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TWI667645B - 畫素電路及其驅動方法、顯示裝置 - Google Patents

畫素電路及其驅動方法、顯示裝置 Download PDF

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TWI667645B
TWI667645B TW107121973A TW107121973A TWI667645B TW I667645 B TWI667645 B TW I667645B TW 107121973 A TW107121973 A TW 107121973A TW 107121973 A TW107121973 A TW 107121973A TW I667645 B TWI667645 B TW I667645B
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趙敏
李素華
王鵬
朱朝月
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大陸商雲谷（固安）科技有限公司
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Abstract

本申請公開一種畫素電路及其驅動方法、顯示裝置，該畫素電路包括第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體、第四薄膜電晶體、第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體、第七薄膜電晶體、發光二極體以及存儲電容。本申請實施例提供的畫素電路，在發光二極體的發光階段，可以實現對電源電壓的補償，使得流經發光二極體的電流與輸入該畫素電路中的資料電壓以及參考電壓有關，與電源電壓無關，從而有效避免由於電源電壓降導致的流入每一個發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示不均勻的問題。

Description

畫素電路及其驅動方法、顯示裝置
本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種畫素電路及其驅動方法、顯示裝置。
有機發光顯示裝置是一種應用有機發光二極體作為發光器件的顯示裝置，具有對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、低功耗等特點，被越來越多地應用到各個顯示以及照明領域。
現有的有機發光顯示裝置中，通常可以包含多個畫素電路，多個畫素電路通常由同一電源提供電源電壓，電源電壓可以決定流經畫素電路中發光二極體的電流。
然而，在實際應用中，電源電壓在多個畫素電路間傳輸時不可避免的產生電源電壓降（IR drop），導致作用在每一個畫素電路的實際電源電壓不同，進而導致流經每一個發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示的亮度不均勻。
本申請的主要目的是提供一種畫素電路及其驅動方法、顯示裝置，旨在解決現有的顯示裝置中，由於電源電壓降導致的流經發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示的亮度不均勻的問題。
