TWI653680B - 基板洗淨裝置、基板處理裝置及基板洗淨方法 - Google Patents

Abstract

本發明係藉由研磨頭及洗淨刷洗淨旋轉之基板。藉由使研磨頭沿第1路徑移動而形成第1軌跡。藉由使洗淨刷沿第2路徑移動而形成第2軌跡。將第1及第2路徑之重疊區域規定為干涉區域。使研磨頭自基板之中心朝向外周端部移動，並且判定研磨頭是否已離開干涉區域。於判定為研磨頭已離開干涉區域之時間點，開始洗淨刷自基板之外周端部朝向中心之移動。

Description

基板洗淨裝置、基板處理裝置及基板洗淨方法

本發明係關於一種進行基板之洗淨之基板洗淨裝置、基板處理裝置及基板洗淨方法。

於半導體裝置等之製造中之微影步驟中，藉由對基板上供給抗蝕液等塗佈液而形成塗佈膜。藉由對塗佈膜曝光後進行顯影，而於塗佈膜形成特定之圖案。對塗佈膜被曝光之前之基板進行洗淨處理(例如參照日本專利特開2009-123800號公報)。

於日本專利特開2009-123800號公報中記載有具有洗淨/乾燥處理單元之基板處理裝置。於洗淨/乾燥處理單元中，藉由旋轉夾頭使基板於水平地保持之狀態下旋轉。於該狀態下，藉由對基板之表面供給洗淨液，而沖洗基板之表面上所附著之塵埃等。又，藉由利用洗淨液及洗淨刷洗淨基板之整個背面及外周端部，而去除基板之整個背面及外周端部上所附著之污染物。

為了使形成於基板之圖案更微細化，要求基板之背面之更高之潔淨度。為了抑制產出量之降低並且提高基板之背面之潔淨度，考慮同時使用 複數個洗淨刷洗淨基板之背面。

作為使用複數個洗淨刷之基板之洗淨方法之一例，於日本專利特開平10-4072號公報中記載有使2個洗淨刷一邊於基板之旋轉中心與基板之周緣部之間分別進行往返運動一邊洗淨基板之表面。於該洗淨方法中，於進行基板之表面之洗淨之前，預先藉由使用者針對2個洗淨刷製作各自之動作模式(pattern)。

若藉由使用者製作動作模式，則假定2個洗淨刷依照所生成之動作模式進行動作後，判定2個洗淨刷是否相互干涉。於判定為2個洗淨刷相互干涉之情形時，要求使用者重新製作動作模式。使用者必須反覆製作動作模式直至判定為2個洗淨刷互不干涉。此種動作模式之製作較為繁雜。

為了不使用動作模式便以2個洗淨刷洗淨基板，考慮如下方法：於利用一刷洗淨基板之期間，使另一刷待機於基板之外側之位置，於利用另一刷洗淨基板之期間，使一刷待機於基板之外側之位置。然而，該洗淨方法中，基板處理之產出量降低。

本發明之目的在於提供一種無需對複數個洗淨工具之動作進行繁雜之設定作業且能夠抑制產出量之降低並且提高基板之潔淨度的基板洗淨裝置、基板處理裝置及基板洗淨方法。

(1)按照本發明之一態樣之基板洗淨裝置具備：旋轉保持部，其保持基板並使其旋轉；第1及第2洗淨工具，其等構成為能夠接觸基板之一面；第1移動部，其使第1洗淨工具一邊接觸藉由旋轉保持部而旋轉之基板之一面，一邊沿連結基板之中心與基板之外周部之第1路徑移動；第2移動部，其使第2洗淨工具一邊接觸藉由旋轉保持部而旋轉之基板之一面，一邊沿連結基板之中心與基板之外周部之第2路徑移動；記憶部，其預先記憶以 下位置資訊，該位置資訊表示自基板之中心朝向基板之外周部移動之第1洗淨工具離開沿第1路徑之第1洗淨工具之軌跡與沿第2路徑之第2洗淨工具之軌跡重疊之干涉區域的時間點之第1洗淨工具之位置；及控制部，其以第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之方式控制第1移動部，基於位置資訊判定第1洗淨工具是否已離開干涉區域，於判定為第1洗淨工具已離開干涉區域之時間點，以開始第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心之移動之方式控制第2移動部。

於該基板洗淨裝置中，一邊使第1洗淨工具接觸旋轉之基板之一面一邊使第1洗淨工具沿第1路徑移動，一邊使第2洗淨工具接觸旋轉之基板之一面一邊使第2洗淨工具沿第2路徑移動。藉此，藉由第1及第2洗淨工具洗淨基板。

第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動，並且判定第1洗淨工具是否已離開干涉區域。於判定為第1洗淨工具已離開干涉區域之時間點，開始自基板之外周部朝向基板之中心之第2洗淨工具之移動。於此情形時，由於第1洗淨工具已離開干涉區域，故而即便第1及第2洗淨工具同時移動，第1洗淨工具與第2洗淨工具亦不會干涉。因此，無需對第1及第2洗淨工具之移動進行繁雜之設定作業即可防止第1洗淨工具與第2洗淨工具之干涉。

又，根據上述構成，於第1洗淨工具到達基板之外周部之前，開始第2洗淨工具自基板之外周部向基板之中心之移動，因此可縮短自開始第1洗淨工具向外周部之移動至第2洗淨工具到達基板之中心為止之時間。因此，於利用第1洗淨工具之基板之洗淨後或洗淨中，可迅速地進行利用第2洗淨工具之基板之洗淨。

該等之結果為，無需對第1及第2洗淨工具之移動進行用以防止干涉之繁雜之設定作業，且能夠抑制產出量之降低並且提高基板之潔淨度。

(2)亦可為，第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心移動之速度高於第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之速度。

於此情形時，可自第1洗淨工具已離開干涉區域之時間點起以短時間使第2洗淨工具移動至基板之中心。

(3)亦可為，控制部以如下方式控制第1移動部，即，於第1洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心移動之期間，第1洗淨工具遠離基板之一面，於第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之期間，第1洗淨工具接觸基板之一面，且控制部以如下方式控制第2移動部，即，於第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心移動之期間，第2洗淨工具遠離基板之一面，於第2洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之期間，第2洗淨工具接觸基板之一面。

於此情形時，於第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之期間，藉由第1洗淨工具洗淨基板之一面。於利用第1洗淨工具之基板之一面之洗淨時，由第1洗淨工具去除之污染物藉由離心力而朝向基板之外周部流動。藉此，防止被去除之污染物流回至較第1洗淨工具靠基板之中心側。

於第2洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之期間，藉由第2洗淨工具洗淨基板之一面。於利用第2洗淨工具進行之基板之一面之洗淨時，由第2洗淨工具去除之污染物藉由離心力而朝向基板之外周部流動。藉此，防止被去除之污染物流回至較第2洗淨工具靠基板之中心側。

該等之結果為，利用第1及第2洗淨工具之洗淨後之基板之潔淨度進 一步提高。

(4)亦可為，第1洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心移動之速度高於第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之速度，且第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心移動之速度高於第2洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之速度。

於此情形時，可使位於基板之外周部之第1及第2洗淨工具以短時間移動至基板之中心。

(5)亦可為，第1洗淨工具為研磨工具，第2洗淨工具為刷。

於此情形時，於利用研磨工具進行基板之一面之研磨後，藉由刷將基板之一面洗淨。藉此，去除因基板之一面之研磨而產生之污染物。因此，基板之潔淨度進一步提高。

(6)亦可為，控制部係預先比較第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部時之第1移動速度與第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心時之第2移動速度，於第1移動速度為第2移動速度以上之情形時，不進行第1洗淨工具是否已離開干涉區域之判定，而以同時開始第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部之移動與第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心之移動之方式控制第1及第2移動部。

於第1移動速度為第2移動速度以上之情形時，即便同時開始第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部之移動與第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心之移動，第1及第2洗淨工具亦互不干涉。藉此，可於更早之時間點開始自基板之外周部朝向基板之中心之第2洗淨工具之移動。因此，可自開始第1洗淨工具自基板之中心向基板之外周部之移動之時間點起以更短時間使第2洗淨工具移動至基板之中心。

(7)按照本發明之另一態樣之基板處理裝置係以鄰接於曝光裝置之方式配置者，且具備：塗佈裝置，其於基板之上表面塗佈感光性膜；上述基板洗淨裝置；及搬送裝置，其於塗佈裝置、基板洗淨裝置及曝光裝置之間搬送基板；且基板洗淨裝置於利用曝光裝置對基板進行曝光處理前去除作為基板之一面之下表面之污染。

於該基板處理裝置中，藉由上述基板洗淨裝置去除曝光處理前之基板之下表面之污染。根據上述基板洗淨裝置，無需對第1及第2洗淨工具之移動進行繁雜之設定作業，且可抑制產出量之降低並且提高基板之潔淨度。其結果為，可不增大基板之製造成本而抑制因基板之下表面之污染所引起之基板之處理不良之產生。

(8)按照本發明之又一態樣之基板洗淨方法包括以下步驟：保持基板並使其旋轉；使第1洗淨工具一邊接觸旋轉之基板之一面，一邊沿連結基板之中心與基板之外周部之第1路徑移動；使第2洗淨工具一邊接觸旋轉之基板之一面，一邊沿連結基板之中心與基板之外周部之第2路徑移動；及預先記憶以下位置資訊，該位置資訊表示自基板之中心朝向基板之外周部移動之第1洗淨工具離開沿第1路徑之第1洗淨工具之軌跡與沿第2路徑之第2洗淨工具之軌跡重疊之干涉區域的時間點之第1洗淨工具之位置；使第1洗淨工具沿第1路徑移動之步驟包括以下步驟：使第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動；及基於位置資訊，判定第1洗淨工具是否已離開干涉區域；且使第2洗淨工具沿第2路徑移動之步驟包括以下步驟：於藉由判定之步驟判定為第1洗淨工具已離開干涉區域之時間點，使自基板之外周部朝向基板之中心之第2洗淨工具之移動開始。

於該基板洗淨方法中，一邊使第1洗淨工具接觸旋轉之基板之一面一 邊使第1洗淨工具沿第1路徑移動，一邊使第2洗淨工具接觸旋轉之基板之一面一邊使第2洗淨工具沿第2路徑移動。藉此，藉由第1及第2洗淨工具洗淨基板。

第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動，並且判定第1洗淨工具是否已離開干涉區域。於判定為第1洗淨工具已離開干涉區域之時間點，開始自基板之外周部朝向基板之中心之第2洗淨工具之移動。於此情形時，由於第1洗淨工具已離開干涉區域，故而即便第1及第2洗淨工具同時移動，第1洗淨工具與第2洗淨工具亦不會干涉。因此，無需對第1及第2洗淨工具之移動進行繁雜之設定作業即可防止第1洗淨工具與第2洗淨工具之干涉。

又，根據上述構成，於第1洗淨工具到達基板之外周部之前，開始第2洗淨工具自基板之外周部向基板之中心之移動，因此可縮短自開始第1洗淨工具向外周部之移動至第2洗淨工具到達基板之中心為止之時間。因此，於利用第1洗淨工具之基板之洗淨後或洗淨中，可迅速地進行利用第2洗淨工具之基板之洗淨。

