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TWI678953B - 模塑互連元件及製造其的方法 - Google Patents

模塑互連元件及製造其的方法 Download PDF

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TWI678953B
TWI678953B TW106122493A TW106122493A TWI678953B TW I678953 B TWI678953 B TW I678953B TW 106122493 A TW106122493 A TW 106122493A TW 106122493 A TW106122493 A TW 106122493A TW I678953 B TWI678953 B TW I678953B
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Steven Zeilinger
高賢鍾
Hyun-Jong KO
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Patrick Riley
姜錫民
Suk-Min Kang
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Abstract

在一些實施例中,一種製程包括將一鈀催化材料注塑成型為一基板;在基板的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜;燒蝕或去除基板的銅膜以提供銅膜的第一部分、第二部分以及可選的第三部分以及燒蝕的部分;電解鍍覆各部分以形成金屬鍍覆的部分;以及燒蝕或去除第二部分以隔離第一部分。金屬鍍覆的第一部分包括一模塑互連器件(MID)的一電路部分,而且其中金屬鍍覆的第三部分包括一模塑互連元件的一法拉第氏罩(Faraday cage)部分。可包括一軟蝕刻步驟。可添加一阻焊膜施加步驟連同一相關的阻焊膜去除步驟。

Description

模塑互連元件及製造其的方法
本發明是有關於一種方法,特別是指一種模塑互連元件及製造其的方法。
模塑互連元件(“MID”)是三維製造零件,其通常包括塑膠構件以及電子電路跡線。創建一塑膠基板或基座且將電氣電路和設備鍍覆、分層或植入在塑膠基板上。模塑互連元件通常比常規製造部件的零件少,這節省了空間和重量。模塑互連元件的應用包括行動電話、自動取款機、汽車的方向盤構件、RFID構件、照明設備、醫療設備以及許多其他的消費和/或商業產品。
目前模塑互連元件的製程包括雙射成型(two-shot molding)、雷射直接成型技術(LDS)、顯微集成加工技術(MIPTEC)以及一雷射加成技術(laser developed additive technology)。這些製程各在本領域中已經公知了一段時間,但是各具有其自己的缺點,使得許多人群認為對製造模塑互連元件的進一步改進將是有益的。
雙射成型涉及使用兩個分離的塑膠零件,通常是一個能鍍覆的和一個不能鍍覆的。能鍍覆的零件形成電路,而不能鍍覆的零件完成機械功能並完成成型(molding)。兩個零件融接(fuse)在一起且通過使用化學鍍(electroless plating)創建電路。能鍍覆的塑膠被金屬化,而不能鍍覆的塑膠保持不導電。
LDS技術涉及注塑成型(injection molding)步驟(使用任意各種介電熱塑性材料,包括聚醯胺,聚碳酸酯以及液晶聚合物)、雷射活化(activation)熱塑性材料、然後進行金屬化(化學鍍)。雷射將一佈線圖案刻蝕到零件上並準備將其金屬化。使用LDS時,僅需要單種熱塑性材料,從而使成型步驟成為單射製程(one-shot process),且與雙射成型製程相比通常是優選的。
由松下公司提供的MIPTEC技術涉及一成型階段、一電路形成階段、一鍍覆階段以及一切割階段。
成型階段包括使用一熱塑性樹脂(諸如聚鄰苯二甲醯胺(PPA))注塑成型所需的形狀。
電路形成階段包括兩個步驟,即:(1)金屬化;以及(2)圖案化。在基底金屬化製程(銅預鍍,copper-strike)中形成薄銅膜。然後使用一雷射去除銅並勾勒(outline)出電路圖案,其中雷射的波長和照射時間被優化以實現銅的去除但不損壞基板。
鍍覆階段包括兩個或三個步驟,即:(1)電解銅鍍覆;(2)可選的軟蝕刻(soft etching);以及(3)電解鎳鍍覆和金鍍覆。首先,電鍍覆銅以形成電路圖案。然後,如果需要,應用軟蝕刻以去除電路形成階段中未被雷射去除的不必要的銅預鍍。最後,將鎳和金鍍覆在電解鍍覆的銅上,形成電路圖案以有助防止氧化和腐蝕。
