TWI668333B - 微粗糙電解銅箔及銅箔基板 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種微粗糙電解銅箔及銅箔基板。微粗糙電解銅箔包括一微粗糙表面。微粗糙表面具有多個凸鋒、多個V型凹槽以及多個微結晶簇。兩個相鄰的所述凸鋒界定出一個V型凹槽。V型凹槽的平均深度小於1微米。微結晶簇位於所述凸鋒頂部。微結晶簇的平均高度小於1.5微米。微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低於1.06。微粗糙表面與基材之間有良好的接合力，且在高頻下的介入損失有良好的表現，能夠有效地抑制訊號損耗。
Description
本發明涉及一種銅箔，特別是涉及一種電解銅箔及具有此銅箔的銅箔基板。
隨著資訊和電子產業的發展，高頻高速的訊號傳輸已成為現代電路設計與製造的一環。電子產品為了能符合高頻高速的訊號傳輸需求，所採用的銅箔基板在高頻下需要有良好的介入損失(insertion loss)表現，以防止高頻訊號在傳遞時產生過度的損耗。銅箔基板的介入損失與其表面粗糙度有高度關聯。當表面粗糙度降低時，介入損失有較佳的表現，反之則否。但是降低粗糙度的同時，也會導致銅箔與基材間的剝離強度下滑，影響到後端產品的良率。因此，如何將剝離強度維持在業界水準，並提供良好的介入損失表現，已成為本領域所欲解決的課題。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種微粗糙電解銅箔。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種微粗糙電解銅箔。所述微粗糙電解銅箔包括一微粗糙表面。所述微粗糙表面具有多個凸鋒、多個V型凹槽以及多個微結晶簇，兩個相鄰的所述凸鋒界定出一個V型凹槽，所述V型
凹槽的平均深度小於1微米，所述微結晶簇位於所述凸鋒頂部，所述微結晶簇的平均高度小於1.5微米。所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低於1.06。
優選地，每一個所述微結晶簇由多個微結晶堆疊構成，所述微結晶的平均直徑小於0.5微米，每一個所述微結晶簇的平均高度小於1.3微米。
優選地，每一個所述微結晶簇沿其自身高度方向的所述微結晶平均堆疊數量是15個以下；所述微結晶簇的平均最大寬度小於5微米；部份的所述微結晶簇形成有分岔結構。
優選地，每一個所述微結晶簇由多個微結晶堆疊構成，所述微結晶的平均直徑小於0.5微米，每一個所述微結晶簇的平均高度小於1.3微米。
優選地，所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低於1.055。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種銅箔基板，其包括一基材以及一微粗糙電解銅箔。所述微粗糙電解銅箔包括一貼附在所述基材的微粗糙表面。所述微粗糙表面形成有多個凸鋒、多個V型凹槽以及多個微結晶簇。兩個相鄰的所述凸鋒界定出一個V型凹槽。所述V型凹槽的平均深度小於1微米。所述微結晶簇位於所述凸鋒頂部。所述微結晶簇的平均高度小於1.5微米。所述銅箔基板於20GHz的介入損失介於0至-0.635db/in。所述微粗糙電解銅箔與所述基材間的剝離強度大於3lb/in。
優選地，所述銅箔基板於30GHz的介入損失介於0至-0.935db/in。
優選地，所述銅箔基板於8GHz的介入損失介於0至-0.31db/in，所述銅箔基板於12.89GHz的介入損失介於0至-0.43db/in，所述銅箔基板於16GHz的介入損失介於0至
-0.53db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強度大於3.5lb/in。
