TWI535815B - 暫時固定劑及基材之加工方法 - Google Patents

Description

暫時固定劑及基材之加工方法

本發明係關於暫時固定劑及基材之加工方法，尤關於將基材加工時用於將該基材暫時固定在支持基材時使用之暫時固定劑、及使用該暫時固定劑之基材之加工方法。

本申請案基於2010年12月14日在日本提申的日本特願2010-278687號及日本特願2010-278678號主張優先権，其內容在此援用。

對於半導體晶圓進行研磨或蝕刻等加工時，需要將半導體晶圓暫時地固定在支持半導體晶圓用的基材上，已有人提出使用的各種方法。例如：現在已有許多用於將半導體晶圓固定在於當做基材之PET膜設有黏接層而得之固定用膜上的方法。

該方法，若合併研削使用之一般的背面研磨機器之研削精度(約1μm)、與用於固定半導體晶圓之一般的背面研磨(BG)貼帶的厚度精度(約5μm)，會超過要求的厚度精度，而造成經研削的晶圓的厚度有不齊一的情形。

又，將在矽穿孔(Through Silicon Via)使用之半導體晶圓加工的情形，係以附著著BG貼帶的狀態形成貫孔或膜，但此時溫度即使低也會達到約150℃，會造成BG貼帶之黏着力提高。又，會由於用於形成膜之鍍敷的藥液而侵蝕BG貼帶之黏接層，而發生剝離。

又，以化合物半導體為代表之脆弱的半導體晶圓，有時會由於機械性研削而受到損害，所以會以蝕刻進行薄化。於該蝕刻時， 若為以去除應力為目的之程度的蝕刻量則無特別的問題，但若蝕刻數μm時，有時會由於蝕刻藥液造成BG貼帶變質。

另一方面，近年來開始逐漸採用將半導體晶圓隔著固定材料而固定於表面平滑之支持基材的方法。

例如：以去除應力為目的進行蝕刻時，需要加熱到高溫，但是PET膜無法耐受如此的高溫。於如此的情形，宜應用使用支持基材之方法。

有人提出使用於高溫會軟化而能輕易從半導體晶圓脫離之固定材料，當做基材(半導體晶圓)固定於支持基材之固定材料(例如參照專利文獻1)，或會由於特定藥液而溶解之固定材料(例如：參照專利文獻2)。

但是該等之中，前者需要是具有在加工半導體晶圓時不會軟化之熔融溫度的固定材料，結果，半導體晶圓脫離時，必需將半導體晶圓暴露於比起在其加工時更高溫。所以，加工後之半導體晶圓會有變質、劣化之虞。

又，使用前者之固定材料進行半導體晶圓加工時，要求：當半導體晶圓加工時，會牢固地固定在支持基材上，於半導體晶圓脫離時，能輕易地從支持基材脫離。但現狀尚未找出使用如此的固定材料的半導體晶圓之加工方法。

再者，後者需要以固定材料均勻接觸藥液之方式將支持基材加工。所以，無法對於賦予支持基材足夠強度，且半導體晶圓加工時，半導體晶圓及支持基材會有破損之虞。

又，該問題不限於半導體晶圓之加工，針對於以隔著固定構 件固定於支持基材之狀態實施加工的各種基材也同樣會發生。

【先前技術文獻】 【專利文獻】

【專利文獻1】日本特表2010-531385號公報

【專利文獻2】日本特開2005-191550號公報

本發明之目的在於提供一種暫時固定劑，其能減少對於基材之損害並且同時能進行高精度之加工，且加工後能於低的加熱溫度輕易地進行基材從支持基材之脫離；並提供使用該暫時固定劑之基材之加工方法。

本發明之另一目的在於提供一種基材之加工方法，係於將基材暫時固定於支持基材上並進行基材加工時，能將基材牢固地暫時固定於支持基材上，且於加工後從支持基材使基材脫離時，能夠輕易地使基材從支持基材脫離。

如上的目的可利用下列(1)~(20)之本發明達成。

(1)一種暫時固定劑，其係用於在為了加工基材時將前述基材暫時固定於支持基材，並於前述基材之加工後，藉由於照射活性能量射線後進行加熱，而將前述基材從前述支持基材脫離而使用；

其特徵為：照射前述活性能量射線後，於180℃之熔融黏度為0.01~100Pa．s。

(2)如(1)之暫時固定劑，其中，前述活性能量射線之照射係將波長365mm之光照射2000mJ/cm²以進行。

(3)如(1)或(2)之暫時固定劑，其中，於照射前述活性能量射線前，在180℃之熔融黏度為100~10000Pa．s。

(4)如(1)至(3)項中任一項之暫時固定劑，其中，當照射前述活性能量射線前於180℃之熔融黏度定為A[Pa．s]，且照射前述活性能量射線後於180℃之熔融黏度定為B[Pa．s]時，滿足A/B為10~10000之關係。

(5)如(1)至(4)項中任一項之暫時固定劑，其係藉由於照射前述活性能量射線後進行加熱，使前述暫時固定劑成為熔融狀態，並藉此使前述基材從前述支持基材脫離。

(6)如(1)至(5)項中任一項之暫時固定劑，其中照射前述活性能量射線後，50%重量減少溫度為260℃以上。

(7)如(1)至(6)項中任一項之暫時固定劑，其係由包含以下成分的樹脂組成物構成：於酸或鹼存在下因為加熱而熔融黏度降低之樹脂成分；及因為前述活性能量射線之照射而產生酸或鹼之活性劑。

(8)如(7)之暫時固定劑，其中，前述樹脂成分為聚碳酸酯系樹脂。

(9)如(8)之暫時固定劑，其中，前述聚碳酸酯系樹脂係在碳酸酯構成單元中至少包含2個環狀體而成者。

(10)一種基材之加工方法，其特徵為包含以下步驟：第1步驟，將由如(1)至(9)項中任一項之暫時固定劑構成之薄膜形成於前述基材及前述支持基材至少其中之一； 第2步驟，隔著前述薄膜而將前述基材與前述支持基材予以貼合；第3步驟，將前述基材當中之與前述支持基材為相反側之面進行加工；第4步驟，對於前述薄膜照射前述活性能量射線後，將前述薄膜加熱而使成為熔融狀態，藉此使前述基材從前述支持基材脫離；第5步驟，洗滌殘存於前述基材之前述薄膜。

(11)如(10)之基材之加工方法，其中，前述支持基材係具有透光性者。

(12)一種基材之加工方法，其特徵為：包含以下步驟：第1步驟，利用加熱進行熱分解，而使由包含熔融或氣化之樹脂成分的樹脂組成物構成之暫時固定劑對於基材及支持基材至少其中之一者供給之後使乾燥而形成薄膜；第2步驟，隔著前述薄膜將前述基材與前述支持基材予以貼合；第3步驟，將前述基材當中之與前述支持基材為相反側之面進行加工；第4步驟，對於前述薄膜照射活性能量射線；第5步驟，將前述薄膜加熱而使前述樹脂成分熱分解，藉此使前述基材從前述支持基材脫離；前述第4步驟中，當前述活性能量射線之照射量定為E[J/cm²]，前述薄膜之平均厚度定為M[cm]，且前述第5步驟中，加熱前述薄膜之溫度定為T[℃]，加熱前述薄膜之時間定為t[分]時，該等設定為滿足下式1~下式3之關係。

log(T²．t)≦-10^-4．(E²/M)+5.7………式1

log(T²．t)≧-10^-4．(E²/M)+3.8………式2

3.3×10^-5≦E²/M≦8.0×10⁵………式3

(13)如(12)之基材之加工方法，其中，前述活性能量射線之照射量E為0.001~20J/cm²。

(14)如(12)或(13)之基材之加工方法，其中，前述薄膜之厚度M為5×10^-4~3×10^-2 cm。

(15)如(12)至(14)項中任一項之基材之加工方法，其中，加熱前述薄膜之溫度T為60~400℃。

(16)如(12)至(15)項中任一項之基材之加工方法，其中，加熱前述薄膜之時間t為1.67×10^-3~60分鐘。

(17)如(12)至(16)項中任一項之基材之加工方法，其中，由於在前述第4步驟對於前述薄膜照射活性能量射線，前述樹脂成分於前述第5步驟之熱分解之溫度降低。

(18)如(17)之基材之加工方法，其中，前述樹脂成分係於酸或鹼存在下之前述熱分解之溫度降低者，且前述樹脂組成物更包含因為前述活性能量射線之照射而產生酸或鹼之活性劑。

(19)如(18)之基材之加工方法，其中，前述活性劑在前述樹脂組成物中相對於前述樹脂成分包含0.01~50重量%。

(20)如(12)至(19)項中任一項之基材之加工方法，其中，於前述第1步驟，對於前述基材及前述支持基材當中的前述支持基材選擇性供給前述暫時固定劑而形成前述薄膜。

依照本發明第1實施形態之暫時固定劑，係因為在基材之加工後照射活性能量射線後進行加熱而其熔融溫度降低者。所以，能於基材加工時將基材固定於支持基材上，並於基材脫離時於低的加熱溫度使基材從支持基材脫離，故能減少對於基材的損害且同時能進行高精度的加工，且可發揮於加工後能以低的加熱溫度輕易地使基材從支持基材脫離的效果。

又，依照本發明第2實施形態之基材之加工方法，能隔著使用暫時固定劑而形成之薄膜，以將基材牢固地暫時固定在支持基材上的狀態進行基材加工。再者，能利用適當設定對於基材加工後之薄膜照射的活性能量射線之照射量、以及使基材從支持基材脫離時之加熱條件，發揮能輕易地使基材從支持基材脫離的效果。

【實施發明之形態】

以下依據附帶圖式所示之理想實施形態詳細說明本發明之暫時固定劑及基材之加工方法。

[第1實施形態]

首先針對本發明之第1實施形態之暫時固定劑說明。

<暫時固定劑>

本發明之第1實施形態之暫時固定劑，係為了將基材加工而將前述基材暫時固定於支持基材，並於前述基材之加工後在照射活性能量射線後進行加熱，藉此使前述基材從前述支持基材脫離而使用者，其特徵為：照射前述活性能量射線後於180℃之熔融黏度為0.01~100Pa．s。

如此，本實施形態之暫時固定劑在照射活性能量射線後於180℃之熔融黏度會降低為如上述範圍內。所以，暫時固定劑當將其 於約130~200℃之溫度範圍加熱會成為熔融狀態，且成為具有能輕易地使基材從支持基材脫離之程度之熔融黏度者。藉此，基材加工後使支持基材從基材脫離(剝離)之步驟，能於對於加工後之基材不造成龜裂等損傷而輕易地進行。

如此的本實施形態之暫時固定劑，係由包含以下成分的樹脂組成物構成：藉由於酸或鹼存在下進行加熱而熔融黏度降低之樹脂成分；以及因為前述活性能量射線之照射而產生酸或鹼之活性劑。

以下針對構成該樹脂組成物之各成分依序說明。

(樹脂成分)

樹脂成分，係於暫時固定時具有將基材固定於支持基材之功能，且會因為於活性能量射線照射後進行加熱其熔融黏度降低者。所以，具有藉由於活性能量射線照射之後之加熱，使基材從支持基材之脫離能輕易進行之功能。

該樹脂成分，只要是因為在酸或鹼存在下進行加熱而熔融黏度降低者即可，不特別限定，例如：聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚胺甲酸酯系樹脂、(甲基)丙烯酸酯系樹脂等，可使用該等之中之1種或組合2種以上使用。該等之中，聚碳酸酯系樹脂、乙烯基系樹脂及(甲基)丙烯酸系樹脂較佳，尤其，聚碳酸酯系樹脂較佳。該等由於係會因為在酸或鹼存在下進行加熱而其熔融黏度更顯著降低者，故更宜選用當做樹脂成分。

