TWI688635B - Duv光罩保護膜鋁框黏膠處理方法 - Google Patents
Duv光罩保護膜鋁框黏膠處理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI688635B TWI688635B TW107108457A TW107108457A TWI688635B TW I688635 B TWI688635 B TW I688635B TW 107108457 A TW107108457 A TW 107108457A TW 107108457 A TW107108457 A TW 107108457A TW I688635 B TWI688635 B TW I688635B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- aluminum frame
- sensitive adhesive
- pressure
- adhesive
- photosensitive pressure
- Prior art date
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 88
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 88
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 26
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
一種DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法，係於鋁框貼合在光罩的一表面上塗佈一層光敏壓敏膠，該光敏壓敏膠具有低黏度特性，塗佈於鋁框表面時，可以將鋁框的凹凸不平表面填塞補滿，使光敏壓敏膠與鋁框表面為面對面的接觸，再將有一離型劑層的透光平坦基板表面覆蓋於光敏壓敏膠上，使離型劑與光敏壓敏膠接觸，然後，將一紫外線光由基板未設置離型劑的另一表面曝曬該光敏壓敏膠，將光敏壓敏膠高分子化，再將該平坦基板與高分子壓敏膠分離，即可得到一表面平坦的膠面。
Description
本發明是有關一種DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法，特別是一種藉由液體狀的光敏壓敏膠將鋁框凹凸表面填塞補滿，再將光敏壓敏膠表面平坦化並進行高分子化，使鋁框壓合於光罩時，該光罩可平均受力，不會造成變形。
依據目前的半導體元件製造技術，半導體元件的電路圖案是透過微影(lithography)製程將電路圖案轉印至矽晶圓的表面，具體而言是利用特定波長的光源投射通過光罩(photomask)的方式，將電路圖案轉印至矽晶圓的表面。
而一般光罩表面會設置有一鋁框，而該光罩表面與該鋁框之間會以黏接劑相黏，而該鋁框則覆蓋有一層光罩保護薄膜，由於近年來IC線寬朝向微細化發展，因此對於光罩表面的平坦度要求也越來越嚴格。
另外，當鋁框結合於該光罩表面上時，若是該鋁框與該光罩表面結合之底膠表面不平坦，當將保護膜鋁框黏貼到光罩上時，因受力之不同，將會導致該光罩表面之平坦度產生變化，而平坦度產生變化將會使光罩表面上的圖案形狀會產生變化，影響後續的多層光罩曝光準確度或重疊度。
如圖1所示，係習知鋁框塗佈黏膠示意圖，主要是在鋁框100上塗佈一層熱熔壓敏膠101或矽高分子溶液或壓克力高分子乳膠，當膠冷卻或溶液揮
發後，再用一極平坦之石英基板壓在膠上，即可在鋁框100上形成一條表面平整的壓敏膠(Pressure sensitive adhesive)101，該壓敏膠101可用來黏貼到光罩上，而鋁框100的另一端表面結合有一層薄膜102，該薄膜102是用來保護光罩不受微塵之影響曝光。
但由於鋁框100表面通常都是經過陽極氧化處理，使鋁框100表面具有無數的凹凸面，而習知採用的壓敏膠101都為高分子膠，眾所皆知，高分子膠的黏稠度高，並無法將鋁框100凹凸表面填塞補滿，使壓敏膠101與鋁框100的結合表面為凸點接觸，凹面會形成一空洞；當該壓敏膠100壓在光罩上時，必須在鋁框100上施加一朝向光罩103的壓力，才能將鋁框100黏固於光罩上，但由於壓敏膠101與鋁框100的結合面為點對點的接觸，當施加壓力時，會造成凸出接觸面及凹下空洞面的受壓不平均，導致光罩103表面因受力不均而產生些微變形，然而這樣些微變形會使光罩103表面上的圖案形狀產生扭曲變化，影響曝光良率，故上述傳統的平坦化處理仍是有缺陷存在。
因此，若能夠於設計出一種讓膠與鋁框為面對面的接觸，使光罩平均受力，將能夠避免該光罩表面上的圖案形狀產生扭曲變化之情況發生，如此本發明應為一最佳解決方案。
本發明係一種DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法，其方法為：取一鋁框，該鋁框頂面為凹凸表面，將該鋁框放置在一治具之一框形定位空間中，該定位空間係由二相對應的圍牆所形成，該圍牆高於鋁框的高度，使鋁框頂面與圍牆之間具有一高度差；於鋁框頂面上塗佈一層與該圍牆頂面接近切齊，且
為單分子低黏性的一液態狀光敏壓敏膠，該光敏壓敏膠滲入該鋁框的凹凸表面中，將凹凸表面填塞補滿，並受到該圍牆擋持塑形；取一透光基板，該透光基板具有一極平坦的表面，於該極平坦表面上有一極平坦的離型劑層，將該透光基板的離型劑層覆蓋於該治具的圍牆頂面並同時壓抵於該光敏壓敏膠的表面，使離型劑層與該光敏壓敏膠相接觸，致使該光敏壓敏膠形成一具有平坦的膠面；取一紫外線燈，將紫外線燈置於未設置該離型劑層的該透光基板另一側，使紫外線燈所產生的紫外線光會朝該光敏壓敏膠曝曬，使該光敏壓敏膠經由曝曬後，轉換成高分子非硬化的壓敏膠，而具有高黏性；藉由離型劑層的設置，使透光基板輕易自壓敏膠表面移除，致使該光敏壓敏膠的膠面形成為一極平坦的表面，同時將鋁框移出治具；取一薄膜層，該薄膜層結合在鋁框未設置該壓敏膠的另一表面上，該薄膜可避免微塵掉落在光罩上。
於一較佳實施例中，其中該透光基板係為石英基板。
