TWI659530B - 透明有機發光二極體面板 - Google Patents

Abstract

一種透明有機發光二極體面板，包括多個畫素單元及透明導電層。各畫素單元包括第一電極、有機發光層及第二電極。第一電極配置於基板上。有機發光層配置於第一電極上，第二電極配置於有機發光層上。第二電極為半透明導電層。各畫素單元具有發光區及穿透區，且第一電極、有機發光層及第二電極位於發光區。透明導電層配置於第二電極上，且透明導電層位於發光區及穿透區。其中一畫素單元的第二電極經由透明導電層電性連接至另一畫素單元的第二電極。

Description

透明有機發光二極體面板

本發明是有關於一種面板，且特別是有關於一種透明有機發光二極體面板。

目前，在有機發光二極體面板中，可利用覆蓋層（capping layer）來窄化其發光的半高寬並調整發光之波峰的位置，以使有機發光二極體面板具有較佳的發光色純度。然而，若應用於透明有機發光二極體面板，由於覆蓋層通常為偏淺黃色的有機層，易造成透明有機發光二極體面板的穿透區有黃化的現象。

此外，為了使透明有機發光二極體面板的穿透區有較佳的穿透率，因而在其穿透區內不會設置有電極層而改用金屬走線。然而，僅使用金屬走線來電性連接各畫素單元並將外部電流導入，常會造成有內部阻值陡降（IR drop）的問題。因此，目前亟需一種能解決前述問題的手段。

本發明提供一種透明有機發光二極體面板，可改善穿透區的黃化現象以及內部阻值陡降的問題，並具有較佳的發光色純度。

本發明的透明有機發光二極體面板包括多個畫素單元及透明導電層。多個畫素單元配置於基板上。各畫素單元包括第一電極、有機發光層及第二電極。第一電極配置於基板上。有機發光層配置於第一電極上。第二電極配置於有機發光層上，且有機發光層位於第一電極與第二電極之間。第二電極為半透明導電層。各畫素單元具有發光區及穿透區，且第一電極、有機發光層及第二電極位於發光區。透明導電層配置於第二電極上，且第二電極位於透明導電層與有機發光層之間。透明導電層位於發光區及穿透區。其中一畫素單元的第二電極經由透明導電層電性連接至另一畫素單元的第二電極。

本發明之目的之一為可改善/減少透明有機發光二極體面板的黃化現象。

本發明之目的之一為可改善/減少透明有機發光二極體面板的內部阻值陡降的問題。

本發明之目的之一為提供一種具有較佳的發光色純度的透明有機發光二極體面板。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A是依照本發明的一實施例的一種透明有機發光二極體面板的俯視示意圖。圖1B是沿圖1A中剖線Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意圖。

請同時參照圖1A及圖1B，透明有機發光二極體面板10包括多個畫素單元100以及透明導電層200。多個畫素單元100配置於基板110上。各畫素單元100包括第一電極120、有機發光層130以及第二電極140。各畫素單元100具有發光區150及穿透區160，且第一電極120、有機發光層130及第二電極140位於發光區150。透明導電層200位於發光區150及穿透區160。

詳細來說，基板110包括基底SB以及位於基底SB上的主動元件170。其中，主動元件170包括源極171、汲極172、閘極173、通道層174、閘絕緣層175以及層間絕緣層176。閘極173與通道層174重疊，且閘極173與通道層174之間夾有閘絕緣層176。在本實施例中，主動元件170為底部閘極型薄膜電晶體，但本發明不以此為限。在其他實施例中，主動元件也可以包括頂部閘極型薄膜電晶體。在本實施例中，畫素單元100示意地繪示為一個主動元件170，但本發明不以此為限。在其他實施例中，畫素單元可具有一個以上的主動元件，且畫素單元還可以包括電容或其他被動元件。

在本實施例中，基板110更包括平坦層180。平坦層180位於主動元件170上，且平坦層180與主動元件170的閘絕緣層175分別位於主動元件170的層間絕緣層176的相對兩側。平坦層180具有至少一孔洞182，且孔洞182暴露出部分汲極172。

