TWI511765B - 純化方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於自碳奈米管中移除雜質之方法。該等方法可包括其他步驟，其中使該等已移除雜質之碳奈米管分散，接著視情況根據直徑、結構及/或電子特徵加以分離，從而產生經分選或經分級之材料及溶液。
奈米級碳材料具有較大技術及科學價值。碳黑已為人所知很長時間，但具有定義不明之結構。近來，已開發新種類之較完美碳奈米結構，包括芙及奈米管。芙之最著名實例為C60
，一種具有特定對稱且近似呈球形之結構的純碳分子。該結構由共用邊緣之六邊形及五邊形組成；確切言之，需要12個五邊形來閉合籠形結構。較大及較小之芙係藉由添加/移除碳原子(通常為碳原子對)而為人所知。此等較大芙因閉合五邊形之均勻分佈而通常亦近似呈球形，但在其變大時因五邊形之局部應變而變得愈加多面。
碳奈米管與芙有關，但在結構上高度各向異性。閉合五邊形集中在一起(在各末端處6個)以形成「帽蓋」，而管體由石墨六邊形之無縫圓柱體形成。對縱橫比不存在基本限制，但1000左右為典型的，且5,000,000為已知的。奈米管令人關注之特性在很大程度上歸於六方體，且實際上可移除末端帽蓋以形成開放管。碳奈米管可再分成兩組：單壁碳奈米管(SWNT)及多壁碳奈米管(MWNT)。
SWNT為可視作單一「捲起式」石墨烯片之純碳管形分
子。SWNT之直徑通常為約1至1.5 nm，且其特性視其直徑及其自石墨烯片捲起之角度(對掌性角)而定。多壁碳奈米管由若干SWNT同心層組成。存在若干製造碳奈米管之技術。然而，所有技術皆產生具有不同直徑及對掌性之混合物。
可延伸奈米管之定義以包括熟習此項技術者所熟知之許多變化形式或衍生物，包括例如存在缺陷(空位、其他環(諸如七邊形)及經由雜交而改變)、內嵌材料(endohedral material，用其他物質填充中空核心)、化學功能化、二聚(或多聚)及較複雜拓撲。
一般而言，奈米管及其衍生物之合成技術具有不良選擇性，從而得到一系列具有不同特定特徵之產物。此外，碳奈米管通常含有不合需要之雜質，諸如含碳雜質，包括微米級石墨、含碳奈米粒子、經金屬填充之含碳奈米粒子、芙、所謂的「污物」(不完美芙籠及其他煙灰碎片)、非晶形碳及聚芳族烴；及來源於催化劑之雜質，包括催化劑金屬粒子，諸如Fe、Ni、Co及Pd，及催化劑載體材料，諸如氧化物，包括二氧化矽、氧化鋁、沸石及中孔二氧化矽。存在該等雜質可在隨後處理材料時引起問題，且因此需要在諸如分散及分離之進一步處理之前進行自碳奈米管樣品中移除雜質之步驟。
迄今，用於移除金屬雜質及含碳雜質之方法已包括使用熱、離心及/或化學物質。已使用之技術之實例包括使用氣相及/或液相試劑之競爭性氧化，該等試劑包括空氣、
氧氣、水蒸氣、過氧化氫、酸化高錳酸鹽、硝酸、硫酸/硝酸混合物；音波處理；用鹽酸萃取金屬；藉由離心或介電泳分離奈米管-界面活性劑分散液；插入可被氧化之金屬。此等方法中無一提供完全令人滿意之結果；因此，常用多種處理之組合、重複或序列。除移除不需要之顆粒雜質以外，此等技術中所用之條件亦對碳奈米管造成損壞，從而使所需特徵降級，諸如縱橫比、電導率、機械強度或光譜/光電子特徵。另一方面，雜質本身在許多應用中使效能降級，例如因充當奈米複合物之機械故障之起始位點、在高透明度膜中寄生性地吸收光、淬滅/吸收螢光信號等。
因此，需要一種簡單而有效之自碳奈米管中移除不需要之雜質的方法，其避免對碳奈米管造成損壞。
就此而言，本發明提供一種自碳奈米管樣品中移除雜質之方法，其包含使該樣品與包含金屬及胺溶劑之電子液體接觸。
有利的是，本發明之發明者已發現，電子液體可用於自碳奈米管樣品中移除雜質。此方法尤其有利，此係因為其避免使用損壞奈米管之試劑，使得在移除雜質後所保留之奈米管未受損且未經功能化。因此，本發明方法提供理想的起始材料供進一步操作，諸如分散、分離及功能化。
本發明方法之另一優勢為製程之清潔度。更特定言之，僅添加金屬及胺溶劑，且溶劑具有高度揮發性並容易移
除，留下純金屬奈米管內鎓鹽(nanotubide salt)。許多金屬本身具有揮發性且可藉由昇華來移除。此意謂金屬因此可回收供再使用，留下已移除雜質之清潔奈米管。
本發明之另一優勢在於可對按合成原樣之純碳奈米管樣品進行本發明方法，而不需要進行任何預調節步驟。
在本發明方法中，使奈米管樣品與電子液體接觸。此步驟具有使雜質帶電以產生陰離子之作用，該等陰離子接著優先溶解於胺溶劑中。
術語「雜質」在本文中用於指代非奈米管材料且包括含碳雜質與來源於催化劑之雜質。含碳雜質包括微米級石墨、含碳奈米粒子、經金屬填充之含碳奈米粒子、芙、所謂的「污物」(不完美芙籠及其他煙灰碎片)、非晶形碳及聚芳族烴。來源於催化劑之雜質包括催化劑金屬粒子，諸如Fe、Ni、Co及Pd；及催化劑載體材料，諸如氧化物，包括二氧化矽、氧化鋁、沸石及中孔二氧化矽。
一般而言，碳奈米管樣品中所存在之雜質屬於兩個類別，特定言之為可溶解雜質，諸如大部分含碳雜質及金屬；及不可溶解雜質，諸如來源於催化劑載體之材料，諸如氧化物及碳化物以及較大微米級石墨。在雜質可溶解之情況下，藉由優先將該等雜質溶解於電子液體之胺溶劑中或另一溶劑中來進行本發明方法，碳奈米管樣品在與電子液體接觸後轉移至該另一溶劑中。雜質可以離散鍵結物質形式溶解/分散(例如芙、碳奈米粒子、聚芳族烴)或溶解/分散成原子溶液形式(例如一些金屬)。在雜質不溶解於電
