TWI642772B - 研磨墊及研磨方法 - Google Patents
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Abstract
一種研磨墊，適用於研磨製程且包括研磨層、黏著層以及至少一熱量儲存材料。研磨層具有彼此相對的研磨面及背面。黏著層配置於研磨層的背面上。至少一熱量儲存材料所配置的區域位於黏著層的上方。
Description
本發明是有關於一種研磨墊及研磨方法，且特別是有關於一種在研磨製程期間的溫度可被調降的研磨墊以及使用所述研磨墊的研磨方法。
在產業的元件製造過程中，研磨製程是現今較常使用來使被研磨的物件表面達到平坦化的一種技術。在研磨製程中，物件的表面及研磨墊之間可選擇提供一研磨液，以及藉由物件與研磨墊彼此進行相對運動所產生的機械摩擦來進行平坦化。研磨墊的各層間之界面通常使用黏著層來緊密黏貼，但是在研磨製程期間研磨墊的溫度會因磨擦所產生的熱而升高，使得黏著層容易發生劣化、變形或黏性下降，進而影響研磨製程的穩定性。
因此，仍有需求提供得以調降研磨製程期間之研磨墊的溫度的手段，以供產業所選擇。
本發明提供一種研磨墊及研磨方法，使得在研磨製程期
間，可調降研磨墊的溫度，以避免黏著層在研磨製程期間發生因高溫而劣化、變形或黏性下降的問題。
本發明的研磨墊適用於研磨製程且包括研磨層、黏著層以及至少一熱量儲存材料。研磨層具有彼此相對的研磨面及背面。黏著層配置於研磨層的背面上。至少一熱量儲存材料所配置的區域位於黏著層的上方。
本發明的研磨墊適用於研磨製程且包括研磨層、基底層、第一黏著層、第二黏著層、以及至少一熱量儲存材料。基底層配置於研磨層下方。第一黏著層配置於研磨層與基底層之間。第二黏著層配置於基底層下方。至少一熱量儲存材料所配置的區域位於第一黏著層與第二黏著層之間。
本發明的研磨方法適用於研磨物件，且包括以下步驟。提供研磨墊，其中研磨墊如上所述的任一種研磨墊。對物件施加壓力以壓置於研磨墊上。對物件及研磨墊提供相對運動以進行研磨程序。
基於上述，在本發明的研磨墊中，透過至少一熱量儲存材料所配置的區域位於黏著層的上方，或者透過至少一熱量儲存材料所配置的區域位於第一黏著層與第二黏著層之間，使得在使用本發明的研磨墊進行研磨製程時，本發明的研磨墊因機械摩擦所造成的溫度升高的程度能降低，因而避免黏著層在研磨製程期間發生因高溫而劣化、變形或黏性下降的問題。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉
實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、200、300、400、500、600‧‧‧研磨墊
110、210、310、410、510、610‧‧‧研磨層
120、220、320‧‧‧黏著層
130、330、430、530、630‧‧‧熱量儲存材料
230a‧‧‧第一熱量儲存材料
230b‧‧‧第二熱量儲存材料
140、240、340、440、540、640‧‧‧包覆層
350‧‧‧界面層
420a、520a、620a‧‧‧第一黏著層
420b、520b、620b‧‧‧第二黏著層
460、560、660‧‧‧基底層
A‧‧‧研磨軌跡區域
B‧‧‧非研磨軌跡區域
BS‧‧‧背面
C‧‧‧旋轉中心
D‧‧‧溝槽深度
G‧‧‧溝槽
Gb‧‧‧底部
H、K、L、M‧‧‧熱量儲存區域
Ht、Kt、Lt、Mt‧‧‧頂邊緣
Lb、Mb‧‧‧底邊緣
PS‧‧‧研磨面
S10、S12、S14‧‧‧步驟
T‧‧‧厚度
圖1是本發明的第一實施方式的研磨墊的上視示意圖。
圖2是沿圖1中剖線I-I’的剖面示意圖。
圖3是本發明的研磨墊與習知研磨墊之研磨物件的研磨時間與研磨墊溫度的關係圖。
圖4是依照本發明的第二實施方式的研磨墊沿半徑方向的剖面示意圖。
圖5是本發明的兩種熱量儲存材料的溫度與熱流率的關係圖。
圖6是依照本發明的第三實施方式的研磨墊沿半徑方向的剖面示意圖。
圖7是依照本發明的第四實施方式的研磨墊沿半徑方向的剖面示意圖。
圖8是依照本發明的第五實施方式的研磨墊沿半徑方向的剖面示意圖。
圖9是依照本發明的第六實施方式的研磨墊沿半徑方向的剖面示意圖。
圖10是依照本發明的一實施方式的研磨方法的流程圖。
圖1是本發明的第一實施方式的研磨墊的上視示意圖。圖2是沿圖1中剖線I-I’的剖面示意圖。詳細而言，圖1中的剖線I-I’是沿著半徑方向而設置，亦即圖2是沿半徑方向的剖面示意圖。
請同時參照圖1及圖2，本實施方式的研磨墊100包括研磨軌跡區域A與非研磨軌跡區域B，其中非研磨軌跡區域B包圍環繞研磨軌跡區域A。詳細而言，研磨墊100適用於研磨製程以研磨物件，而當使用研磨墊100對物件進行研磨程序時，物件實質上是放置在研磨軌跡區域A內。另外，研磨墊100具有旋轉中心C，且研磨墊100是以旋轉中心C為中心沿著逆時針或順時針方向旋轉。旋轉中心C例如是位於研磨墊100的中心點。
另一方面，在本實施方式中，研磨墊100包括研磨層110、多個溝槽G、黏著層120以及熱量儲存材料130。必須一提的是，為了清楚標示研磨軌跡區域A與非研磨軌跡區域B，圖1中省略繪示了溝槽G。
研磨層110具有研磨面PS以及相對於研磨面PS的背面BS。在本實施方式中，當使用研磨墊100對物件進行研磨程序時，物件會與研磨層110的研磨面PS接觸。另外，在本實施方式中，研磨層110例如是由聚合物基材所構成，其中聚合物基材可以是聚酯(polyester)、聚醚(polyether)、聚氨酯(polyurethane)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚丁二烯(polybutadiene)、或其餘經由合適之熱固性樹脂(thermosetting
resin)或熱塑性樹脂(thermoplastic resin)所合成之聚合物基材，但本發明並不限於此。
溝槽G配置於研磨層110的研磨面PS中。在本實施方式中，溝槽G的底部Gb距離研磨面PS具有溝槽深度D。另外，在本實施方式中，雖然研磨墊100之沿半徑方向的剖面包括多個溝槽G(如圖2所示)，但本發明並不以此為限，只要研磨墊100包括至少一個溝槽G即落入本發明的範疇。此外，溝槽G的分布形狀可以例如是同心圓、不同心圓、橢圓、多角環、螺旋環、不規則環、平行線狀、放射線狀、放射弧狀、螺旋狀、點狀、XY格子。
黏著層120配置於研磨層110的背面BS上。也就是說，在本實施方式中，黏著層120黏附於研磨層110的背面BS上。另外，在本實施方式中，黏著層120包括(但不限於)：無載體膠或雙面膠。黏著層120的材料例如是壓克力系膠、矽酮系膠、橡膠系膠、環氧樹脂系膠或聚胺酯系膠，但本發明並不限於此。
