TWI642211B

TWI642211B - 具有斜面晶片反射結構之晶片級封裝發光裝置及其製造方法

Info

Publication number: TWI642211B
Application number: TW106103239A
Authority: TW
Inventors: 傑陳; Chieh Chen; 王琮璽; Tsung Hsi Wang
Original assignee: 行家光電股份有限公司; Maven Optronics Co., Ltd.
Priority date: 2017-01-26
Filing date: 2017-01-26
Publication date: 2018-11-21
Also published as: KR102045794B1; TW201828506A

Abstract

本發明揭露一晶片級封裝發光裝置及其製造方法，該發光裝置包含一覆晶式LED晶片、一螢光結構、一側面可透光結構及一具傾斜側面之晶片反射結構。側面可透光結構設置於LED晶片立面之外側，並位於螢光結構下方，且具有一傾斜側面；反射結構覆蓋側面可透光結構之傾斜側面，且圍繞於LED晶片之四周。藉此，具有傾斜側面之反射結構能有效將LED晶片所發出之光線反射至出光面以汲取出發光裝置之外，可增加發光裝置之光汲取效率。

Description

具有斜面晶片反射結構之晶片級封裝發光裝置及其製造方法

本發明有關一種發光裝置及其製造方法，特別關於一種具有LED晶片之晶片級封裝發光裝置及其製造方法。

LED(發光二極體)晶片係普遍地被使用來提供照明、背光或指示用的光源，而LED晶片通常會置於一封裝結構中，以成為一發光裝置，或進一步被螢光材料包覆或覆蓋，而成為一白光發光裝置。

發光裝置可經由適當的設計方案來獲得良好的發光效率，舉例而言，如第1A圖所示，其為傳統具有高經濟效益的支架型(Plastic Leaded Chip Carrier，PLCC)LED封裝，通常包含一水平式LED晶片80及一支架結構81，LED晶片80則透過金線82與支架結構81電性連接，而支架結構81包含一反射杯811，以將封裝體內之光線反射至出光面，透過反射杯的設計可有效增加PLCC LED封裝之發光效率，但PLCC LED封裝卻有其先天限制，包含：(1)、光在螢光膠內的行進路徑差異大而造成空間色彩均勻性差，最終產生黃暈，(2)、出光面積遠大於LED晶片面積，造成較大的光展量(Etendue)，使二次光學透鏡不易設計，(3)、熱阻大而造成散熱不易，如此將導致發光效率的下降。

隨著LED技術的演進，晶片級封裝(chip-scale packaging，CSP)發光裝置以其明顯的優勢於近年開始受到廣大的重視。由於CSP發光裝置僅由一覆晶式LED晶片與一包覆LED晶片的封裝結構(通常包含一螢光材料)所組成，相較於傳統PLCC LED封裝，CSP發光裝置具有以下優點：(1)不需要金線及額外的支架，因此可明顯節省材料成本；(2)因省略了支架，可進一步降低LED晶片與散熱板之間的熱阻，因此在相同操作條件下將具有較低的操作溫度，或進而增加操作功率以獲得更大的光輸出量；(3)較低的操作溫度可使LED晶片具有較高的晶片量子轉換效率；(4)大幅縮小的封裝尺寸使得在設計模組或燈具時，具有更大的設計彈性；(5)具有小發光面積，因此可縮小光展量(Etendue)，使得二次光學更容易設計，亦或藉此獲得高發光強度(intensity)。

以最廣泛被使用之白光CSP發光裝置為例，由發光角度之大小可分為兩種類型。第一種類型為「五面發光」CSP發光裝置，其由一覆晶式LED晶片與一包覆LED晶片的螢光結構所組成，螢光結構覆蓋LED晶片的上表面與四個側面，故CSP發光裝置可從其頂面及四個側面發出光線，即由不同方向的五個面發出光線(五面發光)。依不同外型尺寸之比例，五面發光CSP發光裝置之發光角度介於140度至160度之間，因發光角度較大，適合需大角度光源之應用，例如照明、直下式背光模組光源等。

第二種類型為「正面發光」CSP發光裝置，其由一覆晶式LED晶片、一螢光結構及一反射結構所組成，螢光結構設置於LED晶片上方，反射結構則圍繞於LED晶片四周，並覆蓋LED晶片的四個側面，由於反射結構會將LED晶片及螢光結構所發出之光線反射回封裝體內部，使CSP發光裝置僅能從其頂面發出光線(正面發光)。正面發光CSP發光裝置之發光角度介於115度至125度之間，可提供較小之發光角度，適合高指向性光源之應用，例如投射燈、側入式LED背光模組光源等。

但是當發光裝置的尺寸越益縮小時，原本可應用於習知發光裝置的方案，例如PLCC LED封裝之反射杯設計，將變得難以適用於晶片級封裝發光裝置中。正如在習知的正面發光CSP發光裝置中，因現有製程技術的限制，其反射結構緊密覆蓋LED晶片及/或螢光結構之側面，這種架構將使由LED晶片內部向四側發出的光線大部分地被LED晶片四側反射結構反射回LED晶片中，在晶片內需經由多次反射後，才能被導向螢光結構的頂面以被汲取出CSP發光裝置之外，故造成較多光能量損耗於CSP發光裝置內部，降低了整體發光效率。

因此，於申請號104132711之台灣專利申請案(對應於申請號15/280,927之美國專利申請案)所揭露的技術內容中，提出一具導角反射結構之正面發光CSP發光裝置，如第1B圖所示，該CSP發光裝置具有一覆晶式LED晶片83、一螢光結構84及一反射結構85，其中，反射結構85覆蓋LED晶片83及螢光結構84之側面，並且具有一導角851，導角851相對於螢光結構84呈現一反射斜面，經由此導角851之設計，可將光線從螢光結構84內有效地汲取出來，因而可提升整體發光效率。然而，反射結構85仍緊密覆蓋LED晶片83的四個側面，因此形成一垂直反射面852，造成由LED晶片83內部射向反射結構85的光線仍大部分地被反射回LED晶片83內部而導致光能量損耗，無法將LED晶片83所發出之光有效地導向螢光結構方向。

有鑑於此，提供一種更有效汲取LED晶片所發出之光線以改善CSP發光裝置之發光效率，並且適用於批次式(batch process)量產的技術方案，可有效解決此業界在製造CSP發光裝置所遭遇的問題。

本發明之一目的在於提供一種晶片級封裝(chip-scale packaging，CSP)發光裝置及其製造方法，其能改善正面發光CSP發光裝置的發光效率，同時亦適用於批次式(batch process)量產以降低生產成本。

為達上述目的，本發明所揭露的一種發光裝置包含一覆晶式LED晶片、一螢光結構、一側面可透光結構及一反射結構。該覆晶式LED晶片具有一上表面、相對於該上表面之一下表面、一立面以及一電極組，該立面形成於該上表面與該下表面之間，該電極組設置於該下表面上；該螢光結構具有一第一表面、相對於該第一表面之一第二表面及一側面，該側面形成於該第一表面與該第二表面之間，該螢光結構之第二表面設置於該覆晶式LED晶片上、且大於該上表面；該側面可透光結構設置於該覆晶式LED晶片之該立面及該螢光結構之該第二表面之間，且包含一傾斜側面，該傾斜側面相對於該第二表面及該立面為傾斜；該反射結構覆蓋該側面可透光結構之該傾斜側面。