該等之結果為，無需對第1及第2洗淨工具之移動進行用以防止干涉之繁雜之設定作業，且可抑制產出量之降低並且提高基板之潔淨度。

11‧‧‧裝載區塊

12‧‧‧第1處理區塊

13‧‧‧第2處理區塊

14‧‧‧傳遞區塊

14A‧‧‧洗淨乾燥處理區塊

14B‧‧‧搬入搬出區塊

15‧‧‧曝光裝置

15a‧‧‧基板搬入部

15b‧‧‧基板搬出部

21‧‧‧塗佈處理室

22‧‧‧塗佈處理室

23‧‧‧塗佈處理室

24‧‧‧塗佈處理室

25‧‧‧旋轉夾頭

27‧‧‧承杯

28‧‧‧處理液噴嘴

29‧‧‧噴嘴搬送機構

31‧‧‧顯影處理室

32‧‧‧塗佈處理室

33‧‧‧顯影處理室

34‧‧‧塗佈處理室

35‧‧‧旋轉夾頭

37‧‧‧承杯

38‧‧‧顯影噴嘴

39‧‧‧移動機構

50‧‧‧流體箱部

60‧‧‧流體箱部

81‧‧‧洗淨乾燥處理室

82‧‧‧洗淨乾燥處理室

83‧‧‧洗淨乾燥處理室

84‧‧‧洗淨乾燥處理室

91‧‧‧洗淨乾燥處理室

92‧‧‧洗淨乾燥處理室

93‧‧‧洗淨乾燥處理室

94‧‧‧洗淨乾燥處理室

95‧‧‧洗淨乾燥處理室

100‧‧‧基板處理裝置

111‧‧‧載體載置部

112‧‧‧搬送部

113‧‧‧載體

114‧‧‧主控制器

115‧‧‧搬送裝置

121‧‧‧塗佈處理部

122‧‧‧搬送部

123‧‧‧熱處理部

125‧‧‧上段搬送室

126‧‧‧下段搬送室

127‧‧‧搬送裝置

128‧‧‧搬送裝置

129‧‧‧塗佈處理單元

131‧‧‧塗佈顯影處理部

132‧‧‧搬送部

133‧‧‧熱處理部

135‧‧‧上段搬送室

136‧‧‧下段搬送室

137‧‧‧搬送裝置

138‧‧‧搬送裝置

139‧‧‧顯影處理單元

141‧‧‧搬送裝置

142‧‧‧搬送裝置

146‧‧‧搬送裝置

161‧‧‧洗淨乾燥處理部

162‧‧‧洗淨乾燥處理部

163‧‧‧搬送部

200‧‧‧旋轉夾頭

211‧‧‧旋轉馬達

212‧‧‧旋轉軸

213‧‧‧旋轉板

214‧‧‧板支持構件

220‧‧‧夾盤銷

221‧‧‧軸部

222‧‧‧銷支持部

223‧‧‧保持部

224‧‧‧磁體

231A‧‧‧磁板

231B‧‧‧磁板

232A‧‧‧磁板

232B‧‧‧磁板

233A‧‧‧磁體升降機構

233B‧‧‧磁體升降機構

234A‧‧‧磁體升降機構

234B‧‧‧磁體升降機構

300‧‧‧防護機構

301‧‧‧上段熱處理部

302‧‧‧下段熱處理部

303‧‧‧上段熱處理部

304‧‧‧下段熱處理部

310‧‧‧防護件

320‧‧‧防護件升降驅動部

350‧‧‧交接機構

351‧‧‧升降旋轉驅動部

352‧‧‧旋轉軸

353‧‧‧臂

354‧‧‧保持銷

400‧‧‧基板研磨部

409‧‧‧中心軸

410‧‧‧臂

410N‧‧‧噴嘴

411‧‧‧臂一端部

412‧‧‧臂本體部

413‧‧‧臂另一端部

414‧‧‧旋轉支持軸

415‧‧‧滑輪

416‧‧‧皮帶

417‧‧‧滑輪

418‧‧‧馬達

420‧‧‧臂支持柱

430‧‧‧臂升降驅動部

431‧‧‧線性導軌

432‧‧‧氣缸

433‧‧‧電動氣動調整器

440‧‧‧臂旋轉驅動部

441‧‧‧編碼器

500‧‧‧基板洗淨部

509‧‧‧中心軸

510‧‧‧臂

510N‧‧‧噴嘴

520‧‧‧臂支持柱

700‧‧‧基板洗淨裝置

710‧‧‧殼體

711‧‧‧側壁

712‧‧‧側壁

713‧‧‧側壁

714‧‧‧側壁

716‧‧‧底面部

780‧‧‧洗淨控制器

785‧‧‧位置資訊記憶部

786‧‧‧速度資訊記憶部

790‧‧‧研磨洗淨控制部

791‧‧‧旋轉控制部

792‧‧‧升降控制部

793‧‧‧臂控制部

794‧‧‧位置判定部

795‧‧‧刷洗淨控制部

a1‧‧‧箭頭

a2‧‧‧箭頭

cb‧‧‧洗淨刷

CP‧‧‧冷卻單元

EEW‧‧‧邊緣曝光部

if‧‧‧干涉區域

lc1‧‧‧第1軌跡

lc2‧‧‧第2軌跡

p1‧‧‧頭待機位置

p2‧‧‧刷待機位置

ph‧‧‧研磨頭

pt1‧‧‧第1路徑

pt2‧‧‧第2路徑

PAHP‧‧‧密接強化處理單元

PASS1‧‧‧基板載置部

PASS2‧‧‧基板載置部

PASS3‧‧‧基板載置部

PASS4‧‧‧基板載置部

PASS5‧‧‧基板載置部

PASS6‧‧‧基板載置部

PASS7‧‧‧基板載置部

PASS8‧‧‧基板載置部

PASS9‧‧‧基板載置部

P-BF1‧‧‧載置兼緩衝部

P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部

PHP‧‧‧熱處理裝置

S101~S120‧‧‧步驟

SD2‧‧‧洗淨乾燥處理單元

W‧‧‧基板

WC‧‧‧中心

WE‧‧‧外周端部

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Z‧‧‧方向

α‧‧‧旋轉角度

β‧‧‧旋轉角度

γ‧‧‧旋轉角度

θ1‧‧‧旋轉角度

θ2‧‧‧旋轉角度

圖1係表示本發明之一實施形態之基板洗淨裝置之概略構成之模式性俯視圖。

圖2係表示圖1之基板研磨部之構成之模式性側視圖。

圖3係用以說明圖1之旋轉夾頭及其周邊構件之構成之概略側視圖。

圖4係用以說明圖1之旋轉夾頭及其周邊構件之構成之概略俯視圖。

圖5係表示圖1之基板洗淨裝置之控制系統之構成之一部分之方塊圖。

圖6係用以說明干涉區域及位置資訊之俯視圖。

圖7係表示進行研磨洗淨及刷洗淨時之洗淨控制器之控制動作之流程圖。

圖8(a)~(i)係表示對應於圖7之一系列處理而變化之基板研磨部及基板洗淨部之狀態之圖。

圖9係具備圖1之基板洗淨裝置之基板處理裝置之模式性俯視圖。

圖10係主要表示圖9之塗佈處理部、塗佈顯影處理部及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置之模式性側視圖。

圖11係主要表示圖9之熱處理部及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置之模式性側視圖。

圖12係主要表示圖9之搬送部之側視圖。

圖13係表示另一實施形態之洗淨控制器之控制動作之流程圖。

圖14係表示依照圖13之控制例控制基板研磨部及基板洗淨部時之臂之動作之一例的圖。

圖15係表示依照圖13之控制例控制基板研磨部及基板洗淨部時之臂之動作之另一例的圖。

以下，使用圖式對本發明之一實施形態之基板洗淨裝置、基板處理裝置及基板洗淨方法進行說明。再者，於以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等。又，所謂基板之上表面係指朝向 上方之基板之面，所謂基板之下表面係指朝向下方之基板之面。

本發明中，所謂基板之污染係指基板因污染物、吸附痕跡或接觸痕跡等而變髒之狀態。又，本發明中，基板之洗淨包含藉由使用研磨工具研磨基板之一面而去除污染之洗淨與不研磨基板之一面而使用刷去除污染之洗淨。於以下之說明中，將使用研磨工具之基板之洗淨稱為研磨洗淨，將使用刷之基板之洗淨稱為刷洗淨。

[1]基板洗淨裝置

圖1係表示本發明之一實施形態之基板洗淨裝置之概略構成之模式性俯視圖。

如圖1所示，基板洗淨裝置700包含旋轉夾頭200、防護機構300、複數個(本例中為3個)交接機構350、基板研磨部400、基板洗淨部500、殼體710及洗淨控制器780。

殼體710具有4個側壁711、712、713、714、頂壁部(未圖示)及底面部716。側壁711、713相互對向，並且側壁712、714相互對向。於側壁711形成有用以於殼體710之內部與外部之間將基板W搬入及搬出之未圖示之開口。

於以下之說明中，將自殼體710之內部通過側壁711朝向殼體710之外側之方向稱為基板洗淨裝置700之前方，將自殼體710之內部通過側壁713朝向殼體710之外側之方向稱為基板洗淨裝置700之後方。又，將自殼體710之內部通過側壁712朝向殼體710之外側之方向稱為基板洗淨裝置700之左方，將自殼體710之內部通過側壁714朝向殼體710之外側之方向稱為基板洗淨裝置700之右方。

於殼體710之內部，在中央部上方之位置設置有旋轉夾頭200。旋轉 夾頭200將基板W以水平姿勢保持並使其旋轉。圖1中，由旋轉夾頭200保持之基板W以較粗之二點鏈線表示。旋轉夾頭200經由配管連接於未圖示之流體供給系統。流體供給系統對旋轉夾頭200之後述之液體供給管215(圖3)供給洗淨液。本實施形態中，使用純水作為洗淨液。

於旋轉夾頭200之下方設置有防護機構300及3個交接機構350。防護機構300包含防護件310及防護件升降驅動部320。

於較防護機構300及複數個交接機構350靠左方設置有基板研磨部400。基板研磨部400用於研磨洗淨，藉由對經旋轉夾頭200旋轉之基板W之下表面進行研磨而去除基板W之下表面之污染。基板研磨部400包含臂410及臂支持柱420。臂支持柱420於後方之側壁713之附近沿上下方向延伸。臂410於其一端部於臂支持柱420之內部可升降且可旋轉地被支持之狀態下自臂支持柱420沿水平方向延伸。

於臂410之另一端部安裝有研磨頭ph，該研磨頭ph對由旋轉夾頭200保持之基板W之下表面進行研磨。研磨頭ph具有圓柱形狀，例如由分散有研磨粒之PVA(聚乙烯醇)海綿形成。於臂410之內部設置有使研磨頭ph繞其軸心旋轉之驅動系統。驅動系統之詳細情況於下文敍述。研磨頭ph之外徑設定為小於基板W之直徑。於基板W之直徑為300mm之情形時，研磨頭ph之外徑設定為例如20mm左右。