子液體或另一溶劑中之情況下，本發明方法仍可藉由控制電子液體之金屬含量以使相關材料溶解且雜質保持不溶解來移除雜質。
在一個實施例中，本發明主要係關於移除可溶解雜質，詳言之為非常難移除之含碳雜質。就此而言，在一個實施例中，本發明提供一種自碳奈米管樣品中移除含碳雜質之方法，其包含使該樣品與包含金屬及胺溶劑之電子液體接觸。
術語「電子液體」在本文中用於描述當諸如鹼土金屬或鹼金屬(例如鈉)之金屬在不發生化學反應之情況下溶解於極性非質子性溶劑(原型實例為氨)中時所形成的液體。此過程向溶劑中釋放電子，從而形成高度還原性溶液。在不欲受理論約束下，此等溶液基於兩個因素溶解奈米管。首先，電子可在溶劑中直接溶劑化，從而允許快速電荷輸送及再分佈。累積於碳物質上之負電荷引起靜電排斥。在極性非質子性溶劑中，此等帶負電物質可溶劑化且因此穩定分散。
本發明中所用之奈米管可為SWNT或MWNT。奈米管較佳為碳奈米管。術語「奈米管」欲涵蓋熟習此項技術者所熟知之許多變化形式或衍生物，包括例如存在缺陷(空位、其他環(諸如七邊形)及經由雜交而改變)、內嵌材料(用其他物質填充中空核心)、化學功能化、二聚(或多聚)及較複雜拓撲。奈米管可具有一定範圍之直徑。對於SWNT，奈米管通常將具有在約0.4 nm至約3 nm範圍內之
直徑。在奈米管為MWNT之情況下，直徑較佳將在約1.4 nm至約100 nm之範圍內。碳奈米管較佳為SWNT。適合奈米管可購自許多供應商，包括SWeNT、Carbon Nanotechnologies Inc.、Carbolex Inc.及Thomas Swan Ltd.。
本發明方法中所用之金屬為溶解於胺中以形成電子液體之金屬。熟習此項技術者應熟知適當金屬。金屬較佳係選自由鹼金屬及鹼土金屬組成之群。金屬較佳為鹼金屬，詳言之，鋰、鈉或鉀。金屬較佳為鈉。在一個實施例中，可使用金屬混合物。
宜小心控制溶液中所包括之金屬量。詳言之，本發明之發明者已發現，在電子液體中之金屬與其所接觸之奈米管樣品中之碳的比率較低時，優先溶解雜質，因此能夠自碳奈米管樣品中移除雜質。因此，金屬較佳以一定量存在使得電子液體中之金屬原子與該電子液體所接觸之碳奈米管樣品中之碳原子的比率小於約1：20、約1：30或小於1：30、較佳約1：40或小於1：40、較佳約1：50或小於1：50、較佳約1：60或小於1：60、較佳約1：70或小於1：70、較佳約1：80或小於1：80、較佳約1：90或小於1：90、較佳約1：100或小於1：100、較佳約1：150或小於1：150、較佳約1：200或小於1：200、較佳約1：250或小於1：250。在一些實施例中，金屬以一定量存在使得電子液體中之金屬原子與該電子液體所接觸之碳奈米管樣品中之碳原子的比率在約1：250至約1：30、約1：200至約1：40、約1：150至約1：50、約1：120至約
1：70、約1：110至約1：90之範圍內，在一個實施例中為約1：100。可根據金屬原子與碳原子之相對質量藉由熟習此項技術者應熟知之簡單計算來確定其莫耳比。
在一個實施例中，或者或另外，宜小心控制電子液體中之金屬與其所接觸之碳奈米管樣品中之非奈米管碳原子的比率。因此，在一個實施例中，金屬以一定量存在使得電子液體中之金屬原子與該電子液體所接觸之碳奈米管樣品中之非奈米管碳原子的比率小於約1：20、約1：30或小於1：30、較佳約1：40或小於1：40、較佳約1：50或小於1：50、較佳約1：60或小於1：60、較佳約1：70或小於1：70、較佳約1：80或小於1：80、較佳約1：90或小於1：90、較佳約1：100或小於1：100、較佳約1：150或小於1：150、較佳約1：200或小於1：200、較佳約1：250或小於1：250。在一些實施例中，金屬以一定量存在使得電子液體中之金屬原子與該電子液體所接觸之碳奈米管樣品中之非奈米管碳原子的比率在約1：250至約1：30、約1：200至約1：40、約1：150至約1：50、約1：120至約1：70、約1：110至約1：90之範圍內，在一個實施例中為約1：100。可使用熟習此項技術者應熟知之技術，諸如熱解重量分析(TGA)及UV-vis光譜法，來測定金屬與非奈米管碳原子之莫耳比。
在本發明方法中，藉由將金屬溶解於胺溶劑中來形成電子液體。在一些實施例中，胺溶劑可為C1
至C12
胺、C1
至C10
胺、C1
至C8
胺、C1
至C6
胺、C1
至C4
胺。胺溶劑較佳係選自氨、甲胺或乙胺。胺溶劑較佳為氨。
在一個實施例中，金屬為鈉且胺溶劑為氨。
較佳藉由確保所有材料皆乾燥且不含氧氣而自系統中排除空氣及濕氣。熟習此項技術者應瞭解，不可能建立完全不含氧氣之環境。因此，如本文所用之術語「不含氧氣」係指氧氣含量為約5 ppm或小於5 ppm之環境。
本發明方法之產物為已移除雜質之碳奈米管樣品。在本發明方法之一個實施例中，與電子液體接觸後碳奈米管樣品中之雜質含量比與電子液體接觸前碳奈米管樣品中之雜質含量少約50%、少約40%、少約30%、少約20%、少約10%、少約5%、少約2%、少約1%。本發明方法較佳提供不含雜質之碳奈米管樣品。
