TWI521011B - Resin composition, the reflecting plate and a light emitting device - Google Patents
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Description
本發明係有關使反射板成形之理想的樹脂組成物,使用該樹脂組成物所成之反射板,及供與該反射板之發光裝置。
多半的用於LED(發光二極體)發光裝置等之反射板中,由其加工性理想面、輕量性之觀點視之,使用樹脂製者。該LED發光裝置之製造中,於LED元件之實裝步驟,更於LED模件組裝時之焊接步驟,密封樹脂之硬化步驟等,反射板被曝露於高溫環境。因此,作為構成反射板之樹脂材料者,被廣泛討論耐熱性與成形性之面,理想之液晶聚酯。
而,用於發光裝置等之反射板時,為使發光裝置等之亮度佳,被要求高反射率。作為該反射板用之樹脂組成物者,被揭示有:含有可賦予高反射率之填充劑與液晶聚酯之樹脂組成物。如:特開2007-320996號公報中,被揭示有:於液晶聚酯中配合氧化鈦及藍色著色料所成之樹脂組成物。
惟,配合氧化鈦作為高反射率賦予劑之樹脂組成物,為提高所得反射板之反射率,務必提高該高反射率賦予劑之配合比例(高反射率賦予劑之填充量)。而當提高高反射率賦予劑之填充量後,所得反射板之機械強度、特別是撞擊強度容易降低,該反射板藉由發光裝置之製造步驟恐損及該反射板。
因此,本發明之目的係為提供一種可充分維持撞擊強度等之機械強度,對於可見光表現出高度反射率之反射板,使用該樹脂組成物所成之反射板及使用該反射板所成之發光裝置。
本發明者進行精密研討結果,完成本發明。亦即,本發明係提供含有成份(A)及(B):(A)液晶聚酯(B)體積平均粒徑為0.27~0.4μm之氧化鈦填充物所成,對於100質量份之成份(A)而言,成份(B)為5~110質量份之樹脂組成物。
本發明者更提供一種具備使該樹脂組成物成形所成之反射板及該反射板與發光元件之發光裝置。
藉由本發明之樹脂組成物,可得到維持液晶聚酯之良好機械強度,同時對於可見光表現出高度反射率之反射板。而使用該反射板,可得到亮度等特性極佳的發光裝置,極適用於產業上之利用。
本發明之樹脂組成物係含有以下之成份(A)及(B):(A)液晶聚酯
(B)體積平均粒徑為0.27~0.4μm之氧化鈦填充物所成,對於100質量份之成份(A)而言,成份(B)為5~110質量份。
以下,針對此等成份,依序說明理想之形態,含有此等成份之本發明樹脂組成物,使用樹脂組成物所成之反射板、發光裝置。
作為成份(A)之液晶聚酯係稱為向熱性液晶聚合物之聚酯,於450℃以下之溫度下,形成顯現光學異構性之熔融體得到聚合物者。
作為該液晶聚酯例者如:(1)使芳香族羥基羧酸、芳香族二羧酸及芳香族二醇之組合進行聚合得到液晶聚酯,(2)使複數種之芳香族羥基羧酸進行聚合得到液晶聚酯,(3)組合芳香族二羧酸與芳香族二醇,進行聚合得到液晶聚酯,(4)於聚對苯二甲酸乙二醇酯等之結晶性聚酯中,使芳香族羥基羧酸進行反應,得到液晶聚酯,等之具體例。
另外,亦可使用此等酯形成性衍生物,取代此等芳香族羥基羧酸、芳香族二羧酸、或芳香族二醇,使用該酯形成性衍生物,具有易於液晶聚酯製造之優點。
其中,有關酯形成性衍生物,以具體例進行說明。
