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TWI640029B - 基板處理系統及半導體製造系統 - Google Patents

基板處理系統及半導體製造系統 Download PDF

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TWI640029B
TWI640029B TW103133048A TW103133048A TWI640029B TW I640029 B TWI640029 B TW I640029B TW 103133048 A TW103133048 A TW 103133048A TW 103133048 A TW103133048 A TW 103133048A TW I640029 B TWI640029 B TW I640029B
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TW
Taiwan
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leds
substrate processing
plasma source
chamber
substrate
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Application number
TW103133048A
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TW201521079A (zh
Inventor
戴希繆克沙布哈許
強生喬瑟夫
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
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Publication date
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    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
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    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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Abstract

一種經配置以從基板的表面並從基板處理腔室的內部移除金屬蝕刻副產物的設備。電漿與固態光源(如LED)結合用以脫附金屬蝕刻副產物。接著可從腔室移除被脫附的副產物。

Description

基板處理系統及半導體製造系統 【交互參照之相關申請案】
本申請案依照專利法主張2013年10月3日所申請之名稱為「LED BASED OPTICAL SOURCE COUPLED WITH PLASMA SOURCE」的美國臨時申請案第61/886,521號；及2013年10月7日所申請之名稱為「APPARATUS FOR ETCHING SUBSTRATES PRODUCING NON-VOLATILE BYPRODUCTS USING COMBINATION OF PLASMA AND LED SOURCES」的美國臨時申請案第61/887,830號；及2014年5月29日所申請之名稱為「LED BASED OPTICAL SOURCE COUPLED WITH PLASMA SOURCE」的美國非臨時申請案第14/290,856號的優先權權益，該等美國專利申請案的整體內容係以引用形式併入本文。