熱量儲存材料130配置於熱量儲存區域H中。在本實施方式中，熱量儲存區域H位於黏著層120的上方且不與溝槽G的底部Gb接觸。如前文所述，溝槽G具有溝槽深度D，而熱量儲存區域H的頂邊緣Ht與研磨面PS之間的距離大於D。除此之外，頂邊緣Ht與研磨面PS之間的距離可選擇為小於或等於1.5D，使熱量儲存材料130所配置的區域較大，以達到有效降低研磨墊溫度的效果。從另一觀點而言，在本實施方式中，熱量儲存區域H的頂邊緣Ht不會與溝槽G的底部Gb相接觸或重疊。
另外，在本實施方式中，熱量儲存材料130分散在研磨層110的材料中。也就是說，在本實施方式中，熱量儲存材料130是分佈在部分的研磨層110中，且製造研磨層110的方法包括使熱量儲存材料130與構成研磨層110的材料相混合的步驟。具體來說，熱量儲存材料130是分布在與研磨面PS間有大於D的距離的位置以下的研磨層110中，而研磨層110中包括熱量儲存材料130的部分及不包括熱量儲存材料130的部分例如是分別以灌注法組合而成。從另一觀點而言，在本實施方式中，熱量儲存區域H是位在部分的研磨層110中。
另外，可視需求而選擇形成包覆熱量儲存材料130的包覆層140。詳細而言，在本實施方式中，包覆層140的材料不與研磨層110的材料或熱量儲存材料130進行化學反應。具體而言，在本實施方式中，包覆層140的材料例如是有機材料，包括有酚醛類樹脂、脲醛樹脂、聚苯乙烯或聚醯胺等，但本發明並不限於此。
另外，在本實施方式中，熱量儲存材料130包括無機熱量儲存材料、有機熱量儲存材料或其組合。詳細而言，所述無機熱量儲存材料包括(但不限於)：鹽類水合物，例如是三水合醋酸鈉(CH3COONa．3H2O)或六水合氯化鈣(CaCl2．6H2O)；所述有機熱量儲存材料包括(但不限於)：多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烴化合物，其中多元醇例如是三羥甲基丙烷(TMP，C6H14O3)，脂肪醇例如是1-十四烷醇(C14H30O)，脂肪酸例如是月桂酸(Lauric
acid，CH3(CH2)10COOH)或癸酸(Capric acid，CH3(CH2)8COOH)，烷烴化合物例如是正二十烷(C20H42)、正二十一烷(C21H44)、正二十二烷(C22H46)、正二十三烷(C23H48)或正二十四烷(C24H50)。
值得一提的是，熱量儲存材料130會在特定的溫度或溫度範圍內發生吸熱反應進而吸收周圍的熱量，從而達成調降周圍溫度的目的。詳細而言，在本實施方式中，熱量儲存材料130在特定溫度會發生吸熱反應，而所述特定溫度是介於研磨墊100在研磨製程期間所具有的最低溫度Tmin與最高溫度Tmax之間。也就是說，在本實施方式中，熱量儲存材料130必會在研磨製程期間發生吸熱反應。如此一來，在本實施方式中，透過研磨墊100包括熱量儲存材料130，使得在研磨製程期間，機械摩擦所產生的熱量可被熱量儲存材料130吸收，藉此研磨墊100因機械摩擦所造成的溫度升高的程度會降低，而達成有效調降研磨墊100的溫度的目的。圖3是本發明的研磨墊與習知研磨墊之研磨物件的研磨時間與研磨墊溫度的關係圖，由圖3可知，在對物件進行研磨的研磨製程期間，與習知研磨墊相比，本發明的研磨墊具有較低的溫度。
詳細而言，最低溫度Tmin可以是常溫水的溫度(約25℃至35℃之間)或是經過冷卻後的水的溫度(例如10℃以下)。這是因為最低溫度Tmin是研磨墊100在機台閒置狀態下進行清洗程序時或者下一個物件進到研磨墊100前進行清洗程序時的表面溫度，其中所述清洗程序可使用常溫水或經過冷卻後的水來進行。
另外，最高溫度Tmax則視不同研磨製程而定。舉例來說，在氧化物研磨製程期間，研磨墊的最高溫度約65℃；在銅研磨製程期間，研磨墊的最高溫度約為55℃；在鎢研磨製程期間，研磨墊的最高溫度約為80℃。另外，所述特定溫度可以是一個固定的溫度或是一溫度範圍。
進一步而言，在本實施方式中，在發生吸熱反應之後，熱量儲存材料130的物理狀態或分子結構會改變。舉例來說，在一實施方式中，熱量儲存材料130在發生吸熱反應之後的分子間排列比發生吸熱反應之前的分子間排列鬆散。換言之，熱量儲存材料130在發生吸熱反應之前的分子間排列比發生吸熱反應之後的分子間排列緊密。舉另一例來說，在一實施方式中，熱量儲存材料130因發生吸熱反應而從第一固體狀態轉變為第二固體狀態，其中第一固體狀態與第二固體狀態的分子排列不同，例如晶體排列不同。
值得說明的是，如前文所述，在本實施方式中，透過研磨墊100包括熱量儲存材料130，使得研磨墊100在研磨製程期間的溫度可被調降。如此一來，透過配置有熱量儲存材料130的熱量儲存區域H位於黏著層120的上方，使得配置於熱量儲存區域H下方的黏著層120不會在研磨製程期間發生因高溫而劣化、變形或黏性下降的問題，以維持研磨製程的穩定性。
另一方面，在本實施方式中，透過配置有熱量儲存材料130的熱量儲存區域H不與溝槽G的底部Gb接觸，使得當使用研
磨墊100對物件進行研磨程序時，能夠避免物件與熱量儲存材料130接觸而導致刮傷及影響研磨品質。
在圖2的實施方式中，雖然在研磨墊100中，配置有熱量儲存材料130的熱量儲存區域H不與溝槽G的底部Gb接觸，但本發明並不限於此。上述熱量儲存區域H的頂邊緣Ht與研磨面PS之間的距離的選擇，可取決於研磨墊100使用時對於研磨層110的磨耗程度。在其他實施方式中，熱量儲存區域H的頂邊緣Ht距離研磨面PS為D/2、2D/3、3D/4、4D/5、或D，藉此以在這些實施方式中避免物件與熱量儲存材料130接觸而導致刮傷及影響研磨品質。此外，在其他實施方式中，對於某些特定的研磨製程，物件可能不易被刮傷，或是選擇不易刮傷物件的熱量儲存材料130，則熱量儲存材料130可選擇分布於研磨墊100之整個研磨層110中。
另外，在本實施方式中，研磨墊100包括包覆熱量儲存材料130的包覆層140，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，在與熱量儲存材料130相混合之研磨層110的材料能夠將熱量儲存材料130密封於其中的情況下，研磨墊100可不包括包覆熱量儲存材料130的包覆層140。
在上述第一實施方式中，研磨墊100包括配置在研磨軌跡區域A與非研磨軌跡區域B中的一種熱量儲存材料130，但本發明並不限於此。研磨軌跡區域A相對於非研磨軌跡區域通常具有較高的溫度，故在其他實施方式中，研磨墊100所包括的熱量
儲存材料130也可選擇僅配置於研磨軌跡區域A，以達成在研磨製程期間，研磨墊100的溫度被調降的程度能夠更加平均的效果。另外，在其他實施方式中，研磨墊也可包括分別配置在研磨軌跡區域A與非研磨軌跡區域B中的不同的熱量儲存材料。以下，將參照圖4進行詳細說明。
