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TWI679689B - 周緣處理裝置及周緣處理方法 - Google Patents

周緣處理裝置及周緣處理方法 Download PDF

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TWI679689B
TWI679689B TW107110887A TW107110887A TWI679689B TW I679689 B TWI679689 B TW I679689B TW 107110887 A TW107110887 A TW 107110887A TW 107110887 A TW107110887 A TW 107110887A TW I679689 B TWI679689 B TW I679689B
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TW
Taiwan
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peripheral
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tilt
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Application number
TW107110887A
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English (en)
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TW201839824A (zh
Inventor
桒原丈二
Joji Kuwahara
楠原充也
Mitsuya Kusuhara
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
SCREEN Holdings Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司, SCREEN Holdings Co., Ltd. filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201839824A publication Critical patent/TW201839824A/zh
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Publication of TWI679689B publication Critical patent/TWI679689B/zh

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Abstract

本發明檢測用於特定基板相對於基準面之傾斜之傾斜特定資訊。基於檢測出之傾斜特定資訊及第1角度，以將由周緣區域處理部處理之基板之部分與基板之中心之間之距離維持為一定之方式，在與基準面平行之方向上修正旋轉保持部對基板之保持位置。在該狀態下，一面藉由旋轉保持部旋轉基板，一面藉由周緣區域處理部對基板之周緣區域進行具有相對於基準面以第1角度傾斜之指向性之處理。

Description

周緣處理裝置及周緣處理方法
本發明係關於一種處理基板之一個面之周緣區域的周緣處理裝置及周緣處理方法。
在基板處理裝置中，利用旋轉卡盤旋轉被水平地支持之基板。在該狀態下，藉由自噴嘴朝基板之表面之大致中央部噴出處理液，而對基板之表面整體供給處理液。其後，藉由進行特定之熱處理，而在基板之表面形成包含處理液之薄膜。此處，若在基板之周緣部形成薄膜，在搬送基板之搬送裝置固持基板之周緣部時，膜會剝離而形成微粒。因此，在處理液朝基板之表面整體之供給後進行去除基板之周緣部之處理液之處理(例如，參照日本特開2001-110712號公報)。
在日本特開2001-110712號公報之塗佈膜去除裝置中，利用檢測機構檢測由旋轉卡盤保持之基板之周緣部之位置。在該狀態下，藉由旋轉卡盤360°旋轉，而取得旋轉卡盤之旋轉相位及與其對應之基板之周緣部之位置。藉由自沖洗液噴出噴嘴朝旋轉之基板之周緣部噴出沖洗液，而去除基板之周緣部之抗蝕劑液。在沖洗液之噴出時，以補償伴隨著旋轉卡盤之旋轉的基板之周緣部之位置變動份額之方式，利用對準機構調整旋轉卡盤之 位置。該情形下，藉由對準機構動作而旋轉卡盤在一方向及其反方向往復移動，旋轉卡盤與基板之旋轉一起被定位。
然而，為了以補償基板之周緣部之位置變動份額之方式正確地定位旋轉卡盤，而需要複雜之構成及動作。又，依基板之旋轉速度之不同，而實際上難於以追隨基板之周緣部之位置變動之方式定位旋轉卡盤。
本發明之目的在於提供一種可在抑制構成及動作之複雜化下適切地進行基板之周緣區域之處理的周緣處理裝置及周緣處理方法。
(1)本發明之一態樣之周緣處理裝置係對沿著至少一部分具有圓形之外周部之基板之一面上的外周部之環狀之周緣區域進行處理者，且具備：旋轉保持部，其保持基板並且使基板繞與第1方向平行之旋轉軸旋轉；周緣區域處理部，其對被保持之基板之周緣區域之部分進行具有相對於與第1方向垂直之基準面以第1角度傾斜之指向性之處理；資訊檢測部，其檢測用於特定被保持之基板相對於基準面之傾斜之資訊作為傾斜特定資訊；及位置修正部，其基於由資訊檢測部檢測出之傾斜特定資訊及第1角度，以由旋轉保持部使基板旋轉時，使由周緣區域處理部進行處理之基板之部分與基板之中心之間之距離維持為一定之方式，在與基準面平行之方向上修正旋轉保持部對基板之保持位置。
在該周緣處理裝置中，檢測用於特定基板相對於基準面之傾斜之傾斜特定資訊，基於所檢測之傾斜特定資訊及第1角度，以將由周緣區域處理部處理之基板之部分與基板之中心之間之距離維持為一定之方式，在與基準面平行之方向上修正旋轉保持部對基板之保持位置。在該狀態下，一面藉由旋轉保持部旋轉基板，一面藉由周緣區域處理部對基板之周緣區域 進行具有相對於基準面以第1角度傾斜之指向性之處理。該情形下，能夠在維持基板之傾斜下對在基板之整個外周上距基板之中心一定距離之部分施加處理。因此，可在抑制裝置之構成及動作之複雜化下對基板之周緣區域適切地進行處理。
(2)資訊檢測部可將被保持之基板之複數個檢測部分在第1方向上之位置檢測為傾斜特定資訊。該情形下，可以簡單之構成檢測傾斜特定資訊。
(3)資訊檢測部可包含：第1檢測器，其檢測在相對於第1方向傾斜之第2方向上的複數個檢測部分之位置；第2檢測器，其檢測在與基準面平行之第3方向上的複數個檢測部分之位置；及算出部，其基於由第1及第2檢測器檢測出之第2及第3方向上的複數個檢測部分之位置，算出複數個檢測部分在第1方向上之位置。該情形下，可在抑制裝置之構成及動作之複雜化下取得複數個檢測部分在第1方向上之位置。
(4)第1及第2檢測器可各自包含線感測器。該情形下，藉由使用泛用之線感測器而可在抑制裝置成本之增大下取得複數個檢測部分在第1方向上之位置。
(5)周緣處理裝置可更具備一體地保持第1及第2檢測器之保持部，藉由旋轉保持部旋轉基板，而藉由第1及第2檢測器依次檢測複數個檢測部分之位置。該情形下，可藉由被一體地保持之第1及第2檢測器檢測複數個檢測部分在第2及第3方向上之位置。因此，可抑制裝置之構成之複雜化。
(6)位置修正部可包含：移動機構，其使基板相對於旋轉保持部移動；及移動控制部，其基於所檢測出之傾斜特定資訊及第1角度而控制移動機構。該情形下，可容易地修正旋轉保持部對基板之保持位置。