本發明係有關於與電漿源耦合之LED型光源。
在半導體元件中使用諸如銅及鈷等金屬作為導電性互連材料是有利的，因為該等金屬能達到高導電性及電路速度。另一方面，此類金屬難以圖案化。有鑒於此，使用鑲嵌 法(damascene)及雙鑲嵌法處理技術形成迄今仍為優越的銅互連引線，從而在基板(如用於形成半導體元件的半導體基板)上的介電層中形成開口。將銅沉積在介電層上並沉積在開口內。研磨/平坦化從介電質上方移除銅，留下嵌入開口內的銅。以此方式，光微影術的負擔從銅轉移至更易控制的介電層。嵌入的銅包括上表面，所述上表面基本上與其中形成有銅之經圖案化介電層的頂表面共平面。
減法式金屬蝕刻(subtractive metal etching)為鑲嵌法製程流的替代方案。沉積鄰接的金屬層，並接著圖案化所述金屬層以形成水平的電性互連。被用來進行減法式金屬蝕刻的一個製程使用電漿。電漿選擇性地移除金屬，然而，電漿可能在基板上還有在處理腔室內重新沉積含金屬殘留物。此類殘留物可為難以移除，且此類殘留物可能具有對半導體元件和腔室有害的影響。
茲描述從基板還有從蝕刻製程腔室的內部表面移除蝕刻殘留物的方法。電漿處理可將基板上的金屬轉型為金屬副產物，金屬副產物沉積於晶圓上也沉積於蝕刻製程腔室的內部表面上。可使用發光二極體在相對低溫下脫附(desorb)金屬副產物，使金屬副產物可從基板及蝕刻製程腔室被移除。
為了更佳地了解本發明的性質及優點，應參照以下說明書及隨附圖式。然而，應了解到，各圖僅為了解說的目的而提供，且不欲定義為本發明之範疇的限制。
100‧‧‧基板處理系統
105‧‧‧基板處理區
110‧‧‧腔室壁
112‧‧‧視窗
115‧‧‧基板支撐件
120‧‧‧基板
125‧‧‧氣體遞送系統
130‧‧‧電漿源
135‧‧‧LED
140‧‧‧偏壓系統
205‧‧‧主時脈
210‧‧‧RF電漿源
215‧‧‧DC偏壓
220‧‧‧UV LED
T1~T7‧‧‧時間
1001‧‧‧蝕刻製程腔室
1012‧‧‧感應線圈
1014‧‧‧基板
1016‧‧‧支座
1018‧‧‧RF源
1019‧‧‧匹配網路
1020‧‧‧圓頂
1022‧‧‧RF源
1024‧‧‧匹配網路
1026‧‧‧輸入埠
1027‧‧‧節流閥
1030‧‧‧腔室壁
1034‧‧‧接地
1036‧‧‧真空泵
1038‧‧‧氣體操縱系統(氣體面板)
1040‧‧‧控制器
1042‧‧‧記憶體
1044‧‧‧CPU
1046‧‧‧支援電路
1048‧‧‧氦源
1050‧‧‧氣態混合物
1052‧‧‧電漿
1101‧‧‧處理系統
1102‧‧‧負載鎖定腔室
1104‧‧‧負載鎖定腔室
1110‧‧‧第一機械手臂
1112‧‧‧處理腔室
1114‧‧‧處理腔室
1116‧‧‧處理腔室
1118‧‧‧處理腔室
1122‧‧‧傳遞腔室
1124‧‧‧傳遞腔室
1130‧‧‧第二機械手臂
1132‧‧‧處理腔室
1134‧‧‧處理腔室
1136‧‧‧處理腔室
1138‧‧‧處理腔室
1155‧‧‧氣體操縱系統
1157‧‧‧系統控制器
第1圖為根據某些實施例之範例基板處理系統；第2圖為根據某些實施例之供基板處理系統所用的脈衝式處理順序的範例；第3圖為蝕刻製程腔室的示意圖，該蝕刻製程腔室可用於執行根據某些實施例的製程；以及第4圖為示範性多腔室基板處理系統的示意頂視圖，該示範性多腔室基板處理系統可用於執行根據某些實施例的製程。
在附圖中，相似的部件及/或特徵結構可具有相同的元件符號。進而，同類的多個部件可透過在元件符號後加上一破折號以及第二符號(該符號區別類似部件)加以區別。倘若在說明書中僅用第一元件符號，該敘述內容可應用至具有相同第一元件符號(無論第二元件符號為何)的類似部件之任一者。
