[go: up one dir, main page]

TWI665463B - 閃爍器面板、放射線影像檢測裝置及其製造方法 - Google Patents

閃爍器面板、放射線影像檢測裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI665463B
TWI665463B TW104116916A TW104116916A TWI665463B TW I665463 B TWI665463 B TW I665463B TW 104116916 A TW104116916 A TW 104116916A TW 104116916 A TW104116916 A TW 104116916A TW I665463 B TWI665463 B TW I665463B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
phosphor
scintillator panel
partition wall
paste
phosphor layer
Prior art date
Application number
TW104116916A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201602618A (zh
Inventor
Tsubasa HAMANO
濱野翼
Takahiro Tanino
谷野貴廣
Takuya Nashiyama
西山卓哉
Izumi TAJIMA
田島逸蔦翠
Original Assignee
Toray Industries, Inc.
日商東麗股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries, Inc., 日商東麗股份有限公司 filed Critical Toray Industries, Inc.
Publication of TW201602618A publication Critical patent/TW201602618A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI665463B publication Critical patent/TWI665463B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Abstract

本發明目的為提供一種信賴性高的閃爍器面板，其係藉由利用簡便的方法顯著抑制螢光體發光光線的散射，得到強度充足的發光光線，而能夠得到清晰度優異的影像。本發明提供一種閃爍器面板，其係具備基板、及含螢光體粉末的螢光體層，上述螢光體層的表面具有多個凹陷，上述凹陷開口部的面積A為500~70000μm2，上述螢光體層的厚度T與上述凹陷的深度D之比D/T為0.1~0.9。

Description

閃爍器面板、放射線影像檢測裝置及其製造方法
本發明關於一種閃爍器面板、放射線影像檢測裝置及其製造方法。
以往，使用底片的放射線影像被廣泛使用於醫療場所至今。但是，使用底片的放射線影像為類比影像資訊，因此近年來開發出電腦放射線攝影(computed radiography：CR)或平板型的放射線檢測器(flat panel detector：以下稱為「FPD」)等的數位式放射線影像檢測裝置。
FPD有直接式與間接式，而在間接式之中，為了將放射線轉換為可見光，使用了閃爍器面板。閃爍器面板具備含有碘化銫(CsI)或硫氧化釓(GOS)等的螢光體的螢光體層作為構成要素，因應所照射的放射線，螢光體會發出可見光，藉由將其發光光線以TFT或CCD轉換為電子訊號，將放射線的資訊轉換成數位影像資訊。
形成螢光體層的方法，較簡便係為以糊劑狀螢光體粉末的塗膜作為螢光體層的方法，然而在塗膜內部螢光體的發光光線會散射，影像的清晰度極低。因此，為了抑制螢光體發光光線的散射，高效率地利用發光 光線，有文獻提案：交互設置由大粒徑螢光體所構成的螢光體層與由小粒徑螢光體所構成的螢光體層的方法(專利文獻1)；設置用來分隔螢光體層的隔牆的方法(專利文獻2~4)；藉由蒸鍍法形成CsI等的柱狀結晶構造的螢光體，並將螢光體的發光光線導引至TFT或CCD來改善S/N比的方法(專利文獻5及6)等。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-215253號公報
[專利文獻2]日本特開平5-60871號公報
[專利文獻3]日本特開2011-188148號公報
[專利文獻4]日本特開2011-007552號公報
[專利文獻5]日本特開2012-242355號公報
[專利文獻6]日本特開2013-117547號公報
然而在現況中，藉由交互設置螢光體粒徑相異的層的方法或設置隔牆的方法，無法充分抑制螢光體的發光光線的散射，而無法得到強度足夠的發光光線。另外，以柱狀結晶構造的CsI等作為螢光體層的方法，被認為會有柱狀結晶構造的化學的安定性低、或異物容易混入造成面板畫質劣化的問題。
於是，本發明目的為提供一種信賴性高的閃爍器面板，其係藉由利用簡便的方法顯著抑制螢光體的 發光光線的散射，得到強度充足的發光光線，而能夠得到清晰度優異的影像。
上述的課題可藉由以下技術手段之任一者來達成。
一種閃爍器面板，其係具備基板、及含螢光體粉末的螢光體層的閃爍器面板，並且上述螢光體層的表面具有多個凹陷，上述凹陷開口部的面積A為500~70000μm2，上述螢光體層的厚度T與上述凹陷之深度D之比D/T為0.1~0.9。
一種放射線影像檢測裝置，其係具備上述閃爍器面板。
一種放射線影像檢測裝置之製造方法，其係具備上述閃爍器面板、及備有與該閃爍器面板的上述凹陷對向的光電轉換元件之檢測基板的放射線影像檢測裝置之製造方法，其係具有：(A)將上述凹陷與上述光電轉換元件對劑之步驟、及(B)將上述閃爍器面板與上述檢測基板貼合之步驟。
依據本發明可提供一種信賴性優異的閃爍器面板，其係藉由利用簡便的方法顯著抑制螢光體的發光光線的散射，確保強度充足的發光光線，而能夠實現清晰度極高的影像。
1‧‧‧放射線影像檢測裝置
2‧‧‧閃爍器面板
3‧‧‧檢測基板
4‧‧‧基板
5‧‧‧緩衝層
6‧‧‧隔牆
7‧‧‧螢光體層
8‧‧‧反射層
9‧‧‧接著層
10‧‧‧光電轉換層
11‧‧‧輸出層
12‧‧‧基板
13‧‧‧電源部
第1圖為模式地表示了具備本發明閃爍器面板的一態樣之放射線影像檢測裝置的構成之剖面圖。
第2圖為模式地表示了本發明閃爍器面板的一態樣的構成之斜視圖。
第3圖為模式地表示了具備本發明閃爍器面板的一態樣之放射線影像檢測裝置的構成之剖面圖。
第4圖為模式地表示了具備本發明閃爍器面板的一態樣之放射線影像檢測裝置的構成之剖面圖。
第5圖為模式地表示了具備本發明閃爍器面板的一態樣之放射線影像檢測裝置的構成之剖面圖。
第6圖為模式地表示了本發明閃爍器面板的一態樣的構成之剖面圖。
第7圖為模式地表示了具備具有隔牆的本發明閃爍器面板的一態樣之放射線影像檢測裝置的構成之剖面圖。
第8圖為模式地表示了具有隔牆的本發明閃爍器面板的一態樣的構成之斜視圖。
第9圖為模式地表示了具有隔牆的本發明閃爍器面板的一態樣中之隔牆、緩衝層及基板之剖面圖。
第10圖為模式地表示了具有隔牆的本發明閃爍器面板的一態樣的構成之剖面圖。
本發明之閃爍器面板，其特徵為：具備基板及含螢光體粉末的螢光體層，上述螢光體層的表面具有多個凹陷，上述凹陷開口部面積A為500~70000μm2，上述螢光體層的厚度T與上述凹陷的深度D之比D/T為0.1~ 0.9。
以下使用圖式對於本發明之閃爍器面板的具體構成作說明，然而本發明並不受該等所限定。
第1圖、第3~5圖及第7圖為模式地表示了具備本發明閃爍器面板的放射線影像檢測裝置的構成之剖面圖。第2圖及第8圖為模式地表示了本發明閃爍器面板的構成之斜視圖。放射線影像檢測裝置1是閃爍器面板2、檢測基板3及電源部13所構成。
閃爍器面板2具備基板4及形成於基板4上且含螢光體粉末的螢光體層7。螢光體層7的表面具有多個凹陷。
檢測基板3係在基板12上具有：以2維的方式形成有光電轉換元件與TFT所構成的畫素之光電轉換層10、以及輸出層11。藉由將閃爍器面板2的出光面與檢測基板3的光電轉換層10透過接著層9接著或使其密著，而構成了放射線影像檢測裝置1。此時，前述光電轉換元件的畫素會與前述螢光體層表面的一個以上的凹陷對應。一個畫素可對應一個凹陷，或一個畫素可對應兩個以上的凹陷。光電轉換元件的一個畫素所對應的螢光體層的凹陷數目宜為均等。
入射至放射線影像檢測裝置1的放射線，會被螢光體層7所含的螢光體吸收，而發出可見光。以下將像這樣由螢光體發出的光線稱為「螢光體的發光光線」。到達光電轉換層10的螢光體的發光光線會在光電轉換層10發生光電轉換，透過輸出層11，以電子訊號的形式輸 出。
閃爍器面板的基板材質，可列舉例如具有放射線穿透性的玻璃、陶瓷、半導體、高分子化合物或金屬。玻璃可列舉例如石英、硼矽酸玻璃或化學的強化玻璃。陶瓷可列舉例如藍寶石、氮化矽或碳化矽。半導體可列舉例如矽、鍺、砷化鎵、磷化鎵或氮化鎵。高分子化合物可列舉例如纖維素醋酸酯、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、三醋酸酯、聚碳酸酯或碳纖維強化樹脂。金屬可列舉例如鋁、鐵、銅或金屬氧化物。
此外，從閃爍器面板的搬運便利性以及閃爍器面板朝輕量化發展的觀點看來，基板的厚度係以2.0mm以下為佳，1.0mm以下為較佳。另外，為了高效率地利用螢光體的發光光線，宜為反射率高的基板。合適的基板的材料可列舉玻璃或高分子化合物。特別合適的例子可列舉高反射聚酯基板。從放射線穿透性高且低比重的觀點看來，高反射聚酯基板係以含有氣孔的白色聚酯基板為更佳。
在基板上形成螢光體層。螢光體層含有螢光體粉末。此處的螢光體粉末，是指平均粒徑D50為40μm以下的螢光體。螢光體可列舉例如CsI、CsBr、Gd2O2S(以下稱為「GOS」)、Gd2SiO5、BiGe3O12、CaWO4、Lu2O2S、Y2O2S、LaCl3、LaBr3、LaI3、CeBr3、CeI3或LuSiO5。為了提高發光效率，亦可在螢光體中添加活化劑。活化劑可列舉例如鈉(Na)、銦(In)、鉈(Tl)、鋰(Li)、鉀(K)、銣(Rb)、鈉(Na)、鋱(Tb)、鈰(Ce)、銪(Eu)或鐠(Pr)， 而基於化學的安定性高且發光效率高的緣故，宜為在GOS中添加Tb而成的Tb活化GOS(GOS：Tb)。
