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TWI661213B - 放射線檢測裝置及放射線檢測裝置的製造方法 - Google Patents

放射線檢測裝置及放射線檢測裝置的製造方法 Download PDF

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Publication number
TWI661213B
TWI661213B TW103142934A TW103142934A TWI661213B TW I661213 B TWI661213 B TW I661213B TW 103142934 A TW103142934 A TW 103142934A TW 103142934 A TW103142934 A TW 103142934A TW I661213 B TWI661213 B TW I661213B
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TW
Taiwan
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scintillator
protruding portion
layer
radiation detection
thermoplastic resin
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Application number
TW103142934A
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English (en)
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TW201537205A (zh
Inventor
渡野弘
Original Assignee
富士軟片股份有限公司
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Publication date
Application filed by 富士軟片股份有限公司 filed Critical 富士軟片股份有限公司
Publication of TW201537205A publication Critical patent/TW201537205A/zh
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Abstract

本發明提供一種放射線檢測裝置，其包含：將放射線轉換成光的閃爍體；支撐閃爍體且包含根據由閃爍體所轉換的光產生電荷的多個感測器部分的基板；設在閃爍體上的熱塑樹脂層；設在熱塑樹脂層上的第一有機層；以及設在第一有機層上的無機反射層。熱塑樹脂層的熔融起始溫度小於第一有機層的熔融起始溫度，閃爍體在具備熱塑樹脂層的側上的表面上包含突出部分，且突出部分的前端穿透熱塑樹脂層並接觸第一有機層。

Description

放射線檢測裝置及放射線檢測裝置的製造方法
本發明是關於放射線檢測裝置以及放射線檢測裝置的製造方法。
近來，實施諸如平板檢測器(Flat Panel Detector；FPD)的放射線檢測面板，其中放射線敏感層安置於薄膜電晶體(Thin Film Transistor；TFT)主動矩陣基板上，且可將放射線直接轉換成數位資料。亦實施利用此等放射線檢測面板產生表達所照射的放射線的放射照相影像的放射線檢測裝置(諸如，電子卡匣)。用於將放射線轉換成電信號的方法包含：間接轉換方法，其中首先藉由閃爍體將放射線轉換成光，且接著藉由光電二極體將經轉換的光轉換成電荷；以及直接轉換方法，其中藉由包含非晶形硒或其類似者的半導體層將放射線轉換成電荷。下文的已知技術涉及使用間接轉換方法的放射線檢測裝置。
日本特許公開專利申請案(JP-A)第2012-172971號描 述一種平板檢測器，其中疊層有支撐主體、反射層、底塗層、磷光層以及保護層的閃爍體面板被與包含排成二維陣列的多個像素的平面光接收元件光學耦接在一起。
JP-A第2012-181108號描述一種放射線檢測裝置，其包含：疊層有閃爍體支撐基板、支撐基板保護層、閃爍體、有機保護層、無機保護層以及有機保護層的閃爍體面板；以及包含光電轉換元件的感測器面板。
JP-A第2006-52980號描述一種放射線檢測裝置，其包含具有由在基板上排成陣列的多個光電轉換元件組成的光接收區段、將放射線轉換成可由光電轉換元件檢測的光的磷光層，以及至少在光接收元件上方使用直接氣相沈積所提供的柱狀晶體結構的感測器面板；以及包含覆蓋磷光層並接觸感測器面板的磷光體保護層的磷光體保護部件。磷光體保護層由含有光反射精細粒子的熱熔樹脂形成。
JP-A第2006-52984號描述一種放射線檢測裝置，其具備由氣相沈積有柱狀磷光體的感測器基板上的第一熱熔樹脂形成的防潮層、形成於第一熱熔樹脂上的第二熱熔層、反射層以及反射層保護層。在JP-A第2006-52984號的放射線檢測裝置中，第一熱熔樹脂的處理溫度下的熔合黏度高於第二熱熔樹脂的處理溫度下的熔合黏度。
在(例如)含有諸如CsI(碘化銫)或其類似者的鹵素的閃爍體安置於具備包含光電轉換元件的感測器部分的感測器基板與諸如Al(鋁)或其類似者的無機反射層之間的組態中，若無機反射層直接接觸閃爍體，則存在關於無機反射層腐蝕的問題。 因此，將抗腐蝕層安置於閃爍體與無機反射層之間以便防止腐蝕無機反射層是較佳的。歸因於閃爍體的高潮解，用防潮層覆蓋閃爍體亦是較佳的。
然而，中間層(諸如，上方抗腐蝕層以及防潮層)的厚度的增加會增加閃爍體與無機反射層之間的距離，從而導致所獲得的放射照相影像的清晰度下降。此外，除非確保中間層的平坦性，否則無機反射層的平坦性亦被破壞，此情況亦導致所獲得的放射照相影像的清晰度下降。
在由諸如CsI的柱狀晶體的聚集體所形成的閃爍體中，已知一些柱狀晶體中發生異常生長是不可避免的，從而導致突出部分在閃爍體的表面處比其他部分進一步向外突出。因此，在無機反射層設在具有表面突出部分的閃爍體上的此組態中，當在閃爍體與無機反射層處於非接觸狀態的情況下，將中間層安置於閃爍體與無機反射層之間時，難以控制閃爍體與無機反射層之間的距離，亦難以確保無機反射層的平坦性。
舉例而言，JP-A第2006-52984號描述在柱狀磷光體與反射層之間提供在其處理溫度下具有不同熔合黏度的兩個熱熔層的組態。然而，熱熔樹脂是藉由加熱而熔合的，從而使得難以控制熱熔層的層厚度。亦即，在JP-A第2006-52984號中所描述的組態中，柱狀磷光體與反射層之間具有恆定均勻距離的穩定製造是困難的，且存在柱狀磷光體與反射層彼此接觸，或柱狀磷光體與反射層之間的距離超過目標值的問題。前者狀況中會發生反射層腐蝕，且在後者狀況中所獲得的放射照相影像的清晰度下降。
考慮到上文情況，本發明提供放射線檢測裝置以及放射線檢測裝置的製造方法，其在將閃爍體與無機反射層維持為非接觸狀態時控制閃爍體與無機反射層之間的距離，從而使得能夠確保無機反射層的平坦性。
根據本發明的放射線檢測裝置包含：將放射線轉換成光的閃爍體；支撐閃爍體且包含根據由閃爍體所轉換的光產生電荷的多個感測器部分的基板；設在閃爍體上的熱塑樹脂層；設在熱塑樹脂層上的第一有機層；以及設在第一有機層上的無機反射層。熱塑樹脂層的熔融起始溫度小於第一有機層的熔融起始溫度。閃爍體在具備熱塑樹脂層的側上的表面上包含突出部分，且突出部分的前端穿透熱塑樹脂層並接觸第一有機層。