優選地，所述銅箔基板於12.89GHz的介入損失介於0至-0.42db/in，所述銅箔基板於16GHz的介入損失介於0至-0.52db/in，所述銅箔基板於20GHz的介入損失介於0至-0.63db/in，所述銅箔基板於30GHz的介入損失介於0至-0.92db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強度大於3.9lb/in。
優選地，所述微結晶簇的平均最大寬度小於5微米；部份的所述微結晶簇形成有分岔結構；每一個所述微結晶簇的平均高度小於1微米；每一個所述微結晶簇由多個微結晶堆疊構成，所述微結晶的平均直徑小於0.5微米；所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低於1.06。
優選地，所述基材在1GHz頻率下的Dk值小於3.8，以及在1GHz頻率下的Df值小於0.002。
本發明的其中一有益效果在於，微粗糙表面與基材之間有良好的接合力，且在高頻下的介入損失有良好的表現，能夠有效地抑制訊號傳送時的損耗。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
1‧‧‧銅箔基板
11‧‧‧基材
12‧‧‧微粗糙電解銅箔
121‧‧‧微粗糙表面
122‧‧‧凸鋒
123‧‧‧V型凹槽
124‧‧‧微結晶簇
125‧‧‧微結晶
2‧‧‧連續式電解設備
21‧‧‧輸料輥
22‧‧‧集料輥
23‧‧‧槽
231‧‧‧白金電極
24‧‧‧電解輥組
241‧‧‧電解輥
25‧‧‧輔助輥組
251‧‧‧電解輥
圖1為側視示意圖，說明本發明銅箔基板的其中一實施態樣。
圖2為圖1的II部分的放大示意圖。
圖3為示意圖，說明微粗糙電解銅箔的生產設備。
圖4為掃描式電子顯微鏡圖，說明實施例1微粗糙電解銅箔的表面型態。
圖5為掃描式電子顯微鏡圖，說明實施例1微粗糙電解銅箔的斷面型態。
圖6為掃描式電子顯微鏡圖，說明比較例3的銅箔表面型態。
圖7為掃描式電子顯微鏡圖，說明比較例3的銅箔斷面型態。
圖8為掃描式電子顯微鏡圖，說明比較例4的銅箔表面型態。
圖9為掃描式電子顯微鏡圖，說明比較例4的銅箔斷面型態。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“微粗糙電解銅箔及銅箔基板”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
參閱圖1，本發明銅箔基板1，包括一基材11以及二微粗糙電解銅箔12。微粗糙電解銅箔12分別貼合在基材11的兩相反側。值得一提的是，銅箔基板1亦可以僅包括一片微粗糙電解銅箔12。
基材11較佳是具有低Dk值及低Df值，以抑制介入損失(insertion loss)。較佳地，所述基材11在1GHz頻率下的Dk值小於4且在1GHz頻率下的Df值小於0.003，更佳地，所述基材11在1GHz頻率下的Dk值小於3.8且在1GHz頻率下的Df值小於0.002。
基材11可採用預浸片含浸合成樹脂再固化而成之複合材料。預浸片可例舉如：酚醛棉紙、棉紙、樹脂製纖維布、樹脂製纖維不織布、玻璃板、玻璃織布，或玻璃不織布。合成樹脂可例舉如：
環氧樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、聚苯醚樹脂，或酚樹脂。合成樹脂層可以是單層或多層，並沒有一定的限制。基材11可選自但不限於EM891、IT958G、IT150DA、S7439G、MEGTRON 4、MEGTRON 6，或MEGTRON 7。
參閱圖1及圖2，微粗糙電解銅箔12是對銅箔表面以電解法進行粗糙化處理而得。電解法粗糙化處理可對銅箔的任一表面進行處理，因此，微粗糙電解銅箔12具有位於至少一側的微粗糙表面121。在本發明的其中一實施態樣中，是取極低粗糙度銅箔(Very Low Profile、VLP)作為生箔，而後對其粗糙面進一步執行粗糙化處理而得。
