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TWI668710B - Method for forming electric conductor and electric conductor - Google Patents

Method for forming electric conductor and electric conductor Download PDF

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TWI668710B
TWI668710B TW104131227A TW104131227A TWI668710B TW I668710 B TWI668710 B TW I668710B TW 104131227 A TW104131227 A TW 104131227A TW 104131227 A TW104131227 A TW 104131227A TW I668710 B TWI668710 B TW I668710B
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thickness
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宮本治彦
Original Assignee
日商富士軟片股份有限公司
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    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C53/00—Shaping by bending, folding, twisting, straightening or flattening; Apparatus therefor
    • B29C53/02—Bending or folding
    • B29C53/04—Bending or folding of plates or sheets
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract

本發明提供一種即使形成曲率半徑較小的曲面部，亦可 防止支撐體與導電膜之間的剝離之導電體的成形方法及導電體。藉由加熱器而僅加熱層疊體的成為曲面部之部分，並且一邊對層疊體施加拉伸力，一邊以支撐體成為外側且導電膜成為內側之方式對層疊體實施彎曲加工，從而製作曲面部，在將導電膜的厚度設為B1、黏合劑的厚度設為C1、曲面部中之導電膜的內側面的曲率半徑設為R之情況下，將曲面部中之支撐體的厚度A2相對於平面部中之支撐體的厚度A1之比A2/A1設為最小值(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×1.45)以上且最大值(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×0.9)以下。

Description

導電體的成形方法及導電體
本發明係有關一種導電體的成形方法，尤其係有關一種用於獲得三維形狀的導電體的成形方法。
並且，本發明亦係有關一種三維形狀的導電體。
近年來，以行動資訊設備為首之各種電子設備中正在推進觸控面板的普及，該觸控面板與液晶顯示裝置等顯示裝置進行組合而被使用，並藉由接觸於畫面而進行對電子設備的輸入操作。
並且，在追求提高電子設備的攜帶性及操作性之過程中，即使在觸控面板中亦要求薄型且可應對三維形狀者，正在推進在可撓性透明的絕緣基板上形成有檢測電極之導電膜的開發。
在製造該種三維形狀的觸控面板時，有在將導電膜和支撐體一同變形為三維形狀之後，使它們彼此貼合之方法，但是因導電膜和支撐體的變形形狀的誤差和貼合時的位置偏離而難以獲得高品質的觸控面板，並且導致製造變得複雜。
並且，亦有將導電膜設置於模具內，並進行射出成形而形成支撐體，藉此製造三維形狀的觸控面板的方法，但是在射出成形中存在難以較薄地形成支撐體之問題。
於是，例如在專利文獻1中研究了如下方法，亦即在將 導電膜黏合於平板狀的支撐體之後，將導電膜和支撐體統一成形為三維形狀的導電體之方法，但是已知在成形應變較大的部分，尤其在高溫高濕環境下，因黏合劑熔融而黏合力降低，導電膜從支撐體剝離。
並且，除了觸控面板以外，針對具有三維形狀之發熱體、從雜訊保護電子設備之三維形狀的電磁屏蔽件等，同樣地，在將導電膜和支撐體統一地成形為三維形狀之情況下，有可能導電膜從支撐體剝離，在專利文獻2中提出有在從兩面輻射加熱層疊體而進行彎曲加工時，藉由選擇彎曲加工部的加熱寬度而使翹曲及剝離不易產生之導電體的製造方法，前述層疊體在成為電磁屏蔽層之導電膜的單側或兩側黏合有由聚碳酸酯構成之支撐體。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】 日本專利公開2013-257796號公報
【專利文獻2】 日本專利公開2010-272661號公報
然而，若彎曲加工部的曲率半徑較小，則如第7圖所示，彎曲加工部11中之沿層疊體12的內側面之長度和沿外側面之長度之差較大，因此僅選擇根據加熱器13之加熱寬度，則存在導電膜14與支撐體15之間容易產生剝離之問題。例如因位於彎曲加工部11的內側之導電膜14過剩而使壓縮力發揮作用，導致導電 膜14壓曲而引起前述剝離。
本發明係為了解決該種以往的問題而完成者，其目的在於提供一種即使形成曲率半徑較小的曲面部，亦可防止支撐體與導電膜之間的剝離之導電體的成形方法。
並且，本發明的目的在於還提供一種支撐體與導電膜不剝離之三維形狀的導電體。
