[go: up one dir, main page]

TWI529775B - 負載閉鎖批式臭氧硬化 - Google Patents

負載閉鎖批式臭氧硬化 Download PDF

Info

Publication number
TWI529775B
TWI529775B TW100121086A TW100121086A TWI529775B TW I529775 B TWI529775 B TW I529775B TW 100121086 A TW100121086 A TW 100121086A TW 100121086 A TW100121086 A TW 100121086A TW I529775 B TWI529775 B TW I529775B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
wafer
chamber
processing region
gas
Prior art date
Application number
TW100121086A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201209880A (en
Inventor
路布米斯基德米崔
賓森二世傑Ｄ
福洛德可比Ｈ
坎艾德柏
凡卡塔拉曼尚卡爾
Original Assignee
應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 應用材料股份有限公司 filed Critical 應用材料股份有限公司
Publication of TW201209880A publication Critical patent/TW201209880A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI529775B publication Critical patent/TWI529775B/zh

Links

Classifications

    • H10P72/0431—
    • H10P72/0458—
    • H10P72/0434—
    • H10P72/0462—
    • H10P72/3312—

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

負載閉鎖批式臭氧硬化 相關申請案的交叉引用
本申請案主張2010年6月16日提出申請之美國臨時專利申請案第61/355,527號之權益，該案以引用之方式併入本文以達成所有目的。
本發明係關於負載閉鎖批式臭氧硬化。
自數十年前引入半導體元件以來，半導體元件幾何形狀已顯著減小。現代半導體製造設備常規生產具有250 nm、180 nm及65 nm之特徵結構大小之元件，且新設備正在開發及實施中，以製造具有更小幾何形狀之元件。減小的特徵結構大小在具有減小空間尺寸之元件上產生結構性特徵。該等減小的尺寸又需要使用具有極低電阻係數之導電材料及具有極低介電常數之絕緣材料。
低介電常數薄膜特別為金屬前介電(premetal dielectric;PMD)層及金屬間介電(intermetal dielectric;IMD)層所需要，以減少互連金屬化之RC時間延遲、防止不同層金屬化之間的串音及減少元件功率消耗。利用早期CVD技術沈積之未摻雜氧化矽薄膜通常具有4.0至4.2範圍內之介電常數(k)。相反，現今常用於半導體工業之各種碳基介電層具有低於3.0之介電常數。此等碳基介電層中之大多數在最初沈積時相對不穩定，且隨後在氧環境中硬化及/或退火以增加薄膜穩定性。
本發明之實施例係關於一種經調適成同時硬化一批晶圓之腔室。該腔室包括第一批式處理區域及第二批式處理區域，該等區域各自由支撐複數個基板之一晶圓傳送器服務，每一基板定位於以平行堆疊佈置之專用晶圓支撐件上。在一實施例中，第一批式處理區域直接位於第二批式處理區域上方，且晶圓傳送器操作性耦接至一旋轉支座，該旋轉支座在第一處理區域與第二處理區域之間升高及降低該傳送器。
儘管可在第一批式處理區域及第二批式處理區域中進行多種不同之處理操作，但本發明之一些實施例允許第一批式處理區域中之高溫(例如，100至200℃)、加壓(例如，200至700Torr)臭氧硬化製程及第二批式處理區域中之N2O蒸汽退火製程。另外，第二批式處理區域用於將晶圓裝卸至腔室中。
在一實施例中，本發明係關於一種用於以批次模式處理複數個晶圓之腔室。該腔室包括：垂直對準外殼，該外殼具有由內部分割器分隔之第一處理區域及第二處理區域，第一處理區域直接定位於第二處理區域上方；多區域加熱器，該加熱器操作性耦接至該外殼，以加熱彼此獨立之第一處理區域及第二處理區域；晶圓傳送器，該傳送器經調適成固持處理腔室內之複數個晶圓，及在第一處理區域與第二處理區域之間垂直移動；氣體分配系統，該氣體分配系統經調適成將臭氧引入第二區域中，及將蒸汽引入第一處理區域中；以及排氣系統，該排氣系統經設置以排出被引入第一處理區域及第二處理區域中之氣體。
在另一實施例中，提供一種用於以批次模式處理複數個晶圓之基板硬化腔室，該基板硬化腔室包括：垂直對準外殼，該外殼具有由內部分割器分隔之第一處理區域及第二處理區域，第一處理區域直接定位於第二處理區域上方；多區域加熱器，該加熱器操作性耦接至該外殼，以加熱彼此獨立之第一處理區域及第二處理區域；晶圓傳送器，該傳送器經調適成固持第一處理區域或第二處理區域內用於處理之複數個晶圓；第一氣體分配系統及第二氣體分配系統，該第一氣體分配系統經調適成經由第一處理區域引入處理氣體，該第二氣體分配系統經調適成經由第二處理區域引入處理氣體；排氣系統，該排氣系統經設置以排出被引入第一處理區域及第二處理區域中之處理氣體；支座，該支座操作性耦接至晶圓傳送器，以將晶圓傳送器移至一上部位置及一下部位置，在該上部位置中，將該複數個晶圓定位於第二處理區域中，且在該下部位置中，將該複數個晶圓定位於第一處理區域中；以及進出門，該進出門可在一開啟位置與一閉合密封位置之間移動，可在該開啟位置將晶圓裝載至晶圓傳送器上，且自晶圓傳送器移除晶圓。
額外實施例及特徵在以下描述中部分闡述，且某種程度上將在檢驗本說明書之後對熟習此項技術者變得顯而易見，或可藉由實施本發明而獲悉。另外，對本發明之性質及優點的進一步理解可參閱本說明書之其餘部分及圖式來實現，其中在該等若干圖式中使用相同元件符號以代表相同組件。
第1圖為根據本發明之一實施例之硬化腔室10的簡化橫截面圖。腔室10經垂直定向，且腔室10包括如本文所述之第一批式處理區域30及第二批式處理區域40。藉由晶圓傳送器20將晶圓遞送至批式處理區域30及40中之每一者，晶圓傳送器20固持晶圓傳送器20內的複數個晶圓(亦即，一批晶圓)。在一實施例中，晶圓傳送器安裝於旋轉支座22上，旋轉支座22允許在基板處理操作期間在處理區域30及40內旋轉該批晶圓。
支座22進一步操作性耦接至垂直致動器24，該垂直致動器24將晶圓傳送器20提升至處理區域30中，且將晶圓傳送器20自處理區域30抽出，如下所述。流量閥45允許機器人(未圖示)在晶圓傳送器20定位於區域40內時自晶圓傳送器20裝卸個別晶圓，該機器人耦接至分度器(亦未圖示)。為將晶圓裝載至傳送器20中，分度器將機器人升高或降低至所要位置，且機器人隨後延伸經過流量閥45，且將個別晶圓置放於傳送器20內的晶圓支撐件上。在一實施例中，一次一個晶圓地將晶圓裝載(及卸載)至晶圓傳送器20內的空晶圓支撐件上，直至裝滿傳送器為止。在另一實施例中，機器人包括複數個獨立臂，每一臂固持一晶圓，且機器人可一次將多個晶圓裝載(及卸載)至傳送器20中。
腔室10包括封閉處理區域30及40之外壁12及標示處理區域30與處理區域40之間的分離邊界之內部分割器14。分割器14具有內間隙，該間隙允許將晶圓傳送器20升高及降低超出該分割器。如下文將論述，當晶圓傳送器20之頂部部分或底部部分與分割器14對準時，產生準密封(pseudo seal)，該準密封抑制但並不完全阻止氣體自區域30流動至區域40，且反之亦然。在一實施例中，壓力等化線(未圖示)在第一批式處理區域與第二批式處理區域之間延伸，以避免晶圓傳送器上原本可能誘發之巨大力，該等力歸因於當藉由垂直致動器24將晶圓傳送器自一個處理區域移至另一個處理區域時可能產生之壓力梯度。
氣體可經由氣體氣室32引入批式處理區域30中，且氣體可經由排氣氣室34自批式處理區域30排出。類似地，氣體可經由氣體氣室42引入批式處理區域40中，且氣體可經由排氣氣室44自批式處理區域40排出。氣體氣室32及42中之每一者包括沿腔室10之內表面既水平又垂直之多個進氣口，如下文所論述。類似地，排氣氣室34及44中之每一者包括沿腔室10之相對內表面既水平又垂直佈置之多個排氣出口。在一實施例中，批式處理區域30特別經調適用於批式臭氧硬化操作，且臭氧(O3)、氧(O2)及氮(N2)之源耦接至氣體氣室32，而批式處理區域40特別經調適用於蒸汽退火操作，且分子態氮(N2)、氧(O2)及蒸汽(H2O)之源耦接至氣體氣室42。
腔室10之真空泵及密封性質使區域30及40中之每一者內的真空處理能夠在所要壓力下得以實現，該等所要壓力係基於每一區域中執行之基板處理操作來選擇的。如特定實例，在一實施例中，該真空泵將該腔室抽氣至約600Torr，以用於臭氧硬化，且該真空泵將該腔室抽氣至1至5Torr之間，以用於腔室清潔步驟。
另外，遠端電漿系統50可安裝至腔室10之上表面，且遠端電漿系統50可操作性耦接至清潔氣體(例如，三氟化氮)之一或多個源。該遠端電漿系統可流動性耦接至處理區域30及40，以便在腔室清潔操作期間將活性清潔物質引入處理區域30及40中之每一者中，以移除可在處理期間沈積於腔室10之內表面上之粒子。舉例而言，繼腔室30及40中分別進行的一個或多個批式硬化步驟及/或批式退火步驟之後，該腔室清潔操作可定期發生。在一實施例中，在清潔步驟期間，在遠端電漿系統50內形成氬及NF3之電漿，且活性清潔物質可自該遠端電漿系統直接流動至處理區域30中。額外清潔氣體(例如，更多NF3)亦可由氣體氣室32內之氣管引入區域30中。
加熱器(未圖示)操作性耦接至加熱室10，以用於硬化及退火操作(且必要時用於清潔操作)。該加熱器至少包括第一及第二獨立控制加熱區域，該等區域允許將處理區域30內之溫度設定為與處理區域40內之溫度不同的溫度。獨立溫度感測器(未圖示)經定位以感應出處理區域30及40中之每一者內的溫度，且獨立溫度感測器可由電腦控制系統(未圖示)使用，以視需求獨立調整區域30及40中之每一者之溫度。在一實施例中，該加熱器包括耦接至外壁12之圓柱帶式加熱器以及耦接至該腔室之頂壁12a及底壁12b之加熱元件。其他類型之加熱器可用於一般技術者將理解之其他實施例中。又，在某些實施例中，可用熱毯環繞腔室10及腔室10之加熱元件，以將熱損失減至最小。
