TWI513063B - 發光裝置及發光裝置之製造方法 - Google Patents

Description

發光裝置及發光裝置之製造方法

本發明係關於一種可用於LED(Light Emitting Diode，發光二極體)燈等照明器具、顯示裝置、照明器具、顯示器、液晶顯示器之背光光源等之發光裝置及其製造方法。

近年來，提出有各種電子零件，且已得到實用化，對該等電子零件所要求之性能亦變高。以發光二極體(LED：Light Emitting Diode)為首之發光裝置亦相同，於一般照明領域、車輛照明領域等中所要求之性能日益提高，要求進一步之高輸出(高亮度)化、高可靠性。進而，亦要求一方面滿足該等特性，一方面以低價供給。

作為發光裝置，已知有如下之發光裝置：例如，於絕緣構件上，分別於不同之區域形成鍍Au及鍍Ag，將與Au金屬線之密接性良好的鍍Au用作電極面，將高反射性之鍍Ag用作反射面，藉此使光之提取效率提高(例如，參照專利文獻1)。

於如上述般形成材料不同之電鍍層之情形時，在形成電鍍層之區域中，獨立地設置鍍Au用及鍍Ag用之兩種導電層作為電解電鍍用之導電層，僅使一方之導電層通電並分別進行電解電鍍，藉此可容易地於不同區域形成不同材料之電鍍層。而且，使電解電鍍用之導電層露出於絕緣構件之側面或背面等藉由電鍍裝置而易於通電之位置。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2004-319939號公報(參照圖1、圖3)

然而，於先前之技術中，存在以下所述之問題。

近年來，要求發光裝置進一步高輸出化。而且，為了投入大電流來實現高輸出化，重要的是抑制發光裝置之溫度上升，例如，將發光裝置載置於散熱性較高之金屬體上。上述先前之發光裝置通常係將複數個發光裝置安裝於1個安裝基板上，進而將該安裝基板載置於金屬體上。

然而，上述先前之發光裝置係將高反射性之鍍Ag用於反射面，因此可提高光之提取效率，但與電極電性連接之導電層露出於絕緣構件之側面或背面，故而無法使側面或背面接近金屬體。即便於導電層僅露出於絕緣構件之側面之情形時，若使絕緣構件之背面與金屬體接觸並加以驅動，則亦存在因沿面放電而短路之虞。

本發明係鑒於上述問題點而完成者，其課題在於提供一種可提高光輸出、且可直接載置於金屬體上之發光裝置及發光裝置之製造方法。

為解決上述課題，本發明之發光裝置之特徵在於：其包括基板；金屬膜，其設置於上述基板上之安裝區域中；發光部，其包含載置於上述金屬膜上之複數個發光元件；金屬構件，其構成形成於上述基板上，分別具有焊墊部及配線部，並經由該配線部而對上述發光元件施加電壓之正極及負極；以及電鍍用配線，其連接於上述金屬膜，且延設至上述基板之側面為止；上述金屬膜與上述金屬構件係獨立地設置，上述正極之配線部及上述負極之配線部係沿上述安裝區域而形成於周圍，且上述金屬構件係自上述基板之周緣離開而形成於上述基板之上述安裝區域側。

根據此種構成，因於發光元件之安裝區域中設置有金屬膜，故而光之提取效率(反射效率)提高。又，金屬膜與金屬構件(電極層)係分別獨立地設置，且金屬構件係設置於遠離基板之側面或背面之位置，因此於已驅動發光裝置時可防止由沿面放電所引起的短路。

較佳為上述電鍍用配線係設置於上述基板之內部，並經由形成於上述基板上之通孔而與上述金屬膜導通。

根據此種構成，金屬構件之配置並未受到限制，可將電鍍用配線延伸至基板之側面。藉此，由於電鍍用配線未配置於基板之上表面，故而發光裝置之設計並無限制。進而，將導熱率較作為絕緣構件之基板更高的電鍍用配線配置於基板內部，藉此提高散熱性。

進而，較佳為上述基板之內部之電鍍用配線之一部分自上述基板之側面露出。

根據此種構成，可進一步提高散熱性。

較佳為上述基板係以具有一方之對向之一對邊、及另一方之對向之一對邊的特定形狀而形成，上述正極之焊墊部及上述負極之焊墊部係沿著上述一方之對向之邊而形成，上述電鍍用配線係朝向上述另一方之對向之邊而延設。又，較佳為於俯視下，上述正極之焊墊部及上述負極之焊墊部未與上述電鍍用配線重複。

根據如上所述之構成，不以電鍍用配線為中繼點對焊墊部放電，而可防止由該放電所引起之短路。

進而，較佳為上述金屬膜對於上述發光元件之發光之反射率較上述金屬構件更高，且較佳為將Ag用於上述金屬膜，將Au用於上述金屬構件。

根據此種構成，金屬膜之反射率較金屬構件之反射率更高，藉此提高來自安裝區域之光之提取效率。尤其，將光反射率較高之Ag用於上述金屬膜，將Au用於上述金屬構件，藉此進一步提高光之提取效率。

較佳為上述發光裝置沿著上述安裝區域之周緣，以至少覆蓋上述配線部之方式形成反光樹脂，且於上述反光樹脂之內側，填充有包覆上述發光元件及上述金屬膜之透光性之密封構件。

根據此種構成，以包圍安裝區域之周圍之方式形成反光樹脂，藉此朝向基板之安裝區域之周圍之光亦可由反光樹脂反射。因此，可減輕出射光之損耗，可使發光裝置之光之提取效率提高。而且，於反光樹脂之內側填充有密封構件，藉此保護反光樹脂之內側之構件。

本發明之發光裝置之製造方法之特徵在於包括：基板製作步驟，製作形成有電鍍用配線之基板；電鍍步驟，於形成有上述電鍍用配線之基板上，藉由無電解電鍍而形成構成正極及負極之金屬構件，並且於上述基板上之安裝區域中，藉由電解電鍍而形成金屬膜；黏晶步驟，將發光元件載置於上述金屬膜上；以及打線接合步驟，於上述黏晶步驟之後，藉由金屬線而將上述正極及上述負極與上述發光元件之電極端子電性連接。

根據此種發光裝置之製造方法，於電鍍步驟中，可藉由無電解電鍍而將金屬構件設置於遠離基板之側面或背面之位置，且可藉由電解電鍍而將金屬膜設置於發光元件之安裝區域中。因此，可提供一種於驅動發光裝置時不會產生由沿面放電所引起之短路、且光之提取效率提高的發光裝置。