作為分子內具有羧基之芳香族羥基羧酸、芳香族二羧酸之酯形成性衍生物者,如:使該羧基轉化成高反應性之酸鹵基、酸酐等之基者,或該羧基藉由酯交換反應,生成聚酯類之醇類、乙二醇等,以及形成酯者等例。
另外,作為分子內具有酚性羥基之芳香族羥基羧酸,芳香族二醇之酯形成性衍生物者,如:使該酚性羥基藉由酯交換反應,生成聚酯,酚性羥基形成低級羧酸類與酯者等例。
更於未阻擾酯形成性之範圍下,該芳香族羥基羧酸、芳香族二羧酸、或芳香族二醇亦可於該芳香環中具有作為取代基之氯原子、氟原子等之鹵素原子;甲基、乙基等之烷基;或苯基等之芳基。
作為構成液晶聚酯之構造單位者,可為下述之示例。源於芳香族羥基羧酸之構造單位:
此等構造單位亦可具有鹵素原子、烷基或芳基為取代基。
源於芳香族二羧酸之構造單位:
此等構造單位亦可具有鹵素原子、烷基或芳基為取代基。
源於芳香族二醇之構造單位:
此等構造單位亦可具有鹵素原子、烷基或芳基為取代基。
以上述之具體例所示之構造單位代表理想的液晶聚酯之構造單位之組合者,如以下之(a)~(h)之例。
(a):由(A1)、(B1)及(C1)所成之組合、或由(A1)、(B1)、(B2)及(C1)所成之組合(b):由(A2)、(B3)及(C2)所成之組合、或由(A2)、(B1)、(B3)及(C2)所成之組合(c):由(A1)及(A2)所成之組合。
(d):(a)之構造單位組合中,將(A1)之一部份或全部以(A2)對調者(e):(a)之構造單位組合中,將(B1)之一部份或全部以(B3)對調者(f):(a)之構造單位組合中,將(C1)之一部份或全部以(C3)對調者(g):(b)之構造單位組合中,將(A2)之一部份或全部以(A1)對調者(h):(c)之構造單位組合中,加入(B1)與(C2)
如上述之(a)~(h)所示,作為成份(A)所使用之液晶聚酯係於其構造單位中,具有至少1種選自源於芳香族羥基羧酸之構造單位之(A1)及/或(A2),源於芳香族二醇之構造單位之(B1)、(B2)及(B3)所成群、至少1種選自源於芳香族二羧酸之構造單位之(C1)、(C2)及(C3)所成群者特別理想。
用於成份(A)之液晶聚酯其流動開始溫度為270~400℃者宜,更佳者為300~380℃。由流動開始溫度為未達270℃之液晶聚酯作為成份(A)使用之樹脂組成物所得之反射板,用於以LED為發光元件之發光裝置時,於LED模件組裝步驟等之高溫環境下,反射板自體出現變形,產生泡疤(膨脹異常)之傾向。
另外,以流動開始溫度為超出400℃之液晶聚酯作為成份(A)使用之樹脂組成物時,該樹脂組成物之成形中成形溫度務必提昇,因此較不易製造反射板。又,使用該樹脂組成物於400℃以上之成形溫度下欲使反射板成形時,液晶聚酯受氧化鈦的影響,容易熱劣化,嚴重時恐導致反射板變色,反射率下降之不理想狀況產生。
又,其中所謂流動開始溫度係指,使用具有內徑1mm、長度10mm之噴嘴的毛細管型電流計,於9.8MPa之荷重中,以4℃/分鐘之昇溫速度將加熱熔融體由噴嘴擠出時,其熔融黏度顯示4800Pa.sec之溫度之意,該流動開始溫度,於該技術領域中係代表公知的液晶聚酯之分子量之指標(小出直之編,「液晶性聚合物合成.成形.應用一」,95~105頁,CMC,1987年6月5日發行)。
作為用於成份(A)之液晶聚酯之製造方法者,可採用各種公知之方法,而一般如:特開2004-256673號公報所載之可製造YI值32以下之液晶聚酯之方法為理想者。
