TWI680530B - 半導體晶片拾取設備 - Google Patents

Abstract

一種設備包括噴嘴主體、噴出銷與多個磁鐵。噴嘴主體具有沿著縱向方向延伸的中空部，噴嘴主體被配置成使用傳送至中空部的真空力來真空吸附半導體晶片。噴出銷可移動地插入中空部，當中空部內的真空力被釋放，噴出銷被配置成向下推動半導體晶片，使半導體晶片從噴嘴主體脫離。多個磁鐵設置在中空部內，當中空部內的真空力被釋放，磁鐵被配置成施加磁力至噴出銷，使噴出銷由中空部內部向下移動至中空部外部。如上所述，設備使用耐久度和抗污性強的磁鐵使噴出銷向下運動，因此能夠防止噴射銷的故障，執行使半導體晶片穩定下降的操作。

Description

半導體晶片拾取設備

本發明的示例性實施例涉及半導體晶片拾取設備。更具體地說，本發明涉及一種半導體晶片拾取設備，藉由切割過程將半導體晶片個體化，並藉由切割程序和分類程序對半導體晶片進行等級分類以便傳輸半導體晶片。

通常，可藉由對半導體晶片重複執行一系列半導體程序來形成半導體裝置。可藉由切割程序、晶粒黏著程序和模鑄程序形成半導體裝置，進而將半導體裝置製造成由多個半導體晶片組成的半導體帶。

藉由鋸切以及分選程序將半導體帶分成多個個體化的半導體晶片，並分選為良品以及不良品。將半導體帶裝載到吸盤台，使用切割刀片執行切割和分選程序將半導體帶分割成多個半導體晶片，並且利用拾取裝置選擇性地拾取個體化的半導體晶片並將其清潔和乾燥。此後，可以將個體化的半導體晶片裝載在轉移台上並使用視覺模組來檢查，並且根據檢查結果將半導體晶片分類為良品與不良品的，並且將半導體晶片分別轉移到良品不良品的托盤。

晶片轉移單元將半導體晶片由轉移台轉移到良品或不良品的托盤。晶片轉移單元包括用於真空吸附半導體晶片的多個晶片拾取器。晶片拾取器用於拾取半導體晶片和真空吸附半導體晶片的裝置。

通常，半導體晶片的表面並非是平滑的，因為其表面上形成有電路圖案和焊球。因此，封裝拾取器的吸附表面與半導體晶片之間的真空可能會洩漏，並且可 能會讓封裝拾取器的抽吸壓力降低，使得半導體晶片無法被穩定地真空吸附到封裝拾取器。

為了防止這種情況，封裝拾取器可以設置有彈性墊，該彈性墊使得用來吸附半導體晶片的吸附表面與半導體晶片之間的附著度提高。彈性墊利用諸如海綿或橡膠的彈性材料製成，並可容易地附著到半導體晶片的表面。

然而，即使釋放真空力而使得晶片拾取器將半導體晶片拾取至良品或不良品的托盤，彈性墊的附著性也會將半導體晶片保持在吸附狀態，而無法從封裝拾取器的吸附表面掉落。這可能會導致半導體晶片損壞或無法堆疊在托盤的適當位置上等問題。

本發明的示例性實施例提供一種穩定拾取半導體晶片的設備，能夠藉由真空吸附改善與已被個體化的半導體晶片之間的附著度，將半導體晶片穩定地承載到托盤上。

根據本發明的一個方面，提供一種半導體晶片拾取設備。該設備包括噴嘴主體、噴出銷與多個磁鐵。噴嘴主體具有沿著縱向方向延伸的中空部，噴嘴主體被配置成使用傳送至中空部的真空力來真空吸附半導體晶片。噴出銷可移動地插入中空部，當中空部內的真空力被釋放，噴出銷被配置成向下推動半導體晶片，使半導體晶片從噴嘴主體脫離。多個磁鐵設置在中空部內，當中空部內的真空力被釋放，磁鐵被配置成施加磁力至噴出銷，使噴出銷由中空部內部向下移動至中空部外部。如上所述，設備使用耐久性和抗污性強的磁鐵使噴出銷向下運動，因此能防止噴射銷的故障，執行使半導體晶片穩定下降的操作。