本發明的某些實施例有關於對半導體元件的製造而言有幫助的設備。儘管本發明對生產許多種半導體元件有幫助，本發明的某些實施例對生產具有金屬層的半導體元件特別有幫助，所述金屬層以電漿製程進行減法式圖案化(subtractively pattern)，如下文描述更多細節。然而，應了解到，也可利用此類製程以減法式圖案化非金屬層並移除後續殘留物。
第1圖繪示可於實施例中利用的基板處理系統100之範例。基板處理系統100具有由一或多個腔室壁110所圍 繞的基板處理區105。在一個實施例中，至少一個腔室壁110為視窗112。基板支撐件115設置於基板處理腔室內，並經配置以於基板處理操作期間在基板處理區105中支撐基板120。可使用氣體遞送系統125將一或多種製程氣體傳遞至基板處理區105。感應耦合式電漿源130可在基板處理腔室內形成電漿。在某些實施例中，電漿源為遠端電漿源，而在其它實施例中，電漿源為原位電漿源。在進一步的實施例中，電漿源可為環形電漿源。複數個LED 135可安置於基板處理腔室外部，並經配置以發射輻射透過視窗112進入基板處理腔室內。可安置基板支撐件115，使基板支撐件115直接相對於LED 135，並接近地與LED 135隔開。控制器可耦接電漿源及複數個LED 135。控制器經配置以依序脈衝電漿源及複數個LED 135。
在某些實施例中，偏壓系統140經配置以在基板120與電極之間施加偏壓。在進一步的實施例中，可使用DC或RF偏壓。在某些實施例中，控制器可依序脈衝電漿源、LED及偏壓系統140。可使用多種脈衝順序，包括，但不限於以下範例。應了解到，不僅可改變脈衝的順序，也可改變脈衝持續時間、功率及頻率。在一個實施例中，藉由脈衝所述三種源，可產生七種不同的製程條件：
1.脈衝電漿
2.脈衝DC偏壓
3.脈衝LED能量
4.電漿+DC偏壓(RIE)
5. DC偏壓+LED能量
6. 電漿+LED能量(調節電漿/改變製程氣體)
7. 電漿+DC偏壓+LED能量(LED輔助式反應性離子蝕刻(RIE))這七種製程條件提供了對處理非揮發性殘留物的新穎解決方案。可改變脈衝的持續時間、波幅及/或次序，以達到上列各製程條件的不同長度及大小。可脈衝或可持續操作各來源。也可導入氣體，且可藉由來自LED的UV光預先處理氣體。
複數個LED可呈現多種配置方式。在某些實施例中，波長可在UV、DUV或EUV範圍中。其它實施例可具有不同的波長。在一個實施例中，目標波長可為455nm，因此可使用60nm至500nm的範圍。就利用來蝕刻銅的實施例而言，可使用在100W/m2至1,000,000W/m2之範圍中的功率密度。在某些實施例中，可使用365nm之波長及汞弧燈(mercury arc lamp)。在進一步的實施例中，可使用100,000W/m2或更大的功率密度。在某些實施例中，為了控制LED的功率，可監控輸入電流及/或電壓。在其它實施例中，可使用個別的遠端功率感應器。
在某些實施例中，可設置一或多個光導管，使所述光導管至少部份位於LED與視窗之間。可用光導管將光能從LED導向視窗。在進一步的實施例中，可在介於LED與基板之間的光路徑中設置一或多個透鏡。可用透鏡聚焦或散射LED光。在一個實施例中，視窗不存在且LED位於腔室內。 在其它實施例中，可在單一基板處理系統中利用不同波長及/或功率的LED。在一個實施例中，可將具有第一波長及功率的LED用於一個化學反應，同時將具有第二波長及功率的LED用於分開的化學反應。在其它實施例中，可使用某些LED來增進與基板相鄰之電漿區域中的反應，同時可使用其它LED來增進腔室壁上、視窗或腔室內之不同區域的反應。在進一步的實施例中，LED熱管理系統可經配置以控制複數個LED的溫度。在一個實施例中，可將LED維持在低於攝氏100度。
本發明的實施例包括清潔及/或防止殘留物在基板處理腔室的視窗上增厚之方法。在某些實施例中，可使用氣體注射器將惰性氣體流過視窗。在其它實施例中，可在第一局部電漿期間，將介電視窗的內部表面上之殘留物轉型成鹵素銅層(copper halogen layer)。可在第一局部電漿之後發生的第二局部電漿期間，鹵素銅層可作為被脫附物種而從介電視窗脫附。在某些實施例中，可將視窗維持在特定溫度，以減少或防止殘留物增厚。在一個實施例中，可將視窗的溫度維持在將近攝氏65度。也可使用數種其它方法來清潔及/或防止視窗上的殘留物。
