TWI674311B

TWI674311B - 蝕刻劑組成物、透明電極形成方法及顯示基板製造方法

Info

Publication number: TWI674311B
Application number: TW104126487A
Authority: TW
Inventors: 朴弘植; Hong-Sick Park; 文英慜; Young-Min Moon; 鄭鍾鉉; Jong-Hyun Choung; 金寶衡; Bo-Hyeong Kim; 南基龍; Gi-Yong Nam; 朴英哲; Young-Chul Park; 尹暎晉; Young-Jin Yoon
Original assignee: 南韓商東友精細化工有限公司; Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd.
Priority date: 2014-09-01
Filing date: 2015-08-14
Publication date: 2019-10-11
Also published as: TW201610103A; CN105385450A; KR20160027598A; CN105385450B

Abstract

本發明公開了一種蝕刻劑組成物，所述蝕刻劑組成物包括：硝酸，3重量%以上且小於10重量%；氯化物，0.01重量%以上且5重量%以下；氨化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；環狀氨基化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；其餘重量%的水。據此，可以通過選擇性地蝕刻金屬氧化層，防止包括銅、鈦、鉬或者鋁的金屬層的蝕刻。

Description

蝕刻劑組成物、透明電極形成方法及顯示基板製造方法

本發明是有關於一種蝕刻劑組成物、利用其的透明電極的形成方法及顯示基板製造方法，且特別是有關於一種可以蝕刻金屬氧化物層的蝕刻劑成分、利用其的透明電極及顯示基板製造方法。

通常，用於顯示裝置的顯示基板包括：作為用於驅動各個像素區域的開關元件的薄膜電晶體、與所述薄膜電晶體連接的信號線以及像素電極。所述信號線包括：閘極線，傳遞閘極的驅動信號；資料線，與所述閘極線交叉並傳遞資料驅動信號。

所述像素電極包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物等之類的金屬氧化物，且為了形成所述像素電極，使用蝕刻劑組成物。為了蝕刻所述金屬氧化物，現有的蝕刻劑組成物包含硫酸。包含硫酸的蝕刻劑組成物會產生有害物質而會引起環境問題。而且，可能會損傷包括銅、鋁、鉬或鈦等金屬的其他金屬膜。

為了解決上述問題，若從蝕刻劑組成物中去掉硫酸成分，並提高硝酸的含量，則會因氮總量的增加，導致廢水處理量的增加。

為了解決上述問題，本發明的目的在於提供一種減少對環境有害的物質的產生，且通過選擇性地蝕刻金屬氧化層來防止其他金屬層的損傷的蝕刻劑組成物。

本發明的另一目的在於提供一種利用所述蝕刻劑組成物的透明電極的形成方法。

本發明的另一目的在於提供一種利用所述蝕刻劑組成物的顯示基板的製造方法。

為了實現所述的本發明的目的，根據一實施例的蝕刻劑組成物包括：硝酸，3重量%以上且小於10重量%；氯化物，0.01重量%以上且5重量%以下；氨化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；環狀氨基化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；其餘重量%的水。

一實施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亞硝酸。

一實施例中，所述氯化物可以包括氯化鈉、氯化鉀或者氯化氨。

一實施例中，所述氨化合物可以包括硫酸銨或者硫化銨。

一實施例中，所述環狀氨基化合物可以包括吡咯(pyrrole)、吡唑(pyrazole)、咪唑(imidazole)、三唑(triazole)、四唑(tetrazole)、五唑(pentazole)、惡唑(oxazole)、異惡唑(isoxazole)、噻唑(thiazole)或者異噻唑(isothiazole)。

一實施例中，所述環狀氨基化合物可以包括苯並三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-甲基四唑。

