[go: up one dir, main page]

TWI680571B - 偵測裝置及識別系統 - Google Patents

偵測裝置及識別系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI680571B
TWI680571B TW107136616A TW107136616A TWI680571B TW I680571 B TWI680571 B TW I680571B TW 107136616 A TW107136616 A TW 107136616A TW 107136616 A TW107136616 A TW 107136616A TW I680571 B TWI680571 B TW I680571B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
voltage
detection
conductive layer
detection signal
resistance
Prior art date
Application number
TW107136616A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202013694A (zh
Inventor
魏福呈
Fu-Cheng Wei
廖致霖
Chih-Lin Liao
Original Assignee
大陸商業成科技（成都）有限公司
Interface Technology (Chengdu) Co., Ltd.
大陸商業成光電（深圳）有限公司
Interface Optoelectronics (Shenzhen) Co., Ltd.
英特盛科技股份有限公司
General Interface Solution Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商業成科技（成都）有限公司, Interface Technology (Chengdu) Co., Ltd., 大陸商業成光電（深圳）有限公司, Interface Optoelectronics (Shenzhen) Co., Ltd., 英特盛科技股份有限公司, General Interface Solution Limited filed Critical 大陸商業成科技（成都）有限公司
Application granted granted Critical
Publication of TWI680571B publication Critical patent/TWI680571B/zh
Publication of TW202013694A publication Critical patent/TW202013694A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/14—Measuring resistance by measuring current or voltage obtained from a reference source
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/045—Circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/20—Investigating the presence of flaws
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R17/00—Measuring arrangements involving comparison with a reference value, e.g. bridge
    • G01R17/10—AC or DC measuring bridges
    • G01R17/105—AC or DC measuring bridges for measuring impedance or resistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • G01R19/16566—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533
    • G01R19/16576—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533 comparing DC or AC voltage with one threshold