具體而言,如以下所示之該公報所揭示之理想的液晶聚酯之製造方法之1例:於芳香族羥基羧酸、芳香族二醇及芳香族二羧酸之混合物中,氮雰圍,130~180℃下與脂肪酸酐反應,使芳香族羥基羧酸及芳香族二醇之酚性羥基與脂肪酸酐反應醯化後,得到醯化物(芳香族羥基羧酸醯化物及芳香族二醇醯化物)。之後,進一步進行昇溫,使反應副產物於反應系外餾去,同時使醯化物之醯基與芳香族羥基羧酸醯化物及芳香族二羧酸之羧基產生酯交換,將此等進行縮聚製造液晶聚酯。
該製造方法中,芳香族羥基羧酸、芳香族二醇及芳香族二羧酸之混合物中之酚性羥基與羧基之當量比為0.9~1.1者宜。
又,對於芳香族二醇及芳香族羥基羧酸之酚性羥基之合計而言,脂肪酸酐之使用量為0.95~1.2倍當量者宜,更佳者為1.00~1.15倍當量。
當脂肪酸酐之使用量少時,有抑制液晶聚酯著色之傾向,惟脂肪酸酐之使用量太少則於縮聚時,容易使未反應之芳香族二醇或芳香族二羧酸昇華,有反應系閉塞之傾向。反之,脂肪酸酐之使用量若超出1.2倍當量時,則所得液晶聚酯明顯著色,恐使反射板之反射率惡化。
作為脂肪酸酐之例者如:乙酸酐、丙酸酐、酪酸酐、異酪酸酐、吉草酸酐、三甲基乙酸酐、2-乙基己酸酐、單氯乙酸酐、二氯乙酸酐、三氯乙酸酐、單溴乙酸酐、二溴乙酸酐、三溴乙酸酐、單氟乙酸酐、二氟乙酸酐、三氟乙酸酐、戊二酸酐、馬來酸酐、琥珀酸酐、β-溴化丙酸酐等例,一般並未特別受限。此等亦可混合2種以上使用。由其價格與使用面觀之,又以乙酸酐、丙酸酐、酪酸酐、異酪酸酐為較佳者,更佳者為乙酸酐。
酯交換(縮聚)反應係於130~400℃之範圍下,以0.1~50℃/分鐘之比例下,進行昇溫,同時進行反應者宜,更佳者,於150~350℃之範圍下,以0.3~5℃/分鐘之比例進行昇溫,同時進行反應。
而,為使酯交換(縮聚)反應更為滑順,使反應副產物往系外餾去即可。
該特開2004-256673號公報所揭示之該製造方法中,酯交換(縮聚)反應,為使液晶聚酯之製造更為滑順之觀點與充分抑制所得液晶聚酯著色之觀點視之,於含有2原子以上氮原子之雜環狀有機鹼化合物之存在下進行者宜。其理由係,該含氮雜環狀有機鹼化合物可使液晶聚酯之製造更為滑順,可充分抑制所得液晶聚酯之著色。
作為該雜環狀有機鹼化合物之例者,如:咪唑化合物、三唑化合物、二吡啶基化合物、菲繞啉化合物、二氮雜菲化合物等示例。此等中,由其反應性之觀點視之,使用咪唑化合物者宜,由容易取得之面視之,又以1-甲基咪唑、1-乙基咪唑為更佳使用者。另外,此含氮複環有機鹼化合物亦可於製造該醯化物過程中,共存於反應系中,亦可於混合該芳香族羥基羧酸、芳香族二醇及芳香族二羧酸之階段下,合併含氮雜環狀有機鹼化合物進行混合之。
又,本發明中,為進一步促進酯交換(縮聚)反應,增加縮聚速度之目的下,在不損及本發明效果範圍內,亦可使用該雜環狀有機鹼化合物以外之觸媒。惟,以金屬鹽等作為觸媒使用時,該金屬鹽於液晶聚酯中作成雜質殘留,該雜質將造成反射板類之電子零件的不良影響。由此點亦可顯示,使用該複環有機鹼化合物者,可製造用於成份(A)之液晶聚酯,因此為特別理想之實施形態。
作為更提昇液晶聚酯聚合度之方法例者,如:使酯交換(縮聚)反應之反應容器內進行減壓之方法(減壓聚合),使酯交換(縮聚)反應後之反應生成物進行冷卻固化後,將此粉碎成粉末狀,所得粉末狀之反應生成物於250~350℃,以2~20小時之條件下,進行固相聚合之方法,等例。以該方法,提昇聚合度後,可進一步更容易製造理想之流動開始溫度之液晶聚酯。由設備簡便之面觀之,又以使用固相聚合者更佳。
