TWI530017B - Balanced - unbalanced converter - Google Patents

Description

平衡-非平衡轉換器

本發明係關於一種平衡-非平衡轉換器，係關於將非平衡訊號轉換成平衡訊號之平衡-非平衡轉換器。

作為習知平衡-非平衡轉換器相關之發明，已知有例如專利文獻1記載之積層型轉換器零件。專利文獻1記載之積層型轉換器零件，將非平衡訊號轉換成平衡訊號後輸出。此種積層型轉換器零件，期盼能提升平衡訊號之平衡特性。

專利文獻1：國際公開第2008/105213號小冊子

因此，本發明之目的在於提供一種可謀求平衡特性之提升之平衡-非平衡轉換器。

本發明一形態之平衡-非平衡轉換器，具備：輸入端子，供非平衡訊號輸入；轉換部，至少包含連接於該輸入端子之第1訊號線路，將該非平衡訊號轉換成平衡訊號；第1輸出端子，連接於該第1訊號線路；第2輸出端子，與該第1輸出端子一起輸出該平衡訊號；以及電容器，連接於該輸入端子與該第2輸出端子之間。

根據本發明，可謀求平衡特性之提升。

C‧‧‧電容器

L1~L6‧‧‧訊號線路

10a~10g‧‧‧平衡-非平衡轉換器

11‧‧‧轉換部

12‧‧‧積層體

14a~14f‧‧‧外部端子

16a~16o‧‧‧絕緣體層

18a,18b,20a,20b,50,52,80,82‧‧‧線圈導體

22,24,26,28,60,62,64,66,68,70,71,72,91,92,93,94‧‧‧引出導體

40,42‧‧‧電容器導體

圖1係一實施形態之平衡-非平衡轉換器之電路圖。

圖2係第1實施形態之平衡-非平衡轉換器之外觀立體圖。

圖3係第1實施形態之平衡-非平衡轉換器之積層體之分解立體圖。

圖4係顯示頻率與相位之關係之圖表。

圖5係顯示頻率與振幅比之關係之圖表。

圖6係顯示頻率與振幅比之關係之圖表。

圖7係第1變形例之平衡-非平衡轉換器之積層體之分解立體圖。

圖8係第2變形例之平衡-非平衡轉換器之電路圖。

圖9係第2變形例之平衡-非平衡轉換器之積層體之分解立體圖。

圖10係第3變形例之平衡-非平衡轉換器之積層體之分解立體圖。

圖11係第4變形例之平衡-非平衡轉換器之電路圖。

圖12係第4變形例之平衡-非平衡轉換器之積層體之分解立體圖。

圖13係第5變形例之平衡-非平衡轉換器之積層體之分解立體圖。

圖14係第6變形例之平衡-非平衡轉換器之積層體之分解立體圖。

(平衡-非平衡轉換器之構成)

以下，參照圖式說明一實施形態之平衡-非平衡轉換器。圖1係一實施形態之平衡-非平衡轉換器10a之電路圖。

平衡-非平衡轉換器10a，如圖1所示，具備轉換部11、電容器C及外部端子14a~14d。轉換部11包含訊號線路L1,L2。

訊號線路L1連接於外部端子14a與外部端子14b之間。訊 號線路L2連接於外部端子14c與外部端子14d之間。又，訊號線路L1與訊號線路L2彼此電磁耦合。又，電容器C連接於外部端子14a與外部端子14c之間。

在以上述方式構成之平衡-非平衡轉換器10a，外部端子14a係供非平衡訊號輸入之輸入端子。外部端子14a,14c係輸出平衡訊號之輸出端子。外部端子14d係接地之接地端子。

接著，參照圖式說明平衡-非平衡轉換器10a之具體構成。圖2係第1實施形態之平衡-非平衡轉換器10a之外觀立體圖。圖3係第1實施形態之平衡-非平衡轉換器10a之積層體12之分解立體圖。以下，將平衡-非平衡轉換器10a之積層方向定義成上下方向，將從上側俯視平衡-非平衡轉換器10a時長邊延伸之方向定義成左右方向、短邊延伸之方向定義成前後方向。

平衡-非平衡轉換器10a，如圖2及圖3所示，具備轉換部11、積層體12、外部端子14a~14f及電容器C。

積層體12係藉由絕緣體層16a~16g從上側往下側依序排列積層而構成，呈長方體狀。絕緣體層16a~16g呈矩形狀，由電介質材料製作。作為電介質材料，可舉出例如Ba-Al-Si系之電介質陶瓷材料。以下，將絕緣體層16a~16g之上側之面稱為表面，將絕緣體層16a~16g之下側之面稱為背面。

外部端子14a係輸入端子。外部端子14b,14c係輸出端子。外部端子14d~14f係接地端子。外部端子14c,14d,14e係設在積層體12之前側之側面，從左側往右側依序排列設置。外部端子14b,14f,14a係設在積層 體12之後側之側面，從左側往右側依序排列設置。又，外部端子14a~14f往上下方向延伸，在兩端往上面及下面折返。

轉換部11，如上述，包含訊號線路L1,L2。又，訊號線路L1，如圖3所示，由線圈導體18a、引出導體22,24及通孔導體v1,v2構成。線圈導體18a設在絕緣體層16d之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。

引出導體22係設在絕緣體層16a之表面之線狀導體。引出導體22之一端，從上側俯視時，與線圈導體18a之外周側之端部重疊。引出導體22之另一端連接於外部端子14a。通孔導體v1往上下方向貫通絕緣體層16d，將線圈導體18a之外周側之端部與引出導體22之一端加以連接。藉此，訊號線路L1連接於外部端子14a與外部端子14b之間。