為實現上述目的，本申請提出的畫素電路包括第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體、第四薄膜電晶體、第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體、第七薄膜電晶體、發光二極體以及存儲電容，
該第一薄膜電晶體的柵極分別與該第二薄膜電晶體的漏極、該第三薄膜電晶體的源極以及該存儲電容的一端連接，該第二薄膜電晶體的源極與初始電壓訊號線連接，該存儲電容的另一端分別與該第四薄膜電晶體的漏極以及該第五薄膜電晶體的源極連接，該第四薄膜電晶體的源極與參考電壓訊號線連接；以及
該第一薄膜電晶體的源極分別與該第五薄膜電晶體的漏極、該第六薄膜電晶體的漏極以及該第七薄膜電晶體的源極連接，該第六薄膜電晶體的源極與第一電源連接，該第七薄膜電晶體的漏極與資料線連接；
根據本發明的一實施方式，上述該第一電源用於為該第一薄膜電晶體提供電源電壓；以及
該發光二極體發光時電流流入該第二電源。
根據本發明的一實施方式，上述參考電壓訊號線用於提供參考電壓；
該初始電壓訊號線用於提供初始電壓，該初始電壓用於對該第一薄膜電晶體的柵極以及該存儲電容的該一端進行初始化；以及
該資料線用於提供資料電壓。
根據本發明的一實施方式，上述參考電壓以及該初始電壓為負電壓。
根據本發明的一實施方式，上述第二薄膜電晶體的柵極與第一掃描線連接，當由該第一掃描線提供的第一掃描訊號控制該第二薄膜電晶體處於導通狀態時，該初始電壓對該第一薄膜電晶體的柵極以及該存儲電容的該一端進行初始化；
該第四薄膜電晶體的柵極與第二掃描線連接，當由該第二掃描線提供的第二掃描訊號控制該第四薄膜電晶體處於導通狀態時，該參考電壓向該存儲電容的該另一端施加電壓；
該第三薄膜電晶體的柵極以及該第七薄膜電晶體的柵極與第三掃描線連接，當由該第三掃描線提供的第三掃描訊號控制該第三薄膜電晶體以及該第七薄膜電晶體處於導通狀態時，對該第一薄膜電晶體的閾值電壓進行補償；以及
該第五薄膜電晶體的柵極以及該第六薄膜電晶體的柵極與第四掃描線連接，當由該第四掃描線提供的第四掃描訊號控制該第五薄膜電晶體以及該第六薄膜電晶體處於導通狀態時，電流流經該發光二極體。
根據本發明的一實施方式，上述當該第四掃描線控制該第五薄膜電晶體以及該第六薄膜電晶體處於導通狀態時，該第一電源分別向該第一薄膜電晶體M1的源極以及該存儲電容的該另一端施加電壓，在該存儲電容的作用下，流經該發光二極體的電流與該第一電源無關。
根據本發明的一實施方式，上述該第一薄膜電晶體為驅動薄膜電晶體，且該第一薄膜電晶體為P型薄膜電晶體；以及
該第二薄膜電晶體、該第三薄膜電晶體、該第四薄膜電晶體、該第五薄膜電晶體、該第六薄膜電晶體以及該第七薄膜電晶體分別獨立地為N型薄膜電晶體或P型薄膜電晶體。
本申請實施例還提供一種畫素電路的驅動方法，用於驅動上述記載的該畫素電路，該驅動方法包括：
第一階段，第一掃描訊號控制該第二薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，初始電壓對該第一薄膜電晶體的柵極、該存儲電容的一端進行初始化，第二掃描訊號控制該第四薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，參考電壓向該存儲電容的另一端施加電壓，第三掃描訊號控制該第三薄膜電晶體以及該第七薄膜電晶體處於截止狀態，第四掃描訊號控制該第五薄膜電晶體以及該第六薄膜電晶體由導通狀態變為截止狀態；
第二階段，第一掃描訊號控制該第二薄膜電晶體由導通狀態變為截止狀態，第二掃描訊號控制該第四薄膜電晶體由導通狀態變為截止狀態，第三掃描訊號控制該第三薄膜電晶體以及該第七薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，對該第一薄膜電晶體的閾值電壓進行補償，第四掃描訊號控制該第五薄膜電晶體以及該第六薄膜電晶體處於截止狀態；以及
