TWI683431B

TWI683431B - 發光元件基板及其修復方法

Info

Publication number: TWI683431B
Application number: TW107142077A
Authority: TW
Inventors: 羅國隆; 吳宗典; 劉品妙
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2018-11-26
Filing date: 2018-11-26
Publication date: 2020-01-21
Also published as: US20200168585A1; CN110289280B; US11171124B2; CN110289280A; TW202021110A

Abstract

一種發光元件基板及其修復方法。發光元件基板包括基板、第一導線、第二導線、訊號線、絕緣層、第一~第三發光元件以及第一次導線。第一及第二導線以及訊號線位於基板上。絕緣層位於第一及第二導線上。第一~第三發光元件位於基板上。第一發光元件對應第一導線設置。第二發光元件對應第二導線設置。第一~第三發光元件對應訊號線設置。第一次導線位於絕緣層上。第一次導線重疊於第一及第二導線。第三發光元件對應第一次導線設置。

Description

發光元件基板及其修復方法

本發明是有關於一種發光元件基板，且特別是有關於一種次導線重疊於導線的發光元件基板及其修復方法。

發光二極體(Light Emitting Diode；LED)為一種發光元件，其具低功耗、高亮度、高解析度及高色彩飽和度等特性，因而適用於構建發光二極體顯示面板之畫素結構。

將發光二極體搬運到具有畫素電路之驅動基板上的技術稱為巨量轉移(Mass Transfer)。現有技術在轉移發光二極體時，容易產生發光二極體轉置錯誤的問題，導致顯示裝置中部分的畫素不能正常運作，嚴重地影響顯示裝置的顯示品質。此外，若發光二極體本身具有缺陷而無法正常運作，即使體轉置成功，顯示裝置的顯示品質也會被影響。為了改善前述問題，往往會於畫素中預留空間以放置額外的發光二極體。一般而言，畫素中每顆發光二極體會搭配一個額外的預留空間，使畫素即使在小部分發光二極體故障的情況下仍能運作。然而，用來放置額外的發光二極體的預留空間會使得畫素的尺寸難以縮小，限制了顯示裝置的解析度。

本發明提供一種發光元件基板，可以改善修復用的預留空間對解析度造成的影響。

本發明提供一種發光元件基板的修復方法，可以改善修復用的預留空間對解析度造成的影響。

本發明的至少一實施例提供一種發光元件基板，包括基板、第一導線、第二導線、訊號線、絕緣層、第一發光元件、第二發光元件、第三發光元件以及第一次導線。第一導線、第二導線以及訊號線位於基板上。絕緣層位於第一導線以及第二導線上。第一發光元件、第二發光元件以及第三發光元件位於基板上。第一發光元件對應第一導線設置。第二發光元件對應第二導線設置。第一發光元件、第二發光元件以及第三發光元件對應訊號線設置。第一次導線位於絕緣層上。第一次導線於垂直基板的方向上重疊於第一導線以及第二導線。第三發光元件對應第一次導線設置。

本發明的至少一實施例提供一種發光元件基板，包括基板、第一導線、第二導線、訊號線、絕緣層、第三發光元件以及第一次導線。基板具有第一發光元件放置區、第二發光元件放置區以及第三發光元件放置區。第一導線、第二導線以及訊號線，位於基板上。絕緣層位於第一導線以及第二導線上。第三發光元件位於第三發光元件放置區上。第一發光元件放置區對應第一導線設置。第二發光元件放置區對應第二導線設置。第一發光元件放置區、第二發光元件放置區以及第三發光元件對應該訊號線設置。第一次導線位於絕緣層上。第一次導線於垂直基板的方向上重疊於第一導線以及第二導線。第三發光元件對應第一次導線設置。