熟習此項技術者應熟知可用於確認及定量雜質之移除的技術。舉例而言，可使用拉曼散射技術(Raman scattering technique)來確定含碳雜質之存在(Dresselhaus等人Physics Reports(2005),47,409)。拉曼散射為在損失能量或自樣品之電子振動模式(聲子)獲得能量之情況下經由中間電子發生非彈性光散射之過程。由於僅極少數聲子以此方式散射(1/107
)，因此拉曼光譜法通常使用雷射用於高強度單色光束。
拉曼光譜法藉由比較1350 cm-1
處之缺陷譜帶(D譜帶)與1590 cm-1
處之石墨譜帶(G譜帶)的相對強度來提供碳奈米管純度之半定量指示。D譜帶之強度增加與存在污染性含碳雜質或損壞奈米管構架有關。因此，低G/D值指示含碳雜質。比值可報導為強度比，或獲自高斯/洛仁子擬合
(Gaussian/Lorentzian fit)之峰積分之比率。在一些狀況下，較佳使用D譜帶與約2600 cm-1
處之二階特徵(有時稱為G')之比率。激發雷射之頻率將影響量測之量值及選擇性；理想情況下使用一定範圍之雷射，但常用紅光雷射(628 nm)及綠光雷射(514 nm或532 nm)。在任何狀況下，所獲得之G/D比始終為相對特徵指標而非絕對值。熟習此項技術者應熟知之用於量測含碳雜質濃度之其他技術使用於熱解重量分析儀(TGA)中之差示燃燒或詳細UV/vis吸收之量測。在兩種狀況下，必需視欲使用之特定奈米管材料而開發並校準系統。對於來源於催化劑之雜質，諸如金屬及催化劑載體材料，可使用TGA或元素分析(例如藉由原子發射/吸收光譜法或X射線螢光/光電子光譜法)後之相對直接殘餘灰分含量。
繼本發明方法之後，可藉由使用諸如傾析、過濾、真空轉移、壓力驅動套管等標準技術移除液相來分離已分散/溶解之部分與未溶解部分。有利的是，由於本發明方法不需要攪拌，因此避免需要漫長之沈降或離心製程，但在一些實施例中仍可使用該等技術。在一個實施例中，溶劑化材料(亦即已溶解材料)主要含有雜質，而剩餘材料包含經純化碳奈米管，該等經純化碳奈米管可藉由進一步蒸發任何剩餘電子液體來回收。
在一個實施例中，詳言之在雜質不可溶解於胺溶劑中之情況下，可將本發明方法中之已與電子液體接觸之碳奈米管樣品轉移至不同溶劑中，詳言之極性非質子性溶劑，較
佳為無水、不含氧氣之極性非質子性溶劑，以溶解雜質。極性非質子性溶劑可選自由以下組成之群：四氫呋喃(THF)；二甲亞碸(DMSO)；醚，諸如二噁烷；醯胺，諸如二甲基甲醯胺(DMF)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、二甲基乙醯胺(DMA)及六甲基偶磷三醯胺；乙腈；及CS2
。在一個實施例中，極性非質子性溶劑為THF。在一替代性實施例中，極性非質子性溶劑為DMF。在此實施例中，首先移除形成電子液體之一部分的胺溶劑以獲得帶電奈米管內鎓鹽。熟習此項技術者應熟知，詞尾「內鎓」用於鑑別鹽之陰離子組分。因此，術語「奈米管內鎓鹽」係指鹽中包含奈米管之陰離子組分，其係在電子液體與碳奈米管樣品接觸時形成。接著將奈米管內鎓鹽轉移至極性非質子性溶劑中。在轉移至極性非質子性溶劑中之前不必移除所有胺溶劑，且因此可存在殘餘胺溶劑。如上文所述，可使用標準技術來移除胺溶劑。
移除雜質後，可進行一或多個其他步驟。
在一個實施例中，可使已移除雜質之碳奈米管樣品中之碳奈米管分散。
熟習此項技術者應熟知許多可使奈米管分散之方式。實例包括在有機溶劑中對SWNT進行音波處理(Coleman等人，Ad.Mater 2008,20,1876-1881)、界面活性劑包裹奈米管(O'Connell等人，Science 297,593(2002))及使用超級酸。雖然可採用任何此等技術來使已由本發明方法移除雜質之碳奈米管分散，但較佳採用避免損壞碳奈米管之分散
步驟。
一種此類技術描述於WO-A-2010/001128中。此文獻描述包含金屬及胺溶劑之溶液可用於產生包含高濃度之個別分散奈米管之溶液。在本發明純化步驟之後包括此種分散步驟尤其有利，此係因為該分散步驟使用相同材料，特定言之電子液體，且因此，除了不損壞奈米管以外，其亦可在同一裝置中以最少步驟數進行。因此，在一個實施例中，本發明方法包含使已移除雜質之奈米管樣品與包含金屬及胺溶劑之第二電子液體接觸以使奈米管分散之另一步驟。
構成第二電子液體之金屬及胺溶劑如上文結合移除雜質步驟中所用之電子液體所述。然而，在分散步驟中，第二電子液體中之金屬原子與已移除雜質之奈米管樣品中之碳原子的比率高於移除雜質步驟中之相應比率。更特定言之，宜小心控制第二電子液體中所包括之金屬量。電子液體中存在過多金屬會消除(飽和)選擇性帶電之可能性且阻止藉由篩選碳物質之間的靜電排斥來使奈米管分散。因此，金屬較佳以一定量存在使得第二電子液體中之金屬原子與已移除雜質且與該第二電子液體接觸之碳奈米管樣品中之碳原子的比率為約1：4或小於1：4、較佳約1：6或小於1：6、較佳約1：8或小於1：8、較佳約1：10或小於1：10、較佳約1：15或小於1：15、較佳約1：20或小於1：20。在一些實施例中，金屬以一定量存在使得第二電子液體中之金屬原子與已移除雜質且與該第二電子液體接觸之碳奈米管樣品中