另外，本發明之一些實施例在處理區域30之底部部分及/或在處理區域40之底部部分提供專用氣管，該氣管可用於向彼等處理區域提供經加熱之氮氣(N2)，以補償直接位於該等區域之下的溫差。例如，在一些實例中，在處理區域40中實施之處理操作可在比區域30中實施之處理操作之設定溫度高出100攝氏度或更多之溫度下發生。即使分割器14及平板26及28在該兩個處理區域之間提供熱絕緣，但為更好地補償此溫差，將複數個專用進氣口圍繞直接位於分割器14之上的腔室10之內周邊定位。可加熱氣體，且經由此等入口引入氣體，以當在區域30中在高於區域40之溫度的溫度下處理晶圓時，在該腔室之此區域中提供額外加熱。或者，可經由此等入口引入室溫氣體或經冷卻氣體，以當在區域40中在低於區域30之溫度的溫度下處理晶圓時，在該腔室之此區域中提供額外冷卻。在另一實施例中，該等進氣口可位於平板26及28中之任一者或兩者內。
參看第2圖，第2圖為所安裝之晶圓傳送器20之上部部分的簡化橫截面圖，複數個半導體晶圓25可定位於該晶圓傳送器內。每一個別晶圓25通常為環狀(例如，矽半導體晶圓)，且由專用最小接觸晶圓支撐件21支撐。在一實施例中，晶圓支撐件21包括三個支撐件凸部21a、21b及21c，該等凸部在每一晶圓之外邊緣附近支撐傳送器20內可固持之每一晶圓。支撐件凸部21a至21c圍繞晶圓傳送器20之周邊均勻隔開，如第3圖所示。在一特定實施例中，晶圓傳送器20固持三十個晶圓，且因此晶圓傳送器20具有三十組晶圓支撐件凸部21a至21c。
晶圓傳送器20進一步包括上部熱絕緣平板26及下部熱絕緣平板28。每一個熱絕緣平板26及28的直徑略大於傳送器內所定位晶圓之直徑。第1圖圖示處於一下部位置之晶圓傳送器20，在該下部位置可自傳送器裝卸晶圓，且在該下部位置，一旦一批完整晶圓定位於傳送器中，則可在下部處理區域40內處理該批晶圓。如第1圖所示，在此下部位置，上部熱絕緣平板26之下表面與分割器14接觸，以在區域40內處理晶圓25時，將下部處理區域40內之環境與上部處理區域30大體隔絕。
類似地，當藉由支座22及垂直致動器將晶圓傳送器20升高至用於在上部處理區域30中處理晶圓25之位置時，下部熱絕緣平板28之上表面與分割器14接觸，以將上部處理區域30內之環境與下部處理區域40大體隔絕。此外，熱絕緣平板26及28中之每一者可由具有低導熱率之材料(例如，熱塑膠材料或不銹鋼)製成，以在腔室壁之頂表面12a及底表面12b中將晶圓25與加熱器熱隔絕。分割器14亦由類似的低導熱率材料製成。因此，分割器14與上部熱絕緣平板26或下部熱絕緣平板28之組合有助於將處理區域30及40熱隔絕，故而可將處理區域30及40維持在不同操作溫度下。
參看第4圖及第5圖，第4圖為沿第1圖所示之線B-B'截取之硬化腔室10的簡化橫截面圖，第5圖為氣體氣室32之簡化橫截面圖，氣體經由入口35進入氣室32，且經由腔室內壁中所形成之複數個進氣口36在處理區域30中循環該氣體。在一實施例中，襯墊38幫助等化氣室各處之壓力，以使氣流在所有入口36處被均勻引入處理區域30中。在氣體氣室32對面，複數個排氣裝置37在排氣氣室34之內壁中形成，且出氣口39用於將氣體自腔室10排出至真空前極管道(vacuum foreline)中。對於氣體氣室42及排氣氣室44而言，形成類似的氣體分配佈置。氣體氣室與排氣氣室之間的對立關係產生氣流，該氣流自氣體面板橫過佈置於晶圓傳送器20中之每一個晶圓至排氣氣室。在一實施例中，為確保橫過傳送器20中之每一晶圓表面的均勻氣體分配，將第4圖所示之該複數個入口36及排氣裝置37以垂直堆疊的方式佈置，入口36及排氣裝置37之數量等於晶圓傳送器20經設置以固持的晶圓數量。因此，在傳送器20固持30個晶圓之實施例中，存在30組進氣口36及排氣裝置37，該等進氣口36及排氣裝置37在每一個批式處理區域30及40中被隔開，且該等進氣口36及排氣裝置37經定位以產生橫過晶圓表面之均勻氣流，該晶圓位於晶圓傳送器20的特定位置上。
如先前所提及，本發明之實施例特別適用於執行臭氧硬化操作。晶圓可直接自薄膜沈積或形成腔室(例如，其中沈積需要被硬化之摻碳的氧化物或其他薄膜)傳送至批式處理區域40。若以每90秒一次一個晶圓地將晶圓傳送至處理區域中，且傳送器20固持30個晶圓，則將耗費超過30分鐘來完全裝滿該傳送器。在一些實例中，在薄膜沈積之後不久仍可發生除氣作用(outgassing)，故處理區域40亦可充當固持區，將晶圓置於該固持區中，直到除氣作用已穩定至一點為止，在該點上，來自傳送至傳送器20之最後晶圓的除氣量與來自第一晶圓的除氣量非常接近或一致，該第一晶圓可具有先於最後晶圓30分鐘沈積於該第一晶圓上方之一層。在其他實施例中，將晶圓固持於單獨固持區中，以允許除氣作用的平衡，接著將晶圓傳送至處理區域40中。
一旦晶圓就緒，則將傳送器20上移至處理區域30，在處理區域30中，平板28與分割器14形成準密封。然後將晶圓進行臭氧硬化製程。在一實施例中，首先將氮氣引入區域30中，以將晶圓加熱至介於105至200℃之間的所要溫度。然後，引入臭氧，以在介於200至700Torr之間的壓力(在一特定實施例中為600Torr)下執行臭氧硬化。當完成硬化步驟時，可將該晶圓傳送器回降至處理區域40，且將該等晶圓進行較低溫度蒸汽退火或其他後硬化處理製程，或該等晶圓可全部自腔室10被傳送至另一腔室。
硬化腔室10可操作性耦接至多腔室基板處理系統，諸如由Applied Materials製造的CenturaTM或ProducerTM系統。在此類系統中，進出門45(例如，流量閥)可對該多腔室系統之一內部腔室開啟。晶圓可由機器人經由進出門45移動進出腔室10。第6圖圖示此類系統之一個實例，在該系統中可將腔室10整合至該系統之前開式晶圓盒(front opening unified pod；FOUP)中之一者中。FOUP 402供應基板(例如，300mm直徑晶圓)，該等基板由機器人臂404接收，且該等基板在被放入晶圓處理室408a至408f中之一者之前被放入低壓固持區406中。第二機器人臂410可用於將基板晶圓自固持區406傳送至處理室408a至408f及傳回。處理室408a至408f可包括一或多個系統組件，該等系統組件用於在基板晶圓上沈積介電薄膜，或在每一個腔室408a至408f內執行其他基板處理晶圓。
儘管未在第1圖至第5圖中之任一者中圖示，但本發明之一些實施例在一部分的腔室壁12內包含進氣口通道或管道，該進氣口通道或管道經調適成將經加熱或經冷卻之不反應的氣體(例如，N2)遞送至分割器14周圍的區域。當在不同溫度下如此完成區域30及40中執行之製程時，該氣體可在此等區域之通道內之腔室壁內循環，以補償溫度非均勻性。在此類實例中，例如，可使用此溫度控制氣流，以冷卻下部腔室之上部部分，故處理區域40中之該腔室上部部分之溫度可接近地符合處理區域40中之該腔室下部部分之溫度。
在腔室10中處理一或多批晶圓之後，可藉由使遠端電漿系統50中產生之活性氟自由基流動進入腔室10來清潔該腔室。通常將晶圓傳送器20置放在中間位置，以使頂部熱絕緣平板26或底部熱絕緣平板28在清潔階段期間皆不與分割器14接觸。在此位置上，晶圓傳送器之上部部分位於處理區域30中，而該傳送器之下部部分位於處理區域40中，且清潔氣體自區域30圍繞上部平板26自由流動至區域40中，以實現腔室10之上部部分與下部部分的清潔。
在已描述若干實施例後，熟習此項技術者將認識到，在不脫離本發明之精神的情況下，可使用各種修飾例、替代構造及均等物。另外，並未描述大量熟知之製程及元件，以避免不必要地使本發明難以理解。因此，不應將以上描述視為限制本發明之範疇。
如本文及隨附申請專利範圍中所使用，除非本文另外明確指出，否則單數形式「一(a/an)」及「該」包括複數個指示物。因此，例如，提及「一製程」包括複數個此類製程，且提及「該前驅物」包括提及一或多個前驅物及為熟習此項技術者所知之前驅物之均等物，等等。又，用語「包含(comprise/comprising)」、「包括(include/including/includes)」在用於本說明書及以下申請專利範圍中時，意欲指定存在所敍述之特徵結構、整數、組件或步驟，但該等用語並不排除存在或添加一或多個其他特徵結構、整數、組件、步驟、動作或群組。
10．．．硬化腔室/腔室/加熱室
12．．．外壁/腔室壁
12a．．．頂壁/頂表面
12b．．．底壁/底表面
14．．．分割器
20．．．晶圓傳送器
21．．．晶圓支撐件
21a．．．支撐件凸部
21b．．．支撐件凸部
21c．．．支撐件凸部
22．．．支座
24．．．垂直致動器
25．．．半導體晶圓
26．．．上部熱絕緣平板/頂部熱絕緣平板
28．．．下部熱絕緣平板/底部熱絕緣平板
30．．．第一批式處理區域
32．．．氣體氣室
34．．．排氣氣室
35．．．入口
36．．．進氣口/入口
37．．．排氣裝置
38．．．襯墊
39．．．出氣口
40．．．第二批式處理區域
42．．．氣體氣室
44．．．排氣氣室
45．．．進出門/流量閥
50．．．遠端電漿系統
402．．．FOUP
404．．．機器人臂
406．．．固持區
408a．．．晶圓處理室
408c．．．晶圓處理室
408b．．．晶圓處理室
408e．．．晶圓處理室
408d．．．晶圓處理室
408f．．．晶圓處理室
410．．．第二機器人臂
第1圖為根據本發明之一實施例之硬化腔室的簡化橫截面圖；
第2圖為第1圖所示之晶圓傳送器20及支座22的簡化橫截面圖；
第3圖為沿第1圖所示之線A-A'截取之晶圓傳送器20的簡化橫截面圖；
第4圖為沿第1圖所示之線B-B'截取之硬化腔室10的簡化橫截面圖；
第5圖為根據本發明之一實施例之第1圖所示之氣體氣室32的簡化橫截面圖；以及
第6圖示例性多腔室基板處理系統的簡化說明圖，包含根據本發明之批式硬化腔室。
10．．．硬化腔室/腔室/加熱室
12．．．外壁/腔室壁
12a．．．頂壁/頂表面
12b．．．底壁/底表面
14．．．分割器
20．．．晶圓傳送器
22．．．支座
24．．．垂直致動器
26．．．上部熱絕緣平板/頂部熱絕緣平板
28．．．下部熱絕緣平板/底部熱絕緣平板
30．．．第一批式處理區域
32．．．氣體氣室
34．．．排氣氣室
40．．．第二批式處理區域
42．．．氣體氣室
44．．．排氣氣室
45．．．進出門/流量閥
50．．．遠端電漿系統

