TWI661342B

TWI661342B - Input device

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Publication number: TWI661342B
Application number: TW107110596A
Authority: TW
Inventors: 本幸治
Original assignee: 日商阿爾卑斯阿爾派股份有限公司
Priority date: 2017-08-08
Filing date: 2018-03-28
Publication date: 2019-06-01
Also published as: TW201910996A; JP2020187382A; WO2019031062A1

Abstract

[課題] 提供一種就算是使基材彎曲也能夠進行正確的位置檢測之輸入裝置。　　[解決手段] 本發明之輸入裝置，係具備有：基材；和複數之第1電極，係朝基材之檢測區域的第1方向延伸出去，並被並排設置於與第1方向相交叉之第2方向上；和複數之第2電極，係朝基材之檢測區域的第2方向延伸出去，並被並排設置於第1方向上。於此輸入裝置中，在具備有位置在將前述檢測區域於第2方向上作貫穿的可彎折區域內之部分的第2電極處，係被連接有相對於在第2方向上延伸的中心軸而被設置在其中一側處之第1導出配線、和相對於中心軸而被設置在另外一側處之第2導出配線。

Description

輸入裝置

本發明，係有關於輸入裝置，特別是有關於就算是在使基材作了彎折的情況時也能夠正確地進行檢測之輸入裝置。

在各種資訊處理裝置中，係於彩色液晶顯示面板的前方處配置有透光性之輸入裝置。將此輸入裝置稱作觸控面板。在觸控面板處，係於電極間被形成有靜電電容，並根據當人的手指作了接近時之電荷之移動的變化，來判定手指之接近位置的座標。為了檢測出此電荷之移動的變化，係使用有靜電電容式感測器。

近年來，為了與各式各樣的裝置相對應，係並不僅是平面，而亦提案有可作彎折的觸控面板。在專利文獻1～3中，係揭示有具備有彎折區域以及彎折線的輸入裝置。在此些之輸入裝置中，係揭示有在彎折區域處並不設置檢測用之圖案的構成或是將彎折區域之圖案藉由適於進行彎折之材料來構成的構成。

在專利文獻4、5中，係揭示有下述之內容：亦即是，作為在輸入裝置處之於彎折區域中所包含的檢測用圖案，使用在具有優良彎折性的黏合劑內混合有導電性材料的材料(例如，銀奈米線)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 美國專利申請公開第2016／0188098號說明書　　[專利文獻2] 美國專利申請公開第2013／0300678號說明書　　[專利文獻3] 美國專利申請公開第2015／0022732號說明書　　[專利文獻4] 日本特開2012-027888號公報　　[專利文獻5] 日本特開2014-010516號公報

[發明所欲解決之課題]

在可彎折的輸入裝置中，雖然亦可考慮在作彎折的部分處設置保護層以使彎折耐性提昇，但是，起因於設置保護層一事，會導致厚度的增加，並且也會成為製造工程之增加和成本上升的原因。又，在使用導電性材料的情況時，相較於透明電極(例如，ITO)，在圖案不可視性的惡化、ESD耐性的惡化、遷移(migration)現象上係有著更大的擔憂。

本發明之目的，係在於提供一種並不追加保護層等地來並不使不可視性惡化地而就算是有所彎折也能夠進行正確之檢測的輸入裝置。 [用以解決課題之手段]

為了解決上述課題，本發明之其中一個態樣之輸入裝置，係具備有：基材；和複數之第1電極，係朝基材之檢測區域的第1方向延伸出去，並被並排設置於與第1方向相交叉之第2方向上；和複數之第2電極，係朝基材之檢測區域的第2方向延伸出去，並被並排設置於第1方向上。　　其特徵為：於此輸入裝置中，在具備有位置在將前述檢測區域於第2方向上作貫穿的可彎折區域內之部分的第2電極處，係被連接有相對於在第2方向上延伸的中心軸而被設置在其中一側處之第1導出配線、和相對於中心軸而被設置在另外一側處之第2導出配線。

若依據此種構成，則就算是在可彎折區域處而基材有所彎折，並對於第2電極之導電性造成有影響，亦能夠藉由第1導出配線以及第2導出配線之至少其中一者來確保第2電極之對於第2方向的導通性。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：第2電極，係具備有在第2方向上被作並排設置之複數之第2電極部、和將相鄰之第2電極部之間作連結之連結部，連結部，係具備有相對於可彎折區域之在第2方向上延伸的中心軸而被設置在其中一側處之第1連結部分、和相對於中心軸而被設置在另外一側處之第2連結部分。