於一較佳實施例中，其中該使鋁框頂面與圍牆之間具有一高度差，該高度差為0.2mm~0.8mm，相對控制該壓敏膠厚度為0.2mm~0.8mm。
於一較佳實施例中，其中該紫外線光的曝曬時間為5分鐘。
100:鋁框
101:壓敏膠
102:薄膜
103:光罩
1:鋁框
11:凹凸表面
2:光敏壓敏膠
2’:壓敏膠
3:透光基板
4:離型劑層
5:光罩
6:薄膜層
7:紫外線燈
71:紫外線光
8:治具
81:定位空間
82:圍牆
h:高度差
[第1圖]係習知保護膜框架示意圖。
[第2A圖]係本發明DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法之實施處理結構示意圖。
[第2B圖]係本發明DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法之實施處理結構示意圖。
[第2C圖]係本發明DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法之實施處理結構示意圖。
[第2D圖]係本發明DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法之實施處理結構示意圖。
[第2E圖]係本發明DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法之實施處理結構示意圖。
[第2F圖]係本發明DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法之實施處理結構示意圖。
[第2G圖]係本發明DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法之實施處理結構示意圖。
[第2H圖]係本發明DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法之實施處理結構示意圖。
[第3圖]係本發明DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法之與光罩結合結構示意圖。
有關於本發明其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。
請參閱第2A~2F圖，為本發明DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法之製備流程示意圖，由圖中可知，其步驟為：如第2A,2B圖所示，係取一鋁框1，該鋁框1表面為凹凸表面11，將該鋁框1放置在一治具8上，該治具8有一框形的定位空間81，該定位空間係由
二相對應的圍牆82所形成，該圍牆82高於鋁框1的高度，係將鋁框1定位於該定位空間81中，使鋁框1頂面與圍牆82之間具有一0.2mm~0.8mm的高度差h，該高度差h為0.2mm、03mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm或0.8mm；請參閱第2C圖所示，於鋁框1頂面上塗佈一層液態狀的光敏壓敏膠2，該光敏壓敏膠2為單分子低黏性，使光敏壓敏膠2可滲入該鋁框1的凹凸表面11中，以將凹凸表面11填塞補滿，使光敏壓敏膠2與鋁框表面為面對面的接觸，達到平均施力及受力之目的，而該液態膠光敏壓敏膠2會與該圍牆82頂面接近切齊，並受到該圍牆82擋持塑形，使該光敏壓敏膠2在鋁框1上的厚度為0.2mm~0.8mm，其中該光敏壓敏膠的厚度為0.2mm、03mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm或0.8mm；請參閱第2D圖所示，取一透光基板3，該透光基板3具有一極平坦的表面(表面平坦度為1-5μm)，於該極平坦表面上均勻塗佈有一離型劑層4，該離型劑層同樣具有一平坦度為1-5μm的表面，將該透光基板3的離型劑層4覆蓋於該治具8的圍牆82頂面並同時壓抵於該光敏壓敏膠2的表面，使離型劑層4與該光敏壓敏膠2相接觸，致使該光敏壓敏膠2受到透光基板3重量的壓持，及離型劑層4平坦的表面影響，而形成一具有平坦的膠面；其中，該透光基板3係為石英基板；請參閱第2E所示，取一紫外線燈7，將該紫外線燈7置於該未設置離型劑層4的該透光基板3另一側，使該紫外線燈7產生的紫外線光71朝該光敏壓敏膠2曝曬至少5分鐘，使該光敏壓敏膠2經由曝曬後，轉換成高分子非硬化的壓敏膠2’，而具有高黏性；請參閱第2F圖所示，藉由離型劑層4的設計，使透光基板3輕易自高分子壓敏膠2’表面移除，致使該壓敏膠2’的膠面形成為一極平坦的表面，不會
受到鋁框1凹凸表11面影響，如第2G圖所示，同時將鋁框移出該治具8；請參閱第2H所示，在鋁框1未設置高分子壓敏膠2’的另一表面上結合有一薄膜層6，形成一罩蓋體，該薄膜層6可避免微塵掉落在光罩上。
請參閱第3圖所示，能夠將該鋁框1上的高分子光敏壓敏膠2貼合於一光罩5表面上，而該鋁框1另一表面則為該薄膜層6，以防止微塵掉落於光罩5上，由於該壓敏膠2’已將鋁框1凹凸表面11填滿，所以壓敏膠2’的與鋁框1結合膠面不會受到凹凸面影響，而有空洞，並藉由壓敏膠2’平坦的膠面，當將鋁框1上的壓敏膠2’貼合於一光罩5表面時，當鋁框1施加一壓力至該光罩5時，該光罩5每個受力點都為平均受力，而不會產生變形的情形，進而確保光罩5表面圖案不會產生變形。
本發明所提供之DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法，與其他習用技術相互比較時，其優點如下：
(1)本發明採用液態光敏壓敏膠先將鋁框凹凸面填補後，使鋁框表面與光敏壓敏膠的結合面不會有任何隙縫，再將光敏壓敏膠高分子化，形成一高黏性的壓敏膠，當鋁框壓於光罩表面上時，能夠有效避免因施力不均而造成光罩表面圖案產生變化的情況發生。
(2)本發明可有效提升光罩在微影(lithography)製程中的良率。
本發明已透過上述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟悉此一技術領域具有通常知識者，在瞭解本發明前述的技術特徵及實施例，並在不脫離本發明之精神和範圍內，不可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之請求項所界定者為準。