在示例性實施例中，設備進一步包括設置在中空部內的止動件，當噴出銷藉由磁鐵產生的磁力而下降時，止動件被配置成限制噴出銷的最低位置。此時，在垂直方向上，止動件覆蓋磁鐵。

在示例性實施例中，磁鐵沿著中空部的內壁環狀設置。

在示例性實施例中，磁鐵包括至少一個第一磁鐵與至少一個第二磁鐵，第一磁鐵覆蓋噴出銷並且固定在中空部的內壁，第二磁鐵設置在第一磁鐵之下並且固定在噴出銷的上表面，第二磁鐵與彼此相對的第一磁鐵具有相同的一極性，在第一磁鐵與第二磁鐵之間產生了互斥力。此時，其中多個第一磁鐵沿著中空部的內壁環狀設置。

在示例性實施例中，噴出銷包括設置在中空部內的頭部以及活塞。活塞在噴嘴主體的縱向方向上從頭部延伸，當真空力被釋放，活塞被配置成與半導體晶片接觸並向下推動半導體晶片。此時，頭部包括多個穿孔用來提供從中空部傳送真空力至半導體晶片的路徑。

在示例性實施例中，噴嘴主體包括真空孔，真空孔形成在噴嘴主體的吸附表面上並與中空部連通，半導體晶片被真空吸附於吸附表面。當中空部內的真空力被釋放，噴出銷通過真空孔部分突出於噴嘴主體而向下推動半導體晶片。

在示例性實施例中，設備進一步包括設置於噴嘴主體的吸附表面之下的吸盤，吸盤包括與真空孔連通的吸引孔，並且吸盤以彈性物質製成以提高對半導體晶片的附著度。

在示例性實施例中，設備進一步包括視覺反射板，視覺反射板設置於噴嘴主體的吸附表面下方並且耦合於噴嘴主體，視覺反射板包括氣流孔，氣流孔與真空孔連通並且被配置成反射朝向視覺反射板的下表面照射的光。

因此，如上所述，根據本發明示例性實施例，設備包括噴出銷與磁鐵，噴出銷能夠藉由使用物理力將半導體晶片下推使半導體晶片脫離噴嘴主體，磁鐵提供向下推動噴出銷的磁力以促進噴出銷的向下運動。特別地，由於相比於使用彈 力推動物品的彈簧，磁鐵的耐久性和抗污染性更強，所以能夠防止噴出銷的錯誤操作，能夠穩定地進行使半導體晶片下降的放置操作。

此外，止動件設置於設備中，以限制噴出銷的向下移動，藉此避免噴出銷對過度加壓半導體晶片而導致的半導體晶片損壞。

10‧‧‧半導體晶片

101‧‧‧設備

110‧‧‧噴嘴主體

112‧‧‧中空部

114‧‧‧下表面

116‧‧‧真空孔

120‧‧‧噴出銷

122‧‧‧頭部

124‧‧‧活塞

126‧‧‧穿孔

130‧‧‧磁鐵

140‧‧‧止動件

150‧‧‧視覺反射板

152‧‧‧氣流孔

160‧‧‧吸盤

162‧‧‧吸引孔

170‧‧‧磁鐵

172‧‧‧第一磁鐵

174‧‧‧第二磁鐵

200‧‧‧晶片傳輸系統

210‧‧‧傳輸台

220‧‧‧托盤

222‧‧‧晶片容器

230‧‧‧晶片傳輸器

232‧‧‧螺帽

240‧‧‧下視覺相機

藉由參照附圖詳細描述本發明示例性實施例，本發明的上述和其他特徵和優點將變得更加明顯。

圖1是具有半導體晶片拾取設備的晶片傳輸系統的示意圖；圖2是根據本發明的示例實施例的半導體晶片拾取設備的縱向剖面圖；圖3是圖2的磁鐵的配置狀態的剖面圖；圖4是圖2的半導體晶片拾取設備的操作狀態的縱向剖面圖；圖5是根據本發明的示例性實施例的半導體晶片拾取設備的縱向剖面圖；以及圖6是圖5的拾取半導體晶片拾取設備的操作狀態的縱向剖面圖。