另外,組合該醯化反應及酯交換反應之縮聚,之後的固相聚合係於氮等不活性氣體零圍下進行者宜。
該製造之液晶聚酯如該特開2004-256673號公報所示,作為YI值者代表32以下之液晶聚酯,作為成份(A)特別理想者。又,YI值係指,取得由液晶聚酯所成之試驗片時,利用色差計測定該試驗片所得到之值。YI值代表物體之黃色度,為ASTM D1925所定義之值,可依下式作為具體例求取。
YI=[100(1.28X-1.06Z)/Y]
(其中,X值、Y值、Z值各自為XYZ表色系之光源色之三激發值)。
使用該複環有機鹼化合物之製造方法所得之YI值作成32以下之液晶聚酯特別適用於成份(A),而混合多種液晶聚酯者亦可取得YI值32以下之液晶聚酯混合物。此時,亦可藉由上述方法求出混合多種液晶聚酯(液晶聚酯混合物)之YI值,選擇作為成份(A)之理想的混合液晶聚酯。
適用於本發明之成份(B)氧化鈦填充物係指,主要由氧化鈦所成者。該氧化鈦填充物其體積平均粒徑為0.27~0.4μm之範圍,在不明顯損及本發明效果下,亦可含有微量的雜質。當氧化鈦填充物之體積平均粒徑低於0.27μm時,對於可見光之反射率,特別是對於較短波長之光線(波長為0.44μm~0.48μm之光線;以下稱「藍色光」)之反射率有降低傾向。目前為止,為取得理想之藍色光反射率之反射板,可使用較微粒之(體積平均粒徑小)氧化鈦。此乃被認為光之半波長之體積平均粒徑之微粒子可改善反射板之色調所致(清野學著,「氧化鈦-物性與應用技術」97項、162頁,技術堂出版股份公司,1991年6月25日第1版發行)。依此認定下,為使有效反射藍色光,可使用體積平均粒徑為0.21~0.25μm之微粒子(氧化鈦)。
反此技術常識,本發明者超乎想像,發現相較於先行技術考量之氧化鈦填充物,使用體積平均粒徑大之反射板,其對於藍色光出現高度反射率。惟,當氧化鈦填充物之體積平均粒徑超出0.4μm時,則所得反射板之反射率仍有降低之傾向。另外,後述之氯法中氧化鈦之製造方法於其可得到具有金紅石型結晶型之氧化鈦之面視之,為理想的製造方法,而所得之氧化鈦之體積平均粒徑偶有變小,因此以氯法得到用於本發明之氧化鈦時,適當調整可得到適用於本發明之體積平均粒徑為0.27~0.4μm範圍之氧化鈦者宜。
氧化鈦填充物之體積平均粒徑為0.27~0.37μm之範圍者宜,較佳者為0.27~0.32μm之範圍,更佳者為0.27~0.30μm之範圍。又,作為氧化鈦填充物者亦可使用如後述之施行表面處理之氧化鈦。
另外,其中所謂之體積平均粒徑係以掃描形電子顯微鏡(SEM)測定氧化鈦填充物之外觀,利用影像析裝置(如:股份公司NIRECO公司製「luzex lIIU」),將所得之SEM相片,於一次粒子之各粒徑區間中標繪粒子量(%),求出分佈曲線,由其累計分佈曲線求出累計度50%之粒徑作為體積平均粒徑。
本發明者更發現藉由使用體積平均粒徑0.27~0.4μm之氧化鈦填充物,可充分維持液晶聚酯本身之良好的機械強度,可得到撞擊強度佳之反射板。使用體積平均粒徑低於0.27μm之氧化鈦填充物時,其填充物量變多,亦有可得到高反射率之反射板,而此時,反射板之機械強度,特別是撞擊強度明顯降低之傾向。多量使用氧化鈦填充物時,所得反射板中,氧化鈦填充物出現凝聚部份,該部份成脆弱部份,加以撞擊後,容易以該脆弱部份為基點,產生割裂,而本發明之樹脂組成物所得到之反射板則不易使氧化鈦填充物凝聚,具有良好的撞擊強度。
