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TWI525861B - 發光二極體 - Google Patents

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TWI525861B
TWI525861B TW102143574A TW102143574A TWI525861B TW I525861 B TWI525861 B TW I525861B TW 102143574 A TW102143574 A TW 102143574A TW 102143574 A TW102143574 A TW 102143574A TW I525861 B TWI525861 B TW I525861B
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light
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高敏鎭
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Ｌｇ化學股份有限公司
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Description

發光二極體
本發明關於發光二極體、其製造方法及其用途。
發光二極體(後文中，簡稱為“LED”)由於低耗能而被視為適合當成，例如，光源或顯示器。至於波長為大約250nm至550nm之藍色或UV LED，韓國專利申請案公告第2006-0066773號中獲得使用GaN-系列化合物半導體例如GaN、GaAlN、InGaN及InAlGaN的高亮度產物，並提出能顯示高放射之LED封裝件的構造。
本發明係針對提供LED、其製造方法及其用途。
本發明之一形態提供示範LED，其包括LED晶片、第一聚矽氧膜層(後文中，簡稱為“第一膜層”)及第二聚矽氧膜層(後文中，簡稱為“第二膜層”)。例如，如第1圖所示，該LED可連續地包括LED晶片101、在該LED晶片101上之第一聚矽氧膜層102及在該第一膜層102上 之第二聚矽氧膜層103。在此，該第一聚矽氧膜層102可能與該LED晶片101接觸，且該第二聚矽氧膜層103可能與該第一膜層102接觸。
後文中，除非特別界定，否則折射率可表示相對於波長為大約400nm之光所測得的折射率。
該LED所包括之LED晶片種類並無特別限制，且可使用已知之晶片。例如，藉由將半導體材料堆疊於基板上所形成之LED晶片均可使用，且如該半導體材料，GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN或SiC均可使用，但是本發明不限於此。
該LED晶片之放射波長可為，例如，250nm至550nm、300nm至500nm或330nm至470nm。該放射波長可以表示主要放射峰波長。當該LED晶片之放射波長係調設於上述範圍內時，可獲得具有較長壽命之白色LED、高能效率及高色域。
在一實例中，該第一及第二膜層可具有不同折射率，且該第一膜層可具有比該第二膜層高之折射率。如以下所述，當該第二膜層包括磷光體時，比較該第一及第二膜層，該第二膜層之折射率可為包括該磷光體之折射率，或排除該磷光體之折射率。
例如，該第一膜層可具有1.50或更大或1.55或更大之相對於波長為400nm之光所測得的折射率。除此之外，該第一膜層之折射率上限沒有特別限制，且該第一膜層之折射率可求出於，例如，大約1.7或更小、1.65或更 小或1.6或更小之範圍內。
該第二膜層可具有1.6或更小、小於1.6或1.55或更小之相對於波長為400nm之光所測得的折射率。例如，當該第二膜層包括以下所述之磷光體時，該第二膜層之折射率可為關於該排除磷光體之第二膜層所測得之折射率。該第二膜層之折射率下限沒有特別限制，且該第二膜層之折射率可求出於，例如，大約1.3或更大、1.35或更大、1.4或更大或1.45或更大之範圍內。
在該LED之構造中，例如，該第一及第二膜層可分別具有介於1μm至300μm之厚度。例如，該第一膜層可具有大約1μm至250μm、1μm至200μm、1μm至150μm、1μm至100μm或1μm至50μm之厚度。除此之外，該第二膜層可具有大約10μm至300μm、20μm至300μm、30μm至300μm、40μm至300μm、50μm至300μm、55μm至300μm、55μm至250μm、55μm至200μm或55μm至150μm之厚度。在以上範圍內，優良之色均勻性及色分散性可伴隨高初始光通量一同顯示。
該第一及第二膜層可分別為包括聚矽氧樹脂之聚矽氧膜層。
例如，該第一及/或第二膜層可藉由將包括有機聚矽氧烷(A)及有機聚矽氧烷(B)之組合物固化形成，該有機聚矽氧烷(A)包括至少兩個脂族不飽和鍵且該有機聚矽氧烷(B)包括鍵結於矽原子之氫原子。
在此，如有機聚矽氧烷(A)，例如，可使用具有式 1之平均單元的有機聚矽氧烷。
[式1]PaQbSiO(4-a-b)/2
在式1中，P係烯基，Q係環氧基或單價烴基，且a和b係使a+b係0.8至2.2或1至2.2之數字，且a/(a+b)係0.001至0.15。
在此說明書中，該句子“該有機聚矽氧烷具有預定之平均單元”意指該有機聚矽氧烷係由具有預定平均單元之單一組分，或至少兩種組分之混合物構成，且該混合物具有由預定平均單元所示之混合物中的各組分之平均組成。因此，該有機聚矽氧烷(A)係具有式1之平均單元的線性、分支或交聯之單一有機聚矽氧烷，或其至少二種之混合物。
此處所用之措辭“單價烴基”可表示衍生自由碳和氫所組成之有機化合物或其衍生物的單價殘基。該式1之單價烴基包括至少兩個碳，且在另一實例中，可包括2至25個碳原子。如該單價烴基，例如，可使用烷基、烯基或芳基。
此處所用之措辭“烷氧基”可表示，除非特別界定，否則具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4個碳原子之烷氧基。該烷氧基可具有線性、分支或環狀構造，並可任意以至少一個取代基予以取代。
除非特別界定，否則此處所用的措辭“烷基”可表示具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4個碳原子之 烷基。該烷基可具有線性、分支或環狀構造，並可任意以至少一個取代基予以取代。
此處所用的措辭“烯基”可，除非特別界定，否則為具有2至20、2至16、2至12、2至8或2至4個碳原子之烯基。該烯基可具有線性、分支或環狀構造，並可任意以至少一個取代基予以取代。