為達上述目的，本發明所揭露的另一種發光裝置包含一覆晶式LED晶片、一透光層、一側面可透光結構及一反射結構。該覆晶式LED晶片具有一上表面、相對於該上表面之一下表面、一立面以及一電極組，該立面形成於該上表面與該下表面之間，該電極組設置於該下表面上；該透光層具有一第一表面、相對於該第一表面之一第二表面及一側面，該側面形成於該第一表面與該第二表面之間，該透光層之第二表面設置於該覆晶式LED晶片上、且大於該上表面；該側面可透光結構設置於該覆晶式LED晶片之該立面及該透光層之該第二表面之間，且包含一傾斜側面，該傾斜側面相對於該第二表面及該立面為傾斜；該反射結構覆蓋該側面可透光結構之該傾斜側面。

為達上述目的，本發明所揭露的一種發光裝置的製造方法，包含：形成一可透光黏合膠至一膜片之一表面；將複數個覆晶式LED晶片壓合至該膜片，其中，該等覆晶式LED晶片之上表面朝向該膜片之已設置有可透光黏合膠之該表面；將該可透光黏合膠擠壓至該等覆晶式LED晶片的立面與該膜片之該表面之間，以形成複數個側面可透光結構；固化該等側面可透光結構，其中該等側面可透光結構之每一個包含相對於該表面及該立面為傾斜的一傾斜側面；形成複數個反射結構，以分別覆蓋該等側面可透光結構之該等傾斜側面；以及切割該等反射結構。

為達上述目的，本發明所揭露的另一種發光裝置的製造方法，包含：設置複數個覆晶式LED晶片於一膜片之一表面，其中該等覆晶式LED晶片之上表面朝向該膜片之該表面；在該等覆晶式LED晶片的該等立面與該膜片之該表面之間，注入一可透光黏合膠，以形成複數個側面可透光結構，其中該等側面可透光結構之每一個包含相對於該表面及該立面為傾斜的一傾斜側面；固化該等側面可透光結構；形成複數個反射結構，以分別覆蓋該等側面可透光結構之該等傾斜側面；以及切割該等反射結構。

藉此，本發明的發光裝置及其製造方法能至少提供以下的效果：(1)、具有傾斜側面的反射結構之作用相似於PLCC LED封裝之反射杯，能將LED晶片側向所發出的光有效反射至發光裝置的發光面，相較於習知之正面發光CSP發光裝置，可有效增加整體發光效率，而相較於專利申請號104132711之台灣專利所揭露的具導角之正面發光CSP發光裝置，其將螢光結構內之光線經由導角導引至螢光結構之出光面，而本發明所揭露之具傾斜側面的反射結構可將LED晶片所發出之光線更有效反射並導向螢光結構；(2)、側面可透光結構之製造材料可為低折射係數之可透光樹脂材料，故LED晶片之立面與側面可透光結構之間的介面較易產生全反射，使LED晶片所發出之光線更有效地從LED晶片之上表面往外傳遞，可增加整體光汲取效率；(3)、透過製程控制，可使反射結構具有三種不同型態之傾斜側面，包含凹形曲面、傾斜平面、及凸形曲面，該傾斜側面亦可全部覆蓋或部分覆蓋LED晶片之立面，藉此可進一步調整發光裝置之整體發光效率；(4)、透過製程之控制，或採用多層之螢光結構，可達到遠距螢光層(remote phosphor)之效果，可降低LED晶片所產生之熱對螢光層的影響，進一步增加螢光材料之光轉換效率；(5)、該發光裝置為CSP發光裝置，故在外型上具有小尺寸，其外型尺寸僅稍大於LED晶片；(6)、製造方法適用於批次式(batch process)量產，可有效降低生產成本。

為讓上述目的、技術特徵及優點能更明顯易懂，下文係以較佳之實施例配合所附圖式進行詳細說明。

1A、1B、1C、1C’、1C”、1D、1E、1F、1F’、1G、1H、1I、1J‧‧‧發光裝置

10‧‧‧LED晶片

100‧‧‧LED晶片陣列

11‧‧‧上表面

12‧‧‧下表面

13‧‧‧立面

14‧‧‧電極組

20‧‧‧螢光結構

20’‧‧‧膜片、螢光膜片

201‧‧‧螢光層

202‧‧‧透光層

203‧‧‧透鏡陣列層

21,21’‧‧‧第一表面

22,22’‧‧‧第二表面

23‧‧‧側面

30‧‧‧側面可透光結構

300‧‧‧可透光黏合膠

31‧‧‧上表面

32‧‧‧側面

33‧‧‧傾斜側面

40‧‧‧反射結構

41‧‧‧底面

42‧‧‧外側面

43‧‧‧內側斜面、內傾斜側面

44‧‧‧內側面

50‧‧‧基板

60‧‧‧離型膜

70‧‧‧圍牆部

80‧‧‧LED晶片

81‧‧‧支架

811‧‧‧反射杯

82‧‧‧金線

83‧‧‧LED晶片

84‧‧‧螢光結構

85‧‧‧反射結構

851‧‧‧導角

852‧‧‧垂直反射面

90,900‧‧‧黏合層

L‧‧‧光線

第1A圖及第1B圖分別為先前技術所揭露之發光裝置全剖視圖。

第2圖為依據本發明之第1較佳實施例之發光裝置的全剖視圖。

第3A圖為依據本發明之第2較佳實施例之發光裝置的全剖視圖。

第3B圖、第3C圖及第3D圖為依據本發明之第2較佳實施例之發光裝置的製作結果圖。

第4A圖、第4B圖及第4C圖為依據本發明之第3較佳實施例之發光裝置的全剖視圖。

第5圖為依據本發明之第4較佳實施例之發光裝置的全剖視圖。

第6圖為依據本發明之第5較佳實施例之發光裝置的全剖視圖。

第7A圖及第7B圖為依據本發明之第6較佳實施例之發光裝置的全剖視圖。

第8圖為依據本發明之第7較佳實施例之發光裝置的全剖視圖。

第9圖為依據本發明之第8較佳實施例之發光裝置的全剖視圖。

第10圖為依據本發明之第9較佳實施例之發光裝置的全剖視圖。

第11圖為依據本發明之第10較佳實施例之發光裝置的全剖視圖。

第12A圖至第18圖分別為依據本發明之第1較佳實施例之發光裝置之製造方法的步驟之示意圖。

第19圖至第21圖分別為依據本發明之第2較佳實施例之發光裝置之製造方法的步驟之示意圖。

第22A圖、第22B圖及第22C圖為依據本發明之第2較佳實施例之發光裝置之製造方法中，輔助形成不同型態之傾斜側面的方法示意圖。

第23圖至第26圖為依據本發明之第3較佳實施例之發光裝置之製造方法的步驟之示意圖。

請參閱第2圖所示，其為依據本發明之第1較佳實施例之發光裝置的示意圖。該發光裝置1A為一晶片級封裝(chip-scale packaging，CSP)發光裝置，可包含一LED晶片10、一螢光結構20、一側面可透光結構30、一反射結構40及一黏合層90，而該些元件的技術內容將依序說明如下。

