。然而,本發明並不限定主動元件的型態。在其他實施方式中,半導體層SC3的材質可包括非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、單晶矽、有機半導體材料、金屬氧化物半導體材料、奈米碳管/桿、鈣鈦礦或其它合適的材料。
在本實施方式中,閘絕緣層GI3覆蓋半導體層SC3。在本實施方式中,層間絕緣層IL7配置於閘絕緣層GI3上,且覆蓋閘極G3。在本實施方式中,層間絕緣層IL8配置於層間絕緣層IL7上,且覆蓋第三主動元件T3,以提供絕緣與保護的功能。在本實施方式中,平坦層PL3配置於層間絕緣層IL8上,以提供保護與平坦的功能。在本實施方式中,閘絕緣層GI3、層間絕緣層IL7、層間絕緣層IL8及平坦層PL3分別可為單層或多層結構。在本實施方式中,閘絕緣層GI3、層間絕緣層IL7、層間絕緣層IL8及平坦層PL3的材質分別可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如包括(但不限於):氧化矽、氮化矽或氮氧化矽;有機材料例如包括(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。
在本實施方式中,第三發光元件層124配置於第三元件層122上。在本實施方式中,第三發光元件層124可包括電極A3、第三發光層E3、電極C3及畫素定義層PDL3。
在本實施方式中,電極A3透過形成在層間絕緣層IL8及平坦層PL3中的接觸窗H12與第三主動元件T3的汲極D3電性連接。在本實施方式中,電極A3的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或其合
金。
在本實施方式中,第三發光層E3位在畫素定義層PDL3的開口V3內,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第三發光層E3可位在畫素定義層PDL3的開口V3內且位在畫素定義層PDL3上。在本實施方式中,第三發光層E3的顏色為紅色。在本實施方式中,第三發光層E3可由任何所屬領域中具有通常知識者所周知的用於顯示面板中的發光層的材料所構成。
在本實施方式中,電極C3配置於第三發光層E3上。另一方面,在本實施方式中,第三發光層E3配置於電極A3與電極C3之間。在本實施方式中,電極C3的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或其合金。
在本實施方式中,第三發光層E3、電極A3與第三發光層E3重疊的部分以及電極C3與第三發光層E3重疊的部分一起構成第三發光元件O3。在本實施方式中,電極A3與第三發光層E3重疊的部分作為第三發光元件O3的陽極,而電極C3與第三發光層E3重疊的部分作為第三發光元件O3的陰極,但本發明不限於此。在其他實施方式中,電極A3與第三發光層E3重疊的部分可作為第三發光元件O3的陰極,而電極C3與第三發光層E3重疊
的部分可作為第三發光元件O3的陽極。
如前文所述,在本實施方式中,電極A3與第三主動元件T3的汲極D3電性連接,故第三主動元件T3與第三發光元件O3電性連接,用以驅動第三發光元件O3。詳細而言,第三發光元件O3是透過第三發光層E3經由電極A3與電極C3間產生的電壓差驅動而發出光。如前文所述,第三發光層E3的顏色為紅色,故第三發光元件O3經驅動會發出紅光I3。
另外,雖然圖1僅繪示出與第三發光元件O3電性連接的一個第三主動元件T3,但任何所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,第三發光元件O3實際上是透過例如具有1T1C的架構、2T1C的架構、3T1C的架構、3T2C的架構、4T1C的架構、4T2C的架構、5T1C的架構、5T2C的架構、6T1C的架構、6T2C的架構、7T2C的架構或是任何可能的架構的驅動單元來驅動。也就是說,在本實施方式中,第三主動元件T3是用以驅動第三發光元件O3的驅動單元中的一個元件。
在本實施方式中,畫素定義層PDL3的材質可包括感光性聚亞醯胺材料、丙烯基材料、矽氧烷材料、酚醛樹脂材料、氧化物、氮化物或氮氧化物,但本發明不以此為限。
在本實施方式中,黏著層140c配置於第二發光元件層114與第三基板120之間。也就是說,在本實施方式中,第三基板120透過黏著層140c而黏著固定於第二發光元件層114上。另外,在本實施方式中,黏著層140c可為連續的膠層,其中所述膠層的材
質可包括(但不限於):光固化膠、透明光學膠或其他黏著材料。
值得說明的是,在本實施方式中,顯示裝置10包括依序堆疊設置的第一基板100、第一元件層102、第一發光元件層104、第二基板110、第二元件層112、第二發光元件層114、第三基板120、第三元件層122、及第三發光元件層124,其中第一元件層102包括第一主動元件T1,第一發光元件層104包括與第一主動元件T1電性連接且包括第一發光層E1的第一發光元件O1,第二元件層112包括第二主動元件T2,第二發光元件層114包括與第二主動元件T2電性連接且包括第二發光層E2的第二發光元件O2,第三元件層122包括第三主動元件T3,第三發光元件層124包括與第三主動元件T3電性連接且包括第三發光層E3的第三發光元件O3,且於第一基板100的法線方向N上,第一發光層E1、第二發光層E2與第三發光層E3不相重疊,藉此顯示裝置10可具有提升的解析度。
另外,顯示裝置10透過包括與第四主動元件T4電性連接的第四發光元件O4,其中第四發光元件O4包括的第四發光層E4的第二藍色的色度與第一發光層E1的第一藍色的色度不相同,使得顯示裝置10可採用時間切割的方式來進行驅動,藉以延長顯示裝置10的使用壽命。以下,將進一步參照圖2來說明顯示裝置10的驅動方式。
請同時參照圖2及圖1,當在圖框時間t1下,開啟訊號分別會輸入第一主動元件T1、第二主動元件T2及第三主動元件
T3,以使得第一發光元件O1、第二發光元件O2及第三發光元件O3分別經由開啟之第一主動元件T1、第二主動元件T2及第三主動元件T3驅動而發出第一藍光I1、綠光I2及紅光I3。此時,第四主動元件T4不被開啟,並且第一藍光I1、綠光I2及紅光I3混合後可形成白光。當在圖框時間t2下,開啟訊號分別會輸入第四主動元件T4、第二主動元件T2及第三主動元件T3,以使得第四發光元件O4、第二發光元件O2及第三發光元件O3分別經由開啟之第四主動元件T4、第二主動元件T2及第三主動元件T3驅動而發出第二藍光I4、綠光I2及紅光I3。此時,第一主動元件T1不被開啟,並且第二藍光I4、綠光I2及紅光I3混合後可形成白光。如此一來,雖然第一發光層E1及第四發光層E4(即第一藍色發光層及第二藍色發光層)因材料特性而存在使用壽命受限的問題,但由於顯示裝置10同時包括所述第一發光層E1及所述第四發光層E4,故在採用時間切割的方式來驅動顯示裝置10時,能夠有效地延長顯示裝置10的使用壽命。
另外,在顯示裝置10中,第一發光層E1的顏色為第一藍色、第四發光層E4的顏色為第二藍色、第二發光層E2的顏色為綠色且第三發光層E3的顏色為紅色,由於藍色波長的能量最強,藉由將具有藍色波長的發光層(即第一發光層E1、第四發光層E4)置於下層而使顯示裝置10的光穿透度最佳化。然而,本發明並不以此為限,在其他實施方式中,第一發光層E1的顏色、第四發光層E4的顏色、第二發光層E2的顏色及第三發光層E3
的顏色的排列組合可由第一藍色、第二藍色、綠色及紅色所構成的其他排列組合來實現。
