TWI665847B - 電源切換系統 - Google Patents

Abstract

電源切換系統包含第一電源供應器、複數個電晶體、第一電阻、第一加速電路、第二電源供應器、第二電阻、第二加速電路、電容以及負載。複數個電晶體中的一些電晶體用以接收第一控制訊號、第二控制訊號、第三控制訊號及第四控制訊號。第一電源供應器用以提供第一電壓。第二電源供應器用以提供第二電壓。電容用以輸出電壓至負載。第一控制訊號、第二控制訊號、第三控制訊號及第四控制訊號用以透過複數個電晶體，控制電壓由第一電壓切換為第二電壓，或由第二電壓切換為第一電壓。

Description

電源切換系統

本發明描述一種電源切換系統，尤指一種切換速度快且穩定性高的電源切換系統。

隨著科技日新月異，許多的電子產品的功能也越來越強，運算速度也越來越快。然而，將電子產品的功能擴充以及提高運算能力會增加功率消耗。因此，具有執行多功能且運算能力強大的電子產品，也因功率消耗增大而導致操作時間的縮減。為了延長電子產品的操作時間或是擴充電子產品的供電來源之支援性，雙電池或是雙電源的供電系統於目前生活中也越來越常見。例如，筆記型電腦的主電池與外接電源擴充埠(Power Docking)裝置中的備用電池可以同時連接於筆記型電腦。換句話說，筆記型電腦的供電來源可以是內建的主電池或是外接電源擴充埠裝置中的備用電池。

目前的雙電池或是雙電源的供電系統應用於電子產品上時，需要一個單刀雙擲(Single Pole Double Throw，SPDT)開關來做供電來源的切換，並由控制器根據主電池以及備用電池的儲能狀況來決定此開關的切換狀態。然而，以目前具有單刀雙擲開關之雙電池或是雙電源的供電系統而言，切換速度與靜態耗電量很難取得平衡。換句話說，單刀雙擲開關內的共用電阻關聯於切換速度與靜態耗電量。共用電阻越大，靜態耗電量越小，但是切換速度越慢。反之， 共用電阻越小，切換速度越快，但是靜態耗電量越大。過大的靜態耗電量會造成額外功率消耗量增加，而太慢的切換速度會造成供電系統的暫態時間過長而導致電壓不穩定。

本發明一實施例提出一種電源切換系統，包含第一電源供應子系統、第二電源供應子系統、電容以及負載。第一電源供應子系統包含第一電源供應器、第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第一電阻、第一加速電路、第四電晶體。第二電源供應子系統包含第二電源供應器、第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體、第二電阻、第二加速電路、第八電晶體。第一電源供應器用以提供第一電壓。第一電晶體包含耦接於第一電源供應器的第一端、控制端、及第二端。第二電晶體包含耦接於第一電晶體之控制端的第一端、用以接收第一控制訊號的控制端、及耦接於接地端的第二端。第三電晶體包含第一端、用以接收第二控制訊號的控制端、及耦接於接地端的第二端。第一電阻包含耦接於第一電晶體之第二端的第一端、及耦接於第三電晶體之第一端的第二端。第一加速電路耦接於第一電阻之第一端、第一電阻之第二端及第二電晶體之第一端。第四電晶體包含耦接於第一電阻之第一端的第一端、耦接於第二電晶體之第一端的控制端、及第二端。第二電源供應器用以提供第二電壓。第五電晶體包含耦接於第二電源供應器的第一端、控制端、及第二端。第六電晶體包含耦接於第五電晶體之控制端的第一端、用以接收第三控制訊號的控制端、及耦接於接地端的第二端。第七電晶體包含第一端、用以接收第四控制訊號的控制端、及耦接於接地端的第二端。第二電阻包含耦接於第五電晶體之第二端的第一端、及耦接於第七電晶體之第一端的第二端。第二加速電路耦接於第二電阻之第一端、第二電阻之第二端及第六電晶體之第一端。第八電晶體包含耦接於第 二電阻之第一端的第一端、耦接於第六電晶體之第一端的控制端、及耦接於第四電晶體之第二端的第二端。電容包含耦接於第八電晶體之第二端用以輸出電壓的第一端、及耦接於接地端的第二端。負載耦接於電容之第一端，用以接收電壓。第一控制訊號、第二控制訊號、第三控制訊號及第四控制訊號用以控制電壓由第一電壓切換為第二電壓，或由第二電壓切換為第一電壓。

