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TWI648165B - Laminated body and image display device - Google Patents

Laminated body and image display device Download PDF

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TWI648165B
TWI648165B TW104105615A TW104105615A TWI648165B TW I648165 B TWI648165 B TW I648165B TW 104105615 A TW104105615 A TW 104105615A TW 104105615 A TW104105615 A TW 104105615A TW I648165 B TWI648165 B TW I648165B
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film
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保井淳
外山雄祐
秋月伸介
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日東電工股份有限公司
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Abstract

提供一種使附黏著劑層之偏光薄膜與具有透明導電層之構件黏貼而成的積層體，該積層體積層於透明導電層上時，亦可抑制前述透明導電層之劣化。
一種積層體，係將附黏著劑層之偏光薄膜與具有透明導電層之透明導電性構件，以使前述附黏著劑層之偏光薄膜的黏著劑層與前述透明導電性構件之透明導電層接觸的方式加以黏貼而成，前述附黏著劑層之偏光薄膜係於偏光薄膜之單面或兩面具有黏著劑層者；又，前述偏光薄膜係於偏光件之單面或兩面具有無機層，且於該偏光薄膜之至少單面之無機層側具有前述黏著劑層。

Description

積層體及影像顯示裝置 發明領域
本發明係有關於一種使附黏著劑層之偏光薄膜與具有透明導電層之構件黏貼而成的積層體，且前述附黏著劑層之偏光薄膜使用了具有無機層之偏光薄膜。本發明更有關於一種使用了前述積層體之液晶顯示裝置、具有有機電致發光元件之顯示裝置(有機EL顯示裝置)、PDP等的影像顯示裝置。
發明背景
液晶顯示裝置等從其影像形成方式來看，不可欠缺地需於液晶胞兩側配置偏光元件且一般貼著有偏光薄膜。將前述偏光薄膜貼著於液晶胞時，一般係使用黏著劑。又，偏光薄膜與液晶胞之接著一般為了減低光損失，各材料係分別使用黏著劑來密著。在此狀況下，由具有無須為了固著偏光薄膜而進行乾燥步驟等優點看來，一般係使用一種預先於偏光薄膜之單側設置黏著劑作為黏著劑層的附黏著劑層之偏光薄膜。於附黏著劑層之偏光薄膜的黏著劑層一般黏貼有脫模膜。
就偏光件來說，自習知係使用聚乙烯醇系薄膜。 由於前述偏光件具有吸濕性，因此前述偏光件容易吸收水分。偏光件吸收到多量水分時，有偏光件特性降低之傾向。 一方面，前述偏光件一般係作為在偏光件之單面或兩面設有透明保護薄膜之偏光薄膜使用。為了不使前述偏光件吸收水分，例如曾就使用於偏光薄膜之透明保護薄膜提議例如使用低透濕性的透明保護薄膜。但，低透濕性的透明保護薄膜之水分遮斷效果係由低透濕性的透明保護薄膜之厚度決定，因此為了有效地遮斷水分，必需增加低透濕性之透明保護薄膜的厚度。又，在附黏著劑層之偏光薄膜的態樣下使用低透濕性的透明保護薄膜之偏光薄膜時，黏著劑層與偏光薄膜的密著性不夠充分。
近年，氧化銦錫(ITO)薄膜等的透明導電層常廣 泛使用於各種用途。例如，周知前述透明導電層在使用平面內切換(IPS)方式等之液晶胞的液晶顯示裝置中，係作為抗靜電層形成於與構成液晶胞之透明基板中與液晶層相接之側的相反側。又，前述透明樹脂薄膜上形成有透明導電層的透明導電性膜可使用於觸控面板之電極基板，例如有一種將使用於攜帶型電話或攜帶用音樂播放器等的液晶顯示裝置或影像顯示裝置與該觸控面板組合使用的輸入裝置即相當廣泛普及。
在使用該等透明導電層之液晶顯示裝置或影像 顯示裝置中，近年力求輕量化、薄型化，對於可在該液晶顯示裝置等中使用的偏光薄膜亦期望可薄型化、輕量化，所以各方研討薄型偏光薄膜之製造方法。
以薄型偏光薄膜之製法來說，例如周知有：將形 成於具有某程度厚度之樹脂基材上的薄型聚乙烯醇(PVA)系聚合物層與樹脂基材一體化，並在此狀態下進行單軸延伸而將薄型偏光薄膜製膜於樹脂基材上之方法(例如，參照專利文獻１)；及於基材薄膜之一面上，將形成有由PVA樹脂所構成之樹脂層的積層膜在特定延伸倍率下進行自由端縱單軸延伸而獲得延伸膜，並將該延伸膜以二色性色素染色而形成薄型偏光件之方法等(例如，參照專利文獻2)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利第4691205號說明書
專利文獻2：日本專利第5048120號說明書
發明概要
將透明導電層作為抗靜電層用途使用時，可於具有該抗靜電層之液晶胞上積層附黏著劑層之偏光薄膜，並藉由黏著劑層將由透明導電層所構成的抗靜電層與偏光薄膜黏貼。又，將透明導電層作為觸控面板之電極用途使用時，依觸控面板之構成，有時會於前述電極用透明導電層上積層附黏著劑層之偏光薄膜，並藉由黏著劑層將由透明導電層所構成之抗靜電層與偏光薄膜黏貼。
專利文獻１、2中所製得之薄型化偏光薄膜均係以透明保護薄膜保護偏光件單面之單面保護的偏光薄膜，將 該偏光薄膜黏貼於附透明導電層之液晶胞等時，偏光件與透明導電層係藉由黏著劑而黏貼。已知藉由黏著劑層將透明導電層黏貼於單面保護之碘系偏光件的偏光件面時，會有來自碘系偏光件之微量的碘滲入黏著劑層中並達至透明導電層，使透明導電層劣化(腐蝕)。透明導電層一旦劣化，例如將透明導電層作為抗靜電層用途使用時，會於液晶面板產生靜電不勻，使抗靜電性能降低。又，將透明導電層作為觸控面板之電極用途使用時，會藉由電極之劣化使電阻值增大而發生感知不良等誤動作，或產生觸控面板之感度降低等各種問題。
就偏光薄膜的薄型化手法而言，有如專利文獻 1、2中所記載將偏光件本身薄型化之手法或僅於偏光件單面積層透明保護薄膜之手法，此外亦有減薄透明保護薄膜之厚度的手法。即使是偏光件兩面具有透明保護薄膜之兩面保護偏光薄膜，就透明保護薄膜使用前述經薄膜化之透明保護薄膜時，亦可能產生碘從碘系偏光件滲入黏著劑中使透明導電層劣化之現象。尤其，已知在具有高透濕度之薄膜化透明保護薄膜中很容易產生上述現象。
本發明目的在於提供一種使附黏著劑層之偏光 薄膜與具有透明導電層之構件黏貼而成的積層體，該積層體即使積層於在透明導電層上仍可抑制前述透明導電層之劣化。
再進一步，本發明目的在於提供一種使用前述積 層體的影像顯示裝置。
本發明人等為了解決前述課題重複精闢研究的結果發現下述積層體而至完成本發明。
即，本發明乃有關於一種積層體，係將附黏著劑層之偏光薄膜與具有透明導電層之透明導電性構件，以使前述附黏著劑層之偏光薄膜的黏著劑層與前述透明導電性構件之透明導電層接觸的方式加以黏貼而成，前述附黏著劑層之偏光薄膜係於偏光薄膜之單面或兩面具有黏著劑層者；該積層體之特徵在於：前述偏光薄膜係於偏光件之單面或兩面具有無機層；且，於該偏光薄膜之至少單面之無機層側具有前述黏著劑層。前述偏光薄膜可於前述偏光件之單面或兩面隔著前述無機層設置透明保護薄膜，或可未隔著前述無機層而設置透明保護薄膜。設置透明保護薄膜時，宜在至少單面之前述無機層為最外層的態樣下使用。
前述積層體可以下述態樣使用：前述偏光薄膜係於前述偏光件之第1單面未隔著無機層而具有第1透明保護薄膜，且僅於前述偏光件之第2單面具有無機層。又，作為該偏光薄膜，可使用於前述偏光件之第2單面隔著第2透明保護薄膜具有前述無機層者。
在前述積層體中，前述無機層以無機氧化物或無機氮化物為佳。進而，前述無機層宜含有選自矽氧化物、矽氮化物及鋁氧化物中之至少任一者。
在前述積層體中，前述偏光件之厚度在10μm以 下為佳。
在前述積層體中，前述偏光薄膜之單體透射率在30%以上，且偏光度在90%以上為佳。
在前述積層體中，前述附黏著劑層之偏光薄膜在前述黏著劑層直接積層於前述無機層之構成中，以前述無機層與前述黏著劑層的接著力在15N/25mm以上為佳，較理想在20N/25mm以上。
在前述積層體中，前述黏著劑層宜由以(甲基)丙烯酸系聚合物作為基質聚合物之丙烯酸系黏著劑所形成。
在前述積層體中，前述丙烯酸系黏著劑更含有耦合劑為佳。又，前述耦合劑以選自矽烷系耦合劑、鋯系耦合劑及鈦酸鹽系耦合劑系之群組中之至少任1種為佳。又，相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，前述耦合劑之比例宜為0.001~5重量份。
在前述積層體中，前述丙烯酸系黏著劑可更含有交聯劑。
在前述積層體中，前述附黏著劑層之偏光薄膜在40℃、90%RH下所測出之透濕度宜為0.000001g/m2‧day以上且5g/m2‧day以下。
在前述積層體中，前述透明導電層由氧化銦錫形成為佳。前述氧化銦錫可使用非晶性氧化銦錫。