上述電鍍步驟之特徵在於：藉由無電解電鍍而形成構成上述正極及上述負極之金屬構件，並且於上述安裝區域中亦形成金屬構件，其後，於上述安裝區域之金屬構件上，藉由電解電鍍而形成金屬膜。

根據此種發光裝置之製造方法，藉由無電解電鍍而形成金屬構件後，藉由電解電鍍而於安裝區域之金屬構件上形成金屬膜，故而無需使用遮罩等，且金屬膜之平坦性提高。

本發明之發光裝置之製造方法之特徵在於包括反光樹脂形成步驟，該步驟係於上述打線接合步驟之後，沿著上述安裝區域之周緣，以至少覆蓋上述正極及上述負極之配線部之方式形成反光樹脂。

進而，本發明之發光裝置之製造方法之特徵在於包括密封構件填充步驟，該步驟係向上述反光樹脂之內側，填充包覆上述發光元件與上述金屬膜之透光性之密封構件。

根據此種發光裝置之製造方法，由於可形成反光樹脂及密封構件，因此可提供一種光之提取效率進一步提高之發光裝置、或耐久性更優異之發光裝置。

根據本發明之發光裝置，藉由設置於發光元件之安裝區域中之金屬膜而提高光之提取效率，因此可使發光裝置之光輸出提高。又，將正極及負極設置於遠離基板之側面或背面之位置，故而即便使發光裝置與金屬體接觸，亦可防止由沿面放電所引起之短路。因此，可將發光裝置直接載置於金屬體上。進而，將電鍍用配線延設至基板之側面為止，藉此可使散熱性提高。

根據本發明之發光裝置之製造方法，可製造高輸出、且可直接載置於金屬體上之發光裝置。尤其，於藉由無電解電鍍而形成金屬構件之後，藉由電解電鍍而形成金屬膜，藉此可簡化製造步驟，從而可使生產性提高。

以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態之發光裝置及發光裝置之製造方法進行說明。再者，為使說明變得明確，各圖式所示之構件之尺寸及位置關係等有誇張。進而，於以下之說明中，相同之名稱、符號原則上表示相同或同質之構件，適當省略詳細說明。又，於以下之說明中所參照之圖2、圖7中，為了表示各發光元件之方向，發光元件之p電極及n電極(參照圖3)僅圖示出安裝區域上之4個部位，安裝區域上之其他部位則省略圖示。

《發光裝置》

一面參照圖1~圖5，一面對本發明之實施形態之發光裝置100進行詳細說明。於以下之說明中，首先對發光裝置100之整體構成進行說明，其後對各構成進行說明。再者，為便於說明，圖2之正視圖中用線僅表示反光樹脂6之外形，並以穿透之狀態而圖示。

<整體構成>

發光裝置100係用於LED燈等照明器具、顯示裝置、照明器具、顯示器、液晶顯示器之背光光源等之裝置。如圖1、圖2及圖4所示，發光裝置100主要具備如下構成：基板1；金屬膜30，其配置於基板1上之安裝區域1a中；複數個發光元件2，該等載置於金屬膜30上；金屬構件40，其構成形成於基板1上之正極3及負極4；電鍍用配線31，其連接於金屬膜30；金屬線W，其將發光元件2或保護元件5等電子零件與正極3或負極4等加以連接。此處，進而具備配置於正極3上之保護元件5、形成於基板1上之反光樹脂6、以及被封入於安裝區域1a中之密封構件7。

<基板>

基板1係用以配置發光元件2或保護元件5等電子零件者。如圖1及圖2所示，基板1形成為矩形平板狀。又，於基板1上，如圖2所示區劃有用以配置複數個發光元件2之安裝區域1a。再者，基板1之尺寸並無特別限定，可根據發光元件2之數量等目的及用途而適當選擇。

作為基板1之材料，較佳為使用絕緣性材料，且較佳為使用自發光元件2發出之光或外光等難以穿透之材料。又，較佳為使用具有某種程度之強度之材料。具體而言，可列舉：陶瓷(Al₂ O₃ 、AlN等)、酚樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、BT樹脂(bismaleimide triazine resin，雙馬來醯亞胺三嗪樹脂)、聚鄰苯二甲醯胺(PPA，Polyphthalamide)等樹脂。

<安裝區域>

安裝區域1a係用以配置複數個發光元件2之區域。如圖2所示，安裝區域1a被區劃成基板1之中央之區域。安裝區域1a係以具有彼此對向之邊之特定形狀而形成，更具體而言，形成為使角部變圓之大致矩形狀。再者，安裝區域1a之尺寸或形狀並無特別限定，可根據發光元件2之數量或排列間隔等目的及用途而適當選擇。

於正面觀察圖2之情形時，在安裝區域1a之周圍，沿著安裝區域1a之左側之邊形成有配線部3b之一部分及配線部4b之一部分，沿著安裝區域1a之下側之邊形成有配線部4b之一部分，沿著安裝區域1a之右側之邊形成有中繼配線部8。再者，如圖2所示，此處之安裝區域1a之周圍係指與安裝區域1a之周緣隔開特定間隙之周圍。

安裝區域1a係於安裝區域1a上形成使光反射之金屬膜30，並經由該金屬膜30而配置複數個發光元件2。藉由如上述般於安裝區域1a上形成金屬膜30且於其上配置複數個發光元件2，例如於圖4中，朝向基板1之安裝區域1a側之光亦可由金屬膜30反射。因此，可減輕出射光之損耗，從而可使發光裝置100之光之提取效率提高。

<金屬膜>

金屬膜30係用以使自發光元件2出射之光反射之層，其設置於基板1上之安裝區域1a中。

形成於安裝區域1a上之金屬膜30係可藉由電解電鍍而形成。作為金屬膜30之材料，只要係可進行電鍍者，則並無特別限定，例如可使用Au(金)。Au具備易於吸收光之特性，但例如藉由於鍍Au之表面進而形成TiO₂ 膜，可提高光反射率。

然而，較佳為金屬膜30係以對於發光元件2之發光之反射率較金屬構件40更高的材料構成。例如較佳為將Au用於金屬構件40，將Ag(銀)用於金屬膜30。Ag之光反射率較Au更高，故而可使光之提取效率提高。再者，形成於安裝區域1a上之金屬膜30之厚度並無特別限定，可根據目的及用途而適當選擇。又，金屬膜30與金屬構件40係獨立地設置。即，該等未電性連接。