於研磨頭ph之附近之臂410之部分安裝有噴嘴410N。噴嘴410N經由配管連接於未圖示之流體供給系統。流體供給系統對噴嘴410N供給洗淨液。噴嘴410N之噴出口朝向研磨頭ph之上端面(研磨面)周邊。

於未進行利用研磨頭ph之研磨洗淨之待機狀態下，臂410以於基板洗淨裝置700之前後方向上延伸之方式支持於臂支持柱420。此時，研磨頭 ph位於由旋轉夾頭200保持之基板W之外側(左方)且較該基板W靠下方。如此，將於臂410在前後方向上延伸之狀態下配置研磨頭ph之位置稱為頭待機位置p1。圖1中，頭待機位置p1以二點鏈線表示。

於進行利用研磨頭ph之研磨洗淨時，臂410以臂支持柱420之中心軸409為基準而旋轉。藉此，於較基板W更下方之高度下，如圖1中較粗之箭頭a1所示，研磨頭ph於與由旋轉夾頭200保持之基板W之中心對向之位置與頭待機位置p1之間移動。又，以研磨頭ph之上端面(研磨面)接觸基板W之下表面之方式調整臂410之高度。

本實施形態中，於水平面內，研磨頭ph位於頭待機位置p1時，以臂410延伸之方向為基準，於自頭待機位置p1朝向由旋轉夾頭200保持之基板W之中心之方向上定義臂410之旋轉角度θ1。

於較防護機構300及複數個交接機構350靠右方設置有基板洗淨部500。基板洗淨部500用於刷洗淨，不研磨基板W而將藉由旋轉夾頭200旋轉之基板W之下表面之污染去除。基板洗淨部500包含臂510及臂支持柱520。臂支持柱520於後方之側壁713之附近沿上下方向延伸。臂510於其一端部於臂支持柱520之內部可升降且可旋轉地被支持之狀態下自臂支持柱520沿水平方向延伸。

於臂510之另一端部安裝有洗淨刷cb，該洗淨刷cb對由旋轉夾頭200保持之基板W之下表面進行洗淨。洗淨刷cb具有圓柱形狀，例如由PVA海綿形成。於臂510之內部設置有使洗淨刷cb繞其軸心旋轉之驅動系統。驅動系統之詳細情況於下文敍述。洗淨刷cb之外徑設定為小於基板W之直徑。本例中，洗淨刷cb之外徑與研磨頭ph之外徑相等。再者，洗淨刷cb之外徑與研磨頭ph之外徑亦可設定為互不相同之大小。

於洗淨刷cb之附近之臂510之部分安裝有噴嘴510N。噴嘴510N經由配管連接於未圖示之流體供給系統。流體供給系統對噴嘴510N供給洗淨液。噴嘴510N之噴出口朝向洗淨刷cb之上端面(洗淨面)周邊。

於未進行利用洗淨刷cb之刷洗淨之待機狀態下，臂510以於基板洗淨裝置700之前後方向上延伸之方式支持於臂支持柱520。此時，洗淨刷cb位於由旋轉夾頭200保持之基板W之外側(右方)且較該基板W靠下方。如此，將於臂510在前後方向上延伸之狀態下配置洗淨刷cb之位置稱為刷待機位置p2。圖1中，刷待機位置p2以二點鏈線表示。

於進行利用洗淨刷cb之刷洗淨時，臂510以臂支持柱520之中心軸509為基準而旋轉。藉此，於較基板W更下方之高度下，如圖1中較粗之箭頭a2所示，洗淨刷cb於與由旋轉夾頭200保持之基板W之中心對向之位置與刷待機位置p2之間移動。又，以洗淨刷cb之上端面(洗淨面)接觸基板W之下表面之方式調整臂510之高度。

於本實施形態中，於水平面內，洗淨刷cb位於刷待機位置p2時，以臂510延伸之方向為基準，於自刷待機位置p2朝向由旋轉夾頭200保持之基板W之中心之方向上定義臂510之旋轉角度θ2。

洗淨控制器780包含CPU(中央運算處理裝置)、ROM(唯讀記憶體)及RAM(隨機存取記憶體)等。ROM中記憶控制程式。CPU藉由使用RAM執行ROM中記憶之控制程式而控制基板洗淨裝置700之各部之動作。

此處，於圖1之基板洗淨裝置700中，有研磨頭ph與洗淨刷cb干涉之可能性之區域定義為干涉區域if(圖6)。干涉區域if之詳細情況於下文敍述。

洗淨控制器780之ROM或RAM中記憶有對應於上述干涉區域if而規 定之位置資訊以及表示研磨頭ph及洗淨刷cb之移動速度之速度資訊。位置資訊及速度資訊之詳細情況於下文敍述。位置資訊及速度資訊係由基板洗淨裝置700之使用者設定。例如，位置資訊及速度資訊係藉由使用者操作未圖示之操作部而產生，記憶於洗淨控制器780之後述之位置資訊記憶部785(圖5)及速度資訊記憶部786(圖5)中。

[2]基板研磨部及基板洗淨部之詳細情況

圖1之基板研磨部400及基板洗淨部500除了設置於臂410、510之另一端部之構件(研磨頭ph及洗淨刷cb)不同之方面以外，具有基本上相同之構成。因此，基板研磨部400及基板洗淨部500中，代表性地說明基板研磨部400之構成。

圖2係表示圖1之基板研磨部400之構成之模式性側視圖。如圖2所示，臂410包含一體地連接之臂一端部411、臂本體部412及臂另一端部413。於臂支持柱420之內部設置有可升降地支持臂410之臂一端部411之臂升降驅動部430。又，於臂支持柱420之內部設置有臂旋轉驅動部440，該臂旋轉驅動部440支持臂410及臂升降驅動部430使之可繞臂支持柱420之軸心旋轉。

於臂一端部411之內部設置有滑輪417及馬達418。滑輪417連接於馬達418之旋轉軸。又，於臂另一端部413之內部設置有旋轉支持軸414及滑輪415。研磨頭ph安裝於旋轉支持軸414之上端部。滑輪415安裝於旋轉支持軸414之下端部。進而，於臂本體部412之內部設置有連接2個滑輪415、417之皮帶416。馬達418基於圖1之洗淨控制器780之控制而動作。於此情形時，馬達418之旋轉力經由滑輪417、皮帶416、滑輪415及旋轉支持軸414而傳遞至研磨頭ph。藉此，研磨頭ph繞上下方向之軸旋轉。

臂升降驅動部430包含沿鉛垂方向延伸之線性導軌431、氣缸432及電動氣動調整器433。於線性導軌431，可升降地安裝有臂一端部411。於該狀態下，臂一端部411連接於氣缸432。

氣缸432設置為藉由經由電動氣動調整器433被供給空氣而能夠於鉛垂方向上伸縮。電動氣動調整器433係由圖1之洗淨控制器780控制之電氣控制式調整器。氣缸432之長度對應於自電動氣動調整器433賦予至氣缸432之空氣之壓力而變化。藉此，臂一端部411移動至與氣缸432之長度對應之高度。

臂旋轉驅動部440包含例如馬達及複數個齒輪等，由圖1之洗淨控制器780控制。於臂支持柱420進而設置有用以檢測臂410之旋轉角度θ1(圖1)之編碼器441。編碼器441以研磨頭ph位於頭待機位置p1時之臂410之延伸之方向為基準而檢測臂410之旋轉角度θ1，將表示檢測結果之信號賦予至圖1之洗淨控制器780。藉此，反饋控制臂410之旋轉角度θ1。

再者，基板洗淨部500包含與上述編碼器441對應之編碼器。於此情形時，基板洗淨部500之編碼器以洗淨刷cb位於刷待機位置p2(圖1)時之臂510之延伸之方向為基準而檢測臂510之旋轉角度θ2(圖1)，將表示檢測結果之信號賦予至圖1之洗淨控制器780。藉此，反饋控制臂510之旋轉角度θ2。

[3]旋轉夾頭、防護機構及複數個基板交接機構之詳細情況

圖3係用以說明圖1之旋轉夾頭200及其周邊構件之構成之概略側視圖，圖4係用以說明圖1之旋轉夾頭200及其周邊構件之構成之概略俯視圖。圖3及圖4中，由旋轉夾頭200保持之基板W以較粗之二點鏈線表示。

如圖3及圖4所示，旋轉夾頭200包含旋轉馬達211、圓板狀之旋轉板 213、板支持構件214、4個磁板231A、231B、232A、232B、4個磁體升降機構233A、233B、234A、234B及複數個夾盤銷220。

旋轉馬達211於較圖1之殼體710內部之中央略靠上方之位置由未圖示之支持構件支持。旋轉馬達211具有向下方延伸之旋轉軸212。於旋轉軸212之下端部安裝有板支持構件214。藉由板支持構件214而水平地支持旋轉板213。藉由旋轉馬達211進行動作，旋轉軸212旋轉，旋轉板213繞鉛垂軸旋轉。

於旋轉軸212及板支持構件214插通有液體供給管215。液體供給管215之一端較板支持構件214之下端部向下方突出。液體供給管215之另一端連接於未圖示之流體供給系統。於由旋轉夾頭200保持之基板W之上表面上，可自流體供給系統經由液體供給管215噴出洗淨液。

複數個夾盤銷220關於旋轉軸212以等角度間隔設置於旋轉板213之周緣部。本例中，8個夾盤銷220關於旋轉軸212以45度間隔設置於旋轉板213之周緣部。各夾盤銷220包含軸部221、銷支持部222、保持部223及磁體224。

軸部221以於垂直方向上貫通旋轉板213之方式設置。銷支持部222以自軸部221之下端部朝水平方向延伸之方式設置。保持部223以自銷支持部222之前端部向下方突出之方式設置。又，於旋轉板213之上表面側，於軸部221之上端部安裝有磁體224。

各夾盤銷220能夠以軸部221為中心繞鉛垂軸旋轉，能夠切換為保持部223接觸基板W之外周端部之關閉狀態與保持部223遠離基板W之外周端部之打開狀態。再者，本例中，於磁體224之N極位於內側之情形時，各夾盤銷220成為關閉狀態，於磁體224之S極位於內側之情形時，各夾盤銷 220成為打開狀態。

於旋轉板213之上方，如圖4所示，以沿以旋轉軸212為中心之圓周方向排列之方式配置有圓弧狀之4個磁板231A、231B、232A、232B。4個磁板231A、231B、232A、232B中之磁板232A位於研磨頭ph移動之第1路徑pt1(後述之圖6)之上方。又，磁板232B位於洗淨刷cb移動之第2路徑pt2(後述之圖6)之上方。

磁板231A、231B、232A、232B之各者於外側具有S極，於內側具有N極。磁體升降機構233A、233B、234A、234B使磁板231A、231B、232A、232B分別升降。藉此，磁板231A、231B、232A、232B能夠於較夾盤銷220之磁體224高之上方位置與和夾盤銷220之磁體224大致相等之高度之下方位置之間獨立地移動。