用於成份(B)之氧化鈦填充物中所含有之氧化鈦本身之結晶形態並未特別限定,一般可為金紅石型、銳鈦礦型、或混合兩者之氧化鈦均可。惟,除高反射率,更求耐氣候性良好之反射板者,又以含有金紅石型之氧化鈦之成份(B)氧化鈦填充物為較佳。
本發明中,由於使用作為成份(B)之體積平均粒徑為較大之氧化鈦填充物,故於成形體中之氧化鈦填充物之分散性良好。因此,即使成份(B)之配合比例較多仍可取得撞擊強度良好之反射板。可藉由所期待之反射率調整成份(B)之配合比例。又,使該氧化鈦填充物之體積平均粒徑加大後,表面積變小,因此亦可抑制經由氧化鈦之觸媒作用之液晶聚酯的劣化。本發明樹脂組成物中成份(B)之配合比例,對於100質量份之成份(A)而言,為5~110質量份者宜,較佳者為5~80質量份,更佳者為10~75質量份。當該成份(B)之配合量未達5質量份時,則不易取得實用的反射率之反射板,超出110質量份時,則不易製造反射板,無法充分維持液晶聚酯之機械特性、耐熱性等之特性。該液晶聚酯之特性惡化之原因並不明朗,而本發明者推斷使含於氧化鈦填充物之氧化鈦或氧化鈦之表面處理劑進行觸媒類之作用後,切斷液晶聚酯之酯鍵,導致引起液晶聚酯之低分子量化者為主要原因之一。對於成份(A)而言,含有成份(B)之重量份為上述範圍者,則可充分維持液晶聚酯之機械強度,同時可製造顯示良好反射率之反射板。
又,使用多種氧化鈦填充物作為成份(B)時,該合計量之配合比例,對於成份(A)而言,為上述範圍者宜。
用於成份(B)之氧化鈦填充物為進一步提昇成形體中之分散性等之目的下,亦可進行表面處理。表面處理於進一步提昇分散性之面上,以使用無機金屬氧化物之表面處理為宜,亦即,使該無機金屬氧化物附於氧化鈦之表面之表面處理為理想者。作為表面處理所使用之無機金屬氧化物者,於提昇分散性之面上,以氧化鋁為特別理想者。另外,施予該表面處理之氧化鈦填充物之表面處理後之體積平均粒徑為0.27~0.4μm範圍者宜,較佳者為0.27~0.37μm範圍,更佳者為0.27~0.32μm範圍,最理想者為0.27~0.30μm範圍。
本發明所使用之氧化鈦填充物其分散性高者佳。未必一定使用表面處理之氧化鈦填充物,而通常表面處理之氧化鈦填充物多半其凝聚少,易於使用,較為理想。作為提高氧化鈦填充物分散性之方法例者,如上述之表面處理例,而並未受限於其,亦可以其他方法提昇分散性。
用於成份(B)之氧化鈦填充物之製造方法為氯法者宜,以氯化所製造之含氧化鈦之氧化鈦填充物作為成份(B)特別理想。簡單說明該經由氯法之氧化鈦填充物之製造係,使鈦源之鑛石(金紅石鑛、鈦鐵鑛所得之合成金紅石等)與氯於1000℃附近進行反應,作成粗四氯化鈦,以精餾精製該粗四氯化鈦後,使取得之四氯化鈦以氧進行氧化得到氧化鈦之方法。該氯法可取得理想結晶型之金紅石型的氧化鈦。而,將以氧進行氧化之步驟(氧化步驟)之條件經由最適化,容易取得呈較為白色度之良好的氧化鈦,含有該氧化鈦之氧化鈦填充物特別適用於本發明之成份(B)。又,氧化步驟之條件經由最適化後,抑制粗大粒子之生成,亦有容易得到適用於本發明成份(B)所得到之體積平均粒徑之氧化鈦填充物之優點。另外,將如此以氯法所製造之氧化鈦進行公知之分級操作後,亦可篩選作為本發明成份(B)之理想的體積平均粒徑之氧化鈦(氧化鈦填充物)。
可作為成份(B)使用之氧化鈦填充物之市售品例者,如:石原產業(股份)之「TIPAQUE CR-58」、Teica(股份)之「TITANIX JR-301、WP0042」等例。另外,該「TIPAQUE CR-58」係以氯法所製造之氧化鈦所成者,「TITANIX JR-301、WP0042」係以稱為硫酸法之製造方法所製造之氧化鈦所成者。
