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TWI681557B - 積體變壓器及積體電感之交叉結構 - Google Patents

積體變壓器及積體電感之交叉結構 Download PDF

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TWI681557B
TWI681557B TW108114443A TW108114443A TWI681557B TW I681557 B TWI681557 B TW I681557B TW 108114443 A TW108114443 A TW 108114443A TW 108114443 A TW108114443 A TW 108114443A TW I681557 B TWI681557 B TW I681557B
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line
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顏孝璁
蔡弘鈺
陳家源
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瑞昱半導體股份有限公司
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Abstract

本發明揭露了積體變壓器或積體電感的交叉結構，可以應用於各種積體變壓器或積體電感，使積體變壓器或積體電感的設計更具彈性，以滿足各種積體變壓器或積體電感對耦合係數及/或品質因數的需求。本發明之交叉結構包含製作於半導體結構的第一金屬層的複數個線段，以及製作於半導體結構的第二金屬層的複數個線段，第一金屬層不等於第二金屬層。

Description

積體變壓器及積體電感之交叉結構
本發明是關於積體變壓器及積體電感，尤其是關於積體變壓器及積體電感的交叉結構。
變壓器為射頻積體電路中用來實現單端至差動訊號轉換、訊號耦合、阻抗匹配等功能的重要元件，隨著積體電路往系統單晶片（System on Chip，SoC）發展，積體變壓器（integrated transformer）及/或積體電感（integrated inductor）已逐漸取代傳統的分離式元件，而被廣泛地使用在射頻積體電路中。然而，積體電路中的變壓器及電感，往往會佔用大量的晶片面積，因此，如何縮小積體電路中的變壓器及電感的面積，並同時維持元件的特性（例如耦合係數（coupling coefficient，K）或品質因數（quality factor，Q）），成為一個重要的課題。
特別是，交叉（crossing）結構對積體變壓器及積體電感的繞線或佈局以及對於品質因數及對稱性扮演關鍵的角色。
鑑於先前技術之不足，本發明之一目的在於提供一種積體變壓器及積體電感的交叉結構。
本發明揭露一種應用於積體變壓器之交叉結構，包含第一線段、第二線段、第三線段、第四線段、第五線段、第六線段及第七線段。第一、第二、第三、第四及第五線段製作於半導體結構之第一金屬層，而第六及第七線段製作於半導體結構之第二金屬層。第六線段透過複數個貫穿結構連接第一線段及第五線段，使得第一線段、第五線段及第七線段形成第一導線。第七線段透過複數個貫穿結構連接第二線段及第四線段，使得第二線段、第七線段及第四線段形成第二導線。第一金屬層不等於第二金屬層。積體變壓器包含第一電感及第二電感，第一導線及第三線段為第一電感的一部分，第二導線為第二電感的一部分。第一導線跨越第二導線及第三線段，且第二導線跨越第三線段。
本發明另揭露一種應用於積體變壓器或積體電感之交叉結構，包含：第一線段、第二線段、第三線段、第四線段、第五線段、第六線段、第七線段及第八線段。第一、第二、第三、第四、第五及第六線段製作於半導體結構之第一金屬層，而第七及第八線段製作於半導體結構之第二金屬層。第七線段透過複數個貫穿結構連接第三線段及第五線段，使得第三線段、第五線段及第七線段形成第一導線。第八線段透過複數個貫穿結構連接第四線段及第六線段，使得第四線段、第六線段及第八線段形成第二導線。第一金屬層不等於第二金屬層。第一導線跨越第一線段及第二線段，且第二導線跨越第一線段及第二線段。
本發明另揭露一種應用於積體變壓器或積體電感之交叉結構，包含：第一線段、第二線段、第三線段、第四線段、第五線段、第六線段、第七線段、第八線段、第九線段，及第十線段。第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七線段製作於半導體結構之第一金屬層，而第八、第九及第十線段製作於半導體結構之第二金屬層。第八線段透過複數個貫穿結構連接第一線段及第七線段，使得第一線段、第七線段及第八線段形成第一導線。第九線段透過複數個貫穿結構連接第二線段及第五線段，使得第二線段、第五線段及第九線段形成第二導線。第十線段透過複數個貫穿結構連接第三線段及第六線段，使得第三線段、第六線段及第十線段形成第三導線。第一金屬層不等於第二金屬層。第一導線跨越第四線段、第二導線及第三導線，第二導線跨越第四線段，且第三導線跨越第四線段。