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10—Image acquisition
    • G06V10/12—Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
    • G06V10/14—Optical characteristics of the device performing the acquisition or on the illumination arrangements
    • G06V10/145—Illumination specially adapted for pattern recognition, e.g. using gratings
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10—Image acquisition
    • G06V10/12—Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
    • G06V10/14—Optical characteristics of the device performing the acquisition or on the illumination arrangements
    • G06V10/147—Details of sensors, e.g. sensor lenses
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/16—Human faces, e.g. facial parts, sketches or expressions
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/16—Human faces, e.g. facial parts, sketches or expressions
    • G06V40/161—Detection; Localisation; Normalisation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Vascular Medicine (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

本發明提供一種偵測裝置，應用於光源模組，所述光源模組包括發光源；所述偵測裝置包括：光折射結構，包括基板、形成於所述基板上之導電層及折射層，所述導電層具有電阻；以及電阻偵測電路，與所述導電層電性連接，用於檢測所述導電層之電阻，並根據所述電阻之變化生成檢測訊號，所述檢測訊號用於表徵所述折射層之狀態。本發明提供之偵測裝置，一方面有利於節省光能，另一方面還有利於消除安全隱患。

Description

偵測裝置及識別系統
本發明涉及一種偵測裝置，及使用該偵測裝置之識別系統。
隨著人們對信息安全之重視，許多系統(例如門禁系統)或終端(例如ipad、手機)上均搭載了人臉識別之功能。
於習知技術中，實現人臉識別功能之模組通常採用激光作為光源，於其出射端設置一光學組件對激光進行散射，再藉由經散射之後出射之光抓取人臉圖像信息。但是，激光出射端用於散射激光之光學組件會存於損壞之情況，例如該光學組件破裂，則此時到達該光學組件之激光很可能就無法得到充分散射，經破裂處到達人臉之光還是能量較大之激光，尤其是到達人眼之激光，會對人眼造成較大傷害；並且，另一方面，於上述之光學組件損壞時，其已經不能正常工作，但是此時激光光源還是持續工作，亦會造成能量之浪費。
本發明一方面提供一種偵測裝置，包括：光折射結構，包括基板、形成於所述基板上之導電層及折射層，所述導電層具有電阻；以及電阻偵測電路，與所述導電層電性連接，用於檢測所述導電層之電阻，並根據所述電阻之變化生成檢測訊號，所述檢測訊號用於表徵所述折射層之狀態。
本發明另一方面提供一種識別系統，包括：光源模組，所述光源模組包括發光源；及如上述任意一項所述之偵測裝置，所述偵測裝置之光折射結構設置於所述發光源之光出射路徑上。
本實施例提供之偵測裝置，應用於光源模組中，該光源模組包括發光源，偵測裝置包括光折射結構，光折射結構中設置有折射層及導電層，該導電層與電阻偵測電路連接，其電阻可於折射層異常時發生變化，則藉由對其電阻之偵測，即可獲知折射層之工作狀態(正常或異常)，此偵測裝置即可實現於折射層異常時及時作出反應，例如關斷發光源，使其停止工作，可以節省光能；並且，由於發光源發出之為激光，若折射層出現異常，激光很可能直接到達人眼，帶來安全隱患，是故該偵測裝置還有利於消除該安全隱患。