本發明之導電體的成形方法為，在層疊體上形成曲面部，從而成形具有平面部和曲面部之三維形狀的導電體之導電體的成形方法，前述層疊體在具有平板形狀之絕緣性支撐體的表面上經由黏合劑而接合有具有金屬網之導電膜，其中，在成形加工時，僅加熱層疊體的成為曲面部之部分，並一邊至少對成為曲面部之部分施加拉伸力，一邊以支撐體成為外側且導電膜成為內側之方式對層疊體實施彎曲加工，從而製作曲面部，在將平面部中之支撐體的厚度設為A1、導電膜的厚度為B1、黏合劑的厚度設為C1、所製作之曲面部中之支撐體的厚度設為A2、曲面部內表面的曲率半徑設為R之情況下，A2/A1為(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×1.45)以上且(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×0.9)以下。
在將曲面部的彎曲角度設為X°之情況下，以曲面部中之層疊體的伸長量E成為π×(A2+B1+2‧C1)×(X/360)×0.9以上且π×(A2+B1+2‧C1)×(X/360)×1.45以下
之方式，一邊對層疊體施加拉伸力，一邊對層疊體實施彎曲加工，從而製作曲面部為較佳。
並且，在層疊體的成為曲面部之部分加熱成比支撐體的玻璃化轉變溫度高的溫度，並且成為平面部之部分維持比支撐體的玻璃化轉變溫度低的溫度之狀態下，對層疊體實施彎曲加工，從而製作曲面部為較佳。
能夠從支撐體側對層疊體的成為曲面部之部分進行加熱。
並且，也能夠一邊僅對在層疊體中的支撐體施加拉伸力，一邊對層疊體實施彎曲加工，從而製作曲面部。
支撐體由絕緣性透明的樹脂構成，導電膜為在具有可撓性之絕緣基板的表面上配置有金屬網之透明導電膜，黏合劑能夠使用透明的層疊體。
導電體能夠用作觸控面板、電磁波屏蔽體或發熱體。
本發明之導電體為在絕緣性支撐體的表面上經由黏合劑而接合有具有金屬網之導電膜之三維形狀的導電體，其中，前述導電體具有平面部和曲面部，在將平面部中之支撐體的厚度設為A1、導電膜的厚度設為B1、黏合劑的厚度設為C1、曲面部中之支撐體的厚度為A2、曲面部內面的曲率半徑為R之情況下，A2/A1為(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×1.45)以上且(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×0.9)以下。
支撐體由絕緣性透明的樹脂構成，導電膜為在具有可撓性之絕緣基板的表面上配置有金屬網之透明導電膜，黏合劑能夠構成為是透明者。
導電體能夠用作觸控面板、電磁波屏蔽體或發熱體。
依本發明，在成形加工時僅對層疊體的成為曲面部之部分進行加熱，並且一邊至少對成為曲面部之部分施加拉伸力，一邊以支撐體成為外側且導電膜成為內側之方式對層疊體實施彎曲加工，從而製作曲面部，因此，即使形成曲率半徑較小的曲面部，亦能夠防止支撐體與導電膜之間的剝離。
1‧‧‧層疊體
2‧‧‧支撐體
3‧‧‧導電膜
4‧‧‧黏合劑
5‧‧‧加熱器
6‧‧‧曲面部
7‧‧‧觸控面板
11‧‧‧彎曲加工部
12‧‧‧層疊體
13‧‧‧加熱器
14‧‧‧導電膜
15‧‧‧支撐體
31‧‧‧絕緣基板
32‧‧‧導電構件
33‧‧‧保護層
34‧‧‧第1檢測電極
34a、36a‧‧‧金屬細線
35‧‧‧第1周邊配線
36‧‧‧第2檢測電極
37‧‧‧第2周邊配線
S1‧‧‧感測區域
S2‧‧‧周邊區域
D1‧‧‧第1方向
D2‧‧‧第2方向
C‧‧‧成為曲面部之部分
F‧‧‧拉伸力
P‧‧‧成為平面部之部分
A1‧‧‧平面部中之支撐體的厚度
A2‧‧‧曲面部中之支撐體的厚度
B1‧‧‧導電膜的厚度
C1‧‧‧黏合劑的厚度
X‧‧‧曲面部的彎曲角度
R‧‧‧曲面部中之導電膜的內側面的曲率半徑
第1圖係表示在本發明的實施形態1之導電體的成形方法中使用之層疊體之局部剖面圖。
第2圖係表示使用於層疊體之導電膜之平面圖。
第3圖係表示導電膜的檢測電極之局部平面圖。
第4圖係表示藉由實施形態1之導電體的成形方法而被成形加工之層疊體之局部剖面圖。
第5圖係表示藉由實施形態1之導電體的成形方法而成形之導電體之立體圖。
第6圖係表示藉由實施形態2之導電體的成形方法而被成形加工之層疊體之局部剖面圖。
第7圖係表示以往的導電體的成形方法中之問題之局部剖面圖。
本發明之導電體的成形方法能夠適用於複數個檢測電極形成於透明的支撐體的表面上之觸控面板的成形，此外，亦可適用於用於產生熱量之導電膜接合於支撐體的表面上之發熱體、用於阻斷電磁波的導電膜接合於支撐體的表面上之電磁波屏蔽體等導電體的成形。
在此，以觸控面板的成形為例，對以下實施形態進行說明。
實施形態1
第1圖中示出在實施形態1之導電體的成形方法中使用之層疊體1的構成。該層疊體1係藉由實施包括彎曲加工之三維加工而用於製造角筒形狀(箱形形狀)的觸控面板者，透明的導電膜3藉由透明的黏合劑4而接合於具有平板形狀之透明的絕緣性支撐體2的表面上。導電膜3係在可撓性的透明的絕緣基板31的兩面上個別地形成有導電構件32，且以包覆導電構件32之方式在絕緣基板31的兩面上形成有透明的保護層33者。
如第2圖所示，在導電膜3上劃分有感測區域S1，且在感測區域S1的外側劃分有周邊區域S2。在絕緣基板31的表面上，在感測區域S1內形成有個別地沿第1方向D1延伸且在正交於第 1方向D1之第2方向D2上並列配置之複數個第1檢測電極34，在周邊區域S2，連接於複數個第1檢測電極34上之複數個第1周邊配線35彼此靠近地排列。
同樣地，在絕緣基板31的背面上，在感測區域S1內形成有個別地沿第2方向D2延伸且在第1方向D1上並列配置之複數個第2檢測電極36，在周邊區域S2，連接於複數個第2檢測電極36上之複數個第2周邊配線37彼此靠近地排列。
另外，如第3圖所示，配置於絕緣基板31的表面上之第1檢測電極34藉由由金屬細線34a構成之網格圖案而形成，配置於絕緣基板31的背面上之第2檢測電極36亦藉由由金屬細線36a構成之網格圖案而形成。
藉由在絕緣基板31的表面上形成包括第1檢測電極34及第1周邊配線35之導電構件32，且在絕緣基板31的背面上形成包括第2檢測電極36及第2周邊配線37之導電構件32，並以包覆該些導電構件32之方式在絕緣基板31的兩面上形成透明的保護層33，從而製造該種導電膜3。
該些導電構件32的形成方法並無特別的限定。例如，如在日本專利公開2012-185813號公報的<0067>~<0083>中所記載，藉由對具有含有感光性鹵化銀鹽之乳劑層之感光材料進行曝光，並實施顯影處理，從而能夠形成導電構件36。