本發明提供多種交叉結構，可以應用於多種積體變壓器或積體電感，使積體變壓器或積體電感的設計更具彈性，以滿足各種積體變壓器或積體電感對耦合係數及/或品質因數的需求。
有關本發明的特徵、實作與功效，茲配合圖式作實施例詳細說明如下。
以下說明內容之技術用語係參照本技術領域之習慣用語，如本說明書對部分用語有加以說明或定義，該部分用語之解釋係以本說明書之說明或定義為準。
圖1A及1B為本發明積體變壓器的一實施例的結構圖。圖1A的複數個線段或走線實作於半導體結構的第一金屬層，圖1B的複數個線段或走線實作於半導體結構的第二金屬層，第二金屬層不等於第一金屬層。舉例來說，第一金屬層是半導體結構中的重佈線層（Re-Distribution Layer, RDL），而第二金屬層可以是半導體結構中的超厚金屬（Ultra Thick Metal, UTM）層。
圖1（包含圖1A及1B）的積體變壓器包含第一電感及第二電感。端點（end point）11-a以及端點11-p是第一電感的輸出/入端，也形成積體變壓器的其中一個埠（port）；端點22-a以及端點22-l是第二電感的輸出/入端，也形成積體變壓器的另一個埠。
請同時參閱圖1A及圖1B。端點11-b及端點11-c相連接；更明確地說，相連接的端點透過貫穿結構（例如導孔（via）結構或是導孔陣列（via array））相連接。類似地，端點11-d及端點11-e相連接；端點11-f及端點11-g相連接；端點11-h及端點11-i相連接；端點11-j及端點11-k相連接；端點11-l及端點11-m相連接；端點11-n及端點11-o相連接。端點12-a及端點12-b相連接；端點12-c及端點12-d相連接；端點12-e及端點12-f相連接；端點12-g及端點12-h相連接；端點12-i及端點12-j相連接；端點12-k及端點12-l相連接；端點12-m及端點12-n相連接。端點22-b及端點22-c相連接；端點22-d及端點22-e相連接；端點22-f及端點22-g相連接；端點22-h及端點22-i相連接；端點22-j及端點22-k相連接。端點21-a及端點21-b相連接；端點21-c及端點21-d相連接；端點21-e及端點21-f相連接；端點21-g及端點21-h相連接；端點21-i及端點21-j相連接。
關於圖1之積體變壓器的更多細節可以參考本案發明人揭露於台灣專利申請案第108114413 號的相似結構，本技術領域具有通常知識者可以從該申請案得知本案的積體變壓器的其他特徵。
圖2A~2C為本案之交叉結構之一實施例的結構圖。交叉結構200對應圖1A的框選區域50及1B的框選區域60。更明確地說，貫穿結構201連接端點11-b及端點11-c；貫穿結構202連接端點21-e及端點21-f；貫穿結構203連接端點21-c及端點21-d；以及貫穿結構204連接端點11-d及端點11-e。圖2B顯示交叉結構200的其中一金屬層，圖2C顯示交叉結構200的另一金屬層。
如圖2A~2C所示，交叉結構200包含線段210、線段220、線段230、線段240、線段250、線段260及線段270。線段210、線段220、線段230、線段240及線段250實作於第一金屬層，而線段260及線段270實作於第二金屬層。線段220包含子線段220-1及子線段220-2。線段230包含子線段230-1、子線段230-2及子線段230-3。線段260包含子線段260-1、子線段260-2及子線段260-3。線段270包含子線段270-1及子線段270-2。線段260透過貫穿結構201及貫穿結構204連接線段210及線段250，如此一來線段210、線段260及線段250形成第一導線。類似地，線段270透過貫穿結構202及貫穿結構203連接線段220及線段240，如此一來線段220、線段270及線段240形成第二導線。
線段260跨越線段220及線段230，換言之，第一導線跨越第二導線及線段230。線段270跨越線段230，換言之，第二導線跨越線段230。請同時參閱圖1及圖2，線段230及第一導線為第一電感的一部分，而第二導線為第二電感的一部分。
線段210、子線段220-1、子線段230-1、子線段230-3、線段240、線段250、子線段260-1、子線段260-3及子線段270-2實質上為平行。子線段220-2、子線段230-2、子線段260-2及子線段270-1實質上為平行。
