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TWI513045B - 半導體發光裝置及其製造方法 - Google Patents

半導體發光裝置及其製造方法 Download PDF

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TWI513045B
TWI513045B TW102107085A TW102107085A TWI513045B TW I513045 B TWI513045 B TW I513045B TW 102107085 A TW102107085 A TW 102107085A TW 102107085 A TW102107085 A TW 102107085A TW I513045 B TWI513045 B TW I513045B
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light emitting
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conductive pillar
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木村晃也
樋口和人
下川一生
小幡進
中山俊彌
伊藤壽
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東芝股份有限公司
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Description

半導體發光裝置及其製造方法 相關申請案交叉參考
本申請案係基於並主張2012年3月23日提出申請之先前日本專利申請案第2012-068462號之優先權之權益，該申請案之全部內容以引用方式併入本文中。
本文中所闡述之實施例一般而言係關於一種半導體發光裝置及一種用於製造該半導體發光裝置之方法。
已使用氮化物半導體開發出半導體發光裝置，諸如發光二極體(LED)及諸如此類。此外，舉例而言，已藉由組合發射藍色光之一LED與吸收藍色光且發射黃色光之一磷光體而開發出發射白色光之半導體發光裝置。在此類型之半導體發光裝置中，期望可靠性之增加。
本發明之實施例之目的係提供一種具有較高可靠性之半導體發光裝置。
一般而言，根據一項實施例，一半導體發光裝置包含一發光單元、一第一導電柱、一第二導電柱、一密封單元、一第一端子及一第二端子。該發光單元包含一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層。該第一半導體層具有一第 一導電性類型。該第一半導體層具有包含一第一部分及一第二部分之一主表面。該發光層提供於該第一部分上。該第二半導體層具有一第二導電性類型。該第二半導體層提供於該發光層上。該發光單元具有與該主表面相交之一側面。該第一導電柱提供於該第二部分上且沿著垂直於該主表面之一第一方向延伸。該第一導電柱具有沿著該第一方向之一側面且電連接至該第一半導體層。該第二導電柱提供於該第二半導體層上且沿著該第一方向延伸。該第二導電柱具有沿著該第一方向之一側面且電連接至該第二半導體層。該密封單元覆蓋該發光單元之該側面、該第一導電柱之該側面及該第二導電柱之該側面。該第一端子提供於該第一導電柱上及該密封單元上且電連接至該第一導電柱。該第一端子包含一第一重疊部分及一第二重疊部分。該第一重疊部分與該發光單元重疊。該第二重疊部分在突出至平行於該主表面之一平面上時不與該發光單元重疊而與該密封單元重疊。該第二端子提供於該第二導電柱上及該密封單元上。該第二端子與該第一端子隔開且電連接至該第二導電柱。該第二端子包含一第三重疊部分及一第四重疊部分。該第三重疊部分與該發光單元重疊。該第四重疊部分在突出至該平面上時不與該發光單元重疊而與該密封單元重疊。獲得具有較高可靠性之該半導體發光裝置。
根據另一實施例，揭示一種用於製造一半導體發光裝置之方法。該可包含製備包含一支撐基板及配置於該支撐基板之一表面上之複數個半導體組件之一工件。該等半導體組件中之每一者包含一基板單元、一發光單元、一第一導電柱及一第二導電柱。該發光單元提供於該基板單元上。該發光單元包含一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層。該第一半導體層具有一第一導電性類型且提供於該基板單元上。該第一半導體層具有包含一第一部分及一第二部分之一主表面。該發光層提供於該第一部分上。該第二半導體層具有一第二導電 性類型且提供於該發光層上。該發光單元具有與該主表面相交之一側面。該第一導電柱提供於該第二部分上且沿著垂直於該主表面之一第一方向延伸。該第一導電柱具有沿著該第一方向之一側面且電連接至該第一半導體層。該第二導電柱提供於該第二半導體層上且沿著該第一方向延伸。該第二導電柱具有沿著該第一方向之一側面且電連接至該第二半導體層。該方法可包含在該等半導體組件上及該支撐基板之該表面上形成一樹脂膜。該樹脂膜覆蓋該等半導體組件中之每一者之該發光單元之該側面、該第一導電柱之該側面及該第二導電柱之該側面。該方法可包含自該等半導體組件及該樹脂膜移除該支撐基板。該方法可包含在該樹脂膜中形成複數個凹形部分。藉由移除該等半導體組件之該等基板單元中之每一者而使該等凹形部分反映該等基板單元之形狀。該方法可包含藉由用包含一波長轉換材料之一樹脂材料填充該複數個凹形部分來形成包含該波長轉換材料之一波長轉換層。該波長轉換層吸收自該發光單元發射之一第一光之至少一部分且發射具有不同於該第一光之峰值波長之一峰值波長之一第二光。該方法可包含在若干對該等半導體組件之間切割該樹脂膜。製造具有較高可靠性之該半導體發光裝置。
5‧‧‧生長使用基板
5a‧‧‧表面
5w‧‧‧基板單元
6‧‧‧支撐基板
6a‧‧‧表面
7‧‧‧壓敏黏合層
10‧‧‧第一半導體層
10a‧‧‧第一主表面(主表面)
10b‧‧‧第二主表面
10p‧‧‧第一部分
10q‧‧‧第二部分
15‧‧‧發光單元
15s‧‧‧側面
16‧‧‧絕緣層
16a‧‧‧孔口
16b‧‧‧孔口
16f‧‧‧絕緣膜
20‧‧‧第二半導體層
30‧‧‧發光層
41‧‧‧第一導電柱
