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TWI655585B - 指紋辨識裝置 - Google Patents

指紋辨識裝置 Download PDF

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TWI655585B
TWI655585B TW107101585A TW107101585A TWI655585B TW I655585 B TWI655585 B TW I655585B TW 107101585 A TW107101585 A TW 107101585A TW 107101585 A TW107101585 A TW 107101585A TW I655585 B TWI655585 B TW I655585B
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TW
Taiwan
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fingerprint
fingerprint sensing
electrode
layer
fingerprint identification
Prior art date
Application number
TW107101585A
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English (en)
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TW201907333A (zh
Inventor
許良珍
張羽
楊河波
林淑惠
Original Assignee
大陸商宸美(廈門)光電有限公司
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Publication date
Application filed by 大陸商宸美(廈門)光電有限公司 filed Critical 大陸商宸美(廈門)光電有限公司
Publication of TW201907333A publication Critical patent/TW201907333A/zh
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Publication of TWI655585B publication Critical patent/TWI655585B/zh

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Abstract

一種指紋辨識裝置包含一蓋板、一光學黏著層、一指紋感應層以及一應力分攤結構。蓋板與光學黏著層之厚度總和小於或等於一值M,其中0.3毫米M

Description

指紋辨識裝置
本發明係關於一種指紋辨識裝置。
在目前的行動裝置中,觸控面板為相當普及的輸入裝置。為了提高用戶資料的保密性,許多行動裝置採用特定的認證機制來驗證使用者。典型的認證機制會要求使用者輸入密碼,若被輸入的密碼正確,則行動裝置即能允許使用者進行進一步操作。然而,這樣的密碼認證機制需要使用者逐一輸入密碼的各個字元,故並不便於使用者的操作。因此,部分行動裝置採用了指紋、人臉或虹膜等生物特徵辨識來進行使用者的驗證。
以指紋辨識為例,行動裝置可包含指紋辨識區。在指紋辨識區中,可分布多條電極線,以藉由電容感測的方式來感測指紋。一般來說,指紋辨識區係設置於非可視區,然而,由於行動裝置逐漸朝窄邊框的趨勢發展,故非可視區的尺寸越來越窄,因此,如何將指紋辨識區設置於行動裝置的可視區為相關領域的重要課題之一。
本發明之實施方式能夠在不過度降低指紋辨識裝置對外力衝擊的耐受性,且不降低指紋辨識能力的情況下,將指紋感應電極設置於可視區。
