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TWI535003B - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

有機發光顯示裝置 Download PDF

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Publication number
TWI535003B
TWI535003B TW102118415A TW102118415A TWI535003B TW I535003 B TWI535003 B TW I535003B TW 102118415 A TW102118415 A TW 102118415A TW 102118415 A TW102118415 A TW 102118415A TW I535003 B TWI535003 B TW I535003B
Authority
TW
Taiwan
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layer
substrate
buffer layer
light
color filter
Prior art date
Application number
TW102118415A
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English (en)
Other versions
TW201445722A (zh
Inventor
趙光品
黃浩榕
蔡旻翰
Original Assignee
群創光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 群創光電股份有限公司 filed Critical 群創光電股份有限公司
Priority to TW102118415A priority Critical patent/TWI535003B/zh
Priority to US14/252,417 priority patent/US8969904B2/en
Publication of TW201445722A publication Critical patent/TW201445722A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI535003B publication Critical patent/TWI535003B/zh

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

有機發光顯示裝置
本發明乃是關於一種顯示裝置,特別是指一種有機發光顯示裝置。
相較於傳統的液晶顯示裝置,現有的有機發光顯示裝置具有較快的反應速度及較鮮明的色彩對比,並且幾乎沒有視角的限制等優勢,逐漸在顯示器市場中受到矚目。其次,有機發光顯示裝置因具有自發光的特性,因此不須使用背光模組,可以使顯示裝置更輕薄,並且較不受不同環境光的影響,而可兼具室內及戶外的應用領域。
目前常見的有機發光顯示裝置包含一上基板及一下基板。下基板包括一薄膜電晶體陣列及一有機發光元件陣列,並且利用薄膜電晶體陣列控制有機發光元件陣列發出色光,以產生影像。在一般有機發光顯示裝置的製程中,當下基板完成有機發光元件陣列的製作後,將保護層覆蓋於有機發光元件陣列上,以防止水氣入侵而造成有機發光元件之壽命衰減。隨後,以密封結構及填充劑(filler)將下基板與上基板(彩色濾光基板)相互壓合完成封裝。
在有機發光顯示裝置下基板製作過程中,難免會有微粒殘留於下基板上,微粒的粒徑甚至可能大於保護層厚度。在形成保護層於有機發光元件陣列上之後,保護層會將微粒包覆住,且保護層的表面會因包覆微粒而突起。然而,當對下基板與上基板施加外力相互壓合以進行組裝時,保護層突起部分較容易因為壓迫上基板而產生裂痕,導致水氣容易由保護層的裂痕入侵有機發光元件,進而使有機發光元件壽命縮短。