藉由磁板231A、231B、232A、232B之升降，各夾盤銷220切換為打開狀態與關閉狀態。具體而言，各夾盤銷220於複數個磁板231A、231B、232A、232B中最接近之磁板位於上方位置之情形時成為打開狀態。另一方面，各夾盤銷220於最接近之磁板位於下方位置之情形時成為關閉狀態。

複數個交接機構350以旋轉夾頭200之旋轉軸212為中心而以等角度間隔配置於防護件310之外側。各交接機構350包含升降旋轉驅動部351、旋轉軸352、臂353及保持銷354。

旋轉軸352以自升降旋轉驅動部351向上方延伸之方式設置。臂353以自旋轉軸352之上端部向水平方向延伸之方式設置。保持銷354以能夠保持基板W之外周端部WE之方式設置於臂353之前端部。

藉由升降旋轉驅動部351，旋轉軸352進行旋轉動作。藉此，於設置 於基板洗淨裝置700之外部之基板W之搬送裝置與複數個保持銷354之間進行基板W之交接。又，藉由升降旋轉驅動部351，旋轉軸352進行升降動作及旋轉動作。藉此，於複數個保持銷354與旋轉夾頭200之間進行基板W之交接。

如上所述，防護機構300包含防護件310及防護件升降驅動部320。圖3中，以縱截面圖表示防護件310。防護件310具有關於旋轉夾頭200之旋轉軸212呈旋轉對稱之形狀，設置於較旋轉夾頭200及其下方之空間靠外側。

防護件升降驅動部320構成為能夠使防護件310升降，於未進行基板W之洗淨及乾燥時，將防護件310保持於較旋轉夾頭200靠下方之高度。另一方面，防護件升降驅動部320於進行基板W之洗淨及乾燥時，將防護件310保持於與由旋轉夾頭200保持之基板W相同之高度。藉此，防護件310於基板W之洗淨及乾燥時接住自基板W飛散之洗淨液。

[4]基板洗淨裝置之控制系統

圖5係表示圖1之基板洗淨裝置700之控制系統之構成之一部分的方塊圖。圖5中表示洗淨控制器780之功能性構成之一部分。洗淨控制器780包含位置資訊記憶部785、速度資訊記憶部786、研磨洗淨控制部790及刷洗淨控制部795。圖5之洗淨控制器780之各部之功能係藉由CPU執行控制程式而實現。

位置資訊記憶部785主要由洗淨控制器780之ROM或RAM之一部分構成，記憶上述位置資訊。速度資訊記憶部786主要由洗淨控制器780之ROM或RAM之一部分構成，記憶於基板洗淨裝置700內洗淨基板W時之研磨頭ph之移動速度及洗淨刷cb之移動速度作為速度資訊。

於以下之說明中，作為速度資訊記憶之研磨頭ph及洗淨刷cb之移動速度中，將研磨頭ph自基板W之中心向外周端部移動時之移動速度稱為第1移動速度。又，將洗淨刷cb自基板W之外周端部向基板W之中心移動時之移動速度稱為第2移動速度。

研磨洗淨控制部790包含旋轉控制部791、升降控制部792、臂控制部793及位置判定部794。旋轉控制部791藉由控制基板研磨部400之馬達418而調整研磨頭ph(圖1)之旋轉速度。升降控制部792藉由控制基板研磨部400之電動氣動調整器433而調整研磨頭ph(圖1)之高度。臂控制部793基於圖5之速度資訊記憶部786中記憶之速度資訊及來自基板研磨部400之編碼器441之信號，控制臂旋轉驅動部440。藉此，研磨頭ph以第1移動速度於後述之第1路徑pt1(圖6)上移動。

位置判定部794基於位置資訊記憶部785中記憶之位置資訊及來自基板研磨部400之編碼器441之信號，判定自基板W之中心向基板W之外周端部移動之研磨頭ph是否已離開後述之干涉區域if(圖6)。又，位置判定部794將判定結果賦予至刷洗淨控制部795。

刷洗淨控制部795除了不含位置判定部794之方面以外，基本上具有與研磨洗淨控制部790相同之構成。刷洗淨控制部795係如同研磨洗淨控制部790與基板研磨部400之關係般地控制基板洗淨部500之各部之動作。藉此，洗淨刷cb以第2移動速度於後述之第2路徑pt2(圖6)上移動。

又，刷洗淨控制部795基於自研磨洗淨控制部790之位置判定部794賦予之判定結果，於研磨頭ph已離開干涉區域if(圖6)時，開始自基板W之外周端部向基板W之中心之洗淨刷cb之移動。該控制之詳細情況於下文敍述。

[5]利用基板洗淨裝置對基板之下表面之研磨洗淨及刷洗淨

於圖1之基板洗淨裝置700中，於將基板W搬入至殼體710內後，洗淨由旋轉夾頭200保持之基板W之上表面。於洗淨基板W之上表面時，於一邊藉由旋轉夾頭200之所有的夾盤銷220保持基板W之外周端部一邊使基板W旋轉之狀態下，經由圖3之液體供給管215對基板W之上表面供給洗淨液。洗淨液藉由離心力而擴散至基板W之整個上表面，向外側飛散。藉此，沖洗附著於基板W之上表面之塵埃等。其後，使用上述位置資訊及速度資訊執行基板W之下表面之研磨洗淨及基板W之下表面之刷洗淨。

此處，對位置資訊進行說明。圖6係用以說明干涉區域及位置資訊之俯視圖。圖6中表示基板研磨部400及基板洗淨部500，並且假想性地以較粗之二點鏈線表示由圖1之旋轉夾頭200保持之基板W。

如圖6中以較粗之單點鏈線所示，對旋轉之基板W規定基板研磨部400之研磨頭ph之中心移動之第1路徑pt1。第1路徑pt1根據例如臂410之尺寸等而決定，以連結藉由旋轉夾頭200旋轉之基板W之中心WC與外周端部WE且延伸至頭待機位置p1之中心之方式呈圓弧狀延伸。藉由研磨頭ph之中心沿第1路徑pt1移動，如圖6中以單點鏈線所示，形成研磨頭ph之第1軌跡lc1。

又，如圖6中以較粗之虛線所示，對旋轉之基板W規定基板洗淨部500之洗淨刷cb之中心移動之第2路徑pt2。第2路徑pt2根據例如臂510之尺寸等而決定，以連結藉由旋轉夾頭200旋轉之基板W之中心WC與外周端部WE且延伸至刷待機位置p2之中心之方式呈圓弧狀延伸。藉由洗淨刷cb之中心沿第2路徑pt2移動，如圖6中以虛線所示，形成洗淨刷cb之第2軌跡lc2。

若研磨頭ph及洗淨刷cb中之任一者存在於第1軌跡lc1與第2軌跡lc2之重疊區域，則有因基板研磨部400及基板洗淨部500之動作而導致研磨頭ph與洗淨刷cb相互干涉之可能性。因此，如以較粗之實線及影線所示，將第1軌跡lc1與第2軌跡lc2之重疊區域定義為干涉區域if。

如上所述，對應於干涉區域if而設定位置資訊。位置資訊係表示藉由研磨頭ph自基板W之中心WC朝向基板W之外周端部WE移動而研磨頭ph離開干涉區域if之時間點之研磨頭ph之位置的資訊。本實施形態中，研磨頭ph離開干涉區域if之時間點之臂410之旋轉角度θ1設定為位置資訊。

於以下之說明中，將研磨頭ph位於基板W之外周端部WE上時之臂410之旋轉角度θ1設為「α」，將研磨頭ph位於基板W之中心WC上時之臂410之旋轉角度θ1設為「γ」。又，將藉由研磨頭ph自基板W之中心WC朝向外周端部WE移動而研磨頭ph已離開干涉區域if之時間點之臂410之旋轉角度θ1設為「β」。於此情形時，「β」作為位置資訊記憶於洗淨控制器780之位置資訊記憶部785中。

位置資訊只要為能夠特定出研磨頭ph之位置之資訊即可。因此，亦可使用臂410之旋轉角度θ1以外之參數作為位置資訊。例如，於圖5之臂旋轉驅動部440包含脈衝馬達之情形時，亦可使用賦予至臂旋轉驅動部440之脈衝數代替臂410之旋轉角度θ1作為位置資訊。

此處，基板研磨部400及基板洗淨部500係以通過由旋轉夾頭200保持之基板W之旋轉中心而於前後方向上延伸之鉛垂面作為基準而對稱地配置。因此，本例中，洗淨刷cb位於基板W之外周端部WE上時之臂510之旋轉角度θ2成為「α」，洗淨刷cb位於基板W之中心WC上時之臂510之旋轉角度θ2成為「γ」。又，藉由洗淨刷cb自基板W之中心WC朝向外周端部 WE移動而洗淨刷cb已離開干涉區域if之時間點之臂510之旋轉角度θ2成為「β」。

將使用位置資訊之基板W之下表面之研磨洗淨及基板W之下表面之刷洗淨之詳細情況與洗淨控制器780之動作一併進行說明。圖7係表示進行研磨洗淨及刷洗淨時之洗淨控制器780之控制動作之流程圖，圖8係表示對應於圖7之一系列處理而變化之基板研磨部400及基板洗淨部500之狀態的圖。

圖8(a)中以時序圖表示臂410、510之旋轉角度θ1、θ2之變化。於圖8(a)之時序圖中，較粗之實線表示臂410之旋轉角度θ1之變化，較粗之單點鏈線表示臂510之旋轉角度θ2之變化。圖8(b)~(i)中以模式性俯視圖表示圖8(a)之時序圖上之複數個時間點之基板研磨部400及基板洗淨部500之臂410、510之狀態。又，圖8(b)~(i)之俯視圖中，以二點鏈線假想性地表示基板W。

於開始研磨洗淨及刷洗淨之圖8之時間點t0，由旋轉夾頭200保持之基板W設為以預先規定之速度旋轉者。又，設為不對基板研磨部400之噴嘴410N及基板洗淨部500之噴嘴510N分別供給洗淨液。

進而，如圖8(b)所示，基板研磨部400之研磨頭ph及基板洗淨部500之洗淨刷cb以較基板W靠下方之高度分別位於頭待機位置p1及刷待機位置p2。此時，臂410之旋轉角度θ1為「0」，臂510之旋轉角度θ2亦為「0」。

首先，洗淨控制器780使研磨頭ph及洗淨刷cb移動至基板W之外周端部WE之下方之位置(步驟S101)。藉此，如圖8(a)、(c)所示，研磨頭ph及洗淨刷cb分別於時間點t1到達基板W之外周端部WE之下方之位置。此 時，臂410之旋轉角度θ1為「α」，臂510之旋轉角度θ2亦為「α」。

其次，洗淨控制器780使研磨頭ph進而移動至與基板W之中心WC對向之位置(步驟S102)。於此情形時，洗淨刷cb於基板W之外周端部WE之下方之位置成為待機狀態。藉此，如圖8(a)、(c)、(d)所示，於時間點t1~時間點t2，研磨頭ph不與洗淨刷cb干涉地移動至與基板W之中心WC對向之位置。於時間點t2，臂410之旋轉角度θ1為「γ」。