並且，在絕緣基板31的表面及背面個別地形成金屬箔，在各金屬箔上將抗蝕劑以圖案狀進行印刷，或者對整個面塗佈之 抗蝕劑進行曝光，並藉由顯影而進行圖案化，從而對開口部的金屬進行蝕刻，由此亦能夠形成該些導電構件32。另外，作為其他方法，能夠利用如下方法：將包含構成導電構件32之材料的微粒之漿料，在絕緣基板31的表面及背面進行印刷，從而對漿料實施金屬電鍍之方法；利用使用油墨之噴墨法之方法，前述油墨包含構成導電構件32之材料的微粒；藉由絲網印刷而形成油墨之方法，前述油墨包含構成導電構件32之材料的微粒；在絕緣基板31形成槽，且在其槽塗佈導電油墨之方法；及微接觸印刷圖案化方法等。
在此，作為一例，關於對具有含有感光性鹵化銀鹽之乳劑層之感光材料進行曝光，並藉由實施顯影處理而製作觸控面板用導電膜之方法進行說明。
(鹵化銀乳劑的製備)
在保持38℃、pH4.5之下述1溶液中，一邊攪拌下述2溶液及3溶液的各相當於90%之量，一邊同時經20分鐘進行添加，形成0.16μm的核粒子。接著，經8分鐘添加下述4溶液及5溶液，另外，下述2溶液及3溶液的剩餘的10%的量經2分鐘進行添加，使得成長至0.21μm。另外，添加碘化鉀0.15g，熟化5分鐘，並結束了粒子形成。
1溶液：
水 750ml
2溶液：
3溶液：
4溶液：
5溶液：
然後，按照常規方法，並藉由絮凝法而進行了水洗。具體而言，將溫度降到35℃，並使用硫酸降低pH(pH為3.6±0.2的範圍)至鹵化銀沉降。其次，去除了約3升上清液(第一水洗)。另外，在添加3升的蒸餾水之後，添加硫酸至鹵化銀沉降。再次去除了3升上清液(第二水洗)。進而重複進行1次與第二水洗相同的操作(第三水洗)，結束了水洗及脫鹽製程。將水洗及脫鹽後的乳劑調整為pH6.4、pAg7.5，並添加明膠3.9g、苯硫代磺酸鈉10mg、苯硫代亞磺酸鈉3mg、硫代硫酸鈉15mg和氯金酸10mg，在55℃下，以獲得最佳靈敏度之方式實施化學增感，作為穩定劑添加1,3,3a,7-四氮茚100mg、作為防腐劑添加了PROXEL(商品名稱，ICI Co.,Ltd.製造)100mg。最終獲得之乳劑為包含碘化銀0.08莫耳%，氯溴化銀的比率為氯化銀70莫耳%、溴化銀30莫耳%、平均粒徑0.22μm、變異系數9%的碘氯溴化銀立方體顆粒乳劑。
(感光性層形成用組合物的製備)
在上述乳劑中添加1,3,3a,7-四氮茚1.2×10-4莫耳/莫耳Ag、對苯二酚1.2×10-2莫耳/莫耳Ag、檸檬酸3.0×10-4莫耳/莫耳Ag、2,4-二氯-6-羥基-1,3,5-三嗪鈉鹽0.90g/莫耳Ag，並使用檸檬酸將塗佈液pH調整為5.6，從而獲得感光性層形成用組合物。
(感光性層形成製程)
對絕緣基板實施電暈放電處理之後，在絕緣基板的兩面設置了作為下塗層之厚度為0.1μm的明膠層，進而在下塗層上設置了光學濃度約為1.0且包含藉由顯影液的鹼性而脫色之染料之防光暈層。在上述防光暈層上塗佈上述感光性層形成用組合物，進而設置厚度為0.15μm的明膠層，獲得了兩面形成有感光性層之絕緣基板。將兩面形成有感光性層之絕緣基板設為薄膜A。所形成之感光性層中銀量為6.0g/m2、明膠量為1.0g/m2。
(曝光顯影製程)
在上述薄膜A的兩面，經由對應於導電構件36的圖案之光罩，並使用將高壓水銀燈作為光源之平行光進行了曝光。在曝光之後，藉由下述顯影液進行顯影，進而使用定影液(商品名稱：CN16X用N3X-R、FUJI FILM CO.,LTD.製造)進行了顯影處理。另外，藉由純淨水進行沖洗並乾燥，從而獲得了兩面形成有由Ag線構成之導電構件36和明膠層之絕緣基板。明膠層形成於Ag線之間。將所獲得之薄膜設為薄膜B。
(顯影液的組成)
在顯影液1升(L)中包含以下化合物。
(加熱製程)
針對上述薄膜B，在120℃的過熱蒸氣槽中靜放130秒鐘而進行了加熱處理。將加熱處理後的薄膜設為薄膜C。
(明膠分解處理)
針對薄膜C，在蛋白質分解酶(NAGASE CHEMTEX CORPORATION製造Bioplase AL-15FG)的水溶液(蛋白質分解酶的濃度：0.5質量%、液溫：40℃)中浸漬120秒鐘。從水溶液取出薄膜C，並在溫水(液溫：50℃)中浸漬120秒鐘並進行了清洗。將明膠分解處理後的薄膜設為薄膜D。該薄膜D為觸控面板用導電膜。
將如此製造之導電膜3使用透明的黏合劑4來接合於支撐體2的表面上，藉此製作觸控面板用層疊體1。
作為支撐體2的形成材料，能夠使用聚碳酸酯(PC)、環烯烴聚合物(COP)、丙烯酸樹脂等。
接著，關於對層疊體1實施彎曲加工而製作曲面部之方法進行說明。
首先，將層疊體1設置於未圖示的加工機上，並夾緊層疊體1的兩端。另外，作為加工機而使用通用的加工機，該通用的加工機對所保持之層疊體1進行局部加熱，並且一邊對層疊體1施加拉伸力，一邊對層疊體1實施彎曲加工，從而能夠成形為三 維形狀。
在此，所謂彎曲加工是例如將平板形狀的層疊體1彎曲變形為規定角度之作業，在層疊體1變形為具有規定的中心之圓弧狀之情況下，將描繪圓弧之層疊體1的部分稱作曲面部，將從規定的中心至層疊體1的距離稱作曲率半徑，將對應於曲面部之圓周角稱作彎曲角度，不會變形為圓弧狀而維持平板形狀之層疊體1的部分稱作平面部。
接著，如第4圖所示，藉由加工而在層疊體1的成為曲面部之部分C的附近且與層疊體1的導電膜3對置之位置，配置成為發熱體之加熱器5而僅對成為曲面部之部分C進行加熱，該狀態下，一邊對至少包含成為曲面部之部分C之層疊體1施加拉伸力F，一邊以支撐體2成為外側且導電膜3成為內側之方式對層疊體1實施彎曲加工，從而製作曲面部6。
另外，從加熱器5產生之熱量並不僅限於涉及到成為曲面部之部分C，亦涉及到成為平面部之部分P不少熱量，在此，僅對成為曲面部之部分C進行加熱係，成為曲面部之部分C被加熱為比構成支撐體2之材料的玻璃化轉變溫度高的溫度，且成為平面部P之部分維持比構成支撐體2之材料的玻璃化轉變溫度低的溫度之狀態。
例如在使用聚碳酸酯作為支撐體2的形成材料之情況下，由於聚碳酸酯的玻璃化轉變溫度約為150℃，因此將成為曲面部之部分C加熱至溫度160℃左右為較佳。