此處所用的措辭“芳基”可表示，除非特別界定否則，衍生自包括苯環或至少兩個苯環連結或縮合之構造的化合物或其衍生物之單價殘基。也就是說，在該芳基之範圍中，除了習稱芳基之芳基以外，也可包括芳烷基或芳基烷基。該芳基可為具有，例如，6至25、6至21、6至18或6至13個碳原子之芳基。該芳基可為苯基、二氯苯基、氯苯基、苯基乙基、苯基丙基、苯甲基、甲苯基、二甲苯基或萘基，且較佳為苯基。
此處所用之措辭“環氧基”可表示，除非特別界定否則，由具有三個形成環之原子的環狀醚或包括該環狀醚之化合物所引致的單價殘基。該環氧基可為縮水甘油烷基、環氧烷基、縮水甘油氧烷基或脂環族環氧基。該脂環族環氧基可表示單價殘基，該單價殘基具有脂族烴環構造並衍生自包括兩個形成該脂族烴環之碳原子也形成環氧基之構造的化合物。該脂環族環氧基可為具有6至12個碳原子之脂環族環氧基，例如，3,4-環氧基環己基乙基。
在此說明書中，能任意被取代於單價烴基、烷基、烯基、烷氧基、環氧基或芳基之取代基可為，但不限於，鹵 素、環氧基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、異氰酸基、硫醇基或上述單價烷基。
在式1中，P係烯基，且可利用包括氫原子之有機聚矽氧烷的氫原子進行加成固化反應，其將在以下做說明。在一實例中，該烯基可依照0.05至0.4或0.1至0.35之烯基(Ak)對該式1的有機聚矽氧烷所包括之總矽原子(Si)的莫耳比(Ak/Si)。當該莫耳比(Ak/Si)係控制於0.05或更大及0.4或更小時，即使當長時間驅動LED也可穩定地確保可靠度。
在一實例中，該有機聚矽氧烷(A)可包括至少一個鍵結於矽原子之芳基，且因此式1之至少一個Q可為芳基。在一示範有機聚矽氧烷中，芳基(Ar)對總矽原子(Si)的莫耳比(Ar/Si)可為0.3或更大、0.35或更大或0.4或更大。在以上的範圍中，可以穩定地確保該LED裝置之長期可靠度及亮度。該莫耳比(Ar/Si)的上限可為，但不特別限於，例如，1.2或1.5。
在一實例中，該有機聚矽氧烷(A)或式1之有機聚矽氧烷可具有於25℃之2,000cP或更大、3,000cP或更大、4,000cP或更大、5,000cP或更大、7,000cP或更大、9,000cP或更大或9,500cP或更大之黏度。在此範圍中，使該聚矽氧烷之可加工性及硬度可適當地保持。此時，該黏度之上限可為，但不特別限於，例如，100,000cP或更小、90,000cP或更小、80,000cP或更小、70,000cP或更小或65,000cP或更小。
在一實例中，該有機聚矽氧烷(A)或該式1之有機聚矽氧烷可具有1,500或更大、2,000或更大、3,000或更大、4,000或更大或5,000或更大之重量平均分子量(Mw)。該措辭“重量平均分子量”表示藉由凝膠滲透層析法(GPC)測得之相對於標準聚苯乙烯之轉化率值。除此之外，除非特別界定，否則該措辭“分子量”可表示重量平均分子量。在以上的範圍中，使該聚矽氧烷之造模性、硬度及強度可適當地保持。此時，該分子量之上限可為，但不特別限於，例如，14,000或更小、12,000或更小或10,000或更小。
例如，該有機聚矽氧烷(A)或該式1之平均單元的有機聚矽氧烷可包括具有式2之實驗式的有機聚矽氧烷。
[式2](R3 3SiO1/2)a(R2 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d
在式2中，R1及R2係各自獨立地為烷氧基、羥基、環氧基或單價烴基，R3係烷基、烯基或芳基，R1至R3之至少一者係烯基，R1至R3之至少一者係芳基，a、b、c及d之總和(a+b+c+d)係1，a係0至0.5之數字，b係大於0至0.8之數字，c係大於0至0.8之數字，且d係0至0.2之數字。
在一實例中，該具有式2之平均實驗式的有機聚矽氧烷可包括上述烯基、芳基及/或環氧基，且各基團之比率可求出於滿足上述莫耳比之範圍內。
該有機聚矽氧烷(A)或該式1之平均單元的有機聚 矽氧烷可包括，例如，具有式3之平均實驗式的有機聚矽氧烷。
[式3](R1R2 2SiO1/2)a(R3R4SiO2/2)b(R5SiO3/2)c
在式3中，R1係具有1至4個碳原子之烷基，R2係具有至少兩個碳原子之單價烴基，R3及R4係各自獨立地為具有1至20個碳原子之烷基、具有2至20個碳原子之烯基或具有6至25個碳原子之芳基，R5係具有1至20個碳原子之烷基或具有6至25個碳原子之芳基，R2、R3及R4之至少一者係烯基，且當a+b+c係設定為1時，a係0.01至0.10，b係0至0.99，c係0.01至0.30，b/a係5或更大，b/c係5或更大。
當該單價烴基之定義適用於該式1之具有至少兩個碳原子之單價烴基，該單價烴基之數原子數的下限可為2。
在該式3之平均實驗式中，該具有1至4個碳原子之烷基可為線性、分支或環狀烷基。該烷基可任意被至少一個取代基取代。在該式1之平均實驗式中，R2可為甲基。
在該式3之平均實驗式中，在另一個實例中，該具有6至25個碳原子之芳基可為具有6至21、6至18或6至13個碳原子之芳基，且可任意以至少一個取代基予以取代。該芳基可為，例如，苯基、甲苯基、二甲苯基或萘基，且較佳為苯基。
在該式3之平均實驗式中，在另一個實例中，該具有1至20個碳原子之烷基可為具有1至16、1至12、1至8 或1至4個碳原子之烷基。該烷基可具有線性、分支或環狀構造，且可任意以至少一個取代基予以取代。
在該式3之平均實驗式中，在另一個實例中，該具有2至20個碳原子之烯基可為具有2至16、2至12、2至8或2至4個碳原子之烯基。該烯基可具有線性、分支或環狀構造，且可任意以至少一個取代基予以取代。
在式3中，R2、R3及R4之至少一者可為烯基。在一實例中，該烯基可以0.001至0.1或0.005至0.1之烯基(Ak)對總矽原子(Si)之莫耳比(Ak/Si)內含於該化合物(A)中。在上述範圍中，可適當地保持該組分與另一種組分之反應性，可防止非反應性組分自固化產物表面漏出，並可優異地保持該固化產物之耐龜裂性。
在該式3之平均實驗式中，a、b及c表示個別矽氧烷單元之莫耳比，且當其總和(a+b+c)係設成1時，a係0.01至0.10，b係0至0.99，且c係0.01至0.30。
該由式3之平均實驗式所示的有機聚矽氧烷可包括所謂的單官能基矽氧烷單元且在此技藝中習慣上表示成(R3SiO1/2)之M單元、所謂的雙官能基矽氧烷單元且在此技藝中表示成(R2SiO2/2)之D單元及所謂的三官能基矽氧烷單元且在此技藝中表示成(RSiO3/2)之T單元。