在本實施例中，第一電極120配置於基板110的平坦層180上，第一電極120與主動元件170的源極171分別位於平坦層180的相對兩側，且第一電極120與主動元件170分別位於平坦層180的相對兩側。第一電極120可填入平坦層180的孔洞182，使第一電極120電性連接於主動元件170的汲極172。在本實施例中，第一電極120可為金屬反射層，以使透明有機發光二極體面板10中的有機發光層130的出光方向朝上。

在本實施例中，畫素單元100更包括像素定義層190。像素定義層190配置於基板110的平坦層180上，並覆蓋部份第一電極120。像素定義層190位於發光區150中。像素定義層190具有至少一開口192，且開口192暴露出部分第一電極120。

在本實施例中，有機發光層130配置於像素定義層190的開口192內，且有機發光層130位於暴露出的部分第一電極120上。

在本實施例中，第二電極140配置於有機發光層130上，且有機發光層130位於第一電極120與第二電極140之間。第二電極140覆蓋部分像素定義層190以及有機發光層130。特別要說明的是，在本實施例中，第二電極140可為半透明導電層，且其材料包括半透明金屬層或穿透率可介於30%~70%的材料，舉例來說：鎂、銀、其組合或其他適合的半透明金屬層材料，但不以此為限。藉此，使本實施例的透明有機發光二極體面板10中的有機發光層130所發出的光可穿透第二電極140而向上出光。

特別要說明的是，第一電極120與第二電極140分別為具有不同電性的電極。在本實施例中，例如是第一電極120為陽極而第二電極140為陰極，但不以此為限。在其他實施例中也可以是第一電極120為陰極而第二電極140為陽極。

在本實施例中，各畫素單元100a更選擇性的包括電洞注入/傳輸層132與電子注入/傳輸層134。電洞注入/傳輸層132位於第一電極120與有機發光層130之間，且電洞注入/傳輸層132設置於各畫素單元100a的發光區150以及穿透區160，電子注入/傳輸層134位於有機發光層130與第二電極140之間，且電子注入/傳輸層134設置於各畫素單元100a的發光區150以及穿透區160。此外，電洞注入/傳輸層132與電子注入/傳輸層134可分別為單層或多層結構，也就是說，電洞注入/傳輸層132表示電洞注入層與電洞傳輸層的任意一者或兩者以上，電子注入/傳輸層134表示電子注入層與電洞傳輸層的任意一者或兩者以上。

在本實施例中，透明導電層200配置於基板110上並覆蓋各畫素單元的發光區150以及穿透區160。詳細來說，透明導電層200配置於發光區150的第二電極140上，且第二電極140位於透明導電層200與有機發光層130之間。透明導電層200直接接觸第二電極140，且透明導電層200完全覆蓋第二電極140。在本實施例中，透明導電層200的配置可從發光區150沿伸至穿透區160，並覆蓋位於穿透區160的平坦層180。在本實施例中，透明導電層200的材料可包括金屬氧化物，例如是銦鋅氧化物（IZO）、銦錫氧化物（ITO）或其他適合的金屬氧化物，但不以此為限。

特別要說明的是，由於本實施例的透明有機發光二極體面板10的透明導電層200直接接觸第二電極140，且透明導電層200配置於畫素單元100的發光區150與穿透區160，使得透明有機發光二極體面板10中的其中一畫素單元100a的第二電極140可經由透明導電層200電性連接至另一畫素單元100b、100c…等的第二電極140。

以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2是依照本發明的另一實施例的一種透明有機發光二極體面板的俯視示意圖。請同時參考圖1A與圖2，本實施例的透明有機發光二極體面板10a與圖1A中的透明有機發光二極體面板10相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的透明有機發光二極體面板10a更包括導線300。

在本實施例中，透明有機發光二極體面板10a包括多個畫素單元100、透明導電層200以及導線300。各畫素單元100具有發光區150及穿透區160，各畫素單元100的第二電極140配置於發光區150。導線300配置於發光區150及穿透區160。

詳細來說，請參照圖2，導線300配置於其中一畫素單元100a位於發光區150的第二電極140與另一畫素單元100b、100c位於發光區150的第二電極140之間。也就是說，其中一畫素單元100a的第二電極140可經由導線300通過穿透區160而電性連接至另一畫素單元100b的第二電極140。其中一畫素單元100a的第二電極140也可經由導線300電性連接至另一畫素單元100c的第二電極140。因此，本實施例的透明有機發光二極體面板10a可藉由透明導電層200以及導線300來電性連接各畫素單元並將外部電流導入，進而更加改善了內部阻值陡降的問題。