再者，於本實施形態中，如圖1及圖4所示，呈如下之構成：於安裝區域1a之上部填充有下述之密封構件7，從而保護安裝區域1a上之複數個發光元件2、及連接於該複數個發光元件2之金屬線W免於受塵垢、水分、外力等之影響。

<發光元件>

發光元件2係藉由施加電壓而自發光之半導體元件。如圖2所示，於基板1之安裝區域1a上配置有複數個發光元件2，該複數個發光元件2成為一體而構成發光裝置100之發光部20。再者，發光元件2藉由未圖示之接合構件而與安裝區域1a接合，作為其接合方法，可採用例如使用樹脂或焊錫膏作為接合構件之接合方法。再者，圖示之發光部20係表示僅使發光元件2載置之區域者，發光部20中之發光當然係指自發光元件2發出之光。

如圖3所示，發光元件2各自形成為矩形狀。又，如圖3所示，發光元件2係於其上表面之一側設置有p電極2A、於發光元件2之另一側設置有n電極2B之面朝上(FU，face up)元件。本實施形態中，將載置發光元件2之金屬膜30與構成正極3及負極4之金屬構件40分開配置，因此較佳為使用如圖3所示般將p電極與n電極形成於同一面側之發光元件2，並將與電極形成面相反側之面接著於金屬膜30。

如圖3所示，p電極2A及n電極2B分別具備：作為電極端子之p側焊墊電極(p焊墊電極)2Aa及n側焊墊電極(n焊墊電極)2Ba、以及作為用以使投入至發光元件2之電流整體擴散之輔助電極的延伸導電部2Ab、2Bb。再者，發光元件2中，只要至少p焊墊電極2Aa與n焊墊電極2Ba位於同一面側即可，亦可不設置延伸導電部2Ab、2Bb。又，雖然省略了圖示，但發光元件2於側視時，具有使包含n型半導體層及p型半導體層之複數個半導體層積層而成之構造。

作為發光元件2，具體而言，較佳為使用發光二極體，可根據用途而選擇任意波長者。例如，作為藍色(波長為430 nm~490 nm之光)、綠色(波長為490 nm~570 nm之光)之發光元件2，可使用ZnSe、氮化物系半導體(In_X Al_Y Ga_1-X-Y N，0≦X，0≦Y，X+Y≦1)、GaP等。又，作為紅色(波長為620 nm~750 nm之光)之發光元件2，可使用GaAlAs、AlInGaP等。

又，如下所述，於將螢光物質導入至密封構件7(參照圖1)中之情形時，較佳為使用可高效地激發該螢光物質且可進行短波長之發光之氮化物半導體(In_X Al_Y Ga_1-X-Y N，0≦X，0≦Y，X+Y≦1)。但是，發光元件2之成分組成或發光色、尺寸等並不限定於以上所述，可根據目的而適當選擇。又，發光元件2不僅可藉由輸出可見光區域之光之元件構成，亦可藉由輸出紫外線或紅外線之元件而構成。又，為了實現高輸出化，發光元件2之個數例如設定為10個以上，20~150個左右。

如圖2所示，發光元件2係於安裝區域1a上，在縱方向及橫方向上分別等間隔地排列，此處，配置有縱8個×橫5個之共計40個發光元件2。又，發光元件2如圖2所示，相對於安裝區域1a在橫方向及縱方向上鄰接之發光元件2彼此藉由導電性之金屬線W而電性連接，且進行串聯連接及並聯連接。再者，此處之串聯連接如圖2所示，係指鄰接之發光元件2中之p電極2A與n電極2B藉由金屬線W而電性連接之狀態。又，此處之並聯連接如圖2所示，係指鄰接之發光元件2中之p電極2A彼此或n電極2B彼此藉由金屬線W而電性連接之狀態。

如圖2所示，發光元件2係以如下方式排列：於正極3之配線部3b與中繼配線部8之間，複數個發光元件2之p電極2A朝向作為安裝區域1a之一方向的左側、或者複數個發光元件2之n電極2B朝向作為安裝區域1a之另一方向的右側。

又，如圖2所示，發光元件2係以如下方式排列：於負極4之配線部4b與中繼配線部8之間，複數個發光元件2之p電極2A朝向作為安裝區域1a之另一方向的右側，且複數個發光元件2之n電極2B朝向作為安裝區域1a之一方向的左側。即，發光元件2係以如下方式配置：於對圖2進行俯視之情形時，其方向以中繼配線部8為邊界而反轉。

於實施形態之發光裝置100中，如上述般在安裝區域1a之周圍形成有中繼配線部8，且將發光元件2配置成方向以該中繼配線部8為邊界而反轉，藉此連接發光元件2彼此之配線不會變得複雜，於安裝區域1a之有限之面積內，可使串聯連接及並聯連接之發光元件2之數量增加。進而，於安裝區域1a之有限之面積內，可緊密地配置複數個發光元件2，從而可獲得消耗電力相對於固定之亮度提高之發光裝置100、或者發光效率相對於固定之消耗電力提高之發光裝置100。再者，於實施形態之發光裝置100中，如圖2所示，將4個發光元件2並聯連接，並且將10行之該並聯連接加以串聯連接。

<金屬構件(正極及負極)>

金屬構件40係構成正極3及負極4者，其係用以將基板1上之複數個發光元件2或保護元件5等電子零件與外部電源進行電性連接，並對該等電子零件施加來自外部電源之電壓者。即，金屬構件40(正極3及負極4)係用以自外部進行通電之電極、或承擔作為其一部分之功能者。

如圖2所示，正極3及負極4係以如下方式構成：具有大致矩形狀之焊墊部(供電部)3a、4a及線狀之配線部3b、4b，並將施加至焊墊部3a、4a之電壓經由配線部3b、4b而施加至構成發光部20之複數個發光元件2。再者，如圖2所示，於負極4之配線部4b上形成有表示其係陰極之陰極標記CM。

焊墊部3a、4a係用以被施加來自外部電源之電壓者。如圖2所示，於基板1上之角部之對角線之位置上，形成有一對焊墊部3a、4a。而且，焊墊部3a、4a係藉由導電性之金屬線而與未圖示之外部電源電性連接。