本發明樹脂組成物為含有成份(A)及(B)者,該樹脂組成物中成份(A)及(B)之配合比例如上述。以下針對該樹脂組成物進行說明。
該樹脂組成物中,於必要時亦可添加成份(B)以外之填充劑(以下稱「其他填充劑」)。
此時,其他填充劑的添加量,對於100質量份之液晶聚酯而言,為5~100質量份者宜,更佳者為5~90質量份。當其他填充劑之添加量超出100質量份時,則反射板色調下降,樹脂組成物之熔融黏度變高,易使造粒性惡化,使小型之反射板成形時,有成形加工性降低之傾向。另外,使用其他填充劑時以無機填充劑為宜。
作為該無機填充劑者,如:氧化鋅、硫化鋅、鉛白等之氧化鈦以外之白色顏料、玻璃纖維、碳纖維、金屬纖維、氧化鋁纖維、硼纖維、鈦酸鹽纖維、矽灰石、石棉等之無機纖維、二氧化矽、碳酸鈣、氧化鋁、氫氧化鋁、陶土、滑石、黏土、雲母、玻璃片、玻璃球、中空玻璃球、白雲石,各種金屬粉末、硫酸鋇、鈦酸鉀、燒石膏等之粉末、碳化矽、氧化鋁、硼氮化物、硼酸鋁、氮化矽等之粉粒狀、板狀、晶鬚狀之無機化合物等例。
其中,為了不使反射板之反射率明顯下降,提高反射板之焊接強度,又以使用玻璃纖維、鈦酸鹽纖維、矽灰石等之無機纖維、二氧化矽、硼酸鋁、氧化矽等之粉粒狀、板狀、晶鬚狀之無機化合物、滑石為較佳者。又,此理想之無機填充劑亦可降低液晶聚酯之特有的源於分子鏈定向性之成形收縮率、機械物性之異向性,故有利於反射板之製造。
又,該無機填充劑中亦有使用黏合劑,而由抑制降低色調之面視之,所使用黏合劑量較少者宜。
另外,本發明之樹脂組成物中,在不損及本發明效果之範圍下,亦可至少添加1種氟樹脂、高級脂肪酸酯化合物、脂肪酸金屬皂類等之脫模改良劑;染料、顏料等之著色劑;抗氧化劑;熱穩定劑;螢光增白劑;紫外線吸收劑;靜電防止劑;界面活性劑等之一般的添加劑。又,亦可添加高級脂肪酸、高級脂肪酸酯、高級脂肪酸金屬鹽、氟碳系界面活性劑等之具有外部潤滑效果者。
本發明之樹脂組成物係混合成份(A)、成份(B)及必要時所使用之其他無機填充材料所得,其製造方法並未特別限定。如:使用高速攬拌式混合器、滾筒混合器等進行混合後,使用擠壓機進行熔融混煉之方法例,經由該熔融混煉,使樹脂組成物進行顆粒化取得亦可。進行該顆粒化取得之樹脂組成物其操作性良好,可依作為目的之零件的形狀擴大理想成形方法之選擇幅度。
本發明之反射板係可藉由本發明樹脂組成物各種慣用之成形方法進行熔融成形所取得。作為成形方法者,如:射出成形法、射出壓縮成形法、擠壓成形法等例。特別以射出成形法為最佳,射出成形法所得到之成形體可取得具有輕薄部份之複雜形狀的成形體。本發明樹脂組成物特別適用於具有0.01mm~3mm輕薄部份、較佳者為0.02~2mm之較薄部份,更佳者為0.05~1mm之輕薄部份之小型反射板之製造。
射出成形等之熔融成形相關之成形溫度為高於熔融成形所使用之樹脂組成物之流動開始溫度10~60℃之溫度者宜。當成形溫度低於該溫度範圍則流動性容易降低,導致成形性不良、反射板之強度降低。又,成形溫度若超出上述溫度範圍,則液晶聚酯明顯惡化,產生反射板之反射率下降之傾向。另外,樹脂組成物之流動開始溫度係相同於作為液晶聚酯流動溫度之測定方法所說明之方法,可利用毛細管型電流計求取之。
