TWI676213B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明之基板處理裝置包含：基板保持單元，其保持基板；處理液流通構件，其利用內壁面區劃與向保持於上述基板保持單元之基板噴出處理液之噴出口連通之處理液流通路的至少一部分；處理液供給單元，其將較常溫高之高溫之處理液供給至上述處理液流通路；溫度變化單元，其用於對上述處理液流通構件之外壁面自外側進行加熱或冷卻，使上述處理液流通構件發生溫度變化；及控制裝置，其執行基板處理步驟及平衡溫度維持步驟，上述基板處理步驟係對上述處理液供給單元進行控制，向上述處理液流通路供給較常溫高之高溫之處理液，並自上述噴出口噴出上述高溫之處理液，藉此對保持於基板保持單元之基板實施處理，上述平衡溫度維持步驟係於不自上述處理液供給單元向上述處理液流通路供給處理液之狀態下，對上述溫度變化單元進行控制，將上述處理液流通構件之內壁面維持在熱平衡溫度。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。對於成為處理對象之基板，例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。

於半導體裝置或液晶顯示裝置之製造步驟中，對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行使用處理液之處理。例如，對基板逐片進行處理之單片式基板處理裝置具備使基板保持水平並使其旋轉之旋轉夾頭、及向保持於該旋轉夾頭之基板之表面供給處理液之噴嘴。對於噴嘴，有供給溫度調整為特定之高溫之處理液者(例如，日本專利特開2013-172079號公報)。