在根據本發明的放射線檢測裝置中，閃爍體可在具備熱塑樹脂層的側上的表面上包含多個突出部分，且多個突出部分中的至少一些的前端可穿透熱塑樹脂層並接觸第一有機層。
在根據本發明的放射線檢測裝置中，閃爍體可在具備熱塑樹脂層的側上的表面上包含比其他部分進一步向外突出的多個突出部分，且可壓碎出自多個突出部分的所述多個突出部分中的至少一些，且經壓碎的突出部分中的至少一些的前端可穿透熱塑樹脂層並接觸第一有機層。
在根據本發明的放射線檢測裝置中，閃爍體可包含多個柱狀晶體，且突出部分可經組態以包含高於多個柱狀晶體的平均高度的至少一個柱狀晶體的前端部分。
在根據本發明的放射線檢測裝置中，熱塑樹脂層可經組 態以包含熱熔樹脂。
在根據本發明的放射線檢測裝置中，第二有機層可進一步設在無機反射層上。
一種根據本發明的放射線檢測裝置的製造方法包含：在基板上形成閃爍體的形成程序；製備包含在第一溫度處起始熔融的熱塑樹脂層以及在高於第一溫度的第二溫度處起始熔融的第一有機層的多層的製備程序；將多層安置於閃爍體上使得閃爍體與熱塑樹脂層彼此接觸，並在加熱至高於第一溫度且小於第二溫度的溫度時朝向閃爍體按壓多層，使得閃爍體的突出部分穿透熱塑樹脂層並接觸第一有機層的熱壓程序；以及在熱壓程序之後的在第一有機層上形成無機反射層的程序。
一種本發明的放射線檢測裝置的製造方法包含：在基板上形成閃爍體的形成程序；製備包含在第一溫度處起始熔融的熱塑樹脂層、設在熱塑樹脂層上並在高於第一溫度的第二溫度處起始熔融的第一有機層以及設在第一有機層上的無機反射層的多層的製備程序；以及將多層安置於閃爍體上使得閃爍體與熱塑樹脂層彼此接觸，並在加熱至高於第一溫度且小於第二溫度的溫度時朝向閃爍體按壓多層，使得閃爍體的突出部分穿透熱塑樹脂層並接觸第一有機層的熱壓程序。
在根據本發明的放射線檢測裝置的製造方法中，可在製備程序中製備進一步包含設在無機反射層上的第二有機層的多層。
一種根據本發明的放射線檢測裝置的製造方法包含：在基板上形成閃爍體的形成程序；由在第一溫度處起始熔融的熱塑 樹脂層覆蓋閃爍體的表面的覆蓋程序；將包含在高於第一溫度的第二溫度處起始熔融的第一有機層以及設在第一有機層上的無機反射層的層安置於熱塑樹脂層上，並在將熱塑樹脂層加熱至高於第一溫度且小於第二溫度的溫度時朝向閃爍體按壓第一有機層，使得閃爍體的突出部分穿透熱塑樹脂層並接觸第一有機層的熱壓程序。
在根據本發明的放射線檢測裝置的製造方法中，在熱壓程序中，可將包含設在無機反射層上的第二有機層的層安置於熱塑樹脂層上。
根據本發明的放射線檢測裝置的製造方法可進一步包含在熱壓程序之前所執行的壓碎塑形程序，且其中壓碎突出部分並減少突出部分的高度。
在根據本發明的放射線檢測裝置的製造方法中，在壓碎塑形程序中，可壓碎突出部分使得突出部分的高度達成特定臨限值或低於所述臨限值。此外，在壓碎塑形程序中，壓碎突出部分使得突出部分的高度減少至熱塑樹脂層的厚度或低於所述厚度。
在根據本發明的放射線檢測裝置的製造方法中，可進一步包含在熱壓程序之前執行且量測突出部分的高度的量測程序，且可在量測程序中所量測的突出部分的高度高於特定臨限值的狀況下執行壓碎塑形程序。
在根據本發明的放射線檢測裝置的製造方法中，可進一步包含在熱壓程序之前執行且量測突出部分的高度的量測程序，且壓碎塑形程序可包含用以將按壓力賦予突出部分的處理，其中基於量測程序中所量測的突出部分的高度判定按壓力。
在根據本發明的放射線檢測裝置的製造方法中，熱塑樹脂層可經組態以包含熱熔樹脂。
10‧‧‧放射線檢測裝置
12‧‧‧控制單元
14‧‧‧殼體
15‧‧‧X射線入射面
16‧‧‧支撐板
18‧‧‧黏結層
19‧‧‧電路板
20‧‧‧可撓性印刷配線基板
21‧‧‧外部端子
22‧‧‧閘極線驅動器
24‧‧‧電荷放大器
26‧‧‧信號處理器
28‧‧‧影像記憶體
30‧‧‧放射線檢測面板(FPD)
32‧‧‧閃爍體
34‧‧‧感測器基板
36‧‧‧感測器部分
40‧‧‧絕緣基板
41‧‧‧像素
42‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
43‧‧‧閘極線
44‧‧‧信號線
50‧‧‧熱塑樹脂層
50A‧‧‧熱熔樹脂
52‧‧‧有機層
52A‧‧‧PET膜
54‧‧‧無機反射層
54A‧‧‧Al箔片
55A‧‧‧層壓膜
56A‧‧‧經堆疊層膜
58‧‧‧第二有機層
60‧‧‧柱狀晶體
62‧‧‧突出部分
100‧‧‧層壓機
102、108、110、122‧‧‧捲筒
104‧‧‧黏著劑塗佈區段
106‧‧‧乾燥器
120‧‧‧塗佈裝置
124‧‧‧貯槽
126‧‧‧噴嘴
128‧‧‧冷卻輥
129‧‧‧切碎機
130‧‧‧按壓裝置
132‧‧‧平台
134‧‧‧滑件
136‧‧‧彈性部件
140‧‧‧輥
142‧‧‧按壓板
h‧‧‧高度
S‧‧‧參考平面
S10、S12、S14、S20、S21、S22、S30、S31、S32、S33、S34、S36、S40、S50、S54、S60‧‧‧程序/步驟
X‧‧‧X射線
將基於以下諸圖詳細描述本發明的例示性實施例。
圖1為說明根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置的組態的透視圖。
圖2為根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置的橫截面。
圖3為根據本發明的例示性實施例的放射線檢測面板的平面圖。
圖4為說明根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置的電組態的圖。
圖5為根據本發明的例示性實施例的放射線檢測面板的部分橫截面。
圖6為說明根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置的製造方法的程序流程圖。
圖7為說明根據本發明的例示性實施例的用以將有機層與無機反射層層壓在一起的方法的實例的圖。
圖8為說明根據本發明的例示性實施例的熱塑樹脂層塗佈法的實例的圖。
圖9A為說明根據本發明的例示性實施例的熱壓處理方法的實例的圖。
圖9B為說明根據本發明的例示性實施例的熱壓處理方法的 實例的圖。
圖10A為根據本發明的例示性實施例的放射線檢測面板在熱壓處理期間的橫截面。
圖10B為根據本發明的例示性實施例的放射線檢測面板在熱壓處理期間的橫截面。
圖11為說明根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置的製造方法的程序流程圖。
圖12為根據本發明的例示性實施例的形成於感測器基板上的閃爍體的橫截面。
圖13A為說明根據本發明的例示性實施例的壓碎塑形方法的實例的圖。
圖13B為說明根據本發明的例示性實施例的壓碎塑形方法的實例的圖。
圖14為根據本發明的例示性實施例的閃爍體在壓碎塑形之後的橫截面。
圖15為根據本發明的例示性實施例的放射線檢測面板的部分橫截面。
圖16為說明根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置的製造方法的程序流程圖。
圖17為說明根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置的製造方法的程序流程圖。