若依據此種構成，則作為被設置在可彎折區域內之連結部，由於係具備有相對於可彎折區域之中心軸而被設置在其中一側處之第1連結部分、和相對於中心軸而被設置在另外一側處之第2連結部分，因此，就算是在沿著中心軸而使基材作了彎折的情況時，連結部也不會受到彎折的影響。例如，就算是第2電極沿著中心軸而彎折並對於導電性造成有影響，亦能夠藉由第1連結部分以及第2連結部分來確保第2電極之對於第2方向的導通性。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：當基材以能夠以曲率半徑(φ／2)來作彎折的方式而被作設置的情況時，第1連結部分和第2連結部分之間之第1方向之間隔d，係為πφ／2以上。藉由此，就算是基材以曲率半徑(φ／2)而作彎折，第1連結部分以及第2連結部分也不會受到彎折的影響。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：第1連結部分以及第2連結部分的至少其中一者，係以通過被設置在第1電極處之細縫部的方式而被作設置。藉由此，係能夠將第1連結部分以及第2連結部分的至少其中一者，形成於與第1電極相同層處。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：第1連結部分以及第2連結部分的至少其中一者，係以與第1電極相交叉的方式而被作設置。藉由此，係能夠針對第1連結部分以及第2連結部分的至少其中一者而並不於第1電極處設置細縫部地來作導通。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：第2電極，係具備有在第2方向上被作並排設置之複數之第2電極部、和將相鄰之第2電極部之間作連結之連結部，被設置在可彎折區域內之連結部，係被設置在可彎折區域內之全面處。又，當基材以能夠以曲率半徑(φ／2)來作彎折的方式而被作設置的情況時，連結部之前述第1方向之寬幅，若是為πφ／2以上，則為理想。

若依據此種構成，則由於係在可彎折區域之全面處設置有連結部，因此，就算是在沿著中心軸而使基材作了彎折的情況時，連結部也不會受到彎折的影響。藉由此，就算是在使基材作了彎折的情況時，亦能夠確保經由連結部所致之第2電極之對於第2方向的導通性。

在上述輸入裝置中，當基材以能夠以曲率半徑(φ／2)來作彎折的方式而被作設置的情況時，連結部之第1方向之寬幅，係亦可為πφ／2以上。藉由此，就算是基材以曲率半徑(φ／2)而作彎折，連結部也不會受到彎折的影響。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：連結部的至少一部分，係以通過被設置在第1電極處之細縫部的方式而被作設置。藉由此，就算是連結部和第1電極相互被設置在相同之層處，也能夠進行對於干涉作了避免的圖案布局。　　在上述輸入裝置中，係亦可構成為：連結部的至少一部分，係以與第1電極相交叉的方式而被作設置。藉由此，係能夠避免連結部與第1電極之間之干涉。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：基材，係在可彎折區域之中心軸之位置處而彎折。於此情況下，係亦可構成為：基材，係以曲率半徑0.5mm以下而彎折。藉由此，就算是在沿著中心軸而使基材作了彎折的情況時，亦能夠確保第2電極之對於第2方向的導通性。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：第1電極與第2電極，係被配置在基材之同一面側處，第1電極，係具備有在第1方向上被作並排設置之複數之第1電極部、和將在第1電極與第2電極所相交叉的位置處而相鄰之第1電極部之間作連結之架橋連結部。藉由此，相較於在相異之基材的各者處而被設置有第1電極以及第2電極的情況，係能夠謀求層積構造之簡單化。 [發明之效果]

若依據本發明，則係可提供一種並不追加保護層等地來並不使不可視性惡化地而就算是有所彎折也能夠進行正確之檢測的輸入裝置。

以下，根據圖面，對於本發明之實施形態作說明。另外，在以下之說明中，對於相同之構件，係附加相同之元件符號，針對已作過說明的構件，係適宜省略其說明。

(輸入裝置之構成) 　　[圖1] (a)以及(b)，係為對於第1實施形態的輸入裝置作例示之平面圖。在圖1(a)中，係展現有輸入裝置1之全體圖，在圖1(b)中，係展現有圖1(a)之A部分的擴大圖。在本實施形態中，輸入裝置1，例如係為靜電電容式感測器。另外，在本說明書中，所謂「透明」、「透光性」，係指可視光線透射率為50%以上(較理想為80%以上)的狀態。進而，霧值係以6%以下為理想。

如同圖1(a)中所示一般，本實施形態之輸入裝置1，係具備有被設置在基材10之位置檢測區域S處的第1電極11和第2電極12。基材10，係藉由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、環烯聚合物(COP)等之薄膜狀的透明基材或玻璃基材等所形成。第1電極11以及第2電極12，係為在位置檢測區域S內而將手指所作了接觸(接近)之位置檢測出來的檢測電極。第1電極11以及第2電極12，係藉由ITO(Indium Tin Oxide)等之透明導電材料，而以濺鍍或蒸鍍等來成膜。第1電極11以及第2電極12，係亦可藉由包含有金屬奈米線(例如，銀奈米線)的材料來形成，亦可部分性地藉由相異之材料來形成。

第1電極11，係在沿著基材10之表面的X(第1方向)上而延伸存在，第2電極12，係在沿著基材10之表面的與X方向正交之Y方向(第2方向)上而延伸存在。第1電極11以及第2電極12，係相互被絕緣。在本實施形態中，係於Y方向上以特定之節距而被配置有複數之第1電極11，並於X方向上以特定之節距而被配置有複數之第2電極12。

第1電極11，係具備有複數之第1島狀電極部111。在本實施形態中，複數之第1島狀電極部111係具備有近似於菱形之形狀，並在X方向上並排地而被作配置。又，第2電極12，係具備有複數之第2島狀電極部121。複數之第2島狀電極部121，亦係具備有近似於菱形之形狀，並在Y方向上並排地而被作配置。

