[go: up one dir, main page]

TWI531611B - 囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物和其囊封的半導體封裝 - Google Patents

囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物和其囊封的半導體封裝 Download PDF

Info

Publication number
TWI531611B
TWI531611B TW104114205A TW104114205A TWI531611B TW I531611 B TWI531611 B TW I531611B TW 104114205 A TW104114205 A TW 104114205A TW 104114205 A TW104114205 A TW 104114205A TW I531611 B TWI531611 B TW I531611B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
epoxy resin
semiconductor device
substituted
resin composition
encapsulating
Prior art date
Application number
TW104114205A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201612231A (en
Inventor
金相珍
李殷禎
趙鏞寒
Original Assignee
三星Ｓｄｉ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星Ｓｄｉ股份有限公司 filed Critical 三星Ｓｄｉ股份有限公司
Publication of TW201612231A publication Critical patent/TW201612231A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI531611B publication Critical patent/TWI531611B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H10W74/476—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0025—Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/49—Phosphorus-containing compounds
    • C08K5/50—Phosphorus bound to carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08L61/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C08L63/04—Epoxynovolacs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • C09D163/04—Epoxynovolacs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/05—Polymer mixtures characterised by other features containing polymer components which can react with one another
    • H10W70/68—
    • H10W70/681—
    • H10W72/073—
    • H10W72/07338—
    • H10W72/07352—
    • H10W72/075—
    • H10W72/321—
    • H10W72/352—
    • H10W72/354—
    • H10W72/865—
    • H10W74/00—
    • H10W74/40—
    • H10W74/473—
    • H10W90/734—
    • H10W90/754—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物和其囊封的半導體封裝 【相關申請案的交叉參考】
本申請案主張2014年9月25日在韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案第10-2014-0128685號的權益，所述專利申請案的全部披露內容通過引用結合在此。
本發明涉及一種用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物和使用其囊封的半導體封裝。
最近，隨著薄的小規模可擕式數位裝置的通用，半導體封裝變得輕、薄以及小型化，以便提高安裝在所述裝置中的半導體封裝的每單位體積安裝效率。隨著半導體封裝變得輕、薄以及小型化，半導體封裝由於半導體晶片、引線框與構成所述封裝的環氧樹脂組成物之間的熱膨脹係數的差異以及囊封所述封裝的環 氧樹脂組成物的熱收縮率和固化收縮率而遭受翹曲。封裝翹曲可能在半導體後處理焊接時造成焊接缺陷，且因此造成電性故障。因此，需要一種具有極好翹曲抗性的用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物。
為了增強環氧樹脂組成物的翹曲特性，在相關技術中代表性使用升高環氧樹脂組成物的玻璃轉化溫度的方法、降低環氧樹脂組成物的固化收縮率的方法等。
