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TWI671815B - 蝕刻方法 - Google Patents

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TWI671815B
TWI671815B TW104140016A TW104140016A TWI671815B TW I671815 B TWI671815 B TW I671815B TW 104140016 A TW104140016 A TW 104140016A TW 104140016 A TW104140016 A TW 104140016A TW I671815 B TWI671815 B TW I671815B
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TW
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plasma
fluorocarbon
gas
film
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TW104140016A
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TW201631656A (zh
Inventor
戶村幕樹
Maju TOMURA
勝沼隆幸
Takayuki Katsunuma
本田昌伸
Masanobu Honda
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Tokyo Electron Limited
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Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司, Tokyo Electron Limited filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201631656A publication Critical patent/TW201631656A/zh
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    • H10W20/081—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H10P50/283—
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    • H10W20/01—
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    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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Abstract

本發明之課題，係將含矽原子及氧原子之第1區域，相對於第2區域，進行選擇性蝕刻。其解決方法係提供一種蝕刻方法，其一實施形態包含執行1次以上之序列的步驟、以及降低藉由執行1次以上之序列所形成之含氟碳之膜的膜厚的步驟。1次以上之序列分別包含：藉由產生含有氟碳氣體而不含氧氣之處理氣體的電漿而在被處理體上形成含氟碳之膜的步驟、與藉由含氟碳之膜所含有之氟碳的自由基以蝕刻第1區域的步驟。於此方法，1次以上之序列與降低含氟碳之膜之膜厚的步驟，係作為交互反覆程序來執行。

Description

蝕刻方法
本發明之實施形態，係有關於蝕刻方法，特別是有關於藉由對被處理體進行電漿處理，而將包含矽原子及氧原子之第1區域，相對於由與該第1區域材不同料所構成之第2區域，進行選擇性蝕刻之方法。
於電子元件之製造，有時會對例如氧化矽(SiO2)之類含矽原子及氧原子之區域所構成之區域，進行形成通孔或凹槽等開口之處理。在如此之處理，如美國專利第7708859號說明書所記載，一般而言，會使被處理體曝露於氟碳氣體之電漿，以蝕刻該區域。
再者，已知有一種技術，係將含矽原子及氧原子之第1區域，例如氧化矽所構成之第1區域，相對於由與該第1區域不同材料所構成之第2區域，進行選擇性蝕刻的技術。作為此種技術之一例，已知有SAC(Self-Aligned Contact，自動對準接觸)技術。關於SAC技術，在日本特開2000-37001號公報有所記載。
作為SAC技術之處理對象的被處理體，具有氧化矽製之第1區域、氮化矽製之第2區域、以及光罩。第2區域設置成區劃有凹部，第1區域係設置成填塞該凹 部、且覆蓋第2區域；光罩設置於第1區域上，對凹部上提供開口。於習知之SAC技術，就如日本特開2000-37001號公報所記載般，為蝕刻第1區域，而使用含有氟碳氣體、氧氣、以及稀有氣體之處理氣體的電漿。藉由使被處理體曝露於此處理氣體之電漿，而在自光罩開口露出之部分蝕刻第1區域，形成上部開口。進一步地，藉由使被處理體曝露於處理氣體之電漿，而在受第2區域所包夾住的部分使第1區域得以進行自我對準(self-aligned)之蝕刻。藉此，而自我對準地形成與上部開口連續之下部開口。
[習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利第7708859號說明書
[專利文獻2]日本特開2000-37001號公報
然而，於上述之習知技術，在蝕刻第1區域時，有可能產生第2區域所不能容許之削薄。若為了抑制此削薄，而選擇在第2區域上堆積更多氟碳之條件，則會因含氟碳之膜而使開口(上部開口及/或下部開口)的寬度縮小，有時甚至會發生開口閉塞之情形。亦即，以含氟碳之膜抑制第2區域之削薄、與抑制含氟碳之膜所導致之開口寬度縮小，此兩者係權衡取捨關係，難以兩全。