在一實例中，該式3之聚矽氧烷可具有包括衍生自該T單元之構造(後文中，稱作“交聯構造”)的構造及衍生自該D單元之夠長的線性構造。該示範性聚矽氧烷於式1之平均實驗式中可具有5、7、8或10或更大之b/c。除此 之外，在該平均實驗式中，b/a可為5或更大、8或更大或10或更大。在此，該b/c之上限沒有特別限定，且可為，例如，70、60、50或40。除此之外，該b/a之上限沒有特別限定，且可為，例如，110、100、90、80、70或60。在此說明書中，該具有上述聚矽氧烷單元比之聚矽氧烷可叫做具有合併聯合構造之聚矽氧烷。當該聚矽氧烷具有上述構造時，適當物性可根據應用而顯示。
在一實例中，該具有式3之平均實驗式的有機聚矽氧烷之至少一個鍵結於矽原子之芳基可鍵結於該D單元之矽原子。也就是說，該示範性聚矽氧烷可包括至少一個鍵結於該單元D之矽原子的芳基，且鍵結於該單元D之矽原子的芳基(Ar-D)對該聚矽氧烷之總矽原子(Si)的莫耳比(Ar-D/Si)可為0.3或更大、0.35或更大或0.4或更大。在一實例中，該莫耳比(Ar-D/Si)之上限可為，但不特別限於，例如，1.2或1.5。
在另一個實例中，該具有式3之平均實驗式的有機聚矽氧烷之至少一個鍵結於矽原子之芳基可鍵結於T單元之矽原子。
在一實例中，該具有式3之平均實驗式的有機聚矽氧烷可為具有式4之平均實驗式的有機聚矽氧烷。
[式4](R1R2 2SiO1/2)a(R6R7SiO2/2)l(R8R9SiO2/2)m(R5SiO3/2)c
在式4中，R1係具有1至4個碳原子之烷基，R2係具有至少兩個碳原子之單價烴基，R6係具有6至25個碳 原子之芳基，R7、R8及R9係各自獨立地為具有1至20個碳原子之烷基、具有2至20個碳原子之烯基或具有6至25個碳原子之芳基，R5係具有1至20個碳原子之烷基或具有6至25個碳原子之芳基，R2、R7、R8及R9之至少一者係烯基，且當a+l+m+c係設定為1時，a係0.01至0.10，l係0至0.90，m係0至0.90，且c係0.01至0.30。在此，l及m不得同時為0，(l+m)/a係5或更大，且(l+m)/c係5或更大。
在該式4之平均實驗式中，a、l、m及c各自表示矽氧烷單元之莫耳比。在此，當(a+l+m+c)之總和係設定為1時，a係0.01至0.10，l係0至0.90，m係0至0.90，且c係0.01至0.30。
在該式4之平均實驗式中，l及m不得同時為0。除此之外，在該式4之平均實驗式中，(l+m)/c可為5或更大、7或更大、8或更大或10或更大。除此之外，在該平均實驗式中，(l+m)/a可為5或更大、8或更大或10或更大。在此，(l+m)/c之上限可為，但不特別限於，例如，70、60、50或40。除此之外，(l+m)/a之上限也可為，但不特別限於，例如，110、100、90、80、70或60。
除此之外，在該式4之平均實驗式中，l及m不得同時為0。當l及m不為0時，l/m可在0.4至2.0、0.4至1.5或0.5至1之範圍中。
在一實例中，該具有式3或4之平均實驗式的有機聚 矽氧烷可包括式5或6之單元。
在式5中，R10、R11及R12係各自獨立地為具有1至20個碳原子之烷基、具有2至20個碳原子之烯基或具有6至25個碳原子之芳基，且R10、R11及R12之至少一者係烯基。
在式6中，R5係具有1至20個碳原子之烷基或具有6至25個碳原子之芳基，R6係具有6至25個碳原子之芳基，R7、R8及R9係各自獨立地為具有1至20個碳原子之烷基、具有2至20個碳原子之烯基或具有6至25個碳原子之芳基，且R7、R8及R9之至少一者係烯基。
在式5中，R12係芳基，例如，具有6至25、6至21、6至18或6至13個碳原子之芳基或苯基。
示範性有機聚矽氧烷可包括式5或6之單元的至少一 者。該式5或6之單元係該D單元之矽原子及該T單元之矽原子係藉由氧原子相互直接鍵結的形狀單元。在一實例中，如上所述，該有機聚矽氧烷係至少兩種組分之混合物，且即使當各組分之組成的平均係藉由式3或4之平均實驗式表示時也包括具有式5或6之單元的至少一種單一組分。該包括式5或6之單元的有機聚矽氧烷可藉由，例如，使具有籠形或局部籠形構造之聚矽氧烷與以下所述之環狀矽氧烷化合物反應而製造。特別是，當運用上述方法時，能製造出包括式5或6之單元在內，且該構造依照最小量包括烷氧基所鍵結之矽原子和羥基所鍵結之矽原子的有機聚矽氧烷。
在一實例中，於1H NMR所獲得之光譜中該具有式3或4之平均實驗式的有機聚矽氧烷可具有0.05或更小、0.03或更小、0.01或更小、0.005或更小或0之衍生自鍵結於矽原子之烷氧基的峰面積(OR)對鍵結於矽原子之烯基釋出的面積(Ak)之比率(OR/Ak)。在此範圍中，可顯示適合黏度，且也可優異地保持其他物性。
除此之外，在一實例中，該具有式3或4之平均實驗式的有機聚矽氧烷可具有0.05mgKOH/g或更小、0.03mgKOH/g或更小、0.01mgKOH/g或更小或0mgKOH/g之KOH滴定所測得的酸值。在此範圍中，可顯示適當黏度，且也可優異地保持其他物性。
該式3或4之有機聚矽氧烷可為環狀矽氧烷化合物及具有籠形或局部籠形構造之聚矽氧烷的混合物之反應產 物。在此，至於該環狀矽氧烷化合物，可使用式7所示之化合物。除此之外，該具有籠形構造之聚矽氧烷可為式8之平均實驗式所示的聚矽氧烷，且該具有局部籠形構造之聚矽氧烷可為式9之平均實驗式所示的聚矽氧烷。
[式8][ReSiO3/2]
[式9][RaRb 2SiO1/2]p[ReSiO3/2]q
在式7至9中，Ra及Rb係各自獨立地為具有至少兩個碳原子之單價烴基或具有1至4個碳原子之烷基，Rc及Rd係各自獨立地為具有6至25個碳原子之芳基、具有1至20個碳原子之烷基或具有至少兩個碳原子之單價烴基，Re係各自獨立地為具有至少兩個碳原子之單價烴基，o係3至6，p係1至2，且q係3至10。
在式7至9中，特定類型之Ra、Rc、Rd及Re、特定值之o、p及q及該混合物中之分別組分的比率可根據具有預期構造之有機聚矽氧烷求出。
藉由式7之化合物與該式8之平均實驗式所示的聚矽氧烷及/或該式9之平均實驗式所示的聚矽氧烷之混合物的反應，具有預期構造之有機聚矽氧烷，例如，上述局部 交聯構造可於足夠之分子量下合成。
根據此混合物之反應，所合成之聚矽氧烷可具有最小含量之官能基例如鍵結於矽原子之烷氧基或羥基，藉以製備具有優良物性之所欲產物。
在一實例中，該混合物可另外包括式10所示之化合物。
[式10](RaRb 2Si)2O
在式10中，Ra係具有至少兩個碳原子之單價烴基，且Rb係具有1至4個碳原子之烷基。
在式10中，該單價烴基及該具有1至4個碳原子之烷基的特定實例係描述於式1之說明中。除此之外，在式9中，特定類型之Ra和Rb及該混合物之混合比率可根據有機聚矽氧烷之預期構造求出。
在一實例中，該混合物之個別組分的反應可在適當觸媒存在下進行。因此，該混合物可另外包括觸媒。