41a‧‧‧端部部分
41s‧‧‧側面
42‧‧‧第二導電柱
42a‧‧‧端部部分
42s‧‧‧側面
44‧‧‧密封單元
44a‧‧‧第一側面
44b‧‧‧第二側面
44f‧‧‧樹脂膜
44p‧‧‧第二表面
44q‧‧‧第一表面
44s‧‧‧側面
45‧‧‧凹形部分
46‧‧‧波長轉換層
46s‧‧‧側面
50‧‧‧導電膜
51‧‧‧第一端子
51a‧‧‧部分
51b‧‧‧部分
52‧‧‧第二端子
52a‧‧‧部分
52b‧‧‧部分
61‧‧‧第一金屬邊緣部分
61a‧‧‧第一主體部分
61b‧‧‧第一突出部
61c‧‧‧第二突出部
62‧‧‧第二金屬邊緣部分
62a‧‧‧第二主體部分
62b‧‧‧第三突出部
62c‧‧‧第四突出部
64‧‧‧金屬框架
70‧‧‧整流元件
71‧‧‧第一電極
72‧‧‧第二電極
73‧‧‧整流單元
73a‧‧‧邊緣
73b‧‧‧邊緣
73p‧‧‧面
73q‧‧‧面
100‧‧‧半導體組件
102‧‧‧工件
110‧‧‧半導體發光裝置
120‧‧‧半導體發光裝置
130‧‧‧半導體發光裝置
A1-A2‧‧‧線
B1-B2‧‧‧線
C1-C2‧‧‧線
D1-D2‧‧‧線
DL1‧‧‧第一切分線
DL2‧‧‧第二切分線
DL3‧‧‧第三切分線
X‧‧‧軸
Y‧‧‧軸
Z‧‧‧軸
圖1係圖解說明根據一第一實施例之一半導體發光裝置之一示意性剖面圖；圖2A至圖2C係圖解說明根據第一實施例之一半導體發光裝置之一製造方法之示意性剖面圖；圖3A至圖3C係圖解說明根據第一實施例之一半導體發光裝置之一製造方法之示意性剖面圖；圖4A至圖4D係圖解說明根據第一實施例之一半導體發光裝置之一製造方法之示意性剖面圖； 圖5係用於製造根據第一實施例之一半導體發光裝置之方法之一流程圖；圖6A及圖6B係圖解說明根據一第二實施例之一半導體發光裝置之示意圖；圖7A及圖7B係圖解說明用於製造根據第二實施例之一半導體發光裝置之方法之示意圖；圖8A至圖8C係圖解說明根據一第三實施例之一半導體發光裝置之示意圖；且圖9係圖解說明根據第三實施例之一半導體發光裝置之一等效電路圖。
下文中將參考隨附圖式闡述各種實施例。
注意，該等圖式係示意性或經簡化圖解說明且各部件之厚度及寬度之間的關係及各部件之間的大小比例可與實際部件不同。此外，甚至在繪示相同部件之情形中，亦可取決於圖式而以不同方式圖解說明相互尺寸及比例。
注意，在本申請案之圖式及說明書中，相同編號應用於已顯現於圖式中且經闡述之元件，且省略此等元件之重複詳細說明。
(第一實施例)
圖1係圖解說明根據一第一實施例之一半導體發光裝置之一示意性剖面圖。如圖1中所圖解說明，根據此實施例之一半導體發光裝置110包含一發光單元15、一第一導電柱41、一第二導電柱42、一密封單元44、一第一端子51及一第二端子52。
發光單元15包含一第一半導體層10、一第二半導體層20及一發光層30。
第一半導體層10具有一第一主表面(主表面)10a及在與第一主表 面10a相對之一側上之一第二主表面10b。舉例而言，第二主表面10b實質上平行於第一主表面10a。第一半導體層10具有一第一導電性類型。第一主表面10a包含與第二半導體層20相對之一第一部分10p及不與第二半導體層20相對之一第二部分10q。第一部分10p與第二部分10q並置。
發光層30提供於第一主表面10a之第一部分10p上。第二半導體層20提供於發光層30上。發光層30提供於第一半導體層10與第二半導體層20之間。第二半導體層20具有一第二導電性類型。第二導電性類型係不同於第一導電性類型之一導電性類型。舉例而言，第一導電性類型係n型且第二導電性類型係p型。然而，此實施例並不限於此，且第一導電性類型可係p型且第二導電性類型可係n型。下文中，將闡述其中第一導電性類型係n型且第二導電性類型係p型之一情形。
舉例而言，第一半導體層10、第二半導體層20及發光層30包含氮化物半導體。舉例而言，第一半導體層10包含一n型包覆層。舉例而言，第二半導體層20包含一p型包覆層。舉例而言，發光層30具有一單量子井(SQW)結構或一多量子井(MQW)結構。
舉例而言，具有一單量子井結構之發光層30包含兩個障壁層及提供於該兩個障壁層之間的一井層。舉例而言，具有一多量子井結構之發光層30包含不少於三個障壁層及提供於該等障壁層之每一對之間的一井層。舉例而言，針對障壁層，使用一GaN化合物半導體。舉例而言，針對井層，使用一InGaN化合物半導體。當障壁層包含In時，障壁層中之In之組成比小於井層中之In之組成比。
舉例而言，藉由以所述次序在一基板上晶體生長第一半導體層10、發光層30及第二半導體層20來形成將形成發光單元15之一堆疊晶體膜。自第二半導體層20側移除堆疊晶體膜之一部分直至其到達第一半導體層10。因此，曝露第一半導體層10之一部分(第二部分10q)， 且發光層30及第二半導體層20保持於第一部分10p上。藉此，形成發光單元15。發光單元15具有與第一主表面10a相交之一側面15s。第二部分10q在X-Y平面中與第一部分10p並置。舉例而言，在基板上之晶體生長之後，發光單元15與基板隔開。
此處，垂直於第一主表面10a之一第一方向(自第一半導體層10至第二半導體層20之方向)視為Z軸方向。垂直於Z軸方向之一個方向(平行於第一主表面10a之一個方向)視為X軸方向。垂直於Z軸方向及X軸方向之方向(垂直於該一個方向且平行於第一主表面10a之另一方向)視為Y軸方向。Z軸方向不必完全垂直於第一主表面10a。
舉例而言，第一半導體層10之厚度(沿著Z軸方向之厚度)不小於1 μm且不大於10 μm。在此實例中，舉例而言，第一半導體層10之厚度係5 μm。舉例而言，第二半導體層20之厚度不小於5 nm且不大於300 nm。在此實例中，舉例而言，第二半導體層20之厚度係100 nm。舉例而言，發光層30之厚度不小於5 nm且不大於100 nm。在此實例中，舉例而言，發光層30之厚度係10 nm。
第一導電柱41提供於第二部分10q上。第一導電柱41沿著Z軸方向延伸。第一導電柱41具有沿著Z軸方向延伸之一側面41s。舉例而言，第一導電柱41具有一圓形稜柱或一矩形稜柱形狀。第一導電柱41電連接至第一半導體層10。舉例而言，第一導電柱41接觸第二部分10q且與第一半導體層10電連續。一導電部件(諸如一電極或諸如此類)可提供於第一半導體層10與第一導電柱41之間。