然而，於日本專利特開2013-172079號公報所記載之基板處理裝置中，於自噴嘴之噴出停止狀態下，噴嘴之管壁或處理液配管之管壁溫度下降。因此，於自使用高溫之處理液之上一次處理起經過長時間後，再開始使用高溫之處理液之處理時，有輸送至處理液配管或噴嘴之高溫之處理液與溫度較低之噴嘴之管壁或處理液配管之管壁發生熱交換而被冷卻之虞。因此，再開始使用高溫之處理液之處理時，有將溫度下降之處理液供給至基板之虞。若高溫之處理液較所期望之溫度低，則產生處理速率下降等問題。並且，於其後連續進行處理之情形時，每當重複處理時，管壁便會溫度上升，而自噴嘴噴出具有所期望之高溫之處理液。因此，有因此種熱影響而導致基板間之處理產生偏差之虞。 即，於對複數片基板反覆連續地實施高溫處理之情形時，要求抑制或防止因此種熱影響而導致之基板間之處理之偏差。 因此，本發明之目的在於提供一種可抑制或防止基板間之處理之偏差之基板處理裝置及基板處理方法。 本發明提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其保持基板；處理液流通構件，其具有內壁面及外壁面，且利用上述內壁面區劃與向保持於上述基板保持單元之基板噴出處理液之噴出口連通之處理液流通路的至少一部分；處理液供給單元，其將較常溫高之高溫之處理液供給至上述處理液流通路；溫度變化單元，其用以對上述處理液流通構件之上述外壁面自外側進行加熱或冷卻而使上述處理液流通構件發生溫度變化；及控制裝置，其執行基板處理步驟及平衡溫度維持步驟，上述基板處理步驟係對上述處理液供給單元進行控制而向上述處理液流通路供給較常溫高之高溫之處理液，並自上述噴出口噴出上述高溫之處理液，藉此對保持於基板保持單元之基板實施處理，上述平衡溫度維持步驟係於不自上述處理液供給單元向上述處理液流通路供給處理液之狀態下，對上述溫度變化單元進行控制而將上述處理液流通構件之上述內壁面維持為熱平衡溫度。 於本說明書中，所謂熱平衡溫度，係指於反覆連續地執行基板處理步驟之情形時收斂的上述處理液流通構件之內壁面之溫度。 根據該構成，利用溫度變化單元對處理液流通構件中之外壁面進行加熱或冷卻而使處理液流通構件發生溫度變化，藉此，於不向處理液流通路供給高溫之處理液之狀態下，處理液流通構件之內壁面維持為熱平衡溫度。 熱平衡溫度係於反覆連續地執行基板處理步驟之情形時收斂之內壁面之溫度。藉由在不向處理液流通路供給高溫之處理液之狀態下將處理液流通構件之內壁面維持為熱平衡溫度，而於接下來執行之基板處理步驟中，處理液流通構件之內壁面維持為熱平衡溫度。不僅如此，而且於此後反覆執行之基板處理步驟中，處理液流通構件之內壁面亦維持為熱平衡溫度。即，於內壁面無溫度變化。 供給至處理液流通路之高溫之處理液係在與維持為熱平衡溫度之處理液流通構件之內壁面接觸之後自噴出口噴出。由於在內壁面無溫度變化，故而可使來自噴出口之處理液之溫度於複數個基板處理步驟間保持均勻。藉此，可抑制或防止基板間之處理之偏差。 於本發明之一實施形態中，上述控制裝置於上述平衡溫度維持步驟中執行如下步驟，即，將上述內壁面保持為熱平衡溫度，且將上述外壁面保持為較常溫高且較上述熱平衡溫度低之特定溫度。 根據該構成，將外壁面保持為較常溫高且較熱平衡溫度低之特定溫度。藉此，可於外壁面抑制或防止熱之進出，換言之，可抑制或防止相對於處理液流通構件之熱之進出。因此，可將內壁面持續維持為熱平衡狀態。 又，上述控制裝置亦可於上述平衡溫度維持步驟開始時執行：第1加熱步驟，其係對上述外壁面進行加熱以使該外壁面之溫度升溫至較上述熱平衡溫度更高溫；冷卻步驟，其係繼上述第1加熱步驟之後，將上述外壁面冷卻以使該外壁面之溫度下降至較處理液之溫度更低溫；及第2加熱步驟，其係繼上述冷卻步驟之後，以將上述內壁面保持為熱平衡溫度之方式且以將上述外壁面之溫度保持為上述特定溫度之方式對該外壁面進行加熱。 根據該構成，於平衡溫度維持步驟開始時，首先藉由利用溫度變化單元對外壁面進行加熱，而使外壁面之溫度升溫至較熱平衡溫度更高溫。然後，藉由利用溫度變化單元將外壁面冷卻而使外壁面之溫度下降。繼而，藉由利用溫度變化單元對外壁面進行加熱，而將處理液流通構件之內壁面保持為熱平衡溫度且將外壁面之溫度保持為特定溫度。如此，可利用相對簡單之方法實現處理液流通構件之內壁面保持為熱平衡溫度且外壁面保持為較常溫高且較熱平衡溫度低之特定溫度的狀態。 又，一種基板處理裝置，其中上述控制裝置係根據於繼上述平衡溫度維持步驟之後執行之上述基板處理步驟中所使用之處理液的溫度，而對該平衡溫度維持步驟中設定之上述熱平衡溫度進行調整，且上述控制裝置係基於所設定之上述熱平衡溫度而執行上述平衡溫度維持步驟。 根據該構成，於在2個基板處理步驟中使用溫度互不相同之高溫之處理液之情形時，於在該等2個基板處理步驟之間執行之平衡溫度維持步驟中，將處理液流通構件之內壁面調整為與接下來執行之基板處理步驟中所使用之處理液之溫度對應的熱平衡溫度。藉此，於此後執行之基板處理步驟中，將處理液流通構件之內壁面持續維持為熱平衡溫度。藉此，即便於應噴出之高溫之處理液之溫度於中途改變的情形時，亦可於此後之高溫處理中抑制或防止基板間之偏差。 又，上述處理液流通構件亦可包含具有上述噴出口之噴嘴。 根據該構成，利用溫度變化單元對噴嘴之外壁面進行加熱或冷卻而使噴嘴發生溫度變化，藉此，於不向噴嘴之內部供給高溫之處理液之狀態下，噴嘴之內壁面維持為熱平衡溫度。 熱平衡溫度係於反覆連續地執行基板處理步驟之情形時收斂的噴嘴之內壁面之溫度。藉由在不向處理液流通路供給高溫之處理液之狀態下將噴嘴之內壁面維持為熱平衡溫度，而於接下來執行之基板處理步驟中，噴嘴之內壁面維持為熱平衡溫度。不僅如此，而且於此後反覆執行之基板處理步驟中，噴嘴之內壁面亦維持為熱平衡溫度。即，於噴嘴之內壁面無溫度變化。 供給至噴嘴之內部之高溫之處理液係在與維持為熱平衡溫度之噴嘴之內壁面接觸之後自噴出口噴出。由於在噴嘴之內壁面無溫度變化，故而可使自噴出口噴出之處理液之溫度於複數個基板處理步驟間保持均勻。藉此，可抑制或防止基板間之處理之偏差。 於此種情形時，上述噴嘴亦可設置成能夠於用以向保持於上述基板保持單元之基板噴出處理液之處理位置與自上述基板保持單元退避的退避位置之間移動。進而，上述溫度變化單元亦可於上述噴嘴配置於上述退避位置之狀態下使該噴嘴發生溫度變化。 根據該構成，利用溫度變化單元對配置於退避位置之噴嘴之外壁面進行加熱或冷卻。關於可在處理位置與退避位置之間移動之類型之噴嘴，於對基板之處理液非供給期間中之較長之期間，噴嘴配置於退避位置。可有效利用對基板之處理液非供給期間而預先將厚壁部分加熱。 又，亦可進而包含用以包圍配置於上述退避位置之上述噴嘴之包圍構件。於該情形時，上述溫度變化單元亦可配置於上述包圍構件之側壁。 根據該構成，藉由將溫度變化單元配置於包圍構件之壁面，能夠相對簡單地實現利用溫度變化單元對配置於退避位置之噴嘴之外壁面進行加熱或冷卻之構成。 於此種情形時，亦可為上述噴嘴設置有複數個，上述包圍構件設置成可將分別配置於上述退避位置之複數個上述噴嘴一併包圍，且上述溫度變化單元設置有複數個。又，於該情形時，亦可為上述溫度變化單元與上述噴嘴對應地設置，且各溫度變化單元使對應之上述噴嘴之溫度個別地發生溫度變化。 根據該構成，各溫度變化單元使對應之噴嘴之外壁面之溫度個別地發生溫度變化。藉此，可將噴嘴之內壁面之溫度調整為互不相同之溫度。於設置複數個噴嘴之情形時，存在自各噴嘴噴出之處理液之溫度不同之情形。於此種情形時，亦可將各噴嘴之內壁面之溫度設置為熱平衡溫度。 又，上述噴嘴亦可包含與上述噴出口連通之連通路、及區劃上述連通路之主體。上述處理液流通構件亦可包含上述主體。於該等情形時，上述處理液流通構件之外壁面亦可包含上述主體之外壁面。 根據該構成，利用溫度變化單元對主體之外壁面進行加熱或冷卻而使主體發生溫度變化，藉此，於不向連通路供給高溫之處理液之狀態下，主體之內壁面維持為熱平衡溫度。 熱平衡溫度係於反覆連續地執行基板處理步驟之情形時收斂的主體之內壁面之溫度。藉由在不向連通路供給高溫之處理液之狀態下將主體之內壁面維持為熱平衡溫度，而於接下來執行之基板處理步驟中，主體之內壁面維持為熱平衡溫度。不僅如此，而且於此後反覆執行之基板處理步驟中，主體之內壁面亦維持為熱平衡溫度。即，於主體之內壁面無溫度變化。 供給至連通路之高溫之處理液係在與維持為熱平衡溫度之主體之內壁面接觸之後自噴出口噴出。由於在主體之內壁面無溫度變化，故而可使自噴出口噴出之處理液之溫度於複數個基板處理步驟間保持均勻。藉此，可抑制或防止基板間之處理之偏差。 於該情形時，亦可為上述連通路包含複數個分支路，且各分支路具有上述噴出口。進而，上述主體亦可包含收容上述複數個分支路之噴出口主體。 根據該構成，噴嘴具有複數個噴出口。供給至各分支路之高溫之處理液係在與維持為熱平衡溫度之主體之內壁面接觸之後自各噴出口噴出。由於在主體之內壁面無溫度變化，故而可使自各噴出口噴出之處理液之溫度於複數個基板處理步驟間保持均勻。 上述主體亦可使用樹脂材料形成。根據該構成，主體係使用具有耐熱性之樹脂材料形成。樹脂材料為熱容量較大之材料。因此，導熱效率較差。由於使用此種材料形成主體，故而存在主體難以發生溫度變化之問題。因此，於在主體之內壁面例如處於常溫之狀態下反覆進行複數個基板處理步驟之情形時，存在如下問題，即，每當重複基板處理步驟時，自噴出口噴出之處理液之溫度便會上升，由此導致於複數個基板處理步驟之間自噴出口噴出之處理液之溫度產生偏差。其結果，有基板間之處理之偏差顯著化之虞。 對此，於該構成中，於不向處理液流通路供給高溫之處理液之狀態下，將處理液流通構件之內壁面維持為熱平衡溫度。藉此，可使自噴出口噴出之處理液之溫度於複數個基板處理步驟間保持均勻。因此，即便於主體由熱容量較大之材料形成之情形時，亦可有效地抑制或防止基板間之處理之偏差。 上述樹脂材料亦可包含PCTFE(Polychlorotrifluoroethylene，聚氯三氟乙烯)、PTFE(Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)及PFA(perfluoroalkoxy，全氟烷氧基樹脂)之至少一種。根據該構成，作為主體之材料，可例示PCTFE、或PTFE、PFA。於將該等作為主體之材料之情形時，存在主體難以發生溫度變化之問題，但即便於主體包含PCTFE、PTFE及PFA之至少一種之情形時，亦可有效地抑制或防止基板間之處理之偏差。 上述溫度變化單元亦可包含珀爾帖元件。根據該構成，藉由溫度變化單元包含珀爾帖元件，而可利用一個構件實現溫度變化單元對處理液流通構件中之外壁面進行加熱之構成、及溫度變化單元將處理液流通構件中之外壁面冷卻之構成。 本發明提供一種基板處理方法，其包括：基板處理步驟，其係向處理液流通構件之處理液流通路供給較常溫高之高溫之處理液，並自與上述處理液流通路連通之噴出口噴出上述高溫之處理液，藉此對保持於基板保持單元之基板實施處理；及平衡溫度維持步驟，其係於不進行上述基板處理步驟之狀態下，對上述處理液流通構件之外壁面自外側進行加熱或冷卻而使上述處理液流通構件發生溫度變化，藉此將上述處理液流通構件之內壁面維持為熱平衡溫度。 根據該方法，對處理液流通構件中之外壁面進行加熱或冷卻而使處理液流通構件發生溫度變化，藉此，於不向處理液流通路供給高溫之處理液之狀態下，處理液流通構件之內壁面維持為熱平衡溫度。 熱平衡溫度係於反覆連續地執行基板處理步驟之情形時收斂之內壁面之溫度。藉由在不向處理液流通路供給高溫之處理液之狀態下將處理液流通構件之內壁面維持為熱平衡溫度，而於接下來執行之基板處理步驟中，處理液流通構件之內壁面維持為熱平衡溫度。不僅如此，而且於此後反覆執行之基板處理步驟中，處理液流通構件之內壁面亦維持為熱平衡溫度。即，於內壁面無溫度變化。 供給至處理液流通路之高溫之處理液係在與維持為熱平衡溫度之處理液流通構件之內壁面接觸之後自噴出口噴出。由於在內壁面無溫度變化，故而可使來自噴出口之處理液之溫度於複數個基板處理步驟間保持均勻。藉此，可抑制或防止基板間之處理之偏差。 上述平衡溫度維持步驟亦可包括如下步驟，即，將上述內壁面保持為熱平衡溫度，且將上述外壁面保持為較常溫高且較上述熱平衡溫度低之特定溫度。 根據該方法，將外壁面保持為較常溫高且較熱平衡溫度低之特定溫度。藉此，可於外壁面抑制或防止熱之進出，換言之，可抑制或防止相對於處理液流通構件之熱之進出。因此，可將內壁面持續維持為熱平衡狀態。 又，上述平衡溫度維持步驟亦可包括：第1加熱步驟，其係對上述外壁面進行加熱以使該外壁面之溫度升溫至較上述熱平衡溫度更高溫；冷卻步驟，其係繼上述第1加熱步驟之後，將上述外壁面冷卻以使該外壁面之溫度下降至較處理液之溫度更低溫；及第2加熱步驟，其係繼上述冷卻步驟之後，以將上述處理液流通構件之內壁面保持為熱平衡溫度之方式且以將上述外壁面之溫度保持為上述特定溫度的方式對該外壁面進行加熱。 根據該方法，首先藉由對外壁面進行加熱而使外壁面之溫度升溫至較熱平衡溫度更高溫。然後，藉由將外壁面冷卻而使外壁面之溫度下降至較處理液之溫度更低溫。繼而，藉由對外壁面進行加熱，而將處理液流通構件之內壁面保持為熱平衡溫度且將外壁面之溫度保持為特定溫度。如此，可利用相對簡單之方法實現處理液流通構件之內壁面保持為熱平衡溫度且外壁面保持為較常溫高且較熱平衡溫度低之特定溫度的狀態。 又，上述平衡溫度維持步驟亦可對應於在該平衡溫度維持步驟之後執行之上述基板處理步驟中所使用之處理液的溫度，而對該平衡溫度維持步驟中之上述熱平衡溫度進行調整。 根據該方法，於在連續執行之2個基板處理步驟中使用溫度互不相同之高溫之處理液的情形時，於在該等2個基板處理步驟之間執行之平衡溫度維持步驟中，將處理液流通構件之內壁面調整為與之後執行之基板處理步驟中所使用之處理液之溫度對應的熱平衡溫度。藉此，於此後執行之基板處理步驟中，將處理液流通構件之內壁面持續維持為熱平衡溫度。藉此，即便於應噴出之高溫之處理液之溫度於中途改變的情形時，亦可於此後之高溫處理中抑制或防止基板間之偏差。 本發明中之上述之或者進而其他之目的、特徵及效果藉由參照隨附圖式繼而敍述之實施形態之說明而明確。