圖4是依照本發明的第二實施方式的研磨墊沿半徑方向的剖面示意圖。圖4之研磨墊200的上視示意圖請參考圖1，其中圖4的剖面位置可參考圖1中之剖線I-I’的位置。請同時參照圖4及圖2，圖4的研磨墊200與圖2的研磨墊100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明皆可參照前文而不再贅述。另外，研磨層210以及黏著層220可與前述第一實施方式中之對應者相同或相似，故相關說明即不再贅述。以下，將針對兩者之間的差異處進行說明。
請參照圖4，在本實施方式中，研磨墊200包括第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b，且第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b皆配置於熱量儲存區域H中。從另一觀點而言，在本實施方式中，第一熱量儲存材料230a配置於研磨軌跡區域A內，而第二熱量儲存材料230b配置於非研磨軌跡區域B內。也就是說，在本實施方式中，研磨墊200的不同區域內配置有不同的熱量儲存材料。
另外，在本實施方式中，第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b皆分散在研磨層210的材料中。也就是說，在
本實施方式中，第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b是分佈在研磨層210中，且製造研磨層210的方法包括分別形成對應研磨軌跡區域A及非研磨軌跡區域B的結構部分，其中形成對應研磨軌跡區域A的結構部分的方法例如包括：使第一熱量儲存材料230a與構成研磨層210的材料相混合的步驟，而形成對應非研磨軌跡區域B的結構部分的方法例如包括：使第二熱量儲存材料230b與構成研磨層210的材料相混合的步驟。具體來說，第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b是分布在與研磨面PS間有大於D的距離的位置以下的研磨層210中。另外，在一實施方式中，研磨層210的製造方法例如包括：在分別形成對應研磨軌跡區域A的結構部分及對應非研磨軌跡區域B的結構部分後，將兩結構相拼接組合，其中兩結構例如是以黏著劑或是熱融合方式進行接合。在另一實施方式中，研磨層210的製造方法例如包括：使用灌注法形成對應研磨軌跡區域A的結構部分，再使用灌注法形成對應非研磨軌跡區域B的結構部分，則此時對應非研磨軌跡區域B的結構部分會與已形成的對應研磨軌跡區域A的結構部分相連接為一體。而研磨層210中包括第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b的部分及不包括第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b的部分例如是分別以灌注法組合而成。從另一觀點而言，在本實施方式中，熱量儲存區域H是位在部分的研磨層210中。
另外，可視需求而選擇形成包覆第一熱量儲存材料230a
及第二熱量儲存材料230b的包覆層240，而包覆層240的特性及材料如前述第一實施方式中的包覆層140所述，故於此不再贅述。
另外，在本實施方式中，第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b分別包括無機熱量儲存材料、有機熱量儲存材料或其組合。詳細而言，所述無機熱量儲存材料包括(但不限於)：鹽類水合物，例如是三水合醋酸鈉(CH3COONa．3H2O)或六水合氯化鈣(CaCl2．6H2O)；所述有機熱量儲存材料包括(但不限於)：多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烴化合物，其中多元醇例如是三羥甲基丙烷(TMP，C6H14O3)，脂肪醇例如是1-十四烷醇(C14H30O)，脂肪酸例如是月桂酸(Lauric acid，CH3(CH2)10COOH)或癸酸(Capric acid，CH3(CH2)8COOH)，烷烴化合物例如是正二十烷(C20H42)、正二十一烷(C21H44)、正二十二烷(C22H46)、正二十三烷(C23H48)或正二十四烷(C24H50)。
值得一提的是，第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b會在不同的特定溫度或不同的溫度範圍內發生吸熱反應進而吸收周圍的熱量，從而達成調降周圍溫度的目的。詳細而言，在本實施方式中，第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b在不同的特定溫度會發生吸熱反應，而所述不同的特定溫度皆是介於研磨墊200在研磨製程期間所具有的最低溫度Tmin與最高溫度Tmax之間。也就是說，在本實施方式中，第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b皆會在研磨製程期間發生吸熱反應。如圖5所示，第一熱量儲存材料230a與第二熱量儲存材料
230b會在最低溫度Tmin與最高溫度Tmax之間的不同溫度下發生吸熱反應。如此一來，在本實施方式中，透過研磨墊200包括第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b，使得在研磨製程期間，機械摩擦所產生的熱量可被第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b吸收，藉此研磨墊200因機械摩擦所造成的溫度升高的程度會降低，而達成有效調降研磨墊200的溫度的目的，如圖3所示。另外一提的是，所述特定溫度可以是一個固定的溫度或是一溫度範圍。
進一步而言，發明人發現當利用研磨墊對物件進行研磨程序時，研磨墊的不同區域間有溫度高低的落差，亦即研磨墊具有溫度梯度或不均勻的溫度分布。有鑑於此，在本實施方式中，研磨墊200透過在研磨軌跡區域A及非研磨軌跡區域B內分別配置有在不同的特定溫度會發生吸熱反應的第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b，使得在研磨製程期間，研磨墊200的溫度被調降的程度能夠更加平均。舉例而言，在研磨墊200於研磨製程期間對應至研磨軌跡區域A內的溫度高於對應至非研磨軌跡區域B內的溫度的一實施方式中，研磨墊200透過包括特性如圖5所示的第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b，第一熱量儲存材料230a相較於第二熱量儲存材料230b具有較低的吸熱反應溫度，或是第一熱量儲存材料230a相較於第二熱量儲存材料230b具有較大的吸熱量(如圖5所示吸熱峰所占面積)，使得研磨墊200的溫度被調降的程度能夠更加平均。
另外，在本實施方式中，在發生吸熱反應之後，第一熱量儲存材料230a的物理狀態或分子結構及第二熱量儲存材料230b的物理狀態或分子結構會改變，此特性與前述第一實施方式中的熱量儲存材料130相同，因此相關描述已於前述第一實施方式中進行詳盡地說明，故於此不再贅述。