第二導電柱42提供於第二半導體層20上。第二導電柱42沿著Z軸方向延伸。第二導電柱42具有沿著Z軸方向延伸之一側面42s。舉例而言，第二導電柱42具有一圓形稜柱或一矩形稜柱形狀。第二導電柱42電連接至第二半導體層20。舉例而言，第二導電柱42接觸第二半導體層20且與第二半導體層20電連續。一導電部件(諸如一電極及或諸如 此類)可提供於第二半導體層20與第二導電柱42之間。
將具有導電性之一材料用於第一導電柱41及第二導電柱42中。舉例而言，將一金屬材料(諸如銅或諸如此類)用於第一導電柱41及第二導電柱42中。第一導電柱41及第二導電柱42之數目並不限於一個，而是可係複數個。
密封單元44覆蓋發光單元15之側面15s、第一導電柱41之側面41s及第二導電柱42之側面42s。密封單元44允許曝露第一導電柱41之一端部部分41a及第二導電柱42之一端部部分42a。在稜柱形第一導電柱41之兩個端部部分中，端部部分41a係在與接觸第一半導體層10之側相對之側上。在稜柱形第二導電柱42之兩個端部部分中，端部部分42a係在與接觸第二半導體層20之側相對之側上。以此方式，密封單元44保持發光單元15、第一導電柱41及第二導電柱42。舉例而言，密封單元44保護發光單元15、第一導電柱41及第二導電柱42。將一絕緣樹脂(諸如環氧樹脂或諸如此類)用於密封單元44中。舉例而言，密封單元44可包含一石英填充物、一鋁填充物或諸如此類。因此，增加密封單元44之導熱性且可增加熱耗散。
一波長轉換層46提供於第一半導體層10之第二主表面10b上。換言之，第一半導體層10提供於波長轉換層46上。舉例而言，波長轉換層46在第二主表面10b之上部側上覆蓋發光單元15。波長轉換層46具有與第一主表面10a相交之一側面46s。舉例而言，波長轉換層46吸收發光單元15之發光光(第一光)之至少一部分，且發射其峰值波長不同於發光光之峰值波長之光(第二光)。換言之，波長轉換層46轉換自發光單元15發射之光之峰值波長。舉例而言，波長轉換層46可發射具有不同於發光光之峰值波長之複數個峰值波長之光。在此實例中，密封單元44進一步覆蓋波長轉換層46之側面46s。密封單元44亦保持波長轉換層46。
舉例而言，針對波長轉換層46，可使用一磷光體層。舉例而言，可藉由熱硬化其中已散佈磷光體顆粒之一液體透明樹脂來形成磷光體層。將相對於發光單元15之發光光及自磷光體顆粒發射之光具有透射性之一材料用於透明樹脂中。舉例而言，將一聚矽氧樹脂、一丙烯酸樹脂、一流體玻璃或諸如此類用於透明樹脂中。波長轉換層46可係具有所發射光之不同峰值波長之複數個磷光體層之一堆疊主體。舉例而言，發光單元15之發光光係紫外光、紫色光或藍色光，且舉例而言，自波長轉換層46發射之光係黃色光、紅色光或綠色光。舉例而言，自波長轉換層46發射之光與發光光之經組合光係實質上白色光。舉例而言，該經組合光可係黃色光、紅色光、綠色光或藍色光。
一絕緣層16提供於發光單元15與密封單元44之間，舉例而言，絕緣層16經提供而覆蓋發光單元15，惟由波長轉換層46覆蓋之第二主表面10b、與第一導電柱41接觸之部分及與第二導電柱42接觸之部分除外。藉此，舉例而言，絕緣層16增加發光單元15與密封單元44之間的絕緣。絕緣層16保護發光單元15免受(舉例而言)密封單元44中之雜質及諸如此類之影響。
將無機材料(諸如，舉例而言SiO2 、SiN、磷矽酸鹽玻璃(PSG)、硼磷矽酸鹽玻璃(BPSG)及諸如此類)用於絕緣層16中。此外，一有機材料(諸如，舉例而言光敏聚醯亞胺、苯環丁烯及諸如此類)可用作絕緣層16或可使用一無機膜及一有機膜之一堆疊主體。舉例而言，絕緣層16之厚度係約400 nm。為形成絕緣層16，舉例而言，可使用CVD、汽相沈積或濺鍍及諸如此類。
第一端子51提供於第一導電柱41及密封單元44上。當突出至平行於第一主表面10a之一平面(X-Y平面)上時，第一端子51具有與發光單元15重疊之一部分51a(第一重疊部分)及不與發光單元15重疊但與密封單元44重疊之一部分51b(第二重疊部分)。當自Z軸方向觀看時， 第一端子51之部分51b在發光單元15之一外側上延伸。在此實例中，當自Z軸方向觀看時，第一端子51之部分51b在波長轉換層46之外側上延伸。舉例而言，沿著垂直於Z軸方向(舉例而言，X軸方向)之一方向之第一端子51之部分51b之長度(自發光單元15突出之量)不小於100 μm且不大於500 μm。第一端子51電連接至第一導電柱41。舉例而言，第一端子51與第一導電柱41之端部部分41a接觸且與第一導電柱41電連續。
第二端子52經提供以在第二導電柱42及密封單元44上與第一端子51隔開。當突出至X-Y平面上時，第二端子52具有與發光單元15重疊之一部分52a(第三重疊部分)及不與發光單元15重疊但與密封單元44重疊之一部分52b(第四重疊部分)。當自Z軸方向觀看時，第二端子52之部分52b在發光單元15之外側上延伸。在此實例中，當自Z軸方向觀看時，第二端子52之部分52b在波長轉換層46之外側上延伸。舉例而言，沿著垂直於Z軸方向之一方向之第二端子52之部分52b之長度不小於100 μm且不大於500 μm。第二端子52電連接至第二導電柱42。舉例而言，第二端子52與第二導電柱42之端部部分42a接觸且與第二導電柱42電連續。
舉例而言，第一端子51及第二端子52用於電連接半導體發光裝置110與外部裝置。在此實例中，第一端子51係一n側陰極，且第二端子52係一p側陽極。當使用半導體發光裝置110時，在第一端子51與第二端子52之間施加一電壓，以使得第一端子51係負的且第二端子52係正的。因此，將沿正向方向之一電壓施加至發光單元15，且自發光層30發射光。將具有導電性之一材料(諸如，舉例而言一金屬材料或諸如此類)用於第一端子51及第二端子52中。舉例而言，第一端子51及第二端子52可具有使用一單一材料之一單層結構或使用複數種材料之一堆疊結構。
在半導體發光裝置110中，第一半導體層10之第二主表面10b係一光提取表面。換言之，在此實例中，將自發光層30發射之光自第二主表面10b發射至半導體發光裝置110之外部。舉例而言，可藉由經由一濕式蝕刻程序、一乾式蝕刻程序或諸如此類對第二主表面10b執行一結霜程序而在第二主表面10b上形成微小不規則物。以此方式，舉例而言，抑制第二主表面10b處自發光層30發射之光之全反射，且增加半導體發光裝置110之光提取效率。