然後,一可選的切割階段包括將片材切成多個獨立的模塑互連元件。
因此,像LDS技術一樣,MIPTEC技術只有一單射成型製程,而且還可以提供能精細圖案化和安裝裸晶片的模塑互連元件。
雷射加成技術類似於MIPTEC技術,但允許其他熱塑性材料(諸如聚醯胺(PA)、聚碳酸酯(PC)以及丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)或液晶聚合物(LCP))在此製程中使用。然而,像聚鄰苯二甲醯胺(PPA)一樣,這些熱塑性材料都是介電材料並且在電路形成階段之前需要獨立的且額外的表面活化處理步驟。這個額外的步驟增加了這些技術的時間和費用。
MIPTEC和LDS技術製程針對不在視距內的鍍覆特徵存在局限性且在一些情況下甚至不可能。例如,如圖25和圖26所示,示出了一通孔型穿孔(via)60。如圖25所示,由於施加到塑膠表面的化學物質也需要施加到穿孔60的豎直壁上,所以通孔型穿孔60的鍍覆不能用MIPTEC技術製程實現。如圖26所示,因為由於雷射活化所需的入射角而不能實現豎直壁,所以通孔型穿孔60的鍍覆不能用一LDS技術製程實現。圖27示出了一不同的視距特徵70,這裡稱為一懸垂(overhang)或一底切(undercut),其可能用一MIPTEC和/或LDS技術製程是不可行的。
一種製程的一第一優選實施例包括步驟:將一鈀催化材料(例如 諸如樹脂或環氧成型化合物)注塑成型為一所需形狀的一鈀催化基板;在鈀催化基板的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜;從鈀催化基板上燒蝕或去除一些銅膜以提供銅膜的第一部分、第二部分以及可選的第三部分;電解鍍覆銅膜的第一部分、第二部分以及第三部分的每一個以形成金屬鍍覆的第一部分、第二部分以及第三部分;且燒蝕或去除第二部分以將金屬鍍覆的第一部分和金屬鍍覆的第三部分隔離,其中金屬鍍覆的第一部分包括一模塑互連元件(模塑互連元件)部分的一電路部分,而且其中金屬鍍覆的第三部分包括模塑互連元件的一法拉第氏罩部分。
一種製程的一第二優選實施例包括步驟:將一鈀催化材料(例如諸如樹脂或環氧成型化合物)注塑成型為一所需形狀的一鈀催化基板;在鈀催化基板的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜;從鈀催化基板上燒蝕或去除一些銅膜以提供銅膜的第一部分、第二部分以及可選的第三部分;電解銅鍍覆;軟蝕刻以去除任何不必要的銅;電解鎳鍍覆;電解金鍍覆;以及燒蝕或去除第二部分以將金屬鍍覆的第一部分和金屬鍍覆的第三部分隔離,其中金屬鍍覆的第一部分包括模塑互連元件的一電路部分,而且其中金屬鍍覆的第三部分包括模塑互連元件的一法拉第氏罩部分。
一種製程的一第三優選實施例包括步驟:將一鈀催化材料(例如諸如樹脂或環氧成型化合物)注塑成型為一所需形狀的一鈀催化基板;在鈀催化基板的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜;從鈀催化基板上燒蝕或去除一些銅膜以提供燒蝕的部分和銅膜的第一部分、第二部分以及可選的第三部分; 使銅膜的第一部分、第二部分以及第三部分的每一個電解鍍覆上銅鍍覆層;非選擇性地添加阻焊膜;從第一部分的多個部分(所述多個部分將形成用於將模塑互連元件連接於相關的設備或組件(諸如一印刷電路板)的多個接觸點)以及從所述燒蝕的部分選擇性地去除阻焊膜;覆使多個接觸點電解鍍覆上鎳鍍覆層和金鍍覆層以形成金屬鍍覆的第一部分、第二部分和第三部分;以及燒蝕或去除第二部分以將金屬鍍覆的第一部分與金屬鍍覆的第三部分隔離,其中金屬鍍覆的第一部分包括模塑互連元件的一電路部分,而且其中金屬鍍覆的第三部分包括模塑互連元件的一法拉第氏罩部分。
一種製程的一第四優選實施例包括步驟:將一鈀催化材料(例如諸如樹脂或環氧成型化合物)注塑成型為一所需形狀的一鈀催化基板;在鈀催化基板的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜;從鈀催化基板上燒蝕或去除一些銅膜以提供燒蝕的部分和銅膜的第一部分、第二部分以及可選的第三部分;使銅膜的第一部分、第二部分以及第三部分的每一個電解鍍覆上銅鍍覆層、鎳鍍覆層和金鍍覆層;非選擇性地添加阻焊膜;從第一部分的多個部分(所述多個部分將形成用於將模塑互連元件連接到相關的設備或組件(諸如一印刷電路板)的多個接觸點)以及從所述燒蝕的部分選擇性地去除阻焊膜;以及燒蝕或去除第二部分以將金屬鍍覆的第一部分與金屬鍍覆的第三部分隔離,其中金屬鍍覆的第一部分包括模塑互連元件的一電路部分,而且其中金屬鍍覆的第三部分包括模塑互連元件的一法拉第氏罩部分。
