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TWI685723B - 參數判定方法及其裝置 - Google Patents

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TWI685723B
TWI685723B TW107125413A TW107125413A TWI685723B TW I685723 B TWI685723 B TW I685723B TW 107125413 A TW107125413 A TW 107125413A TW 107125413 A TW107125413 A TW 107125413A TW I685723 B TWI685723 B TW I685723B
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尼特許 帕迪
馬克辛 帕薩瑞可
亞歷山卓 保羅
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荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本發明揭示一種用以自度量衡目標之影像量測疊對之方法及裝置，該等影像為使用聲波所獲得之影像，例如使用一聲學顯微鏡所獲得之影像。獲得兩個目標之影像，一個影像使用聲波獲得且一個影像使用光波獲得，判定該等影像之邊緣，且獲得該兩個目標之間的疊對而作為該兩個影像之該等邊緣之間的差。

Description

參數判定方法及其裝置
本發明係關於可用於例如藉由微影技術進行器件製造之檢測(例如度量衡)方法及裝置，且係關於使用微影技術來製造器件之方法。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如光罩)處之圖案(亦常常被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。當前在使用中之典型波長為365奈米(i線)、248奈米、193奈米及13.5奈米。相比於使用例如具有193奈米之波長之輻射的微影裝置，使用具有在4奈米至20奈米之範圍內之波長(例如6.7奈米或13.5奈米)之極紫外線(EUV)輻射的微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。
低k1微影可用以處理尺寸小於微影裝置之經典解析度極限的特徵。在此製程中，可將解析度公式表達為CD=k1×λ/NA，其中λ為所使用輻射之波長、NA為微影裝置中之投影光學件之數值孔徑、CD為「臨 界尺寸」(通常為經印刷之最小特徵大小，但在此狀況下為半節距)且k1為經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，可將複雜微調步驟應用至微影投影裝置及/或設計佈局。此等步驟包括例如但不限於：NA之最佳化、自訂照明方案、使用相移圖案化器件、設計佈局之各種最佳化，諸如設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及製程校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。替代地，用於控制微影裝置之穩定性之嚴格控制迴路可用以改良在低k1下之圖案之再生。
因此，在圖案化製程中，需要頻繁地進行所產生結構之量測，例如以用於製程控制及驗證。用於進行此類量測之各種工具係已知的，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(器件中兩個層之對準準確度之量度)之特殊化工具。可依據兩個層之間的未對準程度來描述疊對，例如，對為1奈米之經量測疊對之參考描述兩個層未對準達1奈米之情形。
已開發各種形式之檢測裝置(例如度量衡裝置)以供微影領域中使用。此等器件將輻射光束導向至目標上且量測重新導向(例如散射)輻射之一或多個屬性-例如，依據波長而變化的在單一反射角下之強度；依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度；或依據反射角而變化的偏振-以獲得可供判定目標之所關注屬性之「光譜」。可藉由各種技術來執行所關注屬性之判定：例如藉由諸如嚴密耦合波分析或有限元素方法之反覆途徑而進行目標之重新建構；庫搜尋；及主成份分析。
本發明揭示一種用以自度量衡目標之影像量測疊對之方法及裝置，該等影像為使用聲波所獲得之影像，例如使用一聲學顯微鏡所獲得之影像。一種度量衡裝置，其包含用於產生聲波之一源。一種方法，其包含使用聲波量測一圖案化製程之一參數，其進一步包含使用聲波獲得一第一目標之一第一影像，使用光波獲得一第二目標之一第二影像，判定該第一影像及該第二影像之一特性，且將該圖案化製程之一參數判定為該第一影像之該特性與該第二影像之該特性之間的一差。該特性為該影像之邊緣。
301‧‧‧聲學顯微鏡
301A‧‧‧底部光柵
301AA‧‧‧邊緣