(7)移動機構構成為使基板朝與基準面平行之第4方向移動，可行的 是，移動控制部基於所檢測出之傾斜特定資訊及第1角度，藉由旋轉基板以保持位置之修正方向與第4方向一致之方式控制旋轉保持部，且在基板旋轉之後以基板朝第4方向移動之方式控制移動機構。該情形下，由於基板之移動方向限定於第4方向，故與使基板朝複數個方向移動之情形相比，移動機構之構成簡單化，而裝置成本降低。
(8)周緣區域處理部可包含朝相對於基準面以第1角度傾斜之方向噴出處理液之噴嘴。該情形下，具有指向性之處理係朝相對於基準面以第1角度傾斜之方向噴出處理液之處理。根據該構成，能夠對基板之整個外周上距基板之中心一定距離之部分供給處理液。因此，可對基板之周緣區域適切地進行處理。
(9)本發明之其他態樣之周緣處理方法係對沿著至少一部分具有圓形之外周部之基板之一面上的外周部之環狀之周緣區域進行處理者，且包含：藉由旋轉保持部保持基板之步驟；檢測用於特定被保持之基板相對於與第1方向垂直之基準面之傾斜的資訊作為傾斜特定資訊之步驟；在與基準面平行之方向上修正旋轉保持部對基板之保持位置之步驟；及一面藉由旋轉保持部使基板繞與第1方向平行之旋轉軸旋轉，一面藉由周緣區域處理部對被保持之基板之周緣區域之部分進行具有相對於基準面以第1角度傾斜之指向性之處理之步驟；且修正之步驟包含：基於檢測出之傾斜特定資訊及第1角度，以由旋轉保持部使基板旋轉時，使由周緣區域處理部進行處理之基板之部分與基板之中心之間之距離維持為一定之方式，修正保持位置。
根據該周緣處理方法，檢測用於特定基板相對於基準面之傾斜之傾斜特定資訊，基於所檢測之傾斜特定資訊及第1角度，以將由周緣區域處理部處理之基板之部分與基板之中心之間之距離維持為一定之方式，在與 基準面平行之方向上修正旋轉保持部對基板之保持位置。在該狀態下，一面藉由旋轉保持部旋轉基板，一面藉由周緣區域處理部對基板之周緣區域進行具有相對於基準面以第1角度傾斜之指向性之處理。該情形下，能夠在維持基板之傾斜下對在基板之整個外周上距基板之中心一定距離之部分施加處理。因此，可在抑制裝置之構成及動作之複雜化下對基板之周緣區域適切地進行處理。
(10)檢測資訊之步驟可包含：將被保持之基板之複數個檢測部分在第1方向上之位置檢測為傾斜特定資訊。
(11)檢測資訊之步驟可包含：藉由第1檢測器檢測相對於第1方向傾斜之第2方向上之複數個檢測部分之位置，藉由第2檢測器檢測與基準面平行之第3方向上之複數個檢測部分之位置，及基於檢測出之第2及第3方向上之複數個檢測部分之位置，算出複數個檢測部分之第1方向上之位置。
(12)第1及第2檢測器可各自包含線感測器。
(13)第1及第2檢測器被一體地保持；藉由第1檢測器檢測複數個檢測部分之位置、及藉由第2檢測器檢測複數個檢測部分之位置可包含：藉由旋轉保持部旋轉基板，而藉由第1及第2檢測器依次檢測複數個檢測部分之位置。
(14)修正保持位置之步驟可包含：基於檢測出之傾斜特定資訊及第1角度，藉由移動機構使基板相對於旋轉保持部移動。
(15)移動機構構成為使基板在與基準面平行之第4方向移動，藉由移動機構使基板移動可包含：基於檢測出之傾斜特定資訊及第1角度，藉由旋轉基板以保持位置之修正方向與第4方向一致之方式控制旋轉保持部，且在基板旋轉之後以基板朝第4方向移動之方式控制移動機構。
(16)進行具有指向性之處理之步驟可包含：藉由噴嘴朝相對於基準面以第1角度傾斜之方向噴出處理液。
100‧‧‧周緣處理裝置
110‧‧‧基板旋轉機構
111‧‧‧旋轉驅動部
112‧‧‧旋轉軸
112A‧‧‧軸心
113‧‧‧基板保持部
130‧‧‧去除噴嘴
130a‧‧‧供給管
140‧‧‧基板移動機構
141‧‧‧移動驅動部
142‧‧‧線性引導件
143‧‧‧升降驅動部
144‧‧‧連結構件
145‧‧‧支持銷
150‧‧‧外周端部檢測部
151‧‧‧垂直檢測器
151a‧‧‧出射部
151b‧‧‧受光部
151c‧‧‧保持部
152‧‧‧傾斜檢測器
152a‧‧‧出射部
152b‧‧‧受光部
152c‧‧‧保持部
154‧‧‧支持構件
155‧‧‧支持構件
155a‧‧‧固定部
155b‧‧‧固定部
160‧‧‧周緣處理控制部
161‧‧‧檢測控制部
162‧‧‧算出部
164‧‧‧移動控制部
165‧‧‧處理控制部
210‧‧‧資訊檢測部
220‧‧‧位置修正部
cx‧‧‧X修正量
cy‧‧‧Y修正量
d1‧‧‧X移位量
d2‧‧‧傾斜移位量
d3‧‧‧Z移位量
d4‧‧‧距離/到达偏移量
d41‧‧‧到達位置偏移量
d42‧‧‧到達位置偏移量
DD‧‧‧傾斜檢測方向
dT‧‧‧距離
LA1‧‧‧出射面
LA2‧‧‧出射面
LB1‧‧‧受光面
LB2‧‧‧受光面
LE‧‧‧處理線
P1‧‧‧檢測部分
P2‧‧‧檢測部分
PIs‧‧‧交叉位置/基準到達位置
PIt‧‧‧交叉位置/實際到達位置
PL‧‧‧檢測平面
PL1‧‧‧假想平面
PL2‧‧‧假想平面
PLn‧‧‧噴嘴平面
S1~S16‧‧‧步驟
VL‧‧‧閥
VT‧‧‧方向
W‧‧‧基板
WC‧‧‧中心
WE‧‧‧外周端部
x‧‧‧箭頭
y‧‧‧箭頭
z‧‧‧箭頭
θ1‧‧‧傾斜檢測角度
θ2‧‧‧傾斜角度(噴嘴角度)
θ3‧‧‧旋轉角度/角度
θ4‧‧‧旋轉角度
θt‧‧‧角度
圖1係顯示第1實施形態之周緣處理裝置之基本構成之示意性側視圖。
圖2(a)~(c)係顯示周緣區域去除處理之精度降低之理由之一例之圖。
圖3係顯示外周端部檢測部之構成例之外觀立體圖。
圖4係用於說明垂直檢測器、傾斜檢測器、去除噴嘴及旋轉軸之位置關係之示意性平面圖。
圖5係用於說明垂直檢測器對基板之外周端部之檢測之圖。
圖6係用於說明傾斜檢測器對基板之外周端部之檢測之圖。
圖7係用於說明到達偏移量之算出之圖。
圖8係用於說明到達偏移量之算出之圖。
圖9係用於說明X修正量及Y修正量之算出之示意性平面圖。
圖10係用於說明基板之位置修正之示意性平面圖及示意性側視圖。
圖11係用於說明基板之位置修正之示意性平面圖及示意性側視圖。
圖12係用於說明基板之位置修正之示意性平面圖及示意性側視圖。
圖13係用於說明基板之位置修正之示意性平面圖及示意性側視圖。
圖14係用於說明基板之位置修正之示意性平面圖及示意性側視圖。
圖15係顯示周緣處理控制部之功能性構成之方塊圖。
圖16係顯示周緣處理裝置之動作之流程圖。
以下，針對本發明之一個實施形態之周緣處理裝置及周緣處理方法利用圖式進行說明。又，在以下之說明中，基板係指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板或太陽能電池用基板等。本實施形態中所使用之基板之至少一部分具有圓形之外周部。例如，除了定位用之缺口以外之外周部具有圓形。
又，在以下之說明中，基板之表面係指形成感光性膜、防反射膜、保護膜等之各種膜之面(主面)，基板之背面係指其相反側之面。基板之周緣區域係指基板之圓形之外周部與距該外周部特定距離內側之圓之間之環狀區域。
再者，在以下之說明中，基板之周緣處理意指對基板之周緣區域施加任意之處理。周緣處理包含例如周緣區域去除處理及邊緣曝光處理。周緣區域去除處理係去除形成於基板之表面上之膜之中周緣區域上之膜的處理。邊緣曝光處理係將形成於基板之表面上之感光性膜之中周緣區域上之感光性膜進行曝光的處理。
〔1〕周緣處理裝置之基本構成
圖1係顯示第1實施形態之周緣處理裝置之基本構成之示意性側視圖。在搬入圖1之周緣處理裝置100之基板W之表面(上表面)形成膜。在圖1之周緣處理裝置100中，周緣處理係進行上述周緣區域去除處理。