本發明的至少一實施例提供一種發光元件基板的修復方法，包括提供發光元件基板以及電性連接第一次導線與第一導線。發光元件基板包括基板、第一導線、第二導線、訊號線、絕緣層、第三發光元件以及第一次導線。基板具有第一發光元件放置區、第二發光元件放置區以及第三發光元件放置區。第一導線、第二導線以及訊號線位於基板上。絕緣層位於第一導線以及第二導線上。第三發光元件位於第三發光元件放置區上。第一發光元件放置區對應第一導線設置。第二發光元件放置區對應第二導線設置。第一發光元件放置區、第二發光元件放置區以及第三發光元件對應訊號線設置。第一次導線位於絕緣層上。第一次導線於垂直基板的方向上重疊於第一導線以及第二導線。第三發光元件對應第一次導線設置。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10、10a~10j‧‧‧發光元件基板

100‧‧‧基板

102A~102D‧‧‧發光元件放置區

112A~112C‧‧‧導線

120‧‧‧訊號線

130‧‧‧黏著層

130a、I‧‧‧絕緣層

142A~142E、242、342‧‧‧發光元件

152A、152B‧‧‧次導線

154A~154C、156A、164D、164E、166B、166C‧‧‧連接結構

156B‧‧‧轉接結構

162A~162F、344A、344B‧‧‧導電結構

244A、244B‧‧‧銲料

C、H1~H3、O1~O3‧‧‧開口

CH1、CH2‧‧‧接觸窗

D1、D2、x、y‧‧‧方向

DL1~DL3‧‧‧資料線

E1、E2‧‧‧電極

EL‧‧‧發光層

L‧‧‧割痕

M‧‧‧插入式模組

P‧‧‧畫素

SB‧‧‧基板

SL‧‧‧掃描線

SM1、SM2‧‧‧半導體層

T1~T3‧‧‧開關元件

TR‧‧‧穿透區

圖1A~圖1D是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的製造方法的上視示意圖。

圖1E~圖1F是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的修復方法的上視示意圖。

圖2A是圖1F線AA’的剖面示意圖。

圖2B是圖1F線BB’的剖面示意圖。

圖3是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的剖面示意圖。

圖4是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的剖面示意圖。

圖5是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的剖面示意圖。

圖6A~圖6B是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的修復方法的上視示意圖。

圖7是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的上視示意圖。

圖8是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的局部電路示意圖。

圖9是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的局部電路示意圖。

圖10是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的上視示意圖。

圖11是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的局部電路示意圖。

圖1A~圖1D是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的製造方法的上視示意圖。圖1E~圖1F是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的修復方法的上視示意圖。圖2A是圖1F線AA’的剖面示意圖。圖2B是圖1F線BB’的剖面示意圖。

請參考圖1A，形成第一導線112A、第二導線112B、第三導線112C以及訊號線120於基板100上。在一些實施例中，第一導線112A、第二導線112B、第三導線112C分別對應三個不同的子畫素驅動電路，且第一導線112A、第二導線112B、第三導線112C電性連接至開關元件、晶片及/或其他驅動電路，但本發明不以此為限。

基板100具有第一發光元件放置區102A、第二發光元件放置區102B、第三發光元件放置區102C以及第四發光元件放置區102D。第一發光元件放置區102A對應第一導線112A的位置，第二發光元件放置區102B對應第二導線112B的位置，第三發光元件放置區102C對應第三導線112C的位置，且第一發光元件放置區102A、第二發光元件放置區102B、第三發光元件放置區102C 以及第四發光元件放置區102D皆對應訊號線120的位置。

請參考圖1B，形成黏著層130於第一導線112A、第二導線112B、第三導線112C以及訊號線120上。

請參考圖1C，將第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C轉置於基板100的第一發光元件放置區102A、第二發光元件放置區102B以及第三發光元件放置區102C上。第一發光元件142A對應第一導線112A設置，第二發光元件142B對應第二導線112B設置，第三發光元件142C對應第三導線112C設置，且第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C對應訊號線120設置。

在本實施例中，第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C分別包括紅色發光二極體、綠色發光二極體以及藍色發光二極體，但本發明不以此為限。轉置於基板100上的發光元件還可以包括其他顏色的發光二極體。