100‧‧‧電源切換系統

SYS1‧‧‧第一電源供應子系統

SYS2‧‧‧第二電源供應子系統

EN1‧‧‧第一控制訊號

EN2‧‧‧第二控制訊號

EN3‧‧‧第三控制訊號

EN4‧‧‧第四控制訊號

AS1‧‧‧第一加速電路

AS2‧‧‧第二加速電路

PS1‧‧‧第一電源供應器

PS2‧‧‧第二電源供應器

L‧‧‧負載

C1‧‧‧電容

GND‧‧‧接地端

R1‧‧‧第一電阻

R2‧‧‧第二電阻

R3‧‧‧第三電阻

R4‧‧‧第四電阻

T1‧‧‧第一電晶體

T2‧‧‧第二電晶體

T3‧‧‧第三電晶體

T4‧‧‧第四電晶體

T5‧‧‧第五電晶體

T6‧‧‧第六電晶體

T7‧‧‧第七電晶體

T8‧‧‧第八電晶體

T9‧‧‧第九電晶體

T10‧‧‧第十電晶體

A至F‧‧‧節點

F1至F5‧‧‧電流方向

PS1C‧‧‧第一供電區間

PS2C‧‧‧第二供電區間

OPN‧‧‧開路區間

第1圖係為本發明之電源切換系統之實施例的電路架構圖。

第2圖係為第1圖之電源切換系統中，第一電源供應器提供第一電壓且第二電源供應器為開路時，所有的控制訊號以及電子元件之狀態的示意圖。

第3圖係為第1圖之電源切換系統中，第二電源供應器提供第二電壓且第一電源供應器為開路時，所有的控制訊號以及電子元件之狀態的示意圖。

第4圖係為第1圖之電源切換系統中，第一電源供應器及第二電源供應器均為開路時，控制訊號以及各電子元件之狀態的示意圖。

第5圖係為第1圖之電源切換系統中，所有的控制訊號的波形隨時間變化之示意圖。

第1圖係為本發明之電源切換系統100之實施例的電路架構圖。電源切換系統100可視為一種雙電池或是雙電源的供電系統，具有在兩個供電來源間切換的能力。例如，在電源切換系統100中，第一電源供應子系統SYS1可視為一個供電來源的系統，而第二電源供應子系統SYS2可視為另一個供電來源的系統。第一電源供應子系統SYS1與第二電源供應子系統SYS2可為對稱之電路架構 的兩系統，其電路架構類似。以下將說明電源切換系統100的電路細節。電源切換系統100包含第一電源供應子系統SYS1、第二電源供應子系統SYS2、電容C1以及負載L。第一電源供應子系統SYS1包含第一電源供應器PS1、第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第一電阻R1、第一加速電路AS1、第四電晶體T4。第二電源供應子系統SYS2包含第二電源供應器PS2、第五電晶體T5、第六電晶體T6、第七電晶體T7、第二電阻R2、第二加速電路AS2、第八電晶體T8。第一電源供應器PS1用以提供第一電壓。第一電源供應器PS1可為任何形式的電池組或是外接式電源。第一電晶體T1包含耦接於第一電源供應器PS1的第一端、控制端、及第二端。第二電晶體T2包含耦接於第一電晶體T1之控制端的第一端、用以接收第一控制訊號EN1的控制端、及耦接於接地端GND的第二端。第三電晶體T3包含第一端、用以接收第二控制訊號EN2的控制端、及耦接於接地端GND的第二端。第一電阻R1包含耦接於第一電晶體T1之第二端的第一端、及耦接於第三電晶體T3之第一端的第二端。第一加速電路AS1耦接於第一電阻R1之第一端、第一電阻R1之第二端及第二電晶體T2之第一端。第四電晶體T4包含耦接於第一電阻R1之第一端的第一端、耦接於第二電晶體T2之第一端的控制端、及第二端。