之碳原子的比率在約1：20至約1：5、約1：15至約1：8、約1：10至約1：12之範圍內，較佳為約1：10。如上文所述，可根據金屬原子與碳原子之相對質量藉由熟習此項技術者應熟知之簡單計算來確定其莫耳比。
在一個實施例中，逐漸增加第二電子液體中之金屬原子與已移除雜質之碳奈米管樣品中之碳原子的比率，以使已移除雜質之奈米管選擇性分散。此製程可藉由依序增加第二電子液體中之金屬含量或藉由使奈米管與一系列依序含有漸增量之金屬原子的其他電子液體接觸來進行。碳奈米管視類型、直徑及螺旋度而具有可變電子親和力。因此，使用具有不同金屬含量之電子液體引起奈米管之選擇性分散。術語「選擇性分散」用於指代奈米管依序逐份溶解之情形，其中任何指定部分中之奈米管具有類似且不同於另一部分之特性。在使用一系列不同電子液體使奈米管選擇性分散之一實施例中，在與下一奈米管接觸之前移除各電子液體。
在一替代性且較佳之實施例中，第二電子液體係藉由增加純化步驟之後剩餘之電子液體之金屬含量而形成。此提供獲得經純化且經分散之碳奈米管而不需要改變溶劑之簡化方法。在此實施例中，胺溶劑較佳為氨。
在一個實施例中，可移除第二電子液體之胺溶劑以形成奈米管內鎓鹽，接著將其轉移至另一溶劑中，較佳為極性非質子性溶劑，較佳為無水且不含氧氣之極性非質子性溶劑。
在本發明之一替代性實施例中，可使用如WO-A-2010-001125中所述之技術使已移除雜質之奈米管樣品中之奈米管分散。更特定言之，在一個實施例中，可由電化學製程使已移除雜質之奈米管分散。
如本文所用之術語「電化學製程」係指在電子導體(電極)與離子導體(電解質)之界面處進行化學反應之製程，且為涉及在電極與電解質之間轉移帶電物質之製程。
因此，在一個實施例中，本發明方法可包含在工作電極與反電極之間施加電位之另一步驟，其中該工作電極包含已移除雜質之奈米管，且該工作電極與該反電極形成電化學電池之一部分，該電化學電池另外包含電解質。
如本文所用之術語「工作電極」係指進行相關電化學製程之界面處的電極。
工作電極包含已由本發明方法移除雜質之奈米管。有利的是，此等奈米管之高純度允許藉由可容易控制之單一簡單製程使大量奈米管分散。另外，直接監測分散步驟之終點，因為其將以工作電極之所需溶解程度為標誌。最後，維持該系統不含不需要之其他污染物。
使已移除雜質之奈米管分散之電化學技術的基本原理為在包含奈米管之工作電極與反電極之間施加相對較大之電位，直至奈米管變得充分高度帶電以致其自發溶解為止。該製程可使用較大正電壓以自奈米管移除電子(氧化)，從而產生帶正電奈米管之溶液；或使用較大負電壓以向奈米管添加電子(還原)，從而提供帶負電奈米管之溶液。較佳
施加較大負電位以還原奈米管。還原較佳，此係因為所需電位更容易在標準溶劑窗口中達到，且所產生之碳奈米管內鎓離子更容易溶劑化。在奈米管經還原之情況下，工作電極為陰極且反電極為陽極。
如上文所指示，在此電化學分散步驟中，在工作電極與反電極之間施加較大電位。在工作電極與反電極之間所施加的電位可視奈米管之電離能量而作調整。在施加負電位之情況下，所施加之電位較佳為約-0.6 V或更大負值之電位、約-0.8 V或更大負值之電位、較佳約-1.0 V或更大負值之電位、較佳約-1.5 V或更大負值之電位、較佳約-2.0 V或更大負值之電位、較佳約-2.5 V或更大負值之電位，如相對於標準氫電極所量測。所施加之電位較佳在約-1 V至約-2 V之範圍內，如相對於標準氫電極所量測。
在施加正電位之情況下，所施加之電位較佳為約1.0 V或1.0 V以上、較佳約1.1 V或1.1 V以上、較佳約1.2 V或1.2 V以上、較佳約1.3 V或1.3 V以上、較佳約1.5 V或1.5 V以上，如相對於標準氫電極所量測。所施加之電壓較佳為約3 V或3 V以下、約2.5 V或2.5 V以下、約2.0 V或2.0 V以下，如相對於標準氫電極所量測。
穩態電流與奈米管之溶解速率有關，且可藉由調整電解質之組成及工作電極之表面積以及所施加之電位而最大化。
在工作電極與反電極之間施加電位所持續之時間除了工作電極消耗以外不受特別限制，該工作電極可補充。在一
個實施例中，可施加電位持續約1小時至約16小時範圍內之時間。
工作電極之尺寸不受特別限制。在一些實施例中，工作電極可具有在約0.2 cm2
至約1.0 cm2
範圍內之表面積。在其他實施例中，表面積可顯著較大，尤其在以工業規模操作該方法之情況下。
電解質為穩定帶電奈米管之物質。可藉由向溶劑中添加適合鹽而在電化學電池中就地形成電解質。可使用用於無水有機電解質系統之標準寬泛穩定性鹽，包括四苯基硼酸鈉、六氟磷酸四丁基銨及過氯酸鋰。
熟習此項技術者應熟知適合溶劑。詳言之，極性非質子性無水溶劑較佳。適用於帶電奈米材料之溶劑包括(但不限於)二甲基甲醯胺(DMF)、二甲基乙醯胺(DMA)及N-甲基吡咯啶酮(NMP)。此等溶劑較佳無水(亦即不含水)且不含氧氣。
或者，可使用基於奈米材料之電解質，諸如基於奈米管之電解質，例如藉由直接反應而異地製備或藉由添加鹼金屬而就地製備之鹼金屬奈米管內鎓鹽。或者，基於奈米管之電解質可為已由本發明方法移除雜質之奈米管於包含金屬及胺溶劑之電子液體中之溶液。在此實施例中，電子液體如先前結合在已自碳奈米管樣品中移除雜質後即使奈米管分散之替代性方法所定義。