於部分實施方式中,一種指紋辨識裝置包含一蓋板、一光學黏著層、一指紋感應層以及一應力分攤結構。蓋板與光學黏著層之厚度總和小於或等於一值M,其中0.3毫米M0.45毫米。蓋板與指紋感應層係藉由光學黏著層所黏著的。指紋感應層係設置於應力分攤結構上。應力分攤結構之硬度大於指紋感應層的硬度。
於上述實施方式中,由於指紋辨識裝置包含應力分攤結構,故可助於分攤指紋辨識裝置所承受的外力。舉例來說,在對指紋辨識裝置進行落球測試時,應力分攤結構可分攤此落球的撞擊力。藉此,應力分攤結構可提高指紋辨識裝置對外力衝擊的耐受性。此外,由於指紋辨識裝置對外力衝擊的耐受性已被提高,故指紋辨識層外的保護蓋板的厚度需求可降低,故此指紋辨識裝置可採用更薄的蓋板。此薄化的蓋板可助於防止蓋板過厚而影響指紋辨識能力。如此一來,上述實施方式能夠在不過度降低指紋辨識裝置對外力衝擊的耐受性,且不降低指紋辨識能力的情況下,將指紋感應電極設置於可視區。
以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等,本發明之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。
100‧‧‧蓋板
101‧‧‧內表面
1011‧‧‧第一部分
1012‧‧‧第二部分
102‧‧‧外表面
110‧‧‧可視區
112‧‧‧指紋辨識區
114‧‧‧非指紋辨識區
120‧‧‧非可視區
200‧‧‧指紋感應層
220‧‧‧第一電極層
222‧‧‧第一指紋感應電極
224‧‧‧第一虛設電極
230‧‧‧絕緣層
240‧‧‧第二電極層
242‧‧‧第二指紋感應電極
244‧‧‧第二虛設電極
300‧‧‧遮光層
400‧‧‧導電黏著結構
500‧‧‧指紋辨識晶片
600‧‧‧光學黏著層
700‧‧‧觸控顯示裝置
800、800a‧‧‧應力分攤結構
900‧‧‧光學黏著層
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
H‧‧‧按鍵圖案
W2、W4、W5、W6‧‧‧尺寸
G1、G2‧‧‧間距
S1、S2‧‧‧距離
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂,所附圖式之說明如下:第1圖繪示依據本發明一實施方式之指紋辨識裝置的上視圖;第2圖繪示第1圖之指紋辨識裝置沿著第1圖之2-2線的剖面圖;第3圖繪示第1圖之指紋辨識裝置尚未組裝於觸控顯示裝置之前,在落球測試中的示意圖;第4圖為指紋辨識裝置的之不同垂直位置所承受的應力表;第5圖為當指紋辨識裝置不具有應力分攤結構時,此指紋辨識裝置在落球測試中,不同垂直位置所承受的應力表;第6圖繪示依據本發明一實施方式之指紋感應層的上視圖;第7圖繪示依據本發明一實施方式之指紋感應層與蓋板的疊構示意圖;以及第8圖繪示依據本發明另一實施方式之指紋辨識裝置的剖面圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數實施方式,為明確說明起見,許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然 而,熟悉本領域之技術人員應當瞭解到,在本發明部分實施方式中,這些實務上的細節並非必要的,因此不應用以限制本發明。此外,為簡化圖式起見,一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。另外,為了便於讀者觀看,圖式中各元件的尺寸並非依實際比例繪示。
第1圖繪示依據本發明一實施方式之指紋辨識裝置的上視圖。第2圖繪示第1圖之指紋辨識裝置沿著第1圖之2-2線的剖面圖。如第1及2圖所示,指紋辨識裝置可包含蓋板100、指紋感應層200、遮光層300、導電黏著結構400、指紋辨識晶片500、應力分攤結構800與光學黏著層900。蓋板100具有相對的內表面101以及外表面102。外表面102可為使用者觸控操作面。於部分實施方式中,可在外表面102上設置防髒汙、防指紋、抗刮或抗眩等功能層。於部分實施方式中,蓋板100的材料可為透光材料,例如玻璃,但本發明並不以此為限。外表面102與內表面101可為經過化學或物理強化的表面,以提升對蓋板100下方的遮光層300以及指紋感應層200的保護效果。內表面101具有相鄰接的第一部分1011以及第二部分1012。於部分實施方式中,第二部分1012為內表面101之靠近蓋板100側邊的邊緣區域,而第一部分1011為內表面101的中間區域,且第二部分1012可圍繞第一部分1011。
