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TWI643281B - 下電極組裝用邊緣密封 - Google Patents

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TWI643281B
TWI643281B TW103145142A TW103145142A TWI643281B TW I643281 B TWI643281 B TW I643281B TW 103145142 A TW103145142 A TW 103145142A TW 103145142 A TW103145142 A TW 103145142A TW I643281 B TWI643281 B TW I643281B
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凱伊斯 威廉 高夫
Keith William Gaff
馬修 布吉
Matthew Busche
安東尼 瑞奇
Anthony Ricci
亨利Ｓ 普瓦尼
Henry S. Povolny
史考特 史帝夫諾
Scott Stevenot
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美商蘭姆研究公司
Lam Research Corporation
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Abstract

一種用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，包括：一溫度控制下基座板、一上板、一圍繞接合層的安裝溝槽、以及一包含壓縮在溝槽中的環之邊緣密封件。氣體源將惰性氣體供應至溝槽，並將溝槽中之惰性氣體維持在100毫托耳至100托耳的壓力。

Description

下電極組裝用邊緣密封
本揭露內容涉及用於電漿處理腔室(如電漿蝕刻反應器)中的下電極組件之邊緣密封件的改善方式。
〔相關案件交互參照〕
本案涉及申請於2011年10月20日、且名稱為「Edge Seal for Lower Electrode Assembly」之美國專利申請案第13/277873號、以及申請於2012年6月20日、且名稱為「Edge Seal for Lower Electrode Assembly」之美國專利申請案第13/528194號，其全部內容於此併入做為參考。
半導體積體電路已成為大多數電子系統的主要元件。這些微型電子裝置可包含數千個電晶體及其他電路，其組成微電腦中央處理單元的記憶體和邏輯子系統及其他積體電路。這些電路的低成本、高可靠度、及高速度使其成為現代數位電子的普遍特徵。
半導體積體電路的製作通常在反應性離子蝕刻系統中進行，例如平行板反應器或感應耦合電漿反應器。反應性離子蝕刻系統可由一蝕刻腔室及 設置在其中的上電極(或陽極)和下電極(或陰極)所組成。陰極相對於陽極和容器壁而受到負偏壓。待蝕刻之晶圓係由合適遮罩所遮蓋且直接設置在陰極上。將化學反應性氣體(如CF4、CHF3、CClF3、HBr、Cl2、及SF6或其混合物)與O2、N2、He、或Ar導入蝕刻腔室，並且維持在一壓力(通常在毫托耳的範圍)。上電極設有氣體孔洞，其允許氣體通過電極而均勻分散到腔室內。建立在陽極與陰極之間的電場會使反應性氣體解離而形成電漿。藉由與活性離子產生化學交互作用及藉由離子撞擊晶圓表面的動量傳遞來蝕刻晶圓表面。由電極所產生之電場將吸引離子至陰極，導致離子主要在垂直方向上撞擊該表面，使得此製程產生定義良好的垂直蝕刻側壁。
一種用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，包含：一上板、一溫度控制下基座板、一圍繞下電極組件中之接合層的安裝溝槽、一包含壓縮在該溝槽中的環之邊緣密封件、以及與溝槽呈流體連通的氣體通道。氣體通道可用以供應惰性氣體至溝槽，並將環形空間(介於溝槽壁與環之間)中之惰性氣體維持在100毫托耳至100托耳的壓力。
10‧‧‧電漿反應器
12‧‧‧電漿處理腔室
14‧‧‧噴淋頭
16‧‧‧線圈
18‧‧‧RF產生器
20‧‧‧塗層
24‧‧‧射頻產生器
26‧‧‧出口
28‧‧‧下電極組件
30‧‧‧晶圓
32‧‧‧腔室壁
100‧‧‧下構件
100a‧‧‧氣體通道
100b‧‧‧氣體通道
100c‧‧‧氣體源
105‧‧‧外圍
120‧‧‧接合層
125‧‧‧外圍
140‧‧‧加熱器板
145‧‧‧外圍
150‧‧‧下電極組件
160‧‧‧接合層
165‧‧‧外圍
180‧‧‧上構件
185‧‧‧外圍
190‧‧‧溝槽
200‧‧‧帶體
200a‧‧‧O形環
200b‧‧‧背襯密封件
圖1顯示適用於電漿蝕刻半導體基板之處理腔室的橫剖面圖。
圖2顯示電極組件的上陶瓷層和下基座板之橫剖面圖，兩者之間具有安裝溝槽。
圖3顯示矩形彈性帶體的橫剖面圖，其係設置在介於電極組件的上陶瓷層與下基座板之間的安裝溝槽中。
圖4顯示下電極組件的橫剖面圖，安裝溝槽中具有TEFLON包覆之O形環，且安裝溝槽具有拋光表面及鳩尾特徵部(dovetail feature)。
圖5係TEFLON包覆之O形環的彈出壓力(psi)對裝設壓縮率(%)之圖表。
圖6顯示下電極組件的橫剖面圖，且背襯密封件介於安裝溝槽壁與TEFLON塗層O形環之間。
圖7顯示下電極組件的橫剖面圖，其具有將惰性氣體遞送至安裝溝槽的氣體通道。
圖8顯示下電極組件的橫剖面圖，其中一氣體源將氣體供應至圖7所示之氣體通道。
下電極組件通常包括靜電夾持層，於電漿處理腔室內進行處理期間，將晶圓夾持在靜電夾持層上。下電極組件亦可包括與溫度控制基座板接合的各種層。舉例而言，此組件可包括上陶瓷層及基座板；上陶瓷層包含一或更多靜電電極，這些靜電電極係黏著接合至一加熱器板的上側，而一或更多加熱器係黏著接合至加熱器板的底部，且基座板係黏著接合至加熱器及加熱器板。為保護曝露的黏著接合層，故使加熱器板具有小於陶瓷層及基座板的直徑，並且將彈性材料所製成的邊緣密封件設置在介於陶瓷層與基座板之間的安裝溝槽 中。為提供一有效密封，故將邊緣密封件軸向壓縮1%至20%，較佳地約5%以完全填滿該安裝溝槽。邊緣密封件之形式可為O形環或具有非圓形橫剖面的環(例如具有凹形外表面的矩形橫剖面，其於壓縮期間向外凸出，但不接觸周圍邊緣環)。
上述之環的問題為安裝後陷在溝槽中的空氣，當曝露至真空條件時(例如：於處理支撐在電極組件上的半導體基板期間，當腔室進行抽氣時)此空氣會漏出。另一問題是由於反應性化學物種滲漏通過密封表面所引起，而這可能使接合層劣化並導致真空滲漏、氦冷卻劑滲漏、或無法接受的溫度均勻性變化，因而使ESC無法正確操作。為了避免上述問題，因此在下電極組件中設置氣體通道以將惰性氣體遞送至溝槽壁與環之間的環形空間。藉由將惰性氣體維持在相對於腔室內之真空的正壓力，此惰性氣體可防止化學物種從腔室滲漏通過該環而進入環形空間內，從而保護接合層不被化學物種侵襲。惰性氣體可流經氣體通道，並且經由沿著溝槽排列的多數排氣口而進入環形空間。較佳的惰性氣體為氬(Ar)或氦(He)，但亦可使用如氮(N2)之其他氣體。較佳地，氣體壓力係高到足以防止化學物種通過該環而進入，但又低到足以使流入腔室的惰性氣體不會影響腔室中實施的製程。環形空間中的較佳氣體壓力為1至20托耳，且惰性氣體進入腔室的較佳流速為小於20sccm。
圖1顯示用以蝕刻基板之範例性電漿反應器10的橫剖面圖。如圖1所示，電漿反應器10包括電漿處理腔室12、及設置在腔室12上方以產生電漿之天線(其係藉由平面線圈16而實現)。RF線圈16通常是藉由RF產生器18經由匹配網路(未顯示)來供給能量。上述腔室稱為感應耦合電漿(ICP，inductively coupled plasma)腔室。為供應處理氣體至腔室12內部，因此設置了氣體分佈板 或噴淋頭14，其較佳地包括複數孔洞，而這些孔洞係用以將氣態來源材料(如蝕刻劑來源氣體)釋放至介於噴淋頭14與支撐在下電極組件28上的半導體基板(或晶圓)30之間的RF感應電漿區域內。雖然圖1之中顯示一感應耦合電漿反應器，惟此電漿反應器10仍可結合其他電漿產生源，例如電容耦合電漿(CCP，capacitive coupled plasma)、微波、磁控管、螺旋波、或其他合適的電漿產生設備(其中省略了天線)。
氣態來源材料亦可藉由其他配置導入腔室12內，例如：一或更多延伸穿過頂部壁的氣體注射器及/或嵌入腔室12之壁部的氣體噴射埠。蝕刻劑來源化學品包括鹵素：如Cl2及BCl3(例如當進行蝕穿鋁或鋁合金其中一者時)。亦可使用其他蝕刻劑化學品(例如：CH4、HBr、HCl、CHCl3)和用於蝕刻特徵部之側壁鈍化的聚合物形成物種(例如：烴類、氟碳化物、及氫氟碳化物)。這些氣體可與選擇性惰性氣體及/或非反應性氣體一起使用。
在使用時，將晶圓30傳進由腔室壁32所定義的腔室12內、並將其設置在下電極組件28上。較佳地，晶圓30係藉由射頻產生器24予以偏壓(通常亦經過一匹配網路)。晶圓30可包含製作在其上的複數積體電路(IC，integrated circuit)。這些IC可包括如邏輯裝置(例如：PLA、FPGA、及ASIC)或記憶體裝置(例如：隨機存取記憶體(RAM)、動態隨機存取記憶體(DRAM)、同步動態隨機存取記憶體(SDRAM)、或唯讀記憶體(ROM))。當施加RF電力時，反應性物種(由來源氣體所形成)對晶圓30的曝露表面進行蝕刻。接著，將副產物(其可能為揮發性)經由出口26排出。在處理完成後，可使晶圓30接受進一步處理，並且最後進行切割以將這些IC分割成個別晶片。