圖18為說明根據本發明的例示性實施例的塗佈熱塑樹脂層的方法的實例的圖。
圖19為根據本發明的例示性實施例的放射線檢測面板的部 分橫截面。
圖20為說明根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置的製造方法的程序流程圖。
圖21為說明根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置的製造方法的程序流程圖。
參考圖式，如下為關於本發明的例示性實施例的詳細解釋。在圖式中的每一者中相同組態元件附有相同參考編號。
第一例示性實施例
圖1為說明根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置10的組態的透視圖。放射線檢測裝置10具有攜帶型電子卡匣形式，且經組態以包含放射線檢測面板30(FPD)、控制單元12、支撐板16以及容納控制單元12以及支撐板16的殼體14。
殼體14具有(例如)由具有高耐久性但對X射線具有高透明度且輕量的碳纖維強化樹脂(碳纖維)組態的整體結構。殼體14的頂面組態X射線入射面15，已自X射線源(圖式中未說明)照射並穿過成像對象(圖式中未說明)的X射線入射於所述X射線入射面15。放射線檢測面板30以及支撐板16自X射線入射面15側起以此序列安置於殼體14內部。
支撐板16固定於殼體14，並支撐安裝有執行信號處理以及其類似者的積體電路(IC)晶片的電路板19(參見圖2)。控制單元12安置於殼體14內部的末端部分處。
控制單元12經組態以包含微電腦以及電池(圖式中皆 未說明)。組態控制單元12的微電腦控制放射線檢測裝置10的操作，並與經由有線或無線通信區段(圖式中未說明)連接至X射線源的主控台(圖式中未說明)通信。
圖2為放射線檢測裝置10的橫截面，且圖3為放射線檢測面板30的平面圖。放射線檢測面板30經組態以包含：含有將X射線轉換成光的磷光體的閃爍體32、包含對應於像素並基於自閃爍體32所發射的光產生電荷的多個感測器部分36的感測器基板34；以及經提供以便覆蓋閃爍體32的表面以及側面的熱塑樹脂層50、有機層52以及無機反射層54。感測器基板34為支撐本發明的閃爍體的基板的實例。
感測器基板34的X射線入射側是使用黏結層18(諸如，聚醯亞胺)黏至殼體14的X射線入射側。
閃爍體32經組態以包含含有(例如)經鉈活化的碘化銫(CsI(Tl))的柱狀晶體的聚集體。CsI(Tl)的柱狀晶體可藉由氣相沈積形成於感測器基板34上。將CsI(Tl)用作閃爍體32使得能夠在X射線吸收上達成自400nm至700nm的光發射光譜。
放射線檢測裝置10具有安置於X射線入射側處的感測器基板34，並用於使用被稱作照射側取樣(irradiation side sampling；ISS)方法的成像方法中。相比閃爍體32安置於X射線入射側處的被稱作穿透側取樣(penetration side sampling，PSS)的狀況，利用照射側取樣使得閃爍體32中的高強度發射位置與感測器基板34上的感測器部分36之間的分離能夠較短。結果，可提高放射照相影像的解析度。然而，放射線檢測裝置10亦可用於穿透側取樣方法。
提供熱塑樹脂層50、有機層52以及無機反射層54，以便覆蓋閃爍體32的頂面以及側面，並覆蓋在閃爍體32的周邊的附近處的感測器基板34。下文給出關於熱塑樹脂層50、有機層52以及無機反射層54的詳細解釋。
支撐板16安置於與X射線入射側相反的閃爍體32的側上。間隙設在支撐板16與閃爍體32之間。藉由螺桿或其類似者將支撐板16固定至殼體14的側區段。使用黏結劑或其類似者將電路板19固定至在與閃爍體32的彼側相反的側上的支撐板16的底面。
電路板19以及感測器基板34經由印刷於可撓性印刷配線基板20上的配線電連接在一起。可撓性印刷配線基板20藉由利用膠帶自動黏結(tape automated bonding；TAB)方法連接至設在感測器基板34的邊緣處的外部端子21。
驅動感測器基板34的閘極線驅動器22以及將自感測器基板34輸出的電荷轉換成電壓信號的電荷放大器24作為積體電路(IC)晶片安裝於可撓性印刷配線基板20。基於由電荷放大器24轉換的電壓信號產生影像資料的信號處理器26以及儲存影像資料的影像記憶體28安裝於電路板19。
圖4為說明放射線檢測裝置10的電組態的圖。感測器基板34經組態有在自諸如玻璃的絕緣體組態的絕緣基板40的正面上以矩陣結構排成陣列的多個像素41。像素41中的每一者包含由諸如光電二極體的光電轉換元件組態的根據自閃爍體32發射的光產生電荷的感測器部分36，以及充當切換元件並在讀取感測器部分36中所產生的電荷期間採用接通狀態的薄膜電晶體(TFT) 42。
感測器基板34包含沿著特定方向(列方向)延伸的閘極線43，像素41沿著所述方向在絕緣基板40的正面上排成陣列。感測器基板34亦包含沿著與絕緣基板40的正面上的閘極線43的延伸方向交叉的方向(行方向)延伸的信號線44。提供像素41中的每一者以便對應於閘極線43與信號線44之間的各別交叉部分。
閘極線43中的每一者經由可撓性印刷配線基板20連接至閘極線驅動器22。信號線44中的每一者經由可撓性印刷配線基板20連接至各別電荷放大器24。電荷放大器24的輸出端子連接至信號處理器26，且影像記憶體28連接至信號處理器26。
已自X射線源(圖式中未說明)發射並穿過成像對象的X射線經由放射線檢測裝置10的X射線入射面15入射，且閃爍體32吸收X射線並發射可見光。感測器基板34的感測器部分36將自閃爍體32所發射的光轉換成電荷，並累積電荷。
在放射照相影像產生期間，閘極線驅動器22經由閘極線43將閘極信號供應至TFT 42。TFT 42由經由閘極線43自閘極線驅動器22所供應的閘極信號以列為單位置放於接通狀態中。將由置放於接通狀態中的TFT 42而於感測器部分36中所產生的電荷作為電信號讀取至信號線44，並供應至電荷放大器24。電荷放大器24將讀取至信號線44的電荷轉換成電壓信號，並將電壓信號供應至信號處理器26。
信號處理器26包含取樣保持電路(圖式中未說明)並將自電荷放大器24所供應的電壓信號保持於取樣保持電路中。取 樣保持電路的輸出側按順序連接至多工器(圖式中未說明)以及類比/數位(analog-digital；A/D)轉換器(圖式中未說明)。將由個別取樣保持電路所保持的電壓信號按順序輸入至多工器並由A/D轉換器轉換成數位信號。信號處理器26自由A/D轉換器所產生的數位信號的相關聯資料以及像素41的位置資料產生影像資料，並將影像資料供應至影像記憶體28。影像記憶體28為儲存由信號處理器26產生的影像資料的儲存媒體。
圖5為說明放射線檢測面板30的組態的部分橫截面。作為一實例，由含有CsI(Tl)的柱狀晶體60的聚集體組態閃爍體32，且可藉由在感測器基板34上進行氣相沈積形成所述閃爍體。在本發明例示性實施例中，說明閃爍體32直接形成於感測器基板34上的狀況的實例，然而感測器基板34的保護層、平坦化層或其類似者可插入於感測器基板34與閃爍體32之間。亦即，在本發明中，“支撐閃爍體的基板”涵蓋任何層插入於閃爍體與基板之間的組態。CsI(Tl)的非柱狀晶體亦可形成於感測器基板34上，其中柱狀晶體在非柱狀晶體的基礎上生長。閃爍體32並不限於包含CsI(Tl)的閃爍體，且可自具有柱狀晶體結構的諸如CsI(Na)、NaI(Tl)、LiI(Eu)、KI(Tl)的另一材料組態所述閃爍體。所有此等材料的楊氏模數約為5Mpa。