遮光層300覆蓋蓋板100之內表面101的第二部分1012,而露出第一部分1011,故內表面101之第二部分1012下方的元件會被遮光層300所遮蔽,而內表面101之第一部分1011下方的元件則不會被遮光層300所遮蔽。因此,遮光層300 所露出的區域可定義為蓋板100的可視區110,而遮光層300所覆蓋的區域可定義為蓋板100的非可視區120。於部分實施方式中,遮光層300可包含不透光材料,例如:不透光的光阻材料或油墨,但本發明並不以此為限。可視區110可包含指紋辨識區112以及非指紋辨識區114。非指紋辨識區114係相鄰於指紋辨識區112。於部分實施方式中,非指紋辨識區114圍繞指紋辨識區112。
指紋感應層200至少設置於蓋板100的可視區110內。於指紋辨識區112內(或正下方)的部分指紋感應層200能夠提供指紋辨識的功能。指紋感應層200與蓋板100的內表面101係藉由光學黏著層900黏著的。指紋感應層200係設置於應力分攤結構800上。換句話說,指紋感應層200係設置於光學黏著層900與應力分攤結構800之間。指紋辨識晶片500通過導電黏著結構400(如異方性導電膠(Anisotropic Conductive Film;ACF))黏著於指紋感應層200上,而可電性連接指紋感應層200。如此一來,指紋辨識晶片500可藉由指紋感應層200中的指紋感應電極所產生的電容變化來辨識使用者的指紋。在一些實施方式中,指紋辨識晶片500與導電黏著結構400係位於遮光層300下方,故這些不透光的元件可被遮光層300所遮蔽。
在一些實施方式中,應力分攤結構800之硬度大於指紋感應層200的硬度,以助於分攤指紋辨識裝置所承受的外力,從而提高指紋辨識裝置對外力衝擊的耐受性。舉例來說,可參閱第3圖,本圖繪示第1圖之指紋辨識裝置尚未 組裝於觸控顯示裝置700之前,在落球測試中的示意圖。如第3圖所示,當落球B撞擊蓋板100之外表面102時,指紋辨識裝置的之不同垂直位置所承受的應力表可如第4圖所示,其中,指紋辨識裝置之最頂垂直位置P1所承受的應力之值為第4圖中的應力值S1,指紋辨識裝置之最底垂直位置P2所承受的應力之值為第4圖中的應力值S2。由第4圖可看出,在此落球測試中,指紋辨識裝置所承受的最大應力為應力值S2,約為35兆帕(MPa)。
當指紋辨識裝置不具有應力分攤結構800時,此指紋辨識裝置在相同條件的落球測試中,不同垂直位置所承受的應力表如第5圖所示。由第5圖可看出,在此落球測試中,指紋辨識裝置所承受的最大應力為應力值S3,約為80兆帕,明顯大於第4圖中的最大應力值S2(35兆帕)。由第4及5圖可知,當指紋辨識裝置具有應力分攤結構800時,應力分攤結構800能夠有效分攤指紋辨識裝置所承受的應力,以降低指紋辨識裝置遭受撞擊時,指紋辨識裝置中所承受的最大應力值。因此,應力分攤結構800可提升指紋辨識裝置對外力衝擊的耐受性。
由於指紋辨識裝置對外力衝擊的耐受性已被應力分攤結構800提高,故蓋板100的厚度需求可降低。也就是說,在一些實施方式中,指紋辨識裝置可無須採用特別厚的蓋板100來提高對外力衝擊的耐受性。因此,此指紋辨識裝置可採用更薄的蓋板100。此薄化的蓋板100可助於防止蓋板100與光學黏著層900形成過厚的疊合結構而影響指紋 辨識能力。舉例來說,蓋板100與光學黏著層900之厚度總和可小於或等於值M,且0.3毫米M0.45毫米。當蓋板100與光學黏著層900之厚度總和滿足上述條件時,指紋辨識晶片500能夠準確地完成指紋辨識作業。
在一些實施方式中,應力分攤結構800的厚度大於蓋板100與光學黏著層900之厚度總和,藉此可助於應力分攤結構800能夠有效地分攤指紋辨識裝置所承受的應力。在一些實施方式中,應力分攤結構800與指紋感應層200的厚度總和大於0.28毫米,舉例來說,應力分攤結構800與指紋感應層200的厚度總和可大於0.28毫米並小於0.4毫米。在一些實施方式中,應力分攤結構800之材料包含玻璃等不可撓的透光材料。舉例來說,應力分攤結構800可為玻璃板,此玻璃板與指紋感應層200的厚度總和大於或等於0.28,藉此可助於分攤指紋辨識裝置所承受的應力。