配線部3b、4b係用以將自外部電源施加至焊墊部3a、4a之電壓朝安裝區域1a上之發光元件2傳遞者。如圖2所示，配線部3b、4b係以自焊墊部3a、4a延伸之方式形成，並且於安裝區域1a之周圍以大致L字狀而形成。

如圖2所示，配線部3b之一端部與配線部4b之一端部係沿著安裝區域1a而於其周圍以彼此鄰接之方式形成。如此，將正極3及負極4之配線部3b、4b形成於安裝區域1a之周圍，且使其一端部鄰接而形成，藉此即便於如發光裝置100般將複數個發光元件2配置在基板1上之情形時，亦可將下述之保護元件5配置於適當之位置。因此，可防止正負兩電極間之電壓成為齊納電壓以上，可適當地防止因施加過大之電壓而產生發光元件2之元件損壞或性能劣化。

進而，金屬構件40係形成於基板1之上表面，並且自基板1之周緣離開而形成於安裝區域1a側。即，自基板1之周緣略微離開而設置於安裝區域1a側。於基板1之上表面、且自基板1之周緣離閉而設置金屬構件40，藉此可使正極3及負極4自基板1之側面及背面離開，從而於已驅動發光裝置100時可防止由沿面放電所引起之短路。

更具體而言，配線部3b、4b較佳為以其一端部於圖2所示之大致矩形狀之安裝區域1a之一邊的範圍內彼此鄰接之方式形成。如此，以於安裝區域1a之一邊之範圍內鄰接之方式形成配線部3b、4b，藉此可確保用以將配線部3b、4b與發光元件2電性連接之金屬線W之設置面積。因此，可增加與配線部3b、4b連接之發光元件2之數量，即成為串聯連接及並聯連接之起點及終點之發光元件2之數量，從而可使安裝區域1a上之發光元件2之串聯連接及並聯連接之行數增加。而且，藉由如上述般使串聯連接及並聯連接之行數增加，於安裝區域1a之有限之面積內，可緊密地配置複數個發光元件2，從而可獲得消耗電力相對於固定之亮度提高之發光裝置100、或者發光效率相對於固定之消耗電力提高之發光裝置100。

再者，配線部3b、4b更佳為以於圖2所示之大致矩形狀之安裝區域1a之一邊之範圍內的中間地點，其一端部彼此鄰接之方式形成。藉此，如圖2所示，可使配線部3b及中繼配線部8間之串聯連接之行數、與配線部4b及中繼配線部8間之串聯連接之行數一致，因此於安裝區域1a之有限之面積內，可緊密地配置複數個發光元件2，從而可獲得消耗電力相對於固定之亮度提高之發光裝置100、或者發光效率相對於固定之消耗電力提高之發光裝置100。

構成正極3及負極4之金屬構件40之素材較佳為使用Au。其原因在於：如下所述，於使用導熱性已提高之Au作為金屬線W之材料的情形時，可將同素材之金屬線W牢固地接合。

作為構成正極3及負極4之金屬構件40之形成方法，藉由無電解電鍍而形成。再者，構成正極3及負極4之金屬構件40之厚度並無特別限定，可根據金屬線W之數量等目的及用途而適當選擇。

此處，如圖1及圖2所示，配線部3b、4b之一部分由下述之反光樹脂6覆蓋。因此，即便於如上述般利用易於吸收光之Au形成配線部3b、4b之情形時，自發光元件2出射之光亦不會到達配線部3b、4b而由反光樹脂6反射。因此，可減輕出射光之損耗，可使發光裝置100之光之提取效率提高。

進而，由於利用反光樹脂6覆蓋配線部3b、4b之一部分，因此可保護該金屬線W免於受塵垢、水分、外力等之影響。再者，如圖2所示，此處之配線部3b、4b之一部分係指配線部3b、4b之中，位於安裝區域1a之周圍且沿著安裝區域1a之邊而形成之部分。

<電鍍用配線>

電鍍用配線31係用以藉由電解電鍍而形成金屬膜30者，其一端連接於金屬膜30，並且另一端延設至基板1之側面。

藉此，可自基板1之側面與外部之電流源連接，藉由使電流流入至電鍍用配線31中，可進行電解電鍍。電鍍用配線31之材料只要係具有導電性者，則並無特別限定，可使用例如W、Ag。

此處，如圖5所示，電鍍用配線31係設置於基板1之內部，並經由形成於基板1上之通孔SH而與金屬膜30導通(參照圖2)。由藉由將電鍍用配線31配置於基板1之內部，可不受基板1上之金屬構件40之配置的限制，而將電鍍用配線31延伸至基板1之側面。又，藉由將導熱率較作為絕緣構件之基板1更高的電鍍用配線31配置於基板1之內部，可使散熱性提高。如圖5(b)所示，電鍍用配線31與金屬膜30之連接只要藉由向通孔SH內填充導電性構件32而進行即可。再者，於圖5(b)中，為方便起見，僅以虛線部表示導電性構件32。作為導電性構件32，可使用W、Ag等。導電性構件32可與電鍍用配線31以同一材料一體地形成。再者，電鍍用配線31之寬度與通孔SH之寬度可如圖5(b)所示設為相同，但亦可使通孔SH之寬度小於電鍍用配線31之寬度。

此處，所謂自側面露出，如圖5所示，係指以使電鍍用配線31之剖面與基板1之側面平行之方式僅露出剖面、或者電鍍用配線31於自基板1之側面略微(例如1~8 μm左右)進入至基板1之內側(安裝區域1a側)之位置處露出、或者電鍍用配線31之一部分自基板1之側面露出。其中，特佳為電鍍用配線31之一部分自基板1之側面露出。例如，將電鍍用配線31之端部配置在與基板1之側面相同之平面上。藉此，電鍍用配線31之側面亦曝露於外部空氣中，故而可使散熱性進一步提高。又，自防止短路之觀點而言，如圖5所示，較佳為將電鍍用配線31設置於作為絕緣構件之基板1之內部。藉此，於將基板1之背面載置於金屬體上之情形時，金屬體與電鍍用配線31不接觸，故而可防止經由電鍍用配線31之短路。

進而，較佳為以具有一方之對向之一對邊、及另一方之對向之一對邊的特定形狀形成基板1，並沿著上述一方之對向之邊形成正極3之焊墊部3a與負極4之焊墊部4a，且使電鍍用配線31朝上述另一方之對向之邊延設。即，如圖2所示，例如將基板1形成為長方形，將焊墊部3a、4a以其長度方向沿著基板1之一方之對向之一對邊的方式(成平行之方式)形成為大致矩形狀。進而，如圖5所示，使電鍍用配線31朝與該邊成直角之另一方之對向之一對邊延設、即以沿著焊墊部3a、4a之長度方向之方式(成平行之方式)形成電鍍用配線31。