根據為了實現所述本發明的另一目的的一實施例的透明電極的形成方法，在基板上形成包括金屬氧化物的透明電極層。在所述透明電極層上形成光致抗蝕劑圖案。將所述光致抗蝕劑圖案利用為遮罩，向包括所述金屬氧化物的透明電極層提供蝕刻劑組成物，以蝕刻所述透明電極層，其中，所述蝕刻劑組成物包括：硝酸，3重量%以上且小於10重量%；氯化物，0.01重量%以上且5重量%以下；氨化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；環狀氨基化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；其餘重量%的水。

一實施例中，所述透明電極可以包括銦鋅氧化物或者銦錫氧化物。

一實施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亞硝酸。

一實施例中，所述氨化合物可以包括硫酸銨或者硫化銨。

根據為了實現所述本發明的另一目的的實施例的顯示基板的製造方法在基板上形成薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括：閘極電極；半導體層，與所述閘極電極重疊；源極電極，與所述半導體層接觸；汲極電極，與所述半導體層接觸且與所述源極電極分開。形成覆蓋所述薄膜電晶體的保護膜。對所述保護膜進行圖案化，以露出所述汲極電極。在所述保護膜上形成金屬氧化物層。利用蝕刻劑組成物來蝕刻所述金屬氧化物層，以形成與所述汲極電極連接的像素電極。所述蝕刻劑組成物包括：硝酸，3重量%以上且小於10重量%；氯化物，0.01重量%以上且5重量%以下；氨化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；環狀氨基化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；其餘重量%的水。

一實施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亞硝酸。

一實施例中，所述氨化合物可以包括硫酸銨或者硫化銨。

根據本發明的實施例的蝕刻劑組成物可以選擇性地蝕刻金屬氧化層，從而防止對含銅、鈦、鉬或者鋁的金屬層的蝕刻。

而且，因為蝕刻液中不包含硫酸，所以可以通過防止硫酸引起的有害物質的產生來防止環境污染。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

GL‧‧‧閘極線

GE‧‧‧閘極電極

SE‧‧‧源極電極

DE‧‧‧汲極電極

AP‧‧‧有源圖案

OC‧‧‧歐姆接觸層

PE‧‧‧像素電極

110‧‧‧基板

120‧‧‧柵絕緣層

140‧‧‧鈍化層

160‧‧‧有機絕緣層

第1圖至第6圖是表示顯示基板製造方法的截面圖。

下面，首先對於根據本發明第一實施例的蝕刻劑組成物進行說明，然後參考圖式對於利用所述蝕刻劑組成物的透明電極的形成方法以及顯示基板的製造方法進行更為詳細的說明。

蝕刻劑組成物

根據本發明第一實施例的蝕刻劑組成物包括：硝酸、氯化物、氨化合物、環狀氨基化合物及作為其餘成分的水。所述的蝕刻劑組成物可以用於選擇性地蝕刻金屬氧化層。具體來說，所述蝕刻劑組成物可以用於銦錫氧化物(indium tin oxide；ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋅(zinc oxide；ZNO)等透明導電性氧化物的蝕刻。所述的銦錫氧化物或者銦鋅氧化物可以是晶體結構也可以是非晶體結構。所述蝕刻劑組成物可以防止或者最小化對含銅、鋁、鉬或鈦的金屬膜的損傷。下面，對各組成物進行具體的說明。

硝酸

所述蝕刻劑組成物所包含的硝酸可以蝕刻金屬氧化層。比如，硝酸包括硝酸(HNO₃)及亞硝酸(HNO₂)。

如果硝酸的含量相對於所述蝕刻劑組成物總品質小於3重量%，則會減少所述蝕刻劑組成物對所述金屬氧化層的蝕刻速度，且存在所述金屬氧化層被不均勻地蝕刻的問題。如果所述金屬氧化層被不均勻地蝕刻，則可能會被視為是斑點。相反，如果硝酸的超過約10重量%的話，則導致蝕刻速度過快，使蝕刻技術的調整變得困難。而且，因為氮總量增加，導致廢水處理量的增加。所以，硝酸的含量較佳為總重量的約3重量%以上且小於約10重量%，更佳地為5重量%以上且約8重量%以下。