本發明實施例在於提供一種有機發光顯示裝置,包括第一基板、有機發光陣列、薄膜封裝保護層、第二基板、密封件及緩衝層。第一基板具有發光區域(light emitting region)與非發光區域(non-light emitting region)。有機發光陣列配置於第一基板之發光區域。一薄膜封裝保護層(thin film encapsulation layer),覆蓋該有機發光陣列。第二基板與第一基板相對設置,且對應發光區域並配置有彩色濾光陣列。密封件(sealant member)設置於第一基板與第二基板間,且環設於發光區域。緩衝層設置於第一基板與第二基板間,且位於發光區域,並具有第一遮光層,其中第一遮光層位於緩衝層及薄膜封裝保護層間,其中緩衝層的厚度與緩衝層至薄膜封裝保護層間之距離之總和係5μm~20μm,並且緩衝層的硬度小於該彩色濾光陣列的硬度。
本發明可提供第一基板與第二基板之間具有較大的間距,可容置薄膜封裝保護層之表面因覆蓋微粒而突起之處,而減少因薄膜封裝保護層直接上頂到第二基板,造成薄膜封裝保護層破裂的機率,進而減少水氣入侵有機發光陣列的情形。
為了能更進一步瞭解本發明所採取之技術、方法及功效,請參閱以下有關本發明之詳細說明、圖式,相信本發明之特徵與特點,當可由此得以深入且具體之瞭解,然而所附圖式與附件僅提供參考與說明用,並非用來對本發明加以限制者。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
100‧‧‧主動元件陣列基板
200、200’、400、400’、600、600’‧‧‧彩色濾光基板
30‧‧‧密封件
AR‧‧‧發光區域
NR‧‧‧非發光區
10‧‧‧第一基板
101‧‧‧承載面
102‧‧‧底面
11‧‧‧薄膜電晶體陣列
12‧‧‧有機發光陣列
120‧‧‧第一電極層
121‧‧‧有機發光層
122‧‧‧第二電極層
13‧‧‧畫素定義層
14‧‧‧薄膜封裝保護層
15‧‧‧平坦層
150‧‧‧接觸開口
20‧‧‧第二基板
201‧‧‧第一表面
202‧‧‧第二表面
21‧‧‧彩色濾光陣列
21R‧‧‧紅色濾光層
21G‧‧‧綠色濾光層
21B‧‧‧藍色濾光層
21W‧‧‧白色濾光層
22、22’‧‧‧緩衝層
23‧‧‧第一遮光層
24‧‧‧間隙子
25‧‧‧第二遮光層
L‧‧‧緩衝層線寬
L1‧‧‧第一遮光層線寬
L2‧‧‧第二遮光層線寬
H1‧‧‧緩衝層厚度
H2‧‧‧距離
圖1係本發明一實施例之有機發光顯示裝置之上視圖。
圖2A 顯示圖1之有機發光顯示裝置之沿剖面線A-A之局部剖面示意圖。
圖2B 顯示本發明一實施例的彩色濾光基板。
圖3A 顯示本發明一實施例的彩色濾光基板。
圖3B 顯示本發明一實施例的彩色濾光基板。
圖4 顯示本發明一實施例的彩色濾光基板。
圖5 顯示本發明一實施例的彩色濾光基板。
請參照圖1,顯示本發明實施例之有機發光顯示裝置之上視圖。有機發光顯示裝置1包括主動元件陣列基板100、彩色濾光基板200及密封件(sealant member)30。有機發光顯示裝置1並定義一發光區域AR(light emitting region,也就是顯示區)及圍繞發光區域AR的非發光區NR(non-light emitting region,也就是非顯示區)。主動元件陣列基板100和彩色濾光基板200上的多個元件所形成的多個畫素陣列即是配置於發光區域AR內。
前述的密封件30則配置於非發光區NR,並環設發光區域AR,使主動元件陣列基板100與彩色濾光基板200經壓合後,可相互結合。密封件30並將主動元件陣列基板100與彩色濾光基板200上的多個元件密封於二者之間,從而與外界空氣及水氣隔絕。密封件30的材質為阻水材料,例如是密封膠或者黏著劑。