前述積層體在60℃、90%RH環境下投入500小時之前(初始)與之後(濕熱後)，其透明導電導電膜之下述所示電阻值變化率在130%以下為佳： 電阻值變化率=(濕熱後之電阻值/初始電阻值)×100。
又，本發明係有關於一種影像顯示裝置，其特徵 在於使用前述積層體。
作為前述影像顯示裝置，可舉如前述具有透明導 電層之透明導電性構件為含有透明導電層及液晶胞之構件者。
作為前述影像顯示裝置，可舉如前述具有透明導 電層之透明導電性構件為具有透明導電層之透明導電性膜且將前述積層體作為觸控面板使用者。
已知，當與該透明導電層接觸之黏著劑層中之含水率愈多時，碘所造成的透明導電層劣化愈容易進行。本發明之積層體雖為具有附黏著劑層之偏光薄膜之黏著劑層上積層有透明導電層之構成，但在前述附黏著劑層之偏光薄膜之偏光薄膜於偏光件之單面或兩面具有無機層。又，以前述附黏著劑層之偏光薄膜的偏光薄膜來說，可使用於偏光件隔著前述無機層而設有透明保護薄膜者或未隔前述無機層而設有透明保護薄膜者。前述無機層可抑制降低黏著劑層中之含水率，且具有相對於碘之障壁性，所以在前述積層體中可抑制透明導電層之劣化。
如前述，使用本發明之積層體中之附黏著劑層之偏光薄膜的偏光薄膜於偏光件直接或隔著透明保護薄膜具有無機層，所以可有效遮斷偏光件吸收水蒸氣。以往為了利用低透濕性之透明保護薄膜有效進行水分遮斷而必須增 加厚度，但若藉由無機層即可以薄層有效地進行水分遮斷。由於在液晶顯示裝置等力求模組的薄型化，所以針對偏光薄膜亦期待薄型化。依據本發明之偏光薄膜，可藉由無機層有效遮斷水分且可實現偏光薄膜之薄型化。又，在對偏光件直接形成有無機層之偏光薄膜，可使用在形成有該無機層之側未設有透明保護薄膜的偏光薄膜。依據本發明之積層體中使用於附黏著劑層之偏光薄膜的偏光薄膜，可使用對偏光件直接形成有無機層者，藉由無機層可有效遮斷水分、碘，且可實現偏光薄膜之薄型化。
又，本發明之積層體中之附黏著劑層之偏光薄膜 所使用的偏光薄膜有利於使用薄型偏光件之情況。相較於一般的偏光件，薄型偏光件因為屬於薄膜，因而不易收縮。 所以，即便在偏光件設有無機層的情況下，相較於一般的偏光件，薄型偏光件因收縮及於無機層的損害較小。又，薄型偏光件相較於一般的偏光件屬於薄膜，所以來自截面的水蒸氣滲入量小，從進行水分遮斷的觀點看來亦佳。又，本發明之偏光薄膜與未設無機層的偏光薄膜具有同等的光學特性，而且即便被放置在嚴酷的環境下仍具有良好的光學特性。
又，本發明之積層體中之附黏著劑層之偏光薄膜 於偏光薄膜之無機障壁層積層有黏著劑層，且前述無機障壁層相對於黏著劑層之密著性良好，可提供一種適當的附黏著劑層之偏光薄膜。
1‧‧‧偏光薄膜
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧透明導電層(抗靜電層)
4‧‧‧玻璃基板
5‧‧‧液晶層
6‧‧‧驅動電極
7‧‧‧抗靜電層兼感測器層
8‧‧‧驅動電極兼感測器層
9‧‧‧感測器層
10‧‧‧偏光件
11‧‧‧第1透明保護薄膜
12‧‧‧第2透明保護薄膜
20‧‧‧無機層
圖1係顯示本發明之積層體的截面圖例示。
圖2(a)-(b)係顯示於本發明之積層體使用之偏光薄膜的截面圖例示。
圖3(a1)-(a2)係顯示於本發明之積層體使用之偏光薄膜的截面圖例示。
圖4(a1)-(a2)係顯示於本發明之積層體使用之附黏著劑層之偏光薄膜的截面圖。
圖5係示意顯示本發明之影像顯示裝置一實施形態的截面圖。
圖6係示意顯示本發明之影像顯示裝置一實施形態的截面圖。
圖7係示意顯示本發明之影像顯示裝置一實施形態的截面圖。
圖8係實施例1中所得附無機層之偏光薄膜中之無機層的電子顯微鏡照片。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明之積層體之實施形態使用圖式詳細說明。惟，本發明不受圖式之實施形態限定。
如圖1所示，本發明之積層體具有下述結構：將於偏光薄膜1具有黏著劑層2之附黏著劑層之偏光薄膜與具有透明導電層3之透明導電性構件，以使前述黏著劑層2與前述透明導電性構件之透明導電層3接觸的方式加以黏貼而成。圖1所示係於偏光薄膜1之單面具有黏著劑層2之情 況，但黏著劑層2亦可設於偏光薄膜兩面。而，圖1中僅記載了透明導電性構件之透明導電層3。
如圖2(a)、(b)所示，本發明之偏光薄膜1於偏光 件10之單面或兩面(第1單面及第2單面)具有無機層20。偏光件之第1單面及第2單面可任意設定。圖2(a)係僅於偏光件10之第1單面直接設有無機層20之情況，圖2(b)係於偏光件10之兩面直接設有無機層20之情況。
本發明之偏光薄膜可於圖2(a)、(b)記載之偏光薄 膜的單面或兩面設置透明保護薄膜。透明保護薄膜可隔著前述無機層而設置或可未隔著前述無機層而設置，以至少單面之前述無機層為最外層之態樣為佳。最外層之無機層可黏貼於黏著劑層。圖3(a1)、(a2)係於圖2(a)之偏光薄膜設有透明保護薄膜之態樣。圖3(a1)係於偏光件10之第1單面具有第1透明保護薄膜11且於前述偏光件10之第2單面(第1單面之相反面)直接設有無機層20之情況，圖3(a2)則是於偏光件10之第1單面具有第1透明保護薄膜11，且於前述偏光件10之第2單面隔著第2透明保護薄膜12而設有無機層20之情況。
對本發明之偏光薄膜可於前述無機層設置黏著 劑層。圖4(a1)、(a2)係有關本發明之附黏著劑層之偏光薄膜，分別係於圖3(a1)、(a2)之偏光薄膜的無機層20設有黏著劑層2之情況。
而，雖然在圖3中係記載針對圖2(a)所載偏光薄 膜之態樣設有透明保護薄膜的情況，在圖4中係記載於圖3 之態樣中設有黏著劑層的情況，但針對圖2(b)之態樣的偏光薄膜，可隔著或未隔著無機層而設置第1透明保護薄膜及/或第2透明保護薄膜，更可於無機層設置黏著劑層。此外，可於圖2(a)、(b)所載偏光薄膜的無機層設置黏著劑層。
本發明之附黏著劑層之偏光薄膜具有無機層，藉 由此點可控制縮小透濕度。透濕度係在40℃、90%RH下所測出之值，以0.01g/m2‧day以上且5g/m2‧day以下為佳。 透濕度係在40℃、90%RH下所測出之值，在可將無機層厚度形成在1000μm以下且不會伴隨顯著的厚度增加的觀點上，以0.0000001g/m2‧day以上為佳。又，在可有效遮斷水蒸氣的觀點上，以透濕度在5g/m2‧day以下為佳。對於偏光薄膜、附黏著劑層之偏光薄膜兩者，透濕度均以0.000001~5g/m2‧day為佳，更以0.0001~1g/m2‧day以下為佳。
<偏光件>
偏光件無特別限制，可使用各種偏光件。就偏光件而言，可舉如使聚乙烯醇系薄膜、部分甲醛化聚乙烯醇系薄膜、乙烯‧乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜吸著碘或二色性染料等二色性材料並加以單軸延伸者，以及聚乙烯醇之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等聚烯系配向薄膜等。本發明之效果又以該等中使用由聚乙烯醇系薄膜與碘等二色性物質所構成之偏光件最為明顯。該等偏光件之厚度並無特別限制，一般在80μm程度以下。偏光件之厚度一般以15~35μm為佳。
以碘將聚乙烯醇系薄膜染色並單軸延伸而成的 偏光件，例如可藉由將聚乙烯醇浸漬於碘之水溶液而染色並將之延伸成原長之3~7倍來製作。亦可因應需求將之浸漬於硼酸或碘化鉀等水溶液中。此外亦可因應需求於染色前將聚乙烯醇系薄膜浸漬於水中予以水洗。藉由水洗聚乙烯醇系薄膜可洗淨聚乙烯醇系薄膜表面的污垢及抗結塊劑，除此以外藉由使聚乙烯醇系薄膜膨潤亦有防止染色參差等不均的效果。延伸可於以碘染色後進行，亦可一邊染色並一邊延伸，又或可於延伸後以碘染色。亦可於硼酸或碘化鉀等水溶液中或水浴中進行延伸。
又，可使用厚度在10μm以下的薄型偏光件來作 為偏光件。從薄型化的觀點來說，該厚度以1~7μm為佳。 此種薄型偏光件的厚度參差少且辨識性佳，而且尺寸變化少所以耐久性佳，此外以偏光板的厚度來說亦可圖謀薄型化，故為理想。
又，藉由後述濺鍍法直接於偏光件形成無機層 時，在濺鍍效率之面向上，以偏光件之含水率低者為佳。 從前述觀點看來，偏光件之含水率理想在20%以下，更理想在15%以下，更理想在5%以下。另一方面，含水率在0.5%以上為佳。含水率一旦減低，於乾燥上耗費時間且有生產性顯著降低之虞。
前述偏光件之含水率以任意的適當方法調整即 可。舉例來說，可藉由調整偏光件之製造步驟中的乾燥步驟之條件來進行控制的方法。
偏光件之含水率可以下述方法測定。即，將偏光 件切成100×100mm之大小並測定該試樣的初始重量。接著將該試樣在120℃下乾燥2小時，測定乾燥重量，並藉由下述式測定含水率。含水率(重量%)={(初始重量-乾燥重量)/初始重量}×100。重量測定係分別進行3次並採用其平均值。
又，與含水率同樣地，於形成無機層之際，偏光 件之每單位面積的含水量以低者為宜，例如在濺鍍效率之面向上為佳。從前述觀點看來，每單位面積之含水量理想在3g/m2以下，更理想在2g/m2以下，更理想在1g/m2以下。 另一方面，每單位面積之含水量在0.05g/m2以上為佳。含水量一旦減低，於乾燥上即耗費時間且有生產性顯著降低之虞。
前述偏光件中每單位面積之含水量以任意方法 調整即可。舉例來說，可控制減低偏光件之含水率，薄化偏光件之厚度，此外還有減低偏光件之含水率並進一步薄化偏光件之厚度。