圖1係用以說明本發明之一實施形態之基板處理裝置1之內部之佈局的圖解性俯視圖。基板處理裝置1係對半導體晶圓等圓板狀之基板W逐片進行處理之單片式裝置。 基板處理裝置1包含：複數個裝載埠LP，其等保持將基板W收容之複數個基板收容器C；複數個處理單元2，其等利用藥液等處理液對自複數個裝載埠LP搬送來之基板W進行處理；搬送機器人，其將基板W自複數個裝載埠LP搬送至複數個處理單元2；及控制裝置3，其對基板處理裝置1進行控制。搬送機器人包含：分度機械手IR，其於裝載埠LP與處理單元2之間之路徑上搬送基板W；及搬送機械手CR，其於分度機械手IR與處理單元2之間之路徑上搬送基板W。 基板處理裝置1包含收容藥液供給閥68(參照圖6等)等之複數個流體箱4。處理單元2及流體箱4配置於基板處理裝置1之框架8之中，且由基板處理裝置1之框架8所覆蓋。收容貯存處理液之藥液槽6等之貯存箱7於圖1之例中配置於基板處理裝置1的框架8之外，但亦可收容於框架8之中。貯存箱7可為與複數個流體箱4對應之1個箱，亦可為與流體箱4一一對應而設置之複數個箱。 圖2係表示基板處理裝置1所具備之處理單元2之內部之模式性前視圖。圖3係表示圖2之處理單元2之內部之模式性俯視圖。 處理單元2包含：腔室9；旋轉夾頭(基板保持單元)10，其於腔室9內一面將基板W保持水平，一面使基板W繞通過基板W之中央部之鉛直之旋轉軸線A1旋轉；及筒狀之護罩11，其接住自基板W排出之處理液。旋轉夾頭10係將基板W保持水平之基板保持單元之一例。 腔室9包含設置有供基板W通過之搬入搬出口12a之箱形之間隔壁12、及將搬入搬出口12a開閉之擋板12b。擋板12b可於搬入搬出口12a打開之打開位置與將搬入搬出口12a關閉之關閉位置(圖3所示之位置)之間相對於間隔壁12移動。未圖示之搬送機器人係通過搬入搬出口12a將基板W搬入至腔室9，並通過搬入搬出口12a將基板W自腔室9搬出。 旋轉夾頭10包含以水平姿勢保持之圓板狀之旋轉基座13、於旋轉基座13之上方將基板W以水平姿勢保持之複數個夾頭銷14、及藉由使複數個夾頭銷14旋轉而使基板W繞旋轉軸線A1旋轉之旋轉馬達15。旋轉夾頭10並不限於使複數個夾頭銷14與基板W之周端面接觸之夾持式夾頭，亦可為藉由使非器件形成面即基板W之背面(下表面)吸附於旋轉基座13之上表面而將基板W保持水平之真空式夾頭。 護罩11包含繞旋轉軸線A1包圍旋轉夾頭10之筒狀之防濺板16、及繞旋轉軸線A1包圍防濺板16之圓筒狀之外壁面17。處理單元2包含防護板升降單元18，該防護板升降單元18係使防濺板16於防濺板16之上端位於較旋轉夾頭10所致之基板W之保持位置上方的上位置(圖2所示之位置)、與防濺板16之上端位於較旋轉夾頭10所致之基板W之保持位置下方的下位置之間鉛直地升降。 處理單元2包含朝保持於旋轉夾頭10之基板W之上表面，向下方噴出淋洗液之淋洗液噴嘴19。淋洗液噴嘴19連接於介裝有淋洗液閥20之淋洗液配管21。處理單元2亦可具備使淋洗液噴嘴19於處理位置與退避位置之間移動之噴嘴移動單元。 當將淋洗液閥20打開時，淋洗液自淋洗液配管21供給至淋洗液噴嘴19，並自淋洗液噴嘴19噴出。淋洗液例如為純水(去離子水：Deionized water)。淋洗液不限於純水，可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10～100 ppm左右)之鹽酸水之任一種。 處理單元2包含：複數個噴嘴22，其等向下方噴出處理液；保持器23，其保持複數個噴嘴22之各者；及噴嘴移動單元24，其藉由使保持器23移動，而使複數個噴嘴22於處理位置(圖3中二點鏈線所示之位置)與退避位置(圖3中實線所示之位置)之間移動。 處理液例如為藥液。藥液例如為蝕刻液。蝕刻液之具體例為DHF(稀釋後之氫氟酸)、TMAH(Tetramethylammonium Hydroxide：氫氧化四甲基銨)、dNH₄ OH(稀釋後的氫氧化銨)、及SC-1(包含NH₄ OH與H₂ O₂ 之混合液)。此外，處理液係包含例如硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、除TMAH以外之有機鹼、疏水化劑(例如TMS(Tetramethyl silane，四甲基矽烷)、HMDS(Hexamethyldisilazane，六甲基二矽氮烷)等)、有機溶劑(例如IPA：異丙醇等)、及界面活性劑、防腐劑中之至少1種的液體。 各噴嘴22包含由保持器23懸臂支持且自該保持器23沿水平之長度方向D1延伸之臂25、及與各臂25之前端連接之噴嘴頭26(第1噴嘴頭26A、第2噴嘴頭26B、第3噴嘴頭26C、及第4噴嘴頭26D)。 複數個臂25係按第1噴嘴頭26A～第4噴嘴頭26D之順序排列於與長度方向D1正交之水平之排列方向D2上。複數個臂25配置於相同高度。於排列方向D2上相鄰之2個臂25之間隔可與其他任一間隔相同，亦可與其他間隔之至少一個不同。於圖3中，示出複數個臂25等間隔地配置之例。 複數個臂25於長度方向D1上之長度按第1噴嘴頭26A～第4噴嘴頭26D之順序變短。複數個噴嘴頭26係以於長度方向D1上按第1噴嘴頭26A～第4噴嘴頭26D之順序排列之方式於長度方向D1上錯開。複數個噴嘴頭26於俯視下呈直線狀排列。 噴嘴移動單元24係藉由使保持器23在護罩11之周圍繞鉛直延伸之噴嘴旋動軸線A2旋動，而使複數個噴嘴22沿著於俯視下通過基板W之圓弧狀之路徑移動。藉此，複數個噴嘴22於處理位置(圖4之處理位置P1)與退避位置(圖4之退避位置P2)之間水平移動。處理單元2進而包含配置於複數個噴嘴22之退避位置之下方之有底筒狀之退避罐(包圍構件)27。退避罐27於俯視下配置於護罩11之周圍。 處理位置係自複數個噴嘴22噴出之處理液落著於基板W之上表面之位置。於處理位置上，複數個噴嘴22之噴嘴頭26與基板W於俯視下重疊，複數個噴嘴頭26於俯視下自旋轉軸線A1側起按第1噴嘴頭26A～第4噴嘴頭26D之順序排列於徑向Dr上。此時，第1噴嘴頭26A於俯視下與基板W之中央部重疊，第4噴嘴頭26D於俯視下與基板W之周緣部重疊。 退避位置係複數個噴嘴頭26以複數個噴嘴頭26與基板W於俯視下不重疊之方式退避後之位置。於退避位置上，複數個噴嘴頭26以於俯視下沿著護罩11之外周面(外壁面17之外周面)之方式位於護罩11之外側，且按第1噴嘴頭26A～第4噴嘴頭26D之順序排列於圓周方向(繞旋轉軸線A1之方向)上。複數個噴嘴頭26係以按第1噴嘴頭26A～第4噴嘴頭26D之順序距離旋轉軸線A1越來越遠之方式配置。 於以下之說明中，有時於與第1噴嘴頭26A對應之構成之開頭及末尾分別標註「第1」及「A」。例如，有時將與第1噴嘴頭26A對應之藥液供給流路32記載為「第1藥液供給流路32A」。與第2噴嘴頭26B～第4噴嘴頭26D對應之構成亦同樣。 圖4係表示複數個噴嘴22之模式性前視圖。於圖4中，表示將複數個噴嘴22配置於基板W之上表面上所設定之處理位置P1之狀態。於圖4中，僅詳細記載複數個噴嘴22之噴嘴頭26中之第2噴嘴頭26B之內部，但第2噴嘴頭26B以外之各噴嘴頭26之內部之構成亦與第2噴嘴頭26B相同。 第1噴嘴22A具有1個噴出口31。第2噴嘴22B、第3噴嘴22C及第4噴嘴22D分別具有3個噴出口31。即，設置於複數個噴嘴22之噴出口31之總數為10個。 第1～第4噴嘴22A～22D進而分別包含噴出閥28。各噴出閥28設置於噴嘴頭26內。各噴出閥28連接有2個管29、30。管29、30分別形成引導處理液之流路。 於第1噴嘴頭26A之噴出閥28結合有噴出口部70。於噴出口部70之內部形成有引導處理液之1個流路。噴出口部70之1個流路於各噴出口部70之下表面開口，而形成1個噴出口31(31A)。 於第2噴嘴頭26B～第4噴嘴頭26D之各噴出閥28結合有噴出口主體34。噴出口主體34形成引導處理液之複數個(例如3個)流路。第2噴嘴頭26B之噴出口主體34之複數個流路於各噴出口主體34之下表面開口，而形成複數個(例如3個)噴出口31(31B)。第3噴嘴頭26C之噴出口主體34之複數個流路於各噴出口主體34之下表面開口，而形成複數個(例如3個)噴出口31(31C)。第4噴嘴頭26D之噴出口主體34之複數個流路於各噴出口主體34之下表面開口，而形成複數個(例如3個)噴出口31(31D)。 