於黏著層130中形成開口H1~H3，以分別暴露出黏著層130下方的第一導線112A、第二導線112B以及第三導線112C。於黏著層130中形成開口O1、O2，以暴露出黏著層130下方的訊號線120。選擇性的於黏著層130中形成開口C，開口C對應第四發光元件放置區102D的位置。固化黏著層130，以形成絕緣層130a。絕緣層130a位於第一導線112A、第二導線112B、第三導線112C以及訊號線120上。

在本實施例中，是先於黏著層130中形成開口後再固化黏著層130，但本發明不以此為限。在其他實施例中，先固化黏著層130後再於固化後的黏著層130(絕緣層130a)中形成開口。

在本實施例中，第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C分別包括第一半導體層SM1、第二半導體層SM2、第一電極E1、第二電極E2、絕緣層I以及發光層EL(繪於圖2A)。第一半導體層SM1、發光層EL與第二半導體層SM2互相堆疊。發光層EL位於第一半導體層SM1與第二半導體層SM2之間。第一電極E1與第二電極E2分別電性連接至第一半導體層SM1與第二半導體層SM2。絕緣層I覆蓋第一半導體層SM1的部分表面以及第二半導體層SM2的部分表面。第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C例如包括不同的半導體材料或發光層材料，藉此可以發出不同顏色的光線。

請參考圖1D，於絕緣層130a上形成第一次導線152A、第一連接結構154A、第二連接結構154B、第三連接結構154C、第四連接結構156A以及轉接結構156B。第一次導線152A、第一連接結構154A、第二連接結構154B、第三連接結構154C、第四連接結構156A以及轉接結構156B位於絕緣層130a上。

第一次導線152A於垂直基板100的方向上重疊於第一導線112A、第二導線112B以及第三導線112C。第四發光元件放置區102D對應第一次導線152A以及轉接結構156B的位置。在本實施例中，第一導線112A的至少一部分、第二導線112B以及第三導線112C的至少一部分沿著第一方向D1延伸，且第一次導線 152A的至少一部分沿著第二方向D2延伸。第一方向D1交錯於第二方向D2。在本實施例中，第一次導線152A所在的結構層不同於第一導線112A、第二導線112B以及第三導線112C所在的結構層，藉此能提升空間利用率。

第一連接結構154A電性連接第一發光元件142A至第一導線112A。第二連接結構154B電性連接第二發光元件142B至第二導線112B。第三連接結構154C電性連接第三發光元件142C至第三導線112C。在本實施例中，第一連接結構154A、第二連接結構154B以及第三連接結構154C分別填入絕緣層130a的開口H1~H3。

第四連接結構156A電性連接第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C至訊號線120。轉接結構156B電性連接訊號線120。在本實施例中，第四連接結構156A以及轉接結構156B分別填入絕緣層130a的開口O1、O2。

至此，發光元件基板10大致完成。在圖1A~圖1D的說明中，第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C未轉置失敗，且第一連接結構154A、第二連接結構154B、第三連接結構154C以及第四連接結構156A有正確的形成於預定的位置。然而實際上，在製作發光元件基板10的過程中，第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C有可能沒有順利的轉置於第一發光元件放置區102A、第二發光元件放置區102B以及第三發光元件放置區102C上。第一連接結構154A、第二連接結構154B、第三連接結構154C以及第四連接結構156A可能沒有正確的形成於預定的位置。此外，第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C可能本身就有故障，例如短路。以上情況都會導致發光元件基板10中的第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C沒辦法正常運作。因此，需要對發光元件基板10進行檢測，以確認第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C是否能正常運作。

請參考圖1E，對發光元件基板10進行檢測，檢測發現發光元件基板10的第一發光元件142A斷路。因此，於發光元件基板10中補充一個第四發光元件142D。在本實施例中，第一發光元件142A與第四發光元件142D為顏色相同的發光二極體。第四發光元件142D對應訊號線120設置。第四發光元件142D對應第一次導線152A設置。在本實施例中，先於絕緣層130a(繪於圖2B)的開口C中形成黏著層，接著將第四發光元件142D置於黏著層上，再固化黏著層以形成絕緣層132a。在其他實施例中，絕緣層130a不具有開口C，且絕緣層132a位於絕緣層130a上。在一些實施例中，形成黏著層的方法包括噴墨列印(ink-jet printing，IJP)、黃光製程或其他合適的方法。