在半導體發光裝置110中，第一端子51及第二端子52具有不與發光單元15重疊但與密封單元44重疊之部分51b及52b。因此，可(舉例而言)增加半導體發光裝置110之熱耗散。藉此，可抑制由熱量(舉例而言)造成的對半導體發光裝置110之損害。此外，可(舉例而言)使第一端子51及第二端子52之區域更寬。因此，可(舉例而言)改良半導體發光裝置110之可安裝性。藉此，可(舉例而言)抑制半導體發光裝置110與外部裝置之有缺陷連接。因此，藉助根據此實施例之半導體發光裝置110，可改良可靠性。
下文中，將闡述半導體發光裝置110之一製造方法之一實例。
圖2A至圖2C、圖3A至圖3C及圖4A至圖4D係圖解說明根據第一實施例之一半導體發光裝置之一製造方法之示意性剖面圖。
如圖2A中所圖解說明，舉例而言，在一生長使用基板5之一表面5a上形成複數個發光單元15。為形成複數個發光單元15，舉例而言，藉由以所述次序堆疊將變為第一半導體層10之一膜、將變為發光層30之一膜及將變為第二半導體層20之一膜來形成一堆疊主體。舉例而言，藉由一微影程序及一蝕刻程序來移除該堆疊主體之一部分。以此方式，在表面5a上形成複數個發光單元15。
舉例而言，將一半導體基板用於生長使用基板5。該半導體基板可係n型、p型或其可係未經摻雜。若未經摻雜，則將(舉例而言)具有 {111}平面之一本質半導體用於半導體基板中。一未經摻雜之半導體基板可經摻雜以變為p型或n型。在此實例中，舉例而言，將一矽基板用於生長使用基板5中。生長使用基板5可係(舉例而言)一玻璃基板，諸如藍寶石玻璃或諸如此類。為形成堆疊主體，舉例而言，使用金屬有機化學汽相沈積(MOCVD)。舉例而言，在生長使用基板5上磊晶生長包含一個氮化物半導體之一晶體層。舉例而言，可在生長使用基板5與將變為第一半導體層10之膜之間提供一緩衝層。該緩衝層具有藉助生長使用基板5及應力釋放進行晶格匹配之功能。
如圖2B中所圖解說明，藉由(舉例而言)一膜成形程序、一微影程序及一蝕刻程序而在生長使用基板5之表面5a及複數個發光單元15上形成將形成絕緣層16之一絕緣膜16f。絕緣膜16f具備允許曝露第一半導體層10之一部分之複數個孔口16a及允許曝露第二半導體層20之一部分之複數個孔口16b。孔口16a用以電連接第一半導體層10及第一導電柱41。孔口16b用以電連接第二半導體層20及第二導電柱42。
如圖2C中所圖解說明，藉由執行(舉例而言)一膜成形程序、一微影程序、一蝕刻程序、嵌入一導電材料之一程序及諸如此類，在複數個發光單元15之每一第一半導體層10上形成第一導電柱41，且在複數個發光單元15之每一第二半導體層20上形成第二導電柱42。第一導電柱41及第二導電柱42可係同時形成或其可係單獨形成。
舉例而言，可使第一導電柱41與第二導電柱42接觸且使其與一探針電連續，且依據自發光單元15發射之光量測形成於生長使用基板5上之複數個發光單元15中之每一者之發光光之峰值波長。複數個發光單元15之發光光之峰值波長未必一致。舉例而言，若生長使用基板5係一圓形板形狀之半導體晶圓，則靠近於晶圓之中心而定位之發光單元15之峰值波長頗短，且峰值波長朝向晶圓之周邊逐漸變為較長，從而展現一同心圓形分佈。
若預先知曉複數個發光單元15之發光光之峰值波長之分佈，則可省略對峰值波長之量測。舉例而言，可藉由重複地製造相同類型之半導體發光裝置110而根據經驗獲得複數個發光單元15之發光光之峰值波長之分佈。舉例而言，可藉由經由光致發光(PL)方法進行光學量測而獲得峰值波長之分佈。
藉由沿著一第一切分線DL1切割生長使用基板5且將生長使用基板5分割成複數個發光單元15中之每一者，形成複數個發光單元15中之每一者之複數個半導體組件100(參見圖3A至圖3C)。
在半導體組件100中，自絕緣膜16f形成絕緣層16。此外，在半導體組件100中，自生長使用基板5形成一基板單元5w。半導體組件100包含基板單元5w、發光單元15、第一導電柱41及第二導電柱42。發光單元15提供於基板單元5w上。發光單元15包含第一半導體層10、發光層30及第二半導體層20。第一半導體層10提供於基板單元5w上且具有包含第一部分10p及第二部分10q之第一主表面10a且具有第一導電性類型。發光層30提供於第一部分10p上。第二半導體層20提供於發光層30上且具有第二導電性類型。第一導電柱41提供於第二部分10q上、沿著垂直於第一主表面10a之第一方向延伸且電連接至第一半導體層10。第二導電柱42提供於第二半導體層20上、沿著第一方向延伸且電連接至第二半導體層20。
舉例而言，將複數個半導體組件100分割成發光單元15之發光光之每一峰值波長之若干群組。舉例而言，一個群組中之峰值波長之範圍(最大值與最小值之間的差)不大於2 nm。關於用於分割成若干群組之發光光之峰值波長之資料可係藉由量測獲得之資料、根據經驗獲得之資料、藉由模擬獲得之資料或藉由使用PL方法進行光學量測獲得之資料。
如圖3A中所圖解說明，在一支撐基板6之一表面6a上形成一壓敏 黏合層7。
將複數個半導體組件100配置於壓敏黏合層7上，且使用壓敏黏合層7將複數個半導體組件100固定至支撐基板6之表面6a。以此方式，形成一工件102。藉此，製備工件102。
舉例而言，將一矽晶圓、一玻璃基板、一石英基板、一陶瓷基板或一聚四氟乙烯基板或諸如此類用作支撐基板6。可耐受(舉例而言)由於用於形成密封單元44之樹脂之固化溫度所致之退化、分解、撓曲及諸如此類之一任意材料可用於支撐基板6中。當沿Z軸方向觀看時支撐基板6之形狀可係一圓形形狀或可係一多邊形形狀。舉例而言，一壓敏黏合劑或包含一壓敏黏合劑之一壓敏薄板可用於壓敏黏合層7中。舉例而言，藉由施加壓敏黏合劑或鋪設一壓敏薄板來形成壓敏黏合層7。舉例而言，使用旋塗方法、一印刷方法或諸如此類來施加壓敏黏合劑。舉例而言，使用滾子層壓方法或諸如此類來鋪設壓敏薄板。舉例而言，將一丙烯酸壓敏黏合劑、一橡膠壓敏黏合劑或諸如此類用作壓敏黏合劑。
根據自發光單元15發射之光之峰值波長將複數個半導體組件100配置於支撐基板6之表面6a上。舉例而言，將屬於一單個群組之複數個半導體組件100接合至支撐基板6。換言之，將其發光光之峰值波長頗為接近的半導體組件100接合至支撐基板6。接合至支撐基板6之一單個群組之半導體組件100可係(舉例而言)自一單個生長使用基板5形成之半導體組件100或可係自複數個生長使用基板5形成之半導體組件100。舉例而言，可將來自複數個群組之半導體組件100接合至分割成每一區域之支撐基板。