較佳藉由確保所有材料皆乾燥且不含氧氣而自系統中排除空氣及濕氣。
在本發明方法之此實施例中，藉由在工作電極與反電極之間施加電位而自工作電極溶解奈米管。電化學電池可含有複數個反電極。所用反電極不受特別限制，但較佳在所採用之條件下呈電化學惰性。就此而言，熟習此項技術者應熟知適當反電極。適合反電極之實例包括玻璃碳、石墨、鉑及奈米管紙。
在一個實施例中，電化學電池可另外包含參考電極或假參考電極。此增添為有利的，因為其允許最大化控制，尤其在小規模實驗中。在本發明方法中所用之溶劑/電解質系統中，最通常設計用於水性系統或含有水性系統之標準參考電極並非始終容易利用，因此可使用假參考電極，諸如鉑線。亦可利用一些參考電極系統，諸如Ag/AgNO3
。
在本發明之一個實施例中，工作電極及反電極配置於由適合電化學膜或隔片連接之各別隔室中。適合電化學膜及隔片包括多孔膜，例如氟化聚合物膜，及玻璃或其他惰性纖維墊。在此種配置中，電解質鹽或反電極材料在反電極處被氧化(或還原)以平衡工作電極處奈米管之還原(或氧化)。可自工作電極隔室中收集帶電經分散奈米管之溶液。在以連續方式運作該製程之情況下，可能必需添加電解質或反電極材料之其他添加物。
在一替代性實施例中，工作電極及反電極容納於單一隔室中。在此配置中，奈米管自工作電極溶解且隨後沈積於反電極上。該製程可持續直至工作電極中所提供之奈米管耗盡為止，或直至工作電極中所提供之奈米管之所選部分
耗盡為止。已自工作電極溶解之奈米管之比例可藉由隨著電化學反應之進行監測工作電極之重量或藉由隨時間對電流進行積分而量測已通過電化學電池之總電荷來測定。可自反電極中收集沈積之奈米管，例如藉由機械構件以產生粉末，或藉由進一步電化學處理以產生分散液。
所用電化學電池較佳經配置以使工作電極及反電極容納於同一隔室中。
奈米管為異質的，且各種組分具有不同氧化還原電位，如Okazaki,K.等人Physical Review B,2003,68
(3)中所述。因此，藉由選擇工作電極之電位，可溶解含奈米管材料之不同部分。因此，視奈米管之特性而定，可使已移除雜質之奈米管選擇性分散。此選擇性可依兩種方式之一來達成。在一個實施例中，可藉由控制含奈米管工作電極之溶解來達成分離。此舉可藉由控制在工作電極與反電極之間所施加的電位來進行。金屬或直徑依賴性半導電奈米管可視情況在逐漸增加量值之施加電位步驟之序列中獨立地溶解。在藉由控制工作電極之溶解來達成分離之情況下，在工作電極與反電極之間所施加的電位較佳足以溶解至少約1%、至少約5%、至少約10%、至少約15%、至少約20%、至少約25%、至少約30%、至少約35%、至少約40%、至少約45%、至少約50%、至少約60%、至少約70%、至少約80%、至少約85%、至少約90%、至少約95%、至少約98%、至少約99%之工作電極奈米管。
在此實施例中，在本發明方法包括電化學分散步驟之情
況下，所獲得之產物為經分散之個別帶電奈米管之溶液，該等奈米管已視情況基於尺寸、螺旋度及/或電子特徵藉由調整在工作電極與反電極之間所施加的電位而分離，以便控制含奈米管工作電極之溶解。
在一替代性實施例中，可藉由控制已溶解奈米管沈積於反電極上來達成奈米管之分離。在此實施例中，較佳在工作電極與反電極之間施加足夠大的電位以溶解至少約50%、至少約60%、至少約70%、至少約80%、至少約85%、至少約90%、至少約95%、至少約98%、約100%之工作電極奈米管。電化學電池可包含複數個反電極，使得工作電極與各後續反電極之間的電位不同。帶電物質之不同氧化還原電位將使其選擇性地沈積於不同反電極處，從而可分離工作電極中所包含之奈米管。反電極較佳依照距工作電極之距離按順序進行空間配置，使得已溶解物質自最小量值電位至最大量值電位依序移動。此配置允許純物質在達到沈積所需之電位時沈積於各反電極處。
本發明方法所產生之奈米管可直接應用於諸如太陽能電池、電晶體及感測之領域中。詳言之，經分散奈米管可用於達成多種目的，包括製備塗料、複合物，及使用針對藉由化學方式而帶電之奈米管所開發之反應來合成功能化奈米管。
熟習此項技術者應熟知可用於確認個別化經分散奈米管之存在的技術。適合技術之一實例為小角度中子散射(SANS)。SANS技術之詳情描述於Fagan等人，J Phys
Chem B.,(2006),110,23801中。
SANS為用於探測溶液中SWNT之結構的強力技術。更特定言之，SANS可用於判定SWNT以孤立物質形式存在抑或以束狀或叢集形式存在。SANS提供溶液中大粒子(在1 nm至1000 nm之範圍內)之結構的資訊。SANS強度I(Q)與Q-D
成比例，其中D為管之分數維。因此，充分分散之桿狀物體(亦即D1)的預期SANS模式為Q-1
狀態。否則，SWNT之非單分散，亦即由桿之聚集物或網狀物組成者，展現較大分數維，通常為2至4。
在本發明方法包括如上文所述之分散步驟的情況下，可獲得含有高濃度奈米管之溶液。更特定言之，可達成大於約0.01 mgml-1