在下文中，將參照附圖詳細描述特定實施例。然而，本發明可用不同的形式實施，並且不應被解釋為限制在本文所闡述的實施例內，而是提供這些實施例讓本發明徹底完整，並且對於本領域技術人員充分地傳達本發明的範圍。相同的附圖標號表示相同的元件。為了清楚說明，在附圖中會將層和區域的尺寸放大。

應該理解的是，當元件或層被稱為“在......上”、“連接到”或“耦合到”另一元件或層時，表示它直接位在另一元件或層上、連接或耦合到另一元件或層，或是可以存在插入元件或層。相反地，當元件被稱為“直接在......上”、“直接連接到”或“直接耦合到”另一元件或層時，即表示不存在有插入元件或層。 相似的數字始終代表相同的元素。如本文所使用的，術語“和/或”包括一個以上的相關所列項目的任何和所有組合。

諸如第一、第二等等的術語可以用於描述各種元件，但是上述元件不應被上述術語所限制。以上這些術語僅用於將一個元件與另一元件做區分。例如，在不脫離本發明第一部件到第二部件的範圍，可用類似方式命名，也可命名為第二部件到第一部件。

為了便於描述，在此使用空間相對術語，諸如“下方”、“在...之下”、“下部的”、“在......之上”、“上部的”等等，用來描述一個元件或特徵與另一個元件或特徵的關係如圖中所示)。將理解的是，空間相對術語意圖包括除了附圖中描繪的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，將附圖中的設備翻轉，則被描述為在其他元件或特徵“之下”或“下方”的元件將被定向為在其他元件或特徵“之上”。因此，示例性術語“在...下面”可以涵蓋上方和下方兩種方位。裝置可利用其他方式定向(旋轉90度或在其他方向)並且相應地解釋在此使用的空間相對描述符號。

本文使用的術語僅用於描述特定示例性實施例的目的，而不是限制本發明的構思。除非上下文另有明確指出，如本文所使用的單數形式“a”、“an”和“the”也意味包括複數形式。可進一步理解，在本說明書中使用的術語“包括”和/或“包含”，是指出所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不是排除其存在或添加一個以上的其它特徵、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。

本文參照作為本發明的理想實施例(和中間結構)的示意圖的剖面圖來描述本發明的實施例。因此，預期會產生例如像是製造技術和/或公差所導致的圖示形狀變化。因此，本發明的實施例不應該被解釋為僅限制於本文所示出的區域特定形狀，而是包括例如因為製造引起的形狀偏差。舉例來說，示出為矩形的注入區域，其邊緣通常具有圓形或彎曲的特徵和/或注入濃度梯度，而非從注入區域 到非注入區域之間的二元變化。類似地，由於注入所形成的掩埋區會導致在掩埋區和發生注入的表面之間的區域中的一些注入。因此，附圖中示出的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不旨在示出裝置區域的實際形狀，並且不旨在限制本發明的範圍。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)的含意與本發明構思所屬領域的一般技術人員通常理解的含意相同。可進一步理解，諸如常用詞典中定義的術語應被解釋為具有與相關領域背景一致的含意，並且不會以理想化或過度正式的方式解釋，除非有明確的定義。