請參照圖2A,顯示圖1之有機發光顯示裝置之沿剖面線A-A之局部剖面示意圖。本發明實施例中,主動元件陣列基板100包括一第一基板10、一薄膜電晶體(TFT)陣列11、一有機發光陣列12、一畫素定義層13及一薄膜封裝保護層14。
第一基板10的材質可選擇透明玻璃、透明高分子或石英。第一基板10具有一承載面101及與承載面101相對的一底面102。承載面101上已定義前述的發光區域AR及非發光區NR,下文僅針對發光區域AR內的元件配置來描述。而薄膜電晶體(TFT)陣列11、有機發光陣列12及畫素定義層(pixel defined layer,PDL)13等元件皆配置於發光區域AR內。
薄膜電晶體陣列11形成於第一基板10上時,並藉由一平坦層 15和其他元件電性隔離。畫素定義層13形成於平坦層15上。在一實施例中,畫素定義層13為一光阻材料,以曝光顯影製程形成圖案化的畫素定義層13,以定義出多個畫素區。有機發光陣列12中的每一有機發光二極體(OLED)則分別形成於前述這些畫素區內。
具體而言,有機發光陣列12包括一第一電極層120、一有機發光層121及一第二電極層122,本實施例之第一電極層120為陽極層(Anode)而第二電極層122為陰極層(Cathode)。第一電極層120形成於前述的平坦層15上,並透過平坦層15上的多個接觸開口150與薄膜電晶體陣列11中每一電晶體元件的汲極電性連接。在一實施例中,第一電極層120是透明導電氧化物層,且第一電極層120的材料可以是氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。在另一實施例中,第一電極層120可為不透明之金屬層,並可兼具反射層功用,以提升OLED元件的發光效率,其材質選自由鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)以及鎢(W)所組成的群組其中之一種。第一電極層120亦可包括複數層之電極層,而形成多層的電極結構,例如:ITO/Ag/ITO。
有機發光層121形成於第一電極層120上。在一實施例中,於不同的畫素區係可發出不同色光的高分子材料作為有機發光層121。前述的色光例如是紅、藍、綠或白光。而前述的高分子材料可以是小分子型(OLED)或高分子型(PLED)。在另一實施例中,在所有畫素區係可發出相同色光之高分子材料作為有機發光層121。在圖2A的實施例中,則是於每一畫素區內形成可發出白光的有機發光層121。當薄膜電晶體對OLED輸入訊號,而對有機發光層121施加電壓時,注入有機發光層121的電子電洞結合放出能量,再由有機發光層121將能量轉換成可見光形式。
第二電極層122全面且連續地覆蓋於有機發光層121及畫素定義層13上,且第二電極層122直接接觸有機發光層121。在一 實施例中,第二電極層122為透明導電氧化物層,且第二電極層122的材料可選自氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。而第二電極層122亦可包括複數層電極層,而形成多層之電極結構。
薄膜封裝保護層14(thin film encapsulation layer)全面性地覆蓋於有機發光陣列12,以降低水氣滲入有機發光陣列12而導致OLED元件受損的機率。在一實施例中,薄膜封裝保護層14的厚度可選擇1μm至10μm之間。並且,薄膜封裝保護層14的材料可以是氮化矽或氧化矽。薄膜封裝保護層14可藉由化學氣相沉積法(CVD)形成。
本發明實施例中,彩色濾光基板200可包括一第二基板20、一彩色濾光陣列21、一緩衝層22、一第一遮光層23及多個間隙子24(spacer)。
第二基板20的材質和第一基板10類似,可選擇透明玻璃、透明高分子材料或石英等材質。第二基板20具有一第一表面201及與第一表面201相對的第二表面202。第二表面202上已定義前述的發光區域AR及非發光區NR,本實施例中僅針對發光區域AR中的元件配置來描述。前述的彩色濾光陣列21、緩衝層22及第一遮光層23皆形成於第二表面202上,並至少部份配置於發光區域AR內。詳細而言,本實施例的彩色濾光陣列21、緩衝層22及第一遮光層23是依序堆疊形成於第二表面202上。