第二電源供應器PS2用以提供第二電壓。第二電源供應器PS2可為任何形式的電池組或是外接式電源。第五電晶體T5包含耦接於第二電源供應器PS2的第一端、控制端、及第二端。第六電晶體T6包含耦接於第五電晶體T5之控制端的第一端、用以接收第三控制訊號EN3的控制端、及耦接於接地端GND的第二端。第七電晶體T7包含第一端、用以接收第四控制訊號EN4的控制端、及耦接於接地端GND的第二端。第二電阻R2包含耦接於第五電晶體T5之第二端的第一端、及耦接於第七電晶體T7之第一端的第二端。第二加速電路AS2耦接於第二電阻R2之第一端、第二電阻R2之第二端及第六電晶體T6之第一端。第八電晶體 T8包含耦接於第二電阻R2之第一端的第一端、耦接於第六電晶體T6之第一端的控制端、及耦接於第四電晶體T4之第二端的第二端。電容C1包含耦接於第八電晶體T8之第二端且用以輸出電壓的第一端、及耦接於接地端GND的第二端。負載L耦接於電容C1之第一端，用以接收電壓。在電源切換系統100中，第一控制訊號EN1、第二控制訊號EN2、第三控制訊號EN3及第四控制訊號EN4可以控制第一電源供應子系統SYS1以及第二電源供應子系統SYS2的操作狀態，以使電容C1所接收的電壓由第一電壓切換為第二電壓，或由第二電壓切換為第一電壓。並且，第一電晶體T1、第四電晶體T4、第五電晶體T5及第八電晶體T8可為P型金屬氧化物半導體場效電晶體(P-Type Metal-Oxide-Semiconductor，PMOS)，且第二電晶體T2、第三電晶體T3、第六電晶體T6及第七電晶體T7可為N型金屬氧化物半導體場效電晶體(N-Type Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS)。

如前述提及，電源切換系統100具有在兩個供電來源間切換的能力。並且，為了降低切換時間以增加電壓穩定性，電源切換系統100引入了前述提及之第一加速電路AS1以及第二加速電路AS2。第一加速電路AS1以及第二加速電路AS2的功能以及電源切換系統100切換供電來源的方法將於後文詳述。在電源切換系統100中，第一加速電路AS1包含第九電晶體T9及第三電阻R3。第九電晶體T9包含耦接於第一電阻R1之第一端的第一端、耦接於第一電阻R1之第二端的控制端、及第二端。第三電阻R3包含耦接於第九電晶體T9之第二端的第一端、及耦接於第二電晶體T2之第一端的第二端。在第一加速電路AS1中，第九電晶體T9可為P型金屬氧化物半導體場效電晶體(PMOS)，且第三電阻R3的電阻值小於第一電阻R1的電阻值。舉例而言，第三電阻R3的電阻值可為100歐姆，而第一電阻R1的電阻值可為10000歐姆。類似地，第二加速電路AS2包含第十電晶體T10及第四電阻R4。第十電晶體T10包含耦接於第二電阻R2之第一端的第一端、耦接於第二電阻R2之第二端的控制端、及第二端。第四電阻R4包含耦接於第十電 晶體T10之第二端的第一端、及耦接於第六電晶體T6之第一端的第二端。在第二加速電路AS2中，第十電晶體T10可為P型金屬氧化物半導體場效電晶體(PMOS)，且第四電阻R4的電阻值小於第二電阻R2的電阻值。舉例而言，第四電阻R4的電阻值可為100歐姆，而第二電阻R2的電阻值可為10000歐姆。然而，第一加速電路AS1的結構也可以經過合理的變更，其電路也落入本發明的揭露範疇。

為了描述更有邏輯性，以下將針對電源切換系統100的三個狀態進行說明。第一個狀態為，電源切換系統100使用第一電源供應器PS1所提供的能量為供電來源，因此第一電源供應器PS1對於負載L而言是短路，故能提供負載L第一電壓。同時，第二電源供應器PS2對於負載L而言是斷路，因此無法提供能量。第二個狀態為，電源切換系統100使用第二電源供應器PS2所提供的能量為供電來源，因此第二電源供應器PS2對於負載L而言是短路，故能提供負載L第二電壓。同時，第一電源供應器PS1對於負載L而言是斷路，因此無法提供能量。第三個狀態為，電源切換系統100在切換第一個狀態至第二個狀態，或切換第二個狀態至第一個狀態之間必須要執行保護機制，即「斷路之後連接(Break-Before-Make)」的暫態操作。因此，在第三個狀態下，第一電源供應器PS1以及第二電源供應器PS2對於負載L而言均為斷路。