進而，較佳為以於俯視時正極3之焊墊部3a與負極4之焊墊部4a與電鍍用配線31不重複之方式，進行該等之配置。即，較佳為於自上面觀察發光裝置100之情形時，焊墊部3a、4a與電鍍用配線31形成於在橫方向上錯開之位置上。

藉由設定為該等構成，於已驅動發光裝置100時，並未以電鍍用配線31為中繼點對焊墊部3a、4a放電，因此可防止由該放電所引起之短路。

<保護元件>

保護元件5係用以保護包含複數個發光元件2之發光部20遠離由施加過大之電壓所引起之元件損壞或性能劣化的元件。如圖2所示，保護元件5係配置於正極3之配線部3b之一端部。但是，保護元件5亦可配置於負極4之配線部4b之一端部。

具體而言，保護元件5係由若施加規定電壓以上之電壓則成為通電狀態之齊納二極體(Zener Diode)而構成。雖然省略了圖示，但保護元件5係與上述發光元件2同樣地具有p電極與n電極之半導體元件，其以相對於發光元件2之p電極2A與n電極2B成為反向並聯之方式，藉由金屬線W而與負極4之配線部4b電性連接。

藉此，即便對正極3與負極4之間施加過大的電壓且該電壓超過齊納二極體之齊納電壓，亦可將發光元件2之正負兩電極間保持為齊納電壓，而不會成為該齊納電壓以上。因此，藉由具備保護元件5，可防止正負兩電極間之電壓成為齊納電壓以上，可適當地防止因施加過大的電壓而產生發光元件2之元件損壞或性能劣化。

如圖2所示，保護元件5係由下述之反光樹脂6覆蓋。因此，可保護該保護元件5及連接於該保護元件5之金屬線W免於受塵垢、水分、外力等之影響。再者，保護元件5之尺寸並無特別限定，可根據目的及用途而適當選擇。

<反光樹脂>

反光樹脂6係用以使自發光元件2出射之光反射者。如圖2所示，反光樹脂6係以覆蓋配線部3b、4b之一部分，中繼配線部8，保護元件5及連接於該等之金屬線W之方式形成。因此，即便於如上述或下述般利用易於吸收光之Au形成配線部3b、4b，中繼配線部8及金屬線W之情形時，自發光元件2出射之光亦不會到達配線部3b、4b，中繼配線部8及金屬線W，而由反光樹脂6反射。因此，可減輕出射光之損耗，可使發光裝置100之光之提取效率提高。進而，藉由利用反光樹脂6覆蓋配線部3b、4b之一部分，中繼配線部8，保護元件5及連接於該等之金屬線W，可保護該等構件免於受塵垢、水分、外力等之影響。

如圖1及圖2所示，反光樹脂6係於基板1上以包圍形成有發光部20之安裝區域1a之方式，即沿安裝區域1a之周緣而形成為四角框狀。藉由如上述般以包圍安裝區域1a之周圍之方式形成反光樹脂6，例如，如自圖4之左右兩側所配置之發光元件2出射之光般，朝向基板1之安裝區域1a之周圍的光亦可由反光樹脂6反射。因此，可減輕出射光之損耗，可使發光裝置100之光之提取效率提高。

又，如圖2所示，反光樹脂6較佳為以覆蓋安裝區域1a之周緣之一部分之方式形成。如此，藉由以覆蓋安裝區域1a之周緣之一部分之方式形成反光樹脂6，不會在配線部3b、4b與安裝區域1a上之金屬膜30之間形成基板露出之區域。因此，可使自發光元件2出射之光於形成有反光樹脂6之內部之區域中全部反射，故而可最大限度地減輕出射光之損耗，可使發光裝置100之光之提取效率進一步提高。

作為反光樹脂6之材料，較佳為使用絕緣材料。又，為了確保某種程度之強度，可使用例如熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂等。更具體而言，可列舉：酚樹脂、環氧樹脂、BT樹脂、PPA或矽樹脂等。又，於成為該等之母體之樹脂中，分散難以吸收來自發光元件2之光、且相對於成為母體之樹脂之折射率差較大的反射構件(例如TiO₂ 、Al₂ O₃ 、ZrO₂ 、MgO)等之粉末，藉此可高效地使光反射。再者，反光樹脂6之尺寸並無特別限定，可根據目的及用途而適當選擇。又，於反光樹脂6之位置，亦可形成包含與樹脂不同之材料之光反射構件。

<密封構件>

密封構件7係用以保護配置於基板1上之發光元件2、保護元件5、金屬膜30及金屬線W等免於受塵垢、水分、外力等影響之構件。如圖1、圖2及圖4所示，密封構件7係藉由於基板1上，向反光樹脂6之內側，即由反光樹脂6所包圍之安裝區域1a內填充樹脂而形成。

作為密封構件7之材料，較佳為具有可使來自發光元件2之光穿透之透光性者。作為具體之材料，可列舉：矽樹脂^、 環氧樹脂、尿素樹脂等。又，除上述材料外，視需要亦可含有著色劑、光擴散劑、填料、螢光構件等。

再者，密封構件7可由單一之構件形成、或者亦可作為兩層以上之複數層而形成。又，密封構件7之填充量只要係包覆配置於由反光樹脂6所包圍之安裝區域1a內之發光元件2、保護元件5、金屬膜30及金屬線W等之量即可。又，於使密封構件7具備透鏡功能之情形時，亦可使密封構件7之表面隆起而形成為炮彈型形狀或凸透鏡形狀。

<螢光構件>

於密封構件7中，亦可含有吸收來自發光元件2之光之至少一部分並發出具有不同波長之光之螢光構件作為波長轉換構件。作為螢光構件，較佳為使來自發光元件2之光轉換成更長波長者。又，螢光構件可將一種螢光物質等以單層而形成，亦可將混合有兩種以上之螢光物質等者作為單層而形成。或者，亦可使含有一種螢光物質等之單層積層兩層以上，亦可使分別混合有兩種以上之螢光物質等之單層積層兩層以上。作為螢光構件之具體之材料，例如可使用混合有釔、鋁及石榴石之YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)系螢光體、主要藉由Eu、Ce等鑭系元素而活化之氮化物系螢光體、氮氧化物系螢光體。