301B‧‧‧影像
302‧‧‧光學顯微鏡
302A‧‧‧頂部光柵
302AA‧‧‧邊緣
302B‧‧‧影像
310‧‧‧距離
401‧‧‧聲輻射
402‧‧‧光輻射
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CL‧‧‧電腦系統
DE‧‧‧顯影器
IF‧‧‧位置感測器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
IL‧‧‧照明系統/照明器
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧度量衡工具/光譜散射計
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
RO‧‧‧基板處置器或機器人
SC‧‧‧旋塗器
SC1‧‧‧第一標度
SC2‧‧‧第二標度
SC3‧‧‧第三標度
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧支撐結構/光罩台
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將僅藉由實例參看隨附示意性圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中：圖1描繪微影裝置之示意性綜述；圖2描繪微影製造單元之示意性綜述；圖3描繪整體微影之示意性表示，其表示用以最佳化半導體製造之三種關鍵技術之間的合作；圖4在圖4A中描繪用於根據本發明的包含聲學度量衡裝置及光學度量衡裝置之裝置的實施例，且在圖4B中描繪經量測疊對目標之影像。
圖5描繪根據本發明的組合之聲學及光學度量衡裝置之另一實施例。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有為365奈米、248奈米、193奈 米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線輻射(EUV，例如具有在約5奈米至100奈米之範圍內之波長)。
如本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；術語「光閥」亦可用於此內容背景中。除了經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例亦包括：
-可程式化鏡面陣列。以引用方式併入本文中之美國專利第5,296,891號及第5,523,193號中給出關於此等鏡面陣列之更多資訊。
-可程式化LCD陣列。以引用方式併入本文中之美國專利第5,229,872號中給出此構造之實例。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。微影裝置LA包括：照明系統(亦被稱作照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；支撐結構(例如光罩台)T，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM；基板台(例如晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
在操作中，照明器IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學 組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」PS同義。
微影裝置可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間-其亦被稱作浸潤微影。以引用方式併入本文中之美國專利第6,952,253號及PCT公開案第WO99-49504號中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影裝置LA亦可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT及例如兩個或多於兩個支撐結構T(圖中未繪示)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台/結構，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於將圖案化器件MA之設計佈局曝光至基板W上。
在操作中，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如光罩台T)上之圖案化器件(例如光罩MA)上，且係由該圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如干涉器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM且有可能另一位置感測器(其未在圖1中 明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位光罩MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。