在某些實施例中，基板處理系統可能量化特定前驅物、製程氣體及化學物質。藉由使用固態源(solid state source，SSS)(例如，LED、雷射二極體等等)的單色特性，腔室可用於將解離能量導向某些鍵結，以在針對後續製程的製備中破壞所述鍵結。在另一個實施例中，個別的源(電漿源、 熱源等等)可解離鍵結，而來自固態源(如LED)的單色光可傳遞能量至經解離的反應物，所述單色光處在經解離的反應物之峰值吸光度(peak absorbance)的波長下。
由於產業朝向具有異類材料(exotic material)及介面的單位數奈米尺寸特徵結構發展，以先進的化學物質進行的製程可能增加對更精確控制氣相反應、副產物及表面反應的需求。在某些實施例中，可藉由選擇SSS並使用特定波長，以「訂製(tailor)」或僅誘發能在反應器內達成最佳控制的期望反應，以對特定化學物質調節基板處理系統。
以下顯示一些範例反應及製程。應了解這些反應及製程僅是範例，且本發明並不受這些範例的限制：
1. Cl2+Cu→CuCl2或CuCl。
接著，CuCl2或CuCl+UV→Cu3Cl3(CuCl的更具揮發性物種)
2. Cu(固態)+H2(氣態)→CuH(氣態)--或--Cu(固態)+H2(氣態)+UV→CuH(氣態)。UV給予更多能量，以協助製造更多H+，來產生CuH。
3. 涉及Cl2+H2+UV的2步驟處理：
a. Cl2+Cu→CuCl2或CuCl。
b. 接著表面清潔。CuCl2+H2→CuH+CuxClx-及/或-CuCl+H2→CuH+CuxClx。可加入UV以產生更多揮發性物種CuxClx。
4. O2電漿+H2O2(過氧化氫)+hfac(六氟戊二酮)/C2H5OH。以類似的方式，已用hfac及O2蝕刻Cu：可根據以下反應選項蝕刻Cu(I)物種及Cu(II)物種二者：
a. 選項1：2Cu(固態)+O→Cu2O(固態)。接著，Cu2O+2H(hfac)(氣態)→Cu(固態)+Cu(hfac)2(氣態)+H2O(氣態)。
b. 選項2：Cu(固態)+O→CuO(固態)。接著， CuO+2H(hfac)(氣態)→Cu(hfac)2(氣態)+H2O(氣態)。在某些實施例中，使用UV能量可起到將這些化合物較快揮發成氣態並清潔表面的作用。在進一步的實施例中，O2也可產生有幫助的保護層(鈍化層)。
5. HCl+C2H2：研究已顯示H2及Cl可蝕刻Cu。在某些實施例中，可透過HCL加入H2及Cl二者。有機物C2H2的加入可導致較高的CuH形成。在進一步的實施例中，碳也可產生供銅所用之有利的保護層。
a. 範例反應可為：Cu(固態)+HCl(氣態)+C2H2(氣態)→CuH+CuxClx+Cx(某些形式的含碳物種)
6. 二階段反應：
a. 氧化反應
i. 2Cu(固態)+H2O2(氣態)→Cu2O(固態)+H2O(氣態)及/或ii. Cu(固態)+H2O2(氣態)→CuO(固態)+H2O(氣態)
b.後續反應
i. Cu2O(固態)+2hfacH(氣態)→Cu(固態)+Cu(hfac)2(氣態)+H2O(氣態)，及/或ii. CuO(固態)+2hfacH(氣態)→Cu(hfac)2(氣態)+H2O(氣態)在其它實施例中，蝕刻劑氣體可包含鹵化物、氧化劑及/或氫化物。在進一步的實施例中，任何這些範例反應可使用鈷取代銅。在更進一步的實施例中，可使用其它金屬。在其它實施例中，也可在低溫及高溫下(攝氏-50至350度)實施任何這些範例反應。