如能內含於該混合物之觸媒，例如，可使用鹼觸媒。適當鹼觸媒可為，但不限於，金屬氫氧化物例如KOH、NaOH或CsOH；包括鹼金屬化合物及矽氧烷之金屬矽烷醇鹽(metal silanolate)；或季銨化合物例如氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨或氫氧化四丙基銨。
該混合物中之觸媒比率可考量預期之反應性適當地選擇，且例如，可相對於該混合物中之100重量份反應產物總重量為0.01至30重量份，或0.03至5重量份。在此說 明書中，除非明確界定，否則單位“重量份”表示組分之間的重量比。
在一實例中，該混合物之反應可在適當溶劑存在下進行。至於溶劑，該混合物中之反應產物，也就是說，二矽氧烷或聚矽氧烷，可適當地與觸媒混合，且不會干擾反應性之任何種類之溶劑均可使用。該溶劑可為，但不限於，脂肪烴系溶劑例如正戊烷、異戊烷、正己烷、異己烷、2,2,4-三甲基戊烷、環己烷或甲基環己烷；芳族溶劑例如苯、甲苯、二甲苯、三甲基苯、乙基苯或甲基乙基苯；酮系溶劑例如甲基乙基酮、甲基異丁基酮、二乙基酮、甲基正丙基酮、甲基正丁基酮、環己酮、甲基環己酮或乙醯丙酮；醚系溶劑例如四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、乙醚、正丙醚、異丙醚、二甘醇甲基醚、二(dioxine)、二甲基二、甘醇單甲醚、甘醇二甲醚、甘醇二乙醚、丙二醇單甲醚或丙二醇二甲醚；酯系溶劑例如碳酸二乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、乳酸乙酯、甘醇單乙醚醋酸酯、丙二醇單甲醚醋酸酯或甘醇二醋酸酯；或醯胺系溶劑例如N-甲基吡咯烷酮、甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N-乙基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺或N,N-二乙基乙醯胺。
該反應可藉由將該觸媒加於該反應產物進行。在此，反應溫度可控制於，例如，0℃至150℃或30℃至130℃，之範圍內。除此之外，反應時間可控制於，例如，1小時至3天，之範圍內。
用於形成該第一及/或第二膜層之組合物可為具有鍵 結於矽原子之氫原子的聚矽氧化合物(B)。該聚矽氧化合物可具有至少一或至少兩個氫原子。
該化合物(B)可擔任使該組分(A)交聯之交聯劑的任務，且特別是，交聯及固化可藉由進行該化合物(B)之氫原子和該組分(A)之烯基的加成反應而進行。
至於該化合物(B)，分子中包括鍵結於矽原子之氫原子(Si-H)的各種不同種類均可使用。該化合物(B)之分子構造沒有限制，且任何能當習用加成反應性組合物中之交聯劑使用者均可使用。該化合物(B)係線性、分支、環狀或交聯型有機聚矽氧烷。該化合物(B)可為分子中具有2至1000或3至300個矽原子之化合物。
在一實例中，至於該化合物(B)，具有式11之平均單元之有機聚矽氧烷均可使用。
[式11]HcQdSiO(4-c-d)/2
在式11中，Q係環氧基或單價烴基，且c及d係數字以致於c+d係1至2.8且c/(c+d)係0.001至0.34。
在一實例中，鍵結於矽原子之氫原子(H)對該化合物(B)或該式11之有機聚矽氧烷所包括之總矽原子(Si)的莫耳比(H/Si)可為0.2至0.8或0.3至0.75。當該莫耳比係控制於0.2或更大時，可優異地保持該組合物之固化性，且當該莫耳比係控制於0.8或更小時，可優異地保持耐龜裂性及耐熱和衝擊性。
除此之外，該化合物(B)或該式11之平均單元的有機聚矽氧烷可包括至少一個芳基，且因此，式11中之至少一Q可為芳基。因此，該固化產物之折射率及硬度可獲得有效率之控制。該芳基可存在某個量以致於該芳基(Ar)對該化合物(B)或該式11之有機聚矽氧烷中所包括之總矽原子(Si)的莫耳比(Ar/Si)係0.3至1.5或0.4至1.2。當該莫耳比(Ar/Si)係控制於0.3至1.5時，可適當地保持該固化組合物之物性。
該化合物(B)或該式11之平均單元的有機聚矽氧烷可於25℃下具有0.1cp至100,000cp、0.1cp至10,000cp、0.1cp至1,000cp或0.1cp至300cp之黏度。當該化合物(B)或該式11之平均單元的有機聚矽氧烷具有以上黏度時，可優異地保持該組合物之可加工性。
該化合物(B)或該式11之平均單元的有機聚矽氧烷可具有，例如，小於1,000或800之分子量。當該分子量係1,000或更大時，可能使該固化產物之強度降低。該化合物(B)或該具有式11之平均單元的有機聚矽氧烷之分子量下限沒有特別限定，且可為，例如，250。在該化合物(B)或該具有式11之平均單元的有機聚矽氧烷中，該分子量可表示重量平均分子量，或該化合物之習用分子量。
在一實例中，該化合物(B)可為式12所示之化合物。
在式12中，R係各自獨立地為氫、烷氧基、羥基、環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、異氰酸基或單價烴基，且n係1至100。
該式12之化合物的分子鏈兩端可被鍵結於矽原子之氫原子封住。必要的話，存在於式12之分子的側鏈之至少一R也可能是氫原子。
在式12中，n係1至100、1至50、1至25、1至10、1至5、1至3或1至2，且因此可優異地保持固化產物之強度和耐龜裂性。
製備該化合物(B)之方法沒有特別限定，且例如，製備聚矽氧烷化合物之習知方法或類似之製備該化合物(A)之方法均可使用。
在一實例中，該化合物(B)之含量可選於某範圍以致於該化合物(B)中所包括之鍵結於矽原子之氫原子(H)對該有機聚矽氧烷(A)中所包括之總烯基(Ak)的莫耳比(H/Ak)係0.8至1.2、0.85至1.15或0.9至1.1。該化合物(B)之含量可，例如，對100重量份之化合物(A)為50至500或50至400重量份。
在一實例中，該第一膜層可包括至少一個鍵結於矽原子之芳基。因此，該用於形成第一膜層之組合物的化合物 (A)或(B)可包括芳基。在該第一膜層，例如，該芳基(Ar)對該第一膜層中所包括之總矽原子(Si)的莫耳比(Ar/Si)係0.3或更大、0.35或更大或0.4或更大。在此範圍中，該LED可穩定地確保長期可靠度及亮度。該莫耳比(Ar/Si)之上限可為，但不特別限於，例如，2.0、1.5或1.2。
在一實例中，該第一膜層可包括鍵結於矽原子之環氧基。因此，該用於形成第一膜層之組合物的化合物(A)或(B)可包括環氧基。在該第一膜層中，例如，該環氧基(E)對該第一膜層之總矽原子(Si)的莫耳比(E/Si)可為0.001至0.15或0.005至0.1。在此範圍中，可穩定地確保該膜層對該LED晶片之黏著性或該二極體之長期可靠度。