在該周緣處理裝置100中，定義有彼此正交之X軸、Y軸及Z軸。X軸及Y軸在水平面上彼此正交，Z軸垂直於水平面。以下，將與X軸平行之方向稱為X方向，將與Y軸平行之方向稱為Y方向，將與Z軸平行之方向稱為 Z方向。在圖1及後述之圖3~圖7、圖9~圖15中，賦予表示X方向、Y方向及Z方向之箭頭x、y、z。將箭頭x之方向及其反方向總稱為X方向，將箭頭y之方向及其反方向總稱為Y方向，將箭頭z之方向及其反方向總稱為Z方向。
周緣處理裝置100包含：基板旋轉機構110、去除噴嘴130、基板移動機構140、外周端部檢測部150及周緣處理控制部160。基板旋轉機構110包含：旋轉驅動部111、旋轉軸112及基板保持部113。旋轉驅動部111係例如電動馬達。旋轉軸112以在Z方向延伸之方式連接於旋轉驅動部111。Z方向係第1方向之例。於旋轉軸112之上端部連接有基板保持部113。
基板保持部113構成為可切換於將載置於基板保持部113上之基板W吸附保持之吸附狀態、及將載置於基板保持部113上之基板W不吸附地予以支持之支持狀態。藉由旋轉驅動部111使旋轉軸112及基板保持部113一體地旋轉。藉此，由基板保持部113保持之基板W旋轉。在本例中，將旋轉軸112之某一狀態定義為基準角度(0°)。在以下之說明中，旋轉軸112之旋轉角度意指自基準角度之旋轉角度。
在由基板保持部113吸附保持之基板W之上方設置去除噴嘴130。於去除噴嘴130連接有未圖示之自去除液供給源延伸之供給管130a。於供給管130a介插有閥VL。去除噴嘴130對基板W之周緣區域進行具有相對於水平面以一定角度傾斜之指向性之處理。具體而言，藉由閥VL打開，而通過供給管130a朝去除噴嘴130供給去除液。藉此，自去除噴嘴130朝相對於水平面以一定角度傾斜之方向噴出去除液。藉此，對藉由基板旋轉機構110旋轉之基板W之周緣區域供給去除液。藉此，去除基板W之周緣區域上之膜。
基板移動機構140包含：移動驅動部141、線性引導件142、升降驅動部143、連結構件144、及複數個(在本例中為3個)支持銷145。移動驅動部141設置於線性引導件142上。線性引導件142以在周緣處理裝置100之設置面上在X方向上延伸之方式設置。移動驅動部141包含例如脈衝馬達，且構成為在線性引導件142上可於X方向移動。
升降驅動部143設置於移動驅動部141上，與移動驅動部141一體地於X方向移動。連結構件144以在由基板保持部113保持之基板W之下方於水平方向延伸之方式連接於升降驅動部143。複數個支持銷145在旋轉軸112之周圍自連結構件144朝上方延伸。升降驅動部143例如由氣缸構成，在Z方向可升降地支持連結構件144。因此，複數個支持銷145在複數個支持銷145之上端部位於較基板保持部113更上方之上方位置、與複數個支持銷145之上端部位於較基板保持部113更下方之下方位置之間升降。在基板保持部113為支持狀態時，藉由複數個支持銷145上升至上方位置，而基板W被複數個支持銷145支持。在該狀態下，藉由移動驅動部141在X方向移動，而升降驅動部143、連結構件144及複數個支持銷145在X方向移動。藉此，被複數個支持銷145支持之基板W在X方向移動。
外周端部檢測部150檢測基板W之外周端部之位置。針對外周端部檢測部150之細節將於後述。周緣處理控制部160包含：CPU(中央處理單元)、ROM(唯讀記憶體)、RAM(隨機存取記憶體)及記憶裝置等。周緣處理控制部160進行基板保持部113之吸附狀態與支持狀態之切換，藉由控制旋轉驅動部111而控制基板W之旋轉，且藉由控制閥VL而控制去除噴嘴130之去除液之噴出。又，周緣處理控制部160藉由控制移動驅動部141及升降驅動部143而控制基板W之X方向之移動及升降。又，周緣處理控制 部160基於外周端部檢測部150之檢測結果，將用於特定基板W相對於基準面之傾斜之資訊檢測為傾斜特定資訊。在本例中，基準面係水平面。
〔2〕周緣處理之精度降低之理由
在基板W之周緣處理上，應施加處理之基板W之周緣區域之半徑方向之寬度被預先決定為一定之大小。然而，實際上被處理之基板W之周緣區域之半徑方向之寬度有因以下之理由而在基板W之周向上形成不均一之情形。
圖2係顯示周緣區域去除處理之精度降低之理由之一例之圖。如圖2(a)所示般，依基板旋轉機構110之各構成部品之尺寸精度及組裝精度不同，有基板保持部113相對於旋轉軸112被傾斜安裝之情形。該情形下，在基板W由基板保持部113吸附保持之狀態下，基板W相對於與旋轉軸112之軸心正交之面(水平面)傾斜。
若在該狀態下旋轉基板W，則如圖2(b)所示般，基板W之外周端部WE上下振動。該情形下，從去除噴嘴130噴出之去除液之行進方向與基板W之周緣區域之振動方向不同。因此，去除液到達之基板W之表面上之位置與基板W之外周端部WE之間之距離根據旋轉軸112之旋轉角度而產生變動。
如圖2(b)所示般，去除噴嘴130朝向基板W之周緣區域將去除液朝斜下方噴出。到達基板W上之去除液由於被伴隨著基板W之旋轉之離心力朝外方導引，故去除液之到達位置與基板W之外周端部WE之間之區域被去除液處理。該情形下，基板W之周緣區域愈靠近去除噴嘴130，則去除液之到達位置與基板W之外周端部WE之間之距離愈變大。因此，較在基板W之半徑方向上原本應處理之區域更廣之區域被去除液處理。另一方面， 基板W之周緣區域距離去除噴嘴130愈遠，則去除液之到達位置與基板W之外周端部WE之間之距離愈變小。因此，較在基板W之半徑方向上原本應處理之區域更窄之區域被去除液處理。其結果為，如圖2(c)中以陰影所示般，被處理之基板W之周緣區域之整個外周區域相對於基板W之中心WC而偏心。
在上述之例中係針對基板保持部113相對於旋轉軸112之軸心被傾斜安裝之情形進行了說明，在旋轉軸112彎曲時亦然，因與上述之例相同之理由而處理精度降低。
在本實施形態中，基於圖1之外周端部檢測部150之檢測結果，檢測用於特定基板W相對於水平面之傾斜之傾斜特定資訊。基於所檢測出之傾斜特定資訊，以去除液之到達位置與基板W之中心WC之間之距離在基板W之周向上成為均一之方式，在維持基板W之傾斜下進行基板W之位置修正。
在以下之說明中，將基板W之中心WC與旋轉軸112之軸心一致、且基板W相對於水平面未傾斜之狀態(基板W之表面垂直於旋轉軸112之軸心之狀態)稱為基準狀態。又，將在假定基板W位於基準狀態時出自去除噴嘴130之去除液所到達之基板W上之位置稱為基準到達位置，將在當前時點之實際之基板W之狀態下去除液所到達之基板W上之位置稱為實際到達位置。在基板W之周向上，基準到達位置與基板W之中心WC之距離為均一。
〔3］外周端部檢測部
圖3係顯示圖1之外周端部檢測部150之構成例之外觀立體圖。如圖3所示般，外周端部檢測部150包含：垂直檢測器151、傾斜檢測器152及支 持構件154、155。
支持構件154以在Z方向上延伸之方式設置為板狀。於支持構件154之一個面固定有支持構件155。支持構件155包含上下排列且具有相互不同之厚度之固定部155a、155b。固定部155b之厚度大於固定部155a之厚度。垂直檢測器151係固定於支持構件155之固定部155a上，傾斜檢測器152係固定於支持構件155之固定部155b上。
垂直檢測器151包含：出射部151a、受光部151b及保持部151c。保持部151c以受光部151b位於出射部151a之上方之方式保持出射部151a及受光部151b。出射部151a具有與X方向平行之出射面LA1，受光部151b具有與X方向平行之受光面LB1。在本例中，受光部151b為線感測器，以在受光面LB1上複數個像素在X方向上排列成一行之方式配置。出射部151a之出射面LA1與受光部151b之受光面LB1在Z方向上相互對向。由基板保持部113(圖1)保持之基板W之周緣區域位在出射部151a之出射面LA1與受光部151b之受光面LB1之間。