偏光件每單位面積之含水量可以下述方法測 定。即，切成100mm×100mm之大小並測定該試樣之初始重量。接著將該試樣在120℃下乾燥2小時，測定乾燥重量，並藉由下述式測定含水量。含水量(g/m2)=(初始重量-乾燥重量)×100。重量測定係分別進行3次並採用其平均值。
就薄型偏光件而言，代表性可舉如特開昭 51-069644號公報及特開2000-338329號公報、WO2010/100917號冊子、PCT/JP2010/001460之說明書或特願2010-269002號說明書及特願2010-263692號說明書中所 記載之薄型偏光膜。該等薄型偏光膜可藉由含有下述步驟之製法製得：將聚乙烯醇系樹脂(以下亦稱PVA系樹脂)層及延伸用樹脂基材以積層體之狀態予以延伸的步驟及進行染色的步驟。若為該製法，PVA系樹脂層再薄，仍可藉由被延伸用樹脂基材支持且無延伸所致之破斷等瑕疵地進行延伸。
<透明保護薄膜>
作為形成上述透明保護薄膜之材料，以透明性、機械強度、熱穩定性、水分遮斷性、等向性等優異者為佳。可舉如：聚對苯二甲酸乙二酯及聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系聚合物；二乙醯纖維素及三乙醯纖維素等纖維素系聚合物；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系聚合物；聚苯乙烯及丙烯腈‧苯乙烯共聚物(AS樹脂)等苯乙烯系聚合物；以及聚碳酸酯系聚合物等。又，亦可列舉下述聚合物作為形成上述透明保護薄膜之聚合物之例：聚乙烯、聚丙烯、具有環狀系或降莰烯結構之聚烯烴、如乙烯‧丙烯共聚物之聚烯烴系聚合物、氯乙烯系聚合物、尼龍及芳香族聚醯胺等醯胺系聚合物、醯亞胺系聚合物、碸系聚合物、聚醚碸系聚合物、聚醚醚酮系聚合物、聚伸苯硫系聚合物、乙烯醇系聚合物、氯化亞乙烯系聚合物、乙烯縮丁醛系聚合物、芳酯系聚合物、聚甲醛系聚合物、環氧系聚合物或上述聚合物之摻合物等。透明保護薄膜中可含有1種類以上的任意適當添加劑。添加劑可舉如紫外線吸收劑、抗氧化劑、滑劑、可塑劑、脫模劑、著色防止劑、阻燃劑、核劑、抗靜電劑、顏料、著色劑等。透明保護薄膜中之上述熱可塑性樹脂含 量理想為50~100重量%，較理想為50~99重量%，更理想為60~98重量%，尤其理想為70~97重量%。透明保護薄膜中之上述熱可塑性樹脂含量在50重量%以下時，有熱可塑性樹脂無法充分顯現原本所具之高透明性等之虞。
前述透明保護薄膜可使用透濕度在150g/m2/24h 以下的低透濕度薄膜。尤其宜使用低透濕度薄膜作為第2透明保護薄膜。依據該構成，空氣中之水分便不易進入偏光薄膜中，可抑制偏光薄膜本身的含水率變化。其結果，可抑制由保存環境而生成的偏光薄膜之旋度或尺寸變化。
就形成設於上述偏光件之單面或兩面的透明保 護薄膜之材料而言，以透明性、機械強度、熱穩定性、水分遮斷性、等向性等優異者為佳，尤以透濕度在150g/m2‧day以下者較佳，在140g/m2‧day以下者尤佳，在120g/m2‧day以下者更佳。透濕度可藉由下述方法求得。
<透明保護薄膜之透濕度>
使用MOCON公司製PERMATRAN-W，在40℃、90%R.H.之氣體環境下測定24小時，來測定透明保護薄膜之透濕度(g/m2‧day)。
就滿足前述低透濕度之透明保護薄膜的形成材 料而言，例如可使用聚對苯二甲酸乙二酯及聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂；聚碳酸酯樹脂；芳酯系樹脂；尼龍及芳香族聚醯胺等醯胺系樹脂；如聚乙烯、聚丙烯、乙烯‧丙烯共聚物之聚烯烴系聚合物、具有環狀系或降莰烯結構之環狀烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂或該等之混合體。前 述樹脂中，又以聚碳酸酯系樹脂、環狀聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂為佳，尤以環狀聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂為佳。
透明保護薄膜之厚度得以適當決定，一般由強度 及處置性等作業性及薄層性等觀點來說係在1~100μm程度。尤以1~80μm為佳，3~60μm較佳。
而，於偏光件之兩面設置透明保護薄膜時，在其 表面背面可使用由相同聚合物材料所構成之透明保護薄膜，亦可使用由相異聚合物材料等所構成之透明保護薄膜。
於未接著上述第1透明保護薄膜之偏光件之面可 設置硬塗層、抗反射層、抗黏附層、擴散層及防眩層等機能層。而，上述硬塗層、抗反射層、抗黏附層、擴散層及防眩層等機能層除可設置於透明保護薄膜本身以外，亦可另外設成與透明保護薄膜為個別體。
而，於偏光件與第1、第2透明保護薄膜之接著處 理可使用接著劑。就接著劑而言，可舉例異氰酸酯系接著劑、聚乙烯醇系接著劑、明膠系接著劑、乙烯基系乳膠系、水系聚酯等。前述接著劑一般係作為由水溶液所構成之接著劑使用，一般含有0.5~60重量%之固體成分而形成。上述以外，偏光件與透明保護薄膜之接著劑可舉如紫外硬化型接著劑、電子射線硬化型接著劑等。電子射線硬化型偏光薄膜用接著劑相對於上述各種透明保護薄膜可顯示良好的接著性。又，可使本發明中使用之接著劑含有金屬化合物填料。
<無機層>
無機層係由對水蒸氣具有遮斷機能的無機材料形成。 無機層例如可藉由無機氧化物或無機氮化物形成。本發明之無機層無需如後述之透明導電性膜中的透明導電層具有導電性，可使用非導電性者。一般來說，非導電層可使用表面電阻值在1.0×1013Ω/□以上者。表面電阻值之測定係藉由實施例之耐腐蝕性試驗的電阻值測定進行。無機層例如可藉由物理氣相成長法或化學氣相成長法，將無機氧化物或無機氮化物蒸鍍於偏光件或透明保護薄膜之表面而形成。就無機氧化物或無機氮化物而言，可舉如矽(Si)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鈉(Na)、硼(B)、鉛(Pb)、鋯(Zr)、釔(Y)等之氧化物或氮化物。上述無機氧化物及無機氮化物中，以對水蒸氣之障壁性及透明性優異的矽氧化物、矽氮化物及鋁氧化物為佳，並適合使用選自該等群組之1種或2種以上。該等中，又以對水蒸氣之障壁性、透明性、柔軟性、密著性等良好的矽氧化物尤佳。而，無機氧化物例如SiOX、AlOX等係以MOX(M表示金屬元素，X表示氧化度)表記，從氣體障壁性及透明性之觀點看來，在矽(Si)之情況下以氧化度X=1.3~1.9之範圍為佳，在鋁(Al)之情況下則以氧化度X=0.5~1.5之範圍為佳。
就上述物理氣相成長法(Physical Vapor Deposition法；PVD法)而言，可舉如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、離子叢集束法等。具體上，可使用下述方法來形成金屬氧化物之蒸鍍膜：(a)真空蒸鍍法，係以金屬氧化 物為原料，將之加熱予以蒸氣化而蒸鍍於對象面(偏光件或透明保護薄膜之表面)上；(b)反應型蒸鍍法，就原料係使用金屬或金屬氧化物，且若有必要，導入氧氣等使其氧化等而蒸鍍於對象面上；及(c)另外以電漿助成氧化等之反應的電漿助成式反應型蒸鍍法等。而就蒸鍍材料之加熱方式而言，例如可藉由電阻加熱方式、高頻感應加熱方式、電子束加熱方式(EB)等進行。上述物理氣相成長法中，又以易於無機氧化物或無機氮化物之蒸氣化的濺鍍法尤佳。
就上述化學氣相成長法(Chemical Vapor Deposition法；CVD法)而言，可舉如電漿化學氣相成長法、熱化學氣相成長法、光化學氣相成長法等。該化學氣相成長法中，又以可在較低溫下形成無機層的電漿CVD尤佳。 電漿CVD具體上係以有機矽化合物等之蒸鍍用單體氣體作為原料，使用氬、氦等惰性氣體作為載送氣體，並且供給氧氣、氨氣等，利用低溫電漿產生裝置等引發化學反應而於對象面(偏光件或透明保護薄膜之表面)上形成氧化矽等無機氧化物或氮化物之蒸鍍薄膜的方法。該低溫電漿產生裝置例如可使用高頻電漿、脈衝波電漿、微波電漿等之產生裝置，並以利用可獲得高活性且穩定之電漿的高頻電漿方式之產生裝置尤佳。
就形成氧化矽等無機氧化物之蒸鍍薄膜的有機 矽化合物等之蒸鍍用單體氣體而言，例如可使用1.1.3.3-四甲基二矽氧烷、六甲基二矽氧烷、乙烯基三甲矽烷、甲基三甲矽烷、六甲基二矽烷、甲矽烷、二甲矽烷、三甲矽烷、 二乙矽烷、丙矽烷、苯矽烷、乙烯基三乙氧矽烷、乙烯基三甲氧矽烷、四甲氧矽烷、四乙氧矽烷、苯基三甲氧矽烷、甲基三乙氧矽烷、八甲基環四矽氧烷等。該等蒸鍍用單體氣體中又以處置性、蒸鍍膜之物性等良好的1.1.3.3-四甲基二矽氧烷、六甲基二矽氧烷為佳。
而，無機層可為單層結構亦可為2層以上之多層 結構。如此一來，將無機層製成多層結構，可藉由蒸鍍時所加諸之熱負擔之減輕來減低偏光件或透明保護薄膜的劣化，可進一步改善黏著劑層與無機層之密著性等。又，可因應偏光件或透明保護薄膜之種類及無機層之厚度等來適當設計上述物理氣相成長法及化學氣相成長法中之蒸鍍條件。
無機層之厚度(平均厚度)以1nm~1000nm程度 為佳。無機層之厚度(平均厚度)的下限值為1nm左右，在15nm以上為佳，在30nm以上較佳。藉由具有該厚度，可確保對水蒸氣之障壁性，並且可抑制透明導電層之劣化。另一方面，無機層之厚度(平均厚度)的上限值為1000nm左右，在300nm以下為佳，在200nm以下較佳。藉由設定成此種厚度，在柔軟性及薄型化的觀點下可製成良好的積層體。無機層之厚度(平均厚度)以10nm~300nm為佳，更以30nm~200nm為佳。