<中繼配線部>

中繼配線部8係用以中繼正極3與負極4之間之配線者。如圖2所示，中繼配線部8係由基板1上之金屬構件而構成。如圖2所示，中繼配線部8係於安裝區域1a之周圍，沿著該安裝區域1a之一邊而形成為直線狀。

如圖2所示，中繼配線部8係由反光樹脂6覆蓋。因此，如下所述，即便於使用易於吸收光之Au作為構成中繼配線部8之金屬構件之情形時，自發光元件2出射之光亦不會到達中繼配線部8而由反光樹脂6反射。因此，可減輕出射光之損耗，可使發光裝置100之光之提取效率提高。進而，藉由利用反光樹脂6覆蓋中繼配線部8，可保護該中繼配線部8免於受塵垢、水分、外力等之影響。

與正極3及負極4同樣地，構成中繼配線部8之金屬構件之素材較佳為使用Au。其原因在於：如下所述，於使用導熱性提高之Au作為金屬線W之材料的情形時，可將同素材之金屬線W牢固地接合。

作為構成中繼配線部8之金屬構件之形成方法，與正極3及負極4同樣地，藉由無電解電鍍而形成。再者，構成中繼配線部8之金屬構件之厚度並無特別限定，可根據金屬線W之數量等目的及用途而適當選擇。

於實施形態之發光裝置100中，如上述般在安裝區域1a之周圍形成中繼配線部8，且將發光元件2配置成方向以該中繼配線部8為邊界而反轉，藉此連接發光元件2彼此之配線不會變得複雜，於安裝區域1a之有限之面積內，可使串聯連接及並聯連接之發光元件2之數量增加。進而，於安裝區域1a之有限之面積內，可緊密地配置複數個發光元件2，從而可獲得消耗電力相對於固定之亮度提高之發光裝置100、或者發光效率相對於固定之消耗電力提高之發光裝置100。

<金屬線>

金屬線W係用以將發光元件2、保護元件5等電子零件與正極3、負極4及中繼配線部8等加以電性連接之導電性配線。作為金屬線W之材料，可列舉使用Au、Cu(銅)、Pt(鉑)、Al(鋁)等金屬及其等之合金者，特佳為使用導熱率等優異之Au。再者，金屬線W之直徑並無特別限定，可根據目的及用途而適當選擇。

此處，如圖2所示，金屬線W與正極3、負極4及中繼配線部8之連接部分係由反光樹脂6覆蓋。因此，如上所述，即便於使用易於吸收光之Au作為構成金屬線W之材料之情形時，自發光元件2出射之光亦不會被金屬線W而由反光樹脂6反射。因此，可減輕出射光之損耗，可使發光裝置100之光之提取效率提高。進而，藉由利用反光樹脂6覆蓋金屬線W與正極3、負極4及中繼配線部8之連接部分，可保護金屬線W免於受塵垢、水分、外力等之影響。再者，如圖1或圖4所示，自發光裝置100提取之光係自被反光樹脂6包圍之密封構件7之表面提取之光。即，於發光裝置100中觀察，密封構件7之表面成為發光面。

[發光裝置之動作]

根據以上所說明之發光裝置100，於已驅動發光裝置100時，自發光元件2朝所有方向行進之光中，朝上方行進之光被提取至發光裝置100之上方之外部。又，朝下方或橫方向等行進之光於基板1之安裝區域1a之底面及側面反射，而被提取至發光裝置100之上方。此時，於基板1之底面、即安裝區域1a上包覆有金屬膜30，於安裝區域1a之周圍形成有反光樹脂6，因此抑制該部位之光之吸收，並且藉由金屬膜30或反光樹脂6而使光反射。藉此，可高效地提取來自發光元件2之光。

《發光裝置之製造方法》

其次，此處以圖1~5之形態者為例，一面適當地參照圖式，一面對本發明之實施形態之發光裝置之製造方法進行說明。

本發明之發光裝置100之製造方法包括：基板製作步驟、電鍍步驟、黏晶步驟、已及打線接合步驟。又，於打線接合步驟之後，亦可包括反光樹脂形成步驟、密封構件填充步驟。此處，進而包括保護元件接合步驟。

以下，對各步驟進行說明。再者，發光裝置之構成如上所述，故而此處適當省略說明。

<基板製作步驟>

基板製作步驟係製作形成有電鍍用配線31之基板1之步驟。

於基板製作步驟中，藉由圖案化成特定之形狀而形成基板1上之安裝區域1a、或成為正極3及負極4之部位。又，於基板製作步驟中，形成用以藉由電解電鍍而於基板1上之安裝區域1a上形成金屬膜30之電鍍用配線31。如圖5所示，電鍍用配線31可藉由印刷等方法而形成於基板1之內部，即下部基板1B之上表面。

再者，於安裝區域1a或成為正極3及負極4之部位等要實施電鍍之部位，預先藉由電解電鍍、無電解電鍍、濺鍍等方法而形成Ni膜作為基底層。然後，於電鍍步驟中，於該Ni基底層上實施電鍍。

進而，如圖2所示，於基板1上形成用以將內部之電鍍用配線31與金屬膜30加以電性連接之通孔SH。再者，向通孔SH內填充W，與電鍍用配線31連接後，藉由金屬膜30包覆。如圖5(b)所示，將上部基板1A與下部基板1B疊合而形成1個基板1。

<電鍍步驟>

電鍍步驟係於形成有電鍍用配線31之基板1上，藉由無電解電鍍而形成構成正極3及負極4之金屬構件40，並且於基板1上之安裝區域1a上，藉由電解電鍍而形成金屬膜30之步驟。又，於設置中繼配線部8之情形時，以與正極3及負極4相同之步驟形成金屬構件。

此處，利用無電解電鍍之金屬構件40之形成及利用電解電鍍之金屬膜30之形成的順序不限，但較佳為首先藉由無電解電鍍而形成構成正極3及負極4之金屬構件40，並且於安裝區域1a上亦形成金屬構件40，其後，於安裝區域1a之金屬構件40上，藉由電解電鍍而形成金屬膜30。