在基底上安裝半導體封裝的過程中，所述封裝可暴露於高溫(260℃)，藉此可對所述封裝內部存在的水分進行快速體積膨脹，由此導致所述封裝內部分層或所述封裝外部破裂。因此，為了防止這些問題，降低用於囊封的環氧樹脂組成物的水分吸收速率為確保可靠性的基本要求。當升高環氧樹脂組成物的玻璃轉化溫度以便改善翹曲特性時，必然提高環氧樹脂組成物的水分吸收速率，由此導致封裝可靠性劣化。因此，在封裝具有不佳可靠性的情況下，升高玻璃轉化溫度以增強翹曲特性可能受限制。
為了降低環氧樹脂組成物的固化收縮率，有可能增加具有低熱膨脹係數的無機填充劑的量。然而，當增加無機填充劑的量時，環氧樹脂組成物可能遭受流動性降低，導致無機填充劑濃度增加的局限性。
具體來說，半導體領域中所用的矽類晶粒附著膠粘劑或矽類晶粒附著膜展現與環氧樹脂類可固化晶粒膠粘劑不同的快速固化特性，並且通過暫時壓力和加熱實現粘著。在使用材料囊封半導體裝置的早期，矽類晶粒膠粘劑由於矽類樹脂的優勢(即，在固化後已由其形成的固化組成物的柔韌性)而引起關注。然而， 隨著環氧樹脂模製的發展，矽類晶粒膠粘劑的應用已相對受限。近來，就表面安裝型板上晶片(board-on-chip，BOC)半導體封裝來說，越來越多地使用矽類晶粒膠粘劑以便縮短處理時間，代替需要長時間固化的環氧樹脂晶粒膠粘劑。
一般，可縮合固化的矽類組成物展現與可加成固化的矽類組成物相比更好的粘著性。然而，由於縮合反應會形成加合物並且因此會造成孔隙形成，從而導致可靠性失效。因此，可加成固化的組成物適用於半導體。然而，當使用可加成固化的組成物作為半導體晶片的膠粘組成物時，膠粘劑與環氧樹脂模製化合物(epoxy molding compound,EMC)之間的界面會展現缺乏粘著性，從而導致可靠性失效。
因此，需要一種用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物，其對矽類晶粒膠粘劑具有極好的粘著性並且在半導體裝置囊封後具有高抗裂性，從而保持足夠可靠性。
根據本發明的一個方面，用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物包含：(A)環氧樹脂；(B)包含由式3表示的重複單元的聚有機矽氧烷樹脂；(C)固化劑；(D)固化促進劑；以及(E)無機填充劑。
[式3]
其中R1、R2、R3以及R4各自獨立地為經取代或未經取代的C1到C10烷基、經取代或未經取代的C3到C20環烷基、經取代或未經取代的C6到C20芳基、經取代或未經取代的C7到C20芳基烷基、經取代或未經取代的C1到C20雜烷基、經取代或未經取代的C2到C20雜環烷基、經取代或未經取代的C2到C20烯基、經取代或未經取代的C2到C20炔基、經取代或未經取代的C1到C10烷氧基、經環氧基取代的有機基團或經羥基取代的有機基團；R3和R4中的至少一個為含乙烯基的有機基團；並且n平均為0到100。
聚有機矽氧烷樹脂可包含由式4表示的重複單元：
其中R1和R2與上文所定義相同。
在式3中，R2中的至少一個可為經環氧基取代的有機基團。
聚有機矽氧烷樹脂(B)可以環氧樹脂組成物的總重量計0.1重量%(wt%)到1.0wt%的量存在。
用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物可包含：3wt%到15wt%環氧樹脂(A)；0.1wt%到1.0wt%聚有機矽氧烷樹脂(B)； 2wt%到10wt%固化劑(C)；0.01wt%到1.0wt%固化促進劑(D)；以及82wt%到92wt%無機填充劑(E)。
環氧樹脂(A)可包含由式1表示的鄰甲酚酚醛(novolac)型環氧樹脂和由式2表示的苯酚芳烷基型環氧樹脂中的至少一個。
其中R為甲基，且n平均為0到7。
其中n平均為1到7。
固化劑(C)可包含選自苯酚芳烷基型苯酚樹脂、新酚醛樹脂(xylok)型苯酚樹脂、苯酚酚醛型苯酚樹脂、甲酚酚醛型苯酚樹脂、萘酚型苯酚樹脂、萜烯型苯酚樹脂、多官能苯酚樹脂、聚芳香苯酚樹脂、二環戊二烯苯酚樹脂、經萜烯改質的苯酚樹脂、經二環戊二烯改質的苯酚樹脂、由雙酚A和可溶酚醛(resol)樹脂製備的酚醛型苯酚樹脂、包含三(羥苯基)甲烷和二羥基聯苯的多價苯酚化合物、包含順丁烯二酸酐和鄰苯二甲酸酐的酸酐、間苯二胺、二氨基二苯甲烷以及二氨基二苯碸中的至少一種。
固化促進劑(D)可包含三級胺、有機金屬化合物、有機磷化合物、咪唑化合物或硼化合物。
無機填充劑(E)可包含選自熔融矽石、結晶矽石、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鋁、氧化鎂、粘土、滑石、矽酸鈣、氧化鈦、氧化銻以及玻璃纖維中的至少一種。
無機填充劑(E)可包含具有0.001微米到30微米的平均粒徑的熔融球形矽石。
根據本發明的另一個方面，半導體封裝包含：基底；安裝在所述基底上的半導體裝置；電連接所述半導體裝置和所述基底的連接部分；以及用於囊封所述半導體裝置和所述連接部分的模製部分，其中所述模製部分包含如上文所闡述的用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物。
半導體裝置可經由晶粒膠粘膜安裝在基底上，且晶粒膠粘膜可為矽類膠粘劑。
根據本發明的用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物展現高抗裂性和對半導體裝置與矽類晶粒膠粘劑極好的粘著性，且使用所述環氧樹脂組成物囊封的半導體封裝具有高可靠性。
100‧‧‧半導體封裝
110‧‧‧基底
120‧‧‧半導體裝置
130‧‧‧晶粒膠粘膜
140‧‧‧模製部分
150‧‧‧連接部分
160‧‧‧焊料球
圖1為根據本發明的一個實施例的半導體封裝的示意性截面圖。
根據本發明的用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物包含環氧樹脂(A)、聚有機矽氧烷樹脂(B)、固化劑(C)、固化促進劑(D)以及無機填充劑(E)。
現在將詳細描述環氧樹脂組成物的每一組分。
(A)環氧樹脂
在本發明中，環氧樹脂不受特定限制，只要所述環氧樹脂常用于囊封半導體即可。在一個實施例中，環氧樹脂優選為含有至少兩個環氧基的環氧化合物。