任何電漿限制設備的電漿曝露表面(未顯示)、腔室壁32、腔室襯墊(未顯示)、及/或噴淋頭14可設有電漿噴塗層20，其表面粗糙度特性促進了聚合物附著。此外，基板支撐件28的電漿曝露表面亦可設有電漿噴塗層(未顯示)。以此方式，實質上所有限制電漿的表面都會具有促進聚合物附著的表面粗糙度特性。以此方式，可大幅降低反應器內部的微粒污染。
應可瞭解到反應器10亦可用於金屬、介電層、及其他蝕刻製程。在電漿蝕刻處理中，氣體分配板可為位於ICP反應器中之介電窗正下方的圓形板、或可形成CCP反應器(稱為平行板反應器，其中氣體分配板係一方向與半導體基板或晶圓30平行之噴淋頭電極)中之上電極組件的一部分。氣體分配板/噴淋頭電極包含具有特定直徑及空間分佈的孔洞陣列，以使待蝕刻層(例如：光阻層、二氧化矽層、及晶圓上的底層材料)的蝕刻均勻性最佳化。
可使用之一範例平行板電漿反應器係雙頻電漿蝕刻反應器(例如見於共同所有之美國專利第6090304號，藉此將其全部併入作為參考)。在如此反應器中，可自氣體供應器供應蝕刻氣體至噴淋頭電極，並且可藉由二RF源供應不同頻率的RF能量至噴淋頭電極及/或下電極，而在反應器中產生電漿。選擇性地，噴淋頭電極可為電性接地，並且可將不同頻率的二RF能量供應至下電極。
圖2顯示下電極組件150的橫剖面圖，其具有利用曝露接合層貼合在一起的各種層，而曝露接合層係位於用以容納邊緣密封件(包含彈性帶體)的安裝溝槽之中。電極組件150包含上陶瓷構件180，該上陶瓷構件180包含靜電夾持電極並接附至下構件100(如溫度控制基座板)。加熱器板140係設置在上構件180與下構件100之間，其包含金屬或陶瓷板及一或更多加熱器(例如耦合至板之底部的膜加熱器)。黏著接合層120係設置在下構件100與加熱器板140之 間，並且將下構件100與加熱器板140貼合。黏著接合層160係設置在上構件180與加熱器板140之間，並且將上構件180與加熱器板140貼合。上構件180及下構件100延伸超出加熱器板140及接合層120、160，以形成一環形溝槽190。加熱器板140及接合層120、160的外圍145、125、165實質上互相對準。上構件180及下構件100的外圍185、105可(或可不)垂直對準，而且上構件與下構件之間可包括額外的層。
較佳地，上構件180係陶瓷材料及嵌入電極(其係由如W、Mo等等金屬材料所組成)的靜電夾持層。此外，上構件180較佳地從中心至外緣(或其直徑)具有一均勻厚度。較佳地，上構件180係適用於支撐200mm、300mm、或450mm直徑晶圓的薄圓形板。具有上靜電夾持層、加熱器層、及接合層的下電極組件之詳細內容係揭露於共同所有之美國公開專利申請案第2006/0144516號，其中的上靜電夾持層具有約0.04吋的厚度、上接合層具有約0.004吋的厚度、加熱器板包含厚度約0.04吋的金屬或陶瓷板和厚度約0.01吋的加熱器膜、以及下接合層具有約0.013至0.04吋的厚度。介於上夾持層與基座板之間的矩形安裝溝槽具有至少約0.03至0.15吋的高度和約0.03至0.15吋的深度。在用以處理300mm晶圓的較佳實施例中，溝槽可具有至少約0.07吋的高度和約0.035吋的深度。當插入溝槽時，邊緣密封件較佳地呈徑向膨脹及垂直向壓縮，以緊密安裝在溝槽之中。然而，若邊緣密封件具有一矩形橫剖面，則其將向外凸出並可能接觸到周圍邊緣環；且/或當曝露至氟或氧電漿時，邊緣密封件的外表面上之張應力可能導致破裂。
較佳地，下基座板100係具有上表面及下表面的圓形板。在一實施例中，下構件100可藉由在其中包含流體通道(未顯示)而配置以提供溫度控 制，且溫度控制液體可經由流體通道而循環至電極組件150。在電極組件150之中，下構件100通常為金屬基座板，其功能係作為電漿腔室中的下RF電極。下構件100較佳地包含經陽極處理之鋁或鋁合金。然而，應能瞭解到可使用任何合適的材料，包括：金屬、陶瓷、導電、及介電材料。在一實施例中，下構件100係由經陽極處理、機械加工之鋁塊所形成。選擇性地，下構件100可由陶瓷材料所製成，而下構件100之中、及/或其上表面之上設有一或更多電極。
如圖2所示，接合層120將下構件100與加熱器板140貼合。接合層160將上構件180與加熱器板140貼合。接合層120、160較佳地係由低模數材料所形成，例如：彈性矽酮或矽氧橡膠材料。然而，亦可使用任何合適的接合材料。應能瞭解到接合層120、160的厚度可依照期望的熱傳係數而改變。因此，其厚度係基於接合層的製造公差而用以提供期望的熱傳係數。通常，接合層120、160會在其整個塗佈區域有變化(加或減一特定變量)。通常，若接合層厚度變化不超過1.5%，則上及下構件180、100之間的熱傳係數可視為實質上均勻。
例如，對於使用在半導體工業的電極組件150而言，接合層120、160較佳地具有可耐受廣範圍溫度的化學結構。因此，應能瞭解到低模數材料可包含任何合適的材料，例如：與真空環境相容且在高溫度(如高達500℃)下具有熱降解抗性的聚合材料。在一實施例中，接合層120、160可包含矽酮，且其厚度可介於約0.001至約0.12吋之間，且其厚度更佳地為約0.003至約0.030吋。
加熱器板140可包含接合至上構件180的下表面之疊層。例如，加熱器板140可為金屬或陶瓷板之形式，且具有耦合至金屬或陶瓷板之底部的膜加熱器。此加熱器膜可為一箔片疊層(未顯示)，其包含第一絕緣層(例如介電層)、加熱層(例如電阻性材料的一或更多帶片)、以及第二絕緣層(例如介 電層)。絕緣層較佳地由具有在廣溫度範圍維持其物理、電子、及機械特性之能力(包括對電漿環境中之腐蝕性氣體的抗性)的材料所組成，例如：KAPTON或其他合適的聚亞醯胺膜。加熱器元件較佳地由高強度合金(如Inconel或其他合適的合金)或具抗腐蝕性及電阻性加熱材料所組成。通常，膜加熱器的形式為KAPTON、INCONEL、及KAPTON之疊層，且具有約0.005至約0.009吋的總厚度，且更佳地為約0.007吋厚。
如圖2所示，下構件100及上構件180的外圍105、185可延伸超出加熱器板140及接合層120、160的外圍145、125、165，從而在電極組件150中形成一安裝溝槽190。接合層120、160的材料通常對半導體電漿處理反應器的反應性蝕刻化學品不具抗性，且因此必須受到保護以達到有利的操作壽命。為了保護接合層120、160，已提出將邊緣密封件(如彈性帶體的形式)設置在溝槽190內以形成緊密密封，從而防止半導體電漿處理反應器的腐蝕性氣體之滲透。例如，詳見共同所有之美國公開專利申請案第2009/0290145號、第2010/0078899號、以及第2013/0097840號。
圖3顯示電極組件150之橫剖面輪廓，其包括環形彈性帶體200。當帶體200設置在溝槽190中時，帶體200被軸向壓縮至少5%，且較佳地為至少10%至20%或更高。帶體可為一O形環、或具有非圓形橫剖面的環(如具有垂直內表面、水平上表面和水平下表面、以及凹形外表面的矩形帶體)。帶體可由單一材料(例如矽氧橡膠)所製成、或較佳地由抗腐蝕性彈性體材料(例如PERLAST(FFKM彈性體))或複合材料(例如矽酮核心和氟聚合物(如TEFLON)塗層)所製成。舉例而言，TEFLON包覆之O形環可包括0.010”厚的TEFLON(PTFE或PFA)包覆層和矽酮核心。此O形環結構結合了標準彈性體O形環的壓縮定型 抗性與對TEFLON的優異化學抗性，而使其成為這類密封應用的理想選擇。TEFLON包覆之O形環係供應自例如M-Cor Inc.、Row Inc.、以及Creavy Seal Co.公司。TEFLON包覆之O形環的缺點為其不佳的密封效果(相較於典型彈性體O形環)。TEFLON包覆之O形環通常裝設在高壓縮率(20%+)的情況下，以確保足夠的密封性。然而，當作為彈性帶體200時，TEFLON O形環甚至可在低於20%之壓縮率的情況下產生足夠的密封性。
圖4顯示電極組件150及修改之邊緣密封件(包含彈性帶體200)的橫剖面圖。圖4的電極組件150與圖2及圖3的電極組件相同，但帶體200係容納在具有拋光表面及鳩尾特徵部的溝槽中，且鳩尾特徵部係由沿著溝槽的上壁及/或下壁之台階所形成。改善密封之一方式係將溝槽190之表面拋光。例如，將陶瓷拋光至合適的表面粗糙度，例如達到32微吋(microinch)Ra。較佳地，將溝槽拋光至4微吋Ra(類似鏡子)表面粗糙度，這可達到比標準陶瓷(作為基礎12微吋Ra表面粗糙度)更好30倍的密封。此外，為防止帶體彈出，溝槽190可設有鳩尾特徵部。O形環彈出會是設計彈性帶體200需克服的主要挑戰。當處理腔室抽氣至真空時，除非藉由一些手段保持住O形環，否則陷在O形環後方的空氣會推動O形環而造成其位移。安裝時縮緊O形環是不夠的。在塗有TEFLON之O形環的情況下，TEFLON包覆層非常容易受到潛變變形(creep deformation)的影響。在升高的操作溫度(ESC可操作在175℃)下，TEFLON材料將發生潛變，因此導致鬆弛狀況而消除了O形環伸縮負荷(stretch load)。由於此原因，故需要一鳩尾特徵部。經過測試，已確定具有0.002吋或更高的台階之鳩尾特徵部提供了彈出阻力與容易安裝O形環之間的良好平衡。圖5顯示O形環壓縮率之範圍，以及將O形環從具有0.004吋台階之溝槽彈出所需的空氣壓力。由於全部數 值皆高於大氣壓力(14.7psi)，故O形環彈出的風險很低。但此資料亦顯示出裝設時需要最少為8%的O形環壓縮率以避免彈出。