請參閱圖2B。子線段220-1與子線段220-2之間的夾角
Figure 02_image001
實質上為90度。子線段230-1與子線段230-2之間的夾角
Figure 02_image003
實質上為90度。子線段230-2與子線段230-3之間的夾角
Figure 02_image005
實質上為90度。
請參閱圖2C。子線段260-1與子線段260-2之間的夾角
Figure 02_image007
實質上為90度。子線段260-2與子線段260-3之間的夾角
Figure 02_image009
實質上為90度。子線段270-1與子線段270-2之間的夾角
Figure 02_image011
實質上為90度。
圖3A~3C為本案之交叉結構之另一實施例的結構圖。交叉結構300對應圖1A的框選區域50及1B的框選區域60。更明確地說，貫穿結構301連接端點11-b及端點11-c；貫穿結構302連接端點21-e及端點21-f；貫穿結構303連接端點21-c及端點21-d；以及貫穿結構304連接端點11-d及端點11-e。圖3B顯示交叉結構300的其中一金屬層，圖3C顯示交叉結構300的另一金屬層。
如圖3A~3C所示，交叉結構300包含線段310、線段320、線段330、線段340、線段350、線段360及線段370。線段310、線段320、線段330、線段340及線段350實作於第一金屬層，而線段360及線段370實作於第二金屬層。線段320包含子線段320-1、子線段320-2及子線段320-3。線段330包含子線段330-1、子線段330-2、子線段330-3及子線段330-4。線段360包含子線段360-1、子線段360-2、子線段360-3及子線段360-4。線段370包含子線段370-1、子線段370-2及子線段370-3。線段360透過貫穿結構301及貫穿結構304連接線段310及線段350，如此一來線段310、線段360及線段350形成第一導線。類似地，線段370透過貫穿結構302及貫穿結構303連接線段320及線段340，如此一來線段320、線段370及線段340形成第二導線。
線段360跨越線段320及線段330，換言之，第一導線跨越第二導線及線段330。線段370跨越線段330，換言之，第二導線跨越線段330。請同時參閱圖1及圖3，線段330及第一導線為第一電感的一部分，而第二導線為第二電感的一部分。
線段310、子線段320-1、子線段320-3、子線段330-1、子線段330-4、線段340、線段350、子線段360-1、子線段360-4、子線段370-1及子線段370-3實質上為平行。子線段320-2及子線段330-3實質上為平行。子線段360-2及子線段370-2實質上為平行。
請參閱圖3A。子線段320-2與子線段360-2之間的夾角
Figure 02_image013
實質上為90度。子線段330-3與子線段370-2之間的夾角
Figure 02_image015
實質上為90度。
請參閱圖3B。子線段320-1與子線段320-2之間的夾角
Figure 02_image017
實質上為135度。子線段320-2與子線段320-3之間的夾角
Figure 02_image019
實質上為135度。子線段330-2與子線段330-3之間的夾角
Figure 02_image021
實質上為135度。子線段330-3與子線段330-4之間的夾角
Figure 02_image023
實質上為135度。
請參閱圖3C。子線段360-1與子線段360-2之間的夾角
Figure 02_image025
實質上為135度。子線段360-2與子線段360-3之間的夾角
Figure 02_image027
實質上為135度。子線段370-2與子線段370-3之間的夾角
Figure 02_image029
實質上為135度。類似地，子線段370-1與子線段370-2之間的夾角實質上為135度。
圖4A~4C為本案之交叉結構之一實施例的結構圖。圖4A顯示完整的交叉結構400。圖4B顯示交叉結構400的其中一金屬層，圖4C顯示交叉結構400的另一金屬層。
如圖4A~4C所示，交叉結構400包含線段410、線段420、線段430、線段440、線段450、線段460、線段470及線段480。線段410、線段420、線段430、線段440、線段450及線段460實作於第一金屬層，而線段470及線段480實作於第二金屬層。線段410包含子線段410-1、子線段410-2及子線段410-3。線段420包含子線段420-1、子線段420-2及子線段420-3。線段470包含子線段470-1及子線段470-2。線段480包含子線段480-1及子線段480-2。線段470透過貫穿結構401及貫穿結構402連接線段430及線段450，如此一來線段430、線段470及線段450形成第一導線。類似地，線段480透過貫穿結構403及貫穿結構404連接線段440及線段460，如此一來線段440、線段480及線段460形成第二導線。