如圖2所展示，微影裝置LA可形成微影製造單元LC(有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或(微影)叢集)之部分，微影製造單元LC常常亦包括用以對基板W執行曝光前製程及曝光後製程之裝置。習知地，此等裝置包含用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、例如用於調節基板W之溫度(例如用於調節抗蝕劑層中之溶劑)之冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板W、在不同製程裝置之間移動基板W且將基板W遞送至微影裝置LA之裝載匣LB。微影製造單元中常常亦被集體地稱作塗佈顯影系統之器件通常係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身可受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦可例如經由微影控制單元LACU而控制微影裝置LA。
為了正確且一致地曝光由微影裝置LA曝光之基板W，需要檢測基板以量測經圖案化結構之屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。出於此目的，可在微影製造單元LC中包括檢測工具(圖中未繪示)。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光或對待對基板W執行之其他處理步驟進行例如調整，尤其是在同一批量或批次之其他基板W仍待曝光或處理之前進行檢測的情況下。
亦可被稱作度量衡裝置之檢測裝置係用以判定基板W之屬性，且尤其判定不同基板W之屬性如何變化或與同一基板W之不同層相關 聯之屬性在層與層間如何變化。檢測裝置可替代地經建構以識別基板W上之缺陷，且可例如為微影製造單元LC之部分，或可整合至微影裝置LA中，或可甚至為單機器件。檢測裝置可量測潛影(在曝光之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或半潛像影像(在曝光後烘烤步驟PEB之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或經顯影抗蝕劑影像(其中抗蝕劑之曝光部分或未曝光部分已被移除)上之屬性，或甚至經蝕刻影像(在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後)上之屬性。
通常微影裝置LA中之圖案化製程為在處理中之最具決定性步驟中的一者，其需要基板W上之結構之尺寸標定及置放之高準確度。為了確保此高準確度，可將三個系統組合於所謂的「整體」控制環境中，如圖3示意性地所描繪。此等系統中之一者為微影裝置LA，其(實際上)連接至度量衡工具MT(第二系統)且連接至電腦系統CL(第三系統)。此「整體」環境之關鍵在於最佳化此等三個系統之間的合作以增強總體製程窗且提供嚴格控制迴路，從而確保由微影裝置LA執行之圖案化保持在製程窗內。製程窗界定製程參數(例如劑量、焦點、疊對)之範圍，在該製程參數範圍內特定製造製程得到所界定結果(例如功能半導體器件)-通常在該製程參數範圍內微影製程或圖案化製程中之製程參數被允許變化。
電腦系統CL可使用待圖案化之設計佈局(之部分)以預測使用哪種解析度增強技術且執行演算微影模擬及計算以判定哪種光罩佈局及微影裝置設定達成圖案化製程之最大總體製程窗(在圖3中由第一標度SC1中之雙箭頭描繪)。通常，解析度增強技術經配置以匹配於微影裝置LA之圖案化可能性。電腦系統CL亦可用以偵測在製程窗內何處微影裝置LA當前正操作(例如使用來自度量衡工具MT之輸入)以預測歸因於例如次 佳處理是否可存在缺陷(在圖3中由第二標度SC2中之指向「0」之箭頭描繪)。
度量衡工具MT可將輸入提供至電腦系統CL以實現準確模擬及預測，且可將回饋提供至微影裝置LA以識別例如微影裝置LA之校準狀態中的可能漂移(在圖3中由第三標度SC3中之多個箭頭描繪)。
在微影製程中，需要頻繁地進行所產生結構之量測，例如以用於製程控制及驗證。用以進行此類量測之工具通常被稱為度量衡工具MT。用於進行此類量測之不同類型的度量衡工具MT為吾人所知，包括掃描電子顯微鏡或各種形式之散射計度量衡工具MT。散射計為多功能器具，其允許藉由在光瞳或與散射計之接物鏡之光瞳共軛的平面中具有感測器來量測微影製程之參數(量測通常被稱作以光瞳為基礎之量測)，或藉由在影像平面或與影像平面共軛之平面中具有感測器來量測微影製程之參數，在此狀況下量測通常被稱作以影像或場為基礎之量測。全文係以引用方式併入本文中之專利申請案US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1,628,164A中進一步描述此類散射計及相關聯量測技術。前述散射計可使用來自軟x射線及可見光至近IR波長範圍之光來量測光柵。