乙烯基系樹脂，不特別限定，例如：聚苯乙烯、聚-α-甲基苯乙烯之類的苯乙烯衍生物之聚合物、聚(乙基乙烯基醚)、聚(丁基乙烯基醚)、聚乙烯基甲縮醛之類之聚乙烯基醚類或其衍生物等，可使用該等之中之1種或組合使用2種以上。該等之中，聚-α-甲基苯乙烯較佳。該樹脂成分從作業性優異之觀點為尤佳。

又，(甲基)丙烯酸系樹脂，不特別限定，例如：從(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之類之各種(甲基)丙烯酸系單體選出之共聚物等。該等之中，聚甲基丙烯酸甲酯或聚甲基丙烯酸乙酯較佳。該樹脂成分，從作業性優異之觀點為尤佳。

再者，聚碳酸酯系樹脂不特別限定，例如：含碳酸酯構成單元之聚丙烯碳酸酯、聚乙烯碳酸酯、聚丁烯碳酸酯之類之直鏈狀化學結構而成者，或碳酸酯結構單元包含環狀化學結構而成者。該等之中，碳酸酯結構單元包含環狀化學結構而成者較佳。該樹脂成分從作業性優異之觀點為尤佳。

以下針對於碳酸酯結構單元包含該環狀化學結構而成的聚碳酸酯系樹脂進行詳述。

該聚碳酸酯系樹脂只要是在其結構單元具有環狀化學結構(以下有時稱為「環狀體」)即可，可為任意構成，但至少具有2個環狀體者較佳。該聚碳酸酯系樹脂中，藉由適當選擇環狀體之數目及種類，在利用活性能量射線之照射而從活性劑產生之酸或鹼存在下進行加熱，能輕易地將其熔融黏度設定於如前述範圍內

又，環狀體之數目為2~5較佳，2或3更佳，2又更佳。藉由就碳酸酯構成單元而言包含如此的數目的環狀體，暫時固定劑能成為在活性能量射線照射前以優異密合性將基材與支持基材予以接合者。

又，也可為多數環狀體以各自的頂點彼此互相連結而形成之連結多環系結構，但是較佳為各自具有有之一邊彼此縮合而形成 之縮合多環系結構。藉此，碳酸酯結構單元之平面性會提高，故能使活性能量射線之照射前後在180℃之熔融黏度之差異設定為更大。

再者，多數環狀體可各為5員環或6員環較佳。藉此，更能保持碳酸酯構成單元之平面性，故能將活性能量射線之照射前後於180℃之熔融黏度之差異設定為更大，且同時能使對於後述溶劑之溶解性更為安定。

如此的多數環狀體，宜為脂環化合物較佳。各環狀體為脂環化合物時，能更為顯著發揮如前述效果。

若考慮該等，聚碳酸酯(樹脂成分)中，碳酸酯構成單元尤佳結構為例如：下列化學式(1)表示者。

又，具有以上述化學式(1)表示之碳酸酯構成單元的聚碳酸酯，可利用十氫萘二醇與如碳酸二苯酯之碳酸二酯之縮聚反應獲得。

又，上述化學式(1)表示之碳酸酯構成單元中，十氫萘二醇具有之羥基，係結合於構成十氫萘(亦即，構成縮合多環系結構之2個環狀體)之不同的碳原子，且與該等羥基鍵結之碳原子之間較佳為最短插入有3個以上的原子為佳。

藉此，可保持聚碳酸酯之直線性，其結果能更為確實地將活性能量射線照射前後於180℃之熔融黏度之差異設定為大。再者，能使對於後述溶劑之溶解性更為安定。

如此的碳酸酯構成單元，例如：下列化學式(1A)、(1B)表示者。

再者，多數環狀體，除了可為脂環化合物，也可為雜脂環化合物。各環狀體為雜脂環化合物時，也能使如前述效果更顯著發揮。

於該情形，聚碳酸酯(樹脂成分)中，碳酸酯構成單元為例如：下列化學式(2)表示者為尤佳結構。

又，具有上述化學式(2)表示之碳酸酯構成單元之聚碳酸酯，可利用下列化學式(2a)表示之醚二醇與如碳酸二苯酯之碳酸二酯 的縮聚反應而獲得。

又，上述化學式(2)表示之碳酸酯構成單元中，上述化學式(2a)表示之環狀醚二醇具有的羥基，係各鍵結於構成上述環狀醚(亦即，形成縮合多環系結構之2個環狀體)之不同的碳原子，且鍵結於該等羥基之碳原子之間宜最短插入有3個以上的原子較佳。藉此，能保持聚碳酸酯之直線性，其結果能更為確實地使活性能量射線之照射前後於180℃之熔融黏度之差異設定為大。再者，能使對於後述溶劑之溶解性更為安定。

如此之碳酸酯構成單元，例如以下列化學式(2A)表示之1,4：3,6-二去水-D-山梨醇(異山梨酯(isosorbide))型，或下列化學式(2B)表示之1,4：3,6-二去水-D-甘露醇(去水甘露糖醇(isomannide))型。

樹脂成分之重量平均分子量(Mw)視樹脂成分之種類等有若干差異，但以1,000~1,000,000較佳，5,000~800,000更佳。藉由使重量平均分子量為上述下限以上，於後述犧牲層形成步驟，可獲得暫時固定劑對於支持基材之透濕性提高之效果，再者可獲得成膜 性提高的效果。

又，樹脂成分，宜以樹脂組成物(暫時固定劑)全量之約10~100重量%之比例摻合較佳，以30~100重量%之比例摻合更佳。藉由使樹脂成分之含量為上述下限值以上，於後述脫離步驟後，能確實減低暫時固定劑對於基材或支持基材之密合性。所以，能於洗滌步驟將基材殘存的暫時固定劑輕易去除。

(活性劑)

活性劑，係藉由活性能量射線之照射所施加之能量而產生如酸或鹼之活性物質者，具有藉由在該活性物質存在下進行加熱使前述樹脂成分之熔融黏度減低之功能者。

該活性劑不特別限定，例如：因為活性能量射線之照射而產生酸之光酸發生劑、或因為活性能量射線之照射而產生鹼之光鹼發生劑等。

光酸發生劑不特別限定，例如：肆(五氟苯基)硼酸根-4-甲基苯基[4-(1-甲基乙基)苯基]錪(DPI-TPFPB)、參(4-第三丁基苯基)鋶肆-(五氟苯基)硼酸鹽(TTBPS-TPFPB)、參(4-第三丁基苯基)鋶六氟磷酸鹽(TTBPS-HFP)、三苯基鋶三氟甲磺酸鹽(TPS-Tf)、雙(4-第三丁基苯基)錪三氟甲磺酸鹽(DTBPI-Tf)、三(TAZ-101)、三苯基鋶六氟銻酸鹽(TPS-103)、三苯基鋶雙(全氟甲烷磺醯基)醯亞胺(TPS-N1)、二-(對第三丁基)苯基錪、雙(全氟甲烷磺醯基)醯亞胺(DTBPI-N1)、三苯基鋶、參(全氟甲烷磺醯基)甲基化物(TPS-C1)、二-(對第三丁基苯基)錪參(全氟甲烷磺醯基)甲基化物(DTBPI-C1)等，可使用該等之中之1種或組合2種以上使用。該等之中，尤其從有效率地降低樹脂成分之熔融黏度之觀點，使用肆(五氟苯基)硼酸根-4-甲基苯基[4-(1-甲基乙基)苯基]錪(DPI-TPFPB)為較佳。

又，光鹼發生劑不特別限定，例如：5-苄基-1,5-二氮雜雙環(4.3.0)壬烷、1-(2-硝基苯甲醯基胺甲醯基)咪唑等，可使用該等之中1種或組合使用2種以上。該等之中，尤其從有效率地降低樹脂成分之熔融黏度之觀點，使用5-苄基-1,5-二氮雜雙環(4.3.0)壬烷及其衍生物為較佳。

前述活性劑為樹脂組成物(暫時固定劑)之全量之約0.01~50重量%較佳，約0.1~30重量%更佳。藉由在該範圍內，能使樹脂成分之熔融黏度穩定地降低到目的範圍內。

藉由添加如此的活性劑，並照射活性能量射線，可產生如酸或鹼之活性物質。推測若於該活性物質存在下將樹脂組成物加熱，會在樹脂成分之主鏈形成其熔融黏度降低之結構。

(增感劑)

再者，暫時固定劑除了包含該活性劑，也可包含具有使活性劑之反應性展現或增之功能的成分即增感劑。增感劑能加寬活性劑能活化之波長之範圍，最適的增感劑為在接近使用之光源具有最大吸光係數且能有效率地使已吸收的能量傳遞給光酸發生劑的化合物。尤其光源為g線(435nm)與i線(365nm)等長波長(紫外至可見光區)時，增感劑對於活化光酸發生劑為有效。

增感劑不特別限定，但當包含光酸起始劑時，例如：2-異丙基-9H-噻吨-9-酮(2-isopropyl-9H-thioxanthene-9-one)、4-異丙基-9H-噻吨-9-酮、1-氯-4-丙氧基噻吨-9-酮、啡噻或此等之組合等。

如此的增感劑，可於不會對於樹脂之光熱反應造成直接影響的範圍添加。增感劑之含量，相對於前述光酸發生劑等活性劑之總量100重量份為100重量份以下較佳，20重量份以下更佳。

(抗氧化劑)

又，樹脂組成物(暫時固定劑)也可包含抗氧化劑。

該抗氧化劑係具有防止在樹脂組成物(暫時固定劑)中產生酸、或防止自然氧化之功能。

抗氧化劑不特別限定，例如：Ciba Fine Chemicals公司製、「Ciba IRGANOX(註冊商標)1076」及「Ciba IRGAFOS(註冊商標)168」為佳。

又，其他抗氧化劑，可使用例如：「Ciba Irganox 129」、「Ciba Irganox 1330」、「Ciba Irganox 1010」、「Ciba Cyanox(註冊商標)1790」、「Ciba Irganox 3114、Ciba Irganox 3125」等。

抗氧化劑之含量，相對於上述樹脂成分100重量份為0.1~10重量份較佳，0.5~5重量份更佳。

(添加劑)

又，樹脂組成物(暫時固定劑)，視需要也可包含酸捕捉劑、丙烯酸系、矽酮系、氟系、乙烯基系等塗平劑、矽烷偶聯劑、稀釋劑等添加劑等。

矽烷偶聯劑不特別限定，例如：3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基 丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、雙(三乙氧基丙基)四硫醚、3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等，可使用其中1種或組合2種以上使用。

樹脂組成物(暫時固定劑)藉由包含矽烷偶聯劑，可提高基材與支持基材之間的密合性。

又，稀釋劑不特別限定，如：環氧環己烷或α-氧化蒎烯等環醚化合物、[亞甲基雙(4,1-伸苯基氧基亞甲基)]雙環氧乙烷等芳香族環醚、1,4-環己烷二甲醇二乙烯醚等環狀脂肪族乙烯醚化合物等，可使用其中1種或組合使用2種以上。

樹脂組成物(暫時固定劑)藉由包含稀釋劑，可提高暫時固定劑之流動性，能於後述犧牲層形成步驟提高暫時固定劑對於支持基材之透濕性。

(溶劑)

又，樹脂組成物(暫時固定劑)也可包含溶劑。

溶劑不特別限定，例如：、十氫萘、礦精(mineral spirit)類等烴類、苯甲醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇單乙醚、二甘二甲醚等醇/醚類、碳酸伸乙酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、碳酸伸丙酯、γ-丁內酯等酯/內酯類、環戊酮、環己酮、甲基異丁酮、2-庚酮等酮類、N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone)等醯胺/內醯胺類，可使用其中1種或將2種以上組合使用。藉此，暫時固定劑藉由包含溶劑，能容易調整暫時固定劑之黏度，且在支持基材形成以暫時固定劑構成之犧牲層(薄膜)會變得容易。