值得說明的是，如前文所述，在本實施方式中，透過研磨墊200包括第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b，使得研磨墊200在研磨製程期間的溫度可平均地被調降。如此一來，透過配置有第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b的熱量儲存區域H位於黏著層220的上方，使得配置於熱量儲存區域H下方的黏著層220不會在研磨製程期間發生因高溫而劣化、變形或黏性下降的問題，以維持研磨製程的穩定性。
另一方面，在本實施方式中，透過配置有第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b的熱量儲存區域H不與溝槽G的底部Gb接觸，使得當使用研磨墊200對物件進行研磨程序時，能夠避免物件與第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b接觸而導致刮傷及影響研磨品質。
在圖4的實施方式中，雖然在研磨墊200中，配置有第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b的熱量儲存區域H不與溝槽G的底部Gb接觸，但本發明並不限於此。上述熱量儲存區域H的頂邊緣Ht與研磨面PS之間的距離的選擇，可取決於研磨墊200使用時對於研磨層210的磨耗程度。在其他實施方式
中，熱量儲存區域H的頂邊緣Ht距離研磨面PS為D/2、2D/3、3D/4、4D/5、或D，藉此以在這些實施方式中避免物件與第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b接觸而導致刮傷及影響研磨品質。此外，在其他實施方式中，對於某些特定的研磨製程，物件可能不易被刮傷，或是選擇不易刮傷物件的第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b，則第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b可選擇分布於研磨墊200之整個研磨層210中。
另外，在本實施方式中，研磨墊200包括包覆第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b的包覆層240，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，在與第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b相混合之研磨層210的材料能夠將第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b密封於其中的情況下，研磨墊200可不包括包覆第一熱量儲存材料230a及第二熱量儲存材料230b的包覆層240。
在前述第一實施方式中，熱量儲存材料130是分散在對應熱量儲存區域H內的研磨層110的材料中，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，熱量儲存材料也可以是於熱量儲存區域H內形成界面層的型式存在於研磨墊中。以下，將參照圖6進行詳細說明。
圖6是依照本發明的另一實施方式的研磨墊沿半徑方向的剖面示意圖。圖6之研磨墊300的上視示意圖請參考圖1，其中
圖6的剖面位置可參考圖1中之剖線I-I’的位置。請同時參照圖6及圖2，圖6的研磨墊300與圖2的研磨墊100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明皆可參照前文而不再贅述。另外，研磨層310以及黏著層320可與前述第一實施方式中之對應者相同或相似，故相關說明即不再贅述。以下，將針對兩者之間的差異處進行說明。
請參照圖6，在本實施方式中，熱量儲存材料330配置於熱量儲存區域H中。詳細而言，在本實施方式中，熱量儲存材料330於熱量儲存區域H內形成了界面層350。也就是說，在本實施方式中，熱量儲存區域H涵蓋了整個由熱量儲存材料330所形成的界面層350。在本實施方式中，界面層350位於黏著層320的上方。在本實施方式中，界面層350配置於黏著層320與研磨層310之間。另外，如前文所述，由於熱量儲存區域H不與溝槽G的底部Gb接觸，故配置在熱量儲存區域H內的界面層350亦不與溝槽G的底部Gb接觸。
在一實施方式中，界面層350及研磨層310例如是使用同一模具來製作。詳細而言，製造界面層350及研磨層310的方法例如包括：使用灌注法將熱量儲存材料330注入模具中以形成界面層350後，使用灌注法將欲形成研磨層310的材料注入已形成有界面層350的模具中。但本發明並不限於上述界面層350及研磨層310的製造方法，本發明亦可選擇以其他製造方法完成界面層350及研磨層310的結構。
另外，可視需求而選擇形成包覆熱量儲存材料330的包覆層340，而包覆層340的特性及材料如前述第一實施方式中的包覆層140所述，故於此不再贅述。
另外，在本實施方式中，熱量儲存材料330包括無機熱量儲存材料、有機熱量儲存材料或其組合。詳細而言，所述無機熱量儲存材料包括(但不限於)：鹽類水合物，例如是三水合醋酸鈉(CH3COONa．3H2O)或六水合氯化鈣(CaCl2．6H2O)；所述有機熱量儲存材料包括(但不限於)：多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烴化合物，其中多元醇例如是三羥甲基丙烷(TMP，C6H14O3)，脂肪醇例如是1-十四烷醇(C14H30O)，脂肪酸例如是月桂酸(Lauric acid，CH3(CH2)10COOH)或癸酸(Capric acid，CH3(CH2)8COOH)，烷烴化合物例如是正二十烷(C20H42)、正二十一烷(C21H44)、正二十二烷(C22H46)、正二十三烷(C23H48)或正二十四烷(C24H50)。
值得一提的是，熱量儲存材料330會在特定的溫度或溫度範圍內發生吸熱反應進而吸收周圍的熱量，從而達成調降周圍溫度的目的。詳細而言，在本實施方式中，熱量儲存材料330在特定溫度會發生吸熱反應，而所述特定溫度是介於研磨墊300在研磨製程期間所具有的最低溫度Tmin與最高溫度Tmax之間。也就是說，在本實施方式中，熱量儲存材料330必會在研磨製程期間發生吸熱反應。如此一來，在本實施方式中，透過研磨墊300包括熱量儲存材料330，使得在研磨製程期間，機械摩擦所產生的熱量可被熱量儲存材料330吸收，藉此研磨墊300因機械摩擦所