該情況下，導電膜3的絕緣基板31例如由具有260℃以上的熔融溫度之雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙酯(PET)等高熔點材料形成為較佳。
並且黏合支撐體2和導電膜3之黏合劑4可以係，藉由加熱成為曲面部之部分C時的溫度而熔融，從而黏合力降低者，例如能夠使用3M公司製造之光學用透明黏合片(OCA)。
並且，在設為實施彎曲加工之前的平板形狀的層疊體1中之支撐體2的厚度為A1、導電膜3的厚度為B1、黏合劑4的厚度為C1、藉由彎曲加工而製作之曲面部6的彎曲角度為X°之情況下，以曲面部6中之層疊體1的伸長量E為最小值Emin=π×(A2+B1+2．C1)×(X/360)×0.9以上且最大值Emax=π×(A2+B1+2．C1)×(X/360)×1.45以下
之方式，一邊對層疊體1施加拉伸力，一邊對層疊體1實施彎曲加工，從而製作曲面部6為較佳。
在此，在最小值Emin及最大值Emax的各式中所記載之量π×(A2+B1+2．C1)×(X/360)表示將曲面部6的彎曲角度設為X°時的、沿支撐體2的厚度方向的中央部分的圓弧之長度與沿導電膜3的厚度方向的中央部分的圓弧之長度之間的差分。
若曲面部6中的層疊體1的伸長量E小於最小值Emin，則位於曲面部6的內側之導電膜3比位於曲面部6的外側之支撐體2過剩，壓縮力作用於導電膜3，黏合劑4藉由加熱而黏合力降低，因此有可能導致產生導電膜3從支撐體2剝離。
另一方面，若曲面部6中之層疊體1的伸長量E大於最大值Emax，則該情況下，有可能在導電膜3的導電構件32，尤其在由金屬細線34a及36a構成之網格圖案中導致發生斷線。
因此，將曲面部6中之層疊體1的伸長量E設定為最小值Emin以上且最大值Emax以下並對層疊體1實施彎曲加工，藉此能夠防止導電膜3從支撐體2剝離和導電膜3的導電構件32的斷線，並能夠製作曲面部6。
另外，實施彎曲加工之前的平板形狀的層疊體1中之支撐體2的厚度A1、導電膜3的厚度B1及黏合劑4的厚度C1，與對層疊體1實施彎曲加工之後的平面部P中之支撐體2的厚度、導電膜3的厚度及黏合劑4的厚度相同。
由於一邊將成為曲面部之部分C加熱為比支撐體2的構成材料的玻璃化轉變溫度高的溫度，一邊對層疊體1施加拉伸力，從而對曲面部6中之層疊體1賦予伸長量E，因此如第4圖所示，在實施彎曲加工之後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2小於平面部P中之支撐體2的厚度A1。亦即，曲面部6中之支撐體2比平面部P中之支撐體2薄。加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2根據層疊體1的伸長量E而發生變化，在曲面部6中之層疊體1的伸長量E為最小的情況下，加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2為最大，在曲面部6中之層疊體1的伸長量E為最大的情況下，加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2為最小。
在此，平面部P中之支撐體2的厚度A1的值在彎曲加工 的前後不發生變化，因此若考慮曲面部6中之支撐體2的厚度A2相對於平面部P中之支撐體2的厚度A1之比A2/A1，則與曲面部6中之支撐體2的厚度A2同樣地，A2/A1的值亦根據層疊體1的伸長量E而發生變化，在曲面部6中之層疊體1的伸長量E為最小值Emin之情況下，A2/A1的值為最大，曲面部6中之層疊體1的伸長量E為最大值Emax之情況下，A2/A1的值為最小。
具體而言，曲面部6中之層疊體1的伸長量E為最小值Emin=π×(A2+B1+2．C1)×(X/360)×0.9的情況下，若在第4圖的垂直於紙面之方向上，支撐體2的構成材料係不移動者，且將曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑設為R，則曲面部6中之支撐體2的厚度A2相對於平面部P中之支撐體2的厚度A1之比A2/A1在該情況下示出之最大值(A2/A1)max能夠表示成(A2/A1)max=(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×0.9)．．．(1)。
另一方面，在曲面部6中之層疊體1的伸長量E為最大值Emax=π×(A2+B1+2‧C1)×(X/360)×1.45的情況下，同樣地，曲面部6中之支撐體2的厚度A2相對於平面部P中之支撐體2的厚度A1之比A2/A1在該情況下示出之最小值(A2/A1)min能夠表示成(A2/A1)min=(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×1.45)．．．(2)。
從而，為了使曲面部6中之支撐體2的厚度A2相對於平面部P中之支撐體2的厚度A1之比A2/A1滿足最小值(A2/A1)min以上且最大值(A2/A1)max以下的條件，若對層疊體1實施 彎曲加工，則一邊能夠同時防止導電膜3從支撐體2剝離和導電膜3的導電構件32斷線，一邊能夠製作曲面部6。
如此，在製作曲面部6之後，解除加工機的夾緊，從加工機取出層疊體1。
同樣地，藉由製作層疊體1所需要的複數個曲面部6，能夠製造例如具有如第5圖所示之矩形的上表面之角筒形狀(箱形形狀)的觸控面板7。該觸控面板7由於能夠防止曲面部6中之導電膜3從支撐體2剝離，因此具有良好的外觀，並且能夠在導電膜3的導電構件32不產生斷線而進行可靠性高的動作。
實施形態2
在上述實施形態1中，藉由加工而在層疊體1的成為曲面部6之部分C的附近且與層疊體1的導電膜3對置之位置配置了加熱器5，但是並不限定於此，如第6圖所示，亦可在層疊體1的成為曲面部6之部分C的附近且在與層疊體1的支撐體2對置之位置配置加熱器5。
藉由來自加熱器5的熱量，將成為曲面部6之部分C中之構成支撐體2之材料加熱至比玻璃化轉變溫度高的溫度，因此若加熱器5配置於與支撐體2對置之位置，亦即在形成有曲面部6之情況下配置於成為曲面部6的外側之位置，能夠有效地製作曲面部6。
