TWI667701B - 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於防止因為處理液與洗淨流體之反應而使結晶產生。本發明包括：處理液流道(濃度測量流道53)，流通用以處理基板(8)之處理液；洗淨流體供給部(57)，將用以洗淨前述處理液流道的至少一部分之洗淨流體供給至前述處理液流道；加熱器(52)，加熱前述處理液；以及控制部(7)，控制前述洗淨流體供給部(57)及前述加熱器(52)；且進行如下控制：於利用前述加熱器(52)將前述處理液加熱至較因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而產生結晶之溫度更高的溫度後，將已加熱之前述處理液供給至因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而產生結晶之溫度之前述處理液所滯留的前述處理液流道，其後，由前述洗淨流體供給部(57)將前述洗淨流體供給至前述處理液流道。

Description

基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體

本發明係關於利用洗淨流體將用以處理基板之處理液所流通的處理液流道加以洗淨之基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體。

於半導體部品或平板顯示器等之製造中，使用有利用洗淨液或蝕刻液等處理液將半導體晶圓或液晶基板等基板加以處理之基板液體處理裝置。

習知的基板液體處理裝置中，儲存處理液之處理液儲存槽連接有循環流道，且循環流道的中途設有泵及加熱器。而且，驅動泵而將處理液流至循環流 道，並將利用加熱器此處理液加熱至預定溫度而返回處理液儲存槽。其後，使基板浸漬在儲存有預定溫度之處理液之處理液儲存槽，而利用處理液將基板進行液體處理。

此基板液體處理裝置於將「用以測量處理液的濃度之濃度感測器」的感測器部加以洗淨之際等情況，將作為洗淨流體之純水供給至處理液流通的流道(循環流道)(例如參照專利文獻1)。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

日本特開平9-199468號公報

然而，上述習知的基板液體處理裝置中，經常於利用處理液處理基板而經過一定程度的時間之後，進行濃度感測器之洗淨等，殘留處理液的溫度降低。而且，當將常溫的洗淨流體供給至溫度已降低之處理液所滯留的循環流道時，則有時處理液與洗淨流體反應而使結晶產生。

當結晶產生在循環流道時，則不只洗淨無法順利進行，且會有成為微粒而附著在基板使流道堵塞等不良狀況出現，而無法順利處理基板之虞。

於是，本發明之中，基板液體處理裝置包括：處理液流道，流通用以處理基板之處理液；洗淨流體供給部，將用以洗淨前述處理液流道的至少一部分之洗淨流體供給至前述處理液流道；加熱器，加熱前述處理液；以及控制部，控制前述洗淨流體供給部及前述加熱器；且前述控制部進行如下控制：於利用前述加熱器將前述處理液加熱至高於因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而產生結晶之溫度後，將已加熱之前述處理液供給至因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而產生結晶之溫度之前述處理液所滯留的前述處理液流道，其後，由前述洗淨流體供給部將前述洗淨流體供給至前述處理液流道。

此外，本發明之中，基板液體處理裝置包括：處理液流道，流通用以處理基板之處理液；洗淨流體供給部，將用以洗淨前述處理液流道的至少一部分之洗淨流體供給至前述處理液流道；加熱器，加熱前述洗淨流體；以及控制部，控制前述洗淨流體供給部及前述加熱器；且前述控制部進行如下控制：於利用前述加熱器將前述洗淨流體加熱至高於因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而產生結晶之溫度後，將前述洗淨流體由前述洗淨流體供給部供給至因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而產生結晶之溫度之前述處理液所滯留的前述處理液流道。

此外，本發明更包括：溫度感測器，測量前述處理液或前述洗淨流體的溫度；且前述控制部進行如下控制：於前述溫度感測器所測量的溫度低於預定溫度之情況下，利用前述加熱器加熱前述處理液或前述洗淨流體。

此外，本發明更包括：計時器，測量前述處理液滯留在前述處理液流道的時間；且前述控制部進行如下控制：於前述計時器所測量的時間長於預定時間之情況下，利用前述加熱器加熱前述處理液或前述洗淨流體。