圖1是具有半導體晶片拾取設備的晶片傳輸系統的示意圖。

參照圖1，根據示例性實施例，為了傳輸半導體晶片而利用晶片傳輸系統將多個半導體晶片分選為良品和不良品。晶片傳輸系統200包括傳輸台210、拖盤220、晶片傳輸器230以及低視覺相機240。傳輸台210用來傳輸半導體晶片10，托盤220用來承載和傳輸分選為良品與不良品的半導體晶片10至外部，晶片傳輸器230用來拾取堆疊在傳輸台上的半導體晶片10並將半導體晶片傳輸到托盤220，低視覺相機240用來檢查正被晶片傳輸器拾取的半導體晶片。

特別來說，傳輸台210可支撐半導體晶片10。傳輸台210在水平方向上可移動，以將半導體晶片10從清潔/乾燥模組(未示出)傳輸至托盤220。此時，切割模組(未示出)使半導體晶片10個體化，清潔/乾燥模組對半導體晶片10進行清洗與乾燥。之後，半導體晶片10裝載到傳輸台210上。

雖然圖上未示出，晶片傳輸系統200另外包括高視覺相機(未示出)用來檢查傳輸台210上支撐的半導體晶片10。上視覺相機設於傳輸台210上方，並且藉由對半導體晶片10成像而生成圖片用來檢查半導體晶片10。

托盤220設於傳輸台210的一側。托盤200可水平移動。托盤200具有用來容納半導體晶片10的晶片容器222。此時，托盤220可承載被判定為良品的半導體晶片。托盤220儲存被判定為良品的半導體晶片，並將這些半導體晶片送至外部。

晶片傳輸器230被設置成可在垂直方向上與水平方向上活動。晶片傳輸器從傳輸台210上拾取被上視覺相機判定為良品的半導體晶片10，並且將該半導體晶片10傳輸至托盤220。雖然圖上未示出，晶片傳輸器230從傳輸台210上拾取被上視覺相機判定為不良品的半導體晶片10，並且將不良品傳輸至一容器(未示出)。

晶片傳輸器230包括使用真空吸力來半導體晶片拾取設備101。根據本發明的實施例，用來半導體晶片拾取設備101從傳輸台210上真空吸附半導體晶片10。另外，設備101會卸載被拾取到托盤220的半導體晶片10。稍後將參照圖2對用來半導體晶片拾取設備101進行詳細描述。

低視覺相機240設置於晶片傳輸器230下方。低視覺相機240設於傳輸台210的行駛途徑與托盤220的行駛途徑之間。當設備101拾取半導體晶片10來檢查被設備101拾取的半導體晶片10的對準狀態時，低視覺相機240對半導體晶片10進行成像。晶片傳輸器230根據透過低視覺相機240識別出的半導體晶片10的對準狀態來調整半導體晶片10的位置，並且將半導體晶片10放置在托盤220上。

在下文中，將詳細描述半導體晶片拾取設備101的結構和操作。

圖2是根據本發明的示例實施例的半導體晶片拾取設備的縱向剖面圖。圖3是圖2的磁鐵的配置狀態的剖面圖。圖4是圖2的半導體晶片拾取設備的操作狀態的縱向剖面圖。

參照圖2至4，根據本發明實施例的半導體晶片拾取設備101是作為拾取器而使用真空吸附來拾取個體化的半導體晶片10。

設備101包括噴嘴主體110、噴出銷120和多個磁鐵130。

噴嘴主體110包括中空部112。為了利用真空力來固定半導體晶片10，中空部112沿縱向方向延伸來提供路徑以傳遞用於真空吸附的真空力。

磁鐵130定位於中空部112內。當釋放真空力時，磁鐵130向噴出銷120提供驅動力，噴出銷120藉由作為驅動力的磁力而向下下降。

特別來說，噴嘴主體101為圖2和3所示的圓柱狀，而中空部112形成於噴嘴主體101之中。噴嘴主體101使用中空部112內提供的真空力來真空吸附與固定設置於傳輸台210(見圖1)的半導體晶片10。設備101讓半導體晶片10維持被真空吸附的狀態，同時晶片傳輸器230朝著托盤220移動。為了將半導體晶片10承載至托盤220，將被設備101拾取的半導體晶片10放置在托盤220上，接著將透過中空部112提供的真空力釋放。