另外，上述實施形態1及2中，為了加熱成為曲面部6之部分C而使用了成為發熱體之加熱器5，但是亦可藉由放射加 熱等其他方式來進行加熱。
並且，在上述實施形態1及2中，一邊對層疊體1施加拉伸力F，一邊對層疊體1實施了彎曲加工，但是由於需要使支撐體2產生伸長，因此亦可一邊僅對在層疊體1中的支撐體2施加拉伸力F，一邊對層疊體1實施彎曲加工，從而亦能夠製作曲面部6。在導電膜3未配置於支撐體2的整個面上，而是在支撐體2的端部形成有不存在導電膜3的區域之情況下，藉由使該支撐體2的端部夾緊於加工機而能夠僅對支撐體2施加拉伸力F。
上述實施形態1及2中，導電膜3具有配置於絕緣基板31的表面上之複數個第1檢測電極34及複數個第1周邊配線35和配置於絕緣基板31的背面上之複數個第2檢測電極36及複數個第2周邊配線37，但是並不限定於此。
例如亦可設為如下構成，複數個第1檢測電極34和複數個第2檢測電極36經由層間絕緣膜而配置於絕緣基板31的一面側，並且複數個第1周邊配線35和複數個第2周邊配線37配置於與絕緣基板31同一面側。
並且，在上述實施形態1及2中，製作了具有矩形上表面之角筒形狀的觸控面板7，但是並不限定於此，以同樣的方式能夠製作具有3角形或5角形以上的多邊形上表面之角筒形狀的觸控面板、圓筒形狀或橢圓形狀的觸控面板。另外，此外，具有曲面部之各種三維形狀的觸控面板亦能夠以同樣的方式製作。
並且，除了觸控面板以外，以同樣的方式亦可製作發熱 體、電磁波屏蔽體等具有曲面部之三維形狀的導電體。
[實施例]
實施例1
對導電膜3藉由透明的黏合劑4而接合於支撐體2的表面上之層疊體1施加拉伸力，並且一邊僅對成為曲面部6之部分進行加熱，一邊以支撐體2成為外側且導電膜3成為內側之方式實施彎曲加工，從而製作出曲面部6。
使用厚度為A1=0.5mm的聚碳酸酯(PC)作為支撐體2，使用具有由雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙酯(PET)構成之絕緣基板31之厚度為B1=0.1mm的透明導電膜作為導電膜3，使用厚度為C1=0.05mm的3M公司製造的光學用透明黏合片(OCA)8172CL作為黏合劑4。
並且，將成為曲面部6之部分C的加熱溫度設為160℃，加工後曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為1mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.3mm。
實施例2
將加工後的面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為2mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.34mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
實施例3
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為2mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為 0.43mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
實施例4
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為3mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.33mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
實施例5
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為3mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.42mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
實施例6
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為3mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.48mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
實施例7
將使用了厚度為A1=1.0mm的聚碳酸酯(PC)之層疊體1用作支撐體2，並將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為1mm，加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.66mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
實施例8
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為2mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為 0.62mm，除此之外，以與實施例7同樣的方式製作出曲面部6。
實施例9
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為2mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.74mm，除此之外，以與實施例7同樣的方式製作出曲面部6。
實施例10
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為3mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.76mm，除此之外，以與實施例7同樣的方式製作出曲面部6。