彩色濾光陣列21包括對應各色的多個彩色濾光層,例如:紅色濾光層21R、綠色濾光層21G、藍色綠光層21B及白色濾光層21W,分別對應由前述畫素定義層13所定義出的多個畫素區排成陣列,其中白色濾光層21W可選擇性地設置。
緩衝層22設置於彩色濾光陣列21上,並可在主動元件陣列基板100及彩色濾光基板200對組過程中,降低薄膜封裝保護層14於製程過程中因為受壓或其他原因,例如:微粒(particle)壓傷 等,而使薄膜封裝保護層14產生裂縫的機率。
要特別說明的是,緩衝層22的硬度小於前述薄膜封裝保護層14的硬度,而該硬度為材料軟硬程度的性能指標,其單位可為鉛筆硬度、洛式硬度或維氏硬度等,緩衝層22的材質可選用例如壓克力系、PI系或PE系的光阻材料。而在一實施例中,緩衝層22的硬度甚至可小於彩色濾光層21的硬度,並為有機發光顯示裝置1各個功能層中硬度最低的功能層。具體而言,若以鉛筆硬度來劃分,緩衝層22的硬度係介於4H到6B之間。在一實施例中,緩衝層22可選用軟光阻材料,例如是壓克力系、PI系或PE系等光阻材料。前述緩衝層22可藉由將光阻材料塗佈於彩色濾光陣列21表面,並經過硬化處理而形成,其中此硬化處理的方法可以是烘烤或照射紫外光。
而在另一實施例中,緩衝層22與白色濾光層21W之材料大致相同,例如是壓克力系、PI系或PE系等光阻材料。在此實施例中,當彩色濾光陣列21包括該白色濾光層21W時,可在形成緩衝層22於彩色濾光陣列21上時,再形成前述白色濾光層21W。在又一實施例中,緩衝層22的材質可選擇一彈性材料,可容許緩衝層22本身產生形變,例如是壓克力系、PI系或PE系等光阻材料。此外,緩衝層22的厚度H1可以是至少3μm,但光穿透率可以為60%至99%。當緩衝層22形成於彩色濾光陣列21與薄膜封裝保護層14之間時,緩衝層22的折射率需大於彩色濾光陣列21的折射率。
第一遮光層23形成於緩衝層22上,並對應形成於各個彩色濾光層相互交界處。詳細而言,第一遮光層23為一黑矩陣層,例如是黑色光阻層或鉻(Cr)膜,且延伸配置到非發光區(未圖示)。要說明的是,由於緩衝層22具有一定厚度H1,當主動元件陣列基板100與彩色濾光基板200對組後,第一基板10與第二基板20之間所形成的距離將至少有9μm。一般而言,第一遮光層23與有機發光陣列12之間的距離越大,有機發光顯示裝置1越容易在較高視 角的位置處發生側向漏光的情形,以致降低顯示品質。而本實施例的第一遮光層23形成於緩衝層22上,而非直接形成於彩色濾光陣列21上。也就是說,第一遮光層23與第二電極層122之間的間距維持在3μm~8μm,可降低顯示裝置發生側向漏光的情形。
多個間隙子24形成於第一遮光層23上,以提供彩色濾光基板200和主動元件陣列基板100對組時的支撐力,並使彩色濾光基板200和主動元件陣列基板100在對組後,相互間隔預定距離,其中所述的預定距離為1至2μm。在彩色濾光基板200和主動元件陣列基板100之間所形成的間隙中,可選擇灌入填充劑(filler)或維持真空。在另一實施例中,多個間隙子24可部份配置於緩衝層22上,部份配置於第一遮光層23上。在又一實施例中,多個間隙子24則直接配置於緩衝層22上。
當彩色濾光基板200和主動元件陣列基板100對向組合時,是使第二基板20的第二表面202與第一基板10之承載面101面對面而組裝。因而使彩色濾光陣列21、緩衝層22及第一遮光層23皆設置於第一基板10與第二基板20之間。組裝完成後,彩色濾光陣列21、緩衝層22及第一遮光層23是位於第二基板20和薄膜封裝保護層14之間。另外,第一遮光層23配置於發光區域AR中的部分將對準於主動元件陣列基板100上的畫素定義層13的位置。並且,緩衝層22的厚度H1與緩衝層22至薄膜封裝保護層14間之距離H2之總和為5μm至20μm,而緩衝層的厚度係介於3μm~18μm間。