該LED晶片10可為一覆晶式(flip-chip)之LED晶片，而外觀上可具有一上表面11、一下表面12、一立面13及一電極組14。該上表面11與下表面12為相對且相反地設置，而側面13形成於上表面11與下表面12之間，且連接上表面11與下表面12。電極組14設置於下表面12上，且可具有二個以上之電極。電能(圖未示)可透過電極組14供應至LED晶片10內，然後使LED晶片10發出光線。LED晶片10所發射出之光線大部分是從上表面11離開，而一部分從立面13離開。

螢光結構20能改變LED晶片10所發出之光線之波長，而外觀上可具有一第一表面21、一第二表面22及一側面23；第一表面21與第二表面22為相對且相反設置，而側面23形成於第一表面21與第二表面22之間，且連接第一表面21與第二表面22。第一表面21與第二表面22皆可為水平面，故兩者可互相平行。

螢光結構20結構上可包含一螢光層201及一透光層202(於其他實施例時，螢光層201及透光層202可為複數個)，而透光層202形成於螢光層201之上，或可說，透光層202堆疊於螢光層201上。透光層202及螢光層201都可讓光線通過，故其製造材料皆可包含一可透光樹脂等透光材料，例如矽膠、環氧樹脂、橡膠等，而螢光層201的製造材料則進一步包含螢光材料，例如螢光粉、量子點等，其混合於透光材料中。此外，透光層202及螢光層201之製造材料亦可包含玻璃、氧化鋁等無機透光材料，以獲得較佳之耐熱性、阻水性或可靠度等特性。當LED晶片10所發出之光線，例如藍光或紫外光，通過螢光層201時，部分光線之波長會被螢光層201改變而轉換成另一種顏色之光線，例如黃光、紅光或綠光，然後再繼續通過透光層202；該些光線相互混合之後，可形成一白光。

透光層202雖然不會改變光線之波長，但可保護螢光層201，使得環境中的物質不易接觸到螢光層201。此外，透光層202還可增加螢光結構20的整體結構強度，以使得螢光結構20不易彎曲，提供生產上足夠的可操作性。

螢光結構20在位置上係設置於LED晶片10上，且經由黏合層90與LED晶片10之上表面11接合，並與螢光結構20之第二表面22接合。換言之，螢光結構20整體都位於LED晶片10之上表面11上，而黏合層90介於螢光結構20與LED晶片10之間。

在尺寸上，螢光結構20之第二表面22大於LED晶片10之上表面11，故沿著法線方向往下觀察，螢光結構20可完全遮蔽LED晶片10，如此可避免LED晶片10所發出之光線在未通過螢光結構20之情況下往外傳遞，而造成光洩漏，同時亦可提供形成後述側面可透光結構30所需要之空間。螢光結構20之第二表面22透過一可透光黏合膠(例如矽膠、環氧樹脂、橡膠等)來黏貼至LED晶片10之上表面11，並形成黏合層90，使得螢光結構20與LED晶片10之間具有更佳的固定效果，而經由製程條件之控制，黏合層90可具有不同之厚度，較佳地，黏合層90的厚度可為約1微米、約5微米、約10微米、約20微米，藉此，螢光結構20與LED晶片10之間可相距一距離，達到遠距螢光層(remote phosphor)之效果，可降低LED晶片10所產生之熱對螢光層的影響，進一步增加螢光材料之光轉換效率。

側面可透光結構30設置於LED晶片10之立面13、黏合層90之側面與螢光結構20之第二表面22之間，並圍繞於LED晶片10與黏合層90之四周，故側面可透光結構30整體都位於螢光結構20之第二表面下。在外觀上，側面可透光結構30具有一上表面31、一側面32及一傾斜側面33。較佳地，上表面31貼合於螢光結構20之第二表面22，側面32貼合於LED晶片10之立面13與黏合層90之側面，其中，側面可透光結構30與螢光結構20、LED晶片10及黏合層90可緊密地貼合，也就是，在各貼合面之間不存在縫隙。如第2圖發光裝置1A之剖面圖所示，傾斜側面33為一連續平滑曲面，且相對於LED晶片10之立面13與螢光結構20之第二表面22為傾斜，在本實施例中，傾斜側面33為一凹形曲面，而上表面31、側面32及傾斜側面33彼此可相互連接。

側面可透光結構30可讓光線通過，故其製造材料可包含一可透光樹脂等透光材料，例如矽膠、環氧樹脂、橡膠等。依據所選用之透光材料之不同，側面可透光結構30可具有不同之光穿透率(Transmittance)及折射係數(Refraction Index)等光學性質。

反射結構40包覆側面可透光結構30之傾斜側面33，而在本實施例中，反射結構40沒有包覆螢光結構20之側面23。由於LED晶片10所發出之光有一部分會穿過立面13而進入側面可透光結構30，而反射結構40可阻擋並反射光線，故該光線在傾斜側面33處會被反射結構40所反射，進而被導向螢光結構20。

較佳地，反射結構40包覆傾斜側面33時，經由貼合傾斜側面33，使得反射結構40與傾斜側面33之間沒有間隙。因此，反射結構40具有與傾斜側面33相貼合的一內側斜面(或稱內傾斜側面)43；由第2圖所示，該傾斜側面33為凹形側面，故相貼合的內側斜面43為相對凸形內側面，使反射結構40之內側表面可呈現凸形杯狀反射面。此外，在本實施例中，反射結構40具有一底面41及一外側面42，底面41連接LED晶片10之下表面12，亦可齊平於下表面12，而外側面42可為垂直面。

在製造材料上，反射結構40可由包含一可透光樹脂之一材料所製成，而可透光樹脂可包含一光散射性微粒，其中，較佳地，光散射微粒之一重量百分濃度不小於20%，以提供合適的光反射特性。可透光樹脂例如可為聚鄰苯二甲醯胺(polyphthalamide，即PPA)、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯(Polycyclolexylene-di-methylene Terephthalate，即PCT)、熱固性環氧樹脂(Epoxy molding compound，即EMC)、矽膠或低折射係數矽膠(折射係數可為1.35至1.45左右)；光散射性微粒例如可為二氧化鈦(TiO2)、氮化硼(BN)、二氧化矽(SiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)或其組合，亦可選用其他具有類似功能之氧化物、氮化物或陶瓷微粒；光散射性微粒的尺寸可設置成約為0.5倍的可見光波長，例如150奈米至450奈米。除了上述的製造材料外，反射結構40亦有可能由其他電子封裝材料或類似材料來製成。