Claims (13)

  1. 一種用於以批次模式處理複數個晶圓之基板硬化腔室，該腔室包含：一垂直對準外殼，該外殼具有由一內部分割器分隔之第一處理區域及第二處理區域，該第一處理區域直接定位於該第二處理區域上方；一多區域加熱器，該加熱器操作性耦接至該外殼，以加熱彼此獨立之該第一處理區域及該第二處理區域；一晶圓傳送器，該傳送器經調適成固持該第一處理區域或該第二處理區域內用於處理之複數個晶圓；一第一氣體分配系統及一第二氣體分配系統，該第一氣體分配系統經調適成經由該第一處理區域引入一處理氣體，該第二氣體分配系統經調適成經由該第二處理區域引入一處理氣體；一排氣系統，該排氣系統經設置以排出被引入該第一處理區域及該第二處理區域中之處理氣體；一支座，該支座操作性耦接至該晶圓傳送器，以將該晶圓傳送器傳送至一上部位置及一下部位置，在該上部位置中將該複數個晶圓定位於該第一處理區域中，且在該下部位置中將該複數個晶圓定位於該第二處理區域中；以及一進出門，可在一開啟位置與一閉合密封位置之間移動該進出門，可在該開啟位置將晶圓裝載至該晶圓傳 送器上，且自該晶圓傳送器移除晶圓。
  2. 如請求項1所述之基板硬化腔室，進一步包含一遠端電漿系統，該遠端電漿系統經操作性耦接以將活性清潔物質引入該硬化腔室中。
  3. 如請求項1所述之基板硬化腔室，其中該支座經操作性耦接以在基板處理期間旋轉該晶圓傳送器。
  4. 如請求項1所述之基板硬化腔室，其中該晶圓傳送器固持複數個晶圓，每一晶圓在一連續水平位置上被支撐在支柱上，該支柱圍繞該各別晶圓之一外周邊佈置。
  5. 如請求項1所述之基板硬化腔室，其中該晶圓傳送器包括頂部熱絕緣平板及底部熱絕緣平板，可移動該等平板，使該等平板與該分割器接觸，以在基板處理期間將該第一處理區域與該第二處理區域之間的流體流通最少化。
  6. 如請求項1所述之基板硬化腔室，其中該第二氣體分配系統經設置以在該第二處理區域中引入蒸汽及執行一蒸汽退火，且該第一氣體分配系統經設置以在該第一處理區域中引入臭氧及執行一臭氧硬化。
  7. 如請求項1中所述之基板硬化腔室，進一步包含一或多個專用進氣口，以在接近該第一處理區域及該第二處理區域之一邊緣的一位置處引入一溫度控制氣體。
  8. 如請求項1所述之基板硬化腔室，其中該晶圓傳送器固持三十個晶圓，該三十個晶圓垂直堆疊在該傳送器內。
  9. 如請求項1所述之基板硬化腔室，其中該第二氣體分配系統包含複數個進氣口，該等進氣口係圍繞該腔室之內周邊之一部分佈置，且該排氣系統包含複數個排氣出口，該等排氣出口係圍繞與該複數個進氣口相對的該腔室之內周邊之一部分佈置。
  10. 如請求項1所述之基板硬化腔室，其中該晶圓傳送器將該複數個晶圓固持於該傳送器內的複數個垂直對準之晶圓位置中，且對於每一晶圓位置而言，該第二氣體分配系統包含複數個進氣口，該等進氣口係佈置在與一相應晶圓位置對準之一位置處，圍繞該腔室之該內周邊之一部分，且該排氣系統包含複數個排氣出口，在與該相應晶圓位置對準之該複數個進氣口相對處，該等排氣出口係圍繞該腔室之該內周邊之一部分佈置。
  11. 如請求項1所述之基板硬化腔室，其中該進出門操作性耦接至該第二處理區域中之該腔室。
  12. 一種用於以批次模式處理複數個晶圓之基板處理腔室，該處理腔室包含：一垂直對準外殼，該外殼具有由一內部分割器分隔之第一處理區域及第二處理區域，該第一處理區域直接定位於該第二處理區域上方；一多區域加熱器，該加熱器操作性耦接至該外殼，以加熱彼此獨立之該第一處理區域及該第二處理區域；一晶圓傳送器，該傳送器經調適成固持該處理腔室內的複數個晶圓，及在該第一處理區域與該第二處理區域之間垂直移動；一氣體分配系統，該氣體分配系統經調適成將臭氧引入該第二處理區域中，及將蒸汽引入該第一處理區域中；以及一排氣系統，該排氣系統經設置以排出被引入該第一處理區域及該第二處理區域中之氣體。
  13. 如請求項12所述之基板處理腔室，進一步包含一進出門，該進出門操作性耦接至該腔室，以允許在該傳送器定位於該第二處理區域中時，將晶圓傳送至該晶圓傳送器以及由該晶圓傳送器傳送晶圓。
TW100121086A 2010-06-16 2011-06-16 負載閉鎖批式臭氧硬化 TWI529775B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US35552710P 2010-06-16 2010-06-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201209880A TW201209880A (en) 2012-03-01
TWI529775B true TWI529775B (zh) 2016-04-11