微粗糙表面121用來貼附在基材11，其包括多個凸鋒122、多個V型凹槽123以及多個微結晶簇124。兩個相鄰的凸鋒122界定出一個V型凹槽123。V型凹槽123的平均深度小於1.5微米，較佳是小於1.3微米，更佳是小於1微米。V型凹槽123的平均寬度小於1.5微米，較佳是小於1.3微米，更佳是小於1微米。
微結晶簇124的平均高度小於1.5微米，較佳是小於1.3微米，更佳是小於1微米。前述的平均高度是指微結晶簇124頂部至凸鋒122頂部的距離。微結晶簇124的平均最大寬度小於5微米，較佳是小於3微米。每一個微結晶簇124是由多個微結晶125堆疊構成，且微結晶125的平均直徑小於0.5微米，較佳是介於0.05至0.5微米，更佳是介於0.1至0.4微米。每一個微結晶簇124沿其自身高度方向的微結晶125平均堆疊數量是15個以下，較佳是13個以下，更佳是10個以下，又更佳是8個以下。微結晶125在堆疊成微結晶簇124時，可以疊成塔狀結構，亦可以向外延伸而呈現分岔結構。
微結晶簇124彼此間的排列方式並沒有一定，可以是無序的排列，也可以是大致沿著相同的方向排列，或者是以數個微結晶
簇124排成一列且每列的延伸方向部分相同。
微粗糙電解銅箔12的微粗糙表面121平均粗糙度Rz較佳是大於0.5微米，更佳是大於1.0微米，又更佳是大於1.2微米。當微粗糙表面121的平均粗糙度Rz符合前述範圍時，及能與基材11間有良好的接合力表現，也就是說，當提高平均粗糙度Rz即可有效提高與基材11間的接合力，使得剝離強度(Peel strength)有效提高。較佳地，微粗糙電解銅箔12與基材11間的剝離強度大於3lb/in，較佳地是大於3.2lb/in，更佳地是大於3.5lb/in，又更佳地是大於3.7lb/in。因為在黏合於基板11時，塗覆在微粗糙表面上的黏膠會滲入到V型凹槽123及微結晶簇124的底部，所以黏合至基板11後能夠有效提高剝離強度。
透過前述微粗糙表面121的型態，微粗糙電解銅箔12與基材11間能具有足夠的剝離強度，並且還能有效地抑制訊號傳送時的損耗。微粗糙表面121的Rlr值低於1.06，較佳地是低於1.055，更佳地是低於1.05。所述的Rlr值是指展開長度比，也就是待測物在一單位長度之中的表面輪廓長度比。數值越高代表表面愈加崎嶇，當數值等於1時，代表完全平整。Rlr滿足關係式Rlr=Rlo/L。其中，Rlo是指被測的輪廓長度，L是指被測的距離。
當微粗糙電解銅箔12具有前述的Rlr值時，銅箔基板1會有較佳的介入損失表現。銅箔基板1在8GHz時的介入損失介於0至-0.31db/in，更佳是介於0至-0.305db/in。銅箔基板1在12.89GHz的介入損失介於0至-0.43db/in，更佳是介於0至-0.42db/in，又更佳地是介於0至-0.41db/in。銅箔基板1在16GHz的介入損失介於0至-0.53db/in，更佳地是介於0至-0.52db/in，又更佳地是介於0至-0.51db/in。銅箔基板1在20GHz的介入損失介於0至-0.635db/in，較佳地是介於0至-0.63db/in，更佳地是介於0至-0.62db/in，又更佳地是介於0至-0.61db/in，再更佳地是介於0至-0.6db/in。銅箔基板1在25GHz時的介入損失介於0至
-0.78db/in，更佳是介於0至-0.77db/in，又更佳是介於0至-0.76db/in，再更佳地是介於0至-0.74db/in。銅箔基板1在30GHz時的介入損失介於0至-0.935db/in，更佳是介於0至-0.92db/in，又更佳是介於0至-0.90db/in，再更佳地是介於0至-0.88db/in。本發明的微粗糙電解銅箔12在高頻下，特別是在16GHz以上的範圍中，能夠有效地抑制訊號傳送時的損耗。
[微粗糙電解銅箔製作方法]
微粗糙電解銅箔12是將生箔浸入含銅鍍液後，在一定的時間下進行電解粗糙化處理。本發明的實施態樣中，是取極低粗糙度銅箔(VLP)作為生箔，並對其粗糙面進行電解粗糙化處理。電解粗糙化處理可採用任何習知設備來進行，例如：連續式電解設備，或批次式電解設備。