在本實施例中，第四發光元件142D包括第一半導體層SM1、發光層EL、第二半導體層SM2、第一電極E1、第二電極E2以及絕緣層I(繪於圖2B)。第一半導體層SM1、發光層EL與第二半導體層SM2互相堆疊。發光層EL位於第一半導體層SM1與第二半導體層SM2之間。第一電極E1與第二電極E2分別電性連接至第一半導體層SM1與第二半導體層SM2。絕緣層I覆蓋第一半導體層SM1的部分表面以及第二半導體層SM2的部分表面。

於第一導線112A與第一次導線152A之間的絕緣層130a中形成第一接觸窗CH1，以暴露出絕緣層130a下方的第一導線112A。在本實施例中，第一接觸窗CH1貫穿第一次導線152A以及絕緣層130a。在一些實施例中，形成第一接觸窗CH1的方法包括雷射、微影蝕刻或其他合適的製程。

請參考圖1F、圖2A以及圖2B，形成第一導電結構162A於第一接觸窗CH1中，以電性連接第一導線112A與第一次導線152A。

形成第五連接結構164D以及第六連接結構166B於第四發光元件142D上。第五連接結構164D電性連接第一次導線152A與第四發光元件142D。第六連接結構166B電性連接轉接結構156B與第四發光元件142D，以使訊號線120電性連接第四發光元件142D。

在本實施例中，第一導線112A的訊號可以傳遞至第四發光元件142D，因此，第四發光元件142D被用來取代斷路的第一發光元件142A。在修復後的發光元件基板10a中，第二發光元件142B、第三發光元件142C以及第四發光元件142D可以發光，第一發光元件142A不能發光。

在本實施例中，於第一導線112A上形成第一導電結構162A的同時，會分別於第二導線112B以及第三導線112C上形成第二導電結構162B以及第三導電結構162C。由於絕緣層130a以及第一次導線152A不具有對應第二導線112B以及第三導線112C的接觸窗，因此，第二導電結構162B以及第三導電結構162C不會接觸第二導線112B以及第三導線112C。

在其他實施例中，第二發光元件142B斷路，且第一接觸窗CH1位於第二導線112B上，第二導電結構162B填入第一接觸窗CH1，並使第一次導線152A電性連接至第二導線112B。藉此，可以用與第二發光元件142B具有相同顏色的第四發光元件142D取代斷路的第二發光元件142B。

在其他實施例中，第三發光元件142C斷路，且第一接觸窗CH1位於第三導線112C上，第三導電結構162C填入第一接觸窗CH1，並使第一次導線152A電性連接至第三導線112C。藉此，可以用與第三發光元件142C具有相同顏色的第四發光元件142D可以取代斷路的第三發光元件142C。

基於上述，在對發光元件基板進行檢測後，針對故障的發光元件進行修復，可減少修復發光元件基板所需的預留空間，使單一畫素的尺寸能夠縮小，提升發光元件基板的解析度。此外，由於修復發光元件基板所需的發光元件較少，能降低發光元件基板的製造成本。在一些實施例中，發光元件基板用於透明顯示器，由於修補用的電路較少，因此可以提升透明顯示器的穿透率。

圖3是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖2B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖3之發光元件基板10b與圖2B之發光元件基板10a的主要差異在於：發光元件基板10b的第一導線112A上並未形成第一導電結構162A。

在本實施例中，以雷射熔接第一導線112A與第一次導線152A，使第一導線112A與第一次導線152A透過絕緣層130a中的第一接觸窗CH1電性連接。

圖4是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖2A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖4之發光元件基板10c與圖2B之發光元件基板10a的主要差異在於：發光元件基板10a中的發光元件(包括第一發光元件142A、第二發光元件142B、第三發光元件142C以及第四發光元件142D)是以正裝的方式設置，發光元件基板10c中的發光元件242則是以覆晶的方式設置。