線段470跨越線段410及線段420，換言之，第一導線跨越線段410及線段420。線段480跨越線段410及線段420，換言之，第二導線跨越線段410及線段420。子線段410-1、子線段410-3、子線段420-1、子線段420-3、線段430、線段440、線段450、線段460、子線段470-2及子線段480-2實質上為平行。子線段410-2、子線段420-2、子線段470-1及子線段480-1實質上為平行。
在一些實施例中，交叉結構400可以應用於積體變壓器或積體電感，圖4A顯示積體變壓器或積體電感的第一圈、第二圈、第三圈及第四圈（從上到下）。更明確地說，子線段410-1、線段450及子線段470-2為第一圈的一部分；子線段420-1、線段460及子線段480-2為第二圈的一部分；線段430及子線段410-3為第三圈的一部分；線段440及子線段420-3為第四圈的一部分。線段470及子線段410-2用來連接第一圈及第三圈。線段480及子線段420-2用來連接第二圈及第四圈。
請參閱圖4B。子線段410-1與子線段410-2之間的夾角
Figure 02_image031
實質上為90度。子線段410-2與子線段410-3之間的夾角
Figure 02_image033
實質上為90度。子線段420-1與子線段420-2之間的夾角
Figure 02_image035
實質上為90度。子線段420-2與子線段420-3之間的夾角
Figure 02_image037
實質上為90度。
請參閱圖4C。子線段480-1與子線段480-2之間的夾角
Figure 02_image039
實質上為90度。類似地，子線段470-1與子線段470-2之間的夾角實質上為90度。
圖5A~5C為本案之交叉結構之一實施例的結構圖。圖5A顯示完整的交叉結構500。圖5B顯示交叉結構500的其中一金屬層，圖5C顯示交叉結構500的另一金屬層。
如圖5A~5C所示，交叉結構500包含線段510、線段520、線段530、線段540、線段550、線段560、線段570、線段580、線段585、線段590及線段595。線段510、線段520、線段530、線段540、線段550、線段550及線段570實作於第一金屬層，而線段580、線段585、線段590、及線段595實作於第二金屬層。線段540包含子線段540-1、子線段540-2及子線段540-3。線段580包含子線段580-1、子線段580-2及子線段580-3。線段580透過貫穿結構501及貫穿結構502連接線段510及線段570，如此一來線段510、線段580及線段570形成第一導線。類似地，線段585透過貫穿結構503及貫穿結構504連接線段520及線段550，如此一來線段520、線段585及線段550形成第二導線。類似地，線段590透過貫穿結構505及貫穿結構506連接線段530及線段560，如此一來線段530、線段590及線段560形成第三導線。線段595與線段550透過貫穿結構507相連接。
線段580跨越線段540、線段550及線段560，換言之，第一導線跨越線段540、第二導線及第三導線。線段585跨越線段540，換言之，第二導線跨越線段540。線段590跨越線段540，換言之，第三導線跨越線段540。線段510、線段520、線段530、子線段540-1、子線段540-3、線段550、線段560、線段570、子線段580-1、子線段580-3、線段585、線段590及線段595實質上為平行。子線段540-2及子線段580-2實質上為平行。
在一些實施例中，交叉結構500可以應用於積體變壓器或積體電感，圖5A顯示積體變壓器或積體電感的第一圈、第二圈、第三圈及第四圈（從上到下）。更明確地說，線段510、子線段540-3及子線段580-1為第一圈的一部分；線段520、線段550、線段585及線段595為第二圈的一部分；線段530、線段560及線段590為第三圈的一部分；子線段540-1、線段570及子線段580-3為第四圈的一部分。線段580及子線段540-2用來連接第一圈及第四圈。
請參閱圖5B及5C。子線段540-1與子線段540-2之間的夾角
Figure 02_image041
實質上為90度。子線段540-2與子線段540-3之間的夾角
Figure 02_image043
實質上為90度。子線段580-1與子線段580-2之間的夾角
Figure 02_image045
