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TWI648515B - 計量目標及其計量量測、目標設計檔案、計量方法及以電腦為基礎之設備 - Google Patents

計量目標及其計量量測、目標設計檔案、計量方法及以電腦為基礎之設備 Download PDF

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Publication number
TWI648515B
TWI648515B TW103133077A TW103133077A TWI648515B TW I648515 B TWI648515 B TW I648515B TW 103133077 A TW103133077 A TW 103133077A TW 103133077 A TW103133077 A TW 103133077A TW I648515 B TWI648515 B TW I648515B
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reflective
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asymmetric structure
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TW103133077A
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TW201518678A (zh
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阿農 馬那森
尤瑞 帕斯卡維爾
巴瑞 羅維斯凱
戴瑞亞 尼葛瑞
Original Assignee
美商克萊譚克公司
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Publication date
Application filed by 美商克萊譚克公司 filed Critical 美商克萊譚克公司
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Publication of TWI648515B publication Critical patent/TWI648515B/zh

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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4785—Standardising light scatter apparatus; Standards therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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    • G03F7/70683—Mark designs
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Abstract

本發明提供計量目標、設計檔案及其等之設計及產生方法。該等目標包括(若干)結構對。各個對係關於該等結構之間之一中心反射平面反射對稱，而該等結構自身及/或其等之目標元件係關於通過該結構或該目標元件之中間之一反射平面各自反射不對稱。該預定反射不對稱實現量測計量參數同時克服不同於該(該等)結構對不係反射對稱之非受控不準確度。反射不對稱可藉由變動諸如目標元件距離、尺寸及形式、結構節距及分段特徵之不同參數而達成。

Description

計量目標及其計量量測、目標設計檔案、計量方法及以電腦為基礎之設備 【相關申請案之交叉參考】
本申請案主張2013年11月15日申請之美國臨時專利申請案第61/904,570號之權利，該案之全部內容以引用的方式併入本文中。
本發明係關於計量目標之領域，且更特定言之係關於不對稱成像計量目標。
計量目標經設計以實現指示晶圓產生步驟之品質且量化晶圓上之結構之設計與實施之間之對應之參數之量測。成像計量目標作為特定結構最佳化對於裝置類似性及對於光學影像可量測性之要求且其等之影像提供量測資料。
本發明之一態樣提供包括至少一週期性結構對之一計量目標，其中該至少一對係反射對稱而該等週期性結構及其等之目標元件之至少一者係反射不對稱。
在後續之詳細描述中提出本發明之此等、額外及/或其他態樣及/或優點，其等係自詳細描述可推論及/或藉由本發明之實踐而可學會。
80‧‧‧週期性結構
80A‧‧‧週期性結構
80B‧‧‧週期性結構
82A‧‧‧關注區域
82B‧‧‧關注區域
85‧‧‧重複目標元件/基線信號
86‧‧‧反射對稱信號
87‧‧‧反射不對稱信號
88A‧‧‧信號分量
88B‧‧‧信號分量
89‧‧‧對稱中心
90‧‧‧對稱平面
91‧‧‧反射平面
92‧‧‧反射平面
100‧‧‧成像目標
105‧‧‧目標元件
106‧‧‧特徵/參數
110‧‧‧結構對
110A‧‧‧對稱對