第2圖係為電源切換系統100中，第一電源供應器PS1提供第一電壓且第二電源供應器PS2為開路時，所有的控制訊號以及電子元件之狀態的示意圖。第2圖可視為前述提及之第一個狀態的示意圖。於此，第一控制訊號EN1為高電壓，第二控制訊號EN2為低電壓，第三控制訊號EN3為低電壓且第四控制訊號EN4為高電壓。對於第一電源供應子系統SYS1(如第1圖所示)而言，由於第一控制訊號EN1為高電壓，因此第二電晶體T2會被導通。導通後的第二電晶體T2會使節點A的電壓趨近於接地端GND的低電壓。由於節點A為低電壓，因此第一電 晶體T1會被導通，且第四電晶體T4也會被導通。並且，由於第二控制訊號EN2為低電壓，因此第三電晶體T3會被截止。沒有漏電路徑的情況下，節點B會透過第一電晶體T1維持第一電源供應器PS1所提供之高電壓的第一電壓。由於節點B為高電壓且第三電晶體T3截止，因此節點C也為高電壓，進而使第九電晶體T9截止。因此，第一電源供應器PS1所提供的能量(第一電壓)，會沿著電流方向F1透過導通的第一電晶體T1以及第四電晶體T4傳送至負載L，同時也會將電容C1充電。電容C1所輸出之電壓為第一電壓。

對於第二電源供應子系統SYS2(如第1圖所示)而言，由於第三控制訊號EN3為低電壓，因此第六電晶體T6會被截止。由於第四控制訊號EN4為高電壓，因此第七電晶體T7會被導通。由於第七電晶體T7被導通，因此節點F的電壓會趨近於接地端GND的低電壓。由於節點F為低電壓，因此第十電晶體T10會被導通。第十電晶體T10導通後，配合第四電阻R4即形成一個電流路徑。第五電晶體T5以及第八電晶體T8的初始化狀態為導通，因此節點E的初始電壓為高電壓。然而，因導通後的第十電晶體T10配合第四電阻R4形成一個電流路徑，因此節點E的高電壓會透過第十電晶體T10及第四電阻R4將第五電晶體T5以及第八電晶體T8截止。並且，第二電阻R2以及第七電晶體T7會形成電流方向F2。然而，當第二電阻R2很大時，電流方向F2所洩漏的功率會降低，因此額外的功率消耗幾乎可以忽略。並且，當第四電阻R4很小時，節點D將會快速地升壓而將第五電晶體T5以及第八電晶體T8快速地截止。由於第五電晶體T5以及第八電晶體T8為截止，因此第二電源供應器PS2的能量(第二電壓)會被阻隔，等同於第二電源供應器PS2對於負載L而言是開路狀態。因此，前述提及的「第二加速電路AS2」的功能實為將第二電源供應器PS2快速地變為開路狀態。