造成的溫度升高的程度會降低，而達成有效調降研磨墊300的溫度的目的，如圖3所示。另外一提的是，所述特定溫度可以是一個固定的溫度或是一溫度範圍。
另外，在本實施方式中，在發生吸熱反應之後，熱量儲存材料330的物理狀態或分子結構會改變，此特性與前述第一實施方式中的熱量儲存材料130相同，因此相關描述已於前述第一實施方式中進行詳盡地說明，故於此不再贅述。
值得說明的是，如前文所述，在本實施方式中，透過研磨墊300包括熱量儲存材料330，使得研磨墊300在研磨製程期間的溫度可被調降。如此一來，透過配置有熱量儲存材料330的熱量儲存區域H位於黏著層320的上方，使得配置於熱量儲存區域H下方的黏著層320不會在研磨製程期間發生因高溫而劣化、變形或黏性下降的問題，以維持研磨製程的穩定性。
另外，在本實施方式中，研磨墊300包括包覆熱量儲存材料330的包覆層340，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，在發生吸熱反應後的熱量儲存材料330不易流動而污染研磨層310或黏著層320的情況下，研磨墊300可不包括包覆熱量儲存材料330的包覆層340。
另外，基於第二及第三實施方式的內容可知，第三實施方式的研磨墊300也可採用與第二實施方式的研磨墊200相同概念的設計，透過於研磨軌跡區域A與非研磨軌跡區域B中分別配置不同的熱量儲存材料，取代原本配置於研磨軌跡區域A與非研
磨軌跡區域B中的一種熱量儲存材料330，以達成在研磨製程期間，研磨墊300的溫度被調降的程度能夠更加平均的效果。附帶一提的是，研磨軌跡區域A相對於非研磨軌跡區域B通常具有較高的溫度，研磨墊300所包括的熱量儲存材料330也可選擇僅配置於研磨軌跡區域A，同樣也可達成在研磨製程期間，研磨墊300的溫度被調降的程度能夠更加平均的效果。
圖7是依照本發明的另一實施方式的研磨墊沿半徑方向的剖面示意圖。圖7之研磨墊400的上視示意圖請參考圖1，其中圖7的剖面位置可參考圖1中之剖線I-I’的位置。請同時參照圖7及圖2，圖7的研磨墊400與圖2的研磨墊100相似，差異主要在於兩者的研磨墊構造不相同，因此使用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，且相關說明皆可參照前文而不再贅述。另外，研磨層410可與前述第一實施方式中之對應者相同或相似，故相關說明即不再贅述。以下，將針對兩者之間的差異處進行說明。
請參照圖7，研磨墊400包括配置於研磨層410下方的基底層460。詳細而言，在本實施方式中，基底層460用於襯墊研磨墊400中的研磨層410，且基底層460的材料例如為聚氨酯、聚丁二烯、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯與乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物、或聚丙烯與乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物，但本發明並不限於此。
研磨墊400包括配置於研磨層410與基底層460之間的第一黏著層420a。詳細而言，在本實施方式中，第一黏著層420a用以將研磨層410與基底層460相黏。另外，在本實施方式中，
第一黏著層420a包括(但不限於)：無載體膠、雙面膠、熱熔膠或溼氣硬化膠。第一黏著層420a的材料例如是壓克力系膠、矽酮系膠、橡膠系膠、環氧樹脂系膠或聚胺酯系膠，但本發明並不限於此。
研磨墊400包括配置於基底層460下方的第二黏著層420b。詳細而言，在本實施方式中，第二黏著層420b黏附於基底層460之遠離第一黏著層420a的背面上。也就是說，基底層460位於第一黏著層420a與第二黏著層420b之間。另外，在本實施方式中，第二黏著層420b包括(但不限於)：無載體膠或雙面膠。第二黏著層420b的材料例如是壓克力系膠、矽酮系膠、橡膠系膠、環氧樹脂系膠或聚胺酯系膠，但本發明並不限於此。
熱量儲存材料430配置於熱量儲存區域K中。在本實施方式中，熱量儲存區域K位於第一黏著層420a與第二黏著層420b之間。詳細而言，在本實施方式中，熱量儲存區域K涵蓋了整個基底層460。也就是說，基底層460具有厚度T，則熱量儲存區域K的頂邊緣Kt與底邊緣Kb之間具有T的距離。
另外，在本實施方式中，熱量儲存材料430分散在基底層460的材料中。也就是說，在本實施方式中，熱量儲存材料430是分佈在基底層460中，且製造基底層460的方法包括使熱量儲存材料430與構成基底層460的材料相混合的步驟。
另外，可視需求而選擇形成包覆熱量儲存材料430的包覆層440，而包覆層440的特性及材料如前述第一實施方式中的包
覆層140所述，故於此不再贅述。
另外，在本實施方式中，熱量儲存材料430包括無機熱量儲存材料、有機熱量儲存材料或其組合。詳細而言，所述無機熱量儲存材料包括(但不限於)：鹽類水合物，例如是三水合醋酸鈉(CH3COONa．3H2O)或六水合氯化鈣(CaCl2．6H2O)；所述有機熱量儲存材料包括(但不限於)：多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烴化合物，其中多元醇例如是三羥甲基丙烷(TMP，C6H14O3)，脂肪醇例如是1-十四烷醇(C14H30O)，脂肪酸例如是月桂酸(Lauric acid，CH3(CH2)10COOH)或癸酸(Capric acid，CH3(CH2)8COOH)，烷烴化合物例如是正二十烷(C20H42)、正二十一烷(C21H44)、正二十二烷(C22H46)、正二十三烷(C23H48)或正二十四烷(C24H50)。
值得一提的是，熱量儲存材料430會在特定的溫度或溫度範圍內發生吸熱反應進而吸收周圍的熱量，從而達成調降周圍溫度的目的。詳細而言，在本實施方式中，熱量儲存材料430在特定溫度會發生吸熱反應，而所述特定溫度是介於研磨墊400在研磨製程期間所具有的最低溫度Tmin與最高溫度Tmax之間。也就是說，在本實施方式中，熱量儲存材料430必會在研磨製程期間發生吸熱反應。如此一來，在本實施方式中，透過研磨墊400包括熱量儲存材料430，使得在研磨製程期間，機械摩擦所產生的熱量可被熱量儲存材料430吸收，藉此研磨墊400因機械摩擦所造成的溫度升高的程度會降低，而達成有效調降研磨墊400的溫度的目的，如圖3所示。另外一提的是，所述特定溫度可以是一
個固定的溫度或是一溫度範圍。
另外，在本實施方式中，在發生吸熱反應之後，熱量儲存材料430的物理狀態或分子結構會改變，此特性與前述第一實施方式中的熱量儲存材料130相同，因此相關描述已於前述第一實施方式中進行詳盡地說明，故於此不再贅述。