在第一實施例中，散射計MT為角度解析散射計。在此散射計中，重新建構方法可應用於經量測信號以重新建構或計算光柵之屬性。此重新建構可例如由模擬散射輻射與目標結構之數學模型之相互作用且比較模擬結果與量測之結果產生。調整數學模型之參數直至經模擬相互作用產生相似於自真實目標所觀測之繞射圖案的繞射圖案為止。
在第二實施例中，散射計MT為光譜散射計MT。在此光譜 散射計MT中，由輻射源發射之輻射經導向至目標上且來自目標之反射或散射輻射經導向至光譜儀偵測器上，該光譜儀偵測器量測鏡面反射輻射之光譜(亦即依據波長而變化的強度之量測)。自此資料，可例如藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸或藉由與經模擬光譜庫比較來重新建構產生經偵測到之光譜的目標之結構或剖面。
在第三實施例中，散射計MT為橢圓量測散射計。橢圓量測散射計允許藉由量測針對每一偏振狀態之散射輻射來判定微影製程之參數。此度量衡裝置藉由在度量衡裝置之照明區段中使用例如適當偏振濾光器來發射偏振光(諸如線性、圓形或橢圓)。適於度量衡裝置之源亦可提供偏振輻射。全文係以引用方式併入本文中之美國專利申請案11/451,599、11/708,678、12/256,780、12/486,449、12/920,968、12/922,587、13/000,229、13/033,135、13/533,110及13/891,410中描述現有橢圓量測散射計之各種實施例。
度量衡工具之另一實現為以影響為基礎之疊對度量衡工具，其為使用光學(可見光)輻射以藉由偵測專門設計之疊對目標之影像從而判定疊對的量測技術。使用目標，諸如盒中盒或長條中長條之目標來執行用於以影像為基礎之疊對(IBO)量測之典型目標。全文係以引用方式併入本文中之美國專利申請案US20130208279中進一步描述以IBO為基礎之量測。
在散射計MT之一項實施例中，散射計MT經調適以藉由量測反射光譜及/或偵測組態中之不對稱性(該不對稱性係與疊對之範圍有關)來量測兩個未對準光柵或週期性結構之疊對。可將兩個(通常重疊)光柵結構施加於兩個不同層(未必為連續層)中，且該兩個光柵結構可形成為處於 晶圓上大體上相同的位置。散射計可具有如例如共同擁有之專利申請案EP1,628,164A中所描述之對稱偵測組態，使得任何不對稱性可明確區分的。此提供用以量測光柵中之未對準之直接方式。可在全文係以引用方式併入本文中之PCT專利申請公開案第WO 2011/012624號或美國專利申請案第US 20160161863號中找到關於含有作為目標之週期性結構之兩個層之間的疊對誤差經由該等週期性結構之不對稱性予以量測的另外實例。
在製造具有增強之三維特徵(例如X點記憶體或3D NAND結構)之微影器件時，需要不透明層來確保正確器件處理。通常，此層對可見光輻射不透明(尤其是組態)，此取決於用於不透明層之材料之施加或類型，此層對紅外線輻射係透射的。然而，技術藍圖預測到，需要對光輻射(在可見光譜或紅外線光譜中)幾乎不透射之層，其中強烈偏好由光學上不透射之材料製成之層(例如金屬層)。因此，判定圖案化製程之所關注屬性可藉由並不使用可見光或紅外線輻射的技術來執行。
本發明描述一種用以使用聲波或輻射來量測圖案化製程之參數之方法。本發明亦描述一種包含產生聲波源之度量衡裝置。在一實施例中，該圖案化製程參數為疊對。在一實施例中，該用以量測圖案化製程之參數之方法使用運用以聲學為基礎之工具獲得之度量衡目標之影像。此類聲學成像工具之實例為表面聲學顯微鏡(SAM)，且C.F.Quate、A.Atalar、H.K.Wickramasinghe在1979年8月在IEEE論文集(第67卷，第8號)中之公開案中描述操作原理，該案之全文係以引用方式併入本文中。
一般而言，聲波穿透材料，此取決於材料之聲學屬性，此亦針對材料並非光學透射之狀況，諸如在用於製造例如3D NAND結構之金屬層的狀況下。聲學顯微鏡使用此原理以獲得內埋於材料內部之結構之 影像，在一實例中為內埋於半導體層堆疊中之光柵之影像。聲學顯微鏡量測影像之深度取決於在激發頻率下之聲波之衰減。對頻率之相依性並非直接了當的。在金屬中，主要衰減源結果為「熱彈性熱流」，如C.F.Quate等人在上文所引證內容中所解釋，且總體衰減隨著頻率之平方而增大。在絕緣體中，主要衰減源係歸因於聲子氣體誘發之碰撞及阻尼。在半導體中，可預期此兩種效應之組合。通常衰減似乎與聲波頻率之平方成比例，然而針對極高聲頻(例如幾GHz)，實驗結果已展示衰減較慢，如Li及Cahill在全文以引用方式併入本文中之Phys.Rev.B 94,104306中所揭示。
因此，為了針對用以獲得聲學顯微鏡中之內埋式物件之影像的聲波獲得較深穿透深度(物件諸如疊對目標)，需要減小聲波之頻率且因此需要增大波長。聲波在材料中之物理屬性之此關係的效應指示諸如度量衡目標之較深內埋式物件需要相應地具有增大之尺寸。換言之，運用聲學顯微鏡拍攝之影像之解析度隨著物件被內埋之距離而減小。在半導體業中，通常在幾百奈米至幾微米之不透明材料下印刷度量衡目標。因此，藉由高達幾GHz之聲頻進行成像係可能的，從而有可能得到在微米或甚至亞微米範圍內之空間解析度。