1:鋁框
11:凹凸表面
2’:壓敏膠
6:薄膜層
Claims (4)
- 一種DUV(深紫外光)光罩保護膜鋁框黏膠處理方法，其方法為：取一鋁框，該鋁框頂面為凹凸表面，將該鋁框放置在一治具之一框形定位空間中，該定位空間係由二相對應的圍牆所形成，該圍牆高於鋁框的高度，使鋁框頂面與圍牆之間具有一高度差；於鋁框頂面上塗佈一層與該圍牆頂面接近切齊，且為單分子低黏性的一液態狀光敏壓敏膠，該光敏壓敏膠滲入該鋁框的凹凸表面中，將凹凸表面填塞補滿，並受到該圍牆擋持塑形；取一透光基板，該透光基板具有一極平坦的表面，於該極平坦表面上有一極平坦的離型劑(parting agent)層，將該透光基板的離型劑層覆蓋於該治具的圍牆頂面並同時壓抵於該光敏壓敏膠的表面，使離型劑層與該光敏壓敏膠相接觸，致使該光敏壓敏膠形成一具有平坦的膠面；取一紫外線燈，將紫外線燈置於未設置該離型劑層的該透光基板另一側，使紫外線燈所產生的紫外線光會朝該光敏壓敏膠曝曬，使該光敏壓敏膠經由曝曬後，轉換成高分子非硬化的壓敏膠，而具有高黏性；藉由離型劑層的設置，使透光基板輕易自壓敏膠表面移除，致使該光敏壓敏膠的膠面形成為一極平坦的表面，同時將鋁框移出治具；取一薄膜層，該薄膜層結合在鋁框未設置該壓敏膠的另一表面上，該薄膜可避免微塵掉落在光罩上。
- 如請求項1所述之DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法，其中該透光基板係為石英基板。
- 如請求項1所述之DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法，其中該使 鋁框頂面與圍牆之間具有一高度差，該高度差為0.2mm~0.8mm，相對控制該壓敏膠厚度為0.2mm~0.8mm。
- 如請求項1所述之DUV光罩保護膜鋁框黏膠處理方法，其中該紫外線光的曝曬時間為5分鐘。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107108457A TWI688635B (zh) | 2018-03-13 | 2018-03-13 | Duv光罩保護膜鋁框黏膠處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107108457A TWI688635B (zh) | 2018-03-13 | 2018-03-13 | Duv光罩保護膜鋁框黏膠處理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201938722A TW201938722A (zh) | 2019-10-01 |
| TWI688635B true TWI688635B (zh) | 2020-03-21 |
Family
ID=69023249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107108457A TWI688635B (zh) | 2018-03-13 | 2018-03-13 | Duv光罩保護膜鋁框黏膠處理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI688635B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI808827B (zh) * | 2022-07-08 | 2023-07-11 | 美商微相科技股份有限公司 | 光罩保護組件結構 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020181092A1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Micro Lithography, Inc. | Antistatic optical pellicle |
| US20030020894A1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-01-30 | Micro Lithography, Inc. | Removable Optical pellicle |
| US20030022073A1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-01-30 | Micro Lithography, Inc. | Fluoropolymer-coated photomasks for photolithography |
| US20040043302A1 (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-04 | Micro Lithography, Inc. | Vent for an optical pellicle system |
| US20140255827A1 (en) * | 2013-03-08 | 2014-09-11 | Micro Lithography, Inc. | Pellicles with reduced particulates |
| TWI556055B (zh) * | 2014-08-12 | 2016-11-01 | Micro Lithography Inc | A mask protective film module and manufacturing method thereof |
| TWI571698B (zh) * | 2015-12-23 | 2017-02-21 | Micro Lithography Inc | Method for manufacturing EUV mask inorganic protective film module |