500‧‧‧識別系統
100‧‧‧偵測裝置
400‧‧‧光源模組
110‧‧‧光折射結構
120‧‧‧電阻偵測電路
111‧‧‧基板
112‧‧‧導電層
113‧‧‧折射層
A‧‧‧入光面
B‧‧‧出光面
114‧‧‧第一連接墊
115‧‧‧第二連接墊
121‧‧‧第一電壓源
122‧‧‧第一檢測模塊
123‧‧‧第一比較模塊
124‧‧‧第一開關模塊
125‧‧‧第二電壓源
126‧‧‧第二檢測模塊
127‧‧‧第二比較模塊
128‧‧‧第二開關模塊
SW1‧‧‧第一開關
SW2‧‧‧第二開關
R1‧‧‧第一電阻
R2‧‧‧第二電阻
R3‧‧‧第三電阻
R4‧‧‧第四電阻
R5‧‧‧第五電阻
R6‧‧‧第六電阻
R7‧‧‧第七電阻
Rs1‧‧‧第一檢測電阻
Rs2‧‧‧第二檢測電阻
N1‧‧‧第一輸入端
N2‧‧‧第二輸入端
N3‧‧‧第一檢測訊號輸出端
N4‧‧‧第一節點
N5‧‧‧第三輸入端
N6‧‧‧第四輸入端
N7‧‧‧第二檢測訊號輸出端
200‧‧‧發光源
300‧‧‧底板
A1‧‧‧放大器
A2‧‧‧運算放大器
130‧‧‧控制器
I、Ⅱ、Ⅲ‧‧‧階段
U1‧‧‧第一電壓
U1’‧‧‧第一感測電壓
U01‧‧‧第一預設電壓
U2‧‧‧第二電壓
U2’‧‧‧第二感測電壓
U02‧‧‧第二預設電壓
Ut‧‧‧檢測訊號
U3‧‧‧第一輸入電壓
U4‧‧‧第二輸入電壓
Uc‧‧‧控制訊號
圖1為本發明提供之識別系統之結構示意圖。
圖2為圖1中光折射結構之結構示意圖。
圖3A為圖2中導電層之第一種變形結構示意圖。
圖3B為圖2中導電層之第二種變形結構示意圖。
圖3C為圖2中導電層之第三種變形結構示意圖。
圖4A為圖2中導電層與第一連接墊及第二連接墊之間之第一種連接形態之結構示意圖。
圖4B為圖2中導電層與第一連接墊及第二連接墊之間之第二種連接形態之結構示意圖。
圖4C為圖2中導電層與第一連接墊及第二連接墊之間之第三種連接形態之結構示意圖。
圖4D為圖2中導電層與第一連接墊及第二連接墊之間之第四種連接形態之結構示意圖。
圖5為圖1中偵測裝置之等效電路示意圖。
圖6為圖5中電阻偵測電路之等效電路示意圖。
圖7為圖6中第一開關之狀態及第一檢測訊號輸出端之檢測訊號輸出狀態之波形對照圖。
圖8為本發明提供之識別系統之結構示意圖。
圖9為圖8中電阻偵測電路之等效電路示意圖。
圖10為圖9中第二開關之狀態及第二檢測訊號輸出端之檢測訊號輸出狀態之波形對照圖。
實施例一
請參閱圖1，為識別系統500之結構示意圖，其包括偵測裝置100以及光源模組400。本實施例中之偵測裝置100可用於偵測光源模組400之狀態。如圖1所示，偵測裝置100包括光折射結構110及電阻偵測電路120，光源模組400包括發光源200及底板300。本實施例中，發光源200設置於中之底板300上，光折射結構110設置於發光源200之光出射路徑上。
請參閱圖2，其為光折射結構110之結構示意圖。光折射結構110包括依次層迭設置之基板111、導電層112及折射層113。基板111為絕緣材料，於一實施例中，可以為二氧化矽等。導電層112包括一入光面A及出光面B，導電層112為透明導電材料。發光源200發出之光可從入光面A進入導電層112，透過導電層112從出光面B出射。導電層112可選擇透光性良好之材料，以降低發光源200發出之光損耗率。於一實施例中，折射層113為有機玻璃構成之薄膜，用於將發光源200發出之光線進行折射以擴大光覆蓋面積。
如圖3A~圖3C所示為導電層112之幾種形狀之示例，圖3A中，導電層112為長方體；圖3B中，導電層112為一中空之柱體；圖3C中，導電層112則為底面為不規則圖形之柱體。導電層112還可以是其它之形態，此處不作限定。
光折射結構110還包括第一連接墊114及第二連接墊115，第一連接墊114及第二連接墊115由導電層112沿與出光面B垂直方向向外延伸形成。第一連接墊114及第二連接墊115均由導電材料製成，用於建立導電層112及電阻偵測電路120之間之連接。
如圖4A~4D所示，為以圖3A為示例之導電層112與第一連接墊114及第二連接墊115之連接形態示例。如圖4A所示，第一連接墊114及第二連接墊115分別連接於導電層112之二相對側面之中心。於圖4B中，第一連接墊114及第二連接墊115分別連接於導電層112相對之二側面之對角位置。於圖4C中，第一連接墊114及第二連接墊115均連接於導電層112之同一個側面上。如圖4D所示，第一連接墊114及第二連接墊115分別連接於導電層112之相鄰 之二側面上。於其他實施例中，還可以是除了圖4A~圖4D示出之之外之連接方式。