在複數之第1電極11之各者處，係分別被連接有被朝向位置檢測區域S之外側而導出的導出配線TX。又，在複數之第2電極12之各者處，亦係分別被連接有被朝向位置檢測區域S之外側而導出的導出配線TY。在輸入裝置1處，係將在各導出配線TX以及TY處所流動的電流之變化，藉由未圖示之檢測電路而檢測出來。例如，在對於第1電極11以及第2電極12賦予有特定之電位的狀態下，若是使手指接近位置檢測區域S，則在第1電極11以及第2電極12之各者與手指之間，係產生有靜電電容之變化。藉由將起因於此靜電電容之變化所產生的電位降低檢測出來，而判定手指所作了接近的位置檢測區域S內之X、Y座標。

如同圖1(b)中所示一般，第1電極11和第2電極12，係於相鄰之2個的第1島狀電極部111之連結位置和相鄰之2個的第2島狀電極部121之連結位置處，而相互交叉。在此交叉部分處，係隔著島狀絕緣部30而被設置有架橋配線部20，在交叉部分處，第1電極11和第2電極12係成為並不會相互接觸。

在本實施形態中，架橋配線部20，係以橫跨相鄰之2個的第1島狀電極部111之間的方式而被作設置。架橋配線部20，係被設置在於X方向上而並排的各第1島狀電極部111之間。藉由此，複數之第1島狀電極部111係成為導通狀態。島狀絕緣部30，係被設置在架橋配線部20與於後所說明的連結部40之間，並在交叉部分處發揮將第1電極11和第2電極12絕緣的功能。

在第2電極12處的相鄰之2個的第2島狀電極部121之間，係被設置有連結部40。連結部40，係被設置在於Y方向上而並排的各第2島狀電極部121之間。藉由此，複數之第2島狀電極部121係成為導通狀態。如同前述一般，架橋配線部20，係在此連結部40之上，隔著島狀絕緣部30而被作設置。

在基材10之位置檢測區域S處，係被設置有於Y方向上而貫穿之可彎折區域BR。於此，所謂的可彎折區域BR，係指在將基材10彎折並作使用時(例如，參考圖5)，於包含有彎折中心線(後述之中心軸BL)的區域中而基材10成為圓弧(例如，半圓)形狀的區域。係亦可將基材10成為圓弧形狀之區域的一部分，作為可彎折區域BR。

在可彎折區域BR之中心處，係被設置有於Y方向上延伸的中心軸BL。另外，可彎折區域BR和中心軸BL，係為為了方便作說明所定義者。

圖2，係為對於電極圖案作例示之示意圖。　　在圖2中，為了使說明容易理解，係將各圖案相較於實際情況而更大地作展示。　　圖3，係為對於本實施形態的輸入裝置作例示之示意剖面圖。在圖3中，係展示有圖2中所示之A-A線剖面圖。

第1電極11以及第2電極12，係被形成在身為基材10之其中一例的由PET或COP所致之透光性基材51之上。在第1電極11以及第2電極12之上，係隔著透光性黏著材53而被安裝有透光性覆蓋薄膜55。在透光性覆蓋薄膜55處，例如係使用有PC。具備有此種層構造之輸入裝置1，例如係在有機EL或液晶等之顯示裝置300之上，隔著透光性黏著材56而被作安裝。

在可彎折區域BR處，構成第2電極12之複數之第2島狀電極部121，係於Y方向上而被作並排。又，在可彎折區域BR中，於第1電極11處，係被設置有細縫部SL1、SL2。細縫部SL1，係以於Y方向上貫穿第1電極11的方式，而被設置在中心軸BL之其中一側處，細縫部SL2，係以於Y方向上貫穿第1電極11的方式，而被設置在中心軸BL之另外一側處。

被設置在可彎折區域BR處之連結部40，係具備有第1連結部分41和第2連結部分42。第1連結部分41，係沿著被設置在中心軸BL之其中一側處的細縫部SL1而被作設置。第1連結部分41，係以將於Y方向上而相鄰之2個的第2島狀電極部121作連接的方式，而被作設置。第1連結部分41，係並未與第1電極11(第1島狀電極部111)作導通。

第2連結部分42，係沿著被設置在中心軸BL之另外一側處的細縫部SL2而被作設置。第2連結部分42，係以將於Y方向上而相鄰之2個的第2島狀電極部121作連接的方式，而被作設置。第2連結部分42，係並未與第1電極11(第1島狀電極部111)作導通。

在可彎折區域BR處，於中心軸BL上係並未被設置有連結部40，並隔著中心軸BL，而於其中一側處被設置有第1連結部分41，並於另外一側處被設置有第2連結部分42。亦即是，在可彎折區域BR處，藉由位在從中心軸BL而離開了的位置處之第1連結部分41以及第2連結部分42，於Y方向上而並排的複數之第2島狀電極部121係成為導通狀態。

藉由此，就算是在沿著中心軸BL而使基材10作了彎折的情況時，連結部40也不會受到彎折的影響。另一方面，在可彎折區域BR處，藉由第1連結部分41以及第2連結部分42，第2電極12之對於Y方向的導通性係被保持。例如，就算是第2電極12沿著中心軸BL而彎折並對於導電性造成有影響，亦能夠藉由第1連結部分41以及第2連結部分42來確保第2電極12之對於Y方向的導通性。