此外，前述控制部進行如下控制：利用前述加熱器將前述處理液加熱至用以處理前述基板之前述處理液的溫度。

此外，前述洗淨流體供給部供給用以將前述處理液流道所設的濃度感測器加以洗淨之洗淨流體。

此外，前述處理液流道包括：循環流道，連接至將前述處理液加以儲存的處理液儲存部而用以使前述處理液循環；以及濃度測量流道，自循環流道分岐而用以測量前述處理液的濃度；且前述循環流道設有前述加熱器。

此外，本發明之中，基板液體處理方法將洗淨流體供給至處理液流道而洗淨處理液流道的至少一部分，此處理液流道流通用以處理基板之處理液，於將前述處理液加熱至高於因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而產生結晶之溫度後，將已加熱之前述處理液供給至因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而 產生結晶之溫度之前述處理液所滯留的前述處理液流道，其後，將前述洗淨流體供給至前述處理液流道。

此外，本發明之中，基板液體處理方法將洗淨流體供給至處理液流道而洗淨處理液流道的至少一部分，此處理液流道流通用以處理基板之處理液，於將前述洗淨流體加熱至較因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而產生結晶之溫度更高的溫度後，將前述洗淨流體供給至因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而產生結晶之溫度之前述處理液所滯留的前述處理液流道。

此外，於前述處理液或前述洗淨流體的溫度低於預定溫度之情況下，加熱前述處理液或前述洗淨流體。

此外，於前述處理液滯留在前述處理液流道的時間長於預定時間之情況下，加熱前述處理液或前述洗淨流體。

此外，將前述處理液加熱至用以處理前述基板之前述處理液的溫度。

此外，供給用以將前述處理液流道所設之濃度感測器加以洗淨之洗淨流體。

此外，本發明之中，記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體，係由基板液體處理裝置執行，此基板液體處理裝置包括：處理液流道，流通用以處理基板之處理液；洗淨流體供給部，將用以洗淨前述處理液流道的至少一 部分之洗淨流體供給至前述處理液流道；以及加熱器，加熱前述處理液；且於利用前述加熱器將前述處理液加熱至高於因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而產生結晶之溫度後，將已加熱的前述處理液供給至因為前述處理液與前述洗淨流體之反應而產生結晶之溫度之前述處理液所滯留的前述處理液流道，其後，由前述洗淨流體供給部使前述洗淨流體供給至前述處理液流道。

本發明能於利用洗淨流體將處理液所流通之處理液流道加以洗淨之際，防止處理液與洗淨流體反應而使結晶產生，且能順利將基板進行液體處理。

1‧‧‧基板液體處理裝置

2‧‧‧載具搬入搬出部

3‧‧‧批量形成部

4‧‧‧批量載置部

5‧‧‧批量搬運部

6‧‧‧批量處理部

7‧‧‧控制部

8‧‧‧基板

9‧‧‧載具

10‧‧‧載具台

11‧‧‧載具搬運機構

12、13‧‧‧載具存放部

14‧‧‧載具載置台

15‧‧‧基板搬運機構

16‧‧‧批量載置台

17‧‧‧搬入側批量載置台

18‧‧‧搬出側批量載置台

19‧‧‧批量搬運機構

20‧‧‧軌道

21‧‧‧移動體

22‧‧‧基板固持體

23‧‧‧乾燥處理裝置

24‧‧‧基板固持體洗淨處理裝置

25‧‧‧洗淨處理裝置

26‧‧‧蝕刻處理裝置

27‧‧‧處理槽

28‧‧‧基板昇降機構

30‧‧‧洗淨用處理槽

31‧‧‧清洗用處理槽

32、33‧‧‧基板昇降機構

34‧‧‧蝕刻用處理槽

35‧‧‧清洗用處理槽

36、37‧‧‧基板昇降機構

38‧‧‧處理液儲存部

39‧‧‧處理液供給部

40‧‧‧處理液循環部

41‧‧‧處理液排出部

42‧‧‧外槽

43‧‧‧水溶液供給部

44‧‧‧水供給部

45‧‧‧水溶液供給源

46‧‧‧流量調整器

47‧‧‧水供給源

48‧‧‧流量調整器

49‧‧‧循環流道

50‧‧‧泵

51‧‧‧濾器

52‧‧‧加熱器

53‧‧‧濃度測量流道(處理液流道)