實質上為90度。子線段580-2與子線段580-3之間的夾角
Figure 02_image047
實質上為90度。
請注意，前揭圖示中，元件之形狀、尺寸以及比例等僅為示意，係供本技術領域具有通常知識者瞭解本發明之用，非用以限制本發明。雖然本發明之實施例如上所述，然而該些實施例並非用來限定本發明，本技術領域具有通常知識者可依據本發明之明示或隱含之內容對本發明之技術特徵施以變化，凡此種種變化均可能屬於本發明所尋求之專利保護範疇，換言之，本發明之專利保護範圍須視本說明書之申請專利範圍所界定者為準。
11-a、11-p、22-a、22-l、11-b、11-c、11-d、11-e、11-f、11-g、11-h、11-i、11-j、11-k、11-l、11-m、11-n、11-o、12-a、12-b、12-c、12-d、12-e、12-f、12-g、12-h、12-i、12-j、12-k、12-l、12-m、12-n、22-b、22-c、22-d、22-e、22-f、22-g、22-h、22-i、22-j、22-k、21-a、21-b、21-c、21-d、21-e、21-f、21-g、21-h、21-i、21-j‧‧‧端點 200、300、400、500‧‧‧交叉結構 50、60‧‧‧框選區域 201、202、203、204、301、302、303、304、401、402、403、404、501、502、503、504、505、506、507‧‧‧貫穿結構 210、220、230、240、250、260、270、310、320、330、340、350、360、370、410、420、430、440、450、460、470、480、510、520、530、540、550、560、570、580、585、590、595‧‧‧線段 220-1、220-2、230-1、230-2、230-3、260-1、260-2、260-3、270-1、270-2、320-1、320-2、320-3、330-1、330-2、330-3、330-4、360-1、360-2、360-3、360-4、370-1、370-2、370-3、410-1、410-2、410-3、420-1、420-2、420-3、470-1、470-2、480-1、480-2、540-1、540-2、540-3、580-1、580-2、580-3‧‧‧子線段
［圖1A］~［圖1B］為本發明積體變壓器的一實施例的結構圖； ［圖2A］~［圖2C］為本發明交叉結構之一實施例的結構圖； ［圖3A］~［圖3C］為本發明交叉結構之另一實施例的結構圖； ［圖4A］~［圖4C］為本發明交叉結構之另一實施例的結構圖；以及 ［圖5A］~［圖5C］為本發明交叉結構之另一實施例的結構圖。
200‧‧‧交叉結構
201、202、203、204‧‧‧貫穿結構
210、220、230、240、250、260、270‧‧‧線段
220-1、220-2、230-1、230-2、230-3、260-1、260-2、260-3、270-1、270-2‧‧‧子線段

Claims (10)

  1. 一種交叉結構，應用於一積體變壓器，包含： 一第一線段、一第二線段、一第三線段、一第四線段，及一第五線段，其中該第一、該第二、該第三、該第四及該第五線段製作於一半導體結構之一第一金屬層；以及 一第六線段及一第七線段，其中該第六及第七線段製作於該半導體結構之一第二金屬層； 其中該第六線段透過複數個貫穿結構連接該第一線段及該第五線段，該第一線段、該第五線段及該第七線段形成一第一導線； 其中該第七線段透過複數個貫穿結構連接該第二線段及該第四線段，該第二線段、該第七線段及該第四線段形成一第二導線； 其中該第一金屬層不等於該第二金屬層，該積體變壓器包含一第一電感及一第二電感，該第一導線及該第三線段為該第一電感的一部分，該第二導線為該第二電感的一部分，該第一導線跨越該第二導線及該第三線段，且該第二導線跨越該第三線段。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之交叉結構，其中該第六線段包含一第一子線段及一第二子線段，且該第一子線段與該第二子線段之夾角實質上為90度。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之交叉結構，其中該第三線段包含一第三子線段及一第四子線段，且該第一子線段實質上平行該第三子線段，以及該第二子線段實質上平行該第四子線段。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之交叉結構，其中該第六線段包含一第一子線段及一第二子線段，且該第一子線段與該第二子線段之夾角實質上為135度。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之交叉結構，其中該第二線段包含一第三子線段，該第三線段包含一第四子線段，以及該第七線段包含一第五子線段，且該第一子線段實質上垂直該第三子線段，以及該第四子線段實質上垂直該第五子線段。