在本實施例中，發光元件242包括第一半導體層SM1、第二半導體層SM2、發光層EL、第一電極E1、第二電極E2以及絕緣層I。第一半導體層SM1、發光層EL與第二半導體層SM2互相堆疊。發光層EL位於第一半導體層SM1與第二半導體層SM2之間。第一電極E1與第二電極E2分別電性連接至第一半導體層SM1與第二半導體層SM2。絕緣層I覆蓋第一半導體層SM1的部分表面以及第二半導體層SM2的部分表面。

發光元件242的第一電極E1透過銲料244A而電性連接至導線112，第二電極E2透過銲料244B而電性連接至訊號線120。

本實施例中，設置發光元件242的方式亦可用於前述實施例中的第一發光元件142A、第二發光元件142B、第三發光元件142C以及第四發光元件142D。

圖5是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖2A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖5之發光元件基板10d與圖2B之發光元件基板10a的主要差異在於：發光元件基板10a中的發光元件(包括第一發光元件142A、第二發光元件142B、第三發光元件142C以及第四發光元件142D)是水平式發光二極體，發光元件基板10d中的發光元件342則是垂直式發光二極體。

在本實施例中，發光元件342包括第一半導體層SM1、第二半導體層SM2、發光層EL、第一電極E1、第二電極E2以及絕緣層I。第一半導體層SM1、發光層EL與第二半導體層SM2互相堆疊。發光層EL位於第一半導體層SM1與第二半導體層SM2之間。第一電極E1與第二電極E2分別電性連接至第一半導體層SM1與第二半導體層SM2。絕緣層I覆蓋第一半導體層SM1的部分表面以及第二半導體層SM2的部分表面。

發光元件342的第一電極E1透過導電結構344A而電性連接至導線112，第二電極E2透過導電結構344B而電性連接至訊號線120。

本實施例中所用之發光元件342也適用於前述實施例中的第一發光元件142A、第二發光元件142B、第三發光元件142C以及第四發光元件142D。

圖6A~圖6B是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的修復方法的上視示意圖。在此必須說明的是，圖6A~圖6B的實施例沿用圖1E~圖1F的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖6A，對發光元件基板10進行檢測，以確認第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C是否能正常運作。在本實施例中，檢測後發現第一發光元件142A短路。執行切割製程，使第一發光元件142A斷路。在本實施例中，沿著割痕L切斷第一導線112A，以使第一導線112A斷路，使第一導線112A的訊號不會流經第一發光元件142A。在其他實施例中，割痕L將第四連接結構156A與第一發光元件142A分離，以使第四連接結構156A的訊號不會流經第一發光元件142A。

於發光元件基板10中補充一個第四發光元件142D。在本實施例中，第一發光元件142A與第四發光元件142D為顏色相同的發光二極體。

請參考圖6B，形成第五連接結構164D以及第六連接結構166B於第四發光元件142D上。第五連接結構164D電性連接第一次導線152A與第四發光元件142D。第六連接結構166B電性連接轉接結構156B與第四發光元件142D，以使訊號線120電性連接第四發光元件142D。

在本實施例中，第一導線112A的訊號可以傳遞至第四發光元件142D，因此，第四發光元件142D被用來取代短路的第一發光元件142A。在修復後的發光元件基板10e中，第二發光元件142B、第三發光元件142C以及第四發光元件142D可以發光，第一發光元件142A不能發光。

圖7是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的上視示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖1F的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖7，在發光元件基板10f中，第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C位於基板SB上。本實施例是將包含第一發光元件142A、第二發光元件142B、第三發光元件142C以及基板SB的插入式模組M轉置於基板100上。

在本實施例中，在形成第一次導線152A之後才將插入式模組M轉置於基板100上，但本發明不以此為限。也可以先將插入式模組M轉置於基板100上，接著才形成第一次導線152A。