<黏著劑層>
於黏著劑層之形成可使用適當的黏著劑，而針對其種類並無特別限制。就黏著劑來說，可列舉橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺甲酸乙酯系黏著劑、 乙烯基烷基醚系黏著劑、聚乙烯醇系黏著劑、聚乙烯吡咯啶酮系黏著劑、聚丙烯醯胺系黏著劑、纖維素系黏著劑等。
該等黏著劑中，又適合使用光學透明性佳，顯示 適宜的濕潤性、凝聚性及接著性之黏著特性且耐候性及耐熱性等優異者。就顯示此種特徴者，以使用丙烯酸系黏著劑為佳。
≪(甲基)丙烯酸系聚合物≫
丙烯酸系黏著劑係以(甲基)丙烯酸烷基酯之單體單元作為主骨架的(甲基)丙烯酸系聚合物為基質聚合物。而，(甲基)丙烯酸烷基酯係指丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯，與本發明之(甲基)為相同意思。構成丙烯酸系聚合物之主骨架的(甲基)丙烯酸烷基酯可舉例如直鏈狀或支鏈狀之烷基的碳數1~20。舉例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸異肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等。 該等可單獨或組合使用。該等烷基之平均碳數以3~9為佳。
以改善接著性及耐熱性為目的，可藉由將1種類 以上之共聚單體共聚而予以導入於前述(甲基)丙烯酸系聚合物中。就上述共聚單體之具體例而言，可舉如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯及(4-羥甲基環己基)-丙烯酸甲酯等含羥基單體；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙 烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、伊康酸、馬來酸、延胡索酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、伊康酸酐等含酸酐基之單體；丙烯酸之己內酯加成物；苯乙烯磺酸及烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；以及2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基單體等。
又，以改質目的之單體例而言，可舉如：(甲基) 丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺及N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等(N-取代)醯胺系單體；(甲基)丙烯酸胺乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺乙酯、(甲基)丙烯酸三級丁基胺乙酯等(甲基)丙烯酸烷基胺烷基酯系單體；(甲基)丙烯酸甲氧乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺及N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基琥珀醯亞胺、N-丙烯醯基嗎福林等琥珀醯亞胺系單體；N-環己基馬來醯亞胺及N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺及N-苯基馬來醯亞胺等馬來醯亞胺系單體；以及N-甲基伊康醯亞胺、N-乙基伊康醯亞胺、N-丁基伊康醯亞胺、N-辛基伊康醯亞胺、N-2-乙基己基伊康醯亞胺、N-環己基伊康醯亞胺、N-月桂基伊康醯亞胺等伊康醯亞胺系單體等。
此外，就改質單體來說，亦可使用乙酸乙烯酯、 丙酸乙烯酯、N-乙烯吡咯啶酮、甲基乙烯吡咯啶酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌、乙烯基吡、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基唑、乙烯基嗎福林、N-乙烯基羧醯胺類、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己內醯胺等乙烯基系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯系單體；(甲基)丙烯酸環氧丙酯等含環氧基丙烯酸系單體；(甲基)丙烯酸聚乙二醇、(甲基)丙烯酸聚丙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇等二醇系丙烯酸酯單體；以及(甲基)丙烯酸四氫呋喃甲酯、含氟(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲基)丙烯酸酯及丙烯酸2-甲氧乙酯等丙烯酸酯系單體等。
(甲基)丙烯酸系聚合物在總構成單體脂重量比 率中係以(甲基)丙烯酸烷基酯為主成分，(甲基)丙烯酸系聚合物中之前述共聚單體的比率並無特別限制，惟前述共聚單體之比率在總構成單體之重量比率中以0~20%左右為佳，0.1~15%左右為佳，更以0.1~10%左右為佳。
該等共聚單體中，從接著性、耐久性的觀點看來 又宜使用含羥基單體、含羧基單體。該等單體會成為與交聯劑的反應點。含羥基單體、含羧基單體等與分子間交聯劑富有反應性，因此適合使用來提升獲得之黏著劑層的凝聚性及耐熱性。
就共聚單體而言，在含有含羥基單體及含羧基單 體的情況下，該等共聚單體係以前述共聚單體之比率使用，並以含有含羧基單體0.1~10重量%及含羥基單體0.01 ~2重量%為佳。含羧基單體以0.2~8重量%較佳，更以0.6~6重量%為佳。含羥基單體以0.03~1.5重量%較佳，更以0.05~1重量%為佳。
本發明之(甲基)丙烯酸系聚合物一般係使用重 量平均分子量為50萬~300萬之範圍者。若考慮耐久性尤其是耐熱性，宜使用重量平均分子量為70萬~270萬者。更以80萬~250萬為佳。重量平均分子量若小於50萬，在耐熱性上即不佳。又，重量平均分子量若大於300萬，為了調整至用以塗敷之黏度，需要多量的稀釋溶劑而變得提高成本，故而不佳。而，重量平均分子量係以GPC(凝膠滲透層析儀)測定，藉由聚苯乙烯換算所算出之值。
此種(甲基)丙烯酸系聚合物之製造可適當選擇 溶液聚合、塊狀聚合、乳化聚合、各種自由基聚合等之公知製造方法。又，獲得之(甲基)丙烯酸系聚合物可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等之任一者。
而，在溶液聚合中，例如可使用乙酸乙酯、甲苯 等作為聚合溶媒。就具體的溶液聚合例而言，反應係在氮等惰性氣體氣流下加入聚合引發劑，並且一般在50~70℃左右且5~30小時左右的反應條件下進行。
使用於自由基聚合之聚合引發劑、鏈轉移劑、乳 化劑等並無特別限定，可適當選擇使用。而，(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量可藉由聚合引發劑、鏈轉移劑之使用量及反應條件來控制，並依該等種類來調整該等的適當使用量。
就聚合引發劑而言，可舉如：2,2′-偶氮雙異丁 腈、2,2′-偶氮雙(2-甲脒基丙烷)二鹽酸鹽、2,2′-偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2′-偶氮雙(2-甲基丙酸脒)二硫酸鹽、2,2′-偶氮雙(N,N′-二亞甲基異丁基脒)、2,2′-偶氮雙[N-(2-羧乙基)-2-甲基丙酸脒]水合物(和光純藥公司製、VA-057)等偶氮系引發劑；過硫酸鉀、過硫酸銨等過硫酸鹽；過氧二碳酸二(2-乙基己酯)、過氧二碳酸二(4-三級丁基環己酯)、過氧二碳酸二-二級丁酯、過氧新癸酸三級丁酯、過氧三甲基乙酸三級己酯、過氧三甲基乙酸三級丁酯、過氧化二月桂醯、過氧化二-正辛醯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧-2-乙基己酸酯、過氧化二(4-甲基苯甲醯)、過氧化二苯甲醯、過氧異丁酸三級丁酯、1,1-二(三級己基過氧)環己烷、三級丁基氫過氧化物、過氧化氫等過氧化物系引發劑；及過硫酸鹽與亞硫酸氫鈉之組合、過氧化物與抗壞血酸鈉之組合等將過氧化物與還原劑予以組合之氧化還原系引發劑等，惟不受該等限定。
前述聚合引發劑可單獨使用，又可將2種以上混 合使用，以就整體的含量來看，相對於單體100重量份在0.005~1重量份程度為佳，在0.02~0.5重量份程度較佳。
而，例如可使用2,2′-偶氮雙異丁腈作為聚合引發 劑，且於製造前述重量平均分子量之(甲基)丙烯酸系聚合物中，相對於單體成分的總量100重量份，聚合引發劑之使用量設為0.06~0.2重量份程度為佳。
就鏈轉移劑而言，可舉如月桂硫醇、環氧丙硫 醇、巰乙酸、2-巰乙醇、硫甘醇酸、硫甘醇酸2-乙基己酯、2,3-二巰基-1-丙醇等。鏈轉移劑可單獨使用，又可將2種以上混合使用，以就整體的含量來看相對於單體成分之總量100重量份在0.1重量份程度以下。