54‧‧‧上流側開閉閥

55‧‧‧濃度感測器

56‧‧‧下流側開閉閥

57‧‧‧洗淨流體供給部

58‧‧‧洗淨流體供給源

59‧‧‧供給開閉閥

60‧‧‧洗淨流體排出部

61‧‧‧排出流道

62‧‧‧開閉閥

63‧‧‧排液流道

64‧‧‧開閉閥

65‧‧‧記錄媒體

66‧‧‧溫度感測器

S1~S4‧‧‧步驟

【圖1】係顯示基板液體處理裝置之平面說明圖。

【圖2】係顯示蝕刻處理裝置之說明圖。

【圖3】係顯示蝕刻處理裝置之液體處理時的動作之說明圖。

【圖4】係顯示蝕刻處理裝置之濃度測量時的動作之說明圖。

【圖5】係顯示基板液體處理方法之流程圖。

【圖6】係顯示蝕刻處理裝置之加熱時的動作之說明圖。

【圖7】係顯示蝕刻處理裝置之洗淨時的動作之說明圖。

〔實施發明之較佳形態〕

以下，參照圖式說明本發明之基板液體處理裝置及基板液體處理方法與基板液體處理程式之具體構成。

如圖1所示，基板液體處理裝置1包括：載具搬入搬出部2、批量形成部3、批量載置部4、批量搬運部5、批量處理部6、控制部7。

載具搬入搬出部2進行載具9的搬入及搬出，此載具9將複數片(例如25枚)基板(矽晶圓)8以水平態樣上下排列而收容。

此載具搬入搬出部2設有：載具台10，載置複數個載具9；載具搬運機構11，進行載具9之搬運；載具存放部12、13，暫時保管載具9；以及載具載置台14，載置載具9。於此，載具存放部12於利用批量處理部6處理製品即基板8前，將其暫時保管。此外，載具存放部13於利用批量處理部6處理製品即基板8後，將其暫時保管。

而且，載具搬入搬出部2使用載具搬運機構11而將自外部搬入載具台10之載具9搬運至載具存放部12或載具載置台14。此外，載具搬入搬出部2使用載具搬運機構11而將載具載置台14所載置之載具9搬運至載具存放部13或載具台10。搬運至載具台10之載具9係往外部搬出。

批量形成部3將一或複數載具9所收容之基板8加以組合，而形成同時受到處理之複數片(例如50片)基板8所成之批量。

此批量形成部3設有將複數片基板8加以搬運之基板搬運機構15。此外，基板搬運機構15能於基板8搬運中途，使基板8的態樣自水平態樣變更至垂直態樣、及自垂直態樣變更至水平態樣。

而且，批量形成部3使用基板搬運機構15，而將基板8自載具載置台14所載置之載具9搬運至批量載置部4，且在批量載置部4形成批量。此外，批量形成部3利用基板搬運機構15而將批量載置部4所載置之批量，搬運往載具載置台14所載置之載具9。此外，基板搬運機構15，就用以支持複數片基板8之基板支持部而言，具有下述二種類：處理前基板支持部，將處理前(利用批量搬運部5搬運前)的基板8加以支持；以及處理後基板支持部，將處理後(利用批量搬運部5搬運後)的基板8加以支持。藉此，防止附著在處理前的基板8等之微粒等轉而附著在處理後的基板8等。

批量載置部4將藉由批量搬運部5而在批量形成部3與批量處理部6之間受到搬運之批量，暫時載置(待機)在批量載置台16。

此批量載置部4設有：搬入側批量載置台17，將處理前(利用批量搬運部5搬運前)的批量加以載置；以及搬出側批量載置台18，將處理後(利用批量搬運部5 搬運後)的批量加以載置。一批量份之複數片基板8以垂直態樣而前後排列載置在搬入側批量載置台17及搬出側批量載置台18。