在本實施例中，插入式模組M的第二發光元件142B與第三發光元件142C分別電性連接至第二導線112B以及第三導線 112C，且第二發光元件142B與第三發光元件142C電性連接至訊號線120。第一發光元件142A發生故障(例如斷路或短路)而沒辦法正常運作，因此藉由第四發光元件142D取代第一發光元件142A。

圖8是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的局部電路示意圖。在此必須說明的是，圖8的實施例沿用圖1F的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖8，發光元件基板10g包括畫素P。畫素P中包括第一發光元件142A、第二發光元件142B、第三發光元件142C、第四發光元件142D、第一開關元件T1、第二開關元件T2以及第三開關元件T3。

在本實施例中，第一發光元件142A故障(例如斷路)，第四發光元件142D、第二發光元件142B以及第三發光元件142C分別透過第一導線112A、第二導線112B以及第三導線112C電性連接至第一開關元件T1的汲極、第二開關元件T2的汲極以及第三開關元件T3的汲極。第四發光元件142D、第二發光元件142B以及第三發光元件142C電性連接至訊號線120。

第一開關元件T1的源極、第二開關元件T2的源極以及第三開關元件T3的源極分別電性連接至第一資料線DL1、第二資料線DL2以及第三資料線DL3。第一開關元件T1的閘極、第二開關元件T2的閘極以及第三開關元件T3的閘極電性連接至掃描線SL。

在本實施例中，發光元件基板10g應用於穿透式顯示器，將電極走線集中排列可擴大集中畫素P中穿透區TR的面積以降低金屬邊緣造成的散射現象，提高穿透影像顯示品質。在本實施例中，可將第四發光元件142D放在不同於電路走線(例如第一資料線DL1、第二資料線DL2以及第三資料線DL3)的層別上，以進一步提高顯示器的穿透率。

圖9是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的局部電路示意圖。在此必須說明的是，圖9的實施例沿用圖8的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖9，發光元件基板10h的第一發光元件142A、第二發光元件142B、第三發光元件142C以及第四發光元件142D是以錯位的方式排列。

第一發光元件142A、第二發光元件142B與第三發光元件142C中的兩者在方向x上重疊，前述兩者與第一發光元件142A、第二發光元件142B與第三發光元件142C中的剩下另一者在方向y上重疊。第四發光元件142D與第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C中之至少一者於方向x或方向y上重疊。

基於上述，發光元件基板10h具有較佳的混色的功效。

圖10是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的上視示意圖。在此必須說明的是，圖10的實施例沿用圖1F的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖10，發光元件基板10i更包括第五發光元件142E、第二次導線152B、轉接結構156C、第四導電結構162D、第五導電結構162E、第六導電結構162F、第七連接結構164E以及第八連接結構166C。

第五發光元件142E位於基板100上。第二次導線152B位於絕緣層130a上。第二次導線152B於垂直基板的方向上重疊於第一導線112A、第二導線112B以及第三導線112C。第五發光元件142E對應第二次導線152B設置。

第四導電結構162D、第五導電結構162E以及第六導電結構162F位於第二次導線152B上。第四導電結構162D、第五導電結構162E以及第六導電結構162F分別於垂直基板的方向上重疊於第一導線112A、第二導線112B以及第三導線112C。

在本實施例中，第一發光元件142A與第二發光元件142B故障(例如斷路)。第一導線112A與第一次導線152A之間的絕緣層130a具有第一接觸窗CH1。第一導電結構162A位於第一接觸窗CH1中，以電性連接第一導線112A與第一次導線152A。第二導線112B與第二次導線152B之間的絕緣層130a具有第二接觸窗CH2。第五導電結構162E位於第二接觸窗CH2中，以電性連接第二導線112B與第二次導線152B。