引出導體24係設在絕緣體層16e之表面之線狀導體。引出導體24之一端，從上側俯視時，與線圈導體18a之內周側之端部重疊。引出導體24之另一端連接於外部端子14b。通孔導體v2往上下方向貫通絕緣體層16d，將線圈導體18a之內周側之端部與引出導體24之一端加以連接。

訊號線路L2，如圖3所示，由線圈導體20a、引出導體26,28及通孔導體v3,v4構成。線圈導體20a設在絕緣體層16c之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。又，線圈導體20a，從上側俯視時，與線圈導體18a重疊。亦即，線圈導體18a與線圈導體20a係隔著絕緣體層16c對向。藉此，線圈導體18a與線圈導體20a電磁耦合。

引出導體26係設在絕緣體層16b之表面之線狀導體。引出導體26之一端，從上側俯視時，與線圈導體20a之外周側之端部重疊。引 出導體26之另一端連接於外部端子14d。通孔導體v3往上下方向貫通絕緣體層16b，將線圈導體20a之外周側之端部與引出導體26之一端加以連接。

引出導體28係設在絕緣體層16b之表面之線狀導體。引出導體28之一端，從上側俯視時，與線圈導體20a之內周側之端部重疊。引出導體28之另一端連接於外部端子14c。通孔導體v4往上下方向貫通絕緣體層16b，將線圈導體20a之內周側之端部與引出導體28之一端加以連接。藉此，訊號線路L2連接於外部端子14c與外部端子14d之間。

電容器C由電容器導體40,42構成。電容器導體40設在絕緣體層16f之表面上，呈矩形狀。又，電容器導體40連接於外部端子14a。

電容器導體42設在絕緣體層16g之表面上，呈矩形狀。又，電容器導體42連接於外部端子14c。電容器導體40與電容器導體42係隔著絕緣體層16f對向。藉此，在電容器導體40與電容器導體42之間形成電容。藉此，電容器C連接於外部端子14a與外部端子14c之間。

(效果)

根據以上述方式構成之平衡-非平衡轉換器10a，可謀求平衡特性之提升。更詳細而言，在平衡-非平衡轉換器10a，透過外部端子14a輸入非平衡訊號，透過外部端子14b,14c輸出平衡訊號。以下，將從外部端子14a輸入之訊號稱為輸入訊號。又，將從外部端子14b輸出之訊號稱為第1輸出訊號，將從外部端子14c輸出之訊號稱為第2輸出訊號。

透過外部端子14a輸入之輸入訊號，輸入至訊號線路L1及電容器C。輸入至訊號線路L1之非平衡訊號即輸入訊號在轉換部11轉換成平衡訊號。更詳細而言，訊號線路L1包含線圈導體18a。線圈導體18a使 通過訊號之電壓相位產生90°之延遲。因此，從訊號線路L1輸出之訊號(亦即，第1輸出訊號)之電壓之相位相對於輸入訊號之電壓之相位延遲90°。

又，由於訊號線路L1與訊號線路L2電磁耦合，因此在此等之間產生電磁感應。因此，從訊號線路L1輸出之訊號之電壓之相位與從訊號線路L2輸出之訊號之電壓之相位相異180°。亦即，從訊號線路L1輸出之訊號之電壓之相位相對於輸入訊號之電壓之相位延遲90°，從訊號線路L2輸出之訊號之電壓之相位相對於輸入訊號之電壓之相位延遲270°(快90°)。

另一方面，輸入至電容器C之輸入訊號，在通過電容器C後，與從訊號線路L2輸出之訊號合流。此處，電容器C使通過訊號之電壓相位產生90°之超前。因此，通過電容器C之訊號之電壓之相位相對於輸入訊號之電壓之相位快90°。亦即，通過電容器C之訊號之電壓之相位與從訊號線路L2輸出之訊號之相位相同。藉此，從外部端子14c輸出之第2輸出訊號之振幅變大。亦即，根據平衡-非平衡轉換器10a，容易使第2輸出訊號之振幅接近第1輸出訊號之振幅，能使平衡特性提升。

又，平衡-非平衡轉換器10a，絕緣體層16a~16g係由電介質材料製作，因此可在包含2GHz以上之高頻帶之廣帶域(例如，700MHz~2.7GHz)使用。更詳細而言，在絕緣體層16a~16g係由磁性體材料製作之情形，若輸入訊號成為具有2GHz以上之頻率之高頻訊號，則絕緣體層16a~16g之相對透磁率急速降低而接近1。因此，無法使訊號線路L1與訊號線路L2充分地電磁耦合，第2輸出訊號之振幅降低。亦即，在絕緣體層16a~16g係由磁性體材料製作之平衡-非平衡轉換器10a，平衡特性在2GHz 之高頻帶急速惡化。因此，在絕緣體層16a~16g係由磁性體材料製作之平衡-非平衡轉換器10a用在包含2GHz以上之高頻帶之廣帶域(例如，700MHz~2.7GHz)之情形，具有平衡特性因頻帶大幅變動之問題。

因此，在平衡-非平衡轉換器10a，絕緣體層16a~16g係由電介質材料製作。電介質材料，相較於磁性體材料，不僅相對透磁率不易因頻帶變動，相對透磁率亦較小。因此，在絕緣體層16a~16g係由電介質材料製作之平衡-非平衡轉換器10a用在包含2GHz以上之高頻帶之廣帶域(例如，700MHz~2.7GHz)之情形，平衡特性不易因頻帶變動。是以，絕緣體層16a~16g之相對透磁率較小，因此無法使訊號線路L1與訊號線路L2充分地電磁耦合。因此，第2輸出訊號之振幅降低。然而，電容器C設在外端端子14a與外部端子14c之間。藉此，第2輸出訊號之振幅接近第1輸出訊號之振幅。根據上述，平衡-非平衡轉換器10a，絕緣體層16a~16g係由電介質材料製作，因此可用在包含2GHz以上之高頻帶之廣帶域(例如，700MHz~2.7GHz)。然而，此並不妨礙絕緣體層16a~16g由磁性體材料製作。