傾斜檢測器152包含：出射部152a、受光部152b及保持部152c。保持部152c以受光部152b位於出射部152a之內方且為斜上方之方式保持出射部152a及受光部152b。出射部152a具有相對於X方向傾斜之出射面LA2，受光部152b具有相對於X方向傾斜之受光面LB2。在本例中，受光部152b係線感測器，以在受光面LB2上複數個像素排列成一行之方式配置。出射部152a之出射面LA2與受光部152b之受光面LB2在相對於Z方向傾斜之方向上相互對向。由基板保持部113(圖1)保持之基板W之周緣區域位在出射部152a之出射面LA2與受光部152b之受光面LB2之間。
圖1之周緣處理控制部160控制出射部151a、152a之光之出射。受光 部151b、152b之檢測結果被賦予周緣處理控制部160。
在本例中，由於可使用泛用之線感測器作為垂直檢測器151之受光部151b及傾斜檢測器152之受光部152b，故可抑制裝置成本之增大。另一方面，利用1個線感測器難以檢測Z方向之基板W之外周端部之位置。因此，藉由將垂直檢測器151與傾斜檢測器152組合使用，而可如後所述般，檢測Z方向之基板W之外周端部之位置。
圖4係用於說明垂直檢測器151、傾斜檢測器152、圖1之去除噴嘴130及旋轉軸112之位置關係之示意性平面圖。在圖4中，基準狀態之基板W係以一點鏈線表示。如圖4所示般，垂直檢測器151配置於與X方向及Z方向平行之假想平面PL1內，傾斜檢測器152配置於與假想平面PL1平行且接近假想平面PL1之假想平面PL2內。圖1之旋轉軸112之軸心112A位於假想平面PL1與假想平面PL2之間、或與假想平面PL1及假想平面PL2之任一者一致之位置。
實際上，圖4之假想平面PL1與假想平面PL2之間之距離與基板W之大小相比非常小。因此，在本例中，將假想平面PL1與假想平面PL2視為同一平面(以下稱為檢測平面PL)。又，將旋轉軸112之軸心112A視為位於檢測平面PL內。
垂直檢測器151之受光部151b(圖3)之複數個像素以在檢測平面PL內在X方向排列成一行之方式配置，傾斜檢測器152之受光部152b(圖3)之複數個像素以在檢測平面PL內在相對於X方向傾斜之方向排列成一行之方式配置。
去除噴嘴130配置在與Z方向平行且通過旋轉軸112之軸心112A之噴嘴平面PLn內。在本例中，噴嘴平面PLn與檢測平面PL交叉。噴嘴平面 PLn亦可與檢測平面PL一致。自去除噴嘴130噴出之去除液在噴嘴平面PLn內行進，且到達基板W之周緣區域。
圖5係用於說明垂直檢測器151對基板W之外周端部之檢測之圖。如圖5所示般，自出射部151a之出射面LA1朝向受光部151b之受光面LB1在鉛直上方(Z方向)出射帶狀之光。所出射之光在圖4之檢測平面PL內行進，其一部分被基板W之周緣區域遮住，另外之部分入射至受光面LB1上之一部分像素。基於受光部151b之複數個像素之中接受來自出射部151a之光之像素之位置，檢測在檢測平面PL內之X方向的基板W之外周端部之位置。
圖6係用於說明傾斜檢測器152對基板W之外周端部之檢測之圖。以下，將受光部152b之複數個像素排列之方向稱為傾斜檢測方向DD。又，將傾斜檢測方向DD相對於X方向形成之角度稱為傾斜檢測角度θ1。如圖6所示般，從出射部152a之出射面LA2朝向受光部152b之受光面LB2朝斜上方出射帶狀之光。所出射之光在圖4之檢測平面PL內行進，其一部分被基板W之周緣區域遮住，另外之部分入射至受光面LB2上之一部分像素。基於受光部152b之複數個像素之中接受來自出射部152a之光之像素之位置，檢測在檢測平面PL內之傾斜檢測方向DD的基板W之外周端部之位置。
在本例中，表示基板W位於基準狀態時之基板W之外周端部之位置的基準位置資訊被圖1之周緣處理控制部160預先記憶。基於垂直檢測器151之檢測結果與基準位置資訊，取得在檢測平面PL內之X移位量，且基於傾斜檢測器152之檢測結果與基準位置資訊，檢測在檢測平面PL內之傾斜移位量。X移位量意指實際之基板W之外周端部與基準狀態之基板W之 外周端部在X方向的位置偏移量，傾斜移位量意指實際之基板W之外周端部與基準狀態之基板W之外周端部在傾斜檢測方向DD的位置偏移量。
〔4〕到達偏移量
在本實施形態中，在上述之周緣區域去除處理之前，一面旋轉基板W一面在檢測平面PL內依次檢測基板W之外周端部之位置，基於該檢測結果，依次算出檢測平面PL內之實際到達位置與基準到達位置之間之距離(以下稱為到達偏移量)。
圖7~圖8係用於說明到達偏移量之算出之圖。在圖7中，示意性地顯示圖4之檢測平面PL上基板W之一部分及傾斜檢測器152之出射部152a及受光部152b。在圖7中，實際之基板W係以實線表示，基準狀態之基板W係以一點鏈線表示。在圖7之例中，基板W之X移位量為d1，傾斜移位量為d2。如上所述般，X移位量d1係根據圖5之垂直檢測器151之檢測結果獲得，傾斜移位量d2係根據圖6之傾斜檢測器152之檢測結果獲得。
又，若基板W相對於水平面傾斜，則Z方向之基板W之外周端部之位置偏離基準狀態。以下，將實際之基板W之外周端部與基準狀態之基板W之外周端部在Z方向的位置偏移量稱為Z移位量。在圖7之例中，在檢測平面PL內之Z移位量為d3。
X移位量d1、傾斜移位量d2及Z移位量d3之關係以下述之式(1)表示。
d2=d1‧sinθ1+d3/cosθ1 ‧‧‧(1)
在式(1)中，θ1係檢測傾斜角度，為已知。因此，可利用根據垂直檢測器151之檢測結果所獲得之X移位量d1及根據傾斜檢測器152之檢測結果所獲得之傾斜移位量d2，根據式(1)算出Z移位量d3。
在圖8中，示意性地顯示圖4之噴嘴平面PLn上基板W之一部分及去除噴嘴130。與圖7同樣地，實際之基板W係以實線表示，基準狀態之基板W係以一點鏈線表示。圖8所示之基板W之部分與圖7所示之基板W之部分相同。亦即，圖8顯示自圖7所示之基板W之狀態將旋轉軸112旋轉圖4之檢測平面PL與噴嘴平面PLn之間之角度份額後之基板W之狀態。
在圖8中，顯示表示去除噴嘴130之處理之指向性的處理線LE。自去除噴嘴130噴出之去除液之路徑係與處理線LE一致。處理線LE位於圖4之噴嘴平面PLn內。處理線LE與實際之基板W之表面之交叉位置PIt相當於實際到達位置，處理線LE與基準狀態之基板W之表面之交叉位置PIs相當於基準到達位置。實際之基板W上的基準到達位置PIs與實際到達位置PIt之間之距離d4相當於到達偏移量。到达偏移量d4由下式(2)表示。
d4=d1+d3/tanθ2 ‧‧‧(2)
在式(2)中，θ2係處理線LE相對於水平面之傾斜角度(以下稱為噴嘴角度)，為已知。由於實際之基板W之傾斜角度極小，因此在本例中，實際之基板W上的基準到達位置PIs之Z方向之位置(高度)與實際之基板W上的實際到達位置PIt之Z方向之位置(高度)被視為相同。
可利用根據垂直檢測器151之檢測結果獲得之X移位量d1、根據傾斜檢測器152之檢測結果獲得之傾斜移位量d2、及根據上式(1)獲得之Z移位量d3，根據式(2)算出到達偏移量d4。在本例中，當實際到達位置PIt位於基準到達位置PIs之外方時，到達偏移量d4為正值，當實際到達位置PIt位於基準到達位置PIs之內方時，到達偏移量d4為負值。
如此之到達偏移量一面旋轉基板W一面被依次算出。具體而言，在基板W每旋轉預先決定之規定角度(例如1°)時，在檢測平面PL內進行垂直 檢測器151及傾斜檢測器152之檢測，針對基板W之外周之複數個部分(以下稱為檢測部分)取得X移位量及傾斜移位量。基於所取得之X移位量及傾斜移位量，算出複數個檢測部分之Z移位量。在本例中，複數個檢測部分之Z移位量相當於傾斜特定資訊。基於所算出之複數個檢測部分之Z移位量及噴嘴角度，算出與複數個檢測部分對應之到達偏移量。複數個檢測部分在基板W之外周上以一定之角度間隔排列。因此，在基板W之整個外周上以一定角度間隔算出到達偏移量。