因此，在含矽及氧之第1區域的蝕刻，謀求能抑制由與該第1區域不同材料所構成之第2區域的削薄、並且能抑制含氟碳之膜所導致之開口寬度縮小。
於一態樣，提供一種蝕刻方法，藉由對被處理體所進行之電漿處理，而將包含矽原子及氧原子之第1區域，相對於由與該第1區域不同材料所構成之第2區域，進行選擇性蝕刻。該被處理體具有區劃出凹部之該第2區域、填塞該凹部且設置成覆蓋該第2區域之該第1區域、以及對該凹部上提供開口並設於該第1區域上之光罩。該方法包括：(a)執行1次以上之序列的步驟，該序列包括(a1)藉由產生含有氟碳氣體而不含氧氣之處理氣體的電漿，而在該被處理體上形成含氟碳之膜的步驟、與(a2)藉由該含氟碳之膜所包含之氟碳的自由基以蝕刻該第1區域的步驟；以及(b)降低該含氟碳之膜的膜厚的步驟(以下有時會稱為「降低膜厚步驟」)；該執行1次以上之序列的步驟與該降低膜厚的步驟，係作為交互反覆程序來執行。
於一態樣之方法，在用以形成含氟碳之膜的處理氣體中，並未包含氧氣。因此，可以抑制因第2區域氧化、而氧化之第2區域由於氟碳的活性種而削薄的情形。但是，由於該處理氣體並不含氧氣，因此有可能因含氟碳之膜開而導致口寬度縮小，甚至有時可能會導致該開口閉塞。為了因應如此之開口寬度縮小，於一態樣之方法，會執行降低膜厚步驟。是故，若藉由此方法，在第1區域之蝕刻，可以抑制第2區域之削薄，並且可以抑制含氟碳之膜所導致之開口寬度的縮小。
於一實施形態之降低膜厚步驟，亦可產生含有三氟化氮氣體及稀有氣體之處理氣體的電漿。在三氟化氮氣體藉由稀有氣體稀釋之情況下，活性種會以小的角度分布，略呈鉛直方向地入射至被處理體。因此，厚厚地形成於被處理體 之水平面上，例如厚厚地形成於光罩之頂面上的含氟碳之膜的膜厚，得以有效率地降低。
於一實施形態之降低膜厚步驟，亦可產生僅含有三氟化氮氣體之處理氣體的電漿。於此實施形態，活性種會等向性地入射至被處理體。因此，就可以一致地降低形成於被處理體之任意面上的含氟碳之膜的膜厚。
於一實施形態，亦可在該交互反覆程序所內含之局部的降低膜厚步驟中，產生含有三氟化氮氣體及稀有氣體之處理氣體的電漿；在該交互反覆程序所內含之另外之局部的降低膜厚步驟中，產生僅含有三氟化氮氣體之處理氣體的電漿。若藉由此實施形態，可以有效率地降低厚厚地形成在被處理體之水平面上的含氟碳之膜的膜厚，且可以一致地降低形成在被處理體之任意面上的含氟碳之膜的膜厚。
再者，於一實施形態之降低膜厚步驟，亦可產生含有氧氣及稀有氣體之處理氣體的電漿。於一實施形態之降低膜厚步驟，亦可產生僅含有氧氣之處理氣體的電漿。又，於一實施形態，亦可在該交互反覆程序所內含之局部的降低膜厚步驟中，產生含有氧氣及稀有氣體之處理氣體的電漿；在該交互反覆程序所內含之另外之局部的降低膜厚步驟中，產生僅含有氧氣之處理氣體的電漿。
於一實施形態之形成含氟碳之膜的該步驟中，容納該被處理體之處理容器內的壓力，亦可係設定為2.666Pa(20mTorr)以下之壓力。在此實施形態，係在低壓環境下產生氟碳氣體之電漿。於該低壓環境下，氟碳的活性種會帶有異方性，亦即會在略呈鉛直方向上以小的角度分布，入射至被處理體。因此，在光罩之 頂面上、第2區域之頂面上、以及第2區域之間的第1區域之頂面上，會選擇性地形成含氟碳之膜。再者，光罩之頂面上、第2區域之頂面上、以及第2區域之間的第1區域之頂面上所形成的含氟碳之膜的厚度差異，得以降低。更進一步而言，在這般之低壓環境下，不論是長寬比較高之開口內、或是長寬比較低的開口，都會有氟碳之活性種進入。因此，對含氟碳之膜之膜厚的長寬比的依存性得以降低。
於一實施形態之形成含氟碳之膜的該步驟中，亦可係使用產生100V以上、300V以下之有效偏壓電壓之產生電漿用的高頻電力。若藉由這樣的高頻電力，可降低氟碳離子的能量，而可以抑制該離子對被處理體所造成之損傷。
於一實施形態之形成該含氟碳之膜之步驟中，亦可係使用電容耦合型之電漿處理裝置，並對該電漿處理裝置之上部電極的矽製電極板施加用以引入正離子的電壓。依據此實施形態，藉由正離子衝撞電極板，而會從該電極板釋出矽。所釋出之矽，會與存在於電漿處理裝置內之氟素的活性種結合，而降低氟素之活性種的量。其結果，會抑制第2區域之削薄。再者，藉由對電極板引入正離子，而去除附著於天花板的氟碳。因此，處理容器之內壁面可以保持在潔淨的狀態。
於一實施形態之蝕刻該第1區域的步驟中，亦可產生稀有氣體之電漿。於此實施形態，藉由產生稀有氣體之電漿所產生之稀有氣體離子會入射至含氟碳之膜，而由含氟碳之膜產生自由基，以該自由基蝕刻第1區域。
於一實施形態，第1區域亦可由氧化矽、氮氧化矽、或含碳之氧化矽所構成。此外，於一實施形態，第2區域亦可由矽、碳、氮化矽、或金屬所構成
藉由以上說明，在含矽及氧之第1區域的蝕刻，可以抑制以與該第1區域不同材料所構成之第2區域削薄，並且可以抑制含氟碳之膜所導致之開口寬度的縮小。
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧處理容器
12e‧‧‧排氣口
12g‧‧‧搬入搬出口
14‧‧‧支持部
18a‧‧‧第1板片
18b‧‧‧第2板片
22‧‧‧直流電源
23‧‧‧開關
24‧‧‧冷媒流路
26a‧‧‧配管
26b‧‧‧配管
28‧‧‧氣體供給管路
30‧‧‧上部電極
32‧‧‧絶緣性遮蔽構件
34‧‧‧電極板
34a‧‧‧氣體吐出孔
36‧‧‧電極支持體
36a‧‧‧氣體擴散室
36b‧‧‧氣體通流孔
36c‧‧‧氣體導入口
38‧‧‧氣體供給管
40‧‧‧氣體源群
42‧‧‧閥群
44‧‧‧流量控制器群
46‧‧‧沉積屏蔽
48‧‧‧排氣板片
50‧‧‧排氣裝置
52‧‧‧排氣管
54‧‧‧閘門閥
62‧‧‧第1高頻電源
64‧‧‧第2高頻電源
66‧‧‧匹配器
68‧‧‧匹配器
70‧‧‧電源