如圖3B中所圖解說明，在複數個半導體組件100中之每一者上且在支撐基板6之表面6a上(在壓敏黏合層7上)形成將變為密封單元44之一樹脂膜44f。樹脂膜44f覆蓋複數個半導體組件100中之每一者之發 光單元15之側面15s、第一導電柱41之側面41s及第二導電柱42之側面42s。在此實例中，樹脂膜44f亦覆蓋複數個半導體組件100中之每一者之第一導電柱41之端部部分41a及第二導電柱42之端部部分42a。為形成樹脂膜44f，舉例而言，使用施加方法。
舉例而言，在已施加樹脂膜44f之後，固化樹脂膜44f。
如圖3C中所圖解說明，舉例而言，藉由經由一研磨程序、濕式蝕刻、乾式蝕刻或諸如此類研磨掉樹脂膜44f之一部分來曝露第一導電柱41之端部部分41a及第二導電柱42之端部部分42a。
如圖4A中所圖解說明，舉例而言，自複數個半導體組件100及樹脂膜44f移除支撐基板6。舉例而言，藉由減小壓敏黏合層7之黏合力來移除支撐基板6。舉例而言，藉由用紫外光自支撐基板6側輻照壓敏黏合層7或藉由加熱工件102來減小壓敏黏合層7之黏合力。
如圖4B中所圖解說明，舉例而言，藉由蝕刻或諸如此類自複數個半導體組件100移除每一基板單元5w。以此方式，在樹脂膜44f之一第一表面44q上形成反映基板單元5w之形狀之複數個凹形部分45。
如圖4C中所圖解說明，在樹脂膜44f之一第二表面44p上形成將變為第一端子51及第二端子52之導電膜50。舉例而言，藉由經由(舉例而言)一微影程序及一蝕刻程序圖案化導電膜50，自導電膜50形成第一端子51及第二端子52。彼時，第一端子51提供於第一導電柱41上及樹脂膜44f上。第二端子52提供於第二導電柱42上及樹脂膜44f上。
如圖4D中所圖解說明，舉例而言，用將變為波長轉換層46之一樹脂材料RM(包含一波長轉換材料之樹脂材料RM)填充複數個凹形部分45中之每一者。以此方式，形成複數個半導體組件100之波長轉換層46中之每一者。舉例而言，用其中散佈磷光體顆粒之一液體透明樹脂填充複數個凹形部分45中之每一者。以此方式，一磷光體層形成為波長轉換層46。在此實例中，舉例而言，波長轉換材料係磷光體顆 粒。沿著第二切分線DL2切割樹脂膜44f。換言之，在複數個半導體組件100之間切割樹脂膜44f。以此方式，分離複數個半導體組件100。舉例而言，當藉由切分來分離複數個半導體組件100時，亦可藉由切割導電膜50來形成第一端子51及第二端子52。
藉此，完成一半導體發光裝置110。
在此實例中，根據自發光單元15發射之光之峰值波長將複數個半導體組件100重新配置於支撐基板6之表面6a上。以此方式，可(舉例而言)使複數個半導體發光裝置110之色度一致。以此方式，舉例而言，除關於加熱之可靠性及關於半導體發光裝置110之安裝之可靠性以外，亦可改良關於半導體發光裝置110之發光色彩之可靠性。
舉例而言，在已移除支撐基板6(圖4A)之後，藉由一研磨程序、濕式蝕刻、乾式蝕刻或諸如此類來研磨樹脂膜44f之第一表面44q及複數個半導體組件100之基板單元5w中之每一者之一部分，且調整樹脂膜44f及複數個基板單元5w之厚度。換言之，藉由調整凹形部分45之深度，調整波長轉換層46之厚度。舉例而言，根據發光單元15之發光光之峰值波長來改變波長轉換層46之厚度。以此方式，可使半導體發光裝置110之色度一致。舉例而言，可藉由根據發光單元15之發光光之峰值波長改變波長轉換層46之組合物而使半導體發光裝置110之色度一致。
圖5係圖解說明用於製造根據第一實施例之一半導體發光裝置之方法之一流程圖。
如圖5中所圖解說明，此製造方法包含：製備工件102之一步驟S110；形成樹脂膜44f之一步驟S120；移除支撐基板6之一步驟S130；形成複數個凹形部分45之一步驟S140及形成波長轉換層46之一步驟S150。
舉例而言，製備工件102之步驟S110包含：形成複數個發光單元 15之一步驟S111；形成第一導電柱41及第二導電柱42之一步驟S112；形成複數個半導體組件100之一步驟S113；及將複數個半導體組件100配置於支撐基板6上之一步驟S114。
舉例而言，製備工件102包含：形成複數個半導體組件100及將半導體組件100中之每一者配置於支撐基板6上以形成工件102。舉例而言，製備工件102包含：將已形成之工件102置於其中可在製造半導體發光裝置110時使用該工件之狀態中。舉例而言，其中可使用該工件之狀態包含：移除覆蓋且保護工件102之一保護膜及將工件102設定於一製造裝置中。
在步驟S110中，舉例而言，執行關於圖2A至圖2C所闡述之處理。在步驟S120中，舉例而言，執行關於圖3B所闡述之處理。在步驟S130中，舉例而言，執行關於圖4A所闡述之處理。在步驟S140中，舉例而言，執行關於圖4B所闡述之處理。在步驟S150中，舉例而言，執行關於圖4D所闡述之處理。
以此方式，製造具有高可靠性之半導體發光裝置110。
(第二實施例)
圖6A及圖6B係圖解說明根據一第二實施例之一半導體發光裝置之示意圖。
圖6A係一示意性剖面圖。圖6B係一示意性平面圖。圖6A示意性地圖解說明圖6B中之線A1-A2處之剖面。
如圖6A及圖6B中所圖解說明，一半導體發光裝置120進一步包含一第一金屬邊緣部分61及一第二金屬邊緣部分62。
密封單元44具有沿著Z軸方向之一側面44s。側面44s包含一第一側面44a及不同於第一側面44a之一第二側面44b。
第一金屬邊緣部分61覆蓋第一側面44a。第一金屬邊緣部分61電連接至第一端子51。第一金屬邊緣部分61與第一端子51之一部分51b 接觸。第二金屬邊緣部分62經提供以與第一金屬邊緣部分61隔開。第二金屬邊緣部分62覆蓋第二側面44b。舉例而言，第二金屬邊緣部分62沿X軸方向(相反方向)與第一金屬邊緣部分61相對。第二金屬邊緣部分62電連接至第二端子52。第二金屬邊緣部分62與第二端子52之部分52b接觸。舉例而言，將銅、鋁或諸如此類用於第一金屬邊緣部分61及第二金屬邊緣部分62中。