另外,在顯示裝置10中,第四發光元件O4包括第四發光層E4、電極A4與第四發光層E4重疊的部分以及電極C4與第四發光層E4重疊的部分,其中第四發光層E4的顏色與第一發光層E1的顏色的色度不相同,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第一發光層E1的顏色可與第四發光層E4的顏色相同。以下,將參照圖3針對其他的實施型態進行說明。在此必須說明的是,下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容,其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式,下述實施方式不再重複贅述。
圖3是依照本發明的另一實施方式的顯示裝置的剖面示意圖。請同時參照圖3及圖1,圖3的顯示裝置20與圖1的顯示裝置10相似,主要差異在於:在顯示裝置20中,第四發光元件O4包括第四發光層E4’、電極A4與第四發光層E4’重疊的部分以及電極C4與第四發光層E4’重疊的部分。以下將針對圖3的顯示裝置20與圖1的顯示裝置10間的差異處進行說明,相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式。
請參照圖3,在本實施方式中,第四發光層E4’的顏色為第一藍色。也就是說,在本實施方式中,第四發光層E4’的顏色與
第一發光層E1的顏色相同,而第四發光層E4’的顏色與第二發光層E2的顏色、第三發光層E3的顏色不相同。另一方面,由於第四發光層E4’的顏色為第一藍色,故第四發光元件O4經第四主動元件T4驅動後會發出第一藍光I4’,其中第一發光元件O1會發出的第一藍光I1與第一藍光I4’相同。
雖然第一發光層E1及第四發光層E4’(即藍色發光層)因材料特性而存在使用壽命受限的問題,但由於顯示裝置20同時包括所述第一發光層E1及所述第四發光層E4’,故在採用時間切割的方式來驅動顯示裝置20時,能夠有效地延長顯示裝置20的使用壽命。
在顯示裝置20中,第一發光層E1的顏色為第一藍色、第四發光層E4’的顏色為第一藍色、第二發光層E2的顏色為綠色且第三發光層E3的顏色為紅色,由於藍色波長的能量最強,藉由將具有藍色波長的發光層(即第一發光層E1、第四發光層E4’)置於下層而使顯示裝置20的光穿透度最佳化。然而,本發明並不以此為限,在其他實施方式中,第一發光層E1的顏色、第四發光層E4’的顏色、第二發光層E2的顏色及第三發光層E3的顏色的排列組合可由第一藍色、第一藍色、綠色及紅色所構成的其他排列組合來實現。其餘部分請參考前述實施方式,在此不贅述。
另外,顯示裝置10包括四個發光元件,即第一發光元件O1、第二發光元件O2、第三發光元件O3及第四發光元件O4,但本發明並不限於此。以下,將參照圖4、圖6至圖9針對其他的實
施型態進行說明。在此必須說明的是,下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容,其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式,下述實施方式不再重複贅述。
圖4是依照本發明的另一實施方式的顯示裝置的剖面示意圖。圖5是圖4的顯示裝置的驅動波形的示意圖。請同時參照圖4及圖1,圖4的顯示裝置30與圖1的顯示裝置10相似,主要差異在於:顯示裝置30包括六個發光元件,即第一發光元件O1、第二發光元件O2、第三發光元件O3、第四發光元件O5、第五發光元件O6及第六發光元件O7。以下將針對圖4的顯示裝置30與圖1的顯示裝置10間的差異處進行說明,相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式。
請參照圖4,在本實施方式中,第一元件層102可包括第四主動元件T5。在本實施方式中,第四主動元件T5可包括半導體層SC5、閘極G5、源極S5以及汲極D5,其中半導體層SC5可包括源極區SR5、汲極區DR5以及通道區CR5,閘極G5位在通道區CR5上方且與通道區CR5重疊,源極S5經由形成在閘絕緣層GI及層間絕緣層IL1中的接觸窗H13與源極區SR5電性連接,汲極D5經由形成在閘絕緣層GI及層間絕緣層IL1中的接觸窗H14與汲極區DR5電性連接。
在本實施方式中,第四主動元件T5屬於頂部閘極型薄膜電晶體,但本發明不限於此。在其他實施方式中,第四主動元件T5也可屬於底部閘極型薄膜電晶體。
在本實施方式中,閘極G5、源極S5及汲極D5的材質可包括(但不限於):金屬、合金、前述材料的氮化物、前述材料的氧化物、前述材料的氮氧化物、其他非金屬但具導電特性的材料、或是其它合適的材料。在本實施方式中,半導體層SC5的材質可包括多晶矽,亦即第四主動元件T5可為低溫多晶矽薄膜電晶體。然而,本發明並不限定主動元件的型態。在其他實施方式中,半導體層SC5的材質可包括非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、單晶矽、有機半導體材料、金屬氧化物半導體材料、奈米碳管/桿、鈣鈦礦或其它合適的材料。在本實施方式中,閘絕緣層GI覆蓋半導體層SC5。在本實施方式中,層間絕緣層IL1覆蓋閘極G5。在本實施方式中,層間絕緣層IL2覆蓋第四主動元件T5。
在本實施方式中,第一發光元件層104可包括電極A5及第四發光層E5。在本實施方式中,電極A5透過形成在層間絕緣層IL2及平坦層PL中的接觸窗H15與第四主動元件T5的汲極D5電性連接。在本實施方式中,電極A5的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或
其合金。
在本實施方式中,第四發光層E5位在畫素定義層PDL1的開口V5內,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第四發光層E5可位在畫素定義層PDL1的開口V5內且位在畫素定義層PDL1上。在本實施方式中,第四發光層E5的顏色為洋紅色。在本實施方式中,第四發光層E5可由任何所屬領域中具有通常知識者所周知的用於顯示面板中的發光層的材料所構成。另外,在本實施方式中,第四發光層E5配置於電極A5與電極C1之間。
在本實施方式中,第四發光層E5、電極A5與第四發光層E5重疊的部分以及電極C1與第四發光層E5重疊的部分一起構成第四發光元件O5。在本實施方式中,電極A5與第四發光層E5重疊的部分作為第四發光元件O5的陽極,而電極C1與第四發光層E5重疊的部分作為第四發光元件O5的陰極,但本發明不限於此。在其他實施方式中,電極A5與第四發光層E5重疊的部分可作為第四發光元件O5的陰極,而電極C1與第四發光層E5重疊的部分可作為第四發光元件O5的陽極。
如前文所述,在本實施方式中,電極A5與第四主動元件T5的汲極D5電性連接,故第四主動元件T5與第四發光元件O5電性連接,用以驅動第四發光元件O5。詳細而言,第四發光元件O5是透過第四發光層E5經由電極A5與電極C1間產生的電壓差驅動而發出光。如前文所述,第四發光層E5的顏色為洋紅色,故第四發光元件O5經驅動會發出洋紅光I5。
另外,雖然圖4僅繪示出與第四發光元件O5電性連接的一個第四主動元件T5,但任何所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,第四發光元件O5實際上是透過例如具有1T1C的架構、2T1C的架構、3T1C的架構、3T2C的架構、4T1C的架構、4T2C的架構、5T1C的架構、5T2C的架構、6T1C的架構、6T2C的架構、7T2C的架構或是任何可能的架構的驅動單元來驅動。也就是說,在本實施方式中,第四主動元件T5是用以驅動第四發光元件O5的驅動單元中的一個元件。