其次，洗淨控制器780使研磨頭ph接觸基板W之下表面並且使朝向基板W之外周端部WE之研磨頭ph之移動開始(步驟S103)。具體而言，於圖8之時間點t2~時間點t3，研磨頭ph上升至接觸基板W之下表面。於時間點t3，藉由研磨頭ph接觸基板W之下表面，而利用研磨頭ph研磨基板W之下表面之中心WC。此時，研磨頭ph位於干涉區域if上。其後，如圖8(e)、(f)、(g)所示，研磨頭ph移動至基板W之外周端部WE上。此時之移動速度調整為作為速度資訊預先規定之第1移動速度。藉此，於時間點t3~時間點t6，基板W之下表面自中心WC朝向外周端部WE被研磨。於時間點t6，臂410之旋轉角度θ1為「α」。於時間點t3~時間點t6之間，自噴嘴410N對基板W供給洗淨液。藉此，藉由洗淨液沖洗因研磨而自基板W之下表面剝取之污染物。

再者，於時間點t6，研磨頭ph到達基板W之外周端部WE時，有研磨頭ph與複數個夾盤銷220干涉之可能性。因此，本例中，於研磨頭ph到達基板W之外周端部WE時，藉由圖4之磁體升降機構234A，圖4之磁板232A暫時自下方位置移動至上方位置。藉此，旋轉夾頭200之各夾盤銷220於與磁板232A對應之區域局部地成為打開狀態。由於磁板232A位於研磨頭ph之第1路徑pt1(圖6)之上方，故而防止研磨頭ph與複數個夾盤銷 220相干涉。

於藉由步驟S103之研磨頭ph之移動中，洗淨控制器780基於自圖5之編碼器441賦予之信號及上述位置資訊，判定研磨頭ph是否已離開干涉區域if(步驟S104)。該判定處理以固定週期重複。洗淨控制器780於藉由編碼器441檢測之臂410之旋轉角度θ1大於圖6之「β」時判定研磨頭ph位於干涉區域if內。又，洗淨控制器780於藉由編碼器441檢測之臂410之旋轉角度θ1為圖6之「β」以下時判定研磨頭ph已離開干涉區域if。

本例中，如圖8(a)、(e)所示，於時間點t4，研磨頭ph離開干涉區域if。此時，臂410之旋轉角度θ1為「β」。若研磨頭ph已離開干涉區域if，則即便洗淨刷cb朝向基板W之中心WC移動，研磨頭ph與洗淨刷cb亦不會干涉。

因此，洗淨控制器780若判定研磨頭ph已離開干涉區域if，則於該時間點使自基板W之外周端部WE之下方之位置朝向與基板W之下表面之中心WC對向之位置之洗淨刷cb之移動開始(步驟S105)。藉此，本例中，如圖8(a)、(e)所示，於時間點t4，開始洗淨刷cb自基板W之外周端部WE之下方之位置向與基板W之下表面之中心WC對向之位置之移動。再者，洗淨控制器780於在步驟S104中判定研磨頭ph位於干涉區域if內之情形時，重複步驟S104之處理。

洗淨刷cb自基板W之外周端部WE之下方之位置向與基板W之下表面之中心WC對向之位置移動時之移動速度基於速度資訊而調整為預先規定之第2移動速度。此處，於洗淨刷cb在遠離基板W之狀態下移動之情形時，由於基板W不會被洗淨刷cb摩擦，因此可將洗淨刷cb之移動速度設定為最大限度。因此，第2移動速度與研磨頭ph一邊研磨基板W之下表面一 邊移動時之研磨頭ph之第1移動速度相比設定得充分高。因此，如圖8(a)、(f)所示，本例中，於研磨頭ph到達基板W之外周端部WE之時間點t6之前之時間點t5，洗淨刷cb到達與基板W之下表面之中心WC對向之位置。此時，臂510之旋轉角度θ2為「γ」。

其次，洗淨控制器780使洗淨刷cb接觸基板W之下表面並且使洗淨刷cb朝向基板W之外周端部WE移動(步驟S106)。具體而言，自圖8之時間點t5起以一定時間使洗淨刷cb上升至接觸基板W之下表面。藉由洗淨刷cb接觸基板W之下表面，而利用洗淨刷cb洗淨基板W之下表面之中心WC。其後，如圖8(g)、(h)、(i)所示，於時間點t6~時間點t9，洗淨刷cb移動至基板W之外周端部WE上，藉由洗淨刷cb洗淨基板W之下表面。再者，洗淨刷cb之移動亦可於洗淨刷cb接觸基板W之下表面之同時開始。於洗淨刷cb接觸基板W之下表面之時間點t6~時間點t9之間，自噴嘴510N對基板W供給洗淨液。藉此，藉由洗淨液沖洗因研磨而自基板W之下表面剝取之污染物。

再者，於時間點t9，於洗淨刷cb到達基板W之外周端部WE時，有洗淨刷cb與複數個夾盤銷220相干涉之可能性。因此，本例中，於洗淨刷cb到達基板W之外周端部WE時，藉由圖4之磁體升降機構234B，圖4之磁板232B暫時自下方位置移動至上方位置。藉此，旋轉夾頭200之各夾盤銷220於與磁板232B對應之區域局部地成為打開狀態。由於磁板232B位於洗淨刷cb之第2路徑pt2(圖6)之上方，故而防止洗淨刷cb與複數個夾盤銷220相干涉。

若研磨頭ph到達基板W之外周端部WE，則洗淨控制器780以研磨頭ph遠離基板W之方式使研磨頭ph下降，使研磨頭ph返回至頭待機位置 p1(步驟S107)。本例中，如圖8(a)、(g)、(h)所示，於時間點t6~時間點t7，研磨頭ph遠離基板W，於時間點t7~時間點t8，研磨頭ph返回至頭待機位置p1。

進而，若洗淨刷cb到達基板W之外周端部WE，則洗淨控制器780以洗淨刷cb遠離基板W之方式使洗淨刷cb下降，使洗淨刷cb返回至刷待機位置p2(步驟S108)。本例中，如圖8(a)、(i)所示，於時間點t9~時間點t10，洗淨刷cb遠離基板W，於時間點t10~時間點t11，洗淨刷cb返回至刷待機位置p2。藉此，基板W之下表面之研磨洗淨及刷洗淨結束。

圖7之一系列處理中，步驟S106、S107、S108之處理無需以上述順序進行。步驟S107之處理亦可於步驟S106之前進行。或者，步驟S106、S107、S108之處理之一部分處理亦可與其他處理同時進行。再者，於以下之說明中，圖7之一系列處理中，將以虛線包圍之步驟S103、S104、S105之一系列處理稱為防干涉基本控制。

於基板W之上表面之洗淨、基板W之下表面之研磨洗淨及基板W之下表面之刷洗淨結束後，進行基板W之乾燥處理。於基板W之乾燥處理中，於藉由所有的夾盤銷220保持基板W之狀態下，使該基板W高速旋轉。藉此，甩掉附著於基板W之洗淨液，基板W乾燥。藉由基板W之乾燥處理結束，將基板W自殼體710搬出。

上述例中，開始用於洗淨刷cb接觸基板W之上升之時間點設定為洗淨刷cb到達基板W之下表面之中心WC之下方之位置的時間點t5。並不限於該例，洗淨刷cb開始上升之時間點可設定為研磨頭ph到達基板W之外周端部WE之時間點t6，亦可設定為時間點t5~時間點t6之間之任意時間點。

上述例中，洗淨刷cb一邊進行刷洗淨一邊朝向基板W之外周端部WE之移動之開始時間點設定為研磨頭ph到達基板W之外周端部WE之時間點t6。並不限於該例，洗淨刷cb朝向基板W之外周端部WE之移動之開始時間點可設定為藉由洗淨刷cb上升而接觸基板W之中心WC之時間點，亦可設定為自洗淨刷cb接觸基板W起至時間點t6之任意時間點。於此情形時，於基板W之下表面上，於一部分環狀區域經研磨頭ph進行研磨洗淨之同時，較一部分環狀區域靠內側之其他區域經洗淨刷cb進行刷洗淨。

[6]基板處理裝置

(a)基板處理裝置之構成之概略

圖9係具備圖1之基板洗淨裝置700之基板處理裝置之模式性俯視圖。於圖9及後述之圖10~圖12中，為了使位置關係明確而標附有表示相互正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於鉛垂方向。

如圖9所示，基板處理裝置100具備裝載區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。藉由洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B構成傳遞區塊14。以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式配置曝光裝置15。於曝光裝置15中，藉由液浸法對基板W進行曝光處理。

裝載區塊11包含複數個載體載置部111及搬送部112。於各載體載置部111載置有多段地收納複數個基板W之載體113。

於搬送部112設置有主控制器114及搬送裝置115。主控制器114控制基板處理裝置100之各種構成要素。搬送裝置115一邊保持基板W一邊搬送該基板W。

第1處理區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123以隔著搬送部122對向之方式設置。於搬送部122與裝載區塊11之間設置有載置基板W之基板載置部PASS1及後述之基板載置部PASS2~PASS4(參照圖12)。於搬送部122設置有搬送基板W之搬送裝置127及後述之搬送裝置128(參照圖12)。

第2處理區塊13包含塗佈顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。塗佈顯影處理部131及熱處理部133以隔著搬送部132對向之方式設置。於搬送部132與搬送部122之間設置有載置基板W之基板載置部PASS5及後述之基板載置部PASS6~PASS8(參照圖12)。於搬送部132設置有搬送基板W之搬送裝置137及後述之搬送裝置138(參照圖12)。

洗淨乾燥處理區塊14A包含洗淨乾燥處理部161、162及搬送部163。洗淨乾燥處理部161、162以隔著搬送部163對向之方式設置。於搬送部163設置有搬送裝置141、142。

於搬送部163與搬送部132之間設置有載置兼緩衝部P-BF1及後述之載置兼緩衝部P-BF2(參照圖12)。

又，於搬送裝置141、142之間，以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式設置有基板載置部PASS9及後述之載置兼冷卻部P-CP(參照圖12)。

於搬入搬出區塊14B設置有搬送裝置146。搬送裝置146進行相對於曝光裝置15之基板W之搬入及搬出。於曝光裝置15設置有用以搬入基板W之基板搬入部15a及用以搬出基板W之基板搬出部15b。

(b)塗佈處理部及塗佈顯影處理部之構成

圖10係主要表示圖9之塗佈處理部121、塗佈顯影處理部131及洗淨乾燥處理部161之基板處理裝置100之模式性側視圖。

如圖10所示，於塗佈處理部121階層性地設置有塗佈處理室21、22、23、24。於塗佈處理室21~24之各者設置有塗佈處理單元(旋轉塗佈機)129。於塗佈顯影處理部131階層性地設置有顯影處理室31、33及塗佈處理室32、34。於顯影處理室31、33之各者設置有顯影處理單元(旋轉顯影機)139，於塗佈處理室32、34之各者設置有塗佈處理單元129。