含銅鍍液內含有銅離子、酸，以及金屬添加劑。銅離子來源可例舉如硫酸銅、硝酸銅，或其等的組合。酸可例舉如硫酸、硝酸，或其等的組合。金屬添加劑可例舉如鈷、鐵、鋅，或其等的組合。此外，含銅鍍液還可以進一步添加習知的添加劑，例如：明膠、有機氮化物、羥乙基纖維素(hydroxyethyl cellulose；HEC)、聚乙二醇(Poly(ethylene glycol)、PEG)、3-巰基-1-丙烷磺酸鈉(Sodium 3-mercaptopropanesulphonate、MPS)、聚二硫二丙烷磺酸鈉(Bis-(sodium sulfopropyl)-disulfide、SPS)，或硫脲基化合物，但並不以此為限。
粗糙化處理的次數是至少二次，每一次粗糙化處理中的含銅鍍液的組成可以相同或不同。在本發明的其中一實施態樣中，是採用兩組含銅鍍液交替進行粗糙化處理，且第一組含銅鍍液的銅離子濃度較佳是介於10至30g/1、酸濃度較佳是介於70至100g/l，且金屬添加劑的添加量較佳是150至300g/l。而第二組含銅鍍液的銅離子濃度較佳是介於70至100g/l、酸濃度較佳是介於30至
60g/l，且金屬添加劑的添加量較佳是15至100g/l。
電解的供電方法可採用定電壓、定電流、脈衝型波形，或鋸型波形，但不限於此。在本發明的其中一實施態樣中，粗糙化處理是先採用第一組含銅鍍液以定電流18至40A/m2進行處理，而後再以第二組含銅鍍液以定電流以定電流2.2至5A/m2進行處裡。較佳地，第一組含銅鍍液以定電流20至33A/m2進行處理，而第二組含銅鍍液以定電流以定電流2.27至3A/m2進行處裡。需注意的是，前述定電流亦能以脈衝型波形或鋸型波形進行供電。此外，如要採以定電壓進行供電，則須確保在各粗糙化處理的階段中施加的電壓值使電流值落於前述範圍內。
當粗糙化處理的次數為三次以上時，能夠採用前述第一組及第二組含銅鍍液交替使用來進行粗糙化處理。電流值控制在介於10至16A/m2。在本發明的其中一實施態樣中，第三次及第四次粗糙化處理分別採用第一組含銅鍍液及第二組含銅鍍液，且電流值控制在介於13至15A/m2。第五次以後的粗糙化處理的電流值控制在小於5A/m2，較佳地是逐次遞減。需注意的是，前述定電流亦能以脈衝型波形或鋸型波形進行供電。此外，如果要採用定電壓進行供電，則須確保在各粗糙化處理的階段中施加的電壓值讓電流值落於前述範圍內。
值得一提的是，微粗糙表面121的微結晶簇124排列方式及V型凹槽123延伸方向可透過含銅鍍液的流場來進行控制。當不施加流場或形成紊流，即可使微結晶簇124間呈現無序排列；而當控制流場使其在銅箔表面沿著特定方向流動，就會形成有大致沿著相同的方向排列的結構。然而，控制微結晶簇124排列方式及V型凹槽123延伸方向的方式不以此為限制，亦可以採用鋼刷預先刻出刮痕來形成不定向的V型凹槽123，製造者能採用任何習知方式進行調整。
本發明的其中一較佳實施態樣中，採用多槽及多電解輥的連
續式電解設備進行粗糙化處理。其中，各個槽內交替容裝第一組含銅鍍液及第二組含銅鍍液。供電方法採用定電流。生產速度控制在5至20m/min。生產溫度控制在20至60℃。
需注意的是，前述微粗糙電解銅箔製作方法亦可以用於處理高溫延展銅箔(High Temperature Elongation，HTE)及反轉銅箔(Reverse Treated Copper，RTF)。當對對高溫延展銅箔銅箔的光澤面進行電解粗糙化處理後，即可獲得。
以上已將銅箔基板1的各層結構及製造方法進行說明，以下將以實施例1至3為例示，並與比較例1至4相比較，以說明本發明的優點。
[實施例1]
參閱圖3，微粗糙電解銅箔是採用連續式電解設備2進行粗糙化處理。連續式電解設備2包括一個輸料輥21、一個集料輥22、六個位在輸料輥21與集料輥22間的槽23、六個分別放置在槽23上方的電解輥組24，以及六個分別位在槽23內的輔助輥組25。每一個槽23內設有一組白金電極231。每一個電解輥組24包括二電解輥241。每一個輔助輥組25包括二輔助輥251。每一個槽23內的白金電極231與對應的電解輥組24分別電性連接到外部電源供應器的陽極及陰極。