第三階段，第一掃描訊號控制該第二薄膜電晶體處於截止狀態，第二掃描訊號控制該第四薄膜電晶體處於截止狀態，第三掃描訊號控制該第三薄膜電晶體以及該第七薄膜電晶體由導通狀態變為截止狀態，第四掃描訊號控制該第五薄膜電晶體以及該第六薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，電流流經該發光二極體，該發光二極體發光。
根據本發明的一實施方式，上述在該第一階段，該第一薄膜電晶體的柵極電壓以及該存儲電容的該一端的電壓為Vint，該存儲電容的該另一端的電壓為Vref，其中，Vint為該初始電壓，Vref為該參考電壓。
根據本發明的一實施方式，上述在該第二階段，該第一薄膜電晶體的柵極與漏極連接，資料電壓向該第一薄膜電晶體的源極施加電壓，使得該第一薄膜電晶體的柵極電壓為Vdata+Vth，對該第一薄膜電晶體的閾值電壓進行補償，其中，Vth為該第一薄膜電晶體的閾值電壓。
根據本發明的一實施方式，上述在該第三階段，該第一電源向該第一薄膜電晶體的源極以及該存儲電容的該另一端施加電壓，該存儲電容的該另一端的電壓由Vref變為VDD，在該存儲電容的作用下，該第一薄膜電晶體的柵極電壓為VDD-Vref+Vdata+Vth，使得流經該發光二極體的電流與該第一電源無關，其中，VDD為該第一電源。
本申請實施例還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述記載的該畫素電路。
本申請實施例採用的上述至少一個技術方案能夠達到以下有益效果：
本申請實施例提供的畫素電路，包括七個薄膜電晶體、一個存儲電容以及一個發光二極體，在發光二極體的發光階段，畫素電路可以實現對電源電壓的補償，使得流經發光二極體的電流與輸入畫素電路中的資料電壓以及參考電壓有關，與電源電壓無關，從而有效避免由於電源電壓降導致的流入每一個發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示不均勻的問題。
此外，本申請實施例提供的畫素電路還可以對驅動薄膜電晶體閾值電壓進行補償，有效避免由於驅動薄膜電晶體閾值電壓的不同導致的顯示裝置顯示不均勻的問題。
需要說明的是，在本申請實施例提供的畫素電路中，第一薄膜電晶體為驅動薄膜電晶體，具體可以為P型薄膜電晶體；第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體、第四薄膜電晶體、第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體以及第七薄膜電晶體可以均為P型薄膜電晶體，也可以均為N型薄膜電晶體，還可以是其中至少一者為P型薄膜電晶體，其餘的為N型薄膜電晶體，本申請實施例不做具體限定。
本申請實施例中，不同類型的薄膜電晶體，不同掃描線提供的掃描訊號可以不同，本申請實施例可以以第一薄膜電晶體至第七薄膜電晶體均是P型薄膜電晶體為例進行說明。
發光二極體可以是LED，也可以是OLED，這裡也不做具體限定。本申請實施例可以以發光二極體是OLED為例進行說明。
以下結合附圖，詳細說明本申請各實施例提供的技術方案。
圖1為本申請實施例提供的一種畫素電路的結構示意圖。畫素電路如下所述。
如圖1所示，畫素電路包括第一薄膜電晶體M1、第二薄膜電晶體M2、第三薄膜電晶體M3、第四薄膜電晶體M4、第五薄膜電晶體M5、第六薄膜電晶體M6、第七薄膜電晶體M7、存儲電容C以及發光二極體D1。