100、110、120‧‧‧基板
102、112、122‧‧‧矽氧化膜
104、114、124‧‧‧光罩
ARP‧‧‧反覆程序
Cnt‧‧‧控制部
D1、D2‧‧‧膜厚減少量
ESC‧‧‧靜電夾頭
FL‧‧‧含氟碳之膜
FR‧‧‧對焦環
LE‧‧‧下部電極
MK‧‧‧光罩
MT‧‧‧方法
OP‧‧‧開口
OP1‧‧‧上部開口
OP2‧‧‧下部開口
OPH‧‧‧開口
OPL‧‧‧開口
PD‧‧‧載置台
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
RA‧‧‧隆起區域
S‧‧‧處理空間
SB‧‧‧基板
SQ‧‧‧序列
ST1~ST3、STa、STb‧‧‧步驟
T1、T2‧‧‧膜厚
W‧‧‧晶圓
W1、W2、W3‧‧‧晶圓
WB‧‧‧寬度
【圖1】顯示一實施形態之蝕刻方法的流程圖。
【圖2】(a)、(b)例示作為適用一實施形態之方法之對象的被處理體的剖面圖。
【圖3】概略顯示可用於圖1所示方法之實施的電漿處理裝置之一例。
【圖4】(a)、(b)顯示在方法MT之實施的中途階段的被處理體的剖面圖。
【圖5】(a)、(b)顯示在方法MT之實施的中途階段的被處理體的剖面圖。
【圖6】(a)、(b)用以比較而繪示之被處理體的剖面圖。
【圖7】(a)、(b)顯示在方法MT之實施的中途階段的被處理體的剖面圖
【圖8】(a)、(b)顯示用於實驗例1之晶圓的剖面圖。
【圖9】顯示在實驗例2所量測之尺寸的剖面圖。
【圖10】(a)、(b)顯示用於實驗例4之晶圓的剖面圖。
以下將參照圖式而對各種實施形態進行詳細說明。又，於各圖式，對於同一或相當之部分，附加同一符號。
圖1顯示一實施形態之蝕刻方法的流程圖。圖1所示之方法MT，係藉由對被處理體所進行之電漿處理，而將包含矽原子及氧原子之第1區域，相對於由與該第1區域不同材料所構成之第2區域，進行選擇性蝕刻之方法。
圖2例示作為適用一實施形態之方法之對象的被處理體的剖面圖。圖2之(a)所示之被處理體，亦即晶圓W，具有基板SB、第1區域R1、第2區域R2、以及光罩MK。第2區域R2係設於基板SB上，區劃有凹部。第1區域R1含有矽原子及氧原子，填塞住凹部，並且覆蓋著第2區域R2。光罩MK係設於第1區域R1上，對第2區域R2所區劃出之凹部上提供開口。以下，有時會將光罩MK所提供之開口，稱為「光罩開口」。
第1區域R1可以由例如氧化矽(SiO2)、氮氧化矽(SiON)、或含碳之氧化矽(SiOCH)所構成。第2區域R2係由與第1區域R1不同之材料所構成。第2區域R2可以由例如矽、碳、氮化矽、或金屬所構成。光罩MK可以由有機膜所構成，例如非晶碳。
於圖2之(b)則繪示被處理體之另一例。圖2之(b)所示之晶圓W，係在製造鰭式場效電晶體之中途所得者。此晶圓W，與圖2之(a)所示之被處理體相同，具有基板SB、第1區域R1、第2區域R2、以及光罩MK。此外，圖2之(b)所示之晶圓W，進一步地具有隆起區域RA。隆起區域RA係設置成自基板SB隆起。此隆起區域RA可以構成例如閘極區域。第2區域R2係沿著隆起區域RA之表面、以及基板SB之表面延伸。於圖2之(b)所示之晶圓W，第1區域R1係由氧化矽所構成，第2區域R2係由氮化矽所構成。以下，將以圖2之(b)所示之被處理體為例，針對方法MT進行詳細說明。
於方法MT，在執行最初之步驟ST1前，會將晶圓W容納在電漿處理裝置之處理容器內。圖3概略顯示可用於圖1所示方法之實施的電漿處理裝置之一例。圖3所示之電漿處理裝置10，係電容耦合型電漿蝕刻裝置，具備略呈圓筒狀的處理容器12。處理容器12之內壁面，係由例如經過陽極氧化處理的鋁所構成。此處理容器12有施作安全接地。
於處理容器12之底部上，設有略呈圓筒狀之支持部14。支持部14係由例如絶緣材料所構成。支持部14係於處理容器12內，由處理容器12之底部朝鉛直方向延伸。此外，於處理容器12內，設有載置台PD。載置台PD係由支持部14所支持。
載置台PD係以其頂面固持晶圓W。載置台PD具有下部電極LE及靜電夾頭ESC。下部電極LE包含第1板片18a及第2板片18b。第1板片18a及第2板片18b係由例如鋁這類金屬所構成，略呈圓盤狀。第2板片18b係設置於第1板片18a上，與第1板片18a電性連接。
於第2板片18b上，設有靜電夾頭ESC。靜電夾頭ESC之結構，係在一對絶緣層或絶緣片間配置作為導電膜的電極而成。靜電夾頭ESC之電極，係經由開關23而與直流電源22電性連接。此靜電夾頭ESC係藉由來自直流電源22之直流電壓所產生之庫倫力等靜電力而吸附晶圓W。藉此，靜電夾頭ESC得以固持晶圓W。
於第2板片18b之周緣部上，以環繞晶圓W之邊緣及靜電夾頭ESC的形式，配置有對焦環FR。對焦環FR係為了提升蝕刻之均勻性所設。對焦環FR係根據所要蝕刻之膜層材料而酌情選擇出的材料所構成，例如可以由石英構成。
於第2板片18b之內部，設有冷媒流路24。冷媒流路24構成調溫機構。對於冷媒流路24，係透過配管26a，而由設於處理容器12外部的冷卻機組供給冷媒。供給至冷媒流路24的冷媒，則透過配管26b流回冷卻機組。如此這般，冷媒就在冷媒流路24與冷卻機組之間循環。藉由此冷媒進行溫度控制，而控制靜電夾頭ESC所支持之晶圓W的溫度。
此外，於電漿處理裝置10設有氣體供給管路28。氣體供給管路28係將來自傳熱氣體供給機構之諸如氦氣等傳熱氣體，供給至靜電夾頭ESC的頂面及晶圓W的背面之間。
再者，電漿處理裝置10具備上部電極30。上部電極30係在載置台PD之上方，與該載置台PD相向配置。下部電極LE與上部電極30，係設置成彼此略呈平行。此等上部電極30與下部電極LE間的空間，就對晶圓W提供用以進行電漿處理之處理空間S。
上部電極30係經由絶緣性遮蔽構件32，而受到處理容器12的上端支持。於一實施形態，上部電極30可以構成為其在鉛直方向上與載置台PD之頂面，亦即與晶圓載置面間的距離係可變。上部電極30可以包含電極板34及電極支持體36。電極板34係面向處理空間S，於該電極板34設有複數之氣體吐出孔34a。此電極板34於一實施形態，係由矽所構成。