各製程產生具有一鈀催化基板的一模塑互連元件、一電路部分以 及一可選的法拉第氏罩部分,其中法拉第氏罩部分和電路部分可彼此隔離。
本發明形成一模塑互連元件的方法,所述方法包括步驟:a)將一鈀催化材料注塑成型為一所需形狀的一鈀催化基板;b)在所述鈀催化基板的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜;c)從所述鈀催化基板上燒蝕或去除一些所述銅膜以提供所述銅膜的至少第一部分和第二部分以及一個或多個燒蝕的部分;d)電解鍍覆銅膜的所述第一部分和第二部分的每一個以形成至少金屬鍍覆的第一部分和第二部分;以及e)燒蝕或去除所述第二部分以隔離所述金屬鍍覆的第一部分,其中所述金屬鍍覆的第一部分包括模塑互連元件的一電路部分。
在一些實施態樣中,在步驟c)中提供所述銅膜的一第三部分,其中在步驟d)中電解鍍覆所述銅膜的第三部分以形成一金屬鍍覆的第三部分,且其中,步驟e)產生包括模塑互連元件的一法拉第氏罩部分的金屬鍍覆的第三部分。
在一些實施態樣中,步驟(d)還包括電解銅鍍覆、電解鎳鍍覆以及電解金鍍覆。
在一些實施態樣中,還包括:軟蝕刻步驟以去除任何不必要的銅,其中,所述軟蝕刻步驟在所述的電解銅鍍覆步驟之後且電解鎳鍍覆步驟之前進行。
在一些實施態樣中,在步驟a1)中所述注塑成型步驟提供具有多個所述鈀催化基板的一片材。
在一些實施態樣中,還包括:將所述片材切塊以將多個模塑互連元件彼此分離的步驟f)。
本發明形成一模塑互連元件的方法,所述方法包括步驟:a)將一鈀催化材料注塑成型為一所需形狀的一鈀催化基板;b)在所述鈀催化基板的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜;c)從所述鈀催化基板上燒蝕或去除一些銅膜以提供第一部分和第二部分以及一個或多個燒蝕的部分;d)使所述銅膜的第一部分電解鍍覆上一第一鍍覆物以形成一組件;e)非選擇性地將阻焊膜添加到所述組件上;f)從所述第一部分的一個或多個部分上燒蝕或去除所述阻焊膜;g)電解鍍覆所述第一部分的所述一個或多個部分以形成一金屬鍍覆的第一部分;以及h)燒蝕或去除所述第二部分、第二部分上的阻焊膜以及所述一個或多個燒蝕的部分上的阻焊膜以隔離所述金屬鍍覆的第一部分,其中所述金屬鍍覆的第一部分包括模塑互連元件的一電路部分。
在一些實施態樣中,步驟c)提供所述銅膜的一第三部分,其中,步驟d)電解鍍覆所述銅膜的第三部分以形成一金屬鍍覆的第三部分,而且其中,步驟h)產生包括模塑互連元件的一法拉第氏罩部分的所述金屬鍍覆的第三部分。
在一些實施態樣中,所述燒蝕或去除一個或多個燒蝕的部分上的阻焊膜的步驟在步驟f)期間進行。
在一些實施態樣中,在步驟d)中所述鍍覆物是銅鍍覆層,且其中,步驟g)包括電解鎳鍍覆的步驟以及電解金鍍覆的步驟。
在一些實施態樣中,還包括:軟蝕刻步驟以去除任何不必要的銅,其中,所述軟蝕刻步驟在步驟d)之後進行。
在一些實施態樣中,步驟a)提供具有多個所述鈀催化基板的一片材。
在一些實施態樣中,還包括:將所述片材切塊以將多個模塑互連元件彼此分離的步驟i)。
本發明形成一模塑互連元件的方法,所述方法包括步驟:a)將一鈀催化材料注塑成型為一所需形狀的一鈀催化基板;b)在所述鈀催化基板的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜;c)從所述鈀催化基板上燒蝕或去除一些所述銅膜以提供所述銅膜的第一部分和第二部分以及一個或多個燒蝕的部分;d)使所述銅膜的第一部分電解鍍覆上一鍍覆物以形成一組件;e)非選擇性地將阻焊膜添加到所述組件上;f)燒蝕或去除所述第二一部分、第二部分上的阻焊膜、所述第一部分的一個或多個部分上的阻焊膜以及所述一個或多個燒蝕的部分上的阻焊膜以隔離金屬鍍覆的第一部分,所述金屬鍍覆的第一部分包括模塑互連元件的一電路部分。
在一些實施態樣中,步驟c)提供所述銅膜的一第三部分,其中,步驟d)電解鍍覆所述銅膜的第三部分以形成一金屬鍍覆的第三部分,而且其中,步驟g)產生包括模塑互連元件的一法拉第氏罩部分的所述金屬鍍覆的第三部分。
在一些實施態樣中,所述燒蝕或去除一個或多個燒蝕的部分上的 阻焊膜的步驟在步驟f)期間進行。
在一些實施態樣中,步驟d)包括電解銅鍍覆的步驟、電解鎳鍍覆的步驟以及電解金鍍覆的步驟。
在一些實施態樣中,還包括:軟蝕刻的步驟以去除任何不必要的銅,其中,所述軟蝕刻步驟在所述電解銅鍍覆步驟之後進行。
在一些實施態樣中,步驟a)提供具有多個所述鈀催化基板的一片材。