本發明的蝕刻劑組成物較佳地為不包括磷酸、鹽酸或者硫酸。如果蝕刻劑組成物中包含有磷酸、鹽酸或者硫酸，則會導致蝕刻劑的pH值降低，進而可能在蝕刻金屬氧化層時，對銅、鈦、鉬或鋁等的金屬層造成損傷。

氯化物

所述蝕刻劑組成物所包含的氯化物取代磷酸、鹽酸及硫酸之類的無機酸而起到提高蝕刻金屬氧化物層的性能的作用。

如果所述氯化物的含量相對於所述蝕刻劑組成物總重量小於0.1重量%，則因為有限的硝酸使用量，導致金屬氧化物層的蝕刻速度變慢。相反，如果所述氯化物的含量超過5重量%，則會使金屬氧化物層的選擇性蝕刻變得困難，進而可能損傷包含銅、鈦、鉬或鋁等的金屬層。所以，所述氯化物的含量較佳為約0.1重量%以上且約5重量%以下，更佳地為約2重量%以上且約3重量%以下。

所述氯化物可以是含鹵族離子的化合物。具體地，可以使用氯化鈉、氯化鉀、氯化氨等，可較佳地使用氯化鈉。

環狀氨基化合物

所述蝕刻劑組成物中的環狀氨基化合物起到防止包括金屬的金屬層腐蝕的作用。

如果所述環狀氨基化合物的含量相對於所述蝕刻劑組成物總重量不到約0.01重量%，則會使包括金屬氧化物的透明電極的選擇性蝕刻變得困難，進而可能會導致包含銅、鋁、鉬或鈦的金屬層受損。另外，因為會導致與金屬氧化物和氯化物的反應變得困難，導致蝕刻後殘渣的產生。相反，如果所述環狀氨基化合物的含量超過約1重量%，則銅的蝕刻變得困難。所以，所述環狀氨基化合物的含量較佳為0.01重量%以上且約1重量%以下，更佳地為約0.1重量%以上且約0.7重量%以下。

所述環狀氨基化合物可以使用具有五元雜環的唑類化合物，該五元雜環在環中具備含有氮的至少一個非碳原子。具體地，可以使用吡咯(pyrrole)系化合物、吡唑(pyrazole)系化合物、咪唑(imidazole)系化合物、三唑(triazole)系化合物、四唑(tetrazole)系化合物、五唑(pentazole)系化合物、惡唑(oxazole)系化合物、異惡唑(isoxazole)系化合物、噻唑(thiazole)系化合物、異噻唑(isothiazole)系化合物等，且可以單獨使用其中一個或者混合使用其中多個。

比如，所述唑系化合物較佳為苯並三唑(benzotriazole)、5-氨基四唑(aminotetrazole)、3-氨基四唑(aminotetrazole)或5-甲基四唑之類的三唑(methyltetrazole)系，更佳地使用苯並三唑(benzotriazole)。

水

水包括去離子(deionized water)水。比如，水作為用於半導體工程的水，可以具有約18MΩ/cm的電阻率。水在所述蝕刻劑組成物中占除了硝酸、氯化物、氨化合物及環狀氨基化合物的含量之外的其餘部分。

本發明的實施例的蝕刻劑組成物可以選擇性地蝕刻金屬氧化物層，從而可以防止包括銅、鈦、鉬或鋁的金屬層的蝕刻。

透明電極的形成方法及顯示基板的製造方法

以下，參考附圖對根據本發明的實施例的透明電極的形成方法及顯示基板的製造方法進行詳細的說明。所述透明電極的形成方法參考所述顯示基板的製造方法中的像素電極的形成步驟而進行說明。