螺帽232使噴嘴主體110與晶片傳輸器230耦合。特別來說，螺帽232耦合於噴嘴主體110的中空部112進而連接於噴嘴主體110的上部。

噴嘴主體100包括真空孔116，真空孔116形成於噴嘴主體110的下表面114並且與中空部112連通。因此，用來真空吸附半導體晶片10的真空力透過真空孔116傳送到噴嘴主體110的下表面。

噴出銷120可移動地插入噴嘴主體110的中空部112。當施加到中空部112的真空力被釋放，噴出銷120朝向噴嘴主體110的下表面114下降，而將半導體晶片10從下表面114朝向托盤220推動。

特別來說，噴出銷120包括頭部122與活塞124，活塞124從頭部122的中間部沿著噴嘴主體110的縱向方向延伸。當釋放施加在半導體晶片10的真空力時，活塞124被配置為與藉由噴嘴主體110真空吸附的半導體晶片10接觸，並且活塞124向下推動半導體晶片10。

頭部122的直徑小於中空部112的直徑。頭部122包括多個穿孔126，因此供應至中空部112的真空力透過穿孔126施加到半導體晶片10。穿透頭部122而形成穿孔126。

活塞124從頭部122的下表面的中間部延伸，並且為棒狀。

當真空力供應至中空部112時，噴出銷120藉由真空力向上移動，且不露出於設備101的外部，如圖2所示。同時，頭部122的上表面與螺帽232的下表面接觸。 也就是說，螺帽232當成止動件而限制噴出銷120的向上移動，因此噴出銷120不會再向上上升。

另一方面，當釋放中空部112內的真空力，噴出銷120向下移動，如圖4所示。特別地，活塞124的下端部穿過噴嘴主體110的真空孔116往設備101的外部突出，而與半導體晶片10接觸。當活塞124的下端部接觸到半導體晶片10的同時進一步向下移動。因此，吸附到噴嘴主體110的半導體晶片10能夠藉由噴射銷120施加到半導體晶片10的物理力而由噴嘴主體110分離。藉此，設備101更容易地將半導體晶片10向下放置到托盤220。

磁鐵130提供噴出銷120磁力以促進噴出銷120的向下運動。

特別來說，如圖3所示，磁鐵130沿著噴嘴主體110的內壁環狀配置。另外，磁鐵130設置於噴出銷120的頭部下方。

特別地，磁鐵130可使用吸引力讓噴出銷120下降。此時，噴出銷120的頭部122由磁性物質製成而能夠在頭部122與磁鐵130之間產生磁力。如圖4所示，當釋放中空部112內的真空力，包括頭部122的噴出銷120藉由頭部122和磁鐵130之間的吸引力可更快速地向下移動。

設備101也包括用來判定噴出銷120的最低位置的止動件140。止動件140設置於中空部112中。止動件140在垂直方向上設於噴出銷120的頭部122與磁鐵130之間。止動件140由非磁性物質製成。

本發明的實施例中，止動件140由噴嘴主體110的內壁朝中空部110的中心點突出，如圖2所示。

當釋放中空部112的真空力且噴出銷120藉由磁鐵130與噴出銷120之間產生的磁力而下降時，噴出銷120移動至最低位置。噴出銷的向下移動受到限制因此不會過度地向下下降。也就是說，當釋放中空部112的真空力並且噴出銷120下降，噴出銷120的頭部122可移動到止動件140所在的位置。因此，止動件140支撐頭部122的下表面以限制噴出銷120的向下移動。

當半導體晶片10放置在托盤220上時，包括在設備101之中的止動件140位於防止活塞124從噴嘴主體110的下表面向外過度突出的位置。另外，當噴出銷120的活塞120作用時，磁鐵130能降低半導體晶片10所受到的衝擊。因此，半導體晶片10在放置程序中能避免受到損傷，且托盤220可穩定地承載半導體晶片10。