電極支持體36，將電極板34以可自由裝卸的方式加以支持，可以由例如鋁這類的導電性材料所構成。此電極支持體36可以具有水冷結構。於電極支持體36之內部，設有氣體擴散室36a。由此氣體擴散室36a，往下方延伸有連通至氣體吐出孔34a的複數氣體通流孔36b。再者，於電極支持體36形成有對氣體擴散室36a導引處理氣體之氣體導入口36c，此氣體導入口36c連接著氣體供給管38。
氣體供給管38經由閥群42及流量控制器群44而連接氣體源群40。氣體源群40包含氟碳氣體源、稀有氣體源、三氟化氮素(NF3)氣體源、以及氧(O2)氣源等複數氣體源。氟碳氣體係包含例如C4F6氣體及C4F8氣體中之至少一種的氣體。再者，稀有氣體係包含Ar氣體、He氣體等各種稀有氣體中之至少一種的氣體。
閥群42包含複數之閥，流量控制器群44包含質量流量控制器這樣複數之流量控制器。氣體源群40之複數氣體源分別經由閥群42對應的閥及流量控制器群44對應的流量控制器，而連接至氣體供給管38。
再者，於電漿處理裝置10，沿著處理容器12之內壁，以可自由裝卸的方式設有沉積屏蔽46。沉積屏蔽46在支持部14之外周亦有設置。沉積屏蔽46係用以防止蝕刻副產物(沉積物)附著於處理容器12，其可以藉由在鋁材上被覆Y2O3等陶瓷而構成。
於處理容器12之底部側，且係支持部14與處理容器12的側壁之間，設有排氣板片48。排氣板片48，例如可以藉由在鋁材上被覆Y2O3等陶瓷而構成。於此排氣板片48之下方，且係於處理容器12，設有排氣口12e。排氣口12e經由排氣管 52而連接著排氣裝置50。排氣裝置50具有渦輪分子泵等的真空泵，可以使處理容器12內的空間減壓至所要的真空度。此外，於處理容器12之側壁設有晶圓W之搬入搬出口12g，此搬入搬出口12g藉由閘門閥54而可以開閉。
再者，電漿處理裝置10進一步地具備第1高頻電源62及第2高頻電源64。第1高頻電源62係發出用以產生電漿之高頻電力的電源，其發出27~100MHz之頻率的高頻電力。以下，在本說明書中，所謂「高頻電力」這一語詞，係表示產生電漿用的高頻電力。第1高頻電源62係經由匹配器66而連接下部電極LE。匹配器66係用以使第1高頻電源62之輸出阻抗與負載側(下部電極LE側)的輸入阻抗匹配的電路。又，第1高頻電源62亦可經由匹配器66而連接上部電極30。
第2高頻電源64係產生用以對晶圓W引入離子之高頻偏壓電力的電源，會產生頻率在400kHz~13.56MHz範圍內的高頻偏壓電力。第2高頻電源64係經由匹配器68而連接下部電極LE。匹配器68係用以使第2高頻電源64之輸出阻抗與負荷側(下部電極LE側)之輸入阻抗匹配的電路。
此外，電漿處理裝置10更具備電源70。電源70連接著上部電極30。電源70對上部電極30施加用以對電極板34引入存在於處理空間S內之正離子的電壓。於一例中，電源70係產生負直流電壓的直流電源。於另一例中，電源70亦可係產生較低頻之交流電壓的交流電源。從電源70對上部電極所施加的電壓，可以係-150V以下之電壓。亦即，藉由電源70所對上部電極30施加的電壓，可以係絶對值為150以上的負電壓。若由電源70對上部電極30施加如此之電壓，則存在於處理空間S的正離子，會衝撞電極板34。藉此，會從電極板34釋出二次電子及/或矽。 所釋出之矽，會與存在於處理空間S內之氟素的活性種結合，而降低氟素之活性種的量。
此外，於一實施形態，電漿處理裝置10可以進一步地具備控制部Cnt。此控制部Cnt係具備處理器、儲存部、輸入裝置、顯示裝置等的電腦，控制電漿處理裝置10之各部。於此控制部Cnt，作業員可以使用輸入裝置，進行用以管理電漿處理裝置10之指令的輸入操作等；此外，可以藉由顯示裝置，而將電漿處理裝置10之運作狀況可視化而加以顯示。再者，於控制部Cnt之儲存部，容納著藉由處理器以控制電漿處理裝置10所執行之各種處理所需之控制程式、以及因應處理條件而使電漿處理裝置10之各部執行處理所需的程式，亦即製程程序步驟(recipe)。
以下，再度參照圖1，針對方法MT進行詳細說明。再者，於以下的說明，會酌情參照圖4~圖7。圖4、圖5、及圖7，係顯示在方法MT之實施的中途階段的被處理體的剖面圖。圖6係用以比較而繪示之被處理體的剖面圖。
如圖1所示，在方法MT係執行一反覆程序ARP，其係1次以上之序列SQ及步驟ST3之交互反覆，每次的序列SQ皆包含步驟ST1及步驟ST2。在方法MT，首先執行步驟ST1。於步驟ST1，會在晶圓W表面上形成含氟碳之膜。因此，於步驟ST1會對電漿處理裝置之處理容器內，供給處理氣體，產生該處理氣體之電漿。在步驟ST1所使用之處理氣體，係包含氟碳氣體(CxFy氣體)、而不包含氧氣(O2氣體)的處理氣體。氟碳氣體係包含例如C4F6氣體及C4F8氣體中之至少一種。再者，此處理氣體可以包含Ar氣體、He氣體等各種稀有氣體中之至少一種。又， 處理氣體中之氟碳氣體的流量，可以係例如4sccm~12sccm之範圍內的流量，或2sccm~6sccm之範圍內的流量。
於使用電漿處理裝置10以執行步驟ST1的情況下，會由氣體源群40對處理容器12內供給處理氣體。再者，於步驟ST1，會由第1高頻電源62對下部電極LE供給高頻電力。又，於步驟ST1，可以由第2高頻電源64對下部電極LE供給高頻偏壓電力，或者不供給亦可。於一實施形態之步驟ST1，由第2高頻電源64對下部電極LE所供給之高頻偏壓電力可以係0W。此外，於步驟ST1，係藉由排氣裝置50而使處理容器12內之空間的壓力設定成指定之壓力。藉此而在處理容器12內產生處理氣體之電漿。