在本實施例中，導線300與第二電極140可為一體成形，即，導線300與第二電極140可為同一膜層。導線的材料可包括金屬，舉例來說：導線的材料可包括鎂、銀、其組合或其他適合的金屬材料，但不以此為限。其中一該畫素單元的該第二電極經由該透明導電層電性連接至另一該畫素單元的該第二電極

綜上所述，在本發明一實施例的透明有機發光二極體面板中，將透明導電層配置於畫素單元的發光區與穿透區，且將透明導電層配置於第二電極上並使透明導電層直接接觸第二電極。藉此，使得本實施例的透明有機發光二極體面板的其中一畫素單元的第二電極可經由透明導電層電性連接至另一畫素單元的第二電極，進而可改善了習知具有黃化的現象以及內部阻值陡降的問題。此外，在一些實施例的透明有機發光二極體面板中，也可利用透明導電層以及導線的配置來電性連接各畫素單元，進而更加改善了內部阻值陡降的問題。另外，本發明的透明有機發光二極體面板還具有較佳的發光色純度的功效。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、10a‧‧‧透明有機發光二極體面板

100、100a、100b、100c‧‧‧畫素單元

110‧‧‧基板

120‧‧‧第一電極

130‧‧‧有機發光層

132‧‧‧電洞注入/傳輸層

134‧‧‧電子注入/傳輸層

140‧‧‧第二電極

150‧‧‧發光區

160‧‧‧穿透區

170‧‧‧主動元件

171‧‧‧源極

172‧‧‧汲極

173‧‧‧閘極

174‧‧‧通道層

175‧‧‧閘絕緣層

176‧‧‧層間絕緣層

180‧‧‧平坦層

182‧‧‧孔洞

190‧‧‧像素定義層

200‧‧‧透明導電層

300‧‧‧導線

SB‧‧‧基底

圖1A是依照本發明的一實施例的一種透明有機發光二極體面板的俯視示意圖。 圖1B是沿圖1A中剖線Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的另一實施例的一種透明有機發光二極體面板的俯視示意圖。

Claims (9)

1. 一種透明有機發光二極體面板，包括：多個畫素單元，配置於一基板上，而各該畫素單元包括：一第一電極，配置於該基板上；一有機發光層，配置於該第一電極上；以及一第二電極，配置於該有機發光層上，其中該第二電極為半透明導電層，各該畫素單元具有一發光區及一穿透區，該第一電極、該有機發光層及該第二電極位於該發光區；一透明導電層，配置於該些第二電極上，且該透明導電層位於該些發光區及該些穿透區，而其中一該畫素單元的該第二電極經由該透明導電層電性連接至另一該畫素單元的該第二電極；以及一導線，配置於該發光區及該穿透區，使其中一該畫素單元的該第二電極經由該導線電性連接至另一該畫素單元的該第二電極，其中該導線的材料包括金屬。
2. 如申請專利範圍第1項所述的透明有機發光二極體面板，其中該第一電極為金屬反射層。
3. 如申請專利範圍第1項所述的透明有機發光二極體面板，其中該透明導電層直接接觸該第二電極。
4. 如申請專利範圍第1項所述的透明有機發光二極體面板，其中該透明導電層的材料包括金屬氧化物。
5. 如申請專利範圍第1項所述的透明有機發光二極體面板，其中該導線與該第二電極為同一膜層。
6. 如申請專利範圍第1項所述的透明有機發光二極體面板，其中各該畫素單元更包括：一電子注入/傳輸層，配置於該第二電極與該有機發光層之間；以及一電洞注入/傳輸層，配置於該有機發光層與該第一電極之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述的透明有機發光二極體面板，其中各該畫素單元更包括一主動元件，其中各該畫素單元的該第一電極電性連接至該主動元件。
8. 如申請專利範圍第1項所述的透明有機發光二極體面板，其中該第二電極為半透明金屬層。
9. 如申請專利範圍第1項所述的透明有機發光二極體面板，其中該第二電極的穿透率介於30%~70%。