以上為發光裝置1A的各元件的技術內容，而發光裝置1A至少具有以下技術特點。

側面可透光結構30具有傾斜側面33(與反射結構40之內傾斜側面43相貼合)，其作用類似於PLCC LED封裝之反射杯，可使LED晶片10所發出且接近水平方向之光線L，被傾斜側面33反射後可更有效率地往外傳遞；換言之，傾斜側面33有利於將LED晶片10所發出之光線L反射至螢光結構20，使其更易於往外射出，因此減少了光線L被反射回LED晶片10內之機會，故可有效降低整體光能量的損耗。藉此，LED晶片10所發出之光線L可良好地被汲取出CSP發光裝置1A外，使得CSP發光裝置1A具有良好發光效率。相較於不具有傾斜側面之反射結構(反射結構之內側面為垂直)易於將LED晶片所發出之光線反射回LED晶片內部，傾斜側面33(或內傾斜側面43)對於整體發光效率之提升，將可更容易被理解。

較佳地，側面可透光結構30之製造材料可為低折射係數之可透光樹脂材料，故LED晶片10之立面13與側面可透光結構30之間的介面較易形成全反射，使LED晶片10所發出之光線更有效地從上表面11 往外傳遞，可增加整體出光汲取效率。

此外，相較於申請號104132711之台灣專利申請案(對應於申請號15/280,927之美國專利申請案)所揭露之具導角之正面發光CSP發光裝置，其主要將螢光結構內往反射結構傳遞之光線經由導角導引至其螢光結構之出光面，但對LED晶片之立面所發出之光線則不具有汲取效果；而本案之傾斜側面33之主要功能是將LED晶片10之立面13所發出之光線更有效地往外導引，如此可使光線更易被汲取出CSP發光裝置1A之外。

發光裝置1A除了能藉由傾斜側面33來增加發光效率之外，亦可藉由調整螢光結構之螢光層201與透光層202之折射係數來進一步增加發光效率。也就是，透光層202的折射係數可介於螢光層201與空氣之間，使得LED晶片10之光線通過透光層202而進入至空氣時，可減少在介面上之光反射所造成的光能量損耗。透光層202亦可為兩個以上(圖未示)，而該些透光層202的折射係數可相異(即兩個透光層202的製造材料不同)，且在上方者的折射係數小於在下方者的折射係數，藉此可進一步提升發光效率。

另一方面，發光裝置1A為晶片級封裝發光裝置，故其在外形上具有小尺寸。晶片級封裝發光裝置之整體尺寸通常僅稍大於LED晶片之尺寸，例如發光裝置1A之長與寬皆不大於LED晶片之長與寬的200%、150%或120%。

以上是發光裝置1A的技術內容的說明，接著將說明依據本發明其他實施例的發光裝置的技術內容，而各實施例的發光裝置的技術內容應可互相參考，故相同的部分將省略或簡化。

請參閱第3A圖所示，其為依據本發明之第2較佳實施例之發光裝置的示意圖。發光裝置1B與發光裝置1A不同處至少在於，發光裝置1B的反射結構40之底面41係向上傾斜。向上傾斜之底面41可提供以下的有益效果：當發光裝置1B接合至一基板(圖未示)的過程中，常會對發光裝置1B及基板施加熱能以進行迴流銲接或共晶接合，但熱能卻會造成反射結構40、側面可透光結構30及螢光結構20膨脹而導致底面41向下變形；若底面41沒有向上傾斜時，受熱而向下變形之底面41將推擠基板而造成發光裝置1B被抬升，進而導致接合失敗；然而，本實施例的發光裝置1B的反射結構40之底面41不會推擠基板，因為底面41係向上傾斜，故可獲得良好之接合品質。向上傾斜之底面41的進一步說明可參閱申請號105100783之台灣專利申請案(對應於申請號15402087之美國專利申請案、申請號201610033392.0之中國大陸專利申請案)所接露之技術內容。

請參閱第3B圖至第3D圖，其為發光裝置1B的三種不同傾斜側面33之製作結果，三種發光裝置1B具有不同程度的傾斜側面33；其中，第3B圖所顯示者僅具有少許傾斜側面33，而第3C圖與第3D圖所顯示者具有較大之傾斜側面33。

下表一為發光裝置1B具有三種不同角度之傾斜側面33的光學量測結果。使用相同350毫安之操作電流，由表一之量測結果可知，具有較小傾斜側面33之發光裝置1B(第3B圖)的發光亮度最低，其為127流明；第3D圖所示之發光裝置1B的發光亮度最高，為131流明，相較於第3B圖所示之發光裝置1B，亮度提升了3.1%。因此，當發光裝置1B具有較大傾斜側面33時，可有效提升其發光效率，以獲得較高的發光亮度。

請參閱第4A圖至第4C圖，其為依據本發明之第3較佳實施例之發光裝置的示意圖，在本實施例中，螢光結構20具有不同的構造。如第4A圖所示，發光裝置1C與其他發光裝置不同處至少在於，發光裝置1C的螢光結構20中，透光層202形成於螢光層201之下。也就是，透光層202位於螢光層201與LED晶片10之上表面11之間，故螢光層201不會接觸到LED晶片10，可達到遠距螢光層之效果。因此，LED晶片10運作時所產生的熱能較不會影響到螢光層201，也就是，螢光層201的溫度較不會因為熱能而上升，故螢光層201內之螢光材料可具有較佳之光轉換效率。此外，螢光層201的折射係數可小於透光層202的折射係數，以增加發光效率。

如第4B圖所示，發光裝置1C’與其他發光裝置不同處至少在於，發光裝置1C’的螢光結構20包含複數透光層202，且螢光層201形成於該些透光層202之間。這樣的配置下，透光層202可保護螢光層201，且可降低LED晶片10的熱能對螢光層201的影響。此外，螢光層201的折射係數可小於位於下方的透光層202的折射係數，但大於位於上方的透光層202的折射係數，以增加發光效率。若需要增加對螢光層201之保護效果或隔熱效果，透光層202之製造材料可選用玻璃、氧化鋁或碳化矽等無機透明材料。如第4C圖所示，發光裝置1C”與其他發光裝置不同處至少在於，發光裝置1C”的螢光結構20為一單層螢光結構，也就是僅包含螢光層201，而沒有透光層。

請參閱第5圖所示，其為依據本發明之第4較佳實施例之發光裝置的示意圖。發光裝置1D與其他發光裝置不同處至少在於，發光裝置1D的螢光結構20更包含一透鏡陣列層203，其形成於螢光層201上。透鏡陣列層203可與透光層202一體成型，故透光層202可視為透鏡陣列層203的一部分。透鏡陣列層203可進一步增加發光裝置1D的發光效率。

請參閱第6圖所示，其為依據本發明之第5較佳實施例之發光裝置的示意圖。發光裝置1E與其他發光裝置不同處至少在於，發光裝置1E更包括一基板50，LED晶片10設置於基板50上，LED晶片10的電極組14還進一步電性連接至基板50。基板50為一能傳遞電能的元件，(例如電路板、支架等)，故透過基板50可將電能供應至發光裝置1E中。