該用於形成第一及/或第二膜層之可固化性組合物可另外包括矽氫化觸媒。該矽氫化觸媒可用以模擬該有機聚矽氧烷(A)之烯基和該化合物(B)鍵結於矽原子之氫原子之間的反應。至於矽氫化觸媒，此技藝中已知之所有習用組分均可使用。至於此觸媒，鉑-、鈀-或銠-系觸媒均可使用。在此說明書中，鉑系觸媒在考量觸媒效率時可被使用，且可為，但不限於，氯鉑酸、四氯化鉑、鉑之烯烴錯合物、鉑之烯基矽氧烷或鉑之羰基錯合物。
該矽氫化觸媒之含量沒有特別限制，只要是該矽氫化觸媒係於催化量下包括在內，也就是說，能擔任觸媒任務之量。習慣上，該矽氫化觸媒可根據鉑、鈀或銠之原子重 量於0.1至500ppm或0.2至100ppm下使用。
該第一膜層可包括高折射率填料，且因此該用於形成第一膜層之組合物可另外包括，例如，高折射率填料。該措辭“高折射率填料”表示對波長為400nm之光具有1.55或更大之折射率的填料。該第一膜層之折射率可使用此高折射率填料有效地予以控制。該高折射率填料之折射率上限沒有特別限定，且可考慮該膜層之預期折射率控制於適當範圍中。
該高折射率填料之種類沒有特別限制，只要其具有上述折射率，且可為一或至少兩種選自由氧化鈦、氧化鋯、氧化鈰、氧化鉿、五氧化鈮、五氧化鉭、氧化銦、氧化錫、氧化銦錫、氧化鋅、矽、硫化鋅、碳酸鈣、硫酸鋇及氧化鎂所組成的群組者。
在該用於形成第一膜層之可固化組合物中的高折射率填料之粒徑比率沒有特別限定，且可考慮，例如，該預期第一膜層之折射率適當地選擇於適當範圍中。
該第一膜層可包括散射粒子，且因此必要的話該用於形成第一膜層之組合物可另外包括散射粒子。此處所用的措辭“散射粒子”可表示，例如，具有與周遭環境，例如，排除該散射粒子及適當尺寸，且進而散射、折射或擴散光之第一膜層，不同之折射率的粒子。例如，該散射粒子可具有比該排除散射粒子之第一膜層低或高的折射率。例如，該散射粒子可與該排除散射粒子之第一膜層具有大約1.0或更小、0.9或更小、0.8或更小或0.7或更小之折射 率差數絕對值。該折射率差數可為，例如，大約0.15或更大、0.2或更大或大約0.4或更大。除此之外，該散射粒子可具有，例如，100nm或更大或200nm或更大之平均粒徑。該散射粒子之平均粒徑可為20,000nm或更小、15,000nm或更小、10,000nm或更小、5,000nm或更小、1,000nm或更小或500nm或更小。該散射粒子可具有圓形、橢欖形、多角形或非晶形，且其外形不特別限於此。該散射粒子可包括，例如，有機材料例如聚苯乙烯或其衍生物、丙烯酸系樹脂或其衍生物、聚矽氧樹脂或其衍生物或酚醛樹脂或其衍生物；或無機材料例如氧化矽、氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯。該散射粒子可包括任一上述材料或其至少二者。例如，至於該散射粒子，於中空粒子例如中空氧化矽或氧化鋁中形成之粒子或芯/殼型粒子均可使用。
此散射粒子可於大約0.1重量%至30重量%或大約0.5重量%至10重量%包括於該第一膜層中，且依照此比率，可確保適當散射特性。
該第二膜層可包括磷光體，且因此該用於形成第二膜層之組合物可另外包括磷光體。至於該磷光體，已知之磷光體均可使用而沒有特別限制，且例如，在考慮用途時，習知之以矽酸鹽為底質之磷光體、以氮化物為底質之磷光體或釔鋁石榴石(YAG)均可使用。
該磷光體之比率可視需要加以控制，且例如，該磷光體可於大約5重量%或更大、10重量%或更大、20重量% 或更大、30重量%或更大、40重量%或更大或50重量%或更大包括於該第二膜層中。該磷光體可另外於大約90重量%或更小、80重量%或更小或70重量%或更小包括於該第二膜層中。
必要的話，該第一膜層也可包括磷光體，且因此該用於形成第一膜層之組合物可另外包括磷光體。在此案例中，此處所用之磷光體的種類及該第一膜層中之磷光體比率沒有特別限制，且，例如，該第二膜層中所述者均可運用。
該第一膜層及/或該第二膜層可另外包括無機填料，例如，上述高折射率填料或排除散射粒子或磷光體之無機填料，且因此該用於形成第一及/或第二膜層之組合物可包括該無機填料。
在此案例中，此處所用之無機填料之種類和比率沒有特別限制，且可根據該無機填料之目的適當地選擇。
在額外增強黏著性方面該用於形成第一及/或第二膜層之可固化組合物可另外包括增黏劑。該增黏劑係能改善對該組合物或固化產物之自黏性的組分，其特別是可改善對金屬及無機樹脂之自黏性。
該增黏劑可為，但不限於，具有至少一個或較佳至少兩個選自由烯基例如乙烯基；(甲基)丙烯醯氧基；氫甲矽烷基(SiH)；環氧基；烷氧基；烷氧基甲矽烷基；羰基及苯基；或有機聚矽氧化合物例如具有2至30或較佳4至20個矽原子之環狀或線性矽氧烷所組成的群組之官 能基的甲矽烷。在此說明書中，其中之一或其至少兩種之混合物均可使用。
當該增黏劑係內含於該組合物時，其含量可考慮改善該黏著性所預期之效果而適當地改變。
必要的話，該用於形成第一及/或第二膜層之可固化組合物可另外包括一種或至少兩種添加物，該添加物包括反應抑制劑例如2-甲基-3-丁炔-2-醇、2-苯基-3-1-丁炔-2-醇、3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基環四矽氧烷或乙炔基環己烷；無機填料例如氧化矽、氧化鋁、氧化鋯或氧化鈦；具有環氧基及/或烷氧基甲矽烷基之碳官能基矽烷(carbon-functional silane)、其局部水解-縮合產物或矽氧烷化合物；觸變劑例如能與聚醚聯合使用之矽煙；導電度提供劑(conductivity providing agent)例如銀、銅或鋁之金屬粉或各種不同碳材；或色彩調節劑(color adjusting agent)例如顏料或染料。
使用上述可固化組合物製造該LED之方法沒有特別限定，且例如，相繼將各可固化組合物塗佈於該LED晶片上並使其固化，或將各可固化組合物形成於膜上並接著相繼將該組合物轉移至該LED晶片上之方法。
例如，該製造方法可包括將該第一聚矽氧膜轉移至該LED晶片上，並將該第二聚矽氧膜轉移至該第一聚矽氧膜上。
在此，該形成第一及/或第二聚矽氧膜之方法沒有特 別限制。例如，等到上述用於形成該膜之可固化組合物考慮到預期厚度塗佈於具有適當可釋放表面的支撐物上以後，必要的話，該塗層可予以乾燥，半固化或完全固化。例如，儘管該用於形成第一及第二膜層之塗層被乾燥或適當地半固化，首先，將該第一膜層轉移至該LED晶片並保持於適當溫度。除此之外，將該第二膜層轉移至該第一膜層上，並完全固化。
該方法所應用之乾燥、半固化或固化條件沒有特別限定，且可考慮此處所用之組合物之組成比做變化。