值得說明的是，如前文所述，在本實施方式中，透過研磨墊400包括熱量儲存材料430，使得研磨墊400在研磨製程期間的溫度可被調降。如此一來，透過配置有熱量儲存材料430的熱量儲存區域K位於第一黏著層420a與第二黏著層420b之間，使得配置於熱量儲存區域K兩側的第一黏著層420a與第二黏著層420b不會在研磨製程期間發生因高溫而劣化、變形或黏性下降的問題，以維持研磨製程的穩定性。
另外，在本實施方式中，研磨墊400包括包覆熱量儲存材料430的包覆層440，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，在與熱量儲存材料430相混合之基底層460的材料能夠將熱量儲存材料430密封於其中的情況下，研磨墊400可不包括包覆熱量儲存材料430的包覆層440。
另外，基於第一至第四實施方式的內容可知，第四實施方式的研磨墊400可採用與第一至第三實施方式的研磨墊100~300相同概念的設計，於第一黏著層420a的上方形成配置有熱量儲存材料的熱量儲存區域。
另外，基於第二及第四實施方式的內容可知，第四實施
方式的研磨墊400也可採用與第二實施方式的研磨墊200相同概念的設計，透過於研磨軌跡區域A與非研磨軌跡區域B中分別配置不同的熱量儲存材料，取代原本配置於研磨軌跡區域A與非研磨軌跡區域B中的一種熱量儲存材料430，以達成在研磨製程期間，研磨墊400的溫度被調降的程度能夠更加平均的效果。附帶一提的是，研磨軌跡區域A相對於非研磨軌跡區域B通常具有較高的溫度，研磨墊400所包括的熱量儲存材料430也可選擇僅配置於研磨軌跡區域A，同樣也可達成在研磨製程期間，研磨墊400的溫度被調降的程度能夠更加平均的效果。
在上述第四實施方式中，熱量儲存區域K涵蓋了整個基底層460，但本發明並不限於此。發明人發現根據各黏著層所選擇的材料不同，各具有不同的黏著強度，且各黏著層對於研磨製程期間所產生的熱量抵抗能力也相對不同，因此熱量儲存區域K不必然需要涵蓋整個基底層460。有鑒於此，在其他實施方式中，熱量儲存區域K也可位在部分的基底層中。以下，將參照圖8、圖9進行詳細說明。
圖8是依照本發明的第五實施方式的研磨墊沿半徑方向的剖面示意圖。圖8之研磨墊500的上視示意圖請參考圖1，其中圖8的剖面位置可參考圖1中之剖線I-I’的位置。請同時參照圖8及圖7，圖8的研磨墊500與圖7的研磨墊400相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明皆可參照前文而不再贅述。另外，研磨層510、第一黏著層520a、第二黏著層
520b、熱量儲存材料530及包覆層540可與前述第四實施方式中之對應者相同或相似，故相關說明即不再贅述。以下，將針對兩者之間的差異處進行說明。
請參照圖8，在本實施方式中，配置有熱量儲存材料530的熱量儲存區域L位於第一黏著層520a與第二黏著層520b之間。詳細而言，在本實施方式中，熱量儲存區域L位於鄰近於第一黏著層520a之部分的基底層560中。也就是說，在本實施方式中，熱量儲存區域L是位於第一黏著層520a的下方。從另一觀點而言，在本實施方式中，基底層560具有厚度T，則熱量儲存區域L的頂邊緣Lt與底邊緣Lb之間具有T/3至小於T的距離。
另外，在本實施方式中，製造基底層560的方法包括使熱量儲存材料530與構成基底層560的材料相混合的步驟，且基底層560中包括熱量儲存材料530的部分及不包括熱量儲存材料530的部分例如是分別以灌注法組合而成。
值得說明的是，在本實施方式中，由於熱量儲存材料530必會在研磨製程期間發生吸熱反應，故透過研磨墊500包括熱量儲存材料530，使得在研磨製程期間，機械摩擦所產生的熱量可被熱量儲存材料530吸收，藉此研磨墊500因機械摩擦所造成的溫度升高的程度會降低，而達成有效調降研磨墊500的溫度的目的，如圖3所示。如此一來，透過配置有熱量儲存材料530的熱量儲存區域L位於鄰近於第一黏著層520a之部分的基底層560中，使得配置於熱量儲存區域L上方的第一黏著層520a不會在研磨製程
期間發生因高溫而劣化、變形或黏性下降的問題，以維持研磨製程的穩定性。
另外，在本實施方式中，研磨墊500包括包覆熱量儲存材料530的包覆層540，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，在與熱量儲存材料530相混合之基底層560的材料能夠將熱量儲存材料530密封於其中的情況下，研磨墊500可不包括包覆熱量儲存材料530的包覆層540。
另外，基於第一至第三、第五實施方式的內容可知，第五實施方式的研磨墊500可採用與第一至第三實施方式的研磨墊100~300相同概念的設計，於第一黏著層520a的上方形成配置有熱量儲存材料的熱量儲存區域。
另外，基於第二及第五實施方式的內容可知，第五實施方式的研磨墊500也可採用與第二實施方式的研磨墊200相同概念的設計，透過於研磨軌跡區域A與非研磨軌跡區域B中分別配置不同的熱量儲存材料，取代原本配置於研磨軌跡區域A與非研磨軌跡區域B中的一種熱量儲存材料530，以達成在研磨製程期間，研磨墊500的溫度被調降的程度能夠更加平均的效果。附帶一提的是，研磨軌跡區域A相對於非研磨軌跡區域B通常具有較高的溫度，研磨墊500所包括的熱量儲存材料530也可選擇僅配置於研磨軌跡區域A，同樣也可達成在研磨製程期間，研磨墊500的溫度被調降的程度能夠更加平均的效果。
另外，基於第三及第五實施方式的內容可知，第五實施
方式的研磨墊500也可採用與第三實施方式的研磨墊300相同概念的設計，透過使熱量儲存材料530於熱量儲存區域L內形成介於基底層與第一黏著層之間的界面層，取代原本第五實施方式中熱量儲存材料530設置成分散在對應熱量儲存區域L內的基底層560的材料中，以達到同樣的發明效果，即研磨墊500在研磨製程期間的溫度可被調降的效果。
圖9是依照本發明的第六實施方式的研磨墊沿半徑方向的剖面示意圖。圖9之研磨墊600的上視示意圖請參考圖1，其中圖9的剖面位置可參考圖1中之剖線I-I’的位置。請同時參照圖9及圖8，圖9的研磨墊600與圖8的研磨墊500相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明皆可參照前文而不再贅述。另外，研磨層610、第一黏著層620a、第二黏著層620b、熱量儲存材料630及包覆層640可與前述第五實施方式中之對應者相同或相似，故相關說明即不再贅述。以下，將針對兩者之間的差異處進行說明。
請參照圖9，在本實施方式中，配置有熱量儲存材料630的熱量儲存區域M位於第一黏著層620a與第二黏著層620b之間。詳細而言，在本實施方式中，熱量儲存區域M位於鄰近於第二黏著層620b之部分的基底層660中。也就是說，在本實施方式中，熱量儲存區域M是位於第二黏著層620b的上方。從另一觀點而言，在本實施方式中，基底層660具有厚度T，則熱量儲存區域M的頂邊緣Mt與底邊緣Mb之間具有T/3至小於T的距離。