前述溶劑之含量不特別限定，為樹脂組成物(暫時固定劑)之全 量之5~98重量%較佳，10~95重量%更佳。

本實施形態中，係設定樹脂組成物中所含之上述各種構成材料，尤其樹脂成分及活性劑之組合及該等之含量，使得暫時固定劑於活性能量射線之照射後於180℃之熔融黏度成為0.01~100Pa．s。

若為如此的暫時固定劑(樹脂組成物)，藉由將其於約130~200℃之溫度範圍加熱，能使暫時固定劑成為熔融狀態，且能成為能輕易地使基材從支持基材脫離之程度之熔融黏度。其結果，能使於基材加工後基材從支持基材之脫離(剝離)，以不對於加工後基材造成龜裂等損傷而輕易地進行。

又，暫時固定劑於活性能量射線之照射後於180℃之熔融黏度為0.01~100Pa．s即可，但尤以約0.1~50Pa．s較佳。藉此，能使前述效果更顯著發揮。

又，活性能量射線照射前於180℃之熔融黏度不特別限定，為約100~10000Pa．s較佳，約100~1000Pa．s更佳。藉此，即使在基板之加工時將暫時固定劑加熱到約例如180℃，暫時固定劑仍具有用於將基材固定於支持基材的足夠強度，能確實防止基板由於基板之加工而從支持基材脫離。

再者，當活性能量射線之照射前於180℃之熔融黏度定為A[Pa．s]，且活性能量射線之照射後於180℃之熔融黏度定為B[Pa．s]時，A/B滿足100~10000之關係較佳，滿足200~1000之關係更佳。藉由使A/B滿足該關係，於基板之加工時能利用暫時固定劑確實地將基材固定於支持基材，且基材從支持基材脫離時，能使加工後之基材輕易地從支持基材脫離。

又，用於使基材從支持基材脫離之加熱時，從防止暫時固定劑往氣體氛圍中擴散，亦即防止暫時固定劑導致之氣體氛圍之污染之觀點，暫時固定劑宜為在前述加熱時不會於氣體氛圍中氣化，而存在基材與支持基材之間者較佳。

因此，對於暫時固定劑照射活性能量射線後，暫時固定劑之50%重量減少溫度為260℃以上較佳，300℃以上更佳。藉此能更確實地抑制或防止前述加熱時暫時固定劑擴散到氣體氛圍中。

又，暫時固定劑之熔融黏度可使用流變計法測定。

具體而言，首先將暫時固定劑之溶液塗佈在矽基板上，並於熱板上於120℃使進行300秒乾燥，將作為活性能量射線之來自於超高壓水銀燈之光線以波長365nm換算照射2000mJ/cm²後，將從基板剝離藉此獲得之膜狀試驗片以流變計(Haake RS150型、Thermo Fischer Scientific公司製)以間隔30μm設置，以升溫速度：10℃/分於30~300℃升溫，並同時以1Hz的周期施以剪切應力，測定此時的移位，可求得暫時固定劑之熔融黏度。

又，本說明書中，50%重量減少溫度意指由於加熱使樹脂成分之重量損失50%之溫度。該溫度，可測定該樹脂成分開始分解到結束為止之加熱溫度的範圍，換言之，使用動態熱重量分析法(TGA)測定樹脂成分開始分解之開始溫度以及樹脂成分分解結束(完結)之結束溫度，並依據其結果求取。

具體而言，首先使用旋塗法將溶於N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)的樹脂成分塗佈在矽基板上後，於加熱板上以約110℃進行10分鐘軟烘烤，藉此使溶劑蒸發。其次，將由矽基板上所形成之樹脂成分構成之薄膜(試樣)，於氮氣氛圍下以5℃/分的速度從30℃升高至500℃，利用動態TGA進行分析。並求取該動態TGA測定到的暫時固定劑(樹脂組成物)之50%重量損失時之溫度，當做50% 重量減少溫度(T_d50)。

又，對於暫時固定劑照射活性能量射線時，由於例如會依使用之暫時固定劑之厚度等而使最適條件有所改變，故不特別限定，較佳為以1~2000mJ/cm²照射波長365nm之光。藉由定為該條件，能從活性劑產生足量的如酸或鹼之活性物質，藉由於該活性物質存在下進行加熱，能更確實減低樹脂成分之熔融黏度。所以，宜適當使用對於暫時固定劑照射之活性能量射線之條件。

<半導體裝置之製造方法>

其次，說明本發明之第1實施形態之暫時固定劑應用在半導體裝置之製造時的一例。

亦即，說明半導體裝置之製造方法中，於半導體晶圓之加工應用本發明之第1實施形態之基材之加工方法之實施形態之一例。

該半導體晶圓(基材)之加工，具有以下步驟：第1步驟，於基材及支持基材至少其中之一者之上，形成由本實施形態之暫時固定劑構成之犧牲層(薄膜)；第2步驟，隔著犧牲層，將支持基材與半導體晶圓予以貼合；第3步驟，將半導體晶圓當中與支持基材為相反側之面進行加工；第4步驟，對於犧牲層照射活性能量射線後，將犧牲層加熱使成為熔融狀態，藉此使半導體晶圓脫離支持基材；及第5步驟，洗滌半導體晶圓殘存之犧牲層。

圖1顯示用於說明使用本發明之第1實施形態之暫時固定劑將半導體晶圓進行加工之加工步驟之縱剖面圖。又，以下說明中，圖1中，上側記載為「上」、下側記載為「下」。

以下依序說明該等各步驟。

(犧牲層形成步驟)

首先準備支持基材1，在該支持基材(或基材)1上，使用本實 施形態之暫時固定劑形成犧牲層2(參照圖1(a))。

該犧牲層2，可藉由將本實施形態之暫時固定劑對於支持基材1上供給後使乾燥而輕易形成。

又，將本實施形態之暫時固定劑對於支持基材1上供給之方法不特別限定，例如可使用旋塗法、噴塗法、印刷法、膜轉印法、狹縫塗佈法、掃描塗佈法等各種塗佈法。該等之中，尤以使用旋塗法為佳。依照旋塗法，能輕易形成更均勻且平坦的犧牲層2。

又，支持基材1只要是具有能支持半導體晶圓3之程度之強度者即不特別限定，宜為具透光性者較佳。藉此，即使半導體晶圓3不具透光性，也能於活性能量射線照射步驟，使活性能量射線從支持基材1側穿透並且對於犧牲層2確實地照射活性能量射線。

具有透光性之支持基材1，例如：以石英玻璃、鈉玻璃之類的玻璃材料、或以聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、環烯烴聚合物、聚醯胺、聚碳酸酯之類之樹脂材料等為主材料而構成之基板。

(貼合步驟)

其次，在支持基材1上設有犧牲層2之面上，載置半導體晶圓(基材)3使其功能面31位於犧牲層2側。藉此，隔著犧牲層2將半導體晶圓3貼合於支持基材1(參照圖1(b))。

該貼合例如可使用真空壓製機、晶圓接合器等裝置輕易進行。

(加工步驟)

其次，將與隔著犧牲層2固定於支持基材1上之半導體晶圓3 之功能面31為相反側之面(背面)進行加工。

該半導體晶圓3之加工不特別限定，例如：將如圖1(c)所示之半導體晶圓3之背面進行研磨、於半導體晶圓3形成貫孔、進行為了釋放應力之半導體晶圓3之背面之蝕刻、微影，以及在半導體晶圓3之背面塗佈薄膜、蒸鍍等。

又，本實施形態中之半導體晶圓之加工，係於犧牲層形成步驟使用本實施形態之暫時固定劑形成膜厚均勻且表面平滑之具優異精度之犧牲層2。所以，能發揮以優異精度進行半導體晶圓3之加工的效果。

又，如該加工步驟中，因應於如上述加工之種類，犧牲層2會受熱並經歷溫度履歷。此時，並未對於犧牲層2實施活性能量射線照射，犧牲層2維持在高熔融黏度。因此，能以半導體晶圓3與支持基材1之間不發生剝離等而加工前述背面，故能以優異的尺寸精度進行前述加工。

又，如上述，本實施形態中，活性能量射線照射前於180℃之熔融黏度較佳為100~10000Pa．s。如此，當於180℃之熔融黏度成為前述範圍內時，能更顯著地發揮前述效果。

(活性能量射線照射/加熱步驟)

其次，如圖1(d)所示，對於犧牲層2照射活性能量射線。

藉此，能對於暫時固定劑(樹脂組成物)中所含之活性劑賦予能量，其結果活性劑會產生如酸或鹼之活性物質。

又，活性能量射線不特別限定，為例如：波長約200~800nm之光線較佳，波長約300~500nm之光線更佳。

再者，照射活性能量射線之量不特別限定，為約1~2000mJ/cm²較佳，約10~1000mJ/cm²更佳。

藉由將照射活性能量射線之條件設定如上述，能從活性劑確實產生為了使活性能量射線之照射後於180℃之熔融黏度成為0.01~100Pa．s所需之足量的活性物質。

其次如圖1(e)所示，藉由將犧牲層2加熱，使犧牲層2成為熔融狀態。

藉此，於後述脫離步驟，能使半導體晶圓3確實地從支持基材1脫離。

在此，本實施形態中，在犧牲層2之加熱之前，先對於犧牲層2照射活性能量射線而產生酸或鹼，並由於該酸或鹼之作用使成為樹脂成分之熔融黏度降低之狀態。亦即，對於犧牲層2照射活性能量射線後於180℃之熔融黏度，成為0.01~100Pa．s。

所以，用於使犧牲層2成為熔融狀態之加熱溫度，可設定為較低。具體而言，為了使活性能量射線之照射後於180℃之熔融黏度成為上述範圍內，前述加熱溫度可設定為約130~200℃。所以，能確實抑制或防止由於該加熱導致半導體晶圓3變質、劣化，而且可縮短為了使犧牲層2成為熔融狀態所需花費的時間。

(脫離步驟)

其次使半導體晶圓3從支持基材1脫離。

此時，藉由經過前述活性能量射線照射/加熱步驟，犧牲層2成為熔融狀態，所以能使半導體晶圓3從支持基材1輕易地脫離。

在此，本說明書中，脫離係指使半導體晶圓3從支持基材1 剝離之操作，例如：該操作例如：使半導體晶圓3以對於支持基材1之表面成垂直之方向脫離之方法、或使半導體晶圓3沿相對於支持基材1之表面為水平方向滑動而使脫離之方法，或如圖1(f)所示，使半導體晶圓3從半導體晶圓3一端側使支持基材1浮起而脫離之方法等。

此時藉由經歷前述加熱步驟，可將犧牲層2從半導體晶圓3與支持基材1之間去除，故能使半導體晶圓3輕易地從支持基材1脫離。

(洗滌步驟)

其次洗滌於半導體晶圓3之功能面31殘存之犧牲層2。

亦即，去除功能面31殘留之犧牲層2之殘留物。

該殘留物之去除方法不特別限定，例如：電漿處理、藥液浸漬處理、研磨處理、加熱處理等。

又，本實施形態中，於犧牲層形成步驟係將犧牲層2形成於支持基材1，但不限於該情形，也可在支持基材1及半導體晶圓3兩者形成犧牲層2，也可省略在支持基材1形成犧牲層2而在半導體晶圓3選擇性地形成犧牲層2。

以上已依據圖示的實施形態說明了本發明之第1實施形態之暫時固定劑及基材之加工方法，但本發明不限於該等。

例如，暫時固定劑所含之各構成材料，可替換為能發揮同樣功能之任意者，或加成任意構成者。

又，本發明之基材之加工方法，視需要也可追加任意步驟。

[第2實施形態]