在半導體發光裝置120中，舉例而言，可藉由第一金屬邊緣部分61及第二金屬邊緣部分62進一步增加熱耗散。此外，舉例而言，施加至第一端子51及第二端子52之焊料之一部分升高至第一金屬邊緣部分61及第二金屬邊緣部分62，因此可進一步改良可安裝性。因此，在半導體發光裝置120中，可進一步增加可靠性。
此外，在半導體發光裝置120中，可使用第一金屬邊緣部分61及第二金屬邊緣部分62來調整發光光之定向。同時，可自此觀點來設計第一金屬邊緣部分61及第二金屬邊緣部分62之形狀、大小及厚度。舉例而言，可藉由變化第一金屬邊緣部分61與波長轉換層46之側面46s之間的距離或第二金屬邊緣部分62與波長轉換層46之側面46s之間的距離來調整發光光之定向。
圖7A及圖7B係圖解說明用於製造根據第二實施例之一半導體發光裝置之方法之示意圖。
圖7A係一示意性剖面圖。圖7B係一示意性平面圖。圖7A示意性地圖解說明圖7B中之線B1-B2處之剖面。
如圖7A及圖7B中所圖解說明，當製造半導體發光裝置120時，舉例而言，將複數個金屬框架64提供於工件102中。在此實例中，複數個金屬框架64中之每一者沿著Y軸方向延伸。舉例而言，將複數個金屬框架64中之每一者提供於沿X軸方向最靠近之半導體組件100之各對之間。在形成樹脂膜44f之前將複數個金屬框架64中之每一者提供 於支撐基板6之表面6a上。
舉例而言，將複數個半導體組件100配置於支撐基板6之表面6a上，且將複數個金屬框架64提供於表面6a上。此後，與針對半導體發光裝置110相同地，形成樹脂膜44f、移除支撐基板6、形成複數個凹形部分45、形成導電膜50且形成波長轉換層46。然後，舉例而言，沿著在金屬框架64內沿X軸方向設定之第三切分線DL3執行切分，且將樹脂膜44f及複數個金屬框架64分割成複數個半導體組件100中之每一者。以此方式，經分割金屬框架64之一個部分變為第一金屬邊緣部分61，且另一部分變為第二金屬邊緣部分62，且完成半導體發光裝置120。
(第三實施例)
圖8A至圖8C係圖解說明根據一第三實施例之一半導體發光裝置之示意圖。
圖8A及圖8B係示意性剖面圖。圖8C係一示意性平面圖。圖8A示意性地圖解說明圖8C中之線C1-C2處之剖面。圖8B示意性地圖解說明圖8C中之線D1-D2處之剖面。
如圖8A至圖8C中所圖解說明，一半導體發光裝置130進一步包含一整流元件70。
整流元件70包含一第一電極71、一第二電極72及一整流單元73。
整流單元73之一個邊緣73a電連接至第一端子51。整流單元73之另一邊緣73b電連接至第二端子52。整流單元73在第一電極71(一個邊緣71a)與第二電極72(另一邊緣73b)之間沿一個方向(舉例而言，正向方向)輸出一電流。整流單元73促進在第一電極71與第二電極72之間的沿一個方向之電流流動，且阻礙在第一電極71與第二電極72之間的沿另一方向(舉例而言，反向方向)之電流流動。舉例而言，在一個 邊緣73a與另一邊緣73b之間的沿正向方向(第一整流方向)之電阻小於在一個邊緣71a與另一邊緣73之間的沿反向方向(第二整流方向)之電阻。舉例而言，在整流單元73中，電流不沿反向方向流動。此外，在整流單元73中，沿反向方向流動之電流小於沿正向方向流動之電流。在此實例中，舉例而言，電流沿自第一電極71至第二電極72之方向流動。
第一電極71電連接至第一金屬邊緣部分61。以此方式，第一電極71經由第一金屬邊緣部分61、第一端子51及第一導電柱41而電連接至第一半導體層10。第二電極72電連接至第二金屬邊緣部分62。以此方式，第二電極72經由第二金屬邊緣部分62、第二端子52及第二導電柱42而電連接至第二半導體層20。
第一金屬邊緣部分61包含：一第一主體部分61a(第一延伸部分)，其沿著Y軸方向(延伸方向)延伸；一第一突出部61b(第二延伸部分)，其沿著X軸方向自第一主體部分61a之一端朝向第二金屬邊緣部分62延伸；及一第二突出部61c，其沿著X軸方向自第一主體部分61a之另一端朝向第二金屬邊緣部分62延伸。
第二金屬邊緣部分62包含：一第二主體部分62a(第三延伸部分)，其沿著Y軸方向延伸；一第三突出部62b(第四延伸部分)，其沿著X軸方向自第二主體部分62a之一端朝向第一金屬邊緣部分61延伸且與第一突出部61b相對；及一第四突出部62c，其沿著X軸方向自第二主體部分62a之另一端朝向第一金屬邊緣部分61延伸且與第二突出部61c相對。在第一突出部61b與第三突出部62b之間提供一預定間隙。在第二突出部61c與第四突出部62c之間提供一預定間隙。
舉例而言，整流單元73係一立方體形狀。第一電極71提供於整流單元73之一個面73p上。第二電極72提供於與第一電極71相對之側上的整流單元73之面73q上。第一電極71之一邊緣與第二電極72之一 邊緣之間的距離與第一突出部61b與第三突出部62b之間的間隙之距離實質上相同。舉例而言，整流元件70安置於第一突出部61b之一邊緣與第三突出部62b之一邊緣之間。舉例而言，整流元件70配合於第一突出部61b之一邊緣與第三突出部62b之一邊緣之間。舉例而言，第一突出部61b與整流元件70之第一電極71接觸，因此第一電極71電連接至第一金屬邊緣部分61。舉例而言，第三突出部62b與整流元件70之第二電極72接觸，因此第二電極72電連接至第二金屬邊緣部分62。整流元件70可提供於第二突出部61c與第四突出部62c之間。此外，整流元件70由(舉例而言)密封單元44覆蓋且保持。第一電極71及第二電極72由(舉例而言)密封單元44覆蓋。以此方式，抑制第一電極71及第二電極72曝露至外部。
圖9係圖解說明根據第三實施例之一半導體發光裝置之一等效電路圖。
如圖9中所圖解說明，舉例而言，發光單元15係一發光二極體。舉例而言，整流單元73係一個二極體。在半導體發光裝置130中，整流單元73係如上文所闡述地電連接且沿反向方向並聯連接至發光單元15。
整流單元73之正向壓降(舉例而言)小於發光單元15之最大可允許反向電壓(下文稱為反向耐受電壓)。此外，整流單元73之反向耐受電壓大於在操作期間施加至發光單元15之正向電壓。
當由於靜電放電(ESD)或諸如此類而將一過度電壓(超過發光單元15之反向耐受電壓之一電壓)沿反向方向施加至半導體發光裝置130時，整流單元73傳導電流。當整流單元73導電時，施加至發光單元15之沿反向方向之電壓之最大值減小至整流單元73之正向方向電壓。以此方式，在半導體發光裝置130中，保護發光單元15免受沿反向方向之過度電壓之影響。因此，在半導體發光裝置130中，可進一步增加 可靠性。