柱狀晶體60中的每一者由空氣層與鄰近的柱狀晶體60分離，藉此歸因於與空氣層的折射率差異提供光導效應。歸因於光導效應，柱狀晶體60中的每一者中所發射的大部分可見光傳播於柱狀晶體60內並入射至感測器基板34。在閃爍體32中，在一些柱狀晶體中發生異常生長且至少一個突出部分62在閃爍體32 的表面處比其他部分進一步向外突出是不可避免的。亦即，突出部分62經組態以包含高於組態閃爍體32的多個柱狀晶體60的平均高度的至少一個柱狀晶體的前端部分。然而，在並未發生異常生長的情況下形成的柱狀晶體的前端部分的高度位置是實質上均勻的，且實質上存在於彼此相同的平面中。突出部分62為自由在並無異常生長的情況下形成的柱狀晶體的前端部分定義的參考平面S向外突出的部分。
閃爍體32的頂面以及側面由熱塑樹脂層50覆蓋。熱塑樹脂層50充當保護閃爍體32的保護層。由覆蓋閃爍體32的熱塑樹脂層50防止濕氣穿透至閃爍體32中，從而使得能夠防止閃爍體32的潮解。熱熔樹脂可適於用作熱塑樹脂層50的材料。熱熔樹脂在室溫下為固體，且為由100%非揮發性且並不含有水或溶劑的熱塑性材料形成的黏著性樹脂。可適於用作熱熔樹脂的材料的實例包含乙烯/醋酸乙烯酯共聚物樹脂、乙烯/丙烯酸共聚物樹脂、乙烯/甲基丙烯酸共聚物、乙烯/丙烯酸酯共聚物或乙烯/甲基丙烯酸酯共聚物。可適於利用的市售熱熔樹脂產品包含(例如)POLYESTER SP170(“POLYESTER”為註冊商標，由日本合成化學有限公司製造(Nippon Synthetic Chemical Co.,Ltd.))、Hirodine 7589(由安原化學有限公司製造(Yasuhara Chemical Co.,Ltd.))以及ARONMELT PES-111EE(ARONMELT為註冊商標，由東亞合成有限公司(Toagosei Co.,Ltd.)製造)。表1中繪示此等產品中的每一者的熔點、黏著溫度以及楊氏模數。
有機層52設在熱塑樹脂層50上。有機層52由具有高於熱塑樹脂層50的熔融起始溫度(熔點)的熔融起始溫度(熔點)的有機材料(熱塑樹脂)組態。“具有高於熱塑樹脂層的熔融起始溫度(熔點)的熔融起始溫度(熔點)”意謂有機層並不在熱塑樹脂層的熔融起始溫度下熔融。因此，有機層52可不僅由具有高於熱塑樹脂層50的熔融起始溫度(熔點)的熔融起始溫度(熔點)的有機材料(熱塑樹脂)組態，而且可由並不具有熔點的有機材料(熱固性樹脂)組態。可適於用作有機層52的材料的實例包含聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)、聚萘二甲酸伸乙酯(PEN)、聚苯硫醚(PPS)、聚丙烯(PP)以及聚醯亞胺(PI)。表2中繪示所述材料中的每一者的熔點以及楊氏模數。PET、PEN、PPS以及PP為具有高於熱塑樹脂層50的熔融起始溫度(熔點)的熔融起始溫度(熔點)的有機材料(熱塑樹脂)的實例。PI為並不具有熔點的有機材料(熱固性樹脂)的實例。
無機反射層54設在有機層52上。無機反射層54具有朝向感測器基板34反射閃爍體32中所產生的光的功能。提供無 機反射層54使得能夠改良對閃爍體32中所產生的光的捕獲效率。無機反射層54較佳主要由具有鏡面反射性的材料組態。因此可獲得具有高清晰度的影像。適於用於無機反射層54中的材料的實例包含Al、Al合金以及Ag。因此，因為根據本發明的放射線檢測裝置10經組態有具有鏡面反射性的材料的反射層，所以放射線檢測裝置10不同於包含由具有漫反射性的材料(更特定言之自含有反射性精細粒子的熱熔樹脂)組態的反射層的JP-A第2006-52980號中所描述的組態。相比於藉由具有漫反射性的材料進行組態的情況，自具有鏡面反射性的材料組態無機反射層會提高所獲得放射照相影像的清晰度。
在根據本發明例示性實施例的放射線檢測面板30中，歸因於在閃爍體32與無機反射層54之間提供有機層52，可防止閃爍體32與無機反射層54之間的接觸。可藉此防止歸因於閃爍體32接觸無機反射層54的對無機反射層54的腐蝕。有機層52充當無機反射層54的保護層。此外，歸因於在閃爍體32與無機反射層54之間提供有機層52，可確保無機反射層54的平坦性。
在根據本發明例示性實施例的放射線檢測面板30中，形成於閃爍體32的表面上的多個突出部分62的至少一部分穿透熱塑樹脂層50並接觸有機層52。此“接觸”包含閃爍體32的突出部分62接觸有機層52的底面的狀態，以及突出部分62以並不在有機層52的頂面上形成波紋的程度將有機層52的底面向上按壓的狀態兩者。應注意，當形成於閃爍體32的表面上的多個突出部分62的高度不均勻時，具有最高高度的突出部分62的前端穿透熱塑樹脂層50並接觸有機層52。根據本發明例示性實施例的放 射線檢測面板30具有閃爍體32的多個突出部分62中的至少一些的前端穿透熱塑樹脂層50並接觸有機層52的結構。因此根據突出部分62的高度以及有機層52的層厚度，判定自閃爍體32的參考平面S至無機反射層54的距離。可由有機層52的層厚度控制閃爍體32與無機反射層54之間的距離。
在閃爍體32與無機反射層54之間插入由具有低於無機反射層54(諸如，Al、Al合金、Ag)的組態材料的楊氏模數的有機材料組態的層使得能夠抑制歸因於接觸閃爍體32或其類似者而產生裂縫。假設由具有高於無機反射層54的組態材料的楊氏模數的材料組態的層插入於閃爍體32與無機反射層54之間，就將存在歸因於接觸閃爍體32或其類似者而可能在由具有較高楊氏模數的材料組態的層中產生裂縫的問題。然而，在閃爍體32與無機反射層54之間插入由具有低於無機反射層54的組態材料的楊氏模數的有機材料組態的層意謂即使在有機材料層接觸閃爍體32的狀況下，歸因於發生彈性變形，存在可避免損害的高機率。
如上文所描述，根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置，在將閃爍體與無機反射層維持為非接觸狀態的同時控制閃爍體與無機反射層之間的距離，從而使得能夠確保無機反射層的平坦性。
接下來為關於放射線檢測裝置10的製造方法的解釋。圖6為說明根據本發明的例示性實施例的放射線檢測裝置10的製造方法的程序流程圖。
在程序S10處，藉由在形成有感測器部分36、閘極線43以及信號線44等的感測器基板34上進行氣相沈積而形成閃爍 體32。接下來為關於CsI(Tl)用作閃爍體32的狀況的實例的解釋；然而，本發明並不限於此。可(例如)按以下序列執行步驟S10的氣相沈積處理。首先，將感測器基板34置放於氣相沈積設備的基板固持器中。接著，將氣相沈積晶舟以特定比率填充有CsI以及TlI。接著，在首先抽空氣相沈積設備的腔室內部之後，引入Ar氣體，並將腔室內部控制至特定真空。接著，將置放於基板固持器中的感測器基板34加熱至特定溫度，並在旋轉感測器基板34時藉由將氣相沈積晶舟加熱至特定溫度來氣化CsI以及TlI。藉此在感測器基板34上形成CsI(Tl)的柱狀晶體。
在本發明例示性實施例中，閃爍體32直接形成於感測器基板34上；然而，感測器基板34的保護層、平坦化層或其類似者可插入於感測器基板34與閃爍體32之間。CsI(Tl)的非柱狀晶體亦可形成於感測器基板34上，其中柱狀晶體在非柱狀晶體的基礎上生長。程序S10為本發明的形成程序的實例。