而且，批量載置部4之中，將批量形成部3所形成之批量載置在搬入側批量載置台17，且此批量係藉由批量搬運部5而搬入批量處理部6。此外，批量載置部4之中，藉由批量搬運部5，自批量處理部6搬出之批量係載置在搬出側批量載置台18，且將此批量搬運至批量形成部3。

批量搬運部5在批量載置部4與批量處理部6之間、或在批量處理部6的內部間，進行批量之搬運。

此批量搬運部5設有：搬運機構19，進行批量之搬運。批量搬運機構19係由下者構成：軌道20，沿著批量載置部4與批量處理部6而配置；以及移動體21，固持複數片基板8並且沿著軌道20而移動。移動體21自由進退地設有：基板固持體22，將以垂直態樣前後排列之複數片基板8加以固持。

而且，批量搬運部5利用批量搬運機構19的基板固持體22而領取搬入側批量載置台17所載置之批量，且將此批量移交至批量處理部6。此外，批量搬運部5利用批量搬運機構19的基板固持體22而領取批量處理部6所處理之批量，且將此批量移交至搬出側批量載置台18。再者，批量搬運部5使用批量搬運機構19而在批量處理部6的內部進行批量之搬運。

批量處理部6將以垂直態樣而前後排列之複數片基板8作為一批量，而進行蝕刻或洗淨或乾燥等處理。

此批量處理部6排列設置有：乾燥處理裝置23，進行基板8之乾燥處理；基板固持體洗淨處理裝置24，進行基板固持體22之洗淨處理；洗淨處理裝置25，進行基板8之洗淨處理；以及二台蝕刻處理裝置26，進行基板8之蝕刻處理。

乾燥處理裝置23在處理槽27自由昇降地設有基板昇降機構28。乾燥用處理氣體(IPA(異丙醇)等)係供給至處理槽27。一批量份的複數片基板8以垂直態樣前後排列並固持在基板昇降機構28。乾燥處理裝置23利用基板昇降機構28而自批量搬運機構19的基板固持體22領取批量，且利用基板昇降機構28使此批量昇降，藉以利用已供給至處理槽27的乾燥用處理氣體而進行基板8的乾燥處理。此外，乾燥處理裝置23自基板昇降機構28將批量移交至批量搬運機構19的基板固持體22。

基板固持體洗淨處理裝置24能將洗淨用處理液及乾燥氣體供給至處理槽29，且於洗淨用處理液供給至批量搬運機構19的基板固持體22之後，供給乾燥氣體，藉以進行基板固持體22之洗淨處理。

洗淨處理裝置25具有洗淨用處理槽30與清洗用處理槽31，且在各處理槽30、31將基板昇降機構32、33設為自由昇降。洗淨用處理槽30儲存洗淨用處理液(SC-1等)。清洗用處理槽31儲存清洗用處理液(純水等)。

蝕刻處理裝置26具有蝕刻用處理槽34與清洗用處理槽35，且在各處理槽34、35將基板昇降機構36、37設為自由昇降。蝕刻用處理槽34儲存蝕刻用處理液(磷酸水溶液)。清洗用處理槽35儲存清洗用處理液(純水等)。

此等洗淨處理裝置25與蝕刻處理裝置26為同樣構成。若說明蝕刻處理裝置26，則一批量份之複數片基板8以垂直態樣前後排列而固持在基板昇降機構36、37。蝕刻處理裝置26利用基板昇降機構36而自批量搬運機構19的基板固持體22領取批量，且利用基板昇降機構36而使此批量昇降，藉以使批量浸漬在處理槽34的蝕刻用處理液而進行基板8之蝕刻處理。其後，蝕刻處理裝置26自基板昇降機構36將批量移交至批量搬運機構19的基板固持體22。此外，蝕刻處理裝置26利用基板昇降機構37而自批量搬運機構19的基板固持體22領取批量，且利用基板昇降機構37而使批量昇降，藉以使批量浸漬在處理槽35的清洗用處理液而進行基板8之清洗處理。其後，蝕刻處理裝置26自基板昇降機構37將批量移交至批量搬運機構19的基板固持體22。