在一些實施態樣中,還包括:步驟h)將所述片材切塊以將多個模塑互連元件彼此分離。
本發明模塑互連元件,包括:一鈀催化基板;一電路部分;以及一法拉第氏罩部分,所述法拉第氏罩部分與所述電路部分隔離。
在一些實施態樣中,所述電路部分以及法拉第氏罩部分各具有固定於所述鈀催化基板的一金屬化層以及固定於所述金屬化層的一電解金屬鍍覆層。
在一些實施態樣中,所述金屬化層由銅形成。
在一些實施態樣中,所述電解金屬鍍覆層由一電解銅鍍覆層、一電解鎳鍍覆層以及一電解金鍍覆層形成。
以下將進一步詳細說明本發明的這些和其他方面和特徵。
50‧‧‧模塑互連元件
60‧‧‧穿孔
70‧‧‧視距特徵
100、200、300、400‧‧‧製程
110‧‧‧步驟
112‧‧‧片材
114‧‧‧基板
120‧‧‧步驟
122‧‧‧銅膜
123‧‧‧第一組件
124‧‧‧部分
130‧‧‧步驟
131、132‧‧‧部分
133‧‧‧第二組件
134‧‧‧第一部分
136‧‧‧第二部分
138‧‧‧第三部分
140‧‧‧步驟
141、142、143‧‧‧步驟
143‧‧‧第三組件
144‧‧‧第一部分
146‧‧‧第二部分
148‧‧‧第三部分
150‧‧‧步驟
152‧‧‧部分
153‧‧‧第四組件
160‧‧‧步驟
162‧‧‧鋸道
173‧‧‧銅鍍覆層
174‧‧‧鎳鍍覆層
175‧‧‧金鍍覆層
245‧‧‧步驟
337‧‧‧阻焊膜
339‧‧‧部分
380、381‧‧‧步驟
439‧‧‧部分
490、491‧‧‧步驟
本發明之其他的特徵及功效,將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現,其中:圖1是一流程圖,示出一模塑互連元件的一製程的一第一實施例的步驟;圖2是一流程圖,示出製程的第一實施例的一電解鍍覆步驟的子步驟;圖3是一片材的一立體圖;圖4是與片材分離的其中一個基板的一立體圖;圖5是圖4的基板的一俯視圖;圖6是圖4的基板的一仰視圖;圖7是一第一組件的一剖開圖;圖8是一第二組件的一立體圖;圖9是圖8的第二組件的一俯視圖;圖10是圖8的第二組件的一仰視圖;圖11是一第三組件的一立體圖;圖12是圖11的第三組件的一俯視圖;圖13是圖11的第三組件的一仰視圖;圖14是根據一實施例的圖11的第三組件的以立體示出的一剖開圖;圖15是圖14的一部分的一放大圖;圖16是一第四組件的一平面圖;圖17是一流程圖,示出製造一模塑互連元件的一工藝的一第二實施例的步驟; 圖18是一流程圖,示出製造一模塑互連元件一工藝的一第三實施例的步驟;圖19是根據第三實施例模塑互連元件在形成期間的一部分立體剖開圖;圖20是根據第三實施例模塑互連元件在形成期間的一立體圖;圖21是根據第三實施例模塑互連元件在形成期間的一立體圖;圖22是一流程圖,示出製造一模塑互連元件的一工藝的一第四實施例的步驟;圖23是根據第四實施例模塑互連元件在形成期間的一部分立體剖開圖;圖24是根據第四實施例模塑互連元件在形成期間的一立體圖;圖25至圖27示出有現有技術的視距特徵的剖視圖,諸如可以通過工藝的任何實施例進行鍍覆的通孔型穿孔和懸垂或底切。
本發明涉及用於形成一模塑互連元件50的新穎的製程100、200、300、400。製程100、200、300、400對模塑互連元件(諸如印刷電路板、柔性電路、連接器、熱管理特徵、電磁干擾(EMI)屏蔽、大電流導體、射頻識別(RFID)裝置、天線、無線電源、感測器、MEMS裝置、LED、微處理器和記憶體、ASIC、被動部件以及其他電氣裝置和機電裝置)的創建是有用的。
關注與用於形成模塑互連元件50的製程100的一第一實施例有關的圖1至圖16。圖1示出說明製程100的步驟的一流程圖。圖2示出說明製程100 的一子過程的步驟的一流程圖。製程100包括一成型階段、一電路形成階段、一鍍覆階段以及一切割階段。
製程100的成型階段有利地只包括一單個步驟,該步驟將由附圖標記110標示。步驟110是一注塑成型步驟,其中,一鈀催化材料(在本領域中有時稱為鈀摻雜)(例如,諸如樹脂或環氧成型(expoxy molding)化合物)以出於生產的目的包含多個連接的基板114(各以預定形狀形成)的一片材112的形式注塑成型。各基板114可以以一所期望的三維形狀形成。在一些實施例中,各基板114由相同的三維形狀製成。圖3示出在步驟110完成後模塑互連元件50的形成,其中片材112包括多個基板114。圖4至圖6示出一單個的基板114。 注塑成型的材料是一鈀催化樹脂,但是旨在包括其中鈀(或不需要進行表面處理以接受金屬化的任何類似的材料)被提供在材料本身內或注入材料本身內的各種材料。