螢光體粉末宜為球狀、扁平狀或棒狀等。螢光體的平均粒徑D50宜為0.1~40μm，較佳為1.0~25μm，更佳為1.0~20μm。另一方面，若D50未滿0.1μm，則會有因為螢光體的表面缺陷，而無法得到充足發光的情形。另外，若D50超過40μm，則會有各個光電轉換元件的檢測強度變動大，而無法得到鮮明影像的情形。
螢光體粉末的平均粒徑D50可使用粒度分布測定裝置(例如MT3300；日機裝股份有限公司製)，在充滿水的試樣室中加入螢光體粉末，在進行超音波處理300秒鐘之後作測定。
螢光體層的表面具有多個凹陷。此處的螢光體層的表面，是指在螢光體層之中，位於與基板相反側的一面。藉由螢光體層所具有的凹陷，可使螢光體的發光光線在此處聚光，而抑制發光光線的散射，因此可得到較鮮明影像。另外，藉由使螢光體層具有凹陷，可減少螢光體的發光光線在到達光電轉換層之前螢光體造成的光線吸收，而高效率地利用發光光線。
螢光體層所具有的凹陷的形狀，可列舉例如第1圖或第3圖~第5圖所示的形狀。
螢光體層的凹陷開口部的面積A必須為500~70000μm2。若面積A未滿500μm2，則無法使螢光體的發光光線在凹陷處聚光，而無法抑制發光光線的散射。另一方面，若面積A超過70000μm2，則因為凹陷大於光 電轉換元件的畫素大小，各個畫素的檢測光量發生變異，因此無法得到鮮明影像。
面積A可使用雷射顯微鏡(例如VK-9500；Keyence股份有限公司製)，以20倍的倍率對於由與基板垂直的方向掃描螢光體層所得到的影像進行解析而求得。較具體而言，可藉由在掃描到的影像之中隨機選擇5個凹陷，測定在數學上因應各開口部的形狀求出面積所須的長度(例如開口部的形狀如果為正圓，則為其直徑；開口部的形狀如果為正方形，則為其邊長)，求得各開口部面積，然後計算5個的平均值而求得。
第6圖係表示一模式地表示了本發明閃爍器面板的一態樣之剖面圖。在閃爍器面板2之中，在基板4上形成了厚度T的螢光體層7。螢光體層7的表面具有多個凹陷。將凹陷開口部的最大寬度定為W、深度定為D。另外，將相鄰凹陷彼此的間隔定為間距P。此處的相鄰凹陷彼此的間隔，是指某個凹陷開口部的中心點至相鄰凹陷的中心點的距離。
凹陷開口部的最大寬度W係以30~300μm為佳，40~250μm為較佳，40~150μm為更佳。若開口部的最大寬度W未滿30μm，則會有無法在凹陷處使螢光體的發光光線聚光，無法抑制發光光線的散射以得到鮮明影像的情形。另一方面，若開口部的最大寬度W超過300μm，則各個光電轉換元件的畫素的檢測光量發生變異，因此會有無法得到鮮明影像的情形。
凹陷開口部的最大寬度W，可使用雷射顯微 鏡(例如VK-9500；Keyence股份有限公司製)，以20倍的倍率對於由與基板垂直的方向掃描螢光體層所得到的影像進行解析而求得。較具體而言，可藉由在掃描到的影像之中隨機選擇5個凹陷，計算出在數學上因應各開口部的形狀所須的長度(例如開口部的形狀如果為正圓，則為其直徑；開口部的形狀如果為正方形，則為其對角線長度)，取5個的平均值而求得。
螢光體層的厚度T係以120~1000μm為佳，120~500μm為較佳，120~350μm為更佳。若螢光體層的厚度T未滿120μm，則會有無法使放射線充分轉換為可見光，而無法得到強度足夠的發光光線的情形。另一方面，若螢光體厚度T超過1000μm，則會有放射線最先照射到而且存在於放射線的照射方向側的螢光體所產生的高強度的發光光線無法到達光電轉換層，而無法高效率地利用發光光線的情形。甚至必須使用大量的螢光體粉末，而使閃爍器面板的成本增加。
螢光體層的厚度T可藉由以下的方法測定。首先，隨機選擇螢光體層沒有凹陷的位置，沿與基板垂直的方向切斷。使用光學顯微鏡(例如OPTISHOT；Nikon股份有限公司製)，以倍率20倍觀察其剖面，將所得到的影像之中，隨機選擇5個測定位置，測出各測定位置的螢光體層高度。重覆此操作5次，將所得到的全部高度值(5×5)的平均值定為螢光體層的厚度T。
螢光體層的凹陷深度D，可使用雷射顯微鏡(例如VK-9500；Keyence股份有限公司製)，以20倍的倍率 對於由與基板垂直的方向掃描螢光體層所得到的影像進行解析而求得。較具體而言，在掃描而得的影像之中，隨機選擇5個凹陷，計算出在與基板垂直的方向上各開口部至最深部的距離的平均值，可求得凹陷的深度D。
螢光體層的厚度T與螢光體層的凹陷深度D之比D/T必須為0.1~0.9宜為0.2~0.8。若D/T未滿0.1，則無法將放射線充分轉換為可見光，而無法得到強度足夠的發光光線。另外，在凹陷處聚光的螢光體發光光線會在基板側漏光，而無法到達光電轉換層，發光光線的利用效率降低。另一方面，若D/T超過0.9，則無法使螢光體的發光光線在凹陷處聚光，而無法抑制發光光線的散射以得到鮮明影像。
螢光體層係以表面具有500~50000個/cm2的凹陷為佳，進一步以具有1200~15000個/cm2的凹陷為較佳。若凹陷的數目未滿500個/cm2，則會有光電轉換元件一個畫素所對應的螢光體層的凹陷數目的變異變大，而無法得到鮮明影像的情形。另一方面，若凹陷的數目超過50000個/cm2，則由於無法在凹陷處使螢光體的發光光線聚光，甚至螢光體粉末的量降低，因此會有無法得到強度足夠的發光光線的情形。
螢光體層所具有的凹陷的數目，可藉由使用光學顯微鏡(例如OPTISHOT；Nikon股份有限公司製)，以20倍的倍率對於由與基板垂直的方向掃描螢光體層所得到的影像進行解析而求得。較具體而言，可藉由在掃描的影像之中，隨機選擇10處1mm2的區域，分別測定凹 陷的數目，將其平均值轉換為每1cm2之值而求得。
相鄰凹陷彼此的間距P只要因應所對應的光電轉換元件的間距適當地變更即可，而以50~350μm的範圍為佳，50~280μm的範圍為較佳。另外，相鄰凹陷彼此的間距P宜為前述範圍內的一定值。亦即，為了使光電轉換元件每畫素所對應的凹陷數目均勻，螢光體層所具有的凹陷，宜為以50~350μm的範圍內的一定值等間隔地設置。若間距P未滿50μm，則會有無法在凹陷處使螢光體的發光光線聚光的情形。另一方面，若間距P超過350μm，則會有難以使光電轉換元件每個畫素對應一個以上的凹陷的情形。間距P係以50~280μm的範圍內的一定值為較佳。
相鄰凹陷彼此的間距P，可使用雷射顯微鏡(例如VK-9500；Keyence股份有限公司製)，以20倍的倍率對於由與基板垂直的方向掃描螢光體層所得到的影像進行解析而求得。較具體而言，在掃描到的影像之中，隨機測定10個由凹陷開口部的中心點至相鄰的凹陷的中心點為止的距離，計算其平均值，定為凹陷的間距P。
螢光體層所具有的凹陷形狀，宜為與基板平行方向的凹陷剖面的面積在開口部為最大，並且凹陷深度D即使變大，該水平方向的面積也沒有變化，或隨著深度D變大，該水平方向的面積變小的形狀。螢光體層所具有的凹陷的形狀，宜為以開口部為底面的略圓錐狀等。此處的略圓錐狀的「略」，凹陷的形狀並沒有必要嚴格地意指圓錐，底面(凹陷的開口部形狀)亦可為橢圓或頂 點(凹陷的最深部形狀)亦可如第2圖所示般呈現圓角。藉由使凹陷成為這種形狀，在凹陷處聚光的發光光線不會被封閉在凹陷內部，可高效率地利用發光光線。
在基板上形成螢光體層的方法，可列舉在基板上塗布含螢光體粉末的糊劑、亦即螢光體糊劑，形成塗膜的方法。藉由在以這種方式所得到的螢光體糊劑的塗膜形成凹陷，可得到表面具有多個凹陷的螢光體層。用來得到塗膜的螢光體糊劑塗布方法，可列舉例如網版印刷法、棒式塗布機、輥式塗布機、模塗布機或刮刀式塗布機。
螢光體糊劑亦可含有有機黏結劑。有機黏結劑可列舉例如聚乙烯丁醛、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯醇、乙基纖維素、甲基纖維素、聚乙烯、聚甲基矽氧烷或聚甲基苯基矽氧烷等的矽樹脂、聚苯乙烯、丁二烯/苯乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚乙烯基吡咯啶酮、聚醯胺、高分子量聚醚、環氧乙烷與環氧丙烷的共聚物、聚丙烯醯胺或丙烯酸樹脂。
螢光體糊劑亦可含有有機溶劑。在螢光體糊劑含有有機黏結劑的情況，有機溶劑宜為其良溶劑並且宜具有強的氫鍵。這樣的有機溶劑，可列舉例如二乙二醇單丁醚醋酸酯、乙二醇單丁醚醇、二乙二醇單丁醚、甲基乙基酮、環己酮、異丁醇、異丙醇、萜品醇、苄醇、四氫呋喃、二甲基亞碸、二氫萜品醇、γ-丁內酯、醋酸二氫萜品酯、3-甲氧基-3-甲基-甲基丁醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚醋酸酯、N,N-二甲基甲醯胺、己二醇 或安息香酸溴。
為了調整黏度，螢光體糊劑亦可含有增黏劑、可塑劑或抗沉澱劑。
在螢光體糊劑的塗膜形成凹陷的方法，可列舉例如蝕刻法、金屬模具壓延法、噴砂法、感光性糊劑法等。尤其以使用壓延機將形成了對應於凹陷的凸型圖形的金屬模具來擠壓螢光體糊劑塗膜的方法，由於步驟數少、螢光體糊劑材料的選擇性高、形成凹陷之後可抑制雜質混入螢光體糊劑塗膜，故為適合。金屬模具的材料可為金屬、陶瓷、或樹脂，而宜為透明或白色的陶瓷。另外，形成於金屬模具的凸型圖形，由於如上述般對應於凹陷，因此需依照目標的凹陷形狀及間距來形成。具體而言，宜依照上述合適的凹陷形狀及間距來形成金屬模具的凸型圖形。
具體而言，使用在螢光體糊劑塗膜上形成凸型圖形的金屬模具，在0.1~100MPa下進行壓延為佳，在0.3~10MPa下進行壓延為較佳。此外，在使用金屬模具進行壓延時，藉由加熱至25~200℃，可適當地在螢光體糊劑塗膜形成凹陷。
閃爍器面板宜進一步具有將螢光體層分隔成多個槽(cell)的隔牆。
第7圖為模式地表示了具備具有隔牆態樣的閃爍器面板之放射線影像檢測裝置的構成之剖面圖。第7圖所示的閃爍器面板2具備基板4、載置於基板4上的隔牆6、及藉由隔牆6分隔成多個槽的螢光體層7。螢光體層7 也具有多個凹陷。
在基板4與隔牆6之間宜形成緩衝層5。藉由形成緩衝層5，可安定的形成隔牆6。另外，藉由提高此緩衝層5對於可見光的反射率，可使螢光體層7所含的螢光體粉末的發光光線高效率地到達檢測基板上3的光電轉換層10。
此外，藉由在被隔牆6分隔的各槽內形成反射率高的反射層8，可使螢光體層7所含的螢光體粉末的發光光線高效率地到達檢測基板3的光電轉換層10。