第3圖係為電源切換系統100中，第二電源供應器PS2提供第二電壓且第一電源供應器PS1為開路時，所有的控制訊號以及電子元件之狀態的示意圖。 第3圖可視為前述提及之第二個狀態的示意圖。於此，第一控制訊號EN1為低電壓，第二控制訊號EN2為高電壓，第三控制訊號EN3為高電壓且第四控制訊號EN4為低電壓。對於第一電源供應子系統SYS1(如第1圖所示)而言，由於第一控制訊號EN1為低電壓，因此第二電晶體T2會被截止。由於第二控制訊號EN2為高電壓，因此第三電晶體T3會被導通。由於第三電晶體T3被導通，因此節點C的電壓會趨近於接地端GND的低電壓。由於節點C為低電壓，因此第九電晶體T9會被導通。第九電晶體T9導通後，配合第三電阻R3即形成一個電流路徑。第一電晶體T1以及第四電晶體T4的初始化狀態為導通，因此節點B的初始電壓為高電壓。然而，因導通後的第九電晶體T9配合第三電阻R3形成一個電流路徑，因此節點B的高電壓會透過第九電晶體T9及第三電阻R3將第一電晶體T1以及第四電晶體T4截止。並且，第一電阻R1以及第三電晶體T3會形成電流方向F3。然而，當第一電阻R1很大時，電流方向F3所洩漏的功率會降低，因此額外的功率消耗幾乎可以忽略。並且，當第三電阻R3很小時，節點A將會快速地升壓而將第一電晶體T1以及第四電晶體T4快速地截止。由於第一電晶體T1以及第四電晶體T4為截止，因此第一電源供應器PS1的能量(第一電壓)會被阻隔，等同於第一電源供應器PS1對於負載L而言是開路狀態。因此，前述提及的「第一加速電路AS1」的功能實為將第一電源供應器PS1快速地變為開路狀態。

對於第二電源供應子系統SYS2(如第1圖所示)而言，由於第三控制訊號EN3為高電壓，因此第六電晶體T6會被導通。導通後的第六電晶體T6會使節點D的電壓趨近於接地端GND的低電壓。由於節點D為低電壓，因此第五電晶體T5會被導通，且第八電晶體T8也會被導通。並且，由於第四控制訊號EN4為低電壓，因此第七電晶體T7會被截止。沒有漏電路徑的情況下，節點E會透過第五電晶體T5維持第二電源供應器PS2所提供之高電壓的第二電壓。由於節點E為高電壓且第七電晶體T7截止，因此節點F也為高電壓，進而使第十電晶體T10截止。 因此，第二電源供應器PS2所提供的能量(第二電壓)，會沿著電流方向F4透過導通的第五電晶體T5以及第八電晶體T8傳送至負載L，同時也會將電容C1充電。電容C1所輸出之電壓為第二電壓。

第4圖係為電源切換系統100中，第一電源供應器PS1及第二電源供應器PS2均為開路時，控制訊號以及各電子元件之狀態的示意圖。如前述提及，電源切換系統100在切換第一個狀態至第二個狀態，或切換第二個狀態至第一個狀態之間必須要執行保護機制，即「斷路之後連接(Break-Before-Make)」的暫態操作。在暫態操作下，第一電源供應器PS1及第二電源供應器PS2均為開路。並且，如前述第2圖以及第3圖的說明中，當第一控制訊號EN1為低電壓且第二控制訊號EN2為高電壓時，第一電源供應器PS1對於負載L而言是開路狀態。當第三控制訊號EN3為低電壓且第四控制訊號EN4為高電壓時，第二電源供應器PS2對於負載L而言是開路狀態。因此，當第一控制訊號EN1為低電壓、第二控制訊號EN2為高電壓、第三控制訊號EN3為低電壓且第四控制訊號EN4為高電壓時，兩個電源供應器(第一電源供應器PS1及第二電源供應器PS2)對於負載L而言均是開路狀態。換句話說，在第4圖的條件下，第一電源供應器PS1或第二電源供應器PS2停止對電容C1充電。電容C1需要消耗本身存儲的能量，沿著電流方向F5提供負載L能量。並且，第一電源供應器PS1及第二電源供應器PS2變為開路的運作原理已於前文中詳述，故細節於此將不再贅述。

如前述提及，由於第一加速電路AS1以及第二加速電路AS2可以優化第一電源供應器PS1及第二電源供應器PS2的切換時間。因此，第4圖所示之電源切換系統100在暫態操作時的第三個狀態的時間將可以被大幅度地縮短。暫態操作的時間縮短也意味著電容C1的儲能空間不需要很大，原因為電容C1僅需要在沒有供電來源的情況下，短時間內維持輸入負載L的電壓即可。