請參閱第7A圖與第7B圖，其為依據本發明之第6較佳實施例之發光裝置的示意圖，在本實施例中，側面可透光結構30具有不同型態之傾斜側面33。如第7A圖所示，發光裝置1F與其他發光裝置不同處至少在於，側面可透光結構30之傾斜側面33為一傾斜平面，故與其相貼合之反射結構40之內傾斜側面43亦為平面。如第7B圖所示，發光裝置1F’與其他發光裝置不同處至少在於，側面可透光結構30之傾斜側面33為一凸形曲面，故與其相貼合之反射結構40之內傾斜側面43則為相對凹形曲面。不同型態之傾斜側面33可提供不同之光汲取效果，故藉此可進一步調整發光裝置的整體發光效率。

請參閱第8圖所示，其為依據本發明之第7較佳實施例之發光裝置的示意圖。發光裝置1G與其他發光裝置不同處至少在於，側面可透光結構30僅局部覆蓋LED晶片10之立面13，而未被側面可透光結構30覆蓋之立面13則被反射結構40所覆蓋，因此，在此實施例中，反射結構40更包含一內側面44，較佳地，內側面44與立面13相貼合，且兩者之間無縫隙。在此結構之下，可提供不同之光汲取效率。

請參閱第9圖所示，其為依據本發明之第8較佳實施例之發光裝置的示意圖。發光裝置1H與其他發光裝置不同處至少在於，側面可透光結構30具有半透光性質，例如可由一可透光樹脂包含一光散射性微粒製作而成，其中，光散射性微粒之一重量百分濃度不大於20%、不大於10%或不大於5%，以達到半透光之效果。在材料上，光散射性微粒可為二氧化鈦(TiO2)、氮化硼(BN)、二氧化矽(SiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)或其組合，亦可選用其他具有類似功能之氧化物、氮化物或陶瓷微粒。

請參閱第10圖所示，其為依據本發明之第9較佳實施例之發光裝置的示意圖。發光裝置1I與其他發光裝置不同處至少在於，反射結構40除了覆蓋傾斜側面33之外，更覆蓋螢光結構20之側面23，因此，反射結構40可阻擋LED晶片10及螢光層201所發出之光線從側面23往外傳遞，並進而將其反射回螢光結構20內部，藉此，由於減少了側向的光線，發光裝置1I在整體上可具有較小的發光角度(viewing angle)。

請參閱第11圖所示，其為依據本發明之第10較佳實施例之發光裝置的示意圖。發光裝置1J與其他發光裝置不同處至少在於，螢光結構20由外形相同或相似之透光層202所取代，換言之，發光裝置1J不包含螢光層201。藉此LED晶片10所發出的光線在通過透光層202時並不會被改變波長，可用以製作紅光、綠光、藍光、紅外光或紫外光等單色光的CSP發光裝置。

在上述的實施例中的發光裝置1A-1J中，其技術內容應可互相應用，並不限定於本身的實施例中。例如，發光裝置1B的向上傾斜之底面41、發光裝置1C的不同構造之螢光結構20、發光裝置1D的透鏡陣列層203、發光裝置1E的基板50、各實施例中不同型態之側面可透光結構33 或不同型態之反射結構40等，皆可應用於其他實施例的發光裝置中(圖未示)。又，在發光裝置1A-1J中，該螢光結構20皆可依設計需求將螢光層201與透光層202增加為複數個，並適當調整其堆疊順序，或於螢光結構20中適當加入二氧化鈦(TiO₂)等材料，使整體上獲得最佳效果。

接著將說明依據本發明的較佳實施例的發光裝置的製造方法，該製造方法可製造出相同或類似於上述實施例的發光裝置1A-1J，故製造方法的技術內容與發光裝置1A-1J的技術內容可相互參考。製造方法至少可包含三個步驟：將覆晶式LED晶片壓合至螢光膜片或透光膜片；形成具傾斜側面之側面可透光結構；以及將側面可透光結構之傾斜側面進行包覆，以形成具有凹形曲面、凸形曲面或傾斜平面之反射結構。製造方法的技術內容依序說明如下。

請參閱第12A圖至第18圖所示，其為依據本發明之第1較佳實施例的製造方法的各步驟示意圖。如第12A圖所示，首先提供一膜片20’，該膜片20’可為一透明膜片、一半透明膜片或一螢光膜片等具相似特性之膜片，在本製造方法實施例中，將以螢光膜片作為膜片20’之範例(即螢光膜片20’)來說明後續之製程步驟。在本領域具通常知識者皆可知後續製程步驟亦皆適用於前述透明膜片或半透明膜片等；較佳地，螢光膜片20’可包含一螢光層201及一透光層202，且具有一第一表面21’與一第二表面22’；接著，形成一可透光黏合膠300(例如矽膠)於螢光膜片20’之第二表面22’上，可透光黏合膠300可藉由噴塗(spray caoting)、旋轉塗佈(spin coating)或印刷(printing)等製程形成於螢光層201上；或者，亦可依設計需求將可透光黏合膠300形成於螢光膜片20’之第一表面21’上，可對應於本案其他製造方法之實施例，詳細說明可參考後述技術內容。

需補充說明的是，螢光膜片20’可依以下步驟進行製作：(1)藉由噴塗、旋轉塗佈、印刷或模造(molding)等製程將螢光層201之製造材料形成於一離型膜(圖未示)上，經固化後形成螢光層201、(2)藉由噴塗、旋轉塗佈、印刷或模造等製程將透光層202之製造材料形成於螢光層201上，經固化後形成透光層202、(3)將已固化之螢光層201與透光層202從離型膜上取下，完成螢光膜片20’之製作。較佳地，螢光層201可藉由公開號US2010/0119839之美國專利申請案(對應於證書號I508331之臺灣專利)所揭露的技術來形成，也就是，將一或多層的螢光材料及透光材料分別地沈積，以形成該螢光層201。這種技術所形成的螢光層201可為多層結構，包含至少一透光部及至少一螢光部(圖未示)，彼此堆疊、交錯。

如第12B圖所示，接著，形成一LED晶片陣列於一離型膜60上，其步驟包含：先提供一離型膜60，例如熱解黏膜、紫外線解黏膜等，而該離型膜60還可放置於一支撐結構，例如矽基板或玻璃基板(圖未示)上；接者，將複數個覆晶式LED晶片10間隔地放置在離型膜60上，以形成一LED晶片陣列100。較佳地，各LED晶片10之電極組14可陷入至離型膜60中，使LED晶片10之下表面12被離型膜60所覆蓋，如此可避免電極14於後續的製程中遭受汙染。

如第13圖所示，接著，較佳地，可將LED晶片陣列100與螢光膜片20’置入一腔室中，並透過一膜片貼合裝置(圖未示)將LED晶片陣列100與螢光膜片20’彼此分開且相對地設置，其中，LED晶片10之上表面11朝向已設置有可透光黏合膠300之螢光膜片20’的第二表面22’，使上表面11與第二表面22’可進一步貼合。接著將該腔室抽真空，使後續之壓合過程可在真空環境中進行，以減少因空氣所產生之氣泡等缺陷，真空度較佳地可小於50托爾(Torr)，再佳地小於10托爾，更佳地小於1托爾。如此，LED晶片陣列100與螢光膜片20’之間僅有微量稀薄氣體。較佳地，此壓合過程可藉由專利申請號106101525之台灣專利申請案所揭露的真空膜片貼合裝置與技術來達成，也就是，使用一具有真空腔室及壓合機構之裝置，在真空環境下將膜片與待貼物件進行貼合。