本發明之另一個形態提供該LED之用途。該LED可有效地應用於，例如，液晶顯示器(LCD)之背光、發光設備、各種不同感測器、印刷表及影印機之光源、量器之光源、信號燈、指示燈(pilot light)、顯示裝置、平面型發光二極體之光源、顯示器、裝飾品或各種不同照明。
101‧‧‧發光二極體晶片
102‧‧‧第一聚矽氧膜層
103‧‧‧第二聚矽氧膜層
第1圖係示範性LED構造圖式。
後文中，將詳細描述本發明之示範性具體實施例。然而，本發明不限於以下揭示之具體實施例，但是能依各種不同形式實施。以下具體實施例的描述係為了使普通熟悉相關技藝者能體現並實現本發明。
後文中，縮寫“Vi”、“Ph”、“Me”及“Ep”表示乙烯基、 苯基、甲基及3-縮水甘油氧丙基。
1.光學特性之測量
藉由將電流施於實施例或比較例中製造之LED封裝件使用積分球(Otsuka,LE-3400)測量光學特性(色均勻性、色分散性及初始光通量)。
實施例1. 第一聚矽氧膜之形成
可固化組合物係藉由以下方式製備：混合式A至C所示之有機聚矽氧烷(摻混量：20g之式A、60g之式B及18g之式C)，於2ppm之Pt(0)含量摻混觸媒(鉑(0)-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷)，並將所產生之混合物固化以具有對400nm之波長大約1.56之折射率。第一聚矽氧膜係藉由以下方式形成：藉由混合大約10g之平均粒徑大約10nm之氧化鋁與98g之可固化組合物製備塗佈組合物，並將該塗佈組合物塗佈於乙烯-四氟乙烯(ETFE)膜上以具有大約10μm之最後厚度，並使所產生之膜保持於80℃經過5分鐘。
[式A](ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)5(Ph2SiO2/2)10
[式B](ViMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)0.5(EpMeSiO2/2)0.2(PhSiO3/2)7
[式C](HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)
第二聚矽氧膜之形成
可固化組合物係藉由以下方式製備：混合式C至E所示之有機聚矽氧烷(摻混量：20g之式D、60g之式E及18g之式C)，於2ppm之Pt(0)含量摻混觸媒(鉑(0)-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷)，並將所產生之混合物固化以具有大約1.49之最後折射率。第二聚矽氧膜係藉由以下方式形成：藉由混合200g之YAG當磷光體及大約3g之平均粒徑大約10nm之氧化矽與98g之可固化組合物製備塗佈組合物，並按照形成該第一聚矽氧膜時所述將該塗佈組合物塗佈於ETFE(乙烯-四氟乙烯)膜上以具有大約100μm之最後厚度，並使所產生之膜保持於80℃經過5分鐘。
[式D](ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)20(Ph2SiO2/2)10
[式E](ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)l(EpMeSiO2/2)0.2(PhSiO3/2)4(SiO4/2)0.5
[式C](HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)
LED封裝件之製造
將各製成之膜切成適當尺寸，將第一聚矽氧膜轉移至 LED晶片(用於聚酞醯胺(PPA)製成之3535 LED封裝件的LED晶片)，移除氟樹脂膜，並接著使所產生之產物保持於150℃經過5分鐘。其後，如上所述將第二聚矽氧膜轉移至該第一聚矽氧膜上，移除氟樹脂膜，並使所產生之產物保持於150℃經過4小時以固化。在此，在該聚矽烷氧膜轉移時，塗佈接觸該LED及外部接觸端子之金線。其後，將一般當封裝劑運用之透明聚矽氧樹脂注入反射器中，並保持於150℃經過4小時，藉以製造LED封裝件。
實施例2.
除了使用藉由摻混98g之與使用10g平均粒徑為大約10nm之氧化鋁粒子形成該實施例1之可固化組合物及200g之磷光體(YAG)所製備之塗佈溶液形成第一聚矽氧膜以外，藉由實施例1所述之相同方法製造LED封裝件。
實施例3.
除了使用藉由摻混98g之與用以形成該實施例1之第一聚矽氧膜相同的可固化組合物及200g之磷光體(YAG)所製備之塗佈溶液形成第一聚矽氧膜，且使用藉由摻混98g之與用以形成該實施例1之第二聚矽氧膜相同的可固化組合物及200g之磷光體(YAG)所製備之塗佈溶液形成第二聚矽氧膜以外，藉由實施例1所述之相同 方法製造LED封裝件。
實施例4.
除了使用藉由摻混98g之與用以形成該實施例1之第一聚矽氧膜相同的可固化組合物、200g之磷光體(YAG)及大約3g之折射率為大約1.63且平均粒徑為大約100nm的氧化鈦粒子當散射粒子所製備之塗佈溶液形成第一聚矽氧膜以外，藉由實施例1所述之相同方法製造LED封裝件。
比較例1.
除了將藉由摻混5g之磷光體(YAG)與100g之與用以形成該實施例1之第二聚矽氧膜相同的可固化組合物所製備之塗佈溶液分配於反射器上以覆蓋二極體整個表面並保持於150℃經過4小時，其等同於依照傳統形成該LED封裝件之封裝劑以外，藉由實施例1所述之相同方法製造LED封裝件。此方法中所用之LED晶片與實施例1所用者相同。
比較例2.
除了沒形成第一聚矽氧膜且僅第二聚矽氧膜被轉移至LED晶片以外，依照實施例1所述製造LED封裝件。
比較例3.
除了形成第一聚矽氧膜層，將藉由將磷光體(YAG)分散於甲苯中所製備之塗佈溶液塗佈於該第一聚矽氧膜層上並於150℃烘烤以形成磷光體層，但是沒形成第二聚矽氧膜層以外，依照實施例1所述製造LED封裝件。
表1中彙總並列出實施例及比較例之可固化組合物的物性測量結果。
效果
本發明能提供具有優良初始光通量及優良色均勻性及分散性之發光二極體、其製造方法及其用途。
101‧‧‧發光二極體晶片
102‧‧‧第一聚矽氧膜層
103‧‧‧第二聚矽氧膜層

Claims (13)

  1. 一種發光二極體，其包含：發光二極體晶片；形成於該發光二極體晶片上之包含磷光體的第一聚矽氧膜層；及形成於第一聚矽氧膜層上，包含磷光體，且當排除該磷光體時具有低於該第一聚矽氧膜層之折射率的第二聚矽氧膜層，其中該第一或第二聚矽氧膜層係包括具有式1之平均單元的有機聚矽氧烷及具有式11之平均單元的有機聚矽氧烷之組成的固化膜層：[式1]PaQbSiO(4-a-b)/2 [式11]HcQdSiO(4-c-d)/2其中P係烯基，Q係環氧基或單價烴基，a+b係於0.8至2.2之範圍中，且a/(a+b)係於0.001至0.15之範圍中的數字，且c和d係數字以致於c+d係1至2.8且c/(c+d)係0.001至0.34。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中該第一聚矽氧膜層對於波長為400nm之光具有1.5或更大之折射率。