在程序S20中，將有機層52的組態部件與無機反射層54的組態部件層壓在一起。在以下解釋中，解釋PET膜用作有機層52的組態部件，且Al箔片用作無機反射層54的組態部件的實例；然而，本發明並不限於此。圖7說明將為有機層52的組態部件的PET膜與為無機反射層54的組態部件的Al箔片層壓在一起的方法的實例。可使用(例如)層壓機100執行PET膜與Al箔片的層壓。如圖7中所說明，在黏著劑塗佈區段104中，使自捲筒102饋出的PET膜52A的一個面塗覆有黏著劑。經黏著劑塗佈的PET膜52A進入乾燥器106內部，並驅離黏著劑中所含有的溶劑。組態無機反射層54的Al箔片54A自捲筒108饋出，並黏至 經黏著劑塗佈的PET膜52A。接著在捲筒110上收集層壓在一起的PET膜52A以及Al箔片54A的層壓膜55A。
在程序S30中，將熱塑樹脂層50的組態部件塗佈至步驟S20處所產生的層壓膜55A上。在以下解釋中，解釋熱熔樹脂用作熱塑樹脂層50的組態部件的實例；然而，本發明並不限於此。圖8為說明熱熔樹脂的塗佈法的實例的圖。可(例如)藉由利用塗佈裝置120執行至層壓膜55A上的熱熔樹脂的塗佈。自捲筒122饋出經層壓的PET膜52A與Al箔片54A的層壓膜55A。自噴嘴126的前端擠出貯槽124中所含有的熱熔樹脂50A，以便塗佈層壓膜55A的PET膜52A側。由冷卻輥128冷卻並硬化熱熔樹脂50A。由切碎機129將藉由將熱熔樹脂50A塗佈至層壓膜55A上所獲得的經堆疊層膜56A切成特定大小。經堆疊層膜56A為本發明的多層的實例，且程序S30以及程序S20為本發明的預備程序的實例。根據本發明例示性實施例的製造方法包含用以製備經堆疊層膜56A的程序S20以及程序S30；然而，可使用預製的外部製造式經堆疊層膜56A。在此等狀況下，可省略用以製備經堆疊層膜56A的程序S20以及程序S30。
在程序S40處，對程序S30處所製備的經堆疊層膜56A執行至形成於感測器基板34上的閃爍體32上的熱壓處理(熱壓黏結)。圖9A以及圖9B為說明用於熱壓處理的方法的實例的圖。可(例如)使用按壓裝置130執行用以將經堆疊層膜56A黏結至閃爍體32上的熱壓處理。按壓裝置130經組態以包含平台132以及貼附有彈性部件136(諸如，海綿)的滑件134。彈性部件136可由自橡膠或其類似者製成的振動膜組態。將形成有閃爍體32的 感測器基板34安裝於按壓裝置130的平台132上，並將經堆疊層膜56A安放於閃爍體32上(圖9A)。接著，將按壓裝置130的內部空間的溫度加熱至高於熱熔樹脂50A的熔融起始溫度但小於PET膜52A的熔融起始溫度的溫度。藉此熔融熱熔樹脂50A，然而PET膜52A保持為固體。歸因於在維持加熱狀態的同時朝向平台132側降低滑件134，彈性部件136接觸經堆疊層膜56A，且按壓力作用於經堆疊層膜56A上使得經堆疊層膜56A緊密接觸閃爍體32(圖9B)。
熱熔樹脂50A熔融，且因此，如圖10A中所說明，歸因於壓力，形成於閃爍體32的表面上的多個突出部分62穿透至熱熔樹脂50A中。然而，PET膜52A維持其固態，且因此，如圖10B中所說明，突出部分62至經堆疊層膜56A中的穿透在突出部分62的前端接觸PET膜52A的時點處停止。在形成於閃爍體32的表面的多個突出部分62的高度不均勻的狀況下，突出部分62至經堆疊層膜56A的穿透在具有最高高度的突出部分62的前端接觸PET膜52A的階段處停止。亦即，PET膜52A充當阻止突出部分62穿透至經堆疊層膜56A中的擋止件。如圖9B中所說明，熱壓處理將經堆疊層膜56A黏結至閃爍體32的頂面以及側面上，以及在閃爍體32的周邊部分處黏結至感測器基板34上，使得閃爍體32由經堆疊層膜56A密封。
輥可用作將按壓力施加至經堆疊層膜56A的構件。在此等狀況下，橫跨經堆疊層膜56A的整個區沿著第一方向移動將按壓力施加至經堆疊層膜56A的輥，並另外橫跨經堆疊層膜56A的整個區沿著正交於第一方向的第二方向移動輥。藉此將經堆疊層 膜56A以及閃爍體32熱壓黏結在一起。較佳在減少的大氣壓力下執行任一方法。程序S40為本發明的熱壓程序的實例。
在程序S50中，藉由自然冷卻硬化熱熔樹脂50A。藉此完成經堆疊層膜56A與閃爍體32及感測器基板34的黏結。
因此，根據本發明例示性實施例的放射線檢測裝置10的製造方法，藉由將在第一溫度處起始熔融的熱塑樹脂層50、在高於第一溫度的第二溫度處起始熔融的有機層52以及無機反射層54堆疊在一起產生經堆疊層膜56A。當將經堆疊層膜56A黏結至閃爍體32時，將經堆疊層膜56A加熱至高於第一溫度且小於第二溫度的溫度，並朝向閃爍體32按壓所述經堆疊層膜。亦即，在熱塑樹脂層50熔融且有機層52保持為固體的狀態下抵靠著經堆疊層膜56A按壓有機層52。藉此，此情況使得閃爍體32的突出部分62至經堆疊層膜56A中的穿透能夠在突出部分62的前端接觸有機層52的時點處停止。如圖5中所說明，藉此，此情況使得能夠獲得具有以下結構的放射線檢測面板30：閃爍體32的突出部分62的前端穿透熱塑樹脂層50並接觸有機層52。因此，如上文所描述，可在將閃爍體32與無機反射層54維持為非接觸狀態時控制閃爍體32與無機反射層54之間的距離。突出部分62至經堆疊層膜56A的穿透可在閃爍體32上的突出部分62的前端接觸有機層52的時點處停止，藉此使得能夠確保無機反射層54的平坦性。
第二例示性實施例
圖11為說明本發明的第二例示性實施例的放射線檢測裝置10的製造方法的程序流程圖。在圖11中，與根據第一例示性實施例的程序(參見圖6)實質上相同的程序附有相同參考編 號，並省略其重複解釋。
在第二例示性實施例的製造方法中，與根據第一例示性實施例的處理流程(參見圖6)對比，添加了用以量測閃爍體32的突出部分62的高度h的量測程序(程序S12)以及用以壓碎閃爍體32的突出部分62並減少突出部分62的高度的壓碎塑形程序(程序S14)。
將閃爍體32形成至感測器基板34之後並在熱壓處理(程序S40)之前，執行用以量測閃爍體32的突出部分62的高度h的程序(程序S12)。如圖12中所說明，可將閃爍體32的突出部分62的高度h視為參考平面S與突出部分62的前端之間的距離，所述參考平面S由在並未異常生長的情況下所形成的閃爍體32的柱狀晶體60的前端所定義。可(例如)藉由使用已知型態量測雷射顯微鏡或其類似者來量測突出部分62的高度h。在程序S12處，可導出形成於閃爍體32的表面上的多個突出部分62的高度h的最大值、平均值以及其類似者。程序S12為本發明的量測程序的實例。
自程序S12繼續執行對閃爍體32的突出部分62的壓碎塑形程序(程序S14)。可藉由將按壓力賦予至突出部分62執行對突出部分62的壓碎塑形。圖13A以及圖13B為說明突出部分62的壓碎塑形方法的實例的圖。如圖13A中所說明，可(例如)藉由接觸輥140(其將線性按壓力施加至閃爍體32的表面)並橫跨閃爍體32的整個表面移動輥140執行對突出部分62的壓碎塑形。如圖13B中所說明，亦可使用將平面按壓力施加至閃爍體32的表面的按壓板142執行壓碎塑形。
如圖14中所說明，藉由對突出部分62執行壓碎塑形，壓碎突出部分62的前端，且相比於壓碎塑形之前，突出部分62的高度h減少。突出部分62在壓碎塑形之後的高度h較佳為堆疊有熱塑樹脂層50(熱熔樹脂50A)、有機層52(PET膜52A)以及無機反射層54(Al箔片54A)的經堆疊層膜56A中的熱塑樹脂層50(熱熔樹脂50A)的厚度或低於所述厚度，且更佳為小於熱塑樹脂層50(熱熔樹脂50A)的厚度。若突出部分62的高度h大於經堆疊層膜56A中的熱塑樹脂層50(熱熔樹脂50A)的厚度，則當經堆疊層膜56A已黏結至閃爍體32時，存在閃爍體32與熱塑樹脂層50(熱熔樹脂50A)之間或熱塑樹脂層50(熱熔樹脂50A)與有機層52(PET膜52A)之間出現間隙的問題。因此，在程序S14中，較佳執行壓碎塑形，使得突出部分62的高度h變為特定臨限值或低於所述臨限值。舉例而言，可將經堆疊層膜56A中的熱塑樹脂層50(熱熔樹脂50A)的厚度用作臨限值。