在本實施方式中,第二元件層112可包括第五主動元件T6。在本實施方式中,第五主動元件T6可包括半導體層SC6、閘極G6、源極S6以及汲極D6,其中半導體層SC6可包括源極區SR6、汲極區DR6以及通道區CR6,閘極G6位在通道區CR6上方且與通道區CR6重疊,源極S6經由形成在閘絕緣層GI2及層間絕緣層IL5中的接觸窗H16與源極區SR6電性連接,汲極D6經由形成在閘絕緣層GI2及層間絕緣層IL5中的接觸窗H17與汲極區DR6電性連接。
在本實施方式中,第五主動元件T6屬於頂部閘極型薄膜電晶體,但本發明不限於此。在其他實施方式中,第五主動元件T6也可屬於底部閘極型薄膜電晶體。
在本實施方式中,閘極G6、源極S6及汲極D6的材質可包括(但不限於):金屬、合金、前述材料的氮化物、前述材料的氧化物、前述材料的氮氧化物、其他非金屬但具導電特性的材料、
或是其它合適的材料。在本實施方式中,半導體層SC6的材質可包括多晶矽,亦即第五主動元件T6可為低溫多晶矽薄膜電晶體。然而,本發明並不限定主動元件的型態。在其他實施方式中,半導體層SC6的材質可包括非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、單晶矽、有機半導體材料、金屬氧化物半導體材料、奈米碳管/桿、鈣鈦礦或其它合適的材料。在本實施方式中,閘絕緣層GI2覆蓋半導體層SC6。在本實施方式中,層間絕緣層IL5覆蓋閘極G6。在本實施方式中,層間絕緣層IL6覆蓋第五主動元件T6。
在本實施方式中,第二發光元件層114可包括電極A6及第五發光層E6。在本實施方式中,電極A6透過形成在層間絕緣層IL6及平坦層PL2中的接觸窗H18與第五主動元件T6的汲極D6電性連接。在本實施方式中,電極A6的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或其合金。
在本實施方式中,第五發光層E6位在畫素定義層PDL2的開口V6內,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第五發光層E6可位在畫素定義層PDL2的開口V6內且位在畫素定義層PDL2上。在本實施方式中,第五發光層E6的顏色為青色。在本實施方式中,第五發光層E6可由任何所屬領域中具有通常知識者
所周知的用於顯示面板中的發光層的材料所構成。另外,在本實施方式中,第五發光層E6配置於電極A6與電極C2之間。
在本實施方式中,第五發光層E6、電極A6與第五發光層E6重疊的部分以及電極C2與第五發光層E6重疊的部分一起構成第五發光元件O6。在本實施方式中,電極A6與第五發光層E6重疊的部分作為第五發光元件O6的陽極,而電極C2與第五發光層E6重疊的部分作為第五發光元件O6的陰極,但本發明不限於此。在其他實施方式中,電極A5與第五發光層E6重疊的部分可作為第五發光元件O6的陰極,而電極C2與第五發光層E6重疊的部分可作為第五發光元件O6的陽極。
如前文所述,在本實施方式中,電極A6與第五主動元件T6的汲極D6電性連接,故第五主動元件T6與第五發光元件O6電性連接,用以驅動第五發光元件O6。詳細而言,第五發光元件O6是透過第五發光層E6經由電極A6與電極C2間產生的電壓差驅動而發出光。如前文所述,第五發光層E6的顏色為青色,故第五發光元件O6經驅動會發出青光I6。
另外,雖然圖4僅繪示出與第五發光元件O6電性連接的一個第五主動元件T6,但任何所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,第五主動元件T6實際上是透過例如具有1T1C的架構、2T1C的架構、3T1C的架構、3T2C的架構、4T1C的架構、4T2C的架構、5T1C的架構、5T2C的架構、6T1C的架構、6T2C的架構、7T2C的架構或是任何可能的架構的驅動單元來驅動。也就是
說,在本實施方式中,第五主動元件T6是用以驅動第五發光元件O6的驅動單元中的一個元件。
在本實施方式中,第三元件層122可包括第六主動元件T7。在本實施方式中,第六主動元件T7可包括半導體層SC7、閘極G7、源極S7以及汲極D7,其中半導體層SC7可包括源極區SR7、汲極區DR7以及通道區CR7,閘極G7位在通道區CR7上方且與通道區CR7重疊,源極S7經由形成在閘絕緣層GI3及層間絕緣層IL7中的接觸窗H19與源極區SR7電性連接,汲極D7經由形成在閘絕緣層GI3及層間絕緣層IL7中的接觸窗H20與汲極區DR7電性連接。
在本實施方式中,第六主動元件T7屬於頂部閘極型薄膜電晶體,但本發明不限於此。在其他實施方式中,第六主動元件T7也可屬於底部閘極型薄膜電晶體。
在本實施方式中,閘極G7、源極S7及汲極D7的材質可包括(但不限於):金屬、合金、前述材料的氮化物、前述材料的氧化物、前述材料的氮氧化物、其他非金屬但具導電特性的材料、或是其它合適的材料。在本實施方式中,半導體層SC7的材質可包括多晶矽,亦即第六主動元件T7可為低溫多晶矽薄膜電晶體。然而,本發明並不限定主動元件的型態。在其他實施方式中,半導體層SC7的材質可包括非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、單晶矽、有機半導體材料、金屬氧化物半導體材料、奈米碳管/桿、鈣鈦礦或其它合適的材料。在本實施方式中,閘絕緣層GI3覆蓋半導體
層SC7。在本實施方式中,層間絕緣層IL7覆蓋閘極G7。在本實施方式中,層間絕緣層IL8覆蓋第六主動元件T7。
在本實施方式中,第三發光元件層124可包括電極A7及第六發光層E7。在本實施方式中,電極A7透過形成在層間絕緣層IL8及平坦層PL3中的接觸窗H21與第六主動元件T7的汲極D7電性連接。在本實施方式中,電極A7的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或其合金。
在本實施方式中,第六發光層E7位在畫素定義層PDL3的開口V7內,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第六發光層E7可位在畫素定義層PDL3的開口V7內且位在畫素定義層PDL3上。在本實施方式中,第六發光層E7的顏色為黃色。如前文所述,第一發光層E1的顏色為藍色、第二發光層E2的顏色為綠色、第三發光層E3的顏色為紅色、第四發光層E5的顏色為洋紅色及第五發光層E6的顏色為青色,因此在本實施方式中,第一發光層E1的顏色、第二發光層E2的顏色、第三發光層E3的顏色、第四發光層E5的顏色、第五發光層E6的顏色與第六發光層E7的顏色不相同。在本實施方式中,第六發光層E7可由任何所屬領域中具有通常知識者所周知的用於顯示面板中的發光層的材料所
構成。
在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第一發光層E1、第二發光層E2、第三發光層E3、第四發光層E5、第五發光層E6與第六發光層E7彼此不相重疊。另外,在本實施方式中,第一發光層E1與第四發光層E5並列設置於第一發光元件層104中,第二發光層E2與第五發光層E6並列設置於第二發光元件層114中,且第三發光層E3與第六發光層E7並列設置於第三發光元件層124中。
在本實施方式中,第六發光層E7配置於電極A7與電極C3之間。另外,在本實施方式中,第六發光層E7、電極A7與第六發光層E7重疊的部分以及電極C3與第六發光層E7重疊的部分一起構成第六發光元件O7。在本實施方式中,電極A7與第六發光層E7重疊的部分作為第六發光元件O7的陽極,而電極C3與第六發光層E7重疊的部分作為第六發光元件O7的陰極,但本發明不限於此。在其他實施方式中,電極A7與第六發光層E7重疊的部分可作為第六發光元件O7的陰極,而電極C3與第六發光層E7重疊的部分可作為第六發光元件O7的陽極。