  3. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中排除磷光體該第二聚矽氧膜層對於波長為400nm之光具有1.6 或更小之折射率。
  4. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中該第一聚矽氧膜層包含鍵結於矽原子之環氧基。
  5. 如申請專利範圍第4項之發光二極體，其中環氧基(E)之莫耳數對該第一聚矽氧膜所包括之總矽原子(Si)之莫耳數的比率(E/Si)係0.001至0.15。
  6. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中該第一聚矽氧膜層包含鍵結於矽原子之芳基。
  7. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中該第一聚矽氧膜層包含對於波長為400nm之光具有1.55或更大之折射率的填料。
  8. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中該第一聚矽氧膜層包含散射粒子。
  9. 如申請專利範圍第8項之發光二極體，其中該散射粒子具有100nm或更大之平均粒徑，且與該排除散射粒子之第一聚矽氧膜層具有0.15至1.0之折射率差數絕對值。
  10. 如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中該第一聚矽氧膜層中之散射粒子的重量比係0.1重量%至30重量%。
  11. 一種製造發光二極體之方法，其包含：將包含磷光體之第一聚矽氧膜轉移至發光二極體晶片上；及將第二聚矽氧膜轉移至該第一聚矽氧膜上，該第二聚 矽氧膜包含磷光體且當排除該磷光體時具有低於該第一聚矽氧膜之折射率，其中該第一或第二聚矽氧膜層係包括具有式1之平均單元的有機聚矽氧烷及具有式11之平均單元的有機聚矽氧烷之組成的固化膜層：[式1]PaQbSiO(4-a-b)/2 [式11]HcQdSiO(4-c-d)/2其中P係烯基，Q係環氧基或單價烴基，a+b係於0.8至2.2之範圍中，且a/(a+b)係於0.001至0.15之範圍中的數字，且c和d係數字以致於c+d係1至2.8且c/(c+d)係0.001至0.34。
  12. 一種液晶顯示器，其包含申請專利範圍第1項之發光二極體。
  13. 一種光設備，其包含申請專利範圍第1項之發光二極體。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190103540A1 (en) * 2013-12-06 2019-04-04 Sridhar Kasichainula Double-sided metal clad laminate based flexible thermoelectric device and module
US20180090660A1 (en) * 2013-12-06 2018-03-29 Sridhar Kasichainula Flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of n-type and p-type thermoelectric legs
JP2015201521A (ja) * 2014-04-07 2015-11-12 信越化学工業株式会社 太陽電池用シリコーン封止材料及び太陽電池モジュール
JP6276166B2 (ja) * 2014-10-01 2018-02-07 信越化学工業株式会社 光半導体封止用硬化性組成物及びこれを用いた光半導体装置
KR102252994B1 (ko) * 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
CN106206904B (zh) * 2015-04-29 2019-05-03 深圳光峰科技股份有限公司 一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置
WO2017136711A1 (en) * 2016-02-04 2017-08-10 Pixelligent Technologies Llc Nanocomposite formulations for optical applications
JP2019125682A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 日機装株式会社 半導体発光素子
US10662310B2 (en) * 2018-04-24 2020-05-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component having a conversation element with a high refractive index
US12256629B2 (en) * 2021-11-19 2025-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Curable self-adhesive wavelength converting film and light emitting device comprising the same

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU527601B2 (en) * 1978-12-29 1983-03-10 General Electric Company U.v. curable epoxy desin composition
JP3952149B2 (ja) 2002-02-06 2007-08-01 信越化学工業株式会社 光導波路形成用材料及び光導波路の製造方法
JP3991961B2 (ja) 2002-09-05 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 側面発光型発光装置
JP3944734B2 (ja) 2003-01-10 2007-07-18 信越化学工業株式会社 オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜
JP4908736B2 (ja) 2003-10-01 2012-04-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
JP2006135225A (ja) * 2004-11-09 2006-05-25 Toshiba Corp 発光装置
JP4845370B2 (ja) * 2004-11-26 2011-12-28 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
KR100610278B1 (ko) 2004-12-14 2006-08-09 알티전자 주식회사 고휘도 백색발광다이오드 및 그의 제조방법
JP4961799B2 (ja) 2005-04-08 2012-06-27 日亜化学工業株式会社 スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置
JP5392805B2 (ja) 2005-06-28 2014-01-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材
CN101208811A (zh) * 2005-08-05 2008-06-25 松下电器产业株式会社 半导体发光装置
KR20100131500A (ko) * 2005-09-22 2010-12-15 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 발광 디바이스용 부재 및 그 제조 방법, 및 그것을 이용한 반도체 발광 디바이스
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
KR101450929B1 (ko) 2006-11-20 2014-10-14 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 Ｌｅｄ 광원용 광학 접합 조성물
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
JP2008230114A (ja) 2007-03-22 2008-10-02 Hitachi Chem Co Ltd 封止フィルム
US7994529B2 (en) 2008-11-05 2011-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded bi-directional optics
JP4808244B2 (ja) * 2008-12-09 2011-11-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
TW201023784A (en) * 2008-12-31 2010-07-01 Chao-Mu Zhou A hook-and-loop fastener
JP5423120B2 (ja) * 2009-04-17 2014-02-19 三菱化学株式会社 半導体発光装置
JP5118168B2 (ja) * 2009-07-10 2013-01-16 株式会社豊田中央研究所 光学装置及びその製造方法
JP2011071349A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2011071404A (ja) 2009-09-28 2011-04-07 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
KR20110061421A (ko) 2009-12-01 2011-06-09 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치
EP2530104B1 (en) 2010-01-25 2016-09-07 LG Chem, Ltd. Silicone resin
JP5455764B2 (ja) * 2010-04-23 2014-03-26 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP5701523B2 (ja) 2010-06-22 2015-04-15 日東電工株式会社 半導体発光装置
JP5766411B2 (ja) * 2010-06-29 2015-08-19 日東電工株式会社 蛍光体層および発光装置
KR101708025B1 (ko) 2010-08-19 2017-02-20 서울반도체 주식회사 렌즈 및 그것을 포함하는 발광장치
JP5572038B2 (ja) 2010-08-27 2014-08-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びそれを用いた車両用灯具
KR20120024358A (ko) 2010-09-06 2012-03-14 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법
KR20120030871A (ko) 2010-09-20 2012-03-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 라이트 유닛
JP5733743B2 (ja) * 2010-12-15 2015-06-10 日東電工株式会社 光半導体装置
CN102130236A (zh) * 2010-12-31 2011-07-20 北京大学深圳研究生院 一种led芯片的封装方法及封装器件
JP2012227516A (ja) * 2011-04-05 2012-11-15 Nitto Denko Corp 封止シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
KR20130014256A (ko) * 2011-07-29 2013-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 조명 시스템
JP2013179226A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Toshiba Corp 光結合装置

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