  6. 一種交叉結構，應用於一積體變壓器或一積體電感，包含： 一第一線段、一第二線段、一第三線段、一第四線段、一第五線段，及一第六線段，其中該第一、該第二、該第三、該第四、該第五及該第六線段製作於一半導體結構之一第一金屬層；以及 一第七線段及一第八線段，其中該第七及該第八線段製作於該半導體結構之一第二金屬層； 其中該第七線段透過複數個貫穿結構連接該第三線段及該第五線段，該第三線段、該第五線段及該第七線段形成一第一導線； 其中該第八線段透過複數個貫穿結構連接該第四線段及該第六線段，該第四線段、該第六線段及該第八線段形成一第二導線； 其中該第一金屬層不等於該第二金屬層，該第一導線跨越該第一線段及該第二線段，且該第二導線跨越該第一線段及該第二線段。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之交叉結構，其中該積體變壓器或該積體電感依序包含一第一圈、一第二圈、一第三圈及一第四圈，該第七線段用來連接該第一圈及該第三圈，且該第八線段用來連接該第二圈及該第四圈。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之交叉結構，其中該第七線段包含一第一子線段及一第二子線段，且該第一子線段與該第二子線段之夾角實質上為90度。
  9. 一種交叉結構，應用於一積體變壓器或一積體電感，包含： 一第一線段、一第二線段、一第三線段、一第四線段、一第五線段、一第六線段，及一第七線段，其中該第一、該第二、該第三、該第四、該第五、該第六及該第七線段製作於一半導體結構之一第一金屬層；以及 一第八線段、一第九線段，及一第十線段，其中該第八、該第九及該第十線段製作於該半導體結構之一第二金屬層； 其中該第八線段透過複數個貫穿結構連接該第一線段及該第七線段，該第一線段、該第七線段及該第八線段形成一第一導線； 其中該第九線段透過複數個貫穿結構連接該第二線段及該第五線段，該第二線段、該第五線段及該第九線段形成一第二導線； 其中該第十線段透過複數個貫穿結構連接該第三線段及該第六線段，該第三線段、該第六線段及該第十線段形成一第三導線； 其中該第一金屬層不等於該第二金屬層，該第一導線跨越該第四線段、該第二導線及該第三導線，該第二導線跨越該第四線段，且該第三導線跨越該第四線段。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之交叉結構，其中該積體變壓器或該積體電感依序包含一第一圈、一第二圈、一第三圈及一第四圈，該第八線段用來連接該第一圈及該第四圈。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113224025A (zh) * 2020-01-21 2021-08-06 瑞昱半导体股份有限公司 半导体组件

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI715415B (zh) * 2020-01-14 2021-01-01 瑞昱半導體股份有限公司 半導體元件
TWI789104B (zh) * 2021-11-08 2023-01-01 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1210729C (zh) * 2002-10-30 2005-07-13 威盛电子股份有限公司 多层对称式电感
US20060170527A1 (en) * 2005-02-02 2006-08-03 Henning Braunisch Integrated transformer structure and method of fabrication
US8471357B2 (en) * 2007-12-07 2013-06-25 Realtek Semiconductor Corp. Integrated inductor structure
TW201614799A (en) * 2014-10-06 2016-04-16 Realtek Semiconductor Corp Structure of integrated inductor
TW201714278A (zh) * 2015-10-06 2017-04-16 瑞昱半導體股份有限公司 積體電感結構及積體變壓器結構
TW201806205A (zh) * 2016-08-05 2018-02-16 瑞昱半導體股份有限公司 半導體元件