環氧樹脂的實例可包含通過苯酚或烷基苯酚與羥基苯甲醛的縮合物的環氧化獲得的環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、多官能環氧樹脂、萘酚酚醛型環氧樹脂、雙酚A/雙酚F/雙酚AD的酚醛型環氧樹脂、雙酚A/雙酚F/雙酚AD的縮水甘油基醚、雙羥基聯苯環氧樹脂、二環戊二烯環氧樹脂等。
在一個實施例中，環氧樹脂可包含鄰甲酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂以及苯酚芳烷基型環氧樹脂中的至少一個。
舉例來說，環氧樹脂可包含由式1表示的鄰甲酚酚醛型環氧樹脂：
其中R為甲基，且n平均為0到7。
舉例來說，環氧樹脂可包含由式2表示的苯酚芳烷基型環氧樹脂：
其中n平均為1到7。
由式2表示的苯酚芳烷基型環氧樹脂的優勢在於所述環氧樹脂由於形成基於苯酚主鏈的聯苯結構而具有極好的吸濕性、韌性、抗氧化性以及抗裂性，且所述環氧樹脂具有低交聯密度且因此在高溫下燃燒後形成炭化層(char layer)，繼而可確保一定程度的阻燃性。
這些環氧樹脂可單獨使用或以其組合形式使用。
在一個實施例中，環氧樹脂還可以加成化合物的形式使用，例如通過與如苯酚固化劑、固化促進劑、脫模劑、偶合劑、應變消除劑等的其他組分預反應所獲得的熔融母料。另外，為了提高在防潮性方面的可靠性，宜使用含有少量氯離子、鈉離子以及其他離子雜質的環氧樹脂。
以用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物的總重量計，環氧樹脂可以2wt%到17wt%(例如3wt%到15wt%)的量存在。在此範圍內，環氧樹脂組成物可在流動性、阻燃性以及可靠性方面展現極好的特性。舉例來說，環氧樹脂可以2wt%、3wt%、4wt%、5wt%、5.9wt%、6wt%、6.17wt%、6.38wt%、7wt%、8wt%、 9wt%、10wt%、11wt%、12wt%、13wt%、14wt%、15wt%、16wt%或17wt%的量存在。
(B)聚有機矽氧烷樹脂
根據本發明，聚有機矽氧烷樹脂為包含由式3表示的重複單元的聚有機矽氧烷化合物：
其中R1、R2、R3以及R4各自獨立地為經取代或未經取代的C1到C10烷基、經取代或未經取代的C3到C20環烷基、經取代或未經取代的C6到C20芳基、經取代或未經取代的C7到C20芳基烷基、經取代或未經取代的C1到C20雜烷基、經取代或未經取代的C2到C20雜環烷基、經取代或未經取代的C2到C20烯基、經取代或未經取代的C2到C20炔基、經取代或未經取代的C1到C10烷氧基、經環氧基取代的有機基團或經羥基取代的有機基團；R3和R4中的至少一個為含乙烯基的有機基團；並且n平均為0到100。
在一個實施例中，本發明的聚有機矽氧烷樹脂可包含由式4表示的重複單元：
其中n、R1和R2與上文所定義相同。
在另一個實施例中，在式3中，R2中的至少一個可為經環氧基取代的有機基團。經環氧基取代的有機基團可為經環氧基取代的C1到C30烷基、經環氧基取代的C3到C30環烷基、經環氧基取代的C6到C30芳基、經環氧基取代的C7到C30芳基烷基、經環氧基取代的C1到C30雜烷基、經環氧基取代的C2到C30雜環烷基或其組合。在一個實施例中，經環氧基取代的有機基團可為縮水甘油氧基烷基。舉例來說，經環氧基取代的有機基團可為縮水甘油氧基丙基。
當用於環氧樹脂組成物時，由於聚有機矽氧烷樹脂展現對在半導體裝置與基底之間用於粘著的矽類晶粒膠粘劑的良好粘著性，所以聚有機矽氧烷樹脂可防止在環氧樹脂模製組成物與矽類晶粒膠粘劑之間的界面處開裂，從而提高可靠性。
以環氧樹脂組成物的總重量計，聚有機矽氧烷樹脂可以0.1wt%到1.0wt%的量存在。在此範圍內，聚有機矽氧烷樹脂可展現對矽類晶粒膠粘劑提高的界面粘著性以增加可靠性。將聚有機矽氧烷樹脂的量保持在1.0wt%或更少可助於確保連續可加工性不會降低，否則由於脫模特性劣化而連續可加工性會降低。舉例來說，聚有機矽氧烷樹脂可以0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%或1.0wt%的量存在。
(C)固化劑
固化劑不受特定限制，只要所述固化劑常用于囊封半導體裝置且含有至少兩個酚羥基或氨基等即可。固化劑可包含選自 單體、寡聚物以及聚合物中的至少一種。
舉例來說，固化劑可包含選自苯酚芳烷基型苯酚樹脂、新酚醛樹脂型苯酚樹脂、苯酚酚醛型苯酚樹脂、甲酚酚醛型苯酚樹脂、萘酚型苯酚樹脂、萜烯型苯酚樹脂、多官能苯酚樹脂、聚芳香苯酚樹脂、二環戊二烯苯酚樹脂、經萜烯改質的苯酚樹脂、經二環戊二烯改質的苯酚樹脂、由雙酚A和可溶酚醛樹脂製備的酚醛型苯酚樹脂、包含三(羥苯基)甲烷和二羥基聯苯的多價苯酚化合物、包含順丁烯二酸酐和鄰苯二甲酸酐的酸酐、間苯二胺、二氨基二苯甲烷以及二氨基二苯碸中的至少一種。
優選地，使用具有由式5表示的聯苯主鏈的苯酚芳烷基型酚醛樹脂或由式6表示的新酚醛樹脂型酚醛樹脂作為固化劑：
其中n平均為1到7。
其中n平均為1到7。
固化劑可單獨使用或以其組合形式使用。舉例來說，固化劑可以通過如固化劑的熔融母料與環氧樹脂、固化促進劑以及 其他添加劑的預反應製備的加成化合物形式使用。
固化劑可具有50℃到100℃的軟化點。在此範圍內，環氧樹脂具有適合的樹脂黏度，從而防止流動性劣化。
固化劑中所含有的酚羥基可具有90克/當量到300克/當量的當量重(equivalent weight)。在此範圍內，環氧樹脂組成物可在可固化性、阻燃性以及流動性當中展現極好的平衡。舉例來說，固化劑中所含有的酚羥基可具有100克/當量到300克/當量的當量重。
另外，可選擇環氧樹脂與固化劑的組成比率，使得環氧樹脂中的環氧基與固化劑中的酚羥基的當量重比率介於0.5：1到2：1的範圍內。在此範圍內，可確保樹脂組成物的流動性，且固化時間不會延遲。舉例來說，當量重比率可介於0.8：1到1.6：1的範圍內。
以環氧樹脂組成物的總重量計，固化劑可以2wt%到10wt%的量存在。在此範圍內，樹脂組成物由於未保留大量未反應的環氧基和酚羥基而具有極好的流動性、阻燃性以及可靠性。舉例來說，固化劑可以2wt%、3wt%、4wt%、5wt%、5.23wt%、5.41wt%、6wt%、7wt%、8wt%、9wt%或10wt%的量存在。