設置於各噴出口主體34之3個噴出口31(31B、31C、31D)包含：內側噴出口，其於3個噴出口31中最靠近旋轉軸線A1；外側噴出口，其於3個噴出口31中距旋轉軸線A1最遠；及中間噴出口，其配置於內側噴出口與外側噴出口之間。複數個噴出口31於俯視下呈大致直線狀地排列。相鄰之2個噴出口31之間隔可與其他任一間隔相同，亦可與其他間隔之至少一個不同。又，複數個噴出口31可配置於2個以上之不同之高度，亦可配置於相同之高度。 各噴出口31向相對於基板W之上表面垂直之噴出方向噴出處理液。複數個噴出口31朝向基板W之上表面內之複數個落著位置噴出處理液。複數個落著位置係與旋轉軸線A1相距之距離不同之各自分開之位置。 於將複數個噴嘴頭26配置於處理位置之狀態下，複數個噴出口31分別配置於與旋轉軸線A1相距之距離(俯視下之最短距離)不同之複數個位置。複數個噴出口31係於俯視下沿著基板W於旋轉半徑方向排列成一行。設置於第1噴嘴頭26A之第1噴出口31A係以與基板W之上表面中央部對向之方式配置。又，設置於第1噴嘴頭26A以外之各噴嘴頭26之第2噴出口31B、第3噴出口31C及第4噴出口31D係以與中央部以外之基板W之上表面對向之方式配置。於該狀態下，於複數個噴出口31中最靠近旋轉軸線A1之最內噴出口(第1噴出口31A)配置於基板W之中央部之上方，於複數個噴出口31中距旋轉軸線A1最遠之最外噴出口(第4噴出口31D)配置於基板W之周緣部之上方。 自管29到達至各噴出口31之流路相當於將自藥液槽6(參照圖1)供給之處理液朝向噴出口31引導之藥液供給流路32(下述)的一部分。於噴出閥28內自藥液供給流路32分支而連接至管30之流路相當於使流通於藥液供給流路32之處理液返回至藥液槽6之第2返回流路33(下述)的一部分。 圖5係表示噴出閥28之一例之內部之剖視圖。 噴出閥28包含：本體36，其形成有引導處理液之流路35；閥體37，其將流路35開閉；氣動致動器38，其使閥體37沿軸向X1進退而使流路35開閉；及噴出口31。 本體36包含：汽缸39，其構成氣動致動器38；閥室40，其使閥體37進退；流路35a，其與管29連通並到達閥室40；流路35b，其於流路35a之較閥室40更上游之位置連接於流路35a，且與管30連通；及流路35c，其自閥室40到達至噴出口31。汽缸39與閥室40係沿軸向X1排列。汽缸39與閥室40之間係由間隔壁41隔開。 流路35c形成有插通噴出口主體34之內部且與噴出口31連通之連通路69。於本實施形態中，連通路69包含閥室40側之主連通路69A、及將主連通路69A與各噴出口31連接之複數個分支路69B。 氣動致動器38包含汽缸39、活塞42、彈簧43及桿44。汽缸39係藉由活塞42而分隔成間隔壁41側之前室與隔著該活塞42位於軸向X1之相反側之後室。於本體36分別連接有用以連接向汽缸39之前室及後室分別個別地傳遞氣壓之管(圖4所示之管45)之接頭47。活塞42係藉由經由管45及接頭47向汽缸39之前室或後室之任一者傳遞氣壓而於汽缸39內沿著軸向X1進退。 彈簧43係於汽缸39之後室側介插於活塞42與本體36之間，將活塞42向間隔壁41之方向推壓。 桿44係將基部連結於活塞42，使前端部貫通間隔壁41而突出至閥室40。於突出至閥室40之桿44之前端部連結有閥體37。閥體37形成為圓板狀，且使徑向與軸向X1正交地連結於桿44之前端部。當於汽缸39內使活塞42沿著軸向X1進退時，閥體37經由桿44於閥室40內沿著軸向X1進退。 閥室40包含與間隔壁41對向且與軸向X1正交之圓環狀之閥座面46，且於閥座面46之中心位置，呈同心狀地開口有流路35a。流路35c係於閥室40之閥體37之進退方向(軸向X1)之側方開口。 管29與流路35a、管30與流路35b分別經由接頭48而連接。 本體36包含筒部49，該筒部49於前端形成噴出口31且自噴嘴頭26之下表面向下方突出。於第1噴嘴頭26A以外之各噴嘴頭26，雖未圖示，但於筒部49連接形成有引導處理液之複數個流路之噴出口主體34，噴出口主體34之複數個流路於下表面開口，而形成有複數個噴出口31。 於噴出閥28中與處理液接觸之部分(接液部)係利用具有對處理液之耐性之材料(例如氟樹脂等合成樹脂)製作，或者係由包含具有對處理液之耐性之材料之覆膜被覆。流路35或閥室40之內表面、或者閥體37或桿44之外表面包含於接液部。 於均不使氣壓作用於汽缸39之前室及後室而不使氣動致動器38作動之狀態下，活塞42被彈簧43於汽缸39內朝前進位置、即如圖5所示般朝與間隔壁41側接近之位置推壓，藉此，於閥室40內使閥體37與閥座面46接觸，而將流路35a之開口封閉。因此，將流路35a與流路35c之間關閉，而自藥液槽6通過管29與流路35a供給之處理液通過流路35b與管30返回至藥液槽6(噴出停止狀態)。 若於該噴出停止狀態下，向汽缸39之前室傳遞氣壓，使活塞42抵抗彈簧43之推壓力而向汽缸39之後室方向後退，則於閥室40內，閥體37自閥座面46離開，而流路35a之開口於閥室40開放。因此，流路35a與流路35c經由閥室40而連接，將自藥液槽6通過管29與流路35a供給之處理液通過流路35c自噴出口31噴出(噴出狀態)。 若於該噴出狀態下，停止向汽缸39之前室傳遞氣壓，取而代之，向汽缸39之後室傳遞氣壓，使活塞42隨著彈簧43之推壓力向汽缸39之前室方向、即向間隔壁41接近之方向前進，則於閥室40內使閥體37與閥座面46接觸而將流路35a之開口封閉。因此，將流路35a與流路35c之間關閉，而恢復為自藥液槽6通過管29與流路35a供給之處理液通過流路35b與管30返回至藥液槽6(參照圖1)之噴出停止狀態。 再者，噴出閥28可為電磁閥，亦可為除此以外之閥。 圖6～圖8係表示基板處理裝置1中所包含之處理液供給系統之模式圖。圖6、圖7及圖8分別表示噴出停止狀態、噴出狀態及抽吸去除狀態。 處理液供給系統包含：藥液槽6，其貯存藥液；藥液流路66，其引導自藥液槽6輸送之藥液；第1循環加熱器51，其藉由將流經藥液流路66內之藥液以高於常溫(RT，例如約23～25℃)之溫度加熱而調整藥液槽6內之藥液之溫度；泵52，其將藥液槽6內之藥液輸送至藥液流路66；及第1返回流路65，其使藥液流路66內之藥液返回至藥液槽6。藥液槽6、藥液流路66、及第1返回流路65包含於使貯存於藥液槽6之處理液循環並返回至藥液槽6之第1循環流路50。 處理液供給系統包含：供給閥54，其將藥液流路66開閉；第1返回閥53，其將第1循環流路50開閉；及藥液供給流路32，其連接於藥液流路66。藥液供給流路32包含將自第1循環流路50供給之處理液朝向複數個噴出口31引導之複數個藥液供給流路32(第1藥液供給流路32A、第2藥液供給流路32B、第3藥液供給流路32C及第4藥液供給流路32D)。處理液供給系統進而包含：複數個流量計55，其等對流經複數個藥液供給流路32內之處理液之流量進行檢測；複數個流量調整閥56，其等變更流經複數個藥液供給流路32內之處理液之流量；複數個第2循環加熱器57，其等藉由將流經複數個藥液供給流路32內之處理液以高於常溫(例如約23～25℃)之溫度加熱而調整藥液槽6內之藥液之溫度；複數個藥液供給閥68，其等分別將複數個藥液供給流路32開閉；及複數個噴出閥28，其等在腔室9內分別將複數個藥液供給流路32開閉。 處理液供給系統進而包含：複數個第2返回流路33，其等在腔室9內且較複數個噴出閥28更上游之位置分別連接於複數個藥液供給流路32，使流通於藥液供給流路32之處理液返回至第1循環流路50；及複數個第2返回閥58，其等分別將複數個第2返回流路33開閉。 處理液供給系統進而包含：複數個旁通流路59，其等將複數個藥液供給流路32與複數個第2返回流路33分別連接；複數個旁通閥60，其等分別將複數個旁通流路59開閉；複數個抽吸流路61，其等於較與旁通流路59之連接位置更上游之位置連接於複數個第2返回流路33；及複數個抽吸閥62，其等分別將複數個抽吸流路61開閉。複數個旁通流路59連接於複數個藥液供給流路32中之較與第2返回流路33之連接位置更上游之位置。於抽吸流路61之下游側，雖未圖示，但連接有抽吸裝置。旁通流路59、旁通閥60、抽吸流路61及抽吸閥62均設置於流體箱5內。 藥液供給閥68、噴出閥28、第2返回閥58、及抽吸閥62係將處理液供給系統切換為噴出狀態、噴出停止狀態及抽吸去除狀態之切換單元之一例。又，旁通閥60係將旁通流路59開閉之開閉單元之一例。 處理液供給系統包含：冷卻器63，其將自複數個第2返回流路33返回之處理液冷卻；及回收流路64，其將處理液自冷卻器63引導至藥液槽6。