Family

ID=45348869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100121086A TWI529775B (zh) 2010-06-16 2011-06-16 負載閉鎖批式臭氧硬化

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8524004B2 (zh)
JP (1) JP2013530536A (zh)
KR (1) KR101891292B1 (zh)
CN (1) CN102934214B (zh)
SG (1) SG185588A1 (zh)
TW (1) TWI529775B (zh)
WO (1) WO2011159905A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI873605B (zh) * 2022-06-27 2025-02-21 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及半導體裝置之製造方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8980382B2 (en) 2009-12-02 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films
US8741788B2 (en) 2009-08-06 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes
US8449942B2 (en) 2009-11-12 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Methods of curing non-carbon flowable CVD films
US8629067B2 (en) * 2009-12-30 2014-01-14 Applied Materials, Inc. Dielectric film growth with radicals produced using flexible nitrogen/hydrogen ratio
WO2011084812A2 (en) 2010-01-06 2011-07-14 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric using oxide liner
JP2013521650A (ja) 2010-03-05 2013-06-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ラジカル成分ｃｖｄによる共形層
US9285168B2 (en) 2010-10-05 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Module for ozone cure and post-cure moisture treatment
US8664127B2 (en) 2010-10-15 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8450191B2 (en) 2011-01-24 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Polysilicon films by HDP-CVD
US8716154B2 (en) 2011-03-04 2014-05-06 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers
US8445078B2 (en) 2011-04-20 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Low temperature silicon oxide conversion
US8466073B2 (en) 2011-06-03 2013-06-18 Applied Materials, Inc. Capping layer for reduced outgassing
US9404178B2 (en) 2011-07-15 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Surface treatment and deposition for reduced outgassing
US8617989B2 (en) 2011-09-26 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Liner property improvement
US8551891B2 (en) 2011-10-04 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Remote plasma burn-in
CN103594401B (zh) * 2012-08-16 2018-05-22 盛美半导体设备（上海）有限公司 载锁腔及使用该载锁腔处理基板的方法
US8889566B2 (en) 2012-09-11 2014-11-18 Applied Materials, Inc. Low cost flowable dielectric films
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
WO2015132830A1 (ja) * 2014-03-04 2015-09-11 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置及び真空処理方法
US10113236B2 (en) * 2014-05-14 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Batch curing chamber with gas distribution and individual pumping
US9412581B2 (en) 2014-07-16 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Low-K dielectric gapfill by flowable deposition
CN104269369A (zh) * 2014-08-29 2015-01-07 沈阳拓荆科技有限公司 一种通过真空装载腔为晶圆预热的装置及方法
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US20180258519A1 (en) * 2015-10-25 2018-09-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for vacuum deposition on a substrate and method for masking the substrate during vacuum deposition
CN107868942B (zh) * 2016-09-27 2019-11-29 北京北方华创微电子装备有限公司 一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备
US10840068B2 (en) * 2017-02-15 2020-11-17 Yield Engineering Systems, Inc. Plasma spreading apparatus and method of spreading plasma in process ovens
US10453678B2 (en) * 2017-04-13 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for deposition of low-k films
KR102445736B1 (ko) * 2020-12-30 2022-09-21 주식회사 테스 기판세정장치