在採用玻璃板做為應力分攤結構800的實施方式中,由於玻璃不具有可撓曲的性質,故指紋辨識晶片500下方的應力分攤結構800無法下折以提供更大的空間來安置指紋辨識晶片500。因此,在這樣的實施方式中,光學黏著層900的厚度可大於遮光層300、導電黏著結構400與指紋辨識晶片500的厚度總和,以利指紋辨識晶片500能夠安置於蓋板100與應力分攤結構800之間,而不與遮光層300相干涉。
第6圖繪示指紋感應層200的上視圖,第7圖繪示指紋感應層200與蓋板100的疊構示意圖。如第6及7圖所示, 指紋感應層200可包含依序設置於蓋板100下方的第一電極層220、絕緣層230以及第二電極層240。也就是說,絕緣層230係位於第一電極層220與第二電極層240之間,而可隔開第一電極層220與第二電極層240,使得第一電極層220與第二電極層240相絕緣。第一電極層220包含複數第一指紋感應電極222。第二電極層240係設置於應力分攤結構800上,且包含複數第二指紋感應電極242。第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242係以交錯的形式排列於可視區110內。換句話說,第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242在可視區110上的投影係相交的。絕緣層230可隔開第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242,而使第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242相絕緣。於部分實施方式中,第一指紋感應電極222可為驅動電極(Tx electrode),第二指紋感應電極242可為接收電極(Rx electrode),兩者之間可產生電容。當使用者的手指觸摸蓋板100的外表面102(可參閱第2圖),此電容會變化,從而幫助感測使用者指紋的波峰與波谷。於其他實施方式中,第一指紋感應電極222可為接收電極,第二指紋感應電極242可為驅動電極。
於部分實施方式中,一第一指紋感應電極222與另一鄰近之第一指紋感應電極222相隔間距G1。一第二指紋感應電極242與另一鄰近之第二指紋感應電極242相隔間距G2。此間距G1與G2可對應正常成年人的指紋的波谷間距(pitch)所設計。舉例來說,正常成年人的指紋的波谷間距約為75微米,而第一指紋感應電極222之間的間距G1可小於75微米(例 如:約為50至70微米),第二指紋感應電極242之間的間距G2亦可小於75微米(例如:約為50至70微米),以利感測使用者指紋的波峰與波谷,使得第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242的感應精度能夠達到指紋辨識等級。
於部分實施方式中,第一指紋感應電極222係由低方阻的材料所形成的,而提高第一指紋感應電極222的導電率以利指紋辨識。由於低方阻材料的透光率通常係不足的,故可能造成可視區110內的第一指紋感應電極222容易被使用者察覺。因此,為了降低第一指紋感應電極222被察覺的可能性,第一指紋感應電極222能夠越窄越好。
於部分實施方式中,第一指紋感應電極222的材料為金屬,而可稱為第一金屬電極。舉例來說,第一指紋感應電極222的材料可為鉬鋁鉬合金、銅、銀、鈦、鈮、釹或上述材料之任意組合,但本發明並不此為限。
於部分實施方式中,複數第一指紋感應電極222係沿著第一方向D1間隔性排列的。也就是說,相鄰兩第一指紋感應電極222之間的間距G1為沿著第一方向D1所量測的。
於部分實施方式中,複數第二指紋感應電極242係沿著第二方向D2間隔性排列的。第一方向D1與第二方向D2相交。於部分實施方式中,第一方向D1與第二方向D2實質上垂直。相鄰兩第二指紋感應電極242之間的間距G2為沿著第二方向D2所量測的。