自複數個第2返回流路33返回至冷卻器63之處理液係於利用冷卻器63而接近循環溫度之後，經由回收流路64引導至藥液槽6。冷卻器63可為水冷單元或氣冷單元，亦可為該等以外之冷卻單元。藥液槽6、藥液流路66、藥液供給流路32、第2返回流路33及回收流路64包含於使貯存於藥液槽6之處理液循環並返回至藥液槽6之第2循環流路(處理液供給單元)67中。 其次，參照圖6，對停止自複數個噴出口31噴出處理液之噴出停止狀態之處理液供給系統進行說明。於圖6中，以黑色表示打開之閥，以白色表示關閉之閥。 於噴出停止狀態下，將第1返回閥53關閉且將供給閥54打開。藉此，於第1循環流路50循環之藥液流向複數個藥液供給流路32並於第2循環流路67循環。具體而言，供給至藥液供給流路32之處理液經第2循環加熱器57加熱之後，輸送至配置於腔室9內之噴出口31之附近之與第2返回流路33之連接位置，並自該連接位置經由第2返回流路33返回至藥液槽6。 於該噴出停止狀態下，藉由使處理液經由複數個藥液供給流路32、及與該各者連接之第2返回流路33持續循環，能夠將各個藥液供給流路32內之處理液維持為特定之高溫直至腔室9內(即，噴出口31之附近)之與第2返回流路33之連接位置為止。 其次，參照圖7，對自複數個噴出口31噴出處理液之噴出狀態之處理液供給系統進行說明。於圖7中，仍以黑色表示打開之閥，以白色表示關閉之閥。 藥液槽6內之處理液係利用泵52輸送至第1循環流路50。利用泵52輸送之處理液經第1循環加熱器51加熱之後，自第1循環流路50流向複數個藥液供給流路32。供給至藥液供給流路32之處理液經第2循環加熱器57加熱之後，供給至配置於腔室9內之複數個噴出口31。 供給至第1藥液供給流路32A之處理液供給至設置於第1噴嘴頭26A之1個第1噴出口31A。供給至第2藥液供給流路32B之處理液供給至設置於第2噴嘴頭26B之複數個第2噴出口31B。關於第3藥液供給流路32C及第4藥液供給流路32D，亦與第2藥液供給流路32B同樣。藉此，自所有噴出口31噴出處理液。 於該噴出狀態下，藉由自複數個噴出口31向基板W之上表面內之不同之複數個位置供給處理液，可抑制處理液之溫度之均勻性下降。又，於一面使基板W繞旋轉軸線旋轉，一面使自複數個噴出口31噴出之處理液落著於與該旋轉軸線相距之距離不同之複數個位置的情形時，可快速使處理液遍佈基板W之上表面之整個區域。 其次，參照圖8，對將殘留於藥液供給流路32之較與第2返回流路33之連接位置更下游之區域之處理液抽吸去除之抽吸去除狀態的處理液供給系統進行說明。於圖8中，仍以黑色表示打開之閥，以白色表示關閉之閥。 藥液槽6內之處理液係利用泵52輸送至藥液流路66。利用泵52輸送之處理液之一部分經第1循環加熱器51加熱之後，經由第1返回流路65返回至藥液槽6。利用泵52輸送之其餘之處理液自第1循環流路50流向複數個藥液供給流路32。供給至藥液供給流路32之處理液經第2循環加熱器57加熱之後，經由旁通流路59返回至藥液槽6。 殘留於藥液供給流路32之較與第2返回流路33之連接位置更下游之區域的處理液係藉由自抽吸流路61經由第2返回流路33所傳遞的抽吸力，而向抽吸流路61內抽吸去除。 圖9係表示退避罐27之概略構成之剖視圖。圖10係沿箭頭X之方向觀察圖9所得之圖。圖11係溫度調整單元(溫度變化單元)80之剖視圖。 退避罐27包含區劃大致長方體之內部空間71之例如有底筒狀之殼體72。殼體72具有形成於殼體72之上表面之插入口73、及形成於殼體72之下壁72a之排出口74。於退避罐27之排出口74連接有排出配管76之一端，該排出配管76之另一端連接於機外之廢液處理設備。於圖9及圖10中，示出複數個噴嘴22配置於退避位置P2之狀態。 於複數個噴嘴22配置於退避位置P2之狀態下，各噴出口主體34收容於退避罐27之內部。於該收容狀態下，噴出口主體34之上端位於較退避罐27之插入口73更下方。換言之，於噴嘴22配置於退避位置P2之狀態下，各噴出口主體34被退避罐27包圍。進而，本實施形態中，退避罐27將複數個(例如3個)噴出口主體34一併包圍。 於退避罐27設置有溫度調整單元80。溫度調整單元80包含內置珀爾帖元件等熱源83之溫度調整器77、及用以檢測溫度調整器77之表面溫度之溫度感測器78。於本實施形態中，溫度調整單元80設置有一對。 各溫度調整器77分別配置於退避罐27之殼體72之兩方之側壁72b之外側側面。各溫度調整器77係利用由隔熱材料形成之固定板81及螺栓82而固定於殼體72之側壁72b。 如圖11所示，溫度調整器77呈矩形之片狀。溫度調整器77包含膜狀之熱源83、包圍熱源83之周圍之隔熱層84、包圍隔熱層84之周圍之熱擴散體85、及包圍熱擴散體85之周圍之隔熱體86。熱源83例如採用可發熱及吸熱之構成。此種熱源83包含珀爾帖元件。又，作為溫度感測器78，例如採用熱電偶。 當對溫度調整器77之熱源83供給電力時，熱源83發熱或吸熱，使溫度調整器77之表面升溫或降溫。藉由在將噴嘴22配置於退避位置P2之狀態下使溫度調整器77之表面升溫或降溫，而將噴出口主體34之外壁面34A加熱或冷卻。由於熱源83包含珀爾帖元件，故而可利用一個構件實現溫度調整單元80將噴出口主體34之外壁面34A加熱之構成、及溫度調整單元80將噴出口主體34之外壁面34A冷卻之構成。 圖12係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電氣構成之方塊圖。 控制裝置3例如使用微電腦而構成。控制裝置3具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等運算單元91、固定記憶體器件(未圖示)、硬碟驅動器等記憶單元92、及輸入輸出單元(未圖示)。於記憶單元92記憶有運算單元91執行之程式93。 記憶單元92包含記憶規定對基板W之各處理之內容之配方的配方記憶部94。配方記憶部94包含可電性覆寫資料之非揮發性記憶體。於配方記憶部94儲存有規定對基板W之處理之內容(包含順序及條件，以下相同)之製程配方(未圖示)。 將構成一個批次之特定片數(例如25片)之基板W以一併收容於基板收容器C(參照圖1)之狀態搬入至基板處理裝置1。於基板處理裝置1中，將製程作業與每個基板收容器C建立對應關係。當將基板收容器C載置於基板處理裝置1之裝載埠LP(參照圖1)時，將表示包含於基板收容器C之批次之資訊之基板資訊自主電腦傳送至控制裝置3。主電腦係統括半導體製造工場中設置之複數個基板處理裝置之電腦。控制裝置3基於自主電腦傳送來之基板資訊(製程作業)，自配方記憶部94讀出針對該批次之製程配方。然後，藉由控制裝置3反覆執行按照該製程配方之控制，而將收容於1個基板收容器C之基板W連續不斷地搬入至處理單元2，並於處理單元2接受基板處理。並且，當以與收容於基板收容器C之基板之片數相等之特定次數，執行按照製程配方之控制時，對緊接著該基板收容器C而被搬入之基板收容器C中所收容之基板，執行該處理。 進而，控制裝置3按照記憶於記憶單元92之程式93之內容，對旋轉馬達15、第2循環加熱器57及溫度調整單元80等之動作進行控制。又，控制裝置3控制噴出閥28及淋洗液閥20等。 圖13係用於對利用處理單元2所執行之處理之處理例進行說明之流程圖。圖14係用於說明上述處理例中之控制裝置3之主要之控制內容的時序圖。 一面參照圖1～圖14，一面對處理例進行說明。該處理例係使用蝕刻液作為高溫之藥液，對基板W實施蝕刻處理之處理例。 啟動基板處理裝置1(即，處理液供給系統)後，控制裝置3立即使泵52開始作動，且使第1及第2循環加熱器51、57開始作動。其後，控制裝置3將第1返回閥53關閉且將供給閥54關閉。於該狀態下，藥液於第2循環流路67循環(處理液供給系統成為圖6所示之噴出停止狀態)。控制裝置3藉由始終參照溫度計(未圖示)之輸出值，而監視於第2循環流路67內循環之藥液之溫度。第2循環流路67內之藥液以預先規定之高溫處理溫度(於該處理例中，為例如約82℃)為目標而升溫，於達到該處理溫度後，維持該高溫處理溫度。 又，控制裝置3於啟動基板處理裝置1後，立即對溫度調整單元80進行控制，開始藉由溫度調整單元80所進行之噴出口主體34之外壁面34A之加熱。 其後，直至搬入基板W為止，基板處理裝置1處於IDLE狀態(待機狀態)。 當將收容未處理之基板W之基板收容器C載置於裝載埠LP時(READY(就緒))，利用分度機械手IR自基板收容器C取出處理對象之基板W。