又，就使用於進行乳化聚合時的乳化劑而言，可 舉如月桂基硫酸鈉、月桂基硫酸銨、十二基苯磺酸鈉、聚氧伸乙基烷基醚硫酸銨、聚氧伸乙基烷基苯基醚硫酸鈉等陰離子系乳化劑、聚氧伸乙基烷基醚、聚氧伸乙基烷基苯基醚、聚氧伸乙基脂肪酸酯、聚氧伸乙基-聚氧伸丙基嵌段聚合物等非離子系乳化劑等。該等乳化劑可單獨使用亦可將2種以上併用。
此外，係以已導入丙烯基、烯丙基醚基等自由基 聚合性官能基之乳化劑作為反應性乳化劑，具體上例如有AQUALON HS-10、HS-20、KH-10、BC-05、BC-10、BC-20(以上均為第一工業製藥公司製)、ADEKA REASOAP SE10N(旭電化工公司製)等。反應性乳化劑係於聚合後被鍵結於聚合物鏈，所以耐水性變佳，相當理想。相對於單體成分的總量100重量份，乳化劑之使用量為0.3~5重量份，從聚合穩定性及機械穩定性看來則以0.5~1重量份較佳。
≪交聯劑≫
又，前述黏著劑宜製成含有交聯劑之黏著劑。就可摻混於黏著劑之多官能化合物而言，可舉如有機系交聯劑及多官能性金屬螯合物。就有機系交聯劑而言，可舉如環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、亞胺系交聯劑、過氧化物 系交聯劑等。該等交聯劑可為1種或將2種以上組合使用。 就有機系交聯劑以異氰酸酯系交聯劑為佳。多官能性金屬螯合物係多價金屬與有機化合物共價鍵結或配位鍵結而成。就多價金屬原子而言，可舉如Al、Cr、Zr、Co、Cu、Fe、Ni、V、Zn、In、Ca、Mg、Mn、Y、Ce、Sr、Ba、Mo、La、Sn、Ti等。就可進行共價鍵結或配位鍵結之有機化合物中的原子來說可舉如氧原子等，就有機化合物則可舉如烷基酯、醇化合物、羧酸化合物、醚化合物、酮化合物等。
就交聯劑而言，以異氰酸酯系交聯劑及/或過氧 化物形交聯劑為佳。就異氰酸酯系交聯劑相關的化合物而言，可舉如二異氰酸甲苯酯、二異氰酸氯伸苯酯、二異氰酸四亞甲酯、二甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、經氫化的二苯甲烷二異氰酸酯等異氰酸酯單體；及將該等異氰酸酯單體與三羥甲基丙烷等加成之異氰酸酯化合物及三聚異氰酸酯化物、縮二脲型化合物；此外還有使聚醚多元醇及聚酯多元醇、丙烯醯多元醇、聚丁二烯多元醇、聚異戊二烯多元醇等加成反應而成的胺甲酸乙酯預聚物型異氰酸酯等。尤其理想為聚異氰酸酯化合物，即選自於由二異氰酸六亞甲酯、氫化二甲苯二異氰酸酯及異佛酮二異氰酸酯所構成群組中之1種或源自於其的聚異氰酸酯化合物。在此，於選自於由二異氰酸六亞甲酯、氫化二甲苯二異氰酸酯及異佛酮二異氰酸酯所構成群組中之1種或源自於其的聚異氰酸酯化合物，包含二異氰酸六亞甲酯、氫化二甲苯二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、多元醇變性二異 氰酸六亞甲酯、多元醇變性氫化二甲苯二異氰酸酯、三聚物型氫化二甲苯二異氰酸酯及多元醇變性異佛酮二異氰酸酯等。所示例之聚異氰酸酯化合物與羥基的反應係使尤其聚合物中所含之酸、鹼如觸媒般發揮作用而迅速進展，所以尤其有助於交聯的迅速性，相當理想。
就過氧化物而言，只要是可藉由加熱或光照射發 生自由基活性種使黏著劑之基質聚合物進行交聯者即可適當使用，若考慮到作業性及穩定性，則宜使用1分鐘半衰期溫度為80℃~160℃的過氧化物，且以使用90℃~140℃的過氧化物較佳。
就可使用之過氧化物，可舉如：過氧二碳酸二(2- 乙基己酯)(1分鐘半衰期溫度：90.6℃)、過氧二碳酸二(4-三級丁基環己酯)(1分鐘半衰期溫度：92.1℃)、過氧二碳酸二-二級丁酯(1分鐘半衰期溫度：92.4℃)、過氧新癸酸三級丁酯(1分鐘半衰期溫度：103.5℃)、過氧三甲基乙酸三級己酯(1分鐘半衰期溫度：109.1℃)、過氧三甲基乙酸三級丁酯(1分鐘半衰期溫度：110.3℃)、過氧化二月桂醯(1分鐘半衰期溫度：116.4℃)、過氧化二正辛醯(1分鐘半衰期溫度：117.4℃)、1,1,3,3-四甲基丁基過氧-2-乙基己酸酯(1分鐘半衰期溫度：124.3℃)、過氧化二(4-甲基苯甲醯)(1分鐘半衰期溫度：128.2℃)、過氧化二苯甲醯(1分鐘半衰期溫度：130.0℃)、過氧異丁酸三級丁酯(1分鐘半衰期溫度：136.1℃)、1,1-二(三級己基過氧)環己烷(1分鐘半衰期溫度：149.2℃)等。其中，尤以交聯反應效率佳的觀點看來，宜使用過氧二碳酸 二(4-三級丁基環己酯)(1分鐘半衰期溫度：92.1℃)、過氧化二月桂醯(1分鐘半衰期溫度：116.4℃)、過氧化二苯甲醯(1分鐘半衰期溫度：130.0℃)等。
而，過氧化物的半衰期係表示過氧化物之分解速 度的指標，指過氧化物之殘存量變成一半的時間。有關用以在任意時間下獲得半衰期的分解溫度及在任意溫度下之半衰期時間係記載於廠商型錄等，例如記載於日本油脂股份有限公司之「有機過氧化物型錄第9版(2003年5月)」等。
相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，交聯 劑之使用量以0.01~20重量份為佳，更以0.03~10重量份為佳。而，交聯劑低於0.01重量份時，有黏著劑之凝聚力不足之傾向，加熱時有發生發泡之虞；另一方面，若多於20重量份，耐濕性會不夠充分而變得容易在可靠性試驗等中發生剝離。
上述異氰酸酯系交聯劑可單獨使用1種，又可將2 種以上混合使用，以就整體的含量來看相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份含有0.01~2重量份之前述聚異氰酸酯化合物交聯劑而形成為佳，以含有0.02~2重量份而形成較佳，以含有0.05~1.5重量份而形成更佳。在考慮阻止凝聚力、耐久性試驗下之剝離等，可適當含有。
前述過氧化物可單獨使用1種，又可將2種以上混 合使用，以就整體的含量相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份含有0.01~2重量份之前述過氧化物，且以含有0.04~1.5重量份而形成為佳，以含有0.05~1重量份而形成 較佳。為了調整加工性、重加工性、交聯穩定性、剝離性等，可在該範圍內適當選擇。
而，針對反應處理後殘存的過氧化物分解量之測定方法，例如可藉由HPLC(高效能液相層析術)來進行測定。
較具體來說，例如將反應處理後的黏著劑各取出約0.2g，浸漬於乙酸乙酯10ml，以振盪機在25℃且120rpm下振盪萃取3小時後，在室溫下靜置3日。接下來，加入乙腈10ml在25℃且120rpm下振盪30分，藉由膜濾件(0.45μm)過濾而獲得萃取液，並將該萃取液約10μl注入HPLC進行分析，即可為反應處理後之過氧化物量。
<耦合劑>
又，前述黏著劑宜設為含有耦合劑之黏著劑。由含有耦合劑之黏著劑所形成的黏著劑層可提升其與無機層之密著性。就耦合劑而言，可舉如矽烷系耦合劑、鋯系耦合劑及鈦酸鹽系耦合劑，可選擇使用該等1種或2種以上。
就矽烷系耦合劑而言，可無特別限制地使用自習知即知悉者。舉例如：γ-縮水甘油氧丙基三甲氧矽烷、γ-縮水甘油氧丙基三乙氧矽烷、γ-縮水甘油氧丙基甲基二乙氧矽烷、2-(3,4環氧環己基)乙基三甲氧矽烷等含環氧基矽烷系耦合劑；3-胺丙基三甲氧矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧矽烷、3-三乙氧基矽基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙基胺等含胺基矽烷系耦合劑；3-丙烯醯氧丙基三甲氧矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧矽烷等含(甲基)丙烯醯基矽烷系耦合劑；及3-異氰酸酯丙基三乙氧矽烷等含異氰酸酯 基矽烷系耦合劑。
作為鈦系耦合劑、鋯系耦合劑，可使用於鈦原子 或鋯原子具有至少1個反應性基(例如，與羥基發生反應之烷氧基的親水基等)之化合物；或，具有前述反應性親水基等及具有羧基、磷酸酯基、氫磷酸酯基、亞磷酸酯基、磺醯基、胺基等之疏水性有機官能基(疏水基)者。
就鈦系耦合劑而言，可舉如烷氧化鈦(烷基鈦酸 鹽)、鈦螯合物(於鈦配位有或鍵結有烷氧基等與其他有機官能基之化合物)等。就該鈦系耦合劑來說，可舉如異丙基三異硬脂醯基鈦酸酯、異丙基三-正十二基苯磺醯基鈦酸酯、異丙基參(二辛基焦磷醯氧基)鈦酸酯、四異丙基雙(二辛基亞磷醯氧基)鈦酸酯、四辛基雙(二-十三基亞磷醯氧基)鈦酸酯、四(2,2-二烯丙基氧基甲基-1-丁基)雙(二-十三基)亞磷醯氧基鈦酸酯、雙(二辛基焦磷醯)氧基乙醯氧基鈦酸酯、雙(二辛基焦磷醯氧基)伸乙基鈦酸酯、異丙基三辛醯基鈦酸酯、異丙基二甲基丙烯醯基異硬脂醯基鈦酸酯、異丙基異硬脂醯基二丙烯醯基鈦酸酯、異丙基三(二辛基磷醯氧基)鈦酸酯、異丙基三異丙苯基苯基鈦酸酯、異丙基三(N-胺乙基-胺乙基)鈦酸酯、四異丙基鈦酸酯、四正丁基鈦酸酯、丁基鈦酸酯二聚物、肆(2-乙基己基)鈦酸酯、四硬脂醯鈦酸酯、四甲基鈦酸酯、二乙氧基雙(乙醯丙酮基)鈦、二異丙基雙(乙醯丙酮基)鈦、二異丙氧基雙(乙基乙醯乙酸)鈦、異丙氧基(2-乙基-1,3-己二醇)合鈦、二(2-乙基己氧基)雙(2-乙基-1,3-己二醇)合鈦、二-正丁氧基雙(三乙醇胺化)鈦、四乙醯丙酮 鈦、羥雙(乳酸)鈦、二異丙苯基苯基氧基乙醯氧基鈦酸酯、二異硬脂醯基伸乙基鈦酸酯等。