由於螢光體層會被隔牆分隔，因此藉由使呈格子狀設置在檢測基板3的光電轉換元件的畫素的大小及間距與被閃爍器面板2的隔牆分隔而成的槽的大小及間距對應的方式來設置光電轉換層10的光電轉換元件，可防止螢光體的發光光線散射對相鄰的槽造成影響。
隔牆高度h係以120~1000μm為佳，160~500μm為較佳。若高度h超過1000μm，則會有難以形成隔牆的情形。另一方面，若高度h未滿120μm，則螢光體粉末量降低，因此會有無法得到強度足夠的發光光線的情形。
隔牆的形狀只要依照檢測基板所具備的光電轉換元件的畫素的形狀適當地選擇即可，而以如第8圖所示般的格子狀為佳。分隔成格子狀的槽的開口部形狀，可列舉例如正方形、長方形、平行四邊形或梯形，而從發光光線強度較均勻的觀點看來，宜為正方形。
在格子狀隔牆之中，相鄰隔牆之間的距離， 亦即間距P'，宜為50~1000μm。若間距P'未滿50μm，則會有難以形成隔牆的情形。另一方面，若間距P'超過1000μm，則會有無法得到鮮明影像的情形。
隔牆底部的寬度Wb宜為15~150μm。隔牆50%高度位置的寬度Wm宜為15~120μm。隔牆75%高度位置的寬度Ws及隔牆頂部寬度Wt宜為80μm以下。若寬度Wb及寬度Wm未滿15μm，則隔牆容易破損。另一方面，若寬度Wb超過150μm或寬度Wm超過120μm，則螢光體粉末量降低，因此會有無法得到強度足夠的發光光線的情形。若寬度Ws及Wt超過80μm，則會有螢光體的發光光線的行進受到阻礙，無法到達光電轉換層，發光光線的利用效率降低的情形。此外，寬度Wb如第9圖所示般，是指將隔牆沿其高度方向且長邊方向垂直切斷時，在剖面上隔牆與基板或緩衝層相接之處的隔牆寬度。此處的格子狀隔牆是在間距P'的一半位置切斷。另外，寬度Wm是指在同剖面上高度為隔牆高度h的50%之處的隔牆寬度。寬度Ws是指在同剖面上高度為隔牆高度h的75%之處的隔牆寬度。寬度Wt是指在同剖面上高度為隔牆高度h的90%之處的隔牆寬度。高度h、寬度Wb、寬度Wm、寬度Ws及寬度Wt可藉由以SEM觀察隔牆的剖面，測定3處以上，並計算該等的平均值而求得。此外，為了使螢光體的發光光線效率良好地到達光電轉換層，隔牆的剖面宜為隔牆其寬度由底部往頂部減少的形狀，亦即如第7圖及第9圖所示般的錐形。
隔牆的材質，可列舉例如丙烯酸系樹脂、聚 酯系樹脂或環氧系樹脂等的樹脂、玻璃或金屬。從生產性及機械強度的觀點看來，宜以玻璃為主成分。此處以玻璃為主成分，是指玻璃在隔牆中所占的比例為60質量%以上。該比例係以70質量%以上為較佳。
形成隔牆的方法，可列舉例如蝕刻法、網版印刷法、噴砂法、金屬模具轉印法或感光性糊劑法。為了得到高精細的隔牆，宜採用感光性糊劑法。
感光性糊劑法是指具有下述步驟之隔牆的形成方法：在基板上塗布含有感光性有機成分的感光性糊劑，形成感光性糊劑塗膜之塗布步驟；透過具有所希望的開口部的光罩使所得到的感光性糊劑塗膜曝光之曝光步驟；將曝光後的感光性糊劑塗膜的可溶於顯像液的部分溶解除去之顯像步驟。
另外還可進一步具有：使上述感光性糊劑內含有低熔點玻璃粉末，將顯像步驟後的感光性糊劑圖形加熱至高溫，將有機成分分解餾除，同時使低熔點玻璃軟化及燒結，而形成隔牆之燒成步驟。
燒成步驟中的加熱溫度係以500~700℃為佳，500~650℃為較佳。若加熱溫度為500℃以上，則有機成分會完全分解餾除，同時低熔點玻璃粉末會軟化及燒結。另一方面，若加熱溫度超過700℃，則會有基板等的變形嚴重的情形。
感光性糊劑係以含有有機成分與無機粉末為佳。無機粉末在感光性糊劑中所占的比例係以30~80質量%為佳，40~70質量%為較佳。若無機粉末的比例未滿 30質量%，則亦即若有機成分過多，則燒成步驟中的收縮率變大，隔牆容易破損。另一方面，若無機粉末的含量超過80質量%，亦即有機成分過少，則對感光性糊劑的安定性或塗布性造成不良影響，不僅如此，無機粉末的分散性降低，隔牆容易破損。另外，低熔點玻璃粉末在無機粉末中所占的比例宜為50~100質量%。若低熔點玻璃粉末的比例未滿50質量%，則會有燒結不充分，隔牆強度降低的情形。
低熔點玻璃粉末的軟化溫度宜為480℃以上。若軟化溫度未滿480℃，則會有有機成分並未被分解餾除而殘存於玻璃中，導致著色等的情形。如果考慮到燒成步驟中的加熱溫度，則低熔點玻璃的軟化溫度係以480~700℃為佳，480~640℃為較佳，480~620℃為更佳。
低熔點玻璃的軟化溫度可使用示差熱分析裝置(例如差動型示差熱天秤TG8120；Rigaku股份有限公司製)來測定樣品，由所得到的DTA曲線，藉由切線法外插來計算吸熱峰的吸熱結束溫度。較具體而言，以氧化鋁粉末作為標準試樣，使示差熱分析裝置從室溫開始以20℃/分鐘昇溫，測定作為待測樣品的低熔點玻璃粉末，而得到DTA曲線。由所得到的DTA曲線，可藉由切線法外插求得吸熱峰的吸熱結束溫度，將所得到的軟化點Ts定為低熔點玻璃的軟化溫度。
低熔點玻璃的熱膨脹係數係以40~90×10-7(/K)為佳。若熱膨脹係數超過90×10-7(/K)，則會有所得到的閃爍器面板的彎曲變大，發光光線的串擾等 造成影像鮮明度降低的情形。另一方面，若熱膨脹係數未滿40×10-7(/K)，則會有低熔點玻璃的軟化溫度不夠低的情形。
用來使玻璃低熔點化所含有的成分，可列舉例如氧化鉛、氧化鉍、氧化鋅或鹼金屬氧化物。宜依照選自氧化鋰、氧化鈉及氧化鉀所構成的群組中的鹼金屬氧化物的含有比例來調整低熔點玻璃的軟化溫度。
鹼金屬氧化物在低熔點玻璃中所占的比例宜定為2~20質量%。若鹼金屬氧化物的比例未滿2質量%，則低熔點玻璃的軟化溫度變高，在進行燒成步驟時必須在高溫加熱，基板容易歪曲，或隔牆容易破損。另一方面，若鹼金屬氧化物的比例超過20質量%，則燒成步驟之中，低熔點玻璃的黏度過度降低，所得到的隔牆形狀容易歪曲。另外，所得到的隔牆的空隙率變得過小，所得到的閃爍器面板無法得到強度足夠的發光光線。
低熔點玻璃除了含有鹼金屬氧化物之外，為了調整在高溫下的黏度，宜含有氧化鋅3~10質量%。若氧化鋅的比例未滿3質量%，則低熔點玻璃在高溫下黏度過高。另一方面，若氧化鋅的比例超過10質量%，則低熔點玻璃的成本上升。
此外，低熔點玻璃除了含有上述鹼金屬氧化物及氧化鋅之外，還可藉由含有氧化矽、氧化硼、氧化鋁及鹼土類金屬之氧化物等來調整低熔點玻璃的安定性、結晶性、透明性、折射率及熱膨脹特性等。鹼土類金屬的氧化物宜含有選自鎂、鈣、鋇及鍶所構成的群組中 的氧化物。
將合適的低熔點玻璃的組成的一例揭示如下。
鹼金屬氧化物：2~20質量%
氧化鋅：3~10質量%
氧化矽：20~40質量%
氧化硼：25~40質量%
氧化鋁：10~30質量%
鹼土類金屬氧化物：5~15質量%。
低熔點玻璃粉末的平均粒徑D50宜為1.0~4.0μm。若平均粒徑D50未滿1.0μm，則會有低熔點玻璃粉末凝集，分散性降低，而對糊劑的塗布性造成不良影響的情形。另一方面，若平均粒徑D50超過4.0μm，則隔牆表面的凹凸變大，容易導致其破損。
以低熔點玻璃粉末為首的無機粉末，其平均粒徑D50可使用粒度分布測定裝置(例如MT3300；日機裝股份有限公司製)，在充滿水的試樣室中加入無機粉末，在進行超音波處理300秒鐘之後作測定。
在燒成步驟中，為了控制收縮率或保持隔牆形狀，感光性糊劑的無機粉末亦可進一步含有填料。此處的填料是指在700℃亦不會軟化的無機粉末。填料宜為高熔點玻璃或氧化矽、氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯等的陶瓷粒子。但是，為了使低熔點玻璃的燒結不會受到阻礙，填料在無機粉末中所占的比例宜為未滿50質量%。另外，填料的平均粒徑D50宜為0.1~4.0μm。
感光性糊劑所含的感光性有機成分，可列舉例如感光性單體、感光性寡聚物、感光性聚合物或光聚合起始劑。此處的感光性單體、感光性寡聚物及感光性聚合物是指具有活性的碳-碳雙鍵，藉由活性光線的照射發生光交聯或光聚合等，而改變化學構造的單體、寡聚物及聚合物。
感光性單體可列舉例如具有乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基或丙烯醯胺基的化合物，而宜為多官能丙烯酸酯化合物或多官能甲基丙烯酸酯化合物。為了提升交聯密度，多官能丙烯酸酯化合物及多官能甲基丙烯酸酯化合物在有機成分中所占的比例宜為10~80質量%。
感光性寡聚物及感光性聚合物可列舉例如使丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、巴豆酸、馬來酸、富馬酸、醋酸乙烯酯或該等的酸酐等的含羧基的單體，與甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯、苯乙烯、丙烯腈、醋酸乙烯酯或2-羥基丙烯酸酯等的單體，進行共聚合而成的具有羧基的共聚物。將活性的碳-碳雙鍵導入寡聚物或聚合物的方法，可列舉例如對於寡聚物或聚合物中的巰基、胺基、羥基或羧基，使具有縮水甘油基或異氰酸酯基的乙烯性不飽和化合物、丙烯酸醯氯、甲基丙烯酸醯氯或烯丙基氯或馬來酸等的羧酸進行反應的方法。
此外，藉由使用具有胺甲酸乙酯構造的單體或寡聚物，在進行燒成步驟時，加熱開始之後會發生應力緩和，可得到圖形不易破損的感光性糊劑。
光聚合起始劑是指藉由活性光線的照射而產 生自由基的化合物。光聚合起始劑可列舉例如二苯酮、o-苯甲醯基安息香酸甲酯、4,4-雙(二甲基胺基)二苯酮、4,4-雙(二乙基胺基)二苯酮、4,4-二氯二苯酮、4-苯甲醯基-4-甲基二苯酮、二苄基酮、茀酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基苯丙酮、噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、二乙基噻噸酮、二苯基乙二酮、苄基甲氧基乙基縮醛、安息香、安息香甲醚、安息香丁醚、蒽醌、2-第三丁基蒽醌、蒽酮、苯并蒽酮、二苯并環庚酮、亞甲基蒽酮、4-疊氮亞苄基苯乙酮、2,6-雙(對疊氮亞芐基)環己酮、2,6-雙(對疊氮亞芐基)-4-甲基環己酮、1-苯基-1,2-丁二酮-2-(O-甲氧基羰基)肟、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1,3-二苯基丙三酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-3-乙氧基丙三酮-2-(O-苯甲醯基)肟、米其勒酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)丁酮-1、萘磺醯氯、喹啉磺醯氯、N-苯基硫代吖啶酮、二硫化苯并噻唑、三苯基膦、過氧化苯甲醯、曙紅或亞甲基藍等的光還原性的色素與抗壞血酸或三乙醇胺等的還原劑的組合。