於此，當基材10以能夠以曲率半徑(φ／2)來作彎折的方式而被作設置的情況時，第1連結部分41和第2連結部分42之間之X方向之間隔d，較理想，係為πφ／2以上(φ為直徑)。藉由此，就算是基材10在中心軸BL之位置處以曲率半徑(φ／2)而作彎折，第1連結部分41以及第2連結部分42也不會位置在起因於基材10作了彎折一事所導致的彎折部分處，而不會受到彎折的影響。

如此這般，由於第1連結部分41以及第2連結部分42係難以受到基材10之彎折的影響，因此，就算是使基材10以曲率半徑(φ／2)＝0.5mm以下而彎折，也能夠確保在可彎折區域BR處之第2電極12的導通性。

在本實施形態中，藉由細縫部SL1、SL2，在X方向上延伸的第1電極11係被作分斷。故而，在可彎折區域BR之其中一側的第1電極11處，係被連接有導出配線TX1，在可彎折區域BR之另外一側的第1電極11處，係被連接有導出配線TX2。在未圖示之檢測電路處，係進行將基於互為同列之導出配線TX1以及TX2之訊號所得到的電容作加算之演算。藉由此，就算是第1電極11被作分斷，也能夠將作為在X方向上延伸之1個的第1電極11之電容變化檢測出來。

在可彎折區域BR以外之中心軸BL之其中一側的第2電極12處，係被連接有導出配線TY1，在中心軸BL之另外一側的第2電極處，係被連接有導出配線TY2。另一方面，在可彎折區域BR之第2電極12處，係於中心軸BL之其中一側處被連接有第1導出配線TY11，並於中心軸BL之另外一側處被連接有第2導出配線TY21。藉由此，就算是起因於基材10之彎折而可彎折區域BR之第2電極12被中心軸BL所分斷，藉由進行將基於第1導出配線TY11以及第2導出配線TY12之訊號所得到的電容作加算之演算，也能夠將作為在Y方向上延伸之1個的第2電極12之電容變化檢測出來。另外，係只要使第1導出配線TY11以及第2導出配線TY21中之至少一者於可彎折區域BR以外處被作連接即可，較理想，係只要使雙方均於可彎折區域BR以外被作連接即可。

圖4，係為對於導出配線之布局例作展示之示意圖。　　在圖4中，為了使說明容易理解，係將各圖案相較於實際情況而更大地作展示。　　在基材10上之周緣部分處，係被導出有導出配線TX1、TX2、TY1、TY2、第1導出配線TY11、第2導出配線TY21。此些之導出配線，係被集中於基材10之其中一端側處，並被與可撓性基板100之各圖案作連接。可撓性基板100之連接位置，係成為基材10之可彎折區域BR以外的周緣部分。藉由此，就算是基材10在可彎折區域BR之中心軸BL處而彎折，與可撓性基板100之間之連接位置(連接墊片部)也不會受到彎折的影響。

又，在本實施形態中，係將可撓性基板100連接於基材10之其中一端側處。亦即是，第2電極12之導出配線TY1、TY2、第1導出配線TY11以及第2導出配線TY21，係僅被導出至基材10之其中一端側處。又，第1電極11之導出配線TX1以及TX2，係從兩側而被導出至基材10之其中一端側處。藉由此，係能夠將可撓性基板100連接於基材10之其中一端側(其中一邊)處。

(彎折狀態) 　　圖5～圖7，係為對於使基材作了彎折的狀態作例示之示意立體圖。　　在圖5中，係對於使使用有本實施形態的輸入裝置1之基材作了彎折的狀態作展示，在圖6以及圖7中，係對於使使用有比較例之輸入裝置2以及3之基材作了彎折的狀態作展示。　　不論是在何者之例中，均同樣的，係對於使基材10在可彎折區域BR之中心軸BL處作180度彎折的狀態作展示。輸入裝置1、2以及3，係被配置在作了彎折的基材10之外側處。

如同圖5中所示一般，在使使用有本實施形態之輸入裝置1之基材10作了彎折的情況時，沿著可彎折區域BR之中心軸BL，係並未被設置有連結部40，而於中心軸BL之其中一側處被設置有第1連結部分41，並於另外一側處被設置有第2連結部分42。亦即是，在可彎折區域BR處，第2電極12，係藉由被設置在從中心軸BL而離開了的位置處之第1連結部分41以及第2連結部分42，而被作導通。

於此，就算是在藉由基材10之彎折而以中心軸BL來使第2電極12作了分斷的情況時，亦同樣的，被作了分斷的其中一側，係能夠藉由第1連結部分41來維持導通狀態，被作了分斷的另外一側，係能夠藉由第2連結部分42來維持導通狀態。第2電極12之被作了分斷的其中一側，係經由第1連結部分41而與第1導出配線TY11作導通，另外一側，係經由第2連結部分42而與第2導出配線TY21作導通。故而，若是進行將基於第1導出配線TY11以及第2導出配線TY12之訊號所得到的電容作加算之演算，則係能夠將被中心軸BL所分斷的第2電極12之電容變化，作為1個的第2電極12之電容變化而檢測出來。