取決於所涉及的化學物質，在氣體前驅物存在下照射表面可藉由熱或其它手段增進化學反應的速率。舉例而言，光可激發氣相分子、被吸附的分子，或甚至激發基板，以增進表面上的化學反應。為了增進反應速率，可選擇LED的波長，以藉由，例如，選用能與分子電子轉換(molecular electronic transition)共振的波長，來改良期望的膜製程。也可選用波長來增進基板對輻射的吸收，從而更有效率地加熱基板。
在進一步的實施例中，基板處理系統可與現有的電漿系反應器結合，基板處理系統也可併入電漿腔室中。在某些實施例中，基板處理系統可由以下任何組合所構成，但不應受限於以下組合：
1. LED源，可為脈衝式或連續式，以解離製程氣體。此LED 源可為具有介於100nm與2000nm間之波長的單色LED源，或此LED源可由多重波長構成。
2. 用以控制晶圓的表面溫度之源。此源可包括以傳導式加熱的支座、光源(SSS或傳統光源)或電阻式加熱。可使用LED熱源，以能量脈衝或連續式加熱的方式來加熱晶圓表面。
3. 脈衝式或連續式源，以在製程氣體被解離後能量化製程氣體。此源可為具有介於100nm與2000nm間之波長的單色源，或此源可由多重波長構成。
4. 脈衝式或連續式電漿源，以範圍自100W至2000W的偏壓功率、1MHz至60MHz的偏壓頻率及10%至90%的工作週期(duty cycle)來解離製程氣體。
5. 脈衝式或連續式氣體供應系統。在某些實施例中，可以脈衝式供應個別氣體或氣體組合。在進一步的實施例中，可連續供應個別氣體或氣體組合，而在進一步的實施例中，可連續供應某些氣體，同時以脈衝式供應其它氣體。在進一步的實施例中，可在相同腔室中使用多重LED源，以達成各種功能，如加熱晶圓、加熱腔室壁、解離前驅物、激發反應物或副產物，還有腔室管理或其它製程。因此，可將多重LED及其它源安置於腔室中的多個位置。
因此，在某些實施例中，可使用結合電漿源(ICP、CCP、遠端或微波)、加熱源(LED或習用的)及能精細控制製 程氣體反應之新式SSS的基板處理系統。此類系統能更精細地控制未來的技術節點所期望之先進應用。
第2圖繪示合併了脈衝式RF電漿源210、脈衝式DC偏壓215及脈衝式UV LED 220的處理系統之示範實施例。其它實施例可具有其它配置。可使用主時脈205來同步多種系統的脈衝。在時間T1處，主時脈205開始一脈衝。在時間T2處，開啟RF電漿源210，在腔室內活化電漿並蝕刻基板表面。在時間T3處，開啟DC偏壓215，在基板與電極之間提供DC偏壓。因此，在時間T2與T3之間，發生電漿暫態，而基板暴露於電漿。在時間T4處，開啟UV LED 220。因此，在時間T3與T4之間，基板暴露於以經DC偏壓電漿進行之反應性離子蝕刻(RIE)。在時間T5處，關閉RF電漿210。因此，在時間T4與T5之間，發生UV電漿蝕刻處理。在時間T6處，關閉DC偏壓215。因此，在時間T5與T6之間，發生利用UV LED及DC偏壓進行的殘留物處理。在時間T7處，關閉UV LED脈衝220。因此，在時間T6與T7之間，發生利用UV LED 220進行的殘留物處理。可調節任何脈衝的波幅，以最佳化製程。可改變任何脈衝的重疊、延遲及順序，以進一步最佳化製程。
第3圖描繪可於實施例中使用的蝕刻製程腔室1001之範例的示意圖。蝕刻製程腔室1001可被併入參照第4圖於後文描述的基板處理系統1101內。範例蝕刻製程腔室1001也可稱為去耦合-電漿源腔室或DPS腔室。蝕刻製程腔室1001可包括感應線圈1012，感應線圈1012可位於介電的圓頂型天 花板1020(在本文中稱為圓頂1020)外部。其它腔室可具有其它型態的天花板，例如，扁平的天花板。感應線圈1012可耦接射頻(RF)源1018(RF源1018通常能產生具有可調節頻率之RF訊號)。RF源1018可經由匹配網路1019耦接感應線圈1012。蝕刻製程腔室1001可包括耦接第二RF源1022的基板支撐支座(陰極)1016，第二RF源1022通常能產生RF訊號。RF源1022可經由匹配網路1024耦接支座1016。蝕刻製程腔室1001也可含有導電腔室壁1030，腔室壁1030可連接電性接地1034。在其它實施例中，製程腔室1001可利用DC偏壓網路。製程腔室1001的進一步實施例可使用諸如環形源、位在壁1030周圍的感應線圈或其它配置等其它變形來產生電漿。包括有中央處理單元(CPU)1044、記憶體1042及供CPU 1044所用的支援電路1046之控制器1040可耦接蝕刻製程腔室1001的多個部件，以有助於控制蝕刻製程。