其原因在於：若先藉由電解電鍍而形成金屬膜30，則於其後藉由無電解電鍍而形成金屬構件40之情形時，為了防止金屬膜30被金屬構件40包覆而必需使用遮罩等。因此，製造步驟變得複雜。另一方面，若藉由無電解電鍍而形成金屬構件40後藉由電解電鍍而形成金屬膜30，則因於安裝區域1a之金屬構件40上形成金屬膜30，故無需使用遮罩等。進而，因經由金屬構件40而設置金屬膜30，故可提高金屬膜30之平坦性，使來自發光元件2之光之提取效率提高。

無電解電鍍、電解電鍍之方法並無特別限定，只要以先前公知之方法進行即可。

<黏晶步驟>

黏晶步驟係將發光元件2載於金屬膜30上置之步驟。黏晶步驟包含發光元件載置步驟、及加熱步驟。

[發光元件載置步驟]

發光元件載置步驟係經由接合構件(圖示省略)而將發光元件2載置於基板1上(金屬膜30上)之步驟。

發光元件2係藉由接合構件而與基板1上之金屬膜30接合。再者，於發光元件2之背面，亦可預先塗佈助焊劑。此處，接合構件只要以介於金屬膜30與發光元件2之間之方式設置即可，故而可設置於金屬膜30中之載置發光元件2之區域，亦可設置於發光元件兩側。或者，亦可設置於其兩方。

於將液狀或膏狀之接合構件設置在金屬膜30上之情形時，可根據黏度等而自灌注法、印刷法、轉印法等方法中適當選擇。然後，於設置有接合構件之部位載置發光元件2。再者，於使用固體狀之接合構件之情形時，亦可於載置固體狀之接合構件後，以與使用液狀或膏狀之接合構件之情形相同之要領，於金屬膜30上載置發光元件2。又，固體狀或膏狀之接合構件亦可藉由加熱等而暫且熔融，藉此使發光元件2固定於金屬膜30上之所需之位置上。

[加熱步驟]

加熱步驟係於載置發光元件2後，對接合構件進行加熱，將發光元件2接合於基板1上(金屬膜30上)之步驟。

接合構件可為絕緣性構件，加熱步驟中之加熱係以較接合構件之至少一部分揮發之溫度更高之溫度進行。又，於接合構件含有熱硬化性樹脂之情形時，較佳為加熱至引起熱硬化性樹脂硬化之溫度以上。藉此，可藉由熱硬化性樹脂而接著固定發光元件2。進而，於使用例如含有松香之樹脂組成物、及低熔點之金屬作為接合構件之情形時，當金屬膜30上載置有該低熔點之金屬時，較佳為加熱至該低熔點之金屬熔融之溫度以上。

又，於加熱步驟中，可於上述加熱之後進而進行清洗步驟。

例如，於將樹脂組成物用於接合構件之情形時，亦可於藉由加熱而使樹脂組成物之一部分揮發而消失後，進而藉由清洗等而去除殘留之樹脂組成物(殘留接合構件清洗步驟)。尤其，於樹脂組成物含有松香之情形時，較佳為加熱後進行清洗。作為清洗液，較佳為使用二醇醚系有機溶劑等。

<保護元件接合步驟> 保護元件接合步驟係將保護元件5載置並接合於正極3之配線部3b上之步驟。 保護元件5之接合可與發光元件2之接合同時進行，但亦可於發光元件2之接合之前或之後進行。載置、接合保護元件5之方法與上述黏晶步驟相同，故而此處省略說明。 <打線接合步驟>

打線接合步驟係於黏晶步驟之後，利用金屬線W將金屬構件40之正極3、與位於發光元件2上部之電極端子(焊墊電極)加以電性連接之步驟。同樣地，打線接合步驟係利用金屬線W將位於發光元件2上部之電極端子(焊墊電極)與金屬構件40之負極4加以電性連接之步驟。進而，於該步驟中，將複數個發光元件2分別經由電極端子(焊墊電極)而連接。又，保護元件5與負極4之電性連接亦只要於該步驟中進行即可。即，利用金屬線W將位於保護元件5上部之電極端子及負極4加以連接。金屬線W之連接方法並無特別限定，只要以通常所使用之方法進行即可。

<反光樹脂形成步驟>

反光樹脂形成步驟係於打線接合步驟之後，沿著安裝區域1a之周緣，以至少覆蓋正極3及負極4之配線部3b、4b之方式形成反光樹脂6之步驟。

反光樹脂6之形成例如可使用樹脂噴出裝置(圖示省略)進行，該樹脂噴出裝置係於經固定之基板1之上側，可相對於基板1在上下方向或水平方向等上進行移動(可動)者(參照日本專利特開2009-182307號公報)。

即，使填充有樹脂之樹脂噴出裝置一面自其前端之噴嘴噴出液體樹脂一面進行移動，藉此於發光元件2之附近形成反光樹脂6。樹脂噴出裝置之移動速度可根據所使用之樹脂之黏度或溫度等而適當調整。為了使所形成之複數個反光樹脂6分別成為大致相同之寬度，較佳為使樹脂至少於噴出過程中以固定之速度移動。於在移動過程中暫時中斷樹脂噴出之情形等時，亦可變更其間之移動速度。樹脂之噴出量亦以固定為佳。進而，樹脂噴出裝置之移動速度與樹脂之噴出量均以固定為佳。噴出量之調整可藉由使噴出時所受到之壓力等變成固定等而進行調整。

<密封構件填充步驟>

密封構件填充步驟係向反光樹脂6之內側填充包覆發光元件2及金屬膜30之透光性之密封構件7的步驟。

即，該步驟係將熔融樹脂注入至包含形成於基板1上之反光樹脂6之壁部之內側，其後藉由加熱或光照射等進行硬化，藉此形成包覆發光元件2、保護元件5、金屬膜30及金屬線W等之密封構件7硬化之步驟。

以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行變更。

即，以上所示之發光裝置之形態係例示用以使本發明之技術思想具體化之發光裝置的形態，本發明並非將發光裝置限定於上述形態者。而且，並非將申請專利範圍中所示之構件等特別規定為實施形態之構件者。尤其，實施形態中所記載之構成零件之尺寸、材質、形狀、其相對的配置等只要無特定之記載，則僅為說明例，而並非旨在將本發明之範圍僅限定於該等。

例如，作為其他實施形態，亦可為以下之構成。

[其他實施形態]

如圖6所示，亦可由1塊基板而構成基板1，亦可設定為將設置於內部之電鍍用配線31形成於基板1之下部之構成。若將基板1設定為1塊基板，則無需如圖5(b)所示般疊合2塊基板(上部基板1A、下部基板1B)，而可由1塊基板構成，從而可簡化製造步驟。而且，藉由將電鍍用配線31形成於基板1之下部，可使散熱性進一步提高。