為了在突出部分62的壓碎塑形之後達成具有特定臨限值或低於所述臨限值的高度h，可根據程序S12中所獲得的突出部分62的高度h，設定在壓碎塑形中施加到閃爍體32的表面的按壓力。舉例而言，程序S12中所量測的突出部分62的高度h的平均值以及最大值較高時，可增加施加到閃爍體32的表面的按壓力。此外，可反覆地執行對突出部分62的壓碎塑形(程序S14)以及對突出部分62的高度h的量測(程序S12)，直至突出部分62的高度h達成特定臨限值或低於所述臨限值為止。在程序S12處所量測的突出部分62的高度h的平均值以及最大值高於特定臨限值的狀況下，可執行對突出部分62的壓碎塑形。在並未量測突出部 分62的高度h的情況下，亦可執行對突出部分62的壓碎塑形。程序S14為本發明的壓碎塑形程序的實例。
在程序S40中，對由程序S20以及程序S30所產生的經堆疊的熱塑樹脂層50(熱熔樹脂50A)、有機層52(PET膜52A)以及無機反射層54(Al箔片54A)的經堆疊層膜56A以及已經受壓碎塑形的閃爍體32執行熱壓處理。
圖15為由根據第二例示性實施例的製造方法所製造的放射線檢測面板30的組態的部分橫截面。歸因於對閃爍體32的突出部分62所執行的壓碎塑形，經壓碎的突出部分62的前端中的至少一些穿透熱塑樹脂層50並接觸有機層52。在經壓碎的多個突出部分62的高度不均勻的狀況下，具有多個經壓碎的突出部分62中的最高高度的高突出部分62的前端穿透熱塑樹脂層50並接觸有機層52。歸因於能夠藉由使突出部分62經受壓碎塑形而使突出部分62的高度h較低，可使閃爍體32與無機反射層54之間的距離較小，且可提高所獲得放射照相影像的清晰度。可藉由使突出部分62經受壓碎塑形控制突出部分62的高度，從而使得能夠減少閃爍體32與無機反射層54之間的距離的製造方差。
第三例示性實施例
圖16為說明根據本發明的第三例示性實施例的放射線檢測裝置10的製造方法的程序流程圖。在圖16中，與第一例示性實施例的程序(參見圖6)以及第二例示性實施例的程序(參見圖11)實質上相同的程序附有相同參考編號，並省略其重複解釋。第三例示性實施例的製造方法不同於上文所描述的第一以及第二例示性實施例的製造方法，這是因為製造堆疊有熱塑樹脂層50(熱 熔樹脂)以及有機層52(PET膜)的經堆疊層膜，且在已將經堆疊層膜與閃爍體32黏結在一起之後，將無機反射層54(Al箔片)黏結至有機層52(PET膜)上。
在程序S31中，使用圖8中所說明的塗佈裝置120或其類似者，並產生具有塗佈至有機層52(PET膜)上的熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)的經堆疊層膜。在根據本發明例示性實施例的製造方法中，產生具有塗佈至有機層52(PET膜)上的熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)的經堆疊層膜，然而可利用預製的外部製造式經堆疊層膜。在此等狀況下，可省略用以製造經堆疊層膜的程序S31。
在程序S40中，將程序S31中所產生的經堆疊層膜安置於感測器基板34上所形成的閃爍體32上，並使用圖10A或圖10B中所說明的壓機或其類似者執行熱壓處理。接著，在步驟S50處，藉由自然冷卻固化熱塑樹脂層50(熱熔樹脂50A)。
在步驟S21處，用黏著劑塗佈無機反射層54(Al箔片)的一個面。接著，在步驟S54處，藉由將無機反射層54(Al箔片)置放為接觸黏結至閃爍體32的經堆疊層膜的有機層52(PET膜)並施加壓力，將無機反射層54(Al箔片)黏結至有機層52(PET膜)上。應注意，可省略用以量測閃爍體32的突出部分62的高度h的程序(程序S12)以及用以對閃爍體32的突出部分62執行壓碎塑形的程序(程序S14)。
藉此，在已將由熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)以及有機層52(PET膜)組態的經堆疊層膜黏結至閃爍體32之後，將無機反射層54(Al箔片)黏結至有機層52(PET膜)上的狀況下，亦可獲得製造有相同於圖5至圖15中所說明的結構的放射線檢測面板 30。
第四例示性實施例
圖17為說明根據本發明的第四例示性實施例的放射線檢測裝置10的製造方法的程序流程圖。在圖17中，與根據第一例示性實施例的程序(參見圖6)或根據第二例示性實施例的程序(參見圖11)實質上相同的程序附有相同參考編號，並省略其重複解釋。第四例示性實施例的製造方法不同於根據第一至第三例示性實施例的製造方法，這是因為包含將熱塑樹脂層50直接塗佈至閃爍體32上的程序(程序S33)，且並不將其中熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)與有機層52(PET膜)堆疊的經堆疊層膜供應至閃爍體32上。
亦即，在程序S33中，將藉由加熱所熔融的熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)塗佈至形成於感測器基板34上的閃爍體32上，如圖18中所說明。塗佈熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)，以便覆蓋閃爍體32的頂面以及側面，以及覆蓋在閃爍體32的周邊部分處的感測器基板34上。程序S33為本發明的塗佈程序的實例。
在程序S40中，將程序S20處所獲得的層壓有無機反射層54(Al箔片)的有機層52(PET膜)的層壓膜安置於塗佈至閃爍體32上的熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)上，並使用圖10A或圖10B中所說明的壓機或其類似者執行熱壓處理。
並不將熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)以堆疊有有機層52(PET膜)的經堆疊層膜形式供應至閃爍體32上，而是替代地直接將熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)塗佈至閃爍體32上的此方法亦使得能夠獲得經組態有相同於圖5至圖15中所說明的結構的放射線 檢測面板30。
在實施壓碎塑形使得在程序S14處對閃爍體32的突出部分62所執行的壓碎塑形中，突出部分62的高度h的平均值或最大值達成預定的臨限值或低於所述臨限值的狀況下，可將塗佈至閃爍體32上的熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)的塗佈厚度用作臨限值。應注意，可省略用以量測閃爍體32的突出部分62的高度h的程序(程序S12)以及用以對閃爍體32的突出部分62執行壓碎塑形的程序(程序S14)。
第五例示性實施例