其中，圖1所示的畫素電路中，第一薄膜電晶體M1、第二薄膜電晶體M2、第三薄膜電晶體M3、第四薄膜電晶體M4、第五薄膜電晶體M5、第六薄膜電晶體M6以及第七薄膜電晶體M7均為P型薄膜電晶體，發光二極體D1為OLED。
圖1所示的畫素電路的電路連接結構如下該：
第一薄膜電晶體M1的柵極分別與第二薄膜電晶體M2的漏極、第三薄膜電晶體M3的源極以及存儲電容C的一端（圖1所示的N2點）連接，第一薄膜電晶體M1的源極分別與第五薄膜電晶體M5的漏極、第六薄膜電晶體M6的漏極以及第七薄膜電晶體M7的源極連接，第一薄膜電晶體M1的漏極分別與第三薄膜電晶體M3的漏極以及發光二極體D1的陽極連接；
第二薄膜電晶體M2的源極與初始電壓訊號線連接；
第四薄膜電晶體M4的源極與參考電壓訊號線連接，第四薄膜電晶體M4的漏極分別與第五薄膜電晶體M5的源極以及存儲電容C的另一端（圖1所示的N1點）連接；
第六薄膜電晶體M6的源極第一電源VDD連接；
第七薄膜電晶體M7的漏極與資料線連接；
發光二極體D1的陰極與第二電源VSS連接。
本申請實施例中，第一電源VDD可以是正電壓，並用於為第一薄膜電晶體M1提供電源電壓。第一薄膜電晶體M1在第一電源VDD的作用下，可以輸出電流，電流流入發光二極體D1，使得發光二極體D1發光。在發光二極體D1發光時，電流流入第二電源VSS，第二電源VSS可以是負電壓。
資料電壓訊號線可以用於提供資料電壓Vdata，參考電壓訊號線可以用於提供參考電壓Vref，初始電壓訊號線可以用於提供初始電壓Vint。初始電壓Vint可以對第一薄膜電晶體M1的柵極以及存儲電容C的一端（圖1所示的N2點，即存儲電容C的右極板）進行初始化。本申請實施例中，參考電壓Vref以及初始電壓Vint可以均為負電壓。
圖1所示的畫素電路中，S1為由第一掃描線提供的第一掃描訊號，S2為第由二掃描線提供的第二掃描訊號，S3為由第三掃描線提供的第三掃描訊號，S4為由第四掃描線提供的第四掃描訊號，其中：
第二薄膜電晶體M2的柵極與第一掃描線連接，由第一掃描線提供的第一掃描訊號S1可以控制第二薄膜電晶體M2處於導通狀態或截止狀態；
第四薄膜電晶體M4的柵極與該第二掃描線連接，由該第二掃描線提供的第二掃描訊號S2可以控制第四薄膜電晶體M4處於導通狀態或截止狀態；
第三薄膜電晶體M3的柵極以及第七薄膜電晶體M7的柵極與第三掃描線連接，由該第三掃描線提供的第三掃描訊號S3可以控制第三薄膜電晶體M3以及第七薄膜電晶體M7處於導通狀態或截止狀態；
第五薄膜電晶體M5的柵極以及第六薄膜電晶體M6的柵極與該第四掃描線連接，由該第四掃描線提供的第四掃描訊號S4可以控制第五薄膜電晶體M5以及第六薄膜電晶體M6處於導通狀態或截止狀態。
本申請實施例中，當第一掃描訊號S1控制第二薄膜電晶體M2處於導通狀態時，初始電壓Vint可以通過第二薄膜電晶體M2向第一薄膜電晶體M1的柵極以及存儲電容C的一端（圖1所示的N2點，即存儲電容C的右極板）施加電壓，對第一薄膜電晶體M1的柵極以及存儲電容C的右極板進行初始化；
當第二掃描訊號S2控制第四薄膜電晶體M4處於導通狀態時，參考電壓Vref可以通過第四薄膜電晶體M4向存儲電容C的另一端（圖1所示的N1點，即存儲電容C的左極板）施加電壓，參考電壓Vref輸入該畫素電路，存儲電容C的左極板（圖1所示的N1點）電壓為參考電壓Vref。
當第三掃描訊號S3控制第三薄膜電晶體M3以及第七薄膜電晶體M7處於導通狀態時，第一薄膜電晶體M1的柵極與漏極連接，資料電壓Vdata通過第七薄膜電晶體M7向第一薄膜電晶體M1的源極施加電壓，並通過第一薄膜電晶體M1的漏極向第一薄膜電晶體M1的柵極充電，電路狀態穩定後，第一薄膜電晶體M1的柵極電壓以及漏極電壓均為Vdata+Vth，其中，Vth為第一薄膜電晶體M1的閾值電壓；