第七連接結構164E以及第八連接結構166C位於第五發光元件142E上。第七連接結構164E電性連接第二次導線152B與第五發光元件142E。第八連接結構166C電性連接轉接結構156C與第五發光元件142E，且轉接結構156C透過絕緣層130a的開口O3而電性連接至訊號線120。第一次導線152A以及第二次導線152B分別電性連接第四發光元件142D以及第五發光元件142E，且訊號線120電性連接第四發光元件142D以及第五發光元件142E。

在本實施例中，第四發光元件142D與第五發光元件142E分別在第一發光元件142A、第二發光元件142B以及第三發光元件142C的對向兩側。第一發光元件142A與第四發光元件142D為相同顏色的發光二極體，第一發光元件142A較第二發光元件142B以及第三發光元件142C更接近第四發光元件142D，第二發光元件142B與第五發光元件142E為相同顏色的發光二極體，且第二發光元件142B較第一發光元件142A更接近第五發光元件142E。

圖11是依照本發明的一實施例的一種發光元件基板的局部電路示意圖。在此必須說明的是，圖11的實施例沿用圖10的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖11，發光元件基板10j包括畫素P。畫素P中包括第一發光元件142A、第二發光元件142B、第三發光元件 142C、第四發光元件142D、第五發光元件142E、第一開關元件T1、第二開關元件T2以及第三開關元件T3。

在本實施例中，第一發光元件142A與第二發光元件142B故障(例如斷路)，第四發光元件142D、第五發光元件142E以及第三發光元件142C分別透過第一導線112A、第二導線112B以及第三導線112C電性連接至第一開關元件T1的汲極、第二開關元件T2的汲極以及第三開關元件T3的汲極。第四發光元件142D、第五發光元件142E以及第三發光元件142C電性連接至訊號線120。

在本實施例中，發光元件基板10j應用於穿透式顯示器，將電極走線集中排列可擴大集中畫素P中穿透區TR的面積以降低金屬邊緣造成的散射現象，提高穿透影像顯示品質。在本實施例中，可將第四發光元件142D以及第五發光元件142E放在不同於電路走線(例如第一資料線DL1、第二資料線DL2以及第三資料線DL3)的層別上，以進一步提高顯示器的穿透率。

綜上所述，本發明在對發光元件基板進行檢測後，針對故障的發光元件進行修復，可減少修復發光元件基板所需的預留空間，使單一畫素的尺寸能夠縮小，提升發光元件基板的解析度。此外，由於修復發光元件基板所需的發光元件較少，能降低發光元件基板的製造成本。在一些實施例中，發光元件基板用於透明顯示器，由於修補用的電路較少，因此可以提升透明顯示器的穿透率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10a‧‧‧發光元件基板