圖19為說明根據本發明的第五例示性實施例的放射線檢測面板30的組態的部分橫截面。根據第五例示性實施例的放射線檢測面板30不同於圖5至圖15中所說明的放射線檢測面板30，這是因為第二有機層58進一步包含於無機反射層54上。第二有機層58充當用以保護無機反射層54的頂面的保護層。第二有機層58的材料的實例包含聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、雙軸定向聚丙烯(OPP)、聚萘二甲酸伸乙酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)、耐綸(Ny)、PC(聚碳酸酯)、澆鑄聚丙烯(CPP)、聚乙烯(PE)以及聚氯乙烯(PVC)。第二有機層58可由包含上文材料的多個層組態。因此，藉由用第二有機層58覆蓋無機反射層54的頂面，可防止無機反射層54劣化。
圖20為說明裝備有根據第五例示性實施例的放射線檢測面板30的放射線檢測裝置10的製造方法的程序流程圖。在圖20中，與根據第一例示性實施例的程序(參見圖6)或根據第二例示性實施例的程序(參見圖11)實質上相同的程序附有相同參 考編號，並省略其重複解釋。本發明例示性實施例的製造方法不同於根據第一至第四例示性實施例的程序流程，這是因為包含用以形成包含第二有機層58的經堆疊層膜以保護無機反射層54(Al箔片)的頂面的程序(程序S22以及程序S32)。
亦即，在程序S22中，將第一有機層52(PET膜)、無機反射層54(Al箔片)以及第二有機層58(例如，PET膜)層壓在一起。在程序S32中，獲得熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)塗佈至步驟S22處所產生的層壓膜的第一有機層52(PET膜)側上的經堆疊層膜。在步驟S40處，將程序S32中所產生的經堆疊層膜安置於感測器基板34上所形成的閃爍體32上，並使用圖10A或圖10B中所說明的壓機或其類似者執行熱壓處理。接著，在步驟S50處執行自然冷卻，從而使得能夠獲得具有圖19中所說明的結構的放射線檢測面板30。
在本發明例示性實施例中，產生熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)、第一有機層52(PET膜)、無機反射層54(Al箔片)以及第二有機層58(PET膜)堆疊在一起的經堆疊層膜，並將經堆疊層膜黏結至閃爍體32；然而，其程序流程並不限於此。舉例而言，在根據第三例示性實施例的程序流程(參見圖16)的程序S21中，可將第二有機層58(PET膜)層壓至無機反射層54(Al箔片)上而產生層壓膜，且接著可在已完成層壓膜的熱壓處理(程序S40)之後將第一有機層52(PET膜)黏結到其上。此外，在根據第四例示性實施例的程序流程(參見圖17)的將第一有機層52(PET膜)、無機反射層54(Al箔片)與第二有機層58(PET膜)層壓在一起的程序S20中，可產生層壓膜，且接著將此層壓膜安置於 熱塑樹脂層50(熱熔樹脂)上並執行熱壓處理(程序S40)。
經修改的實例
已在將熱熔樹脂用作熱塑樹脂層50的上文例示性實施例中的每一者中給出實例，然而亦可使用除了熱熔樹脂外的樹脂。除了熱熔樹脂外的此等熱塑樹脂的實例包含聚乙烯(PE：熔點136℃，楊氏模數為0.2GPa)以及聚丁烯(PB：熔點125℃，楊氏模數為0.5GPa)。並不屬於熱熔樹脂的類別的此等熱塑樹脂不具有黏著功能，且因此需要將黏著劑插入於閃爍體32與熱塑樹脂層50之間，以及熱塑樹脂層50與有機層52之間。此等黏著劑的實例包含TAKELAC A626/TAKENATE 50(由三井化學有限公司(Mitsui Chemicals Inc.)製造，TAKELAC以及TAKENATE為註冊商標)以及ADCOAT TM-569/CAT-RT37-0.8K(由東洋莫頓有限公司(Toyo-Morton Ltd.)製造，ADCOAT為註冊商標)。
圖21為說明在將除了熱熔樹脂外的材料用作熱塑樹脂層50的狀況下的製造方法的程序流程圖。在圖21中，與根據第一例示性實施例的程序(參見圖6)以及第二例示性實施例的程序(參見圖11)實質上相同的程序附有相同參考編號並省略其重複解釋。
在程序S34中，將黏著劑塗覆至程序S20處所產生的有機層52(PET膜)與無機反射層54(Al箔片)層壓在一起的層壓膜的有機層52(PET膜)側面，並將熱塑樹脂層50黏結至有機層52上。藉此獲得包含熱塑樹脂層50(例如，PE)、有機層52(PET膜)與無機反射層54(Al箔片)的經堆疊層膜。在程序S36處，將黏著劑塗佈至經堆疊層膜的熱塑樹脂層50(PE)上。
在程序S40處，藉由使用圖10A或圖10B中所說明的壓機或其類似者使塗佈有黏著劑的面接觸至形成於感測器基板34上的閃爍體32上而對程序S36中所獲得的經堆疊層膜執行熱壓處理。藉此，此情況使得能夠藉由將黏著劑插入於熱塑樹脂層50與有機層52之間以及熱塑樹脂層50與閃爍體32之間而將除了熱熔樹脂外的熱塑樹脂用作熱塑樹脂層50的組態部件。可將插入於閃爍體32與熱塑樹脂層50之間的黏著劑塗佈至閃爍體32側上。
可進行組態，使得在如根據第四例示性實施例的程序流程(參見圖17)將熱塑樹脂層50的組態部件直接塗佈至閃爍體32上的狀況下，在已將黏著劑塗佈至閃爍體32的表面上之後執行熱塑樹脂層50的塗佈，並將程序S20處藉由將有機層52(PET膜)與無機反射層54(Al箔片)層壓在一起所獲得的其中層壓膜的有機層52(PET膜)側上塗佈有黏著劑的層壓膜黏至熱塑樹脂層50，且接著執行熱壓處理(程序S40)。
儘管上文已給出包含本發明的攜帶型電子卡匣的放射線檢測裝置應用的狀況的解釋，但並不限於此。舉例而言，本發明可應用於安設於豎直台或傾斜台內部的放射線檢測裝置。本發明亦可應用於乳房攝影術裝置或用於牙科學中的放射線檢測裝置。

Claims (29)

  1. 一種放射線檢測裝置，其包括：閃爍體，其將放射線轉換成光；基板，其支撐所述閃爍體且包含根據由所述閃爍體所轉換的所述光產生電荷的多個感測器部分；熱塑樹脂層，其設在所述閃爍體上；第一有機層，其設在所述熱塑樹脂層上；以及無機反射層，其設在所述第一有機層上，其中所述熱塑樹脂層的熔融起始溫度小於所述第一有機層的所述熔融起始溫度，所述閃爍體在具備所述熱塑樹脂層的側上的表面上包含突出部分，且所述突出部分的前端穿透所述熱塑樹脂層並接觸所述第一有機層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測裝置，其中：所述閃爍體在具備所述熱塑樹脂層的所述側上的所述表面上包含多個突出部分；且所述多個突出部分中的至少一些的前端穿透所述熱塑樹脂層並接觸所述第一有機層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測裝置，其中：所述閃爍體在具備所述熱塑樹脂層的所述側上的所述表面上包含比其他部分進一步向外突出的多個突出部分；且出自所述多個突出部分的所述多個突出部分中的至少一些被壓碎，且所述被壓碎的突出部分中的至少一些的前端穿透所述熱塑樹脂層並接觸所述第一有機層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測裝置，其中：所述閃爍體包含多個柱狀晶體；且所述突出部分經組態以包含高於所述多個柱狀晶體的平均高度的至少一個柱狀晶體的前端部分。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測裝置，其中：所述熱塑樹脂層經組態以包含熱熔樹脂。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測裝置，其進一步包括：第二有機層，其設在所述無機反射層上。