在操作中，可將半導體基板1014置放在支座1016上，並透過(多個)輸入埠1026將氣態成分從氣體操縱系統1038供應至蝕刻製程腔室1001，以形成氣態混合物1050。可藉由將RF功率從RF源1018及1022分別施加至感應線圈1012及支座1016，以在蝕刻製程腔室1001中將氣態混合物1050點燃成電漿1052。可使用節流閥1027來控制蝕刻製程腔室1001內部的壓力，節流閥1027坐落於蝕刻製程腔室1001與真空泵1036之間。可使用位於蝕刻製程腔室1001的腔室壁1030中之含液體導管(未繪示)來控制腔室壁1030的表面處之溫度。也可使用循環的液體或其它手段來控制圓頂1020的 表面處之溫度。
可藉由穩定支座1016的溫度，並將氦氣從氦源1048流至形成於基板1014的背部之通道及支座表面上的溝槽(未繪示)，來控制基板1014的溫度。氦氣被用來促進支座1016與基板1014之間的熱傳導。在蝕刻製程期間，可藉由支座內的電阻式加熱器將基板1014加熱至穩態溫度，且氦對基板1014的均勻加熱有幫助。使用圓頂1020及支座1016二者的熱控制，可將基板1014維持在介於約-200℃與約500℃之間的溫度下。
第4圖為說明性多腔室處理系統1101的概要頂視圖。處理系統1101可包括一或多個負載鎖定腔室1102、1104用於傳遞基板進出處理系統1101。典型地，既然處理系統1101處在真空下，負載鎖定腔室1102、1104可對導入處理系統1101的基板「抽氣(pump down)」。第一機械手臂1110可在負載鎖定腔室1102、1104及第一組一或多個基板處理腔室1112、1114、1116、1118(圖中繪示四個)之間傳遞基板。各處理腔室1112、1114、1116、1118可經配置以進行數種基板處理操作，包括本文所述之乾式蝕刻製程，還有循環層沉積(CLD)、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、蝕刻、預清潔、脫氣(degas)、定位及其它基板製程。
第一機械手臂1110也可傳遞基板進/出一或多個傳遞腔室1122、1124。傳遞腔室1122、1124可用以在容許基板於處理系統1101內傳遞的同時維持超高真空環境。第二機械手臂1130可在傳遞腔室1122、1124及第二組一或多個處理 腔室1132、1134、1136、1138之間傳遞基板。類似於處理腔室1112、1114、1116、1118，處理腔室1132、1134、1136、1138可經配置以進行數種基板處理操作，包括本文所述之UV LED蝕刻製程，還有，例如，循環層沉積(CLD)、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、蝕刻、預清潔、脫氣(degas)及定位。若對於處理系統1101所進行的特定製程而言非必需的話，可自處理系統1101移去基板處理腔室1112、1114、1116、1118、1132、1134、1136、1138中的任何腔室。可將用以執行本文所述之方法的銅蝕刻處理腔室安裝在任何一或多個基板處理腔室位置。
系統控制器1157可用於控制馬達、閥、流量控制器、電源供應器以及其它執行本文所述製程配方所需要的功能。系統控制器1157可仰賴來自光學感測器的反饋，以確定並且調整可移動的機構組件之位置。機構組件可包括機械手臂、節流閥及基座，前述部件可在系統控制器1157的控制下由馬達移動。氣體操縱系統1155可用於在本文所描述之方法期間的多個階段傳遞含鹵素前驅物及惰性物種。