如第14圖所示，將LED晶片陣列100壓合至螢光膜片20’，由於可透光貼合膠300具有流動性，因此在壓合的過程中，位於LED晶片10之上表面11與螢光膜片20’之第二表面22’之間的可透光貼合膠300會進一步被擠壓至LED晶片的四周圍。

如第15圖所示，被擠壓而往LED晶片10之立面13流動之可透光黏合膠300進一步覆蓋LED晶片10之立面13，且形成一凹形曲面33，如此可形成複數個具有傾斜側面33之側面可透光結構30。此外，位於LED晶片10之上表面11與螢光膜片20’之第二表面22’間的可透光黏合膠300可形成黏合層90；接著固化可透光黏合膠300，例如加熱烘烤使可透光黏合膠300部分固化，以完成LED晶片10與螢光膜片20’兩者之貼合，並且同時形成側面可透光結構30及黏合層90。在壓合的過程中，透過對製程因素之控制可獲得不同之傾斜側面33的曲面形狀，該製程因素包含：可透光黏合膠300之膠量控制、可透光黏合膠300之黏度選擇、壓合力量大小、LED晶片10立面13之表面能(surface energy)特性之改變(例如以電漿表面處理改變表面特性)及固化條件等；此外，控制該些製程因素亦可使側面可透光結構30僅局部覆蓋LED晶片10之立面13；控制該些製程因素也可獲得不同厚度之黏合層90，例如黏合層90的厚度可為約1微米、約5微米、約10微米、約20微米或大於20微米，以使螢光膜片20’與LED晶片10之間可相距一距離。

如第16圖所示，可透光黏合膠300固化後，將貼合完成之LED晶片陣列100與螢光膜片20’從腔室中取出，並將離型膜60移除。

此外，上述第12A圖至第16圖所示之步驟，亦可由下列方法達成。首先提供一膜片20’；接著透過噴塗或印刷等方法，將一可透光黏合膠300(例如矽膠)均勻地設置於該膜片20’之第二表面22’上；接著將複數個LED晶片10隔著可透光黏合膠300設置於該膜片20’上，形成一LED晶片陣列，其中，LED晶片10的上表面11朝向該膜片20’第二表面22’，此步驟可使用合適之方法，例如採用排列機，依序將LED晶片10逐一排列至該膜片20’上；接著，亦可使用真空膜片貼合裝置將LED晶片陣列100壓合沉入可透光黏合膠300中；接著固化可透光黏合膠300，以完成LED晶片10與該膜片20’兩者之貼合，並且同時形成側面可透光結構30及黏合層90。

如第17圖所示，接著形成反射結構40。形成反射結構40的具體方式至少有模造及點膠(dispensing)兩種。採取模造時，LED晶片陣列100及螢光膜片20’將被放置於一模具(圖未示)中，然後將反射結構40的製造材料注入至模具中，使其包覆側面可透光結構30之傾斜側面33；當製造材料固化後，反射結構40即可形成。

採取點膠時，則不需要上述的模具，反射結構40的製造材料將直接地注入至LED晶片10之間的空隙，然後製造材料會漸漸增厚，以包覆側面可透光結構30之傾斜側面33，較佳地，所注入的製造材料不會超過LED晶片10之下表面12。當反射結構40的製造材料固化時，其會產生體積收縮，或經由輕微減少所注入的製造材料時，所形成的反射結構40之底面41會形成一凹陷曲面，故可獲得第3A圖所示的發光裝置1B，其反射結構40具有一向上傾斜之底面41。

當反射結構40形成後，使其完全固化，此時可獲得複數個發光裝置1A(或其他類型的發光裝置)，該些發光裝置1A彼此相互連接。接著，如第18圖所示，採取一切割步驟以將相連接的發光裝置1A分離，便得到相互分離的發光裝置1A。若將已分離的發光裝置1A透過迴流銲接或共晶接合設置於一基板上，並且與基板具有電性連接，所製造出的發光裝置即可對應第6圖所示的發光裝置1E。

此外，請復參閱第12A圖所示，在將可透光黏合膠300設置於螢光膜片20’上時，若將螢光膜片20’上下翻轉，使第一表面21’朝上，並使可透光黏合膠300設置於螢光膜片20’之第一表面21’上，於後續第13圖至第18圖所示之製程步驟中，亦維持螢光膜片20’之第一表面21’朝上，如此所製造出的發光裝置即可對應第4A圖所示的發光裝置1C。

若在形成螢光膜片20’時，使螢光膜片20’包含一層螢光層201及兩層透光層202，且螢光層201夾置在兩層透光層202中間，如此所製造出的發光裝置即可對應第4B圖所示的發光裝置1C’。若在形成螢光膜片20’時，使螢光膜片20’僅包含一螢光層201，並且不包含透光層202，如此所製造出的發光裝置即可對應第4C圖所示的發光裝置1C”。若在形成螢光膜片20’時，使螢光膜片20’僅包含一透光層202，並且不包含螢光層201，如此所製造出的發光裝置即可對應第11圖所示的發光裝置1J。若在形成螢光膜片20’時，使螢光膜片20’包含一層螢光層201及一透鏡陣列層203，其中，透鏡陣列層203可透過模造等方法來形成，如此所製造出的發光裝置即可對應第5圖所示的發光裝置1D。

若在形成側面可透光結構30的步驟中，如第15圖之製程步驟所述，控制該些製程因素使側面可透光結構30僅局部覆蓋LED晶片10之立面13，如此所製造出的發光裝置即可對應第8圖所示的發光裝置1G。此外，若在形成側面可透光結構30的步驟中，使側面可透光結構30的製造材料包含一重量百分比濃度不大於20%之光散射性微粒，如此側面可透光結構30可具有半透光性質，所製造出的發光裝置即可對應第9圖所示的發光裝置1H。

若在完成第16圖所示之製程步驟後，接著進行切割製程(可參閱第18圖所示之技術內容)，使螢光膜20’與透光結構30彼此分離，以形成複數個發光結構，該等發光結構各自包含單個LED晶片10、單個螢光結構20(切割分離後之螢光膜20’可形成螢光結構20)及單個側面可透光結構30；然後再將該等發光結構設置於一離型膜上(圖未示)，以形成一發光結構陣列，該等發光結構彼此間隔一距離。接著再進行第17圖所示形成反射結構40之製程步驟，此時反射結構40將同時包覆螢光結構20之側面23及側面可透光結構30之傾斜側面33；然後再進行第18圖所示之製程步驟，切割反射結構40，使複數個發光裝置彼此分離，如此所製造出的發光裝置即可對應第10圖所示的發光裝置1I。