在使基材10作了彎折時的可彎折區域BR，係成為電子機器之邊緣部分。藉由使用本實施形態之輸入裝置1，就算是在電子機器之邊緣部分處，也能夠將由第2電極12所致之電容變化正確地檢測出來。故而，係能夠以良好精確度來進行在電子機器之邊緣部分處的觸碰動作。

如同圖6中所示一般，在使使用有比較例(其之1)之輸入裝置2的基材10作了彎折的情況時，位置在中心軸BL上之第2電極12，係由複數之第2島狀電極部121和位置在相鄰之第2島狀電極部121之間之連結部40所成，連結部40，係以位置在當彎折時會施加有最大的拉張力之中心軸BL上的方式而被作配置。而，被與此第2電極12作連接的導出配線，係為1個。因此，只要起因於彎折而在中心軸BL上之複數之連結部40中的1個發生斷線，則位置在中心軸BL上之第2電極12的導通性便會喪失。其結果，係成為無法適當地進行關連於第2電極12之位置檢測。如此這般，在圖6中所示之輸入裝置2中，於可彎折區域BR處之位置偵測的精確度係容易降低。

如同圖7中所示一般，在比較例(其之2)之輸入裝置3中，係沿著在可彎折區域BR處之中心軸BL而被設置有細縫部SL，沿著此細縫部SL，第2電極12之第2島狀電極部121係被分斷。在使此基材10作了彎折的情況時，由於在中心軸BL上係並未被設置有圖案，因此第1電極11和第2電極12係並不會有起因於彎折而直接受到影響的情形。

但是，由於藉由細縫部SL，第2電極12係被作分斷，因此，在可彎折區域BR處，係並無法進行在第2電極12處之位置檢測。故而，在使用有此輸入裝置3之電子機器中，係並無法進行在作了彎折時的於邊緣部處之位置檢測。

如此這般，藉由使用本實施形態之輸入裝置1，係成為能夠並不在可彎折區域BR處設置複雜之圖案構造地而以良好精確度來進行在彎折部分處之位置檢測。又，由於就算是在可彎折區域BR處而第2電極12受到彎折的影響，也能夠作為檢測電極來利用，因此，係能夠正確地進行電子機器之在邊緣部分處的位置檢測。又，由於就算是在可彎折區域BR處，也能夠選擇ITO等之不會對於不可視性有所犧牲的電極材料，因此係能夠維持在可彎折區域BR處之不可視性。

(其他構成例) 　　圖8～圖14，係為針對其他構成例作展示之示意圖。　　圖8中所示之其他構成例(其之1)之輸入裝置1B，係為使第1連結部分41以及第2連結部分42成為架橋構造之例。　　另外，在圖8所示之例中，第1連結部分41以及第2連結部分42之雙方係均成為架橋構造，但是，係亦可僅為其中一者。　　藉由使第1連結部分41以及第2連結部分42成為架橋構造，係能夠針對第1連結部分41以及第2連結部分42而並不於第1電極11處設置細縫部SL1、SL2地來將於Y方向上相鄰之2個的第2島狀電極部121作導通。

圖9中所示之其他構成例(其之2)之輸入裝置1C，係除了圖1以及圖2中所示之輸入裝置1之構成之外，更進而亦在可彎折區域BR處設置有架橋配線部20。另外，設置在可彎折區域BR處之架橋配線部20，由於係容易受到彎折的影響，因此，較理想，係預先設為較被設置在可彎折區域BR以外處的架橋配線部20而更粗。

藉由如此這般地而在可彎折區域BR處設置架橋配線部20，係能夠並不將同列之第1電極11作分斷地而確保對於X方向之導通性。

圖10中所示之其他構成例(其之3)之輸入裝置1D，係在可彎折區域BR之全面處設置有連結部45。亦即是，連結部45，係設置為橫跨中心軸BL來以可彎折區域BR之寬幅而於Y方向上延伸。連結部45，係被設置在於Y方向上而相鄰之2個的第2島狀電極部121之間。

若依據此種輸入裝置1D，則就算是在以中心軸BL來使第2電極12作了分斷的情況時，亦同樣的，被作了分斷的其中一側，係能夠藉由被作了分斷的連結部45來維持導通狀態，另外一側，係能夠藉由被作了分斷的連結部45來維持導通狀態。第2電極12之被作了分斷的其中一側，係經由被作了分斷的連結部45而與第1導出配線TY11作導通，另外一側，係經由被作了分斷的連結部45而與第2導出配線TY21作導通。故而，若是進行將基於第1導出配線TY11以及第2導出配線TY12之訊號所得到的電容作加算之演算，則係能夠將被中心軸BL所分斷的第2電極12之電容變化，作為1個的第2電極12之電容變化而檢測出來。藉由此，就算是在沿著中心軸BL而使基材10作了彎折的情況時，在寬幅為廣之連結部45也成為難以受到彎折的影響。藉由此，就算是在使基材10作了彎折的情況時，亦能夠確保經由連結部45所致之第2電極12之對於Y方向的導通性。