Family Cites Families (202)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4147571A (en) 1977-07-11 1979-04-03 Hewlett-Packard Company Method for vapor epitaxial deposition of III/V materials utilizing organometallic compounds and a halogen or halide in a hot wall system
FR2598520B1 (fr) 1986-01-21 1994-01-28 Seiko Epson Corp Pellicule protectrice minerale
US4816098A (en) 1987-07-16 1989-03-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for transferring workpieces
US4818326A (en) 1987-07-16 1989-04-04 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
US4931354A (en) 1987-11-02 1990-06-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer printed circuit board
JPH03257182A (ja) 1990-03-07 1991-11-15 Hitachi Ltd 表面加工装置
US5016332A (en) 1990-04-13 1991-05-21 Branson International Plasma Corporation Plasma reactor and process with wafer temperature control
US5436172A (en) 1991-05-20 1995-07-25 Texas Instruments Incorporated Real-time multi-zone semiconductor wafer temperature and process uniformity control system
US5426076A (en) 1991-07-16 1995-06-20 Intel Corporation Dielectric deposition and cleaning process for improved gap filling and device planarization
US5271972A (en) 1992-08-17 1993-12-21 Applied Materials, Inc. Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity
US5393708A (en) 1992-10-08 1995-02-28 Industrial Technology Research Institute Inter-metal-dielectric planarization process
US5587014A (en) 1993-12-22 1996-12-24 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for manufacturing group III-V compound semiconductor crystals
US5679152A (en) 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
US5576071A (en) 1994-11-08 1996-11-19 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds
JPH08148559A (ja) 1994-11-15 1996-06-07 Fujitsu Ltd 絶縁膜を有する半導体装置の製造方法
US5558717A (en) 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
US5786263A (en) 1995-04-04 1998-07-28 Motorola, Inc. Method for forming a trench isolation structure in an integrated circuit
JPH09237785A (ja) 1995-12-28 1997-09-09 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US6070551A (en) 1996-05-13 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films
US5827783A (en) 1996-08-23 1998-10-27 Mosel Vitelic, Inc. Stacked capacitor having improved charge storage capacity
US5935340A (en) 1996-11-13 1999-08-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gettering fluorine from chamber material surfaces
US5873781A (en) 1996-11-14 1999-02-23 Bally Gaming International, Inc. Gaming machine having truly random results
FR2759362B1 (fr) 1997-02-10 1999-03-12 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent muni d'au moins une couche mince a base de nitrure ou d'oxynitrure de silicium et son procede d'obtention
US6090723A (en) 1997-02-10 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Conditioning of dielectric materials
US5937308A (en) 1997-03-26 1999-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor trench isolation structure formed substantially within a single chamber
US5937323A (en) 1997-06-03 1999-08-10 Applied Materials, Inc. Sequencing of the recipe steps for the optimal low-k HDP-CVD processing
US6207587B1 (en) 1997-06-24 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Method for forming a dielectric
TW416100B (en) 1997-07-02 2000-12-21 Applied Materials Inc Control of oxygen to silane ratio in a seasoning process to improve particle performance in an HDP-CVD system
US6114219A (en) 1997-09-15 2000-09-05 Advanced Micro Devices, Inc. Method of manufacturing an isolation region in a semiconductor device using a flowable oxide-generating material
US6024044A (en) 1997-10-09 2000-02-15 Applied Komatsu Technology, Inc. Dual frequency excitation of plasma for film deposition
US6624064B1 (en) 1997-10-10 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Chamber seasoning method to improve adhesion of F-containing dielectric film to metal for VLSI application
US6087243A (en) 1997-10-21 2000-07-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming trench isolation with high integrity, ultra thin gate oxide
US6009830A (en) 1997-11-21 2000-01-04 Applied Materials Inc. Independent gas feeds in a plasma reactor
KR100253079B1 (ko) 1997-12-01 2000-04-15 윤종용 반도체 장치의 트렌치 격리 형성 방법
US6156394A (en) 1998-04-17 2000-12-05 Optical Coating Laboratory, Inc. Polymeric optical substrate method of treatment
US6068884A (en) 1998-04-28 2000-05-30 Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films
US6165834A (en) 1998-05-07 2000-12-26 Micron Technology, Inc. Method of forming capacitors, method of processing dielectric layers, method of forming a DRAM cell
US6509283B1 (en) 1998-05-13 2003-01-21 National Semiconductor Corporation Thermal oxidation method utilizing atomic oxygen to reduce dangling bonds in silicon dioxide grown on silicon
US6146970A (en) 1998-05-26 2000-11-14 Motorola Inc. Capped shallow trench isolation and method of formation
US6302964B1 (en) 1998-06-16 2001-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6406677B1 (en) 1998-07-22 2002-06-18 Eltron Research, Inc. Methods for low and ambient temperature preparation of precursors of compounds of group III metals and group V elements
US6197658B1 (en) 1998-10-30 2001-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Sub-atmospheric pressure thermal chemical vapor deposition (SACVD) trench isolation method with attenuated surface sensitivity
US6245690B1 (en) 1998-11-04 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films
US6290774B1 (en) 1999-05-07 2001-09-18 Cbl Technology, Inc. Sequential hydride vapor phase epitaxy
US7091605B2 (en) 2001-09-21 2006-08-15 Eastman Kodak Company Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication
US6180490B1 (en) 1999-05-25 2001-01-30 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of filling shallow trenches
US6204201B1 (en) 1999-06-11 2001-03-20 Electron Vision Corporation Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing
US6524931B1 (en) 1999-07-20 2003-02-25 Motorola, Inc. Method for forming a trench isolation structure in an integrated circuit
US6383954B1 (en) 1999-07-27 2002-05-07 Applied Materials, Inc. Process gas distribution for forming stable fluorine-doped silicate glass and other films
US6602806B1 (en) 1999-08-17 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film
JP2001144325A (ja) 1999-11-12 2001-05-25 Sony Corp 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法
FI118804B (fi) 1999-12-03 2008-03-31 Asm Int Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi
US6348420B1 (en) 1999-12-23 2002-02-19 Asm America, Inc. Situ dielectric stacks
US6440860B1 (en) 2000-01-18 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of transferring patterns from patterned photoresists to materials, and structures comprising silicon nitride
US6541367B1 (en) 2000-01-18 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films
US6461980B1 (en) 2000-01-28 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for controlling the temperature of a substrate in a plasma reactor chamber
EP1124252A2 (en) 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
EP1130633A1 (en) 2000-02-29 2001-09-05 STMicroelectronics S.r.l. A method of depositing silicon oxynitride polimer layers
US7419903B2 (en) 2000-03-07 2008-09-02 Asm International N.V. Thin films
US6558755B2 (en) 2000-03-20 2003-05-06 Dow Corning Corporation Plasma curing process for porous silica thin film
WO2001074957A1 (en) 2000-04-04 2001-10-11 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Coating composition for the production of insulating thin films
US6387207B1 (en) 2000-04-28 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber
US6630413B2 (en) 2000-04-28 2003-10-07 Asm Japan K.K. CVD syntheses of silicon nitride materials
US6559026B1 (en) 2000-05-25 2003-05-06 Applied Materials, Inc Trench fill with HDP-CVD process including coupled high power density plasma deposition
JP4371543B2 (ja) 2000-06-29 2009-11-25 日本電気株式会社 リモートプラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法
US6835278B2 (en) 2000-07-07 2004-12-28 Mattson Technology Inc. Systems and methods for remote plasma clean