設備101也包括視覺反射板150以及吸盤160。視覺反射板150反射光線用來更精確地對於被設備101拾取的半導體晶片10的對準狀態進行成像。吸盤160以彈性物質製成，如海綿或橡膠，以增進視覺反射板150與半導體晶片10之間的附著度。

特別地，視覺反射板150設於噴嘴主體110的下表面之下。視覺反射板150耦合於噴嘴主體110。視覺反射板150定位於面對形成在下表面114的真空孔116之處。視覺反射板150具有連通於真空孔116的氣流孔152，視覺反射板150反射光線朝向下表面114入射。吸盤160設於視覺反射板150的下表面上。吸盤160的尺寸比視覺反射板150的尺寸大。

吸盤160耦合於視覺反射板150的下表面，吸盤160包括吸引孔162，吸引孔162對應並連通於真空孔116。半導體晶片10藉由供應至吸引孔162的真空力從中空部112將吸盤160吸引穿過真空孔116與氣流孔152。特別來說，如圖2與4所示，當半導體晶片10的表面上具有焊球、電路圖案或類似物，半導體晶片10的表面會不平滑。吸盤160增強設備101與半導體晶片10之間的附著性以避免真空洩漏。藉此，設備101可更穩定地拾取半導體晶片10。因此，當設備101拾取半導體晶片10時，可能可以防止晶片10的損壞。

藉由設備101與半導體晶片10之間的附著性，吸盤160能協助更穩定地真空吸附半導體晶片10。然而，即使在放置操作中釋放中空部112的真空，半導體晶片10仍然可能會因為吸盤的特質而持續與吸盤160接合。同時間，藉由板操作期間使用物理力來推動半導體晶片10向下，噴出銷120讓半導體晶片10與吸盤160脫離。

如上所述，設備101藉由推動半導體晶片10向下的物理力，讓半導體晶片10由設備101脫離。另外，磁鐵130藉由提供讓噴出銷120向下下降的磁力，能輕易讓噴出銷120向下移動。特別地，由於磁鐵130具有良好的特性，例如相比於使用彈力而推動物品的彈簧，磁鐵130具有良好的耐久性和抗污染性，因此避免噴出銷120產生故障，並穩定地進行放置操作，提高設備101的良率和耐久性。

此外，由於設備101包括用來限制噴出銷120向下移動的止動件140，所以止動件140能防止由於過度推動噴出銷120而導致的半導體晶片10損壞。因此，設備101能更有效地執行放置操作，並可以提高設備101的良品率。

圖5是根據本發明的示例性實施例的半導體晶片拾取設備的縱向剖面圖。圖6是圖5的拾取半導體晶片拾取設備的操作狀態的縱向剖面圖。

參照圖5與6，根據本發明的實施例，設備102與圖2所示的設備101具有相同配置，除了多個磁鐵170。與圖2中設備101相同的元件具有相同的標號，並省略重複的描述。

設備102包括噴嘴主體110、噴出銷120與磁鐵170，噴嘴主體110藉由真空力吸附半導體晶片10，噴出銷設於噴嘴主體110的中空部112內，磁鐵170藉由磁力將噴出銷120向下移動。

特別地，磁鐵170包括至少一個第一磁鐵172與至少一個第二磁鐵174。第一磁鐵172設於中空部112內並覆蓋噴出銷120的頭部122。第二磁鐵174設於第一磁鐵172下方且耦合於噴出銷120的上表面(也就是頭部122的上表面)。

多個第一磁鐵172沿著噴嘴主體110的內壁環狀設置，如圖3中的磁鐵130。如圖2所示，當真空力傳輸到中空部11讓噴出銷向上移動，第一磁鐵172使噴出銷120更向上移動。此外，第一磁鐵172可當作止動件用來限制噴出銷120向上移動的路徑。