另外，在本實施方式中，製造基底層660的方法包括使熱量儲存材料630與構成基底層660的材料相混合的步驟，且基底層660中包括熱量儲存材料630的部分及不包括熱量儲存材料630的部分例如是分別以灌注法組合而成。
值得說明的是，在本實施方式中，由於熱量儲存材料630必會在研磨製程期間發生吸熱反應，故透過研磨墊600包括熱量儲存材料630，使得在研磨製程期間，機械摩擦所產生的熱量可被熱量儲存材料630吸收，藉此研磨墊600因機械摩擦所造成的溫度升高的程度會降低，而達成有效調降研磨墊600的溫度的目的，如圖3所示。如此一來，透過配置有熱量儲存材料630的熱量儲存區域M位於鄰近於第二黏著層620b之部分的基底層660中，使得配置於熱量儲存區域M上方的第二黏著層620b不會在研磨製程期間發生因高溫而劣化、變形或黏性下降的問題，以維持研磨製程的穩定性。
另外，在本實施方式中，研磨墊600包括包覆熱量儲存材料630的包覆層640，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，在與熱量儲存材料630相混合之基底層660的材料能夠將熱量儲存材料630密封於其中的情況下，研磨墊600可不包括包覆熱量儲存材料630的包覆層640。
另外，基於第一至第三、第六實施方式的內容可知，第六實施方式的研磨墊600可採用與第一至第三實施方式的研磨墊100~300相同概念的設計，於第一黏著層620a的上方形成配置有
熱量儲存材料的熱量儲存區域。
另外，基於第二及第六實施方式的內容可知，第六實施方式的研磨墊600也可採用與第二實施方式的研磨墊200相同概念的設計，透過於研磨軌跡區域A與非研磨軌跡區域B中分別配置不同的熱量儲存材料，取代原本配置於研磨軌跡區域A與非研磨軌跡區域B中的一種熱量儲存材料630，以達成在研磨製程期間，研磨墊600的溫度被調降的程度能夠更加平均的效果。附帶一提的是，研磨軌跡區域A相對於非研磨軌跡區域B通常具有較高的溫度，研磨墊600所包括的熱量儲存材料630也可選擇僅配置於研磨軌跡區域A，同樣也可達成在研磨製程期間，研磨墊600的溫度被調降的程度能夠更加平均的效果。
另外，基於第三及第六實施方式的內容可知，第六實施方式的研磨墊600也可採用與第三實施方式的研磨墊300相同概念的設計，透過使熱量儲存材料630於熱量儲存區域M內形成介於基底層與第二黏著層之間的界面層，取代原本第六實施方式中熱量儲存材料630設置成分散在對應熱量儲存區域M內的基底層660的材料中，以達到同樣的發明效果，即研磨墊600在研磨製程期間的溫度可被調降的效果。
如前文所述，根據各黏著層所選擇的材料不同，各具有不同的黏著強度，且各黏著層對於研磨製程期間所產生的熱量抵抗能力也相對不同。有鑑於此，根據前述第五和第六實施方式的內容，任何所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，本發明的
研磨墊也可同時包括：位於鄰近於第一黏著層之部分的基底層及鄰近於第二黏著層之部分的基底層中之配置有熱量儲存材料的兩個熱量儲存區域，或者位於基底層與第一黏著層之間及基底層與第二黏著層之間的兩個界面層。
圖10是依照本發明的一實施方式的研磨方法的流程圖。此研磨方法適用於研磨物件。詳細而言，此研磨方法可應用於製造工業元件的研磨製程，例如是應用於電子產業的元件，其可包括半導體、積體電路、微機電、能源轉換、通訊、光學、儲存碟片、及顯示器等元件，而製作這些元件所使用的物件可包括半導體晶圓、Ⅲ V族晶圓、儲存元件載體、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但並非用以限定本發明的範圍。
請參照圖10，首先，進行步驟S10，提供研磨墊。詳細而言，在本實施方式中，研磨墊可以是前述實施方式中所述的任一種研磨墊，例如研磨墊100/200/300/400/500/600。而所述研磨墊100/200/300/400/500/600的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。
接著，進行步驟S12，對物件施加壓力。藉此，物件會被壓置於所述研磨墊上，並與所述研磨墊接觸。詳細而言，如前文所述，物件會與研磨層110/210/310/410/510/610的研磨面PS接觸。另外，對物件施加壓力的方式例如是使用能夠固持物件的載具來進行。
之後，進行步驟S14，對所述物件及所述研磨墊提供相對
運動，以利用所述研磨墊對所述物件進行研磨製程，而達到平坦化的目的。詳細而言，對物件及研磨墊提供相對運動的方法例如是：透過承載台進行旋轉來帶動固定於承載台上的研磨墊旋轉。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
Claims (32)
- 一種研磨墊，適用於研磨製程，所述研磨墊包括：研磨層，具有彼此相對的研磨面及背面；黏著層，配置於所述研磨層的所述背面上；以及至少一熱量儲存材料，所述至少一熱量儲存材料所配置的區域位於所述黏著層的上方，其中所述至少一熱量儲存材料包括無機熱量儲存材料、有機熱量儲存材料或其組合，所述無機熱量儲存材料包括鹽類水合物，所述有機熱量儲存材料包括多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烴化合物。
- 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述至少一熱量儲存材料分散在所述研磨層的材料中。
- 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述至少一熱量儲存材料於所述至少一熱量儲存材料所配置的區域內形成界面層，所述界面層位於所述黏著層的上方。
- 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，更包括至少一溝槽，配置於所述研磨層的所述研磨面中，其中所述至少一熱量儲存材料所配置的區域不與所述至少一溝槽底部接觸。
- 如申請專利範圍第4項所述的研磨墊，其中所述至少一溝槽的底部距離所述研磨面具有溝槽深度D，且所述至少一熱量儲存材料所配置的區域的頂邊緣與所述研磨面之間具有大於D且小於或等於1.5D的距離。
- 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中在所述研磨製程期間，所述研磨墊的最低溫度為Tmin且最高溫度為Tmax，其中所述至少一熱量儲存材料在介於Tmin與Tmax之間的溫度發生吸熱反應。
- 如申請專利範圍第6項所述的研磨墊，其中所述至少一熱量儲存材料在所述吸熱反應之後的分子間排列比所述吸熱反應之前的分子間排列鬆散。
- 如申請專利範圍第6項所述的研磨墊，其中所述至少一熱量儲存材料因發生所述吸熱反應而從第一固體狀態轉變為第二固體狀態，所述第一固體狀態與所述第二固體狀態的分子排列不同。