圖11中所示之其他構成例(其之4)之輸入裝置1E，係具備有被設置在基材10之位置檢測區域S處的複數之第1電極11、和被設置在基材10之位置檢測區域S處的複數之第2電極12。另外，在圖10中，為了方便說明，係將第1電極11以虛線作標示。複數之第1電極11的各者，係分別朝X方向延伸出去，並在Y方向上被作並排設置。又，複數之第2電極12的各者，係分別朝Y方向延伸出去，並在X方向上被作並排設置。亦即是，複數之第1電極11和複數之第2電極12，係以相互交叉的方式而被作配置。

當在基材10之其中一側處被設置有複數之第1電極11以及複數之第2電極12的情況時，在第1電極11與第2電極12之間之交叉位置處，係被設置有絕緣層(未圖示)，在兩者間係被構成有靜電電容。又，係亦可在基材10之其中一面側處被設置有複數之第1電極11，並在基材10之另外一面側處被設置有複數之第2電極12。於此情況，在第1電極11與第2電極12之間之交叉位置處，係中介存在有基材10並構成靜電電容。又，係亦可具備有2個的基材10，並在其中一方之基材10處被設置有第1電極11，並在另外一方之基材10處被設置有第2電極12。於此情況，亦同樣的，在第1電極11與第2電極12之間之交叉位置處，係至少中介存在有1枚的基材10或者是如同光學黏著層一般之介電質層並構成靜電電容。

在輸入裝置1E處，於基材10之可彎折區域BR內，係被設置有第2電極12，於此第2電極12處，係被連接有第1導出配線TY11和第2導出配線TY21。第1導出配線TY11，係相對於可彎折區域BR之中心軸BL而被設置在其中一側處，第2導出配線TY21，係相對於中心軸BL而被設置在另外一側處。

若依據此種輸入裝置1E，則就算是在以中心軸BL來使第2電極12作了分斷的情況時，亦同樣的，被作了分斷的其中一側，係能夠藉由第1導出配線TY11來維持導通狀態，另外一側，係能夠藉由第2導出配線TY21來維持導通狀態。故而，若是進行將基於第1導出配線TY11以及第2導出配線TY12之訊號所得到的電容作加算之演算，則係能夠將被中心軸BL所分斷的第2電極12之電容變化，作為1個的第2電極12之電容變化而檢測出來。藉由此，就算是在沿著中心軸BL而使基材10作了彎折的情況時，可彎折區域BR之第2電極12也成為難以受到彎折的影響。故而，就算是在使基材10作了彎折的情況時，亦能夠確保第2電極12之對於Y方向的導通性。

另外，就算是當在可彎折區域BR處第1電極11受到彎折的影響並沿著中心軸BL而被作了分斷的情況時，亦同樣的，只要藉由進行將基於被連接於第1電極11處的其中一側處之導出配線TX1以及被連接於另外一側處之導出配線TX2的各者之訊號所得到的電容作加算之演算，便成為能夠進行在可彎折區域BR處之位置檢測。

圖12中所示之其他構成例(其之5)之輸入裝置1F，係具備有下述之構成：亦即是，其之具備有略菱形之複數之第1島狀電極部111的第1電極11、和具備有略菱形之複數之第2島狀電極部121的第2電極12，係相互被設置在相異之層處，並相互交叉。

在圖13(a)中，係展示有圖12中所示之B-B線剖面中的層構造。　　在圖13(a)所示之層構造中，在第1透光性基材511處係被形成有第1電極11，在第2透光性基材512處係被形成有第2電極12、第1連結部分41以及第2連結部分42。而，兩者係藉由透光性黏著材54而被作貼合。又，在被形成於第2透光性基材512處的第2電極12、第1連結部分41以及第2連結部分42之上，係隔著透光性黏著材53而被安裝有透光性覆蓋薄膜55。藉由此種層構造所構成之輸入裝置1F，係藉由透光性黏著材56而被安裝在顯示裝置300之上。

藉由使第1電極11以及第2電極12分別被設置在相異之透光性基材處，係能夠將第1電極11以及第2電極12之各者的電極層構造體之構成簡單化，並藉由將此些之電極層構造體作重疊貼合而容易地製造出交叉電極構造。

在上述之層構造中，雖係成為將被形成有第1電極11之第1透光性基材511和被形成有第2電極12、第1連結部分41以及第2連結部分42之第2透光性基材512之2個的透光性基材作了貼合的構造，但是，係亦可如同圖13(b)中所示一般地藉由1個的透光性基材51來構成。

亦即是，在圖13(b)所示之層構造中，於透光性基材51之其中一面處係被形成有第1電極11，在另外一面處係被形成有第2電極12、第1連結部分41以及第2連結部分42。在透光性基材51之被形成有第2電極12、第1連結部分41以及第2連結部分42之側處，係隔著透光性黏著材53而被安裝有透光性覆蓋薄膜55。藉由此種層構造所構成之輸入裝置1F，係藉由透光性黏著材56而被安裝在顯示裝置300之上。