如前文所述,在本實施方式中,電極A7與第六主動元件T7的汲極D7電性連接,故第六主動元件T7與第六發光元件O7電性連接,用以驅動第六發光元件O7。詳細而言,第六發光元件O7是透過第六發光層E7經由電極A7與電極C3間產生的電壓差驅動而發出光。如前文所述,第六發光層E7的顏色為黃色,故第
六發光元件O7經驅動會發出黃光I6。
另外,雖然圖4僅繪示出與第六發光元件O7電性連接的一個第六主動元件T7,但任何所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,第六主動元件T7實際上是透過例如具有1T1C的架構、2T1C的架構、3T1C的架構、3T2C的架構、4T1C的架構、4T2C的架構、5T1C的架構、5T2C的架構、6T1C的架構、6T2C的架構、7T2C的架構或是任何可能的架構的驅動單元來驅動。也就是說,在本實施方式中,第六主動元件T7是用以驅動第六發光元件O7的驅動單元中的一個元件。
在本實施方式中,顯示裝置30可包括黏著層140d。在本實施方式中,黏著層140d配置於第一發光元件層104與第二基板110之間。也就是說,在本實施方式中,第二基板110透過黏著層140d而黏著固定於第一發光元件層104上。另外,在本實施方式中,黏著層140d可為連續的膠層,其中所述膠層的材質可包括(但不限於):光固化膠、透明光學膠或其他黏著材料。
在本實施方式中,顯示裝置30包括顏色分別為藍色、綠色、紅色、洋紅色、青色及黃色的第一發光層E1、第二發光層E2、第三發光層E3、第四發光層E5、第五發光層E6及第六發光層E7,藉此可達成提高色域廣度的功效。
另外,在顯示裝置30中,第一發光元件層104所包括的第一發光層E1與第四發光層E5的顏色分別為藍色及洋紅色,第二發光元件層114所包括的第二發光層E2與第五發光層E6的顏
色分別為綠色及青色,且第三發光元件層124所包括的第三發光層E3與第六發光層E7的顏色分別為紅色及黃色,由於藍色波長的能量最強,藉由將具有藍色波長的發光層(即第一發光層E1)置於下層而使顯示裝置30的光穿透度最佳化。然而,本發明並不以此為限,在其他實施方式中,第一發光層E1的顏色、第二發光層E2的顏色、第三發光層E3的顏色、第四發光層E5的顏色、第五發光層E6的顏色及第六發光層E7的顏色的排列組合可由藍色、綠色、紅色、洋紅色、青色及黃色所構成的其他排列組合來實現。
另外,顯示裝置30透過包括與第四主動元件T5電性連接的第四發光元件O5,與第五主動元件T6電性連接的第五發光元件O6,與第六主動元件T7電性連接的第六發光元件O7,其中第四發光元件O5包括的第四發光層E5為洋紅色發光層,第五發光元件O6包括的第五發光層E6為青色發光層,第六發光元件O7包括的第六發光層E7為黃色發光層,使得顯示裝置30可採用時間切割的方式來進行驅動,藉以延長顯示裝置30的使用壽命。以下,將進一步參照圖5來說明顯示裝置30的驅動方式。
請同時參照圖5及圖4,當在圖框時間t1下,開啟訊號分別會輸入第一主動元件T1、第二主動元件T2及第三主動元件T3,以使得第一發光元件O1、第二發光元件O2及第三發光元件O3分別經由開啟之第一主動元件T1、第二主動元件T2及第三主動元件T3驅動而發出藍光I1、綠光I2及紅光I3。此時,第四主
動元件T5、第五主動元件T6及第六主動元件T7不被開啟,並且藍光I1、綠光I2及紅光I3混合後可形成白光。當在圖框時間t2下,開啟訊號分別會輸入第四主動元件T5、第五主動元件T6及第六主動元件T7,以使得第四發光元件O5、第五發光元件O6及第六發光元件O7分別經由開啟之第四主動元件T5、第五主動元件T6及第六主動元件T7驅動而發出洋紅光I5、青光I6及黃光I7。此時,第一主動元件T1、第二主動元件T2及第三主動元件T3不被開啟,並且洋紅光I5、青光I6及黃光I7混合後可形成白光。如此一來,即使第一發光層E1(即藍色發光層)因材料特性而存在使用壽命受限的問題,顯示裝置30透過包括所述第四發光層E5、所述第五發光層E6及所述第六發光層E7,使得在採用時間切割的方式來驅動顯示裝置30時,能夠有效地延長顯示裝置30的使用壽命。其餘部分請參考前述實施方式,在此不贅述。
另外,在顯示裝置30中,於第一基板100的法線方向N上,第一發光層E1、第二發光層E2、第三發光層E3、第四發光層E5、第五發光層E6與第六發光層E7彼此不相重疊,但本發明並不限於此。以下,將參照圖6針對其他的實施型態進行說明。在此必須說明的是,下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容,其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式,下述實施方式不再重複贅述。
圖6是依照本發明的另一實施方式的顯示裝置的剖面示
意圖。請同時參照圖6及圖4,圖6的顯示裝置40與圖4的顯示裝置30相似,主要差異在於:在顯示裝置40中,於第一基板100的法線方向N上,第一發光層E1與第四發光層E5相重疊、第二發光層E2與第五發光層E6相重疊,且第三發光層E3與第六發光層E7相重疊。以下將針對圖6的顯示裝置40與圖4的顯示裝置30間的差異處進行說明,相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式。
請參照圖6,在顯示裝置40中,第一發光元件層104可包括絕緣層L1、電極C5及畫素定義層PDL5。在本實施方式中,絕緣層L1位於電極C1與電極A5之間,以提供絕緣的功能。絕緣層L1可為單層或多層結構,且材質可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如包括(但不限於):氧化矽、氮化矽或氮氧化矽;有機材料例如包括(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。另外,在本實施方式中,用以使電極A5電性連接至第四主動元件T5的汲極D5的接觸窗H15係形成在層間絕緣層IL2、平坦層PL、畫素定義層PDL1及絕緣層L1中。
在本實施方式中,第四發光層E5位在畫素定義層PDL5的開口V8內,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第四發光層E5可位在畫素定義層PDL5的開口V8內且位在畫素定義層PDL5上。在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,畫
素定義層PDL5的開口V8與畫素定義層PDL1的開口V1相重疊。在本實施方式中,畫素定義層PDL5的材質可包括感光性聚亞醯胺材料、丙烯基材料、矽氧烷材料、酚醛樹脂材料、氧化物、氮化物或氮氧化物,但本發明不以此為限。
在本實施方式中,電極C5配置於第四發光層E5上。另一方面,在本實施方式中,第四發光層E5配置於電極A5與電極C5之間。在本實施方式中,電極C5的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或其合金。
在本實施方式中,第四發光元件O5包括第四發光層E5、電極A5與第四發光層E5重疊的部分以及電極C5與第四發光層E5重疊的部分。在本實施方式中,電極A5與第四發光層E5重疊的部分作為第四發光元件O5的陽極,而電極C5與第四發光層E5重疊的部分作為第四發光元件O5的陰極,但本發明不限於此。在其他實施方式中,電極A5與第四發光層E5重疊的部分可作為第四發光元件O5的陰極,而電極C5與第四發光層E5重疊的部分可作為第四發光元件O5的陽極。另外,在本實施方式中,第四發光元件O5是透過第四發光層E5經由電極A5與電極C5間產生的電壓差驅動而發出光。