- 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，更包括包覆層，所述包覆層包覆所述至少一熱量儲存材料。
- 如申請專利範圍第9項所述的研磨墊，其中所述包覆層之材料不與所述研磨層之材料或所述至少一熱量儲存材料進行化學反應。
- 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，更包括研磨軌跡區域與非研磨軌跡區域，所述研磨軌跡區域配置第一熱量儲存材料，所述非研磨軌跡區域配置第二熱量儲存材料，其中在所述研磨製程期間，所述研磨墊的最低溫度為Tmin且最高溫度為Tmax，所述第一熱量儲存材料及所述第二熱量儲存材料分別在介於Tmin與Tmax之間的不同溫度發生吸熱反應。
- 如申請專利範圍第11項所述的研磨墊，其中所述第一熱量儲存材料的吸熱反應溫度低於所述第二熱量儲存材料的吸熱反應溫度。
- 如申請專利範圍第11項所述的研磨墊，其中所述第一熱量儲存材料的吸熱量高於所述第二熱量儲存材料的吸熱量。
- 一種研磨墊，適用於研磨製程，所述研磨墊包括：研磨層；基底層，配置於所述研磨層下方；第一黏著層，配置於所述研磨層與所述基底層之間；第二黏著層，配置於所述基底層下方；以及至少一熱量儲存材料，所述至少一熱量儲存材料所配置的區域位於所述第一黏著層與所述第二黏著層之間，其中所述至少一熱量儲存材料包括無機熱量儲存材料、有機熱量儲存材料或其組合，所述無機熱量儲存材料包括鹽類水合物，所述有機熱量儲存材料包括多元醇、脂肪醇、脂肪酸或烷烴化合物。
- 如申請專利範圍第14項所述的研磨墊，其中所述基底層具有厚度T，且所述至少一熱量儲存材料所配置的區域的頂邊緣與底邊緣之間具有T/3至T的距離。
- 如申請專利範圍第14項所述的研磨墊，其中所述至少一熱量儲存材料分散在所述基底層之材料中。
- 如申請專利範圍第16項所述的研磨墊，其中所述至少一熱量儲存材料所配置的區域涵蓋整個所述基底層或位於以下位置中的至少一者：(a)鄰近於所述第一黏著層之部分的所述基底層；(b)鄰近於所述第二黏著層之部分的所述基底層。
- 如申請專利範圍第14項所述的研磨墊，其中所述至少一熱量儲存材料於所述至少一熱量儲存材料所配置的區域內形成界面層，所述界面層位於以下位置中的至少一者：(c)所述基底層與所述第一黏著層之間；(d)所述基底層與所述第二黏著層之間。
- 如申請專利範圍第14項所述的研磨墊，其中在所述研磨製程期間，所述研磨墊的最低溫度為Tmin且最高溫度為Tmax，其中所述至少一熱量儲存材料在介於Tmin與Tmax之間的溫度發生吸熱反應。
- 如申請專利範圍第19項所述的研磨墊，其中所述至少一熱量儲存材料在所述吸熱反應之後的分子間排列比在所述吸熱反應之前的分子間排列鬆散。
- 如申請專利範圍第19項所述的研磨墊，其中所述至少一熱量儲存材料因發生所述吸熱反應而從第一固體狀態轉變為第二固體狀態，所述第一固體狀態與所述第二固體狀態的分子排列不同。
- 如申請專利範圍第14項所述的研磨墊，更包括包覆層，所述包覆層包覆所述的至少一熱量儲存材料。
- 如申請專利範圍第22項所述的研磨墊，其中所述包覆層之材料不與所述基底層之材料或所述至少一熱量儲存材料進行化學反應。
- 如申請專利範圍第14項所述的研磨墊，更包括研磨軌跡區域與非研磨軌跡區域，所述研磨軌跡區域配置第一熱量儲存材料，所述非研磨軌跡區域配置第二熱量儲存材料，其中在所述研磨製程期間，所述研磨墊的最低溫度為Tmin且最高溫度為Tmax，所述第一熱量儲存材料及所述第二熱量儲存材料分別在介於Tmin與Tmax之間的不同溫度發生吸熱反應。
- 如申請專利範圍第24項所述的研磨墊，其中所述第一熱量儲存材料的吸熱反應溫度低於所述第二熱量儲存材料的吸熱反應溫度。
- 如申請專利範圍第24項所述的研磨墊，其中所述第一熱量儲存材料的吸熱量高於所述第二熱量儲存材料的吸熱量。
- 一種研磨方法，適用於研磨物件，包括：提供研磨墊，所述研磨墊如申請專利範圍第1至13項中任一項所述的研磨墊；對所述物件施加壓力以壓置於所述研磨墊上；以及對所述物件及所述研磨墊提供相對運動以進行所述研磨程序。
- 一種研磨方法，適用於研磨物件，包括：提供研磨墊，所述研磨墊如申請專利範圍第14至26項中任一項所述的研磨墊；對所述物件施加壓力以壓置於所述研磨墊上；以及對所述物件及所述研磨墊提供相對運動以進行所述研磨程序。
- 一種研磨墊，適用於研磨製程，所述研磨墊包括：研磨層，具有彼此相對的研磨面及背面；黏著層，配置於所述研磨層的所述背面上；以及至少一熱量儲存材料，所述至少一熱量儲存材料所配置的區域位於所述黏著層的上方，其中在所述研磨製程期間，所述研磨墊的最低溫度為Tmin且最高溫度為Tmax，其中所述至少一熱量儲存材料在介於Tmin與Tmax之間的溫度發生吸熱反應，以及所述至少一熱量儲存材料在所述吸熱反應之後的分子間排列比所述吸熱反應之前的分子間排列鬆散。
- 一種研磨墊，適用於研磨製程，所述研磨墊包括：研磨層，具有彼此相對的研磨面及背面；黏著層，配置於所述研磨層的所述背面上；以及至少一熱量儲存材料，所述至少一熱量儲存材料所配置的區域位於所述黏著層的上方，其中在所述研磨製程期間，所述研磨墊的最低溫度為Tmin且最高溫度為Tmax，其中所述至少一熱量儲存材料在介於Tmin與Tmax之間的溫度發生吸熱反應，以及所述 至少一熱量儲存材料因發生所述吸熱反應而從第一固體狀態轉變為第二固體狀態，所述第一固體狀態與所述第二固體狀態的分子排列不同。
- 一種研磨墊，適用於研磨製程，所述研磨墊包括：研磨層；基底層，配置於所述研磨層下方；第一黏著層，配置於所述研磨層與所述基底層之間；第二黏著層，配置於所述基底層下方；以及至少一熱量儲存材料，所述至少一熱量儲存材料所配置的區域位於所述第一黏著層與所述第二黏著層之間，其中在所述研磨製程期間，所述研磨墊的最低溫度為Tmin且最高溫度為Tmax，其中所述至少一熱量儲存材料在介於Tmin與Tmax之間的溫度發生吸熱反應，以及所述至少一熱量儲存材料在所述吸熱反應之後的分子間排列比所述吸熱反應之前的分子間排列鬆散。
- 一種研磨墊，適用於研磨製程，所述研磨墊包括：研磨層，具有彼此相對的研磨面及背面；黏著層，配置於所述研磨層的所述背面上；以及至少一熱量儲存材料，所述至少一熱量儲存材料所配置的區域位於所述黏著層的上方，其中在所述研磨製程期間，所述研磨墊的最低溫度為Tmin且最高溫度為Tmax，其中所述至少一熱量儲存材料在介於Tmin與Tmax之間的溫度發生吸熱反應，以及所述至少一熱量儲存材料因發生所述吸熱反應而從第一固體狀態轉變 為第二固體狀態，所述第一固體狀態與所述第二固體狀態的分子排列不同。
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