110B‧‧‧對稱對
110C‧‧‧對稱對
110D‧‧‧對稱對
115‧‧‧經修改結構/週期性結構
127‧‧‧轉換槽
200‧‧‧方法
210‧‧‧階段
220‧‧‧階段
230‧‧‧階段
240‧‧‧階段
250‧‧‧階段
270‧‧‧階段
280‧‧‧階段
290‧‧‧階段
292‧‧‧階段
294‧‧‧階段
為了本發明之實施例之一更好瞭解且展示如何實施本發明之實施例，現將以僅藉由實例之方式參考隨附圖式，其中遍及圖式中之相同數字係指示整個對應元件或部分。
在隨附圖式中：圖1A係根據先前技術之具有共用共同尺寸(例如，臨界尺寸-CD)且具有一單一節距(P)之重複目標元件之一週期性結構之一高階示意圖。
圖1B係關於一對稱中心經定位之具有一週期性結構對之一成像目標之一高階示意圖。
圖1C係根據本發明之一些實施例之在關於經設計之週期性結構之經量測成像信號中之對稱及不對稱之一高階示意圖。
圖1D係根據本發明之一些實施例之使用反射不對稱結構之一反射對稱對之模擬疊對偵測之一高階示意圖。
圖2A至圖2C係根據本發明之一些實施例之週期性結構及其等之目標元件之高階示意圖。
圖3係根據本發明之一些實施例之具有不對稱週期性結構之對稱對之二維目標之一高階示意圖。
圖4係繪示根據本發明之一些實施例之一方法之一高階流程圖。
在提出詳細描述之前，提出將在下文中使用之某些術語之定義係有用的。
在本申請案中於本文中使用之術語「計量目標」或「目標」經定義為在用於計量目的之一晶圓上經設計或產生之結構。在本申請案中使用之術語「目標結構」或「結構」指在至少一目標層中之任何類型之經設計或產生之結構。在本申請案中於本文中使用之術語「目標 元件」經定義為在計量目標中之一特徵，諸如個別目標區域或方塊、光柵條等。目標元件可係充滿或空(間隙)，且亦可經分段，即可包括積累構成目標元件之多個較小特徵。目標元件分段可包括可係相等或不相等、重複或交替之兩個或兩個以上片段。結構可藉由諸如目標元件之大小(例如，臨界尺寸-CD)及目標元件之間之間隔，以及元件之間之距離及元件之形式之不同參數而特徵化。在本申請案中使用之術語「節距」指甚至當結構係非週期性時結構元件之間之距離，即，由若干元件構成之一非週期性結構稱為具有表示元件之間之距離之若干節距。
在本申請案中使用之術語「週期性結構」指在展現一些週期性之至少一層中之任何類型之經設計或產生之結構。週期性結構之週期性由其等之節距(即，其空間頻率)而特徵化。舉例而言，作為一目標元件之一條可經產生為經間隔平行線之一群組，藉此減小元件之最小特徵大小且避免目標中之單調區域。一週期性結構之各個元件稱為一目標元件。週期性結構及經分段目標元件之任一者或兩者之節距可係恒定或沿著各自結構或元件變動(見上文)。
在本申請案中於本文中使用之術語「反射對稱」及「反射不對稱」係關於各自反射平面而經定義。具體言之，一參考反射平面位於一結構對中之兩個結構之間且另一參考反射平面位於一結構中間，兩個平面係關於給定關注區域(ROI)而經判定，即根據目標設計，各個平面之側可經歷垂直轉譯以判定其等之對稱或不對稱。
現詳細具體參考圖式，應強調，細項係藉由實例且僅為了本發明之較佳實施例之闡釋性討論之目的而經展示且為了提供被認為係本發明之原理及概念態樣之最有用且容易瞭解之描述之原因而經呈現。在此方面，不試圖比對於本發明之一基本瞭解所需之更詳細展示本發明之結構細節，使用圖式進行之描述使熟習此項技術者瞭解本發明之 若干形式如何體現於實踐中。
在詳細解釋本發明之至少一實施例之前，應瞭解，本發明之應用不限於以下描述中提出或圖式中繪示之組件之構造及配置之細節。本發明可應用至其他實施例或可以多種方式實踐或實施。另外，應瞭解，本文中採用之措辭及術語係為了描述之目的且不應視為限制。
微影程序之計量採用特別設計之目標之微觀影像之分析。影像分析演算法利用影像之諧波分析，及用於印刷於微影程序之多種階段處之不同層處之結構之相關位移之計算之對稱考慮。需要適當諧波內容及目標之適當對稱以確保疊對量測之準確度。考慮到確保演算法影像分析之高準確度必須之對稱條件，本發明包括最佳化影像之諧波內容之目標設計類型。
先前目標設計利用印刷於各個層處之影像之反轉對稱。用於疊對目標之影像係由兩個或兩個以上同心矩形組成之各個印刷於相關處理層處之盒中盒(box-in-box)類型之目標。自矩形之各者之共同對稱中心之偏差經回報為疊對。為了相同目的之另一方法使用AIM(進階成像計量)目標，其中用於疊對量測之影像經呈現為用於各個軸之光柵對。各個層之對稱中心由個別用於X及Y軸之在各個層處之兩個光柵之相關性而判定。此等目標容許頻率過濾，減小隨機雜訊對疊對計算之影響。雖然AIM目標處理多個方便特徵，如容許方便子像素內插及數學雜訊減小之週期性型樣，但其等經常遭受藉由光學系統之高諧波之顯著抑制，留下具有實質上單一頻率之影像。在此一情況中，目標之位移(疊對)及不對稱係不可區分，且不可確認準確疊對量測。因此，在當前AIM目標中，在影像中觀察之頻率僅由結構之節距(週期)指示，如諧波之相對相位及強度由重複結構(產生特徵)之形狀判定。特定言之，基於對稱特徵之延伸區及光散射之特定細節，對稱特徵經常排除特定繞射級之產生，使影像分析演算法易受誤差。