取出之基板W被交接至搬送機械手CR，藉由搬送機械手CR搬入至腔室9之內部(圖13之步驟S1)。具體而言，藉由使保持基板W之搬送機械手CR之手部H進入至腔室9之內部，而將基板W以其正面(蝕刻對象面)朝向上方之狀態交接至旋轉夾頭10。其後，由旋轉夾頭10保持基板W，且使手部H退避至腔室9外。又，於搬入基板W之前之狀態下，噴嘴22配置於退避位置P2。 於由旋轉夾頭10保持基板W之後，控制裝置3對旋轉馬達15進行控制而使基板W開始旋轉(圖13之步驟S2)。基板W之旋轉速度上升至液處理速度(約300 rpm～約1000 rpm之特定之速度)。 其次，進行向基板W供給藥液之高溫藥液步驟(圖13之步驟S4)。具體而言，控制裝置3對噴嘴移動單元24進行控制而使配置於退避位置P2(即，收容於退避罐27)之噴嘴22配置於處理位置P1(參照圖4)(圖13之步驟S3)。於將噴嘴22配置於處理位置P1之後，控制裝置3將噴出閥28打開。藉此，朝向旋轉狀態之基板W之上表面自噴嘴22噴出藥液。自噴嘴22噴出之藥液供給至基板W之上表面(S4)。由於噴出口31沿著基板W之旋轉半徑方向排列有複數個(多點噴出)，故而可使藥液遍佈基板W之上表面之整個區域，藉此可對基板W之上表面均勻地進行藥液處理(例如蝕刻處理)。當自藥液之噴出開始起經過預先規定之期間時，控制裝置3將噴出閥28關閉，停止自噴嘴22噴出藥液。藉此，高溫藥液步驟(S4)結束。 於藥液之噴出停止後，控制裝置3對噴嘴移動單元24進行控制而使噴嘴22自處理位置P1退避至退避位置P2(圖13之步驟S5)。 緊接著高溫藥液步驟(S4)之結束，進行將淋洗液供給至基板W之淋洗步驟(圖13之步驟S6)。具體而言，控制裝置3將淋洗液閥20打開，開始自淋洗液噴嘴19噴出淋洗液。自淋洗液噴嘴19噴出之淋洗液供給至處於旋轉狀態之基板W之上表面。利用該淋洗液沖洗附著於基板W之上表面之藥液。當自淋洗液之噴出開始起經過預先規定之期間時，控制裝置3將淋洗液閥20關閉，而停止自淋洗液噴嘴19噴出淋洗液。藉此，淋洗步驟(S6)結束。 繼而，控制裝置3對旋轉馬達15進行控制而使基板W加速至較各步驟S4、S5中之旋轉速度大之乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，以該乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此，較大之離心力施加於基板W上之液體，將附著於基板W之周緣部之液體向基板W之周圍甩出。以此方式，自基板W之周緣部去除液體，而使基板W之周緣部乾燥(圖13之S7：乾燥步驟)。 當以預先規定之期間進行乾燥步驟(S7)時，控制裝置3對旋轉馬達15進行控制而使旋轉夾頭10之旋轉(基板W之旋轉)停止(圖13之步驟S8)。 於基板W之旋轉停止後，解除利用複數個夾頭銷14所進行之基板W之保持。其後，控制裝置3與搬入基板W時同樣地，利用搬送機器人將已處理過之基板W自腔室9內搬出(圖13之步驟S9)。 其後，緊接著搬入下一基板W，對該基板W實施S1～S9之各步驟。 將藥液供給至噴出口主體34之連通路69。此時，供給至連通路69之藥液之溫度Tc(參照圖15)例如為約82℃，自噴出口31噴出該溫度之藥液。 除了高溫藥液步驟(S4)以外，噴嘴22配置於退避位置P2。於噴嘴22配置於退避位置P2之狀態下，噴出口主體34之內壁面34B藉由溫度調整單元80而加熱。 圖15係表示溫度調整單元80對噴出口主體34之外壁面34A進行加熱之狀態之模式性圖。 噴出口主體34係使用具有耐熱性之樹脂材料形成。作為此種樹脂材料，可例示：PCTFE(聚氯三氟乙烯)或PTFE(聚四氟乙烯)、PFA(全氟烷氧基乙烯)。PCTFE、PTFE及PFA分別為熱容量較大之材料。因此，導熱率較差。又，噴出口主體34設置為厚壁，且其厚度較大。於本實施形態中，將噴出口主體34之厚度(即，外壁面34A與內壁面34B之間之距離)設置得較大，為約10毫米左右。 於該狀態下，控制裝置3對溫度調整單元80進行控制而將溫度調整單元80之控制溫度(即，溫度調整器77之表面溫度)維持於高溫度(例如約120℃)。於該狀態下，將噴出口主體34之外壁面34A加熱，該外壁面34A之溫度T₁ 達到低溫度T_A (例如約50℃)。該低溫度T_A 係如於源於溫度調整單元80之加熱狀態下噴出口主體34之外壁面34A與其周圍之環境保持為熱平衡狀態般的溫度。另一方面，內壁面34B之溫度T₂ 維持於內壁面34B之熱平衡溫度即熱平衡溫度T_B (例如約80℃)。所謂內壁面34B之熱平衡溫度，係指於反覆連續地執行複數次高溫藥液步驟(圖13之S4)之情形時收斂的藥液之非流通狀態下之內壁面34B之溫度。內壁面34B之熱平衡溫度T_B 係藉由預先進行之實驗等求出。 即，圖15所示之狀態係噴出口主體34之內壁面34B保持為熱平衡溫度T_B 且噴出口主體34之外壁面保持為低溫度T_A 的狀態。於此種狀態下，可於噴出口主體34之外壁面34A防止相對於噴出口主體34之熱之進出。因此，可將噴出口主體34之內壁面34B持續維持為熱平衡狀態。此種狀態係藉由利用溫度調整單元80進行之加熱開始時(熱平衡溫度維持步驟開始時)所執行之熱平衡溫度調整步驟而實現。 圖16係表示熱平衡溫度調整步驟之內容之流程圖。圖17係表示熱平衡溫度調整步驟中之噴出口主體34之內壁面34B及外壁面34A之溫度變化的曲線圖。 於熱平衡溫度調整步驟中，控制裝置3對溫度調整單元80進行控制而使溫度調整單元80之控制溫度升溫至極高溫。藉此，將噴出口主體34之外壁面34A加熱(圖16之S11：第1加熱步驟)。藉由此種外壁面34A之加熱，而如圖17中實線所示，外壁面34A之溫度T₁ 上升，並達到高溫(例如約160℃)。又，藉由導熱，而如圖17中虛線所示，內壁面34B之溫度T₂ 隨著外壁面34A之溫度上升而溫度上升。外壁面34A之溫度T₁ 上升至較熱平衡溫度T_B 高之特定之高溫度(例如約120℃)。 當自加熱開始起經過特定之期間時，控制裝置3對溫度調整單元80進行控制而使溫度調整單元80之控制溫度降溫至極低溫。藉此，將噴出口主體34之外壁面34A急遽冷卻(圖16之S12：冷卻步驟)。藉由此種外壁面34A之冷卻，而噴出口主體34之外壁面34A之溫度T₁ 急遽下降至較設為目標之低溫度T_A 低的溫度(例如約40℃)。 另一方面，於開始噴出口主體34之冷卻後，內壁面34B之溫度T₂ 亦上升。其原因在於：由於形成噴出口主體34之樹脂材料之熱容量相對較大，且在內壁面34B與外壁面34A之間存在距離，故而不易自外壁面34A向內壁面34B傳遞熱。但是，隨著時間之經過，內壁面34B之溫度上升變得緩慢，其後，內壁面34B之溫度T₂ 趨向下降。 當自冷卻開始起經過特定之期間時，控制裝置3對溫度調整單元80進行控制而使溫度調整單元80之控制溫度升溫至高溫度(例如約120℃)。藉此，將噴出口主體34之外壁面34A加熱(圖16之S13：第2加熱步驟)。藉由此種外壁面34A之加熱，而如圖17中實線所示，外壁面34A之溫度T₁ 上升，外壁面34A之溫度T₁ 達到低溫度T_A 。於達到低溫度T_A 之後，外壁面34A之溫度T₁ 保持為低溫度T_A 。另一方面，下降之內壁面34B之溫度T₂ 達到設為目標之熱平衡溫度T_B 。於達到熱平衡溫度T_B 之後，內壁面34B之溫度T₂ 保持為熱平衡溫度T_B 。藉此，可利用相對簡單之方法實現將噴出口主體34之內壁面34B保持為熱平衡溫度T_B 且將噴出口主體34之外壁面34A保持為低溫度T_A 的狀態。其後，控制裝置3將溫度調整單元80之控制溫度持續維持於高溫度(約120℃)。 圖18係表示連續執行圖13所示之高溫藥液步驟(S4)之情形時之噴出口主體34之內壁面34B之溫度T₂ 之變化的曲線圖。 如上所述，於本實施形態中，於啟動基板處理裝置1(即，處理液供給系統)之後，立即開始利用溫度調整單元80所進行之加熱。因此，於基板處理裝置1雖啟動但待機之IDLE狀態(待機狀態，未使用噴嘴之狀態)下，內壁面34B之溫度T₂ 保持為熱平衡溫度T_B 。 當將基板W搬入至基板處理裝置1時，對各基板W反覆連續地執行高溫藥液步驟(圖13之S4)。於該高溫藥液步驟(S4)中，將於第2循環流路67(參照圖6等)中溫度調整為特定之溫度Tc之藥液供給至噴出口主體34之連通路69(參照圖15)。此時，如圖15所示，供給至連通路69之藥液之溫度Tc例如為約82℃，自噴出口31噴出該溫度之藥液。