如圖5所示，為偵測裝置100之等效電路示意圖，於本實施例中，導電層112連接於第一連接墊114及第二連接墊115之間，第一連接墊114及第二連接墊115分別與電阻偵測電路120連接。導電層112、第一連接墊114、第二連接墊115及電阻偵測電路120形成一封閉回路，導電層112等效於第一檢測電阻Rs1。導電層112之電阻值由導電層之具體導電材料及體積決定。
當光折射結構110發生破損時，則折射層113及導電層112均發生破損，而導電層112之電阻值因導電層之結結構發生變化產生改變。則電阻偵測電路120可藉由檢測導電層112之檢測訊號，判斷導電層112之狀態，即可判斷折射層113之狀態。
檢測訊號可以於第一電平及第二電平之間切換。於本實施方式中，第一電平為低電平，即0，第二電平為高電平，即1，當檢測訊號處於第一電平時，表徵折射層113為正常工作狀態(未破損)，當檢測訊號處於第二電平時，表徵折射層113為異常工作狀態(破損)。
如圖6所示，電阻偵測電路120包括第一電壓源121、第一檢測模塊122及第一比較模塊123。
第一電壓源121用於提供第一電壓U1，其與第一檢測模塊122連接；第一檢測模塊122藉由第一連接墊114及第二連接墊115連接導電層112，其接收第一電壓U1，並根據第一電壓U1輸出第一感測電壓U1’至第一比較模塊123；第一比較模塊123與第一檢測模塊122連接，根據第一感測電壓U1’與第一預設電壓U01之比較結果輸出檢測訊號Ut，該檢測訊號Ut所處之電平狀態可反映導電層112之當前之電阻值相較於初始電阻值是否發生變化。
於本實施例中，第一檢測模塊122與第一檢測電阻Rs1(即導電層112之等效電阻)構成一電橋結構，該電橋結構還包括第一電阻R1、第二電阻R2及第三電阻R3；第一比較模塊123包括一放大器A1，放大器A1具有第一輸入端N1、第二輸入端N2以及第一檢測訊號輸出端N3。第一輸入端N1為放大器A1之正相輸入端，第二輸入端N2為放大器A1之反相輸入端。
第一連接墊114作為訊號輸入端，分別連接第一電壓源121、第一電阻R1及第一檢測電阻Rs1。第二連接墊115則作為訊號輸出端，分別連接第 一檢測電阻Rs1及放大器A1之第一輸入端N1。第一電阻R1及第二電阻R2之間之第一節點N4則連接於放大器A1之第二輸入端N2，第一節點N4輸出第一預設電壓U01給第二輸入端N2。
電阻偵測電路120還包括第一開關模塊124，第一開關模塊124包括第一開關SW1，第一開關SW1具有狀態1及狀態0，狀態1表示第一開關SW1導通，狀態0表示第一開關SW1斷開。第一開關SW1可根據第一電壓於狀態1及狀態0之間切換。第一電壓U1為高電平時，第一開關SW1處於狀態1，即導通，第一電壓U1為低電平時，第一開關SW1處於狀態0，即斷開。該第一開關模塊124可以使得於需要檢測第一檢測電阻Rs1之電阻時，控制第一開關SW1導通，電路處於工作狀態，於無需檢測第一檢測電阻Rs1之電阻時，控制第一開關SW1斷開，電路不處於工作狀態。
請參照圖7，其為第一開關SW1之狀態及第一檢測訊號輸出端N3之檢測訊號Ut輸出狀態之對照，主要包括了階段I、階段Ⅱ及階段Ⅲ共三個階段。
於本實施例中，第一電壓U1為第一電壓源121輸出之電源電壓，其可以於低電平及高電平之間切換，其中，於階段I，第一電壓源121輸出第一電壓U1為低電平，第一開關SW1為斷開狀態，第一檢測訊號輸出端N3輸出之檢測訊號Ut為0，此時電阻偵測電路120未處於工作狀態。
於階段Ⅱ，第一電壓源121輸出第一電壓U1為高電平，第一開關SW1處於導通狀態，於該電橋結構中，第一檢測電阻Rs1之電阻值為初始電阻值，第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3及第一檢測電阻Rs1之阻值設定滿足下面之平衡關係：R1×R3=R2×Rs1 (1)
則根據上式(1)及電橋結構可知，當第一電壓U1之值不變時，由於第一電阻R1及第二電阻R2之電阻值不變，則第一節點N4之第一預設電壓U01不變，第二輸入端N2之電壓亦不會變。根據式(1)，輸入第一輸入端N1之第一感測電壓U1’之值及第一預設電壓U01之值相等，第一檢測訊號輸出端N3輸出處於第一電平之檢測訊號Ut，即輸出電平為0之檢測訊號Ut，表徵光折射結構110為正常狀態。
於階段Ⅲ，折射層113破損，導致導電層112一併破損，進而使得第一檢測電阻Rs1之電阻變大，則上述之式(1)便不再成立，此時由於第一檢測電阻Rs1電阻值增大，則輸入第一輸入端N1之電壓值大於第一預設電壓U01，則第一檢測訊號輸出端N3輸出處於第二電平之檢測訊號，即輸出電平為1之檢測訊號Ut，表徵折射層113為異常狀態。
如上述之實施例中，檢測訊號Ut所處之電平狀態即反映了導電層112(即第一檢測電阻Rs1)之電阻是否發生變化，進而判斷出折射層113是否產生破損。