本發明使用用於基於成像之光學微影計量之不對稱結構之週期性或準週期性序列，如下文中所繪示。因為不對稱不可使用一單一諧波達成，所以經揭示目標之資訊內容高於標準AIM目標之資訊內容，容許量測之更高準確度，且實現故意不對稱之利用，以減小對於微影程序中之局部變動之量測靈敏度。
有利地，在經揭示之目標中，AIM目標結構之特徵經解除對稱，同時維持反轉對稱要求。打破特定特徵之對稱(使用一不對稱形式作為週期性型樣)避免用於繞射級之排除規則，且因此防止目標影像中之諧波之抑制；確保具有對於隨機擾動之低靈敏度之左及右結構(例如，光柵)之一明確定義之對稱；且避免容許在各個層處之目標之對稱之中心之唯一及準確判定之假對稱中心。
本發明提供計量目標、設計檔案及其等之設計及產生方法。該等目標包括反射不對稱結構之(若干)反射對稱對。各個對係關於該等結構之間之一中心反射平面反射對稱，而該等結構自身及/或由其等構成該等結構之該等目標元件係關於通過該結構或該目標元件之中間之一反射平面各自反射不對稱。舉例而言，該等結構可係非週期性，且包括複數個非均勻間隔及/或複數個反射不對稱目標元件。在另一實例中，該等結構可係週期性，且該等週期性結構之元件可係關於其等之尺寸不對稱。在又一實例中，該等目標元件可經分段。設計及產生方法可包括使用經揭示之特徵及特徵設計、組態及/或產生目標。該反射不對稱可關於該目標元件分段而經定義。該預定反射不對稱實現量測計量參數同時克服不同於該(該等)結構對不係反射對稱之非受控不準確度。反射不對稱可藉由變動諸如目標元件尺寸、結構節距及分段特徵之不同參數而達成。
圖1A係根據先前技術之具有共用共同尺寸(例如，臨界尺寸-CD)且具有一單一節距(P)之重複目標元件85之一週期性結構80之一高階 示意圖。
圖1B係關於一對稱中心89經定位之具有一週期性結構對80A、80B之一成像目標100之一高階示意圖。圖1B中繪示之週期性結構對之配置以及此等對之先前技術配置可用於具有可係週期性或非週期性之經揭示之經修改結構對115之本發明之一些實施例中，如下文中所繪示。各自關注區域(ROI)82A、82B在自其提取一成像信號之週期性結構80A、80B(或結構115)中經定義。例示性成像目標及等效目標型樣可根據本發明之一些實施例與先前技術週期性結構80或與結構115一起使用，如下文中解釋。交叉89表示目標100之水平及垂直對稱平面(對於180度旋轉)之交叉點。在所繪示之情況中，垂直對稱平面與下文中繪示之反射對稱平面90重合。中心對反射對稱平面90、對稱中心89及中心週期性元件對稱平面90(見下文)可關於ROI 82A、82B經定義。然而，本發明不限於特定定向及對稱平面之數目。
圖1C係根據本發明之一些實施例之在結構115中且在關於經設計之結構之經量測成像信號中之對稱及不對稱之一高階示意圖。圖1C繪示使用疊加於實際週期性結構80A、80B之一橫截面上之各自ROI 82A、82B量測之示意性週期性結構及對應信號分量88A、88B。
信號88A、88B由依循週期性結構115之一基線信號85(見下文)、關於結構115之對110之一反射對稱平面90對稱(反射平面90可係在結構115之間之中心)之一反射對稱信號86及關於平面90不對稱而代之具有一轉譯對稱之一反射不對稱信號87構成。圖1C中進一步表示通過週期性結構115或目標元件105之中間之反射平面91。反射對稱信號86可經設計為結構115(信號86之一分量亦可非意欲產生)，反射不對稱信號87係歸因於非受控程序不準確度，諸如由化學機械拋光/平坦化(CMP)程序產生之不準確度，其等係本質轉譯對稱及反射不對稱。在本發明中，反射對稱信號86係以提供計量參數之更準確量測之一方法 (諸如疊對)而藉由結構之適當組態增強。應瞭解，圖1C品質上繪示信號85、86、87(見下文之衍生)及經設計以產生指定信號特徵之對應結構115。結構115不限於經繪示之週期性結構88A、88B及其等之經繪示修改。
可根據以下考慮設計特定不對稱信號86及各自結構115。ROI 82A、82B由ξ表示，經量測核心由K1、K2表示(各自對應於信號分量88A、88B)。關於ROI選擇ξ使該問題對稱係藉由對應於K1、K2各自定義F1及F2為對稱函數而實施，即：F 1=K 1(x-ξ)+K 1(-x-ξ)及F 2=K 2(x+ξ-△+δ)+K 2(-x+ξ-△+δ)，其中x係一自由變數，△係結構115之間之位移且δ係疊對(待量測)。疊對δ可藉由最小化距離函數而查找：S(δ,ξ)=ʃdx|F 1-F 2|2。特定言之，應存在對於S之一全域最小值以可提取一明確疊對δ。施加一諧波擴展及取代△'=△-δ，運算式F1-F2變為： ，其中信號85、86、87在圖1C中由其等之對稱特徵示意性表示。
表示週期性結構，諸如關於平面91對稱之88A、88B(關於ROI 82A、82B)；信號(r) 表示關於平面91不對稱但關於平面90對稱之經引入至結構115之經揭示之不對稱，即具有信號86之結構115之對110係反射對稱；且信號(t) 表示非受控不對稱不準確度，其可藉由組態結構115以包括信號86而克服。應注意，反射不對稱信號(r)86之引入藉由當信號(g)85及信號(t)87係零時(例如，在 處)係正的(>0)而提供函數S(δ,ξ)之單一全域最大值。信 號86可因此經組態為結構115(最初與信號85等效)以產生克服由非受控信號87引入之不準確度之一量測信號。根據類似原理，本發明進一步包括擴展結構設計以包括額外諧波，超過上文陳述者。量測演算法可進一步包括對於可導致對稱對110中之結構115之非相等修改之光學不對稱(TIS)之補償。