又，在專利文獻1記載之積層型轉換器零件，為了使1次側線圈與2次側線圈之間之電磁耦合變強，藉由例如光微影形成較細之1次側線圈及2次側線圈。然而，若藉由光微影形成1次側線圈及2次側線圈，則製程變複雜，積層型轉換器零件之製造成本變高。

另一方面，在本實施形態之平衡-非平衡轉換器10a，由於在外端端子14a與外部端子14c之間具備電容器C，因此即使訊號線路L1與訊號線路L2之電磁耦合較弱，亦可獲得優異之平衡特性。因此，無須為了使訊號線路L1與訊號線路L2較強地電磁耦合而藉由光微影形成此等。 亦即，可將以網版印刷塗布有導體之坏片加以積層來製作平衡-非平衡轉換器10a。其結果，可降低平衡-非平衡轉換器10a之製造成本。然而，此並不妨礙平衡-非平衡轉換器10a之訊號線路L1,L2藉由光微影形成。

(模擬)

本申請發明人為了使平衡-非平衡轉換器10a達成之效果更為明確，進行了以下說明之電腦模擬。具體而言，作成圖1所示之平衡-非平衡轉換器10a之第1模型、與從圖1所示之平衡-非平衡轉換器10a移除電容器C之第2模型。接著，運算第1模型及第2模型之平衡特性。此處之平衡特性係第1輸出訊號之振幅與第2輸出訊號之振幅之差(以下僅稱為振幅差)、及第1輸出訊號之電壓相位與第2輸出訊號之電壓相位之差(以下僅稱為相位差)。平衡特性良好係意指振幅差接近0dB及相位差接近180°。

圖4係顯示頻率與相位之關係之圖表。縱軸表示相位，橫軸表示頻率。圖5係顯示頻率與振幅之關係之圖表。縱軸表示振幅比，橫軸表示頻率。

圖4中，實線S1表示第1模型之第1輸出訊號之電壓之相位。實線S2表示第1模型之第2輸出訊號之電壓之相位。虛線S3表示第2模型之第1輸出訊號之電壓之相位。虛線S4表示第2模型之第2輸出訊號之電壓之相位。

實線S1與實線S2之相位差，如圖4所示，與虛線S3與虛線S4之相位差同樣地，可知即使頻率變動亦保持大致180°。因此，可知平衡-非平衡轉換器10a在相位差具有優異之平衡特性。

又，圖5中，實線S5表示第1模型之第1輸出訊號之振幅 相對於輸入訊號之振幅之比值。實線S6表示第1模型之第2輸出訊號之振幅相對於輸入訊號之振幅之比值。虛線S7表示第2模型之第1輸出訊號之振幅相對於輸入訊號之振幅之比值。虛線S8表示第2模型之第2輸出訊號之振幅相對於輸入訊號之振幅之比值。

根據圖5，第1模型之實線S6位於第2模型之虛線S8上側。亦即，可知第1模型之第2輸出訊號之振幅較第2模型之第2輸出訊號之振幅大。亦即，可知藉由設置電容器C，第1模型之第2輸出訊號之振幅較第2模型大。

另一方面，第1模型之實線S5位於第2模型之虛線S7下側。亦即，可知第1模型之第1輸出訊號之振幅較第2模型之第1輸出訊號之振幅小。亦即，可知藉由設置電容器C，在第1模型，與第2輸出訊號之振幅變大之量對應地，第1輸出訊號之振幅變小。藉此，能使第1輸出訊號之振幅與第2輸出訊號之振幅接近。根據上述，可知平衡-非平衡轉換器10a在振幅差具有優異之平衡特性。

接著，本申請發明人為了調查電容器C之適當大小，進行了以下說明之電腦模擬。具體而言，在第1模型，使電容器C之電容變化成0pF、0.16pF、0.2pF、0.25pF、0.32pF，運算頻率與振幅比之關係。振幅比係第1輸出訊號之振幅相對於第2輸出訊號之振幅之比值。此外，在模擬中，設線圈導體18a與線圈導體20a之上下方向(積層方向)之間隔為25μm。圖6係顯示頻率與振幅比之關係之圖表。縱軸表示振幅比，橫軸表示頻率。

實線S11係電容器C為0pF之情形之頻率與振幅比之關係。實線S12係電容器C為0.16pF之情形之頻率與振幅比之關係。實線S13係 電容器C為0.2pF之情形之頻率與振幅比之關係。實線S14係電容器C為0.25pF之情形之頻率與振幅比之關係。實線S15係電容器C為0.32pF之情形之頻率與振幅比之關係。

根據圖6，可知振幅比隨著電容器C之電容變大而變小。亦即，可知隨著電容器C之電容變大，第1輸出訊號之振幅變小，第2輸出訊號之振幅變大。此處，在平衡-非平衡轉換器10a，較佳為，在700MHz~2.7GHz之頻帶，振幅比收斂在±1.5dB以下。因此，電容器C之電容，根據圖6，較佳為0.24pF±30%(0.08pF)。

(第1變形例)