為了校準此效應，需要藉由材料深度進行反射聲功率之損失之校準，校準亦被稱為V(z)曲線。其表示依據聲波之散焦而變化的在聲學轉換器處偵測到之電壓。V(z)曲線揭露關於樣本表面及底層結構之重要資訊。如C.F.Quate等人在上文所引用之參考案35中所描述，聲學顯微鏡通常以作為信號之微小散焦予以操作。
適合於聲學疊對量測之典型疊對目標可由兩個鄰近光柵組 成：如圖4A之光柵301A(內埋式光柵)及圖4A之光柵302A(頂部光柵)。光柵302A具有介於1微米與10微米節距之間的尺寸，其具有例如50%之作用區間循環。光柵301A具有例如介於1微米與10微米節距之間的尺寸。假定在此等光柵之間，存在1微米W的金屬層。不透明層之另一實例係由幾微米非晶碳而形成。
聲學顯微鏡具有遞送具有在GHz範圍內之頻率之聲波的聲學源，舉例而言，該源具有對應於0.7微米之波長的1GHz之頻率，且其具有為0.5之數值孔徑。在此等條件下，吾人可假定在需要由聲學顯微鏡成像的基板表面上存在約1微米之解析度。針對W之GHz體系之衰減為大約2dB/cm。針對Ti之GHz體系之衰減為10dB/cm，且針對金之GHz體系之衰減為100dB/cm。在假定值為50dB/cm的情況下，金屬膜之往返衰減仍為5x10-4dB/微米。因此，在GHz範圍內，衰減並非顯著問題，且因此底部光柵可具有如上文計算出的在5微米至10微米之範圍內之節距。衰減在較高頻率下變為較大問題，此係因為其與頻率之平方成反比，但針對GHz體系，可預期低於2之冪律。運用圖4A之度量衡配置所獲得之影像展示於圖4B中，其中301B為底部光柵301A之影像且302B為頂部光柵302A之影像。
混合式度量衡解決方案包含諸如圖4A之301之聲學顯微鏡，及諸如圖4A之302之光學顯微鏡，該等工具分離距離310，其係基於例如顯微鏡之大小、待使用之目標、基板支撐台之速度之知識予以校準。在圖4A之實例中，疊對為如自光柵301A及302A之影像所量測的在邊緣301AA與302AA之間量測的相對距離。
在一實施例中，藉由聲學顯微鏡量測圖4A之光柵301A及 302A兩者。量測意謂獲得每一光柵之影像，獲得邊緣301AA及302AA，且藉由該兩個邊緣301AA與302AA之間的差判定疊對。聲學顯微鏡量測頂部光柵302A及底部光柵301A。
在一實施例中，作為用於聲學顯微鏡之「透鏡」進行操作的相同配置經修改以允許光學配置，諸如光學接物鏡，如在圖5中所看到。同一透鏡可用以聚焦光輻射402及聲輻射401。藉由在聲透鏡上製造光束分裂器，可將該相同透鏡用作光及聲透鏡。材料可為藍寶石玻璃，此係因為其在光學波長下透明且亦用於聲透鏡。藉由比較運用光學構件所獲得之影像與運用聲學構件所獲得之影像從而獲得疊對資訊。全文係以引用方式併入本文中之歐洲專利申請案18153587.3中描述了如圖5中所展示之裝置之操作。
以上實施例中所描述之聲學顯微鏡可藉由對其修改以允許相位偵測或允許聲學場較好耦合至目標材料中而得以進一步改良。在一實施例中，壓電轉換器掃描發射脈衝式聲學場之目標。收集經透射及反射之回波，其允許以相干方式重新建構樣本之影像。在此實施例中，可將振幅及相位兩者應用至信號處理。在另一實施例中，可運用包含超穎材料之層來修改掃描聲學顯微鏡，此允許聲學場之等於或小於聲學顯微鏡之操作波長的空間變化之改良之耦合。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本 發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置的部分。此等裝置通常可被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
301‧‧‧聲學顯微鏡
301A‧‧‧底部光柵
301AA‧‧‧邊緣
301B‧‧‧影像
302‧‧‧光學顯微鏡
302A‧‧‧頂部光柵
302AA‧‧‧邊緣
302B‧‧‧影像
310‧‧‧距離

Claims (3)

  1. 一種度量衡裝置，其包含：一聲學源(acoustic source)，其用於產生聲波；一光學源，其用於產生光波，其中該度量衡裝置使用該等聲波獲得一第一目標之一第一影像及使用該等光波獲得一第二目標之一第二影像，判定該第一影像及該第二影像之一特性，及將該圖案化製程之一參數判定為該第一影像之該特性與該第二影像之該特性之間的一差。
  2. 一種用於參數判定的方法，該方法包含使用聲波來量測一圖案化製程之一參數，其中使用聲波獲得一第一目標之一第一影像，使用光波獲得一第二目標之一第二影像，判定該第一影像及該第二影像之一特性，且將該圖案化製程之該參數判定為該第一影像之該特性與該第二影像之該特性之間的一差。
  3. 如請求項2之方法，其中該特性為該影像之邊緣。
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