製程100的電路形成階段包括將稱為步驟120和步驟130的兩個步驟。
步驟120是一金屬化步驟,其中在鈀催化基板114的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜122以形成一第一組件123。金屬化步驟120通常稱為銅預鍍。圖7示出步驟120完成後模塑互連元件50的形成,其中基板114具有形成於其上的銅膜122(為了清楚起見,第一組件123以剖開示出,以示出基板114)。 不具有形成於其上的銅膜122的部分124(為了清楚起見用陰影線標示)是基板114連接於片材112中的相鄰基板114的地方。部分124只是用來說明但不表示所 要求的用於連接點的位置。
步驟130是一電路圖案化步驟,其中一雷射(未示出)將銅膜122的部分從第一組件123上燒蝕(ablate)或去除,以使基板114的部分131、132露出且形成一第二組件133。此操作在剩餘的銅膜122內定義且勾勒出一電路圖案以提供給模塑互連元件50。圖8至圖10示出步驟130完成後模塑互連元件50的形成,其中未燒蝕/去除的銅膜122優選地包括第一部分134、第二部分136以及可選的且大小/形狀可選擇的第三部分138,這三個部分將經歷鍍覆階段,這在下面將作進一步說明。第一部分134形成電路圖案,如果設置第三部分138,第二部分136形成將第一部分134連接於第三部分138的一匯流排部分;且如果設置第三部分138,第三部分138通常是一法拉第氏罩部分(Faraday cage portion)(在下文中,第二部分136以單數說明,但可能設置超過一個的第二部分136;在下文中,第三部分138以單數說明,但可能設置超過一個的第三部分138)。剩餘的步驟將描述和說明示出的第三部分138,同時理解的是第三部分138的大小/形狀可根據要求改變,且還理解的是可能根本不設置第三部分138。
製程100的鍍覆階段包括將稱為步驟140和步驟150的兩個步驟。
步驟140是一電解鍍覆步驟,其中一探測器(未示出)貼接或連接於第一部分134、第二部分136以及第三部分138中的一個且電流經第一部分134、第二部分136以及第三部分138並且將來自所需金屬浴槽(metallic bath)的所需的金屬分子被吸引並固定於第一部分134、第二部分136以及第三部分138,直到第一部分134、第二部分136以及第三部分138的所需的金屬鍍覆層達 到所需的厚度,因此形成金屬鍍覆的第一部分144、第二部分146以及第三部分148(將理解的是,金屬鍍覆的第三部分148將僅在設置第三部分138時才形成),從而形成一第三組件143。圖11至圖13示出步驟140完成後模塑互連元件50的形成。
將理解的是電解鍍覆步驟140可包括根據需要的任何金屬的電解鍍覆。在一優選的實施例中,電解鍍覆步驟140開始於一步驟141,其中一銅材料電解鍍覆於第一部分144、第二部分146以及第三部分148上以形成一銅鍍覆層173;接著是一步驟142,其中一鎳材料電解鍍覆於銅鍍覆層173上以形成一鎳鍍覆層174;接著是一步驟143,其中一金材料電解鍍覆於鎳鍍覆層174上以形成一金鍍覆層175,如圖14和圖15所示。
步驟150是一電路隔離步驟,其中一雷射(未示出)燒蝕或去除形成的第二(匯流排)部分136/146,從第二部分146開始且終止於第二部分136,直到基板114的表面設於第一部分144和第三部分148之間,從而使基板114的部分152設置成是可見的,從而形成一第四組件153。燒蝕的部分152連接於燒蝕的部分132或與燒蝕的部分132連續,燒蝕的部分132即為一位於第一部分144和第三部分148之間的凹槽部,這樣第一部分144(即電路圖案)藉由凹槽部與第三部分148(即法拉第氏罩部分)隔離。圖16示出步驟150完成後的模塑互連元件50。
參閱圖3及圖7,步驟160是一切割步驟,其中將片材112切塊(dice)以將各模塑互連元件50分離。片材112可沿著鋸道(saw streets)162被 切塊(鋸道162未在圖4至圖16示出),從而露出部分124。
在執行製程100的步驟160之前或是之後,可以根據需要且以多種已知的方式中的任何一種方式檢測一個或多個模塑互連元件50,以確保模塑互連元件50適合於其預期用途。而後模塑互連元件50可封裝和運輸。如果需要,在封裝和運輸模塑互連元件50之前電子元件還可電連接且固定於第一部分144,即電路部分。將理解的是,模塑互連元件50的片材112可在切割步驟160執行之前被封裝和運輸。