圖1D係根據本發明之一些實施例之使用反射不對稱結構之一反射對稱對之模擬疊對偵測之一高階示意圖。圖1D描述ʃ(S(x,ξ,△))2 dx之一典型地質圖，其之全域最小值提供所需疊對δ。應注意，表示為 之術語係轉換槽127自具有多個最小值(無信號r)至具有一單一全域最小值之術語，其在圖1D中由一交叉標記。對於此最小值之值δ指示所得疊對(在圖上標記為OVL)。應將圖1D理解為一非限制性闡釋性模擬結果。發明者已根據經揭示之原理進行結構115之許多變動及各自量測條件之模擬以調整結構115至偵測及準確度之所要位準。
圖2A至圖2C係根據本發明之一些實施例之結構115及其等之目標元件105之高階示意性非限制性圖解。本發明包括計量目標，該等計量目標包括結構115之至少一對110。對110係反射對稱(關於平面90)而其等之結構115及目標元件105之一者或兩者係反射不對稱(各自關於平面91及/或平面92，見圖2C)。可在尺寸及/或特徵106之一範圍中表達結構115及/或目標元件105之不對稱，其可包括諸如臨界尺寸(CD)、結構節距(即，元件之間之距離)、目標元件分段等之目標元件尺寸。在所繪示之非限制性實例中，將變動目標元件CD表示為CD1..n(圖2A)、將變動結構節距(元件之間之距離)表示為p1..n(圖2B)，且將 變動目標元件分段表示為關於各個目標元件105之CD1..n及p1..n之組合(圖2C)。圖2C亦繪示單一目標元件105之一反射平面92以展示目標元件105之反射不對稱(結構115之反射平面91與經繪示之反射平面92重合使得結構115之反射不對稱亦明顯)。顯然，任何參數106中之變數可係交替或週期性。在該等設計之任一者中，結構115之(若干)對110可經設計以係關於平面90反射對稱，即，不對稱結構115及/或目標元件105在各自對部件中經反射。
圖3係根據本發明之一些實施例之具有不對稱結構115之對稱對110之二維目標100之一高階示意圖。經設計之目標100之各者可擴展至在各個量測方向中具有相同或不同目標結構對110之二維目標100。在經繪示之實例中，在X量測方向中設計不對稱結構115之兩個對稱對110A、110B且在Y量測方向中設計不對稱結構115之兩個對稱對110C、110D。不對稱結構115之任何排列可用於對110A至110D之任何者中。
在目標100中，可應用以下設計原理之任何者：結構115可係關於其等之節距(元件之間之距離恒定或變動)不對稱；結構115可係關於其等之尺寸不對稱；目標元件105可經分段且其中反射不對稱可關於該目標元件分段經設計。在任何情況中，反射不對稱可經組態以對於量測不準確度可區分。本發明進一步包括經揭示之計量目標100之任何者之目標設計檔案以及經揭示之計量目標100之任何者之計量量測。
在某些實施例中，可以對於程序誤差最小靈敏之一方法設計反射不對稱結構115。此外，反射不對稱可經選擇以避免可導致經增強演算法不準確度之程序誤差及/或光學不對稱之擴大。設計方法可因此進一步包括(使用模擬或經產生目標)核對疊對計算對程序誤差之保真度；核對演算法面對光學不對稱作為像差之保真度。可關於特定設 計產生之對比-聚集曲線及所得精確特徵比較特定設計。可根據諸如工具引發位移(TIS)及疊對(OVL)不準確度之不同參數評估設計。
在某些實施例中，目標設計可進一步經調適以減小其等對於隨機誤差及程序變動之靈敏度。隨機程序誤差效應可經模擬為具有顯著諧波之振幅之高達約1%之典型振幅及高達半節距之相關性距離之影像上之隨機雜訊。散粒雜訊可經模擬為具有RMS約2.5%(200分之5灰度)之零相關性隨機添加。如信號(r)86中經反射之目標100中之結構不對稱可經組態為在此等或其他雜訊特徵之添加下可量測。
圖4係繪示根據本發明之一些實施例之一方法200之一高階流程圖。方法200可包括用於設計及/或產生目標100以及組態各自目標設計檔案之階段。方法200可進一步包括目標100之量測階段。方法200可包括任何以下階段，不考慮其等之順序。
方法200包括將一成像目標中之至少一結構對組態為反射對稱而該等結構之至少一對及目標元件中之結構之至少一者為反射不對稱(階段210)。舉例而言，方法200可包括：將該等結構設計為關於其等之節距不對稱(階段220)；將該等結構之元件設計為關於其等之尺寸及/或特徵不對稱(階段230)；及/或將該等結構之目標元件分段(階段280)及關於該目標元件分段調整該反射不對稱。
方法200進一步包括將該反射不對稱調整為對於量測不準確度可區分(階段240)及/或調整計量量測演算法以區分該等結構及其等之目標元件之該至少一者之該反射不對稱(階段250)及/或組態量測條件以最佳化該內建反射不對稱之一利用(階段270)。
方法200可進一步包括產生各自目標設計檔案或目標(階段290)及/或產生各自目標且實施該等經產生目標之計量量測(階段294)。某些實施例進一步包括目標設計檔案及/或根據方法200設計之目標。
方法200可進一步包括藉由一電腦處理器實施該組態、該調整及 該設計及調整之任何者(階段292)。某些實施例進一步包括一電腦程式產品，該電腦程式產品包括具有藉由其而體現之電腦可讀程式之一電腦可讀儲存媒體，該電腦可讀程式經組態以實施方法200之階段之任何者。