主動元件陣列基板100製作過程中,即使有微粒(particle)殘留於第一基板10的承載面101上而被薄膜封裝保護層14包覆,造成薄膜封裝保護層14表面突起,但由於緩衝層22的厚度H1與緩衝層22至薄膜封裝保護層14間距離H2之總和具有一定距離,在彩色濾光基板200和主動元件陣列基板100被施加外力對組的過程中,薄膜封裝保護層14之表面因覆蓋微粒而突起之處具有被容 置的空間。且本發明實施例的緩衝層22所選用的材質硬度較軟或者具有彈性,因此,當薄膜封裝保護層14的突起處上頂到緩衝層22時,緩衝層22本身會產生形變而吸收部分薄膜封裝保護層14的突起處上頂的壓力,使薄膜封裝保護層14盡量不上頂到較硬的第二基板20,降低薄膜封裝保護層14產生裂痕的機率,進而避免水氣滲入有機發光陣列11。
而本實施例之緩衝層22亦可使第一遮光層23配置於其上,以縮短第一遮光層23與第二電極層122的距離,從而抑制在較大視角位置處所發生的側向漏光。
請參照圖2B,顯示本發明另一實施例的彩色濾光基板。在本實施例中,彩色濾光基板200’除了包括第二基板20、彩色濾光層21、緩衝層22、第一遮光層23及多個間隙子24之外,更包括一第二遮光層25。各元件的設置和前一實施例相同的部分,在下文中不再贅述,以下僅針對本實施例中和前一實施例不同之處詳細描述。
在本實施例中,第二遮光層25、彩色濾光陣列21、緩衝層22、第一遮光層23是依序堆疊於第二表面202。也就是說,第二遮光層25設置於第二基板20與彩色濾光陣列21之間。而在其他實施例中,第二遮光層25也可位於彩色濾光陣列21以及緩衝層22之間。
具體而言,第二遮光層25對應第一遮光層23的位置,而設置於彩色濾光陣列21的紅色濾光層21R、綠色濾光層21G及藍色濾光層21B的交界處。也就是說,由第二基板20的第二表面202朝向第一表面201觀察時,第一遮光層23重疊於第二遮光層25上。第二遮光層25和第一遮光層23皆為一黑矩陣層,例如是黑色光阻層或鉻(Cr)膜。另外,在一實施例中,於發光區域AR中所配置第二遮光層25的線寬L2是大於或等於第一遮光層23的線寬L1,除了輔助第一遮光層23減少有機發光顯示裝置1的側向漏光之 外,也可以遮擋由外界射入第二基板20的光線,以免外界的光線與OLED所發出的色光相混,而影響顯示品質。
請參照圖3A,顯示本發明另一實施例的有機發光顯示裝置的彩色濾光基板。在本實施例中,彩色濾光基板400包括第二基板20、彩色濾光層21、緩衝層22’、第一遮光層23及多個間隙子24。各元件的設置和前一實施例相同的部分,在下文中不再贅述,以下僅針對本實施例中和前一實施例不同之處詳細描述。
本發明實施例中,緩衝層22’可為網狀層,並設置於彩色濾光陣列21中的這些彩色濾光層之交界處。也就是說,網狀的緩衝層22’具有多個網格,而這些網格將對準位於第一基板10上的多個畫素區,如前所述,這些畫素區是由畫素定義層13所定義的。因此,在本發明實施例中,緩衝層22’的俯視形狀與第一遮光層23的俯視形狀相同,且緩衝層22’與第一遮光層23是相互重疊,第一遮光層23設置於緩衝層22’上,而使第二電極層122與第一遮光層23的間距維持3~8μm的範圍,以抑制有機發光顯示裝置的側向漏光。
在本實施例中,當緩衝層22’的線寬L小於或等於第一遮光層23的線寬L1時,緩衝層22’的材質並不限於一定要具有高透光率,而可選用透光率較低的光阻材料,但緩衝層22’的硬度仍需小於薄膜封裝保護層14。在一實施例中,緩衝層22’的材質透光率較低,並且緩衝層22’的線寬L大於第一遮光層23的線寬。
在一實施例中,緩衝層22’的厚度H1至少3μm。而彩色濾光基板400與主動元件陣列基板100對組後,彩色濾光陣列21至薄膜封裝保護層14之間的距離(H1+H2)為5μm至20μm。如圖2B中所示,H1為緩衝層22’的厚度,H2為緩衝層22’至薄膜封裝保護層14表面的距離。由於此一間距,可使薄膜封裝保護層14因包覆微粒而產生的突起處具有被容置的空間,可盡量防止薄膜封裝保護層14直接上頂到第二基板20,進而減少薄膜封裝保護層14 發生破裂的機率。