當第四掃描訊號S4控制第五薄膜電晶體M5以及第六薄膜電晶體M6處於導通狀態時，第一電源VDD通過第六薄膜電晶體M6向第一薄膜電晶體M1的源極施加電壓，在第一電源VDD的作用下，有電流流經發光二極體D1，發光二極體D1發光。在發光二極體D1發光時，可以實現對第一薄膜電晶體M1閾值電壓的補償。
本申請實施例中，當第四掃描訊號S4控制第五薄膜電晶體M5以及第六薄膜電晶體M6處於導通狀態時，第一電源VDD還可以通過第五薄膜電晶體M5向存儲電容C的另一端（圖1所示的N1點，即存儲電容C的左極板）施加電壓，使得存儲電容C的左極板電壓由Vref變為VDD，相應地，存儲電容C的右極板（圖1所示的N2點）電壓由Vdata+Vth變為VDD-Vref+Vdata+Vth，即第一薄膜電晶體M1的柵極電壓變為VDD-Vref+Vdata+Vth。這樣，在第一電源VDD向第一薄膜電晶體M1的源極施加電壓，電流流經發光二極體D1時，在電流的公式中，作用在第一薄膜電晶體M1源極的第一電源VDD與第一薄膜電晶體M1柵極電壓中的第一電源VDD相互抵消，使得流經發光二極體D1的電流與第一電源VDD無關，實現對第一電源VDD的補償。由於流經發光二極體D1的電流與第一電源VDD無關，因此，可以有效避免第一電源VDD產生的電源電壓降對顯示裝置顯示均勻性的影響。
圖2為本申請實施例提供的一種畫素電路的驅動方法的時序圖，該時序圖對應的畫素電路的驅動方法可以用於驅動圖1所示的畫素電路。
圖2所示的時序圖對應的畫素電路的驅動方法可以包括三個階段：第一階段t1、第二階段t2以及第三階段t3，其中，S1可以是圖1所示實施例中記載的由第一掃描線提供的第一掃描訊號，S2可以是圖1所示實施例中記載的由第二掃描線提供的第二掃描訊號，S3可以是圖1所示實施例中記載的由第三掃描線提供的第三掃描訊號，S4可以是圖1所示實施例中記載的由第四掃描線提供的第四掃描訊號。
圖2所示的時序圖對應的畫素電路的驅動方法，具體包括：
第一階段t1，第一掃描訊號S1控制第二薄膜電晶體M2由截止狀態變為導通狀態，初始電壓Vint對第一薄膜電晶體M1的柵極、存儲電容C的一端進行初始化，第二掃描訊號S2控制第四薄膜電晶體M4由截止狀態變為導通狀態，參考電壓Vref向存儲電容C的另一端施加電壓，第三掃描訊號S3控制第三薄膜電晶體M3以及第七薄膜電晶體M7處於截止狀態，第四掃描訊號S4控制第五薄膜電晶體M5以及第六薄膜電晶體M7由導通狀態變為截止狀態；
第二階段t2，第一掃描訊號S1控制第二薄膜電晶體M2由導通狀態變為截止狀態，第二掃描訊號S2控制第四薄膜電晶體M4由導通狀態變為截止狀態，第三掃描訊號S3控制第三薄膜電晶體M3以及第七薄膜電晶體M7由截止狀態變為導通狀態，對第一薄膜電晶體M1的閾值電壓進行補償，第四掃描訊號S4控制第五薄膜電晶體M5以及第六薄膜電晶體M6處於截止狀態；
第三階段t3，第一掃描訊號S1控制第二薄膜電晶體M2處於截止狀態，第二掃描訊號S2控制第四薄膜電晶體M4處於截止狀態，第三掃描訊號S3控制第三薄膜電晶體M3以及第七薄膜電晶體M7由導通狀態變為截止狀態，第四掃描訊號S4控制第五薄膜電晶體M5以及第六薄膜電晶體M6由截止狀態變為導通狀態，電流流經發光二極體D1，發光二極體D1發光。
下面分別針對上述三個階段進行具體分析：
針對第一階段t1：