在上文之描述中，一實施例係本發明之一實例或實施方案。「一個實施例」、「一實施例」、「某些實施例」或「一些實施例」之多種出現不必須都指相同實施例。
雖然可針對一單一實施例之背景內容來描述本發明之多種特徵，但亦可個別或在任何適合組合中提供該等特徵。相反地，雖然為了清楚起見在本文中針對個別實施例之背景內容來描述本發明，但本發明亦可實施於一單一實施例中。
本發明之某些實施例可包含來自上文中揭示之不同實施例之特徵，且某些實施例可併入來自上文中揭示之其他實施例之元件。針對一特定實施例之背景內容之本發明之元件之揭示內容不應視為限制其等單獨在特定實施例中之使用。
此外，應瞭解，可以多種方式實施或實踐本發明且本發明可實施於除上文中之描述中略述之實施例之外之某些實施例中。
本發明不限於該等圖式或對應描述。舉例而言，流程不需要通過各個經繪示之方塊或狀態移動或按如經繪示且描述之完全相同順序。
本文中使用之技術及科學術語之意義係如由對本發明所屬之技術的一般技術者可大體上理解，除非另外定義。
雖然已針對一有限數目個實施例描述本發明，但不應將其等理解為對本發明之範疇之限制，而為一些較佳實施例之例證。其他可能變動、修改及應用亦在本發明之範疇內。因此，本發明之範疇不應由因此進一步描述之而限制，而應由隨附申請專利範圍及其等之合法等 效物限制。

Claims (23)

  1. 一種計量目標，其包括：至少一反射對稱對結構，其中該至少一反射對稱對結構包含一第一反射不對稱結構及至少一額外反射不對稱結構，其中該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之至少一者包含一系列(a series of)的週期性間隔目標元件，其中該等週期性間隔目標元件之至少一些為反射不對稱目標元件。
  2. 如請求項1之計量目標，其中該等反射不對稱目標元件經分段。
  3. 如請求項2之計量目標，其中一反射不對稱係對於(with respect to)該等反射不對稱目標元件之分段。
  4. 如請求項1之計量目標，其中該等週期性間隔目標元件具有一尺寸且對於該尺寸不對稱。
  5. 如請求項1之計量目標，其中一反射不對稱經組態以對於量測不準確度為可區分。
  6. 一種計量目標之計量量測，其中該計量目標包括至少一反射對稱對結構，其中該至少一反射對稱對結構包含一第一反射不對稱結構及至少一額外反射不對稱結構，其中該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之至少一者包含一系列的週期性間隔目標元件，其中該等週期性間隔目標元件之至少一些為反射不對稱目標元件。
  7. 一種計量目標之目標設計檔案，其中該計量目標包括至少一反射對稱對結構，其中該至少一反射對稱對結構包含一第一反射不對稱結構及至少一額外反射不對稱結構，其中該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之至少一者包含一系列的週期性間隔目標元件，其中該等週期性間隔目標元件之至少一些為反射不對稱目標元件。
  8. 一種計量方法，其包括以下步驟：形成一成像目標以包含至少一反射對稱對結構，其中該至少一反射對稱對結構包含一第一反射不對稱結構及至少一額外反射不對稱結構，其中該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之至少一者包含一系列的週期性間隔目標元件，其中該等週期性間隔目標元件之至少一些為反射不對稱目標元件。
  9. 如請求項8之方法，其進一步包括以下步驟：調整計量量測演算法以區分該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之至少一者及其等之該等週期性間隔目標元件之一第一反射不對稱。
  10. 如請求項8之方法，其進一步包括以下步驟：調整計量量測演算法以區分該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之至少一者及其等之該等週期性間隔目標元件之該反射不對稱。
  11. 如請求項8之方法，其中該等週期性間隔目標元件具有一尺寸，且該方法進一步包含以下步驟：將該等週期性間隔目標元件形成為對於該尺寸不對稱。
  12. 如請求項11之方法，其中該尺寸為結構節距。
  13. 如請求項8之方法，其中該等週期性間隔目標元件具有複數個尺寸，且該方法進一步包括以下步驟：將該等週期性間隔目標元件形成為對於該複數個尺寸之至少一者不對稱。
  14. 如請求項8之方法，其進一步包括以下步驟：將該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之至少一者之該等週期性間隔目標元件之一或多者分段。
  15. 如請求項14之方法，其中該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之該至少一者係對於該等週期性間隔目標元件之分段不對稱。
  16. 如請求項8之方法，其中該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之該至少一者具有一反射不對稱，且該方法進一步包括以下步驟：將該反射不對稱調整為對於量測不準確度可區分。