〔5〕X修正量及Y修正量
基於算出之基板W之整個外周上之到達偏移量，算出基板W之X修正量及Y修正量。X修正量係應使基板W自預先決定之初始位置在X方向移動之距離，Y修正量係應使基板W自預先決定之初始位置在Y方向移動之距離。初始位置例如為旋轉軸112之旋轉角度為基準角度(0°)時之基板W之位置。
圖9係用於說明X修正量及Y修正量之算出之示意性平面圖。在圖9中，實際到達位置PIt係以一點鏈線表示，基準到達位置PIs係以虛線表示。又，顯示複數個檢測部分之中之2個檢測部分P1、P2。檢測部分P1、P2相對於旋轉軸112之軸心112A位於點對稱之位置。亦即，檢測部分P1之檢測時點的旋轉軸112之旋轉角度與檢測部分P2之檢測時點的旋轉軸112之旋轉角度相差180度。根據檢測部分P1之X移位量及傾斜移位量算出之到達偏移量為d41，根據檢測部分P2之X移位量及傾斜移位量算出之到達偏移量為d42。
圖9所示之基板W位於初始位置。因此，在圖9之狀態下，旋轉軸112之旋轉角度為0°。檢測部分P1之檢測時點的旋轉軸112之旋轉角度為θ3， 檢測部分P2之檢測時點的旋轉軸112之旋轉角度為θ4。
根據到達位置偏移量d41、d42及角度θ3，利用下式(3)算出X修正成分值Xps作為用於算出X修正量之值。又，根據到達位置偏移量d41、d42及角度θ3，利用下式(4)算出Y修正成分值Yps作為用於算出Y修正量之值。
Xps=cosθ3‧(d41-d42) ‧‧‧(3)
Yps=sinθ3‧(d41-d42) ‧‧‧(4)
或者，亦可根據到達位置偏移量d41、d42及角度θ4利用下式(3)’及下式(4)’算出X修正成分值Xps及Y修正成分值Yps。
Xps=cosθ4‧(d12-d11) ‧‧‧(3)’
Yps=sinθ4‧(d12-d11) ‧‧‧(4)’
根據式(3)獲得之X修正成分值Xps與根據式(3)’獲得之X修正成分值Xps係彼此相等，根據式(4)獲得之Y修正成分值Yps與根據式(4)’獲得之Y修正成分值Yps係彼此相等。
藉此，針對位於點對稱之位置的一對檢測部分，算出1組X修正成分值及Y修正成分值。同樣地，針對位於點對稱之位置的其他全部對之檢測部分，算出X修正成分值及Y修正成分值。例如，當檢測部分以1°間隔位在基板W之外周時，算出與180對檢測部分對應之180組X修正成分值及Y修正成分值。
將所算出之全部X修正成分值之平均值算作X修正量cx。又，將所算出之全部Y修正成分值之平均值算作Y修正量cy。如圖9所示般，在位於初始位置之基板W上，基準到達位置PIs與實際到達位置PIt在X方向之位置偏移量相當於X修正量cx，基準到達位置PIs與實際到達位置PIt在Y方向 之位置偏移量相當於Y修正量cy。
〔6〕位置修正
基於所算出之X修正量cx及Y修正量cy，藉由以實際到達位置PIt與基準到達位置PIs為一致之方式利用基板移動機構140移動基板W，而修正由圖1之基板保持部113對基板W之保持位置。如上所述般，基板移動機構140在X方向上使基板W移動。因此，在本例中，以藉由僅在X方向之移動而可使實際到達位置PIt與基準到達位置PIs一致之方式調整旋轉軸112之旋轉角度。
圖10~圖14係用於說明基板W之位置修正之示意性平面圖及示意性側視圖。首先，利用所算出之X修正量cx及Y修正量cy，藉由下式(5)及下式(6)算出角度θt及距離dT。
θt=arctan(cy/cx) ‧‧‧(5)
dT=√(cx2+cy2) ‧‧‧(6)
在圖10中，基板W位於初始位置。該情形下，角度θt相當於實際到達位置PIt與基準到達位置PIs之偏移的方向VT相對於X方向形成之角度。方向VT與通過實際到達位置PIt之中心及基準到達位置PIs之中心的直線平行。距離dT相當於實際到達位置PIt與基準到達位置PIs在方向VT之偏移量。方向VT及距離dT藉由將X修正量cx及Y修正量cy分別設為X方向之成分及Y方向之成分之向量而表示。
其次，在由圖1之基板保持部113吸附保持基板W之狀態下，將旋轉軸112之旋轉角度調整為所算出之角度θt乘以-1之角度。例如，自基板W位於初始位置之狀態(圖10之狀態)將旋轉軸112旋轉角度-θt。藉此，如圖11所示般，方向VT與X方向平行。
其次，如圖12所示般，基板保持部113切換為支持狀態，且藉由升降驅動部143將支持銷145上升至上方位置。在該狀態下，利用移動驅動部141將基板W在X方向移動所算出之距離dT。其後，如圖13所示般，支持銷145返回至下方位置，且基板保持部113切換為吸附狀態。藉此，如圖14所示般，在維持基板W之傾斜之狀態下，實際到達位置PIt與基準到達位置PIs一致。
其後，與圖2之例同樣地進行基板W之周緣區域去除處理。藉此，在基板W之整個外周上，出自去除噴嘴130之去除液到達基準到達位置PIs。因此，由去除液處理之基板W之周緣區域之寬度在基板W之整個外周上成為均一。因此，可適切地去除基板W之周緣區域上之膜。
〔7〕周緣處理控制部之功能性構成
圖15係顯示周緣處理控制部160之功能性構成之方塊圖。如圖15所示般，周緣處理控制部160包含：檢測控制部161、算出部162、移動控制部164及處理控制部165。該等之功能藉由CPU執行記憶於ROM或記憶裝置等之記憶媒體之電腦程式而實現。
檢測控制部161藉由控制圖1之基板旋轉機構110及外周端部檢測部150而控制基板W之外周端部之檢測動作。算出部162基於外周端部檢測部150之垂直檢測器151及傾斜檢測器152之檢測結果算出複數個檢測部分在Z方向之位置。由算出部162、垂直檢測器151及傾斜檢測器152構成資訊檢測部210。移動控制部164藉由控制基板移動機構140而進行基板W之位置修正。由移動控制部164及基板移動機構140構成位置修正部220。處理控制部165藉由控制圖1之基板旋轉機構110及閥VL而控制基板W之周緣處理。
〔8〕周緣處理裝置之動作
圖16係顯示周緣處理裝置100之動作之流程圖。被搬入周緣處理裝置100之基板W係載置於基板保持部113上。在本例中，在周緣處理裝置100之動作開始時，基板保持部113為支持狀態，旋轉軸112之旋轉角度為基準角度(0°)。
首先，檢測控制部161藉由將基板保持部113切換為吸附狀態而吸附保持基板W(步驟S1)。其次，檢測控制部161開始旋轉驅動部111對基板W之旋轉(步驟S2)。其次，檢測控制部161在將基板W每旋轉預先決定之規定角度時利用垂直檢測器151及傾斜檢測器152檢測在X方向及傾斜檢測方向上之基板W之外周端部(檢測部分)之位置(步驟S3)。其次，算出部162基於所取得之位置，取得各檢測部分之X移位量及傾斜移位量，且基於所取得之X移位量及傾斜移位量算出各檢測部分之Z移位量(步驟S4)。其次，算出部162基於所取得及所算出之各移位量，算出與各檢測部分對應之到達偏移量(步驟S5)。若將基板W旋轉360度，則檢測出全部檢測部分之位置。因此，檢測控制部161停止旋轉驅動部111對基板W之旋轉(步驟S6)。
其次，移動控制部164基於在步驟S5中所算出之與各檢測部分對應之到達偏移量，算出X修正量及Y修正量(步驟S7)。其次，移動控制部164基於所算出之X修正量及Y修正量，算出用於使實際到達位置PIt與基準到達位置PIs之偏移方向與X方向一致的旋轉軸112之旋轉角度，且算出應使基板W移動之距離(步驟S8)。其次，移動控制部164以與所算出之旋轉角度一致之方式利用旋轉驅動部111調整旋轉軸112之旋轉角度(步驟S9)。進而，移動控制部164藉由將基板保持部113切換為支持狀態而解除基板W 之吸附保持(步驟S10)。