如圖8所示，於一實施例中，偵測裝置100還包括控制器130，控制器130與發光源200連接，並且，還連接至第一檢測訊號輸出端N3，控制器130接收第一檢測訊號輸出端N3輸出之檢測訊號Ut，對檢測訊號Ut進行分析，以判斷出此時之第一檢測電阻Rs1之阻值是否為初始電阻值，進而判斷是否要輸出控制訊號Uc給發光源200使其啟動發光。
於本實施例中，當檢測訊號Ut輸出為0時，控制器130判斷折射層113工作正常，則輸出控制訊號Uc控制發光源200發光；若檢測訊號Ut輸出為1，控制器130判斷折射層113處於異常狀態，則不輸出控制訊號Uc。
本實施例還提供一種識別系統500，包括光源模組400及偵測裝置100(可參見圖1及圖8)，該光源模組400包括發光源200，於本實施例中，該發光源200為激光源，偵測裝置100之光折射結構110設置於發光源200發出之光之出射路徑上，對發光源200發出之激光進行折射。
實施例二
如圖9所示，本實施例與實施例一之區別主要於於：電阻偵測電路120之結構不同。
本實施例中之電阻偵測電路120，包括第二電壓源125、第二檢測模塊126以及第二比較模塊127。
第二電壓源125用於提供第二電壓U2，第二電壓源125與第二檢測模塊126連接，輸出第二電壓U2至第二檢測模塊126。
第二檢測模塊126接收第二電壓U2。第一連接墊114分別電性耦接第二電壓源125及第二比較模塊127，藉由第二連接墊115接地。根據第二電壓U2輸出第二感測電壓U2’至第二比較模塊127。第二檢測模塊126包括第四 電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻R7及第二檢測電阻Rs2。第四電阻R4及第五電阻R5相互串接，並分別耦接於第二電壓源125及地，且二者阻值相等。是故，於第二電壓U2之值確定時，第四電阻R4及第五電阻R5之間節點之電壓是確定之，將該節點之電壓定義為第二預設電壓U02。第一檢測電阻Rs1及第二檢測電阻Rs2相互串聯，並分別連接至第二電壓源125及地，第一檢測電阻Rs1及第二檢測電阻Rs2之間藉由第一連接墊114建立連接。
第二比較模塊127，與第二檢測模塊126連接，用於比較第二感測電壓U2’與第二預設電壓U02，並根據比較結果輸出檢測訊號Ut。第二比較模塊127包括一運算放大器A2，運算放大器A2包括第三輸入端N5、第四輸入端N6及第二檢測訊號輸出端N7，第三輸入端N5藉由第六電阻R6連接第一連接墊114，藉由第一連接墊114接收第二感測電壓U2’，並藉由第七電阻R7連接第二檢測訊號輸出端N7。第四輸入端N6為運算放大器A2之同相輸入端，連接至第四電阻R4及第五電阻R5之間之節點，用於輸入第二預設電壓U02，第二檢測訊號輸出端N7用於根據第二感測電壓U2’及第二預設電壓U02之比較結果輸出檢測訊號Ut。
本實施例中，電阻偵測電路120還包括第二開關模塊128，第二開關模塊128包括第二開關SW2，該第二開關SW2連接於第二電壓源125及第二檢測模塊126之間，具有狀態1及狀態0，狀態1表示第二開關SW2導通，狀態0表示第二開關SW2斷開。第二開關SW2可根據第二電壓U2於狀態1及狀態0之間切換。第二電壓U2為高電平時，第二開關SW2處於狀態1，即導通，第二電壓U2為低電平時，第二開關SW2處於狀態0，即斷開。本實施例中之第二開關SW2可實現如實施例一中所述之第一開關SW1之所有有益效果。
請參照圖10，其為第二開關SW2之狀態及第二檢測訊號輸出端N7之檢測訊號Ut輸出狀態之對照，主要包括了階段I、階段Ⅱ及階段Ⅲ共三個階段。於本實施例中，將第二開關SW2及第四電阻R4之間之節點之第一輸入電壓表示為U3將第一檢測電阻Rs1及第二檢測電阻Rs2之間之節點處之第二輸入電壓表示為U4。
於本實施例中，第二電壓U2為第二電壓源125輸出之電源電壓，其可以於低電平及高電平之間切換，其中，於階段I，第二電壓源125輸出第 二電壓U2為低電平，第二開關SW2為斷開狀態，第二檢測訊號輸出端N7輸出檢測訊號Ut為0，此時電阻偵測電路120未處於工作狀態。
於階段Ⅱ，第二電壓源125輸出第二電壓U2為高電平，第二開關SW2處於導通狀態，第一輸入電壓U3大於第二輸入電壓U4，由於第四電阻R4及第六電阻R6阻值相等，則第二感測電壓U2’小於第二預設電壓U02，此時，運算放大器A2之第三輸入端N5輸入之電壓值小於第四輸入端N6輸入之電壓值，第二檢測訊號輸出端N7輸出之檢測訊號Ut為1，用於表徵折射層113處於正常工作狀態。
於階段Ⅲ，折射層113破損，導致導電層112亦破損，則導電層112之電阻會變大，且第一檢測電阻Rs1之電阻值遠大於第二檢測電阻Rs2，是故第二感測電壓U2’等於第二預設電壓U02，此時，運算放大器A2之第三輸入端N5輸入之電壓值大於第四輸入端N6輸入之電壓值，檢測訊號Ut輸出為0，用於表徵折射層113處於異常狀態。