接著，參照圖式說明第1變形例之平衡-非平衡轉換器10b。圖7係第1變形例之平衡-非平衡轉換器10b之積層體12之分解立體圖。平衡-非平衡轉換器10b之電路構成與平衡-非平衡轉換器10a之電路構成相同，因此援用圖1。又，平衡-非平衡轉換器10b之外觀立體圖與平衡-非平衡轉換器10a之外觀立體圖相同，因此援用圖2。

平衡-非平衡轉換器10b，在具備絕緣體層16h,16i、線圈導體18b,20b及通孔導體v11~v14之點，與平衡-非平衡轉換器10a不同。

絕緣體層16h,16i設在絕緣體層16c與絕緣體層16d之間。線圈導體18b設在絕緣體層16i之表面上，具有與線圈導體18a相同之形狀。通孔導體v11往上下方向貫通絕緣體層16i，將線圈導體18a之外周側之端部與線圈導體18b之外周側之端部加以連接。通孔導體v12往上下方向貫通絕緣體層16i，將線圈導體18a之內周側之端部與線圈導體18b之內周側之端部加以連接。藉此，線圈導體18a與線圈導體18b並聯。

線圈導體20b設在絕緣體層16h之表面上，具有與線圈導體20a相同之形狀。通孔導體v13往上下方向貫通絕緣體層16c，將線圈導體20a之外周側之端部與線圈導體20b之外周側之端部加以連接。通孔導體v14往上下方向貫通絕緣體層16c，將線圈導體20a之內周側之端部與線圈導體20b之內周側之端部加以連接。藉此，線圈導體20a與線圈導體20b並聯。

根據以上述方式構成之平衡-非平衡轉換器10b，與平衡-非平衡轉換器10a同樣地，可謀求平衡特性之提升。

又，在平衡-非平衡轉換器10b，由於線圈導體18a與線圈導體18b並聯，因此訊號線路L1之直流電組降低。同樣地，由於線圈導體20a與線圈導體20b並聯，因此訊號線路L2之直流電組降低。藉此，平衡-非平衡轉換器10b之通過特性提升。

(第2變形例)

以下，參照圖式說明第2變形例之平衡-非平衡轉換器。圖8係第2變形例之平衡-非平衡轉換器10c之電路圖。

平衡-非平衡轉換器10c，如圖8所示，具備轉換部11、電容器C及外部端子14a~14c,14f。轉換部11包含訊號線路L1~L4。

訊號線路L1連接於外部端子14a與外部端子14b之間。訊號線路L2連接於外部端子14c與外部端子14f之間。訊號線路L3連接於外部端子14a與外部端子14f之間。藉此，訊號線路L1之一端與訊號線路L3之一端連接。又，訊號線路L4連接於外部端子14f與外部端子14f之間。藉此，訊號線路L2之一端與訊號線路L4之一端連接。

又，訊號線路L1與訊號線路L4彼此電磁耦合。訊號線路 L2與訊號線路L3彼此電磁耦合。又，電容器C連接於外部端子14a與外部端子14c之間。

在以上述方式構成之平衡-非平衡轉換器10c，外部端子14a係供非平衡訊號輸入之輸入端子。外部端子14a,14c係輸出平衡訊號之輸出端子。外部端子14f係接地之接地端子。

接著，參照圖式說明平衡-非平衡轉換器10c之具體構成。圖9係第2變形例之平衡-非平衡轉換器10c之積層體12之分解立體圖。平衡-非平衡轉換器10c之外觀立體圖與平衡-非平衡轉換器10a之外觀立體圖相同，因此援用圖2。

平衡-非平衡轉換器10c，如圖2及圖9所示，具備轉換部11、積層體12、外部端子14a~14f及電容器C。

積層體12係藉由絕緣體層16a~16k從上側往下側依序排列積層而構成，呈長方體狀。絕緣體層16a~16k呈長方形狀，由電介質材料製作。作為電介質材料，可舉出例如Ba-Al-Si系之電介質陶瓷材料。以下，將絕緣體層16a~16k之上側之面稱為表面，將絕緣體層16a~16k之下側之面稱為背面。

平衡-非平衡轉換器10c之外部端子14a~14f與平衡-非平衡轉換器10a之外部端子14a~14f相同，因此省略說明。

轉換部11，如上述，包含訊號線路L1~L4。又，訊號線路L1，如圖9所示，由線圈導體18a、引出導體22,24及通孔導體v1,v2構成。線圈導體18a設在絕緣體層16d之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。

引出導體22係設在絕緣體層16e之表面之線狀導體。引出導體22之一端，從上側俯視時，與線圈導體18a之外周側之端部重疊。引出導體22之另一端連接於外部端子14a。通孔導體v1往上下方向貫通絕緣體層16d，將線圈導體18a之外周側之端部與引出導體22之一端加以連接。

引出導體24係設在絕緣體層16e之表面之線狀導體。引出導體24之一端，從上側俯視時，與線圈導體18a之內周側之端部重疊。引出導體24之另一端連接於外部端子14b。通孔導體v2往上下方向貫通絕緣體層16d，將線圈導體18a之內周側之端部與引出導體24之一端加以連接。藉此，訊號線路L1連接於外部端子14a與外部端子14b之間。

訊號線路L4，如圖9所示，由線圈導體52、引出導體71,72及通孔導體v27,v28構成。線圈導體52設在絕緣體層16c之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。又，線圈導體52，從上側俯視時，與線圈導體18a重疊。亦即，線圈導體18a與線圈導體52係隔著絕緣體層16c對向。藉此，線圈導體18a與線圈導體52電磁耦合。