其次，移動控制部164利用基板移動機構140使基板W在X方向移動所算出之距離(步驟S11)。其次，處理控制部165藉由將基板保持部113切換為吸附狀態而吸附保持基板W(步驟S12)，且開始旋轉驅動部111對基板W之旋轉(步驟S13)。在該狀態下，處理控制部165藉由打開閥VL而從去除噴嘴130噴出去除液，進行基板W之周緣處理(步驟S14)。該情形下，在基板W之整個外周上，由於出自去除噴嘴130之去除液到達基準到達位置PIs，因此由去除液處理之基板W之周緣區域之寬度在基板W之整個外周上成為均一。當周緣處理結束後，處理控制部165關閉圖1之閥VL且停止旋轉驅動部111對基板W之旋轉(步驟S15)。其次，處理控制部165藉由將基板保持部113切換為支持狀態，而解除基板W之吸附保持(步驟S16)。其後，處理完畢之基板W自周緣處理裝置100被搬出。
〔9〕實施形態之效果
在本實施形態之周緣處理裝置100中，檢測用於特定基板W相對於水平面之傾斜之傾斜特定資訊，且基於所檢測出之傾斜特定資訊及預先決定之噴嘴角度，以將由去除噴嘴130處理之基板W之部分與基板W之中心之間之距離維持為一定之方式，在水平方向上修正基板保持部113對基板W之保持位置。在該狀態下，一面利用旋轉驅動部111旋轉基板W，一面利用去除噴嘴130朝基板W之周緣區域供給去除液。該情形下，能夠在維持基板W之傾斜下對在基板W之整個外周上距基板W之中心一定距離之部分施加處理。因此，可在抑制裝置之構成及動作之複雜化下對基板W之周緣區域適切地進行處理。
又，在本實施形態中，利用垂直檢測器151及傾斜檢測器152取得複 數個檢測部分之X移位量及傾斜移位量，且基於所取得之X移位量及傾斜移位量，將複數個檢測部分之Z移位量算作傾斜特定資訊。藉此，可在抑制裝置之構成及動作之複雜化下取得複數個檢測部分之Z移位量。
進而，在本實施形態中，在以使應移動基板W之方向與X方向一致之方式調整旋轉軸112之旋轉角度之後，藉由利用基板移動機構140使基板W在X方向移動而修正基板W之保持位置。藉此，基板移動機構140之構成簡單化，而可在不增大裝置成本下進行基板W之位置修正。
〔10〕其他實施形態
在上述實施形態中，係一體地設置垂直檢測器151與傾斜檢測器152，但亦可將垂直檢測器151與傾斜檢測器152設置為在基板W之周向上相互分離之位置。該情形下，針對1個檢測部分由垂直檢測器151檢測時之旋轉軸112之旋轉角度與由傾斜檢測器152檢測時之旋轉軸112之旋轉角度係不同。因此，基於垂直檢測器151與傾斜檢測器152之間之角度間隔，針對1個檢測部分使垂直檢測器151之檢測結果與傾斜檢測器152之檢測結果彼此建立對應關係。
在上述實施形態中，係利用垂直檢測器151及傾斜檢測器152分別包含之2個線感測器檢測Z方向之基板W之外周端部之位置，但亦可使用其他感測器。例如，可使用藉由三角測距方式等檢測基板W之外周端部之變位之變位感測器。該情形下，可利用1個變位感測器檢測Z方向之基板W之外周端部之位置(變位)。
在上述實施形態中，係使用在水平面上僅在X方向可使基板W移動之基板移動機構140，但亦可使用在水平面上可在複數方向(例如X方向及Y方向)使基板W移動之移動機構。該情形下，在進行基板W之位置修正 時，可在無需為了使基板W之移動方向與X方向一致而調整旋轉軸112之旋轉角度下，使基板W移動至所期望之位置。
在上述實施形態中，作為基板之周緣處理係進行去除形成於基板W之周緣區域上之膜的周緣區域去除處理，但亦可進行其他周緣處理。例如，亦可設置對基板W之周緣區域照射光之照射部作為周緣區域處理部，作為周緣處理進行將基板W之周緣區域曝光之邊緣曝光處理。
又，作為去除形成於基板W之周緣區域上之膜的周緣區域去除處理，亦可適用在成膜處理後使用蝕刻液(例如SC1(氨過氧化氫水)等)去除殘留於基板W之周緣區域上之Al(鋁)膜或TiN(氧化鈦)膜的斜面蝕刻處理等。
〔11〕請求項之各構成要素與實施形態之各要素之對應關係
以下，針對請求項之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述之例。
在上述之實施形態中，周緣處理裝置100係周緣處理裝置之例，基板旋轉機構110係旋轉保持部之例，去除噴嘴130係周緣區域處理部及噴嘴之例，Z方向係第1方向之例，噴嘴角度係第1角度之例，資訊檢測部210係資訊檢測部之例，位置修正部220係位置修正部之例，傾斜檢測器152係第1檢測器之例，傾斜檢測方向係第2方向之例，垂直檢測器151係第2檢測器之例，X方向係第3及第4方向之例，算出部162係算出部之例，支持構件154、155係保持部之例，基板移動機構140係移動機構之例，移動控制部164係移動控制部之例。
作為請求項之各構成要素可採用具有請求項所記載之構成或功能之其他各種要素。

Claims (16)

  1. 一種周緣處理裝置，其係對沿著至少一部分具有圓形之外周部之基板之一面上的前述外周部之環狀之周緣區域進行處理者，且具備：旋轉保持部，其保持基板並且使基板繞與第1方向平行之旋轉軸旋轉；周緣區域處理部，其對前述被保持之基板之周緣區域之部分進行具有相對於與前述第1方向垂直之基準面以第1角度傾斜之指向性之處理；資訊檢測部，其檢測用於特定前述被保持之基板相對於前述基準面之傾斜之資訊作為傾斜特定資訊；及位置修正部，其基於由前述資訊檢測部檢測出之傾斜特定資訊及前述第1角度，以由前述旋轉保持部使基板旋轉時，使由前述周緣區域處理部進行處理之基板之部分與基板之中心之間之距離維持為一定之方式，在與前述基準面平行之方向上修正前述旋轉保持部對基板之保持位置。
  2. 如請求項1之周緣處理裝置，其中前述資訊檢測部將前述被保持之基板之複數個檢測部分在前述第1方向上之位置檢測為前述傾斜特定資訊。
  3. 如請求項2之周緣處理裝置，其中前述資訊檢測部包含：第1檢測器，其檢測相對於前述第1方向傾斜之第2方向上之前述複數個檢測部分之位置；第2檢測器，其檢測與前述基準面平行之第3方向上之前述複數個檢測部分之位置；及算出部，其基於由前述第1及第2檢測器檢測出之前述第2及第3方向上之前述複數個檢測部分之位置，算出前述複數個檢測部分在前述第1方向上之位置。
  4. 如請求項3之周緣處理裝置，其中前述第1及第2檢測器各自為線感測器。
  5. 如請求項3或4之周緣處理裝置，其更具備一體地保持前述第1及第2檢測器之保持部，且藉由前述旋轉保持部旋轉基板，而藉由前述第1及第2檢測器依次檢測前述複數個檢測部分之位置。
  6. 如請求項1至4中任一項之周緣處理裝置，其中前述位置修正部包含：移動機構，其使基板相對於前述旋轉保持部移動；及移動控制部，其基於由前述檢測出之傾斜特定資訊及前述第1角度而控制前述移動機構。
  7. 如請求項6之周緣處理裝置，其中前述移動機構構成為使基板在與前述基準面平行之第4方向移動，且前述移動控制部基於前述檢測出之傾斜特定資訊及前述第1角度，藉由旋轉基板以前述保持位置之修正方向與前述第4方向一致之方式控制前述旋轉保持部，且在基板旋轉之後以基板朝前述第4方向移動之方式控制前述移動機構。
  8. 如請求項1至4中任一項之周緣處理裝置，其中前述周緣區域處理部包含朝相對於前述基準面以前述第1角度傾斜之方向噴出處理液之噴嘴。