不論是圖13(a)以及(b)中所示之何者的層構造，均係如同圖12中所示一般地，於中心軸BL之其中一側處係被連接有第1導出配線TY11，於中心軸BL之另外一側處係被連接有第2導出配線TY21。藉由此，就算是起因於基材10之彎折而可彎折區域BR之第2電極12被中心軸BL所分斷，藉由進行將基於第1導出配線TY11以及第2導出配線TY12之訊號所得到的電容作加算之演算，也能夠將作為在Y方向上延伸之1個的第2電極12之電容變化檢測出來。

又，就算是當在可彎折區域BR處第1電極11受到彎折的影響並沿著中心軸BL而被作了分斷的情況時，亦同樣的，只要藉由進行將基於被連接於第1電極11處的其中一側處之導出配線TX1以及被連接於另外一側處之導出配線TX2的各者之訊號所得到的電容作加算之演算，便能夠將作為在X方向上延伸之1個的第1電極11之電容變化檢測出來。

另外，不論是針對上述所說明的任一之實施形態，均同樣的，係亦可將設置有輸入裝置1、1B、1C、1D、1E、1F的基材之面作為內側並作彎折(內折)。特別是，在本實施形態中，就算是作了彎折時的曲率半徑(φ／2)係為0.5mm以下，也能夠得到第2電極12之導通性。故而，就算是將基材10作內折，亦能夠成為難以受到對於第2電極12之彎折的影響。

如同以上所作了說明一般，若依據本實施形態，則係可提供一種並不設為保護層等之複雜的構造地來並不使不可視性惡化地而就算是有所彎折也能夠進行正確之檢測的輸入裝置。

另外，雖係於上而對於本實施形態作了說明，但是，本發明係並非為被限定於此些之例者。例如，在本實施形態中，雖係針對設定了貫穿Y方向之可彎折區域BR的粒子來作了展示，但是，係亦可設定貫穿X方向之可彎折區域。於此情況，係只要構成為使連結部40將第1島狀電極部111作連接，並使架橋配線部20將第2島狀電極部121作連接，並在第1島狀電極部111處連接第1連結部分41以及第2連結部分42即可。又，第1島狀電極部和第2島狀電極部121之形狀，係亦可為略菱形以外之形狀。進而，同業者所對於前述之各實施形態而適宜進行了構成要素之追加、削除、設計變更者，或者是將各實施形態之特徵作了適宜組合者，只要是具備有本發明之要旨內容，則係亦被包含於本發明之範圍內。

1、1B、1C、1D、1E、1F：輸入裝置 2、3：輸入裝置 10：基材 11：第1電極 12：第2電極 20：架橋配線部 30：島狀絕緣部 40：連結部 41：第1連結部分 42：第2連結部分 45：連結部 51：透光性基材 53、54、56：透光性黏着材 55：透光性覆蓋薄膜 100：可撓性基板 111：第1島狀電極部 121：第2島狀電極部 300：顯示裝置 511：第1透光性基材 512：第2透光性基材 BL：中心軸 BR：可彎折區域 S：位置檢測區域 SL、SL1、SL2：細縫部 TX、TX1、TX2、TY、TY1、TY2：導出配線 TY11：第1導出配線 TY21：第2導出配線 d：間隔

[圖1] (a)以及(b)，係為對於第1實施形態的輸入裝置作例示之平面圖。　　[圖2] 係為對於電極圖案作例示之示意圖。　　[圖3] 係為對於本實施形態的輸入裝置作例示之示意剖面圖。　　[圖4] 係為對於導出配線之布局例作展示之示意圖。　　[圖5] 係為對於使基材作了彎折的狀態作例示之示意立體圖。　　[圖6] 係為對於使比較例之輸入裝置之基材作彎折的狀態作例示之示意立體圖。　　[圖7] 係為對於使比較例之輸入裝置之基材作了彎折的狀態作例示之示意立體圖。　　[圖8] 係為針對其他構成例(其之1)作展示之示意圖。　　[圖9] 係為針對其他構成例(其之2)作展示之示意圖。　　[圖10] 係為針對其他構成例(其之3)作展示之示意圖。　　[圖11] 係為針對其他構成例(其之4)作展示之示意圖。　　[圖12] 係為針對其他構成例(其之5)作展示之示意圖。　　[圖13] (a)以及(b)，係為對於其他構成例(其之5)之層構造作例示之剖面圖。