就鈦系耦合劑之具體例，可舉如Ajinomoto Fine-Techno(股)製PLENACT系列之KR-TTS、KR-46B、KR-55、KR-41B、KR-38S、KR-138S、KR-238S、338X、KR44、KR9SA等；松本精細化工(股)製ORGATIX系列之TA-10、TA-25、TA-22、TA-30、TC-100、TC-200、TC-401、TC-750等；日本曹達(股)製之A-1、B-1、TOT、TST、TAA、TAT、TLA、TOG、TBSTA、A-10、TBT、B-2、B-4、B-7、B-10、TBSTA-400、TTS、TOA-30、TSDMA、TTAB、TTOP等。
就鋯系耦合劑而言，可舉如烷氧化鋯、鋯螯合物 (於鈦配位有或鍵結有烷氧基等與其他有機官能基之化合物)等。就該鋯系耦合劑，可舉如含乙烯性不飽和鋯酸酯化合物、含新烷氧鋯酸酯化合物，可舉如新烷氧基參新癸醯基鋯酸酯、新烷氧基參(十二基)苯磺醯基鋯酸酯、新烷氧基參(二辛基)磷醯氧基鋯酸酯、新烷氧基參(二辛基)焦磷醯氧基鋯酸酯、新烷氧基參(伸乙基二胺基)乙基鋯酸酯、新烷氧基參(間胺基)苯基鋯酸酯、四(2,2-二烯丙基氧基甲基)丁基，二(二-十三基)亞磷醯氧基鋯酸酯、新戊基(二烯丙基)氧基，三新癸醯基鋯酸酯、新戊基(二烯丙基)氧基，三(十二基)苯-磺醯基鋯酸酯、新戊基(二烯丙基)氧基，三(二辛基)磷醯氧基鋯酸酯、新戊基(二烯丙基)氧基，三(二辛基)焦磷醯氧基鋯酸酯、新戊基(二烯丙基)氧基，三(N-伸乙基二胺基)乙基鋯酸 酯、新戊基(二烯丙基)氧基，三(間胺基)苯基鋯酸酯、新戊基(二烯丙基)氧基，三甲基丙烯醯基鋯酸酯、新戊基(二烯丙基)氧基，三丙烯醯基鋯酸酯、二新戊基(二烯丙基)氧基，二對胺基苯甲醯基鋯酸酯、二新戊基(二烯丙基)氧基，二(3-巰基)丙酸鋯酸鹽、鋯(IV)2,2-雙(2-丙烯醇基甲基)丁烯醇基，環二[2,2-(雙2-丙烯醇基甲基)丁烯醇基]焦磷酸-O,O、新烷氧基參新癸醯基鋯酸鹽、新烷氧基參(十二基)苯磺醯基鋯酸鹽、新烷氧基參(二辛基)磷醯氧基鋯酸酯、新烷氧基參(二辛基)焦磷醯氧基鋯酸酯、新烷氧基參(伸乙基二胺基)乙基鋯酸鹽、新烷氧基參(間胺基)苯基鋯酸鹽；又，就鋯系耦合劑則可舉如四正丁氧鋯、四正丁氧鋯、四乙醯丙酮鋯、三丁氧基乙醯丙酮鋯、三丁氧基硬脂酸鋯、二丁氧基雙(乙醯丙酮)鋯、二丁氧基雙(乙醯丙酮)鋯、三丁氧基乙基乙醯乙酸鋯、單丁氧基乙醯丙酮雙(乙基乙醯乙酸)鋯等。
就鋯系耦合劑之具體例，可舉如Kenrich Petrochemical公司製Ken-React系列起有KZ55、NZ01、NZ09、NZ12、NZ38、NZ44、NZ97、NZ33、NZ39、NZ37、NZ66A、KZTPP等；松本精細化工(股)製ORGATIX系列之ZA-40、ZA-65、ZC-150、ZC-540、ZC-570、ZC-580等。
相對於基質聚合物(例如(甲基)丙烯酸系聚合 物)100重量份，前述耦合劑之摻混比例以摻混5重量份以下為佳，且0.001~5重量份為佳。耦合劑使用0.001重量份以上對於提升與無機層之密著性來說相當有效。另一方面，一旦超過5重量份，便有影響波及黏著特性之虞。前述耦合 劑之摻混比例以0.01~3重量份為佳，更以0.1~1重量份為佳。
此外，亦可於前述黏著劑因應需求且在不脫離本 發明目的之範圍內，適當使用由賦黏劑、可塑劑、玻璃纖維、玻璃珠、金屬粉及其他無機粉末等所構成之充填劑、顏料、著色劑、充填劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑等各種添加劑。又，亦可製成含有微粒子顯示光擴散性的黏著劑層等。
藉由前述黏著劑形成黏著劑層，而於黏著劑層形 成時，宜調整交聯劑整體的添加量以及充分考慮交聯處理溫度及交聯處理時間之影響。
藉由使用之交聯劑，可調整交聯處理溫度及交聯 處理時間。交聯處理溫度在170℃以下為佳。
又，該交聯處理可在黏著劑層之乾燥步驟時的溫 度下進行，亦可於乾燥步驟後另外設置交聯處理步驟進行。
又，有關交聯處理時間亦可考慮生產性及作業性 來進行設定，一般在0.2~20分鐘左右，且以0.5~10分鐘左右為佳。
就形成黏著劑層之方法而言，例如可藉由下述方 法來進行製作：將前述黏著劑塗佈於經剝離處理之分隔件等，將聚合溶劑等乾燥除去形成黏著劑層後轉印至偏光薄膜之無機層的方法；或將前述黏著劑塗佈於偏光薄膜之無機層，將聚合溶劑等乾燥除去而於偏光薄膜形成黏著劑層的方法等。而，在塗佈黏著劑時，可適當新加入聚合溶劑 以外的一種以上溶劑。
]就經剝離處理之分隔件來說，宜使用聚矽氧剝離 襯墊。於此種襯墊上塗佈黏著劑組成物並使其乾燥而形成黏著劑層之步驟中，就使黏著劑乾燥之方法來說，得以因應目的採用適宜且適當的方法。理想係使用將上述塗佈膜加熱乾燥之方法。加熱乾燥溫度理想為40℃~200℃，更理想為50℃~180℃，尤其理想為70℃~170℃。藉由將加熱溫度設定成上述範圍，可獲得一具有優異黏著特性的黏著劑。
乾燥時間得以採用適宜且適當的時間。上述乾燥 時間理想為5秒~20分，更理想為5秒~10分，尤其理想為10秒~5分。
又，可於偏光薄膜之無機層對表面形成錨塗層或 於施行電暈處理、電漿處理等各種易接著處理後再形成黏著劑層。又，亦可對黏著劑層表面施行易接著處理。
錨塗層在以密著性改良、折射率調整、導電性賦 予等為目的下，可使用各種塗佈劑。因應目的使用填料及粒子、導電性聚合物等，而就塗佈劑之黏結劑樹脂並無特別限制，例如可使用環氧系樹脂、異氰酸酯系樹脂、聚胺甲酸乙酯系樹脂、聚酯系樹脂、分子中含有胺基之聚合物類、酯胺甲酸乙酯系樹脂、含有唑啉基等之各種丙烯酸系樹脂等具有有機反應性基的樹脂(聚合物)。
就黏著劑層之形成方法來說可使用各種方法。具 體上，可舉如利用輥塗法、接觸上膠輥塗佈法、凹版塗佈 法、反向塗佈法、輥刷法、噴塗法、浸漬輥塗法、棒塗法、刀塗法、氣刀塗佈法、淋幕式塗佈法、唇模塗佈法、模具塗佈法等之擠壓塗佈法等方法。
黏著劑層之厚度無特別限制，例如為1~100μm 左右。理想為2~50μm，較理想為2~40μm，更理想為5~35μm。
前述黏著劑層露出時，在供給於實用前，可以經 剝離處理之片材(分隔件)來保護黏著劑層。
就分隔件之構成材料而言，可舉如聚乙烯、聚丙 烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯薄膜等塑膠薄膜、紙、布、不織布等多孔質材料、網狀物、發泡片材、金屬箔及該等積層體等之適當的薄片物等，從表面平滑性佳的觀點看來則適合使用塑膠薄膜。
就其塑膠薄膜而言，只要是得以保護前述黏著劑 層的薄膜即無特別限定，可舉如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺甲酸乙酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜等。
前述分隔件之厚度一般為5~200μm，理想為5 ~100μm左右。對於前述分隔件亦可因應需求進行利用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系或脂肪酸醯胺系脫模劑、二氧化矽粉等之脫模及防污處理及塗佈型、捏合型、蒸鍍型等抗靜電處理。尤其，藉由對前述分隔件之表面適當進行聚 矽氧處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理，較可提高自前述黏著劑層之剝離性。
而，在上述附黏著劑層之偏光薄膜製作中所使用 的經剝離處理之片材可直接作為附黏著劑層之偏光薄膜之分隔件使用，進而達到步驟面之簡化。
<透明導電性構件>
透明導電性構件係具有透明導電層之構件。透明導電性構件並無特別限定，可使用公知物，舉例如於透明薄膜等透明基材上具有透明導電層者、或具有透明導電層與液晶胞之構件。
以透明基材來說，只要是具有透明性者即可，可 舉如樹脂薄膜或由玻璃等所構成之基材(例如，薄片狀或薄膜狀、板狀之基材等)等，且以樹脂薄膜尤佳。透明基材之厚度無特別限定，以10~200μm程度為佳，15~150μm程度較佳。
以前述樹脂薄膜之材料並無特別限制，舉例如具 有透明性之各種塑膠材料。例如，以其材料來說，舉例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚二氯亞乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚伸苯硫醚系樹脂等。該等中，尤以聚酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂及聚醚碸系樹脂為佳。
又，針對前述透明基材，亦可預先於表面施行預 先濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子線照射、化成、氧化等蝕刻處理或下塗處理，來提升設於其上之透明導電層相對於前述透明基材的密著性。又，在設置透明導電層之前，可因應需求藉由溶劑洗淨或超音波洗淨等進行除塵、清淨化。