關注與用於形成模塑互連元件50的製程200的一第二實施例相關的圖17。圖17示出說明製程200的步驟的一流程圖。像製程100一樣,製程200包括一成型階段、一電路形成階段、一鍍覆階段以及一切割階段。製程200包括來自製程100的各相同的步驟110、120、130、140(包括步驟141、142、143)、150、160,而且還包括優選是鍍覆階段的一部分的另一步驟245。步驟245是一軟蝕刻步驟,軟蝕刻步驟將優選在步驟141之後但步驟142之前進行。作為軟蝕刻步驟245的一部分,應用軟蝕刻以將任何不必要的銅從不是模塑互連元件50的第一部分144、第二部分146或第三部分148中的部分去除且避免任何不必要的鎳且/或金鍍覆。
關注與用於形成模塑互連元件50的製程300的一第三實施例相關的圖18至圖21。圖18示出說明製程300的步驟的一流程圖。像製程100一樣,製程300包括一成型階段、一電路形成階段、一鍍覆階段以及一切割階段。製程300包括來自製程100的各相同的步驟110、120、130、141、142、143、150、 160,還包括在步驟141之後且步驟142之前的步驟380、381。軟蝕刻步驟245可包含在步驟141之後。
步驟380是一阻焊膜(solder resist)添加步驟,其中阻焊膜337被非選擇性地添加到整個組件(包括銅鍍覆層173以及燒蝕的部分131、132)上,如圖19所示。步驟381是一阻焊膜去除步驟,其中一雷射(未示出)將阻焊膜337從覆蓋(overlaying)第一部分134的銅鍍覆層173的一個或多個部分339燒蝕或去除,這將形成用於將模塑互連元件50連接於一相關的設備或組件(諸如一印刷電路板)的接觸點,如圖20所示。在一些實施例中,燒蝕的部分131、132上以及第二部分136上的阻焊膜337也在步驟381中去除。在一些實施例中,所有覆蓋燒蝕的部分131、132的阻焊膜337均被去除。在一些實施例中,覆蓋燒蝕的部分131、132的阻焊膜337僅一部分被去除。可替代地或另外地,在步驟150期間,將阻止第一部分144隔離的第二部分136上的阻焊膜337以及殘留在被燒蝕部分131、132上的阻焊膜337去除。此後,在步驟142以及步驟143中,如圖21所示,鎳鍍覆層174和金鍍覆層175只電解鍍覆於部分339。這個製程300減少了所使用的貴金屬的量,並且一旦將所得的模塑互連元件50焊接於另一部件上,就限制焊料流動。
關注與用於形成模塑互連元件50的製程400的一第四實施例相關的圖22至圖24。圖22示出說明製程400的步驟的一流程圖。像製程100一樣,製程400包括一成型階段、一電路形成階段、一鍍覆階段以及一切割階段。製程400包括來自製程100的各相同的步驟110、120、130、141、142、143、150、 160,還包括在步驟143之後且步驟150之前的步驟490、491。軟蝕刻步驟245可包含在步驟141之後。
步驟490是一阻焊膜添加步驟,其中阻焊膜337非選擇性地添加到整個組件(包括金鍍覆層175以及燒蝕的部分131、132)上,如圖23所示。步驟491是一阻焊膜去除步驟,其中一雷射(未示出)將阻焊膜337從覆蓋第一部分134的金鍍覆層175的一個或多個部分439(其將形成用於將模塑互連元件50連接於一相關的設備或組件(諸如一印刷電路板)的接觸點)燒蝕或去除,如圖24所示。在一些實施例中,在步驟491中也去除燒蝕的部分131、132上和第二部分136上的阻焊膜337。在一些實施例中,覆蓋燒蝕的部分131、132的所有阻焊膜337被去除。在一些實施例中,覆蓋燒蝕的部分131、132的阻焊膜337的僅一部分被去除。可替代地或另外地,在步驟150中,阻止第一部分144被隔離的第二部分136上的阻焊膜337以及殘留在被燒蝕部分131、132上的阻焊膜337將被去除。這個製程400一旦產生的模塑互連元件50被焊接於另一部件上,就限制焊料流動。
與現有公知的模塑互連元件製程相比,形成模塑互連元件50的製程100、200、300、400是有優勢的,特別是與MIPTEC和雷射加成技術工藝相比。更具體地,因為注塑成型材料注入有鈀,則在所有的現有公知的模塑互連元件製程中所要求的對基板114進行任何類型的表面活化處理不是必須的。因此,製程100、200、300、400去除所有現有公知的模塑互連元件製程都需要的一步驟,從而節省製造成本和製造時間。