首先，在說明本發明之第2實施形態之基材之加工方法之前，先說明本發明使用之暫時固定劑。

<暫時固定劑>

本發明之第2實施形態之暫時固定劑，係用於為了加工基材而將前述基材暫時固定於支持基材，並於前述基材之加工後藉由照射活性能量射線後進行加熱，而使前述基材從前述支持基材脫離而使用，係由包含因為前述活性能量射線之照射後進行加熱而熱分解之樹脂成分之樹脂組成物構成者。

藉由使用如該暫時固定劑，能以由使用暫時固定劑形成之薄膜將基材暫時固定於支持基材之狀態將基材加工，再者，藉由於活性能量射線照射後以加熱使薄膜熔融或氣化，能使基材從支持基材脫離。

以下針對構成包含該樹脂成分之樹脂組成物之各成分依序說明。

樹脂成分具有暫時固定時(基材之加工時)將基材固定於支持基材之功能，且由於若於活性能量射線照射之後進行加熱，其熱分解之溫度會比起未照射活性能量射線時低，所以具有藉由在活性能量射線照射後之進行加熱，能輕易地使基材從支持基材脫離之功能。

該樹脂成分，只要是在酸或鹼存在下會低分子化因而氣化或熔融者即可，不特別限定，例如：聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚胺甲酸酯系樹脂、(甲基)丙烯酸酯系樹脂等，可使用該等之中的1種或組合2種以上使用。該等之中，聚碳酸酯系樹脂、乙烯基系樹脂及(甲基)丙烯酸系樹脂較佳，尤其，聚碳酸酯系樹脂較佳。該等由於在酸或鹼存在下其低分子 化之溫度會更顯著降低者，因此宜選用為當做樹脂成分。

乙烯基系樹脂不特別限定，例如：如聚苯乙烯、聚-α-甲基苯乙烯之類的苯乙烯衍生物之聚合物、如聚(乙基乙烯基醚)、聚(丁基乙烯基醚)、聚乙烯基甲縮醛之類的聚乙烯基醚類或其衍生物等，可使用其中1種或組合使用2種以上。該等之中，聚-α-甲基苯乙烯較佳。該樹脂成分從作業性優異之觀點為尤佳。

又，(甲基)丙烯酸系樹脂不特別限定，例如：從(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之類的各種(甲基)丙烯酸系單體選出的共聚物等。該等之中，聚甲基丙烯酸甲酯或聚甲基丙烯酸乙酯較佳。該樹脂成分從作業性優異之觀點為尤佳。

聚碳酸酯系樹脂，不特別限定，例如：聚丙烯碳酸酯樹脂、聚乙烯碳酸酯樹脂、1,2-聚丁烯碳酸酯樹脂、1,3-聚丁烯碳酸酯樹脂、1,4-聚丁烯碳酸酯樹脂、順式-2,3-聚丁烯碳酸酯樹脂、反式-2，3-聚丁烯碳酸酯樹脂、α,β-聚異丁烯碳酸酯樹脂、α,γ-聚異丁烯碳酸酯樹脂、順式-1，2-聚環丁烯碳酸酯樹脂、反式-1,2-聚環丁烯碳酸酯樹脂、順式-1,3-聚環丁烯碳酸酯樹脂、反式-1,3-聚環丁烯碳酸酯樹脂、聚己烯碳酸酯樹脂、聚環丙烯碳酸酯樹脂、聚環己烯碳酸酯樹脂、1,3-聚環己烷碳酸酯樹脂、聚(甲基環己烯碳酸酯)樹脂、聚(乙烯基環己烯碳酸酯)樹脂、聚二氫萘碳酸酯樹脂、聚六氫苯乙烯碳酸酯樹脂、聚環己烷丙烯碳酸酯樹脂、聚苯乙烯碳酸酯樹脂、聚(3-苯基丙烯碳酸酯)樹脂、聚(3-三甲基矽氧基丙烯碳酸酯)樹脂、聚(3-甲基丙烯醯氧基丙烯碳酸酯)樹脂、聚全氟丙烯碳酸酯樹脂、聚降莰烯碳酸酯樹脂、聚降莰烷碳酸酯樹脂、外向(exo)-聚降莰烯碳酸酯樹脂、內向(endo)-聚降莰烯碳酸酯樹脂、反式-聚降莰烯碳酸酯樹脂、順式-聚降莰烯碳酸酯樹脂，可使該等之中1種或組合2種以上使用。

又，聚碳酸酯系樹脂，也可使用例如：聚丙烯碳酸酯/聚環己烯碳酸酯共聚物、1,3-聚環己烷碳酸酯/聚降莰烯碳酸酯共聚物、聚[(氧基羰氧基-1,1,4,4-四甲基丁烷)-alt-(氧基羰氧基-5-降莰烯-2-內向-3-內向-二甲烷)]樹脂、聚[(氧基羰氧基-1,4-二甲基丁烷)-alt-(氧基羰氧基-5-降莰烯-2-內向-3-內向-二甲烷)]樹脂、聚[(氧基羰氧基-1,1,4,4-四甲基丁烷)-alt-(氧基羰氧基-對二甲苯)]樹脂、及聚[(氧基羰氧基-1,4-二甲基丁烷)-alt-(氧基羰氧基-對二甲苯)]樹脂、1,3-聚環己烷碳酸酯樹脂/外向-聚降莰烯碳酸酯樹脂、1,3-聚環己烷碳酸酯樹脂/內向-聚降莰烯碳酸酯樹脂等共聚物。

再者，聚碳酸酯系樹脂除上述以外，也可使用在碳酸酯構成單元中至少具有2個環狀體之聚碳酸酯樹脂。

環狀體之數，只要在碳酸酯構成單元中為2個以上即可，為2~5較佳、2或3更佳，2又更佳。藉由碳酸酯構成單元包含如此之數的環狀體，能使支持基材與基材之密合性優異。又，藉由暫時固定劑之加熱，該聚碳酸酯樹脂會熱分解而低分子化，藉此成為熔融者。

又，多數環狀體，可以為其各自的頂點彼此連結之連結多環系結構，但較佳為成為各自具有之一邊彼此連結之縮合多環系結構。藉此，能兼顧作為暫時固定劑之耐熱性、及縮短其熔融時之熱分解時間。

再者，多數環狀體各為5員環或6員環較佳。藉此，能保持碳酸酯構成單元的平面性，故能使對於溶劑之溶解性更為安定。

如此之多數環狀體以脂環化合物較佳。各環狀體為脂環化合物時，能更顯著發揮如前述效果。

若考慮此等因素，聚碳酸酯系樹脂中，碳酸酯構成單元之尤佳結構例如以下列化學式(1X)表示者。

又，具有以上述化學式(1X)表示之碳酸酯構成單元的聚碳酸酯系樹脂，可利用十氫萘二醇、與如碳酸二苯酯之碳酸二酯的縮聚反應獲得。

又，以上述化學式(1X)表示之碳酸酯構成單元中，十氫萘二醇具有之羥基所鍵結之碳原子，較佳為各與構成十氫萘(亦即，形成縮合多環系結構的2個環狀體)之其他碳原子鍵結，並且在該等羥基所鍵結之碳原子之間插入有3個以上的原子。藉此，能控制聚碳酸酯系樹脂之分解性，其結果能兼顧作為暫時固定劑之耐熱性、及縮短其熔融時之熱分解時間。再者，能使對於溶劑之溶解性更為安定。

如此之碳酸酯構成單元，例如以下列化學式(1A)、(1B)表示者。

再者，多數環狀體，除了脂環化合物以外，也可為雜脂環化合物。各環狀體為雜脂環化合物時，也能更顯著發揮如前述效果。

於該情形，聚碳酸酯系樹脂中，碳酸酯構成單元之尤佳結構例如以下列化學式(2X)表示者。

又，具有上述化學式(2X)表示之碳酸酯構成單元的聚碳酸酯系樹脂，可利用以下列化學式(2a)表示之醚二醇、與如碳酸二苯酯之碳酸二酯的縮聚反應而獲得。

又，以上述化學式(2X)表示之碳酸酯構成單元中，上述化學 式(2a)表示之環狀醚二醇具有之羥基所鍵結之碳原子，較佳為各與構成上述環狀醚(亦即，形成縮合多環系結構之2個環狀體)之其他碳原子鍵結，並且在該等碳原子之間插入有3個以上的原子。藉此，能兼顧作為暫時固定劑之耐熱性、及縮短其熔融時之熱分解時間。再者，能使對於溶劑之溶解性更安定。

如此之碳酸酯構成單元，例如以下列化學式(2A)表示之1,4：3,6-二去水-D-山梨醇(異山梨酯(isosorbide))型，或下列化學式(2B)表示之1,4：3,6-二去水-D-甘露醇(去水甘露糖醇(isomannide))型。

聚碳酸酯系樹脂之重量平均分子量(Mw)為1,000~1,000,000較佳，5,000~800,000又更佳。藉由使重量平均分子量為上述下限以上，可獲得提高對於支持基材之透濕性的效果，並可獲得成膜性提高效果。又，藉由為上述上限值以下，能獲得更顯著之對於各種溶劑之溶解性、及由於暫時固定劑之加熱所致熔融及氧化更為顯著的效果。

又，聚碳酸酯系樹脂之聚合方法不特別限定，例如可使用光氣法(溶劑法)或酯交換法(熔融法)等公知的聚合方法。

又，樹脂成分，宜以構成樹脂組成物之全量(包含溶劑時為除了溶劑以外之全量)之10wt%~100wt%之比例摻合較佳。更佳為以50wt%以上，尤佳為80wt%~100wt%之比例摻合較佳。藉由為 10wt%以上，尤佳為80wt%以上，能具有減少暫時固定劑熱分解後之殘渣的效果。又，藉由使樹脂組成物中之樹脂成分加多，能有於短時間將暫時固定劑進行熱分解之效果。

而如上述樹脂成分，係於酸或鹼存在下的熱分解溫度降低者。再者，聚碳酸酯系樹脂當中，尤其聚丙烯碳酸酯、1,4-聚丁烯碳酸酯、1,3-聚環己烷碳酸酯/聚降莰烯碳酸酯共聚物係據認為該熱分解之溫度之降低更為顯著者。

而，藉由在樹脂成分以外，更在樹脂組成物中包含因為對於暫時固定劑照射活性能量射線而產生酸或鹼之活性劑之構成，能使樹脂成分成為因對於暫時固定劑照射活性能量射線而熱分解溫度降低者。

因此，藉由使暫時固定劑(樹脂組成物)包含樹脂成分、以及因為對於暫時固定劑照射活性能量射線而產生酸或鹼之活性劑，會因為活性能量射線照射使樹脂成分的熱分解溫度降低。該結果，藉由在活性能量射線照射之後將暫時固定劑加熱，可獲得即使在較低溫度也能較輕易地使基材從支持基材脫離之效果。

(活性劑)