第1圖至第6圖為用於說明根據本發明的一實施例的顯示基板的製造方法的剖視圖。

所述顯示基板可以是用於顯示裝置的陣列基板。根據本發明的實施例的透明電極可以用作顯示裝置的像素電極或共用電極。

參考第1圖，在基板110上形成閘極線GL及閘極電極GE。具體來說，在所述基板100上形成閘金屬層後，對其進行圖案化，形成所述閘極線GL及所述閘極電極GE。所述基板100可以使用玻璃基板、石英基板、矽基板、塑膠基板等。

所述閘金屬層包括銅、銀、鉻、鉬、鋁、鈦、錳或它們的合金。閘金屬層可以具有單層結構或者具有包括含有互不相同物質的多個金屬層的多層結構。例如，所述閘金屬層可以包括銅層及該銅層的上部和/或下部形成的鈦層。

參考第2圖，在所述閘極電極GE上形成所述閘絕緣層120。所述閘絕緣層120覆蓋所述基板110及所述閘極電極GE。所述閘絕緣層120可包括無機絕緣物質。例如，所述閘絕緣層可以包括氧化矽(SiOx)及氮化矽(SiNx)。如，所述閘絕緣層120可包括矽氧化物(SiOx)且厚度為500Å。而且，所述閘絕緣層120可以具有包括互不相同的物質的多層結構。

參考第3圖，在所述閘絕緣層120上形成半導體層及資料金屬層並予以圖案化，從而形成有源圖案AP及包括源極電極SE和汲極電極DE的資料線。

所述資料金屬層的蝕刻通過利用蝕刻液的濕式蝕刻而進行。所述蝕刻液實質上不會蝕刻有源圖案AP。

所述有源圖案AP、源極電極SE和汲極電極DE在形成有所述閘極電極GE的區域的所述閘絕緣層120上形成。所述源極電極SE及所述汲極電極DE在所述有源圖案AP上相互分開佈置。

所述有源圖案AP與所述閘極電極GE重疊，且與所述源極電極SE及所述汲極電極DE分別在局部重疊。所述有源圖案AP介於所述閘極電極GE和所述源極電極SE之間，且可以介於所述閘極電極GE和所述汲極電極DE之間。

所述顯示基板可以包括形成於有源圖案AP上的歐姆接觸層OC。所述有源圖案AP可以包括矽半導體物質，例如非晶矽。所述歐姆接觸層OC介於所述有源圖案AP和所述源極電極SE之間，且介於所述有源圖案AP和所述汲極電極DE之間。所述歐姆接觸層OC可以包括高濃度摻入n型雜質的非晶矽。

所述源極電極SE及汲極電極DE可以具有包含銅(Cu)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鈦(Ti)、錳(Mn)或者它們的合金的單層結構或者包含有互不相同的物質的多個金屬層的多層結構。例如，所述源極電極SE及汲極電極DE可以包括形成於所述銅(Cu)層的上部和/或下部的鈦(Ti)層。

參考第4圖，所述源極電極SE和所述源極電極DE上形成有鈍化層140。所述鈍化層140可以包括氧化矽(SiOx)及氮化矽(SiNx)。

所述鈍化層140上形成有機絕緣層160。所述有機絕緣層160包含有機物質。所述有機絕緣層160可以整平顯示基板的表面，且可通過把光致抗蝕劑組成物旋轉塗布在鈍化層140而形成。如果所述顯示基板包括濾色片，則濾色片可以代替有機絕緣層160而形成。

參考第5圖，在所述鈍化層140上形成金屬氧化層。所述金屬氧化物層可以包括透明導電物質。例如，可以包括銦錫氧化物(indium tin oxide：ITO)或者銦鋅氧化物(indium zinc oxide：IZO)。

參考第6圖，通過蝕刻所述金屬氧化物層而形成像素電極PE。在所述金屬氧化物層的上面形成光致抗蝕劑圖案。將所述光致抗蝕劑圖案作為遮罩，利用蝕刻劑組成物進行濕式蝕刻。所述蝕刻劑組成物中包括：硝酸、氯化物、氨化合物、環狀氨基化合物及其餘的水。所述蝕刻劑組成物與已說明的根據本發明實施例的蝕刻劑組成物實質相同，所以省略具體說明。