由於第一掃描訊號S1由高電平變為低電平，第二掃描訊號S2由高電平變為低電平，第三掃描訊號S3保持高電平，第四掃描訊號S4由低電平變為高電平，因此，第二薄膜電晶體M2由截止狀態變為導通狀態，第四薄膜電晶體M4由截止狀態變為導通狀態，第三薄膜電晶體M3以及第七薄膜電晶體M7處於截止狀態，第五薄膜電晶體M5以及第六薄膜電晶體M6由導通狀態變為截止狀態。
此時，初始電壓Vint通過第二薄膜電晶體M2向第一薄膜電晶體M1的柵極以及存儲電容C的右極板（圖1所示的N2點）施加電壓，使得第一薄膜電晶體M1的柵極電壓以及存儲電容C的右極板電壓均變為初始電壓Vint，實現對第一薄膜電晶體M1的柵極以及存儲電容C的右極板的初始化。
參考電壓Vref通過第四薄膜電晶體M4向存儲電容C的左極板（圖1所示的N1點）施加電壓，使得存儲電容C的左極板電壓變為參考電壓Vref，參考電壓Vref寫入該畫素電路。
針對第二階段t2：
由於第一掃描訊號S1由低電平變為高電平，第二掃描訊號S2由低電平變為高電平，第三掃描訊號S3由高電平變為低電平，第四掃描訊號S4保持高電平，因此，第二薄膜電晶體M2由導通狀態變為截止狀態，第四薄膜電晶體M4由導通狀態變為截止狀態，第三薄膜電晶體M3以及第七薄膜電晶體M7由截止狀態變為導通狀態，第五薄膜電晶體M5以及第六薄膜電晶體M6仍處於截止狀態。
此時，第一薄膜電晶體M1的柵極通過第三薄膜電晶體M3與漏極連接，資料電壓Vdata通過第七薄膜電晶體M7向第一薄膜電晶體M1的源極施加電壓，使得第一薄膜電晶體M1的源極電壓為資料電壓Vdata，資料電壓Vdata可以經過第一薄膜電晶體M1的漏極作用在第一薄膜電晶體M1的柵極，並對第一薄膜電晶體M1的柵極進行充電，電路穩定後，由第一薄膜電晶體M1的特性可知，第一薄膜電晶體M1的柵極電壓以及漏極電壓均為Vdata+Vth。這樣，在發光二極體D1的發光階段，可以實現對第一薄膜電晶體M1閾值電壓的補償，其中，Vth為第一薄膜電晶體M1的閾值電壓。
針對第三階段t3：
由於第一掃描訊號S1保持高電平，第二掃描訊號S2保持高電平，第三掃描訊號S3由低電平變為高電平，第四掃描訊號S4由高電平變為低電平，因此，第二薄膜電晶體M2處於截止狀態，第四薄膜電晶體M4處於截止狀態，第三薄膜電晶體M3以及第七薄膜電晶體M7由導通狀態變為截止狀態，第五薄膜電晶體M5以及第六薄膜電晶體M6由截止狀態變為導通狀態。
此時，第一電源VDD通過第六薄膜電晶體M6向第一薄膜電晶體M1的源極施加電壓，使得第一薄膜電晶體M1的源極電壓變為第一電源VDD，同時，第一電源VDD通過第五薄膜電晶體M5向存儲電容C的左極板（圖1所示的N1點）施加電壓，使得存儲電容C的左極板電壓由參考電壓Vref變為第一電源VDD，相應地，存儲電容C的右極板（圖1所示的N2點）電壓由Vdata+Vth變為VDD-Vref +Vdata+Vth，由於第一薄膜電晶體M1的柵極電壓與存儲電容C的右極板電壓相等，因此，第一薄膜電晶體M1的柵極電壓為VDD-Vref +Vdata+Vth。
在第一電源VDD的作用下，第一薄膜電晶體M1產生驅動電流，該驅動電流流經發光二極體D1，使得發光二極體D1發光。
在第三階段t3，流經發光二極體D1的電流可以表示為：
其中，μ 為第一薄膜電晶體M1的電子遷移率，Cox 為第一薄膜電晶體M1單位面積的柵氧化層電容，W/L為第一薄膜電晶體M1的寬長比，Vs為第一薄膜電晶體M1的第一電源VDD，Vg為第一薄膜電晶體M1的柵極電壓VDD-Vref +Vdata+Vth。
由上述公式可知，流經發光二極體D1的電流與資料電壓以及參考電壓Vref有關，與第一電源VDD無關，也與第一薄膜電晶體M1的閾值電壓無關，實現了對第一電源VDD的補償，避免了第一電源VDD的電源電壓降對顯示效果的影響，保證了顯示裝置顯示的均勻性，同時，實現了對第一薄膜電晶體M1的閾值電壓的補償，避免了由於第一薄膜電晶體M1的閾值電壓的不同導致的顯示裝置顯示不均勻的問題。