於部分實施方式中,第一指紋感應電極222在 第一方向D1上的尺寸W2之範圍約介於1微米至20微米。較佳來說,尺寸W2約介於2微米至12微米。更佳來說,尺寸W2之範圍約介於2微米至8微米。於部分實施方式中,第二指紋感應電極242在第二方向D2上的尺寸W4之範圍約介於1微米至20微米。較佳來說,尺寸W2之範圍約介於2微米至12微米。更佳來說,尺寸W2之範圍約介於2微米至8微米。於部分實施方式中,相鄰兩第一指紋感應電極222之最外側的距離S1之範圍約介於50微米至80微米,而相鄰兩第二指紋感應電極242之最外側的距離S2之範圍亦約介於50微米至80微米。藉由上述尺寸設計,可助於指紋感應層200中的電極解析度足夠高,而利於指紋辨識。
於部分實施方式中,第一電極層220之厚度範圍約介於0.01微米至2微米。較佳來說,第一電極層220之厚度範圍約介於0.1微米至1微米。於部分實施方式中,絕緣層230的厚度範圍約介於1微米至10微米。較佳而言,絕緣層230的厚度範圍約介於3微米至10微米。於部分實施方式中,第二電極層240之厚度範圍約介於0.01微米至2微米。較佳來說,第二電極層240之厚度範圍約介於0.1微米至1微米。於部分實施方式中,蓋板100厚度範圍約介於0.01毫米至2毫米。較佳來說,蓋板100的厚度範圍約介於0.01毫米至0.55毫米。藉由上述厚度設計,第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242至蓋板100之外表面102的距離不致於過遠,從而利於指紋辨識。
於部分實施方式中,第一電極層220比第二電 極層240更靠近蓋板100。換句話說,第一指紋感應電極222比第二指紋感應電極242更靠近蓋板100。故相較於第二指紋感應電極242而言,第一指紋感應電極222係較容易被使用者察覺的。因此,第一指紋感應電極222可選擇性地具有抗反射特徵、霧化特徵或黑化特徵,以降低第一指紋感應電極222的可見性。舉例來說,第一指紋感應電極222的材料可包含鉬氧化物(MoOx),例如,第一指紋感應電極222可為鉬氧化物/鋁/鉬的層疊結構,其中鉬氧化物比鋁及鉬更靠近蓋板100。由於氧化處理而形成的鉬氧化物可降低第一指紋感應電極222的反射率,故可降低第一指紋感應電極222的可見性。
於部分實施方式中,由於第二指紋感應電極242比第一指紋感應電極222更遠離蓋板100,故第二指紋感應電極242較難被使用者察覺。因此,第二指紋感應電極242可不具有抗反射特徵、霧化特徵及黑化特徵。也就是說,第二指紋感應電極242的材料可不包含鉬氧化物。因此,在第一指紋感應電極222的材料包含鉬氧化物之實施方式中,第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242的材料可不同。
於部分實施方式中,第一電極層220還可包含複數第一虛設電極224。此些第一虛設電極224係間隔性地排列於非指紋辨識區114內。此些第一虛設電極224分別與此些第一指紋感應電極222對齊並絕緣,此些第一虛設電極224與此些第一指紋感應電極222包含相同材料。換句話 說,第一虛設電極224與第一指紋感應電極222的排列方式相與材料相同,藉此可降低指紋辨識區112與非指紋辨識區114之間的外觀差異(例如色差)。
於部分實施方式中,複數第一虛設電極224係沿著第一方向D1間隔性地排列,且相鄰兩第一虛設電極224之間的間距實質上等於相鄰兩第一指紋感應電極222之間的間距G1,以利第一虛設電極224與第一指紋感應電極222的排列方式相同。於部分實施方式中,第一虛設電極224在第一方向D1上的尺寸W5實質上等於第一指紋感應電極222在第一方向D1上的尺寸W2,以降低第一虛設電極224與第一指紋感應電極222之間的外觀差異。第一指紋感應電極222與第一虛設電極224係沿著第二方向D2間隔性地排列的。也就是說,第一指紋感應電極222與第一虛設電極224係對齊於第二方向D2,且彼此分隔。於部分實施方式中,當指紋辨識區112被非指紋辨識區114所圍繞時,一第一指紋感應電極222係位於兩第一虛設電極224之間,並與此兩第一虛設電極224均絕緣。舉例來說,一第一虛設電極224、一第一指紋感應電極222與另一第一虛設電極224係沿著第二方向D2間隔性地排列的,使得第一指紋感應電極222與此兩第一虛設電極224絕緣。如此一來,可降低指紋辨識區112與其周遭的非指紋辨識區114之間的外觀差異。