以前述透明導電層之構成材料來說並無特別限 定，可舉如金、銀、銅、白金、鈀、鋁、鎳、鉻、鈦、鐵、鈷、錫、鎂、鎢等金屬及該等金屬之合金等。又，前述透明導電層之構成材料可列舉如銦、錫、鋅、鎵、銻、鋯、鎘之金屬氧化物，具體上可舉如氧化銦、氧化錫、氧化鈦、氧化鎘及由該等之混合物等所構成的金屬氧化物。其他亦可使用由碘化銅等所構成之其他金屬化合物等。前述金屬氧化物中可因應需求更含有上述群組所示之金屬原子的氧化物。例如，可適當使用含有氧化錫之氧化銦(ITO)、含銻之氧化錫等，尤其適合使用ITO。以ITO來說，宜含有氧化銦80~99重量%及氧化錫1~20重量%。一般來說，透明導電層可使用表面電阻值在1.0×1012Ω/□以下者。
又，就前述ITO可列舉晶性ITO及非晶性(amorph ous)ITO。晶性ITO可於濺鍍時施予高溫或將非晶性ITO進一步加熱而製得。前述源自碘之劣化在非晶性ITO中會顯著發生，因此本發明之附黏著劑層之偏光薄膜在非晶性ITO中特別有效。
前述透明導電層之厚度並無特別限制，以設定在 7nm以上為佳，設定在10nm以上較佳，設定在12~60nm更佳，設定在15~45nm更佳，設定在18~45nm更佳，設定在20~30nm尤佳。透明導電層之厚度低於7nm時容易引起源自碘的透明導電層劣化，進而有使透明導電層之電阻值變化增大之傾向。另一方面，超過60nm時則有透明導電層之生產性降低且成本上升，進而使光學特性亦降低之傾向。
前述透明導電層之形成方法並無特別限定，可採 用習知公知之方法。具體來說，可列舉如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法。又，亦可因應需求之膜厚採用適宜的方法。
就具有前述透明導電層之基材厚度來說，可舉如 15~200μm。此外，在薄膜化之觀點下，以15~150μm為佳，15~50μm較佳。具有前述透明導電層之基材以電阻膜方式作使用時，可列舉如100~200μm之厚度。又，以靜電容方式作使用時，則例如以15~100μm之厚度為佳，尤其隨著近年更精進的薄膜化要求，以15~50μm之厚度較佳，20~50μm之厚度更佳。
又，於透明導電層與透明基材之間可因應需求設 置底塗層、寡聚物防止層等。
又，以具有透明導電層與液晶胞之構件來說，舉 例如在可使用於各種液晶顯示裝置等影像顯示裝置中，含有基板(例如玻璃基板等)/液晶層/基板之構成的液晶胞未與該基板之液晶層相接之側具有透明導電層者。又，液晶胞上設有濾色板基板時，可於該濾色板上設置透明導電 層。於液晶胞之基板上形成透明導電層的方法則與前述相同。
將本發明之附黏著劑層之偏光薄膜黏貼於透明 導電膜時，透明導電膜之電阻值變化率低於150%為佳，在130%以下較佳，在120%以下更佳。從靜電不勻對策及屏蔽機能之觀點看來，電阻值變化率低於150%為佳，在感測器用途的情況下則以10~20%為佳。關於透明導電膜之電阻值變化率，可藉由實施例中記載之方法進行測定。
<影像顯示裝置>
本發明之積層體適合在構成具備輸入裝置(觸控面板等)之影像顯示裝置(液晶顯示裝置、有機EL(電致發光)顯示裝置、PDP(電漿顯示器面板)、電子紙等)、及輸入裝置(觸控面板等)等機器之基材(構件)或使用於該等機器之基材(構件)的製造中作使用，尤其適合在觸控面板用光學基材之製造中作使用。又，無關電阻膜方式或靜電容方式等觸控面板等方式，均可使用。
對本發明之積層體施行裁斷、防染印花、蝕刻、 銀墨印刷等處理所得之透明導電性膜可作為光學組件用基材(光學構件)使用。以光學組件用基材來說，只要是具有光學特性之基材即無特別限定，舉例如構成影像顯示裝置(液晶顯示裝置、有機EL(電致發光)顯示裝置、PDP(電漿顯示器面板)、電子紙等)、及輸入裝置(觸控面板等)等機器之基材(構件)或使用於該等機器之基材構件)。
又，如前述，本發明之積層體即使在該附黏著劑 層之偏光薄膜之黏著劑層上積層有透明導電層之情況下，仍可抑制透明導電層之劣化，並可抑制透明導電層之表面電阻上升。因此，只要是具有附黏著劑層之偏光薄膜之黏著劑層與透明導電層相接之構成的影像顯示裝置，便適合使用本發明之附黏著劑層之偏光薄膜。例如，可將本發明之附黏著劑層之偏光薄膜與具有透明導電層之液晶面板，以使前述附黏著劑層之偏光薄膜之黏著劑層與前述液晶面板之透明導電層接觸的方式加以黏貼而製成影像顯示裝置。
更具體來說，可列舉將透明導電層作為抗靜電層 用途使用的影像顯示裝置、或將透明導電層作為觸控面板之電極用途使用的影像顯示裝置。將透明導電層作為抗靜電層用途使用的影像顯示裝置具體來說可舉如圖5所示之影像顯示裝置為例，其為由偏光薄膜1/黏著劑層2/抗靜電層3/玻璃基板4/液晶層5/驅動電極6/玻璃基板4/黏著劑層2/偏光薄膜1所構成之構成，且前述抗靜電層3、驅動電極6由透明導電層形成。該影像顯示裝置之上側(目視側)的附黏著劑層之偏光薄膜(1、2)可使用本發明之附黏著劑層之偏光薄膜。又，將透明導電層作為觸控面板之電極用途使用的影像顯示裝置可舉如圖6或圖7之影像顯示裝置為例，圖6為偏光薄膜1/黏著劑層2/抗靜電層兼感測器層7/玻璃基板4/液晶層5/驅動電極兼感測器層8/玻璃基板4/黏著劑層2/偏光薄膜1之構成(in-cell型觸控面板)，圖7為偏光薄膜1/黏著劑層2/抗靜電層兼感測器層7/感測器層9/玻璃基板4/液晶層5/驅動 電極6/玻璃基板4/黏著劑層2/偏光薄膜1之構成(on-cell型觸控面板)；其中，抗靜電層兼感測器層7、感測器層9、驅動電極6係由透明導電層形成。該影像顯示裝置之上側(目視側)的附黏著劑層之偏光薄膜(1、2)可使用本發明之附黏著劑層之偏光薄膜。
實施例
以下，將藉由實施例具體說明本發明，本發明不受該等實施例限定。而，各例中之份及%均為重量基準。以下無特別規定之室溫放置條件全部為23℃下65%RH。
<(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量的測定>
(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量係藉由GPC(凝膠滲透層析儀)來測定。
‧分析裝置：東曹公司製、HLC-8120GPC
‧管柱：東曹公司製G7000HXL+GMHXL+GMHXL
‧管柱尺寸：各7.8mmφ×30cm計90cm
‧管柱溫度：40℃
‧流量：0.8ml/min
‧注入量：100μl
‧溶析液：四氫呋喃
‧檢測器：示差折射計(RI)
‧標準試料：聚苯乙烯
<透明保護薄膜>
透明保護薄膜1：對厚40μm且具有內酯環結構之(甲 基)丙烯酸樹脂(透濕度96g/m2‧day)施行電暈處理來使用(表2中表記為丙烯酸(40))。
透明保護薄膜2：對厚20μm且具有內酯環結構之(甲基)丙烯酸樹脂(透濕度48g/m2‧day)施行電暈處理來使用(表2中表記為丙烯酸(20))。
透明保護薄膜3：對厚40μm之環狀聚烯烴薄膜(日本ZEON公司製：ZEONOR，透濕度11g/m2‧day)施行電暈處理來使用(表2中表記為COP(40))。
<薄型偏光件之製成>
為了製造薄型偏光膜，首先將於非晶性PET基材製膜有9μm厚之PVA層的積層體，藉由延伸溫度130℃的空中補助延伸生成延伸積層體，接著藉由將延伸積層體染色而生成著色積層體，再將著色積層體藉由延伸溫度65度之硼酸水中延伸使總延伸倍率成為5.94倍，而生成出含有與非晶性PET基材成一體延伸且4μm厚之PVA層的光學薄膜積層體。如此一來便完成了生成構成高機能偏光膜且含有厚5μm之PVA層的光學薄膜積層體，該高機能偏光膜係藉由此種2段延伸將製膜於非晶性PET基材的PVA層之PVA分子予以高次配向，並使利用染色所吸著之碘作為聚碘離子錯合物高次配向於一方向上。該薄型偏光膜在表2中係表記為PVA(5)。於表2中合併記載薄型偏光膜之含水量。
<薄型偏光薄膜(A1)之製成>
一邊於上述光學薄膜積層體之偏光膜表面塗佈聚乙烯醇系接著劑並一邊將第1透明保護薄膜(上述透明保護薄膜 1：丙烯酸(40))貼合後，將非晶性PET基材剝離而製出使用薄型偏光膜之偏光薄膜。以下，將此稱為薄型偏光薄膜(A1)。
<其他薄型偏光薄膜之製成>
在上述<薄型偏光薄膜之製成>中，作為第1透明保護薄膜係使用表2所示者以外，以與上述<薄型偏光薄膜(A1)之製成>同樣的方式獲得薄型偏光薄膜(A2)至(A4)。而，薄型偏光薄膜(A4)係未使用透明保護薄膜之情況。
<偏光件之製成>
將平均聚合度2400、皂化度99.9莫耳%之厚度60μm的聚乙烯醇薄膜浸漬於30℃溫水中60秒鐘，使其膨潤。接著浸漬於碘/碘化鉀(重量比=0.5/8)之濃度0.3%的水溶液，一邊使其延伸至3.5倍並一邊將薄膜染色。其後在65℃之硼酸酯水溶液中以總延伸倍率成為6倍的方式進行延伸。延伸後，於40℃之烘箱進行3分鐘乾燥而獲得偏光件(厚度20μm)。 表2中，該偏光件表記為PVA(20)。於表2中合併記載偏光件之含水量。
<偏光薄膜(A5)之製成>
於上述偏光件之單面一邊塗佈聚乙烯醇系接著劑並一邊貼合第1透明保護薄膜(上述透明保護薄膜1：丙烯酸(40))，製出偏光薄膜(A5)。
<黏著劑之調製>