之濃度。在一個實施例中，在分散步驟之後，個別奈米管之濃度為約0.1 mgml-1
或0.1 mgml-1
以上、約0.5 mgml-1
或0.5 mgml-1
以上、約1 mgml-1
或1 mgml-1
以上、約5 mgml-1
或5 mgml-1
以上、約10 mgml-1
或10 mgml-1
以上、約50 mgml-1
或50 mgml-1
以上、約100 mgml-1
或100 mgml-1
以上。
與分散步驟相關之另一優勢為達成選擇性。更特定言之，分離方法之本質為使金屬碳奈米管優先於半導電奈米管帶電。該效果係歸因於SWNT之可變電子親和力，該電子親和力視類型、直徑及螺旋度而定。
溶液中所存在之奈米管之類型可由拉曼散射技術來確定。SWNT為捲起式石墨片且其電子由於此管形性質而被約束在管之徑向方向上。此量化在其電子態密度
(electronic Density of State，eDOS)中產生較大尖峰，稱為範霍夫奇點(van Hove singularity)。若入射光與此等尖峰之間的差匹配，則拉曼散射為諧振型。接著由特定管控制任何指定波長下之拉曼光譜，該等管具有匹配其eDOS中之波長的躍遷。為預測哪些管與光諧振，通常使用片浦曲線圖(Kataura plot)。此圖為不同SWNT之躍遷計算值隨其直徑變化之曲線圖。
低於400 cm-1
時，由徑向呼吸模式(RBM)控制SWNT之拉曼光譜。此聲子之能量與SWNT之直徑成反比。管混合物樣品之拉曼光譜將展示與光諧振之SWNT之所有RBM的峰值總和。因此，已知雷射波長時，可自片浦曲線圖讀出指定樣品中存在哪些管。若獲取SWNT樣品且對其進行化學處理，則藉由將其拉曼光譜與未經處理之管的拉曼光譜比較，RBM中相對群體之增加或減少提供樣品中特定類型之SWNT之相對增加或減少的強有力證據。此外，如曲線圖中可見，自金屬管及半導電管之躍遷通常在指定能量下充分分離。因此，光譜通常合理地含有對應於金屬SWNT及半導電SWNT之峰的清楚區域。以此方式，拉曼光譜法為基於電子特徵確定SWNT之分離程度的強力技術。Jorio A.,New J.Phys.,(2003),5,139描述使用此技術來表徵碳奈米管。
在產生經分散個別奈米管之溶液後，可視情況進行一或多個其他步驟。詳言之，可基於直徑、結構、螺旋度及/或電子特徵來分離個別奈米管之分散液。
在一個實施例中，已移除雜質之碳奈米管樣品中之碳奈米管的分散及分離可同時進行，例如藉由控制分散步驟，僅使奈米管之一個部分分散。
在一個實施例中，可將經純化且經分散之奈米管轉移至不同溶劑中，詳言之為極性非質子性溶劑。極性非質子性溶劑可選自由以下組成之群：四氫呋喃；二甲亞碸；醚，諸如二噁烷；醯胺，諸如二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、二甲基乙醯胺及六甲基偶磷三醯胺；乙腈；及CS2
。在一個實施例中，極性非質子性溶劑為四氫呋喃。在一替代性實施例中，極性非質子性溶劑為二甲基甲醯胺(DMF)。極性非質子性溶劑較佳無水且不含氧氣。
在一種狀況下，可藉由使用適合淬滅劑逐漸淬滅電荷來分離經分散奈米管，該淬滅劑包括(但不限於)O2
、H2
O、I2
及醇(或其他質子性物質)。隨著淬滅劑添加，具有最高能量電子之物質將首先沈積。藉由添加適當化學計量之量，可分離所要部分。舉例而言，可收集在中和預定量之總電荷後沈澱之部分。
替代化學淬滅或除化學淬滅以外，可使用電化學淬滅法。在此狀況下，藉由向置於奈米管分散液中之(本應呈惰性)電極施加電壓來移除基於個別奈米管之陰離子上之添加電荷。
藉由控制電極之電位，可使具有不同電子親和力之奈米管氧化並沈澱於電極上。工作電極之電極(或系列)可以恆定電位模式維持在固定電位下。亦可提供反電極，較佳在
遠端、但經離子連接之隔室中，在該處使金屬離子還原並加以回收。可使用參考電極來精確控制工作電極處之電位。
或者，或在另一步驟中，可逐漸移除溶劑，從而使最重/帶電最少之物質首先沈積。此兩種機制允許一方面根據例如奈米管長度且另一方面根據奈米管電子特徵(半導電能帶隙)進行分離。
可視情況使用包括(但不限於)RI(其中R為烴基)之淬滅劑對碳物質進行化學改質。藉由對個別奈米管之分散液進行該反應，在奈米管表面上達成理想均勻功能化，因為典型功能化僅在奈米管束表面上發生。
可視情況使(先前分離之)碳物質之溶液緩慢失穩(藉由淬滅或移除溶劑)以使碳物質結晶。
或者或另外，可根據尺寸藉由在乾燥環境中進行層析來進一步分離個別化之經分散奈米管。
可視情況將帶電個別奈米管轉移至其他無水有機溶劑中，諸如二甲基甲醯胺(DMF)、二甲基乙醯胺(DMA)及N-甲基吡咯啶酮(NMP)，以供進一步處理。
本發明製程之主要產物為不受雜質、詳言之非常難移除之含碳雜質污染之碳奈米管。此外，藉由包括如本文所述之分散步驟，可提供不受雜質污染之單分散、未受損奈米碳或奈米碳鹽，諸如奈米管內鎓鹽。
本發明方法提供作為極其適用於進一步操作碳奈米管之起始材料的產物。詳言之，消除雜質為有利的。一旦分
離，即可製得尤其適於形成有序複雜流體及膜之碳物質單分散溶液。舉例而言，可產生濃度適於形成奈米管配向所需之向列相或其他進一步處理(包括結晶)的經分散個別碳奈米管溶液。