Claims

一種輸入裝置，其特徵為，係具備有：基材；和複數之第1電極，係朝前述基材之檢測區域的第1方向延伸出去，並被並排設置於與前述第1方向相交叉之第2方向上；和複數之第2電極，係朝前述基材之檢測區域的第2方向延伸出去，並被並排設置於前述第1方向上，在具備有位置在將前述檢測區域於前述第2方向上作貫穿的可彎折區域內之部分的前述第2電極處，係被連接有相對於在前述第2方向上延伸的中心軸而被設置在其中一側處之第1導出配線、和相對於前述中心軸而被設置在另外一側處之第2導出配線，前述第2電極，係具備有在前述第2方向上被作並排設置之複數之第2電極部、和將相鄰之前述第2電極部之間作連結之連結部，前述連結部，係具備有相對於前述可彎折區域之在前述第2方向上延伸的中心軸而被設置在其中一側處之第1連結部分、和相對於前述中心軸而被設置在另外一側處之第2連結部分。
如申請專利範圍第1項所記載之輸入裝置，其中，當前述基材以能夠以曲率半徑(/2)來作彎折的方式而被作設置的情況時，前述第1連結部分和前述第2連結部分之間之前述第1方向之間隔d，係為π /2以上。
如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置，其中，前述第1連結部分以及前述第2連結部分的至少其中一者，係以通過被設置在前述第1電極處之細縫部的方式而被作設置。
如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置，其中，前述第1連結部分以及前述第2連結部分的至少其中一者，係以與前述第1電極相交叉的方式而被作設置。
如申請專利範圍第1項所記載之輸入裝置，其中，前述第2電極，係具備有在前述第2方向上被作並排設置之複數之第2電極部、和將相鄰之前述第2電極部之間作連結之連結部，被設置在前述可彎折區域內之前述連結部，係被設置在前述可彎折區域內之全面處。
如申請專利範圍第5項所記載之輸入裝置，其中，當前述基材以能夠以曲率半徑(/2)來作彎折的方式而被作設置的情況時，前述連結部之前述第1方向之寬幅，係為π /2以上。
如申請專利範圍第5項或第6項所記載之輸入裝置，其中，前述連結部的至少一部分，係以通過被設置在前述第1電極處之細縫部的方式而被作設置。
如申請專利範圍第5項或第6項所記載之輸入裝置，其中，前述連結部的至少一部分，係以與前述第1電極處相交叉的方式而被作設置。
如申請專利範圍第1項所記載之輸入裝置，其中，前述基材，係在前述可彎折區域之前述中心軸之位置處而彎折。
如申請專利範圍第9項所記載之輸入裝置，其中，前述基材，係以曲率半徑0.5mm以下而彎折。
如申請專利範圍第1項所記載之輸入裝置，其中，前述第1電極與前述第2電極，係被配置在前述基材之同一面側處，前述第1電極，係具備有在前述第1方向上被作並排設置之複數之第1電極部、和將在前述第1電極與前述第2電極所相交叉的位置處而相鄰之前述第1電極部之間作連結之架橋連結部。
一種輸入裝置，其特徵為，係具備有：基材；和複數之第1電極，係朝前述基材之檢測區域的第1方向延伸出去，並被並排設置於與前述第1方向相交叉之第2方向上；和複數之第2電極，係朝前述基材之檢測區域的第2方向延伸出去，並被並排設置於前述第1方向上，在具備有位置在將前述檢測區域於前述第2方向上作貫穿的可彎折區域內之部分的前述第2電極處，係被連接有相對於在前述第2方向上延伸的中心軸而被設置在其中一側處之第1導出配線、和相對於前述中心軸而被設置在另外一側處之第2導出配線，前述第1電極與前述第2電極，係被配置在前述基材之同一面側處，前述第1電極，係具備有在前述第1方向上被作並排設置之複數之第1電極部、和將在前述第1電極與前述第2電極所相交叉的位置處而相鄰之前述第1電極部之間作連結之架橋連結部。
如申請專利範圍第12項所記載之輸入裝置，其中，前述第2電極，係具備有在前述第2方向上被作並排設置之複數之第2電極部、和將相鄰之前述第2電極部之間作連結之連結部，前述連結部，係具備有相對於前述可彎折區域之在前述第2方向上延伸的中心軸而被設置在其中一側處之第1連結部分、和相對於前述中心軸而被設置在另外一側處之第2連結部分。
如申請專利範圍第13項所記載之輸入裝置，其中，當前述基材以能夠以曲率半徑(/2)來作彎折的方式而被作設置的情況時，前述第1連結部分和前述第2連結部分之間之前述第1方向之間隔d，係為π /2以上。
如申請專利範圍第13項或第14項所記載之輸入裝置，其中，前述第1連結部分以及前述第2連結部分的至少其中一者，係以通過被設置在前述第1電極處之細縫部的方式而被作設置。
如申請專利範圍第13項或第14項所記載之輸入裝置，其中，前述第1連結部分以及前述第2連結部分的至少其中一者，係以與前述第1電極相交叉的方式而被作設置。
如申請專利範圍第12項所記載之輸入裝置，其中，前述第2電極，係具備有在前述第2方向上被作並排設置之複數之第2電極部、和將相鄰之前述第2電極部之間作連結之連結部，被設置在前述可彎折區域內之前述連結部，係被設置在前述可彎折區域內之全面處。
如申請專利範圍第17項所記載之輸入裝置，其中，當前述基材以能夠以曲率半徑(/2)來作彎折的方式而被作設置的情況時，前述連結部之前述第1方向之寬幅，係為π /2以上。
如申請專利範圍第17項或第18項所記載之輸入裝置，其中，前述連結部的至少一部分，係以通過被設置在前述第1電極處之細縫部的方式而被作設置。
如申請專利範圍第17項或第18項所記載之輸入裝置，其中，前述連結部的至少一部分，係以與前述第1電極處相交叉的方式而被作設置。
如申請專利範圍第12項所記載之輸入裝置，其中，前述基材，係在前述可彎折區域之前述中心軸之位置處而彎折。
如申請專利範圍第21項所記載之輸入裝置，其中，前述基材，係以曲率半徑0.5mm以下而彎折。