活性劑，如上述，係藉由因為以活性能量射線之照射所施加之能量而能產生如酸或鹼之活性物質者，係具有由於該活性物質之作用，使前述樹脂成分之熱分解溫度降低之功能者。

該活性劑不特別限定，例如：由於活性能量射線之照射而產生酸之光酸發生劑、或由於活性能量射線之照射而產生鹼之光鹼發生劑等。

光酸發生劑不特別限定，例如：肆(五氟苯基)硼酸根-4-甲基苯 基[4-(1-甲基乙基)苯基]錪(DPI-TPFPB)、參(4-第三丁基苯基)鋶肆-(五氟苯基)硼酸鹽(TTBPS-TPFPB)、參(4-第三丁基苯基)鋶六氟磷酸鹽(TTBPS-HFP)、三苯基鋶三氟甲磺酸鹽(TPS-Tf)、雙(4-第三丁基苯基)錪三氟甲磺酸鹽(DTBPI-Tf)、三(TAZ-101)、三苯基鋶六氟銻酸鹽(TPS-103)、三苯基鋶雙(全氟甲烷磺醯基)醯亞胺(TPS-N1)、二-(對第三丁基)苯基錪、雙(全氟甲烷磺醯基)醯亞胺(DTBPI-N1)、三苯基鋶、參(全氟甲烷磺醯基)甲基化物(TPS-C1)、二-(對第三丁基苯基)錪參(全氟甲烷磺醯基)甲基化物(DTBPI-C1)等，可使用該等之中之1種或組合2種以上使用。該等之中，尤其從有效率地降低樹脂成分之熔融黏度之觀點，使用肆(五氟苯基)硼酸根-4-甲基苯基[4-(1-甲基乙基)苯基]錪(DPI-TPFPB)為較佳。

又，光鹼發生劑不特別限定，例如：5-苄基-1,5-二氮雜雙環(4.3.0)壬烷、1-(2-硝基苯甲醯基胺甲醯基)咪唑等，可使用該等之中1種或組合使用2種以上。該等之中，尤其從有效率地降低樹脂成分之熔融黏度之觀點，使用5-苄基-1,5-二氮雜雙環(4.3.0)壬烷及其衍生物為較佳。

前述活性劑，相對於樹脂成分為約0.01~50重量%較佳，約0.1~30重量%更佳。藉由為該範圍內，能從活性劑產生用於使樹脂成分的熱分解溫度降低所需的足量的活性物質。所以，藉由活性能量射線之照射，可更確實地使樹脂成分的熱分解溫度降低。其結果，能利用活性能量射線之照射後的加熱，使基材輕易地從支持基材脫離。

由於如該活性劑之添加，藉由照射活性能量射線，會產生如酸或鹼之活性物質，由於該活性物質之作用，會於樹脂成分之主鏈形成其熱分解溫度降低之結構。其結果推測樹脂成分之熱分解溫度會降低。

在此，針對樹脂成分使用為聚碳酸酯系樹脂的聚丙烯碳酸酯樹脂，活性劑使用光酸發生劑時，熱分解溫度降低之機轉說明。如下式(1Z)所示，首先來自於前述光酸發生劑之H⁺將聚丙烯碳酸酯樹脂之羰基氧質子化，且轉移到極性過渡狀態，產生不穩定的互變異構中間體[A]及[B]。其次，中間體[A]發生斷片化為丙酮及CO₂的熱切斷，因此熱分解溫度降低。又，中間體[B]生成碳酸伸丙酯，碳酸伸丙酯斷片化為CO₂及環氧丙烷，形成熱閉環結構。所以，熱分解溫度降低。

(增感劑)

又，暫時固定劑，除了前述活性劑，也可包含具有使活性劑對於特定波長之活性能量射線之展現或增大反應性之功能的成分即增感劑。

增感劑不特別限定，例如：蒽、菲、、苯并芘(benzpyrene)、(fluoranthene)、紅螢烯(rubrene)、芘、酮(xanthone)、陰丹士林染料(indanthrene)、噻吨(thioxanthene)-9-酮、2-異丙基-9H-噻吨(thioxanthene)-9-酮、4-異丙基-9H-噻吨(thioxanthene)-9-酮、1-氯-4-丙氧基噻吨酮、及該等之混合物等。

如此之增感劑之含量，相對於前述光酸發生劑等活性劑及光自由基起始劑之總量100重量份，為100重量份以下較佳，20重量份以下更佳。

如以上之樹脂組成物中，也可包含如以下所示之其他成分。

(抗氧化劑)

亦即，樹脂組成物(暫時固定劑)也可包含抗氧化劑。

該抗氧化劑可使用與第1實施形態中的抗氧化劑為同樣者，故在此省略其說明。

(添加劑)

又，樹脂組成物(暫時固定劑)，視需要也可包含酸捕捉劑、丙烯酸系、矽酮系、氟系、乙烯基系等塗平劑、矽烷偶聯劑、稀釋劑等添加劑等。該等添加劑可使用與第1實施形態中的添加劑為同樣者，故在此省略其說明。

(溶劑)

又，樹脂組成物(暫時固定劑)也可包含溶劑。

樹脂組成物藉由包含溶劑，能輕易調整樹脂組成物之黏度等。

溶劑，不特別限定，例如：、十氫萘、礦精(mineral spirit)類等烴類、甲苯、二甲苯、三甲基苯等芳香族烴類、苯甲醚、丙二 醇單甲醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇單乙醚、二甘二甲醚等醇/醚類、碳酸伸乙酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、碳酸伸丙酯、γ-丁內酯等酯/內酯類、環戊酮、環己酮、甲基異丁酮、2-庚酮等酮類、N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone)等醯胺/內醯胺類，可使用其中1種或將2種以上組合使用。藉此，能容易調整暫時固定劑之黏度，且在支持基材形成以暫時固定劑構成之犧牲層(薄膜)會變得容易。

前述溶劑之含量不特別限定，為樹脂組成物(暫時固定劑)之全量之5~98重量%較佳，10~95重量%更佳。

<半導體裝置之製造方法>

如上述暫時固定劑可應用在例如：半導體裝置之製造方法。

亦即，於半導體裝置之製造方法之半導體晶圓之加工，可應用使用暫時固定劑之本實施形態之基材之加工方法。

以下針對該本發明之基材之加工方法之第2實施形態之例說明。

該半導體晶圓(基材)之加工，包含以下步驟：第1步驟，將暫時固定劑對於半導體晶圓及支持基材至少其中之一者供給之後使乾燥而形成犧牲層(薄膜)；第2步驟，隔著犧牲層將半導體晶圓與支持基材予以貼合；第3步驟，將半導體晶圓當中之與支持基材為相反側之面進行加工；第4步驟，對於犧牲層照射活性能量射線；第5步驟，將犧牲層加熱而使前述樹脂成分熱分解，藉此使半導體晶圓從支持基材脫離。

該構成之半導體晶圓之加工方法中，本實施形態中，當第4步驟之活性能量射線之照射量定為E[J/cm²]，且犧牲層之平均厚度定為M[cm]，第5步驟之加熱犧牲層之溫度定為T[℃]且加熱犧 牲層之時間定為t[分]時，此等設定為滿足下式1~下式3之關係。

log(T²．t)≦-10^-4．(E²/M)+5.7………式1

log(T²．t)≧-10^-4．(E²/M)+3.8………式2

3.3×10^-5≦E²/M≦8.0×10⁵………式3

圖1係用於說明本發明之第2實施形態之基材之加工方法應用的將半導體晶圓加工之加工步驟的縱剖面圖，圖2係顯示活性能量射線之照射量、薄膜之平均厚度、加熱薄膜之溫度、加熱薄膜之時間之間的之關係。又，以下說明中，圖1中，上側記載為「上」、下側記載為「下」。

以下針對該等各步驟依序說明。又，以下係說明對於半導體晶圓及支持基材當中之支持基材選擇性形成犧牲層時之一例。

(犧牲層形成步驟)

首先準備支持基材1，並如圖1(a)所示，在該支持基材(或基材)1上使用上述暫時固定劑形成犧牲層2(第1步驟)。

該犧牲層2，可藉由將暫時固定劑對於支持基材1上供給後進行加熱並使乾燥而輕易形成。

在此，成膜之犧牲層2之TMA(Thermomechanical Analysis)軟化點不特別限定，宜為低於200℃較佳，約50~180℃更佳。藉此，於其次的步驟(貼合步驟)，能於加熱使至少表面成為熔融狀態。

又，TMA軟化點，係以熱機械測定裝置(TMA)測定者，可藉由將測定對象物以固定的升溫速度，於施加固定負荷的狀態升溫，觀測測定對象物之相位而求得。本說明書中，將犧牲層2之相位開始改變的溫度定義為TMA軟化點，具體而言，TMA軟化 點，可藉由使用例如：熱機械測定裝置(TA儀器公司製「Q400EM」)，將測定溫度範圍定為25~250℃，令升溫速度為5℃/min時，對於1mm 之石英玻璃針(pin)施加10g負荷時，測定相位開始變化之溫度而求得。

又，暫時固定劑對於支持基材1上供給之方法不特別限定，可使用例如：旋塗法、噴塗法、印刷法、膜轉印法、狹縫塗佈法、掃描塗佈法等各種塗佈法。該等之中，尤其使用旋塗法較佳。依照旋塗法，可輕易形成更均勻且平坦的犧牲層2。

使用旋塗法時，暫時固定劑使用其黏度(25℃)為500~100,000mPa．s者較佳，使用約1,000~50,000mPa．s者更佳。

又，黏度(25℃)，可以用E型黏度計(東機產業製、黏度計TVE-22型)於圓錐溫度25℃、3分鐘後之值當做測定值。

再者，供給該暫時固定劑之支持基材1之轉速設定為約300~4,000rpm較佳，設定為約500~3,500rpm更佳。

使用旋塗法時，藉由以滿足該等之條件將犧牲層2進行成膜，可使獲得之犧牲層2之平均厚度成為約50~100μm。再者，能將如該厚度之犧牲層2以大致為均勻厚度進行成膜。

再者，當暫時固定劑之黏度(25℃)定為A[mPa．s]且支持基材1之轉速定為B[rpm]，A/B為0.13~330較佳，0.5~100更佳。藉此，能以特別平均且平坦的厚度形成平均厚度5×10^-4~3×10^-2 cm之犧牲層2的膜。

又，支持基材1只要是具有能支持基材3之程度之強度即可，不特別限定，具有透光性較佳。藉此，當使暫時固定劑藉由活性 能量射線之照射而成為熱分解溫度降低者時，能使活性能量射線從支持基材1側穿透，而對於犧牲層2確實地照射活性能量射線。

具透光性之支持基材1，例如以石英玻璃、鈉玻璃之類的玻璃材料、或聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、環烯烴聚合物、聚醯胺、聚碳酸酯之類的樹脂材料等為主材料構成之基板。

(貼合步驟)

其次如圖1(b)所示，在支持基材1上設有犧牲層2之面上，載置半導體晶圓(基材)3使其功能面31成為犧牲層2側，並以該狀態進行熱壓合。藉此，於支持基材1隔著犧牲層2貼合半導體晶圓3(第2步驟)。

亦即，隔著犧牲層2，將半導體晶圓3與支持基材1以功能面31位在支持基材1側予以貼合。

利用該熱壓合之貼合，可使用例如：真空壓製機、晶圓接合器等裝置輕易地進行。

在此，於插入有犧牲層2之狀態，對於半導體晶圓3與支持基材1彼此接近之方向加壓時之壓力不特別限定，為約0.01~3MPa較佳，約0.012~2.5MPa更佳，約0.05~2MPa最佳。

又，此時加熱犧牲層2之溫度不特別限定，為約100~300℃較佳，約120~250℃更佳。

再者，加壓及加熱之時間不特別限定，為約0.1~10分較佳，約0.5~10分更佳。

藉由以該條件將犧牲層2熱壓合於功能面31，犧牲層2會於至少表面熔融之狀態，與功能面31接觸。在此，半導體晶圓3之功能面31，由於形成有由導電性材料構成之配線或凸塊等，因此功能面31會形成凹凸面。以此方式，功能面31雖由凹凸面構成，但是至少犧牲層2會成為熔融的狀態。藉此，當犧牲層2接觸功能面31時，犧牲層2會追隨其凹凸形狀而埋入功能面31，所以可隔著犧牲層2於半導體晶圓3與支持基材1之間維持著固定間隔之狀態，使半導體晶圓3與支持基材1接合。