此蝕刻處理裝置26將預定濃度之化學劑(磷酸)的水溶液(88.3重量%之磷酸水溶液)作為處理液(蝕刻液)使用，而將基板8進行液體處理(蝕刻處理)。

蝕刻處理裝置26如圖2所示，具有：處理液儲存部38，用以儲存預定濃度之磷酸水溶液(88.3重量%之磷酸水溶液)而成的處理液，且一併處理基板8；處理液供給部39，用以將處理液供給至處理液儲存部38；處理液循環部40，用以使處 理液儲存部38所儲存之處理液循環；以及處理液排出部41，將處理液自處理液儲存部38排出。

處理液儲存部38在上部開放之處理槽34的上部周圍形成上部開放之外槽42，且處理液儲存在處理槽34與外槽42。處理槽34儲存有藉由基板昇降機構36使基板8浸漬而進行液體處理之處理液。外槽42將自處理槽34溢流之處理液加以儲存，且一併藉由處理液循環部40而將處理液供給至處理槽34。

處理液供給部39係由下者構成：水溶液供給部43，用以將與處理液不同濃度(低於處理液之濃度)之化學劑(磷酸)的水溶液(85重量%之磷酸水溶液)供給至處理液儲存部38；以及水供給部44，用以將水(純水)供給至處理液儲存部38。

水溶液供給部43經由流量調整器46，將用以供給預定濃度(85重量%)及預定溫度(25℃)的磷酸水溶液之水溶液供給源45連接至處理液儲存部38的外槽42。流量調整器46連接於控制部7，且由控制部7進行開閉控制及流量控制。

水供給部44經由流量調整器48而將用以供給預定溫度(25℃)的純水之水供給源47連接至處理液儲存部38的外槽42。流量調整器48連接至控制部7，且由控制部7進行開閉控制及流量控制。

處理液循環部40在處理液儲存部38的外槽42的底部與處理槽34的底部之間形成循環流道49。循環流道49依序設有泵50、濾器51、加熱器52。泵50及加熱 器52連接至控制部7，且由控制部7進行驅動控制。而且，處理液循環部40使泵50驅動，藉以使處理液自外槽42循環至處理槽34。此際，利用加熱器52將處理液加熱至預定溫度(165℃)。

此外，處理液循環部40在循環流道49中途(較加熱器52更靠下流側)與外槽42之間形成濃度測量流道53。濃度測量流道53依序設有上流側開閉閥54、濃度感測器55、下流側開閉閥56。上流側開閉閥54與濃度感測器55之間連接有：洗淨流體供給部57，供給用以將濃度感測器55加以洗淨之洗淨流體(於此係常溫純水)。此洗淨流體供給部57經由供給開閉閥59而將用以供給洗淨流體之洗淨流體供給源58連接至上流側開閉閥54與濃度感測器55之間。此外，濃度感測器55與下流側開閉閥56之間連接有排出洗淨流體之洗淨流體排出部60。此洗淨流體排出部60將與外部排液管連通之排出流道61連接至濃度感測器55與下流側開閉閥56之間，且排出流道61設有排出開閉閥62。上流側開閉閥54、下流側開閉閥56、供給開閉閥59、及排出開閉閥62連接至控制部7，且由控制部7進行開閉控制。此外，濃度感測器55連接至控制部7，且藉由來自控制部7的指示將流通在濃度測量流道53之處理液的濃度加以測量而通知控制部7。此外，洗淨流體排出部60主要排出洗淨流體，但亦排出滯留在濃度測量流道53之處理液。

處理液排出部41將與外部的排液管連通之排液流道63連接至處理液儲存部38的處理槽34的底部，且排液流道63設有開閉閥64。開閉閥64連接至控制部7，且由控制部7進行開閉控制。

控制部7控制基板液體處理裝置1的各部(載具搬入搬出部2、批量形成部3、批量載置部4、批量搬運部5、批量處理部6等)的動作。

此控制部7例如係電腦，且包括可利用電腦讀取的記錄媒體65。記錄媒體65存放有將執行於基板液體處理裝置1的各種處理加以控制之程式。控制部7將記錄媒體65所記錄之程式讀出並執行，藉以控制基板液體處理裝置1的動作。此外，程式記錄在可藉由電腦讀取之記錄媒體65，亦可由其他記錄媒體安裝至控制部7的記錄媒體65。就可藉由電腦讀取的記錄媒體65而言，例如硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記錄卡等。