現將參考以下圖式及實例進一步描述本發明，該等圖式及實例決不意欲限制本發明之範疇。
圖1展示在632 nm雷射下獲取之按製造原樣之ARC單壁奈米管(SWNT)及在電子液體中帶電之自發溶解ARC SWNT之拉曼光譜，其中該電子液體之金屬含量經控制以分別提供1：20、1：50及1：100之金屬：碳比率。
圖2展示在632 nm雷射下獲取之以下各物之拉曼光譜的IG
/ID
比率：按製造原樣之CoMoCat SWNT；在電子液體中帶電之自發溶解CoMoCat SWNT，其中該電子液體之金屬含量經控制以提供1：10、1：20及1：100之金屬：碳比率；1：10樣品中不溶解之部分；及以1：10比率在電子液體中形成之SWNT鹽。
製造原樣等級之單壁碳奈米管(SWNT)係獲自Carbolex,Inc.,USA。此產品由不同類型之SWNT以及催化劑殘餘雜質及含碳雜質組成。在動態真空下將按製造原樣之SWNT加熱至180℃至220℃範圍內且較佳約200℃之溫度下維持24小時以移除所吸附之物質。接著將樣品與金屬鈉一起裝載於氬氣手套箱(O2
及H2
O<1 ppm)中經特別設計之清潔玻
璃槽中。小心控制碳與金屬之化學計量比以獲得以碳奈米管樣品中之總碳計1個鈉原子/100個碳原子之比率。碳量通常為100 mg。將玻璃槽連接至不鏽鋼不漏氣裝備且冷卻至約-50℃。
此後，使高純度無水氨冷凝至樣品上。此步驟係藉由在室溫下將已知量之通常1.5巴(bar)之氨氣轉移至300 cm-3
容積之燒瓶中且在此燒瓶對樣品容器開放以使氨冷凝至樣品上之前量測壓力來進行。重複此製程以便將總共通常30巴(在室溫下於300 cm-3
中量測)轉移至樣品上(約8 cm-3
液氨)。溶液立即形成深藍色，此可歸於因金屬鈉溶解於氨中而存在之溶劑化電子。在約1小時之時段後，溶液澄清(亦即溶液之藍色消失)，指示溶劑化電子轉移至按製造原樣之SWNT之較易還原組分上。此等帶電物質接著溶解且溶液變成棕/黑色。使溶液平衡2小時。此後緩慢移除氨。接著在嚴格乾燥條件下將所產生之鹽轉移至另一無水溶劑(通常為DMF)中。使管經數天之時段溶解，直至形成均質棕/黑色溶液。接著由套管小心移除溶解部分且藉由在空氣中淬滅而使其沈澱出。分別針對1：50及1：20之金屬：碳比率重複此製程。
使用按製造原樣之CoMoCat管作為起始材料來重複上文所概述之製程；此等管係獲自SouthWest NanoTechnologies Inc.。在此狀況下，使用1：10、1：20、1：100之金屬：碳比率。在1：10樣品之狀況下，亦分離不溶解於DMF中之樣品部分以及在移除氨之後且在添加DMF之前所產生之鹽(稱
為「奈米管內鎓鹽」)。在所有CoMoCat樣品之狀況下，在電子液體中帶電之後於液氨中不發生溶解，但當隨後添加至DMF中時發生自發溶劑化。
對於所有樣品，在632 nm雷射下記錄拉曼光譜。
圖1展示使用632 nm雷射獲取之按製造原樣、1：20、1：50及1：100樣品之拉曼光譜。相關特徵為徑向呼吸模式RBM(拉曼位移<300 cm-1
)、D模式(約1300 cm-1
)、G-
模式(約1500至1570 cm-1
)及G+
模式(約1590 cm-1
)。
RBM之存在確認樣品中存在SWNT(Dresselhaus等人，Phys.Rep.,409,47,(2005))。D峰係由無序散射活化，且因此為SWNT中之缺陷或非晶形含碳雜質之指示(Ferrari A.C及Robertson J.Phys.Rev.B(2000)；Dresselhaus等人，Phys.Rep.,409,47,(2005))。雖然由於拉曼散射過程錯綜複雜而難以進行準確定量分析，但由D/G強度比之大小提供含碳雜質/缺陷之量的強有力指示：該比率愈低，則樣品中存在之含碳雜質或缺陷愈少(Ferrari A.C及Robertson J.Phys.Rev.B(2000)；Dresselhaus等人，Phys.Rep.,409,47,(2005))。
圖1顯示，對於電子液體包括一定量之金屬原子以使金屬與碳奈米管樣品中之碳之比率為1：100的樣品，a)RBM不可見；及b)D：G比率(ID
/IG
)相對於按製造原樣之樣品大大增加，指示已溶解部分之碳含量主要由非晶形含碳雜質組成，因此已達成雜質之移除。
在控制電子液體中之金屬原子含量以提供約1：50之金
屬：碳比率的情況下，ID
/IG
比率降低且RBM在光譜中可見，從而確認儘管存在含碳雜質，但大比例之已溶解部分為SWNT。
最後，在控制電子液體中之金屬原子含量以提供約1：20之金屬：碳比率的情況下，甚至更大比例之已溶解部分為SWNT。
圖2展示CoMoCat樣品之IG
/ID
比率之彙總。可見，對於自發溶解之部分，電子液體中之金屬與碳奈米管樣品中之碳的比率愈低，則IG
/ID
比率愈低。此指示，在較低金屬：碳比率下，含碳雜質優先溶解。可見未溶解部分之IG
/ID
比率與按原樣之樣品相比增加，從而確認該製程已自樣品中移除雜質。奈米管內鎓鹽之IG
/ID
比率與按原樣之材料極為類似，顯示在電子液體中簡單地使樣品帶電不影響此比率。
圖1展示使用632 nm雷射獲取之按製造原樣、1：20、1：50及1：100樣品之拉曼光譜。