各塗佈處理單元129具備保持基板W之旋轉夾頭25及以覆蓋旋轉夾頭25之周圍之方式設置之承杯27。本實施形態中，於各塗佈處理單元129設置有2組旋轉夾頭25及承杯27。旋轉夾頭25由未圖示之驅動裝置(例如電動馬達)旋轉驅動。又，如圖9所示，各塗佈處理單元129具備噴出處理液之複數個處理液噴嘴28及搬送該處理液噴嘴28之噴嘴搬送機構29。

於塗佈處理單元129中，藉由未圖示之驅動裝置使旋轉夾頭25旋轉，並且複數個處理液噴嘴28中之任一處理液噴嘴28藉由噴嘴搬送機構29而移動至基板W之上方，自該處理液噴嘴28噴出處理液。藉此，於基板W上塗佈處理液。又，自未圖示之邊緣清洗噴嘴對基板W之周緣部噴出清洗液。藉此，去除附著於基板W之周緣部之處理液。

於塗佈處理室22、24之塗佈處理單元129中，抗反射膜用處理液自處理液噴嘴28供給至基板W。於塗佈處理室21、23之塗佈處理單元129中，抗蝕膜用處理液自處理液噴嘴28供給至基板W。於塗佈處理室32、34之塗佈處理單元129中，抗蝕覆蓋膜用處理液自處理液噴嘴28供給至基板W。

顯影處理單元139與塗佈處理單元129同樣地具備旋轉夾頭35及承杯37。又，如圖9所示，顯影處理單元139具備噴出顯影液之2個顯影噴嘴38及使該顯影噴嘴38沿X方向移動之移動機構39。

於顯影處理單元139中，藉由未圖示之驅動裝置使旋轉夾頭35旋轉，並且一顯影噴嘴38一邊沿X方向移動一邊對各基板W供給顯影液，其後，另一顯影噴嘴38一邊移動一邊對各基板W供給顯影液。於此情形時，藉由對基板W供給顯影液，而進行基板W之顯影處理。又，本實施形態中，自2個顯影噴嘴38噴出互不相同之顯影液。藉此，可對各基板W供給兩種顯影液。

於洗淨乾燥處理部161階層性地設置有洗淨乾燥處理室81、82、83、84。於洗淨乾燥處理室81~84之各者設置有圖1之基板洗淨裝置700。於基板洗淨裝置700中，進行曝光處理前之基板W之上表面之洗淨、下表面之研磨洗淨、下表面之刷洗淨及乾燥處理。

此處，設置於洗淨乾燥處理部161之複數個基板洗淨裝置700之洗淨控制器780亦可作為局部控制器設置於洗淨乾燥處理部161之上部。或者，圖9之主控制器114亦可執行藉由複數個基板洗淨裝置700之洗淨控制器780執行之各種處理。

如圖9及圖10所示，於塗佈處理部121中以鄰接於塗佈顯影處理部131之方式設置有流體箱部50。同樣地，於塗佈顯影處理部131中以鄰接於洗淨乾燥處理區塊14A之方式設置有流體箱部60。於流體箱部50及流體箱部60內，收納有與對塗佈處理單元129及顯影處理單元139之處理液及顯影液之供給以及自塗佈處理單元129及顯影處理單元139之排液及排氣等相關之流體關聯機器。流體關聯機器包含導管、套圈、閥、流量計、調整器、泵、溫度調節器等。

(c)熱處理部之構成

圖11係主要表示圖9之熱處理部123、133及洗淨乾燥處理部162之基 板處理裝置100之模式性側視圖。如圖11所示，熱處理部123具有設置於上方之上段熱處理部301及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302設置有複數個熱處理裝置PHP、複數個密接強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。

於熱處理裝置PHP中進行基板W之加熱處理。於密接強化處理單元PAHP中，進行用以提高基板W與抗反射膜之密接性之密接強化處理。具體而言，於密接強化處理單元PAHP中，於基板W塗佈HMDS(六甲基二矽氮烷)等密接強化劑並且對基板W進行加熱處理。於冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理。

熱處理部133具有設置於上方之上段熱處理部303及設置於下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304設置有冷卻單元CP、複數個熱處理裝置PHP及邊緣曝光部EEW。

於邊緣曝光部EEW中，對形成於基板W上之抗蝕膜之周緣部之一定寬度之區域進行曝光處理(邊緣曝光處理)。於上段熱處理部303及下段熱處理部304中，以相鄰於洗淨乾燥處理區塊14A之方式設置之熱處理裝置PHP構成為可自洗淨乾燥處理區塊14A搬入基板W。

於洗淨乾燥處理部162階層性地設置有洗淨乾燥處理室91、92、93、94、95。於洗淨乾燥處理室91~95之各者設置有洗淨乾燥處理單元SD2。洗淨乾燥處理單元SD2除了未設置基板研磨部400之方面及一體地設置圖4之磁板231A、231B、232A之方面以外，具有與基板洗淨裝置700相同之構成。於洗淨乾燥處理單元SD2中進行曝光處理後之基板W之上表面之洗淨、下表面之刷洗淨及乾燥處理。

(d)搬送部之構成

圖12係主要表示圖9之搬送部122、132、163之側視圖。如圖12所示，搬送部122具有上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132具有上段搬送室135及下段搬送室136。於上段搬送室125設置有搬送裝置(搬送機械手)127，於下段搬送室126設置有搬送裝置128。又，於上段搬送室135設置有搬送裝置137，於下段搬送室136設置有搬送裝置138。

於搬送部112與上段搬送室125之間設置有基板載置部PASS1、PASS2，於搬送部112與下段搬送室126之間設置有基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬送室125與上段搬送室135之間設置有基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬送室126與下段搬送室136之間設置有基板載置部PASS7、PASS8。

於上段搬送室135與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬送室136與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163中，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。

搬送裝置127構成為能夠於基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、塗佈處理室21、22(圖10)及上段熱處理部301(圖11)之間搬送基板W。搬送裝置128構成為能夠於基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、塗佈處理室23、24(圖10)及下段熱處理部302(圖11)之間搬送基板W。

搬送裝置137構成為能夠於基板載置部PASS5、PASS6、載置兼緩衝部P-BF1、顯影處理室31(圖10)、塗佈處理室32(圖10)及上段熱處理部303(圖11)之間搬送基板W。搬送裝置138構成為能夠於基板載置部PASS7、PASS8、載置兼緩衝部P-BF2、顯影處理室33(圖10)、塗佈處理 室34(圖10)及下段熱處理部304(圖11)之間搬送基板W。

搬送部163之搬送裝置141(圖9)構成為能夠於載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2及洗淨乾燥處理部161(圖10)之間搬送基板W。

搬送部163之搬送裝置142(圖9)構成為能夠於載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2、洗淨乾燥處理部162(圖11)、上段熱處理部303(圖11)及下段熱處理部304(圖11)之間搬送基板W。

(e)基板處理裝置之動作

一邊參照圖9~圖12一邊說明基板處理裝置100之動作。於裝載區塊11之載體載置部111(圖9)載置有收容有未處理之基板W之載體113。搬送裝置115自載體113向基板載置部PASS1、PASS3(圖12)搬送未處理之基板W。又，搬送裝置115將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖12)之完成處理之基板W搬送至載體113。

於第1處理區塊12中，搬送裝置127(圖12)將載置於基板載置部PASS1之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖11)、冷卻單元CP(圖11)及塗佈處理室22(圖10)。其次，搬送裝置127將藉由塗佈處理室22形成有抗反射膜之基板W依序搬送至熱處理裝置PHP(圖11)、冷卻單元CP(圖11)及塗佈處理室21(圖10)。繼而，搬送裝置127將藉由塗佈處理室21形成有抗蝕膜之基板W依序搬送至熱處理裝置PHP(圖11)及基板載置部PASS5(圖12)。

於此情形時，於密接強化處理單元PAHP中對基板W進行密接強化處理後，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於抗反射膜之形成之溫度。其 次，於塗佈處理室22中，藉由塗佈處理單元129(圖10)而於基板W上形成抗反射膜。繼而，於熱處理裝置PHP中進行基板W之熱處理後，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於抗蝕膜之形成之溫度。其次，於塗佈處理室21中，藉由塗佈處理單元129(圖10)而於基板W上形成抗蝕膜。其後，於熱處理裝置PHP中進行基板W之熱處理，該基板W載置於基板載置部PASS5。

又，搬送裝置127將載置於基板載置部PASS6(圖12)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖12)。

搬送裝置128(圖12)將載置於基板載置部PASS3之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖11)、冷卻單元CP(圖11)及塗佈處理室24(圖10)。其次，搬送裝置128將藉由塗佈處理室24形成有抗反射膜之基板W依序搬送至熱處理裝置PHP(圖11)、冷卻單元CP(圖11)及塗佈處理室23(圖10)。繼而，搬送裝置128將藉由塗佈處理室23形成有抗蝕膜之基板W依序搬送至熱處理裝置PHP(圖11)及基板載置部PASS7(圖12)。

又，搬送裝置128(圖12)將載置於基板載置部PASS8(圖12)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖12)。塗佈處理室23、24(圖10)及下段熱處理部302(圖11)中之基板W之處理內容與上述塗佈處理室21、22(圖10)及上段熱處理部301(圖11)中之基板W之處理內容相同。

於第2處理區塊13中，搬送裝置137(圖12)將載置於基板載置部PASS5之抗蝕膜形成後之基板W依序搬送至塗佈處理室32(圖10)、熱處理裝置PHP(圖11)、邊緣曝光部EEW(圖11)及載置兼緩衝部P-BF1(圖12)。於此情形時，於塗佈處理室32中，藉由塗佈處理單元129(圖10)而於基板W上形成抗蝕覆蓋膜。其後，於熱處理裝置PHP中進行基板W之熱處理， 將該基板W搬入至邊緣曝光部EEW。繼而，於邊緣曝光部EEW中對基板W進行邊緣曝光處理。將邊緣曝光處理後之基板W載置於載置兼緩衝部P-BF1。

又，搬送裝置137(圖12)自鄰接於洗淨乾燥處理區塊14A之熱處理裝置PHP(圖11)取出利用曝光裝置15之曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送裝置137將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖11)、顯影處理室31(圖10)、熱處理裝置PHP(圖11)及基板載置部PASS6(圖12)。

於此情形時，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於顯影處理之溫度後，於顯影處理室31中藉由顯影處理單元139去除抗蝕覆蓋膜並且進行基板W之顯影處理。其後，於熱處理裝置PHP中進行基板W之熱處理，將該基板W載置於基板載置部PASS6。

搬送裝置138(圖12)將載置於基板載置部PASS7之抗蝕膜形成後之基板W依序搬送至塗佈處理室34(圖10)、熱處理裝置PHP(圖11)、邊緣曝光部EEW(圖11)及載置兼緩衝部P-BF2(圖12)。

又，搬送裝置138(圖12)自鄰接於洗淨乾燥處理區塊14A之熱處理裝置PHP(圖11)取出利用曝光裝置15之曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送裝置138將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖11)、顯影處理室33(圖10)、熱處理裝置PHP(圖11)及基板載置部PASS8(圖12)。顯影處理室33、塗佈處理室34及下段熱處理部304中之基板W之處理內容與上述顯影處理室31、塗佈處理室32(圖10)及上段熱處理部303(圖11)中之基板W之處理內容相同。