圖3B中,顯示本發明另一實施例的有機發光顯示裝置的彩色濾光基板。本實施例與圖2B之實施例類似,彩色濾光基板400’除了包括第二基板20、彩色濾光層21、緩衝層22’、第一遮光層23及多個間隙子24之外,亦包括第二遮光層25。第二遮光層25可設置於彩色濾光陣列21與第二基板20之間。在另一實施例中,第二遮光層25設置於彩色濾光陣列21與緩衝層22’之間。本實施例中各元件的設置和圖2B之實施例亦相同,不再贅述。
請參照圖4,顯示本發明又一實施例的有機發光顯示裝置的彩色濾光基板。彩色濾光基板600包括第二基板20、彩色濾光陣列21、緩衝層22、第一遮光層23及多個間隙子24。本實施例和前一實施例不同之處在於緩衝層22、彩色濾光陣列21及第一遮光層23是依序形成於第二基板20的第二表面202上。也就是說,本實施例是將圖2A實施例中的緩衝層22與彩色濾光陣列21的位置對調,而使緩衝層22位於第二基板20與彩色濾光陣列21之間。本實施例的緩衝層22的折射率小於彩色濾光陣列21的折射率。
在本實施例中,假如薄膜封裝保護層14因包覆微粒而突起,當主動元件陣列基板100和彩色濾光基板600對組時,彩色濾光陣列21有可能部分接觸薄膜封裝保護層14。由於彩色濾光陣列21的厚度大約1至2μm,且硬度比薄膜封裝保護層14還小,當微粒的粒徑較大時,薄膜封裝保護層14亦有可能刺穿彩色濾光陣列21,而接觸到緩衝層22。因此,緩衝層22在本實施例中,仍需具有一定的厚度,以儘量防止薄膜封裝保護層14上頂到第二基板20而破裂,而前述緩衝層的厚度H1範圍可為3μm至18μm間。
另外,本實施例中,第一遮光層23是位於彩色濾光陣列21上,而多個間隙子24中有一部分是直接配置於第一遮光層23上,而有部分間隙子24直接配置於彩色濾光陣列21上。在另一實施例中,多個間隙子24是直接分別配置於第一遮光層23上。在又 一實施例中,多個間隙子24則是直接配置於彩色濾光陣列21上。
請參照圖5,顯示本發明又一實施例的彩色濾光基板。本實施例的彩色濾光基板600’之元件以及位置,和圖4之實施例相同的部分不再贅述。本實施例和前一實施例不同的部分在於,第一遮光層23是位於緩衝層22與彩色濾光陣列21之間,在此種情況下,多個間隙子24是位於彩色濾光陣列21上。在圖4及圖5的實施例中,彩色濾光基板600、600’亦可包括第二遮光層25,設置於第二基板20的第二表面202上。
綜上所述,本發明實施例中,彩色濾光基板的緩衝層具有一預定的厚度,以使第一基板和第二基板之間維持一定的間距。並且,在彩色濾光基板和主動元件陣列基板被施加外力而對組過程中,薄膜封裝保護層之表面因覆蓋微粒而突起之處因緩衝層存在,不會直接上頂到較硬的第二基板,而造成裂痕,可減少水氣滲入有機發光陣列的機會。
並且,本發明實施例的緩衝層所選用的材質硬度較軟或者具有彈性,因此,當薄膜封裝保護層的突起處上頂到緩衝層時,緩衝層可作為一犧牲層,或者吸收部分薄膜封裝保護層的突起處上頂的壓力而產生形變,減少薄膜封裝保護層直接頂觸第二基板的機會。
而緩衝層亦提供配置第一遮光層的位置,以縮短第一遮光層與有機發光元件陣列的距離,使有機發光顯示裝置不致於在高角度就產生側向漏光的問題。
雖然本發明以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本創作,任何熟習相像技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,所作更動與潤飾之等效替換,仍為本發明之專利保護範圍內。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
100‧‧‧主動元件陣列基板
200‧‧‧彩色濾光基板
10‧‧‧第一基板
101‧‧‧承載面
102‧‧‧底面
11‧‧‧薄膜電晶體陣列