在顯示裝置40中,第二發光元件層114可包括絕緣層L2、電極C6及畫素定義層PDL6。在本實施方式中,絕緣層L2位於電極C2與電極A6之間,以提供絕緣的功能。絕緣層L2可為單層或多層結構,且材質可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如包括(但不限於):氧化矽、氮化矽或氮氧化矽;有機材料例如包括(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。另外,在本實施方式中,用以電性連接電極A6與第五主動元件T6的汲極D6的接觸窗H18係形成在層間絕緣層IL6、平坦層PL2、畫素定義層PDL2及絕緣層L2中。
在本實施方式中,第五發光層E6位在畫素定義層PDL6的開口V9內,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第五發光層E6可位在畫素定義層PDL6的開口V9內且位在畫素定義層PDL6上。在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,畫素定義層PDL6的開口V9與畫素定義層PDL2的開口V2相重疊。在本實施方式中,畫素定義層PDL6的材質可包括感光性聚亞醯胺材料、丙烯基材料、矽氧烷材料、酚醛樹脂材料、氧化物、氮化物或氮氧化物,但本發明不以此為限。
在本實施方式中,電極C6配置於第五發光層E6上。另一方面,在本實施方式中,第五發光層E6配置於電極A6與電極C6之間。在本實施方式中,電極C6的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材
料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或其合金。
在本實施方式中,第五發光元件O6包括第五發光層E6、電極A6與第五發光層E6重疊的部分以及電極C6與第五發光層E6重疊的部分。在本實施方式中,電極A6與第五發光層E6重疊的部分作為第五發光元件O6的陽極,而電極C6與第五發光層E6重疊的部分作為第五發光元件O6的陰極,但本發明不限於此。在其他實施方式中,電極A6與第五發光層E6重疊的部分可作為第五發光元件O6的陰極,而電極C6與第五發光層E6重疊的部分可作為第五發光元件O6的陽極。另外,在本實施方式中,第五發光元件O6是透過第五發光層E6經由電極A6與電極C6間產生的電壓差驅動而發出光。
在顯示裝置40中,第三發光元件層124可包括絕緣層L3、電極C7及畫素定義層PDL7。在本實施方式中,絕緣層L3位於電極C3與電極A7之間,以提供絕緣的功能。絕緣層L3可為單層或多層結構,且材質可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如包括(但不限於):氧化矽、氮化矽或氮氧化矽;有機材料例如包括(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。另外,在本實施方式中,用以電性連接電極A7與第六主動元件T7的汲極D7的接觸窗21係形成在
層間絕緣層IL8、平坦層PL3、畫素定義層PDL3及絕緣層L3中。
在本實施方式中,第六發光層E7位在畫素定義層PDL7的開口V10內,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第六發光層E7可位在畫素定義層PDL7的開口V10內且位在畫素定義層PDL7上。在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,畫素定義層PDL7的開口V10與畫素定義層PDL3的開口V3相重疊。在本實施方式中,畫素定義層PDL7的材質可包括感光性聚亞醯胺材料、丙烯基材料、矽氧烷材料、酚醛樹脂材料、氧化物、氮化物或氮氧化物,但本發明不以此為限。
在本實施方式中,電極C7配置於第六發光層E7上。另一方面,在本實施方式中,第六發光層E7配置於電極A7與電極C7之間。在本實施方式中,電極C7的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬材料,例如是鋁、鎂、鈦或其合金。
在本實施方式中,第六發光元件O7包括第六發光層E7、電極A7與第六發光層E7重疊的部分以及電極C7與第六發光層E7重疊的部分。在本實施方式中,電極A7與第六發光層E7重疊的部分作為第六發光元件O7的陽極,而電極C7與第六發光層E7重疊的部分作為第六發光元件O7的陰極,但本發明不限於此。在
其他實施方式中,電極A7與第六發光層E7重疊的部分可作為第六發光元件O7的陰極,而電極C7與第六發光層E7重疊的部分可作為第六發光元件O7的陽極。其餘部分請參考前述實施方式,在此不贅述。另外,在本實施方式中,第六發光元件O7是透過第六發光層E7經由電極A7與電極C7間產生的電壓差驅動而發出光。
另外,在顯示裝置30中,第一發光元件O1及第四發光元件O5共同設置在同一發光元件層(即第一發光元件層104)中,第二發光元件O2及第五發光元件O6共同設置在同一發光元件層(即第二發光元件層114)中,第三發光元件O3及第六發光元件O7共同設置在同一發光元件層(即第三發光元件層124)中,但本發明並不限於此。以下,將參照圖7針對其他的實施型態進行說明。在此必須說明的是,下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容,其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式,下述實施方式不再重複贅述。
圖7是依照本發明的另一實施方式的顯示裝置的剖面示意圖。請同時參照圖7及圖6,圖7的顯示裝置50與圖6的顯示裝置40相似,主要差異在於:在顯示裝置50中,第一發光元件O1、第五發光元件O6、第二發光元件O2、第六發光元件O7、第四發光元件O5及第三發光元件O3分別設置在對應的發光元件層(即第一發光元件層104、第五發光元件層164、第二發光元件層
114、第六發光元件層174、第四發光元件層154及第三發光元件層124)中。以下將針對圖7的顯示裝置50與圖6的顯示裝置40間的差異處進行說明,相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式。
請參照圖7,在本實施方式中,顯示裝置50可包括第四基板150、第四元件層152、第四發光元件層154、第五基板160、第五元件層162、第五發光元件層164、第六基板170、第六元件層172、第六發光元件層174及黏著層140e~140i。
在本實施方式中,第四基板150、第五基板160及第六基板170的材質分別可包括(但不限於):玻璃、石英、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或有機聚合物,所述有機聚合物例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。在本實施方式中,第四基板150、第五基板160及第六基板170為單層結構,但本發明並不限於此。在其他實施方式中,第四基板150、第五基板160及第六基板170也可為多層結構。