於洗淨乾燥處理區塊14A中，搬送裝置141(圖9)將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖12)之基板W搬送至洗淨乾燥處理部161之基板洗淨裝 置700(圖10)。繼而，搬送裝置141將基板W自基板洗淨裝置700搬送至載置兼冷卻部P-CP(圖12)。於此情形時，於基板洗淨裝置700中進行基板W之上表面之洗淨、下表面之研磨洗淨、下表面之刷洗淨及乾燥處理後，於載置兼冷卻部P-CP中將基板W冷卻至適於曝光裝置15(圖9)之曝光處理之溫度。

搬送裝置142(圖9)將載置於基板載置部PASS9(圖12)之曝光處理後之基板W搬送至洗淨乾燥處理部162之洗淨乾燥處理單元SD2(圖11)。又，搬送裝置142將洗淨及乾燥處理後之基板W自洗淨乾燥處理單元SD2搬送至上段熱處理部303之熱處理裝置PHP(圖11)或下段熱處理部304之熱處理裝置PHP(圖11)。於該熱處理裝置PHP中進行曝光後烘烤(PEB)處理。

於搬入搬出區塊14B中，搬送裝置146(圖9)將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖12)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15之基板搬入部15a(圖9)。又，搬送裝置146(圖9)自曝光裝置15之基板搬出部15b(圖9)取出曝光處理後之基板W，並將該基板W搬送至基板載置部PASS9(圖12)。

再者，於曝光裝置15無法承收基板W之情形時，將曝光處理前之基板W暫時收容至載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。又，於第2處理區塊13之顯影處理單元139(圖10)無法承收曝光處理後之基板W之情形時，將曝光處理後之基板W暫時收容至載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。

於上述基板處理裝置100中，可同時進行設置於上段之塗佈處理室21、22、32、顯影處理室31及上段熱處理部301、303中之基板W之處理與設置於下段之塗佈處理室23、24、34、顯影處理室33及下段熱處理部302、304中之基板W之處理。藉此，可提高產出量而不用增加佔據面積。

此處，所謂基板W之主面係指形成抗反射膜、抗蝕膜及抗蝕覆蓋膜之面，所謂基板W之背面係指其相反側之面。於本實施形態之基板處理裝置100之內部，於基板W之主面朝向上方之狀態下，對基板W進行上述各種處理。即，對基板W之上表面進行各種處理。

[7]效果

(a)如上所述，於本實施形態之基板洗淨裝置700中，藉由基板研磨部400之研磨頭ph對基板W之下表面進行研磨洗淨，藉由基板洗淨部500之洗淨刷cb對基板W之下表面進行刷洗淨。

於基板W之研磨洗淨時，研磨頭ph自基板W之中心WC朝向基板W之外周端部WE移動，並且判定研磨頭ph是否已離開干涉區域if。於研磨頭ph已離開干涉區域if之時間點，開始洗淨刷cb自基板W之外周端部WE朝向基板W之中心WC之移動。於此情形時，由於研磨頭ph已離開干涉區域if，故而即便研磨頭ph及洗淨刷cb同時移動，研磨頭ph與洗淨刷cb亦不干涉。因此，無需對研磨頭ph及洗淨刷cb之移動進行繁雜之設定作業，即可防止研磨頭ph與洗淨刷cb之干涉。

又，根據上述構成，於研磨洗淨中之研磨頭ph到達基板W之外周端部WE之前，洗淨刷cb開始向基板W之中心WC之移動，因此可縮短自利用研磨頭ph之研磨洗淨開始至洗淨刷cb到達基板W之中心WC為止之時間。因此，於利用研磨頭ph對基板W之研磨洗淨後或研磨洗淨中，可迅速地進行利用洗淨刷cb對基板W之刷洗淨。

該等之結果為，無需對研磨頭ph及洗淨刷cb之動作進行用以防止干涉之繁雜之設定作業，且能夠抑制產出量降低並且提高基板W之潔淨度。

(b)於上述例中，自基板W之外周端部WE向基板W之中心WC移動之 洗淨刷cb之第2移動速度，高於自基板W之中心WC向外周端部WE移動之研磨頭ph之第1移動速度。藉此，可自研磨頭ph遠離干涉區域if之時間點起以短時間使洗淨刷cb移動至基板W之中心WC。

(c)於上述例中，研磨頭ph自基板W之外周端部WE朝向中心WC移動時之速度，高於研磨頭ph自基板W之中心WC朝向外周端部WE移動時之第1移動速度。又，洗淨刷cb自基板W之外周端部WE朝向中心WC移動時之第2速度高於洗淨刷cb自基板W之中心WC朝向外周端部WE移動時之速度。藉此，可使位於基板W之外周端部WE之研磨頭ph及洗淨刷cb以短時間移動至基板W之中心WC。

(d)於上述例中，於研磨頭ph自基板W之外周端部WE朝向基板W之中心WC移動之期間，研磨頭ph遠離基板W之下表面，於研磨頭ph自基板W之中心WC朝向基板W之外周端部WE移動之期間，研磨頭ph接觸基板W之下表面。又，於洗淨刷cb自基板W之外周端部WE朝向基板W之中心WC移動之期間，洗淨刷cb遠離基板W之下表面，於洗淨刷cb自基板W之中心WC朝向基板W之外周端部WE移動之期間，洗淨刷cb接觸基板W之下表面。

於此情形時，於研磨頭ph自基板W之中心WC朝向基板W之外周端部WE移動之期間，藉由研磨頭ph研磨洗淨基板W之下表面。於研磨洗淨時，藉由研磨頭ph去除之污染物藉由離心力而朝向基板W之外周端部WE流動。藉此，防止被去除之污染物流回至較研磨頭ph靠基板W之中心WC側。

又，於洗淨刷cb自基板W之中心WC朝向基板W之外周端部WE移動之期間，藉由洗淨刷cb對基板W之下表面進行刷洗淨。於刷洗淨時，藉由 洗淨刷cb去除之污染物藉由離心力而朝向基板W之外周端部WE流動。藉此，防止被去除之污染物流回至較洗淨刷cb靠基板W之中心WC側。

進而，藉由洗淨刷cb對經研磨頭ph研磨洗淨之基板W之部分進行刷洗淨，因此因基板W之下表面之研磨而產生之污染物被洗淨刷cb去除。該等之結果為，利用研磨頭ph及洗淨刷cb之洗淨後之基板W之潔淨度進一步提高。

(e)於基板處理裝置100中，藉由基板洗淨裝置700研磨並洗淨曝光處理前之基板W之下表面。藉此，可不增大基板W之製造成本而抑制因基板W之下表面之污染所引起之基板W之處理不良之產生。

[8]其他實施形態

(a)於上述實施形態中，洗淨控制器780中作為速度資訊記憶之第2移動速度係設定為高於第1移動速度，但根據基板W之洗淨方法，有第1及第2移動速度設定為相等之可能性。或者，有第2移動速度設定為低於第1移動速度之可能性。

於第2移動速度為第1移動速度以下之情形時，洗淨刷cb自基板W之外周端部WE移動至中心WC之時間變長。因此，自基板W之外周端部WE向中心WC之洗淨刷cb之移動較佳為於更早之時間點開始。

此處，認為於第2移動速度為第1移動速度以下之情形時，即便研磨頭ph自基板W之中心WC向基板W之外周端部WE開始移動之時間點與洗淨刷cb自基板W之外周端部WE向中心WC開始移動之時間點相同，研磨頭ph與洗淨刷cb亦不易干涉。因此，洗淨控制器780亦可進行以下之處理代替圖7之處理。

圖13係表示另一實施形態之洗淨控制器780之控制動作之流程圖。如 圖13所示，洗淨控制器780於進行基板W之下表面之研磨洗淨及刷洗淨之情形時，首先與上述實施形態之圖7之例同樣地，使研磨頭ph及洗淨刷cb移動至基板W之外周端部WE之下方之位置(步驟S101)。又，洗淨控制器780一邊將洗淨刷cb保持於基板W之外周端部WE之下方之位置一邊使研磨頭ph進一步移動至與基板W之中心WC對向之位置(步驟S102)。

繼而，洗淨控制器780基於速度資訊記憶部786中記憶之速度資訊，判定第2移動速度是否為第1移動速度以下(步驟S110)。於第2移動速度並非第1移動速度以下之情形時，洗淨控制器780進行包含圖7之步驟S103~S105之處理之防干涉基本控制(步驟S120)，進行後續之步驟S106之處理。

另一方面，於第2移動速度為第1移動速度以下之情形時，洗淨控制器780使研磨頭ph接觸基板W之下表面(步驟S111)。又，洗淨控制器780使自基板W之中心WC朝向基板W之外周端部WE之研磨頭ph之移動與自基板W之外周端部WE之下方之位置朝向與基板W之下表面之中心WC對向之位置之洗淨刷cb之移動同時開始(步驟S112)。

其後，洗淨控制器780與上述實施形態之圖7之例同樣地，使洗淨刷cb接觸基板W之下表面並且使洗淨刷cb朝向基板W之外周端部WE移動(步驟S106)。又，若研磨頭ph到達基板W之外周端部WE，則洗淨控制器780以研磨頭ph遠離基板W之方式使研磨頭ph下降，使研磨頭ph返回至頭待機位置p1(步驟S107)。進而，若洗淨刷cb到達基板W之外周端部WE，則洗淨控制器780以洗淨刷cb遠離基板W之方式使洗淨刷cb下降，使洗淨刷cb返回至刷待機位置p2(步驟S108)。

如此，根據圖13之控制例，於對應於基板W之洗淨方法，第2移動速 度為第1移動速度以下之情形時，可使自基板W之外周端部WE朝向基板W之中心WC之洗淨刷cb之移動於更早之時間點開始。因此，可自開始自基板W之中心WC向外周端部WE之研磨頭ph之移動之時間點起以更短時間使洗淨刷cb移動至基板W之中心WC。

圖14係表示依照圖13之控制例控制基板研磨部400及基板洗淨部500時之臂410、510之動作之一例的圖。圖15係表示依照圖13之控制例控制基板研磨部400及基板洗淨部500時之臂410、510之動作之另一例的圖。

圖14及圖15中以時序圖表示臂410、510之旋轉角度θ1、θ2之變化。於圖14及圖15之時序圖中，較粗之實線表示臂410之旋轉角度θ1之變化，較粗之單點鏈線表示臂510之旋轉角度θ2之變化。

於圖14之例中，第1移動速度與第2移動速度設定為相等。於時間點u0~時間點u2，與圖8之時間點t0~時間點t2之期間同樣地，研磨頭ph移動至基板W之中心WC，洗淨刷cb移動至基板W之外周端部WE。其後，於時間點u3，藉由圖13之步驟S110~S112之處理，同時開始自基板W之中心WC朝向基板W之外周端部WE之研磨頭ph之移動與自基板W之外周端部WE之下方之位置朝向與基板W之下表面之中心WC對向之位置之洗淨刷cb之移動。藉此，於時間點u5，於研磨頭ph到達基板W之外周端部WE之同時，洗淨刷cb到達基板W之中心WC。