引出導體71係設在絕緣體層16b之表面之線狀導體。引出導體71之一端，從上側俯視時，與線圈導體52之外周側之端部重疊。引出導體71之另一端連接於外部端子14f。通孔導體v27往上下方向貫通絕緣體層16b，將線圈導體52之外周側之端部與引出導體71之一端加以連接。

引出導體72係設在絕緣體層16b之表面之線狀導體。引出導體72之一端，從上側俯視時，與線圈導體52之內周側之端部重疊。引出導體72之另一端連接於外部端子14f。通孔導體v28往上下方向貫通絕緣體層16b，將線圈導體52之內周側之端部與引出導體72之一端加以連接。藉 此，訊號線路L4連接於外部端子14f與外部端子14f之間。

訊號線路L2，如圖9所示，由線圈導體20a、引出導體26,28及通孔導體v3,v4構成。線圈導體20a設在絕緣體層16g之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。

引出導體26係設在絕緣體層16f之表面之線狀導體。引出導體26之一端，從上側俯視時，與線圈導體20a之外周側之端部重疊。引出導體26之另一端連接於外部端子14f。通孔導體v3往上下方向貫通絕緣體層16f，將線圈導體20a之外周側之端部與引出導體26之一端加以連接。藉此，訊號線路L2連接於外部端子14c與外部端子14f之間。

引出導體28係設在絕緣體層16f之表面之線狀導體。引出導體28之一端，從上側俯視時，與線圈導體20a之內周側之端部重疊。引出導體28之另一端連接於外部端子14c。通孔導體v4往上下方向貫通絕緣體層16f，將線圈導體20a之內周側之端部與引出導體28之一端加以連接。

訊號線路L3，如圖9所示，由線圈導體50、引出導體68,70及通孔導體v25,v26構成。線圈導體50設在絕緣體層16h之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。又，線圈導體50，從上側俯視時，與線圈導體20a重疊。亦即，線圈導體20a與線圈導體50係隔著絕緣體層16g對向。藉此，線圈導體20a與線圈導體50電磁耦合。

引出導體68係設在絕緣體層16i之表面之線狀導體。引出導體68之一端，從上側俯視時，與線圈導體50之外周側之端部重疊。引出導體68之另一端連接於外部端子14a。通孔導體v25往上下方向貫通絕緣體層16h，將線圈導體50之外周側之端部與引出導體68之一端加以連接。

引出導體70係設在絕緣體層16i之表面之線狀導體。引出導體70之一端，從上側俯視時，與線圈導體50之內周側之端部重疊。引出導體70之另一端連接於外部端子14f。通孔導體v26往上下方向貫通絕緣體層16h，將線圈導體50之內周側之端部與引出導體70之一端加以連接。藉此，訊號線路L3連接於外部端子14a與外部端子14f之間。

電容器C由電容器導體40,42構成。電容器導體40設在絕緣體層16j之表面上，呈矩形狀。又，電容器導體40連接於外部端子14a。

電容器導體42設在絕緣體層16k之表面上，呈矩形狀。又，電容器導體42連接於外部端子14c。電容器導體40與電容器導體42係隔著絕緣體層16j對向。藉此，在電容器導體40與電容器導體42之間形成電容。藉此，電容器C連接於外部端子14a與外部端子14c之間。

根據以上述方式構成之平衡-非平衡轉換器10c，與平衡-非平衡轉換器10a同樣地，可謀求平衡特性之提升。

又，在平衡-非平衡轉換器10c，使訊號線路L1與訊號線路L2電磁耦合，使訊號線路L2與訊號線路L3電磁耦合，藉此可進行阻抗轉換。更詳細而言，在平衡-非平衡轉換器10c，可將輸出側之特性阻抗設定成輸入側之特性阻抗之4倍。

(第3變形例)

接著，參照圖式說明第3變形例之平衡-非平衡轉換器10d。圖10係第3變形例之平衡-非平衡轉換器10d之積層體12之分解立體圖。平衡-非平衡轉換器10d之電路構成與平衡-非平衡轉換器10c之電路構成相同，因此援用圖8。又，平衡-非平衡轉換器10d之外觀立體圖與平衡-非平衡 轉換器10a之外觀立體圖相同，因此援用圖2。

平衡-非平衡轉換器10d，在訊號線路L1~L4之配置與平衡-非平衡轉換器10c不同。更詳細而言，在平衡-非平衡轉換器10c，訊號線路L4、訊號線路L1、訊號線路L2及訊號線路L3依序從上側往下側排列。另一方面，平衡-非平衡轉換器10d，訊號線路L1之線圈導體18a與訊號線路L3之線圈導體50設在相同之絕緣體層16d上，訊號線路L2之線圈導體20a與訊號線路L4之線圈導體52設在相同之絕緣體層16c上。又，訊號線路L1之線圈導體18a與訊號線路L4之線圈導體52藉由隔著絕緣體層16c對向電磁耦合，訊號線路L2之線圈導體20a與訊號線路L3之線圈導體20a藉由隔著絕緣體層16c對向電磁耦合。

根據以上述方式構成之平衡-非平衡轉換器10d，與平衡-非平衡轉換器10a同樣地，可謀求平衡特性之提升。

又，在平衡-非平衡轉換器10d，與平衡-非平衡轉換器10c同樣地，可進行阻抗轉換。

又，在平衡-非平衡轉換器10d，由於線圈導體18a與線圈導體50設在相同之絕緣體層16d，因此在此等之間不易形成電容。同樣地，由於線圈導體20a與線圈導體52設在相同之絕緣體層16c，因此在此等之間不易形成電容。因此，在平衡-非平衡轉換器10d，可抑制不需要電容之形成。