彈性帶體200可由任何適當的半導體處理相容材料所構成。例如，可使用能固化而形成氟彈性體的可固化含氟彈性體含氟聚合物(FKM)、或可固化全氟彈性體全氟聚合物(FFKM)。彈性帶體200較佳地由如氟碳化物聚合物材料之聚合物所構成，例如：TEFLON(由杜邦(DuPont)公司所製造之PTFE(聚四氟乙烯，PolyTetraFluoroEthylene))。然而，亦可使用塑膠、聚合材料、全氟烷氧基(PFA，Perfluoroalkoxy)、氟化聚合物(fluorinated polymers)、及聚亞醯胺(polyimides)。彈性帶體200較佳地係由具有高化學抗性、低溫和高溫耐性、對電漿反應器中之電漿侵蝕的抗性、低摩擦力、以及電絕緣和熱絕緣特性之材料所組成。優先材料為具有Shore A硬度為60至75且比重為1.9至2.1的材料，例如Perlast Ltd公司所供應之PERLAST。另一帶體材料為DuPont Performance Elastomers公司所供應之KALREZ。PERLAST和KALREZ皆為FFKM彈性體。
較佳地，彈性帶體200係由具有高化學抗性、低溫和高溫耐性、對電漿反應器中之電漿侵蝕的抗性、低摩擦力、低於85之Shore A硬度(更佳為低於75之Shore A硬度)、以及電絕緣和熱絕緣特性之材料所組成。最佳地，彈性帶體為未填充彈性體且每一金屬元素具有低於5000ppb(十億分之一，parts per billion)之金屬含量，因為彈性體中的金屬可能在操作期間導致微粒產生及半導體基板上的金屬污染。
在一替代實施例中，密封件包括O形環200a及背襯密封件200b。圖6繪示可用於本案之一「背襯密封件」(backing seal)。此背襯密封件可由PERLAST材料或一些其他適合的高性能彈性體所製成。背襯密封件能(1)藉由 填滿TEFLON包覆之O形環後方的大量容積來幫助防止彈出狀況。這使得陷入空氣的體積減少，且因此降低彈出的風險(藉由降低陷入容積而使彈出的風險降低)。背襯密封件亦能(2)大幅降低通過密封件的滲漏率，從而為ESC接合提供改善之保護。較軟的彈性體密封件(如PERLAST)具有遠優於TEFLON的密封效果，並且，背襯密封件會受到TEFLON包覆之O形環推壓而靠著密封表面，從而產生比單獨使用一彈性體密封件更大的密封壓力。此外，可在不拋光溝槽中的接觸表面之情況下達到適當的密封效果。使用TEFLON包覆之O形環及背襯密封件的組合式混合密封件之優點為該密封還具有「固定性」(permanent)。曝露表面仍為TEFLON，且預期受到腐蝕會非常地慢。雖然背襯密封係由較不具抗腐蝕性的PERLAST材料所製成，但PERLAST背襯密封件已受到充分保護。
在一示範實施例中，壓縮後之O形環的高度可為約0.118吋±0.005吋。溝槽較佳地包括自溝槽的下壁向上延伸之0.004吋台階，且緊壓在溝槽中之O形環的外表面係倚靠著此台階而設置。將惰性氣體遞送至環形空間(介於O形環與溝槽的垂直壁之間)的氣體通道可延伸穿過基座板或穿過接合層。例如，一或更多氣體通道可在基座板中垂直延伸，並且徑向延伸之氣體通道可自垂直氣體通道延伸以經由沿著溝槽的多數排氣口遞送惰性氣體。如圖7所示，下電極組件可包括基座板100中的氣體通道100a，其將惰性氣體遞送至環形空間190a(介於溝槽壁與O形環200之間)。圖8顯示具有將惰性氣體從氣體源100c遞送至溝槽190之垂直氣體通道100b及水平氣體通道100a的下電極組件150。
可將邊緣密封件裝設在不包括加熱器板的其他下電極組件之中。例如，可將彈性帶體裝設在安裝溝槽(其圍繞下電極組件中的接合層)之中， 且下電極組件具有上板及溫度控制下基座板；其中帶體係裝設在溝槽中，以使帶體受到壓縮，並且在一壓力下將惰性氣體供應至帶體與溝槽內壁之間的容積。
於使用時，可將下電極組件裝設在電漿蝕刻腔室的內部，且電極組件的上層可包括一靜電夾盤(ESC，electrostatic chuck)。
設置在下電極組件上的半導體基板可藉由下列步驟進行電漿蝕刻：將處理氣體導入包含下電極組件之腔室；激發處理氣體成為電漿狀態；以及用電漿對半導體基板進行電漿蝕刻，同時供應惰性氣體至環形空間、並且將環形空間中的惰性氣體維持在1至20托耳的壓力。
電漿蝕刻處理可包括監控惰性氣體流至環形空間之流速，以及若此流速超過一表示環未充分密封之臨界值時即發出警告。
於此所使用與大小相關之用語「約」表示將此大小加或減10%。
雖然已參考較佳實施例來敘述本發明，惟本領域中具有通常知識者應瞭解到可在不離開如隨附申請專利範圍所定義之本發明之精神及範圍的情況下，實施未具體敘述之增加、刪減、修改、及替換。

Claims (25)

  1. 一種用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，包含：一溫度控制基座板、一位於該基座板上方的上板、以及一圍繞接合層的環形安裝溝槽，且該接合層係設置在該基座板與該上板之間，其中該環形安裝溝槽包括一內壁，該內壁定義該環形安裝溝槽的一內部半徑，其中該環形安裝溝槽的一開口相對於該內壁而朝向徑向外側，且其中該環形安裝溝槽包括至少一台階，該至少一台階從該環形安裝溝槽的一上壁上的該上板朝下延伸或從該環形安裝溝槽的一下壁上的該基座板朝上延伸；及一邊緣密封件，包含裝設在該環形安裝溝槽中的可壓縮環，使得該可壓縮環在該上板與該基座板之間受到軸向壓縮，以造成該可壓縮環的外表面相對於該內壁而徑向朝外偏移朝向該至少一台階，其中該至少一台階係相對於該內壁而設置在該可壓縮環的徑向外側處使得：(i)該可壓縮環的外表面與該至少一台階接合，以當(a)該可壓縮環在該上板與該基座板之間受到壓縮時及(b)將該電漿處理腔室抽氣時，將該可壓縮環保持在該環形安裝溝槽內，及(ii)當該可壓縮環在該上板與該基座板之間受到壓縮時，該可壓縮環不與該環形安裝溝槽的該內壁接合。
  2. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，更包含至少一氣體通道，該至少一氣體通道係與在該可壓縮環及該環形安裝溝槽的內壁之間的一環形空間呈流體連通，其中該至少一氣體通道延伸穿過該基座板，並且包括與該環形空間呈流體連通的多數出口。
  3. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，其中該可壓縮環包含：矽酮核心及含氟聚合物塗層。
  4. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，其中該可壓縮環為O形環或具有非圓形橫剖面的彈性帶體。
  5. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，其中該環形安裝溝槽之橫剖面為矩形，且具有在該基座板與該上板之間延伸小於0.15吋的高度。
  6. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，其中該上板包含具有嵌入於其中之至少一靜電夾持電極的陶瓷材料。
  7. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，其中該基座板之中包括流體通道，冷卻劑可經由該流體通道進行循環，以將該基座板維持在固定溫度。
  8. 如申請專利範圍第2項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，更包含：一氣體源，其可操作以供應惰性氣體至該氣體通道，其中該氣體源係配置以將該環形空間中之惰性氣體維持在100毫托耳至100托耳的壓力。
  9. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，其中該下電極組件更包含：一加熱器板，該加熱器板包含具有一或更多空間分佈加熱器之金屬或陶瓷板，且該接合層包含將該基座板與該加熱器板貼合之第一黏著層和將該加熱器板與該上板貼合之第二黏著層，該環形安裝溝槽的內壁係由該加熱器板和該等黏著層的外表面所形成，且該環形安裝溝槽的上壁和下壁係由該上板和該基座板的相對表面所形成。
  10. 如申請專利範圍第8項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，更包含：可操作以監控該環形空間中之壓力的壓力監控器，其中該壓力監控器係配置成若流至該環形空間之氣流超過一表示該可壓縮環未充分密封之臨界流速，則發出警告。
  11. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，其中將該環形安裝溝槽之該等表面拋光至類似鏡子之表面粗糙度，32微吋或更小的Ra。
  12. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，其中該至少一台階具有至少約0.002吋的高度。
  13. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，其中包含在該可壓縮環之中的每一金屬元素皆具有低於5000ppb(十億分之一，parts per billion)的金屬含量。