於圖15之例中，第2移動速度設定為第1移動速度以下。於時間點v0~時間點v2，與圖8之時間點t0~時間點t2之期間同樣地，研磨頭ph移動至基板W之中心WC，洗淨刷cb移動至基板W之外周端部WE。其後，於時間點v3，藉由圖13之步驟S110~S112之處理，同時開始自基板W之中心WC朝向基板W之外周端部WE之研磨頭ph之移動與自基板W之外周端 部WE之下方之位置朝向與基板W之下表面之中心WC對向之位置之洗淨刷cb之移動。藉此，於時間點v5，於研磨頭ph到達基板W之外周端部WE後，無需過多之時間，於時間點v8洗淨刷cb便到達基板W之中心WC。

(b)上述實施形態中，於研磨洗淨控制部790設置有位置判定部794，於刷洗淨控制部795未設置位置判定部，但本發明並不限定於此。亦可於刷洗淨控制部795設置位置判定部。

於此情形時，例如於使基板研磨部400之洗淨刷cb自基板W之中心WC移動至基板W之外周端部WE，並且使基板洗淨部500之研磨頭ph自基板W之外周端部WE向基板W之中心WC移動之情形時，可基於設置於基板研磨部400之編碼器之輸出與刷洗淨控制部795之位置判定部之判定結果，控制基板研磨部400。藉此，於按照該順序進行刷洗淨及研磨洗淨之情形時，亦可應用圖7及圖13之控制方法。

(c)上述實施形態中，基板洗淨裝置700構成為能夠研磨基板W之下表面，但本發明並不限定於此。基板洗淨裝置700亦可構成為能夠研磨基板W之上表面。例如，基板洗淨裝置700亦可具備：旋轉夾頭，其代替上述旋轉夾頭200，吸附保持基板W之下表面；研磨頭ph用移動部，其使研磨頭ph一邊接觸藉由旋轉夾頭旋轉之基板W之上表面上一邊於基板W之中心WC與外周端部WE之間移動；及洗淨刷cb用移動部，其使洗淨刷cb一邊接觸藉由該旋轉夾頭旋轉之基板W之上表面上一邊於基板W之中心WC與外周端部WE之間移動。

(d)上述實施形態中，於基板洗淨裝置700設置有研磨頭ph及洗淨刷cb作為用於接觸基板W之下表面並洗淨基板W之構成，但本發明並不限定於此。

於基板洗淨裝置700中，亦可於基板洗淨部500之臂510設置研磨頭ph代替洗淨刷cb。於此情形時，例如藉由使用由互不相同之素材所製作之2個研磨頭ph，基板W之研磨洗淨之自由度提高。

或者，於基板洗淨裝置700中，亦可於基板研磨部400之臂410設置洗淨刷cb代替研磨頭ph。於此情形時，例如藉由使用由互不相同之素材所製作之2個洗淨刷cb，基板W之刷洗淨之自由度提高。

(e)上述實施形態中，於基板洗淨裝置700設置有用於洗淨基板W之下表面之構成之2個構成(基板研磨部400及基板洗淨部500)，但本發明並不限定於此。亦可於基板洗淨裝置700設置3個以上之洗淨基板W之下表面之構成。於此情形時，藉由定義干涉區域並且將與該干涉區域對應之位置資訊記憶於洗淨控制器780，可基於該位置資訊而應用圖7及圖13之控制方法。

(f)上述實施形態中，研磨頭ph僅於自基板W之中心WC移動至外周端部WE時研磨洗淨基板W之下表面，但本發明並不限定於此。於自基板W之外周端部WE移動至中心WC時研磨頭ph亦可研磨洗淨基板W之下表面。

(g)上述實施形態中，洗淨刷cb僅於自基板W之中心WC移動至外周端部WE時刷洗淨基板W之下表面，但本發明並不限定於此。於自基板W之外周端部WE移動至中心WC時洗淨刷cb亦可刷洗淨基板W之下表面。

(h)上述實施形態中，使用純水作為洗淨液，亦可使用BHF(緩衝氫氟酸)、DHF(稀氫氟酸)、氫氟酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、乙酸、草酸或氨水等化學液代替純水作為洗淨液。更具體而言，可使用氨水與過氧化氫水之混合溶液作為洗淨液，亦可使用TMAH(氫氧化四甲基氨)等鹼性溶 液作為洗淨液。

(i)上述實施形態中，將藉由液浸法進行基板W之曝光處理之曝光裝置15作為基板處理裝置100之外部裝置而設置，但本發明並不限定於此。亦可將不使用液體而進行基板W之曝光處理之曝光裝置作為基板處理裝置100之外部裝置而設置。於此情形時，於塗佈處理室32、34之塗佈處理單元129中，亦可不於基板W上形成抗蝕覆蓋膜。因此，可使用塗佈處理室32、34作為顯影處理室。

(j)上述實施形態之基板處理裝置100為對基板W進行抗蝕膜之塗佈形成處理及顯影處理之基板處理裝置(所謂塗佈機/顯影機)，但設置基板洗淨裝置700之基板處理裝置並不限定於上述例。亦可將本發明應用於對基板W進行洗淨處理等單一處理之基板處理裝置。例如本發明之基板處理裝置亦可包括包含搬送裝置及基板載置部等之裝載區塊及1個或複數個基板洗淨裝置700。

[9]技術方案之各構成要素與實施形態之各部之對應關係

以下，對技術方案之各構成要素與實施形態之各構成要素之對應例進行說明，但本發明並不限定於下述例。

上述實施形態中，基板W為基板之例，旋轉夾頭200為旋轉保持部之例，基板W之下表面為基板之一面及下表面之例，研磨頭ph為第1洗淨工具之例，洗淨刷cb為第2洗淨工具之例，第1路徑pt1為第1路徑之例，基板研磨部400之臂410及臂支持柱420以及臂支持柱420之內部構成為第1移動部之例。

又，第2路徑pt2為第2路徑之例，基板洗淨部500之臂510及臂支持柱520以及臂支持柱520之內部構成為第2移動部之例，第1軌跡lc1為第1洗 淨工具之軌跡之例，第2軌跡lc2為第2洗淨工具之軌跡之例。

又，干涉區域if為干涉區域之例，位置資訊為位置資訊之例，洗淨控制器780之位置資訊記憶部785為記憶部之例，洗淨控制器780之臂控制部793、位置判定部794及刷洗淨控制部795為控制部之例，基板洗淨裝置700為基板洗淨裝置之例，研磨頭ph為研磨工具之例，洗淨刷cb為刷之例，第1移動速度為第1移動速度之例，第2移動速度為第2移動速度之例。

又，曝光裝置15為曝光裝置之例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，對基板W供給抗蝕膜用處理液之塗佈處理單元129為塗佈裝置之例，搬送裝置115、127、128、137、138、141、142、146為搬送裝置之例。

作為技術方案之各構成要素，亦可使用具有技術方案所記載之構成或功能之其他各種構成要素。

[產業上之可利用性]

本發明可有效地利用於洗淨基板之一面之洗淨裝置。

Claims (8)

1. 一種基板洗淨裝置，其具備：旋轉保持部，其保持基板並使其旋轉；第1及第2洗淨工具，其等構成為能夠接觸基板之一面；第1移動部，其使上述第1洗淨工具一邊接觸藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之上述一面，一邊沿連結基板之中心與基板之外周部之第1路徑移動；第2移動部，其使上述第2洗淨工具一邊接觸藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之上述一面，一邊沿連結基板之中心與基板之外周部之第2路徑移動；記憶部，其預先記憶以下位置資訊，該位置資訊表示自基板之中心朝向基板之外周部移動之上述第1洗淨工具離開沿上述第1路徑之上述第1洗淨工具之軌跡與沿上述第2路徑之上述第2洗淨工具之軌跡重疊之干涉區域的時間點之上述第1洗淨工具之位置；及控制部，其以上述第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之方式控制上述第1移動部，基於上述位置資訊判定上述第1洗淨工具是否已離開上述干涉區域，於判定為上述第1洗淨工具已離開上述干涉區域之時間點，以開始上述第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心之移動之方式控制上述第2移動部。
2. 如請求項1之基板洗淨裝置，其中上述第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心移動之速度高於上述第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之速度。
3. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其中上述控制部以如下方式控制上述第1移動部，即，於上述第1洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心移動之期間，上述第1洗淨工具遠離基板之上述一面，於上述第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之期間，上述第1洗淨工具接觸基板之上述一面，且上述控制部以如下方式控制上述第2移動部，即，於上述第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心移動之期間，上述第2洗淨工具遠離基板之上述一面，於上述第2洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之期間，上述第2洗淨工具接觸基板之上述一面。
4. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其中上述第1洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心移動之速度高於上述第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之速度，且上述第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心移動之速度高於上述第2洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動之速度。
5. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其中上述第1洗淨工具為研磨工具，上述第2洗淨工具為刷。
6. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其中上述控制部係預先比較上述第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部時之第1移動速度與上述第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心時之第2移動速度，於上述第1移動速度為上述第2移動速度以上之情形時，不進行上述第1洗淨工具是否已離開上述干涉區域之判定，而以同時開始上述第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部之移動與上述第2洗淨工具自基板之外周部朝向基板之中心之移動之方式控制上述第1及第2移動部。
7. 一種基板處理裝置，其係以鄰接於曝光裝置之方式配置者，且具備：塗佈裝置，其於基板之上表面塗佈感光性膜；如請求項1或2之基板洗淨裝置；及搬送裝置，其於上述塗佈裝置、上述基板洗淨裝置及上述曝光裝置之間搬送基板；且上述基板洗淨裝置於利用上述曝光裝置對基板進行曝光處理前去除作為基板之上述一面之下表面之污染。
8. 一種基板洗淨方法，其包括以下步驟：保持基板並使其旋轉；使第1洗淨工具一邊接觸上述旋轉之基板之一面，一邊沿連結基板之中心與基板之外周部之第1路徑移動；使第2洗淨工具一邊接觸上述旋轉之基板之上述一面，一邊沿連結基板之中心與基板之外周部之第2路徑移動；以及預先記憶以下位置資訊，該位置資訊表示自基板之中心朝向基板之外周部移動之上述第1洗淨工具離開沿上述第1路徑之上述第1洗淨工具之軌跡與沿上述第2路徑之上述第2洗淨工具之軌跡重疊之干涉區域的時間點之上述第1洗淨工具之位置；使上述第1洗淨工具沿上述第1路徑移動之步驟包括以下步驟：使上述第1洗淨工具自基板之中心朝向基板之外周部移動；及基於上述位置資訊，判定上述第1洗淨工具是否已離開上述干涉區域；且使上述第2洗淨工具沿上述第2路徑移動之步驟包括以下步驟：於藉由上述判定步驟判定為上述第1洗淨工具已離開上述干涉區域之時間點，使自基板之外周部朝向基板之中心之上述第2洗淨工具之移動開始。