於步驟ST1，氟碳之活性種會入射至晶圓W之表面。藉此，第1區域R1僅會受到些許蝕刻。又，會在晶圓W表面形成含氟碳之膜FL。圖4之(a)所示之剖面圖，係顯示方法MT之實施有所進展，在從光罩開口露出之部分，第1區域R1受到蝕刻，而形成上部開口OP1；進一步地，第1區域R1之蝕刻進展到第2區域R2所區劃出之凹部內，而使第2區域R2所包夾出之部分上，形成與上部開口OP1連續之下部開口OP2的狀態。在此狀態下，藉由執行步驟ST1，而在晶圓W表面，亦即光罩MK之頂面及側面、光罩MK與第2區域R2之間所殘留之第1區域R1之側面、第2區域R2之表面、以及存在於第2區域R2所區劃出之凹部內的第1區域R1的頂面上，形成含氟碳之膜FL。
在後續之步驟ST2，會藉由含氟碳之膜FL中的自由基蝕刻第1區域R1。因此，於步驟ST2，會在電漿處理容裝置之處理容器內產生諸如Ar氣體之類之稀有氣體的電漿。此步驟ST2之處理時間與步驟ST1之處理時間可以任意設定。於一 實施形態中，步驟ST1之處理時間與步驟ST2之處理時間的合計中，步驟ST1之處理時間所佔之比例，可以設定為30%~70%之範圍內的比例。
於使用電漿處理裝置10以執行步驟ST2的情況下，會由氣體源群40供給稀有氣體。再者，於步驟ST2，會由第1高頻電源62對下部電極LE供給高頻電力。又，於步驟ST2，可以由第2高頻電源64對下部電極LE供給高頻偏壓電力，或者不供給亦可。於一實施形態之步驟ST2，由第2高頻電源64對下部電極LE所供給之高頻偏壓電力可以係0W。此外，於步驟ST2，係藉由排氣裝置50而使處理容器12內之空間的壓力設定成指定之壓力。例如，處理容器12內之空間的壓力，係設定為20mTorr(2.666Pa)~50mTorr(6.666Pa)之範圍內的壓力，例如30mTorr(4Pa)以下之壓力。藉此而在處理容器12內產生稀有氣體之電漿，稀有氣體原子之離子會照射至載置台PD上所載置之晶圓W。
於步驟ST2，稀有氣體原子之活性種，例如稀有氣體原子的離子，會照射至含氟碳之膜FL。藉此，含氟碳之膜FL中的氟碳自由基，會如圖4之(b)所示，使第1區域R1之蝕刻進行。又，藉由此步驟ST2，會使含氟碳之膜FL的膜厚減少。
於方法MT，會執行1次以上之序列SQ，其包含步驟ST1及步驟ST2。然後，於步驟STa，會判定是否已滿足停止條件。例如，於步驟STa，在序列SQ之執行次數達到預先設定之次數的情況下，就判定已滿足停止條件。於步驟STa，在判定未滿足停止條件的情況下，會再度執行序列SQ。另一方面，於步驟STa，在判定已滿足停止條件的情況下，會執行步驟STb。關於步驟STb以後之步驟，容待後述。
如上所述，在步驟ST1所使用的處理氣體，並未包含氧氣。因此，可以抑制因第2區域R2氧化、而氧化之第2區域R2由於氟碳的活性種而削薄的情形。但是，由於在步驟ST1所使用之該處理氣體，並不含氧氣，因此若執行1次以上的序列SQ，就有可能因為含氟碳之膜FL，而導致上部開口OP1及下部開口OP2這些開口的寬度產生縮小，甚至有時可能會導致該開口閉塞。
作為因應上述開口寬度縮小之一項對策，係於一實施形態的步驟ST1，將電漿處理裝置之處理容器內的壓力設定為20mTorr(2.666Pa)以下之壓力。再者，於步驟ST1，將氟碳氣體之流量在對處理容器內供給之處理氣體的全流量所佔比例，設定為0.1%以上、1%以下之範圍的比例。如此這般，若在低壓環境下產生稀釋有氟碳氣體之處理氣體的電漿，則氟碳的活性種會帶有異方性，亦即會以小的角度分布，略呈鉛直方向地入射至晶圓W。因此，在光罩MK之頂面上、第2區域R2之頂面上、以及由第2區域R2所包夾出的第1區域R1之頂面上，會形成比其他表面還要厚的含氟碳之膜FL。亦即，在光罩MK之頂面上、第2區域R2之頂面上、以及由第2區域R2所包夾出的第1區域R1之頂面上，選擇性地形成含氟碳之膜FL。藉此，可以抑制開口之寬度縮小。
此外，在這般之低壓環境下，不論是較窄的開口內或是較寬的開口，都會有氟碳之活性種進入。以下，將參照圖5及圖6，具體說明。晶圓W有時會兼具以下2種區域：如圖5之(a)及圖6之(a)所示，形成有較高長寬比之上部開口OP1的區域(以下稱為「高AR區域」)，即設於其上之光罩MK的光罩開口之寬度窄；以及如圖5之(b)及圖6之(b)所示，形成有較低長寬比之上部開口OP1的區域(以下稱為「低AR區域」)，即設於其上之光罩MK的光罩開口之寬度寬。
若對於此種晶圓W，使用在高壓條件下產生之處理氣體的電漿，則會對光罩MK頂面供給大量之氟碳的活性種，妨礙氟碳之活性種進入高AR區域之上部開口OP1內。其結果，如圖6之(a)所示，雖然在光罩MK之頂面上會形成厚的含氟碳之膜FL，但在第2區域R2之表面、以及由該第2區域R2所包夾出的第1區域R1之頂面上所形成之含氟碳之膜的膜厚會不足。因此會導致第2區域R2之削薄、以及第1區域R1之蝕刻的停止。此外，若使用在高壓條件下產生之處理氣體的電漿，則會有氟碳的活性種大量進入低AR區域之上部開口OP1內。其結果，如圖6之(b)所示，會在第2區域R2之表面、以及由該第2區域R2所包夾出的第1區域R1之頂面上，形成過厚的含氟碳之膜FL。其結果，第1區域R1之蝕刻會停止。
另一方面，於一實施形態之步驟ST1，會在低壓條件下產生處理氣體的電漿。在低壓條件下，不論是在高AR區域及低AR區域，隨所產生之電漿而來的氟碳活性種都很容易進入上部開口OP1內。因此，如圖5之(a)及圖5之(b)所示，在高AR區域之晶圓W表面所形成之含氟碳之膜FL的膜厚，與低AR區域之晶圓W表面所形成之含氟碳之膜FL的膜厚，其兩者之差得以降低。亦即，對於含氟碳之膜FL之膜厚的長寬比的依存性降低。再者，如圖5之(a)及圖5之(b)所示，光罩MK之頂面上所形成之含氟碳之膜FL的膜厚，與第2區域R2所包夾出的第1區域R1之頂面上所形成之含氟碳之膜FL的膜厚，其兩者之差異，在高AR區域及低AR區域之雙方，都得以降低。
然而，若在低壓條件下產生處理氣體之電漿，則氟碳離子之能量會變高，有可能對晶圓W造成損傷。例如，可能對第2區域R2施加損傷。是故，於一實施形態之步驟ST1，產生電漿用的高頻電力就設定為會產生100V以上、300V以下之有效偏壓電壓的電力。例如，於電漿處理裝置10，可以產生該有效電壓之產 生電漿用的高頻電力，可以係小於300W之電力。藉此，在低壓條件下所產生之氟碳離子的能量降低，可以抑制對晶圓W所造成之損傷。