| TWI612369B (zh) * | 2016-12-28 | 2018-01-21 | Micro Lithography Inc | Euv光罩無機保護薄膜組件製造方法 |
-
2018
- 2018-03-13 TW TW107108457A patent/TWI688635B/zh active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020181092A1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Micro Lithography, Inc. | Antistatic optical pellicle |
| US20030020894A1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-01-30 | Micro Lithography, Inc. | Removable Optical pellicle |
| US20030022073A1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-01-30 | Micro Lithography, Inc. | Fluoropolymer-coated photomasks for photolithography |
| US20040043302A1 (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-04 | Micro Lithography, Inc. | Vent for an optical pellicle system |
| US20140255827A1 (en) * | 2013-03-08 | 2014-09-11 | Micro Lithography, Inc. | Pellicles with reduced particulates |
| TWI556055B (zh) * | 2014-08-12 | 2016-11-01 | Micro Lithography Inc | A mask protective film module and manufacturing method thereof |
| TWI571698B (zh) * | 2015-12-23 | 2017-02-21 | Micro Lithography Inc | Method for manufacturing EUV mask inorganic protective film module |
| TWI612369B (zh) * | 2016-12-28 | 2018-01-21 | Micro Lithography Inc | Euv光罩無機保護薄膜組件製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201938722A (zh) | 2019-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7252032B2 (ja) | 転写基板ならびにこれを用いた実装方法および画像表示装置の製造方法 | |
| JP5411596B2 (ja) | ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル | |
| JP4931717B2 (ja) | リソグラフィー用ペリクルの製造方法 | |
| TWI534858B (zh) | 模具 | |
| JP2009170773A (ja) | インプリントモールドおよびインプリント装置 | |
| JP4889778B2 (ja) | ペリクルの製造方法及びリソグラフィ用ペリクル | |
| CN116224476B (zh) | 微透镜阵列及其制作方法 | |
| TWI409581B (zh) | 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件 | |
| KR20110036661A (ko) | 펠리클 | |
| JP2009190300A (ja) | インプリント法 | |
| JP2009288265A (ja) | リソグラフィ用ペリクル | |
| TWI688635B (zh) | Duv光罩保護膜鋁框黏膠處理方法 | |
| CN104614947A (zh) | 柔性、可拉伸、可变形曲面光刻模板与光刻方法和装置 | |
| JP4979088B2 (ja) | 半導体リソグラフィー用ペリクル | |
| JPH05147359A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| KR20110092233A (ko) | 리소그래피용 펠리클 | |
| CN104992908A (zh) | 一种晶圆级封装中超薄封盖的制作方法 | |
| KR20220056609A (ko) | 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임 및 그 제조방법 | |
| JP2020167251A5 (zh) | ||
| JP2005308901A (ja) | ペリクルフレーム及びそれを用いたフォトリソグラフィー用ペリクル | |
| TWI443451B (zh) | 光刻用防護薄膜組件的黏貼方法及裝置 | |
| JP5252984B2 (ja) | 半導体リソグラフィー用ペリクルおよびその製造方法 | |
| JP2013115104A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ用ウエハ封止方法 | |
| KR20080099672A (ko) | 임프린트 공정 시스템 및 패턴형성방법 | |
| JP6468478B2 (ja) | インプリント用モールド、インプリント方法及びワイヤーグリッド偏光子の製造方法 |