(D)固化促進劑
固化促進劑用以促進環氧樹脂與酚類固化劑之間的反應。固化促進劑的實例可包含(但不限於)三級胺、有機金屬化合物、有機磷化合物、咪唑化合物或硼化合物等。舉例來說，有機磷化合物可用作固化促進劑。
確切地說，三級胺的實例可包含(但不限於)苯甲基二 甲胺、三乙醇胺、三伸乙基二胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚、2-2-(二甲基氨基甲基)苯酚、2,4,6-三(二氨基甲基)苯酚或三-2-乙基己酸鹽。有機金屬化合物的實例可包含(但不限於)乙醯基丙酮酸鉻、乙醯基丙酮酸鋅或乙醯基丙酮酸鎳。有機磷化合物的實例可包含(但不限於)三-4-甲氧基膦、溴化四丁基鏻、溴化丁基三苯基鏻、苯基膦、二苯基膦、三苯基膦、三苯基膦三苯基硼烷或三苯基膦-1,4-苯醌加合物。咪唑化合物的實例可包含(但不限於)2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-氨基咪唑、2-甲基-1-乙烯基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑或2-十七基咪唑。硼化合物的實例可包含(但不限於)四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸三苯基膦、四苯基硼酸鹽、三氟硼烷-正己胺、三氟硼烷單乙胺、四氟硼烷三乙胺或四氟硼烷胺。另外，可使用1,5-二氮雜二環[4.3.0]壬-5-烯、1,8-二氮雜二環[5.4.0]十一-7-烯、苯酚酚醛樹脂鹽等。
固化促進劑可以經由與環氧樹脂和/或酚類固化劑的預反應製備的加成化合物形式使用。
以環氧樹脂組成物的總重量計，固化促進劑可以0.001wt%到1.5wt%的量存在。在此範圍內，用於固化反應的時間未延遲且可確保組成物的流動性。舉例來說，固化促進劑可以0.01wt%到1wt%的量存在。舉例來說，固化促進劑可以0.001wt%、0.01wt%、0.1wt%、0.15wt%、0.16wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%或1wt%的量存在。
(E)無機填充劑
無機填充劑用於環氧樹脂組成物以改善機械特性且減小應變。無機填充劑的實例可包含(但不限於)熔融矽石、結晶矽 石、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鋁、氧化鎂、粘土、滑石、矽酸鈣、氧化鈦、氧化銻或玻璃纖維。這些可單獨使用或以其組合形式使用。
舉例來說，在應變減小方面，使用具有低線性膨脹係數的熔融矽石為優選的。熔融矽石是指比重不高於2.3的非晶形矽石。熔融矽石可通過熔融結晶矽石來製備或包含由不同原材料製備的非晶形矽石。
無機填充劑的形狀和粒徑不受特定限制。無機填充劑可具有0.001微米到30微米的平均粒徑。舉例來說，可使用具有0.001微米到30微米的平均粒徑的熔融球形矽石作為無機填充劑。無機填充劑還可為具有不同粒徑的熔融球形矽石產物的混合物。舉例來說，無機填充劑可包含50wt%到99wt%具有5微米到30微米的平均粒徑的熔融球形和1wt%到50wt%具有0.001微米到1微米的平均粒徑的熔融球形矽石的混合物。無機填充劑的粒徑還可調整到最大45微米、55微米或75微米，取決於環氧樹脂組成物的應用。
在使用前，可用選自環氧矽烷、氨基矽烷、巰基矽烷、烷基矽烷以及烷氧基矽烷的至少一種偶合劑對無機填充劑進行表面處理。
可取決於環氧樹脂組成物的所需物理特性(例如可模製性、低應變以及高溫強度)而包含適當量的無機填充劑。舉例來說，以環氧樹脂組成物的總重量計，無機填充劑可以70wt%到94wt%的量存在。在此範圍內，組成物可具有極好的流動性和可模製性，同時為封裝提供極好的翹曲抗性和高可靠性。舉例來說，以 環氧樹脂組成物的總重量計，無機填充劑可以82wt%到92wt%的量存在。舉例來說，無機填充劑可以70wt%、71wt%、72wt%、73wt%、74wt%、75wt%、76wt%、77wt%、78wt%、79wt%、80wt%、81wt%、82wt%、83wt%、84wt%、85wt%、86wt%、87wt%、88wt%、89wt%、90wt%、91wt%、92wt%、93wt%或94wt%的量存在。
添加劑
本發明的環氧樹脂組成物可任選地更包含選自著色劑、偶合劑、脫模劑、應變消除劑、交聯增強劑、勻化劑以及阻燃劑的添加劑。
著色劑的實例可包含(但不限於)碳黑、有機染料或無機染料。
偶合劑可為矽烷偶聯劑。矽烷偶合劑可包含(但不限於)選自環氧矽烷、氨基矽烷、巰基矽烷、烷基矽烷以及烷氧基矽烷中的至少一種。
脫模劑可包含選自石蠟類蠟、酯類蠟、高級脂肪酸、高級脂肪酸的金屬鹽、天然脂肪酸以及天然脂肪酸的金屬鹽中的至少一種。
應變消除劑可包含(但不限於)選自改性矽酮油、矽酮彈性體、矽酮粉末以及矽酮樹脂中的至少一種。
以環氧樹脂組成物的總重量計，可包含0.1wt%到5.5wt%的量的添加劑。舉例來說，可包含0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.45wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、0.95wt%、1wt%、1.5wt%、2wt%、2.5wt%、3wt%、3.5wt%、 4wt%、4.5wt%、5wt%或5.5wt%的量的添加劑。
環氧樹脂組成物可更包含阻燃劑。阻燃劑可為非鹵素有機或無機阻燃劑。非鹵素有機或無機阻燃劑的實例可包含(但不限於)磷腈、硼酸鋅、氫氧化鋁或氫氧化鎂。
由於阻燃性可取決於無機填充劑的含量和固化劑的種類而改變，所以阻燃劑可以根據所需阻燃性程度的適合的比率包含在環氧樹脂組成物中。阻燃劑可以10wt%或小於10wt%(例如8wt%或小於8wt%、例如5wt%或小於5wt%)的量存在於環氧樹脂組成物中。