在感光線性糊劑含有具有羧基的共聚物的情況，可提升對鹼水溶液的溶解性。具有羧基的共聚物的酸價宜為50~150mgKOH/g。若酸價為150mgKOH/g以下，則顯像容許量變大。另一方面，若酸價為50mgKOH/g以上，則未曝光部對於顯像液的溶解性不會降低，使用低濃度的顯像液即可得到細線的隔牆圖形。具有羧基的 共聚物宜為在側鏈具有乙烯性不飽和基。乙烯性不飽和基可列舉例如丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基或烯丙基。
感光性糊劑所含的低熔點玻璃粉末的平均折射率n1與感光性有機成分的平均折射率n2以滿足-0.1≦n1-n2≦0.1的關係為佳，滿足-0.01≦n1-n2≦0.01的關係為較佳，以滿足-0.005≦n1-n2≦0.005的關係為更佳。藉由滿足這些條件，在曝光步驟之中，在低熔點玻璃粉末與感光性有機成分的界面，光線散射會受到抑制，可形成較高精細的圖形。
低熔點玻璃粉末的平均折射率n1可藉由貝克線檢測法來測定。較具體而言，可在25℃下以波長436nm(g射線)進行折射率測定5次，將其平均值定為n1。另外，感光有機成分的平均折射率n2，可藉由對於僅由感光性有機成分形成的塗膜以橢圓偏振儀作測定而求得。較具體而言，可在25℃下以波長436nm(g射線)進行折射率測定5次，將其平均值定為n2。
感光性糊劑之製造方法，可列舉例如在無機粉末及感光性有機成分中因應必要加入有機溶劑等，以三輥機或混練機使其均質地混合分散的方法。
感光性糊劑的黏度，可藉由添加例如無機粉末、增黏劑、有機溶劑、聚合禁止劑、可塑劑或抗沉澱劑來適當地調整。感光性糊劑的黏度宜為2~200Pa．s。在以旋轉塗布法塗布感光性糊劑的情況，宜為2~5Pa．s，在藉由網版印刷法塗布一次得到膜厚為10~40μm 的塗膜的情況，宜為50~200Pa．s。
將使用感光性糊劑的隔牆之製造方法的一例揭示如下。在基板上的整個表面或一部分塗布感光性糊劑，而形成感光性糊劑塗膜。塗布的方法，可列舉例如旋轉塗布法、網版印刷法或使用棒式塗布機、輥式塗布機、模塗布機或刮刀式塗布機的方法。感光性糊劑塗膜的厚度可藉由例如塗布次數、絲網的網目大小或感光性糊劑的黏度適當地調整。
所得到的感光性糊劑塗膜的曝光，一般是利用透過光罩進行曝光的方法，亦可藉由雷射光等直接描繪而進行曝光。曝光光可列舉例如近紅外線、可見光或紫外線，宜為紫外線。紫外線的光源可列舉例如低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、鹵素燈或殺菌燈，而宜為超高壓水銀燈。曝光條件可列舉例如使用1~100mW/cm2的輸出的超高壓水銀燈，曝光0.01~30分鐘。
藉由利用曝光後的感光性糊劑塗膜的曝光部分與未曝光部分對顯像液的溶解度差將未曝光部分溶解除去，因應必要水洗(清洗)及乾燥，可得到隔牆的圖形。顯像的方法可列舉例如浸漬法、噴霧法、刷磨法或超音波法，而在隔牆高度h超過300μm的情況，宜為噴霧法或超音波法。
超音波法是指藉由超音波將未曝光部分溶解除去的方法。不僅是未曝光部分，曝光部分硬化不足的半硬化部分也會被顯像液侵蝕而發生溶解反應，因此可形成線寬較細的隔牆圖形。此外，顯像後的水洗(清洗) 亦可採用超音波法。
為了使顯像液對未曝光部分及曝光部分的侵蝕分別在適當的程度，在進行超音波法時，超音波頻率宜為20~50kHz。每單位面積基板的超音波強度(功率密度)宜為40~100W/cm2。超音波的照射時間係以20~600秒鐘為佳，30~500秒鐘為較佳，60~300秒鐘為更佳。
在感光性糊劑含有具有羧基的共聚物等的具有酸性基的化合物的情況下，能夠以鹼水溶液作為顯像液。鹼水溶液可列舉例如氫氧化鈉、碳酸鈉、或氫氧化鈣等的無機鹼之水溶液或四甲基氫氧化銨、三甲基苄基氫氧化銨、單乙醇胺或二乙醇胺等的有機鹼之水溶液。從在燒成步驟中容易分解餾除的觀點看來，宜為有機鹼水溶液。為了使未曝光部分及曝光部分的溶解分別在適當的程度，有機鹼水溶液的濃度係以0.05~5質量%為佳，0.1~1質量%為較佳。從步驟控制的觀點看來，顯像時的溫度宜為20~50℃。
適用燒成步驟的情況，是在空氣、氮或氫等的氣體環境下，以燒成爐將如上述方式所得到的隔牆的圖形燒成。燒成爐可列舉例如批次式燒成爐或帶(belt)式連續型燒成爐。
在將含有低熔點玻璃的隔牆的圖形燒成的情況下，含有低熔點玻璃的無機粉末在燒成步驟之中會軟化及燒結，互相熔接，然而其間會有空隙殘存。隔牆所含的該空隙的存在比率可藉由燒成步驟的加熱溫度來調整。為了兼顧螢光體的發光光線的效果的反射與隔牆的 強度，空隙在隔牆全體中所占的比例，亦即空隙率，係以2~25體積%為佳，5~25體積%為較佳，5~20體積%為更佳。若空隙率未滿2%，則會有隔牆的反射率變低，閃爍器面板的發光量降低的情形。另一方面，若空隙率超過25%，則會有隔牆的強度不足的情形。
空隙率可藉由將隔牆的剖面精密研磨，然後以電子顯微鏡進行觀察來作測定。較具體而言，將空隙與其以外的無機粉末所產生的部分轉換為2階調影像，將空隙面積在隔牆剖面之中所占的比例定為空隙率。
為了在燒成步驟中應力緩和，在隔牆與基板之間宜形成緩衝層。為了提高緩衝層的反射率，緩衝層的材質宜為低熔點玻璃或陶瓷。低熔點玻璃可列舉與用來形成隔牆的感光性糊劑所含的玻璃同樣的玻璃。陶瓷可列舉例如氧化鈦、氧化鋁或氧化鋯。此外，為了使螢光體的發光光線不穿透過緩衝層，緩衝層對於波長550nm的光線的反射率宜為60%以上。
緩衝層可藉由將有機成分與低熔點玻璃粉末或陶瓷粉末等的無機粉末分散於溶劑，將所得到的糊劑塗布於基板並使其乾燥而形成塗膜，然後進行燒成而形成。燒成溫度係以500~700℃為佳，500~650℃為較佳。
閃爍器面板宜在螢光體層與隔牆之間具備凹形反射層。此處的凹形，是指各槽內的反射層的上面，亦即位於與基板相反側的一面，呈現朝向基板側凹陷的狀態。藉由在被隔牆分隔的各槽內形成凹形反射層，可使螢光體的發光光線反射，而減低發光光線在隔牆側漏 光。
反射層的材質可採用能夠使放射線透射，且可使螢光體發光光線的波長300~800nm可見光反射的材料。基於劣化少的緣故，係以銀、金、鋁、鎳或鈦等的金屬或氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁或氧化鋅等的陶瓷為適合。
凹形反射層的厚度係以0.01~50μm為佳，0.1~20μm為較佳。若反射層的厚度為0.01μm以上，則反射率變高。另一方面，若反射層的厚度超過50μm，則螢光體粉末的量降低，因此發光光線變弱。
凹形反射層的厚度，可藉由對於將隔牆沿其高度方向且與長邊方向垂直切斷時的剖面以SEM測定反射層剖面厚度3處以上，計算該等的平均值而求得。此處的格子狀隔牆是在間距P'的一半位置切斷。
反射膜的形成方法可列舉例如真空製膜法、鍍敷法、糊劑塗布法或利用噴霧器進行噴射。
糊劑塗布法的具體例，可列舉將反射層糊劑填充至被隔牆分隔的槽內並使其乾燥的方法，該反射層糊劑包含：氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁或氧化鋅等的白色陶瓷的粉末；乙基纖維素樹脂或聚乙烯基丁醛樹脂等的黏結劑樹脂；與有機溶劑。
在閃爍器面板具有隔牆的情況中，由隔牆上塗布螢光體糊劑，而將螢光體糊劑填充至被隔牆分隔的槽中。
將螢光體糊劑填充至各槽內的方法，可列舉 例如網版印刷法、棒式塗布機、輥式塗布機、模塗布機或刮刀式塗布機。藉由在真空下填充螢光體糊劑，或在填充螢光體糊劑後放置於真空下一定時間，可抑制會造成影像缺陷的螢光體層氣孔的發生。
在此態樣之中，在螢光體層的表面形成凹陷的方法，可列舉例如將螢光體糊劑填充至槽，然後使該螢光體糊劑乾燥的方法。此情況下，可藉由控制螢光體糊劑的黏度、螢光體糊劑的固體成分比率、或乾燥的條件等，而將螢光體層所具有的凹陷設定為任意的形狀。此情況下，螢光體糊劑黏度宜為10~500Pa．s。另外，螢光體糊劑的固體成分比率是指無法藉由乾燥餾除的成分在螢光體糊劑全體之中所占的比例。螢光體糊劑的固體成分比率宜為5~95體積%。此外，乾燥的方法可列舉例如熱風乾燥或IR乾燥。
將模式地表示了這種閃爍器面板的一態樣的剖面圖表示於第10圖。螢光體層的凹陷開口部的面積A可如前述方式求得。另外，將高度為隔牆高度h的50%之處的開口部面積定為Am，高度為隔牆高度h的75%之處的開口部面積定為As。以與開口部面積A同樣的方法可測定Am及As。
另外，在螢光體糊劑的塗膜形成凹陷的另一個方法，可列舉例如將螢光體糊劑填充至槽，然後將其表面以突起物壓延的方法。
此外，在閃爍器面板具有隔牆的情況，在各槽中可分別形成一個凹陷或形成多個凹陷。
無論是否具有隔牆，螢光體層宜為由螢光體粉末填充密度相異的多個層所構成。螢光體粉末填充密度最高的層，亦即高填充密度螢光體層，具有高反射率。在放射線的照射方向為基板側的情況下，高填充密度螢光體層宜位於基板側。另外，藉由在被隔牆分隔的各槽內形成凹形高填充密度螢光體層，可使螢光體的發光光線反射，而減少發光光線在隔牆側漏光。螢光體層的填充密度，可藉由將螢光體糊劑以使乾燥後的塗膜厚度成為300μm的方式塗布，並在常壓下以100℃的IR乾燥爐使其乾燥2小時，由所形成的螢光體糊劑塗膜每單位體積的質量來計算而得到。高填充密度螢光體層的填充密度係以3.0g/cm3以上為佳，4.0g/cm3以上為較佳。
以該閃爍器面板的具有前述凹陷的螢光體層與設置於該檢測基板的光電轉換元件呈對向的方式，將以如上述方式所得到的閃爍器面板與檢測基板進行設置，並經過將前述凹陷與前述光電轉換元件對齊的對齊步驟、以及透過接著層將該閃爍器面板與該檢測基板接著的貼合步驟，可得到放射線影像檢測裝置。
將形成凹陷的閃爍器面板2與形成光電轉換元件的檢測基板3對齊的方法並未受到特別限定，宜為以輝度最高、影像不會發生波紋的方式對齊。