本申請實施例提供的畫素電路的驅動方法，在發光二極體的發光階段，可以實現對電源電壓的補償，使得流經發光二極體的電流與輸入該畫素電路中的資料電壓以及參考電壓有關，與電源電壓無關，從而有效避免由於電源電壓降導致的流入每一個發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示不均勻的問題。
本申請實施例還提供一種顯示裝置，顯示裝置可以包括上述記載的畫素電路。
顯然，本領域的技術人員可以對本申請進行各種改動和變型而不脫離本申請的範圍。這樣，倘若本申請的這些修改和變形屬於本申請請求項及其等同技術的範圍之內，則本申請也意圖包含這些改動和變形在內。
D1‧‧‧發光二極體
N1‧‧‧點
N2‧‧‧點
Vref‧‧‧參考電壓
VDD‧‧‧第一電壓
VSS‧‧‧第二電壓
Vdata‧‧‧資料電壓
Vint‧‧‧初始電壓
C‧‧‧存儲電容
M1‧‧‧第一薄膜電晶體
M2‧‧‧第二薄膜電晶體
M3‧‧‧第三薄膜電晶體
M4‧‧‧第四薄膜電晶體
M5‧‧‧第五薄膜電晶體
M6‧‧‧第六薄膜電晶體
M7‧‧‧第七薄膜電晶體
S1‧‧‧第一掃描訊號
S2‧‧‧第二掃描訊號
S3‧‧‧第三掃描訊號
S4‧‧‧第四掃描訊號
t1‧‧‧第一階段
t2‧‧‧第二階段
t3‧‧‧第三階段
圖1為本申請實施例提供的一種畫素電路的結構示意圖。 圖2為本申請實施例提供的一種畫素電路的驅動方法的時序圖。

Claims (10)

  1. 一種畫素電路，其中，該畫素電路包括第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體、第四薄膜電晶體、第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體、第七薄膜電晶體、發光二極體以及存儲電容，該第一薄膜電晶體的柵極分別與該第二薄膜電晶體的漏極、該第三薄膜電晶體的源極以及該存儲電容的一端連接，該第二薄膜電晶體的源極與初始電壓訊號線連接，該存儲電容的另一端分別與該第四薄膜電晶體的漏極以及該第五薄膜電晶體的源極連接，該第四薄膜電晶體的源極與參考電壓訊號線連接；該第一薄膜電晶體的源極分別與該第五薄膜電晶體的漏極、該第六薄膜電晶體的漏極以及該第七薄膜電晶體的源極連接，該第六薄膜電晶體的源極與第一電源連接，該第七薄膜電晶體的漏極與資料線連接；以及該第一薄膜電晶體的漏極分別與該第三薄膜電晶體的漏極以及該發光二極體的陽極連接，該發光二極體的陰極與第二電源連接。
  2. 如請求項第1項所述的畫素電路，其中，該第一電源用於為該第一薄膜電晶體提供電源電壓；以及該發光二極體發光時電流流入該第二電源。
  3. 如請求項第1項所述的畫素電路，其中，該參考電壓訊號線用於提供參考電壓；以及該初始電壓訊號線用於提供初始電壓，該初始電壓用於對該第一薄膜電晶體的柵極以及該存儲電容的該一端進行初始化；以及該資料線用於提供資料電壓，該參考電壓以及該初始電壓為負電壓。
  4. 如請求項第3項所述的畫素電路，其中，該第二薄膜電晶體的柵極與第一掃描線連接，當由該第一掃描線提供的第一掃描訊號控制該第二薄膜電晶體處於導通狀態時，該初始電壓對該第一薄膜電晶體的柵極以及該存儲電容的該一端進行初始化；該第四薄膜電晶體的柵極與第二掃描線連接，當由該第二掃描線提供的第二掃描訊號控制該第四薄膜電晶體處於導通狀態時，該參考電壓向該存儲電容的該另一端施加電壓；以及該第五薄膜電晶體的柵極以及該第六薄膜電晶體的柵極與第四掃描線連接，當由該第四掃描線提供的第四掃描訊號控制該第五薄膜電晶體以及該第六薄膜電晶體處於導通狀態時，電流流經該發光二極體。