以上為依據本發明之第1較佳實施例的製造方法的說明。接著將說明依據本發明之第2較佳實施例的製造方法，其與前述製造方法有部分相同或類似處，故該等部分之說明將適度地省略。

請參閱第19圖至第21圖所示，其為依據本發明之第2較佳實施例的製造方法的各步驟示意圖。如第19圖所示，首先提供一模片20’，此處將以螢光膜片作為範例(即螢光膜片20’)；接著透過點膠或印刷等方法，將一可透光黏合膠300(例如矽膠)分別地設置於螢光膜片20’之第二表面22’上，該些可透光黏合膠300彼此相距一特定距離，並排列成一陣列。

如第20A圖與第20B圖所示，接著將複數個LED晶片10隔著可透光黏合膠300壓合至螢光膜片20’上，其中，LED晶片10的上表面11朝向螢光膜片20’第二表面22’，並且該些LED晶片10的每一者皆對準可透光黏合膠300陣列的每一者。在此壓合步驟中，如第20A圖所示，先將LED晶片10設置於離型膜60上，形成一LED晶片陣列100，再將LED晶片陣列100壓合至螢光膜片20’上；此外，如第20B圖所示，此步驟亦可使用排列機，依序將LED晶片10逐一排列至螢光膜片20’之可透光黏合膠300陣列上，再將其壓合。

如第21圖所示，於壓合過程中，位於LED晶片10之上表面11與螢光膜片20’之第二表面22’之間的可透光貼合膠300會被擠壓至LED晶片的四周圍，且進一步覆蓋LED晶片10之立面13而形成一傾斜側面，藉此形成複數個具有傾斜側面33之側面可透光結構30，而位於LED晶片10之上表面11與螢光膜片20’之第二表面22’間的可透光黏合膠300可形成黏合層90；接著固化可透光黏合膠300，以完成LED晶片10與該膜片20’兩者之貼合，並且同時形成側面可透光結構30及黏合層90。

於壓合完成後，可接續前述第17圖與第18圖所示之製程步驟及其相關技術內容，先形成反射結構40(第17圖)，再進行切割以將彼此相連接之發光裝置分離(第18圖)，如此便可獲得複數個發光裝置1A(或其他類型的發光裝置)。

此外，請參閱第22A圖、第22B圖及第22C圖所示，亦可藉由一圍牆部70之設置，輔助形成不同型態之傾斜側面33。如第22A圖所示剖面圖，先於螢光膜片20’上設置複數個圍牆部70，該圍牆部70可為一光阻結構、一金屬結構或其他有機或無機材料所形成之結構，可透過半導體製程或微機電製程進行製作。圍牆部70於剖視圖中彼此間隔一距離，但在整體上可呈現網格狀分佈(圖未示)；然後再於兩圍牆部70之間的螢光膜片20’之第二表面22’上設置可透光黏合膠300；接著再將LED晶片10壓合至螢光膜片20’。如第22B圖所示，在壓合的過程中，可透光黏合膠300被擠壓而流動至圍牆部70時，其流動將受到圍牆部70的阻礙，最終可透光黏合膠300因聚集而拱起，形成一具凸形曲面之傾斜側面33，如此製作出來之發光裝置可對應於第7B圖所示之發光裝置1F，，而此凸形曲面的外形弧度可藉由可透光黏合膠300的設置體積及圍牆部70之幾何尺寸進一步獲得控制。此外，如第22C圖所示，若將可透光黏合膠300的設置體積再進一步減少，則可獲得一具傾斜平面之傾斜側面33，如此製作出來之發光裝置可對應於第7A圖所示之發光裝置1F。

以上為依據本發明之第2較佳實施例的製造方法的說明。前述第1較佳實施例與第2較佳實施例皆為同時形成黏合層90與側面可透光結構30。接著將說明依據本發明之第3較佳實施例的製造方法，則將黏合層90與側面可透光結構30分別形成。其他與前述製造方法有部分相同或類似處，故該等部分之說明將適度地省略。

請參閱第23圖至第24圖所示，其為依據本發明之第3較佳實施例的製造方法的各步驟示意圖。如第23圖所示，先形成黏合層900於螢光膜片20’之第二表面22’上；再將複數個LED晶片10壓合至螢光膜片20’上之黏合層900上。其中，在螢光膜片20’之第二表面22’上所設置之黏合層900具有較小之厚度，或較高之黏度，因此，在壓合的過程中，黏合層900不易被擠壓至LED晶片10之四周圍，以形成側面可透光結構30。

接著，如第24圖所示，將一可透光材料，例如可透光黏合膠300，注入至LED晶片10之間的空隙，其中，可透光黏合膠300具有較低之黏度及良好的流動性，因此其可透過與LED晶片10的立面13之間的表面附著力往上攀爬，最終部分或完全覆蓋立面13。如此，透過可透光黏合膠300之設置可形成側面可透光結構30，且具有一傾斜側面33。接著，如第25圖所示，形成反射結構40以覆蓋傾斜側面33(可參閱第17圖所示製程步驟之相關說明)；最後如第26圖所示，進行切割以將彼此相連接之發光裝置分離，便可獲得複數個發光裝置1A(或其他類型的發光裝置)。其中，黏合層900可形成對應於第2圖所示發光裝置1A之黏合層90，可透光黏合膠300則可形成對應於發光裝置1A之側面可透光結構30。

綜合上述，本實施例中的發光裝置的製造方法可製造出各種具有傾斜側面之晶片反射結構的CSP發光裝置，且製造方法適用於批次式量產，以降低生產成本。

上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣，以及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍，本發明之權利保護範圍應以申請專利範圍為準。