針對不在視距內的鍍覆特徵,MIPTEC和LDS技術工藝還有局限性且在一些情況下甚至不可能。例如,如圖25和圖26所示,示出一通孔類型的穿孔60。如圖25所示,通孔類型的穿孔60的鍍覆不能通過MIPTEC技術工藝實現,因為施加到塑膠表面的化學物質也需要施加於穿孔60的豎直壁上。如圖26所示,通孔類型的穿孔60的鍍覆無法通過LDS技術工藝實現,因為由於雷射活化所需的入射角而無法實現豎直壁。圖27示出一不同的視距特徵70,這裡稱為一懸垂或一底切,這在一MIPTEC且/或LDS技術工藝可能是不可行的。然而,圖25至圖27的通孔類型的穿孔60和視距特徵(懸垂/底切)70可以容易地採用本文說明和示出的製程100、200、300、400進行鍍覆。
此外,與現有公知的模塑互連元件製程相比,已確定製程100、200、300、400提供了改進的鍍覆粘合性,從而使由製程100、200、300、400形成的模塑互連元件50比由現有公知的模塑互連元件製程形成的模塑互連元件更強壯(robust)和可靠。
有利地,製程100、200、300、400各可提供具有一法拉第氏罩結構的一模塑互連元件50,其中第三部分148提供為任何封裝的積體電路應用在提供更好的EMI屏蔽上有用的法拉第氏罩結構。為了協助提供法拉第氏罩結構,設置於片材112的各基板114可具有沿鋸道162形成的一個或多個穿孔(未示出),即在步驟160期間將片材112切塊以提供多個獨立的模塑互連元件50。這些穿孔允許對模塑互連元件50的各自的所有面用步驟120以及步驟140/141-143金屬化以及電解鍍覆。將理解的是,如果提供法拉第氏罩結構,則 法拉第氏罩結構的大小/形狀可以根據需要變化。
在此引用的包括出版物、專利申請以及專利的所有參考文獻在此通過援引而同等程度地合併,就像各個參考文獻單獨且具體指出為通過援引合並且其整體上被闡述的一樣。
在說明本發明的上下文中(尤其是在下面申請專利範圍的上下文 中),術語“一(用於輔音前)”及“一(用於母音前)”和“所述”以及“至少一個”和類似的指稱(referents)的使用將解釋為涵蓋單數和複數形式,除非本文另有說明或上下文明確否認。後隨一個或多個物品的一列表的術語“至少一個”的使用(例如“A和B中的至少一個”)將解釋為指的是從所列的物品中選擇的一個物品(A或B)或所列的物品中的兩個或更多個的任意組合(A和B),除非另有說明或上下文明確否認。除非另有說明,術語“包括”、“具有”、“包含”以及“含有”將被解釋為開放性術語(即意味著“包括但不限於”)。本文中引用的數值範圍僅旨在作為一種將落入在該範圍內的各單值獨立參照的簡略方式,除非本文另有說明,且各單值合併到本說明書中,就像它獨立在本文中被引用一樣。此處說明的所有工藝可以以任何合適的循序執行,除非本文另有說明或上下文明確否認。本文提供的任一和所有的例子或示範性的語言(例如“諸如”)的使用旨在僅更好地解釋本發明且不是對本發明的範圍進行限制,除非另有主張。在本申請中沒有任何語言應被解釋為表明任何未主張的部件對實踐本發明是必不可少的。
本文說明了本發明的優選實施例,包括發明人瞭解的實現本發明 的最佳方式。對於本領域普通技術人員而言,通過閱讀前述說明,這些優選實施例的變型可能變得顯而易見。發明人期望本領域普通技術員合適地使用這些變型,並且發明人意指本發明將在除了本文具體說明以外的方法實施。因此,在適用法律允許的情況下,本發明包括隨附申請專利範圍引用的主題的所有修改及等同物。此外,上述部件在其所有可能的變型下的任何組合將包括在本發明內,除非另有說明或上下文明確否認。

Claims (24)

  1. 一種形成模塑互連元件的方法,所述方法包括步驟:a)將一鈀催化材料注塑成型為一所需形狀的一鈀催化基板;b)在所述鈀催化基板的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜;c)從所述鈀催化基板上燒蝕或去除一些所述銅膜以提供所述銅膜的至少第一部分和第二部分以及一個或多個燒蝕的部分;d)電解鍍覆銅膜的所述第一部分和第二部分的每一個以形成至少金屬鍍覆的第一部分和第二部分;以及e)燒蝕或去除所述第二部分以隔離所述金屬鍍覆的第一部分,其中所述金屬鍍覆的第一部分包括模塑互連元件的一電路部分。
  2. 如請求項1所述形成模塑互連元件的方法,其中,在步驟c)中提供所述銅膜的一第三部分,其中在步驟d)中電解鍍覆所述銅膜的第三部分以形成一金屬鍍覆的第三部分,且其中,步驟e)產生包括模塑互連元件的一法拉第氏罩部分的金屬鍍覆的第三部分。
  3. 如請求項1所述形成模塑互連元件的方法,其中,步驟(d)電解鍍覆包括電解銅鍍覆的步驟、電解鎳鍍覆的步驟以及電解金鍍覆的步驟。
  4. 如請求項3所述形成模塑互連元件的方法,還包括:軟蝕刻步驟以去除任何不必要的銅,其中,所述軟蝕刻步驟在所述的電解銅鍍覆步驟之後且電解鎳鍍覆步驟之前進行。
  5. 如請求項1所述形成模塑互連元件的方法,其中,在步驟a)中所述注塑成型步驟提供具有多個所述鈀催化基板的一片材。