在本實施方式中,第五基板160配置於第一發光元件層104上。也就是說,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第五基板160堆疊於第一基板100、第一元件層102及第一發光元件層104上。在本實施方式中,第五元件層162配置於第五基板160上。在本實施方式中,第五元件層162可包括第五主動元件T6、閘絕緣層GI6、層間絕緣層IL9、層間絕緣層IL10及
平坦層PL6。
在本實施方式中,用以使第五主動元件T6的源極S6電性連接至源極區SR6的接觸窗H16係形成在閘絕緣層GI6及層間絕緣層IL9中,用以使第五主動元件T6的汲極D6電性連接至汲極區DR6的接觸窗H17係形成在閘絕緣層GI6及層間絕緣層IL9中。在本實施方式中,閘絕緣層GI6覆蓋半導體層SC6。在本實施方式中,層間絕緣層IL9配置於閘絕緣層GI6上,且覆蓋閘極G6。在本實施方式中,層間絕緣層IL10配置於層間絕緣層IL9上,且覆蓋第五主動元件T6,以提供絕緣與保護的功能。在本實施方式中,平坦層PL6配置於層間絕緣層IL10上,以提供保護與平坦的功能。在本實施方式中,閘絕緣層GI6、層間絕緣層IL9、層間絕緣層IL10及平坦層PL6分別可為單層或多層結構。在本實施方式中,閘絕緣層GI6、層間絕緣層IL9、層間絕緣層IL10及平坦層PL6的材質分別可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如包括(但不限於):氧化矽、氮化矽或氮氧化矽;有機材料例如包括(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。
在本實施方式中,第五發光元件層164配置於第五元件層162上。在本實施方式中,第五發光元件層164可包括電極A6、第五發光層E6、電極C6及畫素定義層PDL6。在本實施方式中,用以使電極A6電性連接至第五主動元件T6的汲極D6的接觸窗H18係形成在層間絕緣層IL12及平坦層PL6中。
在本實施方式中,黏著層140e配置於第一發光元件層104與第五基板160之間。也就是說,在本實施方式中,第五基板160透過黏著層140e而黏著固定於第一發光元件層104上。另外,在本實施方式中,黏著層140e可為連續的膠層,其中所述膠層的材質可包括(但不限於):光固化膠、透明光學膠或其他黏著材料。
在本實施方式中,第二基板110配置於第五發光元件層164上。也就是說,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第二基板110堆疊於第一基板100、第一元件層102、第一發光元件層104、第五基板160、第五元件層162及第五發光元件層164上。
在本實施方式中,黏著層140f配置於第五發光元件層164與第二基板110之間。也就是說,在本實施方式中,第二基板110透過黏著層140f而黏著固定於第五發光元件層164上。另外,在本實施方式中,黏著層140f可為連續的膠層,其中所述膠層的材質可包括(但不限於):光固化膠、透明光學膠或其他黏著材料。
在本實施方式中,第六基板170配置於第二發光元件層114上。也就是說,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第六基板170堆疊於第一基板100、第一元件層102、第一發光元件層104、第五基板160、第五元件層162、第五發光元件層164、第二基板110、第二元件層112及第二發光元件層114上。在本實施方式中,第六元件層172配置於第六基板170上。在本實施方式中,第六元件層172可包括第六主動元件T7、閘絕緣層
GI7、層間絕緣層IL11、層間絕緣層IL12及平坦層PL7。
在本實施方式中,用以使第六主動元件T7的源極S7電性連接至源極區SR7的接觸窗H19係形成在閘絕緣層GI7及層間絕緣層IL11中,用以使第六主動元件T7的汲極D7電性連接至汲極區DR7的接觸窗H20係形成在閘絕緣層GI7及層間絕緣層IL11中。在本實施方式中,閘絕緣層GI7覆蓋半導體層SC7。在本實施方式中,層間絕緣層IL11配置於閘絕緣層GI7上,且覆蓋閘極G7。在本實施方式中,層間絕緣層IL12配置於層間絕緣層IL11上,且覆蓋第六主動元件T7,以提供絕緣與保護的功能。在本實施方式中,平坦層PL7配置於層間絕緣層IL12上,以提供保護與平坦的功能。在本實施方式中,閘絕緣層GI7、層間絕緣層IL11、層間絕緣層IL12及平坦層PL7分別可為單層或多層結構。在本實施方式中,閘絕緣層GI7、層間絕緣層IL11、層間絕緣層IL12及平坦層PL7的材質分別可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如包括(但不限於):氧化矽、氮化矽或氮氧化矽;有機材料例如包括(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。
在本實施方式中,第六發光元件層174配置於第六元件層172上。在本實施方式中,第六發光元件層174可包括電極A7、第六發光層E7、電極C7及畫素定義層PDL7。在本實施方式中,用以使電極A7電性連接至第六主動元件T7的汲極D7的接觸窗H21係形成在層間絕緣層IL12及平坦層PL7中。
在本實施方式中,黏著層140g配置於第二發光元件層114與第六基板170之間。也就是說,在本實施方式中,第六基板170透過黏著層140g而黏著固定於第二發光元件層114上。另外,在本實施方式中,黏著層140g可為連續的膠層,其中所述膠層的材質可包括(但不限於):光固化膠、透明光學膠或其他黏著材料。
在本實施方式中,第四基板150配置於第六發光元件層174上。也就是說,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第四基板150堆疊於第一基板100、第一元件層102、第一發光元件層104、第五基板160、第五元件層162、第五發光元件層164、第二基板110、第二元件層112、第二發光元件層114、第六基板170、第六元件層172及第六發光元件層174上。在本實施方式中,第四元件層152配置於第四基板150上。在本實施方式中,第四元件層152可包括第四主動元件T5、閘絕緣層GI5、層間絕緣層IL13、層間絕緣層IL14及平坦層PL5。
在本實施方式中,用以使第四主動元件T5的源極S5電性連接至源極區SR5的接觸窗H13係形成在閘絕緣層GI5及層間絕緣層IL13中,用以使第四主動元件T5的汲極D5電性連接至汲極區DR5的接觸窗H14係形成在閘絕緣層GI5及層間絕緣層IL13中。在本實施方式中,閘絕緣層GI5覆蓋半導體層SC5。在本實施方式中,層間絕緣層IL13配置於閘絕緣層GI5上,且覆蓋閘極G5。在本實施方式中,層間絕緣層IL14配置於層間絕緣層IL13上,且覆蓋第四主動元件T5,以提供絕緣與保護的功能。在本實
施方式中,平坦層PL5配置於層間絕緣層IL14上,以提供保護與平坦的功能。在本實施方式中,閘絕緣層GI5、層間絕緣層IL13、層間絕緣層IL14及平坦層PL5分別可為單層或多層結構。在本實施方式中,閘絕緣層GI5、層間絕緣層IL13、層間絕緣層IL14及平坦層PL5的材質分別可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料,其中無機材料例如包括(但不限於):氧化矽、氮化矽或氮氧化矽;有機材料例如包括(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。