本發明之反射板對於可見光領域之光線之反射率,特別是對於藍色光之反射率極佳。具體而言,可製造對於波長460nm之光線之反射率為具有70%以上反射率之反射板。該反射率為75%以上者較佳,更佳者為80%以上。另外,此所謂反射率係指以JIS K7105-1981總光線反射率測定法A(標準白色板:硫酸鋇)為基準所求出者。
本發明之反射板於電氣、電子、汽車、機械等領域下,適用於光反射、特別是可見光反射相關構件。如:適用於使用鹵素燈、HID等之光源裝置之燈反射板、LED、有機EL等之發光元件之發光裝置、顯示裝置之高強度之反射板。特別是適用於使用LED之發光裝置所使用之反射板。
以下藉由實施例進行本發明更詳細之說明,惟本發明並未受限於此等量施例。又,實施例中之物性測定依以下所示方法進行。
對於64mm×64mm×1mm之反射板試驗片表面,使用自記分光光度計(U-3500:(股份)日立製作所製)進行對於波長光(測定波長:460nm)之擴散反射率之測定。另外,反射率係使硫酸鋇之標準白板之擴散反射率為100%時之相對值。
利用射出成形機,由樹脂組成物使長度64mm、寬12.7mm、厚度6.4mm,試驗片成形,以ASTM D256為基準進行測定。
另外,於實施例、比較例為取得反射板之試驗片,所使用之填充劑如下。
TIPAQUE CR-60(石原產業(股份)製、含有以氯法所製造之氧化鈦、氧化鋁表面處理品,平均粒徑0.21μm;以下稱為「CR-60」)。
TIPAQUE CR-50(石原產業(股份)製、含有以氯法所製造之氧化鈦、氧化鋁表面處理品,平均粒徑0.25μm;以下稱為「CR-50」)。
SR-1(堺化學(股份)製、含有以硫酸法所製造之氧化鈦、氧化鋁表面處理品,平均粒徑0.26μm;以下稱為「SR-1」)。
TIPAQUE CR-58(石原產業(股份)製、含有以氯法所製造之氧化鈦、氧化鋁表面處理品,平均粒徑0.28μm;以下稱為「CR-58」)。
TITANIX JR-301(TAYCA(股份)製、含有以硫酸法所製造之氧化鈦、氧化鋁表面處理品,平均粒徑0.30μm;以下稱為「JR-301」)。
TITANIX WP0042(TAYCA(股份)製、含有以硫酸法所製造之氧化鈦、氧化鋁表面處理品,平均粒徑0.34μm;以下稱為「WP0042」)。
TITANIX JR-1000(TAYCA(股份)製、含有以硫酸法所製造之氧化鈦、氧化鋁表面處理品,平均粒徑1.0μm;以下稱為「JR-1000」)。
EFH75-01(Central glass(股份)製:以下稱為「EFH75」)。
EFDE50-01(Central glass(股份)製:以下稱為「EFDE50」)。
CS03JAPX-1(旭纖維玻璃(股份)製;以下為「CS03」)。
於具備攪拌裝置、轉矩計、氮氣導入管、溫度計及迴流冷卻器之反應器中置入994.5g(7.2莫耳)之對羥基苯甲酸、446.9g(2.4莫耳)之4,4'-二羥基聯苯、299.0g(1.8莫耳)之對苯二甲酸酯、99.7g(0.6莫耳)之異鄰苯二甲酸、及1347.6g(13.2莫耳)之乙酸酐,再添加0.2g之1-甲基咪唑使反應器內充分被氮氣取代後,於氮氣氣流下,進行30分鐘昇溫至150℃為止,維持同溫度,迴流1小時。
之後,添加1-甲基咪唑0.9g,餾去副產物乙酸,未反應之乙酸酐,同時進2小時50分鐘昇溫至320℃,出現轉矩上昇時結束反應,取得預聚體。