在本實施例1中，採用極低粗糙度銅箔(VLP)作為生箔，其購自金居開發有限公司(型號VL410)。生箔收卷於輸料輥21，後依序繞行於電解輥組24及輔助輥組25，再捲收於集料輥22。各槽23內的含銅鍍液組份及電鍍條件如表1所示，其中，銅離子來源是硫酸銅。極低粗糙度銅箔由第一槽至第六槽依序對生箔的粗糙面進行粗糙化處理，生產速度是10m/min，最後獲得粗糙度Rz為1.29微米的微粗糙電解銅箔。而後，取二片微粗糙電解銅箔與一片基材MEGTRON 7貼合，即完成製作。
本實施例1以掃描式電子顯微鏡觀測其表面及斷面結構，分別顯示於圖4及圖5。
本實施例1微粗糙電解銅箔的剝離強度，是先於微粗糙表面上塗覆銅矽烷偶合劑並黏合至基材MEGTRON 7。固化後，再依照IPC-TM-650 4.6.8測試方法來進行測量。測試結果列於表2。
本實施例1微粗糙電解銅箔的Rlr值，是採用形狀量測雷射顯微鏡(廠商：Keyence，型號：VK-X100)進行量測。測試結果列於表2。
本實施例1微粗糙電解銅箔的介入損失，使用Micro-strip line(特性阻抗50Ω)的方法進行測試，並分別於頻率4GHz、8GHz、12.89GHz、16GHz、20GHz、25GHz，及30GHz下進行檢測。測試結果列於表2。
[實施例2及3]
生箔、電解設備及含銅鍍液組份與實施例1相同，電鍍條件如表1所示，生產速度是10m/min。而後，取二片微粗糙電解銅箔與一片基材MEGTRON 7貼合，即完成製作。量測方式與實施例1相同，測試結果列於表2。
[比較例1及2]
生箔、電解設備及含銅鍍液組份與實施例1相同，電鍍條件如表1所示，生產速度是10m/min。而後，取二片微粗糙電解銅箔與一片基材MEGTRON 7貼合，即完成製作。量測方式與實施例1相同，測試結果列於表2。
[比較例3]
採用福田金屬箔粉業有限公司所產的極低粗糙度銅箔(型號：CF-T4X-SV，下稱CF-T4X-SV銅箔)，以掃描式電子顯微鏡圖
觀測其表面及斷面結構，分別顯示於圖6及圖7。將二片CF-T4X-SV銅箔與一片基材MEGTRON7貼合後，量測其剝離強度、Rlr，以及介入損失，測試結果列於表2。
[比較例4]
採用臺灣銅箔股份有限公司所產的極低粗糙度銅箔(型號：HS1-M2-VSP，下稱HS1-M2-VSP銅箔)，以掃描式電子顯微鏡圖觀測其表面及斷面結構，分別顯示於圖8及圖9。將二片HS1-M2-VSP銅箔與一片基材MEGTRON 7貼合後，量測其剝離強度、Rlr，以及介入損失，測試結果列於表2。
參閱圖4及圖5，實施例1的微粗糙表面是由多數粒徑小於0.5微米的粒子堆疊而成微結晶簇，且微結晶簇彼此間有顯見的間隔。由斷面圖可知，微粗糙表面包括多數個相間隔且深度小於0.6微米的V型凹槽。微結晶簇並非均勻地分布，多集中在凸鋒頂部，也就是集中在V型凹槽與V型凹槽之間。
參閱圖6及圖7，CF-T4X-SV銅箔的表面，是由多數粒徑大於1微米的微結晶均勻地披覆，且微結晶沒有相互聚集形成簇狀。由斷面圖得知，微結晶均勻地分布在表面，並沒有集中在特定的
位置。此外，微結晶的平均高度大於1.5微米。
參閱圖8及圖9，HS1-M2-VSP銅箔表面是由多數粒徑大於0.5微米的結晶均勻地披覆，且大部分的結晶彼此分散，少數聚集成簇。由斷面圖得知，結晶彼此有明顯的間距，且也是均勻地分布在表面，並沒有集中在特定的位置。此外，微結晶的高度介於1至2微米。
參閱表2，在剝離強度的表現上，實施例1至3的剝離強度至少為3.96lb/in，介於市售銅箔(比較例3、4)之間，且大於業界標準3lb/in至少32%。由此可見，本發明微粗糙電解銅箔與基材有良好的接合力，有利於後續製程的進行，並維持產品良率。