於部分實施方式中,由於第一虛設電極224係位於第一電極層220中,且第一電極層220比第二電極層240更靠近蓋板100,故第一虛設電極224比第二指紋感應 電極242更靠近蓋板100,而比第二指紋感應電極242更容易被使用者察覺。因此,第一虛設電極224可選擇性地具有抗反射特徵、霧化特徵或黑化特徵,以降低第一虛設電極224的可見性。舉例來說,第一虛設電極224的材料可包含鉬氧化物(MoOx),例如,第一虛設電極224可為鉬/鋁/鉬氧化物的層疊結構,其中鉬氧化物比鋁及鉬更靠近蓋板100。由於氧化處理所形成的鉬氧化物可降低第一虛設電極224的反射率,故可降低第一虛設電極224的可見性。於部分實施方式中,第一指紋感應電極222與第一虛設電極224的材料均包含鉬氧化物,以降低兩者之間的外觀差異。
於部分實施方式中,第二電極層240還可包含複數第二虛設電極244。此些第二虛設電極244係間隔性地排列於非指紋辨識區114內。此些第二虛設電極244分別與此些第二指紋感應電極242對齊並絕緣,此些第二虛設電極244與此些第二指紋感應電極242包含相同材料。換句話說,第二虛設電極244與第二指紋感應電極242的排列方式與材料相同,藉此可降低指紋辨識區112與非指紋辨識區114之間的外觀差異(例如色差)。
於部分實施方式中,複數第二虛設電極244係沿著第二方向D2間隔性地排列,且相鄰兩第二虛設電極244之間的間距實質上等於相鄰兩第二指紋感應電極242之間的間距G2,以利第二虛設電極244與第二指紋感應電極242的排列方式相同。於部分實施方式中,第二虛設電極244在第二方向D2上的尺寸W6實質上等於第二指紋感應電極 242在第二方向D2上的尺寸W4,以降低第二虛設電極244與第二指紋感應電極242之間的外觀差異。第二指紋感應電極242與第二虛設電極244係沿著第一方向D1間隔性地排列的。也就是說,第二指紋感應電極242與第二虛設電極244係對齊於第一方向D1,且彼此分隔。於部分實施方式中,當指紋辨識區112被非指紋辨識區114所圍繞時,一第二指紋感應電極242係位於兩第二虛設電極244之間,並與此兩第二虛設電極244均絕緣。舉例來說,一第二虛設電極244、一第二指紋感應電極242與另一第二虛設電極244係沿著第一方向D1間隔性地排列的,使得第二指紋感應電極242與此兩第二虛設電極244絕緣。如此一來,可降低指紋辨識區112與其周遭的非指紋辨識區114之間的外觀差異。
於部分實施方式中,由於第二虛設電極244比第一虛設電極224更遠離蓋板100,故第二虛設電極244較難被使用者察覺。因此,第二虛設電極244可不具有抗反射特徵、霧化特徵及黑化特徵。也就是說,第二虛設電極244的材料可不包含鉬氧化物。因此,在第一虛設電極224的材料包含鉬氧化物之實施方式中,第一虛設電極224與第二虛設電極244的材料可不同,且在第一指紋感應電極222的材料包含鉬氧化物之實施方式中,第一指紋感應電極222與第二虛設電極244的材料可不同。
於部分實施方式中,絕緣層230可整面性地位於可視區110內。也就是說,隔開每一第一指紋感應電極222與每一第二指紋感應電極242為一連續無中斷的絕緣層 體,而不是多個分散的絕緣塊。這樣的整面性設計可防止使用者察覺絕緣層230。
於部分實施方式中,如第2圖所示,於部分實施方式中,指紋辨識裝置還包含光學黏著層600以及觸控顯示裝置700。觸控顯示裝置700係通過光學黏著層600黏著於應力分攤結構800。進一步來說,應力分攤結構800係設置於指紋感應層200與觸控顯示裝置700之間。觸控顯示裝置700可為內嵌式(in-cell)或外掛式(on-cell)的觸控顯示面板,但本發明並不以此為限。也就是說,觸控顯示裝置700可包含顯示面板與觸控面板(未繪示於圖中)於其中,故觸控顯示裝置700外的指紋感應層200可無須提供觸控功能,而獨立地提供指紋辨識功能。