所述蝕刻劑組成物可通過噴射法、浸透法等提供。所述蝕刻劑組成物可以包括硝酸、氯化物、氨化合物、環狀氨基化合物及其餘的水。

所述像素電極PE可通過接觸孔與所述汲極電極DE電連接，該接觸孔圖案化所述鈍化層140和所述有機絕緣層160而形成。

在形成所述金屬氧化物層後，或者蝕刻所述金屬氧化物層後，形成有所述像素電極PE的顯示基板可以被刷子、水或者有機溶劑洗淨。

雖未被圖示，但在所述像素電極PE上可以形成用於使液晶配向的配向膜。在其他實施例中，顯示基板還可以包括與所述像素電極PE形成電場的共用電極。

本實施例中說明的顯示基板的薄膜電晶體具有閘極電極被佈置在有源圖案的下面的底閘構造。但是，在其他實施例中，也可以具有閘極被佈置在有源圖案上面的頂閘構造。

以下，參考具體實施例及對照例的實驗結果，對根據本發明的實施例的蝕刻劑組成物所帶來的效果進行說明。

根據本發明的一實施例，通過選擇性地蝕刻金屬氧化物層，能夠防止包括銅、鈦、鉬或鋁的金屬層的蝕刻。

另外，因為蝕刻液中不包含硫酸，所以可以通過防止硫酸引起的有害物的產生來防止環境污染。

以下，參考具體實施例及對照例的實驗結果，對根據本發明的實施例的蝕刻劑組成物的效果進行說明。

蝕刻劑組成物的準備

根據下表1，準備了達到10kg的蝕刻劑組成物，其中，包括：硝酸(HNO₃)、作為氯化物的氯化鈉(NaCl)、作為氨化合物的硫酸銨((NH₄)₂SO₄)、作為環狀氨基化合物的苯並三唑及其餘的水。

蝕刻劑組成物的蝕刻性能評價實驗1

將實施例1到6及對比例1到8的蝕刻劑組成物分別噴射到層疊於玻璃基板上的包括約550Å的銦鋅氧化物膜和光致抗蝕劑圖案的樣品以及包括約550Å的非晶質銦錫氧化物(a-ITO)膜和光致抗蝕劑圖案的樣品上，以到蝕刻終點為止所需的時間為基準，將所述金屬氧化物層過度蝕刻90%。然後，利用掃描電子顯微鏡照片測量樣品的CD錯位，然後將其結果彙集於下表2。以下，CD錯位定義為光致抗蝕劑圖案末端和金屬氧化物膜之間的距離。

準備了包含層疊於玻璃基板上的約550Å的銦鋅氧化物膜和光致抗蝕劑圖案的樣品或銦錫氧化物膜和光致抗蝕劑圖案的樣品。在樣品上噴射實施例1到6及對比例1到8的蝕刻劑組成物，以到蝕刻終點(end point detection，EPD)為止所需時間為基準，將所述銅層過度蝕刻90%。包括銦鋅氧化物膜和光致抗蝕劑圖案的樣品的蝕刻終點為130秒，包括銦錫氧化物膜和光致抗蝕劑圖案的樣品的蝕刻終點為280秒。所述蝕刻劑組成物的溫度為33℃。

參考表2，測量結果為：用不包含硫酸的實施例1到6蝕刻的銦鋅氧化物膜的CD錯位值為0.24μm，銦錫氧化物膜的CD錯位的值為0.1μm。

用包含2.6重量%的氯化鈉、0.5重量%的苯並三唑及1.0重量%的硫酸銨的對比例4蝕刻的銦鋅氧化物膜的CD錯位值和銦錫氧化物膜的CD錯位值測量為0μm。

用包含7.5重量%的硝酸、0.5重量%的苯並三唑及1.0重量%的硫酸銨的對比例5蝕刻的銦鋅氧化物膜的CD錯位值測量為0.08μm，銦錫氧化物膜的CD錯位值測量為0.02μm。