  14. 一種用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，包含：一溫度控制基座板、一位於該基座板上方的上板、以及一圍繞接合層的安裝溝槽，且該接合層係設置在該基座板與該上板之間；一邊緣密封件，包含裝設在該安裝溝槽中的可壓縮環，使得該可壓縮環受到軸向壓縮，其中該可壓縮環為O形環或具有非圓形橫剖面的彈性帶體；至少一氣體通道，該氣體通道係與在該可壓縮環及該安裝溝槽的內壁之間的一環形空間呈流體連通；及設置在該O形環與該安裝溝槽的內壁間之一背襯密封件，該背襯密封件具有垂直內表面、水平上表面和水平下表面、以及與該O形環相稱的凹形外表面。
  15. 一種電漿蝕刻腔室，其中申請專利範圍第1項的下電極組件係裝設在該電漿蝕刻腔室內部，且該下電極組件的該上板包括一靜電夾盤(ESC)。
  16. 一種電漿蝕刻的方法，用以對設置在申請專利範圍第2項的下電極組件上之半導體基板進行電漿蝕刻，該方法包括：將處理氣體導入包含該下電極組件之腔室內；激發該處理氣體成為電漿狀態；以及用該電漿對該半導體基板進行電漿蝕刻，同時供應惰性氣體至該環形空間、並將該環形空間中之惰性氣體維持在100毫托耳至100托耳的壓力。
  17. 如申請專利範圍第16項之電漿蝕刻的方法，更包含：監控該惰性氣體流至該環形空間之流速、以及若該流速超過一表示該可壓縮環未充分密封之臨界值則發出警告。
  18. 一種O形環，適於裝設在如申請專利範圍第1項的下電極組件之該環形安裝溝槽中。
  19. 一種用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，包含：一溫度控制基座板、一位於該基座板上方的上板、以及一圍繞接合層的安裝溝槽，且該接合層係設置在該基座板與該上板之間；一邊緣密封件，包含裝設在該安裝溝槽中的可壓縮環，使得該可壓縮環受到軸向壓縮；及一背襯密封件，設置在該邊緣密封件與該安裝溝槽的內壁之間，該背襯密封件具有垂直內表面、水平上表面和水平下表面、以及與該邊緣密封件相稱的凹形外表面。
  20. 如申請專利範圍第19項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，其中該安裝溝槽包括：沿著該安裝溝槽的上壁之台階、沿著該安裝溝槽的下壁之台階、或沿著該安裝溝槽的該上壁及下壁之台階。
  21. 一種O形環，適於裝設在如申請專利範圍第19項的下電極組件之該安裝溝槽中。
  22. 一種用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，包含：一溫度控制基座板、一位於該基座板上方的上板、以及一圍繞接合層的安裝溝槽，且該接合層係設置在該基座板與該上板之間；及一邊緣密封件，包含裝設在該安裝溝槽中的可壓縮環，使得該可壓縮環受到軸向壓縮；並且其中該安裝溝槽包括：沿著該安裝溝槽的上壁之台階、沿著該安裝溝槽的下壁之台階、或沿著該安裝溝槽的該上壁及下壁之台階。
  23. 如申請專利範圍第22項之用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，更包含至少一氣體通道，其與介於該可壓縮環與該安裝溝槽的內壁之間的環形空間呈流體連通。
  24. 一種用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，包含：一溫度控制基座板、一位於該基座板上方的上板、以及一圍繞接合層的安裝溝槽，且該接合層係設置在該基座板與該上板之間；一邊緣密封件，包含裝設在該安裝溝槽中的可壓縮環，使得該可壓縮環受到軸向壓縮，其中該安裝溝槽包括：沿著該安裝溝槽的上壁之台階、沿著該安裝溝槽的下壁之台階、或沿著該安裝溝槽的該上壁及下壁之台階；及設置在該邊緣密封件與該安裝溝槽的內壁間之一背襯密封件，該背襯密封件具有垂直內表面、水平上表面和水平下表面、以及與該邊緣密封件相稱的凹形外表面。
  25. 一種O形環，適於裝設在如申請專利範圍第22項的下電極組件之該安裝溝槽中。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI777462B (zh) * 2020-05-26 2022-09-11 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 下電極組件、其安裝方法及電漿處理裝置

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9859142B2 (en) 2011-10-20 2018-01-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US9869392B2 (en) 2011-10-20 2018-01-16 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US10090211B2 (en) 2013-12-26 2018-10-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US10557197B2 (en) * 2014-10-17 2020-02-11 Lam Research Corporation Monolithic gas distribution manifold and various construction techniques and use cases therefor
US20170047238A1 (en) * 2015-08-10 2017-02-16 Lam Research Corporation Annular edge seal with convex inner surface for electrostatic chuck
US10340171B2 (en) * 2016-05-18 2019-07-02 Lam Research Corporation Permanent secondary erosion containment for electrostatic chuck bonds
US11127619B2 (en) 2016-06-07 2021-09-21 Applied Materials, Inc. Workpiece carrier for high power with enhanced edge sealing
US20180019104A1 (en) * 2016-07-14 2018-01-18 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber component assembly with plasma resistant seal
US10896806B2 (en) * 2016-11-03 2021-01-19 En2Core Technology, Inc. Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system
US10910195B2 (en) 2017-01-05 2021-02-02 Lam Research Corporation Substrate support with improved process uniformity
JP6971183B2 (ja) * 2018-03-23 2021-11-24 新光電気工業株式会社 基板固定装置
US20200152425A1 (en) * 2018-11-13 2020-05-14 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber component assembly with plasma resistant seal
US20220130644A1 (en) * 2019-03-15 2022-04-28 Noa Leading Co., Ltd. Plasma processing apparatus, plasma processing method, and conductive member
WO2020251809A1 (en) * 2019-06-12 2020-12-17 Lam Research Corporation Coated o-ring for protecting an electro- static chuck in a plasma processing chamber
CN112542370B (zh) * 2019-09-23 2024-04-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器及其加热器组件
KR102697630B1 (ko) 2019-10-15 2024-08-23 삼성전자주식회사 식각 장치
EP4047055A4 (en) * 2019-10-17 2023-11-15 Agc Inc. MOLDED BODY MADE OF PERFLUOREL ELASTOMER AND PROTECTIVE ELEMENT
KR102615216B1 (ko) * 2020-05-15 2023-12-15 세메스 주식회사 정전 척, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