12‧‧‧有機發光陣列
120‧‧‧第一電極層
121‧‧‧有機發光層
122‧‧‧第二電極層
13‧‧‧畫素定義層
14‧‧‧薄膜封裝保護層
15‧‧‧平坦層
150‧‧‧接觸開口
20‧‧‧第二基板
201‧‧‧第一表面
202‧‧‧第二表面
21‧‧‧彩色濾光陣列
21R‧‧‧紅色濾光層
21G‧‧‧綠色濾光層
21B‧‧‧藍色濾光層
21W‧‧‧白色濾光層
22‧‧‧緩衝層
23‧‧‧第一遮光層
24‧‧‧間隙子
H1‧‧‧緩衝層厚度
H2‧‧‧距離

Claims (12)

  1. 一種有機發光顯示裝置,包括:一第一基板,具有一發光區域(light emitting region)與一非發光區域(non-light emitting region),該非發光區域係環繞該發光區域;一有機發光陣列,設置於該第一基板之該發光區域;一薄膜封裝保護層(thin film encapsulation layer),覆蓋該有機發光陣列;一第二基板,與該第一基板相對設置,且對應該發光區域並設置有一彩色濾光陣列;一密封件(sealant member),設置於該第一基板與該第二基板間且環設於該發光區域;及一緩衝層,設置於該第二基板與該有機發光陣列間,且位於該發光區域;一第一遮光層,該第一遮光層位於該緩衝層及該薄膜封裝保護層間;其中,該緩衝層的厚度與該緩衝層至薄膜封裝保護層間之距離之總和係介於5μm~20μm間,並且該緩衝層的硬度小於該彩色濾光陣列的硬度,其中該彩色濾光陣列設置於該緩衝層與該第二基板之間。
  2. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,該緩衝層的厚度係介於3μm~18μm間。
  3. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中該緩衝層的光穿透率為60%至99%。
  4. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中該緩衝層的折射率大於該彩色濾光陣列的折射率。
  5. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中該緩衝層為一網狀層,該緩衝層的俯視形狀並與該第一遮光層的俯視形狀相同且相 互重疊。
  6. 根據申請專利範圍第5項之顯示裝置,該緩衝層之線寬與該第一遮光層的線寬相等。
  7. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,更包括一第二遮光層,其中該第二遮光層設置於該彩色濾光陣列與該緩衝層之間,並且該第二遮光層的位置與該第一遮光層的位置重疊,該第二遮光層的線寬大於或等於該第一遮光層的線寬。
  8. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中該第一遮光層設置於該緩衝層與該彩色濾光陣列之間。
  9. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,更包括一第二遮光層,設置於該第二基板上,其中該第二遮光層的位置與該第一遮光層的位置重疊,並且該第二遮光層的線寬大於或等於該第一遮光層的線寬。
  10. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中該緩衝層部分接觸於該薄膜封裝保護層。
  11. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中該彩色濾光陣列部分接觸於該薄膜封裝保護層。
  12. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中,該緩衝層的鉛筆硬度係介於4H到6B之間。
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