112A~112C‧‧‧導線

120‧‧‧訊號線

130a‧‧‧絕緣層

142A~142D‧‧‧發光元件

152A‧‧‧次導線

154A~154C、156A、164D、166B‧‧‧連接結構

156B‧‧‧轉接結構

162A~162C‧‧‧導電結構

H1~H3、O1、O2‧‧‧開口

CH1‧‧‧接觸窗

Claims

一種發光元件基板，包括：一基板；一第一導線、一第二導線以及一訊號線，位於該基板上；一絕緣層，位於該第一導線以及該第二導線上；一第一發光元件、一第二發光元件以及一第三發光元件，位於該基板上，其中該第一發光元件對應該第一導線設置，該第二發光元件對應該第二導線設置，且該第一發光元件、該第二發光元件以及該第三發光元件對應該訊號線設置；以及一第一次導線，位於該絕緣層上，且於垂直該基板的方向上重疊於該第一導線以及該第二導線，其中該第三發光元件對應該第一次導線設置。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件基板，其中該第一導線的至少一部分以及該第二導線的至少一部分沿著一第一方向延伸，且該第一次導線的至少一部分沿著一第二方向延伸，該第一方向交錯於該第二方向。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件基板，更包括一第四發光元件位於該基板上；以及一第二次導線，位於該絕緣層上，且於垂直該基板的方向上重疊於該第一導線以及該第二導線，其中該第四發光元件對應該第二次導線設置。
如申請專利範圍第3項所述的發光元件基板，其中該第三發光元件與該第四發光元件分別在該第一發光元件以及該第二發光元件的對向兩側。
如申請專利範圍第4項所述的發光元件基板，其中該第一發光元件與該第三發光元件為相同顏色的發光二極體，該第一發光元件較該第二發光元件更接近該第三發光元件，該第二發光元件與該第四發光元件為相同顏色的發光二極體，且該第二發光元件較該第一發光元件更接近該第四發光元件。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件基板，其中該第一發光元件與該第三發光元件為相同顏色的發光二極體，且該第一發光元件較該第二發光元件更接近該第三發光元件。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件基板，其中該第一導線與該第一次導線之間的該絕緣層具有一第一接觸窗，且該第一導線與該第一次導線電性連接。
如申請專利範圍第7項所述的發光元件基板，其中該第二導線以及該第一次導線分別電性連接該第二發光元件以及該第三發光元件，且該訊號線電性連接該第二發光元件以及該第三發光元件。
如申請專利範圍第3項所述的發光元件基板，其中該第二導線與該第二次導線之間的該絕緣層具有一第二接觸窗，且該第二導線與該第二次導線電性連接。
如申請專利範圍第9項所述的發光元件基板，其中該第一次導線以及該第二次導線分別電性連接該第三發光元件以及該第四發光元件，且該訊號線電性連接該第三發光元件以及該第四發光元件。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件基板，其中該絕緣層為固化的黏著層。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件基板，其中該第一發光元件斷路，該訊號線與該第二發光元件以及該第三發光元件電性連接，且該第二導線以及該第一次導線分別電性連接該第二發光元件以及該第三發光元件。
一種發光元件基板，包括：一基板，具有一第一發光元件放置區、一第二發光元件放置區以及一第三發光元件放置區；一第一導線、一第二導線以及一訊號線，位於該基板上；一絕緣層，位於該第一導線以及該第二導線上；一第三發光元件，位於該第三發光元件放置區上，其中該第一發光元件放置區對應該第一導線設置，且該第二發光元件放置區對應該第二導線設置，且該第一發光元件放置區、該第二發光元件放置區以及該第三發光元件對應該訊號線設置；以及一第一次導線，位於該絕緣層上，且於垂直該基板的方向上重疊於該第一導線以及該第二導線，其中該第三發光元件對應該第一次導線設置。
一種發光元件基板的修復方法，包括：提供一發光元件基板，該發光元件基板包括：一基板，具有一第一發光元件放置區、一第二發光元件放置區以及一第三發光元件放置區；一第一導線、一第二導線以及一訊號線，位於該基板上；一絕緣層，位於該第一導線以及該第二導線上；一第三發光元件，位於該第三發光元件放置區上，其中該第一發光元件放置區對應該第一導線設置，且該第二發光元件放置區對應該第二導線設置，且該第一發光元件放置區、該第二發光元件放置區以及該第三發光元件對應該訊號線設置；以及一第一次導線，位於該絕緣層上，且於垂直該基板的方向上重疊於該第一導線以及該第二導線，其中該第三發光元件對應該第一次導線設置；以及電性連接該第一次導線與該第一導線。
如申請專利範圍第14項所述的修復方法，其中該發光元件基板更包括：一第一發光元件以及一第二發光元件，分別位於該第一發光元件放置區以及該第二發光元件放置區上，其中該第一發光元件短路，且所述的修復方法更包括：一切割製程，使該第一導線斷路。
如申請專利範圍第14項所述的修復方法，其中電性連接該第一次導線與該第一導線的方法包括：以雷射熔接該第一導線與該第一次導線，使該第一導線與該第一次導線透過該絕緣層中的一第一接觸窗電性連接。
如申請專利範圍第14項所述的修復方法，其中電性連接該第一次導線與該第一導線的方法包括：於該第一導線與該第一次導線之間的該絕緣層中形成一第一接觸窗；以及形成一導電結構於該第一接觸窗中，以電性連接該第一導線與該第一次導線。