舉例而言，整流單元73可係一曾納(Zener)二極體。以此方式，舉例而言，可保護發光單元15免受沿正向方向之過度電壓之影響以及免受沿反向方向之過度電壓之影響。在此實例中，第一金屬邊緣部分61及第二金屬邊緣部分62用作發光單元15及整流單元73之佈線，但給發光單元15及整流單元73裝設佈線之方法並不限於此，且可使用任何方法。
根據此實施例，可提供一高度可靠半導體發光裝置及用於製造該高度可靠半導體發光裝置之方法。
注意，在此說明書中，術語「氮化物半導體」包含其中化學式Bx Iny Alz Ga1-x-y-z N中之x、y及z之組成比例屬於0x1、0y1、0z1及x+y+z1之各別範圍之所有組合物之半導體。此外，關於上文所闡述之化學式，「氮化物半導體」亦應被理解為包含：進一步包含除N(氮)以外之V族元素之半導體；進一步包含經添加以控制諸如導電性類型及諸如此類等各種物理性質之各種元素之半導體；及進一步包含非故意地包含之各種元素之半導體。
在本申請案之說明書中，「垂直」及「平行」不僅係指完全垂直及完全平行而且包含(舉例而言)由於製造程序所致之波動等。實質上垂直及實質上平行係足夠的。
上文闡述參考實例之本發明之實施例。然而，本發明之實施例並不限於此等實例。舉例而言，若熟習本發明所屬技術者視情況自半導體發光裝置中所包含之第一半導體層、第二半導體層、發光層、發光單元、第一導電柱、第二導電柱、密封單元、第一端子、第二端子、第一金屬邊緣部分、第二金屬邊緣部分、整流單元、整流元件、支撐基板、半導體組件、處理主體、樹脂膜、波長轉換層、生長使用基板及諸如此類之特定組態之公眾所知範圍選擇每一要素，且以相同 方式實施本發明，則該要素包含於本發明內，只要可獲得相同效應即可。
此外，特定實例之任何兩個或兩個以上組件可在技術可行性之範圍內被組合且包含於在某種程度上包含本發明之主旨的本發明之範疇內。
此外，可藉由熟習此項技術者基於上文作為本發明之實施例而闡述之半導體發光裝置及用於製造該等半導體發光裝置之方法做出一適當設計修改來實踐之所有半導體發光裝置及用於製造該等半導體發光裝置之方法亦屬於在某種程度上包含本發明之精神的本發明之範疇。
熟習此項技術者可在本發明之精神內聯想到各種其他變化及修改，且應理解，此等變化及修改亦涵蓋於本發明之範疇內。
雖然已闡述本發明之某些實施例，但此等實施例僅係以實例方式呈現，且並非意欲限制本發明之範疇。實際上，本文中所闡述之新穎實施例可以多種其他形式體現；此外，可在不背離本發明之精神之情況下在本文所闡述之實施例之形式上做出各種省略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其等效物意欲涵蓋將歸屬於本發明之範疇及精神的此等形式或修改。
10‧‧‧第一半導體層
10a‧‧‧第一主表面(主表面)
10b‧‧‧第二主表面
10p‧‧‧第一部分
10q‧‧‧第二部分
15‧‧‧發光單元
15s‧‧‧側面
16‧‧‧絕緣層
20‧‧‧第二半導體層
30‧‧‧發光層
41‧‧‧第一導電柱
41a‧‧‧端部部分
41s‧‧‧側面
42‧‧‧第二導電柱
42a‧‧‧端部部分
42s‧‧‧側面
44‧‧‧密封單元
46‧‧‧波長轉換層
46s‧‧‧側面
51‧‧‧第一端子
51a‧‧‧部分
51b‧‧‧部分
52‧‧‧第二端子
52a‧‧‧部分
52b‧‧‧部分
110‧‧‧半導體發光裝置
X‧‧‧軸
Y‧‧‧軸
Z‧‧‧軸

Claims (20)

  1. 一種半導體發光裝置，其包括：一發光單元，其包含一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層，該第一半導體層具有一第一導電性類型且具有包含一第一部分及一第二部分之一主表面，該發光層提供於該第一部分上，該第二半導體層具有一第二導電性類型且提供於該發光層上，該發光單元具有與該主表面相交之一側面；一第一導電柱，其提供於該第二部分上且沿著垂直於該主表面之一第一方向延伸，該第一導電柱具有沿著該第一方向之一側面且電連接至該第一半導體層，該第一導電柱具有一第一端部部分，該第一端部部分位於與該第一半導體層相對之一側；一第二導電柱，其提供於該第二半導體層上且沿著該第一方向延伸，該第二導電柱具有沿著該第一方向之一側面且電連接至該第二半導體層，該第二導電柱具有一第二端部部分，該第二端部部分位於與該第二半導體層相對之一側；一密封單元，其覆蓋該發光單元之該側面、該第一導電柱之該側面及該第二導電柱之該側面；一第一端子，其提供於該第一導電柱之該第一端部部分上及該密封單元上且電連接至該第一導電柱，該第一端子包含一第一重疊部分及一第二重疊部分，該第一重疊部分與該發光單元重疊，該第二重疊部分在突出至平行於該主表面之一平面上時不與該發光單元重疊而與該密封單元重疊，該第一端子具有面對與該第一導電柱相對之側之一表面，該第一端子具有與該表面相交之一側面，該第一端子之該表面及該側面係露出，該第一端子之該表面及該側面係可與焊料接觸； 一第二端子，其提供於該第二導電柱之該第二端部部分上及該密封單元上，該第二端子與該第一端子隔開且電連接至該第二導電柱，該第二端子包含與該發光單元重疊之一第三重疊部分及在突出至該平面上時不與該發光單元重疊而與該密封單元重疊之一第四重疊部分，該第二端子具有面對與該第二導電柱相對之側之一表面，該第二端子具有與該表面相交之一側面，該第二端子之該表面及該側面係露出，該第二端子之該表面及該側面係可與焊料接觸；及一波長轉換層，其具有與該主表面相交之一側面，該第一半導體層提供於該波長轉換層上；且該第一端子於與該第一方向垂直之一第二方向上具有一第一長度；該第二端子於該第二方向上具有一第二長度；該波長轉換層於一第三方向上具有一第三長度；該第一長度與該第二長度之總和長度係大於該第三長度。
  2. 如請求項1之裝置，其進一步包括：一第一金屬邊緣部分；及一第二金屬邊緣部分，其與該第一金屬邊緣部分隔開；且該密封單元具有沿著該第一方向之一側面；該密封單元之該側面包含一第一側面部分及不同於該第一側面部分之一第二側面部分；該第一金屬邊緣部分覆蓋該第一側面部分且電連接至該第一端子；該第二金屬邊緣部分覆蓋該第二側面部分且電連接至該第二端子。