  6. 如請求項5所述形成模塑互連元件的方法,還包括:將所述片材切塊以將多個模塑互連元件彼此分離的步驟f)。
  7. 一種形成模塑互連元件的方法,所述方法包括步驟:a)將一鈀催化材料注塑成型為一所需形狀的一鈀催化基板;b)在所述鈀催化基板的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜;c)從所述鈀催化基板上燒蝕或去除一些銅膜以提供第一部分和第二部分以及一個或多個燒蝕的部分;d)使所述銅膜的第一部分電解鍍覆上一第一鍍覆物以形成一組件;e)非選擇性地將阻焊膜添加到所述組件上;f)從所述第一部分的一個或多個部分上燒蝕或去除所述阻焊膜;g)電解鍍覆所述第一部分的所述一個或多個部分以形成一金屬鍍覆的第一部分;以及h)燒蝕或去除所述第二部分、第二部分上的阻焊膜以及所述一個或多個燒蝕的部分上的阻焊膜以隔離所述金屬鍍覆的第一部分,其中所述金屬鍍覆的第一部分包括模塑互連元件的一電路部分。
  8. 如請求項7所述形成模塑互連元件的方法,其中,步驟c)提供所述銅膜的一第三部分,其中,步驟d)電解鍍覆所述銅膜的第三部分以形成一金屬鍍覆的第三部分,而且其中,步驟h)產生包括模塑互連元件的一法拉第氏罩部分的所述金屬鍍覆的第三部分。
  9. 如請求項7所述形成模塑互連元件的方法,其中,所述燒蝕或去除一個或多個燒蝕的部分上的阻焊膜的步驟在步驟f)期間進行。
  10. 如請求項7所述形成模塑互連元件的方法,其中,在步驟d)中所述鍍覆物是銅鍍覆層,且其中,步驟g)包括電解鎳鍍覆的步驟以及電解金鍍覆的步驟。
  11. 如請求項10所述形成模塑互連元件的方法,還包括:軟蝕刻步驟以去除任何不必要的銅,其中,所述軟蝕刻步驟在步驟d)之後進行。
  12. 如請求項7所述形成模塑互連元件的方法,其中,步驟a)提供具有多個所述鈀催化基板的一片材。
  13. 如請求項12所述形成模塑互連元件的方法,還包括:將所述片材切塊以將多個模塑互連元件彼此分離的步驟i)。
  14. 一種形成模塑互連元件的方法,所述方法包括步驟:a)將一鈀催化材料注塑成型為一所需形狀的一鈀催化基板;b)在所述鈀催化基板的外部的且露出的表面上形成一薄銅膜;c)從所述鈀催化基板上燒蝕或去除一些所述銅膜以提供所述銅膜的第一部分和第二部分以及一個或多個燒蝕的部分;d)使所述銅膜的第一部分電解鍍覆上一鍍覆物以形成一組件;e)非選擇性地將阻焊膜添加到所述組件上;f)燒蝕或去除所述第二部分、第二部分上的阻焊膜、所述第一部分的一個或多個部分上的阻焊膜以及所述一個或多個燒蝕的部分上的阻焊膜以隔離金屬鍍覆的第一部分,所述金屬鍍覆的第一部分包括模塑互連元件的一電路部分。
  15. 如請求項14所述形成模塑互連元件的方法,其中,步驟c)提供所述銅膜的一第三部分,其中,步驟d)電解鍍覆所述銅膜的第三部分以形成一金屬鍍覆的第三部分,而且其中,步驟f)產生包括模塑互連元件的一法拉第氏罩部分的所述金屬鍍覆的第三部分。
  16. 如請求項14所述形成模塑互連元件的方法,其中,所述燒蝕或去除一個或多個燒蝕的部分上的阻焊膜的步驟在步驟f)期間進行。
  17. 如請求項14所述形成模塑互連元件的方法,其中,步驟d)電解鍍覆包括電解銅鍍覆的步驟、電解鎳鍍覆的步驟以及電解金鍍覆的步驟。
  18. 如請求項17所述形成模塑互連元件的方法,還包括:軟蝕刻的步驟以去除任何不必要的銅,其中,所述軟蝕刻步驟在所述電解銅鍍覆的步驟之後進行。
  19. 如請求項14所述形成模塑互連元件的方法,其中,步驟a)提供具有多個所述鈀催化基板的一片材。
  20. 如請求項19所述形成模塑互連元件的方法,還包括:步驟g)將所述片材切塊以將多個模塑互連元件彼此分離。
  21. 一種模塑互連元件,包括:一鈀催化基板;一電路部分;以及一法拉第氏罩部分,所述法拉第氏罩部分包圍所述電路部分,並與所述電路部分隔離;其中,所述電路部分以及法拉第氏罩部分各具有固定於所述鈀催化基板的一金屬化層,所述法拉第氏罩部分藉由一位於所述電路部分的所述金屬化層以及所述法拉第氏罩部分的所述金屬化層之間的凹槽部以與所述電路部分隔離。
  22. 如請求項21所述的模塑互連元件,其中,所述電路部分以及法拉第氏罩部分各還具有固定於所述金屬化層的一電解金屬鍍覆層。
  23. 如請求項22所述的模塑互連元件,其中,所述金屬化層由銅形成。
  24. 如請求項22所述的模塑互連元件,其中,所述電解金屬鍍覆層由一電解銅鍍覆層、一電解鎳鍍覆層以及一電解金鍍覆層形成。
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