根據本發明的環氧樹脂組成物具有高玻璃轉化溫度和低固化收縮率，從而使得封裝的翹曲抗性極好。此外，組成物展現對構成半導體封裝的各種其他材料極好的粘著性和高抗吸濕性，從而提供極好的可靠性，同時在不使用鹵素阻燃劑的情況下確保極好的阻燃性。
製備本發明的環氧樹脂組成物的方法不受特定限制。舉例來說，環氧樹脂組成物可通過使用亨舍爾混合器(Henschel mixer)或犁刀式混合器(Ploughshare mixer)使組分均勻化，接著在90℃到120℃下使用輥軋機或捏合機熔融捏合且接著冷卻並粉碎來製備。使用環氧樹脂組成物囊封半導體裝置可一般通過低壓傳遞模製來進行。然而，還可使用壓縮模製、注射模製或澆鑄模製。通過所述方法，可產生包含銅引線框、鐵引線框、或通過將選自鎳、銅以及鈀中的至少一種預先電鍍到上文提及的引線框上所獲得的引線框、或有機層壓框的半導體裝置。
本發明提供如上文所闡述的使用環氧樹脂組成物囊封的 半導體裝置。
儘管本發明不限於用於囊封半導體封裝的特定程式，但可經由根據確定的模製方法選擇適合的模製機、在所述模製機中使用所製備的環氧樹脂組成物囊封模製和固化半導體裝置封裝以及模製後固化所模製的半導體裝置封裝來進行所述步驟。囊封模製可在160℃到190℃下進行40秒到300秒，且模製後固化可在160℃到190℃下進行0到8小時。
半導體封裝
根據本發明的一個實施例，半導體封裝包含：基底；安裝在所述基底上的半導體裝置；電連接所述半導體裝置和所述基底的連接部分；以及用於囊封所述半導體裝置和所述連接部分的模製部分。
模製部分由如上文所闡述的用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物形成。
可提供多個半導體裝置且經由晶粒膠粘膜安裝在基底上。
圖1為根據本發明的一個實施例的半導體封裝100的示意性截面圖。參照圖1，半導體封裝100為板上晶片(BOC)型半導體封裝，且包含基底110；放置在基底110上的晶粒膠粘膜130；放置在基底110上且經由晶粒膠粘膜130附著到基底110的半導體裝置120；連接部分150，如接合線，用於半導體裝置120和基底110的相互電連接；模製部分140，用於囊封半導體裝置120和連接部分150，且保護包含基底110的安裝結構、安裝在基底110上的半導體裝置120以及連接部分150。
在面向基底安裝表面與安裝在上面的半導體裝置120的基底表面上形成用於將半導體裝置120電連接到外部電路(未示出)的多個焊料球160。
可在基底110上形成模製部分140以完全覆蓋半導體裝置120和連接部分150。
模製部分140可包含用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物，且晶粒膠粘膜130可為矽類晶粒膠粘膜。
當矽類晶粒膠粘劑用作用於安裝半導體裝置的晶粒膠粘膜時，矽類晶粒膠粘劑可經由矽類晶粒膠粘劑與環氧樹脂組成物之間的矽氫化(hydrosilylation)而提供改善的粘著性和抗裂性，從而允許維持高可靠性。
現在將參考一些實例更詳細地描述本發明。應理解提供這些實例僅為了說明，且不應以任何方式解釋為限制本發明。在此將省略對所屬領域的技術人員顯而易知的細節描述。
實例和比較實例
實例和比較實例中所用的組分的詳情如下。
(A)環氧樹脂
使用鄰甲酚酚醛型環氧樹脂(EOCN-1020-55，日本化藥株式會社(Nippon Kayaku Co.,Ltd.))。
(B)聚有機矽氧烷樹脂
在製備實例中，製備且使用由式7表示的聚有機矽氧烷樹脂。
[式7]
其中R1為甲基，且R2為縮水甘油氧基丙基。
(C)固化劑
使用新酚醛樹脂型苯酚樹脂(HE100C-10，愛沃特株式會社(Air Water Co.,Ltd.))。
(D)固化促進劑
使用三苯基膦TPP(白光株式會社(Hokko Co.,Ltd.))。
(E)無機填充劑
使用具有16微米的平均粒徑的熔融球形矽石和具有0.5微米的平均粒徑的熔融球形矽石的9：1重量比的混合物。
(F)偶合劑
使用(f1)巰基丙基三甲氧基矽烷(KBM-803，信越株式會社(Shinetsu Co.,Ltd.))和(f2)甲基三甲氧基矽烷(SZ-6070，道康寧化學株式會社(Dow Corning Chemical Co.,Ltd.))的混合物。
(G)添加劑
使用(g1)巴西棕櫚蠟(Carnauba wax)作為脫模劑和(g2)碳黑(MA-600，松下化學株式會社(Matsushita Chemical Co.,Ltd.))作為著色劑。
製備實例
將水和異丙醇以5：5重量比混合的1千克混合物溶液放 置於3頸燒瓶中，滴加300克縮水甘油氧基丙基二甲氧基甲基矽烷以及0.1莫耳硝酸持續1小時，同時使燒瓶維持在65℃下。在滴加後，加熱燒瓶到75℃持續4小時，接著引入40克甲氧基二甲基乙烯基矽烷。接著，在將混合物溶液冷卻到室溫後，從混合物溶液去除水層，從而製備溶解於異丙醇中的矽氧烷溶液。之後，用水洗滌所獲得的矽氧烷溶液以去除副產物，即有機酸。接著，在減壓下對矽氧烷溶液進行蒸餾以去除異丙醇，從而獲得由式7表示的聚有機矽氧烷。
實例1到5以及比較實例1到3
稱重如表1中所列出的量的組分且使用亨舍爾混合器均勻化。隨後，使用連續捏合機在90℃到110℃下熔融捏合混合物，接著冷卻並粉碎，從而製備用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物。就如下特性評估組成物。結果在表1中示出。
物理特性的評估
(1)螺旋流(英寸)：使用根據EMMI製備的評估模具，在175℃的模製溫度和70千克力/平方釐米的模製壓力下測量流動長度(單位：英寸)。
(2)玻璃轉化溫度(Tg)和熱膨脹係數(微米/米)：使用熱機械分析儀(thermo-mechanical analyzer，TMA)在以10℃/分鐘升高溫度時測量玻璃轉化溫度和熱膨脹係數。
(3)脫模力：使用傳遞模製按壓機在175℃的模製溫度、9.3MPa注射壓力以及90秒固化時間的條件下持續模製半導體封裝(200FBGA，0.22 t，SSE)。基於直到出現如閘門堵塞、通風孔堵塞、從模具分離封裝、殘料脫落的模製失敗的拍擊數確定脫模 失敗。結果在表1中示出。