實施例11
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為3mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.92mm，除此之外，以與實施例7同樣的方式製作出曲面部6。
比較例1
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為1mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.2mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
比較例2
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為1mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.44mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
比較例3
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為1mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.49mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
比較例4
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為2mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.22mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
比較例5
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為2mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.49mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
比較例6
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為3mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.26mm，除此之外，以與實施例1同樣的方式製作出曲面部6。
比較例7
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為1mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.38mm，除此之外，以與實施例7同樣的方式製作出曲面部6。
比較例8
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為1mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為 0.50mm，除此之外，以與實施例7同樣的方式製作出曲面部6。
比較例9
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為1mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.90mm，除此之外，以與實施例7同樣的方式製作出曲面部6。
比較例10
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為2mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.4mm，除此之外，以與實施例7同樣的方式製作出曲面部6。
比較例11
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為2mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.92mm，除此之外，以與實施例7同樣的方式製作出曲面部6。
比較例12
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為3mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.44mm，除此之外，以與實施例7同樣的方式製作出曲面部6。
比較例13
將加工後的曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為3mm、加工後的曲面部6中之支撐體2的厚度A2設為0.56mm，除此之外，以與實施例7同樣的方式製作出曲面部6。
該些實施例1~11及比較例1~13中，對使用厚度為 A1=0.5mm的聚碳酸酯(PC)作為支撐體2，且將曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為1mm之實施例1及比較例1~3中個別地製作之曲面部，藉由目測評價在支撐體2與導電膜3之間有無產生剝離，並且對曲面部中之導電膜3內的導電構件32實施導通檢查而評價了有無產生導電構件32的斷線時，獲得了如表1所示之結果。並且，在表1中記載有，在上述式(1)及式(2)中代入實施例1及比較例1~3的各自曲面部6中之支撐體2的厚度A2、導電膜3的厚度B1、黏合劑4的厚度C1及曲率半徑R而算出之、支撐體2的厚度之比A2/A1的最大值(A2/A1)max及最小值(A2/A1)min。
在表1的評價結果中，A表示未確認到在支撐體2與導電膜3之間產生剝離，也未確認到在導電膜3內的導電構件32產生斷線，B表示雖然未確認到在導電膜3內的導電構件32產生斷線，但是確認到在支撐體2與導電膜3之間產生剝離，C表示雖然未確認到在支撐體2與導電膜3之間產生剝離，但是確認到在導電膜3內的導電構件32產生斷線。