以下列舉不具有隔牆的態樣的閃爍器面板2與檢測基板3的對齊步驟的一例。在閃爍器面板2側，在螢光體層表面的四個角落形成了與設置於畫素部的凹陷形狀相異形狀的凹陷以作為對位標記。此處的對位標記 的形狀並未受到特別限定，在凹陷的形狀呈略圓錐狀的情況，宜為例如十字形等。在檢測基板3側形成了與閃爍器面板2側對應的對位標記。藉由將閃爍器面板2的對位標記與檢測基板3的對位標記對齊，可將螢光體層表面的凹陷與光電轉換元件對齊。對位標記宜形成在比光電轉換層的檢測區域更外側的區域。
以下列舉具有隔牆的態樣的閃爍器面板2與形成光電轉換元件的檢測基板3的對齊步驟的一例。在閃爍器面板2側，在形成隔牆的區域的四個角落形成了具有與隔牆形狀不同形狀或大小的輔助隔牆以作為對位標記。此處的輔助隔牆的形狀並未受到特別限定，在隔牆形狀為格子狀的情況，宜為例如橢圓狀等。在檢測基板3側，形成了與閃爍器面板2側對應的對位標記。藉由將閃爍器面板2的輔助隔牆與檢測基板3的對位標記對齊，可將螢光體層表面的凹陷與光電轉換元件對齊。輔助隔牆宜形成在比光電轉換層的檢測區域更外側的區域。
在對齊步驟之後，藉由將閃爍器面板與檢測基板透過接著層加以接著，可得到放射線影像檢測裝置。藉由貼附黏著片或塗布黏著劑，可在檢測基板形成接著層。接著層的厚度宜在0.5~30μm的範圍。若接著層的厚度未滿0.5μm，則接著力低，故不適合。另一方面，在接著層的厚度大於30μm的情況下，螢光體層的發光光線穿透過接著層內時，光線會擴散，因此影像的清晰度降低。
螢光體層的發光光線會穿透接著層，然後被 光電轉換元件檢測，因此接著層的材料宜為螢光體發光波長的光線吸收少的材料。接著層的具體例並未受到特別限定，可列舉在透明聚酯薄膜的兩面塗布丙烯酸樹脂而成的黏著片等。
[實施例]
以下列舉實施例及比較例對本發明進一步具體說明，然而本發明並不受該等所限定。
(隔牆用感光性糊劑的製作)
在38質量份的有機溶劑中添加24質量份的感光性聚合物、6質量份的感光性單體x、4質量份的感光性單體y、6質量份的光聚合起始劑、0.2質量份的聚合禁止劑及12.8質量份的紫外線吸收劑溶液，在80℃下加熱溶解。將所得到的溶液冷卻，然後添加黏度調整劑9質量份，得到隔牆用有機溶液。
具體材料如以下所述。
感光性聚合物：使質量比為甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲基/苯乙烯=40/40/30的共聚物的羧基與0.4當量的縮水甘油基甲基丙烯酸酯發生加成反應而得到的物體(重量平均分子量43000；酸價100)
感光性單體x：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯
感光性單體y：四丙二醇二甲基丙烯酸酯
光聚合起始劑：2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)丁酮-1(IC369；BASF公司製)
聚合禁止劑：1,6-己二醇-雙[(3,5-二第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯])
紫外線吸收劑溶液：γ-丁內酯0.3質量%溶液(Sudan IV；東京應化工業股份有限公司製)
有機溶劑：γ-丁內酯
黏度調整劑：Flownon(註冊商標)EC121(共榮社化學股份有限公司製)
在以這種方式所得到的60質量份的隔牆用有機溶液中添加30質量份的低熔點玻璃粉末及10質量份的高熔點玻璃粉末，以三輥混練機混練，得到隔牆用感光性糊劑。
具體組成等如以下所述。
低熔點玻璃粉末：SiO2 27質量%、B2O3 31質量%、ZnO 6質量%、Li2O 7質量%、MgO 2質量%、CaO 2質量%、BaO 2質量%、Al2O3 23質量%；軟化溫度588℃；熱膨脹係數68×10-7(/K)；平均粒徑D50為2.3μm
高熔點玻璃粉末：SiO2 30質量%、B2O3 31質量%、ZnO 6質量%、MgO 2質量%、CaO 2質量%、BaO 2質量%、Al2O3 27質量%；軟化溫度790℃；熱膨脹係數32×10-7(/K)；平均粒徑D50為2.3μm
(緩衝層用糊劑的製作)
在95質量份的上述隔牆用感光性糊劑中添加5質量份的氧化鈦粉末(平均粒徑D50為0.3μm)，並且混練，而得到緩衝層用糊劑。
(反射層糊劑A的製作)
將5質量份的有機黏結劑(乙基纖維素(100cP))在80℃下加熱使其溶於80質量份的有機溶劑(萜品醇)，在所得到的有機溶液中添加15質量份的金紅石型氧化鈦( 平均粒徑D50為0.25μm)並且混練，得到反射層糊劑A。
(反射層糊劑B的製作)
將5質量份的有機黏結劑(乙基纖維素(100cP))在80℃下加熱使其溶於60質量份的有機溶劑(萜品醇)，在所得到的有機溶液中添加35質量份的金紅石型氧化鈦(平均粒徑D50為0.25μm)並且混練，得到反射層糊劑B。
(反射層糊劑C的製作)
將5質量份的有機黏結劑(乙基纖維素(14cP))在80℃下加熱使其溶於80質量份的有機溶劑(萜品醇)，在所得到的有機溶液中添加15質量份的金紅石型氧化鈦(平均粒徑D50為0.25μm)並且混練，而得到反射層糊劑C。
(螢光體糊劑A的製作)
將30質量份的有機黏結劑(乙基纖維素(7cp)；比重1.1g/cm3)在80℃下加熱使其溶於70質量份的有機溶劑(萜品醇，比重0.93g/cm3)，得到有機溶液1。另外準備平均粒徑D50為10μm的Tb活化Gd2O2S(Gd2O2S：Tb、比重7.3g/cm3)作為螢光體粉末。
在15質量份的有機溶液1中混合85質量份的 螢光體粉末，得到螢光體糊劑A。使用螢光體糊劑A形成的螢光體層的填充密度為4.0g/cm3。
(螢光體糊劑B~H的製作)
依照表1所示的組成，藉由與有機溶液1的製作同樣的方法，製作出有機溶液2~6。接下來，依照表2所示的組成，藉由與螢光體糊劑A的製作同樣的方法製作出螢光體糊劑B~H。
(比較例1)
將上述螢光體糊劑A以使乾燥後的塗膜厚度成為300μm的方式以模塗布機塗布在100mm×100mm的白色PET薄膜基板(E6SQ；東麗股份有限公司製)上，以100℃的IR乾燥爐使其乾燥2小時，形成螢光體糊劑塗膜，亦即塗滿的螢光體層，得到閃爍器面板。將所得到的閃爍器面板的各參數示於表3。
將所得到的閃爍器面板設置於檢測基板FPD(PaxScan3030；Varian公司製)，製作出放射線影像 檢測裝置。由閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，以PaxScan3030檢測閃爍器面板的發光強度，其結果，可得到充分的發光強度。以下，將此比較例1的發光強度值定為100，進行相對評估。另外，透過鉛製的MTF圖，同樣地由閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，對於所得到的影像進行資料處理，計算出影像清晰度尺度的MTF。以下，將此比較例1的MTF的值定為影像清晰度100，進行相對評估。
(實施例1)
將上述螢光體糊劑A以使乾燥後的塗膜的厚度成為300μm的方式以模塗布機塗布在100mm×100mm的白色PET薄膜基板(E6SQ；東麗股份有限公司製)上，以100℃的IR乾燥爐使其乾燥2小時，形成螢光體糊劑塗膜，亦即塗滿的螢光體層。
準備縱橫間距皆為194μm的二維矩陣狀的方式形成多個凸狀圖形(半徑50μm、高度270μm的略圓錐狀)且在該多個凸狀圖形的四個角落分別形成線寬50μm的十字狀圖形的氧化鋁(熱膨脹係數71×10-7(/K))製的成形模具。將前述成形模具在溫度80℃下按壓在如上述般形成的螢光體層，使螢光體層表面形成凹陷，可得到具備表面具有多個凹陷的螢光體層之閃爍器面板。將所得到的閃爍器面板的各參數示於表3。
將所得到的閃爍器面板的十字狀凹陷對齊FPD(PaxScan3030)的對位標記而設置，製作出放射線影像檢測裝置。由閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp 的放射線，以PaxScan3030檢測閃爍器面板的發光強度，其結果，相對於比較例1發光強度的100，可得到如102這樣的較高發光強度。另外，透過鉛製的MTF圖，同樣地由閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，對於所得到的影像進行資料處理，計算出MTF，其結果，相對於比較例1影像清晰度的100，表現出如105這樣的較高數值。
(實施例2)
將凸狀圖形的高度變更為240μm，除此之外藉由與實施例1同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。將閃爍器面板的各參數及評估結果示於表3。以下實施例3~19及比較例2~4也同樣。
(實施例3)
將凸狀圖形的高度變更為200μm，除此之外藉由與實施例1同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例4)
將凸狀圖形的高度變更為150μm，除此之外藉由與實施例1同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例5)
將凸狀圖形的高度變更為100μm，除此之外藉由與實施例1同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例6)
將凸狀圖形的高度變更為40μm，除此之外藉由與實施例1同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例7)
將凸狀圖形的半徑變更為15μm，除此之外藉由與實施例4同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例8)
將凸狀圖形的半徑變更為30μm，除此之外藉由與實施例4同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例9)
將凸狀圖形的半徑變更為70μm，除此之外，藉由與實施例4同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例10)
將凸狀圖形的半徑變更為90μm，除此之外藉由與實施例4同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例11)
將凸狀圖形的間距變更為縱橫間距皆為127μm，除此之外藉由與實施例8同樣的方法得到閃爍器面板。