基板液體處理裝置1構成為如同以上說明，且依循記錄媒體65所記錄之基板液體處理程式等而利用控制部7控制各部(載具搬入搬出部2、批量形成部3、批量載置部4、批量搬運部5、批量處理部6等)的動作，藉以處理基板8。

於利用此基板液體處理裝置1將基板8進行蝕刻處理之情況下，藉由蝕刻處理裝置26的水溶液供給部43而將預定濃度(85重量%)及預定溫度(25℃)的磷酸水溶液供給至處理液儲存部38，且藉由處理液循環部40而以預定濃度(88.3重量%)及預定溫度(165℃)的方式將其加熱並生成處理液，且將處理液儲存在處理液儲存部38。此際，藉由水供給部44而將純水供給至處理液儲存部38，其中，此純水的量相應於藉由加熱而蒸發的水量。此後，藉由基板昇降機構36而使基板8浸漬在儲存有預定濃度(88.3重量%)及預定溫度(165℃)的處理液之處理槽34，藉以利用處理液而將基板8進行蝕刻處理(液體處理)。

基板液體處理裝置1利用處理液將基板8進行液體處理，且一併因應須要而利用濃度感測器55測量處理液的濃度。此外，定期利用洗淨流體洗淨濃度感測器55。

液體處理時，控制部7如圖3所示，使泵50驅動而使處理液循環在循環流道49，且一併使加熱器52驅動而使處理液的溫度維持在預定溫度(165℃)。

濃度測量時，控制部7如圖4所示，與液體處理時同樣使泵50驅動而使處理液循環在循環流道49，且一併使加熱器52驅動而將處理液的溫度維持在預定溫度(165℃)。再者，將上流側開閉閥54與下流側開閉閥56設為開放狀態，而將流通在循環流道49之處理液的一部分流至濃度測量流道53，且利用濃度感測器55測量處理液的濃度。

於濃度感測器55之洗淨時，控制部7依循圖5所示之基板液體處理程式而進行濃度感測器55之洗淨動作。

首先，控制部7確認洗淨動作時的條件(條件確認步驟S1)。於此，洗淨動作時的條件係指判定下者的條件：是否先加熱處理液後再將洗淨流體供給至濃度感測器55而進行洗淨。就洗淨動作時的條件而言，例如亦可將下者作為條件：使用設在濃度測量流道53之溫度感測器66(參照圖2)而測量滯留在濃度測量流道53之處理液的溫度，而處理液的溫度係預定溫度(例如100℃)以下；此外，尚可 將下者作為條件：利用控制部7內建的計時器測量設在濃度測量流道53之上流側開閉閥54或下流側開閉閥56成為連續封閉狀態的時間，而因為上流側開閉閥54或下流側開閉閥56的封閉，處理液滯留在濃度測量流道53的時間係預定時間(例如30分)以上。再者，亦可不特別設定洗淨動作時的條件而恆於先加熱處理液後再將洗淨流體供給至濃度感測器55而進行洗淨。

其次，控制部7基於條件確認步驟S1所確認的條件(例如處理液的溫度或滯留時間等)而判斷是否加熱處理液(加熱判斷步驟S2)。於判斷為加熱處理液之情況下，執行其次的加熱步驟S3，於判斷為不加熱處理液之情況下，不執行加熱步驟S3而執行洗淨步驟S4。此外，於無條件地加熱處理液之情況下，能省略條件確認步驟S1及加熱判斷步驟S2。

加熱步驟S3之中，控制部7如圖6所示，與液體處理時同樣使泵50驅動而使處理液循環在循環流道49，且一併使加熱器52驅動而使處理液的溫度加熱至預定溫度(165℃)。再者，將上流側開閉閥54與排出開閉閥62設為開放狀態、且一併將下流側開閉閥56設於封閉狀態，而將流通在循環流道49之已加熱至預定溫度之處理液的一部分流至濃度測量流道53，且於通過濃度感測器55之後將其由排出流道61排出。此加熱步驟S3係以預先決定的時間(例如12秒期間)持續進行。