於部分實施方式中,如第1圖所示,非可視區120具有按鍵圖案H。指紋辨識區112至按鍵圖案H的最短距離小於5毫米。進一步來說,指紋辨識區112中的第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242(可參閱第6圖)至按鍵圖案H的最短距離小於5毫米。由於指紋辨識晶片500係位於非可視區120,故這樣的設計可助於縮短第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242至指紋辨識晶片500的距離,以降低第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242的信號傳遞至指紋辨識晶片500所產生的損耗。於部分實施方式中,按鍵圖案H可為非可視區120中的一開口,以露出按鍵(例如:Home鍵)。於其他實施方式中,按鍵圖案H可為非可視區120中的油墨圖案,此油墨圖案可覆蓋按鍵(例 如:Home鍵),且此油墨圖案與非可視區120中的其他區域之顏色不同,以助於使用者辨識按鍵的所在位置。
第8圖繪示依據本發明另一實施方式之指紋辨識裝置的剖面圖。如第8圖所示,本實施方式與第1圖所示實施方式之間的主要差異在於:本實施方式所示之應力分攤結構800a為可撓性薄膜,故此應力分攤結構800a可下折以提供更大的空間來安置指紋辨識晶片500。因此,在這樣的實施方式中,光學黏著層900的厚度無須大於遮光層300、導電黏著結構400與指紋辨識晶片500的厚度總和。
在一些實施方式中,應力分攤結構800a的硬度可大於或等於9H鉛筆硬度,以利提供足夠的應力分攤之效果。也就是說,應力分攤結構800a可為硬度大於或等於9H鉛筆硬度的可撓性薄膜。在一些實施方式中,硬度大於或等於9H鉛筆硬度的可撓性薄膜的厚度與指紋感應層200的厚度之總和介於0.15毫米與0.2毫米之間。在這樣的實施方式中,此硬度大於或等於9H鉛筆硬度的可撓性薄膜的厚度可小於蓋板100與光學黏著層900的厚度總和。
雖然本發明已以實施方式揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (12)

  1. 一種指紋辨識裝置,包含:一蓋板;一光學黏著層,該蓋板與該光學黏著層之厚度總和小於或等於一值M,其中0.3毫米M0.45毫米;一指紋感應層,其中該蓋板與該指紋感應層係藉由該光學黏著層所黏著的;以及一應力分攤結構,該指紋感應層係設置於該應力分攤結構上並接觸該應力分攤結構,且該應力分攤結構之硬度大於該指紋感應層的硬度。
  2. 如請求項1所述之指紋辨識裝置,其中該應力分攤結構與該指紋感應層的厚度總和大於或等於0.28毫米。
  3. 如請求項1所述之指紋辨識裝置,其中該應力分攤結構之材料包含玻璃。
  4. 如請求項1所述之指紋辨識裝置,其中該應力分攤結構為一玻璃板,該玻璃板與該指紋感應層的厚度總和大於或等於0.28毫米。
  5. 如請求項1所述之指紋辨識裝置,其中該應力分攤結構的厚度大於該蓋板與該光學黏著層之厚度總和。
  6. 如請求項1所述之指紋辨識裝置,其中該應力分攤結構為一可撓性薄膜。
  7. 如請求項1所述之指紋辨識裝置,其中該應力分攤結構的硬度大於或等於9H鉛筆硬度。
  8. 如請求項1所述之指紋辨識裝置,其中該應力分攤結構為一硬度大於或等於9H鉛筆硬度之可撓性薄膜。
  9. 如請求項8所述之指紋辨識裝置,其中該硬度大於或等於9H鉛筆硬度之可撓性薄膜的厚度小於該蓋板與該光學黏著層之厚度總和。
  10. 如請求項8所述之指紋辨識裝置,其中該硬度大於或等於9H鉛筆硬度之可撓性薄膜的厚度與該指紋感應層的厚度之總和介於0.15毫米與0.2毫米之間。
  11. 如請求項1所述之指紋辨識裝置,其中該蓋板具有一可視區,該指紋感應層係至少部分地位於該可視區。
  12. 如請求項1所述之指紋辨識裝置,更包含:一觸控顯示裝置,黏著於該應力分攤結構。
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