  3. 如請求項2之裝置，其中 該第一金屬邊緣部分接觸該第二重疊部分；且該第二金屬邊緣部分接觸該第四重疊部分。
  4. 如請求項1之裝置，其進一步包括包含一整流單元之一整流元件，該整流單元之一端電連接至該第一端子，且該整流單元之另一端電連接至該第二端子。
  5. 如請求項4之裝置，其中在該一端與該另一端之間的沿一第一整流方向之電阻小於在該一端與該另一端之間的沿與該第一整流方向相反之一第二整流方向之電阻；該發光單元具有一正向方向，且光係沿該正向方向自該發光層發射；該整流單元與該發光單元並聯連接；且該第一整流方向與該正向方向相反。
  6. 如請求項5之裝置，其中沿該第一整流方向之該整流單元之一壓降小於該發光單元之沿反向方向之一可允許電壓。
  7. 如請求項4之裝置，其中該整流元件由該密封單元覆蓋。
  8. 如請求項4之裝置，其進一步包括：一第一金屬邊緣部分；及一第二金屬邊緣部分，其與該第一金屬邊緣部分隔開；且該密封單元具有沿著該第一方向之一側面；該密封單元之該側面包含一第一側面部分及不同於該第一側面部分之一第二側面部分；該第一金屬邊緣部分覆蓋該第一側面部分且電連接至該第一端子；該第二金屬邊緣部分覆蓋該第二側面部分且電連接至該第二 端子；該第二金屬邊緣部分沿平行於該主表面之一相反方向與該第一金屬邊緣部分相對；該第一金屬邊緣部分包含：一第一延伸部分，其沿著一延伸方向延伸，該延伸方向平行於該主表面且不同於該相反方向；及一第二延伸部分，其沿著該相反方向自該第一延伸部分之一端朝向該第二金屬邊緣部分延伸；該第二金屬邊緣部分包含：一第三延伸部分，其沿著該延伸方向延伸；及一第四延伸部分，其沿著該相反方向自該第三延伸部分之一端朝向該第二延伸部分延伸；且該整流單元安置於該第二延伸部分與該第四延伸部分之間。
  9. 如請求項8之裝置，其中該整流元件進一步包含：一第一電極，其電連接至該整流單元之一端或該另一端且接觸該第二延伸部分；及一第二電極，其電連接至該整流單元之一端或該另一端中之另一者且接觸該第四延伸部分。
  10. 如請求項1之裝置，其中該密封單元亦覆蓋該波長轉換層之該側面。
  11. 如請求項1之裝置，其進一步包括提供於該發光單元與該密封單元之間的一絕緣層。
  12. 如請求項1之裝置，其中該第一端子接觸該第一導電柱；且該第二端子接觸該第二導電柱。
  13. 如請求項1之裝置，其中 該總和長度係該第三長度的一倍以上二倍以下。
  14. 一種半導體發光裝置之製造方法，其包括：製備包含一支撐基板及配置於該支撐基板之一表面上之複數個半導體組件之一工件，該等半導體組件中之每一者包含：一基板單元；一發光單元，其提供於該基板單元上，該發光單元包含一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層，該第一半導體層具有一第一導電性類型且提供於該基板單元上，該第一半導體層具有包含一第一部分及一第二部分之一主表面，該發光層提供於該第一部分上，該第二半導體層具有一第二導電性類型且提供於該發光層上，該發光單元具有與該主表面相交之一側面；一第一導電柱，其提供於該第二部分上且沿著垂直於該主表面之一第一方向延伸，該第一導電柱具有沿著該第一方向之一側面且電連接至該第一半導體層；及一第二導電柱，其提供於該第二半導體層上且沿著該第一方向延伸，該第二導電柱具有沿著該第一方向之一側面且電連接至該第二半導體層；在該等半導體組件上及該支撐基板之該表面上形成一樹脂膜，該樹脂膜覆蓋該等半導體組件中之每一者之該發光單元之該側面、該第一導電柱之該側面及該第二導電柱之該側面；自該等半導體組件及該樹脂膜移除該支撐基板；在該樹脂膜中形成複數個凹形部分，藉由移除該等半導體組件之該等基板單元中之每一者而使該等凹形部分反映該等基板單元之形狀； 在該樹脂膜之另一表面上形成一導電膜；及自該導電膜形成一第一端子及一第二端子；其中將該第一端子提供於該第一導電柱上及該樹脂膜上，且將該第一端子電連接至該第一導電柱；且該第二端子與該第一端子隔開，將該第二端子提供於該第二導電柱及該樹脂膜上，且將該第二端子電連接至該第二導電柱藉由用包含一波長轉換材料之一樹脂材料填充該等凹形部分來形成包含該波長轉換材料之一波長轉換層，該波長轉換層吸收自該發光單元發射之一第一光之至少一部分且發射具有不同於該第一光之峰值波長之一峰值波長之一第二光；該第一端子於與該第一方向垂直之一第二方向上具有一第一長度；該第二端子於該第二方向上具有一第二長度；該波長轉換層於一第三方向上具有一第三長度；該第一長度與該第二長度之總和係大於該第三長度；及在若干對該等半導體組件之間切割該樹脂膜。
  15. 如請求項14之方法，其中製備該工件之程序包含：根據自該發光單元發射之該第一光之該峰值波長而將該等半導體組件配置於該支撐基板上。
  16. 如請求項15之方法，其中在製備該工件之該程序中，配置於該支撐基板上之該等半導體組件之該峰值波長之最大值與最小值之間的差不大於2nm。
  17. 如請求項15之方法，其中將該等半導體組件配置於該支撐基板上之該程序包含：在該支撐基板上形成一壓敏黏合層及使用該壓敏黏合層將該等半導體組件固定於該支撐基板上；且移除該支撐基板之該程序包含：減小該壓敏黏合層之壓敏黏 合力。
  18. 如請求項14之方法，其中製備該工件之該程序進一步包含：在一生長使用基板上形成複數個該等發光單元；在該等發光單元之該等第一半導體層中之每一者之該第二部分上形成該第一導電柱，且在該等發光單元之該等第二半導體層中之每一者上形成該第二導電柱；及藉由切割該生長使用基板且將該生長使用基板分割成該等發光單元中之每一者來形成該等半導體組件。
  19. 如請求項18之方法，其中製備該工件之該程序進一步包含：量測該等發光單元中之每一者之發光光之峰值波長。
  20. 如請求項14之方法，其中將該等半導體組件沿平行於該主表面之一個方向配置且沿平行於該主表面並垂直於該一個方向之另一方向配置；該工件進一步包含複數個金屬框架，該複數個金屬框架沿著該另一方向延伸，並提供於沿該一個方向最接近之每一對半導體組件之間；且在若干對該等半導體組件之間切割該樹脂膜之該程序包含：沿著在該等金屬框架中之每一者上沿該一個方向設定之一線切割該金屬框架。
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