圖2展示CoMoCat樣品之IG
/ID
比率之彙總。
Claims (33)
- 一種自碳奈米管樣品中移除雜質之方法，其包含使該樣品與包含金屬及胺溶劑之電子液體接觸。
- 如請求項1之方法，其中該電子液體中之金屬原子與該電子液體所接觸之該等碳奈米管中之碳原子的比率為約1：50或小於1：50。
- 如請求項1之方法，其中該電子液體中之金屬原子與該電子液體所接觸之該等碳奈米管中之碳原子的比率為約1：100或小於1：100。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其中該金屬係選自由鹼金屬及鹼土金屬組成之群。
- 如請求項4之方法，其中該金屬為鹼金屬。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其中該金屬為金屬混合物。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其中該胺為氨。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其包含移除該胺溶劑以形成奈米管內鎓鹽(nanotubide salt)之另一步驟。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其包含將已與該電子液體接觸之該碳奈米管樣品轉移至溶劑中之另一步驟。
- 如請求項9之方法，其中該溶劑為極性非質子性溶劑。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其包含使該已移除該等雜質之奈米管樣品與包含金屬及胺溶劑之第二電子液體接觸以使該等奈米管分散之另一步驟。
- 如請求項11之方法，其中所產生之個別奈米管溶液不含 雜質。
- 如請求項11之方法，其中該第二電子液體中之金屬原子與該第二電子液體所接觸之該等碳奈米管中之碳原子的比率大於該電子液體中之金屬原子與與該電子液體接觸以移除雜質之該等碳奈米管中之碳原子的比率。
- 如請求項13之方法，其中該第二電子液體中所包括之該金屬的量使得該第二電子液體中之金屬原子與該第二電子液體所接觸之該等奈米管中之碳原子的比率為約1：10或小於1：10。
- 如請求項13之方法，其中該第二電子液體中所包括之該金屬的量使得該第二電子液體中之金屬原子與該第二電子液體所接觸之該等奈米管中之碳原子的比率在約1：15至約1：10之範圍內。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其中使該等已移除該等雜質之奈米管與另一電子液體接觸，且其中逐漸增加該另一電子液體中之金屬原子與其所接觸之該等奈米管中之碳原子的比率以使該等奈米管選擇性分散。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其包含藉由在工作電極與反電極之間施加電位來使該等奈米管分散之另一步驟，其中該工作電極包含該等已移除該等雜質之奈米管，且該工作電極及該反電極形成電化學電池之一部分，該電化學電池另外包含電解質。
- 如請求項17之方法，其中在該工作電極與該反電極之間施加正電位。
- 如請求項17之方法，其中在該工作電極與該反電極之間施加負電位。
- 如請求項17之方法，其中該電解質為無水極性非質子性溶劑。
- 如請求項17之方法，其中該電解質為基於奈米管之電解質。
- 如請求項21之方法，其中該電解質包含該等已移除該等雜質之奈米管。
- 如請求項17之方法，其中該電化學電池另外包含參考電極。
- 如請求項17之方法，其中該電化學電池包含複數個反電極，且在該工作電極與各反電極之間施加不同電位。
- 如請求項17之方法，其中該工作電極及該反電極容納於單一隔室內。
- 如請求項17之方法，其中該工作電極容納於第一隔室內且該反電極容納於第二隔室內，其中該第一隔室及該第二隔室係由電化學膜連接。
- 如請求項17之方法，其中藉由控制該施加在該工作電極與該反電極之間的電位來使該已移除該等雜質之奈米材料選擇性分散。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其包含分離該等經分散奈米管之另一步驟。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其包含移除該電子液體以獲得經純化或經分級之奈米管的另一步驟。
- 如請求項1至3中任一項之方法，其包含將該等奈米管轉移至溶劑中之另一步驟。
- 如請求項30之方法，其中該溶劑為極性非質子性溶劑。
- 如請求項31之方法，其中該極性非質子性溶劑係選自由以下組成之群：四氫呋喃(THF)；二甲亞碸(DMSO)；醚，諸如二噁烷；醯胺，諸如二甲基甲醯胺(DMF)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、二甲基乙醯胺及六甲基偶磷三醯胺；乙腈；及CS2 。
- 一種包含金屬及胺之電子液體之用途，其係用於自碳奈米管中移除雜質。
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