再者，於一實施形態之步驟ST1，產生電漿用的高頻電力亦可調變成脈波狀。亦即，於步驟ST1，產生電漿用的高頻電力亦可在第1位準、與低於該第1位準之第2位準間，交互切換。以高頻電力採第1位準之第1期間、與採第2位準之第2期間為1周期之脈波調變的頻率，可以設定為例如2kHz~40kHz之頻率。再者，於1周期內，第1期間所佔比例，亦即占空比(duty ratio)，可以設定為20%以上、80%以下之比例。藉由如此這般使產生電漿用的高頻電力受到脈波調變，使得在第2期間中，自由基通量的衰減會比離子通量的衰減來得慢。因此，藉由僅有自由基照射之時間的存在，而使離子通量之比率變低。亦即，會產生比離子更多的自由基。藉此，第1區域R1之蝕刻會進行，而在第2區域R2露出之狀態下，亦即不受含氟碳之膜FL覆蓋之狀態下之第2區域R2蝕刻的情形，能受到抑制。
再者，於一實施形態之步驟ST1，亦可對上部電極30施加來自電源70的電壓。藉由電源70而對上部電極30施加的電壓，可以係-150V以下之電壓。亦即，藉由電源70而對上部電極30施加的電壓，可以係絶對值為150V以上之負電壓。若如此這般地對上部電極30施加來自電源70的電壓，則正離子會衝撞電極板34。藉此，會由電極板34釋出矽。所釋出之矽，會與存在於電漿處理裝置內之氟素的活性種結合，而使氟素之活性種的量減少。其結果，可以抑制第2區域R2之削薄。再者，藉由將正離子拉向電極板34，而去除附著於電極板34表面的氟碳。因此，處理容器之內壁面可以保持在潔淨的狀態。
再者，於一實施形態之步驟ST2，處理容器內的壓力設定為30mTorr(4Pa)以下。此外，高頻偏壓電力可以設定為0W。於如此之條件下，稀有氣體離子對晶圓W之入射角分布變小，亦即，離子以小的角度分布而略呈鉛直方向地入射至晶圓W。藉此，可以有效率地進行第1區域R1之蝕刻。更進一步地，可以抑制第2區域R2之損傷。
再者，於一實施形態之步驟ST2，亦可對上部電極30施加來自電源70的電壓。藉由電源70而對上部電極30施加的電壓，可以係-150V以下之電壓。亦即，藉由電源70而對上部電極30施加的電壓，可以係絶對值為150V以上之負電壓。於步驟ST2之執行期間中，在步驟ST1所產生之氟素的活性種，有可能未受去除，而殘留在處理容器12內。藉由在步驟ST2對上部電極30施加來自電源70的電壓，使得由電極板34所釋出的矽，會與存在於處理空間S內之氟素的活性種結合，而降低氟素之活性種的量。藉此，可以抑制因氟素的活性種所導致之第2區域R2之蝕刻。
再度參照圖1。於步驟STb，會判定是否已滿足結束條件。例如，於步驟STb，當使1次以上之序列SQ與後述之步驟ST3交互進行之反覆程序ARP的次數，達到指定次數的情況下，就判定已滿足結束條件。於步驟STb，在判定未滿足結束條件的情況下，會執行步驟ST3。關於步驟ST3，請容待後述。另一方面，於步驟STb，在判定已滿足停止條件的情況下，會結束方法MT。又，於反覆程序ARP中之序列SQ的執行次數，亦可不同。例如，於反覆程序ARP，亦可使後面進行之序列SQ的執行次數，少於先進行之序列SQ的執行次數。又，於反覆程序ARP，亦可使序列SQ的執行次數階段性地減少。
如上所述，藉由使序列SQ執行1次以上，如圖7(a)所示，含氟碳之膜FL的膜厚變大，該含氟碳之膜FL使開口寬度產生縮小。相對於此開口寬度縮小的另一對策，係於方法MT，執行步驟ST3。於步驟ST3，進行降低含氟碳之膜FL之膜厚的處理。藉此，如圖7之(b)所示，含氟碳之膜FL之膜厚減少，防止因含氟碳之膜FL所導致之開口寬度的縮小。
於步驟ST3，在電漿處理裝置之處理容器內，產生可以蝕刻含氟碳之膜FL之處理氣體的電漿。此步驟ST3之處理時間可任意設定。於使用電漿處理裝置10以執行步驟ST3的情況下，會由氣體源群40供給處理氣體。再者，於步驟ST3，會由第1高頻電源62對下部電極LE供給高頻電力。又，於步驟ST3，可以由第2高頻電源64對下部電極LE供給高頻偏壓電力，或者不供給亦可。於一實施形態之步驟ST3，由第2高頻電源64對下部電極LE所供給之高頻偏壓電力可以係0W。此外，於步驟ST3，係藉由排氣裝置50而使處理容器12內之空間的壓力設定成指定之壓力。藉此而在處理容器12內產生處理氣體之電漿，對載置於載置台PD上的晶圓W照射活性種。
於一實施形態之步驟ST3，亦可產生含有三氟化氮(NF3)氣體及稀有氣體之處理氣體的電漿。於三氟化氮氣體由稀有氣體稀釋之情況下，活性種會相對於晶圓W，而以小的角度分布，略呈鉛直方向地入射。因此，厚厚地形成於晶圓W之水平面上(例如光罩MK之頂面)的含氟碳之膜的膜厚，得以有效率地降低。又，在含有三氟化氮氣體及稀有氣體之處理氣體的全體流量中，三氟化氮氣體之流量的比例，可以係例如0.3%~10%之範圍內的比例。
於一實施形態之步驟ST3，亦可產生僅含有三氟化氮氣體之處理氣體的電漿。於此實施形態，活性種會等向性地入射至晶圓W。因此，就可以一致地降低形成於晶圓W之任意面上的含氟碳之膜的膜厚。如圖7之(a)所示，含氟碳之膜FL，不僅形成在光罩MK之頂面、第2區域R2之頂面、以及第1區域R1之頂面，也會沿著區劃出下部開口OP2之側壁面形成。沿著側壁面形成之過多的含氟碳之膜FL，有可能導致在第2區域R2之底部側的角落部位產生第1區域R1之殘渣。於此實施形態，藉由使活性種對晶圓W等向性地入射，會降低沿著側壁面所形成之過多的含氟碳之膜FL的膜厚。因此，會抑制第1區域R1之殘渣的產生。其結果，可以加寬在下部開口OP2之深部的寬度。