如上述之實施例中，檢測訊號Ut即反映了導電層112(即第一檢測電阻Rs1)之電阻是否保持於初始電阻值，進而判斷出折射層113之狀態(正常或異常)。
於本實施例中，當檢測訊號Ut輸出為0時，控制器130判斷光折射層113為異常狀態，則不輸出控制訊號Uc；若檢測訊號Ut輸出為1，控制器130判斷折射層113處於正常狀態，則輸出控制訊號Uc控制發光源200發光(可參考圖8)。
本實施例與實施例一中所述之所有之連接，包含直接或間接之電性連接。
以上所述僅為本發明之實施方式，並非是故限制本發明之專利範圍，凡是利用本發明說明書及圖式內容所作之等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用於其他相關之技術領域，均同理包括於本發明之專利保護範圍內。

Claims (10)

  1. 一種偵測裝置，其改良在於，包括：光折射結構，包括依次層疊設置之基板、導電層及折射層，所述導電層具有電阻；以及電阻偵測電路，與所述導電層電性連接，用於檢測所述導電層之電阻，並根據所述電阻之變化生成檢測訊號，所述檢測訊號用於表徵所述折射層之狀態。
  2. 如請求項1所述之偵測裝置，其中，所述導電層包括入光面及出光面，所述基板設置於所述導電層之入光面上，所述折射層設置於所述導電層之出光面上；所述光折射結構包括第一連接墊及第二連接墊，所述導電層連接於所述第一連接墊及所述第二連接墊之間。
  3. 如請求項2所述之偵測裝置，其中，所述電阻偵測電路包括：第一電壓源，用於提供第一電壓；第一檢測模塊，藉由所述第一連接墊及所述第二連接墊與所述導電層電性連接，用於接收所述第一電壓，根據所述第一電壓輸出第一感測電壓；第一比較模塊，與所述第一檢測模塊連接，用於比較所述第一感測電壓與第一預設電壓，並根據比較結果輸出所述檢測訊號。
  4. 如請求項3所述之偵測裝置，其中，所述第一檢測模塊與第一檢測電阻構成電橋結構，所述第一檢測電阻為所述導電層之等效電阻；所述第一比較模塊包括一比較器，所述比較器包括第一輸入端、第二輸入端以及第一檢測訊號輸出端；所述第一輸入端用於接收所述第一感測電壓，所述第二輸入端用於輸入第一預設電壓，所述第一檢測訊號輸出端用於根據所述第一感測電壓及所述第一預設電壓之比較結果輸出所述檢測訊號。
  5. 如請求項4所述之偵測裝置，其中：所述第一感測電壓等於所述第一預設電壓時，表徵所述折射層為正常工作狀態；所述第一感測電壓不等於所述第一預設電壓時，表徵所述折射層為異常工作狀態。
  6. 如請求項2所述之偵測裝置，其中，所述電阻偵測電路，包括：第二電壓源，用於提供第二電壓；第二檢測模塊，藉由所述第一連接墊與所述第二電壓源電連接，接收所述第二電壓，用於根據所述第二電壓輸出第二感測電壓；第二比較模塊，藉由所述第一連接墊與所述第二檢測模塊連接，用於比較所述第二感測電壓與第二預設電壓，並根據比較結果輸出所述檢測訊號。
  7. 如請求項6所述之偵測裝置，其中，所述第二比較模塊包括一差動放大器，所述差動放大器包括第三輸入端、第四輸入端及第二檢測訊號輸出端；所述第三輸入端用於輸入所述第二感測電壓，所述第四輸入端用於輸入第二預設電壓，所述第二檢測訊號輸出端用於根據所述第二感測電壓及所述第二預設電壓之比較結果輸出所述檢測訊號。
  8. 如請求項7所述之偵測裝置，其中，所述第二感測電壓等於所述第二預設電壓時，表徵所述折射層為異常工作狀態；所述第二感測電壓不等於所述第二預設電壓時，表徵所述折射層為正常工作狀態。
  9. 如請求項1所述之偵測裝置，其中，還包括控制器，所述控制器分別與發光源及所述電阻偵測電路連接，用於根據所述檢測訊號控制所述發光源是否發光。
  10. 一種識別系統，其改良在於，包括：光源模組，所述光源模組包括發光源；及如請求項1-9任意一項所述之偵測裝置，所述偵測裝置之光折射結構設置於所述發光源之光出射路徑上。
TW107136616A 2018-09-29 2018-10-17 偵測裝置及識別系統 TWI680571B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811149699.2A CN109142470A (zh) 2018-09-29 2018-09-29 侦测装置及识别系统
CN201811149699.2 2018-09-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI680571B true TWI680571B (zh) 2019-12-21
TW202013694A TW202013694A (zh) 2020-04-01

Family