在本實施方式中,第四發光元件層154配置於第四元件層152上。在本實施方式中,第四發光元件層154可包括電極A5、第四發光層E5、電極C5及畫素定義層PDL5。在本實施方式中,用以使電極A5電性連接至第四主動元件T5的汲極D5的接觸窗H15係形成在層間絕緣層IL14及平坦層PL5中。
在本實施方式中,黏著層140h配置於第六發光元件層174與第四基板150之間。也就是說,在本實施方式中,第四基板150透過黏著層140h而黏著固定於第六發光元件層174上。另外,在本實施方式中,黏著層140h可為連續的膠層,其中所述膠層的材質可包括(但不限於):光固化膠、透明光學膠或其他黏著材料。
在本實施方式中,第三基板120配置於第四發光元件層154上。也就是說,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第三基板120堆疊於第一基板100、第一元件層102、第一發光元件層104、第五基板160、第五元件層162、第五發光元件
層164、第二基板110、第二元件層112、第二發光元件層114、第六基板170、第六元件層172、第六發光元件層174、第四基板150、第四元件層152及第四發光元件層154上。
在本實施方式中,黏著層140i配置於第四發光元件層154與第三基板120之間。也就是說,在本實施方式中,第三基板120透過黏著層140i而黏著固定於第四發光元件層154上。另外,在本實施方式中,黏著層140i可為連續的膠層,其中所述膠層的材質可包括(但不限於):光固化膠、透明光學膠或其他黏著材料。
在顯示裝置50中,從第一基板100算起為由下而上依序設置的第一發光層E1、第五發光層E6、第二發光層E2、第六發光層E7、第四發光層E5及第三發光層E3的顏色分別為藍色、青色、綠色、黃色、洋紅色及紅色,由於藍色波長的能量最強,藉由將具有藍色波長的發光層(即第一發光層E1)置於下層而使顯示裝置50的光穿透度最佳化。然而,本發明並不以此為限,在其他實施方式中,第一發光層E1的顏色、第二發光層E2的顏色、第三發光層E3的顏色、第四發光層E5的顏色、第五發光層E6的顏色及第六發光層E7的顏色的排列組合可由藍色、綠色、紅色、洋紅色、青色及黃色所構成的其他排列組合來實現。
另外,在顯示裝置50中,於第一基板100的法線方向N上,第一發光層E1、第二發光層E2、第三發光層E3、第四發光層E5、第五發光層E6與第六發光層E7彼此不相重疊。也就是說,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,畫素定義層
PDL1的開口V1、畫素定義層PDL2的開口V2、畫素定義層PDL3的開口V3、畫素定義層PDL5的開口V8、畫素定義層PDL6的開口V9與畫素定義層PDL7的開口V10不相重疊。其餘部分請參考前述實施方式,在此不贅述。
另外,請參照圖4,在顯示裝置30中,藍光11及洋紅光I5分別自第一發光元件O1及第四發光元件O5發出後會穿過黏著層140d、第二基板110、第二元件層112、第二發光元件層114、黏著層140c、第三基板120、第三元件層122及第三發光元件層124,綠光I2及青光I6分別自第二發光元件O2及第五發光元件O6發出後會經由黏著層140c、第三基板120、第三元件層122及第三發光元件層124,但本發明並不限於此。以下,將參照圖8針對其他的實施型態進行說明。在此必須說明的是,下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容,其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式,下述實施方式不再重複贅述。
圖8是依照本發明的另一實施方式的顯示裝置的剖面示意圖。請同時參照圖8及圖4,圖8的顯示裝置60與圖4的顯示裝置30相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式。
請參照圖8,在本實施方式中,第二元件層112與第二發
光元件層114中具有多個第一開口圖案U1,且第三元件層122與第三發光元件層124中具有多個第二開口圖案U2。詳細而言,在本實施方式中,於第一基板100的法線方向N上,第一發光層E1、第一開口圖案U1與第二開口圖案U2相重疊,第四發光層E5、第一開口圖案U1與第二開口圖案U2相重疊,第二發光層E2與第二開口圖案U2相重疊,且第五發光層E6與第二開口圖案U2相重疊。如此一來,在顯示裝置60中,藍光I1及洋紅光I5分別自第一發光元件O1及第四發光元件O5發出後不會穿過第二元件層112、第二發光元件層114、第三元件層122及第三發光元件層124,綠光I2及青光I6分別自第二發光元件O2及第五發光元件O6發出後不會穿過第三元件層122及第三發光元件層124,藉此可達成提高光穿透率的功效。另外,在本實施方式中,第一開口圖案U1係配置在第二元件層112及第二發光元件層114中未設置有元件及走線的區域,第二開口圖案U2係配置在第三元件層122及第三發光元件層124中未設置有元件及走線的區域。
另外,當顯示裝置60為可撓性顯示裝置時,透過顯示裝置60包括所述第一開口圖案U1及所述第二開口圖案U2,使得可達成提升可撓性的功效。
值得一提的是,根據前述針對顯示裝置60的相關描述,任何所屬領域中具有通常知識者應可理解,顯示裝置10、顯示裝置20、顯示裝置40、顯示裝置50皆可透過設置開口圖案以達成提高光穿透率的功效及/或提升可撓性的功效。其餘部分請參考前
述實施方式,在此不贅述。
綜上所述,在本發明之至少一實施方式的顯示裝置中,第一元件層配置於第一基板上且包括第一主動元件,第一發光元件層配置於第一元件層上且包括與第一主動元件電性連接第一發光元件,第二基板配置於第一發光元件上,第二元件層配置於第二基板上且包括第二主動元件,第二發光元件層配置於第二元件層上且包括與第二主動元件電性連接的第二發光元件,第三基板配置於第二發光元件上,第三元件層配置於第三基板上且包括第三主動元件,第三發光元件層配置於第三元件層上且包括與第三主動元件電性連接的第三發光元件,以及於第一基板的法線方向上,第一發光元件的第一發光層、第二發光元件的第二發光層與第三發光元件的第三發光層不相重疊,藉此顯示裝置可具有提升的解析度。
雖然本發明已以實施方式揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:顯示裝置
100、110、120、130:基板
102、112、122、132:元件層
104、114、124、134:發光元件層
140a~140c:黏著層
A1~A4、C1~C4:電極
CR1~CR4:通道區
D1~D4:汲極
DR1~DR4:汲極區
E1、E2、E3、E4:發光層
G1~G4:閘極
GI、GI2、GI3、GI4:閘絕緣層
H1~H12:接觸窗
I1、I4:藍光
I2:綠光
I3:紅光
IL1~IL8:層間絕緣層
N:法線方向
O1、O2、O3、O4:發光元件
PDL1~PDL4:畫素定義層
PL、PL2、PL3、PL4:平坦層
S1~S4:源極
SC1~SC4:半導體層
SR1~SR4:源極區
T1、T2、T3、T4:主動元件
V1~V4:開口
Claims (19)