  9. 一種周緣處理方法，其係對沿著至少一部分具有圓形之外周部之基板之一面上的前述外周部之環狀之周緣區域進行處理者，且包含：藉由旋轉保持部保持基板之步驟，檢測用於特定前述被保持之基板相對於與第1方向垂直之基準面之傾斜的資訊作為傾斜特定資訊之步驟，在與前述基準面平行之方向上修正前述旋轉保持部對基板之保持位置之步驟，及一面藉由前述旋轉保持部使基板繞與前述第1方向平行之旋轉軸旋轉，一面藉由周緣區域處理部對前述被保持之基板之周緣區域之部分進行具有相對於前述基準面以前述第1角度傾斜之指向性之處理之步驟，且前述修正之步驟包含：基於前述檢測出之傾斜特定資訊及前述第1角度，以由前述旋轉保持部使基板旋轉時，使由前述周緣區域處理部進行處理之基板之部分與基板之中心之間之距離維持為一定之方式，修正前述保持位置。
  10. 如請求項9之周緣處理方法，其中前述檢測資訊之步驟包含：將前述被保持之基板之複數個檢測部分在前述第1方向上之位置檢測為前述傾斜特定資訊。
  11. 如請求項10之周緣處理方法，其中前述檢測資訊之步驟包含：藉由第1檢測器檢測相對於前述第1方向傾斜之第2方向上之前述複數個檢測部分之位置，藉由第2檢測器檢測與前述基準面平行之第3方向上之前述複數個檢測部分之位置，及基於前述檢測出之前述第2及第3方向上之前述複數個檢測部分之位置，算出前述複數個檢測部分之前述第1方向上之位置。
  12. 如請求項11之周緣處理方法，其中前述第1及第2檢測器各自包含線感測器。
  13. 如請求項11或12之周緣處理方法，其中前述第1及第2檢測器被一體地保持，且藉由前述第1檢測器檢測前述複數個檢測部分之位置、及藉由前述第2檢測器檢測前述複數個檢測部分之位置包含：藉由前述旋轉保持部旋轉基板，而藉由前述第1及第2檢測器依次檢測前述複數個檢測部分之位置。
  14. 如請求項9至12中任一項之周緣處理方法，其中前述修正保持位置之步驟包含：基於前述檢測出之傾斜特定資訊及前述第1角度，藉由移動機構使基板相對於前述旋轉保持部移動。
  15. 如請求項14之周緣處理方法，其中前述移動機構構成為使基板在與前述基準面平行之第4方向移動，且藉由前述移動機構使基板移動包含：基於前述檢測出之傾斜特定資訊及前述第1角度，藉由旋轉基板以前述保持位置之修正方向與前述第4方向一致之方式控制前述旋轉保持部，且在基板旋轉之後以基板朝前述第4方向移動之方式控制前述移動機構。
  16. 如請求項9至12中任一項之周緣處理方法，其中前述進行具有指向性之處理之步驟包含：藉由噴嘴朝相對於前述基準面以前述第1角度傾斜之方向噴出處理液。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6923344B2 (ja) 2017-04-13 2021-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 周縁処理装置および周縁処理方法
JP7486984B2 (ja) * 2020-03-06 2024-05-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、基板処理方法
CN111916378B (zh) * 2020-09-18 2025-05-06 广东先导先进材料股份有限公司 晶片清洗夹持装置
JP7497262B2 (ja) * 2020-09-24 2024-06-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板位置調整方法
JP7608106B2 (ja) 2020-10-05 2025-01-06 キオクシア株式会社 半導体製造装置
JP7667035B2 (ja) * 2021-08-27 2025-04-22 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP7709877B2 (ja) * 2021-09-15 2025-07-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 端部状態確認装置
KR102522721B1 (ko) * 2023-01-16 2023-04-17 (주)네오스테크놀로지스 커브드 lm 오토 레벨링 장치
TWI896127B (zh) * 2023-05-30 2025-09-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
US20250191944A1 (en) * 2023-12-07 2025-06-12 Axcelis Technologies, Inc. System and method of verifying workpiece alignment

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200737397A (en) * 2006-02-02 2007-10-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus
TW200802684A (en) * 2006-03-28 2008-01-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate transferring method

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE38113E1 (en) 1993-04-02 2003-05-06 Nikon Corporation Method of driving mask stage and method of mask alignment
DE4405768A1 (de) 1994-02-23 1995-08-24 Till Keesmann Feldemissionskathodeneinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5763020A (en) * 1994-10-17 1998-06-09 United Microelectronics Corporation Process for evenly depositing ions using a tilting and rotating platform
US5853483A (en) * 1995-05-02 1998-12-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate spin treating method and apparatus
JP2001102287A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc レジスト塗布現像装置、および下層反射防止膜のエッジカット方法
JP2001110712A (ja) 1999-10-12 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法
US7233841B2 (en) 2002-04-19 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Vision system
US7085622B2 (en) 2002-04-19 2006-08-01 Applied Material, Inc. Vision system
US20040144760A1 (en) 2002-05-17 2004-07-29 Cahill Steven P. Method and system for marking a workpiece such as a semiconductor wafer and laser marker for use therein