第5圖係為電源切換系統100中，所有的控制訊號的波形隨時間變化 之示意圖。Y軸表示時間軸。在第一供電區間PS1C內，第一控制訊號EN1為高電壓、第二控制訊號EN2為低電壓、第三控制訊號EN3為低電壓且第四控制訊號EN4為高電壓。對應第2圖的結果，第一電源供應器PS1對於負載L而言為短路，因此可以提供第一電壓的能量至負載L。第二電源供應器PS2對於負載L而言為開路，因此其能量將會被阻隔。在第二供電區間PS2C內，第一控制訊號EN1為低電壓、第二控制訊號EN2為高電壓、第三控制訊號EN3為高電壓且第四控制訊號EN4為低電壓。對應第3圖的結果，第一電源供應器PS1對於負載L而言為開路，因此其能量將會被阻隔。第二電源供應器PS2對於負載L而言為短路，因此可以提供第二電壓的能量至負載L。第一電壓與第二電壓可為兩相同或相異的電壓。而在第一供電區間PS1C與第二供電區間PS2C之開路區間OPN內，第一控制訊號EN1為低電壓、第二控制訊號EN2為高電壓、第三控制訊號EN3為低電壓且第四控制訊號EN4為高電壓。對應第4圖的結果，兩個電源供應器(第一電源供應器PS1及第二電源供應器PS2)對於負載L而言均是開路狀態。無論哪一種操作模式，第一控制訊號EN1與第二控制訊號EN2互為反向，且第三控制訊號EN3與第四控制訊號EN4互為反向。然而，如同前述提及，電源切換系統100於暫態操作的開路區間OPN可以很短暫，因此不需要很大儲能空間的電容C1。

並且，如前述之第1圖至第4圖，電源切換系統100中的靜態耗電(低自放電路徑)對應的電阻與加速電路中所用的電阻不同。例如，第一電源供應子系統SYS1之電流方向F3所用的電阻為第一電阻R1，第一加速電路AS1所用的電阻為第三電阻R3。第二電源供應子系統SYS2之電流方向F2所用的電阻為第二電阻R2，第二加速電路AS2所用的電阻為第四電阻R4。當第一電阻R1遠大於第三電阻R3且第二電阻R2遠大於第四電阻R4時。電源切換系統100中的靜態耗電量將會減少，且切換速度將會變快。因此，電源切換系統100將可以同時滿足優良的靜態耗電量以及高速的切換速度之特性。

綜上所述，本發明描述了一種電源切換系統。電源切換系統利用多個控制訊號控制電源切換系統的供電狀態。由於電源切換系統具有加速電路，因此電源切換系統具有很快的切換速度，故暫態操作的時間可以大幅度地縮短，電源切換系統不需要很大儲能空間的電容即可實現供電高速切換的功能。並且，由於電源切換系統中之靜態耗電對應的電阻與加速電路中所用的電阻不同，因此電源切換系統可在靜態耗電量以及切換速度之間取得平衡。換句話說，本發明的電源切換系統可以同時滿足優良的靜態耗電量以及高速的切換速度之功能，故可提供優良且高穩定度的供電品質。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

Claims (12)