於一實施形態，於1次以上之序列SQ之執行與步驟ST3之執行所交互而構成的反覆程序ARP，亦可在其內含的局部步驟ST3中，產生含有三氟化氮氣體及稀有氣體之處理氣體的電漿；而在該交互之反覆程序ARP所包含的另外之局部步驟ST3中，產生僅含有三氟化氮氣體之處理氣體的電漿。例如，於反覆程序ARP，亦可交互執行產生含有三氟化氮氣體及稀有氣體之處理氣體的電漿之步驟ST3、以及產生僅含有三氟化氮氣體之處理氣體的電漿之步驟ST3。若藉由此實施形態，可以有效率地降低厚厚地形成在晶圓W之水平面上的含氟碳之膜FL的膜厚，且可以一致地降低形成在晶圓W之任意面上的含氟碳之膜FL的膜厚。
再者，於步驟ST3，亦可產生含有氧氣(O2氣體)及稀有氣體之處理氣體的電漿。亦即，作為可對含氟碳之膜的蝕刻有所貢獻之處理氣體，亦可採用氧氣來取代三氟化氮氣體。於一實施形態之步驟ST3，亦可產生僅含有氧氣之處理氣體的電漿。再者，於一實施形態，於反覆程序ARP內含的局部步驟ST3中，亦可產生含有氧氣及稀有氣體之處理氣體的電漿，而於反覆程序ARP內含的另外之局 部步驟ST3中，產生僅含有氧氣之處理氣體的電漿。例如，於反覆程序ARP，亦可交互執行產生含有氧氣及稀有氣體之處理氣體的電漿之步驟ST3、以及產生僅含有氧氣之處理氣體的電漿之步驟ST3。如此這般，於步驟ST3之各種實施形態，亦可採用氧氣來取代三氟化氮氣體。
以下，將說明用以評鑑方法MT所進行之各種實驗，但本發明並不受以下實驗例所限定。
(實驗例1)
於實驗例1，準備了圖8之(a)所示之晶圓W1。晶圓W1係於基板100上具有厚度為200nm之矽氧化膜102，於矽氧化膜102上具有非晶碳製之光罩104，該光罩104提供寬度為40nm之開口。於實驗例1，係對此晶圓W1，使用電漿處理裝置10施作表1所示之條件的方法MT。具體而言，於實驗例1，係執行包含步驟ST1及步驟ST2之序列SQ，為數30次；接著，步驟ST3以及20次之序列SQ，係交互執行4遍。此外，為加以比較，而使用電漿處理裝置10對晶圓W1施作表1所示之比較實驗例1及比較實驗例2的處理。於比較實驗例1，係將使用含有氧氣之處理氣體而形成含氟碳之膜的步驟、以及將晶圓W1曝露於Ar氣體之電漿下的步驟，交互執行30遍。再者，於比較實驗例2，係將與實驗例1之步驟ST1及步驟ST2相同之二個步驟，交互執行30遍，而未執行步驟ST3。又，於實驗例1、比較實驗例1、以及比較實驗例2之全部步驟，係將高頻偏壓電力設定為0W。
然後，如圖8之(b)所示，量測形成於矽氧化膜102之開口OP的底部之寬度WB。量測之結果，於比較實驗例1，寬度WB係16nm。於比較實驗例2，因含氟碳之膜而使開口閉塞，矽氧化膜102之蝕刻在中途就停止了。又，於實驗例1，寬度WB係18nm。若將比較實驗例2之結果與實驗例1之結果加以比較就一目瞭然，確認到即使於步驟ST1使用不含氧氣之處理氣體，於包含步驟ST3之實驗例1，也能在不使開口OP閉塞的情況下，在深部形成具有較大寬度之開口OP。
(實驗例2)
於實驗例2，係對於圖2之(b)所示之晶圓W，使用電漿處理裝置10施作表2所示之條件的方法MT。具體而言，於實驗例2，係執行包含步驟ST1及步驟ST2之序列SQ，為數30次；接著執行步驟ST3；接著再執行20次之序列SQ。此外，為加以比較，而使用電漿處理裝置10對圖2之(b)所示之晶圓W，施作表2所示之比較實驗例3的處理。於比較實驗例3，係將使用含有氧氣之處理氣體而形成含氟碳之膜的步驟、以及將晶圓W1曝露於Ar氣體之電漿下的步驟，交互執行30遍。又，於實驗例2及比較實驗例3之全部步驟，係將高頻偏壓電力設定為0W。此外， 於實驗例2及比較實驗例3所使用之晶圓W的第1區域R1係氧化矽製，第2區域R2係氮化矽製。
然後，如圖9所示，量測在光罩MK之邊緣部位正下方之第2區域R2的膜厚減少量D1、以及第2區域R2之肩部的膜厚減少量D2。量測之結果，於比較實驗例3，膜厚減少量D1、膜厚減少量D2分別係7.1nm、10.3nm。另一方面，於實驗例2，膜厚減少量D1、膜厚減少量D2分別係4.4nm、4.4nm。因此，確認到若於步驟ST1，藉由使用不含氧氣之處理氣體的實驗例2，則相較於使用含有氧氣之處理氣體的比較實驗例3，更能抑制第2區域R2之削薄。
(實驗例3)
於實驗例3，係對於與實驗例1所用之晶圓W1相同之晶圓，使用電漿處理裝置10施作表3所示之條件的方法MT。具體而言，在(內含步驟ST1與步驟ST2之)序列之執行與步驟ST3之執行所構成的反覆程序ARP，其內含的局部步驟ST3中，使用含有NF3氣體與Ar氣體之處理氣體；而在反覆程序ARP內含之另外之局部步驟ST3中，使用僅含有NF3氣體之處理氣體。又，於實驗例3之全部步驟，係將高頻偏壓電力設定為0W。
然後，與實驗例1同樣地量測寬度WB。量測之結果，於實驗例3，寬度WB係25nm。因此，確認到藉由在反覆程序ARP內含之局部步驟ST3中，使用僅含有NF3氣體之處理氣體的實驗例3，可以比實驗例1更為擴大開口深部之寬度。
(實驗例4)
於實驗例4，準備了圖10之(a)所示之晶圓W2，及圖10之(b)所示之晶圓W3。晶圓W2係於基板110上具有厚度為250nm之矽氧化膜112，於矽氧化膜112上具有非晶碳製之光罩114。此外，晶圓W2之矽氧化膜112已預先形成了與光罩114之光罩開口連續之低長寬比的開口OPL。開口OPL之寬度係250nm，開口OPL之深度係250nm。晶圓W3係於基板120上具有厚度為200nm之矽氧化膜122，於矽氧化膜122上具有非晶碳製之光罩124。此外，晶圓W3之矽氧化膜122已預先形成 了與光罩124之光罩開口連續之高長寬比的開口OPH。開口OPH之寬度係40nm，開口OPL之深度係250nm。於實驗例4，係對此等晶圓W2及晶圓W3，使用電漿處理裝置10施作表4所示之條件的處理。具體而言，含有氟碳氣體而不含氧氣之處理氣體的電漿，係使用100W之產生電漿用的高頻電力，在15mTorr的壓力(亦即，20mTorr以下之低壓)下產生，而形成含氟碳之膜FL。此外，為加以比較，而使用電漿處理裝置10對晶圓W2及晶圓W3施作表4所示之比較實驗例4及比較實驗例5的處理。於比較實驗例4，係使用較高之300W的高頻電力，使與實驗例4相同之處理氣體的電漿，在高於20mTorr之30mTorr的壓力下產生，而形成含氟碳之膜FL。再者，於比較實驗例5，係使與實驗例4相同之處理氣體的電漿，在15mTorr的壓力(亦即，20mTorr以下之低壓)下產生，而形成含氟碳之膜FL，不過該電漿係使用300W的高頻電力產生。又，於實驗例4、比較實驗例4、以及比較實驗例5之全部步驟，係將高頻偏壓電力設定為0W。