(4)粘著性
通過將矽類晶粒膠粘劑(DA-6633，道康寧化學株式會社)均勻地施加到PCB(200FBGA,0.22 t,SSE)的PSR層到20微米的厚度，在具有30毫米×30毫米尺寸的PCB上模製具有3毫米直徑的在實例和比較實例中製備的樹脂組成物中的每一個，從而獲得固化標本。在烘爐中在175℃下對固化標本進行模製後固化(post-molding curing，PMC)4小時，且在85℃和85% RH下靜置168小時。接著，使標本在260℃下通過紅外線回焊一次持續30秒。在預先調節的條件下重複程式三次。使用晶粒剪應力測試儀(Dage 4000，DS-200測壓元件)就粘著性評估在PMC後的標本和在預先調節處理後的標本中的每一個。
(5)抗裂性評估：可靠性評估
使用在實例和比較實例中製備的樹脂組成物中的每一個組裝半導體封裝，接著在175℃下模製後固化4小時。在所製備的半導體封裝中，半導體裝置經由矽類晶粒膠粘劑(DA-6633，道康寧化學株式會社)安裝在基底上。半導體封裝在125℃下乾燥24小時且在85℃和85% RH下靜置168小時。接著，使半導體封裝在260℃下通過紅外線回焊一次持續30秒。在預先調節的條件下重複程式三次。之後，使用非破壞性檢查設備C-SAM(掃描式聲波顯微鏡)評估在模製部分與晶粒膠粘膜之間的界面出現的開裂。
表1
如表1中示出，可見在實例1到3中製備的樹脂組成物顯現極好的粘著性和高抗裂性。
相反地，在比較實例1中在無聚有機矽氧烷樹脂的情況下製備的樹脂組成物和在比較實例2中使用微量聚有機矽氧烷樹脂製備的樹脂組成物顯現比實例1到3的樹脂組成物低得多的粘著性和抗裂性。此外，在比較實例3中使用過量聚有機矽氧烷樹脂製備的樹脂組成物顯現低脫模力，導致連續可加工性劣化。
儘管已參考一些實施例描述本發明，但應理解前述實施例僅提供以供說明且不欲以任何方式解釋為限制本發明，且所屬領域的技術人員可在不脫離本發明的精神和範圍的情況下進行各種修改、變化、改變以及等效實施例。
100‧‧‧半導體封裝
110‧‧‧基底
120‧‧‧半導體裝置
130‧‧‧晶粒膠粘膜
140‧‧‧模製部分
150‧‧‧連接部分
160‧‧‧焊料球

Claims (11)

  1. 一種用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物，包括：(A)環氧樹脂；(B)聚有機矽氧烷樹脂，包括由式3表示的重複單元；(C)固化劑；(D)固化促進劑；以及(E)無機填充劑，其中以所述環氧樹脂組成物的總重量計，所述聚有機矽氧烷樹脂(B)以0.1wt%到1.0wt%的量存在： 其中R1、R2、R3以及R4各自獨立地為經取代或未經取代的C1到C10烷基、經取代或未經取代的C3到C20環烷基、經取代或未經取代的C6到C20芳基、經取代或未經取代的C7到C20芳基烷基、經取代或未經取代的C1到C20雜烷基、經取代或未經取代的C2到C20雜環烷基、經取代或未經取代的C2到C20烯基、經取代或未經取代的C2到C20炔基、經取代或未經取代的C1到C10烷氧基、經環氧基取代的有機基團或經羥基取代的有機基團；R3和R4中的至少一個為含乙烯基的有機基團；以及n平均為0到100。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述聚有機矽氧烷樹脂包括由式4表示的重複單元：[式4] 其中n、R1和R2與式3中所定義相同。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中在式3中，R2中的至少一個為經環氧基取代的有機基團。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物，包括：3wt%到15wt%所述環氧樹脂(A)；0.1wt%到1.0wt%所述聚有機矽氧烷樹脂(B)；2wt%到10wt%所述固化劑(C)；0.01wt%到1.0wt%所述固化促進劑(D)；以及82wt%到92wt%所述無機填充劑(E)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述環氧樹脂(A)包括由式1表示的鄰甲酚酚醛型環氧樹脂和由式2表示的苯酚芳烷基型環氧樹脂中的至少一個： 其中R為C1到C4烷基，且n平均為0到7，[式2] 其中n平均為1到7。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述固化劑(C)包括選自苯酚芳烷基型苯酚樹脂、新酚醛樹脂型苯酚樹脂、苯酚酚醛型苯酚樹脂、甲酚酚醛型苯酚樹脂、萘酚型苯酚樹脂、萜烯型苯酚樹脂、多官能苯酚樹脂、聚芳香苯酚樹脂、二環戊二烯苯酚樹脂、經萜烯改質的苯酚樹脂、經二環戊二烯改質的苯酚樹脂、由雙酚A和可溶酚醛樹脂製備的酚醛型苯酚樹脂、包含三(羥苯基)甲烷和二羥基聯苯的多價苯酚化合物、包含順丁烯二酸酐和鄰苯二甲酸酐的酸酐、間苯二胺、二氨基二苯甲烷以及二氨基二苯碸中的至少一種。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述固化促進劑(D)包括三級胺、有機金屬化合物、有機磷化合物、咪唑化合物或硼化合物。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述無機填充劑(E)包括選自熔融矽石、結晶矽石、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鋁、氧化鎂、粘土、滑石、矽酸鈣、氧化鈦、氧化銻以及玻璃纖維中的至少一種。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述無機填充劑(E)包括具有0.001微米到30 微米的平均粒徑的熔融球形矽石。