  5. 如請求項第4項所述的畫素電路，其中，當該第四掃描線控制該第五薄膜電晶體以及該第六薄膜電晶體處於導通狀態時，該第一電源分別向該第一薄膜電晶體的源極以及該存儲電容的該另一端施加電壓，在該存儲電容的作用下，流經該發光二極體的電流與該第一電源無關。
  6. 如請求項第1至5項中任一項所述的畫素電路，其中，該第一薄膜電晶體為驅動薄膜電晶體，且該第一薄膜電晶體為P型薄膜電晶體；以及該第二薄膜電晶體、該第三薄膜電晶體、該第四薄膜電晶體、該第五薄膜電晶體、該第六薄膜電晶體以及該第七薄膜電晶體分別獨立地為N型薄膜電晶體或P型薄膜電晶體。
  7. 一種如請求項第1至6項中任一項所述的畫素電路的驅動方法，其中，該驅動方法包括：第一階段，第一掃描訊號控制該第二薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，初始電壓對該第一薄膜電晶體的柵極、該存儲電容的一端進行初始化，第二掃描訊號控制該第四薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，參考電壓向該存儲電容的另一端施加電壓，第三掃描訊號控制該第三薄膜電晶體以及該第七薄膜電晶體處於截止狀態，第四掃描訊號控制該第五薄膜電晶體以及該第六薄膜電晶體由導通狀態變為截止狀態；第二階段，第一掃描訊號控制該第二薄膜電晶體由導通狀態變為截止狀態，第二掃描訊號控制該第四薄膜電晶體由導通狀態變為截止狀態，第三掃描訊號控制該第三薄膜電晶體以及該第七薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，對該第一薄膜電晶體的閾值電壓進行補償，第四掃描訊號控制該第五薄膜電晶體以及該第六薄膜電晶體處於截止狀態；以及第三階段，第一掃描訊訊號控制該第二薄膜電晶體處於截止狀態，第二掃描訊訊號控制該第四薄膜電晶體處於截止狀態，第三掃描訊訊號控制該第三薄膜電晶體以及該第七薄膜電晶體由導通狀態變為截止狀態，第四掃描訊訊號控制該第五薄膜電晶體以及該第六薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，電流流經該發光二極體，該發光二極體發光。
  8. 如請求項第7項所述的畫素電路的驅動方法，其中，在該第一階段，該第一薄膜電晶體的柵極電壓以及該存儲電容的該一端的電壓為Vint，該存儲電容的該另一端的電壓為Vref，其中，Vint為該初始電壓，Vref為該參考電壓；以及在該第二階段，該第一薄膜電晶體的柵極與漏極連接，資料電壓向該第一薄膜電晶體的源極施加電壓，使得該第一薄膜電晶體的柵極電壓為Vdata+Vth，對該第一薄膜電晶體的閾值電壓進行補償，其中，Vth為該第一薄膜電晶體的閾值電壓，Vdata為資料電壓。
  9. 如請求項第7或8項所述的畫素電路的驅動方法，其中，在該第三階段，該第一電源向該第一薄膜電晶體的源極以及該存儲電容的該另一端施加電壓，該存儲電容的該另一端的電壓由Vref變為VDD，在該存儲電容的作用下，該第一薄膜電晶體的柵極電壓為VDD-Vref+Vdata+Vth，使得流經該發光二極體的電流與該第一電源無關，其中，VDD為該第一電源，Vdata為資料電壓。
  10. 一種顯示裝置，其中，該顯示裝置包括如請求項第1至6項中任一項所述的畫素電路。
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