將此閃爍器面板設置於FPD(PaxScan2520；Varian公司製)，製作出放射線影像檢測裝置，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例12)
將凸狀圖形的間距變更為縱橫間距皆為83μm，除此之外藉由與實施例8同樣的方法得到閃爍器面板。
將此閃爍器面板設置於FPD(PaxScan3024；Varian公司製)，製作出放射線影像檢測裝置，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例13)
分別將螢光體糊劑塗膜的厚度變更為500μm，凸狀圖形的間距變更為縱橫間距皆為42μm，凸狀圖形的高度變更為200μm，除此之外藉由與實施例7同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例12同樣的評估。
(實施例14)
將凸狀圖形的間距變更為縱橫間距皆為582μm，將凸狀圖形的高度變更為100μm，除此之外藉由與實施例9同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。此外，在所得到的影像觀察到週期性的雜訊。
(實施例15)
分別將螢光體糊劑塗膜的厚度變更為150μm，凸狀圖形的半徑變更為30μm，凸狀圖形的高度變更為30μm，除此之外藉由與實施例1同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例16)
分別將螢光體糊劑塗膜的厚度變更為500μm，凸狀圖形的半徑變更為50μm，凸狀圖形的高度變更為200μm，除此之外藉由與實施例1同樣的方法得到閃爍器面板， 並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例17)
將凸狀圖形的形狀變更為縱橫間距皆為194μm、半徑50μm、高度150μm的圓柱狀，除此之外藉由與實施例1同樣的方法得到閃爍器面板，並且與實施例1同樣地進行評估。
(實施例18)
將凸狀圖形的形狀變更為縱橫間距皆為194μm、邊長100μm、高度150μm的正四角柱，除此之外藉由與實施例1同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例19)
將凸狀圖形的形狀變更為縱橫間距皆為194μm、邊長100μm、高度150μm的正四角錐，除此之外藉由與實施例1同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例20)
將上述螢光體糊劑G以使乾燥後的塗膜的厚度成為50μm的方式利用網版印刷機(Microtek製；網版為# 350POL網)全面印滿，以100℃的IR乾燥爐使其乾燥1小時，然後將上述螢光體糊劑A以使螢光體糊劑塗膜的合計厚度成為230μm的方式塗布，以100℃的IR乾燥爐使其乾燥1小時，形成填充密度的相異的多層構造的螢光體糊劑塗膜。
在塗膜的表面藉由與實施例5同樣的方法形 成凹陷，得到具備表面具有多個凹陷的螢光體層的閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例21)
以模塗布機塗布上述螢光體糊劑G以使乾燥後的塗膜的厚度成為50μm，然後塗布上述螢光體糊劑A以使螢光體糊劑塗膜的合計厚度成為230μm，以100℃的IR乾燥爐使其乾燥1小時，形成填充密度相異的多層構造的螢光體糊劑塗膜。
在塗膜的表面藉由與實施例6同樣的方法形成凹陷，得到具備表面具有多個凹陷的螢光體層的閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例22)
以模塗布機塗布上述螢光體糊劑G以使乾燥後的塗膜的厚度成為50μm，然後塗布上述螢光體糊劑A以使螢光體糊劑塗膜的合計厚度成為150μm，以100℃的IR乾燥爐使其乾燥1小時，形成填充密度相異的多層構造的螢光體糊劑塗膜。
在塗膜的表面藉由與實施例15同樣的方法形成凹陷，得到具備表面具有多個凹陷的螢光體層之閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(實施例23)
以模塗布機塗布上述螢光體糊劑G以使乾燥後的塗膜的厚度成為50μm，然後塗布上述螢光體糊劑A以使螢光體糊劑塗膜的合計厚度成為330μm，以100℃的IR乾燥爐使其乾燥2小時，形成填充密度相異的多層構造的螢光 體糊劑塗膜。
在塗膜的表面藉由與實施例5同樣的方法形成凹陷，得到具備表面具有多個凹陷的螢光體層之閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(比較例2)
將凸狀圖形的高度變更為280μm、半徑變更為70μm，除此之外藉由與實施例1同樣的方法，得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(比較例3)
將凸狀圖形的半徑變更為10μm，除此之外藉由與實施例4同樣的方法，得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。
(比較例4)
將凸狀圖形的半徑變更為160μm，除此之外藉由與實施例4同樣的方法得到閃爍器面板，並且進行與實施例1同樣的評估。此外，在所得到之影像中觀察到週期性的雜訊。
(比較例5)
將感光性糊劑以使乾燥後的塗膜厚度成為450μm的方式以模塗布機塗布在100mm×100mm的玻璃基板(鈉玻璃；熱膨脹係數90×10-7(/K)、基板厚度0.7mm)上，以100℃的IR乾燥爐使其乾燥4小時，形成感光性糊劑塗膜。透過具有對應於所希望的隔牆圖形的開口部的光罩(具有縱橫間距皆為194μm、線寬20μm的格子狀開口部的鉻光罩)，以曝光量500mJ/cm2的超高壓水銀燈使所得到的感光性糊劑塗膜曝光。使用35℃的0.5質量%乙醇胺水溶液作為顯像液，以壓力1.5kg/cm2沖洗420秒鐘使曝光後的感光性糊劑塗膜顯像，進一步在浸泡於顯像液的狀態下照射40kHz、100W/cm2的超音波240秒鐘，以壓力1.5kg/cm2進行沖洗，然後在120℃下使其乾燥10分鐘，形成格子狀感光性糊劑圖形。將所得到的感光性糊劑圖形在空氣中、585℃下燒成15分鐘，形成剖面形狀如表4所示般的格子狀隔牆。
使用網版印刷機(Microtek製；使用螢光體刮刀；網版為# 200SUS網)，重覆將螢光體糊劑A全面印滿在所形成的隔牆，以乾燥器進行真空處理，以60℃的IR乾燥器進行加熱處理60分鐘，然後以橡膠刮刀將溢出的螢光體糊劑刮去。之後以100℃的熱風乾燥烘箱使其乾燥40分鐘，形成如表5所示般的螢光體層，得到閃爍器面板。
將所得到的閃爍器面板設置於FPD(PaxScan3030；Varian公司製)，製作出放射線影像檢測裝置。由閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，以Pax Scan3030檢測閃爍器面板40B的發光強度，其結果可得到充分的影像(以下將此發光強度的值定為100，進行相對評估)。另外，透過鉛製的MTF圖，同樣地由閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，所得到的影像，進行資料處理，計算出MTF(以下將此MTF值定為影像清晰度100，進行相對評估)。
(實施例24)
將感光性糊劑以使乾燥後的塗膜厚度成為450μm的方式以模塗布機塗布在100mm×100mm的玻璃基板(鈉玻璃；熱膨脹係數90×10-7(/K)、基板厚度0.7mm)上，以100℃的IR乾燥爐使其乾燥4小時，形成感光性糊劑塗膜。透過具有對應於所希望的隔牆圖形的開口部的光罩(具有縱橫間距皆為194μm、線寬20μm的格子狀開口部的鉻光罩)，以曝光量500mJ/cm2的超高壓水銀燈使所得到的感光性糊劑塗膜曝光。使用35℃的0.5質量%乙醇胺水溶液作為顯像液，以壓力1.5kg/cm2沖洗420秒鐘，使曝光後的感光性糊劑塗膜顯像，進一步在浸泡於顯像液的狀態下照射40kHz、100W/cm2的超音波240秒鐘，以壓力1.5kg/cm2進行沖洗，然後在120℃下乾燥10分鐘，形成格子狀感光性糊劑圖形。將所得到的感光性糊劑圖形在空氣中並且在585℃下燒成15分鐘，形成剖面形狀如表4所示般的格子狀隔牆。
使用網版印刷機(Microtek製；使用螢光體刮刀；網版為# 200SUS網)，重覆將螢光體糊劑A全面印滿在所形成的隔牆，以乾燥器進行真空處理，然後以橡膠 刮刀將溢出的的螢光體糊劑刮去。之後以100℃的熱風乾燥烘箱使其乾燥40分鐘，形成如表5所示般開口部具有圓形凹陷的螢光體層，得到閃爍器面板。
將所得到的閃爍器面板設置於FPD(PaxScan3030；Varian公司製)，製作出放射線影像檢測裝置。由閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，以PaxScan3030檢測閃爍器面板24B的發光強度，其結果，相對於比較例5發光強度的100，可得到如103這樣的較高發光強度。另外，透過鉛製的MTF圖，同樣地由閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，所得到的影像進行資料處理，計算出MTF，其結果，相對於比較例5影像清晰度100，表現出如101這樣的較高數值。
(實施例25)
使用上述螢光體糊劑B，並將熱風乾燥烘箱的溫度定為120℃，除此之外藉由與實施例24同樣的方法，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。將閃爍器面板的各參數及評估結果示於表4及表5。以下實施例26~40及比較例6也同樣。
(實施例26)
使用上述螢光體糊劑C，並將熱風乾燥烘箱的溫度定為120℃，除此之外藉由與實施例24同樣的方法，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例27)
使用上述螢光體糊劑D，並將熱風乾燥烘箱的溫度定為140℃，除此之外藉由與實施例24同樣的方法，得到 閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例28)