洗淨步驟S4之中，控制部7如圖7所示，將上流側開閉閥54與下流側開閉閥56設為封閉狀態、且將供給開閉閥59與排出開閉閥62設為開放狀態，而使洗淨 流體自洗淨流體供給源58供給，且於通過濃度感測器55之後將其由排出流道61排出。藉此，利用洗淨流體洗淨濃度感測器55的接觸液體部分。

此洗淨步驟S4之中，最初利用洗淨流體而沖洗處理液。此際，洗淨流體與處理液接觸。於處理液的溫度係預先決定的溫度(例如80℃)以下之情況下，有時會因為處理液與洗淨流體之接觸而使反應產生且使結晶生成。然而，於加熱步驟S3中將處理液加熱至高於因為處理液與洗淨流體之反應而產生結晶之溫度，藉以能即使於洗淨步驟S4之中處理液與洗淨流體接觸，反應亦不產生而防止結晶之生成。

如上所述，基板液體處理程式於執行洗淨步驟S4之前執行加熱步驟S3，將處理液加熱至高於因為處理液與洗淨流體之反應而產生結晶之溫度。加熱步驟S3只要將處理液加熱至高於因為處理液與洗淨流體之反應而產生結晶之溫度(例如80℃)即可，但能藉由將處理液加熱至與處理基板8時之處理液溫度(例如165℃)同一溫度，而使加熱器52之控制等變得容易。此外，加熱步驟S3利用洗淨步驟S4而將滯留在洗淨流體所流通之流道之處理液加以加熱，但不限於此，亦可加熱洗淨流體，此外，亦可利用將洗淨流體所流通之流道(配管)本身加以加熱，而加熱處理液或洗淨流體。於已加熱之處理液流通之情況下，為了基板8之處理，能使用將處理液加熱之既有加熱器52，因此不須另外設置專用加熱器。

如同以上說明，上述基板液體處理裝置1及基板液體處理裝置1使用之基板液體處理方法(基板液體處理程式)，於洗淨流體自洗淨流體供給部57供給至處理 液所流通之處理液流道(此為濃度測量流道53)之前，利用加熱器52將處理液加熱至高於因為處理液與洗淨流體之反應而產生結晶之溫度。藉此，能於利用洗淨流體而洗淨處理液所流通之處理液流道(此為濃度測量流道53)之際，防止處理液與洗淨流體反應而使結晶產生。因此，能防止因為結晶所造成之配管等之堵塞等故障、或濃度感測器55之錯誤動作、或對於基板8之附著等，而能順利將基板8進行液體處理。

此外，上述基板液體處理裝置1之中，本發明係應用以以濃度測量流道53作為處理液所流通的處理液流道之情形，但並非限定於此種情況，本發明亦能應用於在循環流道49或排液流道63等處理液所流通之流道設置洗淨流體供給部57之情形。

Claims (12)