關於介入損失的表現，實施例1至3在頻率8GHz至30GHz之間的介入損失，大體上都優於比較例1至4。值得一提的是，在12.89GHz以上的高頻範圍，本發明有較商用品(比較例3、4)更為良好的介入損失表現。值得一提的是，通過控制微粗糙表面的表面型態以及將Rlr值調整室小於1.059，明顯可抑制銅箔基板在高頻的訊號損失。此外，當Rlr值越低，可發現具有更進一步地降低訊號損失的效果。
由上述可知，本發明的微粗糙電解銅箔在維持良好的剝離強
度下，進一步優化了介入損失的表現，能有效地抑制訊號損耗。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
Claims (10)
- 一種微粗糙電解銅箔，其包括一微粗糙表面，所述微粗糙表面具有多個凸鋒、多個V型凹槽以及多個微結晶簇，兩個相鄰的所述凸鋒界定出一個V型凹槽，所述V型凹槽的平均深度小於1微米，所述微結晶簇位於所述凸鋒頂部，所述微結晶簇的平均高度小於1.5微米；其中，所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低於1.06。
- 如請求項1所述的微粗糙電解銅箔，其中，每一個所述微結晶簇由多個微結晶堆疊構成，所述微結晶的平均直徑小於0.5微米，每一個所述微結晶簇的平均高度小於1.3微米。
- 如請求項2所述的微粗糙電解銅箔，其中，每一個所述微結晶簇沿其自身高度方向的所述微結晶平均堆疊數量是15個以下；所述微結晶簇的平均最大寬度小於5微米；部份的所述微結晶簇形成有分岔結構。
- 如請求項1至3中任一項所述的微粗糙電解銅箔，其中，所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低於1.055。
- 一種銅箔基板，其包括：一基材；以及一微粗糙電解銅箔，其包括一貼附在所述基材的微粗糙表面，所述微粗糙表面形成有多個凸鋒、多個V型凹槽以及多個微結晶簇，兩個相鄰的所述凸鋒界定出一個V型凹槽，所述V型凹槽的平均深度小於1微米，所述微結晶簇位於所述凸鋒頂部，所述微結晶簇的平均高度小於1.5微米；其中，所述銅箔基板於20GHz的介入損失介於0至-0.635db/in；其中，所述微粗糙電解銅箔與所述基材間的剝離強度大於3lb/in。
- 如請求項5所述的銅箔基板，其中，所述銅箔基板於30GHz的介入損失介於0至-0.935db/in。
- 如請求項6所述的銅箔基板，其中，所述銅箔基板於8GHz的介入損失介於0至-0.31db/in，所述銅箔基板於12.89GHz的介入損失介於0至-0.43db/in，所述銅箔基板於16GHz的介入損失介於0至-0.53db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強度大於3.5lb/in。
- 如請求項7所述的銅箔基板，其中，所述銅箔基板於12.89GHz的介入損失介於0至-0.42db/in，所述銅箔基板於16GHz的介入損失介於0至-0.52db/in，所述銅箔基板於20GHz的介入損失介於0至-0.63db/in，所述銅箔基板於30GHz的介入損失介於0至-0.92db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強度大於3.9lb/in。
- 如請求項5所述的銅箔基板，其中，所述微結晶簇的平均最大寬度小於5微米；部份的所述微結晶簇形成有分岔結構；每一個所述微結晶簇的平均高度小於1微米；每一個所述微結晶簇由多個微結晶堆疊構成，所述微結晶的平均直徑小於0.5微米；所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低於1.06。
- 如請求項5所述的銅箔基板，其中，所述基材在1GHz頻率下的Dk值小於3.8，以及在1GHz頻率下的Df值小於0.002。
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