US7183177B2 (en) 2000-08-11 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement
US6614181B1 (en) 2000-08-23 2003-09-02 Applied Materials, Inc. UV radiation source for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films
US6566278B1 (en) 2000-08-24 2003-05-20 Applied Materials Inc. Method for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films through UV irradiation
JP4232330B2 (ja) 2000-09-22 2009-03-04 東京エレクトロン株式会社 励起ガス形成装置、処理装置及び処理方法
JP3712356B2 (ja) 2000-10-23 2005-11-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 成膜方法および半導体装置の製造方法
US20020060322A1 (en) 2000-11-20 2002-05-23 Hiroshi Tanabe Thin film transistor having high mobility and high on-current and method for manufacturing the same
US6287962B1 (en) 2000-11-30 2001-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for making a novel graded silicon nitride/silicon oxide (SNO) hard mask for improved deep sub-micrometer semiconductor processing
US6930041B2 (en) 2000-12-07 2005-08-16 Micron Technology, Inc. Photo-assisted method for semiconductor fabrication
US6576564B2 (en) 2000-12-07 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Photo-assisted remote plasma apparatus and method
US20020081817A1 (en) 2000-12-22 2002-06-27 Jayendra Bhakta Void reduction and increased throughput in trench fill processes
US6660662B2 (en) 2001-01-26 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Method of reducing plasma charge damage for plasma processes
US6589868B2 (en) 2001-02-08 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Si seasoning to reduce particles, extend clean frequency, block mobile ions and increase chamber throughput
KR100364026B1 (ko) 2001-02-22 2002-12-11 삼성전자 주식회사 층간 절연막 형성방법
US6447651B1 (en) 2001-03-07 2002-09-10 Applied Materials, Inc. High-permeability magnetic shield for improved process uniformity in nonmagnetized plasma process chambers
KR20030093270A (ko) 2001-03-23 2003-12-06 다우 코닝 코포레이션 수소화 규소 옥시카바이드 필름의 제조 방법
US6596576B2 (en) 2001-04-10 2003-07-22 Applied Materials, Inc. Limiting hydrogen ion diffusion using multiple layers of SiO2 and Si3N4
US6528332B2 (en) 2001-04-27 2003-03-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for reducing polymer build up during plasma etch of an intermetal dielectric
US6780499B2 (en) 2001-05-03 2004-08-24 International Business Machines Corporation Ordered two-phase dielectric film, and semiconductor device containing the same
US6596653B2 (en) 2001-05-11 2003-07-22 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted undoped silicon oxide deposition process for HDP-CVD
US6716770B2 (en) 2001-05-23 2004-04-06 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric constant material and method of processing by CVD
KR100421046B1 (ko) 2001-07-13 2004-03-04 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조방법
US6548416B2 (en) 2001-07-24 2003-04-15 Axcelis Technolgoies, Inc. Plasma ashing process
US6596654B1 (en) 2001-08-24 2003-07-22 Novellus Systems, Inc. Gap fill for high aspect ratio structures
AU2002323040A1 (en) 2001-08-06 2003-02-24 Advanced Technology Material, Inc. Low-k dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same
US6756085B2 (en) 2001-09-14 2004-06-29 Axcelis Technologies, Inc. Ultraviolet curing processes for advanced low-k materials
JP4194262B2 (ja) * 2001-09-27 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US6872323B1 (en) 2001-11-01 2005-03-29 Novellus Systems, Inc. In situ plasma process to remove fluorine residues from the interior surfaces of a CVD reactor
US6770521B2 (en) 2001-11-30 2004-08-03 Texas Instruments Incorporated Method of making multiple work function gates by implanting metals with metallic alloying additives
US6794290B1 (en) 2001-12-03 2004-09-21 Novellus Systems, Inc. Method of chemical modification of structure topography
JP3891267B2 (ja) 2001-12-25 2007-03-14 キヤノンアネルバ株式会社 シリコン酸化膜作製方法
US20030124873A1 (en) 2001-12-28 2003-07-03 Guangcai Xing Method of annealing an oxide film
JP2003209152A (ja) * 2001-12-28 2003-07-25 Applied Materials Inc ワークピース処理チャンバ
WO2003065424A2 (en) 2002-01-25 2003-08-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
TW536775B (en) 2002-04-18 2003-06-11 Nanya Technology Corp Manufacturing method of shallow trench isolation structure
WO2003090268A1 (en) 2002-04-19 2003-10-30 Tokyo Electron Limited Method of treating substrate and process for producing semiconductor device
US6936551B2 (en) 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
US7307273B2 (en) 2002-06-07 2007-12-11 Amberwave Systems Corporation Control of strain in device layers by selective relaxation
TWI283899B (en) 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
US6900881B2 (en) 2002-07-11 2005-05-31 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography systems
US7335609B2 (en) 2004-08-27 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials
US7456116B2 (en) 2002-09-19 2008-11-25 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials
JP4358492B2 (ja) 2002-09-25 2009-11-04 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法
US6828211B2 (en) 2002-10-01 2004-12-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Shallow trench filled with two or more dielectrics for isolation and coupling or for stress control
US6833322B2 (en) 2002-10-17 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods for depositing an oxide film
US7080528B2 (en) 2002-10-23 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Method of forming a phosphorus doped optical core using a PECVD process
US6819886B2 (en) 2002-10-23 2004-11-16 Nex Press Solutions Llc Gloss/density measurement device with feedback to control gloss and density of images produced by an electrographic reproduction apparatus
US6900067B2 (en) 2002-12-11 2005-05-31 Lumileds Lighting U.S., Llc Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers
US7122222B2 (en) 2003-01-23 2006-10-17 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof
US6808748B2 (en) 2003-01-23 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted HDP-CVD deposition process for aggressive gap-fill technology
US7205248B2 (en) 2003-02-04 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Method of eliminating residual carbon from flowable oxide fill
US6884685B2 (en) 2003-02-14 2005-04-26 Freescale Semiconductors, Inc. Radical oxidation and/or nitridation during metal oxide layer deposition process
US7084076B2 (en) 2003-02-27 2006-08-01 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method for forming silicon dioxide film using siloxane
US7098149B2 (en) 2003-03-04 2006-08-29 Air Products And Chemicals, Inc. Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure
US7429540B2 (en) 2003-03-07 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Silicon oxynitride gate dielectric formation using multiple annealing steps
US6867086B1 (en) 2003-03-13 2005-03-15 Novellus Systems, Inc. Multi-step deposition and etch back gap fill process
JP2004283065A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Ushio Inc 化学走性機能制御膜の製造方法および人工材料並びに人工材料の製造方法
US7176144B1 (en) 2003-03-31 2007-02-13 Novellus Systems, Inc. Plasma detemplating and silanol capping of porous dielectric films
JP3976703B2 (ja) 2003-04-30 2007-09-19 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
US6830624B2 (en) 2003-05-02 2004-12-14 Applied Materials, Inc. Blocker plate by-pass for remote plasma clean
US20040231590A1 (en) 2003-05-19 2004-11-25 Ovshinsky Stanford R. Deposition apparatus for the formation of polycrystalline materials on mobile substrates
US6958112B2 (en) 2003-05-27 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems for high-aspect-ratio gapfill using atomic-oxygen generation
JP2005033173A (ja) 2003-06-16 2005-02-03 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
US7399388B2 (en) 2003-07-25 2008-07-15 Applied Materials, Inc. Sequential gas flow oxide deposition technique
US7192891B2 (en) 2003-08-01 2007-03-20 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method for forming a silicon oxide layer using spin-on glass
US6818517B1 (en) 2003-08-29 2004-11-16 Asm International N.V. Methods of depositing two or more layers on a substrate in situ
US7361991B2 (en) 2003-09-19 2008-04-22 International Business Machines Corporation Closed air gap interconnect structure