ID=64813821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107136616A TWI680571B (zh) 2018-09-29 2018-10-17 偵測裝置及識別系統

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11035813B2 (zh)
CN (1) CN109142470A (zh)
TW (1) TWI680571B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112945987B (zh) * 2021-01-28 2024-03-19 维沃移动通信有限公司 导光组件及导光组件的检测方法
US11867650B2 (en) * 2021-04-06 2024-01-09 Apple Inc. Enclosure detection for reliable optical failsafe

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040100700A1 (en) * 2002-09-25 2004-05-27 Kazuya Kitamura Method of microlens array and projection type of liquid crystal display apparatus
TW201037287A (en) * 2009-04-06 2010-10-16 Himax Display Inc Light sensing circuit and method thereof
US20150116833A1 (en) * 2012-04-20 2015-04-30 3M Innivative Properties Company Brightness enhancement film with substantially non-imaging embedded diffuser
TW201702782A (zh) * 2015-07-08 2017-01-16 賀利氏諾伯燈具公司 輻射源光束分佈之最佳化
US20180095287A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 National Taiwan University Of Science And Technology Optical device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3569072B2 (ja) * 1996-05-09 2004-09-22 セイコーエプソン株式会社 セラミック基板のクラック検査方法
JP2002181717A (ja) * 2000-12-15 2002-06-26 Kuramoto Seisakusho Co Ltd 端面欠陥の検査方法及びその装置
JP2006258746A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd ガラス基板の破損検出方法
CN2925503Y (zh) * 2006-07-14 2007-07-25 鲁宏图 吊瓶微热器
US8598681B2 (en) * 2011-12-30 2013-12-03 Stmicroelectronics Pte Ltd. Temperature switch with resistive sensor
DE102013021305B3 (de) * 2013-12-19 2014-10-30 Krohne Messtechnik Gmbh Schaltungsanordnung zur Temperaturüberwachung und kalorimetrisches Massedurchflussmessgerät
CN107870186A (zh) * 2017-12-18 2018-04-03 深圳奥比中光科技有限公司 一种含安全监测功能的光学模组
CN207631103U (zh) * 2017-12-25 2018-07-20 中国重汽集团济南动力有限公司 一种带保护功能的汽车灯光自动控制装置
CN108333850A (zh) * 2018-02-27 2018-07-27 广东欧珀移动通信有限公司 激光投射模组及其损坏的检测方法、深度相机和电子装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040100700A1 (en) * 2002-09-25 2004-05-27 Kazuya Kitamura Method of microlens array and projection type of liquid crystal display apparatus