又，在平衡-非平衡轉換器10d，由於線圈導體18a,20a,50,52設在二個絕緣體層16c,16d，因此相較於此等設在不同之四個絕緣體層之情形，可謀求低高度化。

(第4變形例)

以下，參照圖式說明第4變形例之平衡-非平衡轉換器。圖11係第4變形例之平衡-非平衡轉換器10e之電路圖。

平衡-非平衡轉換器10e，如圖11所示，具備轉換部11、電容器C及外部端子14a~14d。轉換部11包含訊號線路L1~L6。

訊號線路L1連接於外部端子14a與外部端子14b之間。訊號線路L2連接於外部端子14c與外部端子14d之間。訊號線路L3連接於外部端子14a與外部端子14d之間。藉此，訊號線路L1之一端與訊號線路L3之一端連接。又，訊號線路L4連接於外部端子14d與外部端子14d之間。藉此，訊號線路L2之一端與訊號線路L4之一端連接。訊號線路L5連接於外部端子14a與外部端子14d之間。藉此，訊號線路L1之一端與訊號線路L5之一端連接。又，訊號線路L6連接於外部端子14d與外部端子14d之間。藉此，訊號線路L2之一端與訊號線路L6之一端連接。

又，訊號線路L1與訊號線路L4彼此電磁耦合。訊號線路L2與訊號線路L3彼此電磁耦合。訊號線路L5與訊號線路L6彼此電磁耦合。又，電容器C連接於外部端子14a與外部端子14c之間。

在以上述方式構成之平衡-非平衡轉換器10e，外部端子14a係供非平衡訊號輸入之輸入端子。外部端子14b,14c係輸出平衡訊號之輸出端子。外部端子14d係接地之接地端子。

接著，參照圖式說明平衡-非平衡轉換器10e之具體構成。圖12係第4變形例之平衡-非平衡轉換器10e之積層體12之分解立體圖。平衡-非平衡轉換器10e之外觀立體圖與平衡-非平衡轉換器10a之外觀立 體圖相同，因此援用圖2。

平衡-非平衡轉換器10e，如圖2及圖12所示，具備轉換部11、積層體12、外部端子14a~14f及電容器C。

積層體12係藉由絕緣體層16a~16o從上側往下側依序排列積層而構成，呈長方體狀。絕緣體層16a~16o呈長方形狀，由電介質材料製作。作為電介質材料，可舉出例如Ba-Al-Si系之電介質陶瓷。以下，將絕緣體層16a~16o之上側之面稱為表面，將絕緣體層16a~16o之下側之面稱為背面。

平衡-非平衡轉換器10e之外部端子14a~14f與平衡-非平衡轉換器10a之外部端子14a~14f相同，因此省略說明。

轉換部11，如上述，包含訊號線路L1~L6。又，訊號線路L1，如圖12所示，由線圈導體18a、引出導體22,24及通孔導體v1,v2構成。線圈導體18a設在絕緣體層16d之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。

引出導體22係設在絕緣體層16e之表面之線狀導體。引出導體22之一端，從上側俯視時，與線圈導體18a之外周側之端部重疊。引出導體22之另一端連接於外部端子14a。通孔導體v1往上下方向貫通絕緣體層16d，將線圈導體18a之外周側之端部與引出導體22之一端加以連接。

引出導體24係設在絕緣體層16e之表面之線狀導體。引出導體24之一端，從上側俯視時，與線圈導體18a之內周側之端部重疊。引出導體24之另一端連接於外部端子14b。通孔導體v2往上下方向貫通絕緣體層16d，將線圈導體18a之內周側之端部與引出導體24之一端加以連接。 藉此，訊號線路L1連接於外部端子14a與外部端子14b之間。

訊號線路L4，如圖12所示，由線圈導體52、引出導體71,72及通孔導體v27,v28構成。線圈導體52設在絕緣體層16c之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。又，線圈導體52，從上側俯視時，與線圈導體18a重疊。亦即，線圈導體18a與線圈導體52係隔著絕緣體層16c對向。藉此，線圈導體18a與線圈導體52電磁耦合。

引出導體71係設在絕緣體層16b之表面之線狀導體。引出導體71之一端，從上側俯視時，與線圈導體52之外周側之端部重疊。引出導體71之另一端連接於外部端子14d。通孔導體v27往上下方向貫通絕緣體層16b，將線圈導體52之外周側之端部與引出導體71之一端加以連接。

引出導體72係設在絕緣體層16b之表面之線狀導體。引出導體72之一端，從上側俯視時，與線圈導體52之內周側之端部重疊。引出導體72之另一端連接於外部端子14d。通孔導體v28往上下方向貫通絕緣體層16b，將線圈導體52之內周側之端部與引出導體72之一端加以連接。藉此，訊號線路L4連接於外部端子14d與外部端子14d之間。

訊號線路L2，如圖12所示，由線圈導體20a、引出導體26,28及通孔導體v3,v4構成。線圈導體20a設在絕緣體層16k之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。

引出導體26係設在絕緣體層16j之表面之線狀導體。引出導體26之一端，從上側俯視時，與線圈導體20a之外周側之端部重疊。引出導體26之另一端連接於外部端子14d。通孔導體v3往上下方向貫通絕緣體層16j，將線圈導體20a之外周側之端部與引出導體26之一端加以連接。

引出導體28係設在絕緣體層16j之表面之線狀導體。引出導體28之一端，從上側俯視時，與線圈導體20a之內周側之端部重疊。引出導體28之另一端連接於外部端子14c。通孔導體v4往上下方向貫通絕緣體層16j，將線圈導體20a之內周側之端部與引出導體28之一端加以連接。藉此，訊號線路L3連接於外部端子14c與外部端子14d之間。