連通路69之管壁即內壁面34B之溫度T₂ 係藉由與流經連通路69之藥液接液，而升溫至與溫度Tc大致相同之溫度。 因此，能夠自針對從IDLE狀態恢復後之最初之第1片基板W之高溫藥液步驟(圖13之S4)起，自噴出口31噴出已精度良好地調整為高溫之藥液。並且，由於在噴出口主體34之內壁面34B無溫度變化，故而於針對下一基板W之高溫藥液步驟(圖13之S4)中，亦可自噴出口31噴出相同溫度之藥液。即，可使自噴出口31噴出之藥液之溫度於複數個高溫藥液步驟(圖13之S4)間保持均勻。藉此，可抑制或防止基板W間之高溫處理之偏差。 與此相對，將不對未使用之狀態之噴嘴進行加熱之情形以虛線示於圖18。於該情形時，自IDLE狀態恢復時，內壁面34B之溫度T₂ 為常溫。此時，即便將溫度Tc之藥液供給至連通路69，亦會與內壁面34B發生熱交換而導致藥液之溫度下降。因此，自IDLE狀態恢復後之最初之數片基板W之溫度較低。其後，藉由反覆連續地執行高溫藥液步驟(圖13之S4)，而內壁面34B溫度上升，不久，於不供給藥液之狀態下維持為熱平衡溫度T_B 。 又，於基板處理裝置1之處理單元2中，有時根據基板W(批次單位)之種類，而所使用之藥液之溫度不同。於此種情形時，於對之前之批次之基板W的基板處理結束之後，變更利用溫度調整單元80實現之噴出口主體34之加熱溫度。 具體而言，於載置在裝載埠LP之基板收容器C中所包含之基板W之配方中之高溫藥液之設定溫度與目前為止之設定溫度不同的情形時，控制裝置3以如下方式對溫度調整單元80進行控制，即，配置於退避位置P2之噴出口主體34之內壁面34B之溫度T₂ 成為與高溫藥液對應之新的熱平衡溫度，且該噴出口主體34之外壁面34A之溫度T₁ 成為較新的熱平衡溫度更低溫且如外壁面34A與其周圍之環境保持為熱平衡狀態般之低溫度。並且，於此後執行之高溫藥液步驟(圖13之S4)中，內壁面34B之溫度T₂ 持續維持為與高溫藥液對應之新的熱平衡溫度。藉此，即便於應噴出之藥液之設定溫度於中途改變之情形時，亦可抑制或防止此後之高溫處理中之基板W間之偏差。 藉由以上，根據本實施形態，藉由溫度調整單元80(溫度變化單元)將噴出口主體34之外壁面34A加熱或冷卻而使噴出口主體34發生溫度變化，藉此，於不向連通路69供給高溫藥液之狀態下，噴出口主體34之內壁面34B維持為熱平衡溫度T_B 。 熱平衡溫度T_B 係於反覆連續地執行高溫藥液步驟(S4，基板處理步驟)之情形時收斂的噴出口主體34之內壁面34B之溫度。藉由在不向連通路69供給高溫藥液之狀態下，將噴出口主體34之內壁面34B維持為熱平衡溫度T_B ，而於接下來執行之高溫藥液步驟(S4)中，噴出口主體34之內壁面34B維持為熱平衡溫度T_B 。不僅如此，而且於此後反覆執行之高溫藥液步驟(S4)中，噴出口主體34之內壁面34B亦維持為熱平衡溫度T_B 。即，於噴出口主體34之內壁面34B無溫度變化。 供給至連通路69之高溫之藥液係在與維持為熱平衡溫度T_B 之噴出口主體34之內壁面34B接觸之後自噴出口31噴出。由於在噴出口主體34之內壁面34B無溫度變化，故而可使自噴出口31噴出之藥液之溫度於複數個高溫藥液步驟(S4)間保持均勻。藉此，可抑制或防止基板W間之高溫處理之偏差。 又，噴出口主體34之外壁面34A保持為較常溫高且較熱平衡溫度T_B 低之低溫度T_A 。低溫度T_A 係如於源於溫度調整單元80之加熱狀態下噴出口主體34之外壁面34A與其周圍之環境保持為熱平衡狀態般的溫度。藉此，可於噴出口主體34之外壁面34A防止相對於噴出口主體34之熱之進出。因此，可將噴出口主體34之內壁面34B持續維持為熱平衡狀態。 又，藉由利用溫度調整單元80對噴出口主體34之外壁面34A進行加熱，而使噴出口主體34之外壁面34A之溫度升溫至較熱平衡溫度T_B 更高溫。然後，藉由利用溫度調整單元80將噴出口主體34之外壁面34A冷卻，而使噴出口主體34之外壁面34A之溫度下降。然後，藉由利用溫度調整單元80對噴出口主體34之外壁面34A進行加熱，而將噴出口主體34之內壁面34B保持為熱平衡溫度T_B ，且將噴出口主體34之外壁面34A之溫度保持為低溫度T_A 。如此，可利用相對簡單之方法實現噴出口主體34之內壁面34B保持為熱平衡溫度T_B 且噴出口主體34之外壁面34A保持為低溫度T_A 的狀態。 又，利用溫度調整單元80對配置於退避位置P2之噴嘴22之噴出口主體34進行加熱或冷卻。關於可在處理位置P1與退避位置P2之間移動之掃描式噴嘴22，於對基板W之藥液非供給期間中之較長之期間，噴嘴22配置於退避位置P2。可有效利用對基板W之藥液非供給期間而預先將噴出口主體34加熱。 噴出口主體34係使用PCTFE或PTFE、PFA而形成。PCTFE、PTFE及PFA分別為熱容量較大之材料。因此，導熱率較差。由於噴出口主體34使用此種材料而形成，故而存在噴出口主體34難以發生溫度變化之問題。因此，於當噴出口主體34之內壁面34B例如處於常溫時反覆進行複數個藥液處理步驟(圖13之S4)之情形時，存在如下問題，即，於每個高溫藥液步驟(S4)中，噴出口主體34之內壁面34B之溫度產生偏差，由此導致自噴出口31噴出之藥液之溫度產生偏差。其結果，有基板W間之高溫處理之偏差顯著化之虞。 對此，於實施形態中，於不向連通路69供給高溫藥液之狀態下，噴出口主體34之內壁面34B維持為熱平衡溫度T_B 。藉此，可使自噴出口31噴出之藥液之溫度於複數個高溫藥液步驟(圖13之S4)間保持均勻。因此，即便於噴出口主體34由熱容量較大之材料形成之情形時，亦可有效地抑制或防止基板W間之處理之偏差。 以上，對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明亦可以其他形態加以實施。 又，於上述實施形態中，設為使用珀爾帖元件作為溫度調整單元80之熱源83而進行了說明，但亦可將熱源分為加熱源(加熱器)與冷卻源(冷卻器)而設置。 又，於上述處理例中，不進行預噴，但亦可於高溫藥液步驟(圖13之S4)之前進行預噴。於該情形時，於平衡溫度維持步驟(利用溫度調整單元80所進行之加熱)與基板處理步驟(高溫藥液步驟(S4))之間進行預噴。於該情形時，自噴出口31噴出以進行預噴之藥液由退避罐27接住。即便於進行預噴之情形時，廢棄之藥液之量亦可為少量，因此藥液之消耗量可為少量，且預噴所需之時間亦可為短時間。 又，亦可設置複數個溫度調整單元80，且相對於複數個噴嘴22個別地建立對應關係。於該情形時，亦可對各噴嘴22利用對應之溫度調整單元80個別地進行溫度調整。 又，作為高溫之處理液，列舉了高溫之藥液為例，但高溫之處理液亦可為高溫之水。於該情形時，水例如為純水(去離子水：Deionized water)，但不限於純水，可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10～100 ppm左右)之鹽酸水之任一者。 又，於上述實施形態中，對設置有複數個噴嘴22之情形進行了說明，但只要噴嘴22於退避位置P2由溫度調整單元80加熱(溫度變更)，則溫度變更對象之噴嘴22亦可為1個而非複數個。 又，只要在源於溫度調整單元80之噴出口主體34之加熱狀態下，內壁面34B之溫度T₂ 保持為熱平衡溫度T_B ，則噴出口主體34之外壁面34A亦可不必保持為較熱平衡溫度T_B 更低溫。 又，對利用溫度調整單元80對噴嘴22進行加熱(溫度變更)之情形進行了說明，但溫度變更之對象亦可為構成處理液流通路之一部分之處理液流通構件而非噴嘴22。然而，溫度變更之對象限於循環流路(第2循環流路67)之下游側之部分。 又，於上述實施形態中，對基板處理裝置1為對圓板狀之基板W進行處理之裝置之情形進行了說明，但基板處理裝置1亦可為對液晶顯示裝置用玻璃基板等多邊形之基板進行處理之裝置。 對本發明之實施形態進行了詳細說明，但該等僅為用以明確本發明之技術內容之具體例，本發明不應限定於該等具體例進行解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍而限定。 本申請係與於2017年3月24日向日本特許廳提出之日本專利特願2017-060046號對應，且該申請之所有揭示以引用之形式組入至本文中。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧處理單元