TW201037287A (en) * 2009-04-06 2010-10-16 Himax Display Inc Light sensing circuit and method thereof
US20150116833A1 (en) * 2012-04-20 2015-04-30 3M Innivative Properties Company Brightness enhancement film with substantially non-imaging embedded diffuser
TW201702782A (zh) * 2015-07-08 2017-01-16 賀利氏諾伯燈具公司 輻射源光束分佈之最佳化
US20180095287A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 National Taiwan University Of Science And Technology Optical device

Also Published As

Publication number Publication date
TW202013694A (zh) 2020-04-01
US20200103360A1 (en) 2020-04-02
US11035813B2 (en) 2021-06-15
CN109142470A (zh) 2019-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102499246B1 (ko) 주변광 센서들을 갖는 전자 디바이스들
US10250856B2 (en) Systems, devices, and methods for laser projectors
TWI680571B (zh) 偵測裝置及識別系統
CN101294899A (zh) 光电式烟传感器及照明设备
US9885803B2 (en) Translucent object presence and condition detection based on detected light intensity
TWI665462B (zh) 距離感測器及距離感測模組
US9195346B2 (en) Touch panel, touch device using the same, and touch control method
CN114128065B (zh) 包括增强的安全特征的发光模块
KR102158114B1 (ko) 프로젝터를 제어하는 방법 및 관련 전자 기기
CN110361870A (zh) 一种光学组件、发射单元、传感模组及电子设备
CN101836504A (zh) 照明系统
KR20200092796A (ko) 광섬유를 이용한 스크린 도어 끼임 경보장치
CN209071811U (zh) 垂直腔面发射激光设备
US11537217B2 (en) Device including an optoelectronic module operable to respond to a user's finger movements for controlling the device
US11614227B2 (en) Safety interlock system for illumination systems
TW201445240A (zh) 投影裝置保護系統及保護方法
US11467430B2 (en) Light source device with safety mechanism and wavelength converting device thereof
TW202013762A (zh) 雷射封裝結構
CN109271067A (zh) 一种检测电路板、投影屏幕、投影设备及投影系统
JP7150497B2 (ja) 光電式煙感知器
JP2011053079A (ja) 赤外線センサーレンズ兼用ｌｅｄ表示装置及び赤外線センサーレンズとｌｅｄレンズとの一体化方法
WO2023197366A1 (zh) 光束发射器及光触控显示系统
CN208766555U (zh) 一种结构光检测装置、身份识别装置及电子设备
TW202015260A (zh) 雷射封裝結構
WO2026015757A2 (en) Protective lighting system and methods