GB202012725D0 (en) 2020-08-14 2020-09-30 Lam Res Ag Apparatus for processing a wafer-shaped article
KR102644585B1 (ko) * 2020-08-21 2024-03-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이의 제조 방법
CN114496693B (zh) * 2020-11-11 2025-09-09 中微半导体设备(上海)股份有限公司 多区加热装置、下电极组件、等离子处理装置及调温方法
KR20250069594A (ko) * 2022-09-16 2025-05-19 램 리써치 코포레이션 기판 지지부를 보호하는 스프링 로딩된 시일 커버 밴드
CN121444657A (zh) * 2023-05-03 2026-01-30 应用材料公司 压力密封方法及设备
US20250075795A1 (en) * 2023-08-28 2025-03-06 Applied Materials, Inc. Seal assembly with a retaining mechanism

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5870271A (en) * 1997-02-19 1999-02-09 Applied Materials, Inc. Pressure actuated sealing diaphragm for chucks
US7033444B1 (en) * 1999-06-21 2006-04-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, and electrode structure and table structure of processing apparatus
JP2009144735A (ja) * 2007-12-11 2009-07-02 Nok Corp 密封構造
US20130097840A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly

Family Cites Families (139)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2918336A (en) 1957-03-20 1959-12-22 Pioneers Specialties Inc Piston
US3052478A (en) 1959-09-16 1962-09-04 Prec Associates Inc Sealing ring
DE2346332A1 (de) 1973-09-14 1975-03-27 Babcock & Wilcox Ag Dichtung fuer den verschluss eines druckbehaelters
US4577874A (en) 1983-06-13 1986-03-25 Microdot Incorporated Seal assembly
US4639388A (en) 1985-02-12 1987-01-27 Chromalloy American Corporation Ceramic-metal composites
GB2177464B (en) 1985-06-29 1988-06-02 Dowty Seals Ltd Sealing assembly
US5172921A (en) 1985-09-16 1992-12-22 Flutron Ab Sealing device
US5040905A (en) 1987-10-09 1991-08-20 Quadion Corporation Elastomeric combined seal and spring
US4889351A (en) 1988-05-12 1989-12-26 Frost Stanley A Hydraulic seal
FR2644217A1 (fr) 1989-03-07 1990-09-14 Procal Joint d'etancheite statique
US5238499A (en) 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5074456A (en) 1990-09-18 1991-12-24 Lam Research Corporation Composite electrode for plasma processes
JP3238925B2 (ja) 1990-11-17 2001-12-17 株式会社東芝 静電チャック
EP0493089B1 (en) 1990-12-25 1998-09-16 Ngk Insulators, Ltd. Wafer heating apparatus and method for producing the same
US5155652A (en) 1991-05-02 1992-10-13 International Business Machines Corporation Temperature cycling ceramic electrostatic chuck
US5191506A (en) 1991-05-02 1993-03-02 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic chuck
US5800618A (en) 1992-11-12 1998-09-01 Ngk Insulators, Ltd. Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof
US5460684A (en) 1992-12-04 1995-10-24 Tokyo Electron Limited Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same
US5551706A (en) 1993-04-20 1996-09-03 W. L. Gore & Associates, Inc. Composite gasket for sealing flanges and method for making and using same
US5538262A (en) 1993-11-08 1996-07-23 Matsumura; Keizo Ultra-high vacuum gasket and vacuum apparatus using the same
US5636098A (en) 1994-01-06 1997-06-03 Applied Materials, Inc. Barrier seal for electrostatic chuck
US6278600B1 (en) 1994-01-31 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved temperature control and puncture resistance
US5885469B1 (en) 1996-11-05 2000-08-08 Applied Materials Inc Topographical structure of an electrostatic chuck and method of fabricating same
KR100404631B1 (ko) 1994-01-31 2004-02-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 두께가일정한절연체막을갖는정전기척
US5631803A (en) 1995-01-06 1997-05-20 Applied Materials, Inc. Erosion resistant electrostatic chuck with improved cooling system
US5722668A (en) 1994-04-29 1998-03-03 Applied Materials, Inc. Protective collar for vacuum seal in a plasma etch reactor
JPH07335731A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Fujitsu Ltd 吸着装置およびその製造方法
US5606485A (en) 1994-07-18 1997-02-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved erosion resistance
SE502316C2 (sv) 1994-08-05 1995-10-02 Skega Ab Tätningsring
US5536018A (en) 1994-11-14 1996-07-16 Fel-Pro Incorporated Flexible spaghetti gasket seal with stiffening member