  10. 一種半導體封裝，包括：基底；安裝在所述基底上的半導體裝置；用於電連接所述半導體裝置和所述基底的連接部分；以及用於囊封所述半導體裝置和所述連接部分的模製部分，其中所述模製部分包括如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之用於囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝，其中所述半導體裝置經由晶粒膠粘膜安裝在所述基底上，且所述晶粒膠粘膜為矽類膠粘劑。
TW104114205A 2014-09-25 2015-05-05 囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物和其囊封的半導體封裝 TWI531611B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140128685A KR101712707B1 (ko) 2014-09-25 2014-09-25 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201612231A TW201612231A (en) 2016-04-01
TWI531611B true TWI531611B (zh) 2016-05-01

Family

ID=55585268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104114205A TWI531611B (zh) 2014-09-25 2015-05-05 囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物和其囊封的半導體封裝

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9673120B2 (zh)
JP (1) JP6886770B2 (zh)
KR (1) KR101712707B1 (zh)
CN (1) CN106189099B (zh)
TW (1) TWI531611B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
JP6816702B2 (ja) * 2017-10-27 2021-01-20 信越化学工業株式会社 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
US12240940B2 (en) 2019-09-24 2025-03-04 National University Corporation Yokohama National University Epoxy resin, epoxy resin cured product, and epoxy resin composition
KR102666541B1 (ko) 2019-11-12 2024-05-20 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP7632942B2 (ja) * 2020-04-24 2025-02-19 エルジー・ケム・リミテッド 硬化剤、これを含む半導体接着用組成物、半導体接着用フィルムおよびこれを用いた半導体パッケージ
KR102665491B1 (ko) * 2020-11-06 2024-05-10 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
JP7461321B2 (ja) * 2021-05-12 2024-04-03 信越化学工業株式会社 シリコーンハイブリッド樹脂組成物および半導体装置
KR102682207B1 (ko) * 2023-07-13 2024-07-05 와이씨켐 주식회사 Pcb 기판유리 강화용 코팅 조성물 및 이를 이용하여 제조된 pcb 기판유리

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5674785A (en) * 1995-11-27 1997-10-07 Micron Technology, Inc. Method of producing a single piece package for semiconductor die
TW538482B (en) * 1999-04-26 2003-06-21 Shinetsu Chemical Co Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
WO2002090434A1 (en) * 2001-04-23 2002-11-14 Sumitomo Bakelite Company Limited Epoxy resin composition and semiconductor device
JP4250996B2 (ja) * 2003-03-28 2009-04-08 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
CN102838838B (zh) * 2007-09-25 2017-03-01 日立化成株式会社 热固性光反射用树脂组合物、光半导体元件搭载用基板及其制造方法、及光半导体装置
US8017246B2 (en) 2007-11-08 2011-09-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Silicone resin for protecting a light transmitting surface of an optoelectronic device
JP2009126980A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状封止樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2009173773A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Toshiba Corp シリコーン樹脂組成物および半導体装置