所得之預聚體係冷卻至室溫,以粗粉碎機進行粉碎後,氮氣雰圍下,1小時昇溫由室溫至250℃,再以5個小時,由250℃昇溫至285℃,於285℃下維持3小時後,進行固相聚合。所得液晶聚酯之流動開始溫度為327℃。作成該取得之液晶聚酯1。
對於所得液晶聚酯1,使氧化鈦填充物及玻璃纖維依表1所示配合比例配合後,利用雙軸擠壓機(池貝鐵工(股份)製,PCM-30),得到樹脂組成物。將所得樹脂組成物於射出成形機(日精樹脂工業(股份)製,PS40E5ASE型)以340℃進行成形,取得尺寸64mm×64mm×1mm之反射板試驗片及懸臂式撞擊強度測定用試驗片。該試驗片為測定之用。結果示於表1。又,反射板試驗片之成形中使用鏡面加工之塑模。
對於實施例1所使用之液晶聚酯1,使氧化鈦填充物及玻璃纖維依表1或表2所示配合比例進配合後,取得相同於實施例1之試驗片,進行各種測定。結果示於表1或表2。
於具備攪拌裝置、轉矩計、氮氣導入管、溫度計及迴流冷卻器之反應器中,置入994.5g(7.2莫耳)之對羥基苯甲酸、446.9g(2.4莫耳)之4,4'-二羥基聯苯、358.8g(2.16莫耳)之對苯二甲酸、39.9g(0.24莫耳)之異鄰苯二甲酸、及1347.6g(13.2莫耳)之乙酸酐,更添加0.2g之1-甲基咪唑,使反應器內充分被氮氣取代後,氮氣氣流下,進行30分鐘昇溫至150℃,維持同溫度,迴流1小時。
之後,餾去副產物乙酸,未反應之乙酸酐,同時進行2小時50分鐘昇溫至320℃,當出現轉矩上昇時,結束反應,得到預聚體。
所得之預聚體冷卻至室溫,以粗粉碎機粉碎後,氮氣雰圍下,由室溫至250℃昇溫1小時,再以5小時由250℃昇溫至305℃,於305℃下維持3小時後,進行固相聚合。所得之液晶聚酯之流動開始溫度為357℃。作成此取得之液晶聚酯2。
對於所得之液晶聚酯2,使氧化鈦填充物及玻璃纖維依表1所示之配合比例配合後,取得相同於實施例1之反射板試驗片及懸臂式撞擊強度測定用試驗片,進行各種測定。結果示於表1。
對於實施例2所使用之液晶聚酯2,使氧化鈦填充物及玻璃纖維依表1及表2所示之配合比例配合後,取得相同於實施例2之試驗片,進行各種測定。結果示於表1或表2。
Claims (7)
- 一種使樹脂組成物進行成形所成之反射板,其特徵為樹脂組成物含有以下的成份(A)及(B):(A)液晶聚酯(B)體積平均粒徑為0.27~0.4μm之氧化鈦填充物所成,前述成份(B)係以氧化鋁對氧化鈦進行表面處理所成之氧化鈦填充物,對於100質量份之成份(A)而言,成份(B)為5~110質量份。
- 如申請專利範圍第1項之反射板,其中成份(B)係含有經由氯法所製造之氧化鈦之氧化鈦填充物。
- 如申請專利範圍第1項之反射板,其更含有成份(B)以外之無機填充劑。
- 如申請專利範圍第1項之反射板,其係依JIS K7105-1981之總光線反射率測定法A(標準白色板:硫酸鋇)為基準所求出之於波長460nm的光線的反射率70%以上。
- 一種反射板之製造方法,其特徵係(i)得到含有以下之成份(A)及(B):(A)液晶聚酯(B)體積平均粒徑為0.27~0.4μm之氧化鈦填充物所成,對於100質量份之成份(A)而言,成份(B)為5~110質量份之樹脂組成物,(ii)將得到之樹脂組成物進行射出成形。
- 一種發光裝置,其特徵係具備:申請專利範圍第1 項之反射板與發光元件。
- 如申請專利範圍第6項之發光裝置,其中發光元件為LED。
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