將丙烯酸丁酯99份、丙烯酸4-羥丁酯1份及相對於總單體成分100份為3份之作為引發劑的偶氮雙異丁腈與乙酸乙 酯一起加入備有冷卻管、氮導入管、溫度計及攪拌裝置的反應容器中，並在氮氣氣流下，在60℃下使其發生反應7小時。其後，於其反應液加入乙酸乙酯而獲得含有重量平均分子量100萬之丙烯酸系聚合物的溶液(固體成分濃度30%)。於前述丙烯酸系聚合物溶液每固體成分100份摻混0.1份三羥甲基丙烷二甲苯二異氰酸酯(三井化學(股)製：Takenate D110N)、過氧化二苯甲醯0.3份及0.075份γ-縮水甘油氧丙基甲氧矽烷(信越化學工業(股)製：KBM-403)而獲得丙烯酸系黏著劑溶液(C1)。
<其他黏著劑之調製>
在上述(黏著劑之製成)中，除將總單體成分之組成、交聯劑之種類或摻混量、或耦合劑之種類或摻混量改變如表3所示以外，以與上述(黏著劑之製成)同樣的方式獲得丙烯酸系黏著劑溶液(C2)至(C5)。
實施例1 <無機層之形成>
藉由濺鍍法於上述薄型偏光薄膜(A1)之偏光件(偏光膜)面蒸鍍氧化矽，藉以形成厚度100nm之無機層(B1)而獲得附無機層之偏光薄膜。針對製得之附無機層之偏光薄膜進行聚焦離子束(FIB)加工(使用HITACHI公司製，製品名「HB-2100」))後，使用場發射型透射電子顯微鏡(FE-TEM)(HITACHI公司製製品名「HF-2000」)進行無機層之觀察。觀察結果顯示於圖8。
<附黏著劑層之偏光薄膜之作成>
將上述丙烯酸系黏著劑溶液(C1)以噴泉式塗佈機均勻地塗敷於業經聚矽氧系剝離劑處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(基材)表面上，以155℃之空氣循環式恆溫烘箱乾燥2分鐘後，於基材表面形成厚20μm的黏著劑層。接著使形成該黏著劑層之分隔件轉移至上述所製得之附無機障壁層之偏光薄膜的無機障壁層(B1)，而製出附黏著劑層之偏光薄膜。
實施例2~8
在實施例1之<無機層之形成>中，除將無機層之形成材料及/或厚度改變如表1所示以外，以與實施例1同樣的方式獲得附無機層之偏光薄膜。又，以與實施例1同樣的方式製出附黏著劑層之偏光薄膜。
實施例9~12
在實施例1之<無機層之形成>中，除了使用表1所示者來替代上述薄型偏光薄膜(A1)以外，以與實施例1同樣的方式獲得附無機層之偏光薄膜。又，以與實施例1同樣的方式製出附黏著劑層之偏光薄膜。
實施例13~16
在實施例1之<附黏著劑層之偏光薄膜之製成中，於黏著劑層之形成使用表1所示者來替代丙烯酸系黏著劑溶液(C1)以外，以與實施例1同樣的方式製成附黏著劑層之偏光薄膜。
比較例1~3
在實施例1中，如表1所示，未於薄型偏光薄膜(A1)、(A3) 或(A5)設置表1所示之無機層即作使用以外，以與實施例1同樣的方式製出附黏著劑層之偏光薄膜。
針對上述實施例及比較例中所得附黏著劑層之偏光薄膜(試樣)進行以下評估。評估結果顯示於表1。
<透濕度>
使用MOCON公司製PERMATRAN-W，在40℃、90%R.H.之氣體環境下測定24小時，測出附黏著劑層之偏光薄膜的透濕度(g/m2‧day)。
<耐腐蝕性試驗：電阻值變化率>
將表面形成有ITO層之導電性膜(商品名：ELECRYSTA(P400L)、日東電工(股)製)切成15mm×15mm，並將實施例、及比較例中所製得之試樣切成8mm×8mm且黏貼至該導電性膜上之中央部後，在50℃、5atm下以高壓釜進行15分鐘處理，製成耐腐蝕性之測定試樣。使用後述測定裝置來測定所得之測定用試樣的電阻值，並令其為「初始電阻值」。
然後，將測定用試樣投入溫度60℃、濕度90%環境下500小時後測定電阻值並令其為「濕熱後之電阻值」。而，上述電阻值係使用Accent Optical Technologies公司製HL5500PC進行測定。從以上述方式測得之「初始電阻值」及「濕熱後之電阻值」，以下式：電阻值變化率=(濕熱後之電阻值/初始電阻值)×100算出電阻值變化率(%)，並藉由下述評估基準進行評估。
(評估基準)
◎：電阻值變化率低於150%(濕熱所造成的電阻值上升 幅度小(耐腐蝕性良好))
○：電阻值變化率在150%以上且低於300%
△：電阻值變化率在300%以上且低於400%
×：電阻值變化率在400%以上(濕熱所造成的電阻值上升幅度大(耐腐蝕性不良))
<接著力>
針對實施例及比較例中所得試樣，將切出25mm寬度並已剝離分隔件者作為試樣。於該試樣之黏著劑層黏貼附SiO2之薄膜(Tetolight OES)，並藉由自動立體測圖儀測定在90度角度且在拉伸速度300mm/min下剝離時的黏著劑層與無機層的剝離強度(N/25mm)。
<光學特性：單體透射率、偏光度之測定>
針對實施例及比較例之附黏著劑層之偏光薄膜，使用附積分球之分光透射率測定器(村上色彩技術研究所之Dot-3c)來測定光學特性(單體透射率與偏光度)。光學特性之測定係將試樣投入60℃/90%R.H.之氣體環境的加濕烘箱中，於施行120小時處理前(初始)及施行後(光學可靠性)進行。有關附無機層之偏光薄膜及薄型偏光薄膜則直接以單體薄膜進行測定。附黏著劑層之偏光薄膜係於剝離分隔件後，使用貼合機貼著於厚0.7mm之無鹼玻璃(康寧公司製，EG-XG)，並在50℃、0.5MPa下進行15分鐘高壓釜處理而將上述試樣完全密著於無鹼玻璃後，針對其進行測定。
而，偏光度係藉由將2枚相同的偏光薄膜以兩者的透射軸呈平行重疊之情況下的透射率(平行透射率：Tp)及以兩 者的透射軸呈正交重疊之情況下的透射率(正交透射率：Tc)適用於下式而求得者。偏光度(%)={(Tp-Tc)/(Tp+Tc)}1/2×100
各透射率係將透過Glan-Taylor稜鏡偏光件獲得之完全偏振光設為100%，並以藉由JIS Z8701之2度視野角(C光源)進行視感度補整之Y值所示者。
本發明之附黏著劑層之偏光薄膜可滿足單體透 射率為30%以上且偏光度為90%以上，即光學特性良好。更以單體透射率在35%以上為佳，又更以在42%以上為佳。偏光度在90%以上為佳，更以在98%以上為佳，又更以在99%以上為佳。
表1中，無機層之種類係表示：B1：氧化矽、B2： 氧化鋁、B3：氮化矽。
表3中，丙烯酸系聚合物之組成的單體組成係表示：BA：丙烯酸丁酯、4HBA：丙烯酸4-羥丁酯、2HEA：丙烯酸2-羥乙酯、AA：丙烯酸。
交聯劑之種類係表示：d1：三羥甲基丙烷二甲苯二異氰酸酯(三井化學公司製：Takenate D110N)、d2：三羥甲基丙烷二異氰酸甲苯酯(日本聚胺甲酸乙酯工業公司製CORONATEL)、d3：過氧化苯甲醯(日本油脂公司製Nyper BMT)。
耦合劑之種類係表示：d4：矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製：KBM-403)、d5：鋯系耦合劑(Kenrich Petrochemical公司製Ken-React NZ33)、d6：鈦系耦合劑(Ajinomoto Fine-Techno(股)製Plenact KR-TTS)。

Claims (15)

  1. 一種積層體，其特徵在於：係將附黏著劑層之偏光薄膜與具有透明導電層之透明導電性構件，以使前述附黏著劑層之偏光薄膜的黏著劑層與前述透明導電性構件之透明導電層接觸的方式加以黏貼而成，前述附黏著劑層之偏光薄膜係於偏光薄膜之單面或兩面具有黏著劑層者；前述偏光薄膜係於偏光件之第1單面未隔著無機層而具有第1透明保護薄膜，且僅於前述偏光件之第2單面具有無機層；前述偏光薄膜係於前述偏光件之第2單面隔著第2透明保護薄膜具有前述無機層且，於該偏光薄膜之無機層側具有前述黏著劑層。
  2. 如請求項1之積層體，其中前述無機層為無機氧化物或無機氮化物。
  3. 如請求項1或2之積層體，其中前述無機層含有選自矽氧化物、矽氮化物及鋁氧化物中之至少任一者。
  4. 如請求項1或2之積層體，其中前述偏光件之厚度在10μm以下。
  5. 如請求項1或2之積層體，其中前述偏光薄膜之單體透射率在30%以上，且偏光度在90%以上。
  6. 如請求項1或2之積層體，其中前述附黏著劑層之偏光薄膜在前述黏著劑層直接積層於前述無機層之構成中，前述無機層與前述黏著劑層之接著力在15N/25mm以上。
  7. 如請求項1或2之積層體，其中前述黏著劑層係由以(甲基)丙烯酸系聚合物作為基質聚合物之丙烯酸系黏著劑所形成。
  8. 如請求項7之積層體，其中前述丙烯酸系黏著劑更含有耦合劑。
  9. 如請求項8之積層體，其中相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，前述耦合劑之比例為0.001~5重量份。
  10. 如請求項8或9之積層體，其中前述丙烯酸系黏著劑更含有交聯劑。
  11. 如請求項1或2之積層體，其中前述附黏著劑層之偏光薄膜在40℃、90%RH下所測出之透濕度為0.01g/m2‧日以上且5g/m2‧日以下。
  12. 如請求項1或2之積層體，其中前述透明導電層係由氧化銦錫形成。
  13. 如請求項12之積層體，其中前述氧化銦錫為非晶性氧化銦錫。
  14. 如請求項1或2之積層體，其中前述積層體在60℃、90%RH環境下投入500小時之前(初始)與之後(濕熱後)，其透明導電導電膜之下述所示電阻值變化率在130%以下：電阻值變化率=(濕熱後之電阻值/初始電阻值)×100。
  15. 一種影像顯示裝置，其特徵在於使用如請求項1至14中任一項之積層體。
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