又，犧牲層2之TMA軟化點為前述犧牲層形成步驟說明過之範圍內時，藉由以上述加壓條件及溫度條件將犧牲層2熱壓合於功能面31，能以更為優異的精度進行隔著犧牲層2之半導體晶圓3與支持基材1之接合。

又，功能面31之凹凸，即使形成了如凸塊之大體積者，通常仍會是不到50μm之高低差。因此，依照本實施形態，於前述犧牲層形成步驟，已形成平均膜厚約5×10^-4~3×10^-2 cm之犧牲層2，可以使犧牲層2埋入由該凹凸面構成之功能面31。藉此，能隔著犧牲層2使半導體晶圓3與支持基材1保持固定之間隔距離。

(加工步驟)

其次，將與隔著犧牲層2而固定於支持基材1上之半導體晶圓3之功能面31為相反側之面(背面)進行加工(第3步驟)。

該半導體晶圓3之加工不特別限定，例如：將如圖1(c)所示之半導體晶圓3之背面進行研削、研磨，此外，尚有於半導體晶圓3形成貫孔、用於釋放應力而將半導體晶圓3之背面進行蝕刻、微影、以及於半導體晶圓3之背面塗佈薄膜、蒸鍍等。

在此，本實施形態中，係如前述犧牲層形成步驟及前述貼合 步驟所說明，以均勻膜厚形成犧牲層2，且對於由凹凸面構成之功能面31以追隨其凹凸形狀之方式接合犧牲層2。藉此，以維持半導體晶圓3與支持基材1之間為固定間隔的狀態，隔著犧牲層2將半導體晶圓3接合於支持基材1。所以，例如：當隔著不均勻膜厚的犧牲層將半導體晶圓3接合於支持基材1時，當將與功能面31為相反側之面進行研削、研磨，會有由於犧牲層2之不均勻膜厚造成半導體晶圓3之厚度發生不齊一之虞，但是如上述，藉此使半導體晶圓3與支持基材1之間之間隔距離維持固定的間隔，能確實防止發生厚度不齊一。

(活性能量射線照射步驟)

其次，如圖1(d)所示，對於犧牲層2照射活性能量射線(第4步驟)。

藉此，由於犧牲層(樹脂組成物)2包含由於酸或鹼存在而使熱分解溫度降低之樹脂成分、以及因為對於暫時固定劑照射活性能量射線而產生酸或鹼之活性劑，所以，若對於暫時固定劑(樹脂組成物)中所含之活性劑賦予能量，則會從活性劑產生如酸或鹼之活性物質。該結果，由於該活性物質之作用，樹脂成分之熱分解溫度會降低。

因此，在次步驟(脫離步驟)之犧牲層2之加熱之前，先對於犧牲層2照射活性能量射線，能夠減低加熱犧牲層2時之加熱溫度或縮短加熱時間等。所以，能以較為溫和的條件實施該加熱。

又，本實施形態中係將該活性能量射線照射之條件適定在適當的範圍內，但關於該點將於後詳述。

(脫離步驟)

其次，如圖1(e)所示，藉由將犧牲層2加熱而使樹脂成分熱 分解並低分子化，使犧牲層2熔融或氣化後，使半導體晶圓3從支持基材1脫離(第5步驟)。

在此，本說明書中，脫離係指將半導體晶圓3從支持基材1剝離的操作，且無關於犧牲層2成為熔融狀態或氣化的情形，例如：該操作例如：使半導體晶圓3以對於支持基材1之表面成垂直之方向脫離之方法、或使半導體晶圓3沿相對於支持基材1之表面為水平方向滑動而使脫離之方法，或如圖1(f)所示，使半導體晶圓3從半導體晶圓3一端側從支持基材1浮起而脫離之方法等。

又，當藉由經過前述加熱步驟，犧牲層2氣化時，由於已從半導體晶圓3與支持基材1之間去除犧牲層2，因此能更輕易地進行從支持基材1使半導體晶圓3脫離。

又，本實施形態中，將犧牲層2加熱之溫度，係因應前述步驟(活性能量射線照射步驟)已說明之活性能量射線之照射量而適當設定，但關於該點將於後詳述。

(洗滌步驟)

其次，當於前述脫離步驟，藉由加熱犧牲層2而使犧牲層2成為熔融狀態時，或有一部分已氣化的犧牲層2殘存時，視需要洗滌在半導體晶圓3之功能面31殘存之犧牲層2。

亦即，去除在功能面31殘留的犧牲層2的殘留物。

該殘留物之去除方法不特別限定，例如：電漿處理、藥液浸漬處理、研磨處理、加熱處理等。

又，本實施形態中，於犧牲層形成步驟係將犧牲層2形成於支持基材1，但不限於該情形，也可在支持基材1及半導體晶圓3兩者形成犧牲層2，也可省略在支持基材1形成犧牲層2而選擇性 於半導體晶圓3形成犧牲層2。

如以上，係於半導體晶圓3之背面進行加工，但是本實施形態中，為了在脫離步驟即使以較溫和的條件也能輕易地使半導體晶圓3脫離支持基材1，需要將活性能量射線照射步驟當中對於犧牲層2照射活性能量射線之照射條件設定在適當的範圍內。

本案發明人著眼於該點並努力探討，結果發現：將活性能量射線照射步驟中的活性能量射線之照射量定為E[J/cm²]、且犧牲層2之平均厚度定為M[cm]，並且將脫離步驟當中加熱犧牲層2之溫度定為T[℃]、加熱犧牲層2之時間定為t[分]時，藉由設定使此等滿足下式1~下式3之關係，能使半導體晶圓3輕易地從支持基材1脫離。

log(T²．t)≦-10^-4．(E²/M)+5.7………式1

log(T²．t)≧-10^-4．(E²/M)+3.8………式2

3.3×10^-5≦E²/M≦8.0×10⁵………式3

藉由滿足該關係，能從受到照射活性能量射線之犧牲層2所含之活性劑適量產生活性物質，且由於該活性物質之作用可以確實降低樹脂成分熱分解的溫度。並且，藉由對於如此之熱分解溫度降低的樹脂成分，以適當的加熱條件(溫度及時間)加熱，並使樹脂成分熔融或氣化，能不發生半導體晶圓3之變質、劣化而輕易地使半導體晶圓3脫離支持基材1。

在此，藉由滿足前述式1~前述式3的關係，而能使半導體晶圓3輕易地脫離支持基材1，係得自如以下之本案發明人之探討結果。

亦即，探討活性能量射線之照射量E、犧牲層2之平均厚度 M、加熱犧牲層2之溫度T及加熱犧牲層2之時間t之關係。其結果，了解T²．t與E²/M之間的關係，係決定是否能使半導體晶圓3脫離支持基材1之分界的要素。並且，本案發明人更進一步探討，結果：當以log(T²．t)為Y座標、E²/M為X座標時，該等明顯有一次函數之關係，故使用最小平方法求取半導體晶圓3是否能脫離支持基材1之分界，獲得如下式4之關係。亦即，下式4係：當成為圖2中之■標記的位置時，半導體晶圓3無法脫離支持基材1，當成為圖2中之◆標記之位置時，半導體晶圓3能脫離支持基材1之分界。

log(T²．t)=-10^-4．(E²/M)+3.8………式4

因此，若以滿足式2的方式，設定活性能量射線之照射量E、犧牲層2之平均厚度M、加熱犧牲層2之溫度T及加熱犧牲層2之時間t，雖能使半導體晶圓3脫離支持基材1，但是Y座標之值亦即log(T²．t)若變得過大，加熱之條件會變得太嚴格，半導體晶圓3有變質、劣化之虞。所以，針對能避免該點的分界更進一步探討，結果了解下式5為其分界。依據此，發現藉由滿足式1，能確實防止或抑制半導體晶圓3之變質、劣化。

log(T²．t)=-10^-4．(E²/M)+5.7………式5

再者，針對X座標(E²/M)亦即活性能量射線之照射量E、犧牲層2之平均厚度M之適當範圍進行探討，結果了解到：藉由滿足式3，能使犧牲層2中產生足量的活性物質，且於加工步驟能使犧牲層2發揮接合半導體晶圓3與支持基材1之當做固定劑的功能。

所以，本案發明人發現：藉由使滿足上式(1)~上式(3)，亦即，分別設定活性能量射線之照射量E、犧牲層2之平均厚度M、加熱犧牲層2之溫度T及加熱犧牲層2侄時間t使位於圖2中之畫斜線的區域，能使半導體晶圓3輕易地脫離支持基材1，乃完成本發明。

又，活性能量射線之照射量E只要設定為滿足上式(1)~上式(3)即可，但以約0.001~20J/cm²較佳，約0.1~10J/cm²更佳。藉此，能使犧牲層2中產生更適量的活性物質。

又，犧牲層2之厚度M，為約5×10^-4~3×10^-2 cm較佳，約1×10^-3~1×10^-2 cm更佳。藉此，於加工步驟能使犧牲層2理想地發揮將半導體晶圓3與支持基材1予以接合之當做固定劑之功能，且同時能更為確實地使隔著犧牲層2將半導體晶圓3與支持基材1之間的間隔距離保持在固定的大小。

再者，加熱犧牲層2之條件，亦即，加熱溫度T及加熱時間t，各為約60~400℃及約1.67×10^-3~60分鐘較佳，約100~300℃及約1.0×10^-2~10分鐘更佳。藉由將犧牲層2之加熱條件設定在該範圍內，能更為確實地抑制或防止半導體晶圓3之變質、劣化。

又，本實施形態中，係於支持基材1選擇性形成犧牲層2，但不限於該情形，也可選擇性形成於半導體晶圓3，也可於支持基材1及半導體晶圓3兩者形成。惟，如本實施形態，藉由在支持基材1選擇性形成，能簡化用於形成犧牲層2的時間與麻煩，再者能以平坦面構成形成支持基材1之犧牲層2之面，所以也可獲得確實使犧牲層2具有均勻膜厚的效果。

又，本實施形態中，係使使用半導體晶圓3當做基材的情形為一例說明，但不限於該情形，也可使用例如：配線基板及電路基板等。

以上已依據圖式之實施形態說明了本發明之第2實施形態之基材之加工方法，但本發明不限於該等。

例如，本發明之基材之加工方法使用之暫時固定劑所含的各構成材料，也可替換成能發揮同樣功能之任意者，或可加成任意構成。

又，本發明之基材之加工方法，視需要也可追加任意的步驟。

【實施例】

其次針對本發明之第1實施形態所對應的具體實施例加以說明。

1.暫時固定劑之製備

首先製備如以下所示之實施例1A~2A及比較例A之暫時固定劑。

[實施例1A] <聚碳酸酯之合成>

分別稱量異山梨酯102.01g(0.698莫耳)、碳酸二苯酯149.53g(0.698莫耳)、碳酸銫0.0023g(6.98×10^-6莫耳)，之後將該等放入反應容器。

就反應之第1步驟而言，於氮氣氛圍下將反應容器浸入加熱至120℃的加熱槽並攪拌，使原料溶解，並持續攪拌2小時。

其次，就反應之第2步驟而言，將反應容器內減壓至10kPa，並於120℃持續攪拌1小時。

其次，就反應之第3步驟而言，將反應容器內減壓至0.5kPa以下，於120℃持續攪拌1.5小時。

其次，就反應之第4步驟而言，將反應容器內減壓至0.5kPa以下，維持此狀態花費約30分鐘將加熱槽之溫度升溫至180℃後，於180℃持續攪拌1.5小時。

又，將前述反應之第2~4步驟產生的苯酚餾除到反應容器外。

並且，於使反應容器內之壓力回到常壓後，添加γ-丁內酯1200mL，使產物溶解。

其次，於攪拌異丙醇/水=9/1(v/v)之混合溶液12.0L的狀態，滴加溶有產物的溶液。

其次，將析出的沉澱以抽吸過濾回收，並將回收的沉澱以異丙醇/水=9/1(v/v)的混合溶液4.0L洗滌後，以抽吸過濾回收。

將已回收的沉澱以真空乾燥機於80℃進行18小時乾燥，藉此獲得上述化學式(2B)表示之異山梨酯型聚碳酸酯之粉末123.15g。

<暫時固定劑之製備>

將獲得之異山梨酯型聚碳酸酯100g、當做活性劑之錪系光酸發生劑(Bruestar Silicones公司製、型號「Rhodorsil Photoinitiator 2074」)5g、當做增感劑之噻吨酮系化合物(Lambson公司製、型號「SPEEDCURE CPTX」)1.3g溶於N-甲基-2-吡咯烷酮193.4g，製備樹脂成分濃度33.3重量%之暫時固定劑。