JP4285184B2 (ja) 2003-10-14 2009-06-24 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
DE10350752A1 (de) 2003-10-30 2005-06-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Ausbilden eines Dielektrikums auf einer kupferhaltigen Metallisierung und Kondensatoranordnung
JP2007528640A (ja) 2003-12-17 2007-10-11 セドラエウス インコーポレーテッド ランダムベースの意志決定プロセスを使用する方法
US7030468B2 (en) 2004-01-16 2006-04-18 International Business Machines Corporation Low k and ultra low k SiCOH dielectric films and methods to form the same
US7067438B2 (en) 2004-02-19 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate
US7524735B1 (en) 2004-03-25 2009-04-28 Novellus Systems, Inc Flowable film dielectric gap fill process
US20050221020A1 (en) 2004-03-30 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Method of improving the wafer to wafer uniformity and defectivity of a deposited dielectric film
US7115508B2 (en) 2004-04-02 2006-10-03 Applied-Materials, Inc. Oxide-like seasoning for dielectric low k films
US7109114B2 (en) 2004-05-07 2006-09-19 Applied Materials, Inc. HDP-CVD seasoning process for high power HDP-CVD gapfil to improve particle performance
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
EP1751325A4 (en) 2004-06-04 2009-05-13 Applied Microstructures Inc STEAM-PHASE DEPOSITION CONTROLLING MULTILAYER COATINGS BONDED BY OXIDE LAYER
US7297608B1 (en) 2004-06-22 2007-11-20 Novellus Systems, Inc. Method for controlling properties of conformal silica nanolaminates formed by rapid vapor deposition
US7129187B2 (en) 2004-07-14 2006-10-31 Tokyo Electron Limited Low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon-nitrogen-containing films
US7642171B2 (en) 2004-08-04 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill
JP4470023B2 (ja) 2004-08-20 2010-06-02 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード シリコン窒化物膜の製造方法
US7629270B2 (en) 2004-08-27 2009-12-08 Asm America, Inc. Remote plasma activated nitridation
US20060046506A1 (en) 2004-09-01 2006-03-02 Tokyo Electron Limited Soft de-chucking sequence
KR100550351B1 (ko) 2004-09-07 2006-02-08 삼성전자주식회사 반도체 장치의 막 형성방법 및 이를 수행하기 위한 반도체장치의 막 형성 장치
US7148155B1 (en) 2004-10-26 2006-12-12 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
KR100782369B1 (ko) 2004-11-11 2007-12-07 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
US8193096B2 (en) 2004-12-13 2012-06-05 Novellus Systems, Inc. High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry
US20060162661A1 (en) 2005-01-22 2006-07-27 Applied Materials, Inc. Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition
JP4414910B2 (ja) * 2005-02-17 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
US20060228903A1 (en) 2005-03-30 2006-10-12 Mcswiney Michael L Precursors for the deposition of carbon-doped silicon nitride or silicon oxynitride films
US7972441B2 (en) 2005-04-05 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Thermal oxidation of silicon using ozone
US7651955B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
JP4860953B2 (ja) 2005-07-08 2012-01-25 富士通株式会社 シリカ系被膜形成用材料、シリカ系被膜及びその製造方法、多層配線及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
EP1907599A2 (en) 2005-07-08 2008-04-09 Aviza Technology, Inc. Method for depositing silicon-containing films
US7427570B2 (en) 2005-09-01 2008-09-23 Micron Technology, Inc. Porous organosilicate layers, and vapor deposition systems and methods for preparing same
US7901743B2 (en) 2005-09-30 2011-03-08 Tokyo Electron Limited Plasma-assisted vapor phase treatment of low dielectric constant films using a batch processing system
US7498270B2 (en) 2005-09-30 2009-03-03 Tokyo Electron Limited Method of forming a silicon oxynitride film with tensile stress
JP5154009B2 (ja) 2005-10-21 2013-02-27 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機シロキサン系絶縁膜の製造方法、及び、この製造方法で製造した有機シロキサン系絶縁膜を層間絶縁として用いた液晶表示装置の製造方法
KR101019293B1 (ko) 2005-11-04 2011-03-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마-강화 원자층 증착 장치 및 방법
US7521377B2 (en) 2006-01-11 2009-04-21 International Business Machines Corporation SiCOH film preparation using precursors with built-in porogen functionality
JP5070702B2 (ja) 2006-01-19 2012-11-14 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法及び製造装置
US7972954B2 (en) 2006-01-24 2011-07-05 Infineon Technologies Ag Porous silicon dielectric
US7435661B2 (en) 2006-01-27 2008-10-14 Atmel Corporation Polish stop and sealing layer for manufacture of semiconductor devices with deep trench isolation
JP4984558B2 (ja) 2006-02-08 2012-07-25 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US7780865B2 (en) 2006-03-31 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
US7601651B2 (en) 2006-03-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
US7524750B2 (en) 2006-04-17 2009-04-28 Applied Materials, Inc. Integrated process modulation (IPM) a novel solution for gapfill with HDP-CVD
US7902080B2 (en) 2006-05-30 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Deposition-plasma cure cycle process to enhance film quality of silicon dioxide
US7825038B2 (en) 2006-05-30 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen
US7498273B2 (en) 2006-05-30 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for STI: usage of different siloxane-based precursors for harp II—remote plasma enhanced deposition processes
US7790634B2 (en) 2006-05-30 2010-09-07 Applied Materials, Inc Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications
US7629273B2 (en) 2006-09-19 2009-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for modulating stresses of a contact etch stop layer
US7737050B2 (en) 2006-10-30 2010-06-15 International Business Machines Corporation Method of fabricating a nitrided silicon oxide gate dielectric layer
US20080102223A1 (en) 2006-11-01 2008-05-01 Sigurd Wagner Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
US7572647B2 (en) 2007-02-02 2009-08-11 Applied Materials, Inc. Internal balanced coil for inductively coupled high density plasma processing chamber
KR100800495B1 (ko) 2007-02-27 2008-02-04 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조방법
US20080217293A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Tokyo Electron Limited Processing system and method for performing high throughput non-plasma processing
KR100866143B1 (ko) 2007-08-03 2008-10-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
US7745352B2 (en) 2007-08-27 2010-06-29 Applied Materials, Inc. Curing methods for silicon dioxide thin films deposited from alkoxysilane precursor with harp II process
US7803722B2 (en) 2007-10-22 2010-09-28 Applied Materials, Inc Methods for forming a dielectric layer within trenches
US7867923B2 (en) 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
US7943531B2 (en) 2007-10-22 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Methods for forming a silicon oxide layer over a substrate
US7541297B2 (en) 2007-10-22 2009-06-02 Applied Materials, Inc. Method and system for improving dielectric film quality for void free gap fill
US20100196599A1 (en) * 2007-12-20 2010-08-05 Hari K Ponnekanti Staggered dual process chambers using one single facet on a transfer module
US20090325391A1 (en) 2008-06-30 2009-12-31 Asm International Nv Ozone and teos process for silicon oxide deposition
JP2010123752A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US7972980B2 (en) 2009-01-21 2011-07-05 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
US8980382B2 (en) 2009-12-02 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films
US7935643B2 (en) 2009-08-06 2011-05-03 Applied Materials, Inc. Stress management for tensile films
US8741788B2 (en) 2009-08-06 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes
US7989365B2 (en) 2009-08-18 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Remote plasma source seasoning
US20110136347A1 (en) 2009-10-21 2011-06-09 Applied Materials, Inc. Point-of-use silylamine generation
US8449942B2 (en) 2009-11-12 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Methods of curing non-carbon flowable CVD films
US7994019B1 (en) 2010-04-01 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Silicon-ozone CVD with reduced pattern loading using incubation period deposition