訊號線路L3，如圖12所示，由線圈導體50、引出導體68,70及通孔導體v25,v26構成。線圈導體50設在絕緣體層161之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。又，線圈導體50，從上側俯視時，與線圈導體20a重疊。亦即，線圈導體20a與線圈導體50係隔著絕緣體層16k對向。藉此，線圈導體20a與線圈導體50電磁耦合。

引出導體68係設在絕緣體層16m之表面之線狀導體。引出導體68之一端，從上側俯視時，與線圈導體50之外周側之端部重疊。引出導體68之另一端連接於外部端子14a。通孔導體v25往上下方向貫通絕緣體層161，將線圈導體50之外周側之端部與引出導體68之一端加以連接。

引出導體70係設在絕緣體層16m之表面之線狀導體。引出導體70之一端，從上側俯視時，與線圈導體50之內周側之端部重疊。引出導體70之另一端連接於外部端子14d。通孔導體v26往上下方向貫通絕緣體層161，將線圈導體50之內周側之端部與引出導體70之一端加以連接。藉此，訊號線路L3連接於外部端子14a與外部端子14d之間。

訊號線路L5，如圖12所示，由線圈導體80、引出導體91,92及通孔導體v30,v31構成。線圈導體80設在絕緣體層16h之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。

引出導體91係設在絕緣體層16i之表面之線狀導體。引出導體91之一端，從上側俯視時，與線圈導體80之外周側之端部重疊。引出導體91之另一端連接於外部端子14a。通孔導體v30往上下方向貫通絕緣體層16h，將線圈導體80之外周側之端部與引出導體91之一端加以連接。

引出導體92係設在絕緣體層16i之表面之線狀導體。引出導體92之一端，從上側俯視時，與線圈導體80之內周側之端部重疊。引出導體92之另一端連接於外部端子14d。通孔導體v31往上下方向貫通絕緣體層16h，將線圈導體80之內周側之端部與引出導體92之一端加以連接。藉此，訊號線路L5連接於外部端子14a與外部端子14d之間。

訊號線路L6，如圖12所示，由線圈導體82、引出導體93,94及通孔導體v32,v33構成。線圈導體82設在絕緣體層16g之表面上，從上側俯視時，呈往順時針旋繞並同時朝向中心之漩渦形狀。又，線圈導體82，從上側俯視時，與線圈導體80重疊。亦即，線圈導體80與線圈導體82係隔著絕緣體層16g對向。藉此，線圈導體80與線圈導體82電磁耦合。

引出導體93係設在絕緣體層16f之表面之線狀導體。引出導體93之一端，從上側俯視時，與線圈導體82之外周側之端部重疊。引出導體93之另一端連接於外部端子14d。通孔導體v32往上下方向貫通絕緣體層16f，將線圈導體82之外周側之端部與引出導體93之一端加以連接。

引出導體94係設在絕緣體層16f之表面之線狀導體。引出導體94之一端，從上側俯視時，與線圈導體82之內周側之端部重疊。引出導體94之另一端連接於外部端子14d。通孔導體v33往上下方向貫通絕緣體層16f，將線圈導體82之內周側之端部與引出導體94之一端加以連接。 藉此，訊號線路L6連接於外部端子14d與外部端子14d之間。

電容器C由電容器導體40,42構成。電容器導體40設在絕緣體層16n之表面上，呈矩形狀。又，電容器導體40連接於外部端子14a。

電容器導體42設在絕緣體層16o之表面上，呈矩形狀。又，電容器導體42連接於外部端子14c。電容器導體40與電容器導體42係隔著絕緣體層16n對向。藉此，在電容器導體40與電容器導體42之間形成電容。藉此，電容器C連接於外部端子14a與外部端子14c之間。

根據以上述方式構成之平衡-非平衡轉換器10e，與平衡-非平衡轉換器10a同樣地，可謀求平衡特性之提升。

又，在平衡-非平衡轉換器10e，使訊號線路L1與訊號線路L4電磁耦合，使訊號線路L2與訊號線路L3電磁耦合，使訊號線路L5與訊號線路L6電磁耦合，藉此可進行阻抗轉換。更詳細而言，在平衡-非平衡轉換器10e，可將輸出側之特性阻抗設定成輸入側之特性阻抗之9倍。

(第5變形例)

接著，參照圖式說明第5變形例之平衡-非平衡轉換器10f。圖13係第5變形例之平衡-非平衡轉換器10f之積層體12之分解立體圖。平衡-非平衡轉換器10f之電路構成與平衡-非平衡轉換器10a之電路構成相同，因此援用圖1。又，平衡-非平衡轉換器10f之外觀立體圖與平衡-非平衡轉換器10a之外觀立體圖相同，因此援用圖2。

平衡-非平衡轉換器10f，在未設置電容器導體40及絕緣體層16f之點，與平衡-非平衡轉換器10a不同。以下，以上述不同點為中心說明平衡-非平衡轉換器10f。

在平衡-非平衡轉換器10f，由於未設置電容器導體40，因此電容器導體42隔著絕緣體層16d,16e與線圈導體18a(亦即，訊號線路L1)對向。藉此，在電容器導體42與線圈導體18a之間形成有電容。亦即，電容器C係由線圈導體18a與電容器導體42形成。