Claims

一種發光裝置，包含：一覆晶式LED晶片，具有一上表面、相對於該上表面之一下表面、一立面及一電極組，該立面形成於該上表面與該下表面之間，該電極組設置於該下表面；一螢光結構，包含一第一表面、相對於該第一表面之一第二表面及一側面，該側面形成於該第一表面與該第二表面之間，而該第二表面設置於該覆晶式LED晶片上、且大於該上表面；一黏合層，設置於該覆晶式LED晶片之該上表面與該螢光結構之該第二表面之間；一側面可透光結構，設置於該覆晶式LED晶片之該立面外側及該螢光結構之該第二表面之下方，且包含相互連接的一傾斜側面及一側面，該側面可透光結構之該側面貼合至該覆晶式LED晶片之該立面，該傾斜側面係相對於該第二表面及該立面為傾斜、且連接至該立面；以及一反射結構，覆蓋該側面可透光結構之該傾斜側面。
如請求項1所述之發光裝置，其中，該螢光結構為一螢光層或一多層結構，其中該多層結構包含至少一螢光部及至少一透光部。
如請求項1所述之發光裝置，其中，該螢光結構包括一螢光層及一透鏡陣列層，該透鏡陣列層形成於該螢光層上。
如請求項1所述之發光裝置，其中，該側面可透光結構之該傾斜側面為一平面、一凸面或一凹面。
如請求項1至4任一項所述之發光裝置，其中，該側面可透光結構完整地覆蓋該覆晶式LED晶片之該立面。
如請求項1至4任一項所述之發光裝置，其中，該側面可透光結構部分地覆蓋該覆晶式LED晶片之該立面。
如請求項1所述之發光裝置，其中，該側面可透光結構係由包含一可透光膠樹脂之一材料所製成。
如請求項1所述之發光裝置，其中，該側面可透光結構係由包含一可透光樹脂之一材料所製成，該可透光樹脂包含一重量百分濃度不大於20%之光散射性微粒。
如請求項7或8所述之發光裝置，其中，該可透光樹脂為一低折射係數矽膠。
如請求項7或8所述之發光裝置，其中，該可透光樹脂為聚鄰苯二甲醯胺、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯、環氧樹脂、或矽膠；該光散射性微粒為二氧化鈦、氮化硼、二氧化矽或三氧化二鋁。
如請求項1所述之發光裝置，其中，該反射結構更覆蓋該螢光結構之該側面。
如請求項1所述之發光裝置，其中，該反射結構設置於該螢光結構之該第二表面之下方。
如請求項1所述之發光裝置，其中，該反射結構之一底面係向上傾斜。
如請求項11至13任一項所述之發光裝置，其中，而該反射結構係由包含一可透光樹脂之一材料所製成，該可透光樹脂包含一重量百分濃度不小於20%之光散射性微粒；其中，該可透光樹脂為聚鄰苯二甲醯胺、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯、環氧樹脂、或矽膠；該光散射性微粒為二氧化鈦、氮化硼、二氧化矽或三氧化二鋁。
如請求項1至4任一項所述之發光裝置，更包括一基板，該LED晶片及該反射結構設置於該基板上，而該LED晶片係電性連接至該基板。
一種發光裝置，包含：一覆晶式LED晶片，具有一上表面、相對於該上表面之一下表面、一立面及一電極組，該立面形成於該上表面與該下表面之間，該電極組設置於該下表面；一透光層，包含一第一表面、相對於該第一表面之一第二表面及一側面，該側面形成於該第一表面與該第二表面之間，而該第二表面設置於該覆晶式LED晶片之該上表面、且大於該上表面；一側面可透光結構，設置於該覆晶式LED晶片之該立面及該透光層之該第二表面之間，且包含相互連接的一傾斜側面及一側面，該側面可透光結構之該側面貼合至該覆晶式LED晶片之該立面，該傾斜側面係相對於該第二表面及該立面為傾斜、且連接至該立面；以及一反射結構，覆蓋該側面可透光結構之該傾斜側面。
一種發光裝置的製造方法，包含形成一可透光黏合膠至一膜片之一表面；將複數個覆晶式LED晶片壓合至該膜片，其中，該等覆晶式LED晶片之一上表面朝向該膜片之已設置有該可透光黏合膠之該表面；將該可透光黏合膠擠壓至該等覆晶式LED晶片之一立面與該膜片之該表面之間，以形成複數個側面可透光結構；固化該等側面可透光結構，其中該等側面可透光結構之每一個包含相對於該表面及該立面為傾斜的一傾斜側面；形成複數個反射結構，以分別覆蓋該等側面可透光結構之該等傾斜側面；以及切割該等反射結構。
如請求項17所述之發光裝置的製造方法，其中，形成該可透光黏合膠至該膜片之該表面更包含：將該可透光黏合膠連續地形成於該膜片之該表面。
如請求項17所述之發光裝置的製造方法，其中，形成該可透光黏合膠至該膜片之該表面更包含：將該可透光黏合膠分離地形成於該膜片之該表面。
如請求項19所述之發光裝置的製造方法，其中，該膜片之該表面形成有複數個圍牆部，而該可透光黏合膠形成於該等圍牆部中；當該可透光黏合膠被擠壓時，該可透光黏合膠接觸至該等圍牆部而被阻礙流動後形成隆起。
如請求項17至20任一項所述之發光裝置的製造方法，其中，將該等覆晶式LED晶片壓合至該膜片更包含：將該等覆晶式LED晶片先設置於一基材，再與該膜片相壓合。
如請求項17至20任一項所述之發光裝置的製造方法，其中，將該等覆晶式LED晶片壓合至該膜片前，該等覆晶式LED晶片之該立面及/或該膜片之該表面係經電漿表面處理。
如請求項17至20任一項所述之發光裝置的製造方法，其中，將該等覆晶式LED晶片壓合至該膜片係在一真空腔室內被壓合。
如請求項17至20任一項所述之發光裝置的製造方法，其中，該可透光黏合膠被擠壓至該等覆晶式LED晶片之該立面與該膜片之該表面之間，該可透光黏合膠係完整地覆蓋該等覆晶式LED晶片之該立面。
如請求項17至20任一項所述之發光裝置的製造方法，其中，該可透光黏合膠被擠壓至該等覆晶式LED晶片之該立面與該膜片之該表面之間，該可透光黏合膠係部分地覆蓋該等覆晶式LED晶片之該立面。
如請求項17至20任一項所述之發光裝置的製造方法，其中，形成該等反射結構更包含注入較少量之該等反射結構的製造材料，以形成具有複數個凹形底面之該等反射結構。
如請求項17至20任一項所述之發光裝置的製造方法，其中，切割該等反射結構時，一併切割該膜片。
如請求項17至20任一項所述之發光裝置的製造方法，其中，在形成該等反射結構之前，更包含：切割該膜片，以形成複數個發光結構，其中該等發光結構之每一個包含該側面可透光結構、更包含一螢光結構或一透光層；以及使該等發光結構之側面露出，且彼此相隔一距離；其中，於形成該等反射結構時，該等反射結構更分別覆蓋該等發光結構之該等側面。
如請求項17至20任一項所述之發光裝置的製造方法，其中，更包含將該發光裝置設置於一基板上，而該等覆晶式LED晶片係電性連接至該基板。
一種發光裝置的製造方法，包含：設置複數個覆晶式LED晶片於一膜片之一表面，其中該等覆晶式LED晶片之一上表面朝向該膜片之該表面；在該等覆晶式LED晶片之該等立面與該膜片之該表面之間，注入一可透光黏合膠，以形成複數個側面可透光結構，其中該等側面可透光結構之每一個包含相對於該表面及該立面為傾斜之一傾斜側面；固化該等側面可透光結構；形成複數個反射結構，以分別覆蓋該等側面可透光結構之該等傾斜側面；以及切割該等反射結構。
如請求項30所述之發光裝置的製造方法，其中，在填充該可透光黏合膠前，該等覆晶式LED晶片之該立面及/或該膜片之該表面係經電漿表面處理。
如請求項30或31所述之發光裝置的製造方法，其中，切割該等反射結構時，一併切割該膜片。
如請求項30或31所述之發光裝置的製造方法，其中，在形成該等反射結構之前，更包含：切割該膜片，以形成複數個發光結構，其中該等發光結構之每一個包含該側面可透光結構、更包含一螢光結構或一透光層；以及使該等發光結構之之側面露出，且彼此相隔一距離；其中，於形成該等反射結構時，該等反射結構更分別覆蓋該等發光結構之該等側面。