US5686172A (en) 1994-11-30 1997-11-11 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Metal-foil-clad composite ceramic board and process for the production thereof
US5886863A (en) 1995-05-09 1999-03-23 Kyocera Corporation Wafer support member
US5569356A (en) 1995-05-19 1996-10-29 Lam Research Corporation Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof
JPH09157578A (ja) 1995-12-08 1997-06-17 Daikin Ind Ltd 含フッ素塗料用材料およびそれを用いた被覆方法
JP3208044B2 (ja) 1995-06-07 2001-09-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5676745A (en) 1995-06-07 1997-10-14 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Pre-ceramic polymers in fabrication of ceramic composites
KR100387952B1 (ko) 1995-08-17 2003-10-10 요시타카 타루미즈 동결척식기계가공법
ATE287508T1 (de) 1995-10-10 2005-02-15 Evans Cooling Systems Inc Kolbenanordnung mit kolbenringstütze und dichtungsglied
JPH09213781A (ja) 1996-02-01 1997-08-15 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及びそれを用いた処理装置
US6108189A (en) 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
US5678829A (en) 1996-06-07 1997-10-21 Kalsi Engineering, Inc. Hydrodynamically lubricated rotary shaft seal with environmental side groove
US6540234B1 (en) 1996-08-29 2003-04-01 Flexitallic Investments, Inc. Gaskets
DE19644552A1 (de) 1996-10-26 1998-04-30 Teves Gmbh Alfred Scheibenbremssattel
US5740009A (en) 1996-11-29 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for improving wafer and chuck edge protection
KR100290264B1 (ko) 1997-01-22 2001-09-22 호소이 쇼지로 정전처크장치 및 그 제조방법
JP3612168B2 (ja) 1997-03-25 2005-01-19 本田技研工業株式会社 部材の常温接合方法
US6090304A (en) 1997-08-28 2000-07-18 Lam Research Corporation Methods for selective plasma etch
JP3323928B2 (ja) 1997-09-08 2002-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5937541A (en) 1997-09-15 1999-08-17 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor wafer temperature measurement and control thereof using gas temperature measurement
US6364957B1 (en) 1997-10-09 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Support assembly with thermal expansion compensation
JPH11131052A (ja) 1997-10-31 1999-05-18 Mitsubishi Cable Ind Ltd シール
JPH11241155A (ja) * 1998-02-27 1999-09-07 Applied Materials Inc シール部材および真空装置
US6305483B1 (en) 1998-04-02 2001-10-23 Smith International, Inc. Multi-piece rotary cone drill bit seal
JPH11343571A (ja) 1998-05-29 1999-12-14 Ngk Insulators Ltd サセプター
US6073577A (en) 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US6280584B1 (en) 1998-07-29 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Compliant bond structure for joining ceramic to metal
US6256187B1 (en) 1998-08-03 2001-07-03 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Electrostatic chuck device
US6357759B1 (en) 1999-02-15 2002-03-19 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Jacket seal
JP3805134B2 (ja) 1999-05-25 2006-08-02 東陶機器株式会社 絶縁性基板吸着用静電チャック
US6245149B1 (en) 1999-07-01 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Inert barrier for high purity epitaxial deposition systems
US6363882B1 (en) 1999-12-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Lower electrode design for higher uniformity
JP2002057207A (ja) 2000-01-20 2002-02-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置
US6503368B1 (en) 2000-06-29 2003-01-07 Applied Materials Inc. Substrate support having bonded sections and method
DE20015359U1 (de) 2000-09-06 2000-11-16 Meteor Gummiwerke K. H. Bädje GmbH & Co, 31167 Bockenem Dichtungsprofil für eine Leuchte
US6689221B2 (en) 2000-12-04 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Cooling gas delivery system for a rotatable semiconductor substrate support assembly
US20020127853A1 (en) 2000-12-29 2002-09-12 Hubacek Jerome S. Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
JP2002270680A (ja) 2001-02-28 2002-09-20 Applied Materials Inc 基板支持方法及び基板支持装置
US6554954B2 (en) 2001-04-03 2003-04-29 Applied Materials Inc. Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
JP2002313901A (ja) 2001-04-12 2002-10-25 Komatsu Ltd 静電チャック