實施例1中之比A2/A1=0.6滿足最小值(A2/A1)min以 上且最大值(A2/A1)max以下之條件，不僅未產生支撐體2與導電膜3之間的剝離，而且亦未產生導電膜3內的導電構件32的斷線。
與此相對，由於比較例1中之比A2/A1=0.4小於最小值(A2/A1)min，且曲面部6中之層疊體1過度伸長，因此認為係導電膜3內的導電構件32斷線者。
另一方面，由於比較例2中之比A2/A1=0.88及比較例3中之比A2/A1=0.98均大於最大值(A2/A1)max，且曲面部6中之層疊體1的伸長量E不足，因此認為係在導電膜3產生壓曲而從支撐體2剝離者。
在實施例1~12及比較例1~12中，對使用厚度為A1=0.5mm的聚碳酸酯(PC)作為支撐體2，且曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為2mm之實施例2~3及比較例4~5中個別地製作之曲面部，藉由目測而評價有無產生支撐體2與導電膜3之間的剝離，並且對曲面部中之導電膜3內的導電構件32實施導通檢查而評價了有無產生導電構件32的斷線時，獲得了如表2所示之結果。並且，在表2中記載有，在上述式(1)及式(2)中藉由代入實施例2~3及比較例4~5的各自的曲面部6中之支撐體2的厚度A2、導電膜3的厚度B1、黏合劑4的厚度C1及曲率半徑R而算出之、支撐體2的厚度之比A2/A1的最大值(A2/A1)max及最小值(A2/A1)min。
表2的評價結果中之A、B及C與表1中示出者相同。
實施例2中之比A2/A1=0.68及實施例3中之比A2/A1=0.86均滿足最小值(A2/A1)min以上且最大值(A2/A1)max以下的條件，不僅未產生支撐體2與導電膜3之間的剝離，而且亦未產生導電膜3內的導電構件32的斷線。
與此相對，由於比較例4中之比A2/A1=0.44小於最小值(A2/A1)min，且曲面部6中之層疊體1過度伸長，因此認為係導電膜3內的導電構件32斷線者。
另一方面，由於比較例5中之比A2/A1=0.98超過最大值(A2/A1)max，且曲面部6中之層疊體1的伸長量E不足，因此認為係在導電膜3產生壓曲而從支撐體2剝離者。
在實施例1~12及比較例1~12中，對使用厚度為A1=0.5mm的聚碳酸酯(PC)作為支撐體2，且曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為3mm之實施例4~6及比較例6中個別地製作之曲面部，藉由目測而評價有無產生支撐體2與導電膜3之間的剝離，並且對曲面部中之導電膜3內的導電構件32實施導通檢查而評價了有無產生導電構件32的斷線時，獲得了如表3所示之結果。並且，在表3中記載有，在上述式(1)及式(2) 中藉由代入實施例4~6及比較例6各自的曲面部6中之支撐體2的厚度A2、導電膜3的厚度B1、黏合劑4的厚度C1及曲率半徑R而算出之、支撐體2的厚度之比A2/A1的最大值(A2/A1)max及最小值(A2/A1)min。
表3的評價結果中之A及C與表1中示出者相同。
實施例4中之比A2/A1=0.66、實施例5中之比A2/A1=0.84及實施例6中之比A2/A1=0.96均滿足最小值(A2/A1)min以上且最大值(A2/A1)max以下之條件，不僅未產生支撐體2與導電膜3之間的剝離，而且亦未產生導電膜3內的導電構件32的斷線。
與此相對，由於比較例6中之比A2/A1=0.52小於最小值(A2/A1)min，且曲面部6中之層疊體1過度伸長，因此認為係導電膜3內的導電構件32斷線者。
在實施例1~12及比較例1~12中，對使用厚度為A1=1.0mm的聚碳酸酯(PC)作為支撐體2，且曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為1mm之實施例7及比較例7~9中個別地製作之曲面部，藉由目測而評價有無產生支撐體2與導電膜3之間的剝離，並且對曲面部中之導電膜3內的導電構件32實施導通檢查而評價了有無產生導電構件32的斷線時，獲得了如 表4所示之結果。並且，在表4中記載有，藉由在上述式(1)及式(2)中代入實施例7及比較例7~9各自的曲面部6中之支撐體2的厚度A2、導電膜3的厚度B1、黏合劑4的厚度C1及曲率半徑R而算出之、支撐體2的厚度之比A2/A1的最大值(A2/A1)max及最小值(A2/A1)min。
表4的評價結果中之A、B及C與表1中示出者相同。
實施例7中之比A2/A1=0.66滿足最小值(A2/A1)min以上且最大值(A2/A1)max以下的條件，不僅未產生支撐體2與導電膜3之間的剝離，而且亦未產生導電膜3內的導電構件32的斷線。
與此相對，由於比較例7中之比A2/A1=0.38及比較例8中之比A2/A1=0.5均小於最小值(A2/A1)min，並且曲面部6中之層疊體1過度伸長，因此認為係導電膜3內的導電構件32斷線者。
另一方面，由於比較例9中之比A2/A1=0.9超過最大值(A2/A1)max，且曲面部6中之層疊體1的伸長量E不足，因此認為係在導電膜3產生壓曲而從支撐體2剝離者。
在實施例1~12及比較例1~12中，對使用厚度為 A1=1.0mm的聚碳酸酯(PC)作為支撐體2，且曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為2mm之實施例8~9及比較例10~11中個別地製作之曲面部，藉由目測而評價有無產生支撐體2與導電膜3之間的剝離，並且對曲面部中之導電膜3內的導電構件32實施導通檢查而評價了有無產生導電構件32的斷線時，獲得了如表5所示之結果。並且，在表5中記載有，在上述式(1)及式(2)中代入實施例8~9及比較例10~11各自的曲面部6中之支撐體2的厚度A2、導電膜3的厚度B1、黏合劑4的厚度C1及曲率半徑R而算出之、支撐體2的厚度之比A2/A1的最大值(A2/A1)max及最小值(A2/A1)min。
表5的評價結果中之A、B及C係與表1中示出者相同。