TWI433875B (zh) * 2008-01-28 2014-04-11 Shinetsu Chemical Co 二縮水甘油基異氰尿酸基改性有機聚矽氧烷以及含有該有機聚矽氧烷的組成物
JP2011074355A (ja) 2009-09-07 2011-04-14 Nitto Denko Corp 光半導体装置用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
JP5587148B2 (ja) * 2010-03-09 2014-09-10 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 自己接着性ポリオルガノシロキサン組成物
TWI483995B (zh) * 2010-08-18 2015-05-11 第一毛織股份有限公司 聚有機矽氧烷與由該聚有機矽氧烷獲得之封裝材料以及包含該封裝材料之電子元件
KR20140082521A (ko) * 2012-12-24 2014-07-02 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자

Also Published As

Publication number Publication date
TW201612231A (en) 2016-04-01
US9673120B2 (en) 2017-06-06
CN106189099B (zh) 2018-09-28
KR20160036770A (ko) 2016-04-05
KR101712707B1 (ko) 2017-03-07
CN106189099A (zh) 2016-12-07
JP2016069631A (ja) 2016-05-09
JP6886770B2 (ja) 2021-06-16
US20160093547A1 (en) 2016-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI531611B (zh) 囊封半導體裝置的環氧樹脂組成物和其囊封的半導體封裝
CN101186802B (zh) 多芯片封装用环氧树脂组合物以及利用该组合物的多芯片封装
US20140179832A1 (en) Epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same
US8928158B2 (en) Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device encapsulated with the same
US20130158165A1 (en) Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device encapsulated with the same
CN102558769B (zh) 用于封装半导体器件的环氧树脂组合物以及由该环氧树脂组合物封装的半导体器件
JP2015174874A (ja) 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
CN101223207A (zh) 环氧树脂组合物和半导体装置
TWI663203B (zh) 樹脂片及半導體裝置、以及半導體裝置之製造方法
US20200048455A1 (en) Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
KR101557538B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
JP2012067252A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
KR102137549B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자
TWI473856B (zh) 用於封裝半導體元件之環氧樹脂組合物及以該組合物封裝之半導體元件
KR101669341B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR20160056500A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR101758448B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR102112868B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 제조된 반도체 소자
JP2023093108A (ja) 樹脂組成物、電子部品装置、電子部品装置の製造方法及び樹脂組成物の製造方法
KR101871574B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자
KR20240034802A (ko) 반도체 봉지용 수지 조성물 및 반도체 장치
KR101737179B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
JP2025182681A (ja) マルチチップパッケージ密封用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて密封された半導体素子
KR101309818B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
KR20210078941A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자