US6693790B2 (en) 2001-04-12 2004-02-17 Komatsu, Ltd. Static electricity chuck apparatus and semiconductor producing apparatus provided with the static electricity chuck apparatus
CN100401852C (zh) 2001-04-30 2008-07-09 科林研发公司 用于控制工件支架表面上空间温度分布的方法与装置
US6771482B2 (en) 2001-07-30 2004-08-03 Unaxis Usa Inc. Perimeter seal for backside cooling of substrates
JP4587614B2 (ja) 2001-08-01 2010-11-24 本田技研工業株式会社 ディスクブレーキ装置
CN1268664C (zh) 2001-08-07 2006-08-09 日本化药株式会社 树脂组合物,耐焊组合物,以及由此得到的固化物
US20030047881A1 (en) 2001-09-13 2003-03-13 Worm Steven Lee Sealing system and pressure chamber assembly including the same
US6646233B2 (en) 2002-03-05 2003-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method
JP4034096B2 (ja) 2002-03-19 2008-01-16 日本碍子株式会社 半導体支持装置
US6962348B2 (en) 2002-07-29 2005-11-08 Tokyo Electron Limited Sealing apparatus having a single groove
JP4451098B2 (ja) * 2002-08-22 2010-04-14 住友大阪セメント株式会社 サセプタ装置
US20060041069A1 (en) 2002-10-11 2006-02-23 Asahi Glass Co., Ltd. Sealing material for semiconductor device and method for production thereof
AU2003254871A1 (en) 2002-10-25 2004-05-13 Nok Corporation Plasma resistant seal
JP2004158650A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Nec Corp 電磁波シールド及び防水構造型筐体
KR100772740B1 (ko) 2002-11-28 2007-11-01 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 용기 내부재
US7582186B2 (en) 2002-12-20 2009-09-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system
JP4258803B2 (ja) 2003-03-26 2009-04-30 シーワイジー技術研究所株式会社 真空チャンバ組立体
JP4556205B2 (ja) 2003-03-28 2010-10-06 ニチアス株式会社 金属ガスケット
US6944006B2 (en) 2003-04-03 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Guard for electrostatic chuck
JP4152802B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-17 日本エー・エス・エム株式会社 薄膜形成装置
JP4397271B2 (ja) 2003-05-12 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US20050042881A1 (en) 2003-05-12 2005-02-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus
JP4689221B2 (ja) 2003-11-10 2011-05-25 日本バルカー工業株式会社 複合シール材
JP4426334B2 (ja) 2004-02-25 2010-03-03 三菱電線工業株式会社 シール材
US7697260B2 (en) 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
US7514506B2 (en) 2004-03-31 2009-04-07 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Fast curing fluoroelastomeric compositions, adhesive fluoroelastomeric compositions and methods for bonding fluoroelastomeric compositions
JP2005320885A (ja) 2004-05-07 2005-11-17 Anest Iwata Corp スクロール流体機械におけるダストシール
WO2006030557A1 (ja) 2004-09-17 2006-03-23 Nippon Valqua Industries, Ltd. 複合シール材
US7436645B2 (en) 2004-10-07 2008-10-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
ATE546561T1 (de) * 2004-11-19 2012-03-15 Applied Materials Gmbh & Co Kg Trägerplatte mit einer darauf aufgesetzten gekühlten rückenplatte
US8038796B2 (en) 2004-12-30 2011-10-18 Lam Research Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
WO2006126352A1 (ja) 2005-05-23 2006-11-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. セラミック電子部品およびその製造方法
JP4943669B2 (ja) 2005-06-08 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 真空装置のシール構造
US7319316B2 (en) 2005-06-29 2008-01-15 Lam Research Corporation Apparatus for measuring a set of electrical characteristics in a plasma
US7431788B2 (en) 2005-07-19 2008-10-07 Lam Research Corporation Method of protecting a bond layer in a substrate support adapted for use in a plasma processing system
US8608856B2 (en) 2005-09-30 2013-12-17 Tokyo Electron Limited Sealing part and substrate processing apparatus
US7651571B2 (en) 2005-12-22 2010-01-26 Kyocera Corporation Susceptor
JP4942471B2 (ja) 2005-12-22 2012-05-30 京セラ株式会社 サセプタおよびこれを用いたウェハの処理方法
US8789493B2 (en) 2006-02-13 2014-07-29 Lam Research Corporation Sealed elastomer bonded Si electrodes and the like for reduced particle contamination in dielectric etch
KR100995420B1 (ko) 2006-02-14 2010-11-18 닛폰 바루카 고교 가부시키가이샤 복합 실링재
US7589950B2 (en) 2006-10-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
JP2008164079A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Nichias Corp ゴム／樹脂複合シール材