  7. 一種放射線檢測裝置的製造方法，所述製造方法包括：形成程序，其中在基板上形成閃爍體；製備程序，其中製備包含在第一溫度處起始熔融的熱塑樹脂層以及在高於所述第一溫度的第二溫度處起始熔融的第一有機層的多層；熱壓程序，其中將所述多層安置於所述閃爍體上使得所述閃爍體與所述熱塑樹脂層彼此接觸，並在加熱至高於所述第一溫度且小於所述第二溫度的溫度時朝向所述閃爍體按壓所述多層，使得所述閃爍體的突出部分穿透所述熱塑樹脂層並接觸所述第一有機層；以及在所述熱壓程序之後的程序，其中在所述第一有機層上形成無機反射層。
  8. 一種放射線檢測裝置的製造方法，所述製造方法包括：形成程序，其中在基板上形成閃爍體；製備程序，其中製備包含在第一溫度處起始熔融的熱塑樹脂層、設在所述熱塑樹脂層上並在高於所述第一溫度的第二溫度處起始熔融的第一有機層、以及設在所述第一有機層上的無機反射層的多層；以及熱壓程序，其中將所述多層安置於所述閃爍體上使得所述閃爍體與所述熱塑樹脂層彼此接觸，並在加熱至高於所述第一溫度且小於所述第二溫度的溫度時朝向所述閃爍體按壓所述多層，使得所述閃爍體的突出部分穿透所述熱塑樹脂層並接觸所述第一有機層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其中在所述製備程序中製備進一步包含設在所述無機反射層上的第二有機層的多層。
  10. 一種放射線檢測裝置的製造方法，所述製造方法包括：形成程序，其中在基板上形成閃爍體；覆蓋程序，其中由在第一溫度處起始熔融的熱塑樹脂層覆蓋所述閃爍體的表面；熱壓程序，其中將包含在高於所述第一溫度的第二溫度處起始熔融的第一有機層以及設在所述第一有機層上的無機反射層的層安置於所述熱塑樹脂層上，並在將熱塑樹脂層加熱至高於所述第一溫度且小於所述第二溫度的溫度時朝向所述閃爍體按壓所述第一有機層，使得所述閃爍體的突出部分穿透所述熱塑樹脂層並接觸所述第一有機層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其中在所述熱壓程序中，將包含設在所述無機反射層上的第二有機層的層安置於所述熱塑樹脂層上。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其進一步包括在所述熱壓程序之前執行的壓碎塑形程序，且其中壓碎所述突出部分並減少所述突出部分的高度。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其中在所述壓碎塑形程序中，壓碎所述突出部分使得所述突出部分的所述高度達成特定臨限值或低於所述臨限值。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其中在所述壓碎塑形程序中，壓碎所述突出部分使得所述突出部分的所述高度減少至所述熱塑樹脂層的厚度或低於所述厚度。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其進一步包括：量測程序，其在所述熱壓程序之前執行且其中量測所述突出部分的所述高度；且在所述量測程序中所量測的所述突出部分的所述高度高於特定臨限值的狀況下執行所述壓碎塑形程序。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其進一步包括：量測程序，其在所述熱壓程序之前執行且其中量測所述突出部分的所述高度；且所述壓碎塑形程序包含用以將按壓力賦予所述突出部分的處理，其中基於所述量測程序中所量測的所述突出部分的所述高度判定所述按壓力。
  17. 如申請專利範圍第7項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其中所述熱塑樹脂層經組態以包含熱熔樹脂。
  18. 如申請專利範圍第8項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其進一步包括在所述熱壓程序之前執行的壓碎塑形程序，且其中壓碎所述突出部分並減少所述突出部分的高度。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其中在所述壓碎塑形程序中，壓碎所述突出部分使得所述突出部分的所述高度達成特定臨限值或低於所述臨限值。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其中在所述壓碎塑形程序中，壓碎所述突出部分使得所述突出部分的所述高度減少至所述熱塑樹脂層的厚度或低於所述厚度。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其進一步包括：量測程序，其在所述熱壓程序之前執行且其中量測所述突出部分的所述高度；且在所述量測程序中所量測的所述突出部分的所述高度高於特定臨限值的狀況下執行所述壓碎塑形程序。
  22. 如申請專利範圍第18項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其進一步包括：量測程序，其在所述熱壓程序之前執行且其中量測所述突出部分的所述高度；且所述壓碎塑形程序包含用以將按壓力賦予所述突出部分的處理，其中基於所述量測程序中所量測的所述突出部分的所述高度判定所述按壓力。
  23. 如申請專利範圍第8項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其中所述熱塑樹脂層經組態以包含熱熔樹脂。
  24. 如申請專利範圍第10項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其進一步包括在所述熱壓程序之前執行的壓碎塑形程序，且其中壓碎所述突出部分並減少所述突出部分的高度。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其中在所述壓碎塑形程序中，壓碎所述突出部分使得所述突出部分的所述高度達成特定臨限值或低於所述臨限值。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其中在所述壓碎塑形程序中，壓碎所述突出部分使得所述突出部分的所述高度減少至所述熱塑樹脂層的厚度或低於所述厚度。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其進一步包括：量測程序，其在所述熱壓程序之前執行且其中量測所述突出部分的所述高度；且在所述量測程序中所量測的所述突出部分的所述高度高於特定臨限值的狀況下執行所述壓碎塑形程序。
  28. 如申請專利範圍第24項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其進一步包括：量測程序，其在所述熱壓程序之前執行且其中量測所述突出部分的所述高度；且所述壓碎塑形程序包含用以將按壓力賦予所述突出部分的處理，其中基於所述量測程序中所量測的所述突出部分的所述高度判定所述按壓力。
  29. 如申請專利範圍第10項所述之放射線檢測裝置的製造方法，其中所述熱塑樹脂層經組態以包含熱熔樹脂。
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