用包含7.5重量%的硝酸、2.6重量%的氯化鈉及1.0 重量%的硫酸銨的對比例6蝕刻的銦鋅氧化物膜的CD錯位值測量為0.29μm，銦錫氧化物膜的CD錯位值測量為0.14μm。

用包含7.5重量%的硝酸、2.6重量%的氯化鈉及0.5重量%的苯並三唑的對比例7蝕刻的銦鋅氧化物膜的CD錯位值測量為0.32μm，銦錫氧化物膜的CD錯位值測量為0.14μm。

因此，基於對比例4到7的蝕刻劑組成物的組成，沒有表現出與實施例1到6的蝕刻劑組成物相同的蝕刻性能。

用包含7重量%的硝酸、0.5重量%的苯並三唑、5重量%的硫酸及1重量%的硫酸氨的對比例8蝕刻的銦鋅氧化物膜的CD錯位值測量為0.24μm，銦錫氧化物膜的CD錯位值測量為0.1μm。

因此，可以確定，不包含硫酸的實施例1到6的蝕刻性能與包含硫酸的對比例8的蝕刻性能相同。

蝕刻劑組成物的蝕刻性能評價實驗3

把實施例1到6及對比例1到8的蝕刻劑組成物分別噴射到層疊於玻璃基板上的包括約200Å的鈦層及約10,000Å的銅層的金屬層以及包括佈置在兩個約700Å的鉬層間的約10,000Å的鋁層的金屬層，利用掃描電子顯微鏡測量各金屬層的輪廓後，與蝕刻前的金屬層一起比較，把其結果匯於下表3。所述金屬層被蝕刻10分鐘且所述蝕刻劑組成物的溫度為33℃。

表3的“○”表示金屬層全部受損，“△”表示金屬層部分受損，“X”表示金屬層沒有實質受損。

參考表3，利用對比例6或者對比例7蝕刻的包括銅的金屬層的損傷程度大於蝕刻前的金屬層，與之相反，利用不包含硫酸的實施例1到6蝕刻的包括銅的金屬層的損傷小於蝕刻前的金屬層。可以確認，利用本發明的實施例1到6蝕刻的包括銅的金屬層的損傷程度與用對比例8蝕刻的包括銅的金屬層的損傷程度相同，其中，對比例8包含7重量%的硝酸、0.5重量%的苯並三唑、5重量%的硫酸及1重量%的硫酸銨。

而且，利用對比例6或者對比例7蝕刻的包括鋁的金屬層的損傷程度大於蝕刻前的金屬層，與之相反，利用不包含硫酸的實施例1到6蝕刻的包括鋁的金屬層的損傷程度小於蝕刻前的金屬層。可以確認，利用本發明的實施例1到6蝕刻的包括鋁的金屬層的損傷程度與用對比例8蝕刻的包括鋁的金屬層的損傷程度相同，其中，對比例8包含7重量%的硝酸、0.5重量%的苯並三唑、5重量%的硫酸及1重量%的硫酸銨。

所以，不包含硫酸的實施例1到6的蝕刻劑成分通過選擇性蝕刻金屬氧化物層，來防止包括銅、鈦、鉬或鋁的金屬層的損傷。

而且，因為實施例1到6中的成分中不包含硫酸，所以可以通過防止硫酸引起的有害物質的產生來防止環境污染。

以上，雖然參考實施例進行了說明，但是應當認識到，本領域中具有通常知識者在不脫離申請專利範圍中記載的本發明的思想和領域範圍之內，可對本發明實現多樣的修改及變形。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims

一種用以蝕刻包括銦鋅氧化物或者銦錫氧化物的透明電極層之蝕刻劑組成物，所述蝕刻劑組成物包括：硝酸，3重量%以上且小於10重量%；氯化鈉，0.01重量%以上且5重量%以下；氨化合物，0.1重量%以上且5重量%以下，所述氨化合物包括從由硫酸銨和硫化銨構成的群組中選擇的至少一個；環狀氨基化合物，0.1重量%以上且5重量%以下，所述環狀氨基化合物包括從由吡咯、吡唑、咪唑、三唑、四唑、五唑、惡唑、異惡唑、噻唑及異噻唑構成的群組中選擇的至少一個；以及其餘重量%的水，其中所述蝕刻劑組成物不包括鹽酸、磷酸或者硫酸。
如申請專利範圍第1項所述的蝕刻劑組成物，其中所述硝酸包括從由硝酸和亞硝酸構成的群組中選擇的至少一個。
如申請專利範圍第1項所述的蝕刻劑組成物，其中所述環狀氨基化合物包括從由苯並三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-甲基四唑構成的群組中選擇的至少一個。
一種透明電極的形成方法，包括如下步驟：在基板上形成包括銦鋅氧化物或者銦錫氧化物的透明電極層；在所述透明電極層上形成光致抗蝕劑圖案；以及將所述光致抗蝕劑圖案作為掩膜，向所述透明電極層提供蝕刻劑組成物以蝕刻所述透明電極層，其中，所述蝕刻劑組成物包括：硝酸，3重量%以上且小於10重量%；氯化鈉，0.01重量%以上且5重量%以下；氨化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；環狀氨基化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；以及其餘重量%的水，其中所述氨化合物包括從由硫酸銨和硫化銨構成的群組中選擇的至少一個，所述環狀氨基化合物包括從由吡咯、吡唑、咪唑、三唑、四唑、五唑、惡唑、異惡唑、噻唑及異噻唑構成的群組中選擇的至少一個，所述蝕刻劑組成物不包括鹽酸、磷酸或者硫酸。
如申請專利範圍第4項所述的透明電極的形成方法，其中所述硝酸包括從由硝酸和亞硝酸構成的群組中選擇的至少一個。
如申請專利範圍第4項所述的透明電極的形成方法，其中所述環狀氨基化合物包括從由苯並三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-甲基四唑構成的群組中選擇的至少一個。
一種顯示基板的製造方法，包括如下步驟：在基板上形成薄膜電晶體，其中，該薄膜電晶體包括：閘極電極；半導體層，與所述閘極電極重疊；源極電極，與所述半導體層接觸；汲極電極，與所述半導體層接觸且與所述源極電極分開；形成覆蓋所述薄膜電晶體的保護膜；對所述保護膜進行圖案化，以露出所述汲極電極；在所述保護膜上形成包括銦鋅氧化物或者銦錫氧化物的金屬氧化物層；以及利用蝕刻劑組成物來蝕刻所述金屬氧化物層，以形成與所述汲極電極連接的像素電極，其中，所述蝕刻劑組成物包括：硝酸，3重量%以上且小於10重量%；氯化鈉，0.01重量%以上且5重量%以下；氨化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；環狀氨基化合物，0.1重量%以上且5重量%以下；以及其餘重量%的水，其中，所述氨化合物包括從由硫酸銨和硫化銨構成的群組中選擇的至少一個，所述環狀氨基化合物包括從由吡咯、吡唑、咪唑、三唑、四唑、五唑、惡唑、異惡唑、噻唑及異噻唑構成的群組中選擇的至少一個，所述蝕刻劑組成物不包括鹽酸、磷酸或者硫酸。
如申請專利範圍第7項所述的顯示基板的製造方法，其中所述硝酸包括從由硝酸和亞硝酸構成的群組中選擇的至少一個。
如申請專利範圍第7項所述的顯示基板的製造方法，其中所述環狀氨基化合物包括從由苯並三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-甲基四唑構成的群組中選擇的至少一個。