然後，量測形成於晶圓W2之開口OPL的深部之含氟碳之膜FL的膜厚T1、以及形成於晶圓W3之開口OPH的深部之含氟碳之膜FL的膜厚T2。量測之結果，於比較實驗例4，膜厚T1、膜厚T2分別係44nm、21nm。於比較實驗例5，膜厚T1係31nm，但在開口OPH的深部，矽氧化膜122受到蝕刻，而沒有形成含氟碳之膜。此外，於實驗例4，膜厚T1、膜厚T2分別係25nm、17nm。若將實驗例4之膜厚T1、膜厚T2與比較實驗例4之膜厚T1、膜厚T2加以比較就一目瞭然，確認到藉由在 20mTorr(2.666Pa)以下之低壓產生電漿，而可以降低形成在高長寬比之開口的深部之含氟碳之膜的膜厚、與形成在低長寬比之開口的深部之含氟碳之膜的膜厚間的差異。再者，若將實驗例4之膜厚T1、膜厚T2與比較實驗例5之膜厚T1、膜厚T2加以比較就一目瞭然，確認到藉由在20mTorr(2.666Pa)以下之低壓下，使用產生較低之有效偏壓電壓的高頻電力，例如100W的高頻電力，來產生電漿，而可以在抑制對晶圓所造成之損傷的情況下，形成含氟碳之膜。
以上針對各種實施形態加以說明，但並不限定於上述實施形態，而可以構成各種變形態樣。例如，於方法MT之實施，係對下部電極LE供給產生電漿用的高頻電力，但該高頻電力亦可對上部電極供給。此外，方法MT之實施，亦可採用電漿處理裝置10以外的電漿處理裝置。具體而言，亦可使用感應耦合型之電漿處理裝置、或藉由微波等表面波以產生電漿之電漿處理裝置等任意之電漿處理裝置，來實施方法MT。

Claims (13)

  1. 一種蝕刻方法，藉由對被處理體所進行之電漿處理，而將包含矽原子及氧原子之第1區域，相對於由與該第1區域不同材料所構成之第2區域，進行選擇性蝕刻；該被處理體具有區劃出凹部之該第2區域、設置成填塞該凹部且覆蓋該第2區域之該第1區域、以及設於該第1區域上並在該凹部之上提供開口的光罩； 該蝕刻方法包括： 執行1次以上之後述序列的步驟，該序列包括：藉由產生含有氟碳氣體而不含氧氣之處理氣體的電漿而在該被處理體上形成含氟碳之膜的步驟、與藉由該含氟碳之膜所包含之氟碳的自由基以蝕刻該第1區域的步驟；以及 降低該含氟碳之膜的膜厚之步驟； 該執行1次以上之序列的步驟與該降低膜厚的步驟，係作為交互反覆程序來執行。
  2. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中，在降低該膜厚的步驟中，產生僅含有三氟化氮氣體之處理氣體的電漿。
  3. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中，在降低該膜厚的步驟中，產生含有三氟化氮氣體及稀有氣體之處理氣體的電漿。
  4. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中，在該交互反覆程序所內含之局部的降低該膜厚之該步驟中，產生含有三氟化氮氣體及稀有氣體之處理氣體的電漿； 在該交互反覆程序所內含之另外之局部的降低該膜厚之該步驟中，產生僅含有三氟化氮氣體之處理氣體的電漿。
  5. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中，在降低該膜厚的步驟中，產生僅含有氧氣之處理氣體的電漿。
  6. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中，在降低該膜厚的步驟中，產生含有氧氣及稀有氣體之處理氣體的電漿。
  7. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中，在該交互反覆程序所內含之局部的降低該膜厚之該步驟中，產生含有氧氣及稀有氣體之處理氣體的電漿； 在該交互反覆程序所內含之另外之局部的降低該膜厚之該步驟中，產生僅含有氧氣之處理氣體的電漿。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之蝕刻方法，其中，在形成該含氟碳之膜的步驟中，容納該被處理體之處理容器內的壓力，係設定為2.666Pa以下之壓力。
  9. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之蝕刻方法，其中，在形成該含氟碳之膜的步驟中，係使用產生100V以上、300V以下之有效偏壓電壓之產生電漿用的高頻電力。
  10. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之蝕刻方法，其中，在形成該含氟碳之膜之步驟中，係使用電容耦合型之電漿處理裝置，並對該電漿處理裝置之上部電極的矽製電極板施加用以引入正離子的電壓。
  11. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之蝕刻方法，其中，在蝕刻該第1區域的步驟中，產生稀有氣體之電漿。
  12. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之蝕刻方法，其中，該第1區域係由氧化矽、氮氧化矽、或含碳之氧化矽所構成。
  13. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之蝕刻方法，其中，該第2區域係由矽、碳、氮化矽、或金屬所構成。
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