JP5023705B2 (ja) 2007-01-10 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体
JP2008177479A (ja) 2007-01-22 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の部品及びその製造方法
US7993457B1 (en) 2007-01-23 2011-08-09 Novellus Systems, Inc. Deposition sub-chamber with variable flow
US8104770B2 (en) 2007-02-01 2012-01-31 Parker-Hannifin Corporation Semiconductor process chamber
JP4879771B2 (ja) 2007-02-05 2012-02-22 富士通セミコンダクター株式会社 静電チャック
US20090179366A1 (en) 2008-01-16 2009-07-16 Sokudo Co., Ltd. Apparatus for supporting a substrate during semiconductor processing operations
JP5308679B2 (ja) 2008-01-22 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 シール機構、シール溝、シール部材及び基板処理装置
US8503155B2 (en) 2008-02-26 2013-08-06 Kyocera Corporation Wafer support member, method for manufacturing the same and electrostatic chuck using the same
US7884925B2 (en) 2008-05-23 2011-02-08 Lam Research Corporation Electrical and optical system and methods for monitoring erosion of electrostatic chuck edge bead materials
JP5331580B2 (ja) 2008-07-02 2013-10-30 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置及びそれに用いる部品
US20100014208A1 (en) 2008-07-10 2010-01-21 Canon Anleva Corporation Substrate holder
CN102124820B (zh) 2008-08-19 2014-09-10 朗姆研究公司 用于静电卡盘的边缘环
WO2010024146A1 (ja) * 2008-08-27 2010-03-04 株式会社アルバック 静電チャック及び真空処理装置
JP5635001B2 (ja) 2008-09-26 2014-12-03 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 結合リングをクロック回転させることによって調整可能な静電チャックとホットエッジリングとの間の熱的接触
WO2010062345A2 (en) 2008-10-31 2010-06-03 Lam Research Corporation Lower electrode assembly of plasma processing chamber
US20100117309A1 (en) 2008-11-13 2010-05-13 Applied Materials, Inc. Sealing apparatus for a process chamber
JP2010129845A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Creative Technology:Kk 静電チャック及びその製造方法
US9520314B2 (en) 2008-12-19 2016-12-13 Applied Materials, Inc. High temperature electrostatic chuck bonding adhesive
JP5193886B2 (ja) 2009-01-14 2013-05-08 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置の補修方法および補修装置、ならびに静電チャック装置
JP2011086920A (ja) 2009-10-14 2011-04-28 Greene Tweed Of Delaware Inc プラズマ耐性に優れた処理装置
JP5604888B2 (ja) 2009-12-21 2014-10-15 住友大阪セメント株式会社 静電チャックの製造方法
JP5423632B2 (ja) 2010-01-29 2014-02-19 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US8669540B2 (en) 2011-01-03 2014-03-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for gas leak control in a substrate holder
US9869392B2 (en) 2011-10-20 2018-01-16 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US10069443B2 (en) * 2011-12-20 2018-09-04 Tokyo Electron Limited Dechuck control method and plasma processing apparatus
US20130239889A1 (en) 2012-03-14 2013-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Valve purge assembly for semiconductor manufacturing tools
JP6180510B2 (ja) * 2012-04-26 2017-08-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Ｅｓｃの接着剤の浸食を防止するための方法及び装置
US9105676B2 (en) 2012-09-21 2015-08-11 Lam Research Corporation Method of removing damaged epoxy from electrostatic chuck
US10090211B2 (en) * 2013-12-26 2018-10-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5870271A (en) * 1997-02-19 1999-02-09 Applied Materials, Inc. Pressure actuated sealing diaphragm for chucks
US7033444B1 (en) * 1999-06-21 2006-04-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, and electrode structure and table structure of processing apparatus
JP2009144735A (ja) * 2007-12-11 2009-07-02 Nok Corp 密封構造
US20130097840A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI777462B (zh) * 2020-05-26 2022-09-11 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 下電極組件、其安裝方法及電漿處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240083131A (ko) 2024-06-11
KR20150076132A (ko) 2015-07-06
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US10090211B2 (en) 2018-10-02
KR102888053B1 (ko) 2025-11-18
TW201545255A (zh) 2015-12-01
KR20220024367A (ko) 2022-03-03
TWI688028B (zh) 2020-03-11
TW201842613A (zh) 2018-12-01
KR102440192B1 (ko) 2022-09-02
KR102364449B1 (ko) 2022-02-16

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