在以上述方式構成之平衡-非平衡轉換器10f，未設置電容器導體40及絕緣體層16f。因此，根據平衡-非平衡轉換器10f，可謀求高度較平衡-非平衡轉換器10a低。

此外，在平衡-非平衡轉換器10b，亦可不設置電容器導體40及絕緣體層16g，且電容器導體42設在絕緣體層16f之表面上。

又，在平衡-非平衡轉換器10c，亦可不設置電容器導體40及絕緣體層16j，且設有電容器導體42之絕緣體層16k設在絕緣體層16e與絕緣體層16f之間。

又，在平衡-非平衡轉換器10e，亦可不設置電容器導體40及絕緣體層16n，且設有電容器導體42之絕緣體層16o設在絕緣體層16e與絕緣體層16f之間。

(第6變形例)

接著，參照圖式說明第6變形例之平衡-非平衡轉換器10g。圖14係第6變形例之平衡-非平衡轉換器10g之積層體12之分解立體圖。平衡-非平衡轉換器10g之電路構成與平衡-非平衡轉換器106之電路構成相同，因此援用圖8。又，平衡-非平衡轉換器10g之外觀立體圖與平衡-非平衡轉換器10a之外觀立體圖相同，因此援用圖2。

平衡-非平衡轉換器10g，在未設置電容器導體40及絕緣 體層16f之點及電容器導體42未和線圈導體50對向而和線圈導體18a對向之點，與平衡-非平衡轉換器10d不同。以下，以上述不同點為中心說明平衡-非平衡轉換器10g。

在平衡-非平衡轉換器10g，由於未設置電容器導體40，因此電容器導體42隔著絕緣體層16d,16e與線圈導體18a(亦即，訊號線路L1)對向。然而，電容器導體42主要設在絕緣體層16g之右半區域，因此幾乎不與線圈導體50對向。藉此，在電容器導體42與線圈導體18a之間形成有電容。亦即，電容器C係由線圈導體18a與電容器導體42形成。

在以上述方式構成之平衡-非平衡轉換器10g，未設置電容器導體40及絕緣體層16f。因此，根據平衡-非平衡轉換器10g，可謀求高度較平衡-非平衡轉換器10d低。

(其他實施形態)

本發明之平衡-非平衡轉換器並不限於上述平衡-非平衡轉換器10a~10g，在其要旨範圍內可進行變更。

此外，訊號線路L1~L6雖由線圈導體構成，但亦可由直線狀之線狀導體構成。

又，平衡-非平衡轉換器10a~10g，雖由一個電子零件構成，但亦可由複數個電子零件與電路基板之組合構成。

如上述，本發明在平衡-非平衡轉換器有用，尤其是在可謀求平衡特性之提升之點優異。

C‧‧‧電容器

L1,L2‧‧‧訊號線路

10a,10b,10f‧‧‧平衡-非平衡轉換器

11‧‧‧轉換部

14a~14d‧‧‧外部端子

Claims (10)

1. 一種平衡-非平衡轉換器，具備：輸入端子，供非平衡訊號輸入；轉換部，至少包含連接於該輸入端子之第1訊號線路，將該非平衡訊號轉換成平衡訊號；第1輸出端子，連接於該第1訊號線路；第2輸出端子，與該第1輸出端子一起輸出該平衡訊號；以及電容器，連接於該輸入端子與該第2輸出端子之間。
2. 如申請專利範圍第1項之平衡-非平衡轉換器，其中，該轉換部進一步包含連接於該第2輸出端子且與該第1訊號線路電磁耦合之第2訊號線路。
3. 如申請專利範圍第2項之平衡-非平衡轉換器，其進一步包含積層複數個絕緣體層構成之積層體；該第1訊號線路、該第2訊號線路及該電容器係由設在該絕緣體層上之導體構成。
4. 如申請專利範圍第1項之平衡-非平衡轉換器，其中，該轉換部進一步包含連接於該第2輸出端子之第2訊號線路、連接於該第2訊號線路且與該第1訊號線路電磁耦合之第3訊號線路、及連接於該輸入端子且與該第2訊號線路電磁耦合之第4訊號線路。
5. 如申請專利範圍第4項之平衡-非平衡轉換器，其中，該轉換部進一步包含連接於該輸入端子之第5訊號線路、及電氣連接於該第2訊號線路且與該第5訊號線路電磁耦合之第6訊號線路。
6. 如申請專利範圍第5項之平衡-非平衡轉換器，其進一步包含積層複數個絕緣體層構成之積層體；該第1訊號線路、該第2訊號線路、該第3訊號線路、該第4訊號線路及該電容器係由設在該絕緣體層上之導體構成。
7. 如申請專利範圍第6項之平衡-非平衡轉換器，其中，該第1訊號線路與該第4訊號線路係藉由隔著該絕緣體層對向而電磁耦合；該第2訊號線路與該第3訊號線路係藉由隔著該絕緣體層對向而電磁耦合。
8. 如申請專利範圍第6項之平衡-非平衡轉換器，其中，該電容器包含第1電容器導體及第2電容器導體；該第1訊號線路與該第4訊號線路係藉由隔著該絕緣體層對向而電磁耦合；該第2訊號線路與該第3訊號線路係藉由隔著該絕緣體層對向而電磁耦合；該第1訊號線路與該第3訊號線路係設在相同之該絕緣體層上；該第2訊號線路與該第4訊號線路係設在相同之該絕緣體層上。
9. 如申請專利範圍第3、6至8項中任一項之平衡-非平衡轉換器，其中，該絕緣體層係由電介質材料製作。
10. 如申請專利範圍第1項之平衡-非平衡轉換器，其進一步包含積層複數個絕緣體層構成之積層體；該第1訊號線路及該電容器係由設在該絕緣體層上之導體構成； 該電容器係由電氣連接於該第2輸出端子之電容器導體與該第1訊號線路形成。