[實施例2A] <聚碳酸酯之合成>

分別稱量異山梨酯51.01g(0.349莫耳)、1,4-環己烷二甲醇50.30g(0.349莫耳)、碳酸二苯酯149.53g(0.698莫耳)、碳酸銫0.0023g(6.98×10^-6莫耳)，之後，將該等放入反應容器。

就反應之第1步驟而言，於氮氣氛圍下，將反應容器浸入加熱至120℃的加熱槽並攪拌，使原料溶解，並持續攪拌2小時。

其次，就反應之第2步驟而言，將反應容器內減壓至10kPa，並於120℃持續攪拌1小時。

其次就反應之第3步驟而言，將反應容器內減壓至0.5kPa以下，於120℃持續攪拌1.5小時。

其次就反應之第4步驟而言，將反應容器內減壓至0.5kPa以下，維持此狀態，花費約30分鐘將加熱槽之溫度升溫至180℃後，於180℃持續攪拌1.5小時。

又，將前述反應之第2~4步驟產生的苯酚餾除到反應容器外。

並且，於使反應容器內之壓力回到常壓後，添加γ-丁內酯1200mL，使產物溶解。

其次，於攪拌異丙醇/水=9/1(v/v)之混合溶液12.0L的狀態，滴加溶有產物的溶液。

其次，將析出的沉澱以抽吸過濾回收，並將回收的沉澱以異丙醇/水=9/1(v/v)的混合溶液4.0L洗滌後，以抽吸過濾回收。

將已回收的沉澱以真空乾燥機於80℃進行18小時乾燥，藉此獲得上述化學式(2C)表示之聚碳酸酯之粉末108.72g。

<暫時固定劑之製備>

將獲得之聚碳酸酯100g、當做活性劑之錪系光酸發生劑(Bruestar Silicones公司製、型號「Rhodorsil Photoinitiator 2074」)5g、當做增感劑之噻吨酮系化合物(Lambson公司製、型號「SPEEDCURE CPTX」)1.3g，溶於N-甲基-2-吡咯烷酮193.4g，製備樹脂成分濃度33.3重量%之暫時固定劑。

[比較例A] <5-癸基降莰烯加成聚合物之合成>

於經充分乾燥之反應容器中，導入乙酸乙酯(430g)、環己烷(890g)、5-癸基降莰烯(223g、0.95莫耳)，於該系中於40℃流通乾燥氮氣30分鐘，去除溶存氧。於反應系中添加雙(甲苯)雙(全氟苯基)鎳1.33g(0.275m莫耳)溶於乙酸乙酯12g而成之溶液，將上述系花費15分鐘從20℃升溫到35℃，於保持此溫度的狀態，將反應系攪拌3小時。

將反應系冷卻至室溫後，使冰醋酸26g溶解於添加有30%過氧化氫水49g的約1500g的純水，並將其添加到前述反應系中，將反應系於50℃攪拌5小時後，停止攪拌，去除已分離的水層。將殘留的有機層以混合有220g甲醇與220g異丙醇者藉由添加~攪拌~去除進行洗滌。再者，於反應系中添加環己烷510g與乙酸乙酯290g，均勻溶解後，再藉由將混合有甲醇156g與異丙醇167g者，藉由添加~攪拌~去除以進行洗滌，重複2次。

於洗滌後之有機層添加180mL環己烷，使反應系均勻溶解，再添加670g。並且，以旋轉蒸發器於減壓下將環己烷蒸發去除，藉此以35%溶液之形式獲得5-癸基降莰烯加成聚合物，產量：543g。將該溶液當做暫時固定劑使用。

2.評價 2-1.曝光前之熔融黏度之測定

針對上述製備之實施例1A~2A及比較例A之暫時固定劑，以成為厚度50μm之膜的條件塗佈在矽晶圓上，並於大氣中於120℃ 進行5分鐘軟烘烤。

其次，於該矽晶圓上再度以相同條件塗佈暫時固定劑，並於大氣中於120℃進行5分鐘軟烘烤，之後再於大氣中於220℃進行5分鐘的硬烘烤。

然後，將暫時固定劑之膜以裁切機切出30×30mm的切口，浸漬於2%氟酸溶液，藉此從矽晶圓剝離暫時固定劑，並製作厚度100μm之測定樣本(暫時固定劑層)。將製作的測定樣本以純水洗滌，並以60℃/10hr的條件乾燥。

使用獲得之測定樣本，使用黏彈性測定裝置(HAAKE公司製、Rheo stress RS150)，以頻率1Hz，從25℃以10℃/分的速度升溫，並以固定的剪切速度測定熔融黏度，將於180℃氣體氛圍之熔融黏度當做測定值。其結果如表1。

2-2.曝光後之熔融黏度之測定

與以上述2-1為同樣的步驟在矽晶圓上形成暫時固定劑層，並從矽晶圓剝離暫時固定劑後，以超高壓水銀燈照射i線使成為2000mJ/cm²(i線換算)後，使用黏彈性測定裝置(HAAKE公司製、Rheo stress RS150)，以頻率1Hz，從25℃以10℃/分的速度升溫，以固定的剪切速度測定熔融黏度，並以於180℃氣體氛圍之熔融黏度當做測定值。其結果如下表1。

2-3.基材從支持基材之脫離

將上述實施例1A、2A及比較例A製備的暫時固定劑分別以旋塗法塗佈於玻璃上，於大氣中以120℃×5分鐘的條件進行軟烘烤。其次，再度以相同條件在該玻璃上塗佈於實施例1A、2A及比較例A製備之暫時固定劑，於大氣中以120℃×5分鐘的條件進行軟烘烤後，再於大氣中以220℃×5分鐘的條件進行硬烘烤，獲得厚度50μm之暫時固定劑層。之後，在暫時固定劑層上設置半導體晶圓，隔著暫時固定劑將半導體晶圓與玻璃以240℃(實施例1A、比較例A)或220℃(實施例2A)、10kN、5分鐘的條件固定。

其次進行半導體晶圓的研磨，之後將半導體晶圓與玻璃的疊層體於大氣中以230℃×10分鐘的條件加熱。之後，對於該半導體晶圓與玻璃之疊層體從玻璃側以2000mJ/cm²(i線換算)的條件照射i線，之後上下以180℃的熱板夾持，並使真空吸附後，使半導體晶圓以2.0mm/秒的速度滑動，使從玻璃脫離。之後，將半導體晶圓及玻璃以搖動狀態浸漬於γ-丁內酯5分鐘，實施去除半導體晶圓及玻璃上之暫時固定劑之殘渣。

其結果，實施例1A及實施例2A，可不損害半導體晶圓而使半導體晶圓脫離，又，能以浸漬於γ-丁內酯而去除暫時固定劑之殘渣。但是，比較例A以該條件無法使半導體晶圓脫離。

其次針對本發明之第2實施形態所對應的具體的實施例加以說明。

[實施例1B] <聚碳酸酯之合成>

分別稱量異山梨酯102.01g(0.698莫耳)、碳酸二苯酯149.53g(0.698莫耳)、碳酸銫0.0023g(6.98×10^-6莫耳)，之後將該等放入反應容器。

就反應之第1步驟而言，於氮氣氛圍下，將反應容器浸入加熱至120℃的加熱槽並攪拌，使原料溶解，並持續攪拌2小時。

其次，就反應之第2步驟而言，將反應容器內減壓至10kPa，並於120℃持續攪拌1小時。

其次就反應之第3步驟而言，將反應容器內減壓至0.5kPa以下，於120℃持續攪拌1.5小時。

其次就反應之第4步驟而言，將反應容器內減壓至0.5kPa以下，維持此狀態，花費約30分鐘將加熱槽之溫度升溫至180℃後，於180℃持續攪拌1.5小時。

又，將前述反應之第2~4步驟產生的苯酚餾除到反應容器外。

並且，於使反應容器內之壓力回到常壓後，添加γ-丁內酯1200mL，使產物溶解。

其次，於攪拌異丙醇/水=9/1(v/v)之混合溶液12.0L的狀態，滴加溶有產物的溶液。

其次，將析出的沉澱以抽吸過濾回收，並將回收的沉澱以異丙醇/水=9/1(v/v)的混合溶液4.0L洗滌後，以抽吸過濾回收。

將已回收的沉澱以真空乾燥機於80℃進行18小時乾燥，藉此獲得上述化學式(2A)表示之異山梨酯型聚碳酸酯之粉末123.15g。

<暫時固定劑之製備>

將獲得之異山梨酯型聚碳酸酯100.0g、當做活性劑(光酸發生劑)之GSID26-1(BASF JAPAN公司製)2.0g溶於γ-丁內酯198.0g，製備樹脂成分濃度33重量%之暫時固定劑。

<晶圓接合樣本製作>

將上述製備之暫時固定劑以旋塗法塗佈於200mm 之玻璃晶圓上，於大氣中以120℃×5分鐘、220℃×5分鐘的條件進行軟烘烤，獲得厚度50μm之暫時固定劑層(薄膜)。之後，在暫時固定劑層上設置8吋的裸矽晶圓，使用基材接合器(型號SB-8e、SUSS Microtec公司製)，隔著暫時固定劑將半導體晶圓與玻璃予以固定(氣體氛圍：10^-2 mbar、溫度：220℃、負荷：10kN、時間：5分鐘)。

<晶圓剝離試驗>

將上述製作之使用了暫時固定劑的玻璃晶圓與矽晶圓的疊層體，從玻璃側以200mJ/cm²(i線換算)的條件照射i線，並於上下以240℃的熱板夾持，並使真空吸附後，花費1分鐘使半導體晶圓滑動，可使半導體晶圓從玻璃脫離。又，矽晶圓及玻璃上之殘渣，可藉由於γ-丁內酯搖動的狀態浸漬5分鐘而去除。

[實施例2B] <晶圓剝離試驗>

將實施例1B獲得之玻璃晶圓與矽晶圓之疊層體，從玻璃側以200mJ/cm²(i線換算)之條件照射i線，並於上下以230℃的熱板夾持，並使真空吸附後，花費9分鐘使矽晶圓滑動，藉此可脫離玻璃。又，半導體晶圓及玻璃上之殘渣，可藉由於γ-丁內酯搖動的狀態浸漬5分鐘而去除。

[實施例3B] <聚碳酸酯之合成>

將1,3-環己烷二醇30.43g(0.262莫耳)、內向(endo)，內向(endo)-2,3-降莰烷二甲醇23.02g(0.147莫耳)、碳酸二苯酯84.63g(0.395莫耳)、碳酸鋰0.0163g(0.0021莫耳)放入反應容器。就反應之第1步驟而言，於氮氣氛圍下，將反應容器浸入加熱至 120℃的加熱槽並攪拌，使原料溶解，並持續攪拌2小時。就反應之第2步驟而言，將反應容器內減壓至10kPa，於120℃持續攪拌1小時。就反應之第3步驟而言，將反應容器內減壓至0.5kPa以下，並於120℃持續攪拌1.5小時。就反應之第4步驟而言，將反應容器內減壓到0.5kPa以下，維持此狀態，花費約30分鐘將加熱槽的溫度升溫至180℃後，於180℃持續攪拌1小時。將反應之第2~4步驟產生的苯酚餾除到反應容器外。