使用上述螢光體糊劑C，並將熱風乾燥烘箱的溫度定為200℃，除此之外藉由與實施例24同樣的方法，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例29)
使用上述螢光體糊劑C，並將熱風乾燥烘箱的溫度定為160℃，除此之外藉由與實施例24同樣的方法，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例30)
使用上述螢光體糊劑C，並將熱風乾燥烘箱的溫度定為90℃，使其乾燥80分鐘，除此之外藉由與實施例24同樣的方法，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例31)
藉由與實施例24同樣的方法，在100mm×100mm的玻璃基板形成格子狀隔牆。使用網版印刷機(Microtek製；使用螢光體刮刀；網版為# 200SUS網)，重覆將上述反射層糊劑C全面印滿在所形成的隔牆數次，在被隔牆分隔的槽中填充反射層糊劑C。之後，以乾燥器進行真空處理，然後以橡膠刮刀將由槽溢出的反射層糊劑刮去。之後以40℃的IR乾燥爐使其乾燥120分鐘，在被隔牆分隔的各槽內的底面形成厚度10μm的反射層。
然後藉由實施例24同樣的方法形成螢光體層，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例32)
藉由與實施例24同樣的方法，在100mm×100mm的玻璃基板形成格子狀隔牆。使用網版印刷機(使用螢光體刮刀；網版為# 200SUS網)，重覆將上述反射層糊劑A全面印滿在所形成的隔牆數次，在被隔牆分隔的槽中填充反射層糊劑A。之後，以乾燥器進行真空處理，然後以橡膠刮刀將由槽溢出的反射層糊劑刮去。之後以160℃的熱風乾燥烘箱使其乾燥60分鐘，在被隔牆分隔的各槽內的整面形成厚度10μm的凹形反射層。
然後藉由實施例24同樣的方法形成螢光體層，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例33)
使用上述反射層糊劑B，將反射層的厚度定為30μm，除此之外藉由實施例32同樣的方法，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例34)
使用上述螢光體糊劑C，並將熱風乾燥烘箱的溫度定為120℃，除此之外藉由與實施例32同樣的方法，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例35)
使用上述螢光體糊劑D，並將熱風乾燥烘箱的溫度定為140℃，除此之外藉由與實施例32同樣的方法，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例36)
在100mm×100mm的玻璃基板上藉由與實施例24同 樣的方法，形成感光性糊劑塗膜。對於所得到的感光性糊劑塗膜，分別將光罩變更為具有縱橫間距皆為127μm、線寬15μm的格子狀開口部的鉻光罩，曝光量變更為350mJ/cm2，除此之外藉由與實施例24同樣的方法，進行曝光。使用35℃的0.5質量%乙醇胺水溶液作為顯像液，以壓力1.5kg/cm2沖洗500秒鐘，使曝光後的感光性糊劑塗膜顯像，進一步在在浸泡於顯像液的狀態下，照射40kHz、100W/cm2的超音波400秒鐘，以壓力1.5kg/cm2進行沖洗，然後藉由與實施例24同樣的方法形成格子狀隔牆。
然後藉由與實施例32同樣的方法形成反射層，使用螢光體糊劑E，並將熱風乾燥烘箱的溫度定為140℃，除此之外藉由與實施例26同樣的方法，形成螢光體層，而得到閃爍器面板。
將此閃爍器面板設置於FPD(PaxScan2520；Varian公司製)，製作出放射線影像檢測裝置，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例37)
使用網版印刷機(使用螢光體刮刀；網版為# 165SUS網)，進一步將上述螢光體糊劑F全面印滿在藉由與實施例35同樣的方法所得到的閃爍器面板，以乾燥器進行真空處理，然後以100℃的熱風乾燥烘箱使其乾燥40分鐘，形成如表5所示般的第2層螢光體層，得到螢光體層係由螢光體粉末填充密度相異的多個層所構成的閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例38)
使用上述螢光體糊劑G，除此之外藉由與實施例35同樣的方法，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例39)
使用網版印刷機(使用螢光體刮刀；網版為# 165SUS網)，進一步將上述螢光體糊劑H全面印滿在藉由與實施例38同樣的方法所得到的閃爍器面板，以乾燥器進行真空處理，然後在80℃的熱風乾燥烘箱使其乾燥40分鐘，形成如表5所示般的第2層螢光體層，得到螢光體層係由螢光體粉末填充密度相異的多個層所構成的閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(實施例40)
在100mm×100mm的玻璃基板(鈉玻璃；熱膨脹係數90×10-7(/K)、基板厚度0.7mm)上以15μm棒式塗布機塗布上述緩衝層用糊劑，使其乾燥，然後使用超高壓水銀燈以500mJ/cm2對整個表面照光，形成厚度12μm的緩衝層用糊劑塗膜。
接下來，在該緩衝層用糊劑塗膜上與實施例24同樣地形成感光性糊劑圖形。藉由將以這種方式所得到的形成感光性糊劑圖形的玻璃基板在空氣中、585℃下燒成15分鐘，進行緩衝層用糊劑塗膜及感光性糊劑圖形的燒成，形成具有緩衝層及剖面形狀如表4所示般的格子狀隔牆的玻璃基板。
以下藉由與實施例32同樣的方法得到閃爍器 面板，並且進行與實施例24同樣的評估。
(比較例6)
在100mm×100mm的玻璃基板上藉由與實施例24同樣的方法形成格子狀隔牆。
然後使用上述螢光體糊劑F，除此之外藉由與實施例24同樣的方法形成螢光體層，得到閃爍器面板，並且進行與實施例24同樣的評估。

Claims (7)

  1. 一種閃爍器面板，其係具備基板、及含螢光體粉末的螢光體層之閃爍器面板，其中該螢光體層的表面具有500~50000個/cm2的凹陷，該凹陷開口部的面積A為500~70000μm2，該螢光體層的厚度T與該凹陷的深度D之比D/T為0.1~0.9。
  2. 如請求項1之閃爍器面板，其中相鄰的該凹陷彼此的間距P為50~350μm的範圍內的一定值，該凹陷開口部的最大寬度W為30~300μm。
  3. 如請求項1或2之閃爍器面板，其中進一步具有分隔該螢光體層之隔牆。
  4. 如請求項3之閃爍器面板，其中進一步在該螢光體層與該隔牆之間具備凹形反射層。
  5. 如請求項1或2之閃爍器面板，其中該螢光體層係由該螢光體粉末填充密度相異的多個層所構成。
  6. 一種放射線影像檢測裝置，其係具備如請求項1至5中任一項之閃爍器面板。
  7. 一種放射線影像檢測裝置之製造方法，其係具備如請求項1至5中任一項之閃爍器面板、及備有與該閃爍器面板的該凹陷對向的光電轉換元件之檢測基板的放射線影像檢測裝置之製造方法，其係具有：(A)將該凹陷與該光電轉換元件對齊之步驟、及(B)將該閃爍器面板與該檢測基板貼合之步驟。
TW104116916A 2014-05-30 2015-05-27 閃爍器面板、放射線影像檢測裝置及其製造方法 TWI665463B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014112067 2014-05-30
JP2014-112067 2014-05-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201602618A TW201602618A (zh) 2016-01-16
TWI665463B true TWI665463B (zh) 2019-07-11

Family

ID=54698856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104116916A TWI665463B (zh) 2014-05-30 2015-05-27 閃爍器面板、放射線影像檢測裝置及其製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10042060B2 (zh)
EP (1) EP3151247B1 (zh)
JP (1) JP6593169B2 (zh)
KR (1) KR102122746B1 (zh)
CN (1) CN106463194B (zh)
TW (1) TWI665463B (zh)
WO (1) WO2015182524A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9650569B1 (en) * 2015-11-25 2017-05-16 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Method of manufacturing garnet interfaces and articles containing the garnets obtained therefrom
KR20190099095A (ko) * 2016-06-01 2019-08-23 미쯔비시 케미컬 주식회사 방사선 이미지 변환 스크린 및 플랫 패널 디텍터
CN107658361A (zh) * 2016-07-25 2018-02-02 群创光电股份有限公司 主动矩阵式影像感测装置
JP2019023579A (ja) 2017-07-24 2019-02-14 コニカミノルタ株式会社 シンチレータ
JP6877289B2 (ja) * 2017-07-31 2021-05-26 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法
JP6898193B2 (ja) * 2017-09-27 2021-07-07 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
CN115176176B (zh) * 2020-03-05 2025-06-20 富士胶片株式会社 放射线检测器、放射线图像摄影装置及放射线检测器的制造方法