  17. 如請求項8之方法，其進一步包括以下步驟：調整計量量測演算法以區分該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之至少一者及其等之該等週期性間隔目標元件之該反射不對稱。
  18. 如請求項8之方法，其進一步包括以下步驟：執行經產生之該成像目標之計量量測。
  19. 一種以電腦為基礎之設備，其包括：一記憶體元件，其經組態以儲存複數個電腦可讀指令；及一處理器，其經組態以執行該複數個電腦可讀指令以：將一成像目標組態以包含至少一反射對稱對結構，其中該至少一反射對稱對結構包含一第一反射不對稱結構及至少一額外反射不對稱結構，其中該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之至少一者包含一系列的週期性間隔目標元件，其中該等週期性間隔目標元件之至少一些為反射不對稱目標元件。
  20. 一種計量目標，其包括：至少一反射對稱對結構，其中該至少一反射對稱對結構包含一第一反射不對稱結構及至少一額外反射不對稱結構，其中該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之至少一者包含一系列的非週期性目標元件。
  21. 一種計量目標，其包括：至少一反射對稱對結構，其中該至少一反射對稱對結構包含一第一反射不對稱結構及至少一額外反射不對稱結構，其中該第一反射不對稱結構或該至少一額外反射不對稱結構之至少一者包含一系列的非均勻間隔目標元件。
  22. 如請求項21之計量目標，其中該系列的非均勻間隔目標元件經分段。
  23. 如請求項22之計量目標，其中一反射不對稱係對於該系列的非均勻間隔目標元件之分段。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170146465A1 (en) * 2014-06-19 2017-05-25 Nova Measuring Instruments Ltd. Test structure design for metrology measurements in patterned samples
US10866090B2 (en) 2017-07-06 2020-12-15 Kla-Tencor Corporation Estimating amplitude and phase asymmetry in imaging technology for achieving high accuracy in overlay metrology
US11360397B2 (en) 2019-09-17 2022-06-14 Kla Corporation System and method for application of harmonic detectivity as a quality indicator for imaging-based overlay measurements
US11874102B2 (en) 2019-12-30 2024-01-16 Kla Corporation Thick photo resist layer metrology target
US11809090B2 (en) 2020-01-30 2023-11-07 Kla Corporation Composite overlay metrology target
US11686576B2 (en) 2020-06-04 2023-06-27 Kla Corporation Metrology target for one-dimensional measurement of periodic misregistration
US11378394B1 (en) 2020-12-11 2022-07-05 Kla Corporation On-the-fly scatterometry overlay metrology target
US11460783B2 (en) 2021-01-07 2022-10-04 Kla Corporation System and method for focus control in extreme ultraviolet lithography systems using a focus-sensitive metrology target
CN113378925B (zh) * 2021-06-10 2022-09-20 杭州芯声智能科技有限公司 一种双注意力训练序列生成方法、装置及可读存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW519689B (en) * 2001-11-07 2003-02-01 United Microelectronics Corp Overlay mark and its application method
US20050084772A1 (en) * 2001-05-23 2005-04-21 Asml Netherlands B.V. Mask for exposing an alignment mark, and method and computer program for designing the mask