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI873605B (zh) * 2022-06-27 2025-02-21 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及半導體裝置之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101891292B1 (ko) 2018-08-24
JP2013530536A (ja) 2013-07-25
TW201209880A (en) 2012-03-01
SG185588A1 (en) 2012-12-28
CN102934214B (zh) 2016-01-27
KR20130087502A (ko) 2013-08-06
WO2011159905A2 (en) 2011-12-22
WO2011159905A3 (en) 2012-04-19
US20120145079A1 (en) 2012-06-14
CN102934214A (zh) 2013-02-13
US8524004B2 (en) 2013-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI529775B (zh) 負載閉鎖批式臭氧硬化
US12203171B2 (en) Batch curing chamber with gas distribution and individual pumping
TWI544557B (zh) 用於臭氧硬化及硬化後之濕氣處理的模組
US9349620B2 (en) Apparatus and method for pre-baking substrate upstream of process chamber
US20090120368A1 (en) Rotating temperature controlled substrate pedestal for film uniformity
TW201827640A (zh) 時間性原子層沉積處理腔室
JP2012023073A (ja) 基板処理装置および基板の製造方法
JP2009049316A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
TW202302904A (zh) 熱噴淋頭
KR101684929B1 (ko) 발열체 및 히터 어셈블리 그리고 그것을 갖는 클러스터 설비
JP2011204945A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2011204735A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2010212391A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
TWI773910B (zh) 具有氣體分佈及個別泵送的批次固化腔室
KR20100127462A (ko) 다양한 공정 온도 조절이 가능한 반도체 공정용 챔버 및 이를 이용하는 반도체 제조 방법