EP4144815A4 (en) * 2020-06-16 2024-06-05 Hamamatsu Photonics K.K. SCINTILLATOR PANEL AND RADIATION DETECTOR
WO2021255853A1 (ja) * 2020-06-17 2021-12-23 株式会社日立ハイテク 荷電粒子または放射線の検出装置
US12392912B2 (en) * 2020-12-25 2025-08-19 Toray Industries, Inc. Scintillator panel, radiation detector, radiation inspection device, and method for producing scintillator panel
CN115926785B (zh) * 2022-08-12 2024-08-16 成都信息工程大学 闪烁体层材料、柔性闪烁体面板及其制备方法、应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003082347A (ja) * 2001-06-25 2003-03-19 Kasei Optonix Co Ltd デジタルラジオグラフィー用酸硫化ガドリニウム蛍光体、放射線像変換スクリーン及び放射線像撮像装置
WO2010010725A1 (ja) * 2008-07-25 2010-01-28 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル及びそれを具備した放射線画像検出装置
JP2012058170A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータパネル
WO2013136873A1 (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置及び放射線画像撮影システム
TW201411817A (zh) * 2012-08-03 2014-03-16 Toray Industries 閃爍器面板及閃爍器面板之製造方法
JP5488773B1 (ja) * 2012-10-03 2014-05-14 東レ株式会社 シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4208470A (en) * 1978-11-03 1980-06-17 General Electric Company X-ray intensifying screen
DE3578359D1 (de) * 1984-12-17 1990-07-26 Konishiroku Photo Ind Schirm zum speichern eines strahlungsbildes.
US5219606A (en) * 1989-05-23 1993-06-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing phosphor screen for intensifier
JPH0560871A (ja) 1991-09-04 1993-03-12 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出素子
JPH09325185A (ja) * 1996-06-03 1997-12-16 Toshiba Fa Syst Eng Kk 放射線検出器とその製造方法と透視検査装置とｃｔスキャナ
US6177236B1 (en) * 1997-12-05 2001-01-23 Xerox Corporation Method of making a pixelized scintillation layer and structures incorporating same
JP2002523610A (ja) * 1998-08-27 2002-07-30 スーペリア マイクロパウダーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 蛍リン光粉体、蛍リン光粉体の製造方法、及び同粉体を使用した装置
JP2002122672A (ja) * 2000-10-12 2002-04-26 Canon Inc 撮像装置及びこれを備える放射線撮像システム
JP4647828B2 (ja) 2001-05-07 2011-03-09 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネルおよびそれを用いた放射線検出器
DE10126388B4 (de) 2001-05-23 2007-04-19 Siemens Ag Festkörperstrahlungsdetektor
JP2003215253A (ja) 2002-01-23 2003-07-30 Canon Inc 放射線検出装置とその製造方法および放射線検出システム
DE102005010077B4 (de) * 2005-03-04 2007-09-20 Siemens Ag Detektor mit einem Szintillator und bildgebendes Gerät, aufweisend einen derartigen Detektor
JP2008014853A (ja) 2006-07-07 2008-01-24 Fujifilm Corp 放射線像変換パネルおよび放射線像変換パネルの製造方法
CN101777480A (zh) * 2009-01-13 2010-07-14 李腾 一种具有提高的亮度的x射线荧光屏及其方法
JP5686724B2 (ja) 2009-02-23 2015-03-18 株式会社東芝 固体シンチレータ、放射線検出器およびｘ線断層写真撮影装置
JP2011007552A (ja) 2009-06-24 2011-01-13 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータパネル、放射線検出装置、及びシンチレータパネルの製造方法
JP5091964B2 (ja) 2010-03-05 2012-12-05 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2012242355A (ja) 2011-05-24 2012-12-10 Fujifilm Corp 放射線検出装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003082347A (ja) * 2001-06-25 2003-03-19 Kasei Optonix Co Ltd デジタルラジオグラフィー用酸硫化ガドリニウム蛍光体、放射線像変換スクリーン及び放射線像撮像装置
WO2010010725A1 (ja) * 2008-07-25 2010-01-28 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル及びそれを具備した放射線画像検出装置
JP2012058170A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータパネル
WO2013136873A1 (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置及び放射線画像撮影システム
TW201411817A (zh) * 2012-08-03 2014-03-16 Toray Industries 閃爍器面板及閃爍器面板之製造方法
JP5488773B1 (ja) * 2012-10-03 2014-05-14 東レ株式会社 シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3151247A4 (en) 2018-02-14
US20170192105A1 (en) 2017-07-06
TW201602618A (zh) 2016-01-16
KR102122746B1 (ko) 2020-06-15
US10042060B2 (en) 2018-08-07
JPWO2015182524A1 (ja) 2017-04-20
WO2015182524A1 (ja) 2015-12-03
KR20170010352A (ko) 2017-01-31
JP6593169B2 (ja) 2019-10-23
CN106463194B (zh) 2018-09-07
EP3151247A1 (en) 2017-04-05
EP3151247B1 (en) 2020-11-25
CN106463194A (zh) 2017-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI665463B (zh) 閃爍器面板、放射線影像檢測裝置及其製造方法
US9177683B2 (en) Scintillator panel and method for manufacturing scintillator panel
TWI648551B (zh) 閃爍器面板
TWI639568B (zh) 立體結構物之製造方法、閃爍器面板之製造方法、立體結構物及閃爍器面板
JP5488773B1 (ja) シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法
TWI612535B (zh) 閃爍器面板及閃爍器面板之製造方法
JPWO2014021415A1 (ja) シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法
JP6217076B2 (ja) シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法
JP2014126362A (ja) シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法