1. 一種電源切換系統，包含：一第一電源供應子系統，包含：一第一電源供應器，用以提供一第一電壓；一第一電晶體，包含：一第一端，耦接於該第一電源供應器；一控制端；及一第二端；一第二電晶體，包含：一第一端，耦接於該第一電晶體之該控制端；一控制端，用以接收一第一控制訊號；及一第二端，耦接於一接地端；一第三電晶體，包含：一第一端；一控制端，用以接收一第二控制訊號；及一第二端，耦接於該接地端；一第一電阻，包含：一第一端，耦接於該第一電晶體之該第二端；及一第二端，耦接於該第三電晶體之該第一端；一第一加速電路，耦接於該第一電阻之該第一端、該第一電阻之該第二端及該第二電晶體之該第一端；及一第四電晶體，包含：一第一端，耦接於該第一電阻之該第一端；一控制端，耦接於該第二電晶體之該第一端；及一第二端；一第二電源供應子系統，包含：一第二電源供應器，用以提供一第二電壓；一第五電晶體，包含：一第一端，耦接於該第二電源供應器；一控制端；及一第二端；一第六電晶體，包含：一第一端，耦接於該第五電晶體之該控制端；一控制端，用以接收一第三控制訊號；及一第二端，耦接於該接地端；一第七電晶體，包含：一第一端；一控制端，用以接收一第四控制訊號；及一第二端，耦接於該接地端；一第二電阻，包含：一第一端，耦接於該第五電晶體之該第二端；及一第二端，耦接於該第七電晶體之該第一端；一第二加速電路，耦接於該第二電阻之該第一端、該第二電阻之該第二端及該第六電晶體之該第一端；及一第八電晶體，包含：一第一端，耦接於該第二電阻之該第一端；一控制端，耦接於該第六電晶體之該第一端；及一第二端，耦接於該第四電晶體之該第二端；一電容，包含：一第一端，耦接於該第八電晶體之該第二端，用以輸出一電壓；及一第二端，耦接於該接地端；及一負載，耦接於該電容之該第一端，用以接收該電壓；其中該第一控制訊號、該第二控制訊號、該第三控制訊號及該第四控制訊號用以控制該電壓由該第一電壓切換為該第二電壓，或由該第二電壓切換為該第一電壓。
2. 如請求項1所述之電源切換系統，其中該第一電晶體、該第四電晶體、該第五電晶體及該第八電晶體係為P型金屬氧化物半導體場效電晶體(P-Type Metal-Oxide-Semiconductor)，且該第二電晶體、該第三電晶體、該第六電晶體及該第七電晶體係為N型金屬氧化物半導體場效電晶體(N-Type Metal-Oxide-Semiconductor)。
3. 如請求項1所述之電源切換系統，其中該第一加速電路包含：一第九電晶體，包含：一第一端，耦接於該第一電阻之該第一端；一控制端，耦接於該第一電阻之該第二端；及一第二端；及一第三電阻，包含：一第一端，耦接於該第九電晶體之該第二端；及一第二端，耦接於該第二電晶體之該第一端。
4. 如請求項3所述之電源切換系統，其中該第九電晶體係為P型金屬氧化物半導體場效電晶體(P-Type Metal-Oxide-Semiconductor)，且該第三電阻的電阻值小於該第一電阻的電阻值。
5. 如請求項1所述之電源切換系統，其中該第二加速電路包含：一第十電晶體，包含：一第一端，耦接於該第二電阻之該第一端；一控制端，耦接於該第二電阻之該第二端；及一第二端；及一第四電阻，包含：一第一端，耦接於該第十電晶體之該第二端；及一第二端，耦接於該第六電晶體之該第一端。
6. 如請求項5所述之電源切換系統，其中該第十電晶體係為P型金屬氧化物半導體場效電晶體(P-Type Metal-Oxide-Semiconductor)，且該第四電阻的電阻值小於該第二電阻的電阻值。
7. 如請求項1所述之電源切換系統，其中該第一電晶體，該第一電阻及該第三電晶體組成一第一低自放電路徑，且當該第一電阻的電阻值很大時，該第一電源供應器透過該第一低自放電路徑所洩漏的功率降低。
8. 如請求項1所述之電源切換系統，其中該第五電晶體，該第二電阻及該第七電晶體組成一第二低自放電路徑，且當該第二電阻的電阻值很大時，該第二電源供應器透過該第二低自放電路徑所洩漏的功率降低。
9. 如請求項1所述之電源切換系統，其中該第一控制訊號與該第二控制訊號互為反向，該第三控制訊號與該第四控制訊號互為反向。
10. 如請求項9所述之電源切換系統，其中當該第一控制訊號係為一高電壓，該第二控制訊號係為一低電壓，該第三控制訊號係為該低電壓且該第四控制訊號係為該高電壓時，該電容所輸出之該電壓係為該第一電壓。
11. 如請求項9所述之電源切換系統，其中當該第一控制訊號係為一低電壓，該第二控制訊號係為一高電壓，該第三控制訊號係為該高電壓且該第四控制訊號係為該低電壓時，該電容所輸出之該電壓係為該第二電壓。
12. 如請求項9所述之電源切換系統，其中當該第一控制訊號係為一低電壓，該第二控制訊號係為一高電壓，該第三控制訊號係為該低電壓且該第四控制訊號係為該高電壓時，該第一電源供應器或該第二電源供應器停止對該電容充電。