- 一種顯示裝置,包括:一第一基板;一第一元件層,配置於該第一基板上且包括一第一主動元件;一第一發光元件層,配置於該第一元件層上,其中該第一發光元件層包括一第一發光元件,與該第一主動元件電性連接且包括一第一發光層;一第二基板,配置於該第一發光元件上;一第二元件層,配置於該第二基板上且包括一第二主動元件;一第二發光元件層,配置於該第二元件層上,其中該第二發光元件層包括一第二發光元件,與該第二主動元件電性連接且包括一第二發光層;一第三基板,配置於該第二發光元件上;一第三元件層,配置於該第三基板上且包括一第三主動元件;一第三發光元件層,配置於該第三元件層上,其中該第三發光元件層包括一第三發光元件,與該第三主動元件電性連接且包括一第三發光層,其中於該第一基板的一法線方向上,該第一發光層、該第二發光層與該第三發光層不相重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,更包括:一第四基板;一第四元件層,配置於該第四基板上且包括一第四主動元件; 一第四發光元件層,配置於該第四元件層上,其中該第四發光元件層包括一第四發光元件,與該第四主動元件電性連接且包括第四發光層,其中該第四基板、該第四元件層及該第四發光元件層位於該第一發光元件層與該第二基板之間,以及其中於該第一基板的該法線方向上,該第四發光層與該第一發光層、該第二發光層及該第三發光層不相重疊。
- 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置,其中該第一發光層的顏色為第一藍色,該第四發光層的顏色為第二藍色,該第二發光層的顏色為綠色,及該第三發光層的顏色為紅色,其中所述第一藍色與所述第二藍色的色度不相同。
- 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置,其中該第一發光層與該第四發光層的顏色相同,該第二發光層、該第三發光層與該第一發光層的顏色不相同。
- 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置,其中:當於一第一時間,該第一發光元件經由開啟之該第一主動元件驅動而發光,該第二發光元件經由開啟之該第二主動元件驅動而發光且該第三發光元件經由開啟之該第三主動元件驅動而發光;以及當於一第二時間,關閉該第三主動元件,該第一發光元件經由開啟之該第一主動元件驅動而發光,該第二發光元件經由開啟之該第二主動元件驅動而發光且該第四發光元件經由開啟之該第四主動元件驅動而發光。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該第一元件層更包括一第四主動元件,該第一發光元件層更包括一第四發光元件,該第四主動元件與該第四發光元件電性連接,且該第四發光元件包括第四發光層;該第二元件層更包括一第五主動元件,該第二發光元件層更包括一第五發光元件,該第五主動元件與該第五發光元件電性連接,且該第五發光元件包括第五發光層;該第三元件層更包括一第六主動元件,該第三發光元件層更包括一第六發光元件,該第六主動元件與該第六發光元件電性連接,且該第六發光元件包括第六發光層。
- 如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置,其中該第一發光層、該第二發光層、該第三發光層、該第四發光層、該第五發光層與該第六發光層的顏色不相同。
- 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置,其中該第一發光層的顏色為藍色,該第二發光層的顏色為綠色,該第三發光層的顏色為紅色,該第四發光層的顏色為洋紅色,該第五發光層的顏色為青色,及該第六發光層的顏色為黃色。
- 如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置,其中於該第一基板的該法線方向上,該第一發光層、該第二發光層、該第三發光層、該第四發光層、該第五發光層與該第六發光層不相重疊。
- 如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置,其中於該第一基板的該法線方向上,該第一發光層與該第四發光層相重疊、 該第二發光層與第五發光層相重疊,且該第三發光層與該第六發光層相重疊。
- 如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置,其中:當於一第一時間,該第一發光元件經由開啟之該第一主動元件驅動而發光,該第二發光元件經由開啟之該第二主動元件驅動而發光且該第三發光元件經由開啟之該第三主動元件驅動而發光;以及當於一第二時間,關閉該第一主動元件、該第二主動元件及該第三主動元件,該第四發光元件經由開啟之該第四主動元件驅動而發光,該第五發光元件經由開啟之該第五主動元件驅動而發光且該第六發光元件經由開啟之該第六主動元件驅動而發光。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,更包括:一第四基板;一第四元件層,配置於該第四基板上且包括一第四主動元件;一第四發光元件層,配置於該第四元件層上,其中該第四發光元件層包括一第四發光元件,與該第四主動元件電性連接且包括一第四發光層;一第五基板;一第五元件層,配置於該第五基板上且包括一第五主動元件;一第五發光元件層,配置於該第五元件層上,其中該第五發光元件層包括一第五發光元件,與該第五主動元件電性連接且包括一第五發光層; 一第六基板,配置於該第五發光元件層上;一第六元件層,配置於該第六基板上且包括一第六主動元件;以及一第六發光元件層,配置於該第六元件層上,其中該第六發光元件層包括一第六發光元件,與該第六主動元件電性連接且包括一第六發光層,其中該第五基板、該第五元件層及該第五發光元件層位於該第一發光元件層與該第二基板之間,該第六基板、該第六元件層、該第六發光元件層位於該第二發光元件層與該第四基板之間,且該第四基板、該第四元件層及該第四發光元件層位於該第六發光元件層與該第三基板之間。
- 如申請專利範圍第12項所述的顯示裝置,其中該第一發光層、該第二發光層、該第三發光層、該第四發光層、該第五發光層與該第六發光層的顏色不相同。
- 如申請專利範圍第13項所述的顯示裝置,其中該第一發光層的顏色為藍色,該第二發光層的顏色為綠色,該第三發光層的顏色為紅色,該第四發光層的顏色為洋紅色,該第五發光層的顏色為青色,及該第六發光層的顏色為黃色。
- 如申請專利範圍第13項所述的顯示裝置,其中於該第一基板的該法線方向上,該第一發光層、該第二發光層、該第三發光層、該第四發光層、該第五發光層與該第六發光層不相重疊。
- 如申請專利範圍第12項所述的顯示裝置,其中:當於一第一時間,該第一發光元件經由開啟之該第一主動元件驅動而發光,該第二發光元件經由開啟之該第二主動元件驅動而發光且該第三發光元件經由開啟之該第三主動元件驅動而發光;以及當於一第二時間,關閉該第一主動元件、該第二主動元件及該第三主動元件,該第四發光元件經由開啟之該第四主動元件驅動而發光,該第五發光元件經由開啟之該第五主動元件驅動而發光且該第六發光元件經由開啟之該第六主動元件驅動而發光。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該第二元件層與該第二發光元件層中更具有一第一開口圖案;該第三元件層與該第三發光元件層中更具有一第二開口圖案,其中於該第一基板的該法線方向上,該第一發光層、該第一開口圖案與該第二開口圖案相重疊,且該第二發光層與該第二開口圖案相重疊。
- 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置,其中該第一發光元件層與第四發光元件層不同時發光。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中在所述第一發光層、所述第二發光層及所述第三發光層中,所述第一發光層最遠離所述顯示裝置的顯示面,且所述第一發光層的顏色為藍色。
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