JP3995236B2 (ja) * 2002-07-01 2007-10-24 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 基板端面洗浄装置、基板端面洗浄方法及び半導体装置の製造方法
JP4113822B2 (ja) * 2003-09-19 2008-07-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ エッジ露光装置、エッジ露光方法およびそれを備える基板処理装置
KR100558176B1 (ko) * 2003-11-28 2006-03-10 삼성전자주식회사 웨이퍼의 주변부 노광 장치
JP4708243B2 (ja) * 2006-03-28 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体
CN101063078B (zh) * 2007-04-20 2010-06-09 博奥生物有限公司 一种生物芯片杂交清洗装置
JP5281350B2 (ja) * 2008-09-29 2013-09-04 株式会社オーク製作所 周辺露光装置及び周辺露光方法
US8231821B2 (en) 2008-11-04 2012-07-31 Molecular Imprints, Inc. Substrate alignment
JP4878632B2 (ja) * 2009-07-03 2012-02-15 株式会社シンクロン 光学式膜厚計及び光学式膜厚計を備えた薄膜形成装置
JP5661022B2 (ja) * 2011-11-21 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP5729326B2 (ja) * 2012-02-14 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5892597B2 (ja) * 2012-02-24 2016-03-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 検査装置および検査方法
JP2014122842A (ja) * 2012-12-21 2014-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の汚染回収分析方法、基板の汚染回収装置、および基板の汚染回収分析システム
JP6040883B2 (ja) 2012-12-25 2016-12-07 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP6245545B2 (ja) * 2013-02-28 2017-12-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 検査装置および検査方法
JP6044893B2 (ja) * 2013-03-08 2016-12-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 検査装置および検査方法
JP6064875B2 (ja) * 2013-11-25 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
TWI661502B (zh) * 2014-02-27 2019-06-01 SCREEN Holdings Co., Ltd. 基板處理裝置
JP6395206B2 (ja) * 2014-03-25 2018-09-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 検査装置および検査方法
JP6316082B2 (ja) * 2014-04-30 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6389089B2 (ja) * 2014-09-18 2018-09-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6415220B2 (ja) * 2014-09-29 2018-10-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6328534B2 (ja) * 2014-09-30 2018-05-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101621482B1 (ko) * 2014-09-30 2016-05-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6314779B2 (ja) 2014-10-01 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置
JP6475071B2 (ja) * 2015-04-24 2019-02-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6319193B2 (ja) 2015-06-03 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US10176426B2 (en) 2015-07-07 2019-01-08 International Business Machines Corporation Predictive model scoring to optimize test case order in real time
KR102377568B1 (ko) * 2015-11-27 2022-03-22 에스케이하이닉스 주식회사 패드부 및 라인부를 가진 미세 패턴을 형성하는 방법
JP6802726B2 (ja) * 2017-02-14 2020-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置、それを備える基板処理装置および基板搬送方法
JP6923344B2 (ja) * 2017-04-13 2021-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 周縁処理装置および周縁処理方法
JP7021877B2 (ja) * 2017-08-08 2022-02-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、位置合わせ装置および位置合わせ方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200737397A (en) * 2006-02-02 2007-10-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus
TW200802684A (en) * 2006-03-28 2008-01-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate transferring method

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