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6472285B1 (en) * 1999-04-30 2002-10-29 Winbond Electronics Corporation Method for fabricating high-Q inductance device in monolithic technology
TWI226647B (en) * 2003-06-11 2005-01-11 Via Tech Inc Inductor formed between two layout layers
US7262680B2 (en) * 2004-02-27 2007-08-28 Illinois Institute Of Technology Compact inductor with stacked via magnetic cores for integrated circuits
CN104517941B (zh) * 2013-09-29 2018-12-28 澜起科技股份有限公司 线圈及制备应用于电感元件的线圈的方法
TWI553679B (zh) 2014-06-13 2016-10-11 瑞昱半導體股份有限公司 具有兩平面式電感的電子裝置
US9799722B1 (en) * 2016-10-05 2017-10-24 Cyntec Co., Ltd. Inductive component and package structure thereof
TWI643216B (zh) * 2017-11-10 2018-12-01 瑞昱半導體股份有限公司 積體電感
TWI645426B (zh) 2018-03-07 2018-12-21 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置
TWI659437B (zh) 2018-06-22 2019-05-11 瑞昱半導體股份有限公司 變壓器裝置
TWI681415B (zh) 2019-01-31 2020-01-01 瑞昱半導體股份有限公司 積體變壓器
US11018215B2 (en) * 2019-03-14 2021-05-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package and manufacturing method thereof
US12424541B2 (en) * 2019-06-06 2025-09-23 Texas Instruments Incorporated Multi-layer inductor
TWI697920B (zh) * 2019-12-31 2020-07-01 瑞昱半導體股份有限公司 積體電感

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1210729C (zh) * 2002-10-30 2005-07-13 威盛电子股份有限公司 多层对称式电感
US20060170527A1 (en) * 2005-02-02 2006-08-03 Henning Braunisch Integrated transformer structure and method of fabrication
US8471357B2 (en) * 2007-12-07 2013-06-25 Realtek Semiconductor Corp. Integrated inductor structure
TW201614799A (en) * 2014-10-06 2016-04-16 Realtek Semiconductor Corp Structure of integrated inductor
TW201714278A (zh) * 2015-10-06 2017-04-16 瑞昱半導體股份有限公司 積體電感結構及積體變壓器結構
TW201806205A (zh) * 2016-08-05 2018-02-16 瑞昱半導體股份有限公司 半導體元件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113224025A (zh) * 2020-01-21 2021-08-06 瑞昱半导体股份有限公司 半导体组件
CN113224025B (zh) * 2020-01-21 2025-03-11 瑞昱半导体股份有限公司 半导体组件

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