第二磁鐵174耦合於頭部122並與頭部122一起移動。特別地，第二磁鐵174與彼此相對的第一磁鐵172具有相同的一極性，在第一磁鐵172與第二磁鐵174之間 產生了互斥力。第一磁鐵172與第二磁鐵174之間產生的互斥力促使噴出銷120向下移動。如圖6所示，當從中空部112釋放真空力使得半導體晶片10下降至托盤220，第一磁鐵172與第二磁鐵174之間產生的互斥力向下推動頭部122，因此噴出銷120可向下移動地更快。

本發明的實施例中，如圖3所示，第二磁鐵174可以設置成不干擾頭部122的穿孔126，如圖5所示。例如，第二磁鐵174形成為環狀，並且設置在頭部122的上表面的邊緣部。

前述內容是對本發明的說明，並不構成對本發明做出限制。儘管已經描述了本發明的一些示例性實施例，但是本領域技術人員將容易理解，在示例性實施例中可以進行許多修改而不實質上脫離本發明的新穎教示和優點。因此，這樣的修改意圖都被包括在如專利範圍中所限定的本發明的範圍內。在專利範圍中，裝置加功能的條款旨在覆蓋在此描述的執行所述功能的結構，不僅是結構等同物也包括等效結構。因此，應該理解的是，前述內容是對本發明的說明，並不被解釋為限制於所公開的特定實施例，並且對所公開的實施例以及其他實施例的修改旨在被包括在所附專利範圍的領域中。由所附專利範圍對於本發明做出限制，其中包括專利範圍的等同物。

Claims (6)

1. 一種半導體晶片拾取設備，該設備包括：具有中空部的噴嘴主體，該中空部沿著縱向方向延伸，該噴嘴主體被配置成使用傳送至該中空部的真空力來真空吸附半導體晶片；可移動地插入該中空部的噴出銷，當該中空部中的該真空力被釋放，該噴出銷被配置成向下推動該半導體晶片，使得該半導體晶片與該噴嘴主體脫離；設置在該中空部內的多個磁鐵，該磁鐵被配置成對該噴出銷提供磁力，當該中空部中的該真空力被釋放，使得該噴出銷由該中空部內部向下移動至該中空部外部；以及設置在該中空部內的該磁鐵上且由非磁性材料製成的止動件，該止動件被配置成當該噴出銷藉由該磁力而下降時限制該噴出銷的最低位置，其中，該噴出銷包括：頭部，被設置在該中空部內的該止動件上且由磁性材料製成；以及柱塞，在該噴嘴主體的縱向方向上從該頭部延伸穿過該止動件，且被配置成當該真空力被釋放時向下推動該半導體晶片，該噴嘴主體藉由螺帽耦合於晶片傳輸器，且該螺帽耦合於該噴嘴主體的該中空部的上部，以限制該噴出銷向上運動。
2. 根據申請專利範圍第1項所述的設備，其中該磁鐵沿著該中空部的內壁環狀設置。
3. 根據申請專利範圍第1項所述的設備，其中該頭部包括多個穿孔用來提供從該中空部傳送該真空力至該半導體晶片的路徑。
4. 根據申請專利範圍第1項所述的設備，其中該噴嘴主體包括真空孔，該真空孔形成在該噴嘴主體的吸附表面上並與該中空部連通，該半導體晶片被真空吸附於該吸附表面；以及當該中空部內的該真空力被釋放，該噴出銷通過該真空孔部分突出於該噴嘴主體而向下推動該半導體晶片。
5. 根據申請專利範圍第4項所述的設備，進一步包括：設置於該噴嘴主體的該吸附表面之下的吸盤，該吸盤包括與該真空孔連通的吸引孔，並且該吸盤以彈性物質製成以提高對該半導體晶片的附著度。
6. 根據申請專利範圍第4項所述的設備，進一步包括：視覺反射板，該視覺反射板設置於該噴嘴主體的該吸附表面下方並且耦合於該噴嘴主體，該視覺反射板包括氣流孔，該氣流孔與該真空孔連通並且被配置成反射朝向該視覺反射板的下表面照射的光。