1. 一種基板液體處理裝置，包括：處理液流道，流通用以處理基板之處理液；洗淨流體供給部，將「用以洗淨該處理液流道的至少一部分之洗淨流體」供給至該處理液流道；加熱器，加熱該處理液；以及控制部，控制該洗淨流體供給部及該加熱器；且該控制部進行如下控制：於利用該加熱器將該處理液加熱至高於「因為該處理液與該洗淨流體之反應而產生結晶之溫度」後，將已加熱之該處理液供給至「因為該處理液與該洗淨流體之反應而產生結晶之溫度之該處理液所滯留的該處理液流道」，其後，由該洗淨流體供給部將該洗淨流體供給至該處理液流道；且更包括：計時器，測量該處理液滯留在該處理液流道之時間；且該控制部進行如下控制：於該計時器所測量之時間長於預定時間之情況下，利用該加熱器加熱該處理液。
2. 一種基板液體處理裝置，包括：處理液流道，流通用以處理基板之處理液；洗淨流體供給部，將用以洗淨該處理液流道的至少一部分之洗淨流體供給至該處理液流道；加熱器，加熱該洗淨流體；以及控制部，控制該洗淨流體供給部及該加熱器；且該控制部進行如下控制：於利用該加熱器將該洗淨流體加熱至高於「因為該處理液與該洗淨流體之反應而產生結晶之溫度」後，將該洗淨流體由該洗淨流體供給部供給至「因為該處理液與該洗淨流體之反應而產生結晶之溫度之該處理液所滯留的該處理液流道」；且更包括：計時器，測量該處理液滯留在該處理液流道之時間；且該控制部進行如下控制：於該計時器所測量之時間長於預定時間之情況下，利用該加熱器加熱該洗淨流體。
3. 如申請專利範圍第1或2項記載之基板液體處理裝置，其中，更包括：溫度感測器，測量該處理液或該洗淨流體的溫度；且該控制部進行如下控制：於該溫度感測器所測量之溫度低於預定溫度之情況下，利用該加熱器加熱該處理液或該洗淨流體。
4. 申請專利範圍第1或2項記載之基板液體處理裝置，其中，該控制部進行如下控制：利用該加熱器將該處理液加熱至用以處理該基板之該處理液的溫度。
5. 申請專利範圍第1或2項記載之基板液體處理裝置，其中，該洗淨流體供給部供給用以將該處理液流道所設之濃度感測器加以洗淨之洗淨流體。
6. 如申請專利範圍第1項記載之基板液體處理裝置，其中，該處理液流道包括：循環流道，連接至儲存該處理液之處理液儲存部而用以使該處理液循環；以及濃度測量流道，自循環流道分岐而用以測量該處理液的濃度；且該循環流道設有該加熱器。
7. 一種基板液體處理方法，將洗淨流體供給至處理液流道而洗淨處理液流道的至少一部分，該處理液流道流通用以處理基板之處理液，其特徵為，於將該處理液加熱至高於「因為該處理液與該洗淨流體之反應而產生結晶之溫度」後，將已加熱之該處理液供給至「因為該處理液與該洗淨流體之反應而產生結晶之溫度之該處理液所滯留的該處理液流道」，其後，將該洗淨流體供給至該處理液流道，且於該處理液滯留在該處理液流道的時間長於預定時間之情況下，加熱該處理液。
8. 一種基板液體處理方法，將洗淨流體供給至處理液流道而洗淨處理液流道中至少一部分，該處理液流道流通用以處理基板之處理液，其特徵為，於將該洗淨流體加熱至高於「因為該處理液與該洗淨流體之反應而產生結晶之溫度」後，將該洗淨流體供給至「因為該處理液與該洗淨流體之反應而產生結晶之溫度之該處理液所滯留的該處理液流道」，且於該處理液滯留在該處理液流道的時間長於預定時間之情況下，加熱該洗淨流體。
9. 如申請專利範圍第7或8項記載之基板液體處理方法，其中，於該處理液或該洗淨流體的溫度低於預定溫度之情況下，加熱該處理液或該洗淨流體。
10. 如申請專利範圍第7或8項記載之基板液體處理方法，其中，將該處理液加熱至「用以處理該基板之該處理液的溫度」。
11. 如申請專利範圍第7或8項記載之基板液體處理方法，其中，供給用以將該處理液流道所設之濃度感測器加以洗淨之洗淨流體。
12. 一種電腦可讀取的記錄媒體，記錄有由一基板液體處理裝置所執行之基板液體處理程式，該基板液體處理裝置包括：處理液流道，流通用以處理基板之處理液；洗淨流體供給部，將用以清洗該處理液流道的至少一部分之洗淨流體供給至該處理液流道；以及加熱器，加熱該處理液；該程式之特徵為，於利用該加熱器將該處理液加熱至高於「因為該處理液與該洗淨流體之反應而產生結晶之溫度」後，使已加熱之該處理液供給至「因為該處理液與該洗淨流體之反應而產生結晶之溫度之該處理液所滯留的該處理液流道」，其後，由該洗淨流體供給部使該洗淨流體供給至該處理液流道；且於該處理液滯留在該處理液流道的時間長於預定時間之情況下，加熱該處理液。