實施例8中之比A2/A1=0.62及實施例9中之比A2/A1=0.74均滿足最小值(A2/A1)min以上且最大值(A2/A1)max以下的條件，不僅未產生支撐體2與導電膜3之間的剝離，而且亦未產生導電膜3內的導電構件32的斷線。
與此相對，由於比較例10中之比A2/A1=0.4小於最小值(A2/A1)min，且曲面部6中之層疊體1過度伸長，因此認為係導電膜3內的導電構件32斷線者。
另一方面，由於比較例11中之比A2/A1=0.92超過最大值(A2/A1)max，且曲面部6中之層疊體1的伸長量E不足，因此認為係在導電膜3產生壓曲而從支撐體2剝離者。
在實施例1~12及比較例1~12中，對使用厚度為A1=1.0mm的聚碳酸酯(PC)作為支撐體2，且曲面部6中之導電膜3的內側面的曲率半徑R設為3mm之實施例10~11及比較例12~13中個別地製作之曲面部，藉由目測而評價有無產生支撐體2與導電膜3之間的剝離，並且對曲面部中之導電膜3內的導電構件32實施導通檢查而評價了有無產生導電構件32的斷線時，獲得了如表6所示之結果。並且，在表6中記載有，在上述式(1)及式(2)中代入實施例10~11及比較例12~13各自的曲面部6中之支撐體2的厚度A2、導電膜3的厚度B1、黏合劑4的厚度C1及曲率半徑R而算出之、支撐體2的厚度之比A2/A1的最大值(A2/A1)max及最小值(A2/A1)min。
表6的評價結果中之A及C與表1中示出者相同。
實施例10中之比A2/A1=0.76及實施例11中之比A2/A1=0.92均滿足最小值(A2/A1)min以上且最大值(A2/A1)max以下的條件，不僅未產生支撐體2與導電膜3之間的剝離，而且亦未產生導電膜3內的導電構件32的斷線。
與此相對，由於比較例12中之比A2/A1=0.44及比較例13中之比A2/A1=0.56小於最小值(A2/A1)min，且曲面部6中之層疊體1過度伸長，因此認為係導電膜3內的導電構件32斷線者。

Claims (10)

  1. 一種導電體的成形方法，其為在層疊體上形成曲面部，從而成形具有平面部和前述曲面部之三維形狀的導電體之導電體的成形方法，前述層疊體在具有平板形狀之絕緣性支撐體的表面上經由黏合劑而接合有具有金屬網之導電膜，前述導電體的成形方法的特徵為，在成形加工時，僅加熱前述層疊體的成為曲面部之部分，一邊至少對成為前述曲面部之部分施加拉伸力，一邊以前述支撐體成為外側且前述導電膜成為內側之方式對前述層疊體實施彎曲加工，從而製作前述曲面部，在將前述平面部中之前述支撐體的厚度設為A1、前述導電膜的厚度設為B1、前述黏合劑的厚度設為C1、所製作之前述曲面部中之前述支撐體的厚度設為A2、前述曲面部的內表面的曲率半徑設為R之情況下，A2/A1為(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×1.45)以上且(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×0.9)以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電體的成形方法，其中，在將前述曲面部的彎曲角度設為X°之情況下，以前述曲面部中之前述層疊體的伸長量E成為π×(A2+B1+2‧C1)×(X/360)×0.9以上且π×(A2+B1+2‧C1)×(X/360)×1.45以下之方式，一邊對前述層疊體施加拉伸力，一邊對前述層疊體實施彎曲加工，從而製作前述曲面部。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之導電體的成形方法，其中，在前述層疊體的成為前述曲面部之前述部分加熱為比前述支撐體的玻璃化轉變溫度高的溫度，並且在成為前述平面部之部分維持比前述支撐體的玻璃化轉變溫度低的溫度之狀態下，對前述層疊體實施彎曲加工，從而製作前述曲面部。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之導電體的成形方法，其中，從前述支撐體側對前述層疊體的成為前述曲面部之前述部分進行加熱。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之導電體的成形方法，其中，一邊僅對前述層疊體中的前述支撐體施加拉伸力，一邊對前述層疊體實施彎曲加工，從而製作前述曲面部。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之導電體的成形方法，其中，前述支撐體由絕緣性透明的樹脂構成，前述導電膜為在具有可撓性之絕緣基板的表面上配置有前述金屬網之透明導電膜，前述黏合劑係透明者。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之導電體的成形方法，其中，前述導電體用作觸控面板、電磁波屏蔽體或發熱體。
  8. 一種導電體，其為在絕緣性支撐體的表面上經由黏合劑而接合有具有金屬網之導電膜之三維形狀的導電體，前述導電體的特徵為，具有平面部和曲面部，在將前述平面部中之前述支撐體的厚度設為A1、前述導電膜的厚度設為B1、前述黏合劑的厚度設為C1、前述曲面部中之前述支撐體的厚度設為A2、前述曲面部內表面的曲率半徑設為R之情況下，A2/A1為(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×1.45)以上且(R+B1/2)/((R+B1+C1+A2/2)×0.9)以下，前述曲面部內表面的曲率半徑R為1mm以上且3mm以下。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之導電體，其中，前述支撐體由絕緣性透明的樹脂構成，前述導電膜為在具有可撓性之絕緣基板的表面上配置有前述金屬網之透明導電膜，前述黏合劑係透明者。
  10. 如申請專利範圍第8或9項所述之導電體，其用作觸控面板、電磁波屏蔽體或發熱體。
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