在示範性實施例中，系統控制器1157包括硬碟機(記憶體)、USB埠、軟碟機及處理器。系統控制器1157包括類比及數位輸入/輸出板、介面板及步進馬達控制板。含有處理腔室400的多重腔室處理系統1101之各種部件受到系統控制器1157之控制。系統控制器執行系統控制軟體，系統控制軟體以電腦程式之形式儲存在諸如硬碟、軟碟或快閃記憶體隨身碟等電腦可讀媒體上。也可使用其它形式的記憶體。電腦 程式包括指令集，該等指令集指示時點(timing)、氣體混合、腔室壓力、腔室溫度、RF功率位準、基座位置及特定製程的其它參數。
可使用由控制器執行的電腦程式產品來實施用於在基板上蝕刻、沉積或其它方式處理膜的製程，或者實施用於清潔腔室的製程。電腦程式編碼可以任何習知電腦可讀的程式語言撰寫，例如68000組合語言、C、C++、Pascal、Fortran或其它程式語言。使用習知的文字編輯器將適合的程式編碼輸入單一檔案或多重檔案，並且儲存於電腦可使用媒體(如電腦的記憶體系統)或由電腦可使用媒體實施。倘若輸入的編碼文字是高階語言，則編譯編碼，而所得的編譯程序編碼隨後與預先編譯的Microsoft Windows®函式庫常式之目的碼連結。為了執行該連結、編譯的目的碼，系統使用者援用該目的碼，使電腦系統載入記憶體中的編碼。CPU隨後讀取並且執行該編碼，以進行程式中辨識的任務。
使用者與控制器之間的介面可為透過接觸感應顯示器，亦可包括滑鼠及鍵盤。在使用兩個顯示器的一個實施例中，一個顯示器安裝在清潔室壁以供操作者使用，且另一個顯示器在壁後以供維修技術人員使用。兩個顯示器可同步顯示相同資訊，在這樣的實例中，一次僅有一個顯示器被配置成接受輸入。為了選擇特定的螢幕或功能，操作者以手指或滑鼠接觸顯示螢幕上的指定區域。被接觸的區域改變該區域的強調色彩，或顯示新的選單或螢幕，確認操作者的選擇。
已在此揭示數個實施例，發明所屬技術領域中具有 通常知識者應知可使用多種修飾例、替代架構與等效例而不背離本文揭露的實施例的精神。此外，說明書中不對多種習知製程與元件做說明，以避免不必要地混淆了本發明。因此，上述說明不應被視為對本發明範疇之限制。
當提供一範圍的數值時，除非文本中另外清楚指明，應知亦具體揭示介於該範圍的上下限值之間各個區間值至下限值單位的十分之一。亦涵蓋了所陳述數值或陳述範圍中之區間值以及與陳述範圍中任何另一陳述數值或區間值之間的每個較小範圍。該等較小範圍的上限值與下限值可獨立包含或排除於該範圍中，且各範圍(其中，在該較小範圍內包含任一個極限值、包含兩個極限值，或不含極限值)皆被本發明內所陳述之範圍涵蓋，除非在該陳述的範圍中有特別排除之限制。在所陳述之範圍包括極限值的一者或兩者之處，該範圍也包括該些排除其中任一者或兩者被包括的極限值的範圍。
如本文及隨附申請專利範圍中所使用，除非本文另有明確指定，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」包括複數指示物。因此，例如，參照「一製程」包括複數個該等製程，且參照「該介電材料」包括參照一或多種介電材料及熟習此項技術者熟知之該一或多種介電材料之等效物，等等。
同樣，申請人希望此說明書與以下申請專利範圍中所用的「包含(comprise)」與「包括(include)」等用語是指存在所陳述之特徵、整體、部件或步驟，但該等用語不排除存 在或增加一或多種其他特徵、整體、部件、步驟、動作或群組。

Claims (19)