反應容器內之壓力回到常壓後，添加四氫呋喃600ml，使產物溶解。於攪拌異丙醇/水=9/1(v/v)之混合溶液6.0L的狀態，滴加溶有產物的溶液。將析出之沉澱以抽吸過濾回收，並將回收的沉澱以異丙醇/水=9/1(v/v)混合溶液3.0L洗滌後，以抽吸過濾回收。

將回收的沉澱以真空乾燥機於60℃進行18小時乾燥，獲得聚碳酸酯之粉末49.27g。

<暫時固定材之製備>

將獲得之樹脂100.0g、當做活性劑(光酸發生劑)之GSID26-1(BASF JAPAN公司製)2.0g溶於γ-丁內酯198.0g，製備樹脂成分濃度33重量%之暫時固定劑。

<晶圓接合樣本製作>

將上述製備之暫時固定劑以旋塗法旋塗於200mm 之玻璃晶圓上，於大氣中以120℃×5分鐘、220℃×5分鐘的條件進行軟烘烤，獲得厚度15μm之暫時固定劑層。之後，在暫時固定劑層上設置8吋的裸矽晶圓，隔著暫時固定劑將半導體晶圓與玻璃使用基材接合器(型號SB-8e、SUSS Microtec公司製)固定(氣體氛圍：10^-2 mbar、溫度：220℃、負荷：10kN、時間：5分鐘)。

<晶圓剝離試驗>

將上述製作之使用了暫時固定劑的玻璃晶圓與矽晶圓的疊層 體，從玻璃側以1140mJ/cm²(i線換算)的條件照射i線，並於上下以130℃的熱板夾持，並使真空吸附後，花費6.5分鐘分鐘使半導體晶圓滑動，可使矽晶圓從玻璃脫離。又，矽晶圓及玻璃上之殘渣，可藉由於γ-丁內酯搖動的狀態浸漬5分鐘而去除。

[實施例4B] <暫時固定材之製備>

將聚丙烯碳酸酯QPAC40(EMPOWER MATERIALS公司製)100.0g、活性劑(光酸發生劑)之Rhodorsil Photoinitiator2074(Rhodia JAPAN(股)公司製Rhodorsil Photoinitiator2074)5g、增感劑之1-氯-4-丙氧基噻吨酮(英Lambson公司製SPEEDCURE CPTX(商品名))1.5g溶於γ-丁內酯340.0g，製備樹脂成分濃度22重量%之暫時固定劑。

<晶圓接合樣本製作>

將上述製備之暫時固定劑以旋塗法旋塗於200mm 之玻璃晶圓上，於大氣中以120℃×5分鐘、220℃×5分鐘的條件進行軟烘烤，獲得厚度50μm之暫時固定劑層。之後，在暫時固定劑層上設置8吋的裸矽晶圓，隔著暫時固定劑將半導體晶圓與玻璃使用基材接合器(型號SB-8e、SUSS Microtec公司製)固定(氣體氛圍：10^-2 mbar、溫度：160℃、負荷：10kN、時間：5分鐘)。

<晶圓剝離試驗>

將上述製作之使用了暫時固定劑的玻璃晶圓與矽晶圓的疊層體，從玻璃側以1000mJ/cm²(i線換算)的條件照射i線，並於上下以140℃的熱板夾持，並使真空吸附後，花費1分鐘分鐘使半導體晶圓滑動，可使矽晶圓從玻璃脫離。又，矽晶圓及玻璃上之殘渣，可藉由於γ-丁內酯搖動的狀態浸漬5分鐘而去除。

[比較例1B] <晶圓接合樣本製作>

將實施例4B製備之暫時固定劑以旋塗法旋塗於200mm 之玻璃晶圓上，於大氣中以120℃×5分鐘、220℃×5分鐘的條件進行軟烘烤，獲得厚度15μm之暫時固定劑層。之後，在暫時固定劑層上設置8吋的裸矽晶圓，隔著暫時固定劑將半導體晶圓與玻璃使用基材接合器(型號SB-8e、SUSS Microtec公司製)固定(氣體氛圍：10^-2 mbar、溫度：160℃、負荷：10kN、時間：5分鐘)。

<晶圓剝離試驗>

將上述製作之使用了暫時固定劑的玻璃晶圓與矽晶圓的疊層體，從玻璃側以1140mJ/cm²(i線換算)的條件照射i線，並於上下以100℃的熱板夾持，並使真空吸附後，花費20秒欲使半導體晶圓滑動，但是，滑動時的負荷超載，無法從玻璃脫離。

[歸納]

以下將實施例1B~4B、比較例1B之評價結果顯示於表2。

如表2，各實施例中，由於活性能量射線之照射量E、暫時固定劑層之平均厚度M、加熱暫時固定劑層之溫度T及加熱暫時固定劑層之時間t之關係滿足上式1~式3之關係，能使半導體晶圓輕易地脫離玻璃晶圓。

相對於此，比較例1B中，由於上述參數未滿足上式1~式3之關係，故成為半導體晶圓無法從玻璃晶圓脫離的結果。

【產業上利用性】

依照本發明之第1實施形態之暫時固定劑，係藉由於基材之加工後照射活性能量射線後進行加熱，其熔融溫度降低者。所以，於基材之加工時能將基材固定於支持基材上，基材脫離時能以低的加熱溫度使基材脫離支持基材，所以能減低對於基材的損害而同時進行高精度的加工，可發揮可於低的加熱溫度於加工後使基材輕易脫離支持基材之效果。

又，依照本發明之第2實施形態之基材之加工方法，能隔著使用暫時固定劑而形成的薄膜，將基材以牢固地暫時固定於支持基材上的狀態將基材加工。再者，藉由適當設定對於基材之加工後之薄膜照射之活性能量射線之照射量、與基材從支持基材脫離時之加熱之條件，可發揮能輕易地使基材脫離支持基材的效果。

所以，本發明可以理想地應用為加工基材時將該基材暫時固定於支持基材而使用的暫時固定劑、及使用該暫時固定劑之基材之加工方法。

1‧‧‧支持基材

2‧‧‧犧牲層(薄膜)

3‧‧‧半導體晶圓(基材)

31‧‧‧功能面

圖1(a)~(f)係用於說明使用本發明之暫時固定劑將半導體晶圓進行加工之加工步驟的縱剖面圖。

圖2顯示活性能量射線之照射量、薄膜之平均厚度、加熱薄膜之溫度、與加熱薄膜之時間之間的關係圖。

1‧‧‧支持基材

2‧‧‧犧牲層(薄膜)

3‧‧‧半導體晶圓(基材)

31‧‧‧功能面

Claims (19)

1. 一種暫時固定劑，係為了加工基材時將該基材暫時固定於支持基材，並於該基材之加工後，藉由於照射活性能量射線後進行加熱，而將該基材從該支持基材脫離而使用；其特徵為：照射該活性能量射線後，於180℃之熔融黏度為0.01~100Pa‧s；係由包含以下成分的樹脂組成物構成：於酸或鹼存在下因為加熱而熔融黏度降低之樹脂成分；及因為該活性能量射線之照射而產生酸或鹼之活性劑。
2. 如申請專利範圍第1項之暫時固定劑，其中，該活性能量射線之照射係將波長365nm之光照射2000mJ/cm²以進行。
3. 如申請專利範圍第1或2項之暫時固定劑，其中，於照射該活性能量射線前，於180℃之熔融黏度為100~10000Pa‧s。
4. 如申請專利範圍第1或2項之暫時固定劑，其中，當照射該活性能量射線前於180℃之熔融黏度定為A[Pa‧s]，且照射該活性能量射線後於180℃之熔融黏度定為B[Pa‧s]時，係滿足A/B為10~10000之關係。
5. 如申請專利範圍第1或2項之暫時固定劑，其係藉由於照射該活性能量射線後進行加熱，使該暫時固定劑成為熔融狀態，並藉此使該基材從該支持基材脫離。
6. 如申請專利範圍第1或2項之暫時固定劑，其中照射該活性能量射線後，50%重量減少溫度為260℃以上。
7. 如申請專利範圍第6項之暫時固定劑，其中，該樹脂成分為聚碳酸酯系樹脂。
8. 如申請專利範圍第7項之暫時固定劑，其中，該聚碳酸酯系樹脂係在碳酸酯構成單元中至少包含2個環狀體而成者。
9. 一種基材之加工方法，其特徵為包含以下步驟：第1步驟，將由如申請專利範圍第1至8項中任一項之暫時固定劑構成之薄膜形成於該基材及該支持基材中之至少一者； 第2步驟，隔著該薄膜，將該基材與該支持基材予以貼合；第3步驟，將該基材中之與該支持基材為相反側之面進行加工；第4步驟，對於該薄膜照射該活性能量射線後，將該薄膜加熱而使其成為熔融狀態，藉此使該基材從該支持基材脫離；以及第5步驟，洗滌殘存於該基材之該薄膜。
10. 如申請專利範圍第9項之基材之加工方法，其中，該支持基材係具有透光性者。
11. 一種基材之加工方法，其特徵為：包含以下步驟：第1步驟，將由包含藉由加熱進行熱分解而熔融或氣化之樹脂成分的樹脂組成物構成之暫時固定劑對於基材及支持基材至少其中之一者供給之後乾燥而形成薄膜；第2步驟，隔著該薄膜，將該基材與該支持基材予以貼合；第3步驟，將該基材中之與該支持基材為相反側之面進行加工；第4步驟，對於該薄膜照射活性能量射線；以及第5步驟，將該薄膜加熱而使該樹脂成分熱分解，藉此使該基材從該支持基材脫離；該第4步驟中，當該活性能量射線之照射量定為E[J/cm²]，該薄膜之平均厚度定為M[cm]，且該第5步驟中，加熱該薄膜之溫度定為T[℃]，加熱該薄膜之時間定為t[分]時，該等設定為滿足下式1~下式3之關係：log(T²‧t)≦-10^-4‧(E²/M)+5.7‧‧‧式1 log(T²‧t)≧-10^-4‧(E²/M)+3.8‧‧‧式2 3.3×10^-5≦E²/M≦8.0×10⁵‧‧‧式3。
12. 如申請專利範圍第11項之基材之加工方法，其中，該活性能量射線之照射量E為0.001~20J/cm²。
13. 如申請專利範圍第11或12項之基材之加工方法，其中，該薄膜之厚度M為5×10^-4~3×10^-2cm。
14. 如申請專利範圍第11或12項之基材之加工方法，其中，加熱該薄膜之溫度T為60~400℃。
15. 如申請專利範圍第11或12項之基材之加工方法，其中，加熱該薄膜之時間t為1.67×10^-3~60分鐘。
16. 如申請專利範圍第11或12項之基材之加工方法，其中，由於在該第4步驟對於該薄膜照射活性能量射線，故該樹脂成分於該第5步驟之熱分解之溫度會降低。
17. 如申請專利範圍第16項之基材之加工方法，其中，該樹脂成分係於酸或鹼存在下之該熱分解之溫度會降低者，且該樹脂組成物更包含因為該活性能量射線之照射而產生酸或鹼之活性劑。
18. 如申請專利範圍第17項之基材之加工方法，其中，該活性劑在該樹脂組成物中相對於該樹脂成分含有0.01~50重量%。
19. 如申請專利範圍第11或12項之基材之加工方法，其中，於該第1步驟，對於該基材及該支持基材中的該支持基材選擇性供給該暫時固定劑而形成該薄膜。