又，如圖7所示，亦可設定為於發光裝置101中，將電鍍用配線31設置於基板1之上表面之構成。若設定為此種構成，則可簡便地形成電鍍用配線31。而且，於此情形時，亦可將基板1設定為1塊基板。再者，為便於說明，於圖7之正視圖中，用線僅表示反光樹脂6之外形，並以穿透之狀態而圖示。

進而，雖未圖示，但亦可設定為藉由導電性之金屬線W將相對於安裝區域1a在橫方向上鄰接之發光元件2彼此電性連接之串聯連接。即，設定為藉由金屬線W將鄰接之發光元件2中之p電極2A及n電極2B電性連接之狀態。藉由設定為此種構成，發光裝置之製造變得容易、簡便。此外，關於發光元件2與金屬線W之連接狀態、發光元件2與正極3及負極4之連接狀態等，只要可作為發光裝置之構成，則可設定為任意之連接狀態。

於發光裝置之製造方法中，如上所述，於變更電鍍用配線31之形成位置或基板1之構成之情形時，於上述基板製作步驟中，以形成該等構成之方式而製作基板1。

進而，於發光裝置之製造方法中，當執行本發明時，可在不對上述各步驟造成惡劣影響之範圍內，於上述各步驟之間或者前後，包括上述步驟以外之步驟。例如，亦可包括清洗基板之基板清洗步驟、或者去除污垢等異物之異物去除步驟、或者調整發光元件或保護元件之載置位置之載置位置調整步驟等其他步驟。

1．．．基板

1A．．．上部基板

1a．．．安裝區域

1B．．．下部基板

2．．．發光元件

2A．．．p電極

2Aa．．．p焊墊電極

2Ab、2Bb．．．延伸導電部

2B．．．n電極

2Ba．．．n焊墊電極

3．．．正極

3a、4a．．．焊墊部

3b、4b．．．配線部

4．．．負極

5．．．保護元件

6．．．反光樹脂

7．．．密封構件

8．．．中繼配線部

20．．．發光部

30．．．金屬膜

31．．．電鍍用配線

32．．．導電性構件

40．．．金屬構件

100、101．．．發光裝置

CM．．．陰極標記

SH．．．通孔

W．．．金屬線

圖1係表示本發明之實施形態之發光裝置之整體構成的立體圖。

圖2係表示本發明之實施形態之發光裝置之構成的正視圖。

圖3係表示發光元件之構成之放大正視圖。

圖4係表示本發明之實施形態之發光裝置之構成的側視圖。

圖5係用以對本發明之實施形態之發光裝置中的電鍍用配線之配置進行說明之示意圖，(a)係表示電鍍用配線之配置之正視圖，(b)係表示電鍍用配線之配置之側視圖。

圖6係表示本發明之另一實施形態之發光裝置中的基板之構成及電鍍用配線之配置之側視圖。

圖7係表示本發明之另一實施形態之發光裝置之構成的正視圖。

1．．．基板

3．．．正極

3a、4a．．．焊墊部

3b、4b．．．配線部

4．．．負極

6．．．反光樹脂

7．．．密封構件

40．．．金屬構件

100．．．發光裝置

CM．．．陰極標記

Claims (11)

1. 一種發光裝置，其特徵在於：其包括基板；金屬膜，其設置於上述基板上之安裝區域中；發光部，其包含載置於上述金屬膜上之複數個發光元件；金屬構件，其構成形成於上述基板上，分別具有焊墊部及配線部，並經由該配線部而對上述發光元件施加電壓之正極及負極；以及電鍍用配線，其連接於上述金屬膜，且延設至上述基板之側面；上述金屬膜與上述金屬構件係獨立地設置，上述正極之配線部及上述負極之配線部係沿上述安裝區域而形成於周圍，上述金屬構件係自上述基板之周緣離開而形成於上述基板之上述安裝區域側，於俯視下，上述正極之焊墊部及上述負極之焊墊部未與上述電鍍用配線重複。
2. 如請求項1之發光裝置，其中上述電鍍用配線係設置於上述基板之內部，並經由形成於上述基板上之通孔而與上述金屬膜導通。
3. 如請求項2之發光裝置，其中上述基板之內部之電鍍用配線之一部分自上述基板之側面露出。
4. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中 上述基板係以具有一方之對向之一對邊、及另一方之對向之一對邊的特定形狀而形成，上述正極之焊墊部及上述負極之焊墊部係沿著上述一方之對向之邊而形成，上述電鍍用配線係朝向上述另一方之對向之邊而延設。
5. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中上述金屬膜對於上述發光元件之發光之反射率較上述金屬構件更高。
6. 如請求項5之發光裝置，其中上述金屬膜係使用Ag，上述金屬構件係使用Au。
7. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中沿著上述安裝區域之周緣，以至少覆蓋上述配線部之方式形成反光樹脂，且於上述反光樹脂之內側，填充有包覆上述發光元件與上述金屬膜之透光性之密封構件。
8. 一種發光裝置之製造方法，其特徵在於包括：基板製作步驟，製作形成有電鍍用配線之基板；電鍍步驟，於形成有上述電鍍用配線之基板上，藉由無電解電鍍而形成構成具有未與上述電鍍用配線重複之焊墊部之正極及負極之金屬構件，並且於上述基板上之安裝區域中，藉由電解電鍍而形成金屬膜；黏晶步驟，將發光元件載置於上述金屬膜上；以及打線接合步驟，於上述黏晶步驟之後，藉由金屬線而將上述正極及上述負極與上述發光元件之電極端子電性連接。
9. 如請求項8之發光裝置之製造方法，其中上述電鍍步驟 係藉由無電解電鍍而形成構成上述正極及上述負極之金屬構件，並且於上述安裝區域中亦形成金屬構件，其後，於上述安裝區域之金屬構件上，藉由電解電鍍而形成金屬膜。
10. 如請求項8或9之發光裝置之製造方法，其包括反光樹脂形成步驟，該步驟係於上述打線接合步驟之後，沿著上述安裝區域之周緣，以至少覆蓋上述正極及上述負極之配線部之方式形成反光樹脂。
11. 如請求項10之發光裝置之製造方法，其包括密封構件填充步驟，該步驟係向上述反光樹脂之內側，填充包覆上述發光元件與上述金屬膜之透光性之密封構件。