  1. 一種基板處理系統，包含：一基板處理腔室，該基板處理腔室具有由一或多個腔室壁圍繞之一基板處理區；一基板支撐件，經配置以在一基板處理操作期間於該基板處理區中支撐一基板；一氣體遞送系統，經配置以傳遞一或多種製程氣體至該基板處理區；一電漿源，操作性地耦接該基板處理腔室；一視窗，位在該一或多個腔室壁中的一個腔室壁上；複數個LED，位在該基板處理腔室的外部，並經配置以發射UV輻射經過該視窗進入該腔室，或位在該基板處理腔室的內部；以及一控制器，操作性地耦接該電漿源及該複數個LED，該控制器經配置以產生一系列的脈衝用於該電漿源和一系列的脈衝用於該複數個LED，其中，在各時脈週期(clock period)中，用於該複數個LED之一脈衝的一起點係在用於該電漿源之一脈衝的期間，且用於該複數個LED之該脈衝的一終點係在用於該電漿源之該脈衝之後。
  2. 如請求項1所述之基板處理系統，進一步包含：一偏壓系統，經配置以於該基板與一電極之間施加一偏壓。
  3. 如請求項2所述之基板處理系統，其中該控制器經進一步配置以產生一系列的脈衝用於該偏壓系統，且其中，在各時脈週期中，用於該偏壓系統之一脈衝的一終點係在用於該電漿源之該脈衝之後，但在用於該複數個LED之該脈衝的該終點之前。
  4. 如請求項1所述之基板處理系統，進一步包含：多個光導管，經設置而至少部份位於該複數個LED與該視窗之間，該等光導管經配置以自該複數個LED導引光至該視窗。
  5. 如請求項1所述之基板處理系統，進一步包含：一透鏡，設置於該複數個LED與該基板支撐件之間，該透鏡經配置以聚焦或散射來自該複數個LED的光能量。
  6. 如請求項1所述之基板處理系統，其中該複數個LED包含：具有一第一波長之一第一組LED，及具有一第二波長之一第二組LED，該第一波長與該第二波長相異。
  7. 如請求項1所述之基板處理系統，其中該基板支撐件經安置而直接相對於該複數個LED。
  8. 如請求項1所述之基板處理系統，進一步包含：一LED熱管理系統，經配置以控制該複數個LED之溫度。
  9. 如請求項1所述之基板處理系統，進一步包含：一氣體注射器，經配置以將一惰性氣體流過該視窗。
  10. 如請求項1所述之基板處理系統，其中該電漿源係一遠端電漿源。
  11. 如請求項1所述之基板處理系統，其中該電漿源係一原位電漿源。
  12. 如請求項1所述之基板處理系統，其中該複數個LED係位於該基板處理腔室內。
  13. 一種半導體製造系統，經配置以蝕刻一半導體基板，該系統包含：一半導體基板處理區，由複數個壁圍繞；一視窗，設置於該複數個壁中的一個壁中；複數個LED，設置於該半導體基板處理區的外部，該複數個LED經配置以發射UV輻射經過該視窗進入該半導體基板處理區；一電漿源，經配置以在該半導體基板處理區中形成一電漿；以及一控制器，耦接該電漿源及該複數個LED，該控制器經配置以產生一系列的脈衝用於該電漿源和一系列的脈衝用於該複數個LED，其中，在各時脈週期(clock period)中，用於 該複數個LED之一脈衝的一起點係在用於該電漿源之一脈衝的期間，且用於該複數個LED之該脈衝的一終點係在用於該電漿源之該脈衝之後。
  14. 如請求項13所述之半導體製造系統，進一步包含：一感測器，經配置以監控該複數個LED之功率、電流或電壓中之至少一者。
  15. 如請求項13所述之半導體製造系統，進一步包含：多個光導管，經設置而至少部份位於該複數個LED與該視窗之間，該等光導管經配置以自該複數個LED導引該UV輻射至該視窗。
  16. 如請求項13所述之半導體製造系統，進一步包含：一透鏡，設置於該複數個LED與該半導體基板處理區之間，該透鏡經配置以聚焦或散射該UV輻射。
  17. 如請求項13所述之半導體製造系統，其中該複數個LED包含：具有一第一波長之一第一組LED，及具有一第二波長之一第二組LED，該第一波長與該第二波長相異。
  18. 如請求項13所述之半導體製造系統，其中該複數個LED具有介於60nm與500nm之間的一波長。
  19. 如請求項13所述之半導體製造系統，其中該複數個LED具有365nm之一波長。
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