US20090224413A1 (en) * 2000-08-30 2009-09-10 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
TW201324061A (zh) * 2011-11-01 2013-06-16 Kla Tencor Corp 用於測量多節距的重疊目標幾何

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7068833B1 (en) * 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
US7898662B2 (en) * 2006-06-20 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
KR101492205B1 (ko) * 2010-11-12 2015-02-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 디바이스 제조 방법
WO2014062972A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-24 Kla-Tencor Corporation Symmetric target design in scatterometry overlay metrology
JP5992110B2 (ja) * 2012-11-05 2016-09-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ミクロ構造の非対称性を測定する方法および装置、位置測定方法、位置測定装置、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US10242290B2 (en) * 2012-11-09 2019-03-26 Kla-Tencor Corporation Method, system, and user interface for metrology target characterization
NL2013625A (en) * 2013-10-30 2015-05-04 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method.
WO2015080858A1 (en) * 2013-12-01 2015-06-04 Kla-Tencor Corporation Target element types for process parameter metrology
US9851300B1 (en) * 2014-04-04 2017-12-26 Kla-Tencor Corporation Decreasing inaccuracy due to non-periodic effects on scatterometric signals
CN110553602B (zh) * 2014-11-26 2021-10-26 Asml荷兰有限公司 度量方法、计算机产品和系统
CN107771271B (zh) * 2015-04-21 2020-11-06 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、计算机程序及光刻系统
EP3391150B1 (en) * 2015-12-17 2023-05-10 ASML Netherlands B.V. Optical metrology of lithographic processes using asymmetric sub-resolution features to enhance measurement

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090224413A1 (en) * 2000-08-30 2009-09-10 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US20050084772A1 (en) * 2001-05-23 2005-04-21 Asml Netherlands B.V. Mask for exposing an alignment mark, and method and computer program for designing the mask
TW519689B (en) * 2001-11-07 2003-02-01 United Microelectronics Corp Overlay mark and its application method
TW201324061A (zh) * 2011-11-01 2013-06-16 Kla Tencor Corp 用於測量多節距的重疊目標幾何

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