3‧‧‧控制裝置

4‧‧‧流體箱

5‧‧‧流體箱

6‧‧‧藥液槽

7‧‧‧貯存箱

8‧‧‧框架

9‧‧‧腔室

10‧‧‧旋轉夾頭

11‧‧‧護罩

12‧‧‧間隔壁

12a‧‧‧搬入搬出口

12b‧‧‧擋板

13‧‧‧旋轉基座

14‧‧‧夾頭銷

15‧‧‧旋轉馬達

16‧‧‧防濺板

17‧‧‧外壁面

18‧‧‧防護板升降單元

19‧‧‧淋洗液噴嘴

20‧‧‧淋洗液閥

21‧‧‧淋洗液配管

22‧‧‧噴嘴

22A‧‧‧第1噴嘴

22B‧‧‧第2噴嘴

22C‧‧‧第3噴嘴

22D‧‧‧第4噴嘴

23‧‧‧保持器

24‧‧‧噴嘴移動單元

25‧‧‧臂

26‧‧‧噴嘴頭

26A‧‧‧第1噴嘴頭

26B‧‧‧第2噴嘴頭

26C‧‧‧第3噴嘴頭

26D‧‧‧第4噴嘴頭

27‧‧‧退避罐

28‧‧‧噴出閥

29‧‧‧管

30‧‧‧管

31‧‧‧噴出口

31A‧‧‧第1噴出口

31B‧‧‧第2噴出口

31C‧‧‧第3噴出口

31D‧‧‧第4噴出口

32‧‧‧藥液供給流路

32A‧‧‧第1藥液供給流路

32B‧‧‧第2藥液供給流路

32C‧‧‧第3藥液供給流路

32D‧‧‧第4藥液供給流路

33‧‧‧第2返回流路

34‧‧‧噴出口主體

34A‧‧‧外壁面

34B‧‧‧內壁面

35‧‧‧流路

35a‧‧‧流路

35b‧‧‧流路

35c‧‧‧流路

36‧‧‧本體

37‧‧‧閥體

38‧‧‧氣動致動器

39‧‧‧汽缸

40‧‧‧閥室

41‧‧‧間隔壁

42‧‧‧活塞

43‧‧‧彈簧

44‧‧‧桿

45‧‧‧管

46‧‧‧閥座面

47‧‧‧接頭

48‧‧‧接頭

49‧‧‧筒部

50‧‧‧第1循環流路

51‧‧‧第1循環加熱器

52‧‧‧泵

53‧‧‧第1返回閥

54‧‧‧供給閥

55‧‧‧流量計

56‧‧‧流量調整閥

57‧‧‧第2循環加熱器

58‧‧‧第2返回閥

59‧‧‧旁通流路

60‧‧‧旁通閥

61‧‧‧抽吸流路

62‧‧‧抽吸閥

63‧‧‧冷卻器

64‧‧‧回收流路

65‧‧‧第1返回流路

66‧‧‧藥液流路

67‧‧‧第2循環流路

68‧‧‧藥液供給閥

69‧‧‧連通路

69A‧‧‧主連通路

69B‧‧‧分支路

70‧‧‧噴出口部

71‧‧‧內部空間

72‧‧‧殼體

72a‧‧‧下壁

72b‧‧‧側壁

73‧‧‧插入口

74‧‧‧排出口

76‧‧‧排出配管

77‧‧‧溫度調整器

78‧‧‧溫度感測器

80‧‧‧溫度調整單元

81‧‧‧固定板

82‧‧‧螺栓

83‧‧‧熱源

84‧‧‧隔熱層

85‧‧‧熱擴散體

86‧‧‧隔熱體

91‧‧‧運算單元

92‧‧‧記憶單元

93‧‧‧程式

94‧‧‧配方記憶部

A1‧‧‧旋轉軸線

A2‧‧‧噴嘴旋動軸線

C‧‧‧基板收容器

CR‧‧‧搬送機械手

D1‧‧‧長度方向

D2‧‧‧排列方向

Dr‧‧‧徑向

H‧‧‧手部

IR‧‧‧分度機械手

LP‧‧‧裝載埠

P1‧‧‧處理位置

P2‧‧‧退避位置

RT‧‧‧常溫

S1～S9‧‧‧步驟

S11～S13‧‧‧步驟

T₁‧‧‧溫度

T₂‧‧‧溫度

T_A‧‧‧低溫度

T_B‧‧‧熱平衡溫度

Tc‧‧‧溫度

W‧‧‧基板

X‧‧‧箭頭

X1‧‧‧軸向

圖1係用以說明本發明之一實施形態之基板處理裝置之內部之佈局的圖解性俯視圖。 圖2係表示上述基板處理裝置所具備之處理單元之內部的模式性前視圖。 圖3係表示上述處理單元之內部之模式性俯視圖。 圖4係表示上述處理單元中所包含之複數個噴嘴之模式性前視圖。 圖5係表示上述噴嘴中所包含之噴出閥之一例之內部的剖視圖。 圖6係表示上述基板處理裝置中所包含之噴出停止狀態之處理液供給系統之模式圖。 圖7係表示上述基板處理裝置中所包含之噴出狀態之處理液供給系統之模式圖。 圖8係表示上述基板處理裝置中所包含之抽吸去除狀態之處理液供給系統之模式圖。 圖9係表示圖2所示之退避罐之概略構成之剖視圖。 圖10係沿箭頭X之方向觀察圖9所得之圖。 圖11係圖9所示之溫度調整單元之剖視圖。 圖12係用以說明上述基板處理裝置之主要部分之電氣構成之方塊圖。 圖13係用以對利用上述處理單元所進行之處理之處理例進行說明之流程圖。 圖14係用以說明上述處理例中之控制裝置之主要之控制內容的時序圖。 圖15係表示溫度調整單元對上述噴嘴中所包含之噴出口主體之外壁面進行加熱之狀態的模式性圖。 圖16係表示利用溫度調整單元所進行之加熱開始時執行之平衡溫度調整步驟之內容的流程圖。 圖17係表示上述平衡溫度調整步驟中之上述噴出口主體之內壁面及外壁面之溫度變化的曲線圖。 圖18係表示連續執行圖13所示之高溫藥液步驟之情形時之噴出口主體之內壁面溫度之變化的曲線圖。

Claims (18)

1. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其保持基板；處理液流通構件，其係具有內壁面及外壁面者，且利用上述內壁面區劃與向保持於上述基板保持單元之基板噴出處理液之噴出口連通之處理液流通路的至少一部分；處理液供給單元，其用於將較常溫高之高溫之處理液供給至上述處理液流通路；溫度變化單元，其用於對上述處理液流通構件之上述外壁面自外側進行加熱或冷卻，而使上述處理液流通構件發生溫度變化；及控制裝置，其執行基板處理步驟及平衡溫度維持步驟，上述基板處理步驟係對上述處理液供給單元進行控制，向上述處理液流通路供給較常溫高之高溫之處理液，並自上述噴出口噴出上述高溫之處理液，藉此對保持於基板保持單元之基板實施處理，且上述平衡溫度維持步驟係於不自上述處理液供給單元向上述處理液流通路供給處理液之狀態下，對上述溫度變化單元進行控制，將上述處理液流通構件之上述內壁面維持在熱平衡溫度。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述控制裝置於上述平衡溫度維持步驟中執行如下步驟：將上述內壁面保持在熱平衡溫度，且將上述外壁面保持在較常溫高並較上述熱平衡溫度低之特定溫度。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述控制裝置於上述平衡溫度維持步驟開始時執行：第1加熱步驟，其係對上述外壁面進行加熱，以使該外壁面之溫度升溫至較上述熱平衡溫度高溫；冷卻步驟，其係繼上述第1加熱步驟後，將上述外壁面冷卻以使該外壁面之溫度下降至較處理液之溫度低溫；及第2加熱步驟，其係繼上述冷卻步驟後，以將上述內壁面保持在熱平衡溫度之方式、且以將上述外壁面之溫度保持在上述特定溫度之方式，對該外壁面進行加熱。
4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述控制裝置係根據於繼上述平衡溫度維持步驟後執行之上述基板處理步驟中所使用之處理液的溫度，而對該平衡溫度維持步驟中設定之上述熱平衡溫度進行調整，且上述控制裝置係基於所設定之上述熱平衡溫度，執行上述平衡溫度維持步驟。
5. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述處理液流通構件包含具有上述噴出口之噴嘴。
6. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述噴嘴設置成能夠於用於向保持於上述基板保持單元之基板噴出處理液之處理位置、與自上述基板保持單元退避的退避位置之間移動，且上述溫度變化單元係於上述噴嘴配置於上述退避位置之狀態下，使該噴嘴發生溫度變化。
7. 如請求項5之基板處理裝置，其進而包含用於包圍配置於上述退避位置之上述噴嘴之包圍構件，且上述溫度變化單元配置於上述包圍構件之側壁。
8. 如請求項7之基板處理裝置，其中上述噴嘴設置有複數個，上述包圍構件設置成可將分別配置於上述退避位置之複數個上述噴嘴一併包圍，上述溫度變化單元設置有複數個，上述溫度變化單元與上述噴嘴對應地設置，且各溫度變化單元使對應之上述噴嘴之溫度，個別地發生溫度變化。
9. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述噴嘴包含與上述噴出口連通之連通路、及區劃上述連通路之主體，上述處理液流通構件包含上述主體，且上述處理液流通構件之外壁面，包含上述主體之外壁面。
10. 如請求項9之基板處理裝置，其中上述連通路包含複數個分支路，各分支路具有上述噴出口，且上述主體包含收容上述複數個分支路之噴出口主體。
11. 如請求項9之基板處理裝置，其中上述主體係使用樹脂材料形成。
12. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述樹脂材料包含PCTFE、PTFE及PFA之至少一種。
13. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述溫度變化單元包含珀爾帖元件。
14. 一種基板處理方法，其包括：基板處理步驟，其係向處理液流通構件之處理液流通路，供給較常溫高之特定之具有第1高溫之處理液，並自與上述處理液流通路連通之噴出口噴出處理液，藉此對保持於基板保持單元之基板實施處理；及平衡溫度維持步驟，其係於不進行上述基板處理步驟之狀態下，對上述處理液流通構件之外壁面自外側進行加熱或冷卻而使上述處理液流通構件發生溫度變化，藉此將上述處理液流通構件之內壁面維持在較常溫高且較上述第1高溫低之特定熱平衡溫度。
15. 如請求項14之基板處理方法，其中上述平衡溫度維持步驟包括如下步驟：一面將上述內壁面保持在熱平衡溫度，並且將上述外壁面保持在較常溫高且較上述熱平衡溫度低之特定溫度。
16. 如請求項15之基板處理方法，其中上述平衡溫度維持步驟包括：第1加熱步驟，其係對上述外壁面進行加熱，以使該外壁面之溫度升溫至較上述熱平衡溫度高溫；冷卻步驟，其係繼上述第1加熱步驟後，將上述外壁面冷卻以使該外壁面之溫度下降至較處理液之溫度低溫；及第2加熱步驟，其係繼上述冷卻步驟後，以將上述處理液流通構件之內壁面保持在熱平衡溫度之方式、且以將上述外壁面之溫度保持在上述特定溫度的方式，對該外壁面進行加熱。
17. 如請求項14至16中任一項之基板處理方法，其中上述平衡溫度維持步驟，係根據於在該平衡溫度維持步驟後執行之上述基板處理步驟中所使用之處理液的溫度，而對該平衡溫度維持步驟中之上述熱平衡溫度進行調整。
18. 如請求項14或15之基板處理方法，其中上述熱平衡溫度，係於反覆連續地執行複數次之上述基板處理步驟之情形時收斂的上述內壁面之溫度。